Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Circuite Integrate PDF
Circuite Integrate PDF
NOIUNI INTRODUCTIVE
fotomascarea 2 definete deschideri n oxid pentru contururile de izolare, realizate prin difuzie
de tip p cu bor;
fotomascarea 3 definete deschideri n oxid pentru difuziile bazelor tranzistoarelor i traseelor
rezistoarelor (difuzie de tip p cu bor);
fotomascarea 4 definete deschideri n oxid pentru difuzia emitoarelor, a contactelor de
colector i a substratelor pentru capacitoarele MOS (difuzie de tip n cu fosfor);
NOIUNI INTRODUCTIVE 13
fotomascarea 5 realizeaz ndeprtarea oxidului din regiunile unde se vor creea capacitoare
MOS prin depunerea unor straturi de oxid cu grosime controlat;
fotomascarea 6 definete deschideri n oxid pentru realizarea contactelor ohmice metal-
semiconductor. Urmeaz acoperirea n ntregime a plachetei de siliciu cu aluminiu, grosimea
stratului fiind de ordinul miilor de angstromi (1 angstrom = 10-8 cm)
fotomascarea 7 definete traseele conductoarelor de interconexiune, electrozii (armturile)
capacitoarelor MOS i zonele pentru ataarea conexiunilor, zone numite paduri. Apoi are loc o
depunere n vid, pe spatele plachetei, a unui strat subire de aur necesar lipirii cipului de siliciu
pe baza capsulei.
Avantajul tehnologiei planare const n faptul c se prelucreaz simultan 1020 de
plachete, pe fiecare realizndu-se simultan sute de circuite identice. In acest fel se obin simultan
loturi de mii de CI.
Asamblarea i testarea cuprinde urmtoarele etape: testarea pe plachet, separarea
cipurilor i nlturarea celor descoperite defecte n etapa de testare pe plachet, lipirea cipurilor
pe baza capsulei, ataarea conexiunilor, ermetizarea, testrile i msurtorile finale i marcarea
CI.
nu intre n conducie niciodat. Acest lucru se poate realiza numai prin creterea concentraiei
suprafeei din regiunile de cmp. Implantrile sunt urmate de o oxidare local (fig. 1.2, b).
- fotomascarea 2 definete deschideri n stratul izolator, tot n dreptul zonelor active, pentru
realizarea de pai suplimentari de implantare ionic prin care se ajusteaz concentraia suprafeei
n zona n care se va obine canalul tranzistoarelor MOS. Prin aceast operaie de modificare a
concentraiei, se schimb tensiunile de prag ale tranzistoarelor MOS i se aduc n limita 0,71V,
valoare ce corespunde din punct de vedere al marginii de zgomot cu cea din aplicaiile cu circuite
logice.
In circuitele analogice se pstreaz aceleai valori ale tensiunilor de prag ca n cazul
circuitelor digitale, deoarece, pe acelai cip se implementeaz tot mai des att funcii analogice
ct i funcii digitale. Aceast schimbare a tensiunilor de prag se poate realiza fie simultan pentru
ambele tipuri de tranzistoare MOS, fie separat, cu ajutorul a dou mti, cte una pentru fiecare
tip de dispozitiv.
- fotomascarea 3 permite depunerea de siliciu policristalin i definirea astfel a grilelor diferitelor
dispozitive (fig.1.2,c). Tehnologia MOS cu poart de siliciu furnizeaz trei straturi de
interconexiune: metal, siliciu policristalin i strat difuzat. In afar de cazul cnd n proces se iau
msuri speciale, conexiunile dintre stratul de siliciu policristalin i cele de difuzie necesit o
punte de metalizare. Pentru a se realiza o conexiune direct ntre startul de siliciu policristalin i
cel difuzat se include un contact ngropat (buried contact - n l. englez) chiar nainte de
depunerea stratului de siliciu policristalin.
a) b)
Fig. 1.4. Izolarea prin diode polarizate invers. (a) Structura de principiu.
