EEA Dispozitive Electronice PDF

Elemente de Electronică
Analogică (EEA)
1. Dispozitive Electronice
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Dispozitive electronice:
• Procese electronice în dispozitive

semiconductoare de circuit;
• Joncţiunea pn;
• Circuite elementare cu diode;
• Tranzistoare bipolare (TBIP);
• Principii de realizare a circuitelor integrate
liniare.

Elemente de electronica corpului solid
Purtători de sarcină în semiconductoare:
• Conductoare
• Semiconductoare
• Izolante
Materiale pentru electronică

Generează şi controlează circulaţia unui curent
electric
Materialele electronice includ

• Conductoare rezistenţă mică ce permite circulaţia curentului
electric (cupru, argint, aur, aluminiu, nichel, oţel, apa sărată)
• Izolante au o rezistenţă ridicată care împiedică circulaţia
curentului electric
• Semiconductoare care permit sau împiedică circulaţia
curentului electric

Structura atomică a materialelor conductoare
• Structura atomică a materialelor bune

conductoare de electricitate include un singur
electron în învelişul său.
– Electron de valenţă
– Produce circulaţia de curent
  10 / cm
3
t amb
ne  10 / cm 22 3
1
j  qnv  qn n E  E  E
σ – Conductivitatea; ne ‐ numarul de electroni;

q – sarcina electronului; v – viteza de drift;
µn – mobilitatea electronilor
Materiale izolante
• Au o mare rezistenţă electrică ceea ce nu

permite circulaţia curentului prin ele.
• Materialele izolatoare bune includ sticla,
ceramica, materiale plastice şi lemnul
• Atomii sunt strâns legaţi unul de celălalt,
electronii nu părăsesc învelişul şi este dificil de
a se crea o circulaţie de curent electric

Materiale semiconductoare
• Sunt materiale, care în esenţă pot fi

condiţionate să acţioneze fie în calitate de buni
conducători de electricitate, buni izolatori, sau
orice între aceştia.
• Elemente comune cum sunt Carbonul (C),
Siliciul (Si) şi Germaniul (Ge) sunt
semiconductoare
• La acest moment Si este cel mai bun şi cel mai
utilizat semiconductor
Materiale semiconductoare (2)
Un singur tip de atomi din grupa a patra

(Ge sau Si)
Din tipuri de atomi din grupe apropiate

(de exemplu, din grupele III, V, exemplul
tipic fiind semiconductorul GaAs);
Între aceste tipuri de atomi se pot stabili legături covalente (punerea în

comun a unuia dintre electronii de valenţă).

• Principala caracteristică a unui element

semiconductor este faptul că are 4 electroni în
stratul de valenţă.
Legături covalente
Cristal GaAs
Cristal Si GaP, GaAS optoelectronică

Electroni şi Goluri
Pentru a se elibera un electron din legătura covalentă este necesar un surplus de
energie.
La temperaturi mai mari de 1000K, datorită agitaţiei termice, electronii din stratul de
valenţă devin electroni liberi şi formează o sarcină electronică reală mobilă.
La aplicarea unui câmp electric, electronii liberi se deplasează ordonat şi formează un

curent electric de natură electronică;
Dar, un electron de valenţă vecin, de pe altă legătură covalentă, poate efectua o

tranziţie (tot datorită agitaţiei termice) şi ocupă locul rămas liber; sub influenţa
câmpului electric,
Are loc o deplasare de sarcină pozitivă în sensul câmpului electric, adică un electron
devenit liber determină efectuarea mai multor tranziţii ca şi când locurile libere s-ar
deplasa.
Se asociază acestei deplasări a unei sarcini pozitive noţiunea de gol, adică un purtător
de sarcină pozitivă care determina o componentă a curentului electric.
De remarcat faptul că golul nu este o particulă elementară ci este un concept care

simulează deplasarea locurilor goale din structura semiconductorului prin
ocuparea lor de către electroni care se află deja pe alte nivele energetice.
Material de tip N: Material de tip P:

Structură 2D de Si având
legături covalente
comune. La 00K toate
legaturile sunt complete
Pereche electron-gol
generată în momentul în
care este distrusă o
legătură covalentă:
• Gol (+q)
• Electron liber (-q)

