6 - 10. EEA Impedanta Marita-Micsorata PDF

Elemente de Electronică
Analogică (EEA)
6. Circuite cu impedanţă de intrare

mărită
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Circuite cu impedanţă de intrare mărită

Structura unui amplificator:
• Etaj de intrare; Etajul de intrare (Preamplificator) – Amplifică semnale de

• Etaj intermediar; nivel mic la un nivel intermediar cu scopul principal de a
• Etaj de ieşire. păstra un bun SNR şi fidelitate. De multe ori realizează
compresie (neliniară/caracteristică de transfer logaritmică
pentru a preveni hard clipping).
Etajul intermediar – Amplifică şi procesează semnalul de nivel
intermediar cu un bun SNR pentru mixare, egalizare,
compresie, expandare, şi a altor efecte a semnalului procesat.
Etajul de ieşire sau Amplificatorul de Putere – Amplifică cu
un SNR mare semnale de nivel intermediar la un nivel cu
putere ridicată pentru comanda unei sarcini de impedanţă
mică ( ex. elemente electro-acustice).

Circuite cu impedanţă de intrare mărită
Circuit echivalent la intrare:
Z int
U1  E g U1  E g Z int  
Z int  Z g
Alegere între structurile elementare: BC, EC, CC
Z ic  hi  (h f  1) Z s Dacă hr şi h0 sunt egali cu 0
Trebuie folosită relaţia exactă pentru că, pentru valori mari ale
impedanţei de intare, nu mai pot fi neglijaţi cei doi parametri.
hi  NZ s
Z int  (dificil de interpretat)
1  ho Z s
Schema Giacoletto
Schema Giacoletto
Se neglijează rx şi se redesenează
Se defineşte un “tranzistor ideal” caracterizat prin:
hiid  r  hi ; hrid  0; h idf    h f ; hoid  0
hiid  Z s' N id
Z iid   hiid  (hiid  (h idf  1) Z 's  hi  (h f  1) Z s'
1 h Z s
id
o
'
Z s'  Z s ro
Se pun în evidenţă:
Z i' Z i''  Z  Z ic  Z i' Z i"
Z i'  hi  (h f  1) Z s'

 ''
Z i  Z 

Schema de polarizare
Schemă simplă de polarizare şi schema echivalentă în regim dinamic:
Z int  Z ic Rb1 Rb 2 
Z int  Rb1 Rb 2 Z  hi  (h f  1) Z s ro 
Efectele circuitelor de polarizare în c.c. (din bază şi din colector)
Se obţin impedanţe de intrare de ordinul zecilor de k
Pentru a obţine impedanţă de intrare mai mare se va acţiona

asupra tuturor componentelor
Tehnica bootstrapării:
V1
Z AB 
I1
Z AB   I1 
V1 V1 Z
Z AB   
I1 V1  kV1 1  k
Z
k  1; k  1  Z AB 
Exemplu: impedanţa de intrare a unui

repetor pe emitor:
hi hi hi
Z ic     hi  (h f  1) Z s
1  k 1  Auc
1
h f  1Z s
hi  h f  1Z s

Reducerea efectului circuitului de polarizare în bază
a) Schemă electrică cu divizor
fără boostrapare:
Se obţine o impedanţă de intrare

ceva mai mare, dar Rb nu poate fi
prea mare (stabilitatea termică a
circuitului, zgomote proprii)
Aplicarea “bootstrapării”:
Echivalare (T+Rb)≡T’ cu parametrii:
Rb Rb
hi'  hi  hi ; h 'f  h f
Rb  hi Rb  hi
Rb  hi ; Rb1 , Rb 2  Re

Z int  Z  hi  (h f  1)ro Re 
Reducerea efectului circuitului de polarizare în bază

b) Schemă electrică fără bootstrapare
cu o singură rezistenţă de polarizare:
Impedanţa de intrare este mai mare decât

pentru o polarizare cu divizor de tensiune
în bază
Echivalare (T+Rb)≡T’ cu parametrii:
Se obţine o expresie identică cu precedenta,

dar cu alte valori exacte ale echivalărilor
Se obţin impedanţe de intrare de

ordinul zecilor-sutelor de k

Micşorarea efectului rezistenţei de polarizare din
emitor
Rezistenţa Re nu poate fi mărită din considerente statice:
Ec  U CE  Re I E ReIE cel mult jumătate din Ec
Se înlocuieşte rezistenţa de polarizare cu un circuit (dispozitiv) care să prezinte rezistenţă mică în cc

