INIIERE IN REALIZAREA PRACTIC A

SCHEMELOR ELECTRONICE (IRPSE)

IRPSE 4
 Alte metode de realizare a
interconectrilor n electronic

Cablaje cu fire
Wire-wrapping
Multiwire
3D-MID

2
 Tehnologii de cablare cu fire
n primele aparate electronice de la nceputul secolului XX, pn la
generalizarea PCB, cca. anul 1950, componentele se fixau pe un suport
(asiu), izolant sau metalic, cu cleme, uruburi, piulie etc. Legturile dintre
terminale se executau cu fire izolate sau neizolate; unele componente se
montau direct ntre terminalele unor socluri sau unor alte componente cu
dimensiuni mai mari. Datorit dezavantajelor evidente, acest procedeu nu mai
este folosit azi n producia electronic.
Reglete izolante cu cose, capse i cleme de
contact i un montaj pe reglete cu cleme
 Tehnologii de cablare cu fire (cablaje cu fire)
Conductoare filare
Conductoarele electrice pentru interconexiuni pot fi: filare (cabluri)
sau imprimate.
In prezent, aproape toate conductoarele de interconexiune se
realizeaz din cupru electrotehnic, cu mare puritate (peste
99,5%). De regul, dup tragerea n fire se procedeaz la o
recoacere care face metalul ductil (moale) i i reduce
rezistivitatea ( 0,017210-6 m). Pentru unele utilizri (de ex.
pentru wrapping) se folosete cupru tras la rece (fr recoacere),
mai elastic, cu rezistivitate ceva mai mare ( 0,017810-6 m).

Conductoare din alte metale (Au, Ag, ...) se folosesc n circuite

integrate i foarte rar n alte aplicaii. In schimb, adesea
conductoarele din cupru sunt metalizate, prin acoperire cu o
pelicul subire din metal greu oxidabil (Ag, Au, ...) sau cu oxid cu
mic (Sn) i care favorizeaz lipirea (Ag, Sn).
 Conductoare i inductoare

Conductor emailat forme de livrare

Inductor (bobin) toroidal() cu
conductor din cupru emailat

Inductor (bobin)
cilindric() cu conductor
din cupru emailat
nfurri ale unui transformator
cu conductor din cupru emailat
 Tipuri de conductoare filare

Cablurile masive, izolate sau neizolate, metalizate (stanate, argintate)

sau nu, sunt din cupru recopt (moale, rezistivitate mic) sau tras la
rece (mai elastic, cu rezistivitate ceva mai mare). Conductoarele
masive au flexibilitate redus i nu suport ndoiri sau rsuciri repetate.

Cablurile liate, sunt formate din mai multe fire (3 ...15 fire, 0,1 ...
0,5mm) strnse n mnunchi i uor torsadate. De regul sunt izolate (n
trecut cu bumbac, dar n prezent numai n plastic) i pot fi cu un
mnunchi sau mai multe, metalizate sau nu. Aceste conductoare au
flexibilitate mai bun i sunt folosite pentru conectarea pieselor mobile.

Cablurile bifilare, trifilare sau multifilare, constau din mai multe

conductoare, de regul liate, puse n paralel i izolate n ansamblu sau
cu izolaiile lipite, formnd cabluri rotunde sau tip panglic.
 Metode de interconectare alternative la
lipirea componentelor
Procedeul wire-wrap
Cablare cu fire aplicat pe scar larg n
jurul anilor 1965-1970 i utilizat i n
prezent, este cel numit wire-wrap
(wrapping).
Procedeul foloseste pini pentru wrapping
ncastrai n suport izolant, pe care se
nfoar strns conductorul de
conexiune
Pinii sunt din metal elastic (bronz fosforos,
alam, oel, ...) acoperii cu aur, argint sau
staniu, cu seciune ptrat i cu muchii tioase.
Conductorul care se nfoar pe pini este din
cupru tras la rece (pentru elasticitate) argintat
sau stanat (mai puin recomandabil). Izolaia
este din teflon (PTFE), Kynar (PVDF), PVC sau
Nylon, cu grosime mic (0,15 0,3mm).
Conductorul este
nfurat foarte strns pe
pin, cu o unealt special.
Muchiile cresteaz puin
conductorul iar pinul este
puin torsadat. Astfel,
apar fore elastice care
asigur un contact foarte
bun i fiabil (mult mai
fiabil dect contactul prin
lipire!). Pentru a nu se
rupe cuprul la vibraii, se
execut i 0,5 ... 1,5 ture
cu conductor izolat.
Calculatoare performante la timpul lor precum PDP8
(SUA) i Felix C256 (Romnia) au avut placa de baz
(motherboard) i plcile fund de sertar (backpanel)
realizate prin wrapare. Calculatorul NASA, utilizat n
misiunile Apollo care au ajuns pe lun, a fost de
asemenea realizat prin wrapping!