(b) Circuitul electric echivalent.
c) Izolarea dielectric const n realizarea unor insule de tip n, izolate ntre ele cu
ajutorul unui strat de bioxid de siliciu (SiO2), insule n care se obin toate microelementele CI.
In fabricarea unui CI cu izolare dielectric se pornete de la o plachet de material
semiconductor de tip n i cu rezistivitate potrivit regiunilor de colector. In aceast plachet se
corodeaz anuri cu o adncime de 20 m, suprafaa rezultat se acoper cu un strat de oxid i
apoi se depune un strat gros de siliciu policristalin, cu grosimea de 200 m, cu rol de suport
mecanic. Urmeaz apoi o operaie de lefuire (corodare) pn la ndeprtarea total a stratului de
tip n cu excepia celui din insule.
b) Ttranzistoarele bipolare pnp (fig.1.7) au performane mai reduse dect cele npn.
Dup modul cum curge curentul de colector, paralel cu planul circuitului sau transversal,
se deosebesc:
- tranzistorul pnp lateral (fig.1.7,a);
- tranzistorul pnp vertical sau de substrat (fig.1.7,b).
18 CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE
a) b) c)
Fig. 1.7. Tranzistoare pnp n tehnologie bipolar. (a) Tranzistor pnp lateral.
(b) Tranzistor pnp vertical. (c) Tranzistor pnp multicolector.
a) b) c)
Fig. 1.8. Structura tranzistoarelor cu efect de cmp i gril jonciune, realizate n
tehnologie bipolar. (a) TEC-J cu canal p, de baz. (b) TEC-J cu canal n,
de colector. (c) TEC-J obinut prin implant ionic.
Cel de-al treilea tip de TEC-J se obine prin tehnologia BIFET (Bipolar Field Effect
Transistor - n limba englez). Aceste tranzistoare sunt TEC-J cu canal p, obinute prin metoda
implantrii ionice, cu parametrii controlai cu precizie mare i nlocuiesc tranzistoarele pnp care
NOIUNI INTRODUCTIVE 19
diminueaz performanele CI datorit frecvenelor lor limit de valoare mic. Prin metoda
implantrii ionice se pot realiza perechi de astfel de tranzistoare, cu caracteristici foarte
asemntoare i care constituie etajul de intrare al amplificatoarelor operaionale cu TEC-J.
e) Diode. In tehnologia bipolar se pot realiza diode standard i diode Zener.
Diode standard. Principial, oricare dintre jonciunile care intr n construcia unui CI
monolitic poate fi folosit ca diod. De exemplu, la un tranzistor npn apar jonciunile baz-
emitor, DBE i baz-colector, DBC, cu aciune de tranzistor npn i jonciunea colector-substrat,
DCS, care mpreun cu jonciunea DBC realizeaz o aciune de tranzistor pnp parazit (fig. 1.9). Cu
rB i rC s-au notat rezistenele serie ale bazei, respectiv colectorului. Jonciunea DCS nu se
utilizeaz ca diod deoarece ea nu este izolat (substratul se conecteaz la potenialul cel mai
negativ). Jonciunile rmase se pot combina n cinci moduri (fig.1.10).
a) b)
c) d) e)
Fig. 1.12. Rezistoare realizate n tehnologie bipolar. (a) Rezistor de baz.
(b) Rezistro de baz ngustat. (c) Rezistor de emitor. (d) Rezistor epitaxial. (e) Rezistor epitaxial
ngustat.
g) Tranzistorul MOS este cu canal p i gril de aluminiu. Sursa i drena sunt formate n
stratul epitaxial prin difuzia de baz. Masca de capacitor (fotomascarea 5) se folosete i pentru a
defini regiunea corespunztoare a oxidului aflat deasupra canalului (fig.1.13,a).
a) b) c)
Fig. 1.13. Dispozitive MOS realizate n tehnologie bipolar. (a) Tranzistorul MOS.
(b) Capacitorul MOS. (c) Circuitul echivalent al capacitorului MOS, ilustrnd modul de aciune
al capacitii parazite, Cparazit.
NOIUNI INTRODUCTIVE 21
h) Capacitoare (condensatoare). Pentru a nu se consuma o arie excesiv din cipul de
siliciu, valorile economice de capacitoare nu depesc civa zeci de pF. Se pot folosi dou tipuri
de capacitoare i anume: capacitoare obinute din jonciuni polarizate invers i capacitoare MOS.
- Capacitoarele obinute din jonciuni polarizate invers utilizeaz capacitatea de
barier a jonciunii i prezint dezavantajele:
- meninerea permanent a tensiunii de polarizare i
- dependena valorii capacitii de tensiunea aplicat.
Aceste dezavantaje reduc aria de utilizare a acestor capacitoare.
- Capacitorul de tip MOS are structura prezentat n fig.1.13,b. O armtur este o
pelicul metalic depus pe stratul de oxid de grosime controlat (de obicei de grosime mai mic
dect cea a oxidului de pe restul suprafeei CI), dielectricul este stratul de bioxid de siliciu iar
cealalt armtur este format dintr-un strat semiconductor. Intre armtura din material
semiconductor i metalizarea aplicat substratului, se formeaz un capacitor parazit, Cparazit
(fig.1.13,c), cu valoarea de aproximativ o sut de ori mai mic dect cea a condensatorului util.
Acest condensator parazit nrutete comportarea circuitului la frecvene nalte.
Dielectricul acestui capacitor este comparabil ca grosime cu cel al oxidului de sub grila
tranzistorului MOS. Structura prezint cte o capacitate parazit asociat fiecrei armturi, ceea
ce nrutete comportarea la frecven nalt a circuitului care conine capacitorul poli-poli.
Astfel, capacitatea parazit asociat armturii de inferioare este proporional cu aria acestei
24 CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE
armturi i reprezint 1030% din valoarea capacitii utile, iar capacitatea parazit asociat
armturii superioare depinde de tehnologia de fabricaie i este tipic de ordinul 515 fF (1f
(femto)=10-15).
Tolerana din valoarea absolut este funcie, n primul rnd, de grosimea oxidului i se
afl n domeniul 1030%. Tolerana de mperechere ntre dou sau mai multe structuri identice
este mai mic i anume 0,11%. Coeficientul de tensiune depinde de variaiile potenialului de la
suprafaa armturilor i este uzual mai mic de 50 ppm/C, nivel suficient de mic pentru a putea fi
neglijat n majoritatea aplicaiilor. Valoarea capacitii depinde i de modificrile de temperatur,
coeficientul de temperatur fiind mai mic de 50 ppm/C.
- Alte structuri de capacitor. In procesele tehnologice n care se realizeaz un singur
strat de siliciu policristalin, pentru realizarea unui capacitor se introduce o etap suplimentar de
fotomascare pentru a se realiza un strat izolator cu grosime controlat. Acest strat de oxid se afl
deasupra stratului de siliciu policristalin care constituie armtura inferioar a unui capacitor.
Armtura superioar se obine n urma operaiei de metalizare a suprafeei cipului, operaie prin
care se realizeaz i contactele i interconexiunile. Proprietile unui astfel de capacitor sunt
identice cu cele ale capacitorului poli-poli.
- Capacitoare obinute din tranzistoare MOS. Un tranzistor MOS poate deveni
capacitor atunci cnd este polarizat n regiunea cvasiliniar a caracteristicii statice, grila formnd
o armtur iar sursa, drena i canalul cealalt armtur. Structura de capacitor prezentat are un
coeficient de tensiune mare i din aceast cauz se poate folosi numai n circuite nepretenioase.