şi impedanţă mare în regim dinamic:
• Nu se poate folosi inductanţă (valoarea impedanţei depinde de frecvenţă)
• TBIP în conexiune BC are aceste proprietăţi
T’ este în conexiune BM prin

capacitatea de decuplare;
Micşorarea efectului rezistenţei de polarizare din

emitor (2)
Static: Ec  U CE  U CE
'
 Re' I E
prin tranzistoare circulă, practic,

acelaşi curent
Dinamic:
Rezistenţa Re din expresia impedanţei
de intrare va fi înlocuită de
impedanţa de ieşire a tranzistorului T’
în conexiune BC:

Z int  Rb1 Rb 2 hi  (h f  1)ro Z iesT 'BM 
hi'  Re' N ' Comparabilă sau mai mare decât r0 chiar pentru valori
Z iesT 'BM  nu prea mari ale rezistenţei de emitor (valori uzuale –
h '  Re' ho'
sute de  )
Se obţin (împreună cu circuitele de polarizare de la

intrare bootstrapate) valori de sute – mii de k

Utilizarea tranzistorului compus Darlington
Se pot folosi relaţiile pentru
tranzistorul compus şi apoi
relaţiile generale; mai
convenabil este să se
folosească schema Giacoletto:

Z int  Rb Z  hi  h f  1ro Z int T ' 

Z int T '  Z ' hi'  (h 'f  1)ro' R e
'

Se obţin impedanţe de intrare de ordinul sutelor de k (dacă se bootstrapează
circuitul de polarizare de la intrare);
Dezavantajele utilizării schemei de bază:

dependenţa factorului de amplificare în curent de curentul de colector din PSF;
dependenţa tensiunii echivalente de zgomot de curentul de colector din PSF;
Tranzistoarele nu pot fi alese astfel încât să fie în

PSF optime pentru ambele tranzistoare.
Introducerea unei rezistenţe în emitorul

primului tranzistor
U BE  R e' I E'
I E  I B' 
Re

Z int  Rb hi  ( h f  1) ro Re Z ic'   
Z ic'  Z ' hi'  (h 'f  1)ro' Re'  Re

Diminuarea influenţei rezistenţei Re prin
boostrapare
Static, se păstrează situaţia
din cazul precedent dacă:
Re  Re1  Re 2
Dinamic, se echivalează (T’+Re1) cu T” cu principalii parametrii echivalenţi (aproximativi):

Re1 Re1
hi"  hi' h"f  h 'f
hi'  Re1 hi'  Re1

Z int  Rb hi  (h f  1)ro Zic''  
Z ic''  Z '' hi''  (h'f'  1)ro' Re 2 Re' 
Rezultă o impedanţă de intrare foarte mare: 102 – 103 k
Creşterea curentului continuu prin T’ cu

generator de curent
Generatorul de curent se poate realiza cu TBIP

în conexiune BC sau în alte variante specifice
CIL.

Micşorarea efectului impedanţei Z
Prin bootstraparea impedanţei;
Polarizarea tranzistorului T’ se poate face cu o rezistenţă între bază şi colector (T’ nu

se poate satura niciodată);
Prin bootstraparea lui Z se realizează şi bootstraparea rezistenţei de polarizare;
În schemele echivalente apar tranzistoare compuse de tipul super-D (TBIP pot fi de

acelaşi tip sau complementare);
Polarizarea în cc se poate face

fie serie fie paralel şi se pot
asigura curenţi de colector prin
tranzistoare cât mai apropiaţi
sau chiar egali;
Schema cu polarizare paralel a TBIP
Z int 
Rb Z 
1 k
h  (h
i f  1) Z ic'' 
Ambele componente sunt de ordinul
zecilor sau sutelor de M , deoarece:

Z ic''  Z ' hi''  ( h 'f'  1)ro' Re 2 Re' Rc 
h  1Z ic'' h ''
f 
 1 ro' Re 2 Re' Rc
k  Ac Ac 
'' f
hi  h f  1Z ic'' hi''  h 'f'  1 ro' Re 2 Re' Rc

 
(foarte aproape de 1)