Conform Wikipedia
http://en.wikipedia.org/wiki/Wire_wrap acest mod de a
realiza conexiunile, dup impunerea SMT nu mai avea
aplicaii industriale notabile. Metoda wire-wrap mai este
azi utilizat la realizarea prototipurilor, dar tinde s fie
nlocuit de plcile breadboard (dar cu interconectri
relativ slabe si instabile) i de circuitele imprimate
standard al cror pre a sczut semnificativ
 PCB (PCI) multifilar (Multiwire PCB)

PCB multifilar: combin tehnologia PCB cu cea de cablare convenional

(cu cabluri (fire) clasice). Gurile de trecere metalizate sunt realizate dup
lipirea firelor electrice izolate.
 PCB multifilar (Multiwire PCB)
Plcile de interconectare multifilare (multiwire PCB) combin structuri dublu
strat sau structuri multistrat cu cabluri izolate ncorporate ntr-un strat de
prepreg (estur preimpregnat) laminat pe una din suprafeele exterioare
ale plcii. Diametrele firelor sunt de obicei n intervalul de 80-100 m, avnd
aceeai capacitate de ncrcare n curent cu cea a traseelor de circuit
imprimat cu grosimea de 35 m i late de 0,15 - 0,25 mm.

Firele sunt poziionate nainte de ntrirea stratul de prepreg i de realizarea

gurilor. Deoarece sunt folosite fire izolate, se pot realiza cu uurin
intersectri de trasee (crossover)

Exemple de structuri
Multiwire de la firma
Wirelaid
 PCB multifilar (Multiwire PCB)
n cazul n care un fir se termin ntr-o gaur sau traverseaz o zon cu
guri, acesta va fi tiat n timpul operaiei de gurire, oferind o suprafa
de contact pentru interconectare prin viitoarea gaur metalizat. n acest
fel pot fi fabricate plci cu nalt densitate de interconectare, avnd o
flexibilitate mare n proiectare.

Avantajele structurilor multiwire PCB sunt:

- pot fi utilizate la plcile cu densitate mare de componente;
- numrul de guri de trecere poate fi redus.

a) layout-ul firelor
b) foto circuit
 3D MID (Molded Interconnection Devices)
Interconectarea se realizeaz prin
aplicarea cablajului pe suprafaa Cablarea 3D poate nlocui cteva
dispozitivelor din material plastic.
componente mecanice, cum ar fi
Metalizarea plasticului: butoane, ntreruptoare.
Depunere chimic de Cu
Expunere:
scriere direct cu laser
aplicare a unei mti foto 3D
Aplicare fotorezist: SMD

Plastic rezistent la ocuri,

exemplu: PEI=polieterimid
 Exemplu de modul demonstrativ 3D-MID

Modul demonstrativ 3D-MID pentru

aplicaii de comand la ghidonul
unei motociclete
 Exemple de circuite 3D MID

Senzor auto Adaptive Cruise Control

(ACC), firma Continental Limitele actuale ale
rezoluiei Sursa: LPKF

3D-MID poate nlocui

circuitele flexibile
Etapele tehnologice ale unui circuit 3D-MID
 Procesul de asamblare a modulelor
electronice (contactare/lipire manual,
n val, pe suprafa, mixte, laser,
wirebonding)

18
Schema electronic Modulul electronic

CAD: Computer Aided Design:

IPC222x, IPC7351
CAE: Computer aided engineering

CAD CAM: Computer aided Manufacturing

CAE
CAM

Profil termic
Lipitur (electric) = Solder joint
19
Cazuri posibile n asamblarea modulelor electronice
TIP 1 - cu montare pe o singur fa a
componentelor electronice (Top - superioar)

A. Componente THD,
montare prin inserie

B. Componente SMD,
montare pe suprafa

C. Componente mixte
THD/SMD
20
Tip 2 - cu montare pe ambele fee a componentelor
electronice (Top - superioar, Bottom - inferioar)
A. Componente THD, montare prin inserie pe ambele fee