CONCLUZIE
După conductibilitatea electrică corpurile solide
sunt:
• Conductoare   103 / cm t amb

ne  10 22 / cm3
1
j  qnv  qn n E  E  E

• Semiconductoare   1010  103 / cm
10
T  1000 K   10 / cm
• Izolatoare
CONCLUZIE (2)
Conductoare:
La temperatura absolută 00 K toate nivelele din banda de valenţă (BV) sunt
ocupate şi cele din banda de conducţie (BC) sunt libere;
Nivelul Fermi separă cele două benzi; dacă T creşte, apar electroni de
conducţie care pot participa la conducţie.
Semiconductoare (izolatoare):
La temperatura absolută 00 Kelvin toate nivelele din banda de valenţă (BV)
sunt ocupate şi cele din banda de conducţie (BC) sunt libere;
Poziţia nivelului Fermi nu este precizată;
Electronii nu pot ocupa nivele din banda interzisă (BI);
La energie termică suficient de mare (foarte mare) este posibil ca unii
electroni să treacă din BV în BC.
Numărul acestora depinde de ΔW:
- la germaniu: ΔW = 0,67 eV
- la siliciu: ΔW = 1,1 eV
- diamant: ΔW = 6-7 eV

Impurificare
Impurificare cu substanţe pentavalente (Bi, Sb, As, P) – donoare
al 5-lea electron trece uşor în BC – apar electroni de conducţie
la temp. camerei – toate impurităţile sunt ionizate
procesul de generare de perechi nesemnificativ (încă) semiconductor extrinsec
purtătorii majoritari – electronii – semiconductor de tip N
purtătorii minoritari – golurile n >> p
Impurificare cu substanţe trivalente (B, Al, In, Ga) - acceptoare

apare uşor un gol în BV – pot participa la conducţie
la temp. camerei – toate impurităţile sunt ionizate
procesul de generare de perechi nesemnificativ (încă) semiconductor extrinsec
purtătorii majoritari –– golurile – semic. de tip P
purtătorii minoritari – electronii n << p
Fără impurificare – semiconductor intrinsec

numărul golurilor egal cu al electronilor
n =p=ni
Nivelul Fermi
Concentraţiile de electroni şi de goluri (n0, p0)
k constanta lui Boltzmann
h constanta lui Plank
(independent de WF)
Nivelul Fermi (2)
Semiconductorul intrinsec
Wc WF WF Wv
 
n0  p0 n e kT  p e kT
Wc  Wv 3 kT m p
WF   ln
2 2 q mn
Wc  Wv
0o K WF 
2
Nivelul Fermi (3)

Purtătorii ni
Wc WF W
 
ni2  n0 p0   n p e kT
  n p e kT
W 3 W
 
ni2  const. T 3 e kT
 ni  const. T e 2 kT
Consecinţe:
ni ( Si )  1.5  1010 / cm3  W  
 
ni (Ge)  2.5  1013 / cm3 n0   n e kT
p0   p e kT
ni ( Si )  ni (Ge)
Dependenţa de temperatură

Nivelul Fermi (4)
Semiconductorul extrinsec (de tip N)
prin generare de perechi n0  p0  N d
prin ionizarea impurităţilor donoare
n0  N d
Observaţie:
n0  p0
Poziţia nivelului Fermi depinde de

concentraţiile de impurităţi.
Dacă semiconductorul este dopat

neuniform cu impurităţi, la echilibru
termic poziţia nivelului Fermi (nF)
rămâne fixă şi se modifică nivelul BC
şi BV.
Conductibilitatea electrică a
semiconductoarelor
Si Si Si
Un electron suplimentar este

+q
-q
disponibil în cazul atomului de
Si P Si Fosfor (P) - donor
Si Si Si

semiconductoarelor
Gol creat după ce atomul de

Bor acceptă un electron
semiconductoarelor
Legătură covelentă eliberată

de către atomul de Bor
acceptor

semiconductoarelor
Golul se deplasează în
interiorul structurii Siliciului
semiconductoarelor
Energie
Ec
EG = Banda interzisa
Ev
Modelul benzii de energie (BE) a unui
semiconductor cu banda interzisă (EG)

semiconductoarelor
Energie
T 00K
semiconductoarelor
Nivelul donorilor cu energia de activare (EC-ED)

semiconductoarelor
Nivelul acceptorilor cu energia de activare (EA-EV)
semiconductoarelor

semiconductoarelor
Difuzia purtătorilor de sarcină în prezenţa
gradientului de sarcină
semiconductoarelor
Semiconductor Energia Benzii interzise

EG (eV)
Carbon (Diamant) 5.47
Siliciu 1.12
Gemaniu 0.66
Tin 0.082
Arseniură de Galiu 1.42
Fosfură de Indiu 1.35
Azotură de Bor 7.50
Carbură de Siliciu 3.00
Seleniură de Cadmiu 1.70