Schema cu polarizare paralel a TBIP (2)
Parametrii h”i şi h”f rezultă din echivalarea:
(T’+Re1)≡T”
Prin echivalări succesive se poate
ajunge la schema de principiu a
circuitului cu repetor pe emitor în
care tranzistorul este un tranzistor
compus de tipul superD (după
echivalări de tranzistoare cu diferite
rezistenţe);
Se pot folosi formulele de bază cu

parametrii echivalenţi.
Schema cu polarizare serie a TBIP

Schema cu polarizare serie a TBIP (2)

Schema cu Tranzistoare Complementare
Super-D

Analogică (EEA)
7. Circuite cu impedanţă de ieşire

micşorată
Circuite cu impedanţă de ieşire micşorată

Structura unui amplificator:
• Etaj de intrare; Etajul de intrare (Preamplificator) – Amplifică semnale de

• Etaj intermediar; nivel mic la un nivel intermediar cu scopul principal de a
• Etaj de ieşire. păstra un bun SNR şi fidelitate. De multe ori realizează
compresie (neliniară/caracteristică de transfer logaritmică
pentru a preveni hard clipping).
Etajul intermediar – Amplifică şi procesează semnalul de nivel
intermediar cu un bun SNR pentru mixare, egalizare,
compresie, expandare, şi a altor efecte a semnalului procesat.
Etajul de ieşire sau Amplificatorul de Putere – Amplifică cu
un SNR mare semnale de nivel intermediar la un nivel cu
putere ridicată pentru comanda unei sarcini de impedanţă
mică ( ex. elemente electro-acustice).

Circuite cu impedanţă de ieşire micşorată (2)
Circuitul echivalent la ieşirea unui amplificator:
Zs
V2  V0 V2  V0 Z ies  0
Z s  Z ies
Schemele fundamentale, EC, BC, CC
Repetorul pe emitor: Repetorul pe emitor compus:
hi  Z g 1 Zg
Z ies   
hf 1 S hf 1
Z s  V0  (Vi  V0 )  V1 ( EC )  V2 EC  
Efectul TBIP; efectul lui Zg
Repetorul pe emitor compus

Schema echivalentă a circuitului (modelul Giacoletto):
Se neglijează Z şi r0
Efectul rezistenţei
distribuite a bazei se ia
în consideraţie prin
parametrii echivalenţi:
Z
S'  S ;
Z   rx
Z '  Z   rx
Z  Z c (rx 2  Z  2 )

Repetorul pe emitor compus (2)
Schema echivalentă a circuitului (modelul Giacoletto):
Se neglijează curenţii de bază

ai tranzistoarelor:
I 2  I c1  I c 2  S i'Vi '  S 2' Vi " 


 S1'Vi '  S 2'  ZS1'Vi ' 
 
 S1' 1  S 2' Z Vi '  SVi '
Dar: V1'  Vi  V0
 S Vi  V0 
V0
I2 
Zs
V0 SZ s Zs
V0  SZ s Vi  V0 
1
Au    Z ies 
Vi 1  SZ s Z  1 S
s
S
I 2  I c 2  I c1
Repetorul pe emitor compus (3)

Schema electrică:
• Curenţii continui sunt egali
• Capacitatea C2 valoare
foarte mare

Schemă cu tranzistor super-G
Schema electrică structură super-G:
Rc asigură PSF convenabil
S echiv  hi' S '

h fechiv  h 'f h"f
Exemple utilizare:
• sursă de stabilizare
• generator de baleiaj în curent
Sursă de stabilizare

Generator de baleiaj în curent
Analogică (EEA)
8. Amplificatoare cu sarcină
dinamică

Considerente
Amplificatoare cu sarcină dinamică
Scopul: amplificare de tensiune cât mai mare;

Alegere între structurile fundamentale: EC, BC, CC
• Amplificare de tensiune mare (în modul);
• Impedanţă de intrare medie;
Schema de principiu Schema electrică elementară
Dacă: Rs = Rc
Au   SRs   SRc  40I C Rc
Ec  Rc I C  VCE
Dar RcIc maxim 0,5Ec
EC
Au max  40   20 EC
2
Considerente (2)
Expresia completă:
hf Zs
Au   ; la amplificări mari – expresia exactă
hi  Z s h
Amplificare cât mai mare: Rezistenţa de

colector poate fi înlocuită cu un dispozitiv
(circuit) cu următoarele proprietăţi:
• static – o valoare cât mai mică;
• dinamic – o valoare cât mai mare;
Nu se poate inductanţă (impedanţă dependentă de frecvenţă)
• Tranzistor bipolar în conexiune bază la masă în circuitul de colector;