B. Componente SMD,
montare pe ambele suprafee

C. Componente SMD cu
montare pe ambele
suprafee i THD Top.

X, Y, Z. Componente SMD complexe

miniatur, component chip-scale
cu montare pe suprafa, COB
21
An
III

22
 PROCESUL DE CONTACTARE/LIPIRE
CU TRANSFER DE CLDUR
Lipirea este un procedeul de mbinare la cald a pieselor
metalice, n care se folosete un metal de adaos, numit aliaj de
lipit, diferit de metalele de baz:
Lipituri moi, cnd temperatura de topire a aliajului de lipit -
este mult inferioar fa de a metalelor de baz, T < 400C;
Lipituri tari, cnd aliajul de lipit are temperatura de topire
comparabil cu a metalelor de baz, T > 400C.
Fabricarea pieselor, componentelor i dispozitivelor electronice:
lipituri moi & lipituri tari;
Interconectarea componentelor la asamblarea modulelor
electronice:
lipituri moi.
23
Lipirea este condiionat de o serie de procese fizico-
chimice care se petrec la contactul dintre aliajul de lipit
topit (n stare lichid) i metalele de baz (n stare
solid).
Pentru realizarea lipirii este necesar ca aliajul de lipit
topit s umecteze metalele de baz, pentru a se crea
legturi strnse ntre cele dou materiale, cu consecina
apariiei difuziei de atomi de aliaj n metalele de baz i
a atomilor acestora n aliaj.
Umectarea metalelor de baz de ctre aliajul n stare
lichid se datoreaz forelor care apar la contactul dintre
pictura de aliaj n stare lichid i metalul de baz.
Suprafaa liber a picturii este perpendicular pe fora
rezultant a acestor fore.
24
 l - tensiunea
superficial al aliajului
n stare lichid;
ls- tensiunea
superficial datorat
adeziunii aliaj lichid -
metal de baz solid;
lg - tensiunea
superficial datorat
adeziunii lichid-gaz.
La echilibru:

Condiii pentru o umectare corect: ls > l

Umectarea bun este posibil dac suprafeele metalelor i
aliajului sunt perfect curate pe toat durata procesului de lipire.
25
Caz ideal: Contact bun = umectare bun a metalului de baz
= rezultanta Fr se apropie, ca direcie, de perpendiculara pe
metalul de baz.
Unghi limit de umectare sau unghi de contact () =
nclinarea tangentei la suprafaa picturii egal cu unghiul dintre
Fr i perpendiculara pe suprafaa metalului de baz;
cos se numete coeficient de umectare.
Ambele mrimi reprezint msura gradului de umectare i,
n consecin, reprezint o prim apreciere a calitii lipiturii.
Mediul n care se realizeaz procesul de contactare i care
nfoar suprafaa metalului de baz i a picturii de aliaj n
stare topit este un amestec mixt lichid-gaz provenit din topirea
fluxului de lipire, gaze produse prin fierberea i arderea fluxului i
aer, respectiv azot , dac contactarea se realizeaz n atmosfer
inert se caut eliminarea oxigenului din aer, care provoac
oxidri. 26
Calitatea umezirii n raport cu unghiul de contact

27
 Fenomenul de capilaritate
Tensiunile superficiale, mai ales ale aliajului n stare lichid i
dintre metalele de baz i aliajul lichid determin
existena capilaritii, fenomen deosebit de important la
lipirea pieselor electronice.
Datorit capilaritii, aliajul topit ptrunde i umple spaiile
nguste dintre piese, asigurnd lipirea numit adesea lipire
capilar.
Capilaritatea apare dac interstiiile sunt destul de mici (sub
0,25 mm) i este favorizat de rugozitile mici ale
suprafeelor, mai ales dac sunt sub form de canale (rizuri);
Pe suprafee lustruite capilaritatea este redus, ntinderea
slab, din care motiv se recomand ca suprafeele, mai ales
de cupru, s aib aspect satinat - asperiti mici.
28
Fenomenul de capilaritate

29
 CONTACTAREA PRIN LIPIRE
Tehnologie de contactare prin lipire cu transfer de cldur
Referine: IPC-J-SDT-001, IPC-2221, IPC 2222, IPC 7351,
IPC-A-600, IPC-A-610
Domeniul de utilizare: Model experimental, prototip,
producie de serie mic, productivitate i grad de
miniaturizare reduse:
A. Cu transfer de cldur:
Permite contactarea componentelor standardizate THD/SMD i
dedicate cu/fr cerine speciale privind asamblarea, dar avnd
un grad redus de miniaturizare: TIP1: A, B, C; TIP2: A;
Utilizat n cazul asamblrilor mixte (n completare):
TIP2: B, C;
Varianta de contactare manual cu val selectiv dedicat:
fntn de aliaj. 30
 CONTACTAREA PRIN LIPIRE (cont.)