T mic – număr mic de purtători – nu este curent electric
T ambiantă – numărul de purtători mobili de sarcină creşte prin ionizarea
impurităţilor obţinuţi datorită agitaţiei termice
Mişcarea de agitaţie termică dezordonată
Se aplică şi câmp electric
Mişcare dirijată a purtătorilor mobili de sarcină căreia îi corespunde o

viteză medie de deplasare
Se constată proporţionalitatea cu câmpul electric:
 m2 
v E  Mobilitate (mărime de material) V s 
 
1 1
 n   p Ge ;  n   p Si 
2 2
Curentul de câmp
j n camp  qn n E ; j p camp  qp p E

j  qn n E  qp p E  q n n  p p E   E
  qn n  qp p
semiconductor intrinsec:  i  qni  n   p 
semiconductor de tip N:   qn n  qN d  n
semiconductor de tip P:   qp p  qN a  p
impurităţi de ambele tipuri se compensează

Curentul de câmp
Variaţia cu temperatura
Zonă Temperatură ‐ efect
a1‐a2 temperatură joasă – ionizare impurităţi
a2‐a3 temperatură ambiantă – toate impurităţile sunt
ionizate
a3‐c temperatură mare – creşte concentraţia de
purtători intrinseci
b concentraţia impurităţilor mai mare
Rezistivitatea scade la temperatura ambiantă

(mobilitatea scade cu temperatura).
Difuzia purtătorilor de sarcină

Semiconductor dopat neuniform cu
impurităţi, fără câmp electric din exterior
Tendinţa de uniformizare (ca la gaze) prin
proces de difuzie → curent de difuzie;
Apare câmp electric sarcini electrice pozitive

fixe (stânga) şi sarcini electrice negative
mobile (dreapta) care are tendinţa de a
aduce înapoi electronii spre stânga → curent
de câmp.
Rezultă un proces de uniformizare dinamică

Regim staţionar (de echilibru) când
transportul de purtători prin difuzie =
transportul de purtători prin câmp.

Curentul de difuzie este proporţional cu
gradientul concentraţiei de purtători:
j n dif  qDn n; j p dif  qD p p
 cm 2 
Dn , D p   constante de difuzie
 s 
Ecuaţiile de transport
j n  j n camp  j n dif  qn n E  qDn n

j p  j p camp  j p dif  qp p E  qD p p
j  jn  j p
La echilibru termic: jn  j p  0

Constanta de difuzie şi Mobilitatea
Caracterizeză acelaşi proces fizic cu caracter
statistic al mişcării dezordonate a purtătorilor de
sarcină
Energia potenţială:
W p  ct.    x  W p   qU
Wp  x 
Potenţialul intern: U   U  x   ct. 
q q
 ' x 
Câmpul intern: E   grad U 
q
Constanta de difuzie şi Mobilitatea (2)

Curentul de electroni la echilibru termic:
dn
jn  qDn n  qn n E  qDn  qn n E  0
dx
 x
  ( x)
n   ne kT ln n  ln n 
kT
dn  ' x  dn n
 dx sau:    ' x 
n kT dx kT

,
Curentul de electroni devine:
n  ' x 
 qDn  '  x   qn n 0
kT q
de unde, pentru:  '  x   0,

Dn Dp
n  p  relaţiile Einstein
kT kT

,
Ecuaţiile de transport devin:
 q 
j n  qD n   n  E n
 kT 
 q 
j p  qD p    p  E p
 kT 
kT/q = 26 mV la temperatura camerei
Concluzie :
Echilibrul termic nu depinde de mobilitate sau de
constanta de difuzie
Ecuaţiile de continuitate
,
Variaţia în timp a concentraţiei de purtători:
• generare de purtători (termic, iradiere, etc.) – Gn, Gp
• recombinare de purtători (gol + electron → dispar + foton) – Rp, Rn
• deplasare de purtători (div j ≠ 0)
p div j p div j p
 Gp  Rp   Sp 
t q q
n div j n div j n
 Gn  Rn   Sn 
t q q
S p  Gp  Rp viteza efectivă de creştere
Ecuaţiile de continuitate (2)

,
Recombinare:
• Directă
• Indirectă
centri de recombinare
capcane
centri de alipire
Considerăm o generare de purtători care, la un moment

dat, se opreşte. Există p1 > p0 (concentraţia la echilibru)
Sp va fi proporţională cu concentraţia de purtători în exces,

p-p0 de forma:
p  p0 τp este durata efectivă de viaţă a
Sp  
p purtătorilor în exces
,
Dacă : div j p  0 se obţine ecuaţia diferenţială:
dp p  p0

dt p
Şi având condiţia iniţială p(0)=p1
Soluţia este:
t

p
p (t )  p0  ( p1  p0 )e

,
Concluzii:
• Recombinarea depinde de concentraţiile de purtători:
R p   pn, unde γ este coeficient de proporţionalitate
• Generarea se face pe cale termică şi viteza de
generare depinde doar de temperatură:
G p   p0 n0
• Rezultă:
S p  G p  R p    pn  p0 n0 

,
Concluzii (2):
• Fie: p  p  p0 , n  n  n0
S p   n0 p  p0 n  np  
  n0 p  p0 n 
• În cazul semiconductorilor de tip N:
n0  p0  S p   n0 p   n0  p  p0 
• Dar:
p  p0 1 1
Sp    p  
p  n0  N d

,
Concluzii (3):
Forma generală a ecuaţiilor de continuitate:
p p  p 0 div j p
 
t p q
n n  n 0 div j n
 
t n q

Aplicaţii
,
Forma generală a ecuaţiilor de continuitate:
• regim staţionar
• semiconductori de tip N
• model unidimensional
• câmp electric slab
dpn dp
j p  qpn  p E  qD p  qD p n
dx dx
pn  pn 0 1 dj p
0 
p q dx
Aplicaţii (2)
dpn dp pn  pn 0 1 d  dp 
j p  qpn  p E  qD p   qD p n    qD p n   0
dx dx p q dx  dx 
pn  pn 0 1 dj p ; d 2 pn pn  pn 0
0   0
p q dx dx 2 p
Notăm: L p  D p p lungimea de difuzie a golurilor

x

pn ( x)  pno   pn (0)  pn 0 e
Lp

Aplicaţii (3)
 durata efectivă de viaţă
a purtătorilor în exces
(variază între 1ns şi 1ms în
Si şi depinde de densitatea
contaminanţilor cum ar fi
Au sau Pt)
lungimea de difuzie a
golurilor
Aplicaţii (3)

Concluzii pentru Semiconductoare
• Cel mai utilizat material este Siliciul

• Cristalele pure sunt semiconductori intrinseci
• Cristalele dopate (impurificate) sunt
semiconductori extrintrinseci
• Cristalele dopate (impurificate) pot fi de tip n
sau de tip p type
• Semiconductorii de tip n au purtători minoritari
(goluri).
• Semiconductorii de tip p au purtători minoritari
(electroni).
Diamantul Hope
Diamantul Hope este unul din
exemplele cele mai frapante de
semiconductori naturali dopaţi
Este cel mai mare diamant albastru

din lume (45,52) carate
Diamantul Hope conţine urme de bor şi conduce electricitatea faţă de un diamant pur,

care este izolator.
Nivelul energiei acceptor este foarte mică, chiar şi energia termică la nivelul temperaturii
camerei poate produce această schimbare, iar golurile rezultate din banda de valenţă se
pot deplasa în prezenţa unui câmp electric


EEA Dispozitive Electronice PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

EEA Dispozitive Electronice PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elemente de Electronică

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Procese electronice în dispozitive

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Materiale pentru electronică

Materialele electronice includ

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Structura atomică a materialelor bune

• Au o mare rezistenţă electrică ceea ce nu

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Sunt materiale, care în esenţă pot fi

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Materiale semiconductoare (2)

Un singur tip de atomi din grupa a patra

Din tipuri de atomi din grupe apropiate

Între aceste tipuri de atomi se pot stabili legături covalente (punerea în

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Principala caracteristică a unui element

Materiale semiconductoare (4)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

La aplicarea unui câmp electric, electronii liberi se deplasează ordonat şi formează un

Dar, un electron de valenţă vecin, de pe altă legătură covalentă, poate efectua o

De remarcat faptul că golul nu este o particulă elementară ci este un concept care

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Material de tip N: Material de tip P:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Conductoare   103 / cm t amb

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Impurificare cu substanţe trivalente (B, Al, In, Ga) - acceptoare

Fără impurificare – semiconductor intrinsec

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Nivelul Fermi (3)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Poziţia nivelului Fermi depinde de

Dacă semiconductorul este dopat

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Un electron suplimentar este

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Gol creat după ce atomul de

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Legătură covelentă eliberată

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Nivelul donorilor cu energia de activare (EC-ED)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Nivelul acceptorilor cu energia de activare (EA-EV)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Semiconductor Energia Benzii interzise

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Mişcarea de agitaţie termică dezordonată

Se aplică şi câmp electric

Mişcare dirijată a purtătorilor mobili de sarcină căreia îi corespunde o

j n camp  qn n E ; j p camp  qp p E

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Rezistivitatea scade la temperatura ambiantă