• Tranzistor bipolar în conexiune colector la masă în circuitul de intrare.

dinamică
8.1. Amplificator cu sarcină TBIP în conexiune BM
8.2. Amplificator cu sarcină bootstrapată cu polarizare serie
a tranzistoarelor
8.3. Amplificator cu sarcină bootstrapată cu polarizare
paralel a tranzistoarelor
dinamică
a tranzistoarelor

Amplificator cu sarcină TBIP în conexiune BM
Schema electrică
Schema echivalentă
Amplificator cu sarcină TBIP în conexiune BM

hf Zs
Au   ; Z s  R1 Z iesT2 BM
hi  Z s h
hi  NRg hf
Z iesT2 BM  Z iesT2 BM  R1 Au  
h  Re h0 h
Valoarea maximă posibilă
Valoarea rezistenţei R1 este mult

mai mare decât valoarea rezistenţei
Rc din cadrul schemei (EC).

dinamică
a tranzistoarelor
Amplificator cu sarcină bootstrapată cu

polarizare serie a tranzistoarelor
Schema electrică
Schema echivalentă

Amplificator cu sarcină bootstrapată cu
polarizare serie a tranzistoarelor
Schema electrică Rc Rc
hi'2  hi 2 ; h 'f 2  h f 2
Rc  hi 2 Rc  hi 2
T2'  T2 , Rc  h f 1Z s
Au  
hi1  Z s h1
   
Z s  Rb Z int T ' ; Z int T '  Z T2 hi'2  h 'f 2  1 roT2
2 2
Uşor de realizat: Z int T '  Rb

2
hf 1
Au  Au max  
h1
Valoarea rezistenţei Rb poate fi mai
mare decât valoarea rezistenţei R1.
Se obţine o structură de tip super-G

cu emitorul la masă, cu panta
echivalentă foarte mare şi, ca
urmare, cu amplificare de tensiune
foarte mare;
8.Amplificatoare cu sarcină
dinamică
a tranzistoarelor

Amplificator cu sarcină bootstrapată cu polarizare
Schema electrică Schema echivalentă
T2'  T2 , Rc1  hi'2  hi 2

Rc1 Rc1
; h 'f 2  h f 2
Rc1  hi 2 Rc1  hi 2
  
Z s  Z int T '  Z T2 hi'2  h 'f 2  1 Rc 2 Re 2 roT2
2

hf 1
Au  Au max  
h1
Teoretic, se obţine cea mai mare
valoarea a amplificării de tensiune Prin echivalări, se obţine tot o structură de tip superG
dintre toate cele trei scheme cu emitorul la masă, ca şi în circuitul precednt, cu
sarcina formată din cele două rezistenţe
Analogică (EEA)
9. Amplificatoare diferenţiale

9.1. Tensiunile de ieşire
9.2. Impedanţe de intrare
9.3. Factorul de merit
9.4. Influenţa nesimetriilor asupra performanţelor AD
9.5. Scheme electrice
Amplificatoare diferenţiale
Caracteristică importantă:
• are două intrări
• amplifică semnalele în antifază (de mod diferenţial);
• rejectează semnalele în fază (de mod comun).
Schema de principiu:
• Semnalele de la intrare se pot aplica separat pe

cele două intrări (bazele tranzistoarelor) sau între
intrări;
• Semnalele de la ieşire se pot culege de pe cele
două colectoare (semnale nesimetrice) sau între
cele două colectoare (semnal simetric).
• Rezultă că, în principiu, se pot defini 9 (nouă)
amplificări diferite; se preferă deducerea
tensiunilor de ieşire în funcţie de tensiunile de
intrare şi apoi se particularizează în funcţie de
circuitul real analizat: V1(e1,e2), V2(e1,e2)

Amplificatoare diferenţiale (2)
Calculul tensiunilor de ieşire:
Se echivalează T”, Z”s cu un tranzistor echivalent
în conexiunea CM
Schema echivalentă Thevenin
A  1, Z ies  zib"
Se introduce R0 (rezistenţă de cuplaj)

şi echivalare Thevenin
R0 zib" R0
Z1  R0 z  "
k1 
R0  zib"
ib
R0  zib"
k1 este un coeficient de cuplaj în

tensiune de laT” la T’
Circuitul echivalent pentru T’:

