Sunteți pe pagina 1din 2

Optoelectronica DOROGAN Andrei

INTRODUCERE

Optoelectronica – este o direcţie tehnico-ştiinţifică ce se bazează pe utilizarea


concomitentă a metodelor optice şi electrice de transmisie a informaţiei, de prelucrare a
informaţiei, de recepţie şi păstrare a informaţiei. Plus la aceasta, pentru optoelectronica
modernă îi este caracteristică miniaturizarea şi integrarea elementelor, realizate pe baza
compuşilor semiconductori, utilizând tehnologii avansate.
Optoelectronica se dezvoltă ca o ramură aparte ce sintetizează realizările celor
mai diverse ştiinţe, cum sunt: optica, electronica cuantică, tehnologia semiconductorilor,
electrooptica, magnito- şi acusto-optica, fizica semiconductorilor şi a ghidurilor de
undă.
Părţile componente ale optoelectronicii sunt:
 Sursele de radiaţie optică (coerente şi spontane);
 Fotoreceptori de cele mai diverse aplicaţii;
 Cupluri optoelectronice (optroane).
Acestea constau dintr-o sursă de lumină (diodă luminescentă sau laseri) cuplaţi
optic cu un fotoreceptor printr-un ghid de unde, însă electric izolaţi.
 Sisteme de prelucrare a informaţiei (modulatoare, deflectori, sisteme optice de
memorie, dispozitive holografice de memorie);
 Indicatoare optice;
 Optica integrată;
 Sisteme de telecomunicaţii prin fibre optice.
Însă, cele mai importante elemente ale optoelectronicii sunt: sursele de lumină şi
fotoreceptorii.
Sursele de lumină trebuie să emită radiaţie optică de o anumită putere minimă
necesară, o diagramă îngustă a directivităţii şi să fie uşor modulate.
Fotoreceptorii trebuie să aibă o fotosensibilitate înaltă şi o înaltă rapiditate.

Pentru prima dată, în anii 1960 au fost inventaţi laserii cu gaze. Însă ei n-au fost
utilizaţi în sisteme optoelectronice din cauza gabaritelor foarte mari şi a sistemului de
modulare a radiaţiei emise.
Mai apoi, au fost inventaţi laserii pe semiconductori pe baza compuşilor GaAs, cu
lungimea de undă a luminii emise   0,9 m . Însă, nici ei n-au fost utilizaţi pe larg din
cauza coeficientului înalt de atenuare a radiaţiei   0,9m în atmosferă şi în fibrele
optice moderne. O altă cauză sunt curenţi de prag înalţi, caracteristici pentru aceşti laseri
la temperatura camerei, chiar şi în regim de impulsuri.
Numai cu apariţia heterostructurilor pe baza compuşilor GaAs/AlGaAs (inventaţi
de Alferov în Sankt-Petersburg în 1970) a devenit posibilă emisia în regim continuu la
temperatura camerei, cu curenţi de prag mici. Aici modularea semnalului luminos se
efectuează la o frecvenţă mai mare de 1GHz.
1
Optoelectronica DOROGAN Andrei

Un alt progres în optoelectronică a fost confecţionarea fibrelor optice cu un nivel


de atenuare mai mic de 20 dB km .
Ultimul pas modern în optoelectronică a fost elaborarea şi confecţionarea surselor
de lumină (diode luminescente, laseri) pe baza compuşilor cuaternari InGaAsP, deci, a
surselor de lumină şi a fotoreceptorilor optimizaţi pentru radiaţia cu lungimea de undă
  1,2m ,   1,3m ,   1,55m ce posedă un coeficient minim de absorbţie în fibrele
optice din quartz.
Aici, în calitate de fotoreceptori nu se mai foloseşte Ge monocristalin ci compuşii
InGaAsP.
Toate elementele de bază ale optoelectronicii (fotoreceptori, laseri, circuite
integrate optoelectronice etc) sunt confecţionate cu ajutorul tehnologiei planare.
La baza tehnologiei planare stau trei procese de bază:
 Oxidarea;
 Difuzia;
 Epitaxia.