B. Fr transfer de cldur: presupune utilizarea

adezivilor

C. Sudur ultrasonic (cu/fr transfer de cldur

auxiliar):
Wire-bonding;
Chip-on-board (COB).

31
 Procesul de contactare/lipire

Etape:
nclzirea metalelor de baz i de adaos pn la temperatura
de topire a aliajului (tta), timp n care se produce topirea fluxului,
ntinderea acestuia i ndeprtarea impuritilor;
topirea aliajului;
continuarea nclzirii pn la temperatura de lipire (tl > tta)
care se menine un timp, n care au loc umezirea, ntinderea
aliajului, umplerea interstiiilor, dizolvarea metalelor de baz n
aliaj i difuzia reciproc a moleculelor;
ndeprtarea sursei de cldur, rcirea metalelor i
solidificarea aliajului.

32
La temperatura de lipire au loc i procese fizico-chimice nedorite
(reacii, recristalizri etc.) care nrutesc calitatea lipiturii. Este
necesar ca temperatura i durata nclzirii (lipirii) s nu dep-
easc valorile necesare.

Temperatura de lipire (tl) este ntotdeauna superioar temperaturii

de topire complet a aliajului (tla), cu cel puin 25 30C.

Procese n timpul
contactrii/lipirii

33
2.2.1 Ciocanele de lipit termoreglate cu magnet permanent. Pentru
meninerea constant (1 5C) a temperaturii, vrful este montat n
contact cu un magnet permanent avnd punctul Curie la temperatura de
lipire (tCurie = tl). Ct timp t < tl, magnetul atrage o tij din fier moale
i se nchide contactul de alimentare a rezistenei; la t tl = tCurie
pastila i pierde nsuirile magnetice i un arc slab deschide contactul;
la scderea temperaturii contactul se renchide. Schimbarea temperaturii
de lipire necesit alt vrf cu magnet.

Variante constructive: puteri de la 20-25W la peste 100W; vrfuri cu

pastile magnetice de la 200C la peste 350C (din 10 n 10C).

34
2.2.2 Ciocanele de lipit termoreglate cu senzor de temperatur
(termistor, termorezisten, termocuplu) montat n vrf, asigur att un
histerezis mai mic (sub 1C) ct i posibilitatea reglrii temperaturii
(circuitele de reglaj sunt n aceeai carcas cu transformatorul) n plaje
largi.
Sunt mai scumpe i mai pretenioase (cordonul ciocanului are 4 6 fire).

Statie de lipire cu temperatura reglabil 1: intrerupator de retea.

2: indicatorul optic al regulatorului de temperatura; 3: potentiometru rotativ de
reglare a temperaturii (continuu, in gama 150-450 C); 4: comutator cu cheie;
5: priza pentru potentialul de masa; 6: conector pentru ciocanul electric
35
3. Staie de lipit cu aer cald - permite lipirea manual
prin convecie forat.

36
 Alte instrumente necesare lipirii
penseta, cuitul, cletele lat, cletele rotund, cletele de tiat,
pompa de extras aliajul topit, tresa metalica, lupa.
Pompa de aliaj: este folosit pentru extragerea aliajului n stare
lichid din gurile i de pe pad-urile componentelor THD i de pe
suprafeele pad-urilor SMD. Declanarea micrii explozive a
pistonului, asigurat de tensiunea acumulat n arcul comprimat,
provoac realizarea vidului care determin extragerea aliajului n
stare lichid.

37
 Echipament de lipire manual cu aer cald a
componentelor SMD (n dotarea UPB CETTI)

38
 CONTACTARE/LIPIRE AUTOMAT LA VAL
Tehnologie de contactare/lipire cu transfer de cldur

Referine: IPC-J-SDT-001, IPC-2221, IPC 2222, IPC 7351,

IPC-A-600, IPC-A-610
Domeniul de utilizare: Model experimental, prototip, producie
de serie (mic, mijlocie, mare), productivitate mare:
Presupune utilizarea unei linii automate de contactare la val THT;
Permite contactarea componentelor standardizate THD/SMD i
THD dedicate cu/fr cerine speciale privind asamblarea: TIP1: A, C;
Caz asamblri mixte:
Permite contactare selectiv cu dispozitive auxiliare de dirijare a
valului i protecia componentelor SMD.
Utilizat n cazul asamblrilor mixte complexe cnd sunt necesare
dispozitive auxiliare: TIP2: C.
Varianta de contactare cu val selectiv n coordonate.
39
Maina de lipit la val

40
 CONTACTARE/LIPIRE AUTOMAT PE SUPRAFA
Tehnologie de contactare/lipire cu transfer de cldur

Referine: IPC-J-SDT-001, IPC-2221, IPC 2222, IPC 7351,

IPC-A-600, IPC-A-610
Domeniul de utilizare: Model experimental, prototip, producie de serie
(mic, mijlocie, mare), productivitate mare:
Presupune utilizarea unei linii automate de contactare SMT;
Permite contactarea componentelor SMD standardizate i dedicate cu/fr
cerine speciale privind asamblarea: TIP1: B, TIP2: B;
Utilizat n cazul asamblrilor mixte complexe:TIP1: C;
Cazul contactrilor mixte:
Utilizat n cazul asamblrilor mixte complexe cnd sunt necesare
dispozitive auxiliare n caz TIP2 B i tehnologii adiacente (Ex. Wirebonding)
n caz TIP2 C;
Permite contactarea componentelor THD prin tehnologia PIN-IN-PASTE.
41
Val dublu turbulent/laminar

Val dublu, turbulent

CONTACTARE/LIPIRE AUTOMAT PE SUPRAFA

Depunere pasta: Inspecie optic pe faze

Testar
Printing e final
Printare Plantare Final

Cuptor SMT:
Plantare componente: Rework
Pick & place
Banda admisa pentru profilul termic

45
Echipament SMT de lipire automat tehnologie
infrared-convecie

46
 Procesul de contactare prin retopire n faz de
vapori
VAPORI + GAZE NECONDENSABILE
transferul vaporilor prin
volumul fazei gazoase

condensarea propriu-zis

transferul cldurii latente

picturi de de condensare film de
condensat ctre suprafa a rece PCB condensat

Suprafa a PCB, cu temperatura TPCB < Tv , pe care are loc condensarea b

a

Transferul cldurii latente de condensare ctre suprafaa rece a PCB

47
Pelicula de lichid condensat transfer cldur
ctre suprafaa PCB mult mai eficient
comparativ cu procesele infrared-convecie.

Maina VPS IBL SLC309 din dotarea

UPB-CETTI 48
 CONTACTARE/LIPIRE LASER
Tehnologie de contactare/lipire cu transfer de cldur

Referine: IPC-J-SDT-001, IPC-2221, IPC 2222, IPC 7351,

IPC-A-600, IPC-A-610
Domeniul de utilizare: Model experimental, prototip, producie
de serie (mic, mijlocie, mare), productivitate mare:
Presupune utilizarea unei linii semiautomate/automate de contactare
a componentelor SMD / THD standardizate i dedicate cu/fr cerine
speciale privind asamblarea: TIP1: B, C, TIP2: B, C;
Cazul contactrilor mixte:
Utilizat n cazul asamblrilor mixte complexe: TIP1: C;
Utilizat n cazul asamblrilor mixte complexe TIP2 X,Y, Z,
Ex: 3D MID

49
50
Lipirea cu laser este o tehnica prin care un laser de mica putere
este utilizat pentru a topi si lipi un punct de conexiune electrica.
Lipirea selectiva permite eliberarea unei cantitati precise de
energie unei anumite locatii, chiar celor greu accesibile, fara a
cauza prejudicii din punct de vedere termic ariilor si
componentelor inconjuratoare.
In acest scop, echipamentul de lipire cu laser de mare precizie
este dotat cu brat robotic si sistem de pozitionare x-y automat.
Sunt folosite sistemele cu dioda laser bazate pe tehnologia AAA
(aluminum-free active area), care le confera durata de
functionare mai indelungata (deoarece principalul mecanism de
defectare intr-un material semiconductor conventionel AlGaAs,
oxidarea jonctiunii, este absent).
Lipirea selectiva cu laser necesita mai putin de 10W si o densitate de
putere relativ mica (W/cm2) pentru producerea unei contactari.

51
 CONTACTARE/LIPIRE WIREBONDING:
CHIP ON BOARD (COB)
Tehnologie de contactare prin sudur ultasonic cu/fr transfer
de cldur

Referine: IPC-J-SDT-001, IPC-2221, IPC 2222, IPC 7351,

IPC-A-600, IPC-A-610
Domeniul de utilizare: Model experimental, prototip, producie
de serie (mic, mijlocie, mare), productivitate mare:
Presupune utilizarea unor echipamente manuale / semiautomate /
automate de contactare placheta chip-terminale capsule, Nivel 1 n
packagingul electronic;
contactare placheta chip direct pe placa PCB, tehnologie Chip on
board: TIP2: X, Y, Z;

52
Contacarea prin fir (wire-bonding) este procesul prin
care se realizeaza conexiunea electrica intre cipul de
siliciu si terminalele externe ale dispozitivului
semiconductor prin utilizarea unor fire de legatura
foarte fine.
Firele utilizate sunt de obicei din aur sau aluminiu, dar
cuprul incepe sa castige si el teren in domeniu.
Diametrul firului incepe de la 15m si poate ajunge la
cateva sute de m.
Exista doua procese de contactare prin fir:
contactarea prin bile de aur si contactarea prin fir de
aluminiu

53
 Contactarea cu fir de aur
In timpul contactarii cu fir de aur, o bila de aur se formeaza mai
intai prin topirea capatului firului (care e tinut de o unealta
denumita capilar). Bila are un diametru cuprins inte 1.5 pana la
2.5 ori diametrul firului.
Ea este apoi adusa in contact cu padul pe care trebuie realizata
legatura. Se aplica bilei o presiune, temperatura si forta
ultrasonica adecvate un timp specificat ca sa se formeze sudura
metalurgica initiala intre bila si pad pana la deformarea bilei.
Firul este dus apoi la terminalul corespunzator formandu-se un
arc sau bucla inte padul conexiunii si cupa terminalului. Se
aplica din nou presiune si forte ultrasonice firului pentru a se
forma cea de a doua conexiune.
Dupa terminarea operatiei masina taie firul pentru pregatirea
urmatoarei contactari.
54
 Wire Bonding
Paul 4:
Pasul 1: Ridicare i
Topirea firului i formarea bilei rupere fir

Pasul 2:
Prima sudur (ball)

Pasul 3:
Formare
Chip bucl i
a doua lipitur
(wedge)
56
 Contactarea cu fir de aluminiu
In timpul contactarii cu fir de aluminiu, firul este adus in contact
cu padul de aluminiu.
Se aplica o energie ultrasonica un timp determinat firului in timp
ce el este presat formandu-se astfel prima contactare.
Apoi se deruleaza operatiile ca si mai sus.

57
Sudura de tip wedge
(sau wedge-wedge)
Echipamente wire bonding din dotarea UPB-CETTI

59
Montarea dispozitivelor SMD pe PCB
 Conexiune/lipitura = structur complex
multistrat n continu restructurare funcie de
condiiile mecano-climatice de funcionare.

Model pentru microstructura cu straturile de compui intermetalici

care caracterizeaz conexiunea PIN-PAD generat de viteza de
rcire pe perioada procesului de contactare/lipire Caz aliaj fr
plumb (Lead-Free), SAC305: Sn 96,5% Ag 3% Cu 0,5%
61
PCB echipat cu componente SMD

62
Echipamentul de inspectie vizuala
 Calitatea n asamblare
ELIMINAREA DEFECTELOR DE LIPIRE
A. Conexiuni/lipituri defecte la nivel macro
Vizibile optic: pot fi identificate cu echipamente de inspecie optic manuale
sau automate OFF/IN Line;
Care realizeaz un contact parial ce va ceda la solicitrile mecano-climatice
specifice mediului de utilizare. Dificil de identificat optic.
Exemplu: Deplasarea componentelor pe vertical (CHIP) sau pe orizontal pe
durata procesului de lipire (Chip Movement / Tombstoning / Draw bridging).
Se datoreaza dezechilibru al fortelor de tensiune superficial.

64
 B. Conexiuni/lipituri defecte la nivel microstructural
Defecte aprute n microstructura conexiunii. Se prezint sub forma
unor incluziuni gazoase sau solide (VOIDS), fisuri, grosimi mari
pentru compuii IMC casani Cu3Sn i Ag3Sn.
Ex: Discontinuitati / incluziuni in structura lipiturilor (voids). Pot fi
identificate prin inspecie cu raze X (X-Ray Inspection)

65