Se echivalează grupul T’, Z1 cu un tranzistor T*
hi'  N ' Z1 h 'f  h 'o Z1

hi*   hi  N Z1 ; h f 
' ' *
 h 'f ;
1  ho Z1
*
1  ho Z1
*
hr'  ho* Z1 ho'

hr*   hr
'
 h '
o 1Z ; ho
*
  ho' ;
1  ho Z1
*
1  ho Z1
*
  
h*  hi*ho*  h*f hr*  hi'  N ' Z1 ho'  h 'f hr'  ho' Z1  h ' 
ho' hi''
ho' Z1  ho' k1 zib''  k1 0
h"f
Tensiunea la ieşirea lui T’ V1  Au*e1  Aub
*
k1e2   Aub
*
e1  k1e2  deoarece
Au* 
h*f Z s'
; *
Aub 
h
*
f 
 h* Z s'
 Au*   Aub
*
hi*  Z s' h *
hi*  Z s' h*

Calculul lui A*ub:

vo vo vi' zib' zib'
A   '  '
*
Aub   Au '
' '
vi vi vi zib  Z1 zib  Z1
ub
zib' h 'f Z s'

V1  A ' '
e1  k1e2  Au   ' ' '
'
zib  Z1 hi  Z s h
u
Amplificarea de tensiune a tranzistorului T’
Se definesc:
tensiunea diferenţială de la intrare: vid  e1  e2
e  e2
tensiunea de mod comun de la intrare: vic  1
2
v v
Se deduc tensiunile de intrare: e1  vic  id ; e2  vic  id
2 2

1  k1 1  k2
Din expresiile factorilor de cuplaj se calculează: zib''  R0 ; zib'  R0
k1 k2
Tensiunea de ieşire:
1  k2
R0
'
  
V1  Au'
z
e1  k1e2   Au' 1  k
ib k2
1  k1
v v
 vic  id  k1  vic  id  
z  Z1
'
ib R0 2
 R0  2  2 
k2 k1
1  k2 1  k1   v  2(1  k1 ) v  2r1  1 2r  1
V1  Au'
21  k1k 2  
id
1  k1
ic  Notaţie: k1  ; k2  2
 2r1  1 2r2  1
r1  v  r2  v 
V1  Au'  vid  ic  V2  Au''   vid  ic 
r1  r2  r1  r1  r2  r2 
Au' r1  Au'' r2 A'  Au''

V1 2  vid  u vic
r1  r2 r1  r2

9. Cazuri particulare
Amplificarea de tensiune
1. Amplificatorul diferenţial simetric
2. Excitaţia diferenţială simetrică
3. Excitaţia pe mod comun
4. Excitaţia diferenţială nesimetrică
1. Amplificatorul diferenţial simetric
Condiţia de simetrie: Identitatea tranzistoarelor, PSF-uri şi sarcini
T '  T "  h 'f  h 'f'  h f hf Zs

Au'  Au''  Au  
I C'  I C' '  hi'  hi''  hi hi  Z s h
Z s'  Z s''  Z s r1  r2  r
1  v  1  v 
V1  Au  vid  ic ; V2  Au   vid  ic ; V12  Au vid
2  r  2  r 
r  influenţă mică a tensiunii de mod comun
• Tensiunea de mod comun de la intrare nu pătrunde în tensiunea simetrică de la ieşire

• Această tensiune trece în tensiunile nesimetrice de la ieşire, este necesar ca factorul
de rejecţie să fie cât mai mare

2. Excitaţia diferenţială simetrică
Condiţia: tensiunea de mod comun de la intrare este nulă
e1  e2  vid ; e1  e2  0  vic  0
r1 r A' r  Au'' r2
V1  Au' vid ; V2   Au'' 2 vid ; V1 2  u 1 vid
r1  r2 r1  r2 r1  r2
r1 r2
Notaţie: Ad'  Au' Ad''  Au'' amplificare diferenţială
r1  r2 r1  r2
1
V1  Ad' vid V2   Ad'' vid Ad'  Ad''  Ad  Au pentru un circuit simetric
2
• Tensiunile de ieşire de la cele două colectoare sunt egale ca nivel şi în antifază
3. Excitaţie pe modul comun
Condiţia: tensiunea diferenţială de la intrare este nulă
e1  e2  0; e1  e2  vic ; vid  0.
Au' Au''
Notaţie:
'
AMC  ; AMC 
''
r1  r2 r1  r2
V1  AMC
'
v ic ; V 2  AMC
''
v ic ; V1 2  AMC
'
 AMC
''
v ic  
• Tensiunea de mod comun pătrunde atenuată la ieşirile nesimetrice

