uEB E C

iE iC Fig. 3.1. Simbolurile tranzistoarelor bipolare.

iB B iB S geata din simbol indic emitorul tranzistorului.
B Sensul s ge ii indic sensul jonc . emitorului (de la
iC iE p la n) i sensul curen ilor prin tranzistor.
uBE
C E Tranzistorul pnp este reprezentat cu emitorul în sus,
a) pnp b) npn rezult astfel o circula ie a curen ilor de sus în jos.

3.1.1 Tranzistorul bipolar în regim activ normal (RAN)

În regim activ normal jonc iunea emitorului este polarizat direct i
jonc iunea colectorului este polarizat invers. Pentru fixarea ideilor se va
considera tranzistorul npn, caz în care:
u BE > 0 ; u BC < 0 ., (3.1)
În cazul aplica iilor uzuale condi iile anterioare devin:
u BE > U D 0 ; u CE > U CEsat , (3.2)
unde UD 0 este tensiunea de deschidere a diodei baz -emitor (UD0 ≅0,5V la
siliciu) i UCEsat este tensiunea de satura ie a tranzistorului (cu o valoare uzual
de câteva zecimi de volt).
În aceste condi ii, datorit efectului de tranzistor, curentul de colector este
aproape egal cu cel de emitor:
iC = α i E cu α = 0,98...0,998 , (3.3)
unde α este factorul de amplificare în curent dintre colector i emitor. Efectul de
tranzistor poate fi modelat printr-un generator de curent comandat în curent.
Curentul de emitor circul prin jonc iunea de emitor polarizat direct i
depinde exponen ial de tensiunea de polarizare a jonc iunii – conform unei ecua ii
de tipul ecua iei exponen iale a diodei. Tranzistorul poate fi privit ca o diod între
baz i emitor i ca un generator de curent (comandat în curent) în colector.
Circuitul din figura 3.2.a este echivalent unui tranzistor npn.
B iB iC C
E iE α iE iC C E iE α iE iC C
+

+
UBE β iB
IS / α UBE
B B
a) b) c) E
Fig. 3.2. Modele de semnal mare în RAN pentru tranz. npn; a) circuit cu diod ,
b), c) circuite echiv. simplificate – dioda este înlocuit cu o surs de tensiune.

Ecua ia exponen ial a tranzistorului pentru tranzistorul npn este:

u
iC = I S exp BE , (3.4)
UT
unde IS este o constant numit curent de satura ie al tranzistorului i UT (≅25mV
la 290K) este tensiunea termic . IS are valori tipice în domeniul 10 –15…10 –12A
(func ie de dimensiunea tranzistorului) i depinde de temperatur (se dubleaz la
circa 5°C cre tere a temperaturii).