EEA Tranzistorul Bipolar PDF

Elemente de Electronică
Analogică (EEA)
1. Dispozitive Electronice
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Dispozitive electronice:
• Procese electronice în dispozitive semiconductoare de

circuit;
• Joncţiunea pn;
• Circuite elementare cu diode;
• Tranzistoare bipolare (TBIP);
• Principii de realizare a circuitelor integrate liniare.

Tranzistoare Bipolare
1. Procese fizice
Introducere
Semiconductor eterogen dotat cu impurităţi astfel încât se formează două

joncţiuni PN:
Regiunea din mijloc – bază foarte îngustă d  L p

ordin de mărime: 0,1
Regiuni laterale – emitor, colector
• mult mai dopate
• de acelaşi tip
• au proprietăti electrice şi fizice diferite (prin dopări diferite şi prin
dimensiuni diferite).

Procedee de fabricare:
• Aliere
• Difuzie
profilul şi adâncimea zonei difuzate pot fi controlate prin:
• concentraţia de impurităţi,
• prin temperatura de difuzie şi
• prin durata procesului de difuzie.
Regimurile de lucru se stabilesc după modul de polarizare

a celor 2 joncţiuni:
Regim de lucru Joncţiunea EB Joncţiunea CB
Regiunea activă normală (RAN) Direct Invers
Regiunea de saturaţie (SAT) Direct Direct
Regiunea de blocare (BL) Invers Invers
Regiunea activă inversă (RAI) Invers Direct
Procese fizice
Tranzistorul este de tip P+NP+,
funcţionând în RAN.
Joncţiunea EB este polarizată direct:

golurile din emitor trec în bază,d  L p
puţine goluri se recombină
cele mai multe ajung la colector;
acesta este polarizat invers,
este un câmp electric puternic care
favorizează trecerea golurilor în colector.
goluri injectate de emitor colectate de colector iP ( w)  ir  iP (0)

w este grosimea efectivă a bazei wd
iP ( w) i
Se defineşte: factorul de transport în bază: t   1 r 1
iP (0) iP (0)
Procese fizice
golurile din emitor trec în bază
d  L p puţine goluri se recombină
cele mai multe ajung la colector
acesta este polarizat invers
este un câmp electric puternic care
favorizează trecerea golurilor în colector
goluri injectate de emitor
colectate de colector
iP ( w)  ir  iP (0)
Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN Se defineşte:
factorul de transport în bază:
w este grosimea efectivă a bazei wd t 

iP ( w) i
 1 r  1
iP (0) iP (0)
Procese fizice (2)

Circulă un curent de electroni local datorat
difuziei electronilor din bază în emitor
Baza este mult mai puţin dopată cu impurităti
decât emitorul, curentul de electroni va fi
mult mai mic decât curentul de goluri:
i E  i P ( 0 )  in
Se defineşte:
eficienţa emitorului:
iP (0) i
  1 n  1
iE iE
Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN
Joncţiunea CB este polarizată invers:
d  L p
există un curent local al joncţiunii (ca la
w este grosimea efectivă a bazei wd dioda polarizată invers)

Procese fizice (3)
Concluzii:
tensiunea mică de pe joncţiunea EB
impune curenţi de colector a căror
valoare nu depinde, practic, de tensiunea
de pe joncţiunea CB;
dispozitivul se comportă la ieşire ca o

sursă de curent
mărime de ieşire (curent) comandată de

o mărime de intrare (tensiune)
Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN transfer resistor → transistor.
d  L p
w este grosimea efectivă a bazei wd
2. Ecuaţii de funcţionare

Ecuaţii de funcţionare
Ipoteze simplificatoare:
• model unidimensional;
• concentraţii constante de impurităţi;
• grosimile zonelor neutre ale E şi C >> lungimile de difuzie;
• nivele mici de injectie (conc. purtători injectaţi << conc. maj.);
• se neglijează fenomenele de generare-recombinare în regiunile de
trecere;
• se presupune absenţa altor agenţi externi;
• tranzistor PNP în RAN;
d  L p , p p , p 'p  nn → se neglijează regiunea de trecere EB.
Ecuaţii de funcţionare (3)
Condiţii la limită (de tip Schokley):
qu E qu E
n(l1 )  n p e kT
; p(l2 )  pn e kT
 p (0)
quC quC
n(l4 )  n 'p e kT
; p (l3 )  pn e kT
 p( w)

