Laboratorul 3

Comutarea tranzistorului
Electronică Digitală
27.03.2020

Matei Alexandru-Petruț, 323AC

mateipetre@yahoo.com

3. Desfășurarea lucrării

3.1 Desenarea schemei de bază

Schema realizată în programul de simulare este:

Simularea de regim tranzitoriu, cu durata simulată de 10 microsecunde (.tran 10u) este:

3.2 Parametrii semnalului de ieșire
Am măsurat timpul de creștere (tcr) și timpul de cădere (tcd) pentru semnalul de ieșire:
3.3 Măsurarea timpului de stocare

Am măsurat timpul de stocare al tranzistorului (ts):

Se constată că, la momentul 2µs al simulării, generatorul de semnal comandă blocarea

tranzistorului prin căaderea tensiunii de intrare la zero. Cu toate acestea, tensiunea de pe bază nu
coboară imediat la zero, datorită stocării de sarcină electrică.
Timpul de stocare se poate măsura din momentul când intrarea comută în zero pânâ când ieșirea
începe să crească cu o pantă semnificativă, ca în figura următoare:

O observație ar fi că timpul de stocare se poate măsura la fel de bine și pe graficul curentului de

colector din figura de mai sus. Pe același grafic se observă cum, la comutarea directă, tranzistorul
furnizează un vârf de curent în condensator, determinând o comutare mai rapidă decât cea
inversă.
3.4 Influența rezistenței de bază

Circuitul simulat arată ca în figura:

Graficul rezultat este:

Se observă că timpii cresc cu valoarea rezistenței și se observă că la valori mai mari ale
rezistenței tensiunea de ieșire este mai mică (timpii find mai mari) decât la valori mai mici.
3.5 Influența rezistenței de colector asupra Vout
Am schimbat și frecvența generatorului de semnal pentru a surprinde în întregime fenomenele
tranzitorii:

Graficul rezultat este:

3.6 Influența rezistenței de colector curentului consumat
Se studiază influența rezistenței de colector asupra curentului consumat de la sursa de alimentare.
Se reține valoarea medie a curentului. Schema și simularea normală pentru 1k sunt:
Valoarea medie a curentului găsită anterior pentru 1k este: -3.1822 mA.
Schema și simularea normală pentru 5k sunt:
Valoarea medie a curentului găsită anterior pentru 5k este: -712.27 µA.
3.7 Influența capacității de sarcină asupra timpilor de comutație
Schema aferentă acestui studiu este:

Graficul rezultat este:

Timpul de creștere va fi mai mare pentru că C1 trebuie să se încarce de la 0% până la 100%.
Când C1 trebuie să se încarce, Q e blocat. C1 va fi astfel încărcat de R2. Cu cât C1 e mai mare
cu atât el se va încărca mai greu pentru că necesită mai mult timp ca să se încarce până la 100%.
Deci cu cât C1 e mai mare cu atât timpul de creștere e mai mare. Analog în cazul timpului de
cădere și stocare.

3.8 Influența condensatorului de accelerare

Cele 2 scheme, inclusiv cea în care s-a introdus un condensator de 100pF în paralel cu rezistența
de bază, sunt:
Am obținut următorul grafic în care compar circuitul inițial cu cel modificat:

În cazul cu condensator de accelerare, se observă următorul fapt: curentul de intrare în circuit nu

se modifică, fiind identic cu cel din cazul inițial.
3.9 Efectul diodei Schottky
Se va studia efectul introducerii unei diode Schottky dinspre baza spre colectorul tranzistorului.
Am ales dioda BAT54, observându-se eliminarea timpului de stocare și faptul că per total
comutarea e mai lentă (ieșirea începe să crească imediat). Schemele sunt:
Graficele corespunzătoare simulării sunt:
Am ales și o diodă RB705D pentru că dă o comutație mai rapidă:

Simularea aferentă este:

3.10 Comutarea unei sarcini inductive
În primul caz, bobina e legată direct în colector și apare o supratensiune. Schemele sunt:
În al doilea caz, circuitul e protejat prin adăugarea unei diode de tip 1N4148:

Graficele rezultate în urma simulării sunt :

În următoarea figură, se observă curentul prin bobină, în primul caz (oprire rapidă), respectiv în
al doilea caz (curentul prin tranzistor se oprește rapid, dar curentul prin bobină este preluat de
diodă):