Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
INTRODUCERE
Pentru prima dată, în anii 1960 au fost inventaţi laserii cu gaze. Însă ei n-au fost
utilizaţi în sisteme optoelectronice din cauza gabaritelor foarte mari şi a sistemului de
modulare a radiaţiei emise.
Mai apoi, au fost inventaţi laserii pe semiconductori pe baza compuşilor GaAs, cu
lungimea de undă a luminii emise 0,9 m . Însă, nici ei n-au fost utilizaţi pe larg din
cauza coeficientului înalt de atenuare a radiaţiei 0,9m în atmosferă şi în fibrele
optice moderne. O altă cauză sunt curenţi de prag înalţi, caracteristici pentru aceşti laseri
la temperatura camerei, chiar şi în regim de impulsuri.
Numai cu apariţia heterostructurilor pe baza compuşilor GaAs/AlGaAs (inventaţi
de Alferov în Sankt-Petersburg în 1970) a devenit posibilă emisia în regim continuu la
temperatura camerei, cu curenţi de prag mici. Aici modularea semnalului luminos se
efectuează la o frecvenţă mai mare de 1GHz.
1
Optoelectronica DOROGAN Andrei