Etapa I:
Se neglijează curentul de recombinare din bază;
curentul de goluri din bază este constant
dp dp j p ( 0)
j p ( x)   qD p  j p (0)  ct. sau: 
dx dx qD p
j p (0) x  0  p( x)  p(0)  C
Se integrează: p ( x )  C  x cu condiţiile:
qD p x  w  p( x)  p( w)
j p ( 0)
p ( x )  p ( 0)  x (variaţie liniară);
qD p
j p ( 0) qD p
Se calculează: p ( w)  p (0)  w şi rezultă: j p ( 0)   p(0)  p( w)
qD p w
qD p pn  qukTE quC

sau: j p (0)   e  e kT 
w  

qu E
kT qD p pn
Pentru RAN: uC  0, uC  j p ( 0)  e kT
q w
Etapa I:

j p (0)   e  e kT 
w  

Pentru RAN:
qu E
kT qD p pn
uC  0, uC  j p ( 0)  e kT
q w
Semnificaţia lui w:
w  d l  d 
 
2 U 0' u C nn  p p
'
q nn p 'p
Se observă că dacă
uC   w   efect de modulaţie a grosimii bazei (ceea ce duce la ideea de

reacţie internă în tranzistor).

Etapa II:
Se calculează curentul de recombinare pornind
de la ecuaţia de continuitate, în regim
staţionar:
p p  pn 1 dj p ( x) dj p ( x)
  0
q
 p ( x )  pn   0
t p q dx p dx
w w
  p( x)  pn dx   dj p ( x)  0
q
Se integrează pe toată lungimea bazei:
p 0 0
w w w
 j p (0) 
  p( x)  p dx     p(0)  p
q q
 dj p ( x)  j p (w)  j p (0)   jr
0
jr 
p 0
n
 p 0
n 
qD p 
x dx 
1 q j p (0) 2
  p (0)  pn w 
q
w 
p 2  p qD p
qw  1 w qD p pn  kTE  qwpn  kTE 

qu E qu quC qu qu qu
1 E 1 C
 n
p e kT
 p  
 e  e kT   e  1  e kT  e kT 
 p 
n
2 qD p w    p  
 2 2 
Etapa II:
qpn w  kTE 
qu quC
Rezultă: jr  e  e  2 
kT
2 p  
qu
qp w E
Pentru RAN: jr  n e kT
2Dp
Etapa III: Curentul local de electroni la joncţiunea emitor-bază:
qDn n p  qukTE 
jn (0)   e  1
Ln  


Etapa IV:
Curentul propriu la joncţiunea colector-bază
(ca la o joncţiune PN polarizată invers, dar cu
zona P “subţire”→w):
 qD p pn qDn' n 'p  qukTC 

 jco     e  1
L'n   colectorul este dopat diferit cu
 w
  impurităţi în comparaţie cu emitorul
 qD p pn qDn' n 'p  Pentru jco s-a luat semnul corelat cu

Pentru RAN: jco    
 w L '  semnul curentului de colector
 n 
Dacă A este aria secţiunilor transversale ale joncţiunilor, curenţii vor fi:

i E  A j p ( 0)  j n ( 0) 
iC  A j p  
( w)  jco  A j p (0)  jr  jco 
iB  A jn (0)  jr  jco   iE  iC
Determinarea parametrilor tranzistorului:
Factorul de injectie al emitorului (eficienţa emitorului):

i p ( 0) j p ( 0) 1 1 1
    
iE j p (0)  jn (0) 1
j n ( 0) qDn n p  qukTE  w Dn n p
 e  1 1
j p ( 0) Ln  
 Ln D p pn
1
qD p pn  kT
qu E quC

 e  e kT 
w  

ni2 q
Dar :  n  qnn  n  q Dn
pn kT Dn n p n

2
n q D p pn p
 p  qp p  p  q i
Dp
n p kT
1
 → 1
w n
1 baza mai slab dopată decât emitorul, σn << σp
Ln  p
baza cât mai îngustă, w << Ln

Determinarea parametrilor tranzistorului (2):
Factorul de transport:
i p ( w) j p ( w) j p ( 0)  j r jr
t     1 
i p ( 0) j p (0) j p ( 0) j p ( 0)
qpn w  kTE 
qu quC
 e  e kT  2  2 qu E quC

2 p    
 1   1  1  w  e  e kT  2
kT
 2  L p  qu E quC
 e  e kT  e kT  e kT
w  

2
1 w 
Pentru RAN:  t  1    → 1 w  L p
2  L p 
Se observă:
iC  i p ( w)  ico   t i p (0)  ico   t iE  ico   oiE  ico
Determinarea parametrilor tranzistorului (3):
Relaţia fundamentală a tranzistorului:
1  1  w 2  w  1  w 
2
0  1      1  n
  

w  n  2 Lp   L  2  L p 
1     n p
Ln  p
α0 este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC. Valorile tipice sunt

apropiate de 1 dar mai mici decât 1.

Reprezentare simbolica
npn pnp
E n p n C E p n p C
B B
C C
B B
E E
• Doparea colectorului ~ 106
• Doparea bazei ~ 107 – 108
• Doparea emitorului ~ 1015
Reprezentare simbolica (2)
npn
IE IC
- VCE +
E n p n C E C
- -
VBE IB VBC
B
+ +
C B
B npn
IE = IB + IC
VCE = -VBC + VBE
E

pnp
IE IC
+ VEC -
E p n p C E C
+ +
VEB IB VCB
B
-
C B
B pnp
IE = IB + IC
VEC = VEB - VCB
E
IE IC IE IC
- VCE + + VEC -
E C E C
- - + +
VBE IB VBC VEB IB VCB
+ + -
B B
npn pnp
IE = IB + IC IE = IB + IC
VCE = -VBC + VBE VEC = VEB - VCB

Modul de operare a tranzistorului npn în zona activă
(RAN)
Modul de operare a tranzistorului npn în zona activă

(RAN)
Profilul concentraţiei purtătorilor minoritari în bază şi în emitorul tranzistorului

npn care operează în zona activă vBE  0 şivCB  0.

3. Caracteristici statice
Caracteristici statice
Generale:
1. Caracteristica de transfer
2. Caracteristica de ieşire
3. Caracteristica de intrare

Caracteristici statice (2)
Generale:
o mărime de ieşire în funcţie de o mărime de

intrare:
- v0 (vi ) sau io (vi ) cu parametru ii ;
- v0 (ii ) sau io (ii ) cu parametru vi ;
Generale:
o mărime de ieşire în funcţie de cealaltă mărime de ieşire cu
parametru o mărime de intrare:
- io (vo ) cu parametru ii sau vi ;

- vo (io ) cu parametru ii sau vi ;

Generale:
o mărime de intrare în funcţie de cealaltă mărime de
intrare cu parametru o mărime de ieşire:
- ii (vi ) cu parametru vo sau io ;

- vi (ii ) cu parametru vo sau io .
Caracteristici statice ‐ Conexiuni
Caracteristicile statice ale TBIP:

• în conexiunea BC
• în conexiunea EC
• în conexiunea CC


Conexiunea BC
Caracteristica de ieşire: iC  iC (uC ) i
E  ct .
Relaţii: iC   o iE  ico
 qD p pn qDn' n 'p  qu C 
ico   A   e kT  1
 w L'n  
 
1  1  w 2 
0  1    
1
w n  2  L p  
 
Ln  p
 qu C  pentru uC  0 , iC  0
iE  0 iC  ico  e kT  1
  pentru uC  0 iC  ic 0  ct.
 

Conexiunea BC (2)
Caracteristica de ieşire: iC  iC (uC ) i
E  ct .
Conexiunea BC (3)
Observaţii:
caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaţia lui ic0 şi
a lui α0 cu tensiunea uc prin intermediul lui w
caracteristici aproape echidistante la creşteri egale ale curentului de emitor

provenind de la variaţia lui α0 cu cu curentul de emitor (colector);
anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector pozitive,

mici şi foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale curentului de
emitor.
Regimuri de funcţionare:
regiunea de blocare (tăiere), pentru iE  0
regiunea activă normală;
regiunea de saturaţie.

Conexiunea BC (4)
Caracteristica de ieşire: iC  iC (uC ) u  ct .
E
Relaţii:
0
qu E qu E
qD p pn
iC   oiE  ico   0 A e kT  ico  ct. e kT  ico
w w
Observaţii:
caracteristicile nu sunt echidistante;
panta caracteristicilor este mai mare (w apare şi
explicit la numitor şi el scade când tensiunea de
colector creşte în modul);
anularea curentului se face tot pentru valori
pozitive ale lui uc
Aceste caracteristici sunt necesare în cazul

determinării condiţiilor optime pentru cuplarea
în cascadă a unor etaje de amplificare în putere.
Conexiunea BC (5)
Caracteristica de intrare: iE  iE (u E ) u  ct .
C
 qD p qu E
Relaţii: iE  A  e  e kT   A p n e kT
w  
 w
Observaţii:
caracteristica este exponenţială;
pentru uc=0, caracteristica trece prin origine
influenţa lui uc este mică, prin intermediul lui w
Caracteristica de transfer: iC  iC (iE ) iC  iC (u E )

Observaţii:
practic, paralelă cu prima bisectoare;
la curenţi mari, α0 scade

Conexiunea BC (6)
Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor statice:
Observaţii:
caracteristicile se deplasează către stânga
sus, PSF se apropie de zona de saturaţie.
Conexiunea BC (7)
Aproximarea caracteristicilor (model în curent continuu):
Modelul în curent continuu al unui tranzistor
bipolar de tip PNP pentru circuitul de ieşire
cu ic0
Modelul în curent continuu al unui

tranzistor bipolar de tip NPN pentru
circuitul de ieşire fără ic0
Observaţii:
la intrare, tranzistorul poate fi modelat în cea mai
simplă formă cu o tensiune de prag, VD cu valori
tipice de 0,2 V pentru Ge şi 0,6 V pentru Si; curentul
de emitor este stabilit de circuitul exterior;
în colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din emitor; de cele mai multe ori se foloseşte
egalitatea iC  iE care presupune că pentru factorul de curent α0 se ia
valoarea 1.