• În cazul amplificatorului diferenţial simetric, nu pătrunde în semnalul diferenţial
de la ieşire

3. Excitaţie pe modul comun (2)
Au A
Observaţie: pentru un AD simetric, se poate scrie că: AMC   u
r1  r2 2r
Din cele două moduri de excitaţie se V1 (vid )  Ad vid
poate scrie, pentru un circuit simetric:
V1 (vic )  AMC vic
Pentru a produce acelaşi efect la ieşire, este necesar ca: r vid  vic
aceeaşi tensiune la ieşire este realizată de o tensiune de mod comun la
intrare de r ori mai mare decât tensiunea de mod diferenţial de la intrare
Factorul de rejecţie a modului comun, CMR = Raportul dintre tensiunea de mod comun

şi tensiunea de mod diferenţial de la intrare care provoacă acelaşi efect la ieşire
(CMR' )  r1; (CMR" )  r2 Tensiunile de ieşire se mai pot scrie şi sub forma:
Pentru circuitul simetric: (CMR)  r  vic 

V1  Ad' vid  AMC
'
vic  Ad'  vid  
Valori tipice: (-100 -140) dB  (CMR) ' 
(Amplificări în tensiune 105 - 106)
 vic 
Ap(dB)=10log10(P2/P1) V2   Ad'' vid  AMC
''
vic  Ad''   vid  
 (CMR ) '' 
4. Excitaţie diferenţială nesimetrică

Pentru un AD nesimetric, se poate scrie că:
vid
e1  vid ; e2  0  vic 
2
 1 vid  2r  1
V1  Ad'  vid    Ad' 1 vid  Ad' vid
 r1 2  2r1
Au
În cazul unui circuit simetric Ad 
2
• Pentru ieşire nesimetrică, se pierde 0,5 din amplificarea pe
care este capabil să o asigure tranzistorul T’
• Necesită artificii de circuit pentru recuperarea amplificării
în cadrul structurilor de amplificatoare operaţionale

Impedanţa de intrare pentru amplificatorul

diferenţial
Circuitul echivalent la intrare :
Din amplificarea de curent a tranzistorului
h*f
I c'  I b' Ai'  I b'  Ai' I b'
1  ho* Z s'
I c' U1 1 1 /
r  v 
I b'  '   ' '   ' ' Au 1  vid  ic 
'
Ai Z s Ai Ai Z s r1  r2  r1 
Z s' 1 r1  vic 
Au'   Ai' I b'   v  
Z i' r1  r2  r1 
id
Z i'
1 r2  vic 
I b''    v  
Z i'' r1  r2  r1 
id
hi'  Z s' h' hi''  Z s''h''

Z i'   hi ; Z i 
' ''
 hi''
1  ho Z s
' '
1  ho Z s
'' ''

Impedanţa de intrare pentru amplificatorul
diferenţial
Cazuri particulare:
Excitaţie nesimetrică (impedanţa de intrarea diferenţială)
Excitaţie pe modul comun: (impedanţa de intrare pe modul comun)
Excitaţie nesimetrică
(impedanţa de intrarea diferenţială)
Cazuri particulare:
Curenţii de intrare:
1 r1 vic vic
I b'  
Z i' r1  r2 r1 Z i' r1  r2 
vic
I b'' 

Z i r1  r2
''

Impedanţele de intrare pe cele două intrări:
e1 vic
Z ic'    Z i' r1  r2 ; Z ic''  Z i'' r1  r2 
I b' vic
Z i' r1  r2 

(impedanţa de intrarea diferenţială) (2)
Impedanţa de intrare pe modul comun:
Z ic  Z ic' Z ic' '  r1  r2 Z i' Z i''

Pentru AD simetric:
Zi hi  Z s h
Z ic  2r  rZ i Zi 
2 1  ho h
Coeficientului de rejecţie:
Ro
1
1  k1 Ro  zib' '
2 Ro  zib'' Ro 1
r1     '' 
2(1  k1 )  Ro  2 zib' ' zib 2
21  
'' 
 Ro  zib 
hi'' Ro h 'f' Ro h 'f
zib  ''
''
r1  '' r2  '
hf hi hi
Recalculare impedanţe de intrare diferenţiale:
Ro h 'f' Ro h 'f

hi'' hi ' h 'f
Z id'  Z i'  hi'  hi''
Ro h 'f' h 'f'
hi''
h 'f'
Z id''  hi''  hi'
h 'f
tranzistoare identice h 'f  h 'f' Z id'  Z id' '  hi'  hi''
Rezultă că amplificatorul diferenţial se comportă simetric la intrare indiferent de PSF

(din punct de vedere al impedanţei de intrare)

Recalculare impedanţe de intrare de mod comun:
 Ro h 'f Ro h 'f'  '

Z  Z r1  r2   h
' '   '' '   h 'f Ro  Ro h 'f' hi
ic i  h' hi
i  hi' '
 i 
hi''
Z ic''  h 'f' Ro  Ro h 'f Z ic  Zic ' Z ic''
hi'
Pentru un circuit simetric: Z ic'  Z ic' '  2h f Ro
Comparativ:
Z id  2hi Z ic  h f Ro
La amplificatorul diferenţial, impedanţa de intrare pe modul comun este mult mai mare
decât impedanţa de intrare pe modul diferenţial

Factorul de merit
Este dat de:

Ro h f
M  Z id r  2hi  2h f Ro Cu cât M este mai mare, cu atât
hi performanţele AD sunt mai bune
pentru a avea M cât mai mare: h f  Ro 
Metode de creştere a factorului de merit:
1. Mărirea rezistenţei de cuplaj

2. Înlocuirea rezistenţei de cuplaj cu o sarcină dinamică
3. Mărirea (electronică) a lui hf
4. Utilizarea reacţiei negative de tip serie
Factorul de merit (2)

1. Mărirea rezistenţei de cuplaj
R0 limitată de căderea de tensiune în curent continuu, la rândul ei fiind
limitată de tensiunea de alimentare şi de excursia maximă de tensiune
necesară pe sarcină;
2. Înlocuirea rezistenţei de cuplaj cu o sarcină dinamică
Sarcină dinamică ce prezintă o rezistenţă mică în curent continuu (o
cădere de tensiune mică la bornele ei) şi o impedanţă în regim variabil
dinamică mare. Nu se poate folosi o bobină pentru că aceasta are o
reactanţă dependentă de frecvenţă L
Se foloseşte circuitul elementar cu BM în circuitul de ieşire care are cea
mai mare impedanţă de ieşire dintre cele trei circuite elementare:
Pentru circuite integrate liniare, grupul

format din rezistenţele de polarizare şi
capacitatea de decuplare se poate
înlocui cu o rezistenţă şi o diodă, fiind
posibile mai multe variante, specifice
circuitelor integrate; oglindă de curent.

3. Mărirea (electronică) a lui hf prin tranzistoare compuse:
a) tranzistor compus Darlington:
H i  hi'  hh' hi''  2hi' H f  h 'f h 'f'

dacă h 'f  h 'f'  h f hi'  hi''  hi
Z id  2 H i  4hi M  4h 2f Ro
Concluzie: s-a mărit şi impedanţa de intrare (nu numai factorul de rejecţie)
b) tranzistor compus SuperG:
H i  hi' H f  h 'f h 'f'

dacă h 'f  h 'f'  h f hi'  hi''  hi
Z id  2 H i  2hi M  2h 2f Ro

4. Utilizarea reacţiei negative de tip serie Se poate face echivalarea:
h af  h f hia  hi  h f  1Re
Se calculează:
M  2h f Ro Z id  2hi  2h f Re
Pentru PSF
Impedanţa de intrare:

Z id  2hi  h f  1 Re'  Re'' 
Prin utilizarea potenţiometrului, se pot regla
curenţii de colector (din PSF) pentru a se realiza
un circuit simetric

Influenţa nesimetriilor asupra performanţelor AD

Nesimetrie :
• Tranzistoarele nu sunt identice
• PSF-urile nu sunt identice
• Impedanţele de sarcină nu sunt identice
Tranzistoarele sunt identice, funcţionează în PSF identice dar rezistenţele de sarcină sunt
diferite,
Z s'  Z s 1    Z s''  Z s 1   
Tensiunile de la cele două ieşiri ale AD sunt:
r1  v  r2  v 
V1  Au'  vid  ic  V2  Au''   vid  ic  r1  r2  r
r1  r2  r1  r1  r2  r2 
h f Z s' hf
Au'   Z s 1     Au 1   
hi hi
h f Z s'' hf
Au''   Z s 1     Au 1   
hi hi

Influenţa nesimetriilor asupra performanţelor AD (2)
 v   v 
Au 1    vid  ic 
1
Au 1     vid  ic 
1
V1  V2 
2  r  2  r 
Folosim următoarele notaţii:
amplificarea cu care tensiunea diferenţială de la intrare pătrunde în
Add  Au
tensiunea diferenţială de la ieşire;
Au amplificarea cu care tensiunea de mod comun de la intrare pătrunde în
Acd  tensiunea diferenţială de la ieşire;
2
A amplificarea cu care tensiunea diferenţială de la intrare pătrunde în
Adc  u tensiunea de mod comun de la ieşire;
2
A amplificarea cu care tensiunea de mod comun de la intrare pătrunde în
Acc  u tensiunea de mod comun de la ieşire
2r
Se deduc tensiunile diferenţiale şi de mod comun de la ieşire:
Au
Vod  V1  V2  Au vid  vic  Add vid  Acd vic se vede influenţa factorului
2 de rejecţie a modului
V1  V2 Au A comun şi influenţa
Voc 
2

2
vid  u vic
r
 Adc vid  Acc vic nesimetriilor circuitului.

Scheme electrice
1. Polarizare separată a bazelor celor două tranzistoare:
abateri mici ale rezistenţelor

pot duce la blocarea unuia
dintre tranzistoare
2. Polarizare comună a bazelor celor două tranzistoare:
Scheme electrice (2)

3. Reacţia negativă serie de curent:
4. Utilizarea de tranzistoare complementare:
factorul de rejecţie este infint, dar sursele de

semnal trebuie să conţină şi circuitele de
polarizare

Scheme electrice (3)
5. Circuit de intrare diferenţial pentru amplificatoare operaţionale:

6 - 10. EEA Impedanta Marita-Micsorata PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

6 - 10. EEA Impedanta Marita-Micsorata PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elemente de Electronică

6. Circuite cu impedanţă de intrare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Circuite cu impedanţă de intrare mărită

• Etaj de intrare; Etajul de intrare (Preamplificator) – Amplifică semnale de

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Alegere între structurile elementare: BC, EC, CC

Z ic  hi  (h f  1) Z s Dacă hr şi h0 sunt egali cu 0

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Se defineşte un “tranzistor ideal” caracterizat prin:

hiid  r  hi ; hrid  0; h idf    h f ; hoid  0

Z i' Z i''  Z  Z ic  Z i' Z i"

Z i'  hi  (h f  1) Z s'

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Schemă simplă de polarizare şi schema echivalentă în regim dinamic:

Se obţin impedanţe de intrare de ordinul zecilor de k

Pentru a obţine impedanţă de intrare mai mare se va acţiona

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Exemplu: impedanţa de intrare a unui

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Se obţine o impedanţă de intrare

Echivalare (T+Rb)≡T’ cu parametrii:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Reducerea efectului circuitului de polarizare în bază

Impedanţa de intrare este mai mare decât

Echivalare (T+Rb)≡T’ cu parametrii:

Se obţine o expresie identică cu precedenta,

Se obţin impedanţe de intrare de

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Ec  U CE  Re I E ReIE cel mult jumătate din Ec

Se înlocuieşte rezistenţa de polarizare cu un circuit (dispozitiv) care să prezinte rezistenţă mică în cc

T’ este în conexiune BM prin

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Micşorarea efectului rezistenţei de polarizare din

prin tranzistoare circulă, practic,

Se obţin (împreună cu circuitele de polarizare de la

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Dezavantajele utilizării schemei de bază:

Tranzistoarele nu pot fi alese astfel încât să fie în

Introducerea unei rezistenţe în emitorul

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Dinamic, se echivalează (T’+Re1) cu T” cu principalii parametrii echivalenţi (aproximativi):

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Creşterea curentului continuu prin T’ cu

Generatorul de curent se poate realiza cu TBIP

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Prin bootstraparea impedanţei;

Polarizarea tranzistorului T’ se poate face cu o rezistenţă între bază şi colector (T’ nu

Prin bootstraparea lui Z se realizează şi bootstraparea rezistenţei de polarizare;

În schemele echivalente apar tranzistoare compuse de tipul super-D (TBIP pot fi de

Polarizarea în cc se poate face

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Schema cu polarizare paralel a TBIP

hi  h f  1Z ic'' hi''  h 'f'  1 ro' Re 2 Re' Rc

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Se pot folosi formulele de bază cu

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Schema cu polarizare serie a TBIP

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Schema cu polarizare serie a TBIP (3)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare