Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Conductia intrinseca
Conductia intrinseca
Conductia unui semiconductor intrinsec se poate totusi realiza prin promovarea unor
electroni din BV in BC.
La temperaturi mai mari de 00K, o parte a energiei termice este preluata de catre electronii
de valenta, care, beneficiind de acest aport energetic, pot trece de nivelele energetice din banda
interzisa si ajunge pe nivelele energetice din banda de conductie, devenind liberi sa se deplaseze
prin structura materialului.
Figura 4.
Prin plecarea acestor electroni din banda de valenta, locul ocupat initial de catre acestia pe nivelul
energetic din banda de valenta devine liber, altfel spus - gol. Acest gol poate fi ocupat de un alt
electron de valenta, fara un aport energetic substantial. Acest al 2-lea electron de valenta, prin
ocuparea nivelului energetic lasat liber de primul electron, lasa la randul lui un nou loc liber, un
nou gol, pe nivelul energetic ocupat in banda de valenta. Se constata astfel, o deplasare a golurilor
in banda de valenta, motiv pentru care si golul este un purtator de sarcina mobil (purtator fictiv).
Acest fenomen este prezentat in fig.4.
Acelasi fenomen poate fi explicat pe baza structurii retelei cristaline a atomului de siliciu. La
temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legati prin legaturi covalente la care fiecare dintre
acestia participa cu cate 4 electroni de valenta. La nivelul retelei cristaline, electronii de valenta
pot capata suficienta energie astfel incat sa rupa legaturile covalente in care au fost fixati. Prin
ruperea legaturii covalente, electronii de valenta devin liberi (devin electroni de conductie) si lasa
www.qreferat.com/referate/constructii/Conductia-intrinseca739.php 1/4
2/8/2020 Conductia intrinseca referat
in urma, la nivelul atomului de unde au plecat un gol, caracterizat printr-un un exces de sarcina
pozitiva la nivelul atomului respectiv. Din acest motiv, golul respectiv poate fi echivalat, din punct
de vedere electric, cu o sarcina electrica pozitiva fictiva. In continuare, daca un alt electron de
valenta rupe o legatura covalenta, devenind liber, poate ocupa golul lasat de primul electron de
valenta. Acest fenomen este sugerat in fig.5.
Din cele prezentate mai sus se constata ca, intr-un material semiconductor, purtatorii mobili
de sarcina (electroni de conductie si goluri) sunt generati prin ruperea legaturilor covalente.
www.qreferat.com/referate/constructii/Conductia-intrinseca739.php 2/4
2/8/2020 Conductia intrinseca referat
Din fenomenele descrise mai sus s-a constatat ca, prin ruperea legaturilor
covalente, electronii de conductie si golurile sunt generati in perechi.
p = concentratia de goluri.
(1)
Revenirea in banda de valenta a unui electron de conductie duce atat la disparitia unui
electron de conductie cat si a unui gol.
www.qreferat.com/referate/constructii/Conductia-intrinseca739.php 3/4
2/8/2020 Conductia intrinseca referat
www.qreferat.com/referate/constructii/Conductia-intrinseca739.php 4/4