Conexiunea EC
Caracteristica de ieşire: iC  iC (u 'C ) i

B  ct .
Relaţii: iC   o iE  ico iE  iC  iB
ico
Se elimină iE şi rezultă: iC   0iB  iceo iceo 
1 0
0 factorul de curent
0  al tranzistorului în
1 0 conexiune EC
Observaţii:
caracteristicile au panta mai mare deoarece depinde mai
puternic de uc  uC  u E prin intermediul lui w
'
2
1 w  w n
1   
0  
2  L p  Ln  p 1
0   
1 0  1 w  w  n  1  w 
2
w n
2
1  1      

 2  L p  Ln  p  2  L p  Ln  p
 
caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependenţa de curentul de colector a
factorului de curent în conexiune EC este mai mare decât în cazul conexiunii BC.
Conexiunea EC (2)
Caracteristica de ieşire: iC  iC (u 'C ) u 'B ct .
Relaţii:
qu E qu ' B
qD p pn qD p pn 
iC   0iE  ico   0 A e kT  ico   0 A e kT
 ico
w w
uc'  uC  u E  uC  u ' B
Caracteristica de intrare: iB  i ' B (u ' B ) u '  ct .

C
Relaţii:
iB  iE  iC  iE   0iE  ico  1   0 iE  ico
2
1 w  w n
1 0    
2  L p  Ln  p puternic influenţat de u'C
Observaţii:
• Caracteristicile nu trec prin origine;
• Tensiunea u'C are o influenţă mică.
Conexiunea EC (3)

Conexiunea EC (4)
Caracteristica de transfer: iC  iC (iB )

parametru u'C
Relaţie: iC   0iB  ico
Observaţii:
influenţă mai mare a tensiunii de colector prin
intermediul lui w, care determină o variaţie mai
puternică a lui β0 ;
Conexiunea EC (5)
Aproximarea caracteristicilor statice:
Observaţii:
la intrare, tranzistorul poate fi modelat în cea mai simplă formă cu o tensiune de prag,
VD cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge şi 0,6 V pentru Si; curentul de emitor este
stabilit de circuitul exterior;
în colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent comandat

de curentul din bază; de cele mai multe ori se foloseşte egalitatea iC ≈ iE care
presupune că relaţia pentru curentul de colector devine: iC =β0 iB prin
neglijarea curentului rezidual, iC0

17 Noiembrie – 23 Decembrie 1947
John Bardeen, William Shockley şi Walter Brattain (Laboratoarele Bell)
4. Modelul Early

Factorii de amplificare în curent ai tranzistorului
• Tranzistorul este utilizat pentru prelucrarea semnalelor variabile.

• Semnalele variabile se aplică în serie cu tensiunile de polarizare -
ca urmare, se vor modifica curenţii, deci şi tensiunile pe
rezistenţa de sarcină.
• În cazul general, semnalul variabil se suprapune peste regimul de
curent continuu.
• Tranzistorul – element neliniar – adică relaţiile dintre tensiuni şi
curenţi sunt neliniare. Liniarizarea se poate face în condiţii de
semnal mic.
Factorul de amplificare în curent
Definiţie:
i2
factor de amplificare în curent:
i1 u 2  0
iC
pentru conexiunea BC: 
iE uC  ct .
iC
pentru conexiunea EC: '
iB u 'C  ct .
i E
pentru conexiunea CC:  ''
i B u ''C  ct .

Factorii de amplificare în curent (2)
Conexiunea BC:
Relaţii: iC   0iE  ico rezultă, prin derivare:
 d 0   d 
  0   iE 
diC du E
  0   iE  0
diE  di E u
 du E diE 
C  ct .  uC  ct . uC  ct . 
qD p pn qu E
 diE  q
Deoarece: iE  A e kT    IE
w  du E  PSF kT
d 0 kT 1 kT d 0
rezultă:   0  IE  0 
du E uC  ct .
q IE q du E uC  ct .
Deoarece în RAN α0 depinde puţin de uE , rezultă: α ≈ α0
Conexiunea BC:
Dependenţa α0 de PSF:
Variaţia lui α0 cu curentul de colector (emitor) este determinată de:
generarea de purtători electroni-goluri din zona de trecere (γ)

efecte la nivel mare de injecţie (βt)

Conexiunea EC:
Relaţii: iC
' 
iB u 'C  ct .

iE  iC  iB  iE  iC  iB iC  iE  
1
Factor de amplificare în regim variabil în conexiunea EC:   h21e
Variaţia lui β cu curentul de emitor (colector) este mult mai puternică decât în
cazul conexiunii BC
Conexiunea CC:
nu prezintă elemente importante din punct de vedere al regimului static de
funcţionare; referirile se fac la conexiunea EC.
Modelul Early
Condiţii:
semnale variabile mici;
regim staţionar.
Circuitul de intrare i E  i E (u E , u C )
iE iE
Se diferenţiază în jurul unui PSF M U E , U C , I E , I C  iE  u E  uC
u E M
uC M
1 1 u
u E  iE  uC  ren iE  C
iE iE K
u E u E
m
 M
iE
uC M
Observaţii: ren rezistenţa naturală a emitorului:

qu E qu
qD p pn iE qD p pn q kTE q
iE  A e kT
RAN: uC  0, uC 
kT A e  IE
w q u E w kT kT
M
Modelul Early (2)
Rezultă:
1 kT 1 0,026
ren    valoare mică;
 iE  q IE IE
 
 u E  M K ‐ coeficientul de modulaţie a grosimii bazei:
qu E
iE  1  w  1  w
 AqD p pn e kT
 2   IE   
uC M  w  uC M  w  uC M
iE qI E
u E kT 1 reprezintă influenţa ieşirii asupra
K  M
  intrării prin intermediul grosimii
iE 1 w kT 1 w
 IE efective a bazei – reacţia internă în
uC M
w uC M q w uC M tranzistor
wd 
 
2 U 0'  uC nn  p p
'
u
 d  l0' 1  C'
w

l0' 1
q '
nn p p U0 uC 2U 0' U
M 1  C'
U0
Valori tipice pentru K: 103  105

Modelul Early (3)
Circuitul de ieşire:
iC   0iE  ic 0   0 (iE , uC )iE  ic 0 (uC )
Se diferenţiază
  0    0  i
iC   0 i E   i E  i E   i E  u C  c 0
 u C
 i E  M  u C  M u C M
   0     0  i 
iC   0   iE   iE   iE   c 0  u C iC  iE  g cn uC
  iE  M   uC  M uC M
Observaţii:
 factor de amplificare în curent în conexiunea BC
g cn conductanţa naturală a emitorului – dependenţa de PSF:

Modelul Early (4)
2 2
1 w  w n 1 w 
 0  1      1  
2  L p  Ln  p 2  L p 
 0 1 1 w w  1  w  2  1 w 1 w
 2  2      21   0 
uC 2 L p L p uC  2  L p   w uC w uC
   
 i   0   1 w
g cn    c 0   iE    g c 0  2 I E 1   0 
 uC M  uC  M  w uC M
1 w kT q 21   0 
g cn  g c 0  2 I E 1   0   gc0 
w uC M
q kT Kren
Se obţin valori mici pentru conductanţa

naturală a emitorului 106  107 S
Conferă TBIP caracterul de generator de curent
şi în regim dinamic
Pentru semnale rapid variabile, intervin

elementele capacitive Pentru circuitul Early elementele de
circuit depind şi de frecvenţă, ceea
Se adaugă şi rezistenţa distribuită a bazei rx  rbb ' face dificilă utilizarea lui.
Capacităţile tranzistorului
La joncţiunea emitor-bază – polarizată direct – capacitatea de
difuzie este mai importantă decât capacitatea de barieră; la
joncţiunea colector bază – polarizată direct – contează ambele Ce  Cde  Cbe Cc  Cdc  Cbc
componente, mai importantă fiind, totuşi, capacitatea de barieră.
Capacităţile de barieră – ca la joncţiunea PN: Cbe 0 Cbc 0

Cbe  Cbc 
U U
1 E 1  C'
Capacitatea de difuzie este determinată de variaţia sarcinii U0 U0
purtătorilor mobili de sarcină din bază la variaţii ale tensiunii
emitor bază respectiv colector-bază.
qu E qu C
Relaţii: Condiţii la limită de tip Shockley: p ( 0)  p n e kT ; p ( w)  pn e kT
w w
p (0)  p ( w) 1  qu E quC
 1 qu E
Cantitatea totală de sarcină: Qd   dQd   qAp ( x)dx  qAw  qAwp n  e kT  e kT   qAwpn e kT
 2
0 0
2 2  
qU E
dQd 1 q w2 q
Capacitatea de difuzie la joncţiunea emitor-bază: Cde   qAwpn e kT  IE
du E M
2 kT 2 D p kT
Capacitatea de difuzie la joncţiunea colector-bază:
w kT 1 w
qU E qU E
dQ d 1 1 qD p p n q w2 w 2 qI E 1 C de
C dc   qAp n e kT
 A e kT
 
du C M
2 u C M
2 w q w u C M
kT D p 2 D p K kT K K

5. Modelul Giacoletto
Modelul Giacoletto (1)
Este un model pentru care parametrii nu depind de frecvenţă până la o valoare foarte
mare a acesteia  0,5 f
Se deduce din modelul Early:
uC
uE  ren iE 
K
iC  iE  g cn uC
uE uC
iE   1
ren Kren 1 
iE  uE  K u  uE  uC
E
ren ren Kren
u u  uC
iE  E  SuE  E
ren ro
 u u 
iC   iC  g cn uC    E  C   g cn uC 
 ren Kren 
1

 K  u E  uC   g  1   u
 cn Kr  C
ren Kren  en 
u E  uC uC
iC  Su E  
ro r
Interpretarea rezultatelor
mA
1 S este panta tranzistorului, în
 V
S K     o   q I  40 I S  40
mA
o C C
ren ren ren kT V
ren  1   kT
r    Sr     o ro  Kren  K K
1 1 S S S qI C
1 1 1 1 1

 g cn   g cn  S  g co 
r Kren  K Kren

Schema simplificată pentru
frecvenţe joase
Schema simplificată pentru:
amplificare mică frecvenţe înalte

6. Parametrii de cuadripol

Parametrii de cuadripol (1)
Din punct de vedere dinamic, tranzistorul poate fi
caracterizat printr-un model matematic prin care se iau
în considerare relaţiile dintre mărimile de intrare
(curent, tensiune) şi mărimile de ieşire (curent,
tensiune) ale acestuia considerat ca un cuadripol.
Mărimi de intrare:
curentul de intrare, Ii
tensiunea de intrare, Ui
Mărimi de ieşire:
curentul de ieşire, I0
tensiunea de ieşire, U0

Relaţiile dintre cele patru
mărimi – determină seturi de
parametri – mai importanţi :
• parametrii y (pentru analiza circuitelor funcţionând la frecvenţe mari)

• parametrii h (pentru analiza circuitelor funcţionând la frecvenţe mici).
Parametrii h se pot măsura în cele mai bune condiţii:

• scurt circuit la ieşire (sarcina formată dintr-o capacitate mare)
şi
• întrerupere la intrare (comandă prin generator de curent).
Vi  hi I i  hrVo
I o  h f I i  hoVo
Vi  hi I i  hrVo
I o  h f I i  hoVo

Vi  h11I i  h12 Vo
Vi
h11 
Ii Vo  0V
Vi
h12 
Vo Vo  0V
I O  h 21I i  h 22 Vo
Rezolvand Vo  0V ,
Ii
h 21 
Io Vo  0V
Io
h 22 
Vo I o  0A
h22 este conductanţa
Deducerea parametrilor h din parametrii
circuitului echivalent Giacoletto pentru
conexiunea EC
Parametrii h se deduc pornind de la definitie:
Ui
h11  hi   rx  Z  Z  rx  r r  r x  r Valori tipice: kΩ
pentru curenţi de
Ii ordinul mA
kT
Dependent de PSF ‐ prin r   0 rx are importanţă la curenţi mari;
qI C
La frecvenţe mari intervine şi o dependenţă de frecvenţă;
u b 'e 1
Sub 'e  S
I2 Z r
h21  h f     Sr  
I1 u b ' e u b 'e 1 1
U 2 0  
Z Z  r r
I2
h21  h f   Sr  
I1 U 2 0
• principalul parametru dinamic al tranzistorului;

• numeric, practic egal cu parametrul static β0
• valori tipice: 50 ..... 300
Sr   permite determinarea parametrului hi dacă se

cunoaşte curentul din PSF

Se poate pune în evidenţa panta tranzistorului:

 hf hf hf 1
S   
r r hi  rx hi 1  rx
hi
Ui Z Z r
h12  hi      
Uo Ii
Z   Z  Z  r
• Valori tipice: 10-4 ..... 10-5

• Dependent de PSF;
• Dependent de frecvenţă;
1 1 Z  

Uo   S
Io  r Z   Z  Z   Z 
h22  ho   
o
Uo I i 0
Uo
1 1  Sr 1 1  
   
ro r ro r
• Valori tipice: 10-4 ..... 10-5 S

• Dependent de PSF;
• Dependent de frecvenţă;

7. Modelul Ebers‐Moll
Modelul Ebers‐Moll
Set de ecuaţii şi un model valabile pentru orice regim de funcţionare;
Se determină legătura dintre curenţi şi tensiunile aplicate la borne;
Ipoteze simplificatoare:
• tranzistor cu joncţiuni plane, flux unidimensional;
baza mai slab dopată cu impurităţi p p , p p  nn
'
•
• lungimile zonelor neutre ale emitorului şi colectorului
mult mai mari decât lungimile de difuzie ale electronilor
LE  Ln ; LC  L'n
• lungimea bazei mult mai mică decât lungimea de

difuzie a golurilor d , w  L p , w  d
• nivele mici de injecţie;
• efecte de suprafată neglijabile;
• rezistenţa distribuită a bazei se neglijează
Se determină : p ( x, t ); n( x, t )

Modelul Ebers‐Moll (2)

Ecuaţiile de transport: j p ( x, t )  qD p x p( x, t ) 0  x  w,

jn ( x, t )  qDn n ( x, t ) x0 xd
x
s-a neglijat curentul de câmp faţă de cel de difuzie, tranzistor fără câmp intern
Ecuaţiile de continuitate (valabile pentru orice x şi t)

p ( x, t ) p ( x, t )  pn 1 
  j p ( x, t )
t p q x
n( x, t ) n ( x, t )  n p 1 
  jn ( x, t )
t n q x
Densităţile de curent:
jE (0, t )  j p (0, t )  jn (0, t ) iE  AjE (0, t )
curenţii:
jC ( w, t )  j p ( w, t )  jn ( w, t ) iC  AjC ( w, t )

Se presupune regim sinusoidal de semnal mic:
p ( x, t )  p0 ( x)  p1 ( x)e jt p1 ( x)  p0 ( x)
n( x, t )  n0 ( x)  n1 ( x)e jt n1 ( x)  n0 ( x)
Din ecuaţia de continuitate:

p ( x, t ) p ( x, t )  pn 1   p ( x, t ) 
    qD p
t p q x  dx 
p0 ( x)  p1 ( x)e jt  pn   2 p0 ( x ) jt  p1 ( x ) 

2
jp1 ( x)e jt    Dp   e  D p p  L2p
p  x
2
x 2 
d 2 p0 ( x ) p 0 ( x )  p n
Ecuaţia de regim staţionar:  0
dx 2 L2p
d 2 p1 ( x) 1  j p
Ecuaţia de regim variabil:  p1 ( x)  0
dx 2 L2p

qu E
Condiţii la limită Shockley: x0  p0 (0)  pn e kT
pentru orice tensiuni
quC aplicate
xw  p0 ( w)  pn e kT
x x

p0 ( x)  pn  Ae  Be
Lp Lp
Soluţia pentru ecuaţia de regim staţionar:
qu E
Condiţiile la limită: x  0  p0 (0)  A  B  pn  pn e kT
w w
 qu C
Lp Lp
xw  p0 ( w)  Ae  Be  pn  pn e kT
Se determină A şi B :
 qu E 
A  B  pn  e kT  1  pn BE
  1 1 w

w
  w
 e e  2 sh
Lp Lp
w w


w w
 qu  Lp Lp Lp
 pn  e kT  1  pn BC
Lp Lp e e
Ae  Be
 
 

w w

 BC BC  BE e
Lp Lp
BE e
A pn ; B pn
w w
2 sh 2 sh
Lp Lp
Soluţia pentru regim staţionar:

w w
x  x
Lp  Lp
BE e  BC Lp B  BE e Lp
p0 ( x)  pn e  pn C e  pn
w w
2 sh 2 sh
Lp Lp
 w x x 
 BE sh  BC sh 
Lp Lp
p0 ( x)  pn 1  
 w 
 sh
Lp 
 

Pentru RAN:
kT
u E  0; uC  0; uC 
q
qu E quC
BE  e kT
 1; BC  e kT
 1  1 w  L p ; x  L p
  qu E w x x 
  e kT  1  (1) 
   Lp qu
 Lp  w  x kTE distribuţia liniară din
p0 ( x)  pn 1    pn L e teoria elementară a
w TBIP
  p
 L p 
 

w x x
 BE ch  BC ch
dp0 ( x) Lp Lp
Curenul de goluri: j p 0 ( x)  qD p  qD p pn
dx w
L p sh
Lp
Curentul de goluri la joncţiunea emitor-bază:

qD p pn  
j p 0 ( 0)   BE ch w  BC 
w  Lp 
L p sh  
Lp
Curentul de goluri la joncţiunea colector-bază:
qD p pn  
j p 0 ( w)   BE  BC ch w 
w  L p 
L p sh 
Lp

Curenţii de electroni de la cele două qDn n p  qukTE  qDn n p
j n 0 ( 0)   e  1  BE
joncţiuni (se scriu ca pentru diode): Ln  
 Ln
qDn' n' p  qukTC  qD 'n n' p

jn 0 ( w)   e  1  BC
L'n  
 Ln
Densităţile de curent continuu la cele j E 0  j p 0 ( 0)  j n 0 ( 0)

două joncţiuni: jC 0  j p 0 ( w)  jn 0 ( w)
Curenţii de emitor şi de colector (i=jA)
qD p pn   qD n
iE  A  BE ch w  BC   A n p BE  a11BE  a12 BC
w  Lp  Ln
L p sh  
Lp
qD p pn  w  qDn' n 'p
iC  A  BE  BC ch   A BE  a21BE  a22 BC
w  L  L '
L p sh  p n
Lp
qD p pn w qD n
a11  A ch A n p
w Lp Ln
L p sh
Lp
qD p pn
a12  a21  A
w
L p sh
Lp
qD p pn w qDn' n 'p
a22  A ch A
w Lp Ln '
L p sh
Lp

Ecuaţiile Shockley-Sparks-Teal:
iE  a11 BE  a12 BC
iC  a21BE  a22 BC
• cele mai generale ecuaţii pentru funcţionarea TBIP;

• parametrii aij depind de parametrii fizici, geometrici
şi tehnologici ai TBIP şi sunt greu de măsurat

Punerea în evidenţă a parametrilor măsurabili:
kT
a) RAN u E  0; uC  0; uC  BC  1 iE  a11BE  a12
q
de unde: i E a12
BE  
a11 a11
i a  a a
iC  a21BE  a22  a21 E  12   a22  21 iE 
 a11 a11  a11 a11
Dar:
iC   0iE  I c 0
αo şi Ico sunt parametri de c.c. în RAN, măsurabili direct

a21 a
0  Ic0 
a11 a11

b)
kT
uC  0; u E  0; u E  BE  1
q
rezultă: a12 a
i  I e0 
a22 a22
αo şi Ieo sunt parametri de c.c. măsurabili direct
Semnificaţiile celor 4 parametri:
din egalitatea: α21 = α12 rezultă: αo Ieo = α1 Ico
deoarece: α0 >> αi (TBIP este nesimetric), rezultă: Ieo << Ico
Se presupune că sunt cunoscuţi parametrii măsurabili α0 , αi , Ieo , Ico
a a11a22  a12 a21 a11a22  a11a22 0 i

I c0     a22 1  0 i 
a11 a11 a11
I c0  0 I e0 I e0  i I c0
a22  a21  a11  a12 
1  0 i 1  0 i 1  0 i 1  0 i
Se înlocuiesc în ecuaţiile Sparks-Teal si rezultă ecuaţiile Ebers-Moll:
I e0 I
iE  BE  i c 0 BC
1   0 i 1   0 i
 0 I e0 I c0
iC  BE  BC
1   0 i 1   0 i
Ecuaţiile Ebers-Moll – cele mai generale relaţii ale TBIP –

indiferent de tensiunile de polarizare a joncţiunilor TBIP.

Relaţiile anterioare se pot scrie sub forma:
BC I c 0   0 I e 0 BE  1   0 i iC
BE I e 0   i I c 0 BC  1   0 i iE
i
iE 
I e 0 BE
  0 I e0 BE  1   0 i iC  iE  I e 0 BE   i iC
1   0 i 1   0 i
Similar:
0
iC   i I c 0 BC  1   0 i iE   I c 0 BC iC   0iE  I c 0 BC
1   0 i 1   0 i
Rezultă:
iE  I e 0 BE   iiC iC   0iE  I c 0 BC
Ecuaţiile pentru cei doi curenţi se

pot reprezenta sub forma unui
circuit electric; modelul Ebers-Moll:

EEA Tranzistorul Bipolar PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

EEA Tranzistorul Bipolar PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elemente de Electronică

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Procese electronice în dispozitive semiconductoare de

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Semiconductor eterogen dotat cu impurităţi astfel încât se formează două

Regiunea din mijloc – bază foarte îngustă d  L p

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Regimurile de lucru se stabilesc după modul de polarizare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Joncţiunea EB este polarizată direct:

goluri injectate de emitor colectate de colector iP ( w)  ir  iP (0)

w este grosimea efectivă a bazei wd t 

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Procese fizice (2)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

dispozitivul se comportă la ieşire ca o

mărime de ieşire (curent) comandată de

Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN transfer resistor → transistor.

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Condiţii la limită (de tip Schokley):

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

uC   w   efect de modulaţie a grosimii bazei (ceea ce duce la ideea de

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

qw  1 w qD p pn  kTE  qwpn  kTE 

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Etapa III: Curentul local de electroni la joncţiunea emitor-bază:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

 qD p pn qDn' n 'p  qukTC 

 qD p pn qDn' n 'p  Pentru jco s-a luat semnul corelat cu

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Factorul de injectie al emitorului (eficienţa emitorului):

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

iC  i p ( w)  ico   t i p (0)  ico   t iE  ico   oiE  ico

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Relaţia fundamentală a tranzistorului:

α0 este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC. Valorile tipice sunt

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Reprezentare simbolica (2)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Reprezentare simbolica (4)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Modul de operare a tranzistorului npn în zona activă

Profilul concentraţiei purtătorilor minoritari în bază şi în emitorul tranzistorului

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

o mărime de ieşire în funcţie de o mărime de

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Caracteristici statice (3)

- io (vo ) cu parametru ii sau vi ;

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

- ii (vi ) cu parametru vo sau io ;

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Caracteristici statice ‐ Conexiuni

Caracteristicile statice ale TBIP:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Caracteristicile statice ale TBIP:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare