OBŢINEREA CELULELOR SOLARE ITO-Si CU SUPRAFEŢE PDF

ACADEMIA DE ŞTIINŢE A REPUBLICII MOLDOVA
INSTITUTUL DE FIZICĂ APLICATĂ
Cu titlu de manuscris
C.Z.U: 621.315.592
USATÎI IURIE
OBŢINEREA CELULELOR SOLARE ITO-Si CU SUPRAFEŢE

MAJORATE ŞI STUDIUL PROPRIETĂŢILOR ACESTORA
01.04.10 Fizica şi ingineria semiconductorilor

TEZĂ DE DOCTOR ÎN TEHNICĂ
Conducător ştiinţific: Dormidont Şerban, prof., dr.hab.

Consultant ştiinţific: Alexei Simaşchevici, acad., prof., dr.hab.
Chişinău 2011
© Usatîi Iurie, 2011
2
CUPRINS
ADNOTARE 6
АННОТАЦИЯ 7
SUMMARY 8
LISTA ABREVIERILOR 9
INTRODUCERE 10
1. REVISTA PUBLICAŢIILOR CURENTE PRIVIND CELULELE SOLARE

ÎN BAZA SILICIULUI 19
1.1. Sursele renovabile. Conversiunea fotovoltaică 19
1.2. Dezvoltarea celulelor solare în baza siliciului 21
1.3. Straturile TCO 22
1.4. Straturile ITO şi ZnO 26
1.4.1. Straturile ITO 26
1.4.2. StraturileZnO 29
1.5. Structurile SIS 30
1.6. Celulele solare bifaciale 33
1.7. Celule solare cu heterojoncţiuni şi straturi subţiri amorfe şi
microcristaline de siliciu 37
1.8. Concluzii la capitolul 1 39
2. CARACTERIZAREA DISPOZITIVELOR SOLARE 41
2.1. Instalaţia de depunere a straturilor subţiri pe plachetele de siliciu
cu diametrul de 100mm 42
2.2. Descrierea instalaţiei de depunere a structurilor microamorfe 44
2.3. Descrierea măsurării R-T 48
2.4. Descrierea măsurării Raman 52
2.5. Descrierea măsurării I-V 56
2.6. Descrierea măsurării eficienţii cuantice interne 57
3. OBŢINEREA STRUCTURILOR n+ITO/nSiO2/nSi 60
3.1 Obţinerea straturilor subţiri oxidici prin metoda pulverizării 60
3.1.1. Succesiunea proceselor de obţinere a straturilor subţiri
In2O3:SnO2 (ITO) 61
3.1.2. Obţinerea joncţiunilor ITO/SiO2/nSi în baza plachetelor de siliciu
cu diametrul de 100mm 64
3.2. Determinarea concentraţiei optimale a purtătorilor de sarcină în Si
materialul de bază a celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi 71
3.2.1. Selectarea plachetelor de siliciu 71
3
3.2.2. Caracteristicile I-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi 73
3.2.3. Caracteristicile C-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi 79
3.2.4. Proprietăţile fotovoltaice ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi 80
3.2.5. Fotosensibilitatea celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi 82
3.3. Determinarea grosimii optimale a stratului frontal ITO
în celulele solare n+ITO/SiO2/nSi 84
3.3.1. Proprietăţile optice ale straturilor subţiri ITO 84
3.3.2. Caracteristicile I-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi
în dependenţă de grosimea stratului frontal ITO 88
3.3.3. Caracteristicile C-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi
în dependenţă de grosimea stratului frontal ITO 89
+
3.3.4. Proprietăţile fotovoltaice ale structurilor n ITO/SiO2/nSi
în dependenta de grosimea stratului frontal ITO 90
3.4. Dependenţa parametrilor celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi
de grosimea stratului SiO2 94
3.4.1. Metodele de obţinere a straturilor SiO2 94
3.4.2. Determinarea grosimii straturilor SiO2 96
cu diverse grosimi ale stratului intermediar SiO2 98
3.4.4. Caracteristicile C-U şi cinetice ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi
+
3.4.5. Proprietăţile fotovoltaice ale structurilor n ITO/SiO2/nSi
3.5. Panouri solare în baza structurilor n+ITO/SiO2/nSi 102
+
3.5.1. Particularităţile formării joncţiunii n ITO/SiO2/nSi 103
3.5.2. Tăierea celulelor solare din plachetele de siliciu 104
3.5.3. Parametrii celulelor solare obţinute 106
3.5.4. Asamblarea panoului solar 107
4. OBŢINEREA ŞI CERCETAREA CELULELOR SOLARE BILATERALE

n+Si/nSi/iSiO2/n+ITO 109
4.1. Modelarea diagramei energetice 110
4.1.1. Diagrama energetică a structurii n+Si/nSi/iSiO2/n+ITO 110
4.1.2. Evaluarea parametrilor ai structurii n+Si/nSi/iSiO2/n+ITO 112
4
4.2. Procedee de obţinere a joncţiunilor puţin adânci 114
4.2.1. Surse de impuritate ne contactate cu placheta de siliciu 114
4.2.2. Surse de impuritate contactate cu placheta de siliciu 115
4.3. Prepararea şi studiul celulelor solare bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu 117
4.3.1. Obţinerea structurilor n+Si/nSi/iSiO2/n+ITO 117
4.3.2. Principiul de funcţionare al celulei solare elaborate
Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu 121
4.4. Optimizarea parametrilor celulelor solare elaborate 122
4.4.1. Influenţa adâncimii joncţiunii din spate asupra parametrilor
fotoelectrofizici ai celulei solare Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu
în dependenţă de parametrii siliciului utilizat 122
4.4.2. Proprietăţile electrice ale celulei solare bilaterale
Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu 124
4.4.3. Studiul proprietăţilor fotoelectrice ale celulelor solare bilaterale obţinute 126
4.4.4. Fotosensibilitatea celulelor solare bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu 128
5. REALIZAREA ŞI CARACTERIZAREA CELULELOR SOLARE
MICROAMORFE DIN STRATURI SUBŢIRI DE SILICIU 131
5.1. Obţinerea structurilor microamorfe 132
5.1.1. Descrierea substratelor 132
5.1.2. Evaporarea grilelor metalice 133
5.1.3. Depunerea materialului 133
5.1.4. Realizarea contactelor posterioare 134
5.2. Celulă amorfă p-i-n 134
5.3. Celulă microcristalină p-i-n 141
5.4. Celulă solară tandem microamorfă 149
5.5. Realizarea modulelor tandem microamorfe 155
CONCLUZII GENERALE ŞI RECOMANDĂRI 157
BIBLIOGRAFIE 159
DECLARAŢIA PRIVIND ASUMAREA RĂSPUNDERII 168
CURRICULUM VITAE 169
5
ADNOTARE
la teza „Obţinerea celulelor solare ITO-Si cu suprafeţe majorate şi studiul proprietăţilor
acestora”, prezentată de Usatii Iurie pentru decernarea titlului ştiinţific de doctor în ştiinţe
tehnice la specialitatea 01.04.10 „Fizica şi ingineria semiconductorilor”
În teză sunt prezentate rezultatele cercetărilor de elaborare a unei tehnologii simple şi puţin
costisitoare de fabricare a celulelor solare de uz practic cu suprafeţe active majorate până la 78,5cm2
în baza structurilor de tip SIS nSi/SiO2/n+ITO, inclusiv a unui nou tip de celule solare bilaterale,
structura cărora conţine numai joncţiuni izotipe, a celulelor solare tandem microamorfe cu eficienţă
majorată în baza straturilor subţiri de Si şi cercetarea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice a
acestora.
Sunt descrise actualitatea şi importanţa problemei abordate, formulat scopul şi obiectivele
tezei, înaintate spre susţinere. Este prezentată noutatea ştiinţifică a rezultatelor obţinute, importanţa
teoretică şi valoarea aplicativă a lucrării. Se conţine o analiză amplă şi bine documentată a
rezultatelor, expuse în literatura de specialitate privind dezvoltarea celulelor solare în baza siliciului.
Este descris procedeul de obţinere a straturilor subţiri SnO2 şi In2O3:SnO2 (ITO) utilizind
instalatia de depunere prin metoda pulverizării pirolitice a soluţiilor chimice de In si Sn, cu scopul
creării structurilor fotovoltaice ITO/SiO2/nSi în baza plachetelor de siliciu cu diametrul de 100mm.
Este cercetată dependenţa parametrilor fotovoltaici ai celulelor solare de valoarea conductibilităţii
plachetelor de siliciu. Sunt determinate pierderile optice şi ohmice în dependenţă de valorile grosimii
şi conductibilităţii stratului frontal de ITO, cercetate condiţiile de obţinere a stratului oxid SiO2
intermediar în joncţiunea n+ITO/SiO2/nSi şi influenţa acestuia asupra parametrilor fotovoltaici.
Optimizarea tehnologiei de obţinere a celulelor solare în baza joncţiunilor n+ITO/SiO2/nSi a condus
la elaborarea traseului şi fişelor tehnologice ale procedeului de fabricare a celulelor solare cu
eficienţă de 10,25%. Prin fabricarea în condiţii de laborator a seriei mici de elemente fotovoltaice şi
asamblarea în baza lor a panourilor solare de o putere de 36W, măsurată in condiţiile iluminării
naturale, care varia intre 700-740W/m2, s-a demonstrat viabilitatea tehnologiei elaborate.
În premieră este elaborată concepţia şi designul celulei solare bilaterale cu joncţiuni izotipe.
Construcţia celulei solare bilaterale elaborate include două joncţiuni izotipe, una din care este
formată pe partea frontală a plachetei de Si, iar alta − pe cea din spate. În primul rând se formează
joncţiunea din spate n+-nSi prin difuzia fosforului, impurităţii ce majorează concentraţia electronilor
în siliciu, care avea loc din sursa lichidă POCl3 la temperatura 850°C timp de 15 - 105min. După
difuzie plachetele sunt supuse unui tratament termic la temperatura de 940°C timp de 180 minute. În
rezultat se formează o barieră de potenţial cu înălţimea de 0,1eV, situată la adâncimea de 0,8-1,0m
de la suprafaţa din spate a plachetei de siliciu. Joncţiunea frontală n+ITO/SiO2/nSi se obţine prin
utilizarea procedeului de pulverizare, menţionat. Este modelată şi evaluată diagrama energetică a
celulei solare de acest tip n+ITO/SiO2/nSi/n+Si, preparate componentele şi sistemul fotovoltaic
integru menţionat, studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice, demonstrată viabilitatea unui nou
tip de dispozitiv fotovoltaic cu fotosensibilitate bilaterală. Este descrisă succesiunea operaţiunilor
tehnologice pentru obţinerea celulelor solare bilaterale n+ITO/SiO2/nSi/n+Si de tip nou cu un
randament de 15,7%.
Este descris principiul de realizare şi rezultatele cercetării a celulelor solare tandem
microamorfe în baza joncţiunilor p-i-n amorfe şi microcristaline, care s-au obţinut folosind metoda
depunerii chimice din faza de vapori asistată de plasmă (PECVD).. Aceste structuri combină
avantajele siliciului amorf şi tehnologia de stabilizare şi sensibilizare a parametrilor structurilor în
baza acestuia. şi posedă o valoare stabilă a eficienţii (η=11,1%). În baza structurilor menţionate, s-au
fabricat panouri solare de putere până la 1W, cu suprafaţă de 0,01m2.
Rezultatele obţinute sunt reflectate în 31 lucrări ştiinţifice, un brevet de invenţie, prezentate la
18 Conferinţe internaţionale în domeniu şi 7 Expoziţii şi Saloane internaţionale.
6
АННОТАЦИЯ
диссертационной работы «Изготовление солнечных элементов ITO/Si большой площади и
исследование их свойств», представленной Усатым Юрием на соискание учёной степени доктора
технических наук по специальности 01.04.10 «Физика и инженерия полупроводников»
В диссертационной работе представлены результаты исследований по разработке простой

и дешевой технологии изготовления солнечных элементов (СЭ) практического назначения на
основе ПДП структур nSi/SiO2/n+ITO с увеличенной (78,5см2) активной площадью, включая и
разработку нового типа двусторонних элементов, состоящих только из изотипных переходов,
каскадных СЭ повышенной эффективности на основе аморфных и микрокристаллических тонких
слоев кремния и результаты изучения их электрических и фотоэлектрических свойств.
Обоснована актуальность и важность решения затрагиваемой проблемы, сформулированы
цель и задачи диссертации, научная новизна полученных результатов, теоретическое и
практическое значение работы. Содержит глубокий и хорошо аргументированный анализ
результатов, опубликованных в специализированной литературе по теме развития исследований
фотоэлектрических элементов на основе кремния.
Описан способ получения тонких слоёв SnO2 и In2O3:SnO2 (ITO) с целью изготовления
фотоэлектрических структур ITO/SiO2/nSi на основе пластин кремния диаметром 100мм методом
пульверизации спиртовых растворов хлоридов индия и олова, используя специально
разработанную установку.
Исследована зависимость фотоэлектрических параметров изготовленных фотоэлементов от
значений концентрации носителей заряда в пластинах кремния с одинаковой (100)
кристаллографической ориентацией поверхности, на которой формируется переход. Определены
оптические и омические потери элементов в зависимости от толщины и проводимости
фронтального слоя ITO, изучены условия формирования промежуточного оксидного слоя в
переходе n+ITO/SiO2/nSi и его влияние на значения фотоэлектрических параметров. Оптимизация
технологии изготовления фотоэлементов на основе структур n+ITO/SiO2/nSi способствовала
разработке технологической документации для изготовления СЭ с коэффициентом полезного
действия (к.п.д.) 10,25%.
Изготовлением в лабораторных условиях малой серии фотоэлементов и сборка на их
основе солнечных панелей мощностью 36W, измеренной в условиях естественного облучения
(700-740W/m2), доказана жизнеспособность разработанной технологии.
Впервые разработана концепция и структура двустороннего солнечного элемента (ДСЭ)с
изотипными переходами. ДСЭ состоит из двух однотипных переходов, один из которых
n+ITO/SiO2/nSi формируется на фронтальной поверхности Si упомянутым выше способом. Другой
n+/nSi на тыльной поверхности формируется диффузией фосфора из жидкого источника POCl3 при
температуре 850°С в течение 15 – 105 минут с последующим отжигом при 940°С в течение
180мин. В результате образуется потенциальный барьер высотой 0,1эВ, расположенный на
глубине 0,8 – 1мкм от тыльной поверхности.
Смоделирована и рассчитана зонная диаграмма СЭ такого типа на примере структуры
n ITO/SiO2/nSi/n+Si. Изучены электрические и фотоэлектрические свойства этих структур,
+
показана действенность подобного рода фотоэлементов с двусторонней чувствительностью.

Описана последовательность технологических операций для изготовления ДСЭ с однотипными
переходами n+ITO/SiO2/nSi/n+Si с к.п.д. 15,7%
Описан метод изготовления и результаты исследования тонкопленочных кремниевых каскадных
p-i-n структур, полученных методом химического осаждения из паровой фазы в присутствии
плазмы (PECVD). Эти структуры, называемые микроаморфными, состоят из верхнего
фотоэлемента на основе α-Si:H и нижнего – на основе µс- Si:H. Они объединяют преимущества СЭ
на основе α-Si:H и методы стабилизации их параметров. Описана последовательность
технологических операций для изготовления каскадных СЭ с к.п.д. 11,1% и стабильными
параметрами.
Результаты работы отражены в 31 публикациях, 1 авт.свидетельстве, представлены на 18
Международных конференциях и 7 Международных выставках и салонах.
7
SUMMARY
of the thesis “Preparation of ITO-nSi solar cells with enlarged area and the study of their
properties” presented by Iu. Usatii for the competition of doctor degree (technical sciences) in
semiconductor engineering
In the thesis are presented the results of the elaboration of a simple and inexpensive
technology of solar cells fabrication with enlarged active area up to 78,5cm2 on the base SIS
nSi/SiO2/n+ITO structures, including a new type of bifacial solar cells, which contains only
isotype junctions. Tandem microamorphouse solar cells with enlarged efficiency on the base of
Si thin films were also fabricated and the investigation of the electrical and photoelectric
properties of all types of the elaborated solar cells has been carried out.
The topicality and the importance of the examined problem, the novelty, the aim and the
objectives of the thesis are formulated. A detailed analysis of the special literature concerning the
silicon solar cell- history, achievements and perspectives is considered.
The technology of SnO2 and In2O3:SnO2 (ITO) thin films obtaining by means of spraying
of alcoholic solution of InCl3 and SnCl4 in different proportions on the nSi crystals was
elaborated. Wafers oriented in the (100) plane with the diameter of 100mm have been used for
the fabrication of photovoltaic devices. The dependence of the photovoltaic parameters on the Si
crystals conductibility was studied. Optical and ohmic losses in dependence on the thickness and
the conductibility of the ITO frontal layer were determined. The conditions of the SiO2 insulated
layer obtaining at the ITO-nSi interface and their influence on the solar cell photoelectrical
parameters was investigated. The optimization of the of solar cells obtaining on the base of
n+ITO/SiO2/nSi junctions allow to the elaboration of the technical documentation of the solar
cell fabrication with 10,25% efficiency. The viability of the elaborated technology was
confirmed by the fabrication in laboratory conditions of a small series of photovoltaic devices
and the assemblage on their base solar modules with a power of 36W, measured at daylight
(700-740W/m2).
For the first time the conception and the design of a bifacial solar cell with isotype
junctions was elaborated. This solar cell contains two isotype junctions. One of them is formed
on the frontal side of the Si wafer, the second – on the rear side. At first, the n+-nSi junction at
the rear side is formed by phosphor diffusion from the liquid source POCl3 during 15 - 105min.at
the temperature of 850°С. After the diffusion the wafers are annealed at the temperature of 940°С
during 180 minutes. As a result a 0,1eV heights potential barrier, situated at the depth of 0,8-
1,0m from the rear surface, is formed. The frontal junction is obtained by the above-mentioned
spraying process. The energetic band diagram of such n+ITO/SiO2/nSi/n+Si solar cell is proposed
and evaluated. The integral tandem photovoltaic system was fabricated; their electrical and
photoelectric properties have been studied. So, the viability of a new type of photovoltaic device
with bilateral sensitivity was demonstrated. The succession of the technological steps which are
necessary for the fabrication of a new type of n+ITO/SiO2/nSi/n+Si bifacial solar cells with
15,7% efficiency is described.
The principle of realization and the results of investigation of the properties of tandem
microamorphouse solar cells on the base of p-i-n the amorphous and microcrystalline junctions,
obtained by the method of plasma assisted chemical vapour deposition (PECVD) is presented.
These structures combine into one the advantages of the amorphous silicon and of the
technology of the stabilization and of the sensitivization of the structures, obtained on their base
and demonstrated a stable value of the efficiency (η=11,1%). Solar modules with the area of
0,01m2 and the power up to1W, were fabricated.
The obtained results are reflected in 31 scientific papers, one patent and were presented at
18 International conferences and 7 International exhibitions and salons.
8
LISTA ABREVIERILOR
CS – celulă solară;
Si – siliciu;
SiO2 – bioxidului de siliciu;
αSi:H – siliciu amorf;
µc-Si:H – siliciu microcristalin;
CSB – celulă solară bifacială;
BSF – back surface field (câmpul electric din spate);
TCO – oxid conductiv transparent;
ITO – oxid de indiu şi staniu;
MIS – metal-izolator-metal;
SIS – semiconductor-izolator-semiconductor;
SC – concentraţia silanului;
I-U – curent-tensiune;
C-U – capacitate-tensiune;
Ud – potenţial de difuzie;
W – grosimea stratului de sarcină spaţială;
Qef – eficienţa cuantică internă efectivă;
UV – ultraviolet;
VIS – vizibil;
NIR – infraroşu;
Isc – curentul de scurt circuit;
Ucd – tensiunea cercuitului deschis;
FF – fill factor (coeficient de umplere);
Rser – rezistenţa serie;
Rsh- rezistenţa şunt;
Φc – fracţia fazei cristaline;
CVD – Chemical Vapor Deposition (depunere chimică prin vapori);
PECVD – Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (depunerea chimică în fază de vapori
asistată de plasma);
VHF-PECVD – Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (depunerea
chimică în fază de vapori asistată de plasma la frecvenţă foarte înalta).
9
INTRODUCERE
Actualitatea temei. Creşterea în continuu a nivelului de existenţă al omenirii duce treptat
la epuizarea într-un viitor nu foarte îndepărtat a resurselor de energie fosile principale, precum
cărbunele, gazele naturale şi petrolul. Pe lângă aceasta, arderea acestora duce la emisia în
cantităţi mari a dioxidului de carbon (CO2), gaz incolor cu efect de seră, având mari consecinţe
asupra încălzirii planetare – termin denumit de protectorii mediului – “încălzirea globală”.
Resursele se diminuează, iar preţurile la petrol anual ating noi şi noi recorduri, iar în ultimii 15
ani acesta s-a triplat. Astfel, problema energetică devine una din principalele probleme cu care
societatea actuală este constrânsă a se confrunta. Această problemă poate fi rezolvată prin
implementarea cât mai largă în economia mondială a surselor regenerabile de energie, şi, în
primul rând a energiei solare, o sursă de energie abundentă şi ecologic pură. Uniunea Europeană
şi-a pus ca scop în anul 2020 asigurarea de nu mai puţin de 20% din energia consumată din
contul surselor regenerabile de energie. Această problemă este foarte acută şi pentru Republica
Moldova, unde 98% din combustibilul necesar pentru producerea energiei este importat.
Pe parcursul unei ore pe suprafaţa Pământului cade mai multă energie (4,31020J) în
formă de radiaţie solară, decât toată energia (4,11020J) consumată pe planetă într-un an. Dacă
120000TW de energie solară, care cade pe suprafaţa pământului, ar fi utilizată de către sistemele
fotovoltaice cu eficienţa de 10%, situate pe o suprafaţă, care ocupă nu mai mult de 0,16% din
suprafaţa totală a pământului, s-ar putea obţine 20TW de putere, ce reprezintă consumul dublu
anual al globului [1, 2]. Moldova, situată la latitudinea de 46° are anual 2260-2300 ore însorite şi
primeşte anual 1100-1400kWh pe un metru pătrat de suprafaţă.
Energia solară poate fi transformată direct în energie electrică datorită conversiunii
fotovoltaice realizate cu ajutorul celulelor solare (CS). Primele CS au fost elaborate în 1954 în
baza siliciului [3, 4]. Actualmente are loc o creştere bruscă a producţiei fotovoltaice, în ultimii
10 ani cu 36% anual, se elaborează şi se cercetează materiale noi semiconductoare solare, dar
siliciul rămâne până azi materialul principal al producţiei fotovoltaice. Cu toate că siliciul este un
element foarte răspândit în scoarţa pământului, tehnologia de fabricare a CS este destul de
costisitoare şi problema principală, care limitează folosirea largă a celulelor solare din siliciu în
condiţii terestre, este diminuarea costului energiei electrice, generate în urma conversiunii
fotovoltaice. Această problemă poate fi rezolvată prin elaborarea unor tehnologii noi mai simple
şi mai ieftine de fabricare a celulelor solare şi micşorarea cantităţii materialelor semiconductoare
necesare. Înlocuirea joncţiunii p-n în celulele solare prin structura semiconductor-izolator-
semiconductor (SIS), obţinută prin pulverizare pirolitică, permite simplificarea procesului de
fabricare a celulelor şi ieftinirea lui în urma diminuării cantităţii energiei electrice, cheltuite [5, 6,
10
7]. În calitate de strat frontal în structurile SIS, fabricate în baza siliciului, cele mai potrivite sunt
straturile de oxizi transparenţi şi conductivi (TCO) [8, 9]. Straturile subţiri din aşa materiale
semiconductoare cu conductibilitate prin electroni ca oxidul de indiu şi staniu In2O3:Sn (ITO),
dioxidul de staniu dopat cu fluor sau stibiu (FTO, ATO), oxidul de zinc dopat cu aluminiu sau
galiu (AZO, GZO) pe larg se utilizează ca elemente transparente active sau pasive în
dispozitivele menţionate.
Cercetarea straturilor subţiri nominalizate se efectuează în două direcţii principale:
 elaborarea procedeelor simple şi puţin costisitoare de obţinere a straturilor subţiri TCO,
dar care asigură parametri optimali ai acestora;
 cercetarea utilizării straturilor subţiri TCO în diverse ramuri ale industriei.
Fotovoltaica în straturi subţiri prezintă un alt potenţial de reducere a costurilor de
fabricare a modulelor solare, mulţumită cantităţii mici a materialului utilizat: straturile
absorbante prezintă grosimi de câţiva micrometrii sau chiar mai puţin de un micrometru, cum în
cazul siliciului amorf. Procesele de fabricare a modulelor în baza straturilor subţiri sunt procese
de consum mic de energie. Din această cauză timpul pentru restituirea energiei cheltuite la
fabricarea unui modul fotovoltaic, care actual este de circa 1,5 ani în Europa centrala şi un an în
Europa de sud, ar putea ajunge până la câteva luni în viitorul apropiat. Actualmente se realizează
producerea modulelor fotovoltaice în baza straturilor subţiri din siliciu amorf. Pe lângă aspectele
pozitive, structurile solare în baza siliciului cu straturi subţiri amorfe posedă şi careva neajunsuri,
precum degradarea eficienţii celulelor până la 25 la sută din valoarea iniţială, cauzată de efectul
Staebler-Wronski. Însă acest neajuns poate fi înlăturat prin utilizarea structurilor microamorfe
care au o perspectivă de utilizare largă, deoarece sunt mai stabile.
Cele expuse mai sus demonstrează elocvent actualitatea prezentei teme de cercetare.
Descrierea situaţiei în domeniul de cercetare şi identificarea problemelor de
cercetare. Cum deja a fost menţionat, problema micşorării costului energiei electrice, furnizate
de CS, poate fi rezolvată prin elaborarea structurilor SIS, utilizând siliciul ca material absorbant
şi straturile SnO2 sau ITO ca strat ce formează joncţiunea. Rezultatele investigaţiilor CS în baza
diferitor structuri SIS demonstrează că depunerea straturilor ITO prin pulverizare pirolitică pe
suprafaţa diferitor materiale semiconductoare (Si, InP, CdTe, GaAs ) permite fabricarea CS
printr-un procedeu simplu şi puţin costisitor. Cele mai eficiente sunt CS ITO/InP [10], dar,
ţinând seama de costul foarte înalt al cristalelor InP, aceste CS nu pot fi utilizate pe larg în
condiţii terestre. Pentru aceasta pot fi folosite CS ITO/Si care asigură un randament mai mare de
10%, dar toate cercetările efectuate anterior au fost obţinute pe CS cu suprafaţa activă nu mai
11
mare de câţiva cm2. De aceea este necesar de elaborat o tehnologie de obţinere a acestor CS cu
suprafaţa activă majorată ca în cazul CS cu joncţiunea p-n în baza Si.
Celulele solare bilaterale sunt dispozitive semiconductoare de perspectivă, fiindcă sunt
capabile de a transforma în energie electrică a radiaţiei solare incidente pe ambele părţi ale
celulei, ce permite majorarea eficienţei acestora. Au fost elaborate şi cercetate diferite
configuraţii ale celulelor solare bilaterale, construcţiile cărora în dependenţă de tipul şi de
numărul joncţiunilor pot fi divizate în următoarele grupuri [11]:
a) structura cu două joncţiuni anizotipe p-n;
b) structura cu o joncţiune anizotipă p-n şi o joncţiune izotipă n-n+ sau p-p+;
c) structura cu o joncţiune anizotipă p-n;
Fiecare din structurile enumerate are neajunsurile sale. Astfel, celulele solare bilaterale cu
construcţia de primul tip nu sunt favorabile în utilizarea lor practică, deoarece energiile generate
de fiecare joncţiune nu se totalizează şi la ieşire se obţine diferenţa lor. Construcţia celulelor
solare bilaterale de tipul doi este complicată, iar celulele solare bilaterale de tipul trei nu asigură
o eficienţă suficientă la iluminarea părţii din spate a acestora. Joncţiunile menţionate în
majoritatea cazurilor sunt obţinute prin difuzia impurităţilor în placheta de siliciu. În cazul
formării simultane a joncţiunilor izotipe şi anizotipe a celulelor solare bilaterale în placheta de Si
în acelaşi timp are loc difuzia impurităţilor diferite (fosfor şi bor), care acţionează în mod contrar
asupra proprietăţilor siliciului. Faptul acesta determină neajunsurile principale ale procedeului de
obţinere al celulei solare bilaterale propuse, care pot fi înlăturate prin elaborarea structurilor noi,
de exemplu, a CS bilaterale numai cu joncţiuni izotipe.
Rezultatele mai relevante în privinţa structurilor microamorfe au fost obţinute in Japonia
[12], unde au fost elaborate CS tandem cu eficienţa de 12,88% şi fabricată o serie pilot de 266
module cu eficienţa medie de 11,2%. În Germania pentru a elabora module de suprafaţa 1m2 au
fost obţinute CS din αSi:H şi µcSi:H cu eficienţa de 11,2% şi 7,2% respectiv [13].
Rezultatele prezentate demonstrează că CS microamorfe au o mare perspectivă de
utilizare, deoarece întrunesc avantajele siliciului amorf cu stabilitatea şi sensibilitatea ridicată în
regiunea undelor lungi ai spectrului radiaţiei solare a siliciului microcristalin. Însă, proprietăţile
siliciului microcristalin depind în mare măsură de condiţiile de depunere a acestuia. Din aceste
considerente sunt necesare investigaţii suplimentare.
Scopul şi obiectivele lucrării. Reieşind din situaţia în domeniul de cercetare şi ţinând
cont de faptul, că până în momentul de faţă siliciul rămâne cel mai utilizat material pentru
fabricarea convertoarelor fotovoltaice, lucrarea în realizare prevede:
12
 Elaborarea unei tehnologii simple şi puţin costisitoare de fabricare a celulelor solare de uz
practic cu suprafeţe active majorate în baza structurilor de tip SIS nSi/SiO2/n+ITO, studiul
şi optimizarea parametrilor acestora, demonstrarea viabilităţii tehnologiei prin fabricarea
panourilor solare de diversă putere electrică.
 Elaborarea unui nou tip de CS bilaterale, structura cărora conţine numai joncţiuni izotipe
n+Si/nSi/SiO2/n+ITO şi a traseului tehnologic de preparare, studiul proprietăţilor electrice şi
fotovoltaice ale acestora.
 Elaborarea noilor regimuri de creştere a CS tandem microamorfe stabile cu eficienţă
majorată în baza straturilor subţiri de Si.
Obiectul cercetării îl constituie structurile nSi/SiO2/n+ITO, n+Si/nSi/SiO2/n+ITO,
SnO2/p+α-Si:H/iα-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al, SnO2/ZnO/p+µc-Si:H/iµc-Si:H/n+µc-
Si:H/ZnO/Ag:Al şi structura integră tandem microamorfă SnO2/p+α-Si:H/iα-Si:H/n+µc-
Si:H/p+µc-Si:H/iµc-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al. Obiectele de studiu enumerate, fiind structuri cu
doparea asimetrică, în care componenta cu banda interzisă mai largă are conductibilitate
metalică, pot fi asimilate cu structurile metal-semiconductor (MS) sau metal-izolator-
semiconductor (MIS) şi, deci, procesele fizice, ce au loc în structurile indicate, pot fi destul de
reuşit descrise prin metodele teoretice bine dezvoltate şi verificate ale contactului metal-
semiconductor.
Metodologia cercetării ştiinţifice. Pentru efectuarea investigaţiilor au fost utilizate
metode clasice de cercetare în domeniul fotovoltaic recunoscute şi folosite în centrele
specializate în domeniul menţionat.
Scopul formulat a fost atins prin efectuarea următoarelor lucrări:
 asamblarea instalaţiei de obţinere a straturilor subţiri TCO pe substraturi cu diametrul de
până la 100mm;
 elaborarea procedeelor de realizare a structurilor SIS ITO/Si cu suprafeţe active majorate;
 modelarea diagramei energetice şi a designului structurii bilaterale izotipe
+ +
n Si/nSi/SiO2/n ITO, în care are loc sumarea curenţilor generaţi de ambele joncţiuni;
 elaborarea procedeelor de realizare a structurilor bilaterale n+Si/nSi/SiO2/n+ITO;
 optimizarea regimurilor de creştere a straturilor componente ale structurilor p-i-n amorfe
SnO2/p+α-Si:H/iα-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al şi p-i-n microcristaline SnO2/ZnO/p+µc-
Si:H/iµc-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al;
 optimizarea regimurilor de creştere a structurilor tandem microamorfe SnO2/p+α-Si:H/iα-
Si:H/n+µc-Si:H/p+µc-Si:H/iµc-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al;
13
 cercetarea proprietăţilor electrice şi fotovoltaice ale structurilor realizate şi determinarea
corelaţiei dintre condiţiile tehnologice de obţinere şi proprietăţile studiate;
 cercetarea posibilităţilor de aplicare practică a obiectelor de studiu realizate;
Noutatea şi originalitatea ştiinţifică constă în:
 identificarea modalităţilor tehnologice de obţinere a structurilor fotovoltaice ITO/SiO2/nSi
cu suprafeţe active majorate;
 atingerea în premieră prin stabilirea succesiunii acţiunilor de optimizare a parametrilor
elementelor fotovoltaice ITO/SiO2/nSi cu suprafaţa activă de 8,1cm2 a valorii eficienţii de
10,25%;
 elucidarea proceselor fizice şi elaborarea în premieră (brevet MD N3737) a celulei solare
bilaterale de tip nou, formată din joncţiuni izotipe ITO/SiO2/nSi/n+Si;
 obţinerea şi demonstrarea în premieră a celulei solare bilaterale ITO/SiO2/nSi/n+Si cu
eficienţă de 15,7%;
 studiul în premieră a dependenţei proprietăţilor structurilor fotovoltaice microcristaline
SnO2/ZnO/p+µc-Si:H/iµc-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al de rata de dopare a stratului p+µc-
Si:H şi de concentraţia hidrogenului în camera de obţinere a structurilor;
 utilizarea în structurile fotovoltaice amorfe SnO2/p+α-Si:H/iα-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al
şi microcristaline SnO2/ZnO/p+µc-Si:H/iµc-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al a stratului
absorbant i, obţinut prin metoda VHF-PECVD (Very High Frequency Plasma Enhanced
Chemical Vapour Deposition) la frecvenţă de 100MHz;
 utilizarea temperaturilor mici de depunere (150°C) la obţinerea structurilor tandem
microamorfe SnO2/p+α-Si:H/iα-Si:H/n+µc-Si:H/p+µc-Si:H/iµc-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al;
 stabilirea particularităţilor mecanismelor de transport a purtătorilor de sarcină prin
obiectele de studiu, cercetate la aplicarea câmpului electric şi iluminare.
Semnificaţia teoretică şi valoarea aplicativă a tezei
 Modelarea designului structurii CS bilaterale n+ITO/SiO2/nSi/n+Si în baza joncţiunilor
izotipe, cu capacitate de sumare a curenţilor generaţi.
 Elaborarea în premieră (brevet de invenţie MD N3737) a procedeului de fabricare a celulei
solare bilaterale n+ITO/SiO2/nSi/n+Si, obţinerea acesteia şi demonstrarea funcţionării în
condiţiile simulatorului radiaţiei solare, care asigură iradiere concomitentă a ambelor
suprafeţe active.
14
 Elaborarea în premieră a instalaţiei de obţinere a structurilor fotovoltaice n+ITO/SiO2/nSi
în baza plachetelor de siliciu standarde (100mm) prin metoda de pulverizare a soluţiilor
chimice.
 Elaborarea traseului tehnologic şi a fişelor tehnologice de obţinere a joncţiunilor
n+ITO/SiO2/nSi.
 Fabricarea în baza tehnologiei elaborate a celulelor solare unipolare cu randament până la
10,25% şi a celulelor solare bilaterale de eficienţă până la 15,7%.
 Asamblarea în baza celulelor solare fabricate a panourilor solare de putere până la 30W şi
demonstrarea prin încercări tehnice a viabilităţii tehnologiei elaborate.
 Fabricarea in baza tehnologiei VHF-PECVD a dispozitivelor fotovoltaice în straturi subţiri
de siliciu amorf de putere până la 1W pentru o suprafaţă de 100cm2.
Rezultatele ştiinţifice principale înaintate spre susţinere:
1. Procedeul de fabricare a convertoarelor fotovoltaice de uz practic în baza straturilor subţiri
In2O3:Sn şi a plachetelor de Si, joncţiunea fiind formată prin pulverizarea soluţiilor chimice a
clorurilor de indiu şi staniu pe suprafaţa plachetelor de siliciu decapate chimic tradiţional,
pasivate prin tratate în soluţia HF:HNO3:1% Na2Cr2O7 şi încălzite până la temperatura
450C;
2. eficienţa convertoarelor fotovoltaice n+ITO/SiO2/nSi de 10,25%, obţinută în condiţiile
orientării cristalografice a suprafeţei plachetei de siliciu (100), grosimii stratului ITO –
0,3µm, grosimii stratului SiO2 – 30Å şi concentraţiei purtătorilor de sarcină (electronilor) în
siliciu de (1-5)1015cm-3;
3. procedeul de fabricare a convertorului fotovoltaic bilateral, structura căruia conţine numai
joncţiuni izotipe n+ITO/SiO2/nSi/n+Si;
4. modificarea situării joncţiunii din spate nSi/n+Si a elementului fotovoltaic bilateral
n+ITO/SiO2/nSi/n+Si prin varierea duratei timpului de difuzie a fosforului în placheta de
siliciu puternic influenţează asupra parametrilor fotovoltaici şi nu influenţează asupra
mecanismului de transport a curentului prin obiectul de studiu;
5. eficienţa structurilor p-i-n amorfe de 10,31%, obţinută la valoarea benzii interzise a stratului
p, apropiată de 1,98eV prin reducerea ratei de dopare până la valoarea amestecului gazos
B2 H 6  =0,25%, şi la grosimea stratului absorbant i de 360nm;
B2 H 6   SiH 4 
6. eficienţa stabilă a structurilor tandem microamorfe de 11,1% asigurată prin obţinerea
stratului absorbant al joncţiunii microcristaline la valoarea concentraţiei silanului SC=6,1%,
15
fracţiei fazei cristaline Φc=45% şi la menţinerea raportului între puterea electrică aplicată şi
presiunii în reactorul de depunere de 0,3W/Pa.
Aprobarea rezultatelor ştiinţifice. Rezultatele principale ale tezei au fost aprobate prin
obţinerea brevetului de invenţie (MD 3737) şi prezentările la următoarele Conferinţe
internaţionale şi naţionale:
 The 20th, Barcelona, Spain, 2005; 22nd, Milan, Italy, 2007; 23rd, Valencia, Spain, 2008;
24th, Hamburg, Germany, 2009; 25th, Valencia, Spain, 2010 European Photovoltaic
Solar Energy Conferences and Exhibitions
 2nd, 2004; 4th, 2008; 5th, 2010, Chişinău, Moldova, International Conferences on
Materials Science and Condensed Matter Physics
 The E-MRS Spring Meetings, Strasbourg, France, 2008, 2009, 2010
 First Mediterranean Photonics Conference, Ischia (Napoli), Italy, 2008
 The 3rd International Conference on Electrical and Control Technologies, Kaunas,
Lithuania, 8-9 May 2008.
 The Second Renewable Energy Conference, Erevan, Armeni, 2005
 Conferinţa Energetica Moldovei-2005, Chişinău, Moldova, 2005
 Conferinţa Fizicienilor din Moldova, Chişinău, Moldova, 2005
 Forumul internaţional “Anul Fizicii la Universitatea din Moscova”, Moscova, Rusia,
2005
 4th International Conference „Microelectronics and Computer Science”, Chişinău,
Moldova, 2005
 4-th International Conference on Physics of Advanced Materials. – Iaşi, România, 2004.
Publicaţii la tema tezei. Rezultatele principale ale tezei sunt publicate în 31 lucrări
ştiinţifice şi un brevet de invenţie.
Volumul şi structura tezei. Teza constă din introducere, cinci capitole, concluzii
generale şi bibliografie. Teza conţine 173 pagini text, 83 figuri, 21 tabele, asigurarea
bibliografica constă din 124 de denumiri.
Cuvinte-cheie: dispozitive fotovoltaice, celulă solară, celulă solară bilaterală, panou
solar, MIS, SIS, TSO, ITO, ITO/Si, pulverizare, joncţiune, VHF-PECVD, eficienţă, parametri
fotovoltaici.
Sumarul compartimentelor tezei:
În Introducere este descrisă actualitatea şi importanţa problemei abordate, este formulat
scopul şi obiectivele tezei înaintate spre susţinere. Este prezentată noutatea ştiinţifică a
16
rezultatelor obţinute, importanţa teoretică şi valoarea aplicativă a lucrării. Sunt prezentate date
despre aprobarea rezultatelor lucrării şi sumarul compartimentelor tezei.
Capitolul întâi conţine o sinteză a rezultatelor expuse în literatura de specialitate privind
dezvoltarea CS în baza siliciului. O analiză amplă şi bine documentată a permis de a constata că
până în ziua de azi siliciul rămâne materialul de bază pentru fabricarea celulelor şi panourilor
solare. În baza analizei rezultatelor cercetării metodelor de obţinere şi a proprietăţilor celulelor
solare, fabricate din siliciu, au fost justificate şi formulate obiectivele prezentei lucrări.
În Capitolul doi sunt prezentate descrierile instalaţiilor de fabricare a elementelor
fotovoltaice nSi/SiO2/n+ITO şi a structurilor tandem microamorfe în baza straturilor subţiri de
siliciu amorf şi microcristalin. Sunt descrise instalaţiile ce au fost folosite pentru efectuarea
măsurărilor necesare şi pentru determinarea parametrilor ce caracterizează celulele solare,
precum: instalaţia de măsurare a transparenţei şi reflexiei; instalaţia de măsurare a structurii
materialelor prin spectrometria Raman; instalaţia de măsurare a caracteristicilor curent-tensiune
în condiţii de întuneric şi la iluminarea standard AM1,5 prin utilizarea simulatoarelor a radiaţiei
solare STV-1000, fabricat în Rusia, şi Spectrolab X25 de origine germană; instalaţia de măsurare
a distribuţiei spectrale a sensibilităţii şi a eficienţii cuantice interne a dispozitivelor fotovoltaice.
În Capitolul trei este descris procedeul de obţinere a structurilor fotovoltaice
ITO/SiO2/nSi în baza plachetelor de siliciu cu diametrul de 100mm, joncţiunea fiind formată prin
pulverizarea soluţiilor etilice a clorurilor de indiu şi staniu pe suprafaţa plachetelor de siliciu
preventiv tratate chimic şi încălzite până la 450°C. S-a cercetat dependenţa parametrilor
fotovoltaici ai celulelor solare de valoarea conductibilităţii plachetelor de siliciu, de valorile
grosimii şi conductibilităţii stratului frontal de ITO şi de starea interfeţei ITO/nSi. Optimizarea
tehnologiei de obţinere a celulelor solare în baza joncţiunilor n+ITO/SiO2/nSi a condus la
majorarea eficienţei acestora până la 10,25%. Tot odată, viabilitatea tehnologiei elaborate a fost
demonstrată prin fabricarea în condiţii de laborator a seriei mici de elemente fotovoltaice şi
asamblarea în baza lor a panourilor solare de o putere de până la 36W, măsurată în condiţiile
iluminării naturale care varia intre 700-740W/m2.
În Capitolul patru este elaborată concepţia CS bilaterale cu joncţiuni izotipe, modelată şi
evaluată diagrama energetică a celulei solare de acest tip n+Si/nSi/n+ITO, preparate
componentele şi sistemul fotovoltaic integru menţionat, studiate proprietăţile electrice şi
fotoelectrice, demonstrată viabilitatea unui nou tip de elemente fotovoltaice cu fotosensibilitate
bilaterală, bazate pe joncţiuni izotipe. Este descrisă succesiunea operaţiunilor tehnologice pentru
obţinerea celulelor solare bilaterale n+ITO/SiO2/nSi/n+Si de tip nou cu joncţiuni izotipe.
17
În Capitolul cinci este descris principiul de realizare şi rezultatele cercetării structurilor
solare tandem în baza joncţiunilor p-i-n amorfe şi microcristaline, care au fost obţinute folosind
metodele depunerea chimica in faza de vapori asistata de plasma (PECVD) şi VHF PECVD. CS
tandem microamorfe constau din o structură p-i-n amorfă şi o structura p-i-n microcristalină. În
particolar, pentru structurile respective sunt presentate rezultatele cercetărilor efectuate în doua
direcţii, şi anume: studiul stratului dopat p şi a stratului absorbant i. Rezultatele obţinute au
permis, realizarea, primelor panouri solare proprii în baza structurilor tandem microamorfe de
mărimea 10×10cm2.
18
1. REVISTA PUBLICAŢIILOR CURENTE PRIVIND CELULELE SOLARE IN BAZA
SILICIULUI
1.1. Sursele renovabile. Conversiunea fotovoltaică

Dezvoltarea vertiginoasă industrială din ultimul timp şi creşterea populaţiei globului
pământesc până la 8 miliarde în anul 2020 necesită mărirea energiei consumate. Rezervele
surselor tradiţionale principale de energie, petrolul şi gazul, pot fi epuizate în secolul XXI. În
acelaşi timp utilizarea acestor surse de energie are un impact negativ asupra mediului ambiant,
duce la schimbarea climei datorită aşa numitului „efect de seră”, cauzat de acumularea în
atmosferă a bioxidului de carbon şi altor gaze nocive. Această problemă, poate fi rezolvată
numai prin folosirea cât mai largă a surselor netradiţionale regenerabile de energie, soarele,
vântul, biocombustibilul ş.a. Reieşind din cele spuse mai sus Uniunea Europeană şi-a pus ca scop
în anul 2020 asigurarea de nu mai puţin de 20% din energia consumată din contul surselor
regenerabile de energie. Această problemă este foarte acută şi pentru Republica Moldova, unde
98% din combustibilul necesar este importat.
Printre sursele regenerabile de energie un loc de frunte î-l ocupă soarele. Planeta noastră
primeşte în mediu 1014kW pe oră de energie solară gratuită. Conversia numai a unei miimi părţi
din această energie ar putea asigura fiecare locuitor al pământului cu energie electrică de 10KW,
ce reprezintă azi consumul respectiv în SUA, cea mai dezvoltată ţară din punct de vedere
industrial. Republica Moldova, situată la latitudinea de 460 are anual 2960-2300 ore însorite şi
primeşte anual 1100-1400kW ore pe un metru pătrat de suprafaţă.
Energia solară poate fi transformată în căldură ori direct în energie electrică , datorită
efectului fotovoltaic, descoperit de Henry Bequerel încă în anul 1839 [14], dar în anii următori
acest efect a fost folosit numai pentru fabricarea sensorilor radiaţiei optice. Aşa, de exemplu în
1876 Adams şi Day au elaborat primul fotodetector în baza corpului solid, utilizând selenul ca
material de bază [15]. Mai târziu a fost stabilit, că în acest caz de fapt a fost fabricată prima
heterojoncţiune fotosensibilă CdSe-Se, în care CdSe se forma datorită difuzei Cd din materialul
de contact.
Primele celule solare, au fost fabricate în baza siliciului în SUA la Bell Laboratories
(Figura 1.1). În 1941 CS au fost obţinute în baza joncţiunilor p-n, care se formau spontan în
lingouri policristaline de Si în timpul recristalizării lor [16]. Bineînţeles, că acest proces era
necontrolabil şi nu putea fi aplicat în ştiinţă ori tehnică. În 1952 au fost elaborate CS în care
joncţiunea se forma dirijat prin bombardamentul ionilor de He [17]. randamentul lor era de 1%.
Primele CS generatoare de energie electrică cu suprafaţa activă de câţiva cm2 şi randamentul de
19
6% au fost fabricate în 1954. Este interesant să notăm că această elaborare a fost realizată de o
echipă interdisciplinară, inginerul D. Chapin; chimistul C. Fuller şi fizicianul G. Pearson.
Materialul de bază a fost nSi dopat cu As, în care se forma stratul superficial nSi prin difuzia B
[18].
Fig.1.1. Primele celule solare în baza siliciului [18]: a) 1941; b) 1952; c) 1954.
Până în ziua de azi siliciul rămâne materialul de bază pentru fabricarea celulelor şi
panourilor solare, fiindcă în cea mai mare parte corespunde criteriilor adresate materialelor
pentru fabricarea CS, care sunt următoarele:
1. Valoarea benzii energetice interzise între 1,1 şi 1,7eV
2. Tranziţii optice directe
3. Nu trebuie să fie toxice
4. Tehnologia dezvoltată de obţinere
5. Asigurarea parametrilor fotovoltaici înalţi
6. Stabilitatea parametrilor
Afară de punctul 2 siliciul corespunde aproape ideal acestor criterii şi aproape 90% din
producţia fotovoltaică mondială este bazată pe siliciu şi nu se prevede o schimbare radicală în
această repartizare a materialelor fotovoltaice, cu toate că lucrările de cercetare-dezvoltare în
căutarea materialelor noi fotovoltaice se duc foarte intens.
20
1.2. Dezvoltarea celulelor solare în baza siliciului
O analiză amplă şi bine documentată a istoriei dezvoltării celulelor solare în baza
siliciului se conţine în monografia [19] şî comunicarea [20]. Peste 2 ani după crearea CS
menţionate mai sus, randamentul CS în baza siliciului creşte până la 10%, iar în 1960 până la
14% [21], datorită contactului frontal în formă de grilă (Figura 1.2a), care, cu modificaţii
neînsemnate, se foloseşte până azi. Astfel în 6 ani eficienţa acestor CS s-a mărit de 2,5 ori, ce a
permis utilizarea lor în spaţiu şi destul de larg şi în condiţii terestre. Toate aceste celule aveau
cea mai simplă construcţie cu o singură joncţiune p-n, suprafaţa lor activă nu depăşea câţiva cm
pătraţi.
Criza petrolieră din anul 1972 adus la o intensificare bruscă a cercetărilor şi a
modernizării construcţiei CS. A fost propusă şi realizată construcţia CS cu o joncţiune izotipă
suplimentară p-p+ pe lângă contactul din spate, ce duce la crearea unui câmp electric (BSF-back
surface field) [22]. Acest câmp electric înlesneşte extragerea în circuitul exterior al purtătorilor
majoritari, în timp ce purtătorii minoritari sunt deplasaţi din regiunea contactului din spate în
volumul CS. Ca rezultat se micşorează recombinarea la suprafaţă şi creşte randamentul.
Construcţia CS cu BSF este reprezentată în Figura1.2 (b).
Fig.1.2. Dezvoltarea celulelor solare în baza siliciului.
21
Alte etape importante în dezvoltarea celulelor solare în baza siliciului au fost texturizarea
suprafeţei celulei pentru micşorarea reflecţiei luminii [23], (Figura1.2 (c)), depunerea contactelor
prin metoda „screen printing” şi pasivarea suprafeţei.
Aceste procedee tehnologice au adus la majorarea randamentlui CS de siliciu în timp de
25 ani până la 17,5%, însă toate datele de mai sus se referă, după cum am mai menţionat, la CS
cu suprafeţe active de unităţi de cm pătraţi. Au fost necesare lucrări de cercetare-dezvoltare încă
timp de 30 ani pentru a obţine valorile randamentului de 15-17% în cazul CS contemporane cu
suprafaţa majorată până la 40-50cm2.
Din cele spuse mai sus se vede, că majorarea eficienţei CS este legată cu mărirea
numărului de trepte ale procesului tehnologic de fabricare. Acest proces devine mai complicat,
necesită mai multă energie şi, prin urmare, devine mai scump, iar costul ridicat al energiei
electrice, furnizate de conversia fotovoltaică a energiei solare este punctul cel mai vulnerabil în
folosirea largă terestră a CS.
Pe de altă parte, „inima” acestor celule solare este joncţiunea p-n, obţinerea căreia prin
procesul de difuzie necesită temperaturi înalte până la 1300°C, adică mari cheltuieli de energie.
Deaceia au fost întreprinse încercări de a înlocui joncţiunea p-n prin alte structuri cu barieră de
potenţial, necesară pentru separarea purtătorilor de neechilibru, generaţi de radiaţia solară
absorbită. Astfel de structuri pot fi dioadele Schottky şi structurile MIS, dar în acest caz apare o
altă problemă - straturile de metal nu sunt transparente pentru radiaţia solară, care, în cea mai
mare parte este reflectată de suprafaţa metalului. Totuşi straturile foarte subţiri de metal sunt
parţial transparenţi, însă aplicaţia lor în diodele Schottky şi structurile MIS rămân imposibile,
fiindcă în acest caz brusc creşte rezistenţa lor.
Rezolvarea acestei probleme a venit cu înlocuirea metalului prin oxizi transparenţi
conductivi (TCO–transparent conductive oxides) şi formarea structurilor SIS. Reieşind din
cerinţele prezentate materialelor TCO ele trebuie să aibe banda energetică interzisă de ordinul
3eV şi să fie puternic dopaţi până la degenerarea gazului electronic. Aceste materiale vor fi
examinate în paragraful următor.
1.3. Straturile TCO

Straturile subţiri cu transparenţa optică şi conductivitatea electrică înalte TCO, datorită
proprietăţilor lor foarte interesante, au atras de mult timp atenţia cercetătorilor şi inginerilor şi,
prin urmare, au găsit multe domenii de aplicaţie în ştiinţă şi tehnică. Aceste materiale pot servi în
calitate de excelente straturi transparente de protecţie şi ca electrozi în studii spectroscopice.
Proprietatea lor de a reflecta razele infra roşii se foloseşte pe larg la fabricarea ferestrelor pentru
22
economisirea energiei termice. Trecerea curentului electric prin aceste straturi se utilizează la
dezgheţarea ferestrelor diferitor mijloace de transport, la disiparea electricităţii statice în multe
dispozitive. O aplicaţie largă straturile TCO au găsit şi în dispozitivele optoelectronice şi
fotovoltaice [8].
Straturile TCO au fost obţinute, folosind un şir larg de materiale – oxizi de staniu, indiu,
zinc, cadmiu şi alte metale. La fabricarea celulelor solare cele mai utilizate sunt oxizii de staniu,
indiu si amestecul lor numit ITO (indium tin oxide).
Straturile subţiri ITO au fost depuse pe suprafaţa diferitor materiale solare pentru a obţine
structurile SIS şi CS în baza acestora [5-7]. Conductivitatea electrică înaltă a straturilor ITO din
care se formează electrodul frontal al celulei asigură colectarea purtătorilor de sarcină, generaţi
de radiaţia solară, indicele de refracţie a acestor straturi permite folosirea lor în calitate de strat
antireflectant, dar rolul lor principal este formarea barierei de potenţial al structurii SIS.
Există diferite metode de depunere a straturilor TCO: dispersarea magnetronică,
pulverizarea pirolitică, depunere chimică prin vapori (CVD), fiecare din aceste metode având
multe variante [24-26]. Cea mai simplă şi mai ieftină este pulverizarea pirolitică, celelalte
metode ca dispersarea magnetronică, pulverizarea pirolitică, CVD cer reactori sofisticaţi şi
instalaţii scumpe cu vid.
Pentru diferite aplicaţii a straturilor TCO în practică, afară de metoda de obţinere, este
nevoie de luat în consideraţie proprietăţile lor electrice, optice, mecanice , precum şi stabilitatea
lor chimică, dintre care cele mai importante sunt conductibilitatea electrică σ şi transparenţa
optică T. În cazul ideal sunt necesare valorile maximale ale acestor parametri, însă în realitate
majorarea unuia din aceşti parametri duce la micşorarea altuia, şi, prin urmare este necesară
găsirea soluţiei optimale, adică obţinerea condiţiilor simultane a valorilor maximale posibile a
conductibilităţii şi a transparenţei. De aceia, pentru a putea compara performanţele diferitor
straturi TCO, în lucrarea [27] a fost propus un parametru, numit factorul de calitate Q a
materialului respectiv, în conformitate cu formula (1)
Q  T RS (1.1)
unde Rs este rezistenţa superficială în Ohmi pe pătrat, egală cu
1
RS  (1.2)
 d
iar d – grosimea stratului de oxid în centimetri. Este ştiut, că
23
T  I I 0  exp( d ) (1.3)
unde α este coeficientul de absorbţie, măsurat în cm-1. Atunci factorul de calitate Q poate fi
exprimat prin expresia:
Q  d  exp( d ) (1.4)
Valorile factorului de calitate Q, calculat după expresiile (1.1) – (1.4) pentru cele mai des
folosite materiale TCO sunt: SnO2 – 85, ITO – 270, Cd2SnO4 – 350.
În lucrarea [28] au fost discutate criteriile necesare pentru diferite aplicaţii a straturilor
TCO şi propusă o altă definiţie pentru factorul de calitate Q, care prezintă raportul dintre
conductivitatea electrică σ către coeficientul de absorbţie α al stratului respectiv.
Q     RS ln T  R  (1.5)
unde T şi R sunt respectiv transmisia şi reflecţia totale în domeniul vizibil al spectrului solar.
În Tabelul 1.1 sunt prezentate valorile factorului de calitate, determinat în conformitate
cu formula (1.5) pentru diferite straturi TCO, care permite o clasificare a acestor materiale [28].
Tabelul 1.1. Valorile factorului de calitate Q pentru diferite materiale TCO
Material Rs (Ω/□) α (cm-1) Q (Ω-1)
ZnO:F 5 0.03 7
Cd2SnO4 7.2 0.02 7
ZnO:Al 3.8 0.05 5
In203:Sn 6 0.04 4
SnO2:F 8 0.04 3
ZnO:Ga 3 0.12 3
ZnO:B 8 0.06 2
SnO2:Sb 20 0.12 0.4
ZnO:In 20 0.20 0.2
Din acest tabel se vede, că rezultatele cele mai bune au fost obţinute pentru ZnO dopat cu
fluor şi Al, Cd2SnO4 şi ITO, dar trebuie să menţionăm, că numai straturile ITO pot fi obţinute
prin pulverizare la temperaturi joase pe suprafeţe mari. Aceiaşi concluzie se poate face şi din
datele din lucrarea [27].
Limita de sus teoretică pentru factorul de calitate σ/α a fost estimată din teoria
transportului electronilor în metale [29] şi se exprimă prin formula:
24
   4 2 0c 3nm*  2e 2
2
(1.6)
unde ε0 este permitivitatea vidului, c – viteza luminii în vid, n – indicele de refracţie, m* masa
efectivă a electronilor, µ – mobilitatea, λ – lungimea de undă în domeniul vizibil, e – sarcina
electronului.
În cazul majorităţii straturilor TCO indicele de refracţie e aproape de 2, pentru ZnO,
SnO4 şi ITO m*=0,3m, unde m este masa electronului liber. De aici se vede, că factorul de
calitate depinde de mobilitatea electronilor şi nu depinde direct de concentraţia lor, dar
concentraţia electronilor determină mecanismul de împrăştiere. În SnO2 şi ITO la concentraţii
mici are loc împrăştierea prin fononi şi mobilitatea e 250cm2V-1s-1, dar în cele mai multe cazuri
se folosesc straturi puternic dopate cu concentraţia mai mare de 1020cm-3, pentru care mobilitatea
nu depăşeşte 50cm2V-1s-1 şi este determinată de împrăştierea prin ioni şi de graniţele cristalitelor
în straturi policristaline.
Informaţia despre lucrul de ieşire a unor straturi TCO este prezentată în Tabelul 1.2 [28].
Tabelul 1.2. Lucrul de eşire a unor materiale TCO

Material Concentraţia electronilor Lucrul de eşire
(cm-3) (eV)
20
ZnO:F 210 4.2
19
ZnO 710 4.5
20
ln2O3:Sn 410 4,8
19
SnO2:F 610 4,9
În Tabelul 1.3 sunt prezentate proprietăţile prioritare ale straturilor TCO, care determină
aplicaţia lor în diferite domenii [28].
Tabelul 1.3. Criteriile de selecţie a TCO

Proprietăţile Materialul
Transparenţa maximală ZnO:F, Cd2SnO4

Conductibilitatea maximală ln2O3:Sn
Lucrul de ieşire maximal, contact optimal pentru p-Si SnO2:F, ZnSnO3
Lucrul de ieşire minimal, contact optimal pentru n-Si ZnO:F
Stabilitatea termică optimală SnO2:F, TiN, Cd2SnO4
Durabilitatea mecanică optimală TiN, SnO2:F
Rezistenţa chimică optimală SnO2 :F
Corodare uşoară ZnO:F, TiN
Temperatura de depunere minimală ln2O3 :Sn, ZnO:B, Ag
Toxivitatea minimală ZnO:F, SnO2:F
Costul minimal SnO2:F
25
Examinarea datelor din aceste tabele permite să facem concluzia, că cele mai potrivite
straturi TCO pentru fabricarea structurilor SIS şi a CS în baza lor sunt straturile SnO2 şi ITO. Ele
posedă unul din cei mai înalţi factori de calitate, cea mai mare conductibilitate electrică, pot fi
căpătate prin cea mai simplă metodă de pulverizare pirolitică la temperaturi relativ joase.
Pe de altă parte cea mai mare valoare a factorului de calitate î-l au straturile ZnO, ele sunt
şi cele mai transparente, Reeşind din cele spuse vom examina mai detaliat metodele de obţinere
şi proprietăţile straturilor SnO2, ITO şi ZnO.
1.4. Straturile ITO şi ZnO

1.4.1. Straturile ITO
Straturile ITO, afară de aplicaţiile tradiţionale a straturilor TCO, ca, de exemplu
dezgheţarea ferestrelor vehiculelor, în calitate de straturi antireflectante, electrozi transparenţi
pentru diferite dispozitive, în ultimul timp sunt pe larg folosite în aşa dispozitive moderne ca CS,
fotodioade şi fototranzistori, laseri, ecranele televizoarelor LCD ş.a., adică se poate de spus, că
au devenit o parte integrală importantă a electronicii şi optoelectronicii.
ITO se formează prin doparea reţelei cubice In2O3 cu atomi de Sn, care substitue în reţea
ionii de In. Straturile ITO posedă structura cubică cu parametrul reţelei de 10,12 – 10,31Å [30].
În dependenţă de valenţa +2 ori +4 atomii interstiţiali de Sn formează oxizii SnO ori SnO2.
Cantitatea lor relativă determină conductibilitatea straturilor ITO. SnO reduce concentraţia
electronilor acţionând ca un gol, pe când excesul de SnO2 acţionează în calitate de donor, mărind
concentraţia electronilor până la degenerarea gazului electronic, concentraţia critică fiind
2,31019cm-3 [38]. În lucrarea [39] a fost detaliat studiat mecanismul de împrăştiere al
electronilor pe oscilaţiile reţelei,impurităţile ionizate şi neutre, pe graniţele cristalitelor. Structura
energetică se caracterizează prin tranziţii optice directe, lărgimea benzii interzise fiind 3,75eV,
dar în diferite surse se menţionează valori de la 3,5eV până la 4,06eV [33]. Structura energetică a
straturilor ITO este prezentată în Figura 1.3 [31], iar valoarea indicelui de refracţie este 1,96
[34].
În Tabelul 1.4 sunt prezentate proprietăţile straturilor ITO, obţinute prin diferite metode.
În straturile ITO a fost observat efectul Burstein-Moss [31, 32], care este parţial compensat prin
micşorarea lărgimii benzii interzise datorită degenerării gazului electronic.
În Tabelul 1.4 sunt arătate cele mai răspândite metode de depunere a straturilor ITO:
dispersarea catodică la frecvenţe înalte, magnetronică şi la curent continuu, dispersarea cu
ajutorul fascicolului de ioni şi pulverizarea pirolitică. Aceasta din urmă nu necesită instalaţii cu
vid, tensiuni şi temperaturi înalte şi asigură productivitate destul de mare, mai mult de 1000Å pe
26
secundă. Alegerea metodei de depoziţie a straturilor ITO depinde de mulţi factori, printre care
viteza de epoziţie, omogenitatea straturilor, reproductibilitatea, costul procesului de depunere ş.a.
Toate aceste cerinţe sunt asigurate de pulverizarea pirolitică, deaceia îi vom acorda mai multă
atenţie.
Tabelul 1.4. Proprietăţile ale straturilor ITO obţinute prin diferite metode
Metoda de Grosimea Mobilitatea Concentraţia Resistivitatea Transmitanţa
depunere (Å) (cm2V-1s-1) (cm-3) (Ohm×cm) (%)
Dispersare la
7000 35 61020 310-4 90
radiofrecvenţe
Dispersare la
5000 12 1,21021 410-4 95
radiofrecvenţe
Dispersare la
4000 25 31020 810-4 -
radiofrecvenţe
Dispersare
800 26 61020 410-4 85
magnetronică
Dispersare la
curent 1000 35 91020 210-4 85
continuu
Evaporarea
2500 30 51020 410-4 91
reactivă
Dispersare
prin flux de 600 26 21020 1210-4 -
ioni
Pulverizare
3000 45 51020 310-4 85
pirolitică
Fig.1.3. Structura benzilor In2O3 nedopat si dopat cu Sn.
Piroliza este descompunerea unui amestec de vapori pe o suprafaţă încălzită. În cazul

depunerii straturilor ITO pe suprafaţa suportului necesar se pulverizează un amestec de soluţii a
clorurilor de indiu (InCl3) şi de staniu (SnCl4), folosind aerul, oxigenul ori nitrogenul în calitate
de gaz purtător. Temperatura suprafeţei suportului este 400-500°C [32]. O variantă a acestei
27
metode este pulverizarea pirolitică în câmp electrostatic [35]. Pentru aceasta precursorul lichid
este transformat în aerosol cu picături electrizate, care sunt îndreptate de un câmp electric spre
suportul încălzit, unde are loc procesul de piroliză. În acest caz se obţin straturi ITO cu
conductibilitatea electrică până 5 104Ohm-1 cm-1, dar transparenţa lor nu depăşeşte 76%.
Proprietăţile straturilor ITO obţinute prin pulverizare magnetronică sunt descrise în [36],
conductibilitatea lor electrică este de (1-5)103Ohm-1cm-1.
Proprietăţile electrice şi optice ale straturilor ITO depuse prin pulverizare pirolitică
depind de conţinutul relative al In şi Sn în stratul depus şi sunt prezentate în Tabelul 1.5 [7].
Tabelul 1.5. Procentajul InCl3 în soluţia alcoolică InCl3:SnCl4

Parametrii 100 94 90 86 80 0
σ (Ohm-1cm-1) 2,6102 2,6103 4,7103 2,6103 1,3103 42,4
n (cm-3) 11020 5,51020 1,11021 6,51020 6,81020 5,31019
µ (cm2V-1s-1) 15 29 27 25 14 5
Eg (eV) 3,2 3,52 3,7 3,44 3,44 3,44
Straturi ITO cu conductivitate electrică şi transparenţa maximală de 90% în domeniul

vizibil al spectrului au fost căpătate din soluţii ce conţin 90% InCl3 şi 10% SnCl4 la temperatura
substratului de 450°C. Din tabel se vede, că Eg se schimbă numai atunci, când în soluţie se
conţine mai mult de 90% InCl3 , adică în acest caz se formează soluţii solide In2O3, SnO2.
În calitate de concluzii putem spune următoarele. Straturile ITO sunt cele mai potrivite
pentru obţinerea structurilor SIS din următoarele considerente:
1. ITO este un semiconductor degenerat de tipul n, de fapt înlocueşte un strat de metal, şi de
aceia utilizarea lui în calitate de strat frontal al CS micşorează rezistenţa serie a celulei.
2. Indicele de refracţie al stratului ITO (~2) este potrivit pentru a forma un strat antireflectant pe
siliciu.
3. Straturile ITO sunt stabile în diferite condiţii al mediului înconjurător, sunt rezistente din
punct de vedere chimic, adghezia lor pe diferite substrate este bună.
4. Banda interzisă largă de 3,6eV asigură transparenţa maximală în domeniul vizibil al spectrului
solar.
5. Straturile ITO pot fi depuse pe suprafaţa siliciului la temperaturi relativ joase
28
Din cele expuse în această scurtă trecere în revistă a metodelor de obţinere şi a
proprietăţilor straturilor ITO se poate face concluzia, că cele mai potrivite straturi pentru
fabricarea structurilor SIS şi a CS în baza lor sunt straturile obţinute prin pulverizarea simplă
pirolitică. Această metodă este cea mai simplă şi puţin costisitoare, permite obţinerea straturilor
ITO cu conductibilitatea electrică până 5103Ohm-1cm-1 şi cu transparenţa 90%.
1.4.2. StraturileZnO
Din punctul 1.3 se vede că straturile ZnO sunt cele mai transparente în domeniul vizibil
al spectrului, posedă o conductibilitate electrică înaltă , pot fi depuse la temperaturi destul de
joase şi sunt compuse din materiale ieftine. În Tabelul 1.6 sunt sistematizate datele privitor la
metodele de obţinere a straturilor ZnO în ordine cronologică.
Tabelul 1.6. Sistematizarea datelor de obţinere a straturilor ZnO

Materialul metoda de obţinere Anul,
referinţa
ZnO:In pulverizare pirolitică 1984, [37]
ZnO:Al dispersare magnetronică 1984, [38]
ZnO:In dispersare la RF 1987, [39]
ZnO:Ga dispersare magnetronică 1990, [40]
ZnO:F CVD 1991, [41]
ZnO:Al CVD 1992, [42]
ZnO:Ga, CVD 1992, [43]
ZnO photo MOCVD 1994, [44]
ZnO:Al PECVD 2002, [45]
ZnO:Al metoda sol-gel 2002, [46]
ZnO:B LPCVD la presiuni joase 2006, [47]
După cum se vede din Tabelul 1.6 în majoritatea cazurilor se utilizează doparea
straturilor ZnO în timpul depunerii cu In, Al, Ga, F, B. În cazul obţinerii straturilor prin
pulverizare pirolitică a fost observat, că cea mai mică rezistenţă şi în acelaşi timp cea mai mare
transparenţă posedă straturile ZnO , obţinute în cazul, când în soluţia de pulverizare se conţin 2
at.% de In. Aceste straturi sunt stabile în vid ori oxigen până la temperatura de 800K [37]. Când
straturile ZnO:In sunt obţinute prin dispersare la RF proprietăţile lor depind de poziţia verticală
ori orizontală a suportului. Pentru poziţia verticală rezistivitatea este de 310-4Ω cm, dar
straturile obţinute pe suporturi , situate paralel cu ţinta, au rezistivitatea cu un ordin mai mare,
dar sunt mai stabile [39]. Straturile ZnO:F, depuse prin metoda CVD, posedă conductibilitatea de
2,5103Ohm-1cm-1, rezistenţa de 5Ω/□, au mobilitatea 40cm2V-1s-1, transparenţa de 90% în
domeniul vizibil şi reflecţia de 85% în IR [41].
29
Pentru straturi dopate cu Ga indicele de refracţie se schimbă dela 1,96 pînă la 1,73 cu
majorarea concentraţiei electronilor până la 3,71020cm-3. Rezistenţa lor este de 3,6Ω/□. Banda
interzisă Eg=3,28eV pentru straturi nedopate si 3,59eV pentru straturi dopate cu Ga în
conformitate cu regula Burstein-Moss [40].
Doparea ZnO cu B ori Al duce la mărirea conductivităţii fără să micşoreze transparenţa.
Rezistivitatea straturilor ZnO:Al este de 210-4Ohmcm, rezistenţa de 4Ω/□, transparenţa de 80 –
85%, reflecţia în IR până la 90% [38,42].
Trebuie să subliniem, că straturile ZnO, obţinute prin metoda CVD, au suprafaţa
texturizată,
În producerea CS cu Si amorf , spre deosebire de SnO2 sau ITO, straturile ZnO sunt
rezistente în plasma cu H2. Ele sunt atractive şi din alte considerente:
- temperatura joasă de depunere (130°C)
- nu sunt toxice
- sunt compuse din materiale răspândite şi ieftine
- pot fi obţinute cu suprafaţa texturizată cu grosimea de 1,4 – 1,7µm.
- se utilizează pentru contactul frontal şi cel din spate, unde, împreună cu strat de metal
(Ag sau Al), asigură reflecţia luminii.
1.5. Structurile SIS

După cum a fost menţionat mai sus, problema micşorării costului energiei electrice,
furnizate de CS, poate fi rezolvată prin elaborarea structurilor SIS, utizând siliciul ca material
absorbant şi straturile SnO2 sau ITO ca strat izolator. Primele publicaţii in această direcţie se
referă la anul 1976 [37-41]. De exemplu, în [37] sunt descrise structurile SIS, obţinute prin
dispersarea ITO la radiofrecvenţe pe suprafaţa cristalelor nSi şi pSi cu rezistivitatea de (0,13 –
5)Ohmcm. Având suprafaţa activă de 0,13cm2 aceste celule au demonstrat eficienţa de 1%. Cea
mai mare eficienţă de 12% a fost comunicată în [39] pentru o CS de acest tip cu suprafaţa până la
0,5cm2. Rezultatele acestor lucrări au fost detailat analizate în [42-44] din punct de vedere
experimental şi teoretic.
Reieşind din teoria generală a heterojoncţiunilor este de neînţeles cum pot funcţiona CS
obţinute din materiale cu deosebire mare a tipului şi constantelor reţelelor cristaline: Si (diamant,
a=5,43Å), SnO2 (tetragonală, a=4,74Å, c=3,19Å), In2O3 (cubică, a=10, 12Å), atunci, când la
interfaţă se formează un strat intermediar cu multe defecte. Este interesant de menţionat, că
diferiţi autori au primite rezultate destul de contradictorii [37, 39]. Examinând aceste date, în
30
lucrarea [42] s-a ajuns la concluzia, că performanţele acestor CS depind de stratul subţire
intermediar dielectric. Acest strat nu este neapărat compus numai din SiO2, el poate să aiba o
compoziţie destul de complicată, dar este sigur, că funcţia lui principală este compensarea
discordanţei reţelelor cristaline. Grosimea lui nu este mai mare decât 30Å, ce iace asigură
posibilitatea trecerii purtătorilor de sarcină prin tunelare. Diagrama benzilor energetice, propusă
în [37] pentru structura ITO/nSi/n+Si, demonstrează, că această structură este asemănătoare cu
dioada Schottky, curentul este format din purtătorii majoritari pe ambele părţi ale barierei de
potenţial (Figura 1.4).
Fig.1.4. Diagrama benzilor energetice a structurii ITO/nSi/n+Si: a) la întuneric, b) la iluminare în

regim de circuit deschis. Suprafaţa haşurată prezintă stratul izolator SiOx.
Analiza teoretică a structurilor ITO/nSi în regim de celulă solară a demonstrat, că ele sunt
similare cu structurile MIS. A fost arătat, că parametrii acestor CS depind de grosimea stratului
izolator, nivelul de dopare al substratului, concentraţiei stărilor de suprafaţă, sarcina electrică a
oxidului şi temperatură, optimizarea acestor parametri poate asigura eficienţa de 20%. În
lucrarea [44] această problemă a fost examinată din punct de vedere al pierderilor de energie în
procesul conversiei radiaţiei solare în energie electrică. Ca material experimental au fost folosite
caracteristicele curent- tensiune la întuneric şi a fost arătat, că după un anumit prag al tensiunii
directe aceste caracteristici nu diferă de caracteristicele similare a unei joncţiuni p-n în siliciu şi
curentul este controlat de procesele de difuzie în volumul siliciului. Diferite mecanisme a
pierderelor de energie, care limitează creşterea eficienţei, sunt prezentate în Tabelul 1.7 [44].
Aceste mecanisme de pierderi probabil sunt valabile şi în cazul altor structuri SIS.
31
În următorii ani structurile ITO-Si obţinute prin diferite metode , au fost studiate de
cercetătorii din India [7, 45, 46] şi Moldova [6, 48]. În Rusia şi Norvegia straturile ITO,
depuse pe diferite CS în baza siliciului, au fost folosite în calitate de strat antireflectant ori ca
material pentru obţinerea contactelor [49].
Tabelul 1.7. Sumarizarea mecanismelor de pierdere a energiei , care nu permit obţinerea

eficienţei maximale posibile de 20%
Mecanismul Cota pierderilor
(%)
Absorbţia şi reflexia în stratul ITO până la 8
Recombinarea în stratul de sarcină spaţială (0,1 – 1)
Reducerea înălţimii Vcd (0 – 12)
Lucrul de eşire prea mare (0 – 3)
Strat SiOx neomogen (0 – 3)
Strat ITO slab dopat (0 – 3)
Curent de saturaţie prea mare (0 – 3)
Fill-factorul mic (0 – 10)
Cea mai înaltă eficienţă de 12,6% a fost obţinută în cazul CS SnO2:P/SiO2/n-Si cu

suprafaţa de 2cm2 [45]. Aceste celule au fost fabricate prin depunerea straturilor SnO2 dopate cu
P prin metoda CVD pe suprafaţa texturată a cristalelor nSi cu rezistivitatea de 0,1Ohm∙cm.
Stratul izolator SiO2 a fost obţinut prin metoda chimică. În lucrarea [46] a fost studiat
mecanismul de transport al curentului în structurile ITO/Si, în care stratul TCO a fost obţinut
prin metoda evaporării sub acţiunea unui fascicul de electroni. Tratarea preliminară a cristalelor
de Si cu Cl a adus la majorarea randamentului dela 2,3% până la 5,5%. În acest caz mecanismul
de transport al curentului a fost dominat de recombinarea în stratul de sarcină spaţială, pe când in
absenţa Cl el este determinat de termoemisia peste bariera de potenţial. In lucrările [7, 48] au fost
studiate proprietăţile structurilor ITO/nSi, obţinute prin pulverizare pirolitică. Pentru CS cu
suprafaţa activă de 4cm2 randamentul este 10,8%.
Afară de siliciu structurile SIS pentru CS au fost obţinute şi in baza altor materiale
semiconductoare. Cele mai eficiente sunt celulele solare cu cristale InP în calitate de material
absorbant [10, 50-52]. CS ITO/InP cu eficienţa de 11%, fabricate prin pulverizare pirolitică au
fost descrise în [51]. În lucrarea [10] au fost studiate dependenţa parametrilor fotoelectrici de
orientarea cristalografică a substratului InP şi rezistenţa acestor CS la radiaţia ionizantă. Cea mai
mare eficienţă de 11,6% se obţine în cazul planului [100], iar CS respective în cazul
bombardamentului cu flux de protoni cu energia de 20,6MeV şi flux de electroni cu energia de
1MeV sunt cu mult mai rezistente decât CS în baza Si ori GaAs. În cazul CS ITO-InP, obţinute
32
pe suporturi orientate în planul [111]A tratamentul termic ulterior în H2 duce la majorarea
randamentului până la 10% [53]. Randamentul record de 18,9% a fost obţinut în lucrarea [52] în
cazul structurilor ITO/InP, în care stratul ITO a fost depus prin dispersare magnetronică pe
suporturi p-p+InP, tratate preliminar în plasma Ar/O2, iar în [50] acelaşi colectiv de autori din
SUA a comunicat despre începerea producţiei în serii mici a CS ITO/InP.
Structurile ITO/CdTe [54] şi ITO/GaAs [55] au fost obţinute prin pulverizarea pirolitică a
straturilor ITO pe suprafaţa cristalelor pCdTe şi pGaAs. În urma cercetărilor proprietăţilor
electrice şi fotoelectrice au fost propuse diagramele energetice şi determinaţi parametrii
fotoelectrici. În cazul CS ITO/CdTe randamentul este de 6%, pentru CS ITO/GaAs el nu
depăşea 2,5%.
Din această scurtă trecere în revistă a rezultatelor investigaţiilor CS în baza diferitor
structuri SIS putem trage concluzia; că depunerea straturilor ITO prin pulverizare pirolitică pe
suprafaţa diferitor materiale semiconductoare(Si, InP, CdTe, GaAs) permite fabricarea CS printr-
un procedeu simplu şi puţin costisitor. Cele mai eficiente sunt CS ITO/InP, dar ţinând seama de
costul foarte înalt al cristalelor InP aceste CS nu pot fi utilizate pe larg în condiţii terestre. Pentru
aceasta pot fi folosite CS ITO/Si care asigură un randament mai mare de 10%, dar este necesar
de elaborat tehnologia de obţinere a acestor CS cu suprafaţa activă majorată ca în cazul CS cu
joncţiunea p-n în baza Si.
1.6. Celulele solare bifaciale

Cea mai importantă problemă a fotovoltaicii este folosirea cât mai complectă a radiaţiei
solare. Pentru rezolvarea ei cercetările sunt efectuate în diferite direcţii: majorarea eficienţei prin
micşorarea pierderilor de energie, ce au loc în procesul conversiei, utilizarea cât mai largă a
spectrului solar prin crearea CS în baza heterojoncţiunilor şi a CS tandem, divizarea spectrului
solar în porţiuni, pentru conversiunea acestora de către CS fabricate din materialele
semiconductoare ajustate domeniilor spectrale respective ş.a. O cale destul de promiţătoare în
această direcţie este şi elaborarea celulelor solare bifaciale (CSB), care au un şir de avantaje.
Aceste celule utilizează nu numai radiaţia, care cade pe suprafaţa frontală, ca în celulele
obişnuite, dar şi radiaţia, ce nimereşte pe suprafaţa din spate. Astfel, CSB pot produce cu 50%
mai multă energie decât celulele solare obişnite. În cazul CS, folosite în spaţiu această radiaţie
este determinată de albedo-ul pămîntului, în condiţii terestre ea poate fi lumina reflectată dela
fasadele clădirilor vopsite în alb sau dela alte obiecte. O aplicaţie specială a CSB este utilizarea
lor în concentratoarele radiaţiei solare. Afară de aceasta, avantajul CSB constă în neabsorbirea
radiaţiei IR, care încălzeşte celula, datorită absenţei contactului metalic compact din spate.
33
Prima CS , în care a avut loc conversiunea radiaţiei solare de către ambele suprafeţe ale
celulei a fost elaborată în anul 1960 în baza siliciului [56]. Construcţia acestei celule este arătată
în Figura 1.5.
Fig.1.5. Structura primei celule bifaciale cu două joncţiuni. 1 – nSi, 2,2’ – emitter din pSi, 3,4 –
contactele celulei.
În anii ce urmează dezvoltarea CSB mergea paralel cu dezvoltarea CS obişnuite, în multe

cazuri cercetările CSB aduceau un aport considerabil în fotovoltaică. Aici putem menţiona aşa
probleme ca recombinarea la o distanţă îndepărtată de joncţiunea p-n, transportul purtătorilor de
sarcină prin volumul celulei ş.a. O analiză amplă a istoriei dezvoltării CSB se conţine în [57]. În
această lucrare a fost propusă o clasificare a CSB în conformitate cu numărul joncţiunilor din
celulă:
a) CSB cu două joncţiuni p-n
b) CSB cu o joncţiune p-n şi o joncţiune homopolară n-n+ sau p-p+
c) CSB cu o singură joncţiune p-n.
Toate CSB de tipul a) sunt elaborate în baza siliciului. După cum se vede din Figura 1.5,
ele sunt compuse din două joncţiuni şi reprezintă structura unui tranzistor. O creştere rapidă a
eficienţei CSB cu două joncţiuni p-n a început la sfârşitul anilor 70. În 1977 ea ajunge până la
7% [58], iar peste 3 ani până la 12,7% pentru o celulă cu suprafaţa de 4cm2 [59]. Perfecţionarea
constructivă a CSB de tipul a) a permis obţinerea în anul 2000 eficienţa de 21,3% în cazul
iluminării frontale şi 19,8% pentru iluminarea din spate [60]. Structura de tranzistor cu două
joncţiuni opuse una alteia şi trei terminale crează probleme în colectarea curentului, generat de
ambele joncţiuni, dar în acelaşi timp permite lărgirea posibilităţilor funcţionale a acestui
dispozitiv.
Prima CSB de tipul b) din Si a fost elaborată în 1970 în Rusia, la Institutul VNIIT din
Moscova, principiul ei de funcţionare a fost analizat în [61]. Joncţiunea frontală a fost formată
prin difuzia B, joncţiunea n-n+ din spate - prin difuzia P. Perfecţionarea acestor CSB cu
suprafaţa activă de 5cm2 a permis obţinerea în anul 1981 eficienţele maximale de 15,7% şi
34
13,6% respectiv pentru joncţiunile frontale şi din spate, structura lor este prezentată în Figura 1.6
[62]. Pentru o serie de 200 exemplare eficienţele medii respective sunt egale cu 13,4% şi 10,7%.
Fig.1.6. Structura CSB de tipul b) cu regiunea BSF la contactul din spate [96].
Texturizarea suprafeţei acestor celulelor de acest tip (Figura 1.7) şi optimizarea joncţiunii
dln spate a permis majorarea eficienţei până la 19,1% în cazul iluminîrii frontale şi 18,1% pentru
iluminarea din spate [63].
Fig.1.7. Celula solară bifacială texturizată.
Utilizarea metodei de tipar prin trafaret pentru fabricarea contactelor şi în acelaşi timp
pentru formarea jocţiunii frontale şi a regiunii BSF a permis autorilor lucrării [64] să elaboreze o
tehnologie de fabricare a CSB mai apropiată de cea industrială (Figura 1.8).
Un nou sistem de colectare al curentului, format din straturi ITO, depuse pe o celulă,
bifacială de siliciu, şi contacte exterioare alcătuite din bare metalice şi o grilă de sârmă de cupru,
unite prin laminare cu stratul de oxid, a fost elaborat de autorii lucrării [65]. Eficienţa acestor
CSB atinge 17,7% cu coeficientul de bifacialitate 74-82%. CSB fabricate în baza plachetelor
pSi cu dimensiunile 12,512,5cm2 cu emiterul format prin difuzia fosforului şi regiunea BSF -
prin difuzia borului, cu eficienţele de 15% şi 10,5% respectiv pentru iluminarea frontală şi din
spate, au fost elaborate de catre firma Hitachi [58].
35
Fig.1.8. Celula solară bifacială cu dopare prin metoda de tipar prin trafaret.
CSB de tipul c) pot fi fabricate în cazul când lungimea de difuzie a purtatorilor de sarcină
este mai mare decât grosimea plachetei de siliciu, iar suprafaţa frontală este bine pasivată. O
astfel de CSB a fost elaborată în 1977 [58], structura ei este reprezentată în Figura 1.9. Contactul
metalic compact din spate este înlocuit prin grila de contact. Suprafeţele frontală şi din spate
sunt pasivate cu SnO2.
Fig.1.9. Construcţia CSB de tipul c).
Eficienţa la iluminare din spate alcătueşte 63% în comparaţie cu iluminarea frontală.

Înlocuind SnO2 prin Si3N4 şi folosind în calitate de joncţiune frontală o structură de tipul MIS, au
fost obţinute eficienţele de 15% şi 13,2% respectiv pentru iluminarea frontală şi din spate. Cu 10
ani mai târziu eficienţele s-au majorat până la 20,1% şi 17.2% în cazul când structura frontală
MIS a fost înlocuită printr-o joncţiune p-n, obţinută prin difuzie (Figura 1.10) [66].
Fig.1.10. Celula solară bifacială texturizată de tipul c).
36
Din această scurtă trecere în revistă se vede, că utilizarea CSB permite o majorare
esenţială a energiei , obţinute prin conversiunea radiaţiei solare, iar cercetarea şi dezvoltarea lor
prezintă un mare interes pentru ştiinţă şi tehnică.
Au fost elaborate şi cercetate multe variante şi modificaţii a CSB, dar rezultatetele cele
mai impunătoare au fost obţinute în cazul dispozitivelor de tipul b) în conformitate cu clasificaţia
propusă în [67]. În procesul de fabricare a acestor CSB sunt prezente procesele de difuzie pentru
obţinerea jonctiunii frontale şi a regiunii BSF la contactul din spate. Când ambele procese au loc
simultan este necesar de a proteja suprafeţele celulei de impurităţile nedorite, fiindcă pentru a
forma prin difuzie joncţiunea frontală şi regiunea BSF se folosesc impurităţile, care acţionează în
mod opus asupra proprietăţilor Si. Trebuie de menţionat, că în majoritatea absolută a lucrărilor,
suprafaţa activă a CSB, cu excepţia [58], nu depăşeşte câţiva cm2.
1.7. Celule solare cu heterojoncţiuni şi straturi subţiri amorfe şi microcristaline de siliciu

După cum am menţionat mai sus, una din principalele probleme ale fotovoltaicii este
reducerea costului energiei electrice, generate de celulele fotovoltaice. Acest obiectiv poate fi
realizat prin simplificarea tehnologiei de producere, despre care s-a vorbit în paragraful 1.5,
precum şi prin diminuarea cantităţii materialelor semiconductoare, necesare, adică trecerea la
CS în straturi subţiri. În acest caz pot fi utilizate diferite materiale, ca CdTe, CuInSe2 ş.a, dar
materialul de bază până ce rămîne siliciul, mai ales siliciul amorf. Cercetările în acest domeniu s-
au dezvoltat foarte repede după elaborarea în 1969 a metodei de obţinere a siliciului amorf
hidrogenizat, αSi:H. În 1976 a fost obţinută joncţiunea p-n în αSi:H, citiva ani mai tirziu au fost
otinute si primele CS cu eficienta de 2,4%, estimind ca valorile maximale pentru aceste structuri
pot fi atinse de 14-15% [68].
Fabricarea CS din Si amorf are multe avantaje în comparaţie cu CS din Si cristalin ori
policristalin:
1. Procesul de depunere a straturilor αSi:H necesită numai silanul, obţinut direct din
materia primă, răspândită foarte larg în lume, fără a obţine Si cristalin ori în formă de
pulbere.
2. Hidrogenul prezent in timpul depunerii compensează legăturile Si-Si rupte, care sunt
cauza concentraţiei mari a defectelor în cazul obţinerii straturilor αSi:H prin alte metode.
3. Straturile αSi:H sunt foarte subţiri de ordinea 1µm în comparaţie cu plachetele de Si
cristalin de 250-350µm, deaceia se cheltueşte mult mai puţin material semiconductor,
respectiv greutatea lor este foarte mică.
37
4. Fiind formate din materiale semiconductoare cu tranziţii optice directe, straturile αSi:H
posedă un coeficient de absorbţie a radiaţiei solare cu mult mai mare decât Si cristalin.
5. Banda energetică de 1,7eV permite absorbţia unui spectru mai larg din regiunea undelor
scurte.
6. Straturile αSi:H pot fi obţinute pe diferite suporturi, inclusiv cele flexibile, temperatura de
depunere este joasă.
În acelaşi timp CS în baza Straturilor αSi:H au un mare neajuns, care constă în
degradarea lor în primele câteva sute de ore de funcţionare. Această degradare este condiţionată
de efectul Stabler-Wronski [69], care constă în reacţii fotochimice în materialul αSi:H, cu
legăturile Si-Si rupte, compensate cu atomii de hidrogen. În urma acestor reacţii creşte
concentraţia legăturilor rupte, densitatea defectelor se măreşte, nivelul Fermi se deplasează spre
mijlocul benzii interzise, prin urmare se micşorează bariera de potenţial.
Una din posibilităţile de a depăşi problema degradării CS în baza Si amorf este
combinarea straturilor amorfe cu straturi de Si microcristalin. Astfel de CS au primit denumirea
de “micromorfe” şi constau dintr-un sistem tandem cu celula din c în partea de sus şi o celulă din
µc-Si:H în partea din jos. Valorile benzilor energetice interzise egale cu 1,7eV pentru siliciul
amorf şi 1,1eV pentru siliciul microcristalin asigură o pereche ideală din punkt de vedere teoretic
pentru CS tandem. CS micromorfe sunt şi foarte promiţătoare din punct de vedere al costului.
Principala metodă de obţinere a straturilor de Si pentru fabricarea CS micromorfe este PECVD,
depunerea din vapori asistată de plasmă. În anii 90 a secolului trecut industria a elaborat instalaţii
cu reactoare, care permit depunerea straturilor atât amorfe, cât şi microcristaline de Si prin
metoda PECVD pe suprafeţe majorate şi acest fapt a devenit o forţă motrice în dezvoltarea
producerii celulelor micromorfe [70].
În majoritatea CS micromorfe straturile ZnO, depuse prin metoda LPCVD sunt utilizate
în calitate de strat frontal şi strat reflectant. După cum a fost menţionat în punctul 1.4.2 aceste
straturi se obţin cu suprafaţa texturizată, ce permite majorarea absorbţiei radiaţiei solare şi, prin
urmare, micşorarea grosimii straturilor absorbante. Eficienţa CS micromorfe depăşeşte 10% [70].
Majorarea eficienţei până la 12,2% (Vcd=1,4V, FF=71,9%, Isc=12,1mA/cm2) a fost obţinută în
cazul când stratul intermediar reflectant este format în baza oxidului de siliciu [71]. Acest strat
este introdus între celula de jos şi cea de sus pentru a majora curentul celei din urmă, care
limitează curentul întregii celule tandem. Indicele de refracţie a stratului intermediar, pentru a
asigura reflecţia luminii dela interfaţă, trebuie să fie mai mic, decât a siliciului. În acelaşi timp
stratul intermediar trebuie să fie conductiv, pentru a nu bloca curentul celulei şi transparent
pentru lumina activă a celulei de jos. În [71] s-a demonstrat, că stratul intermediar în baza SiO2
38
este mai efectiv decât în baza ZnO. În [72] a fost comunicat despre obţinerea CS în baza αSi:H
cu eficienţa de ordinul 10% şi a panourilor solare respective cu randamentul 8,8% şi suprafaţa de
1,4m2. Se duc cercetări de elaborare a modulelor similare în baza celulelor micromorfe.
Rezultate mai relevante au fost obţinute în Japonia. La firma Mitsubishi au fost elaborate
module cu suprafaţa 5742cm2 în baza CS tandem αSi:H/µc-Si:H, având eficienţa de 12,9%, se
prevede fabricarea modulelor de 1,41,1m2 cu puterea de 150W. O eficienţă preliminară de
14,1% demonstrează CS în baza structurilor αSi:H/Si policristalin. Au fost elaborate celule de 2
tipuri (Figura 1.11.) cu strat transparent intermediar şi o serie-pilot de 266 module cu eficienţa
medie de 11,2% [73]. Şi în Germania se duc lucrări de elaborare a modulelor solare cu suprafaţa
de 1m2 pe substraturi de sticlă acoperite cu ZnO în baza straturilor de Si amorfe şi
microcristaline cu utilizarea unei singure platforme de echipament. Pentru realizarea acestui
program deja au fost obţinute CS din αSi:H cu eficienţa stabilizată de 11,2% şi CS din µc-Si:H
cu eficienţa de 7,2% [74].
Fig.1.11. CS în baza structurilor αSi:H/Si policristalin.
Din cele prezentate mai sus putem face concluzia, că CS micromorfe au o perspectivă de
utilizare largă fiindcă ele întrunesc avantajele siliciului amorf cu stabilitatea şi sensibilitatea in
regiunea undelor lungi a siliciului microcristalin. Dar proprietăţile Si microcristalin depind în
mare măsură de condiţiile de depunere şi din aceste considerente , mai ales pentru a începe o
producţie industrială, mai sunt necesare investigaţii suplimentare
1.8. Concluzii la capitolul 1

Reeşind din cele expuse în acest capitol putem face următoarele concluzii:
39
1. Pentru conversiunea fotovoltaică a energiei solare cele mai solicitate în prezent şi viitorul
apropiat sunt celulele şi panourile solare în baza siliciului.
2. Problema principală care limitează folosirea largă a celulelor solare în condiţii terestre este
diminuarea costului energiei electrice, generate în urma conversiunii fotovoltaice.
3. Această problemă poate fi rezolvată prin elaborarea unor tehnologii noi mai simple şi mai
puţin costisitoare de fabricare a celulelor solare şi micşorarea cantităţii materialelor
semiconductoare necesare.
4. Înlocuirea joncţiunii p-n în celulele solare prin structura semiconductor-izolator-
semiconductor, obţinută prin pulverizare pirolitică, permite simplificarea procesului de
fabricare a celulelor şi ieftinirea lui în urma diminuării cantităţii energiei electrice, cheltuite.
5. În calitate de strat frontal în structura semiconductor-izolator-semiconductor, fabricate în
baza siliciului, cele mai potrivite sunt straturile ITO.
6. Costul CS în baza siliciului poate fi redus micşorând cantitatea materialului absorbant prin
elaborarea dispozitivelor în straturi subţiri amorfe şi microcristaline.
7. Celulele solare micromorfe au o perspectivă de utilizare largă fiindcă ele întrunesc avantajele
siliciului amorf cu stabilitatea şi sensibilitatea in regiunea undelor lungi a siliciului
microcristalin.
40
2. CARACTERIZAREA DISPOZITIVELOR SOLARE.
În comunitatea ştiinţifică sunt specificate diverse metode de caracterizare a

performantelor celulelor şi modulelor fotovoltaice [75]. Un parametru important pentru
clasificare panourilor şi sistemelor fotovoltaice este picul de putere (randamentul) în condiţii
standard, aceasta din cauza ca consumatorii procura panourile solare cu preţul calculat in baza
costului de putere. Exista şi alţi indicatori care califica performantele, ca de exemplu estetica
panoului, care devine importanta în asamblarea dispozitivelor în cazul când merge vorba de
clădiri moderne. Un parametru fundamental este şi degradarea, multe panouri sunt operative în
limitele eficienţii stabilite pentru o perioada de 20 sau 30 de ani. Parametrii panourilor mai sunt
influenţate de condiţiile atmosferice, de temperatura şi de lumina difuza. Este important ca
procedurile de măsurare a dispozitivelor sa fie de o viteza înaltă şi nu mai puţin important este
factorul de reproductibilitate a măsurărilor [76].
În cazul nostru structurile solare obţinute pe perioada efectuării lucrării au fost supuse
următoarelor caracterizări:
 Măsurarea caracteristicii curent-tensiune în condiţii de întuneric si la iluminarea AM1,5.
 Măsurarea distribuţiei spectrale si a eficienţii cuantice interne.
Totuşi, înainte de a obţine o celulă solară au fost caracterizate componentele principale
din care erau compuse structurile noastre. În fond, totul s-a bazat pe tehnologia standartă de
caracterizare a straturilor subţiri, folosită în mare parte în toate centrele internaţionale de
fotovoltaică, şi anume:
 Măsurarea grosimilor straturilor subţiri şi determinarea vitezelor de creştere;
 Măsurarea conductibilităţii electrice şi fotoelectrice;
 Măsurarea transparenţei şi reflexiei şi determinarea energiei Eg a materialelor;
 Spectrometria Raman utilizată pentru determinarea structurii materialelor.
Toate aceste măsurări, în mare parte, au fost efectuate în Centrul de Cercetare ENEA (Agenzia
nazionale per le nuove tecnologie, l’energia e lo sviluppo economico sostenibile), din Italia.
În acest capitol este descrisă asamblarea instalaţiei în varianta verticală de depunere a
straturilor subţiri din semiconductori oxizi prin metoda pulverizării soluţiilor chimice pe
plachetele de siliciu cu suprafaţa maximală de 81cm2, instalaţia de obţinere a structurilor tandem
în baza joncţiunilor p-i-n amorfe şi microcristaline, folosind metoda PECVD şi sunt descrise
instalaţiile ce au fost folosite pentru efectuarea măsurărilor necesare şi pentru determinarea
parametrilor ce caracterizează celulele solare.
41
2.1. Instalaţia de depunere a straturilor subţiri pe plachetele de siliciu cu diametrul de
100mm
Imaginea reală şi schematică a instalaţiei de depunere a straturilor subţiri este prezentată
în Figura 2.1 Componentele principale a instalaţiei sunt: sistemul de pulverizare (12), cuptorul
electric (2), camera suportului (4), sistemul de introducere a suportului în cuptor şi rotire a
acestuia (7) şi sistemul de comandă şi control (1).
Sistemul de pulverizare, imaginea căruia este prezentată în Figura 2.2, constructiv conţine
un vas (1) cu soluţia chimică pentru pulverizare care se termină cu un injector pentru lichid (2).
Diametrul orificiului acestui injector poate fi variat prin înlocuirea injectorului prezent cu un
altul. Prin aceasta poate fi dirijată mărimea picăturilor de lichid dispersat. Procesul de
pulverizare se începe la crearea curentului de gaz comprimat (O2, N, Ar, aer) care învăluie
injectorul pentru lichid. Această trecere a gazului comprimat cu îvăluirea injectorului pentru
lichid este posibilă prin utilizarea injectorului pentru gazul comprimat (3). Mărimea fluxului
lichid dispersat, forma acestuia şi mărimea picăturilor de lichid în flux pot fi dirijate prin
selectarea injectoarelor (2), (3) şi prin variaţia presiunii gazului comprimat. Utilizarea diferitelor
gaze comprimate duce la posibilitatea creării în reactor în zona depunerii straturilor subţiri a
atmosferei oxidabile sau inoxidabile. Din cauza utilizării gazului comprimat, viteza fluxului
lichid este majorat, fapt ce poate crea dificultăţi în momentul procesului de depunere a straturilor
subţiri. Suportul şi substratul situat pe suport ocupă majoritatea spaţiului secţiunii transversale a
cuptorului electric. Din această cauză trecerea fluxului lichid dispersat poate întâlni o rezistenţă
indezirabilă.
Din Figura 2.1 observăm că pentru pulverizarea soluţiilor chimice pulverizatorul (12) se
fixează pe stativul (14) într-aşa poziţie ca axa pulverizatorului să coincidă cu axa cuptorului
electric. Soluţia chimică lichidă se toarnă dozat în pâlnia (13). Pentru a elimina posibilitatea
căderii unei picături întâmplătoare de soluţie chimică în interiorul cuptorului electric este
prevăzut ecranul (11) care cu mânerul (17) la începutul procesului de pulverizare este deplasat în
direcţie orizontală cu scopul deschiderii interiorului cuptorului electric pentru fluxul soluţiei
chimice dispersate. Gazul comprimat, de exemplu oxigenul, de la o butelie cu oxigen ajunge
până la injectorul de gaze prin furtunul (16). Presiunea gazului comprimat se variază cu ajutorul
unui reductor de gaze şi se controlează cu un manometru. Suspendarea fluxului de gaz
comprimat se realizează cu ajutorul unui robinet.
Cuptorul electric este destinat pentru obţinerea regimului termic în procesul de
pulverizare. Cuptorul electric este fabricat prin înfăşurarea firului de nicrom cu diametrul 2,0mm
pe un tub de cuarţ de diametrul 133mm. Pasul înfăşurării este variabil, fiind minim la mijlocul
42
cuptorului şi maxim la capetele acestuia. Firul electric înfăşurat pe tubul de cuarţ este acoperit cu
un strat de grosimea cca 5-10mm dintr-un material rezistent la ardere. Elementul cuptorului
descris se instalează într-un tub de diametru 200mm din material izolator electric şi termic.
Fixarea elementului în acest tub se efectuează cu ajutorul capacelor. Pentru a proteja suprafaţa
inferioară a cuptorului electric de depunerea materialului pulverizat este prevăzut reactorul.
Reactorul este fabricat dintr-un tub de cuarţ, diametrul exterior al căruia este cu câteva zecimi de
milimetri mai mic decât diametrul inferior al cuptorului electric. Puterea cuptorului electric
fabricat este de cca 1kW, permite obţinerea în reactor a temperaturii constante 450°C, 500°C,
550°C, 600°C într-un interval de 40-60mm. Cu scopul obţinerii în interiorul cuptorului a unei
temperaturi constante, care să se susţină automat a fost utilizat sistemul de alimentare cu curent
electric şi de reglare cu înaltă precizie a temperaturii (0,5 grade) BРT-2.
Fig.2.1. Imaginea reala (a) şi schematică (b) a instalaţiei pentru depunerea straturilor subţiri ITO.
1 – sistem de alimentare; 2 – cuptor electric; 3 – substrat; 4 – poziţia de încărcare a
substratului; 5 – termocuplu; 6 – suport rotativ; 7 – mecanism de rotire şi deplasare; 8 – capac;
9 – sistem de evacuare; 10 – poziţia suportului de depunere; 11 – ecran; 12 – pulverizator; 13 –
pilnie; 14 – stativ; 15 – miner; 16 – injector de gaze prin furtun; 17 – miner.
Sub termenul suport se subînţelege sistemul de fixare a plachetei-substrat pe care va fi

obţinut stratul subţire de semiconductori oxizi, de introducere a suportului cu placheta-substrat
fixată în interiorul cuptorului electric în regiunea cu temperatura necesară pentru obţinerea
stratului subţire şi de rotire a suportului cu placheta substrat fixată şi deplasată în interiorul
cuptorului. În Figura 2.1 este demonstrată camera suportului, care izolează suportul de sistemul
de introducere în cuptor şi de rotire a acestuia. În Figura 2.1 observăm suportul (6) pe suprafaţa
superioară a căruia se situează placheta-substrat. Placheta în această poziţie este fixată din cauza
43
existenţei pe marginea suportului a peretelui puţin mai ridicat decât planul pe care este situată
placheta-suport. Observăm în corpul suportului şi adâncitura (4). În total aceste adâncituri sunt
patru, aşezate în cruce şi destinate pentru folosirea pensetei la schimbarea plachetelor. Intrarea în
spaţiul cuptorului electric este situată în partea de sus. Suportul (6) în momentul depunerii
stratului subţire pe placheta substrat se introduce în interiorul cuptorului. Evacuarea produselor
reacţiilor se efectuează folosind ieşirea (9). Evident că în momentul depunerii pe placheta-
substrat a stratului subţire capacul camerei este închis. Introducerea suportului în interiorul
cuptorului se efectuează prin intermediul unui sistem. In Figura 2.1 sunt demonstrate doua poziţii
a suportului, când suportul e situat în interiorul cuptorului la o distanţă minimă de la sistemul de
pulverizare si poziţia cind suportul este in afara cuptorului electric. Rotirea suportului se începe
la cuplarea unui motor electric prin-un întrerupător situat pe panoul sistemului de comandă şi
control. Pe acest panou sunt situate şi indicatoarele luminescente care indică poziţia suportului în
interiorul cuptorului sau în camera suportului. În poziţia cind suportul este in afara cuptorului,
rotirea suportului se stopează automat.
Fig.2.2. Imaginea schematică şi reală a sistemului de pulverizare

1 - vas cu soluţia chimică pentru pulverizare; 2 - injector pentru lichid; 3 - injectorului pentru
gazul comprimat.
2.2. Descrierea instalaţiei de depunere a structurilor microamorfe.

În Figura 2.3 este prezentată imaginea reală şi schematică a instalaţiei MVSystems Inc.,
fabricată de Golden (Colorado), USA, pentru depunerea straturilor subţiri prin metoda
PECVD/sputtering. Este o instalaţie compusa din 5 camere de vid înalt MPZ’s (modular process
zones), folosite pentru depunerea straturilor subţiri şi o camera pentru încărcarea substratelor LL
(load lock) aşezate în jurul unei camere centrale ITZ (isolation and transfer zone) care este dotată
cu un braţ robotizat folosit pentru transportarea mostrelor dintr-o camera în alta. Toţi parametrii
instalaţiei sunt controlaţi şi comandaţi de un controlor programabil PLC (Programmable Logical
Controller) interfaciat cu un elaborator electronic care da posibilitatea de a opera cu instalaţia
atît în regim manual cît şi cel automatic.
44
Componentele principale ale instalaţiei MVSystems Inc sunt:
 Camerele de depunere (PL3, PL4, PL5, PL6 si PL7).
 Camera centrală cu braţul robotizat
 Camera de încărcare Load Lock (LL)
 Generator RF de 13.56MHz şi generator RF de frecvenţă variabilă
 Pompele rotative şi pompele turbomoleculare
 Linii de gaz şi camera de gaz
 Sistema de electrovalvole
 Controlor programabil PLC şi Scrubber
 Reţea de racire
 Programa (softul) de conducere automatică de la PC.
a) b)
Fig.2.3. Imaginea reală (a) şi schematică (b) a instalaţiei MVSystems Inc.
Camerele de depunere: Camerele instalaţiei sunt plasate în următoarea ordine iar

funcţionarea lor se reduce la următorul:
 PL3: creşterea straturilor dopate n şi p prin metoda PECVD
 PL4: creşterea straturilor intrinseci i prin metoda depunerea chimica în faza de vapori
asistată de plasma la frecvenţa foarte înalta (VHF-PECVD)
 PL5: depunerea straturilor de siliciu prin metoda Hot Wire
 PL6: depunerea straturilor prin sputtering
 PL7: efectuarea tratamentelor termice
45
În procesul de lucru au fost utilizate camerele PL3 si PL4, pentru depunerea siliciului dopat n, p
şi intrinsec i, care au un aspect cubic. În interiorul camerelor este prezent un electrod de tip
POR3002, legat la generator RF, de dimensiunea 13cm13cm, plasat pe învelis protector de tip
POR3001 deasupra căruia sunt montate plăcile pentru menţinerea în poziţie orizontala a ramei
metalice cu substratul pe care are loc depunerea materialului. Recomandarea producătorului
pentru distanţa dintre electrod şi substrat la depunerea siliciului amorf, trebuie sa fie între 10-
50mm, iar substratul care este paralel electrodului poate avea o abatere maximala de 0.3mm.
Experienţa a arătat ca calitatea bună a siliciului amorf şi microcristalin, care se caracterizează
printr-o uniformitate constantă, se obţine la distanta catod-anod de 15mm. Pentru camera PL3 se
foloseşte un generator de frecvenţă fixă de 13,56MHz controlat în mod automat, iar pentru
camera PL4 un generator de frecvenţă variabilă acţionat manual. Depunerea straturilor intrinseci
în cazul nostru avea loc la 100MHz. Camerele sunt prevăzute cu pistoane electrice, unite la linia
de gaz, comandate de un controlor PLC. O conducta unita cu pompele de vid permit de a înlătura
(a scoate în afara) gazul şi a obţine un vid în interiorul camerei de ordinul 110-7Torr. În partea
superioara a camerelor sunt orizontal poziţionate sobele termice care se accesează în mod
manual. Termocuplurile cu indicatoare electronice, plasate în panoul de control, permite
controlarea temperaturii din reactor. Valorile temperaturilor setate pot varia de la temperatura
camerei pîna la 800°C. Camerele sunt legate de o cameră centrală ITZ, fiind separate prin
pistoane electromecanice, care sunt aduse în funcţie în mod atît manual cît şi automat. Vidul din
camere poate fi controlat cu citirea presiunii analizată printr-un senzor de presiune “ion guage”.
Camera centrala ITZ şi braţul robotic: Camera centrala ITZ conţine un braţ robotic care
permite mişcarea mostrei în interiorul instalaţiei. Cele şase pistoane legate la ITZ, dintre care 5
permit accesul la camerele de depunere iar una la camera LL, pot fi comandate atît în mod
automat cît si manual. La fel cum toate camerele de depunere şi ITZ se află în vid înalt (~10-
5
Torr) şi e conectata atît la o pompă rotativă cît şi la una turbomoleculara. Braţul robotic
functioneaza în regim “apucă şi inserează” (pick an place), este destinat specific pentru
funcţionare în vid înalt şi conţine o garnitură rotativă şi fluid magnetică, care este suportată de o
alarmă în procesul inserării sau scoaterii mostrei, ţinînd cont pe parcursul îndeplinirii sarcinii de
parametrii de rotare, înalţime şi viteza. Braţul este confecţionat din metal uşor şi are un unghi de
rotare de 360°. Camera ITZ nu are în dotare o sobă şi este menţinuta la temperatura camerei.
Camera de încărcare LL: Camera de încărcare LL (Figura 3.1.2) serveşte pentru înserirea
şi extragerea mostrelor în/din instalaţie. Camera este prevăzută cu o uşa de sticlă şi cu un cuplu
de platforme pentru montarea mostrei. O pompa rotativă permite de a obţine un vid preventiv de
ordinul 10-3Torr înaintea deschiderii pistonului legata cu ITZ, pentru evitarea introducerii
46
impurităţilor şi reducerea diferenţii de presiune. Camera LL este dotată şi cu o sistemă de
ventilare care permite de a trece la presiunea atmosferică cînd se recuperează mostra.
Pompele rotative şi turbomoleculare: Orice camera, incluzând ITZ şi LL, este conlegata
la o pompă rotativă, plasate într-o regiune separată a instalaţiei. Pompele rotative de tipul
Leybold D-16B permit de a obţine un vid iniţial de ordinul 10-4Torr, care nu este suficient pentru
depunerea PECVD. Astfel fiecare cameră în parte mai vine legata la o pompa turbomoleculara
care permite de a obţine un vid de circa 110-7Torr. Pompele turbomoleculare montate la
instalaţie sunt de tipul Varian Turbo-V250 produse la Torino, Italia. Doar camera PL4 este
dotata cu o pompă turbomoleculară de modelul Varian Turbo-V550.
Liniile de gaz, camera de gaz şi sistema de electrovalvole: Liniile de gaz sunt plasate în
externul laboratorului, unde sunt adăpostite buteliile de gaz care este transportat printr-o
conducta directa într-o camera în interiorul laboratorului. În exterior scurgerile gazului sunt
controlate de senzori, dotaţi cu alarmă, conectate la un regulator de apreciere “mass flow
controller” gestionat de sistema de control. Camera de gaz din interiorul laboratorului este dotată
cu o sistemă de ventilare. Liniile ce duc gazul către instalaţie sunt conectate direct la sistema de
electrovalvole. Orice linie de gaz este dotată cu o valvola electromecanică care este blocată în
stare de repaus a instalaţiei. Valvola poate fi operata prin sistema operativă automată ori manual
de pe panelul de electrovalvole. Orice cameră, la intrare, este dotată de o valvolă pneumatică
care la rândul său tot este controlată de sistema operativă.
Controlor programabil PLC şi Scrubber: Toate dispozitivele instalaţiei (pompele,
valvolele, generatorul, etc.) sunt controlate de un controlor programabil PLC care comunică prin
sistema de operare cu calculatorul.
Scrubberul este legat cu o conductă la ieşirea pompelor rotative produse la reacţie şi
gazul care e în exces care nu pot fi emişi în atmosfera sunt filtrate de acest dispozitiv şi apoi vin
distribuiţi în atmosferă.
Programul conducere automatică de la PC: Aproape toate dispozitivele prezente în
sistemă sunt comandate de controlor conectat la interfaţa de comunicare şi la un PC. Softul de
controlare, creat de MVSystem, permite de a utiliza instalaţia în maniera complet automatică,
programînd-o să execute diverse pasuri de depunere. În cazul nostru se utiliza modul
semiautomatic de depunere, adică: controlul era efectuat de sistema însă diverşi paşi de realizare
se implementau în mod manual (mutarea probei, deschiderea valvolelor de la camere, conectarea
generatorului, includerea parametrilor de depunere, etc.). În cazul depunerii siliciului intrinsec în
camera PL4 procesul se efectua completament manual.
47
2.3. Descrierea măsurării R-T
Instalaţia utilizată pentru măsurarea spectrelor de transparentă şi reflectantă este un
spectrofotometru comercial Perkin Elmer model Lambda 900, cu două raze şi două
monocromatoare cu o optică a instrumentului care permite de a efectua măsurări în un interval de
lungimi de undă începând cu ultraviolet (UV) şi până la vecinătatea infraroşie (NIR),
λ=(180÷3200)nm. Spectrofotometrul cu cerinţe particulare la condiţiile climatice este prevăzut
pentru funcţionare într-un mediu cu temperatura cuprinsă între 15 şi 35 grade şi umiditatea între
20 şi 80%. Precizia lungimii de undă este de ±0.080nm în UV-Vizibil (VIS) şi ±0.300nm în NIR.
Rezoluţia spectrala e de 0.05-5.00nm, pasul 0.01nm, şi 0.20-20.00nm cu pasul 0.04nm respectiv
în UV-VIS şi NIR. Structura spectrofotometrului este caracterizată de o sistemă optică cu două
monocromatoare şi în fiecare monocromator sunt utilizaţi reticoli olografice, atât pentru
lungimile de undă UV- VIS cît şi pentru NIR.
Sistema optică a spectrofotometrului este demonstrată în Figura 2.4. Pentru a acoperi
intervalul corespunzător de lungimi de undă sunt folosite două surse de radiaţie, una este o lampă
de Deuteriu (DL) pentru regiunea UV şi alta Halogenica (HL) pentru VIS-NIR. Principiul de
funcţionare a spectrofotometrului este următorul:
Fig.2.4. Sistema optică a spectrofotometrului Perkin Elmer model Lambda 900.
Pentru măsurarile în intervalul NIR/VIS oglinda M1 reflectă radiaţia care provine de la lampa
HL către oglinda M2, în acelasi timp blocînd radiatia ce provine de la lampa de DL. Pentru
masurile în intervalul lungimilor de unda UV, oglinda sursa M1 este înalţată (ridicată) permiţând
radiaţiei ce provine de la lampa de DL să lovească oglinda M2. Schimbarea sursei este
automatică la lungimea de undă de 320nm. Radiaţia care provine de la una din două lampe este
reflectată de oglinda M2 către oglinda M3 apoi către oglinda M4 preventiv fiind filtrată de un
48
filtru optic (FW) care este condus de un motor “pas cu pas” şi sincronizat cu monocromatoarele.
De la oglinda M4 radiatia traversind şliţul SA este colimată catre oglinda M5 si reflectata catre
reticolul G1 a monocromatorului I. In functie de lungimea de unda radiatia loveste reticolul
pentru UV/VIS sau reticolul pentru NIR, schimbarea carora este sincronizzata in mod automat.
Radiatia ce afecteaza reticolul produce un spectru. Rotarea reticolului selectioneaza un segment
din spectru reflectindul catre oglinda M5 si de la acesta catre şliţul de esire. Şliţul de esire are ca
scop de a restringe si mai mult segmentul spectrului. Şliţul se schimba automat pe parcursul
rotarii monocromatorului. Şliţul de esire de la monocromatorul 1 este acelasi de intrare pentru
monocromatorul 2. Radiatia este reflectata prin oglinda M6 catre reticolul G2, si dupa, prin
oglinda M6 si şliţul de esire al monocromatorului 2 ajunge la oglinda M7. Rotarea lui G2 este
sincronizzata cu G1. Radiatia formata de la şliţul de esire este caracterizata de o rezolutie
spectrala inalta si de o tulburare foarte mica.
In intervalul UV/VIS si NIR se poate de ales intre un şliţ de largime fixata, un servoşliţ si
un şliţ programat. Cind servoşliţul este selectionat, largimea şliţului se schimba automat pe
parcursul achizitiei cu scopul de mentinere energia detectorului constanta.
De la oglinda M7 fascicolul este reflex, printr-o oglinda M8, catre un separator de
fascicol chopper (C). C format de un segment de oglinzi, un segment de fereastra iar altele doua
segmente intunecate, rotinduse face ca radiatia sa cada pe diverse segmente. Cind radiatia
intilneste segmentul de fereastra, trece spre oglinda M10 si creaza un fascicol de referiment (R,
reference beam). Cind, in schimb, fascicolul intilneste segmentul cu oglinda este reflectat spre
oglinda M9 si creaza fascicolul principal (S, sample beam). In acest mod masurarea poate fi
efectuata prin confruntarea intre fascicolul de masura care cade pe proba si acela de referiment.
Cind segmentul intunecat este in drumul fascicolului, nici un semnal nu ajunge la detector,
permitind detectorului sa creeze un semnal intunecat (dark signal), adica un semnal nul.
Inaltimea fascicolului este de 10mm, largimea depinde de la deschiderea şliţului: cu o deschidere
de 5mm se obtine o largimea de 4,5mm.
Compartimentul detectorului este format de o sfera de integrare, schema optica a caruia
este presentata in Figura 2.5. Sfera cu diametrul de 57mm este acoperita integral de un difuzor
perfect de sulfat di bariu (BaSO4), este dotat de un fotomultiplicator si un detector de PbS si,
astfel, poseda aceeasi extensie spectrala ca si a instrumentului. Schimbul detectorului este
efectuat in mod automat pe parcursul scanarii la 860nm.
Utilizarea acestui accesoriu este fundamentala pentru a efectua masurile de transparenta
pe probele care imprastie lumina incidenta. De fapt sistema care este descrisa permite de
dezvalui doar partea radiatiei transmisa care cade sub un unghi solid mic: aceasta usa, la
49
masurarea acestor probe, are o pierdere a radiatiei difuza si o sopravalutare al absorbimentului.
Sfera de integrare permite de a obtine si spectrele de reflectanta, atit specular cit si defuz, care
sunt fondamentale pentru studiul caracteristicilor optice a profilo examinate. Indepartarea a unei
parti minime de la propria sfera, indicata cu 11 in Figura 2.5, permite de fapt excluderea unei
parti a radiatiei reflectata si transmisa in mod specular, permitind astfel de a diferentia toate
evaluarile necesare.
Fig.2.5. Schema sferiei integrale de 60mm a spectrofotometrului Perkin Elmer model Lambda
900.
Cum se observa din Figura 2.5, fascicolul de referiment, generat prin pozitia R, este
reflectat prin oglinzile S15, E16, E17 in pozitia 10, unde intra, printr-o fereastra, in sfera,
constituind semnalul de referiment. Fascicolul generat in S, in schimb, intra in sfera printr-o
deschizatura in pozitia 9 dupa ce este reflexa de oglinda S15’ catre E16’. Masurarea
transparentei, pentru probele care imprastie lumina incidenta, sunt efectuate introducind aceleasi,
nu mai mult in pozitia S ci in pozitia 9 si introducind pozitia 7,8,11 a difuzorilor ideali ai
radiatiei care imprastie ultima in toate directiile.. In acest mod, radiatia transmisa subto unghiul
soli deste racoltata de sfera si evidenziata. Se permite oricum distinge cita parte de lumina totala
evidenziata este transmisa sub un unghi solid diferit de cela directionat normal catre proba, care
o are radiatia incidenta. Aceasta poate fi efectuat, punind in schimbul unui difuzor ideal, o
oglinda plana in pozitia 7, progectata in asa mod, incit componenta radiatiei, transmisa
perpendicular in directia probei, formind un unghi de 8o cu axa normala a oglinzii. Inclinarea
este determinata in mod ca componenta normala luminii transmisa vine reflectata de la oglinda
catre fereastra care se afla in pozitia 11. Daca in aceasta pozitie este pus un difuzor ideal,
spectrofotometrul face o masurare de transparenta totala Tt, in caz ca in fata ferestrei este montat
un interpolator (Beam catch), componenta normala este absorbita si nu mai intra in fereastra: in
asa mo deste masurata doar componenta difuza Td a radiatiei transmise. Componenta speculara
Tn a transparentei se obtine prin diferenta a acestor doua spectre obtinute: Tn=Tt-Td.
Acelaşi discurs este prevăzut si pentru măsurarea reflexiei speculare si difuze. Pentru
interpretarea unei masurari a luminii reflexe de la o proba este necesar de inserire proba in fata
50
ferestrei montate in pozitia 7. Proba este sprijinita de o platforma, care conform deminsiunilor
sale, poate fi mutata vertical si mentenuta din spate de un accesoriu, care in regiunea in care
proba este transparenta, ar putea reflectare dinou inapoi radiatia transmisa de la strat. Pentru
evitare aceasta, pe parcursul masurarii reflexiei, in spatele stratului este instalat un material negru
care absoarbe radiatia transmisa de strat. Pentru a interpreta o masurare de reflexie totala Rt
(speculara + difusa) este montat in pozitia 11 difuzorul ideal; in cazul ca este necesar de a
masura componenta difusa Rd e necesar, analogic ca si in cazul masurarii transparentii, de a pune
in fata ferestrii 11 fascicolul de captura care absoarbe componenta luminii reflexe specular de la
proba. Componenta speculara Rs este data de relatia Rs=Rt-Rd.
Pentru a interpreta masuri bune a semnalului se pot varia diferiti parametri; precum
deschizatura slitului, viteza de scanare, etc. O valoare majorata a deschizaturii selectioneaza o
banda a spectrului foarte larga, aceasta permite un bun raport semnal-zgomot, insa duce si la o
pierdere a rezolutiei. Cind semnalul transmis este mare nu sunt probleme legate de aceste valori.
In regiunea spectrului, in care materialul are o absorbţie înalta, raportul semnal-zgomot poate
deveni destul de mic. In final s-a decis de a ajunge la un compromis si s-a stabilit deschizatura
SA la o valoare de 4mm. Pe parcursul scanarii valoarea reala a deschizaturii este putin modificata
de instalatia in regiunile unde din cauza sensibilitatii mici a detectorului, masura rezulta destul de
zgomotoasa, ceea ce se intimpla, spre exemplu, pentru valori de λ putin superioare de 860nm,
valoarea cind are loc schimbul detectorului.
Alegerea vitezei de scanare, depinde de natura probei investigate si de la banda de trecere
selectionata. Cind sunt prezente bande de absorbtie destul de largi, pot fi utilizate inca si valori
aproximativ inalte a vitezei: valoarea in cazul nostru, care e optimizata dupa raportul semnal-
zgomot pe intregul interval al spectrului este de 120nm/min.
Timpul de raspuns a masurarii conditionat de raportul semnal.zgomot este legat si de
viteza de scanare. Cresterea timpului da raspuns poate de fapt sa duca la micsorarea zgomotului.
In cazul cind viteza de scanare este destul de inalta, timpul de raspuns lung produce distorsiuni in
spectru. Timpul de raspuns ales este cel de-al doilea ales, aceasta valoare permite o scanare
rapida si nu da probleme legate de zgomot. Instrumentul permite pe linga aceasta de a alege
modalitatea de achizitie: transparenta sau absorbtia, care se mai numeşte densitatea optica si e
definita cum log(1/T).
Spectrofotometrul este condus de o programa de la Perkin Elmer printr-un calculator;
aceasta programa permite de fixare valorile parametrilor de masura despre care este scris mai sus
si de a selectiona intervalul de unda unde dorim sa facem masura. Spectrele rezultate sunt
51
prelucrate de o programa care permite determinarea constantelor optice si prevede construirea
dependentilor necesare precum si salvarea tabelelor rezultate.
2.4. Descrierea masurarii Raman.

În acest paragraf, este prezentata metoda de caracterizare care a fost folosita pentru
analiza structurala a straturilor subtiri de siliciu amorf si microcristalin si anume spectroscopia
Raman. Este tehnica analitica puternica bazata pe analiza inelastica scattering (dispersiv) la
interactiunea luminii cu materialul testat. Aceasta metoda poate fi aplicata pentru gaze, lichide
sau materiale solide. Spectroscopia Raman prevede caracterizarea spectrala a vibratiilor
moleculelor (sau fononilor in solide) care pot fi utilizate pentru identificarea probelor şi/sau fazei
de cuantificare. Un spectru Raman reprezinta intensitatea luminii imprastiate in functie de
trecerea în frecvenţă (de exemplu, de energie), de frecvenţa luminei de excitaţie. Acest „Raman
shift” este legat direct de energiile vibrationale a legaturilor intre atomi in materialul dat. Mai
exact, in cazul siliciului in straturi subtiri, spectroscopia Raman este deosebit de bine adaptata
pentru a face diferenta intre faza amorfa si faza cristalina. Prin urmare, aceasta tehnica permite sa
cuantifice gradul cristalinitatii in siliciul microcristalin.
Spectroscopia Raman (sau spectroscopia micro-Raman) se referă la tipul de aparat
folosit. Exitatia luminii este ghidata si focusata pe o proba şi semnalul Raman intors (dispersat)
este, de asemenea, colectat prin intermediul microscopului.
Avantajul spectroscopiei Raman este posibilitatea de a face o masura rapida fara a cauza
distrugeri superficiale a materialului cercetat. Într-adevăr, nu este necesară o preparare
suplimentara a probelor si aceasta tehnica de necontactare permite caracterizarea probelor evitind
in acelasi timp contaminarea sau deteriorarea lor. Deconvoluţia spectrelor Raman ofera o
informatie cantitativa referitor la cristalinitate, astfel poate corela proprietatile transportului
electronic masurat in stratul microcristalin. Mai mult decât atât, spectroscopia Raman nu este
aplicabila numai in cazul straturilor unice dar poate fi, de asemenea, efectuata pe o structura
intreaga alcatuita din mai multe straturi subtiri de siliciu. Astfel acest instrument ne da
posibilitatea de a caracteriza volumul fractiei amorfe si fazei cristaline a unei structuri solare in
baza straturilor subtiri de siliciu. In capitolul dedicat structurilor in baza straturilor subtiri de
siliciu vor fi masurate si vor fi stabilite relatiile dintre proprietatile electrice si cristalinitatea
celulelor solare.
La interactiunea luminii cu materia are loc fenomenul de dispersie a luminii, care poate fi
de doua tipuri:
52
 dispersia elastica sau „Rayleigh scattering”, cazul in care imprastierea luminii are aceiaşi
lungime de undă (λ) sau frecvenţă cu cea a luminii incidente: λ1=λ2. Acest model de
dispersie este în mare măsură, predominant.
 dispersia inelastica sau „Raman scattering”, cazul in care imprastierea luminii are diferita
lungime de unda sau frecventa decât cea de la lumina incidenta: λ1≠λ2. Acest model de
dispersie are loc intr-o fractie foarte mica (~10-5-10-7) din valoarea totală a luminii
imprastiate. In acest proces are loc si absorbtia sau emiterea unui fonon.
Spectroscopia Raman este un microscop optic specializat. Ca in orice microscopie optica
rezoluţia spaţială laterala este de ordinul micronilor. In Figura 2.6 este prezentata imaginea reala
a instalatiei utilizate in aceasta lucrare: Renishau Raman Microscope, system 2000. Sistema
completa consta din trei elemente (Figura 2.7).
Fig.2.6. Renishau Raman Microscope, system 2000
Fig.2.7. Schema sistemei „Renishau Raman Microscope, system 2000”
53
1. Lazerul. Sistema este echipata cu un argon (Ar) lazer (Melles Griot 532R-GS-A03)
iluminind la o lungime de undă de 514nm (verde), precum şi un heliu-neon (HeNe) laser
(Melles Griot 31-2108-000) iluminind, la o lungime de undă de 633nm (roşu). Cu scopul
de a adopta intensitatea lazerului care intra in spectrometru, fascicolul trece printr-un
filtru de atenuare a lazerului care contine patru filtre Neutral Density (ND) si un orificiu
care permite sa treaca 1%, 10%, 25%, 50% sau 100% din lumina initiala. Apoi, fascicolul
trece printr-un filtru band-pass, care previne trecerea luminii falsificate in
spectrofotometru.
2. Spectrometrul Raman. In Partea de jos al spectrometrului fascicolul exitat de la lazer
este directionat catre microscop (in Figura 2.7 elementele C si D: beam expander;
elementele B, E si F: oglinzi). Ulterior, in partea superioara are loc colectarea semnalului
de la mostră. Un set de filtre holografice (elementul G) elibereaza lumina dispersata
(imprastiata) Rayleigh (fiecare filtru este pentru o lungime de unda precisa si trebuie sa
fie schimbat in dependenta de lungimea de unda excitata). Dupa ce trece printr-o fantă
precedată de o lentilă (elementul I) lumina dispersata Raman pătrunde în spectrograf
constituit dintr-un singur supărător din oglinzi in forma treunghiulara (elementele K si J
respectiv). Supărătorul extinde spatial diferite lungimi de unda care constituie semnalul
Raman. În cele din urmă, un semnal detectat este obţinut prin utilizarea unui dispozitiv
sensibil (charge coupled device – CCD) care este racit termoelectric (elementul N). Este
de mentionat ca elementele spectrometrului H,O,P,Q,R si L sunt destinate pentru
masurari „global imaging”, care nu au fost utilizate in masurarile noastre.
3. Microscopul. Prin mutarea oglinzei si fascicolului separator, microscopul poate fi utilizat
fie ca un instrument comun pentru observarea probelor sau ca interfata intre spectrometru
si proba in timpul masuratorilor Raman. Fascicolul excitat este focusat pe monstra prin
intermediul unui obiectiv si apoi colecteaza lumina lumina imprastiata inapoi in acelasi
mod. In plus, un obiectiv cu o marire de 20×, care este de obicei folosit pentru observarea
probelor, mai sunt montate pe microscop alte patru obiective care se folosesc pentru
masurarea Raman, cu diverse mariri (50× sau 100×), folosite in dependenta de masurarile
efectuate.
Datele achizitionate de la CCD sunt citite, stocate si prelucrate de catre un computer, care
pe linga asta controleaza toate functiile spectrometrului in mod automat printr-un software pus la
disponibilitate de compania producatoare a instalatiei.
Pentru achiziţionarea unui spectru Raman, proba este introdusa pe o platforma a
microscopului si fascicolul lazer este axat pe suprafata probei. In timpul masurarii Raman,
54
incaperea unde se afla sistema este in regim blacked-out. Pe linga asta, se blochiaza si fascicolul
luminos al microscopului, pentru a limita zgomotul in spectrul Raman. Principalii parametri care
trebuie să fie adaptati sau alesi, atunci când se achiziţionează un spectru Raman sunt
următoarele:
 Lungimea de unda pentru excitarea lazerului (514nm sau 633nm).
 Obiectivul microscopului (de exemplu marirea si orificiul numeric, definirea diametrului
fascicolului concentrat).
 Intensitatea luminii excitate.
 Pozitia centrala a spectrului Raman, care de asemenea defineste diapazonul spectrului, în
funcţie de lungimea de undă folosita. Pentru caracterizarea materialelor in baza siliciului
(materialele noastre), de obicei pozitia centrala este de 520cm-1 (calibrarea se face in la
aceasta pozitie, desi pot fi folosite si pozitii diverse) [77]. Ca o nota se poate de
mentionat ca cea mai mare parte a picurilor in caracteristicile Raman apar in intervalul
100 – 3600cm-1.
 Timpul de expunere. Aceasta permite CCD sa fie expus la o iluminare de scanare Raman
mai mare sau mai joasa. Cresterea timpului de expunere poate îmbunătăţi calitatea datelor
a semnalului Raman în cazul în care acesta este slab si in cazul aparitiei unui zgomot.
 Numarul de acumulari. Acumularea de date spectrale implică capturarea spectrelor
identice şi co-adăugarea lor împreună. Aceasta este, de asemenea, utilizat pentru a mări
rata semnalului de zgomot care este sistematic si intimplator.
Prin utilizarea sistemei micro-Raman, spectrele Raman sunt obţinute in volum microscopic al
probei; de obicei, acest volum depinde de raspunsul probei (indicile de refractie şi absorbţie),
lungimea de undă, obiectivul utilizat şi dacă sistemul este sau nu este configurat pentru
focalizarea obiectivului. Intensitatea picului Raman (măsurat fie de amplitudinea picului, sau de
către zona în care se afla picul) va depinde de volumul cercetat, de natura materialului, de
texturizarea suprafetei probei, de puterea luminii lazerului, de obiectivele propuse, de setarea
latimii şliţului si de metoda de captare a datelor spectrale (timpul de expunere, numarul de
acumulari, etc.). Aceasta determina numarul de fotoni generati, capturati si convertiti in semnal.
Prin urmare, intensitatea (sau area) unui pic nu poate fi folosita ca o masura absoluta pentru orice
caracterizare microstructurala. Numai intensitatea relativa (sau area) cu diverse picuri prezente
pe un acelaşi spectru Raman poate fi comparata şi utilizata ca o informaţie calitativa sau
cantitativa. Rezolutia limita a spectrului Raman obtinut cu sistema micro-Raman este de
aproximativ 1cm-1 (este determinat de bariera).
55
2.5. Descrierea masurarii I-V.
Schema sistemei de masurare a caracteristicilor I-V este prezentata in Figura 2.8.
Verificarea caracteristici I-V se efectua, atit pentru celule cit si pentru module, in acord cu
normativele CEI 60904-1. Primul pas inaintea inceperii masurarilor este efectuarea calibrării
simulatorului solar, care este efectuata folosind o celula de referiment, certificata, pentru care
este certificat curentul de scurt circuit in conditiile de iluminare a spectrului de referiment (AM0,
AM1, etc.). Conditiile de masurare pentru celulele solare in spectrele utilizate sunt sintetizate in
protocolul international ISO 9845-1. Calibrarea este efectuata cu un dispozitiv certificat SC-276,
care in conditiile AM1,5 are o valoarea a curentului de scurt circuit de 118,7mA. Valorile
curentului si tensiunii a dispozitivului pot fi citite pe 2 multimetre de tipul 3478A de productie
Hewlett + Packard (HP). Dupa azerarea valoarii tensiunii, este regulata intensitatea iluminarii de
pe panelul de control a simulatorului, in mod manual, pina la obtinerea valorii necesare a
curentului in dispozitivul de calibrare. Rezistenta interioara a dispozitivului de calibrare este
controlata de o sursa curent/tensiune de tipul Keithley 228A. Odata calibrat, se procede la
montarea celulei in rama-suport folosita la masurarile efectuate. Lumina incidenta pe probele
examenate are o uniformitate pe un diametru de pina la 150mm. Tot procesul de masurare este
gestionat de softul prezent intr-un calculator, care comunica cu dispozitivele folosite prin
interfata GPIB. Alimentatorul programabil permite explorarea in intervalul de tensiune necesar
pentru trage curva I-V; pentru orice valoare de tensiune multimetrul M1 detecta caderea
potentialului prezenta in dispozitiv si multimetrul M2 masoara curentul printr-un rezistor calibrat
la valoarea de 1Ohm. Datele sunt memorizate in memoria calculatorului, care trage curba un
grafic a curbei I-V a dispozitivului si calculeaza parametrii fotoelectrici fundamentali: Vcd, Jsc,
FF, EFF, Rser si Rsh, pentru o arie de 1cm2, care este preventiv setata in procesul măsurării.
Aparatul de masurare I-V: Aparatul de masurare a caracteristicii I-V este configurat
conform schemei de mai jos. Componentele principale sunt urmatoarele:
 Simulatorul solar Spectrolab X25 Mark II s/n 7862: furnizeaza un fascicol luminos
continuu de intensitate regulabila intre limitele determinate si cu caracteristicile proprii
din clasa caruia ii apartine. Simulatorul consta, esential, dintr-o lampa de xenon de 3kW,
impreuna cu un alimentator, si citeva stadii optice pentru colectarea luminii generate, la
fascicolul directionat potrivit spectrului necesar. Principalele caracteristici sunt:
Sursa: Xenon 3kW continuu
Iradierea maxima: 120mW/cm2 pe masa de test
Disuniformitatea medie: <2%
Stabilitatea: ±1%
56
Clasa pectrala: A.
 Alimentator de patru cadrane Keithley 228A s/n 313005. Alimentatorul este indicat cu
AP in schema blocului din Figura 2.8, interpreta functionarea incarcarii electronice.
 Multimetru HP 3478A s/n 2545°23181 pentru masurarea tensiunii si multimetrul HP
3478A s/n 2619°33788 pentru masurarea curentului la mijlocul shunt.
 Shunt de 1Ohm Yokogawa 2792 s/n 52FS4045: rezistenta calibrata permite de
determinare curentul care trece prin celulala masurata atraversind masura de tensiune. In
aceasta maniera este minimizata eroarea masurarii, astfel in cit nu este necesar de
conlegat multimetrul in serie, introducind un efect de sarcina.
 Termometru Fluke 2190A s/n 4150005 pentru analizarea continua a temperaturii
dispozitivului.
 Celula solara calibrata de referiment Spire SC080 (ESTI 2003)
 Celula solara calibrata de referiment Spire SC276 (ESTI 2005)
Fig.2.8. Schema sistemei de masurare a caracteristicilor curent-tensiune.
2.6. Descrierea masurarii eficientii cuantice interne

In Figura 2.9 este demonstrata schema sistemii care este utilizata pentru masurarea
eficienţei cuantice interne efective (Qef) şi fotosensibilitatii spectrale a celulelor solare rezultatele
carora sunt prezentate in capitolele ce vor urma. Lumina monocromatică care provine de la o
lampa de Xenon traversind un monocromator cu „grilaje” si un “chopper” ca mai apoi sa fie
directionata catre proba. Choperul face semnalul luminos alternat. Lampa Xenon emite un
spectru cu picuri la anumite lungimi de unda care posibil sa creeze erori de masura. Aceste erori
pot fi eliminate in cazul cind se masura puterea luminii incidente asupra dispozitivului in timpul
real; pentru a face aceasta se utilizeaza un “beam splitter” care separa fascicolul monocromatic
in doua parti egale. Unul din aceste fluxuri cade pe suprafaţa celulei solare calibrate, curentul de
scurt circuit (Isc) a căreia determină energia fluxului de lumină incident. Această energie, fiind
împărţită la hν, indică numărul de fotoni incidenţi pe suprafaţa celulei calibrate şi, deci, şi pe
57
suprafaţa probei examinate. Fluxul al doilea de lumină monocromatică cade pe suprafaţa probei,
fotocurentul generat este amplificat prin un „lock-in” si se masoara cu un multimetru de precizie
inalta. Se determină valoarea Isc, care, fiind împărţită la sarcina elementară q, indică numărul de
electroni separaţi de joncţiunea celulei solare. Raportul dintre numărul de electroni separaţi şi
numărul de fotoni incidenţi pe suprafaţa celulei solare este eficienţa cuantică internă a acesteia
pentru o lungime de undă fixată. Toata sistema este gestionata de un software printr-un
calculator. Programa inregistreaza la intrare parametrii principali de configurare a masurarii,
precum: intervalul lungimii de unda, pasul de masurare intre doua puncte a lungimii de unda,
biasul optic si electric. Dupa ce masura este configurata si aparatajul este impostat, softwerul
incepe un ciclu, unde pentru fiecare lungime de unda se masoara puterea luminii incidente prin
radiometru, noteaza fotocurentul dispozitivului si calculeaza Qef.
Instalatia din figura , permite de a polariza celula atit cu un bias optic cit si cu un bias
electric. Biasul optic este necesar pentru masurarea Qef a dispozitivilor tandem: lumina biasului
provine de la doua lampe, asezate lateral bancului de masura, este directionata catre proba printr-
o sistema de lentile; traversind filtre optice care pot fi schimbate in timpul masurarii. Avantajul
de a avea o sursa DC pentru bias optic este interferenta mica cu lumina AC care provine de la
monocromator. Alegerea lampii de bias si in acest caz este pentru Xenon, deoarece o lampa cu
filament clasica pot avea o emisie slaba in albastru, aceasta spre exemplu ar duce la
imposibilitatea saturarii celulei top in cazul masurarii celulelor tandem.
Polarizarea electrica este efectuata prin un generator DC, este aplicat pentru dispozitivul
tandem integru, astfel este important sa tinem cont de faptul ca jonctiunile unice se pot gasi la
tensiuni diferite. Pentru a efectua o masura corecta este necesar de a proceda in felul ca nici o
sursa de lumina externa nu poate sa contacteze dispozitivul, care este iluminata doar de lumina
monocromatica sau eventual de la lumina de bias.
Aparatul de masurare Qef: Componentele principale a instalatiei pentru masurarea
eficientii spectrale sunt:
 Trei lampe Xenon ORIEL CORPORATION, modelul: 66181, 60184, 66056
 Monocromator SPEX 1681 0,22m Spectrometru: merge vorba de un monocromator cu
reticol de difractie, care permite de a obtine lumina monocromatica diracta catre
dispozitiv.
 Sistema de lentile: necesara pentru a dirija si de a focaliza lumina catre dispozitiv.
 “beam splitter”: pentru impartirea luminii monocromatice in doua fisii, unul catre
radiometru si altul catre dispozitiv
58
 Radiometrul LASER PRECISION CORP. Mod. RK5710: care primeste o parte de
lumina care provine de la monocromator. In baza datelor furnizate de la radiometru este
posibil de a deriva puterea luminii incidente.
 Bancul de instrumente a masurarilor: Amplificator Lock-in Stand Ford Research Systems
Mod.SR830 DSP, noteaza si masura fotocurentul generat a luminii monocromatice; un
multimetru Fluke 82404 care masoara curentul total care traverseaza celula, pe cind
generatorul DC Keithei 617 permite polarizarea dispozitivului
 Calculator personal: softwarul prezent prin interfata GPIB, gestioneaza instrumentele si
conduce monocromatorul valorile fotoraspunsului sunt salvate automat intr-un fisier
textual.
Fig.2.9. Schema sistemii pentru masurarea eficienţei cuantice interne şi fotosensibilitatii

spectrale a CS.

Cum se vede din informaţia prezentată în acest capitol pentru investigările efectuate şi
anume a cercetării dispozitivelor obţinute în baza siliciului cristalin şi în baza siliciului în straturi
subţiri, au fost utilizate aparate moderne, folosite în mare parte în toate centrele internaţionale de
fotovoltaică, cum ar fi: spectrofotometrul Perkin Elmer model Lambda 900; Renishau Raman
Microscope, system 2000; simulatorul solar Spectrolab X25 Mark II s/n 7862 şi aparatul de
măsurare a Qef. Utilajul respectiv a permis elucidarea concluziilor efectuate pe parcursul lucrării
şi prezentarea rezultatelor la un nivel ştiinţific înalt.
59
3. OBŢINEREA STRUCTURILOR n+ITO-nSiO2-nSi
În acest capitol sunt descrise procedeele succesive pentru obţinerea straturilor subţiri
SnO2 şi In2O3:SnO2(ITO). Sunt prezentate rezultatele studiului devierilor grosimii straturilor
obţinute, conductibilităţii electrice şi caracteristicilor optice ale acestora. Sunt reflectate lucrările
efectuate pentru obţinerea joncţiunilor de tip semiconductor-izolator-semiconductor (SIS) ITO-
nSi folosind în calitate de material de bază siliciul cu diverse valori ai parametrilor electrici.
Sunt prezentate rezultatele măsurătorilor caracteristicilor de sarcină a joncţiunilor în
calitate de convertori fotovoltaici, care au permis determinarea parametrilor optimali ai siliciului
pentru obţinerea efectului fotovoltaic maximal.
3.1. Obţinerea straturilor subţiri oxidici prin metoda pulverizării.

Straturile subţiri de o înaltă transparenţă în regiunea vizibilă a spectrului radiaţiei
electromagnetice şi de o conductibilitate înaltă comparabilă cu conductibilitatea metalelor sunt
materiale importante pentru utilizare în dispozitive optoelectronice, în celule solare, în
construcţia ecranelor luminiscente şi din cristale lichide. Straturile subţiri din aşa materiale
semiconductoare de conductibilitate prin electroni ca oxidul de indiu şi staniu In2O3:Sn (ITO),
dioxidul de staniu dopat cu fluor sau stibiu (FTO, ATO), oxidul de zinc dopat cu aluminiu sau
galiu (AZO, GZO) pe larg se utilizează ca elemente transparente active sau pasive în
dispozitivele menţionate.
Cercetarea straturilor subţiri nominalizate se efectuează în două direcţii principale:
- elaborarea procedeelor simple şi puţin costisitoare de obţinere a straturilor subţiri
transparente şi conductibile (TCO), dar care asigură parametri optimali ai acestora;
- cercetarea utilizării a straturilor subţiri TCO în diverse ramuri ale industriei.
Procedee noi de obţinere a straturilor subţiri ITO şi SnO2:Sb sunt descrise în [78-80]. În
[78] se propune un procedeu alternativ de depunere a straturilor subţiri In2O3:Sn şi SnO2:Sb la
temperatura camerei prin tehnica de separare, înmuiere şi pulverizare folosind soluţii preparate
cu nanoparticule cristaline (mai mult de 10-15vol.%) ce se dizolvă totalmente în apă (pentru
SnO2:Sb) sau alcool (pentru In2O3:Sn). Probele obţinute au fost supuse tratamentului termic la
temperaturi până la 900°C. Straturile subţiri In2O3:Sn aveau o rezistivitate de 1,510-2Ohmcm,
care se micşora până la 3,410-3Ohmcm după o tratare suplimentară în atmosferă de azot.
Rezistivitatea straturilor subţiri SnO2:Sb devenea minimală egală cu 1,710-2Ohmcm după o
tratare termică la 550°C. Parametri probelor SnO2:Sb au o durată lungă de stabilitate, iar
60
rezistivitatea probelor In2O3:Sn după tratarea termică creşte cu timpul până la o valoare de trei
ori mai mare. Se accentuiază că probele cercetate sunt de o calitate optică înaltă, transmisia
luminii în domeniul vizibil al spectrului fiind mai mare de 90%.
Toate lucrările efectuate in aceasta lucrare sunt direcţionate spre obţinerea joncţiunilor
puţin adânci cu suprafaţa activă egală cu suprafaţa plachetelor de siliciu, utilizate în acest caz ca
material de bază pentru obţinerea joncţiunilor nominalizate. Cu acest scop a fost elaborată şi
realizată instalaţia de depunere a straturilor subţiri ITO prin metoda de pulverizare şi piroliză a
soluţiilor chimice pe plachetele de siliciu cu diametrul 100mm. Straturile subţiri ITO, obţinute
prin această metodă, în primul rând, se caracterizau printr-o conductibilitate electrică majorată.
Practic conductibilitatea straturilor ITO nu se deosebeşte de conductibilitatea metalelor. În al
doilea rând, aceste straturi sunt transparente pentru radiaţia solară şi, având valoarea maximală a
conductibilităţii electrice şi a transparenţei pentru razele solare, corespund cerinţelor principale
către componenta frontală a joncţiunilor, utilizate în energia solară [81]. Depunerea straturilor
subţiri de ITO pe suprafaţa plachetelor de siliciu, preventiv special tratată chimic, conduce la
apariţia la interfaţa materialelor numite a barierei de potenţial, adâncimea cărei poate fi dirijată
prin depunerea componentei frontale de diverse valori ale grosimii. Deja a fost demonstrată
posibilitatea fabricării convertoarelor fotovoltaice cu suprafaţa activă 5cm2 în baza structurilor de
tip SIS, joncţiunea fiind formată prin pulverizarea soluţiilor chimice a clorurilor de indiu şi
staniu pe suprafaţa plachetelor de siliciu. Folosind aceeaşi metodă de formare a joncţiunii
urmează descrierea procedeului de obţinere a celulelor solare cu suprafeţa activă 48,6cm2, şi
prezentarea rezultatelor măsurătorilor caracteristicilor tipice ale celulelor obţinute.
3.1.1. Succesiunea proceselor de obţinere a straturilor subţiri In2O3:SnO2 (ITO)

a) Punerea în funcţiune a cuptorului electric
Deja s-a menţionat că alimentarea cuptorului electric în instalaţia elaborată este efectuată
cu ajutorul sistemului de alimentare cu curent electric care asigură şi reglarea cu precizie înaltă a
temperaturii în interiorul cuptorului. Conform instrucţiunilor de utilizare a sistemului de
alimentare temperatura în cuptorul electric prin reglarea manuală se ridică până la valoarea
necesară. Această valoare a temperaturii se va susţine automat după comutarea sistemului de
alimentare în regim automat de lucru. La ridicarea temperaturii în cuptorul electric suportul este
situat în interiorul cuptorului în regiunea de lucru. Temperatura suportului se controlează cu
ajutorul termocuplului cromel-capel (TXK68 GOST 304477), care este prevăzut în construcţia
suportului. Situarea suportului în interiorul cuptorului la ridicarea temperaturii este necesară, în
primul rând, pentru a începe procesul de depunere a straturilor subţiri imediat după stabilirea
61
temperaturii în regiunea de lucru a cuptorului, în al doilea rând, pentru stabilirea temperaturii
necesare în regiunea de lucru a cuptorului. Stabilirea temperaturii în cuptorul electric se
efectuează prin trecerea de la reglarea manuală la regimul de lucru automat al sistemului de
alimentare cu curent electric la o valoare optimă a temperaturii. Atingerea acestei valori de
temperatură în cuptor indică termocuplul prezentat în construcţia suportului.
b) Pregătirea soluţiilor chimice
Soluţiile chimice pregătite pentru dispersare reprezintă soluţiile clorurilor de indiu şi
staniu în apă sau alcool. Pentru pulverizare au fost preparate două soluţii:
 soluţia SnCl4 în apă pentru obţinerea straturilor subţiri de SnO2
 soluţiile InCl3 şi SnCl4 în alcool pentru obţinerea straturilor subţiri In2O3:SnO2 (ITO).
Să urmărim mai detaliat procesul de preparare a soluţiilor.
Au fost pregătite soluţiile molare ale chimicalelor menţionate. În cazul clorurii de staniu
fiecăreia molecule de SnCl4 corespunde 5 molecule de apă (SnCl45H2O), deci greutatea molară
a (SnCl4 5H2O) este de 351gram/mol. Dacă într-un vas cu această cantitate de (SnCl4 5H2O) va fi
turnată atâta apă distilată, ca soluţia să ocupe volumul de 1 litru, atunci soluţia preparată va fi
molară (soluţie 1MSnCl4 5H2O în apă). Soluţia 1MSnCl4 5H2O în alcool se prepară identic
numai în calitate de dizolvant se utilizează alcool etilic 96% C2H5OH.
În cazul InCl3 fiecăreia molecule corespunde 3 molecule de apă (InCl33H2O) şi greutatea
molară a acestei substanţe este de 275,5gram/mol. Dizolvând această cantitate de InCl3 3H2O în
atât alcool etilic 96% ca volumul soluţiei să ocupe 1 litru, obţinem soluţia 1MInCl33H2O în
alcool.
Având la dispoziţie soluţiile preparate, care se păstrează în vase de sticlă ermetice, pentru
procesul de pulverizare, imediat la începerea acestuia, se pregăteau soluţiile:
 1MSnCl4 5H2O:H2O în raport 1:1 pentru obţinerea stratului subţire din SnO2;
 1MIn2O33H2O:MSnCl45H2O:C2H5OH în raport 9:1:10 pentru obţinerea stratului
subţire din ITO.
c) Degresarea plachetelor de siliciu
În calitate de substraturi pentru obţinerea straturilor subţiri SnO2 şi ITO au fost folosite
plachete din sticlă, cuarţ, safir, siliciu. Până la începerea procesului de depunere pe substraturile
menţionate a straturilor subţiri, aceste substraturi au fost supuse degresării şi spălării minuţioase.
Plachetele din sticlă, safir şi cuarţ de obicei în timp de 24 ore se tratau în soluţie alcătuită din
acid sulfuric şi oxid de crom, apoi după o spălare în apă distilată şi uscare se utilizau pentru
obţinerea straturilor subţiri ITO şi SnO2 ce urmau să fie cercetate din punct de vedere a
62
proprietăţilor optice şi electrice. Plachetele din siliciu se tratau în acid fluorhidric pentru
eliminarea de pe suprafaţă a bioxidului de siliciu (SiO2), apoi se spălau bine în apă distilată şi se
uscau în vapori de acetonă. Depunerea straturilor subţiri de ITO şi SnO2 folosind în calitate de
substraturi plachetele de Si cu diametrul maximal (Ø100mm, sau 4inci), urmărea scopul de a
cerceta omogenitatea şi uniformitatea straturilor obţinute.
d) Obţinerea straturilor subţiri SnO2, ITO
Reglarea operaţiunilor tehnologice de obţinere a straturilor subţiri SnO2, ITO a fost
efectuată studiind procesul de obţinere a straturilor subţiri SnO2. Alegerea acestui proces în
calitate de obiect de studiu este cauzat de motive economice. Într-adevăr, clorura de staniu SnCl4
este cu mult mai ieftină decât clorura de indiu InCl3 şi apoi SnCl4 cu mult mai bine se dizolvă în
apă decât InCl3 şi deci, ca dizolvant poate fi folosită apa distilată şi nu alcoolul etilic de înaltă
puritate.
Fie temperatura în cuptorul electric stabilită şi egală 450°C. Suportul este situat în
interiorul cuptorului şi termocuplul suportului indică temperatura menţionată. Aceasta înseamnă
că sistemul de introducere şi de rotire a suportului se află în interiorul cuptorului (Figura 2.1).
Scoatem suportul din interiorul cuptorului în camera suportului, deschidem capacul camerei şi cu
ajutorul pensetei aşezăm placheta de siliciu pe suportul (4). Închidem capacul camerei, ridicăm
suportul în poziţia iniţială, ce înseamnă că suportul cu placheta-substratul sunt situate în regiunea
de lucru a cuptorului (10). După un antrenament nu îndelungat mişcările descrise se efectuează
destul de rapid şi temperatura suportului pe parcursul aşezării plachetei de siliciu practic nu se
micşorează. In poziţia descrisă suportul se roteşte în jurul propriei axe cu o viteză 60 rotaţii/min.
Fie sistemul de pulverizare reglat, oxigenul din butelie folosind reductorul, manometrul şi
un robinet prin furtunul (16) (Figura 2.1) ajunge şi trece prin injectorul de gaze a pulverizatorului
cu o presiune stabilă 0,5atm. În rezervorul pentru lichide (13) a pulverizatorului se toarnă o
cantitate de soluţie preventiv pregătită 1MSnCl4:H2O în raport 1:1 şi în acelaşi timp schimbând
poziţia mânerului (17) deplasăm ecranul (11) şi asigurăm accesul fluxului de lichid dispersat în
interiorul cuptorului. Picăturile din fluxul lichid dispersat se depun pe placheta de siliciu unde la
temperatura 450°C are loc reacţia de descompunere termică a soluţiei şi sinteza stratului oxid
SnO2 conform reacţiei (3.1).
SnCl4  2 H 2O  SnO2  4 HCl (3.1)
După pulverizarea completă a lichidului din rezervorul sistemului de pulverizare toate
operaţiunile tehnologice se repetă în ordine inversă.
Straturile subţiri ITO se obţin repetând operaţiunile tehnologice descrise şi folosind
soluţia 1MInCl3:1MSnCl4:C2H5OH în raport 9:1:10.
63
3.1.2. Obţinerea joncţiunilor ITO/SiO2/nSi în baza plachetelor de siliciu cu diametrul de
100mm
Pentru formarea joncţiunii plachetele de siliciu trebuie să fie, în primul rând, curăţate de
diverse murdării şi particule, situate pe suprafaţa plachetei. Apoi, această suprafaţă se tratează,
folosind diverşi corodanţi, pentru a elimina o cantitate oarecare a siliciului şi a obţine o suprafaţă
pură fără distrugeri mecanice. Pentru efectuarea acestor lucrări a fost folosit suportul, prezentat
în Figura 3.1. Suportul este fabricat din politetrafluoretilen, care nu se distruge sub acţiunea
soluţiilor chimice alcaline, acide şi chiar a apei regale. Pe baza (1) a suportului în adânciturile
special formate se aranjează cinci plachete de siliciu, care după aceasta se fixează cu ajutorul
plăcii mobile (3) situate pe stativul (4) a suportului. Suportul cu plachetele de siliciu fixate se
introduce într-un vas din sticlă, rezistent la temperaturi înalte, se toarnă până la acoperirea
plachetelor degrasantul – acetona, apoi vasul se instalează pe un reşou cu firul electric închis. La
fierberea acetonei se începe prima fază a procedeului de tratare chimică a plachetelor de siliciu şi
anume – degrasarea acestora şi eliminarea particulelor străine de pe suprafeţele plachetei. După
fierberea plachetelor de siliciu în acetonă timp de 15-20min, acestea se usucă în vapori de
acetonă şi suportul împreună cu plachete se instalează în alt vas, fabricat, ca şi suportul, din
politetrafluoretilen. În acest vas se efectuează a doua fază a procedeului de tratare chimică a
plachetelor de siliciu – tratare în diverşi corodanţi. Este cunoscut, că în baza corodantului chimic
trebuie să asiste două componente chimice – oxidantul şi dizolvantul oxidului. În calitate de
oxidanţi pot fi utilizaţi acizii minerali HNO3, H2SO4, bioxizii H2O2, Na2O2, sărurile complexe
K2Cr2O7, KMnO4, NaClO, iar în calitate de dizolvanţi ai oxizilor pe larg se folosesc acid
fluorhidric (HF), acid clorhidric (HCl), hidrooxizii KOH, NaOH etc. Deoarece plachetele de
siliciu degrasate pot fi acoperite cu un strat de oxid SiO2, acestea timp de 15-20min se tratează în
acid fluorhidric. Pentru aceasta în vasul din politetrafluoretilen, în care este situat suportul cu
plachetele din Si, se toarnă acid fluorhidric concentrat până la acoperirea plachetelor. După
tratare suportul cu plachete se scoate din vas, se instalează în vasul din sticlă, şi plachetele
minuţios se spală cu apă distilată. Acidul fluorhidric folosit se păstrează într-un vas special.
Vasul din politetrafluoretilen se spală în apă distilată şi se foloseşte pentru tratarea chimică a
plachetelor în alt corodant ce conţine HNO3 – 3 părţi; HF – 1 parte şi CH3COOH – 8 părţi.
Mecanismul de autodizolvare a siliciului în corodantul de astfel conţinut are un caracter
pronunţat electrochimic. Acidul acetic CH3COOH în corodantul utilizat joacă rolul elementului
(inhibitor) ce reduce viteza corodării. Toate componentele corodantului în soluţie sunt în stare
disociată şi nivelul lor de activitate faţă de suprafaţa semiconductorului nemijlocit este legat de
nivelul lor de disociere. Deci, corodantul în baza sistemului HNO3-HF conţine ionii:
64
Fig. 3.1. Suportul pentru plachetele de Si cu 100mm, utilizat la tratarea chimică a acestora
1 – baza suportului; 2 – plachete de Si cu 100 mm; 3 – placa mobilă a suportului; 4 – stativ.
HNO3  H   NO3 (3.2)
HF  H   F  (3.3)
Dacă în componenţa corodantului va fi introdusă o cantitate destul de simţitoare a
acidului acetic, aceasta, în rezultatul disocierii acidului, va conduce la apariţia unui număr
suplimentar de ioni
CH 3COOH  H   CH 3COO  (3.4)
care vor influenţa asupra vitezei disocierii componentelor de bază a corodantului. Această
influenţă se manifestă prin reducerea vitezei de disociere şi, deci, prin scăderea activităţii de
corodare. Procesul de corodare în corodantul pe baza sistemului HNO3–HF durează cca. 15min
după ce plachetele de siliciu iarăşi minuţios se spală în apă distilată.
Considerând suprafeţele plachetelor de siliciu purificate, urmează formarea stratului
dielectric pe suprafaţa siliciului, pe care în continuare se va depune stratul subţire ITO. Stratul
izolator în structurile de tip SIS în majoritatea cazurilor se formează din oxidul propriu al
componentei de bază. Stratul izolator intermediator la interfaţa materialelor semiconductoare ce
formează joncţiunea se foloseşte pentru a diminua concentraţia stărilor de suprafaţă, cauzate de
discordanţa parametrilor fizici ai acestora. Grosimea stratului izolator trebuie să fie numai de
zeci de Angstremi şi din această cauză formarea lui este o operaţiune tehnologică de înaltă
responsabilitate. Stratul de SiO2 pe plachetele de siliciu utilizate a fost format prin metoda
chimică şi anume prin tratarea timp de 5min în soluţia NH4OH+H2O2+H2O cu raportul
substanţelor 1:1:4. Ca şi în cazurile precedente, după efectuarea unui procedeu de tratare chimică
plachetele de siliciu se spălau în apa distilată şi se uscau în vapori de acetonă la fierberea acestei.
Toate lucrările de pregătire pentru tratările chimice şi însuşi aceste tratări se organizau într-aşa
65
mod, ca pe parcursul zilei de lucru să rămână timp şi pentru procesul de depunere pe plachetele
de siliciu a straturilor subţiri ITO, ce şi va fi expus în continuare.
Plachetele de siliciu recent tratate chimic se folosesc în calitate de substraturi pentru
depunerea straturilor subţiri ITO. Pentru formarea barierii de potenţial la interfaţa ITO-Si
substraturile din siliciu posedau următorii parametri electrofizici:
- conductibilitatea electrică prin electroni de valoare 0,2Ohm-1·cm-1;
- concentraţia purtătorilor de sarcină 1015cm-3
- mobilitatea purtătorilor de sarcină 1500cm2/(V·s).
Reieşind din doleanţa ca la finalizarea tratărilor chimice instalaţia pentru depunerea straturilor
subţiri ITO să fie pregătită pentru acest lucru, în timpul tratării chimice a substraturilor, această
instalaţie (Figura 2.1), prin sistemul său de alimentare şi de reglare a temperaturii (1) se
conectează la reţeaua electrică.
În acelaşi timp se pregăteşte soluţia lichidă de pulverizare (vezi paragraful 3.1.1)
1MInCl3:1MSnCl4:C2H5OH în raport 9:1:10. Temperatura în interiorul cuptorului electric (2) se
controlează prin termocuplul TXK68 (5) instalat în suportul rotativ (6), care cu ajutorul
mecanismului de rotire şi deplasare (7) este situat în poziţia de depunere (10), aflată la distanţa
25-30cm de la pulverizatorul (12). Se conectează la reţea sistemul de evacuare (9) a produselor
de piroliză, care prezintă un ventilator ce funcţionează în regim de evacuare. Se stabilizează
temperatura suportului 450°C. Suportul (4) din poziţia (10) cu ajutorul mecanismului (7) se
situează în poziţia de încărcare a substratului. Se deschide capacul, pe suportul (4) se pune
substratul (3) ce reprezintă placheta de siliciu recent tratată chimic, se închide capacul şi suportul
cu substratul aşezat pe el prin mecanismul (7), care roteşte automat (60rot/min) suportul (4) în
orice poziţie cu excepţia poziţiei initiale, se situează în poziţia de depunere (10).
Operaţiunile de deplasare a suportului (4) din poziţia de incarcare în poziţia (10) şi
inversă după aşezarea substratului (3) pe suport se efectuează cât se poate mai repede. În timpul
acţiunilor rapide enumerate suportul masiv (4) practic nu pierde temperatura iniţială, iar
substratul (3) – placheta de siliciu de grosimea numai 300µm – imediat capătă temperatura
suportului.
Se elimină ecranul (11), se deschid robinetele de alimentare cu gaz dispersat (oxigen),
care se dotează cu o presiune 0,5atm şi a lichidului (10ml de soluţie
1MInCl3:1MSnCl4:C2H5OH), deci se pune în funcţie pulverizatorul (12), care în timp de 60-
70sec pulverizează soluţia pe suprafaţa substratului – plachetei de siliciu. După terminarea
procesului de pulverizare ecranul (11) se situează în poziţia iniţială, suportul (4) împreună cu
66
substratul (3) din poziţia (10) se deplasează în poziţia de jos. Se deschide capacul camerei, se
schimbă placheta de siliciu şi procedeul de obţinere a stratului subţire ITO se repetă.
Caracterizarea complexa a suprafeţei unei plachete de Si in diverse stadii de prelucrare
(Figura 3.2) a fost realizata prin microscopia electronică de baleiaj (SEM). Aceasta caracterizare
a permis analiza si asigurarea controlului suprafeţei după fiecare proces in parte, si anume: 1-
placheta prelucrata RCA; 2-stadiul intermediar de prelucrare (prelucrarea chimica); 3- stadiul
final (după depunerea stratului ITO). Rezultate obţinute au demonstrat ca prelucrarea RCA nu
lasă nici o urmă de impurităţi pe suprafaţa substratului de siliciu, care ar putea împiedica
uniformitatea prelucrării chimice a plachetei de siliciu. Chiar si in cazul spectrului 2 din Figura
3.2b) se observa ca nu avem nici un agent chimic suplimentar, ce ne demonstrează ca suprafaţa
substratului este bine spălata in apa bidionizata după tratamentul chimic. In cazul spectrului 3,
care a fost masurat deja dupa depunerea stratului oxidic ITO, observam ca avem un aport atomic
al tuturor elementelor prezente din lichidul folosit pentru depunere. Unicul element in plus este
K, care apare pe suprafaţa siliciului după depunere, care poate fi explicat doar prin faptul ca el
este prezent in praful iniţial folosit pentru obţinerea amestecului In2O3. Totuşi procentajul lui
atomar este atât de mic in comparaţie cu alte elemente (0,9%), incit poate fi neglijat. O alta
remarca care s-a observat este raportul dintre componentele In:Sn, care după cum se observa din
rezultatele tabelare in inserţia din Figura 3.2c) – spectrul 3, este de circa 10:1.
Procedeul descris de depunere a straturilor subţiri prin metoda pulverizării cu ulterioara
piroliză a soluţiilor chimice în comparaţie cu procedeele analoge, descrise în literatură ştiinţifică,
posedă următoarele avantaje:
 În primul rând, diferenţa esenţială dintre temperaturile soluţiei pulverizate şi a
substratului în procedeele analoge se înlătură prin efectuarea pulverizării soluţiei chimice
în interiorul cuptorului electric unde temperatura creşte succesiv de la 250°C la marginea
cuptorului până la 450°C în regiunea depunerii straturilor subţiri de ITO.
 În al doilea rând, deficitul oxigenului la realizarea oxidării produselor pirolizei a
soluţiilor depuse pe substrat şi formarea stratului oxid se învinge prin folosirea în calitate
de gaz dispersat a oxigenului comprimat ce permite realizarea reacţiilor
4 InCl3  3O2  2 In2O3  12Cl
SnCl 4  O2  SnO2  4Cl

şi a amestecului In2O3:SnO2 (ITO).
 În al treilea rând, substanţele chimice, apărute în rezultatul pirolizei, care în procedeele
analoge nu se elimină şi prin acumularea lor în regiunea formării stratului oxid
67
destabilizează condiţiile de formare a acestuia, provoacă ireproducerea rezultatelor, în
procedeul elaborat efectiv se elimină cu ajutorul sistemului de evacuare (9).
Evaluarea reproductibilităţii parametrilor straturilor obţinute de ITO şi anume a grosimii,
conductibilităţii electrice şi a transparenţei în regiunea vizibilă a spectrului radiaţiei solare
demonstrează că parametrii nominalizaţi variază de la o probă la alta nu mai mult de 10% de la
valorile medii d = 0,4µm, R = 30Ohm/ , T =85% ale acestora [82].
a)
b)
c)
Fig. 3.2. Spectrele SEM a), b) şi c) a suprafeţei siliciului.
Realizarea contactelor ohmice cu suprafeţele celulelor solare ITO/SiO2/nSi

În celulele solare reale o parte din puterea electrică furnizată se pierde pe rezistenţa serie
internă şi externă. Rezistenţa serie internă este alcătuită din rezistenţa stratului frontal, rezistenţa
bazei şi rezistenţa regiunilor de tranziţie semiconductor-contactul metalic, iar rezistenţa proprie a
contactelor metalice a celulei solare din spate şi frontal formează rezistenţa serie externă. Dacă
68
rezistenţa serie internă poate fi numai optimizată, atunci rezistenţa serie externă trebuie maximal
să fie micşorată.
Contactul frontal se execută în forma unor fâşii metalice paralele unite între ele cu o altă
fâşie metalică depusă perpendicular faţă de primele (grila de contact), iar contactul din spate
acoperă toată suprafaţa celulei. Evident, că cât grila de contact frontală, atât şi contactul din spate
a celulei solare trebuie să fie contacte ohmice, care se caracterizează prin absenţa la interfaţa
metal-semiconductor a barierei de potenţial.
Din cele expuse mai sus reiesă, că grila de contact pe suprafaţa componentei frontale a
celulei solare trebuie să fie depusă, folosind o mască specială. Desenul acestei măşti trebuie să
asigure depunerea contactului metalic în formă de grilă cu parametri determinaţi.
Elaborarea formei grilei de contact se începe cu determinarea dimensiunilor celulei
solare. Celula solară cu suprafaţa maximală se obţine la formarea joncţiunii pe toată suprafaţa
plachetei de siliciu. Însă la asamblarea panourilor solare din celulele solare rotunde rămâne
relativ mult spaţiu a panoului neacoperit cu acestea. Mai des se folosesc celulele solare în formă
optoedrică. Celulele solare de aşa formă pot fi asamblate mai compact pe suprafaţa panoului
solar. Noi am selectat forma optoedrică cu lungimea laturilor mari de 55mm şi acelor mici 18mm.
Reieşind din aceste dimensiuni a fost elaborată grila de contact, forma şi dimensiunile cărei sunt
prezentate în Figura 3.3.
Pentru a obţine o aşa grilă de contact pe suprafaţa frontală a celulei solară este necesar de
a fabrica o mască cu desenul identic grilei elaborate. Desenul grilei se transferă pe materialul
măştii, care de obicei este o fâşie subţire din cupru, prin metoda fotolitografiei. Pentru aceasta
sunt necesare fotoşabloanele grilei de contact.
Materialul măştii se acoperă cu un strat de fotorezist pozitiv, apoi acesta, fiind preventiv
iluminat prin fotoşabloane se tratează chimic. Tratarea chimică distruge locurile iluminate ale
fotorezistului, descoperind suprafaţa foliei de cupru, care şi ea ulterior poate fi corodată. Pentru
majorarea vitezei de corodare şi pentru transferul mai corect al dimensiunilor desenului de pe
fotoşablon corodarea măştii se efectuiază din ambele părţi ale foliei de cupru. Fâşia de cupru,
care se foloseşte pentru fabricarea măştilor are grosimea de 0,3mm. După toate operaţiunile
tehnologice de tăiere, corodare etc. măştile fabricate au o formă ondulată.
Cu scopul îndreptării formei măştile fabricate se supun unei tratări termice la temperatura
600°C. Pentru efectuarea tratării termice au fost utilizate trei placi masive din metal de grosimea
cca. 10mm. Măştile ondulatoare se situează între plăci, laturile cărora, ce sunt în contact cu
măştile situate între plăci, sunt şlefuite. Plăcile se fixează în buloane şi dispozitivul se instalează
într-un cuptor electric. Timp de 2-3 ore temperatura cuptorului electric se ridică până la 600C,
69
se susţine timp de şase ore, apoi cuptorul se deconectează de la reţea şi în acest regim
temperatura se coboară până la temperatura camerei. După aceasta placile se demontează,
măştile fabricate tratate termic se înrămează şi împreună cu un suport special pentru depunerea
grilei de contact se păstrează într-un ambalaj special.
În industria microelectronică contactele ohmice pentru dispozitivele în baza siliciului fie
cu conductibilitate electrică prin electroni sau goluri se efectuează prin depunerea straturilor
metalice din aluminiu. Preventiv suprafeţele siliciului, pe care vor fi depuse straturile metalice
din aluminiu, puternic se dopează până când conductibilitatea electrică superficială devine
comparabilă cu conductibilitatea stratului metalic. În literatură deseori pentru obţinerea
contactului ohmic pe suprafaţa siliciului cu conductibilitate prin electroni se folosesc straturile
subţiri din aur-staniu. Deoarece utilizarea aurului pentru obţinerea contactelor ohmice majorează
costul celulelor solare, aurul în celulele solare fabricate în cadrul lucrării de faţă a fost înlocuit cu
cupru. Aşa dar, contactele ohmice din spate şi grila de contact a celulelor solare fabricate
ITO/SiO2/nSi au fost obţinute din cupru prin metoda evaporării termice a acestuia.
Contactul din spate a celulelor solare se depune pe toată suprafaţa respectivă a siliciului şi
nu provoacă dificultăţi. Contactul frontal în formă de grilă se obţine prin evaporarea termică a
cuprului prin măşti. Suprafaţa celulei solare ITO/SiO2/nSi este de 55,55cm2, suprafaţa ocupată de
grila metalică de contact, deci eliminată din procesul de conversie a radiaţiei solare în energie
electrică, este de 6,96cm2, ce constituie 12,5% din suprafaţa totală a celulei solare [83], astfel
suprafaţa activă a celulelor solare obţinute este de 48,59cm2.
Fig.3.3. Forma şi dimensiunile grilei de contact.
Pentru optimizarea procedeului de obţinere a celulelor solare şi a parametrilor fotovoltaici

ai acestora sunt necesare următoarele investigaţii:
70
 cercetarea condiţiilor de obţinere a stratului oxid SiO2 intermediar în joncţiunea
n+ITO/SiO2/nSi prin oxidarea chimică a suprafeţei de siliciu în acid azotic concentrat şi
prin tratarea termică;
 cercetarea dependenţei parametrilor fotovoltaici ai celulelor solare de valoarea
conductibilităţii plachetelor de siliciu cu orientarea cristalografică identică a suprafeţei de
lucru (100) pe care se formează joncţiunea;
 cercetarea variantelor de tratare chimică a suprafeţei plachetelor de siliciu pe care se
formează joncţiunea cu scopul pasivării acestei şi micşorarea curentului de saturaţie;
 determinarea pierderilor optice şi ohmice în dependenţă de valorile grosimii şi
conductibilităţii stratului frontal de ITO.
3.2. Determinarea concentraţiei optimale a purtătorilor de sarcină în Si-materialul de bază

a celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi
3.2.1 Selectarea plachetelor de siliciu
În cadrul lucrării se examinează structurile n+ITO-SiO2-nSi, deci structurile izotipice de
tip MIS. În [84] se demonstrează că în cazul semiconductorului cu conductibilitate prin electroni
şi în aproximarea sărăcirii complete a stratului de sarcină spaţială în afara acestui strat
semiconductorul este neutru, iar în interiorul lui densitatea sarcinii este egală cu qND. În absenţa
tensiunii aplicate din exterior câmpul electric în regiunea neutră a semiconductorului trebuie să
fie nul. În cazul contrar în această regiune ar fi curs un oarecare curent. Conform teoremei lui
Gauss legătura între câmpul electric şi densitatea sarcinii se descrie prin relaţia:
dE qN D
 (3.5)
dx  o
unde E-densitatea câmpului electric în semiconductor; q - sarcina elementară; ND - concentraţia
donorilor; εo – constanta dielectrică a vidului şi ε – constanta dielectrică a semiconductorului.
Valoarea lui E se majorează liniar pe măsura apropierii spre graniţa cu metalul de la zero când x
= W până la qNDW/(εε0) la interfaţă. În relaţiile scrise W este grosimea stratului de sarcină
spaţială (stratului de baraj). Dacă admitem că potenţialul electrostatic ψ este egal cu zero în
regiunea neutră a semiconductorului, atunci ψ(W)=0, iar în interiorul stratului de baraj pentru o
coordonată x arbitrară potenţialul electrostatic se determină
W W
qN D W  x  qN
 ( x)   Edx    dx   D (W  x )2 (3.6)
x x
 o 2 o
71
Potenţialul electrostatic ψ se modifică după legea pătratică şi la interfaţă atinge valoarea
qNDW2/2 ε ε0. Potenţialul ψ la interfaţă este egal cu potenţialul de difuzie Ud şi deci:
qN DW 2
Ud  (3.7)
2 o
de unde obţinem:
1
 2U   2
W   d o  (3.8)
 qN D 
Din expresia (3.7) observăm că potenţialul de difuzie Ud creşte cu majorarea concentraţiei
purtătorilor de sarcină în semiconductor, în baza căruia este formată joncţiunea de tip MIS.
Această majorare a Ud este binevenită în cazul utilizării structurilor MIS ca celule solare. În acest
caz bariera de potenţial de la interfaţă va fi mai eficientă în procesul de separare a purtătorilor de
sarcină de neechilibru generaţi de radiaţia solară incidentă pe suprafaţa celulelor solare. Dar în
acelaşi timp, cum se vede din expresia (3.8), majorarea purtătorilor de sarcină în materialul
semiconductor duce la micşorarea grosimii stratului de sarcină spaţială. Câmpul electric intern al
joncţiunii antrenează şi separă numai purtătorii de sarcină generaţi nemijlocit în spaţiul stratului
de baraj şi la distanţa de la acest strat de lungimea de difuzie a purtătorului de sarcină minoritar,
în cazul nostru Lp. Deci, micşorarea grosimii stratului de sarcină spaţială W duce la micşorarea
sumei W+Lp sau cu alte cuvinte a regiunii joncţiunii MIS unde efectiv are loc procesul de
generare a purtătorilor de sarcină care imediat sunt separaţi de bariera de potenţial. Evident că
îngustarea acestei regiuni diminuează eficienţa celulei solare. Observăm două efecte contrare.
Promovarea unuia defavorizează altul.
Reieşind din cele expuse concludem că eficienţa celulelor solare poate fi optimizată prin
alegerea experimentală a concentraţiei purtătorilor de sarcină în materialul semiconductor al
structurii de tip MIS.
În cazul structurii studiate n+ITO/SiO2/nSi pentru determinarea concentraţiei optimale a
purtătorilor de sarcină în componenţa absorbantă au fost folosite plachetele de siliciu cu
concentraţia purtătorilor de sarcină 1015cm-3, 51015cm-3, 61016cm-3 şi 21018cm-3. Plachetele de
siliciu utilizate sunt caracterizate prin următorii parametri:
- Plachetele de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografică (100), rezistenţa
electrică specifică ρ=4,5Ohm·cm, concentraţia N=1015cm-3, mobilitatea electronilor
µ=1250cm2/V·s, conductibilitatea electrică σ=0,2Ohm-1·cm-1, marcate КЭФ 4,5 şi
produse în Rusia;
72
- Plachete de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografică (100), rezistenţa
specifică ρ=1,05Ohm·cm, concentraţia N=51015cm-3, mobilitatea electronilor
µ=1390cm2/V·s, conductibilitatea electrică σ=1Ohm-1·cm-1, produse de firma
SILTRONIX în Germania;
µ=1000cm2/V·s, conductibilitatea electrică σ=10Ohm-1·cm-1, produse de firma
SILTRONIX în Germania.
- Plachete de siliciu, dopate cu stibiu, orientare cristalografică (100), rezistenţa
µ=200cm2/V·s, conductibilitatea electrică σ=60Ohm-1·cm-1, firma de comercializare
SEMIREP din Germania.
În încheiere se poate accentua că toate plachetele de siliciu utilizate sunt de o orientare
cristalografică similară (100) şi această orientare este cea mai des întâlnită în publicaţiile din
revistele de specialitate. Plachetele de siliciu selectate servesc ca bază pentru prepararea
heterojoncţiunilor n+ITO/SiO2/nSi conform procedeului elaborat în Laboratorul Cercetări
Ştiinţifice Fizica Semiconductorilor, USM şi descris în [85].
Rezultatele cercetărilor proprietăţilor electrice sunt prezentate în paragraful ce urmează.

Măsurările caracteristicilor statice I-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi s-au efectuat
utilizând metoda bine cunoscută şi aprobată care este descrisa in paragraful 2.5. Caracteristicile
I-U au fost studiate în dependenţă de concentraţia purtătorilor de sarcină în materialul
semiconductor de bază a structurilor investigate-siliciu. Probele au fost obţinute în baza siliciului
cu concentraţia electronilor 1015cm-3, 51015cm-3, 61016cm-3 şi 21018cm-3. Să menţionăm că
mărimea tensiunii aplicate şi semnul polarizării acesteia au fost dirijate, iar valorile curentului au
fost înregistrate automat cu utilizarea unui program special pentru un calculator personal IBM
PC-386.
În Figura 3.4 sunt prezentate dependenţele curent – tensiune pentru probele menţionate
măsurate la întuneric. Potenţialul de difuzie Ud care a fost determinat prin extrapolarea curbelor
cu axa tensiunii[86], in cazul polarizării directe este egal cu 0,43V pentru concentraţia
electronilor 1015cm-3, 0,45V pentru 51015cm-3, 0,35V pentru 61016cm-3 si 0,27V in cazul
21018cm-3. Comparind rezultatele experimentale cu cele expuse in paragraful 3.2.1, vedem ca
73
avem o neconcordanta intre valorile experimentale si expresia (3.7). In acest caz putem
presupune ca efectul va fi reversibil, astfel putem spera la majorarea valorii grosimii stratului de
sarcina spatiala, care ar inbunatati eficienta celulei solare.. Tot odata se poate de mentionat ca
valorile mai exacte a potentialului de difuzie pot fi obtinute din dependentele caracteristicilor
capacitate-tensiune, care vor fi prezentate si analizate in paragraful urmator, si care vor permite
sa concludem unele argumente.
-2
10
-3
10
-4
10
I (A/cm )
2
-5
10
-6
10 15 -3
110 cm
-7 15 -3
10 510 cm
16 -3
-8
610 cm
10 18 -3
210 cm
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
U (V)
Fig. 3.4. Caracteristicile curent-tensiune la întuneric ale structurii n+ITO/SiO2/nSi cu diverse

concentraţii a purtătorilor de sarcină în Si.
Conform consideraţiilor teoretice dependenţa curentului prin joncţiunea de tip MIS de

tensiunea aplicată din exterior este descrisă de următoarea relaţie:
  qU  
I  I 0 exp   1 (3.9)
  AkT  
unde I-curentul prin joncţiune, U-tensiunea aplicată, I0-curentul de saturaţie, A-coeficientul de
neidealitate, k-constanta Bolţman, q - sarcina elementară, T- temperatura la care se efectuează
experimentul.
Dacă structura studiată n+ITO/SiO2/nSi este o structură de tip MIS, atunci caracteristica I-
U în coordonatele lnI=f(U) trebuie să prezinte o dependenţă liniară. Într-adevăr, cum se observă
din Figura 3.4, această legitaţie pentru tensiunile aplicate mai mici de valoarea Ud se respectă, în
plus la aceiaşi tensiune electrică aplicată prin joncţiunea formată în siliciu cu concentraţia
electronilor mai înaltă curg curenţi mai mari. Din dependenţele prezentate pot fi calculate
valorile I0 şi A. Coeficientul A pentru toate tipurile de probe cercetate este A=2, iar valorile
curentului de saturaţie I0 sunt egale cu 8,810-6A/cm2 pentru joncţiunea în baza Si cu Nd=1015cm-
74
3
; 6,110-6A/cm2 pentru joncţiunea în Si cu Nd=51015cm-3, 1,310-4A/cm2 pentru joncţiunea în Si
cu Nd=61016cm-3 şi 1,210-2A/cm2 pentru joncţiunea cu concentraţia purtătorilor de sarcină în
siliciu 21018cm-3.
Curentul prin joncţiunile în materialele semiconductoare la polarizare indirectă a tensiunii
electrice aplicate din exterior este determinat de purtătorii de sarcină minoritari în componentele
joncţiunii. Deoarece purtătorii de sarcină minoritari imediat sunt separaţi de câmpul electric
intern al joncţiunii, curentul la aplicarea tensiunii indirecte este foarte mic incomparabil cu
curenţii de scurgere, determinaţi de rezistenţa ohmică a carcaselor joncţiunilor. Dacă curenţii
prin joncţiune la polarizarea indirectă a acesteia sunt curenţi ohmici, atunci dependenţa I=f(U)
trebuie să fie prezentată în forma I=Un, unde n=1.
În Figura 3.5 sunt prezentate caracteristicile curent-tensiune pentru structurile studiate
n+ITO/SiO2/nSi polarizate indirect. Caracteristicile sunt prezentate în coordonate lnI=f(lnU) cu
scopul determinării valorilor a coeficientului n. Din Figura 3.5 observăm că dependenţele
prezentate sunt liniare pe tot intervalul tensiunii indirecte aplicate. Panta dependenţilor determină
coeficientul n, care în toate cazurile este egal aproximativ cu 1. La valorile tensiunii indirecte
aplicate din exterior curenţii prin joncţiunile cercetate se măresc, mai brusc prin joncţiunea în
baza siliciului cu Nd=61016cm-3 şi Nd=21018cm-3, fata de joncţiunea cu concentraţia purtătorilor
de sarcină în siliciu 1015cm-3. La aplicarea tensiunii indirecte nivelul Ec al benzii de conducţie a
materialului semiconductor poate să se deplaseze energetic mai jos de nivelul Fermi EF al
metalului şi electronii din metal prin tunelare pătrund în banda de conducţie a semiconductorului
majorând curentul prin joncţiune. Această majorare va fi mai semnificativă în cazul joncţiunii
formate în baza semiconductorului mai puternic dopat, deoarece grosimea barierei de potenţial în
acest caz va fi mai mică (vezi relaţia (3.7)).
Aşadar structurile studiate n+ITO/SiO2/nSi formate în baza siliciului cu diverse
concentraţii ale electronilor (1015cm-3; 51015cm-3; 61016cm-3 şi 21018cm-3) reprezintă structuri
de tip MIS în care rolul metalelor îl joacă straturile subţiri semiconductoare degenerate cu
conductibilitate metalică şi din această cauză se mai numesc structuri de tip SIS. Cercetările
proprietăţilor electrice efectuate permit evaluarea grosimii stratului de sarcină spaţială (W) la
interfaţa joncţiunilor studiate. În cazul joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi cu concentraţia electronilor în
siliciu 1015cm-3 (1021m-3) conform relaţiei (3.8), W este:
1
 2  12  8.85  10 12  0, 43  2
W     0,76  10 6 m  0,76 m .
 1,6  10 19  1021 
75
În joncţiunea cu concentraţia electronilor în siliciu 51015cm-3 W=0,35µm, cu Nd=61016cm-3
W=0,09µm, iar cu Nd=21018cm-3 W=0,013µm. La majorarea concentraţiei electronilor în siliciu
de cinci ori grosimea stratului de baraj se micşorează de două ori de la 0,76µm până la 0,35µm,
iar majorarea concentraţiei cu aproape două ordine reduce grosimea stratului de 9 ori.
-1
10
15 -3
110 cm
15 -3
510 cm
-2 16 -3
10 610 cm
18 -3
210 cm
-3
10
I (A/cm )
2
-4
10
-5
10
-1 0
10 10
U (V)
Fig. 3.5. Caracteristicile curent-tensiune la întuneric ale structurii n+ITO/SiO2/nSi invers

polarizate în coordonate lnI=f(lnU).
Cercetările dependenţei curent–tensiune la temperatura camerei ale structurilor

fotovoltaice ITO/n-Si cu diverse concentraţii ai purtătorilor de sarcină în siliciu demonstrează şi
în acest caz că pentru utilizare în calitate de material absorbant al radiaţiei solare sunt preferabile
plachetele de siliciu cu concentraţia electronilor de ordinul 1015cm-3. Având în vedere acest fapt,
studiul proprietăţilor electrice în intervalul de temperaturi 293 – 413K (vezi Figura 3.6) cu
scopul de a determina mai corect mecanismele de trecere a purtătorilor de sarcină prin bariera de
potenţial a fost efectuat în baza structurilor cu siliciu de concentraţia electronilor 11015cm-3
[87].
Aspectul general al dependenţelor curent – tensiune din Figura 3.6, se caracterizează prin
prezenţa evidenţiată a două pante, prima in intervalul tensiunilor de pina la 0,3V iar a doua de la
0,3V, de modificare a curentului cu creşterea tensiunii mai pronunţate la temperaturile
experimentului în intervalul 293-393K. Coeficientul A, determinat din prima pantă, care
caracterizează modificarea curentului prin probă la aplicarea tensiunilor electrice mici, nu este
constant cu majorarea temperaturii. Valorile acestuia cu creşterea temperaturii de la temperatura
camerei până la 413K se micşorează de la 2,6 până la 1,6. Acest rezultat cert demonstrează că
76
panta dependenţei curentului prin bariera de potenţial de tensiunea aplicată rămâne constantă,
deci nu se schimbă la modificarea temperaturii. Conform [88] în acest caz trecerea purtătorilor
de sarcină prin bariera de potenţial se efectuează prin procesele de tunelare-recombinare în
regiunea sarcinii spaţiale. La polarizarea directă a probei n+ITO/SiO2/nSi acest mecanism poate
fi interpretat astfel (vezi Figura 3.7)
-1
10
-2
10
-3
10
I (A/cm )
2
-4
10 T= 293K
T= 313K
-5 T= 333K
10
T= 353K
-6
T= 373K
10 T= 393K
T= 413K
-7
10
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
U (V)
Fig.3.6. Dependenţele curent – tensiune la diverse temperaturi pentru structura ITO/n-Si.
Electronii, situaţi în banda de conducţie a siliciului, sub acţiunea câmpului electric

exterior formează un flux de purtători de sarcină liberi direcţionat spre banda de conducţie ITO.
Energia potenţială a electronilor se majorează şi apare posibilitatea de trecere a acestora prin
bariera de potenţial de la interfaţa structurii n+ITO-SiO2-nSi prin multiple procese de tunelare-
recombinare. Din punct de vedere matematic aceste procese se descriu prin relaţia:
I  I 0 exp( BT )  exp( AV ) (3.10)
unde A şi B sunt constante, care nu depind respectiv de temperatură şi de tensiune.

Valoarea numerică a mărimii fizice A în relaţia (3.10), determinată din dependenţele în
Figura 3.6, este egală cu 15V-1, iar valorile constantei B se determină din aceleaşi dependenţe
reconstruite în coordonatele lnI = f(T). Valoarea numerică a constantei B este 0,045K-1.
În [88] constanta A este determinată de relaţia:
8 m* S
A  ( e s ) (3.11)
3h ND
77
unde pentru cazul nostru me* – este masa efectivă a electronului în Si, εs – permeabilitatea
dielectrică a siliciului, iar S caracterizează schimbul relativ al energiei electronului după fiecare
treaptă al procesului de tunelare, deci 1/S nu este altceva decât numărul de trepte de tunelare.
Fig.3.7. Mecanismele de trecere a electronilor prin bariera de potenţial a probei ITO/n-Si la

aplicarea tensiunii în V până la 0,3V (a) şi mai mare de 0,3V (b).
Determinând valoarea numerica a constantei A, nu e greu de calculat, folosind expresia

(3.11), numărul treptelor de tunelare 1/S, deoarece celelalte mărimi fizice în (3.11) sunt constante
fundamentale sau parametri fizici ai siliciului. Calculele efectuate [87] demonstrează că numărul
proceselor de tunelare la trecerea electronilor din banda de conducţie a Si în banda de conducţie
ITO este de cca. 100.
La majorarea tensiunii electrice aplicate din exterior la valori ce depăşesc 0,3V
mecanismul de trecere a curentului prin structura n+ITO/SiO2/nSi se schimbă. Pantele
dependenţelor curent – tensiune se modifică la variaţia temperaturii ce se certifică prin mărimea
constantă a parametrului A din relaţia (3.9), care este de cca. 1,6 pentru tot intervalul de
temperaturi în care s-au efectuat măsurătorile. Acest rezultat indică începutul emisiei electronilor
din siliciu în ITO pe deasupra barierei de potenţial (vezi Figura 3.7b)). Acest mecanism de
trecere a curentului se descrie prin relaţia (3.9), care pentru polarizarea directă a probei şi cu
evidenţa expresiei pentru Io se transformă astfel
  B   qV 
I  C  exp   exp a  (3.12)
 kT   kT 
Din (3.12) se observă că dependenţa lnI = f(1/kT) creează posibilitatea de a determina
înălţimea barierei de potenţial φB în structura cercetată n+ITO/SiO2/nSi, deoarece panta
dependenţei menţionate va fi egală cu φB - qVa. În Figura 3.8 este prezentată dependenţa lnI =
78
f(1/kT), din care rezultă că înălţimea barierei de potenţial în structurile n+ITO/SiO2/nSi este de
0,6eV ce satisfăcător corelează cu datele experimentale.
-3
10
-4
10
I (A)
-5
b=0,6eV
10
28 30 32 34 36 38 40
-1
1/kT (eV )
Fig.3.8. Dependenţa lnI = f(1/kT) pentru structura ITO/n-Si polarizată direct la tensiuni majorate.
3.2.3. Caracteristicile C-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi

Scopul măsurării caracteristicilor cinetice în acest paragraf constă în studiul influenţii
concentraţiei siliciului asupra parametrilor celulelor solare în baza structurilor n+ITO/SiO2/nSi.
În Figura 3.9 sunt prezentate dependenţele C-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi la întuneric
pentru frecvenţa 10kHz. În domeniul de polarizare între -1V şi 0,6V caracteristicile C-2=f(U) sunt
liniare şi demonstrează că joncţiunile studiate sunt abrupte.
Valoarea potenţialului de difuzie Ud determinată prin extrapolarea dependenţei C-2=f(U)
până la intersecţia cu axa x creşte cu creşterea concentraţiei purtătorilor de sarcină in siliciu şi
valorile acestuia sunt cuprinse în limitele 0,6-0,85V (Figura 3.9). Valoarea aceluiaşi parametru
Ud determinată din caracteristicile curent-tensiune este diversă – 0,43V.
Utilizând ecuaţia
 o S
C (3.13)
W
unde W este grosimea stratului de sarcină spaţială şi S-aria joncţiunii, şi datele din Figura 3.9 se
poate determina valoarea W a joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi în echilibru termodinamic. Într-adevăr
din Figura 3.9, pentru structura n+ITO/SiO2/nSi cu concentraţia purtătorilor de sarcină în siliciu
79
2
15 -3 C
de 110 cm , la valoarea tensiunii U=0V, reiesă    0,78  108 F 2 m 4 , deci
S
C  12  8,85  10 12
 1,14  10 4 Fm 2 , iar W, conform relaţiei (3.13), este W  o   0,94 m .
S C S 1,14  10 4
În cazul joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi cu concentraţia electronilor în siliciu 51015cm-3

W=0,41µm iar cu Nd=61016cm-3 W=0,11µm. Comparând valorile grosimii stratului de sarcină
spaţială în joncţiunea n+ITO/SiO2/nSi obţinute din caracteristicile curent-tensiune şi
caracteristicile capacitate-tensiune observăm o diferenţă minimă a acestor valori ce poate fi
considerată satisfăcătoare.
3,6 15
110 cm
-3
15 -3
510 cm
3,0 -1
10
UD= 0,7V 16
610 cm
-3
-2
10
2,4
C (10 F m )
4
-2
UD= 0,85V
1,8
8
-2
1,2
UD= 0,6V
0,6
0,0
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
U (V)
Fig.3.9. Dependenţele C-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi cu diverse concentraţie a purtătorilor

de sarcină în siliciu la frecvenţa 10kHz.
3.2.4. Proprietăţile fotovoltaice ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi

Scopul studiului proprietăţilor fotovoltaice ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi în baza
siliciului cu diverse concentraţii ale electronilor constă în determinarea concentraţiei optimale a
purtătorilor de sarcină în componenta de bază, care asigură eficienţa maximală a celulelor solare
[89].
În Figura 3.10 sunt prezentate caracteristicile de sarcină a celulelor solare în baza
structurilor n+ITO/SiO2/nSi cu diverse concentraţii ai electronilor în siliciu. Valorile parametrilor
fotovoltaici calculaţi din aceste caracteristici sunt prezentaţi în Tabelul 3.1.
Reieşind din statistica rezultatelor prezentate în Tabelul 3.1 se poate de considerat că
concentraţia optimală a electronilor în componenta de bază a celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi
80
trebuie să fie (1-5)1015cm-3 [90], deşi aceste rezultate trezesc şi multe întrebări. De ce, de
exemplu, rezistenţele serie sunt comparabile dacă în determinarea acestora rolul principal îl joacă
volumul semiconductorului? Probabil odată cu asigurarea condiţiilor identice de formare a
joncţiunilor studiate (în cazul nostru formarea joncţiunilor se efectua în unul şi acelaşi proces de
pulverizare) trebuie de respectat condiţiile identice de depunere a contactelor ohmice şi altor
operaţiuni tehnologice. Ca dovadă că concentraţiile electronilor (1-5)1015cm-3 în siliciu sunt
optimale pot servi rezultatele prezentate în Figura 3.11.
0,030
0,024
0,018
I (A/cm )
2
0,012
15 -3
110 cm
15 -3
0,006 510 cm
16 -3
610 cm
18 -3
210 cm
0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
U (V)
Fig.3.10. Caracteristicile de sarcină a celulelor solare în baza structurilor n+ITO/SiO2/nSi cu

diverse concentraţii ai electronilor în siliciu.
Tabelul 3.1. Parametrii fotovoltaici ai celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi în condiţii AM1,5

Nd în Si, Isc, Ucd, FF, Eff, Rser, Rsh,
cm-3 mA/cm2 V % % Ohm·cm2 Ohm·cm2
11015 28,31 0,48 70,43 9,57 2,97 3,8103

51015 28,47 0,47 71,26 9,59 2,19 1,7103
61016 29,93 0,44 63,29 8,26 2,34 1,2103
21018 19,89 0,31 38,34 2,33 5,88 4,8101
În Figura 3.11a) se demonstrează caracteristica de sarcină a celulei solare în baza

siliciului cu concentraţia electronilor 11015cm-3 şi cu aria activă 8,1cm2, iar în Figura 3.11b)
caracteristica celulei solare identice cu aria activă 46,8cm2. Pe figuri sunt prezentate valorile
81
parametrilor fotovoltaici calculate din aceste caracteristici. Observăm că în condiţiile iluminării
etalonate 100mW/cm2 eficienţa celulelor solare este destul de înaltă şi întrece valoarea de 10%
Măsurătorile se efectuau la conectarea probelor la instalaţia de măsurare prin contacte
mecanice. Influenţa puternică a rezistenţii serie asupra parametrilor celulei solare se observă din
Figura 3.11. Ne convingem că majorarea suprafeţei active a celulei solare duce la majorarea
rezistenţii serie şi prin urmare la reducerea eficienţei a celulei solare de la 10,14% la 8,58%.
Diferenţa destul de simţitoare între eficienţile unei şi aceleaşi celule solare dar cu diverse
suprafeţe active este explicabilă [91]. Curenţii, furnizaţi de celulele solare cu suprafeţe active
majorate, sunt cu mult mai mari decât în cazul celulelor solare cu suprafeţe mici, însă grosimea
contactelor ohmice în ambele cazuri este una şi aceeaşi. Pentru evitarea acestor diminuări este
necesară elaborarea contactelor ohmice de rezistenţă electrică până la 1Ohm.
0,01 0,01
0,00 0,00
UCD = 0,54V UCD = 0,51V
2 2
JSC = 26,39mA/cm JSC = 31,19mA/cm
I (A/cm )
I (A/cm )
2
-0,01 FF = 71,14% -0,01 FF = 53,92%

Eff = 10,14% Eff = 8,58%
RS = 2.57Ohm RS = 5,93Ohm
-0,02 -0,02
RSh = 1,2kOhm RSh = 0,4kOhm
-0,03 a b
-0,03
-0,2 -0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
U (V) U (V)
Fig.3.11. Caracteristicile de sarcină a celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi (11015cm-3) cu aria activă
8,1cm2 (a) si 46,8cm2 (b).
3.2.5. Fotosensibilitatea celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi

Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a celulelor solare n+ITO/SiO2 nSi în
baza siliciului cu diverse concentraţii ale electronilor sunt prezentate în Figura 3.12. Din Figura
3.12 observăm că distribuţia spectrală a eficienţii cuantice a celulelor solare cu concentraţia (1-
60)1015cm-3 este identică şi practic nu depinde de concentraţia purtătorilor de sarcină în siliciu
[89]. Notăm că eficienţa cuantică internă în regiunea lungimilor de undă 400-900nm este destul
de înaltă şi variază în limitele 0,6-1. Modificarea curbelor dependenţei eficienţii cuantice interne
se observa în cazul utilizării pentru prepararea probelor a siliciului cu concentraţia electronilor de
21018cm-3. În acest caz lăţimea regiunii de sarcină spaţială are dimensiuni de cca. 0,013µm şi,
luând în consideraţie valorile mici ale coeficientului de absorbţie a radiaţiei solare, e clar că
eficienţa cuantică internă va fi maximală în regiunea undelor scurte a spectrului radiaţiei solare.
82
1,0
15 -3
110 cm
15 -3
0,8 510 cm
16 -3
610 cm
18 -3
210 cm
Qef 0,6
0,4
0,2
0,0
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
 (nm)
Fig.3.12. Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi cu

diverse concentraţii a electronilor în siliciu.
15 -3
0,6 110 cm
15 -3
510 cm
16 -3
0,5 610 cm
Fotosensibilitatea (A/W)
18 -3
210 cm
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
400 600 800 1000 1200
 (nm)
Fig.3.13. Distribuţiile spectrale a fotosensibilităţii celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi cu diverse

concentraţii a electronilor în siliciu
Fotosensibilitatea monocromatică a celulelor solare în unităţi A/W se determină uşor

folosind aceiaşi instalaţie ca şi în cazul eficienţei cuantice. Pentru o lungime de undă incidentă
pe probă se măsoară Isc generat de această probă. Curentul experimental determinat se i-a în
raport cu puterea fascicolului de lumină incident, care se determină prin măsurarea Isc a celulei
calibrate. Distribuţiile spectrale a fotosensibilităţii celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi sunt
prezentate în Figura 3.13, din care observăm că fotorăspunsul se înregistrează în limitele
lungimilor de undă 350-1200nm, iar valoarea sensibilităţii mai mare de 0,3A/W cuprinde
regiunea lungimilor de undă 485-965nm. Totodată se observă că variaţia concentraţiei
83
purtătorilor de sarcină în limitele 1015 - 61016cm-3 în componenta de bază, componenta ce
absoarbe radiaţia solară, practic nu influenţează nici asupra formei curbei distribuţiei spectrale,
nici asupra valorii numerice a fotorăspunsului. Acest rezultat experimental confirmă încă o dată
că concentraţiile menţionate ale purtătorilor de sarcină în Si asigură eficacitatea maximală a
conversiunii fotovoltaice a radiaţiei solare în structurile studiate n+ITO/SiO2/nSi.
3.3. Determinarea grosimii optimale a stratului frontal ITO în celulele solare

n+ITO/SiO2/nSi
3.3.1. Proprietăţile optice ale straturilor subţiri ITO
Distribuţiile spectrale ale coeficienţilor de transmisie şi reflexie a stratului subţire ITO cu
diferite grosimi obţinut pe substrat din cuarţ sunt prezentate în Figura 3.14.
Din figura prezentată observăm că în domeniul lungimilor de undă vizibile transparenţa
structurilor subţiri ITO este aproape de 92%, iar 8% din lumina incidentă pe suprafaţa stratului
este reflectată [92]. După cum se ştie coeficientul de absorbţie a luminii de către un corp solid
este mărimea inversă a grosimii stratului în acest material în care intensitatea luminii incidente se
micşorează de e ori. Cunoscând coeficienţii de transmisie şi reflexie a materialului (în cazul
nostru a materialului semiconductor) în dependenţă de lungimea de undă incidentă se poate
determina coeficientul de absorbţie a luminii de lungimea de undă corespunzătoare . Spectrul de
absorbţie în cazul tranziţiilor directe permise în semiconductor este dat de relaţia:
1
 (h )  A(h  E g ) 2 (3.14)
unde A poate fi considerat o constantă.

Din relaţia prezentată se vede că tranziţiile directe a electronilor din banda de valenţă în
banda de conducţie se vor începe la energii ale luminii incidente mai mari decât Eg. Începând cu
energiile menţionate, dependenţa  2  f (h ) va fi liniară (vezi Figura 3.14), iar extrapolarea
dreptei până la axa energiilor va indica lărgimea energetică a benzii interzise în cazul nostru a
ITO, care, cum observăm, este egală cu 3,9eV.
Deoarece pentru obţinerea celulelor solare straturile Subţiri ITO se depun pe siliciu, au
fost studiate spectrele coeficientului de reflexie a acestor straturi în dependenţă de grosimea lor.
Grosimea straturilor ITO se varia prin cantitatea soluţiei pulverizate. Distribuţiile spectrale ale
coeficientului de reflexie sunt prezentate în Figura 3.15. Din figura prezentată observăm că
lungimile de undă mai mici de 200nm sunt absorbite în straturile ITO.
84
1,0
P1 (10ml)
P2 (15ml)
0,8 P3 (20ml)
T (unit.arb.)
0,6
0,4
0,2
0,0
500 1000 1500 2000 2500
 (nm)
a)
1,0
P1 (10ml)
P2 (15ml)
0,8 P3 (20ml)
R (unit.arb.)
0,6
0,4
0,2
0,0
500 1000 1500 2000 2500
 (nm)
b)
100
P1 (10ml)
P2 (15ml)
80 P3 (20ml)
-2
60
(h) , eV cm
2
40
2
20
0
3,0 3,2 3,4 3,6 3,8 4,0 4,2
h  (eV)
c)
Fig.3.14. Distribuţia spectrală a coeficienţilor de transmisie (a) şi de reflexie (b) a straturilor
subţiri ITO depus pe substratul de cuarţ. Figura (c) prezintă dependenţa (αhν)2=f(hv).
85
Pentru lungimile de undă mai mari de 200nm inclusiv şi pentru undele vizibile şi din
regiunea infraroşie apropiată straturile subţiri ITO sunt transparente. În acest domeniu al
spectrului se observă variaţia numărului de maximuri/minimuri ale interferenţei luminii
reflectate de la suprafaţa stratului ITO şi de la interfaţa ITO-Si şi variaţia amplasării acestora.
1,0
356nm
395nm
0,8 461nm
571nm
R (unit.arb.)
0,6
0,4
0,2
0,0
500 1000 1500 2000 2500
 (nm)
Fig.3.15. Distribuţiile spectrale ale coeficientului de reflexia a straturilor ITO depuse pe plachete
de siliciu.
700
600
d (nm)
500
400
300
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
V (ml)
Fig.3.16. Dependenţa grosimii straturilor subţiri ITO de cantitatea soluţiei pulverizate.
Conform relaţiei cunoscute [92]

12
n (3.15)
2d (2  1 )
86
unde: n-indicele de refracţie, egal cu 1,8 pentru ITO [93]; λ1, λ2-lungimile de undă de amplasare
a două maximuri/minimuri vecine; d-grosimea stratului subţire; au fost determinate grosimile
straturilor ITO, obţinute pe plachetele de siliciu, în dependenţă de cantitatea soluţiei pulverizate.
Analizând Figura 3.15 observăm, de asemenea, că numărul de maximuri/minimuri ai
interfeţei se majorează cu creşterea grosimii stratului ITO. Deci, este preferabil de a selecta o aşa
grosime a stratului ITO care va asigura în regiunea de maximă sensibilitate a celulei solare
n+ITO/SiO2/nSi un minimum larg al reflexiei luminii incidente Din Figura 3.16 se observă că
valorile grosimilor straturilor ITO variază de la 290nm până la 720nm şi dependenţa acestora de
cantitatea soluţiei pulverizate este liniară [94].
Pentru a ne asigura de măsurările efectuate, s-a încercat de a calcula grosimea stratului
ITO folosind SEM (Scanning Electron Microscope), modelul VEGA TS 5130, mulţumita
colaborării dintre Centrului Naţional de Studiu si Testare a Materialelor din UTM si Laboratorul
Materiale si Structuri pentru energetica Solara din ASM. In Figura 3.17. este prezentata imaginea
transversala a unei măsurări efectuate pe substrat de Si cu o cantitate a soluţiei pulverizate de
10,5ml. Observam ca valoarea grosimii estimate a stratului ITO este de cca. 403nm care practic
corespunde valorii calculate din dependenta grosimii stratului ITO de cantitatea soluţiei
pulverizate (Figura 3.16). Acest fapt ne demonstrează viabilitatea măsurărilor efectuate si nu
necesita verificarea măsurărilor folosind metode de o precizie mai înalta precum profelometrul,
cu atit mai mult ca valoarea estimata nu poate fi regulata pe parcursul pulverizării cu o precizie
fixa.
Fig.3.17. Imaginea transversală SEM a unei structuri n+ITO/SiO2/nSi.
87
În Figura 3.18 este prezentată dependenţa rezistenţii de suprafaţă straturilor subţiri ITO
depuse pe suportul de cuarţ. Observăm că în cazul nostru rezistenţele variază în limitele valorilor
8-45Ω/ . Luind in consideraţie aceste valori, apare o neconcordanta, dintr-o parte avem nevoie
de grosimi mici a stratului ITO, pentru o transparenta mai înalta, iar din alt punct de vedere avem
o rezistenta de suprafaţa majorata ce poate influenta negativ asupra rezistenţii interne a
joncţiunilor. Pentru o valorificare mai efectiva si mai cantitativa au fost preparate o serie de
structuri n+ITO/SiO2/nSi cu diverse grosimi a stratului frontal ITO, rezultatele cărora sunt
prezentate in paragrafele de mai jos.
45
40
35
30
R (Ohm/patrat)
25
20
15
10
5
250 300 350 400 450 500 550 600 650
dITO (nm)
Fig.3.18. Dependenţa rezistenţii de suprafaţă de grosimea straturilor subţiri ITO
3.3.2. Caracteristicile I-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi in dependenta de grosimea stratului

frontal ITO
În Figura 3.19 sunt prezentate dependenţele curent – tensiune pentru probele
n+ITO/SiO2/nSi în dependenta de grosimea stratului frontal ITO măsurate la întuneric pentru
concentraţia electronilor in Si de 11015cm-3. Intervalul grosimii stratului ITO este cuprins între
290÷570nm. Aspectul general a măsurărilor I-V nu diferă radical, iar potenţialul de difuzie Ud,
determinat prin extrapolarea curbelor are o valoare a tensiunii de 0,54-0,56V. Valorile curentului
de saturaţie I0 variază in dependenta de grosimea stratului ITO si sunt cuprinse intre valorile
3,410-6A/cm2 pentru d=290nm si 2,710-7A/cm2 pentru d=570nm [94, 95].
88
-1
10
290nm UD~ (0,54 ÷ 0,56)V
-2
10 395nm
-3
470nm
10 515nm
-4
570nm
10
I (A/cm )
2 -5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
U (V)
Fig.3.19. Caracteristicile curent-tensiune la întuneric ale structurii n+ITO/SiO2/nSi in

dependenta de grosimea stratului frontal ITO
3.3.3. Caracteristicile C-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi în dependenţă de grosimea stratului

frontal ITO
Analiza dependenţii C-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi in dependenta de grosimea
stratului frontal ITO a fost limitata pentru intervalul grosimilor de (290÷570)nm si este
prezentata in Figura 3.20 pentru frecventa de 10kHz. Aspectul general nu se modifica si
capacitatea se micşorează la aplicarea polarizării negative iar grosimea stratului de sarcina
spaţiala creste. De la zero spre creşterea tensiunii W se micşorează pina cind grosimea va fi zero
in acest caz capacitatea va tinde spre saturaţie (infinit). Purtătorii de sarcina separaţi la bariera
apăruţi in ITO, cu cit ITO este mai subţire cu atit e mai bine sa treacă la suprafaţa stratului
Conform expresiei (3.13), regiunea stratului de sarcina spaţiala in siliciu de la o proba la
alta practic nu variază si este cuprinsa in limitele W=(0,9÷0,96)µm.
Sa presupunem ca nu cunoaştem concentraţia donatorilor in siliciu. Determinam
concentraţia donatorilor si înălţimea barierei diodului Schottky folosind dependenta C-U.
Dependenta 1/C2=f(U) este o linie dreapta si ne demonstrează ca concentraţia donatorilor in
regiunea stratului de sarcina spaţiala este constanta. Astfel putem scrie:
d (1 C 2 ) 1,28 108  0,78 108 (cm 2 F ) 2
  1,25 1016
dU  0,4  0 V
2  1   2   1 
ND           0,95 1015 cm 3
  
q o  d 1 C dU   1,6  10  11,9  8,85 10 14
2 19
 16
  1,25 10 
89
kT N C  2,8  1019 
Vn  ln  0,0259  ln    0,27V
15 
q ND  0,95 10 
Deoarece din intersecţia dependenţii capacitate-tensiune Vbi=0,58V, înălţimea barierei este
Bn  Vbi  Vn  0,85V
2,4
290nm
2,0 395nm
470nm
515nm
1,6
570nm
C (10 F m )
4
-2
1,2
8
0,8
-2
0,4
UD= 0,58V
0,0
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6
U (V)
Fig.3.20. Dependenţele C-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi in dependenta de grosimea

stratului frontal ITO la frecvenţa 10kHz.
3.3.4. Proprietăţile fotovoltaice ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi in dependenta de grosimea

stratului frontal ITO
Stratul subţire ITO, fiind componenta frontală a CS n+ITO/SiO2/nSi, are o influenţă
puternică asupra parametrilor fotovoltaici a celulei. În primul rând grosimea acestui strat
determină cota luminii incidente ce pătrunde până la joncţiune şi se absoarbă în componenta de
bază a celulei solare, siliciu. Evident că cu cât grosimea stratului ITO este mai mică cu atât el va
fi mai transparent pentru radiaţia solară incidentă şi cu atât mai multă lumină de lungimi de undă
mai mici decât λprag va fi absorbită în siliciu. Însă, în acelaşi timp golurile generate în n-Si şi
separate de joncţiune în stratul ITO pentru a fi colectate la borna celulei solare trebuie să se
deplaseze de-a lungul joncţiunii până la contactul cu fâşia metalică a grilei de contact. Pentru
deplasarea purtătorului de sarcină de-a lungul joncţiunii rezistenţa electrică a stratului frontal va
fi mai mică când grosimea lui va fi mai mare. Observăm două condiţii contraversate: pentru a
diminua pierderile optice stratul frontal trebuie să fie de o grosime minimă, iar pentru a diminua
pierderile ohmice acest strat necesită a fi de grosimi mai mari.
90
Grosimea optimală a stratului frontal al celulei solare n+ITO/SiO2/nSi a fost determinată
experimental [89]. În Figura 3.21 sunt prezentate caracteristicile de sarcină a CS n+ITO/SiO2/nSi
în dependenţă de grosimea straturilor ITO.
0,028
0,024
0,020
I (A/cm )
0,016
2
0,012
290nm
0,008 395nm
470nm
0,004 515nm
570nm
0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
U (V)
Fig.3.21. Caracteristicile de sarcină a CS n+ITO/SiO2/nSi în dependenţă de grosimea straturilor

ITO.
Tabelul 3.2. Parametrii fotovoltaici ai celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi in dependenţă de grosimea

straturilor ITO în condiţii AM1,5 pentru concentraţia purtătorilor de sarcina in Si de 1015cm-3
d, Isc, Ucd, FF, Eff, Rser, Rsh,
nm mA/cm2 V % % Ohmcm2 Ohmcm2
290 25,12 0,503 44,08 5,57 10,88 4,9102

395 27,38 0,507 46,47 6,45 10,11 4,6102
470 28,58 0,522 65,02 9,70 3,98 1,7103
485 28,31 0,525 67,69 10,06 2,36 1,7103
515 27,88 0,522 66,23 9,64 4,05 2,5103
555 27,44 0,521 51,51 7,36 8,86 8,5102
570 27,26 0,507 45,32 6,26 8,41 4,8102
630 26,91 0,509 35,56 4,87 13,67 2,3102
Observăm că creşterea grosimii stratului frontal până la 475nm se majorează valoarea Isc
(Figura 3.22). Acest fapt demonstrează că în rezultatul majorării grosimii stratului frontal
pierderile optice nu sunt esenţiale iar micşorarea pierderilor ohmice duc la majorarea Isc până la
91
28,59mA/cm2 în cazul siliciului cu concentraţia electronilor 1015cm-3. Curbele din Figura 3.21
demonstrează în acelaşi timp că rezistenţa serie a CS examinate nu este o valoare bine controlată.
Rezultatele obţinute pe parcursul efectuării lucrării mărturisesc că în cazul utilizării unuia şi
aceluiaşi tip de siliciu în prepararea CS n+ITO/SiO2/nSi rezistenţa serie Rser a CS variază de la
2,57Ohmcm2 până la 10,1Ohmcm2, ce duce la micşorarea valorii coeficientului de umplere a
caracteristicii de sarcină de la 0,72 până la 0,5. Rezistenţa serie este determinată în principal de
volumul plachetei de siliciu şi de grosimea stratului SiO2 a CS n+ITO/SiO2/nSi. Cum au
demonstrat rezultatele de mai sus variaţia concentraţiei purtătorilor de sarcină în siliciu de la
1015cm-3 până la 61016cm-3 nu influenţează esenţial valoarea Rser a CS n+ITO/SiO2/nSi. Rămâne
de presupus că valorile Rser a celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi în mare măsură depind de modul
de obţinere şi de grosimea stratului intermediar SiO2, ce şi va fi obiectul de studiu, rezultatele
căruia sunt expuse în următorul paragraf.
0,029
10
EFF= 10,06%
0,028 9
EFF (%)
0,027 JSC
Isc (A/cm )
2
7
0,026
EFF 6
0,025
5
0,024
250 300 350 400 450 500 550 600 650
dITO (nm)
Fig.3.22. Caracteristica curentului de scurt cirsuit si randamentului structurilor CS

n+ITO/SiO2/nSi în dependenţă de grosimea straturilor ITO.

dependenţă de grosimea straturilor ITO sunt prezentate în Figura 3.23. Observăm că distribuţia
spectrală a eficienţii cuantice a celulelor solare cu concentraţia 11015cm-3 variaza in diferite
regiuni a spectrului. Notăm că eficienţa cuantică internă în regiunea lungimilor de undă 400-
900nm este destul de înaltă şi variază în limitele 0,6-1. Modificarea curbelor dependenţei
eficienţii cuantice interne se observa în regiunea lungimilor de undă 600-900nm. Distribuţiile
spectrale a fotosensibilităţii celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi în dependenţă de grosimea
92
straturilor ITO sunt prezentate în Figura 3.24, din care observăm că fotorăspunsul se
înregistrează în limitele lungimilor de undă 350-1200nm, iar valoarea sensibilităţii mai mare de
0,3A/W cuprinde regiunea lungimilor de undă 440-1000nm. Se observă că variaţia grosimii
stratului ITO în componenta CS influenţează puternic asupra formei curbei distribuţiei spectrale
si asupra valorii numerice a fotorăspunsului.
1,0
290nm
470nm
0,8 570nm
Qef (unit. arb.)
0,6
0,4
0,2
0,0
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
 (nm)
Fig.3.23. Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a celulelor solare n+ITO/SiO2nSi în

dependenţă de grosimea straturilor.
0,6 290nm
470nm
0,5 570nm
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
 (nm)
Fig.3.24. Distribuţiile spectrale a fotosensibilităţii celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi în dependenţă

de grosimea straturilor ITO.
În cazul cresterii grisimii stratului ITO, se vede o micsorare a sensibilitatii in regiunea

lungimilor de unda lungi, fapt care confirma micsorarea valorii tensiunii Ucd. In cazul CS cu
93
grosimea stratului ITO de 470nm, sensibilitatea structurii pe tot intervalul lungimilor de unda
este mult mai inalta si se observa o crestere chiar in intervalul lungimilor scurte, ceia ce
lamureste cresterea valorii Isc (Tabelul 3.2).
Analiza distributiilor spectrale arata ca valoarea cea mai convingatoare a grosimii
stratului ITO in fabricarea CS n+ITO/SiO2/nSi este de cca 470nm. Straturile ITO mai subtiri sunt
mai transparente insa au o rezistenta de suprafata mult mai inalta ce creste rezistenta serie a
dispozitivelor respective si tot odata are un factor de reflexie inalt, fapt ce duce la pierderea
absorbtiei in materialul de baza. In cazul cind stratul ITO este de o valoare mai mare de 500nm,
aportul principal il are coeficientul de transparenta, care la rindul sau nu lasa lumina sa patrunda
in materialul absorbant.
3.4 Dependenta parametrilor celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi de grosimea stratului

SiO2
3.4.1. Metodele de obţinere a straturilor SiO2
În general, influenţa favorabilă a stratului izolator de la interfaţa structurilor de tip SIS
asupra proprietăţilor fizice ale acestora este bine cunoscută [96]. Însă problema constă în faptul
că pentru acelaşi tip de structuri, dar obţinute în diferite condiţii această influenţă n-a fost
studiată suficient. De exemplu structurile ITO/nSi pot fi obţinute prin cel puţin cinci metode
diferite [96, 97], astfel pentru fiecare caz aparte de obţinere a structurilor n+ITO/SiO2/nSi
influenţa stratului izolator asupra parametrilor structurii în calitate de convertor fotovoltaic va fi
specifică.
La realizarea structurilor n+ITO/SiO2/nSi au fost utilizate plachetele de siliciu
monocristaline, orientate cristalografic (100) cu conductibilitatea 0,2Ohm-1cm-1, concentraţia
electronilor 1015cm-3 cu mobilitatea 1380cm2/(V·s). Deoarece obiectele de studiu reprezintă o
structură ce constă dintr-un strat monocristalin cu un strat subţire depus pe el (barieră
superficială), confecţionarea lor conţine următoarele operaţiuni: a) tratarea chimică a
substraturilor monocristaline; b) formarea stratului izolator SiO2; c) depunerea componentei
frontale a structurii sub forma unui strat subţire ITO; d) depunerea contactelor ohmice.
Bariera de potenţial se formează pe suprafaţa siliciului curăţată de grăsimi, oxizi şi atomi
sorbiţi pe suprafaţă. Pentru curăţarea plachetelor de siliciu se efectuează spălarea acestora timp
de 15-20min la o temperatură de 80-85°C în soluţia NH4OH+H2O2+H2O în care substanţele
chimice se conţin în raport 1:1:3. După procesul de degrasare, cu scopul eliminării stratului
oxidic de pe suprafaţa plachetelor, acestea se tratează în acid fluorhidric timp de 5min.
Următoarea treaptă în tratarea chimică a plachetelor de siliciu este eliminarea stratului mecanic
94
deteriorat în procesul de tăiere şi şlefuire a acestuia. Grosimea acestui strat se consideră a fi
d  k   , unde k-este o constantă specifică pentru fiecare material semiconductor concret, pentru
Si k=1,7; δ- dimensiunea particulei abrazive în pulberea folosită pentru tratarea mecanică a
materialului semiconductor cristalin.
Pentru eliminarea stratului mecanic deteriorat se efectuia tratarea chimică a plachetelor de
siliciu în corodanţii ce utilizau ca componente acidul fluoric (HF) şi azotic (HNO3), unde acidul
azotic îndeplineşte rolul oxidantului suprafeţei substratului, iar HF deformatorul (dezoxidantul).
Raportul acestor două componente joacă un rol important în viteza de corodare a suprafeţei
cristalului. În unii corodanţi pentru micşorarea vitezei de corodare şi uşurarea controlului
procesului de corodare în componenţa corodantului se adaugă acidul acetic (CH3COOH).
Neajunsul principal în baza sistemei HF-HNO3 constă în viteze înalte a recombinării la
suprafaţă, ajungând la valoarea de 10-12m/s, care nu asigură o caracteristică stabilă a suprafeţei
cristalului. Pentru înlăturarea acestui neajuns în componenţa coradanţilor chimici se adaugă
Na2Cr2O7 sau cum se va numi in continuare „corodant de pasivare”. Aceşti corodanţi permit
micşorarea valorii curentului indirect şi majorarea tensiunii de străpungere a joncţiunilor în baza
siliciului. Viteza de recombinare la suprafaţă după tratarea în corodanţii respectivi, poate fi
micşorată până la o valoare de 3-5m/s. Variind cantitatea componentei Na2Cr2O7, se poate de
obţinut o suprafaţă atât netedă cît şi zgânţuroasă. Din aceste considerente la tratarea chimică a
plachetelor de siliciu sau folosit 5 tipuri de corodanţi, cu următoarea componenţă a elementelor:
1) NF:HNO3 (1:3)
2) NF:HNO3 (1:3) + NF:HNO3:CH3COOH (1:3:8)
3) NF:HNO3:CH3COOH (1:1:3)
4) NF:HNO3:CH3COOH (3:3:5)
5) NF:HNO3:1% Na2Cr2O7 (2:3:0,1)
Timpul de tratare chimică diferenţia pentru fiecare tip de corodant în parte reieşind din
calculele cantitatii raportului dintre oxidant si dezoxidant. După spălare minuţioasă în apă
bidistilată suprafeţele plachetei de siliciu se considerau purificate şi se trecea la formarea
stratului izolator pe suprafaţa componentei de bază a celulei solare.
Formarea stratului oxidic SiO2 pe suprafaţa Si poate fi efectuata prin folosirea metodelor
de oxidare anodică, chimică şi termică. Însă în cazul preparării celulelor solare n+ITO-SiO2-nSi
cu suprafeţe active majorate mai acceptabile s-au dovedit a fi metodele chimice şi termice de
oxidare a suprafeţei siliciului.
Metoda chimică constă în următorul: după tratarea plachetelor de siliciu în corodantul,
conţinutul căruia este bazat pe acizii HF şi HNO3, şi spălarea plachetelor în apă bidistilată,
95
acestea se tratau în diferite perioade de timp în HNO3, deoarece anume acest acid în corodantul
utilizat joacă rolul oxidantului. Considerând grosimea stratului oxid, format în rezultatul acestei
tratări, proporţională cu durata tratării, au fost obţinute plachete de siliciu cu diverse grosimi ale
stratului SiO2. Analizind rezultatele din Tabelul 3.3 (punctul 2,5 si 6) se observa ca tratarea in
HNO3 timp de 15sec deja duce la creşterea stratului izolator SiO2 cu cca. 5Å. La creşterea de mai
departe timpului de tratare, plus 15sec, valoarea stratului izolator se măreşte cu o marine de 10Å.
Rezultatele respective demonstrează viabilitatea metodii chimice de obtinere a stratului izolator
SiO2. Insa, valorile respective sunt prea inalte pentru a le lua in consideratie.
Ce priveşte metoda termică de oxidare a suprafeţei plachetelor de siliciu, se poate
constata următorul. Metoda de depunere a stratului frontal ITO prin pulverizarea şi piroliza
soluţiei chimice prevede încălzirea plachetei de siliciu până la 450-500°C într-un mediu oxidant,
format de oxigenul comprimat folosit pentru pulverizarea soluţiei în etanol a clorurilor de indiu
şi staniu. Clar că în timp de ~2min ce ocupă instalarea plachetei pe suport în interiorul cuptorului
electric, încălzirea acestei şi depunerea stratului ITO, suprafaţa plachetei de siliciu se oxidează.
Insa in cazul nostru aceasta oxidare este de o mărime de (1÷2)Å, care de fapt este considerata o
mărime de eroare relativa a măsurărilor. Ca si in cazul precedent, putem neglija creşterea
respectiva bazindune pe măsurările făcute din Tabelul 3.3.
Reieşind din cele expuse, s-a ajuns la concluzia de cercetarea structurilor n+ITO-SiO2-nSi
in dependenta de grosimea stratului izolator SiO2, utilizind diverşi corodanti. Despre grosimea şi
structura straturilor SiO2 formate vom vorbi puţin mai jos.
3.4.2. Determinarea grosimii straturilor SiO2

Măsurătorile grosimilor straturilor SiO2 obţinute pe plachetele de siliciu prin metodele
descrise în paragraful 3.4.1 au fost efectuate prin metoda elipsometrică la Centrul Fotovoltaic
ENEA, Portici, Italia, iar rezultatele obţinute sunt prezentate în Tabelul 3.3.
Analizând Tabelul 3.3 – menţionăm că toate treptele de degrasare în NH4:H2O2:H2O
(1:1:3), tratare în HF şi corodare în HNO3:HF (3:1) în cazul probelor 2,3,4,5,6 şi 7 au fost
efectuate pentru toate probele într-un proces unic, care a asigurat unele şi aceleaşi condiţii de
tratare. Observăm că valorile grosimilor straturilor subţiri oxidice obţinute pe suprafaţa
plachetelor de siliciu sunt prea mari pentru a fi transparente în procesul de separare a golurilor de
bariera de potenţial n+ITO-SiO2-nSi. Se poate de presupus că straturile oxidice obţinute sunt
poroase şi din această cauză tunelarea golurilor prin aceste straturi totuşi este posibilă ce şi se
demonstrează experimental prin măsurarea parametrilor fotovoltaici.
96
Tabelul 3.3. Valorile grosimilor straturilor SiO2, formate pe suprafaţa Si (n=1015cm-3)
Grosimea
Nr.
Metoda tratării suprafeţei de siliciu stratului SiO2
pr.
(Å)
1 Degrasare NH4:H2O2:H2O (1:1:3) + tratare HF 23
2 Degrasare + tratare HF + HNO3:HF (3:1) timp 2,10min 70
3 Degrasare + tratare HF + HNO3:HF (3:1) timp 2,10min + tratare termică
450oC timp 1min 72
4 Degrasare + tratare HF + HNO3:HF (3:1) timp 2,10min + tratare termică
450oC timp 3min 72
5 Degrasare + tratare HF + HNO3:HF (3:1) timp 2,10min + tratare HNO3,
timp 15s 75
6 Degrasare + tratare HF + HNO3:HF (3:1) timp 2,10min + tratare HNO3,
timp 30s 85
7 Degrasare + tratare HF + HNO3:HF (3:1) timp 2,10min+ tratarea
HNO3:HF:CH3COOH (3:1:8) timp 20min la T=80-85oC 75
8 Degrasare + tratare HF + tratare HNO3:HF:CH3COOH (1:1:3) timp 3min 90
9 Degrasare + tratare HF + tratare HNO3:HF:CH3COOH (3:3:5) timp 3min 110
10 Degrasare + tratare HF + tratare HF:HNO3:1% Na2Cr2O7 (2:3:0,1) timp
30sec 30
60sec 30
90sec 35
90sec + tratare HF timp 10sec 30
Se poate de atras atenţia şi la faptul că nici tratarea suplimentară termică, nici cea chimică
nu majorează esenţial grosimea straturilor oxidice. În acest caz pentru a obţine straturi
monolitice este logic de a micşora viteza corodării suprafeţei de siliciu, deci de utilizat pentru
acest proces, de exemplu, corodanţii care au o viteză de corodare mai mică (cazul probelor 7,8 şi
9). Însă în aceste cazuri valorile straturilor oxidice sunt şi mai mari, ceea ce probabil se datorează
creşterii conţinutului acidului azotic în corodanţii menţionaţi. Pentru a micşora valoarea stratului
SiO2, proba 2 a fost supusă unor tratări suplimentare în acid fluoric. In Figura 3.25 este
97
prezentată dependenţa grosimii stratului SiO2 de timpul tratării plachetei de siliciu în acid fluoric
(proba 2). Tratarea suplimentară permite reducerea valorii stratului oxidic până la 43Å.
65
60
groimea SiO2 (Ancstremi) 55
50
45
40
0 100 200 300 400
timpul (s)
Fig.3.25. Dependenţa grosimii stratului SiO2 de timpul tratării plachetei de siliciu în acid fluoric.
În cazul tratării chimice, pasivarii, cu corodanţii în conţinutul cărora este folosit

Na2Cr2O7 (cazul probelor 10, 11, şi 12) observăm că straturile oxidice au valori în jur de 30Å, iar
tratarea suplimentară în HF nu modifica esenţial valorile respective, mentininduse in limitele de
până la 30Å (cazul probei 13).
Rezultatele respective au fost reduse la obţinerea a 4 tipuri de celule solare n+ITO-SiO2-
nSi cu grosimi a stratului izolator SiO2 de 30, 75, 90 si 110Å.
3.4.3. Caracteristicile I-U ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi cu diverse grosimi ale stratului
intermediar SiO2
În Figura 3.26 sunt prezentate dependenţele curent–tensiune pentru probele
n+ITO/SiO2/nSi cu diverse grosimi ale stratului intermediar SiO2, măsurate la întuneric, pentru
concentraţia electronilor in Si de 11015cm-3. Intervalul grosimii stratului intermediar SiO2 este
cuprins intre 30÷110Å. Aspectul general a măsurărilor I-V nu diferă radical, iar potenţialul de
difuzie Ud, determinat prin extrapolarea curbelor are o valoare a tensiunii de 0,54V. Valorile
curentului de saturaţie I0 practic nu variază si sunt cuprinse in intervalul (2,3÷6,08)10-6A/cm2
pentru d=470nm. Totusi, se poate de conchis că nitrura de natriu întra-devăr duce la micşorarea
valorii curentului indirect şi majorarea tensiunii de străpungere a joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi.
98
-2
10
-3
10
-4
10
I (A/cm )
-5
2
10
-6
10
-7
10 30A
75A
-8
10 90A
110A
-9
10
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
U (V)
Fig.3.26. Caracteristicile curent-tensiune la întuneric ale structurii n+ITO/SiO2/nSi cu diverse

grosimi ale stratului intermediar SiO2.
3.4.4. Caracteristicile C-U şi cinetice ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi cu diverse grosimi ale
stratului intermediar SiO2
Scopul acestor măsurători constă în studiul influenţei grosimii stratului izolator SiO2,
format prin metoda chimică, asupra parametrilor celulelor solare în baza structurilor
n+ITO/SiO2/nSi. Cum a fost menţionat mai sus, plachetele de Si au fost tratate chimic şi, în final,
suprafaţa siliciului a fost tratată în diverse moduri pentru formarea stratului izolator de SiO2.
Figura 3.27 prezintă dependenţele capacitate-tensiune ale structurilor n+ITO/SiO2/nSi la
întuneric. În domeniul de polarizare între -1V şi 0,2V caracteristicile C-2=f(U) sunt liniare şi
demonstrează că joncţiunile studiate sunt abrupte. Valoarea potenţialului de difuzie Ud
determinată prin extrapolarea dependenţei C-2=f(U) până la intersecţia cu axa x în limitele erorii
experimentului este diversa: Ud=0,56V pentru dox=30Å; Ud=0,61V pentru dox=75Å; Ud=0,6V
pentru dox=90Å si Ud=0,6V pentru dox=110Å. Valoarea aceluiaşi parametru Ud determinată din
caracteristicile curent-tensiune, pentru toate grosimile stratului izolator SiO2, este egală cu 0,54V.
Utilizând ecuaţia (3.13), valoarea grosimii stratului de sarcină spaţială este cuprinsa in
intervalul 0,85÷0,9µm si descreste ca valoare la cresterea grosimii stratului izolator SiO2.
Comparând valorile grosimii stratului de sarcină spaţială în joncţiunea n+ITO/SiO2/nSi obţinute
din caracteristicile curent-tensiune, care este W=0,85µm şi caracteristicile capacitate-tensiune
observăm o concordanţă foarte satisfacatoare a acestor valori. Considerând capacitatea specifică
minimă a joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi polarizate direct egală cu capacitatea unui condensator,
plăcile căruia sunt situate la o distanţă egală cu grosimea stratului dielectric SiO2, s-a încercat
99
calculul acestei grosimi. Însă rezultatele obţinute nu pot fi considerate reale din cauza că la
valorile obţinute a grosimii stratului izolator nu poate fi admisă tunelarea purtătorilor de sarcină
prin acest strat.
2,0 30A
75A
1,6 90A
110A
C (10 F m )
4
1,2
-2
8
0,8
-2
0,4
0,0
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
U (V)
Fig.3.27. Dependenţele C-U a structurilor n+ITO/SiO2/nSi in dependenta de grosimea stratului

dielectric SiO2 la frecvenţa 10kHz.
3.4.5. Proprietăţile fotovoltaice ale structurilor n+ITO-SiO2-nSi cu diverse grosimi ale stratului
intermediar SiO2
În Figura 3.28 sunt prezentate curbele caracteristicilor de sarcină ale CS n+ITO/SiO2/nSi
cu diverse grosimi ale stratului intermediar SiO2, pentru concentraţia purtătorilor de sarcina in Si
de 1015cm-3, la puterea radiaţiei incidente AM1,5 (100mW/cm2), cu parametrii fotovoltaici in
Tabelul 3.4. Eficienta de conversie este maxima pentru proba cu siliciul tratat în solutia
HF:HNO3:1% Na2Cr2O7 (2:3:0,1). Analizând curbele din Figura 3.28 observăm că cu creşterea
grosimii stratului dielectric SiO2 valorile Isc ai probelor examinate cresc, ceia ce nu ar trebui sa se
intimple din cauza grosimii mult excesive a stratului dielectric, care ajunge la o saturatie de cca
100Å, dupa care observam o descrestere a curentului. Acelasi efect se observa si in dependenta
fotasensibilitatii (Figura 3.30). Totusi, se observa ca pasivarea suprafetei stratului absorbant duce
la micsorarea rezistentii serie si la rindul sau cresterii FF, ceia ce a permis majorarea eficientii de
conversie cu cca 0.25% fata de corodarea normala.
100
0,032
0,028 pasivare
0,024
I (A/cm ) 0,020
2
0,016
0,012
30A
0,008
75A
0,004 90A
110A
0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
U (V)
Fig.3.28. Caracteristicile de sarcină a CS n+ITO/SiO2/nSi cu diverse grosimi ale stratului

intermediar SiO2
Tabelul 3.4. Parametrii fotovoltaici ai celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi cu diverse grosimi ale
stratului intermediar SiO2 în condiţii AM1,5
d, Isc, Ucd, FF, Eff, Rser, Rsh,
Å mA/cm2 V % % Ohm·cm Ohm·cm2
2
30 29,68 0,522 66,17 10,25 2,62 1,70E3

75 31,62 0,487 64,68 9,96 2,66 1,41E3
90 32,71 0,487 56,47 9 2,81 5,91E2
110 31,08 0,484 55,15 8,3 4,19 1,65E2

dependenţă de grosimea stratului intermediar SiO2 sunt prezentate în Figura 3.29. Observăm că
distribuţia spectrală a eficienţii cuantice a celulelor solare cu concentraţia 11015cm-3 practic nu
variaza in regiunia spectrului analizat. Eficienţa cuantică internă în regiunea lungimilor de undă
400-900nm este destul de înaltă. Doar in cazul structurii cu stratul intermediar SiO2 de 30Å avem
o sensibilitate mai joasa in regiunea lungimilor de unda lungi. In Figura 3.30 sunt prezentate
distribuţiile spectrale a fotosensibilităţii celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi în dependenţă de
grosimea stratului intermediar SiO2, din care observăm că fotorăspunsul se înregistrează în
limitele lungimilor de undă 350-1200nm. Se observă că variaţia grosimii stratului intermediar
101
SiO2 în componenta CS nu influenţează puternic asupra formei curbei distribuţiei spectrale si
asupra valorii numerice a fotorăspunsului.
1,0
30A
75A
0,8 90A
110A
Qef (unit. arb.)
0,6
0,4
0,2
0,0
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
 (nm)
Fig.3.29. Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a celulelor solare n+ITO/SiO2nSi în

dependenţă de grosimea stratului intermediar SiO2.
0,7
30A
0,6 75A
90A
0,5 110A
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
 (nm)
Fig.3.30. Distribuţiile spectrale a fotosensibilităţii celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi în dependenţă

de grosimea stratului intermediar SiO2.
3.5. Panouri solare în baza structurilor n+ITO/nSiO2/nSi

În ultimii ani circa 80% din producţia mondiala a panourilor solare era pe baza siliciului
cristalin. Siliciul cristalin este materialul care predomina pe piaţa fotovoltaicii si poate sa
menţină aceste poziţii un timp destul de îndelungat. Un avantaj al celulelor solare în baza
102
siliciului cristalin este durata lor buna de funcţionare care atinge cca. 35 de ani. Se considera ca
durata lor de funcţionare nu este limitata din cauza celulelor ci din cauza sistemului electric de
cuplare a celulelor.
In paragraful dat urmează descrierea lucrărilor de asamblare a unor panouri solare de
diverse puteri in baza celulelor solare cu joncţiunea n+ITO/SiO2/nSi formate pe suprafaţa de
siliciu cu diametrul 100mm prin pulverizarea şi piroliza la temperatura cca 450°C a soluţiei
chimice în alcool InCl3:SnCl4.
Rezultatele acumulate pe parcursul lucrării de obţinere a celulelor solare în baza
joncţiunilor n+ITO/SiO2/nSi au permis formularea unor concluzii si perfectarea tehnologiei
elaborate pentru fabricarea panourilor solare [98].
3.5.1. Particularităţile formării joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi

În procesul de elaborare a metodei de obţinere a joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi pe suprafaţa
egală cu suprafaţa plachetei de siliciu au fost folosite procedeele utilizate în industria
microelictronică. Ca de obicei, elaborarea unui procedeu concret, cum este formarea joncţiunii
izotipice n+ITO/SiO2/nSi pe suprafeţe majorate, este însoţită de o mulţime de particularităţi,
executarea cărora este strictă pentru, în primul rând, a obţine rezultatul necesar şi, în al doilea
rând, pentru a majora probabilitatea de repetare a procedeului elaborat.
Pentru formarea joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi au fost utilizate plachetele de siliciu cu
conductibilitate electronică egală cu 0,2Ohm-1·cm-1, rezistenţa electrică specifică ρ=4,5Ohm·cm,
concentraţia N=1015cm-3, mobilitatea electronilor µ=1380cm2/V·s produse în Rusia, rebutate în
industria microielictronică. Anume acest argument trebuie de specificat, deoarece toate panourile
create pe parcursul acestei lucrări au fost elaborate in baza siliciului rebutat. În urma mult
repetatelor experienţe a fost determinat procedeul optimizat de prelucrare chimică a plachetelor
de siliciu utilizate, care constă în paşii descrişi in paragraful 3.4.
În paragraful 3.1 multă atenţie s-a acordat depunerii şi formării contactului ohmic frontal
al celulelor solare obţinute, deoarece pentru obţinerea acestuia este necesar un echipament
respectiv complicat. La prima vedere pare că formarea contactului ohmic din spate a celulelor
solare nu poate întâlni dificultăţi. Însă, s-a dovedit a fi invers. Evident, că până la formarea
contactului ohmic suprafaţa siliciului trebuie să fie pregătită. De unde apare această necesitate?
După tratarea chimică a plachetei de siliciu (particularităţile sunt enumerate mai sus) există două
posibilităţi. Prima este obţinerea joncţiunii prin depunerea stratului subţire ITO, iar a doua este
formarea contactului ohmic din spate din stratul metalic de cupru prin evaporarea termică în vid
a cuprului. În cazul realizării primei posibilităţi placheta de siliciu este amplasată în interiorul
103
cuptorului electric la temperatura cca. 450°C. Evident, că suprafaţa plachetei pe care nu s-a
depus stratul subţire ITO la această temperatură se oxidează şi, pentru a forma pe această
suprafaţă contactul ohmic din spate, stratul oxid trebuie să fie eliminat. În cazul realizării
posibilităţii a doua, stratul metalic al contactului ohmic din spate din cupru se oxidează şi cere a
fi înnoit prin depunerea repetată a acestuia.
S-a dovedit a fi optimală următoarea succesiune a operaţiunilor tehnologice:
1. tratarea chimică a plachetei de siliciu;
2. formarea joncţiunii n+ITO-SiO2-nSi;
3. formarea contactului ohmic din spate prin depunerea stratului metalic de cupru pe
suprafaţa liberă tratată mecanic a plachetei de siliciu.
Tratarea mecanică a suprafeţei de siliciu, care a constat în rodarea acestei prin folosirea
pulberii abrasive cu dimensiunile particulelor 10-14µm, este preferabilă pentru obţinerea
contactului ohmic, deoarece după o astfel de prelucrare la interfaţa metal-semiconductor se
formează un strat de neregularităţi. Acest strat joacă rolul unui strat de recombinare intensivă a
purtătorilor de sarcina injectaţi din contactul ohmic în semiconductor, unde apariţia lor nu este
dorită. Respectarea succesiunii menţionate a operaţiunilor tehnologice evită necesitatea creării
centrelor de recombinare prin introducerea impurităţilor în suprafaţa semiconductorului pe care
se formează contactul ohmic. Stratul de cupru a fost selectat din cauza ca, avind lucrul de ieşire
al electronului mai mic decit lucrul de ieşire din siliciu, formează la interfaţa cupru-siliciu un
strat îmbogăţit de purtători de sarcina, deci un contact ohmic. Imediat după realizarea contactului
ohmic din spate pe suprafaţa stratului ITO se efectua depunerea contactului frontal.
3.5.2. Tăierea celulelor solare din plachetele de siliciu

Joncţiunea n+ITO/SiO2/nSi se formează pe toată suprafaţa plachetei de siliciu cu
diametrul 100mm. Celulele solare în baza acestei joncţiuni pot fi de configuraţie rotundă sau de
altă configuraţie, tăiată din placheta rotundă de siliciu.
Tipul de configuraţie a celulelor solare a depins de cerinţele noastre şi de modul de
asamblare a panoului solar. Celulele solare rotunde ocupă mai mult spaţiu decât, de exemplu,
celulele optoedrice, din acest caz spaţiul primului panou va fi mai mare decât al doilea. Având în
vedere cele expuse şi pentru evitarea contactului electric între stratul frontal şi contactul ohmic
din spate ale celulei solare, configuraţia celulelor solare s-a ales a fi optoedrică. Tăierea celulei
solare din placheta de siliciu s-a efectuat prin două metode, descrise mai jos.
Tăierea CS din placheta de siliciu prin metoda scribing s-a efectuat manual cu folosirea
unui cuţit special cu tăiş din diamant. Cuţitul cu o viteză şi o presiune cât se poate mai constante
104
manual se deplasează pe suprafaţa plachetei de siliciu. În urma cuţitului rămâne o zgârâitură care
deformează materialul şi reduce rezistenţa mecanică a acestuia, de acea placheta de siliciu se
rupe de-a lungul zgârâiturii. Această metodă de tăiere a CS este simplă, dar necesită o antrenare
corespunzătoare, si in primul rind ca mişcările efectuate să fie identice la multiple repetări.
Suportul pe care se amplasează placheta de siliciu trebuie să nu se supună curburii, deoarece din
această cauză ruptura se realizează deseori nu în locul aşteptat.
Pentru înlăturarea dificultăţilor întâlnite la tăierea celulelor solare prin metoda scribing a
fost construită instalaţia, imaginea căreia este prezentată în Figura 3.31.
Fig.3.31. Imaginea instalaţiei pentru tăierea celulelor solare

1 – motor electric; 2 – bloc de alimentare; 3 – disc cu tăiş exterior; 4 – suport pentru placheta
de siliciu; 5 – loc de situare a plachetei de siliciu; 6 – limitator; 7 – lacăt; 8 – şuruburi de
reglare; 9 - introducător
Din Figura 3.31 se observă că instalaţia este compusă din motorul electric de curent
continuu (1) cu 3900rot/min şi blocul de alimentare (2), care asigură tensiunea electrică 28V. Pe
axul motorului este amplasat un disc special cu tăiş exterior (3). Tăişul este format prin
depunerea pulberii de diamant şi are grosimea de 0,4mm. Suportul (4) este fabricat dintr-o placă
metalică de grosimea cca 7mm, în partea dreaptă a căreia este formată o adâncitură de 2-3mm
rotundă (5) de diametrul egal cu diametrul plachetei de siliciu. Suportul (4) poate fi deplasat de-a
lungul discului (3) şi de-a lungul limitatorului (6), care asigură identitatea deplasărilor. Placheta
de siliciu se situează în adâncitura (5) între două plachete de cauciuc şi se fixează prin lacătul
(7). Lacătul (7) prin înşurubarea sau deşurubarea şuruburilor (8) permite reglarea adânciturii de
tăiere a plachetei de siliciu.
Aşadar, utilizând instalaţia descrisă este posibilă formarea zgârâiturilor identice, care
permit la aplicarea unei forţe uşoare manuale ruperea plachetei în locurile prevăzute.
105
3.5.3. Parametrii celulelor solare obţinute
Utilizând tehnologia elaborată au fost fabricate 250 de celule solare cu suprafaţa activă a
fiecărei de 48,6cm2, dintre care numai 6 celule au fost rebutate din cauza că joncţiunea din
întâmplare a fost obţinută pe pachetele de siliciu de conductibilitate electronică cu valoarea
1S/cm, suprafaţa de lucru a căreia este planul (111). S-a dovedit a fi că orientarea cristalografică
a suprafeţei de lucru a plachetei de siliciu are o mare importanţă în cazul obţinerii joncţiunii prin
metoda de pulverizare şi piroliză a soluţiei chimice. Această metodă se constată a fi aplicată
numai în cazul obţinerii joncţiunii pe suprafaţa (100) a plachetei de siliciu. In lucrare au fost
efectuate investigaţiile de selectare a plachetelor de siliciu pentru obţinerea joncţiunilor eficiente
în dependenţă de concentraţia acestora şi nu în dependenţă de orientarea cristalografică a
suprafeţei pe care se formează joncţiunea [99]. Analiza parametrilor fiecărui element in parte a
permis obţinerea a unei histograme pentru suprafaţa de 48,6cm2 a randamentului CS care este
prezentata in Figura 3.32. Măsurarea CS a fost efectuata la iluminarea de cca.80mW/cm2.
Fig.3.32. Histigrama randamentului celulelor solare n+ITO/SiO2/nSi cu aria activa

48,6cm2 măsurate la iluminarea de 80mW/cm2.
Rezultatele prezentate demonstrează ca 75% din elementele obţinute au valoarea

randamentului cuprinsa intre 6-8%, dintre care 59% întrec eficienta de 7%. Se poate de conclus
ca la iluminarea standartă AM1,5 aceste valori ar trebui sa crească in mediu cu 10-15% ceea ce
ar însemnă ca randamentul celulelor solare va fi in jur de 7-9%. Desigur aceasta valoare a
randamentului nu poate fi comparata cu valoarea eficienţii de conversie care este propusa pe
piaţă, insa argumentul nostru demonstrează ca in baza metodei respective si in baza plachetelor
de siliciu defectate mecanic si chimic, se poate ajunge la un randament de cca. 9% (Figura
3.11b)), care după părerea mea este un argument destul de puternic.
106
3.5.4. Asamblarea panoului solar
Cu scopul de a demonstra viabilitatea metodei elaborate de obţinere a celulelor solare a
fost asamblate patru panouri solare. Au fost selectat un set din 216 celule solare. Acest set de
celule a fost împărţit în două părţi a cite 36 de celule solare pentru a asambla două panouri solare
si doua părţi a cite 72 celule solare pentru a asambla alte doua panouri de o putere mai mare. În
primul lot au fost selectate 72 de celule solare care la o iluminare identică obţineau valorile
curentului de scurt circuit în limitele de la 800 până la 900mA şi tensiunii circuitului deschis în
limitele 0,45-0,5V. Al doilea lot a fost alcătuit din 144 de celule solare, care posedau valorile
curentului de scurt circuit în limitele 1000-1200mA şi valorile tensiunii circuitului deschis în
limitele 0,5-0,53V. Selectarea celulelor solare a fost efectuată la iluminarea acestora cu un bec
electric de putere 150W de la o distanţă de 15cm care are o putere de iluminare de cca. 80
mW/cm2.
Panourile solare au fost asamblate prin unirea celulelor solare in serie [99]: a)doua
panouri solare, fiecare a cite 36 de elemente, cu o suprafaţă activă de 0,175m2 si o putere
electrica a cite 12W, iar parametrii fotovoltaici de Isc=0,8A; Ucd=15,4V si Isc=0,77A; Ucd=16,2V
respectiv; b)altele 2 panouri solare fiecare a cite 72 elemente, cu parametrii eficienţii de
conversie intre 7-9%. Aceste panouri aveau o suprafaţa activa de 0,35m2 si o putere electrica de
32W cu parametrii fotovoltaici Isc=2A; Ucd=16V si 38W cu parametrii fotovoltaici Isc=1,2A;
Ucd=32,4V. Panourile au fost cercetate in condiţiile iluminării naturale care varia intre 700-
740W/m2 [98].
Conectarea consecutivă a celulelor solare s-a efectuat prin sudarea conductorilor izolaţi la
fâşiile grilei de contact a primei celule şi contactului din spate a celulei ulterioare. Imaginea
generală a panourilor solare asamblate este prezentată în Figura 3.33.
Fig.3.33. Panouri solare în baza celulelor solare obţinute prin tehnologia elaborată.
107
Analizând rezultatele expuse pot fi formulate următoarele generalizări:
1. S-a elaborat instalaţia şi tehnologia de obţinere a straturilor subţiri oxide de SnO2 şi
In2O3:SnO2 (ITO) cu grosimea de 0,2-0,7µm, uniforme pe suprafaţa până la 75cm2. Straturile
subţiri nominalizate posedă rezistivitatea de suprafaţă 15-50Ohm/ , conductibilitatea prin
electroni de (7,5÷48)×102S/cm, asigurată de concentraţia purtătorilor de sarcină
(3,5÷15)×1021cm-3 şi mobilitatea acestora de (15÷30)cm2/(V×s).
2. S-a elaborat procedeul de obţinere a joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi în baza straturilor subţiri
In2O3:Sn şi a plachetelor de Si, cu joncţiunea formată prin pulverizarea soluţiilor chimice a
clorurilor de indiu şi staniu pe suprafaţa plachetelor de siliciu tratate chimic tradiţional,
pasivate şi încălzite până la temperatura 450°C.
3. Cercetarea proprietăţilor electrice a structurilor n+ITO/SiO2/nSi a permis determinarea
mecanismului de transport al sarcinilor electrice prin bariera de potenţial la polarizarea
directă. Au fost observate două mecanisme de transport - de tunelare-recombinare până la
tensiunile aplicate de 0,3V şi de emisie peste bariera de potenţial la tensiuni mai mari de
0,3V. La polarizarea indirectă a structurilor n+ITO/SiO2/nSi mecanismul de transport al
purtătorilor de sarcină este determinat de curenţii de scurgere.
4. În baza structurilor n+ITO/SiO2/nSi s-a elaborat procedeul, care include traseul tehnologic şi
fişele tehnologice de fabricare a convertoarelor fotovoltaice de uz practic cu suprafaţa activă
până 48,6cm2. Eficienţa maximală de 10,25% se obţine în condiţiile orientării cristalografice
a suprafeţei plachetei de siliciu (100), suprafeţei active de 8,1cm2 , grosimii stratului ITO –
siliciu de (1-5)×1015cm-3.
5. Viabilitatea tehnologiei elaborate se demonstrează prin fabricarea în condiţii de laborator a
seriei mici de elemente fotovoltaice şi asamblarea în baza lor a panourilor solare de putere
până la 30W.
108
4. OBŢINEREA ŞI CERCETAREA CELULELOR SOLARE BILATERALE
n+Si/nSi/iSiO2/n+ITO
În practica mondială de fabricare a celulelor solare sunt cunoscute celule solare bilaterale
de tip p+-p-n+ sau n+-n-p+. Aceste dispozitive fotovoltaice se bazează pe formarea a două
joncţiuni, şi anume, a joncţiunii anizotipe p-n+ sau n-p+ pe o suprafaţă a plachetei de siliciu şi a
joncţiunii izotipe p+-p sau n+-n pe altă suprafaţă a plachetei [57]. Joncţiunile menţionate se obţin
tradiţional prin difuzia impurităţilor în placheta de siliciu. Procedeul de difuzie este un procedeu
complicat, care necesită consum considerabil de energie, condiţii speciale şi o strictă dirijare. În
cazul fabricării celulelor bilaterale complicaţiile se dublează. Apar dificultăţi din cauza
necesităţii de a efectua procesul de difuzie pentru două impurităţi, care influenţează contrar
asupra proprietăţilor plachetei de siliciu. Urmează probleme de protejare a joncţiunii formate în
timpul formării joncţiunii secunde.
Problemele menţionate pot fi înlăturate prin elaborarea celulei solare cu fotosensibilitate
bilaterală numai în baza joncţiunilor izotipe de tip n+-n-n+. În acest caz, luând ca exemplu celula
solară din siliciu, este necesar de a efectua un singur proces de difuzie la formarea joncţiunii
n+Si/nSi. A doua joncţiune nSi/n+ITO se formează prin procedeul de pulverizare pirolitică a
soluţiei chimice a clorurilor de staniu şi indiu în etanol pe suprafaţa plachetei de siliciu liberă de
joncţiunea n+Si/nSi.
In capitolul dat este elaborată concepţia celulei solare bilaterale cu joncţiuni izotipe,
modelată şi evaluată diagrama energetică a celulei solare de acest tip n+Si/nSi/n+ITO, preparate
componentele şi sistemul fotovoltaic integru menţionat, studiate proprietăţile electrice şi
fotoelectrice, demonstrată viabilitatea unui nou tip de elemente fotovoltaice cu fotosensibilitate
bilaterală, bazate pe joncţiuni izotipe. Este descrisă succesiunea operaţiunilor tehnologice pentru
obţinerea celulelor solare bilaterale n+ITO/SiO2/nSi/n+Si de tip nou cu joncţiuni izotipe [100].
Au fost efectuate măsurătorile caracteristicilor electrice şi fotoelectrice ale obiectelor de
studiu nominalizate. În rezultatul analizei complexe a datelor experimentale s-a constatat că
rezultatele obţinute bine se încadrează în modelul joncţiunii de tip MIS. Modificarea situării
joncţiunii din spate n+-nSi a celulei bilaterale prin variaţia duratei timpului de difuzie a fosforului
în placheta de siliciu practic nu influenţează asupra proprietăţilor electrice ale obiectului de
studiu. Parametri fotovoltaici principali ai celulei solare bilaterale preparate la iluminarea acestea
simultan din partea frontală şi din cea din spate se sumează, ce serveşte ca o dovadă a elucidării
corecte a principiului de funcţionare şi a construcţiei a unui nou tip de CS bilaterale bazate
numai pe joncţiuni izotipe. Regiunea sensibilităţii celulei solare elaborate este situată în
109
intervalul lungimilor de undă 350 – 1200nm şi nu depinde de direcţia iluminării. De această
direcţie depinde valoarea eficienţei cuantice interne efective, care este aproape egală cu 1
(valoarea maximă a acestuia) în cazul iluminării frontale şi 0,2 – 0,3 la iluminarea din spate. Au
fost determinate direcţiile de optimizare a traseului tehnologic de preparare a celulelor solare
bilaterale izotipe şi a parametrilor fotovoltaici ai acestora.
4.1. Modelarea diagramei energetice.

În practica mondială de fabricare a celulelor solare sunt cunoscute celulele solare
bilaterale de tip p+-p-n+ sau n+-n-p+. Aceste dispozitive fotovoltaice se bazează pe formarea a
două joncţiuni, şi anume, a joncţiunii p-n+ sau n-p+ pe o suprafaţă a plachetei de siliciu şi a
joncţiunii p+-p sau n+-n pe altă suprafaţă a plachetei [63]. Joncţiunile menţionate se obţin
tradiţional prin difuzia impurităţilor în placheta de siliciu. Procedeul de difuzie este un procedeu
complicat, care necesită consum considerabil de energie, condiţii speciale şi o strictă dirijare. În
cazul fabricării celulelor bilaterale complicaţiile se dublează. Apar dificultăţi din cauza
necesităţii de a efectua procesul de difuzie pentru două impurităţi care influenţează contrar
asupra proprietăţilor plachetei de siliciu. Urmează problemele de protejare a joncţiunii formate în
timpul formării joncţiunii secunde.
Toate aceste probleme pot fi înlăturate prin elaborarea CS izotipice de tip n+-n-n+ [100].
În acest caz este necesar de a efectua un singur proces de difuziune la formarea joncţiunii
n+Si/nSi. A doua joncţiune nSi/n+ITO se formează prin procedeul de pulverizare pirolitică a
soluţiei chimice a clorurilor de staniu şi indiu în etanol pe suprafaţa plachetei de siliciu liberă de
joncţiunea n+Si/nSi.
Diagrama energetică a CS bilaterale de tip n+-n-n+ şi evaluarea acestei, obţinerea
componentelor şi a sistemului fotovoltaic integru cu fotosensibilitate bilaterală, studiul
proprietăţilor electrice şi fotoelectrice urmează a fi prezentate.
4.1.1. Diagrama energetică a structurii n+Si/nSi/SiO2/n+ITO

Pentru a construi diagrama energetică a structurii n+Si/nSi/SiO2/n+ITO vom selecta din
literatura de specialitate parametri fizici principali ai substanţelor ce formează această structură.
Urmărind regulile de construcţie a diagramelor energetice expuse în sursele [101, 102] efectuăm
următoarele acţiuni.
Desenăm separat diagramele energetice ale materialelor în referinţă cu nivelul energetic a
vidului (Figura 4.1).
110
Tabelul 4.1. Parametrii fizici ai componentelor structurii n+ITO/SiO2/nSi/n+Si
ITO SiO2 nSi n+Si
Eg (eV) 3,9 9,0 1,11 1,11
 (eV) 4,51 0,9 4,01 4,01

EF (eV) 0,1 4,5 0,2 0,1
N (cm-3) 1021 1015 1018
 12 12
0 (C-Nm2) 8,85·10-12
q (C) 1,6.10-19
Fig.4.1. Diagrama energetică a structurii n+Si/nSi/SiO2/n+ITO. a) în proces de construcţie şi b) în

echilibru termodinamic.
111
Din Figura 4.1a) observăm că energia electronului pe nivelul Fermi (EF) este mai mică în
ITO. Din această cauză pentru egalizarea energetică a nivelelor Fermi, care este necesar să se
întâmple la aducerea materialelor în contact, o porţiune de electroni din n+Si va trece în nSi, iar
din nSi – în n+ITO. Această deplasare a electronilor provoacă la interfaţa contactelor curbura în
sus spre energii majorate a nivelului Ec în n+Si şi în nSi. Curbura de fapt a benzilor (din cauza că
în paralel cu nivelul Ec se curbează şi nivelul Ev) se indică prin Ud şi se numeşte potenţialul de
difuzie, deoarece curbura apare din cauza difuziei purtătorilor de sarcină. Aşadar, cum se
observă din Figura 4.1b), la aducerea în contact a materialelor n+Si, nSi şi n+ITO la interfeţele
contactelor în n+Si/nSi şi nSi/n+ITO apar două bariere de potenţial. În următorul paragraf vom
evalua parametrii energetici ai acestor bariere de potenţial.
4.1.2. Evaluarea parametrilor ai structurii n+Si/nSi/SiO2/n+ITO

În primul rând vom calcula înălţimea barierelor de potenţial. Acest parametru, înălţimea
barierei în eV în referinţă cu nivelul Fermi, se calculează după expresia:
b  m   s (4.1)
unde b – înălţimea barierei, m – lucru de ieşire a electronului din n+ITO, s – afinitatea

electronului în nSi.
Folosind datele prezentate în Tabelul 4.1 obţinem b pentru bariera de potenţial la
interfaţa în nSi-n+ITO egală cu 0,5eV. Parametri obţinuţi în rezultatul evaluării diagramei
energetice sunt prezentaţi în Figura 4.1b) prin subliniere.
O valoare mai importantă posedă potenţialul de difuzie Ud, care determină proprietăţile
electrice şi fotovoltaice ale barierei de potenţial. Să examinăm bariera n+Si-nSi. Deplasarea
sumară Vdn  Vdn a nivelelor Fermi la realizarea contactului n+Si-nSi se calculează conform
expresiei (vezi Figura 4.1a)):

Vdn Si  VdnSi   dnSi   dnSi    dn Si   dn Si  (4.2)
şi în cazul nostru constituie valoarea de 0,1eV.

Utilizând ecuaţia Poison (4.2) obţinem:
qN n Si  Wn2 Si
Vdn Si  (4.3)
2 n Si 0
2
qN nSi  WnSi (4.4)
VdnSi 
2 nSi 0
112
unde q – sarcina electronului, NnSi, N n Si – concentraţia purtătorilor de sarcină în materialele
indicate, Wn Si , WnSi – grosimea straturilor sarcinii spaţiale, nSi,  n Si şi 0 – permeabilităţile
dielectrice ale componentelor contactului examinat şi constanta dielectrică.

WnSi N V N   
Având în vedere că  n Si , din (4.3) şi (4.4) obţinem dnSi  n Si n Si  103 , ce
Wn Si N nSi Vdn Si N nSi   nSi
înseamnă că curbura benzilor energetice are loc practic numai în nSi.

La examinarea barierei de potenţial la interfaţa în nSi/n+ITO obţinem valoarea sumară a
potenţialului de difuzie VdnSi  Vd  ITO  0,2eV . Curbura benzilor energetice se efectuează numai
în componenta nSi, deoarece raportul VdnSi Vdn  ITO este de ordinul 106. Obţinând valorile
teoretice ale potenţialului de difuzie Vd în nSi poate fi calculată valoarea stratului sarcinii spaţiale
în acest semiconductor [103].
Utilizând expresia (4.4) obţinem valoarea grosimii stratului sarcinii spaţiale în nSi la
interfaţa contactului n+Si/nSi egală cu 0,36m şi la interfaţa contactului nSi/n+ITO egală cu
0,81m.
La interfaţa contactelor diverselor materiale semiconductoare se formează
discontinuităţile nivelelor energetice Ec şi Ev, care se calculează conform relaţiilor:
Ec   ITO   Si  0,5eV (4.5)
Suma discontinuităţilor Ec+Ev este egală cu diferenţa dintre benzile interzise ale
materialelor semiconductoare aflate în contact:
Ec  Ev  E gITO  E gSi (4.6)
Din expresia (4.6) revine Ev = 2,3eV.

În realitate proprietăţile contactelor dintre materialele semiconductoare în calitate de
elemente fotovoltaice se determină nu numai de valorile calculate ale parametrilor prezentate
mai sus, dar într-o mare parte şi de fizică stărilor la interfaţa contactelor. Stratul dielectric
intermediar (în Figura 4.1b) stratul SiO2 care există permanent pe suprafaţa plachetei de Si) dacă
şi elimină interacţiunea reciprocă a suprafeţelor eterogene, nu elimină influenţa stărilor de
suprafaţă şi a sarcinilor localizate în acest strat.
Modelarea diagramei energetice a structurilor semiconductoare permite elucidarea
proprietăţilor structurilor elaborate. În cazul examinat cu certitudine se poate afirma că structura
n+Si/nSi/SiO2/n+ITO este eficientă în calitate de sistem fotovoltaic bilateral [104].
113
4.2. Procedee de obţinere a joncţiunilor puţin adânci
Tendinţa contemporană în dezvoltarea elementelor fotovoltaice preconizează utilizarea
plachetelor de materiale semiconductoare cu dimensiuni majorate. Aceasta tendinţă este cauzată
de posibilitatea majorării coeficientului de umplere a spaţiului panoului solar şi de posibilitatea
reducerii costului de asamblare a acestui panou.
Joncţiunile în elementele fotovoltaice trebuie să fie puţin adânci, amplasate cât se poate
mai aproape de suprafaţa iluminată a elementului. Tradiţional pentru formarea acestor joncţiuni
se utilizează metoda de depunerii ionică, care se caracterizează prin înaltele uniformitate,
reproductivitate şi puritate a introducerii impurităţii. Însă, aceste calităţi ale procedeului pot fi
asigurate just numai în cazul suprafeţelor nu prea mari ale plachetelor materialelor
semiconductoare, de exemplu, din siliciu. În cazul suprafeţelor majorate ale joncţiunilor ce
trebuie să fie formate, este necesar selecţionarea sau elaborarea a altor metode. La momentul de
faţă se consideră că cel mai potrivit procedeu este obţinerea joncţiunilor puţin adânci prin
metoda difuziei a impurităţilor [105].
Sursele de impurităţi pentru doparea siliciului prin procesul de difuzie pot fi divizate în
două grupuri:
 sursele de impuritate care nu contactează cu placheta de siliciu şi
 sursele de impuritate care contactează cu placheta de siliciu.
Examinarea surselor nominalizate urmează în paragrafele ulterioare.
4.2.1. Surse de impuritate ne contactate cu placheta de siliciu

Sursele de impuritate care se utilizează fără a fi în contact cu placheta de siliciu pot fi în
stare solidă, lichidă sau gazoasă. Aceste surse pentru a fi utilizate necesită în mod obligatoriu un
sistem gazos pentru transportarea impurităţii de la sursă până la placheta de siliciu. De exemplu,
esenţa procedeului de difuzie din sursa de impuritate lichidă constă în următorul (vezi Figura
4.2).
Plachetele de siliciu se instalează într-un tub de cuarţ amplasat în interiorul cuptorului
electric (1) încălzit. Prin tub este transportat un flux de gaz, numit purtător al impurităţii
difuzante din sursa de impuritate (2), care în condiţii ordinare se află în stare lichidă. În
majoritatea cazurilor în funcţie de gaz purtător se foloseşte azotul sau argonul, la care poate fi
adăugată în procesul de difuziune o oare care cantitate de oxigen. Metoda în descriere mai
frecvent este utilizată pentru efectuarea difuziei a borului (B) sau a fosforului (P) în plachetele de
siliciu. În calitate de sursă a impurităţilor se folosesc substanţele PCl3, POCl3, PBr3, BBr3 ş.a.
114
Sursele lichide de impurităţi, cum se observă din Figura 4.2, fac posibilă diluarea în două
trepte a vaporilor impurităţii prin dirijarea fluxurilor gazelor purtătoare ce trec prin dozatorul doi
sau direct în reactor (tubul de cuarţ).
Fig.4.2. Imaginea schematică a instalaţiei pentru efectuarea difuziei în cazul sursei de impuritate
lichidă. 1-cuptor electric, 2- sursa lichidă.
4.2.2. Surse de impuritate contactate cu placheta de siliciu

Acestui grup de surse de impurităţi aparţin sursele în baza compuşilor simple neorganici,
difuzanţii sticloşi, materialele oxide dopate cu difuzanţi. Sursele de impurităţi menţionate se
depun prin diverse metode nemijlocit pe plachetele de siliciu. Depunerea se efectuează la
temperaturi mai joase decât temperatura de difuzie. La temperaturi înalte (850÷1300°C) se
realizează procesul de difuziune a impurităţii din sursa care este în contact cu placheta de siliciu.
Din această cauză procedeul de difuzie poate fi efectuat chiar şi în mediul ambiant ce
considerabil reduce costul tehnologiei de fabricare a elementelor fotovoltaice. Pentru depunerea
nemijlocită pe suprafaţa plachetelor de siliciu la prima treaptă a elaborării acestui tip de surse de
impuritate au fost utilizate cele mai simple şi disponibile substanţe neorganice acvatic sau etilic
solubile, printre care pot fi numite H3BO3, H3PO4, (NH4)3PO4, B2O3 şi altele [105]. Soluţiile
acizilor sau a sărurilor menţionate se depuneau pe suprafaţa plachetelor de siliciu prin
pulverizare, prin turnarea picăturilor sau prin cufundare. Apoi, după o tratare termică de scurt
timp la temperaturi joase pentru evaporarea dizolvantului, plachetele de siliciu se tratau la
temperaturi 1000÷1300°C pentru efectuarea procesului de difuzie a impurităţii respective în
placheta menţionată. Accentuăm momentul cheie – difuzia impurităţii se efectuează din sursa
care este în contact nemijlocit cu obiectul de dopare (în cazul nostru placheta de siliciu).
115
Procesul de difuziune în acest caz nu necesită operaţiunea tehnologică de transportare prin
folosirea diferitor amestecuri de gaze a impurităţii de la sursă la obiectul de dopare.
Obţinerea stratului de conductibilitate prin electroni la utilizarea sursei în baza H3PO4 se
efectuează de obicei in două trepte. În prima treaptă pe o suprafaţă a plachetei de siliciu se depun
două – trei picături ale soluţiei acvatice sau etilice a H3PO4, care prin centrifugare sunt risipite pe
suprafaţa menţionată. Apoi plachetele sunt uscate şi amplasate în cuptorul de difuzie încălzit
până la temperatura cca 1050°C pe 20÷30 minute. Treapta secundă se începe cu extragerea
plachetelor din cuptorul electric, tratarea acestora în acid fluorhidric, spălarea în apă deionizată,
uscarea şi amplasarea lor iarăşi în cuptorul de difuzie încălzit până la temperaturi 1050÷1250°C
pentru obţinerea profilului final al distribuţiei impurităţii în placheta de siliciu.
Metodele de difuzie cu utilizarea surselor de impurităţi care se află în contact cu placheta
de siliciu sunt de o productivitate înaltă, nu necesită echipament tehnologic sofisticat. Procesul
de difuzie se efectuează într-un sistem deschis în majoritatea cazurilor în condiţiile mediului
ambiant. Procedeele descrise fac posibilă obţinerea diverselor valori ale concentraţiilor
impurităţii dopante.
Depunerea difuzantului pe suprafaţa plachetei de siliciu în formă de soluţie a compuşilor
neorganici face posibilă dirijarea valorilor concentraţiei a impurităţilor de bor sau fosfor la
suprafaţa plachetei în limitele 1017÷1021cm-3. Însă, soluţiile compuşilor simple neorganici nu
posedă capacitatea de formare a peliculelor şi din această cauză după evaporarea dizolvantului pe
suprafaţa plachetei rămâne un strat subţire din difuzantul cristalizat. Deci, nici depunerea
picăturilor de soluţie pe suprafaţa plachetei cu ulterioara risipire prin centrifugare, nici
pulverizarea soluţiei nu asigură uniformitatea după grosime a stratului de difuzant şi, prin urmare
nu asigură controlul strict al cantităţii elementului de dopare pe o unitate de suprafaţă a
materialului dopat. Pentru a majora uniformitatea stratului sursei de difuzie a impurităţilor a fost
propusă ideea [106] de fixare a atomilor elementelor de dopare în volumul oxidului de siliciu
(difuzanţi sticloşi).
În calitate de astfel de surse ale impurităţilor de bor, fosfor, galiu, stibiu şi altele pe larg
se utilizează difuzanţi sticloşi, în compoziţia cărora sunt incluse componentele electric active,
neactive şi inerte. Printre componentele electric active în difuzanţii sticloşi pot fi numite oxizii
de bor (B2O3), de fosfor (P2O5), de galiu (Ga2O3), de indiu (In2O3), de taliu (Tl2O3), de stibiu
(Sb2O3) şi altele care prin difuzie în materialul semiconductor determină tipul de conductibilitate
al acestuia. Lanţul componentelor electric neactive îl constituie oxizii elementelor al grupei IV
din Sistemul periodic al elementelor chimice SiO2, SnO, PbO şi PbO2, care determină
proprietăţile sticloase ale difuzanţilor. Componentele inerte, de umplutură, care nu influenţează
116
esenţial asupra tipului de conductibilitate al difuzantuiuli, dar pot varia într-un larg diapazon
proprietăţile termomecanice ale materialelor sticloase formate, sunt oxizii metalelor alcaline
Na2O, K2O, CaO ş.a.
În calitate de difuzant tipic al impurităţii donoare poate servi sticla fosforosilicată (PSG)
de compoziţie ce urmează: 34,9% P2O5, 25% Al2O3, 14,7% SiO2 şi 25,4% Na2O.
În calitate de difuzant sticlos poate fi utilizat şi compusul (P2O5)x(CaO)y, diagrama de
stare a căruia demonstrează că conţinutul de 7÷8% de CaO în compusul menţionat determină
temperatura de topire a acestuia de 500°C. Prepararea difuzantului este simplă: cantitatea
respectivă a pulberilor P2O5 şi CaO se amestecă şi se tratează termic la temperatura 900°C în
mediul azotului uscat. În rezultatul acestei proceduri se obţine sticlă pură. Moleculele CaO sunt
foarte stabile şi la temperatura procedeului de difuzie nu se observă procesul de reducere până la
calciu pur, care ar putea să pătrundă prin difuzie în materialul semiconductor.
Pentru obţinerea difuzanţilor sticloşi în majoritatea sa se folosesc sticle silicate cu o
temperatură joasă de topire, care se formează din aliajul bioxidului de siliciu cu oxizii altor
elemente. Procedeul de fabricare a diferitor după compoziţie sticle este bine cunoscut şi studiat
[107]. De aceea nu apar probleme în selectarea sticlelor de componenţă ce asigură proprietăţile
necesare ale difuzantului. Sticla selectată se fărâmiţează până la dimensiunile particulelor mai
mici de 1µm. Sticla fărâmiţată se supune procesului de sedimentare în amestecul de etanol şi
izopropanol. Particulele de dimensiuni mai mari în prima perioadă a procesului de sedimentare
se colectează pe fundul vasului, iar particulele de dimensiuni potrivite rămân suspendate în
soluţie spirtoasă. Suspensia formată se utilizează pentru depunerea pe suprafaţa plachetelor din
materiale semiconductoare a unui strat subţire din pulbere de sticlă, deci a sursei de impuritate
pentru procedeul de difuzie.
4.3 Prepararea şi studiul celulelor solare bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu

4.3.1. Obţinerea structurilor n+Si/nSi/iSiO2/n+ITO
Scopul investigaţiilor efectuate este schimbarea structurii celulei solare bilaterale pentru
simplificarea şi ieftinirea procedeului de preparare a acesteia. Problema propusă se realizează
prin CS bilaterală, compusă din materialul semiconductor de bază, două joncţiuni şi două grile
metalice de contact, depuse pe părţile frontală şi din spate, în care ambele joncţiuni sunt izotipe
cu materialul semiconductor de bază.
Construcţia propusă se realizează prin procedeul de preparare a CS bilaterale, care
include formarea a două joncţiuni pe părţile frontală şi din spate a materialului semiconductor de
bază şi a grilelor metalice de contact, în care joncţiunea frontală se formează pe suprafaţa
117
materialului semiconductor de bază prin metoda de pulverizare pirolitică a soluţiilor chimice.
Pentru aceasta joncţiunea frontală se realizează în formă de structură SIS nSi/iSiO2/n+ITO prin
pulverizarea pirolitică a soluţiilor clorurilor de indiu (1M) şi staniu (1M) în etanol cu compoziţia
InCl3:SnCl4:C2H5OH în proporţie de 9:1:10 pe suprafaţa materialului semiconductor de bază
[108].
Efectul tehnic al implementării acestei construcţii constă în aceia, că în loc de crearea în
materialul semiconductor de bază iniţial cu conductibilitate de tip n cu o suprafaţă puternic
dopată n+ a unei joncţiunii n-p+, pe suprafaţa lui ne dopată se formează joncţiunea izotipă n-i-n+,
care reprezintă o structură de tip SIS. Pentru aceasta pe suprafaţa încălzită a materialului
semiconductor de bază (temperatura în acest caz este de 2-3 ori mai joasă decât temperatura
procedeului de difuzie, utilizat în fabricarea celulelor solare bilaterale tradiţionale) în condiţiile
mediului ambiant se depune prin metoda de pulverizare pirolitică un strat semiconductor cu
acelaşi tip de conductibilitate electrică ca şi materialul semiconductor de bază. Stratul
semiconductor depus are concentraţia purtătorilor de sarcină de 2-3 ordine mai înaltă şi lărgimea
benzii interzise mai mare decât în materialul semiconductor de bază. Simultan la interfaţă se
formează un strat subţire de oxid propriu al materialului de bază, care este transparent pentru
transportul prin tunelare a purtătorilor de sarcină. Acest strat de oxid este situat între stratul
depus şi materialul de bază şi contribuie la majorarea înălţimii barierei de potenţial şi, prin
urmare, la majorarea eficienţei separării de către joncţiunea n-i-n+ a purtătorilor de sarcină
generaţi de lumină.
Astfel, scopul propus este atins prin aceia, că construcţia celulei solare bilaterale este
simplificată, fiind compusă din două joncţiuni izotipe, spre deosebire de construcţia celulelor
bilaterale tradiţionale, care reprezintă o combinaţie de joncţiuni izotipă şi anizotipă [100].
Modificarea construcţiei celulei solare bilaterale duce la simplificarea procedeului de preparare a
acesteia. Procedeul de preparare a celulei solare bilaterale propuse include formarea joncţiunii
izotipe din spate prin difuzia impurităţii necesare în materialul semiconductor de bază la
temperatura şi timpul de difuzie optimale, asigură obţinerea concentraţiei purtătorilor de sarcină
de 2-3 ordine mai mare decât în materialul semiconductor de bază. Formarea joncţiunii secunde
frontale izotipe de tipul structurii SIS se realizează prin metoda de pulverizare pirolitică în
condiţiile mediului ambiant a soluţiilor chimice pe suprafaţa liberă a materialului semiconductor
de bază, încălzită până la o temperatură mult mai joasă decât temperatura necesară pentru
formarea joncţiunii n-p+ prin metoda de difuzie a impurităţilor.
Rezultatul tehnic al implementării invenţiei propuse constă în următoarele:
118
1. Toate joncţiunile din componenţa structurii celulei solare bilaterale sunt izotipe ce simplifică
construcţia şi procedeul de preparare. Construcţia propusă poate fi caracterizată ca un nou tip
de celulă solară bilaterală.
2. Procedeul de preparare a celulei solare bilaterale propuse conţine realizarea procesului de
difuzie numai a unui tip de impurităţi pentru formarea joncţiunii n-n+, de aceia acest proces
are loc la temperatura şi timpul optimal fără utilizarea măsurilor de protecţie a regiunii
formării joncţiunii de acţiunea altei impurităţi.
3. Joncţiunea frontală n-i-n+ se obţine prin pulverizare pirolitică în condiţiile mediului ambiant
a soluţiilor chimice pe suprafaţa liberă a materialului semiconductor de bază, încălzită până
la o temperatură de 2-3 ori mai joasă decât temperatura utilizată pentru formarea acestei
joncţiuni prin difuzia impurităţilor, ce simţitor simplifică şi ieftineşte procedeul de preparare
a celulei solare bilaterale.
În Figura 4.3 este prezentată celula solară bilaterală elaborată n+ITO/SiO2/nSi/n+Si.
Fig.4.3. Imaginea schematică a celulei solare bilaterale n+ITO/SiO2/nSi/n+Si.
CSB constă dintr-o plachetă de siliciu cu conductibilitate electronică (1) cu un strat

puternic dopat (2). Pe suprafaţa ei opusă este formată o structură SIS de tipul n-i-n+ în care
stratul (3) este oxidul propriu al materialului de bază (SiO2 ), iar (4) este stratul ITO alcătuit din
amestecul oxizilor In2O3 şi SnO2, obţinut prin metoda pulverizării pirolitice a soluţiilor de cloruri
de indiu şi de staniu, (5) şi (6) sunt respectiv grilele metalice de contact frontală şi din spate.
CS bilaterală propusă este preparată în modul următor. Drept componenta (1) este
utilizată o plachetă de siliciu de tip КЭФ-1, orientată în planul (100) cu conductibilitate
electronică şi cu grosimea de 350m. Pentru formarea stratului (2), adică a joncţiunii n+-nSi a
fost utilizată metoda de difuzie a fosforului din sursa lichidă POCl3. Procesul de difuzie durează
119
30 minute la temperatura de 850°C, după ce plachetele sunt supuse unui tratament termic la
temperatura de 940°C timp de 180 minute. În rezultat se formează o barieră de potenţial cu
înălţimea de 0,1eV situat la adâncimea de 0,8-1,0m de la suprafaţa din spate a plachetei de
siliciu. Mai departe, pe suprafaţa opusă a plachetei de siliciu cu conductibilitatea electronică (1)
se depune stratul ITO (4) prin metoda de pulverizare pirolitică a soluţiilor clorurilor de indiu
(1M) şi staniu (1M) în etanol cu compoziţia InCl3:SnCl4:C2H5OH în proporţie de 9:1:10 la
temperatura de 450°C. Acest regim de depunere asigură formarea oxidului propriu al
materialului de bază (SiO2) (3) cu grosimea de 30-40Å. Straturile subţiri ITO aveau grosimea de
0,3-0,4m, rezistenţa de suprafaţă 10-12Ohm/ şi lărgimea energetică a benzii interzise de
3,9eV. Contactele ohmice în formă de grile metalice de contact (5) şi (6) respectiv la straturile
ITO şi n+Si sunt preparate prin evaporarea termică în vid prin măşti speciale a cuprului.
Metoda descrisă de obţinere a celulei solare bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu
permite schiţarea traseului tehnologic de preparare a acestor celule, care schematic este prezentat
în Figura 4.4 [109].
Fig.4.4. Schema traseului tehnologic de preparare a celulelor solare bilaterale

Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu
Din Figurile 4.1 şi 4.3 se vede, că în placheta de siliciu cu conductibilitate electronică se

formează două joncţiuni. Prima joncţiune nSi/SiO2/n+ITO se numeşte frontală fiindcă radiaţia
solară nimereşte nemijlocit pe suprafaţa ei activă. Ea este situată la adâncimea de 0,3–0,4m de
la suprafaţă. Adâncimea joncţiunii este determinată de grosimea stratului ITO, cu cât stratul de
ITO depus pe placheta de siliciu este mai gros, cu atât joncţiunea frontală este situată mai adânc
de la suprafaţa activă a celulei solare. A doua joncţiune n+Si-nSi se numeşte joncţiunea din spate.
Radiaţia incidentă pe suprafaţa ei nu poate să nimerească nemijlocit, dar poate să fie îndreptată
acolo cu ajutorul diferitor dispozitive reflectoare, în primul rând, prin utilizarea concentratoarelor
120
staţionare ai radiaţiei solare. O variantă al unui astfel de concentrator este elaborat de
colaboratorii Institutului ВИЭСХ – din Rusia. Deoarece dispozitivul elaborat concentrează
radiaţia solară (coeficientul de multiplicare a energiei solare este de valori 4-5) eficienţa celulei
solare poate fi simţitor majorată.
4.3.2. Principiul de funcţionare al celulei solare elaborate Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu

Celula solară bilaterală propusă funcţionează în modul următor. Radiaţia solară, care cade
pe suprafaţa frontală a celulei solare bilaterale trece prin partea neacoperită a grilei metalice de
contact (5) (vezi Figura 4.3) şi nimereşte pe suprafaţa stratului ITO (4). Fotonii cu energia mai
mică decât banda interzisă a stratului ITO, precum şi a stratului SiO2, nu sunt absorbiţi şi
nimeresc pe suprafaţa plachetei de siliciu cu conductibilitate electronică (1). Radiaţia cu energia
fotonilor în intervalul 1,1-3,9eV este absorbită în acest material ceia-ce duce la generarea
perechilor electron-gol. Purtătorii de sarcină generaţi sunt separaţi spaţial de către câmpul
electric al joncţiunii nSi/SiO2/ITO, regiunea de sarcină spaţială a căreia este complet amplasată
în Si. Electronii sunt antrenaţi de către câmpul electric al joncţiunii, formate la interfaţa plachetei
de siliciu cu conductibilitate electronică (1) şi regiunea ei puternic dopate n+Si (2) şi se
deplasează către grila metalică de contact (6), pe când golurile tunelează prin stratul subţire SiO2,
recombină cu purtătorii majoritari în stratul ITO şi încarcă pozitiv grila metalică de contact (5).
Prin urmare, la iluminare între grilele metalice de contact ale celulei solare bilaterale propuse
apare o diferenţă de potenţial.
Acelaşi efect apare şi la iluminarea CS bilaterale din spate. Radiaţia solară care trece în
acest caz prin grila metalică de contact (6), placheta de siliciu cu conductibilitate electronică (1)
cu un strat puternic dopat (2) şi care ajunge până la regiunea de sarcină spaţială a joncţiunii
nSi/SiO2/ITO, este absorbită şi generează perechile electron-gol. Purtătorii de sarcină generaţi
sunt separaţi spaţial de către câmpul electric al joncţiunii nSi/SiO2/ITO şi mai departe se
deplasează spre grilele metalice de contact (5) şi (6) cum deja este descris mai sus [109].
În diagrama energetica (Figura 4.1) Ec este energia nivelului inferior al benzii de
conducţie, Ev este energia nivelului exterior al benzii de valenţă, Ef este energia nivelului Fermi,
Evac este energia nivelului energetic al vidului, iar prin cifre sunt indicaţi parametrii materialelor
ce formează structura şi parametrii calculaţi ai joncţiunilor formate. Analiza acestei diagrame
energetice demonstrează, că structura n+Si/nSi/SiO2/n+ITO alcătuită numai din joncţiuni izotipe
poate fi utilizată în calitate de celulă solară bilaterală. Într-adevăr, la iluminarea structurii prin
stratul ITO, după cum se vede din Figura 4.1, fotonii din spectrul solar cu energia 1,1≤h<3,9eV
trec liber prin stratul subţire ITO (Eg = 3,9eV) şi sunt absorbiţi în materialul de bază nSi. Aici
121
sunt generate perechile electron-gol, care sunt separate spaţial de către câmpul electric al
joncţiunii nSi/iSiO2/n+ITO şi fluxul de electroni se îndreaptă spre n+Si, fiind favorizat de câmpul
electric al joncţiunii n+-nSi. Golurile tunelează prin stratul SiO2 şi recombină cu electronii situaţi
în fanta energetică Ef(ITO)-Ec(ITO). Aceleaşi procese au loc şi la iluminarea structurii
n+Si/nSi/SiO2/n+ITO din partea n+Si. În cazul timpurilor de viaţă a purtătorilor de sarcină destul
de mari şi, prin urmare, în cazul valorilor mari a lungimilor de difuzie a purtătorilor generaţi de
lumină, apar fluxuri de electroni şi goluri. Cu cât este mai mare timpul de viaţă, cu atât mai
intense vor fi aceste fluxuri. Este clar, că la iluminarea structurii din ambele părţi, fluxurile de
electroni şi goluri, generaţi de lumină şi separaţi de câmpul electric al joncţiunii nSi/SiO2/ITO, se
vor aduna şi, prin urmare, dispozitivul propus Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu, preparat numai în
baza joncţiunilor izotipe, este o celulă solară bilaterală de tip nou cu efectul de integrare a
energiei electrice generate.
4.4. Optimizarea parametrilor celulelor solare elaborate

4.4.1 Influenţa adâncimii joncţiunii din spate asupra parametrilor fotoelectrofizici ai celulei
solare Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu in dependenta de parametrii siliciului utilizat
Pe parcursul studiului structurilor de tip ITO/nSi obţinute prin tehnica pulverizării
pirolitice a soluţiilor clorurilor de staniu şi indiu în etanol s-a demonstrat, in capitolul 3, că
bariera de potenţial la interfaţa ITO/nSi se formează numai în cazul suprafeţei siliciului cu
orientarea cristalografica (100).
Pentru a studia influenţa parametrilor plachetelor de siliciu asupra parametrilor
fotoelectrofizici ai celulelor solare bilaterale izotipe elaborate, luând in consideraţie rezultatele
din capitolul 3 au fost selectate următoarele tipuri de plachete cu diverse concentraţii a
purtătorilor de sarcina in Si (4,51014cm-3, 11015cm-3, şi 4,51015cm-3). Parametrii de
caracterizare a plachetelor de siliciu utilizate sunt:
specifică ρ=10Ohmcm, concentraţia N=4,51014cm-3, mobilitatea electronilor
µ=1390cm2/Vs, conductibilitatea electrică σ=0,1Ohm-1cm-1, produse de firma
SILTRONIX în Germania;
- Plachetele de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografică (100), rezistenţa
electrică specifică ρ=4,5Ohmcm, concentraţia N=1015cm-3, mobilitatea electronilor
µ=1250cm2/Vs, conductibilitatea electrică σ=0,2Ohm-1cm-1, marcate КЭФ 4,5 şi
produse în Rusia;
122
specifică ρ=1,05Ohmcm, concentraţia N=51015cm-3, mobilitatea electronilor
µ=1390cm2/Vs, conductibilitatea electrică σ=1Ohm-1cm-1, produse de firma
SILTRONIX în Germania.
Concentraţiile de ordinul 1016-1018cm-3 au fost excluse din cauza rezultatelor
nesatisfăcătoare, insa s-a decis de a obţine structuri pentru concentraţia de 1014cm-3. Utilizând
plachetele de siliciu nominalizate, au fost preparate celule solare bilaterale, în care preventiv prin
difuzia fosforului au fost formate joncţiunile n+-nSi.
Din traseul tehnologic descris şi prezentat schematic în paragraful 4.3.1. se vede, că după
tratarea chimică a plachetei de siliciu pe una din laturile acestea se efectuează procesul de
difuziune a fosforului. Procedeul de difuziune se efectuează cu scopul formării joncţiunii din
spate n+-nSi a CS bilaterale izotipe Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu, iar variaţia timpului de difuzie a
fosforului a fost efectuată cu scopul influenţării asupra înălţimii barierei de potenţial din spate şi
asupra adâncimii acestea.
21
10
o
1- 850 C, 15'
o
2- 850 C, 60'
20 o
Concentratia (Atomicm )
10 3- 850 C, 105'
-3
19
10
18
10
1 2 3
17
10
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
d (m)
Fig.4.5. Distribuţia concentraţiei atomilor de fosfor în placheta de siliciu după diverse

regimuri de difuziune.
In cazul nostru, difuzia fosforului, impurităţii ce majorează concentraţia electronilor în

siliciu, are loc din sursa lichidă POCl3 la temperatura regiunii de amplasare a plachetei de siliciu
în reactor de 850°C timp de 15, 60 şi 105min. Variaţia timpului procedeului de difuziune
influenţează asupra adâncimii joncţiunii n+-nSi în placheta de siliciu. Într-adevăr, din Figura 4.5,
în care este prezentată distribuţia concentraţiei atomilor de fosfor în adâncimea plachetei de
siliciu din partea laturii pe care se efectuează difuzia, se observă că cu cât timpul de difuziune
123
este mai prelungit cu atât joncţiunea n+-n este situată mai adânc în placheta de siliciu. La timpul
de efectuare a difuziei de 15min, observăm, joncţiunea este situată la distanţa de la latura
respectivă de 0,26µm. Dacă perioada de timp, în care se efectuează difuzia, este mai mare –
amplasamentul joncţiunii este mai adânc, situat la distanţa 0,40µm pentru timpul de difuzie de
60min si 0,48µm pentru 105min [109].
Să examinăm influenţa amplasamentului joncţiunii n+-nSi asupra parametrilor
fotoelectrofizici a celulei solare bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO-Cu in dependenta de
concentraţia siliciului utilizat.
4.4.2. Proprietăţile electrice ale celulei solare bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu

În Figura 4.6 sunt prezentate dependenţele curent-tensiune la întuneric a CS bilaterale
Cu/n Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu in dependenta de concentraţia siliciului si a timpului de difuzie a
+
fosforului pentru obţinerea joncţiunii n+-nSi.

Cum s-a menţionat deja, obiectele de studiu prezintă structuri de tip semiconductor -
izolator - semiconductor. Prima componentă a structurii, stratul subţire ITO, prezintă un material
semiconductor degenerat cu o conductibilitate electrică de 1021Ohm-1cm-1 comparabilă cu
conductibilitatea metalelor. A doua componentă, placheta cristalină de siliciu, prezintă materialul
de bază a structurii. Observăm, că joncţiunea formată de aceste materiale din punct de vedere a
conductibilităţii acestora este asimetrică. Structura studiată mai repede prezintă o structură de tip
MIS, care sunt bine teoretic cercetate in capitolul 3. În acest caz dependenţa curentului de
tensiunea aplicată la o astfel de probă conform capitolului 3 se va descrie prin relaţia (3.9).
Pentru a ne convinge că afirmaţiile noastre sunt corecte dependenţele curent – tensiune în
Figura 4.6a) sunt prezentate în coordonate lnI=f(U). Din (3.9) se observă că în aceste coordonate
relaţia exponenţială prezentată se transformă în relaţie liniară. Într-adevăr, cum se vede din
figura data, dependenţele curent – tensiune ale obiectelor studiate sunt liniare, ce confirmă că
aceste obiecte de studiu sunt structuri de tip MIS. In acest caz, folosind expresia (3.9), pot fi
determinate valorile curentului de saturaţie (Is) şi coeficientul de neidealitate (A), valorile
respective sunt prezentate in Tabelul 4.2, de unde observam ca coeficientul A are valori puţin
mai mari decât cifra 2, care indică mecanismul de recombinare a purtătorilor de sarcină la
trecerea lor prin joncţiunea structurilor studiate.
În Figura 4.6b) sunt prezentate dependenţele menţionate la polarizarea indirectă a
obiectelor de studiu. Indicaţia curbelor are acelaşi sens ca şi în Figura 4.6a). La polarizarea
indirectă a joncţiunii dependenţa curentului de tensiunea aplicată se descrie prin relaţia
cunoscuta:
124
I Un (4.7)
unde n este exponentul puterii. Din (4.7) observăm că exponentul n poate fi uşor determinat,
dacă dependenţa curent – tensiune la polarizare indirectă a probei va fi prezentată în coordonate
lnI = nf(lnU). Valorile exponentului puterii se aranjează în intervalul cifrelor 1,0≤n≤1,5 [110].
a) b) -4
-2 10
10 15 15
-3
60 60
10 105 105
-5
10
-4 10
-5
10
-6 -6
10 10
-7
10
15 -3 15 -3
-8 n = 4,5x10 cm n = 4,5x10 cm
10 -7
10-4
10
-2 10
15 15
-3 60 60
10
105 105
-4
10
I (A/cm )
-5
I (A/cm )
10
2
2
-5
10
-6
10
-6
-7
10
10
-8
10 15 -3 15 -3
n = 1x10 cm n = 1x10 cm -7
10
-9 10-4
10
-2 10
15 15
-3 60 60
10
105 105
-4
10 10
-5
-5
10
-6
10
-6
-7
10
10
-8
10 14
n = 4,5x10 cm
-3 14 -3
n = 4,5x10 cm
-9 -7
10 10
-2 -1 0
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 10 10 10
U (V) U (V)
Fig.4.6. a) Dependenţele I-V la întuneric ale structurilor Cu/n+Si/nSi/iSiO2/n+ITO/Cu;

b) Dependenţele I-V la întuneric ale Cu/n+Si/nSi/iSiO2/n+ITO/Cu polarizate indirect.
125
4.4.3 Studiul proprietăţilor fotoelectrice ale celulelor solare bilaterale obţinute
În Figura 4.7 sunt prezentate caracteristicile de sarcină a celulei solare bilaterale
menţionate, obţinută în baza siliciului de cu diverse concentraţii si 3 tipuri a timpului de difuzie a
fosforului pentru obţinerea joncţiunii n+-nSi. Caracteristicile de sarcină au fost măsurate în
condiţii standarde (temperatura camerei, iradierea simulatorului radiaţiei solare AM1,5 când
puterea fluxului radiaţiei solare incidente este 1000W/m2) la iluminarea consecutivă frontale şi
din spate a probei.
a) b)
0,030
0,014
0,025 0,012
0,020 0,010
I (A/cm )
2
I (A/cm )
0,008
2
0,015
0,006
0,010
0,004
S01 S01(15)
0,005 0,002
S04 S04(60)
S07 S07(105)
0,000 0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4
U (V) U (V)
c) d)
0,030
0,012
0,025
0,010
0,020
0,008
I (A/cm )
2
I (A/cm )
2
0,015
0,006
0,010 0,004
Z01(15) Z01(15)
0,005 0,002
Z03(60) Z03(60)
Z04(105) Z04(105)
0,000 0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4
U (V) U (V)
e) f)
0,028
0,007
0,024 0,006
0,020 0,005
I (A/cm )
I (A/cm )
0,016
2
0,004
0,012 0,003
0,008 0,002
W01 (15) W01(15)
0,004 W05 (60) 0,001 W05(60)
W08 (105) W08(105)
0,000 0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4
U (V) U (V)
Fig.4.7. Caracteristicile de sarcină a celulei solare bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu,
obţinute în baza Si cu diverse concentraţii.
126
Caracteristicile, prezentate în Figura 4.7, demonstrează că rezultatele cele mai
performante (Tabelul 4.2) se obţin cit în cazul iluminării frontale, atât şi în cazul iluminării din
spate la testarea celulei solare cu joncţiunea n+-nSi formată timp de 60min prin difuzia fosforului
din sursa lichidă la temperatura de 850°C cu tratarea termică ulterioară la 940°C timp de 180min
[109].
Tabelul 4.2. Parametrii fotovoltaici a CS bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu,

obţinute în baza Si cu diverse concentraţii
n, partea tdif, Ucd, Isc, FF, Eff, Rser, Rsh,
cm -3 iluminata min V mA/cm 2
% % Ohmcm 2
kOhmcm2
15 0.474 25.68 69.35 8.44 2.62 2.58

top 60 0.474 27.30 67.73 8.76 2.65 2.12
105 0.473 28.66 59.62 8.08 4.91 2.64
15
4,510
15 0.425 10.26 69.18 3.02 3.38 2.95
botom 60 0.429 13.18 64.96 3.67 4.74 1.16
105 0.429 13.87 57.31 3.41 7.14 1.34
15 0.501 24.36 68.22 8.33 2.86 0.55
top 60 0.506 26.91 66.07 9.02 2.42 0.25
105 0.504 28.52 56.50 8.12 3.68 0.61
11015
15 0.430 9.91 65.49 2.79 8.61 2.62
botom 60 0.431 11.82 65.23 3.32 7.28 1.22
105 0.429 12.46 56.45 3.02 9.26 0.82
15 0.475 24.16 55.42 6.36 6.03 0.59
top 60 0.478 25.89 59.88 7.41 4.11 0.71
105 0.476 27.47 46.58 6.09 8.25 0.12
4,51014
15 0.430 5.82 62.73 1.57 16.14 5.02
botom 60 0.431 6.76 63.50 1.85 10.01 1.01
105 0.430 7.07 50.99 1.55 20.22 0.67
Observăm, că în cazul folosirii în calitate de material de bază pentru prepararea CS

bilaterale a Si cu concentraţia electronilor n=4,51015cm-3 valorile parametrilor fotovoltaici ai
acestea în ambele cazuri de iluminare sunt mai mici decât valorile parametrilor celulei in baza Si
127
cu concentraţia 1015cm-3. Acest rezultat poate fi explicat prin formarea în cazul siliciului cu
concentraţia purtătorilor de sarcină majorată a regiunilor mai înguste de sarcină spaţială şi a
lungimilor de difuzie a purtătorilor de sarcină mai mici decât in siliciu cu concentraţia minoritară
a purtătorilor de sarcină. Din rezultatele prezentate observăm de asemenea că eficienţa celulelor
solare bilaterale studiate iluminate din spate constituie până la 30-40% din valoarea eficienţei în
cazul iluminării acestora frontale pentru concentraţia 1015cm-3. In cazul când concentraţia este de
ordinul 1014cm-3 aceasta valoare constituie mai puţin de 20%.
Generalizind tot lucrul efectuat, studiul joncţiunilor izotipe n+ITO/SiO2/nSi a permis
elaborarea în baza structurei nominalizate a unei CS de fotosensibilitate bilaterală, formata
numai din joncţiuni izotipe, cu randamentul de 15,73% (Figura 4.8) şi coeficient de bifacilitate
65% obţinut la utilizarea în calitate de absorbant a siliciului monocristalin cu concentraţia
electronilor 1015cm-3. Experimental s-a demonstrat, că la iluminarea concomitentă a ambelor
suprafeţe a unei astfel de structuri curentul generat se sumează.
0,04
iluminarea frontala
Vcd=0,478V
0,03 Isc=34,64mA/cm
2
FF=57,42%
Eff=9,53%
I (A/cm )
2
0,02
iluminarea din spate
Vcd=0,461V
2
Isc=22,51mA/cm
0,01 FF=59,46%
Eff=6,24%
0,00
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
U (V)
Fig.4.8. Caracteristica de sarcină a CS bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu,
obţinute în baza Si cu concentraţia electronilor 1015cm-3.
4.4.4 Fotosensibilitatea celulelor solare bilaterale Cu-n+Si-nSi-iSiO2-n+ITO-Cu

Studiul distribuţiei spectrale a eficienţei cuantice interne efective (Qef) a demonstrat
(Figura 4.9) că regiunea sensibilităţii celulelor solare elaborate este situată în intervalul
lungimilor de undă 350 – 1200nm şi nu depinde de direcţia iluminării. De această direcţie
depinde valoarea eficienţei cuantice interne efective, care este aproape egală cu 1 (valoarea
maximă a Qef) în cazul iluminării frontale şi 0,2 – 0,3 la iluminarea din spate. Prezenţa unui şir
de maxime şi minimuri pe curbele distribuţiei spectrale a eficienţei cuantice Qef la iluminarea
128
frontală a probelor, ca si in cazul structurilor nSi/SiO2/n+ITO, este cauzată de interferenţa luminii
[111].
Un aport considerabil asupra eficienţei celulelor solare bilaterale îl are timpul de viaţă a
purtătorilor de sarcină fotogeneraţi. Cu părere de rău acest parametru pe parcursul efectuării
lucrărilor nu a putut fi controlat pentru a evidenţia mai precis parametrii plachetelor de siliciu
mai favorabili pentru utilizare în prepararea celulelor solare bilaterale.
0,35
15 -3
4,510 cm
15 -3
0,30 110 cm
14 -3
4,510 cm
Eficienta cuantica (unit.arb.)
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
Lungimea de unda (nm)
Fig.4.9. Distribuţia spectrală a eficienţei cuantice interne efective (Qef).
Rezultatele obţinute pe parcursul efectuării lucrărilor descrise în acest şi în paragraful

precedent cert demonstrează posibilitatea optimizării parametrilor fotovoltaici ai CS elaborate
[109]. De fapt lucrările efectuate permit numai schiţarea direcţiilor de optimizare a parametrilor
celulelor solare investigate. Deoarece CS în cauză prezintă un nou tip de CS bilaterale,
optimizarea parametrilor fotovoltaici ai acestora este o lucrare ştiinţifică independentă [110].

Analiza rezultatelor obţinute permit formularea următoarelor concluzii:
1. În premieră a fost elucidat principiu de funcţionare, elaborată şi preparată mostra de laborator
a unui nou tip de celulă solară bilaterală, structura căreia conţine numai joncţiuni izotipe;
2. Este elaborat traseul tehnologic de preparare a celulelor solare bilaterale
+ +
Cu/n Si/nSi/SiO2/n ITO/Cu în baza joncţiunilor izotipe, care nu necesită echipament
sofisticat şi se bazează pe obţinerea joncţiunii frontale prin metoda de pulverizare pirolitică a
soluţiilor chimice;
129
3. Analiza rezultatelor cercetării proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale celulei solare
bilaterale elaborate demonstrează că rezultatele obţinute bine se încadrează în modelul
joncţiunii de tip MIS. Modificarea situării joncţiunii din spate n+-nSi a celulei bilaterale prin
variaţia duratei timpului de difuzie a fosforului în placheta de siliciu practic nu influenţează
asupra proprietăţilor electrice ale obiectului de studiu şi puternic influenţează asupra
parametrilor fotovoltaici.
4. Parametri fotovoltaici principali ai celulei solare bilaterale măsurate la iluminarea acestea
simultan din partea frontală şi din cea din spate se sumează, ce serveşte ca o dovadă a
elucidării corecte a principiului de funcţionare a unui nou tip de celule solare bilaterale
bazate numai pe joncţiuni izotipe.
5. Regiunea sensibilităţii celulei solare elaborate este situată în intervalul lungimilor de undă
350 – 1200nm şi nu depinde de direcţia iluminării. De această direcţie depinde valoarea
eficienţei cuantice interne efective, care este aproape egală cu 1 (valoarea maximă a acestuia)
în cazul iluminării frontale şi 0,2 – 0,3 la iluminarea din spate.
6. Au fost determinate direcţiile de optimizare a procedeului de preparare şi a parametrilor
celulelor solare Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu elaborate.
130
5. REALIZAREA SI CARACTERIZAREA CELULELOR SOLARE MICROAMORFE
DIN STRATURI SUBŢIRI DE SILICIU
Siliciul în straturi subţiri promite sa concureze bine cunoscutul siliciu cristalin pe piaţa
fotovoltaica. Principalele avantaje a siliciului în straturi subţiri este posibilitatea depunerii pe
suprafeţe majorate (până la 5m2) astfel reuşind în mare parte de a economisi în ceea ce priveşte
unirea (faţă de cel cristalin). Un altul constă în economisirea materialului care se reduce la 1-
2µm faţă de cel cristalin ≥150µm. Insa pe lângă aspectele pozitive structurile solare în baza
siliciului cu straturi subţiri poseda si careva neajunsuri, precum degradarea celulelor cu pînă la
25% din eficienta iniţiala, cauzata de efectul Staebler-Wronski, iar acest neajuns joaca un aport
mare in cazul vânzărilor celulelor când se ia în consideraţie garanţia acordata furnizorului de
producător. Se cunosc doua măsuri care reduc acest efect. Prima observaţie este că celulele
multistrat (2 sau 3) se degradează mai puţin. A doua alegere, e să fie folosit un material puţin
modificat, siliciul microcristalin, care e o substanţă amorfă parţial recristalizată.
Depunerea chimica in faza de vapori (CVD) este una din cele mai importante metode
pentru prepararea straturilor subţiri (se foloseşte pentru depunerea siliciului policristalin sau de
straturi izolante). CVD este un proces in care unul sau mai mulţi precursori volatili sunt
transportaţi prin intermediul fazei de vapori in camera de reacţie unde sunt descompuşi pe un
substrat încălzit. Calitatea depunerii, si anume proprietăţile structurale şi electrice, este în mare
parte influenţată de presiunea si temperatura din cuptor. In cazul depunerii de straturi izolante,
randamentul reacţiilor chimice din cuptor poate fi ameliorat prin activitatea moleculelor
participante intr-un câmp electromagnetic de înaltă frecventa. Frecventa folosita este de
13,56MHz, aceasta metoda este numita depunerea chimica in faza de vapori asistata de plasma
(PECVD). In metoda PECVD substanţele ce urmează a fi depuse sunt generate la temperaturi
joase (de câteva sute de grade) prin aportul energiei electromagnetice. Avantajul metodei consta
în evitarea încălzirii la temperaturi înalte care poate avea consecinţe nedorite precum
redistribuirea dopanţilor [70].
In acest capitol sunt prezentate rezultatele obţinute pe parcursul activităţii ştiinţifice la
Centrul de Cercetare ENEA din Portici (Napoli), Italia. Lucrul de cercetare a constat în obţinerea
structurilor tandem in baza joncţiunilor p-i-n amorfe si microcristaline, folosind metoda PECVD,
precum si cercetarea proprietăţilor acestora.
Rezultatele obţinute au permis, realizarea, primelor panouri solare proprii în baza
structurilor tandem de mărimea 1010cm2.
131
5.1 Obţinerea structurilor microamorfe
Celulele solare microamorfe constau din o structura din siliciu amorf “ joncţiunea top” şi
o structura “joncţiunea botom” din siliciu microcristalin. Aceste structuri combină avantajele
siliciului amorf şi tehnologia de stabilitate si sensibilitate spectrala a lungimilor de unda lungi a
siliciului microcristalin. Totuşi proprietăţile materialului microcristalin este strict influenţat de
condiţiile de depunere.
Primul pas înainte de efectuarea structurilor microamorfe a fost acela de a studia

regimurile de creştere si de a găsi condiţiile optimale de depunere a straturilor dopate (n, p) si
analiza amănunţită a stratului intrinsec (i). Cercetarea se reducea la creşterea straturilor pe
substraturi de sticla de măsura 1010cm2, efectuând analiza amănunţită ale proprietăţilor
electrice si optice si anume: determinarea vitezei de creştere, transparentei, reflexiei,
conductibilităţii electrice si fotoelectrice si caracterizarea structurala (Raman).
Aşadar, optimizarea unui dispozitiv prevedea următoarea ordine:
 analiza materialului;
 realizarea CS;
 caracterizarea CS;
 evaluarea rezultatelor in dependenta de diverse procese.
In continuare vor fi descrişi parametrii de realizare si paşii de depunere a structurilor
microamorfe.
5.1.1 Descrierea substratelor

Structurile au fost realizate pe substraturi de sticla de tip comercial Asahi U-Type, de
grosimea 1,2mm cu dimensiunile producătorului 3030cm2, acoperite cu oxid conductiv
transparent (TCO), in cazul nostru este SnO2:F [112].
Înainte de a începe procesul de depunere a structurilor microamorfe, preventiv
substraturile erau tăiate in dimensiuni egale de 105cm2 după ce arau supuse unui tratament
chimic care prevedea degrăsarea substratului, spălarea in alcool si acetona si tratarea ultrasonica.
Pasul următor îl constituia tratamentul termic pe o perioada de doua-trei ore la temperatura de
80°C. Anume pe aceste dimensiuni (105cm2) se efectuau toate structurile microamorfe care
permiteau depunerea concomitenta a 8 celule de aria 11cm2.
Este de menţionat ca pe lângă substraturile Asahi au fost folosite si substraturi Neuchatel,
care aparţin grupului IMT Neuchatel a Universităţii din Elveţia (in conformitate cu acordul de
colaborare dintre ENEA si Neuchatel). Ei au fost unii din primii care au introdus conceptul de
132
CS microamorfă in 1994, utilizând substraturi care nu sunt de tip comercial (substraturi proprii),
care sunt comparativ mai subţiri ca substraturile Asahi (0,4mm), atit pentru structurile
microamorfe cit si pentru cele tandem. Prepararea substraturilor de grupul Neuchatel se reducea
la depunerea unui strat de oxidul de zinc (ZnO) pe sticla, folosind metoda depunerea chimica in
faza de vapori la presiune joasa (LPCVD), cu o atacare chimica pentru îmbunătăţirea
morfologiei superficiale si optimizarea depunerilor ce urmau.
5.1.2. Evaporarea grilelor metalice

Primul pas îl constituie evaporarea unei grile de argint de o grosime de 5000Å. In cazul
nostru contactele erau depuse la instalaţia LEYBOLD L560. Avantajul instalaţiei este
posibilitatea depunerii unui strat de oxid de zinc ZnO:Al prin metoda “sputtering RF” si
evaporarea metalelor in aceeaşi camera fără întreruperea vidului. Sistema este compusa din:
camera de reacţie, care conţine un suport rotativ cu un disc unde sunt montaţi substraturile in
număr maxim de 5 cu suprafaţa 1010cm2 (in cazul nostru depunerea contactelor se efectua
concomitent pe 10 substraturi); generator de radiofregvenţa (RF) de 13.56MHz, utilizat pentru
“sputtering”, care este un model RF5PP.
In cazul realizării unei structuri p-i-n microcristaline înainte de evaporarea grilelor
metalice de argint, se depunea un strat subţire de ZnO:Al de cca.200Å, pentru evitarea
deteriorării de SnO2 prezent pe substratul Asahi, cauzat de plasma bogata in hidrogen [113]. In
cazul structurilor p-i-n amorfe si structurilor tandem depunerea ZnO:Al nu e necesara.
5.1.3. Depunerea materialului

Substraturile de sticlă cu TCO si grila metalica se montau intr-o rama metalica de
dimensiunea 1313cm2, după se încărcau in camera LL. Depunerea straturilor dopate n si p se
efectua in camera PL3 a sistemei, prin metoda PECVD la RF de 13.56MHz. Straturile i se
realizau in camera PL4 pentru VHF-PECVD la 100MHz.
Depunerea straturilor dopaţi vine si pe pereţii camerei, din aceasta cauza după depunere
se efectuează un proces de pasivare a camerei, adică are loc depunerea siliciului nedopat, pentru
un timp de 300sec la presiunea de 67Pa si puterea de 3W. Odată cu finisarea realizării
structurilor, proba se plasa din sistema de depunere in camera LL, după ce camera era ventilată si
proba putea fi descărcată.
133
5.1.4. Realizarea contactelor posterioare
După extragerea substratului cu joncţiunea formata din rama substratul se monta intr-o
alta rama care permitea depunerea contactelor posterioare a structurii. Contactul posterior nu este
depus pe toata suprafaţa ci in 8 bucăţi de mărimea 11cm2. Structura se monta intr-un suport
metalic împreună cu masca. Contactul este compus dintr-un strat de ZnO de grosimea cca.1000Å
si unul de argint de cca.2500Å, care este depus in sistema L560 Leybold, descrisa mai sus.
Pentru sputtering se utiliza argonul si o sârmă de oxid de zinc care este compusa (sinterizata) de
5% de oxid de aluminiu pentru creşterea stratului de ZnO:Al. Depunerea are loc in vid de ordinul
510-7Torr.
5.2. Celula amorfa p-i-n

CS amorfe sunt structuri obţinute in baza depunerii unui strat subţire de siliciu amorf (cu
organizarea atomilor neregulata) pe substrat de sticla sau un material sintetic. Aceste celule sunt
utilizate in produse comerciale (ceasuri, calculatoare, etc.). Avantajul consta in comportarea mai
buna a acestor structuri la lumina difuza si cea fluorescenta, fiind deci mai performante la
temperaturi mai ridicate. Randametul structurilor amorfe este de o valoare de 6-8%, mult mai
mic ca cel a structurilor in baza siliciului cristalin, insa si preţul este comparabil mai mic.
Scopul lucrărilor efectuate in acest paragraf a fost de a găsi o concordanta buna intre
parametrii tehnologici principali la obţinerea unei structuri amorfe p-i-n. In particular sunt
prezentate rezultatele cercetărilor efectuate in doua direcţii, si anume: varierea grosimii unei
structuri amorfe si varierea amestecului gazos in stratul dopat p. Daca in primul caz merge vorba
de variaţia grosimii stratului intrinsec i, care poate influenta atât pozitiv cit si negativ asupra unei
structuri p-i-n amorfe, in dependenta de scopul propus, atunci variaţia stratului dopat p poate fi
analizat doar prin variaţia dopajului chimic, care influenţează asupra proprietăţilor optice si
electrice. Luând in consideraţie faptul ca cercetarea structurilor amorfe s-a efectuat in primul si
in primul rând pentru a găsi o recetă cît mai eficientă pentru implementarea ei intr-o structura
tandem, totuşi pe parcursul lucrărilor, un interes deosebit a apărut si pentru a obţine celule
amorfe cu o eficienta cit mai înalta. Se poate de menţionat ca cercetările au fost directionate cu
accentul spre partea industriala, aducând regimurile de lucru a instalaţiei cit mai aproape de cele
productive, care este o instalaţie mai mult de tip industriala si nu permite un control efectiv a
procesului de depunere, care are un aport important asupra reproductivitaţii probelor obţinute.
Luând in consideraţie toate celea spuse, mai jos sunt prezentate rezultatele cercetărilor in baza a
circa 30 de structuri amorfe p-i-n obţinute, parametrii tehnologici ai cărora au fost impostati
134
reieşind din analiza literaturii recente in domeniul respectiv şi bazanduse pe rezultatele obţinute
pina la momentul respectiv.
Deci, pentru început s-a încercat de a obţine o structura amorfa p-i-n de o grosime
acceptabila pentru a putea fi folosita într-un dispozitiv tandem. În Tabelul 5.1 este prezentată
ordinea de realizare a unei astfel de joncţiuni p-i-n amorfe [114].
Tabelul 5.1. Ordinea de realizare a unei structuri p-i-n amorfe

Stratu SiH 4  B2 H 6  PH 3  Puterea d υ
l SiH 4   H 2  B2 H 6   SiH 4  PH 3   SiH 4  (W) (nm) (Å/s)
p 100% 0,5% 0% 3 8 2,8

260
i 100% 0% 0% 6,5 4
360
n 1% 0% 0,66% 35 40 1,3
Stratul iniţial p joaca rolul “stratului fereastra” pentru radiaţia solara, din aceasta cauza e
necesar ca valoarea grosimii stratului respectiv sa fie foarte mica. Însa această condiţie nu este in
acord cu valoarea conductibilităţii, care în cazul unei structuri amorfe trebuie sa fie >10-5Ohm-
1
cm-1. Pentru a găsi un compromis intre grosimea stratului si parametrii electrici, depunerea
stratului p are loc in prezenta metanului (CH4), care permite obţinerea unui material mai
transparent. Depunerea stratului se efectuează la temperatura de 180°C si presiunea 67Pa
(500mTorr). In cazul respectării condiţiilor descrise, valoarea conductibilităţii electrice pentru
stratul dopat p depus pe substrat de sticla de mărimea 10cm×10cm cu grosimea de 320nm este
3×10-5Ohm-1×cm-1.
Stratul intrinsec (i) este depus utilizând silanul pur folosind metoda Very High Frequency
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (VHF-PECVD) la 100MHz la temperatura scăzută
a substratului (150°C). Depunerea avea loc la presiunea de 27Pa (200mTorr) timp de 900sec
[114]. După cum se observa din tabela viteza de creştere este destul de înalta chiar si in cazul
utilizării puterii joase de 6,5W. Stratul amorf i de grosimea respectiva, depus pe substrat de sticla
are valoarea conductibilităţii electrice de ordinul 310-10Ohm-1cm-1.
Stratul dopat n este de tip microcristalin, deoarece depunerea are loc in prezenta
hidrogenului. Cum se vede din tabela, materialul creste lent chiar si la valori înalte a puterii de
35W. Depunerea are loc timp de 300sec la presiunea de 257Pa si temperatura substratului de
150°C. Viteza de creştere este mica, chiar daca este utilizata o valoarea a presiunii înalte la
depunere. Straturile n, depuse pe substrat de sticla cu grosimea de 115nm, aveau
135
conductibilitatea de ordinul 1,2Ohm-1cm-1. Teoretic aceasta valoare trebuie sa fie mai mare de
10-3Ohm-1cm-1.
În Figura 5.1 este prezentata imaginea unei structuri p-i-n amorfe obţinute după
descrierea de mai sus.
Fig.5.1. Imaginea schematica a unei structuri p-i-n amorfe.
Pentru a analiza variaţia parametrilor fotoelectrici în dependenta de grosimea stratului i,

au fost realizate 2 tipuri de structuri amorfe, nominalizate MA-14 de grosimea 360nm si MA-17
de 260nm. In Figura 5.2 sunt prezentate caracteristicile I-V la iluminarea AM1,5, cu parametrii
respectivi în Tabela 5.3. Se observa ca in cazul structurii MA-17 curentul de scurt circuit este de
o valoare mai mica cu cca. 14% fata de MA-14, astfel se poate de presupus ca in cazul structurii
cu stratul intrinsec mai subţire mai mulţi purtători generaţi sunt separaţi de interfaţa. Majorând
grosimea structurii, curentul de scurt circuit creste până la o valoare de saturaţie care depinde de
calitatea materialului intrinsec. Insa in acelaşi timp are loc micşorarea coeficientului de umplere
(FF). De fapt, la majorarea cu 25% a grosimii structurii amorfe, valoarea FF (Tabelul 5.3) scade
de la 73.1% pină la 71.5% datorita rezistenţii serie si practic nu are o micşorare critica in cazul
nostru. Tensiunea circuitului deschis este comparabil egala si ne permite sa consideram ca natura
materialului intrinsec nu variază tensiunea barierei de potenţial. Deci se vede ca diminuarea
eficienţii in cazul MA-17 de aproximativ 1% este cauzata doar de pierderea curentul de scurt
circuit. Este de menţionat ca structurile respective (MA-14 si MA-17) au fost obţinute după
metoda clasică descrisă mai sus.
Reieşind din analiza rezultatelor s-a obţinut o structura p-i-n amorfă, nominalizata MA-9,
de grosimea structurii MA-14. Înaintea efectuării contactului din spate, s-a depus un strat de ZnO
care permitea efectuarea tratamentului termic fără ca metalul (Ag) sa difundeze in materialul
amorf. Tratarea termica se efectua la temperatura de 150°C timp de 30 minute. In acest mod
eficienta structurii amorfe atingea 9.81%. Cercetările au arătat ca prin depunerea ZnO si
efectuarea tratamentului termic eficienta structurilor amorfe creştea cu o valoare de până la 1%
datorita majorării curentului de scurt circuit. Neajunsul majorării stratului intrinsec ducea la
majorarea grosimii structurii ce nu putea fi acceptata, deoarece scopul era obţinerea unei
136
structuri tandem, iar in acest caz radiaţia solară vine absorbită in mare parte in joncţiunea
amorfă.
0,016
0,014
0,012
0,010
I (A/cm )
2
0,008
0,006
0,004 MA-9
0,002 MA-14
MA-17
0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
U (V)
Fig.5.2. Caracteristicile de sarcină a celulelor amorfe p-i-n in dependenta de grosimea stratului
intrinsec.
În Figura 5.3 sunt prezentate caracteristicile distribuţiei eficienţii cuantice a structurilor

p-i-n amorfe cercetate. Se observa ca picul de absorbţie a celulelor MA-14 si MA-9 este in
regiunea valorii lungimilor de unda de cca.560nm. In cazul micşorării grosimii stratului i (MA-
17) picul de absorbţie se deplasează către lungimile de unda mici cca.500nm, iar regiunea
sensibilităţii se micşorează si este cuprinsa in intervalul lungimilor de unda 350-670nm. In cazul
tratamentului termic (MA-9) sensibilitatea structurii este deplasata către lungimile de unda lungi
iar absorbţia începe sa scadă după 720nm, din cauza valorii a materialului amorf (~1,7eV).
Aşadar fotonii cu conţinutul energetic scăzut nu sunt absorbiţi de structura amorfă si optic
dispozitivul funcţionează ca un filtru [112].
O alta analiza despre care s-a menţionat la începutul acestui paragraf, a fost determinarea
concentraţiei amestecului gazos in stratul dopat p. In cazul dat merge vorba despre variaţia
concentraţiei atomilor de bor (B2H6), care in cazul nostru a fost variat in intervalul 0,5-0,25%
(Tabelul 5.2). Reieşind din cele spuse mai sus, structurile amorfe obţinute (MA-53, MA-54 si
MA-55) erau de aceiaşi grosime a stratului intrinsec si toate au fost supuse unui tratament termic
identic: 150°C timp de 30min. Desigur, înaintea obţinerii structurilor respective s-a făcut o
analiza mai detailata a stratului p amorf, analizând proprietăţile electrice fiecăruia in parte. In
Tabelul 5.2 sunt prezentaţi conductibilitatea electrica si valoarea benzii interzise a stratului dopat
p pentru 3 concentraţii diverse a borului in amestecul gazos, care mai apoi au fost folosite in
137
structurile obţinute. Straturile respective au fost obţinute in următoarele condiţii tehnologici:
temperatura in camera de depunerii T=180°C, presiunea 500mTorr, puterea 3W, viteza de
depunere 3Å/s. Straturile dopate p erau depuse pe sticla cu o grosime de cca.500nm. Grosimea
excesiva era necesara pentru a putea calcula coeficientul de absorbţie, dependenta căruia este
prezentata in Figura 5.4, extrapolarea căreia până la axa energiilor indica lărgimea energetică a
benzii interzise, care este o valoare dependenta de gradul de dopare.
1,0
MA-9
MA-14
0,8 MA-17
Qef (unit.arb.)
0,6
0,4
0,2
0,0
400 500 600 700 800
 (nm)
Fig.5.3. Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a celulelor amorfe p-i-n în dependenta
de grosimea stratului intrinsec.
Tabelul 5.2. Parametrii stratului dopat p pentru 3 concentraţii diverse a borului în amestecul
gazos
B2 H 6  σ Eg
Stratul (celula)
B2 H 6   SiH 4  (S/cm) (eV)
PA-10 (MA-53) 0,50% 3,8×10-5 1,78

PA-11 (MA-55) 0,39% 2,3×10-5 1,84
PA-12 (MA-54) 0,25% 1,0×10-5 1,98
Analiza rezultatelor obţinute, arată că la micşorarea ratei de dopare valoarea energetică a

benzii interzise creşte şi in cazul nostru se apropie până la o valoare de 1,98eV, insă scade
conductibilitatea electrica in condiţii de întuneric. Borul tinde de a forma o legătura chimica cu
siliciul, mai degrabă are loc o modificare a structurii moleculare decât sa-l dopeze substantial,
aceasta ca rezultat duce la o puternica micşorare a energiei Eg. Reducerea valorii Eg de obicei se
138
compensează prin adăugarea atomilor de carbon in reţeaua chimica. Proprietăţile dorite se obţin
de obicei in amestecul fluxului gazos SiH4:CH4:B2 H6 la un raport de 1:2:0,001.
5
2,0x10
Coeficientul de absorbtie (cm )

-1 E04=1.78eV 
5
1,6x10 E04=1.84eV
E04=1.98eV
5
1,2x10
4
8,0x10
4
4,0x10
1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8

E (eV)
Fig.5.4. Dependenţa (αhv)2=f(hv)
În Figura 5.5 sunt prezentate dependenţile I-V in condiţiile iluminării AM1,5 pentru 3
structuri amorfe cu diverse straturi dopate p (MA-53, MA-54 si MA-55). Micşorarea ratei de
dopare cu circa 20% duce la o majorarea a valorii Ucd. Deşi aceasta creştere nu este esenţiala,
totuşi influenta dopării este observata. In cazul reducerii ratei de dopare cu până la 50% si
majorării valorii Eg se observa ca structura devine mult mai sensibila in intervalul lungimilor de
unda vizibile (Figura 5.6) si are loc o creştere a curentului Isc, menţinând valoarea Ucd.
0,016
0,012
I (A/cm )
2
0,008
0,004 MA53
MA54
MA55
0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
U (V)
Fig.5.5. Caracteristicile de sarcină a celulelor amorfe p-i-n in dependenta de rata de dopare a
stratului dopat p.
139
Deci putem spune ca micşorarea ratei de dopare duce la micşorarea conductibilităţii
electrice a stratului dopat p, care nu influenţează negativ asupra proprietăţilor fotoelectrice a
structurii si este dependenta in mare parte de proprietăţile optice, având un coeficient de
absorbţie mai mic si un interval de sensibilitate mai larg.
Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne, prezentate in Figura 5.6, arata o
eficienta cuantica interna de până la 0,9 in intervalul lungimilor de unda 350-700nm.
1,0
MA53
MA54
0,8 MA55
Qef (unit.arb.)
0,6
0,4
0,2
0,0
400 500 600 700 800
 (nm)
Fig.5.6. Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a celulelor amorfe p-i-n in dependenta
de rata de dopare a stratului dopat p.
Tabelul 5.3. Parametrii fotovoltaici ai celulelor amorfe în condiţiile AM1,5

Ucd Jsc FF EFF Rser Rsh
Celula
(V) (mA/cm2) (%) (%) (Ohm) (kOhm)
MA-9 0,847 16,31 71,05 9,81 4,71 1,84

MA-14 0,853 14,24 71,36 8,67 5,49 1,13
MA-17 0,841 12,52 74,81 7,88 4,95 12,5
MA-53 0,861 15,69 70,71 9,55 4,82 0,67
MA-54 0,876 16,17 72,78 10,31 4,51 1,08
MA-55 0,872 15,71 70,62 9,67 4,47 0,47
Generalizând tot lucrul efectuat, s-a menţionat ca rezultatele cele mai performante,
reieşind din analiza parametrilor fotovoltaici care sunt prezentaţi in Tabelul 5.3, au fost obţinute
in cazul structurilor amorfe p-i-n de o grosime a stratului intrinsec de 360nm si o rata de dopare a
140
stratului dopat p de 0,25%. Influenta stratului dopat n, care in cazul nostru a fost de structura
microcristalina, nu influenţează asupra structurilor respective. Cercetarea in aceasta direcţie a
fost suspendata din diverse motive, preventiv fiind introdus un strat dopat n cu o ricetă bine
elaborată de echipă ceva timp in urma. Valoare eficienţii de conversie a structurilor amorfe a fost
ridicata până la 10,66%. Neajunsul cel mai mare si cel mai cunoscut, si anume deteriorarea
parametrilor structurilor amorfe in timp, ducea si in cazul nostru la o micşorare cu circa 15-20%
din eficienta conversiei si la stabilizarea ei, intr-un termen de 30-40 zile [115].
5.3. Celula microcristalină p-i-n

Înainte de obţinerea unei structuri microamorfe tandem este important de optimizat
joncţiunea amorfa si cea microcristalina pentru a obţine o valoare buna a curentului Isc si o înalta
valoare a Ucd. In paragraful precedent sunt raportate rezultatele optimizării unei celule amorfe,
care poarta denumirea de „joncţiunea top” intr-o structura microamorfă tandem. In paragraful dat
v-om încerca sa ne focusăm asupra componentei microcristaline, sau cum se mai spune
„joncţiunea botom”.
Structura microcristalina este sensibil mai groasa ca cea amorfă, circa 1,5µm. Grosimea
majorata este necesara din cauza coeficientului de absorbţie a materialului care este mai puţin
sensibil respectând cel amorf. Valoarea benzii interzise a materialului este de o valoare in jurul
1,1eV, astfel aceasta structura absoarbe un spectru a radiaţiei energiei cuprinzând si IR. Văzând
necesitatea grosimilor majorate este necesar de a obţine regimuri cu o buna calitate a vitezei de
depunere si proprietăţii materialelor in acelaşi timp [116]. In principiu, o viteză de creştere mică,
văzând grosimea, necesita timpuri de depunere incredibile pentru aplicare industrială, tot odată
grosimea duce la micşorarea proprietăţilor electrice si optice a materialului.
Rolul stratului dopat p în structura microcristalina este fundamental, în particular
performanţile unei structuri microcristaline p-i-n sunt strâns influenţate de această componentă.
In cazul când vorbim de o structura microcristalina p-i-n, stratul p este crescut direct pe TCO si
în ciuda grosimii reduse trebuie sa aibă o buna microcristalinitate, conductibilitate înalta si o
absorbţie mica. Pentru a obţine un rezultat eficient, stratul p este obţinut folosind o diluare înalta
a H2 (H2/SiH4>100) si o densitate a puterii de depunere inalta (200mW/cm2). In cazul când
joncţiunea microcristalina este folosita intr-o structura microamorfă, care joaca rolul joncţiunii
din spate (botom), stratul p este crescut pe un strat microcristalin n. Comportamentul joncţiunii
tunel n-p are aportul sau in structura respectivă si cum se va comporta stratul microcristalin
dopat p in această structură depinde de diverşi factori. In cazul nostru, in acest paragraf,
cercetarea s-a efectuat luând in consideraţie doar joncţiunea p-i-n si rezultatele obţinute pot varia
141
in condiţiile când aceasta joncţiune este folosita intr-o structura microamorfă. Plus la toate este
nevoie de evidenţiat si faptul, ca drogarea cu bor (B2H6) a stratului p nu favorizează creşterea
materialului cristalin, astfel răspunderea este influenţata de dimensiunile reduse a atomului
borului. Microcristalinitatea stratului p este un accesoriu necesar, fie că permite de a avea o
strângere buna, dar cel mai important este că influenţează critic natura stratului intrinsec a celulei
microcristaline.
Reieşind din analiza literaturii in domeniul dat au fost depuse 3 straturi microcristaline
dopate p diverse, cu grosimea de 80nm, la presiunea de 135Pa (1000mTorr), puterea 35W si
temperatura de 150°C. Valorile vitezei de creştere si a conductibilităţii electrice sunt prezentate
in Tabelul 5.4. Teoretic conductibilitatea electrica a stratului microcristalin p trebuie sa fie de
valoarea 2,610-2S/cm pentru grosimea stratului de 20nm si 1,5S/cm pentru grosimea de 300nm,
iar valorile fracţiei cristaline (ΦC) trebuie sa fie de 17% si respectiv 67%. Analizând rezultatele
obţinute din Tabelul 5.4 pentru straturile dopate p observam ca creşterea conductibilităţii
electrice are loc la obţinerea stratului p in cazul creşterii ratei de dopare a fazei cristaline de la
0,5% la 0,7%. Este de notat si faptul ca aceasta creştere nu influenţează asupra vitezei de
depunere si valoarea fracţiei cristaline este de 66% [117]. Creşterea diluării hidrogenului duce la
majorarea fazei cristaline, la micşorarea vitezei de depunere a stratului p si de asemenea se
observă o creştere a conductibilităţii electrice. Valorile fracţiei cristaline au fost determinate din
analiza Raman a straturilor respective.
Tabelul 5.4. Parametrii stratului dopat p

SiH 4  B2 H 6  υ σ ΦC
Stratul
SiH 4   H 2  B2 H 6   SiH 4  (Å/s) (S/cm) (%)
P1(35) 1% 0,5% 0,7 1,0·10-2 55

P2(37) 0,66% 0,5% 0,5 2,3·10-2 66
P3(36) 0,66% 0,7% 0,5 4,9·10-2 66
Pentru a valuta efectul stratului p asupra structurilor microcristaline p-i-n, in baza

rezultatelor obţinute, au fost fabricate 3 structuri, nominalizate M44 (P1), M51 (P2) si M53 (P3)
cu straturile i si n de acelaşi tip pentru toate joncţiunile. Stratul dopat n corespunde parametrilor
prezentate in Tabelul 5.1 din paragraful 5.2 si a fost depus de o grosime de 40nm. Pentru stratul
intrinsec i s-au optat următori parametri: concentraţia silanului de 5,2%, puterea de depunere
142
20W, presiunea 500mTorr si o grosime de 1,1µm. In Figura 5.7 este prezentata imaginea
schematica a unei structuri microcristaline p-i-n obţinute.
Fig.5.7. Imaginea schematica a unei structuri p-i-n microcristaline.
Stratul dopat p depinde strâns si de substratul utilizat. Înainte de depunerea stratului

dopat p, in cazul celulelor microcristaline, pe substratul comercial de sticla acoperit cu TCO, se
efectua o depunere de ZnO prin metoda spatering cu o grosime de 150-200Å. Aceasta procedura
era necesara pentru înlăturarea atacului oxidului de staniu fata de atomii de hidrogen. Din cauza
prezenţii borului care, după cum s-a menţionat, infavorizează creşterea fazei cristaline, in cazul
structurilor noastre stratul p a fost crescut pe un strat intrinsec de nucleare, care este un strat
subţire de silan cu hidrogen cu SC=1%. Astfel introducând B2H6 in amestecul gazos după 60
secunde, stratul p avea posibilitatea de a creste pe o structura mai cristalina. Stratul p avea o
grosime de 25nm, care era o valoarea echilibrata in compromisul transparenţii cu
conductibilitatea electrica.
În Figura 5.8 sunt prezentate caracteristicile curent-tensiune la iluminarea AM1,5 a
structurilor obţinute. Rezultatele obţinute (Tabelul 5.5) demonstrează o influenta a stratului dopat
p asupra structurilor microcristaline. Observam ca valoarea coeficientului de umplere este practic
identica, cca.62%. Totuşi o diferenţă nesemnificativa se observa in cazul valorii Ucd si anume
pentru structura M51, care este ceva mai joasa in comparaţie cu structurile M44 si M53. Aceasta
micşorare poate fi cauzată de majorarea diluării silanului in hidrogen, care favorizează creşterea
cristalinitătii si duce la micşorarea Ucd. In cazul structurii M53 aceasta micşorare practic nu se
observa, deşi fracţia cristalina este similara cu M51, ce poate fi lămurită prin creşterea ratei de
dopare. O diferenţă mai puternica se observa in cazul rezistenţii shunt a structurilor studiate. O
fracţie a fazei cristaline larga a stratului p pare a favoriza formarea de crăpături, ceea ce cauzează
reducerea Rsh [116, 117].
O diferenţă se observa si in cazul valorilor Isc, care vizual poate fi evidenţiată si din
dependenta distribuţiei spectrale a eficienţii cuantice din Figura 5.9. Dispozitivul M53 arată o
sensibilitate înaltă in intervalul lungimilor de unda 360-600nm, care poate fi datorata
conductibilităţii înalte a stratului dopat p, favorizând astfel la colectare mai buna a purtătorilor
fotogenerati. O sensibilitate bună in acelaşi interval spectral, puţin mai joasa fata de structura
143
M53, se observă si in cazul structurii M44, care probabil este explicata mai mult din cauza
transparenţii mai înalte a stratului dopat p (inserţia in Figura 5.9). O sensibilitate mult mai joasa
in intervalul dat al spectrului se observa in cazul structurii M51, care nu poate fi explicata in
aceiaşi maniera ca in cazurile precedente.
0,024
0,020
0,016
I (A/cm )
2
0,012
0,008
M44 (P1)
0,004 M51 (P2)
M53 (P3)
0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
U (V)
Fig.5.8. Caracteristicile de sarcină a celulelor microcristaline p-i-n in dependenta de rata de
dopare a stratul microcristalin p.
Tabelul 5.5. Parametrii fotovoltaici ai celulelor p-i-n microcristaline în condiţiile AM1,5 pentru
diverse straturi dopate p
Ucd Jsc FF Eff Rser Rsh
Celula
(V) (mA/cm2) (%) (%) (Ohm·cm) (kOhm·cm)
M44 (P1) 0,486 21,39 62,02 6,44 3,54 6

M51 (P2) 0,475 20,22 61,73 5,93 6,35 3
M53 (P3) 0,483 21,42 61,37 6,35 3,51 4
Proprietăţile optice a straturilor dopate p au fost studiate prin masurile transparenţii

(inserţia din Figura 5.9). Straturile cu cristalinitatea mai înalta, P2 si P3, de aceiaşi valoare a
transparentei, in intervalul lungimilor de unda albastru-verde sunt mai transparente comparativ
cu stratul P1. Din moment ce toate straturile drogate au aceeaşi grosime şi aceiaşi structura
morfologica de suprafaţă, reducerea transparenţii probei P1 in intervalului lungimilor de unda
360-550nm este cauzata de absorbimentul optic mai mare in acord cu o faza cristalina mai joasa
a acestui material: absorbţia luminii are loc ca intr-un material cu o faza amorfa. In principiu o
alta cauza a pierderii transparenţii in acest interval de lungimi de unda poate proveni de la
144
calitatea proasta a interfeţii p-i si/sau datorita prezenţii unui strat amorf de incubaţie. Pentru a
distinge intre aceste doua cauze posibile, au fost efectuate analizele Raman a structurilor
respective, cu focusarea lazerului Ar+ din partea substratului de sticla, trecând prin TCO si
ajungând la stratul dopat microcristalin p. Pentru o puternica lumina de exitatie (514nm)
colectarea apare intre stratul dopat p de circa 25nm si primele zeci de nanometri a stratului
intrinsec i. Evaluarea fazei fracţiei cristaline reflectate, valoarea ΦC măsurată a stratului drogat p,
care este de cca.60% pentru M44 si aproximativ 65-70% pentru M51 si M53 dau dovada de
neexistenta unui strat amorf de incubaţie. Astfel putem conclude ca pierderile in celula M51 sunt
cauzate calităţii proaste la interfaţa p-i. Astfel putem spune ca calitatea rea a interfeţei p-i explica
atât valoarea joasa a Ucd cit si reducerea răspunsului spectral. Totuşi, s-a ajuns la concluzia ca
pentru structurile microamorfe tandem in calitate de stratul dopat p va fi folosit P1.
0,9
M44-P1
0,8 M51-P2
0,7 M53-P3
0,6
Qef (unit.arb.)
0,5 80
70
0,4
Transmittance (%)
60
50
0,3 40
30 P1
0,2 20
P2
P3
10
0,1 0
300 400 500 600 700 800 900 1000
Wavelength (nm)
0,0
400 500 600 700 800 900 1000
 (nm)
Fig.5.9. Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a CS microcristaline p-i-n in
dependenta de rata de dopare a stratul microcristalin p.
Pasul următor a constat in analiza stratului intrinsec i asupra joncţiunii p-i-n

microcristaline. Pentru a studia efectul parametrilor de depunere, pe substraturi de sticla de
dimensiunile 10cm2×10cm2 de tip Corning 7059, au fost crescute mai multe serii de straturi
intrinsece, in funcţie de amestecul silanului in hidrogen, SC (concentraţia siliciului
SiH4/(SiH4+H2)). Straturile au fost crescute prin metoda VHF PECVD la frecventa de 100MHz.
Seriile erau diverse prin diferenţa valorilor puterii de depunere (VHF) care cuprindea intervalul
de la 20 până la 40W si de presiunea din camera cu valorile intre 0,5-1Torr. In toate cazurile
depunerea a avut loc la temperatura substratului de 150°C. In Figura 5.10 este prezentata
dependenta vitezei de creştere de SC pentru cazurile menţionate. In toate cazurile prezente se
145
observa o creştere liniara a vitezei de depunere cu creşterea concentraţiei silanului (sau
descreşterii concentraţiei hidrogenului), astfel materialul încetul cu încetul devine un pic amorf,
ceea ce respecta datele teoretice studiate [118]. Analizând valorile obţinute se poate de menţionat
ca la menţinerea presiunii constante (0,5Torr) odată cu creşterea puterii viteza de creştere
rămâne practic neschimbata. Daca presiunea se creste până la 1Torr iar puterea la 30W, raportul
presiune putere e acelaşi ca la straturile la 20W si 0,5Torr. Creşterea puterii până la 40W duce la
creşterea vitezei de depunere până la 60% in raport cu straturile crescute la 30W.
8
20W 0,5Torr
30W 0,8Torr
7
30W 1,0Torr
33W 0,5Torr
6 40W 1,0Torr
v (Å/s)
2
4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5
SC (%)
Fig.5.10. Dependenta vitezei de creştere in functie de SC in stratul intrinsec i depozitat prin VHF
PECVD la frecventa de 100MHz pentru diverse valori a puterii de depunere si presiunii din
camera.
-4
10
-5
10
ph 20W 0,5Torr
-6
10 30W 0,8Torr
 (S/cm)
30W 1,0Torr
-7
10 33W 0,5Torr
40W 1,0Torr
-8
10
-9
10 d
-10
10
4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5
SC (%)
Fig.5.11. Dependenta conductibilităţii electrice si fotoelectrice de SC a stratului intrinsec
microamorf i.
146
Pentru a examina proprietăţile transportului electric au fost măsurate conductibilitatea
electrica (σd) si conductibilitatea fotoelectrica (σph) a straturilor i. Dependenta conductibilităţilor
σd si σph in funcţie de SC pentru aceleaşi VHF si presiune este prezentata in Figura 5.11. Daca
conductibilitatea σph este aproape constanta in tot intervalul SC (~10-5S/cm), σd difera in
dependenta variării setărilor utilizate, totuşi in toate cazurile σd devine constanta începând cu SC
de la 6,2% si are valori de ordinul 10-10-10-11S/cm. In intervalul SC=(4,7-6,2)% cu creşterea
concentraţiei silanului se observa o micşorare a valorilor conductibilităţilor.
Utilizând rezultatele măsurărilor transparenţii si reflectantei straturilor microamorfe i in
intervalul concentraţiei silanului 6-8%, anume in aceasta regiune valoarea σd este constanta, au
fost determinate valorile Eg. In Figura 5.12 este prezentata dependenta coeficientului de
absorbţie de energia de activare. Rezultatele obţinute au indicat o modificare in valoarea
energetica a benzii interzise, care in cazul unui material total microcristalin pentru SC=6,1% este
de Eg=1,12eV, iar in cazul unui material total amorf, care corespunde concentraţiei SC=7,8%,
este de ~1,7eV. Natura materialului a fost determinata folosind spectrele Raman (inserţia din
Figura 5.12). Cu creşterea concentraţiei silanului observam o trecere a fazei cristaline in cea
amorfa in regiunea valorii SC=7%.
5
10
SC = 6.1 %
SC = 7.0 %
SC = 7.8 %
4
10
 (cm )
-1
Counts (a.u.)
3
10 350 400 450 500 550 600
-1
Wavenumber (cm )
1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6

h (eV)
Fig.5.12. Dependenta coeficientului de obsorbtie de energia de activare a stratului microamorf i.
Studiul straturilor aparte de siliciu a permis definirea parametrilor de creştere a stratului i

pentru creşterea structurii microcristaline si anume variind SC in intervalul 4,7-5,7% la VHF de
20W. În Tabelul 5.6 sunt prezentaţi, parametrii de depunere a trei structuri microcristaline
realizate pe parcursul lucrărilor conform descrierii de mai sus (Figura 5.7). Anume aceste valori
a SC in stratul intrinsec i au trezit un interes deosebit din punct de vedere obţinerii unei structuri
microcristaline p-i-n [116].
147
Tabelul 5.6. Parametrii de depunere a structurei microcristaline p-i-n
SiH 4  B2 H 6  PH 3  Puterea d υ
Stratul
SiH 4   H 2  B2 H 6   SiH 4  PH 3   SiH 4  (W) (nm) (Å/s)
p 1% 0,5% 0% 35 25 0,7
i 4,7-5,7% 0% 0% 20 1400 3
n 1% 0% 0,66% 35 40 1,3
În Figura 5.13 este prezentata caracteristica dependenţii curentului de tensiune la

iluminarea AM1,5 pentru diverse SC in stratul intrinsec i, cu parametrii fotovoltaici in Tabelul
5.7. Analizând rezultatele obţinute s-a observat ca pentru valorile concentraţiei silanului de 4,7%
si 5,2% curentul Isc practic este acelaşi si scade in cazul SC=5,7%. Aceasta micşorare este
datorata sensibilităţii mici in regiunea lungimilor de unda 350-600nm, care se observa din
dependenta distribuţiei spectrale a eficienţii cuantice interne din Figura 5.14. O variaţie mai
accentuata s-a observat in cazul Ucd, care creste cu majorarea SC si micşorării σd, aceasta ne
demonstrează faptul ca in stratul intrinsec deja la valori mici a SC apare o faza amorfa, care in
cazul analizei Raman a stratului i nu se evidenţiază. Aceasta ne trezeşte careva întrebări
referitoare la comportamentul structurii totale, care poate sa difere de rezultatele obtinute pentru
stratul i in parte.
0,024
0,020
0,016
I (A/cm )
2
0,012
0,008
SC=4,7%
0,004 SC=5,2%
SC=5,7%
0,000
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
U (V)
Fig.5.13. Caracteristicile de sarcină a celulelor microcristaline p-i-n in pentru diverse SC in
stratul intrinsec i.
O caracterizare mult mai eficienta poate fi efectuata cu aceiasi analiza Raman, insa
aceasta cercetare s-a preconizat de a fi evaluata in paragraful urmator, luind in considerare
148
necesitatea utilizarii jonctiunii microcristaline intr-o structura microamorfa, care iarasi la rindul
sau poate varia in dependenta de straturile folosite. Totusi s-a constatat ca folosirea valorii
concentratiei silanului de 4,7% nu ar fi rationala, fapt care se datoreaza unei faze cristaline prea
mari, care infavorizeaza valoarea parametrului Ucd . Daca in cazul Isc noi in mare parte trebuie sa
tinem cont de pierdirele optice, atunci pentru cazul Ucd nu poate fi vorba de o pierdere atit de
insemnata [116, 117].
Tabelul 5.7. Parametrii fotovoltaici ai celulelor p-i-n microcristaline în condiţiile AM1,5 in

dependenta de SC in stratul intrinsec i
SC Ucd Jsc FF Eff Rser Rsh
(%) (V) (mA/cm2) (%) (%) (Ohm·cm) (kOhm·cm)
4,7 0,467 21,46 60,18 6,03 3,83 0,4

5,2 0,483 21,55 60,94 6,34 3,74 0,7
5,7 0,497 20,40 62,82 6,37 3,65 0,5
1,0
SC=4,7%
SC=5,2%
0,8 SC=5,7%
Qef (unit.arb.)
0,6
0,4
0,2
0,0
400 500 600 700 800 900 1000
 (nm)
Fig.5.14. Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a celulelor microcristaline p-i-n in
dependenta de SC in stratului intrinsec i.
5.4. Celula solară tandem microamorfă

Celulele solare p-i-n realizate in baza siliciului amorf sau microcristalin prezintă o
valoare a eficienţii de conversie stabilizata de cca. 10%. O strategie importanta care a fost
validata din punct de vedere a majorării eficienţii de conversie este obţinerea CS bazată pe
structurile cu doua sau trei joncţiuni (multijoncţiuni) in baza straturilor subţiri de siliciu amorf.
CS realizate in baza multijoncţiunilor reuşesc sa ajungă o eficienta mai mare si la moment sunt
149
utilizate pe larg in comerţ. Actual multijoncţiunea care pare a fi cea mai promiţătoare si din
punct de vedere industrial este o joncţiune tandem numita microamorfă. In aceasta structura
celula superioara, acea care este supusa iradierii este realizata din siliciu amorf iar cea inferioara
din siliciu microcristalin (Figura 5.15). Fabricarea celulelor microamorfe are ca scop reducerea
neajunsului principal si anume eliminării degradării parametrilor fotovoltaici in timp, care poate
fi înlăturat prin folosirea joncţiunii microcristaline. Plus la toate avantajul cel mai mare in
obţinerea multijoncţiunilor microamorfe este utilizarea silanului, care este un gaz comparativ
mai puţin costos faţa de acelaşi germaniu utilizat in structurile siliciu-germaniu. Anume din acest
punct de vedere, scopul propus in ultima parte a acestei lucrări a fost de a obţine o structură
microamorfă tandem echilibrând procesul de obţinere in laborator cu cel industrial si in limita
posibilităţii de a obţine un panou solar experimental.
Fig.5.15. Imaginea schematica a unei structuri tandem microamorfe.
După optimizarea structurilor amorfe si microcristaline, conform scopului lucrării, faza

următoare a constat in optimizarea structurilor tandem. Fixând parametrii celulei amorfe –
joncţiunea top au fost analizate doua regimuri de creştere pentru stratul intrinsec i din joncţiunea
microcristalina – joncţiunea botom. Aceste regimuri nu deferă ca viteza de creştere a
materialului insa comportamentul conductibilităţii electrice intr-un interval mic a concentraţiei
silanului este destul de divers (Figura 5.11). Astfel au fost realizate doua serii de structuri la
aceeaşi presiune a stratului intrinsec din joncţiunea botom de 500mTorr. Pentru prima serie la
depunerea stratului intrinsec a fost utilizata puterea VHF de 20W, iar pentru a doua serie puterea
de 33W, nominalizate T20 si respectiv T33. Pentru seria T20 au fost obţinute structuri tandem cu
SC intr-un interval de la 5,2% pină la 7,4%, iar in cazul seriei T33 intervalul SC a fost lărgit pină
la 8,3%, care acoperă regiunea de tranziţie a materialului amorf – microcristalin [119], pentru a
studia efectele compoziţiei structurale in performantele structurilor si de a găsi optimul amestec a
mixturii in ambele cazuri.
În Tabelul 5.8 este prezentata ordinea de realizare a structurilor microamorfe tandem.
Grosimea joncţiunii active – joncţiunea top a fost fixata de 320nm, pentru joncţiunea botom de
150
cca.1,5µm. Pentru ambele grupe, variaţia componentelor are loc numai in joncţiunea botom, cea
top nu se schimba.
Tabelul 5.8. Ordinea de realizare a structurilor microamorfe tandem

SiH 4  B2 H 6  PH 3  Puterea d
Stratul CS
SiH 4   H 2  B2 H 6   SiH 4  PH 3   SiH 4  (W) (nm)
p(a-Si:H) 100% 0,5% 0% 3 8

i(a-Si:H) TOP 100% 0% 0% 6,5 270
n(µc-Si:H) 1% 0% 0,66% 35 40
p(µc-Si:H) 1% 0,5% 0% 35 25
20
i(µc-Si:H) BOTOM (5,2 – 7,4)% 0% 0% 1400
33
n(µc-Si:H) 1% 0% 0,66% 35 40
Parametrii fotoelectrici pentru joncţiunile cu stratul absorbant crescut la 20W si 33W,

determinaţi din caracteristicile I-V a CS tandem microamorfe sunt prezentaţi in Figura 5.16.
Cum se vede valorile Ucd cresc liniar cu creşterea concentraţiei silanului pentru ambele serii si
ajung la o valoare sumara a Ucd abţinute pentru fiecare joncţiune in parte, demonstrând astfel ca
pierderile de recombinare in joncţiunea tunel sunt neglijabile. Majorarea Ucd demonstrează si
faptul ca încetul cu încetul stratul intrinsec i din joncţiunea microcristalina devine mai amorf. Isc,
FF si eficienta cu majorarea SC pentru început demonstrează o creştere a valorilor ajungind la un
maxim in regiunea concentraţiei silanului de 6-6,5%, iar apoi se evidenţiază o descreştere. In
cazul seriei T20 comparativ cu T33 aceasta descreştere este brusca. Valoarea maximala a Isc este
aproape egala pentru ambele serii: 11,8mA/cm2 pentru T33 si 11,6mA/cm2 pentru seria T20 si
sunt cuprinse intr-un interval când stratul absorbant din joncţiunea botom a dispozitivelor poseda
o fracţie a fazei cristaline joase, care a fost demonstrata in paragraful precedent, deşi in cazul
seriei T33 rata puterii de presiune este de circa 0,5W/Pa contra ratei de ~0,3W/Pa pentru seria
T20. In particular pentru T33 in regiunea 5,6%<SC<7,4% se observa Isc>10,5mA/cm2. Pe de alta
parte in cazul seriei T20, tensiunea circuitului deschis are valori mai înalte comparativ cu T33,
însoţite si de valori bune a fill factorului (FF>70%) in regiunea 5,8%<SC<6,5%, care posibil sa
fie datorate unei interfeţe p-i mai bune din joncţiunea botom care vine crescută acest regim mic
de putere a VHF.
151
1,45
1,40
1,35
1,30
Ucd (V)
1,25
1,20
1,15
12
11
10
9
Jsc (mA/cm )
2
8
7
6
5
4
72
68
64
FF (%)
60
56
52
11
10
9
8
 (%)
7
6
5
4 T20
T33
3
5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5
SC (%)
Fig.5.16. Parametrii fotoelectrici pentru joncţiunile cu stratul absorbant crescut la 20W si 33W,
determinaţi din caracteristicile I-V a CS tandem microamorfe.
152
Totuşi cele mai mici valori Ucd au fost observate in seria T33, indicând astfel o agravare
suplimentara al interfeţei p-i, cauzata de puterea înalta a VHF (33W). Deci, in cazul seriei T20 se
observa mai accentuat regiunea de tranziţie dintre creşterea cristalina si amorfa comparativ cu
seria T33. Aceasta trecere a fost confirmata si prin analiza Raman a structurilor respective. In
Figura 5.17 sunt prezentate spectrele Raman obţinute datorita focusarii luminii excitate (633nm)
care ajunge pina la ultimul strat drogat n din joncţiunea botom. In acest caz la colectarea Raman
participa aria de la stratul dopat n din celula botom (40nm) si aproximativ jumătate din stratul
microcristalin i unde se vede o buna cristalinitate a stratului absorbant din joncţiunea botom
[119]. Spectrul Raman a fost valutat datorita a trei picuri Gaussian si o baza liniara in regiunea
360-580cm-1 [120]. S-a observat ca exista o modificare a compozitiei structurale pentru diferite
regimuri de depunere a structurilor. Pentru seria T33 fracţia fazei cristaline este practic aceiaşi
intr-o regiune larga a SC (5,2÷7,4%), in timp ce pentru seria T20 in aceiaşi regiune se observa o
variaţie rapida a fracţiei fazei cristaline. In acest caz analiza Raman releva un material mixt
(Φc=52%) la SC=5,5% si aproape un material total amorf la SC=7,2%. In cazul depunerii la o
putere mai mica (0,3W/Pa) cel mai bun rezultat pentru seria T20 a fost gasit la SC=6,1% cu
Φc=45%. În special, densităţi de curent mari, măsurate în cazul seriei T33, sunt obţinute pentru
stratul absorbant din jonctiunea botom caracterizat prin valorile fazei cristaline de 58%.
T20 T33
SC (%) C (%)
SC (%)  C(%) 5.2 59
7.4 57
Counts (a.u.)
5.5 52
Counts (a.u.)
6.3 40 8.2 37
6.7 32
7.2 ~0
a) b)
300 350 400 450 500 550 600 300 350 400 450 500 550 600
Raman Shift (wavenumber) (cm-1) Raman Shift (wavenumber) (cm-1)
Fig.5.17. Spectrele Raman a structurilor tandem microamorfe cu stratul absorbant i crescut la

20W (a) şi 33W (b).
Dintr-un punct de vedere seria T33 prezintă o stabilitate buna a fazei cristaline, care duce
la o stabilitate a parametrilor fotovoltaici Isc, FF şi η, insa valorile mici a Ucd au un aport implicit
asupra η si astfel se obţin eficiente joase a structurii microamorfe tandem [121]. Din acest motiv
eficienta maxima de 11,1% cu un FF de 72% a fost găsita in cazul seriei T20 la SC=6,1%
(Figurile 5.18 si 5.19). Totusi este nevoie de subliniat faptul ca, chiar daca cel mai bun rezultat a
153
fost găsit pentru seria T20, acest regim de creştere (la 20W) se caracterizeaza printr-un grad mai
pronuntat a dependentei concentratiei silanului. Regiunea mai larga a tranzitiei materialului din
stare microcristalina in amorf, gasita pentru seria T33, face acest regim de crestere mult mai
interesat din punct de vedere in aplicatii industriale, care ar duce la un control mai precis a
concentratiei gazului in cazul in care depunerea vine pe suprafete majorate, care la rindul sau
prezinta alte dificultati. Cu toate acestea este nevoie de un studiu mai aprofundat pentru a
imbunatati calitatea interfeţei p-i [122], care poate fi uşor deteriorata la valori înalte a puterii de
depunere. Aceasta este necesar pentru a majora viteza de depunere a materialului in cazul seriei
T33, care in regiunea SC>6% se menţionează printr-o crestere brusca (Figura 5.10) a valorii cu
30% fata de seria T20 [123, 124].
12
10
8
I (mA/cm )
2
6
VOC = 1.33V
2
4 JSC = 11.6mA/cm
2
FF = 72%
 = 11.1%
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
U (V)
Fig.5.18. Caracteristica de sarcina a CS tandem microamorfe obţinute in condiţiile regimului T20
la SC=6,1%.
0,8 0,8
5,5% T54 (5,7%)
0,7 0,7
5,8% T56 (6,5%)
0,6 6,1% 0,6 T58 (7,4%)
6,3%
Qef (unit.arb.)
Qef (unit.arb.)
0,5 0,5
0,4 T20 0,4 T33
0,3 0,3
0,2 0,2
0,1 0,1
0,0 a) 0,0 b)
400 500 600 700 800 900 1000 1100 400 500 600 700 800 900 1000 1100
 (nm)  (nm)
Fig.5.19. Distribuţiile spectrale a eficienţii cuantice interne a CS tandem microamorfe cu stratul

absorbant i crescut la 20W (a) si 33W (b).
154
5.5. Realizarea modulelor tandem microamorfe
Unul din avantajele tehnologiei straturilor subtiri este posibilitatea de realizare a
panourilor monolitice pe substrat de suprafaţa larga fara necesitatea asamblarii celulelor unice,
procedura care se utilizeaza in cazul tehnologiei a siliciului cristalin. Conform scopului propus,
toate cercetarile din capitolul dat au dus la realizarea unui modul fotovoltaic de dimensiunea
1010cm2. Pentru a reduce pierderile rezistentei serie care apar in rezultatul scurgerii curentilor
inalti prin dispozitivul de suprafata larga, se separa pe substrat celulele unice care sunt
interconectate intre ele in serie. Aceasta se obtine utilizind trei taieturi lazer “laser scribing” care
permit de a realiza structura cu imaginea schematica dimonsttrata in Figura 5.20. Prima taietura
este aplicata asupra contactului frontal TCO, a doua, este aplicat asupra partii active a
dispozitivului, creind o carare electrica intre TCO si contactul posterior a celulei adiacente, a
treia taietura, in sfarsi, izoleaza contactul respectiv intre doua celule succesive. Suprafetele
asupra carora sunt realizate aceste taieturi lazer nu contribuie la generarea fotovoltaica, pentru
asta ea trebuie sa fie minimizata, optimizind adecvat procesul de lazer scribing.
Fig.5.20. Imaginea schematica a unui panou
Optimizind procesul de obtinere a unui astfel de panou solar, obtinut din 8 celule in serie
cu aria activa a fiecarei celule de 8,52cm2 s-a obtinut un panou solar (Figura 5.21) cu parametrii
fotovoltaici Isc=10,5mA/cm2, Ucd=10,1V, FF=57% si η=7,7%.
Fig.5.21. Panou solar tandem microamorf obtinut din 8 celule in serie cu aria activa a fiecarei
celule de 8,52cm2.
155
In cazul cind confruntam eficientile masurate in laborator a celulelor cu suprafata mica de
2
1cm cu performantele modulului, se observa o diferenta discreta. Exista diferiti factori care pot
influenta acest decalaj. Printre care putem constata ca eliminarea incompleta a materialului in
timpul taierii cu laser sau deteriorarea straturilor pe parcursul acestei operatiuni poate afecta
performantele dispozitivului. Pe linga aceasta, o influienta mare o are si dezuniformitatea
materialului care se observa in cazul cind depunerea vine pe substraturi cu suprafete majorate.
Intr-adevar, reducerea parametrilor fotovoltaici (Isc, Ucd, sau a FF) intr-o singura celula are un
impact fundamental asupra performantelor intregului modul fotovoltaic.

1. Structurile amorfe SnO2/p+α-Si:H/iα-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al cu eficienţa de 10.31% se
obţin în cazul grosimii stratului absorbant i de 360nm, lăţimii benzii interzise a stratului p de
1,98eV, ratei cantităţii B2H6 în amestecul gazos din reactor de 0,25% şi tratării termice
ulterioare la temperatura 150C timp de 30min.
2. Conductibilitatea stratului microcristalin dopat p din structurile microamorfe este dependentă
de valoarea de dopare a fazei cristaline. În cazul majorării dopării prin majorarea ratei
cantităţii B2H6 în amestecul gazos de la 0.5% la 0.7%, se observă o creştere a conductibilităţii
de la 2.3×10-2S/cm până la 4.9×10-2S/cm . Acest fapt nu influenţează asupra vitezei de
depunere, care este de 0.5Å/s, şi a ratei fracţiei cristaline (Φc=66%). Schimbarea ratei fracţiei
cristaline de la 66% la 55% şi modificarea vitezei de creştere de la 0.5Å/s la 0.7Å/s, are loc în
cazul micşorării diluării hidrogenului de la 99,4% până la 99% in amestecul gazos, fapt care
determină şi micşorarea conductibilităţii stratului de la 2.3×10-2S/cm până la 1×10-2S/cm.
3. Majorarea raportului puterea/presiune în procedeul de depunere a stratului absorbant din
joncţiunea din spate a structurii tandem de la 0,3W/Pa la 0,5W/Pa demonstrează o stabilitate
a parametrilor fotovoltaici (Isc şi FF) intr-un interval larg al varierii concentraţiei silanului în
amestecul gazos SC=(5,2÷8,4)%. Acest factor este un avantaj pentru producerea industrială a
structurilor tandem cu suprafeţe active majorate, atunci când producerea dispozitivelor nu
necesită un control strict a uniformităţii distribuirii gazului in reactor. În acest caz valoarea
stabilă a eficienţei dispozitivelor este de cca 10%, avantajul principal fiind considerat viteza
mult mai înaltă de depunere, care creşte de la 0,3Å/s la 0,4Å/s.
4. Structurile tandem microamorfe studiate posedă o valoare stabilă a eficienţei η=11,1%, când
stratul absorbant din joncţiunea microcristalină se obţine la o valoare a concentraţiei silanului
de 6,1%, fracţia fazei cristaline Φc=45%, iar raportul puterea/presiune este de 0,3W/Pa. În
baza structurilor menţionate folosind tehnologia VHF-PECVD la temperaturi mici de
depunere (150°C) au fost fabricate panouri solare de puterea electrică de 1W cu suprafaţa de
0,01m2.
156
CONCLUZII GENERALE ŞI RECOMANDĂRI
1. S-a elaborat instalaţia şi tehnologia de obţinere a straturilor subţiri oxide de SnO2 şi

In2O3:SnO2 (ITO) cu grosimea de 0,2-0,7µm, uniforme pe suprafaţa până la 75cm2. Straturile
subţiri nominalizate posedă rezistivitatea de suprafaţă 15-50Ohm/□, conductibilitatea prin
electroni de (7,5-48)102Ohm-1cm-1, asigurată de concentraţia purtătorilor de sarcină (3,5-
15)1021cm-3 şi mobilitatea acestora de (15-30)cm2/(Vs).
2. S-a elaborat procedeul de obţinere a joncţiunii n+ITO/SiO2/nSi în baza straturilor subţiri
In2O3:Sn şi a plachetelor de Si, cu joncţiunea formată prin pulverizarea soluţiilor chimice a
clorurilor de indiu şi staniu pe suprafaţa plachetelor de siliciu tratate chimic tradiţional,
pasivate şi încălzite până la temperatura 450°C.
3. Cercetarea proprietăţilor electrice a structurilor n+ITO/SiO2/nSi a permis determinarea
mecanismului de transport al sarcinilor electrice prin bariera de potenţial la polarizarea
directă. Au fost observate două mecanisme de transport - de tunelare-recombinare până la
tensiunile aplicate de 0,3V şi de emisie peste bariera de potenţial la tensiuni mai mari de 0,3V.
La polarizarea indirectă a structurilor n+ITO/SiO2/nSi mecanismul de transport al purtătorilor
de sarcină este determinat de curenţii de scurgere.
4. În baza structurilor n+ITO/SiO2/nSi s-a elaborat procedeul, care include traseul tehnologic şi
fişele tehnologice de fabricare a convertoarelor fotovoltaice de uz practic cu suprafaţa activă
până 48,6 cm2. Eficienţa maximală de 10,25% se obţine în condiţiile orientării cristalografice
a suprafeţei plachetei de siliciu (100), suprafeţei active de 8,1cm2 , grosimii stratului ITO –
siliciu de (1-5)×1015cm-3. S-a demonstrat viabilitatea tehnologiei elaborate de fabricare a
celulelor solare în baza joncţiunilor n+ITO/SiO2/nSi prin asamblarea a două panouri solare de
putere câte 15W şi a două panouri solare de putere fiecare a câte 30W.
5. Studiul joncţiunilor izotipe n+ITO/SiO2/nSi a permis elucidarea proceselor fizice în structurile
n+Si/nSi/SiO2/n+ITO şi elaborarea în baza structurilor nominalizate a dispozitivelor
fotovoltaice de fotosensibilitate bilaterală de tip nou, formate numai din joncţiuni izotipe.
Teoretic şi experimental s-a demonstrat, că la iluminarea concomitentă a ambelor suprafeţe a
unei astfel de structuri curentul generat se sumează. S-a elaborat procedeul tehnologic de
fabricare a celulelor solare bilaterale Cu/n+Si/nSi/SiO2/n+ITO/Cu în baza joncţiunilor izotipe,
care nu necesită echipament sofisticat şi se bazează pe obţinerea joncţiunii frontale prin
metoda de pulverizare pirolitică a soluţiilor chimice [100]. Modificarea situării joncţiunii din
spate n+/nSi a celulei bilaterale prin variaţia duratei timpului de difuzie a fosforului în
placheta de siliciu practic nu influenţează asupra proprietăţilor electrice ale obiectului de
studiu şi puternic influenţează asupra parametrilor fotovoltaici. CS bilaterale cu randament de
157
15,73% şi coeficient de bifacilitate 65% se obţin la utilizarea în calitate de absorbant a
siliciului monocristalin cu concentraţia electronilor 1015cm-3.
6. Regiunea sensibilităţii CS elaborate este situată în intervalul lungimilor de undă 350 –
1200nm şi nu depinde de direcţia iluminării. De această direcţie depinde valoarea eficienţei
cuantice interne efective, care este aproape egală cu 1 (valoarea maximă a acestuia) în cazul
iluminării frontale şi 0,2 – 0,3 la iluminarea din spate.
7. Structurile amorfe SnO2/p+α-Si:H/iα-Si:H/n+µc-Si:H/ZnO/Ag:Al cu eficienţa de 10.31% se
obţin în cazul grosimii stratului absorbant i de 360nm, lăţimii benzii interzise a stratului p de
1,98eV, ratei cantităţii B2H6 în amestecul gazos din reactor de 0,25% şi tratării termice
ulterioare la temperatura 150°C timp de 30min.
8. Conductibilitatea stratului microcristalin dopat p din structurile microamorfe este dependentă
de valoarea de dopare a fazei cristaline. În cazul majorării dopării prin majorarea ratei
cantităţii B2H6 în amestecul gazos de la 0,5% la 0,7%, se observă o creştere a conductibilităţii
de la 2,3×10-2S/cm până la 4,9×10-2S/cm . Acest fapt nu influenţează asupra vitezei de
depunere, care este de 0,5Å/s, şi a ratei fracţiei cristaline (Φc=66%). Schimbarea ratei fracţiei
cristaline de la 66% la 55% şi modificarea vitezei de creştere de la 0,5Å/s la 0,7Å/s, are loc în
cazul micşorării diluării hidrogenului de la 99,4% până la 99% in amestecul gazos, fapt care
determină şi micşorarea conductibilităţii stratului de la 2,3×10-2S/cm până la 1×10-2S/cm.
9. Majorarea raportului puterea/presiune în procedeul de depunere a stratului absorbant din
joncţiunea din spate a structurii tandem de la 0,3W/Pa la 0,5W/Pa demonstrează o stabilitate a
parametrilor fotovoltaici (Isc şi FF) intr-un interval larg al varierii concentraţiei silanului în
amestecul gazos SC=(5,2÷8,4)%. Acest factor este un avantaj pentru producerea industrială a
structurilor tandem cu suprafeţe active majorate, atunci când producerea dispozitivelor nu
necesită un control strict a uniformităţii distribuirii gazului în reactor. În acest caz valoarea
stabilă a eficienţei dispozitivelor este de cca.10%, avantajul principal fiind considerat viteza
mult mai înaltă de depunere, care creşte de la 0,3Å/s la 0,4Å/s.
10. Structurile tandem microamorfe studiate posedă o valoare stabilă a eficienţei η=11,1%,
când stratul absorbant din joncţiunea microcristalină se obţine la o valoare a concentraţiei
silanului de 6,1%, fracţia fazei cristaline Φc=45%, iar raportul puterea/presiune este de
0,3W/Pa. În baza structurilor menţionate folosind tehnologia VHF-PECVD la temperaturi
mici de depunere (150°C) au fost fabricate panouri solare de puterea electrică de 1W cu
suprafaţa de 0,01m2.
11. Cercetările efectuate în prezenta lucrare au condus la realizarea CS de uz practic cu
suprafaţa majorată, implementând metode şi procese noi de obţinere a structurilor menţionate
la temperaturi joase, reducând costul tehnologiilor folosite în comparaţie cu cele tradiţionale.
158
BIBLIOGRAFIE
1. A.Simaşchevici, L.Gorceac, D.Şerban. Conversia fotovoltaică a energiei solare. Chisinău

2002, 250p.
2. Basic research needs for solar energy utilization (US Department of Energy, Washington,
DC, 2005) (www.er.doe. Gov/bes/reports/abstracts.html#SEU).
3. D.M.Chapin, C.S.Fuller and G.I.Pearson. A New Silicon p-n Junction Photocell for
Conversion Solar Radiation into Electrical Power. J.Appl.Phys., 1954. vol.25, p.676
4. G.P.Willeke. The crystalline silicon solar cell- history, achievements and perspectives..
Proc. of 19th European photovoltaic solar energy conference, Paris, 2004, p.383-386
5. J.Shewchun et al. The operation of the semiconductor-insulator-semiconductor (SIS) solar
cells: Theory. J. Appl. Phys., vol.49, p.855-864, 1978.
6. L. Gagara et al. Photovoltaic converters of Solar Energy on the base of SIS structures.
Proc. of the Int. Conf. “Euro Sun 96”, DGS-Sonnenenergie Verlags_GmH, Munchen,
1996, vol. 2, p.665-669.
7. V.Vasu, A.Subrahmanyam. Photovoltaic properties of ITO/Si junctions prepared by spray
pyrolisis. dependence on oxidation time. Semicond. Sci. and Tech., 1992, vol.7, p.320.
8. K.L.Chopra, S.Major, and D.K.Pandya. Transparent Conductors. A Status Review. Thin
Solid Films, 1983, vol.102, p.1–46.
9. R.G.Gordon. Criteria for choosing transparent conductors. MRS Bulletin, August 2000,
p.52-57.
10. I. Andronic et al. InP based radiation stable solar cells. Proc of the 2nd World Conf. on PV
Solar Energy Conversion, Vienna, 1998, vol.1, p.249-252.
11. A.Cuevas. The early history of bifacial solar cells. Proc.of 20-th Photovoltaic Solar Energy
Conf., Barcelona, 2005, p.801-805.
12. H.Takatsuka et al. High efficiency thin film solar modules. Proc. of the 21-th European
PV Solar Energy Conf.Dresden, 2006, p.1531-1534.
13. B.Rech et al. A new concept for mass production of large area thin film silicon solar cells
on glass. Thin Solid Films, 2006, vol.502, p.300-305.
14. A. E. Becquerel. Memoire sur les effets electriques produits sous l’influence des rayons
solaires. Comptes Rendus, 1839, vol.9, p.561–567.
15. W. Adams and R.Day in www.worldscibooks.com/phy_etextbook/p276/p276_chap1.
16. R.S.Ohl. Light sensitive electric device including silicon, US Patent 2443542, filed 27 May
1941.
159
17. E.F.Kingsbury and R.S.Ohl. Photoelectric properties of ionically bombarded silicon.
Bell.Syst.Techn.J., 1952, vol.31, p.8092.
18. D.M.Chapin, C.S.Fuller and G.I.Pearson. A New Silicon p-n Junction Photocell for
Conversion Solar Radiation into Electrical Power. J.Appl.Phys., 1954. vol.25, p.676.
19. M.A.Green. Silicon Solar Cells. Advanced Principles and Practice. Publisher Centre for
Photovoltaic Devices and Systems. University of New South Wales, Sydney, 1995, 233p.
20. G.P.Willeke. The Crystalline Silicon Solar Cell History, Achievements and Perspectives.
Proc. of the19-th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, 2004, p.383-386.
21. M.Wolf. Limitations and Possibilities for Improvement of Photovoltaic Solar Energy
Converters. Proc. of the IRE, 1960, vol.48, p.1246.
22. J.Mandelkorn and J.H.Lamneck. Simplified fabrication of back surface electric field
silicon cells and novel characteristics of such cells. Proc. of the 9-th IEEE Photovoltaic
Conf, Silver Spring, 1972, p.66-71.
23. M.A.Green. High Efficiency Silicon Solar Cells. Trans. Tech. Publications, 1987, p.146.
24. A.Balasubramaniyam et al. Electrical properties of electron-beam-evaporated indium oxide
thin films. Thin Solid Films, 1982, vol.91, p.71-79.
25. T.Minami et al. Physics of very thin ITO conducting films with high transparency prepared
by DC magnetron sputtering. Thin Solid Films, 1995, vol.270, p.37-42.
26. C.V.R.Vasant Kumar and A.Mansing. Effect of target-substrate distance on the growth and
properties of rf-sputtered indium thin oxide films. Journal of Applied Physics, 1989,
vol.65, p.1270.
27. G.Haacke. Figure of merit for transparent conductors. Journal of Applied Physics, 1976,
vol.47, p.4086-4089.
28. R.G.Gordon. Criteria for choosing transparent conductors. MRS Bulletin, August 2000,
p.52-57.
29. S.Nudelman and S.S.Mitra. Optical properties of solids. Chapt.3, 1969, Plenum Press, N.Y.
30. P.Nath and R. F. Bunshah. Preparation of In2O3 and tin-doped In2O3 films by a novel
activated reactive evaporation technique. Thin Solid Films, 1980, vol.69, p.63-68.
31. L.Gupta et al. Band gap narrowing and the band structure of tin doped indium oxide films.
Thin Solid Films, 1989, vol.176, p.33-44.
32. Kodigala Subba Ramalah et al. Optical, structural and electrical properties of tin doped
indium oxide thin films prepared by spray pyrolysis technique. Semicond. Sci.Technol.,
2000, vol.15, p.676-683.
160
33. N.Balasubramanian and A.Subrahmanyam. Electrical and optical properties of reactively
evaporated indium tin oxide (ITO) films - dependence on substrate temperature and tin
concentration. Journal of Physics D: Applied Physics, 1989, vol.22, p.206-209.
34. J. Szczyrbowski et al. Optical and electrical properties of r.f. sputtered indium-tin oxide
films. Phys Stat Sol (a), 1983, vol.78, p.243-252.
35. R.Chandrasekhar and K.L.Choy. Innovative and cost-effective synthesis of indium tin
oxide films. Thin Solid Films, 2001, vol.398-399, p.59-64.
36. .G.Ulyashin et al. Properties of ITO layers deposited by magnetron sputtering for solar cell
applications: the influence of deposition temperature, substrates and post-deposition
treatment. Proc.of 20-th European Photovoltaic solar energy conf. Barcelona, 2005, p.434-
437.
37. S.Major et al. Annealing studies of undoped and indium-doped films of zinc oxide. Thin
Solid Films, 1984, vol.122, p.31-43.
38. T.Minani et al. Highly conductive and transparent aluminum doped zinc oxide thin film
prepared by RF magnetron sputtering. J. Appl. Phys., Part 2 Lett. 1984, vol.23, p.L280-
L282.
39. S.N.Qiu et al. Air heat treatment of In-doped ZnO thin films. Solar Energy Mater. 1987,
vol.15, p.261-267.
40. B.H.Choi et al. Optical and electrical properties of Ga2O3 doped ZnO films prepared by RF
sputtering. Thin Solid Films, 1990, vol.193-194, p.712-720.
41. J.Hu and R.G.Gordon. Textured fluorine-doped ZnO films by atmospheric pressure
chemical vapor deposition and their use in amorphous silicon solar cells. Solar Cells, 1991,
vol.30, p.437-450.
42. J.Hu and R.G.Gordon, Textured aluminum-doped zinc oxide thin films by atmospheric
pressure chemical- vapor deposition. J.Appl.Phys., 1992, v.71, p.880-890.
43. J.Hu and R.G.Gordon. Atmospheric pressure chemical vapor deposition of gallium doded
zinc oxide thin films from diethyl zinc, water, and triethyl gallium, J.Appl.Phys., 1992,
vol.72, p.5381-5391.
44. Wilson W.Wenas et al. Optimization of ZnO for front and rear contacts in α-Si solar cells.
Solar Energy Materials and Solar Cells, 1994, vol.34, p.313-319.
45. A.Martin et al. Preparation of transparent and conductive Al-doped ZnO films by ECR
plasma enhanced CVD. Surface and coating Technology, 2002, vol.151-152, p.289-293.
46. G.K.Paul et al. Transport properties of as-prepared Al-doped Zinc oxide films using sol-gel
method. Phys.Stat. Solidi (a), 2002, vol.191, p.509-518.
161
47. M.L.Addonizio et al. Low pressure-chemical vapour deposition of ZnO thin films: relation
between deposition parameters and light scattering properties. Proc. of the 21st European
Photovoltaic Solar Energy Conf., Dresden, Germany, 2008, p.1692-1696.
48. L.Gagara et al. Photovoltaic converters of Solar Energy on the base of SIS structures. Proc.
of the Int. Conf. “Euro Sun 96”, v.2, DGS-Sonnenenergie Verlags GmH, Munchen, 1996,
p.665-669.
49. J.B.Dubow et al. Efficient photovoltaic heterojunctions of indium tin oxides on silicon.
Appl. Phys. Letters, 1976, vol.29, p.494-497.
50. J.Shewchun et al. The operation of the semiconductor-insulator- semiconductor (SIS) solar
cell:Theory. J.Appl.Phys. 1978, vol.49(2), p.855-864.
51. S.R.Wishwakarma et al. Low cost SnO2:P/SiO2/n-Si (textured) heterojunction solar cells.
J.Phys.D:Appl.Phys., 1993, vol.26, p.959-962.
52. S.Franz et al. Heterojunction Solar Cells of SnO2/Si. J.Electron. Materials, 1977, vol.6,
p.107-123.
53. V.Vasu, A.Subrahmanyam. Carrier transport mechanism in indium tin oxide (ITO)/silicon
heterojunctions effect of chlorine. Applied Physics A, Material science and processing,
2005, vol.80, N4, p.823-827.
54. N. Adeeb et al. Spray deposited ITO-CdTe solar cells. Sol. Energy Mater., 1987, vol.15,
p.9-19.
55. A.Coval et al. Solar energy conversion in ITO SIS systems. Solar Energy in Romania,
1993, vol.2, p.53-55.
56. H.Mori. Radiation energy transducing device. US Patent 3.278.811, Oct.1966 (priority Oct.
1960).
57. A.Cuevas. The early history of bifacial solar cells. Proc.of 20-th Photovoltaic Solar Energy
Conf., Barcelona, 2005, p.801-805.
58. I.Chambouleyron and Y.Chevalier. Silicon double solar cell. Proc. 1st European Com.
Conf. on Photovoltaic solar energy, Luxembourg, 1977, Reidel, Boston, 1978, p.967-976.
59. A.Cuevas et al. A n+pn+ double-sided solar cell for optimal static concentration. Proc. 14th
IEEE Photovoltaic Spec. conf., San Diego, 1980, p.76-81.
60. H.Ohtsuka et al. Bifacial silicon solar cell with 21,3% frontefficiency and 19,8% rear
efficiency. Progress in Photovoltaics, 2000, vol.8, p.385-390.
61. N.M.Bordina et al. Operation of a thin silicon photoconverter under illumination on both
sides. Applied solar energy, 1975, n.6, p.81-86.
162
62. A.Cuevas et al. High efficiency back-surface-field solar cells. Solar cells, 1981, vol.3,
p.337-340.
63. A.Moehlecke et al. Proc. First World Conf. on Photovoltaic energy conversion. Hawaii,
1994, p.1663-1666.
64. L.Perez et al. Global processes for the fabrication of low cost bifacial solar cells. Proc.of
20-th Photovoltaic Solar Energy Conf., Barcelona, 2005, p.891-894.
65. Г.Г. Унтила и др. Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых
солнечных элементов с внешними шинами и проволочной контактной сеткой.
Физика и техника полупроводников, 2005, Т.39, с.1393-1398.
66. A.Hubner et al. 20% efficient bifacial solar cell. Proc. of the 14-th European PV Solar
Energy Conf. Barcelona, 1997, p.92-95.
67. G.G.Untila et al. Contact resistance between conducting antireflection coating and (n+-p)Si
solar cells. Proc of the 2nd World Conf. on PV Solar Energy Conversion, Vienna, 1998,
vol.2, p.1555- 1557.
68. D.E. Carlson and C.R. Wronski. Amorphous silicon solar cell. Appl. Phys. Lett., 1976,
vol.28, p.671–673.
69. D.I.Stabler and C.R.Wronski. Reversible conductivity changes in discharge-produced
amorphous Si. Appl. Phys. Lett., 1977, vol.31, p.292-294.
70. J.Meier et al. Amorphous silicon single-junction and micromorphe tandem solar cells
prepared in UNAXIS KAI PECVD single chamber reactors. Proc.of 20-th Photovoltaic
Solar Energy Conf., Barcelona, 2005, p.1503-1508.
71. P.Buehlman et al. In situ silicon oxide based intermediate reflector for thin-film silicon
micromorph solar cells. Appl. Phys. Lett. 2007, vol.91, p.143505.
72. C.Ballif et al. Fabrication of high efficiency microcrystalline and micromorph thin film
solar cells on LPCVD ZnO coated glass substrates. Proc. of the 21-th European PV Solar
Energy Conf.Dresden, 2006, p.1552-1555.
73. K.Yamamoto et al. Large area thin film solar module. Solar Energy Materials & Solar
Cells, 2002, vol.74, p.449-455.
74. B.Rech et al. A new concept for mass production of large area thin film silicon solar cells
on glass. Thin Solid Films, 2006, vol.502, p.300-305.
75. K.A.Emery and C.R.Osterwald. Solar cell efficiency measurements. Solar Cells, 1986,
vol.17, p.253-274.
76. Nann S. and Emery K. Spectral effects on PV-device rating. Solar Energy Materials and
Solar Cells, 1992, vol.27, p.189-216.
163
77. Corinne Droz. Thèse “Thin Film Microcrystalline Silicon Layers and Solar Cells:
Microstructure and Electrical Performances”. Université de Neuchâtel, Institut de
Microtechnique, 2003.
78. C.Goebbert et al. Wet chemical deposition of ATO and ITO coatings using crystalline
nanoparticles redispersable in solutions. Thin Solid Films, 1999, vol.351, p.79-84.
79. R.Chandrasekhar and K.L.Choy. Innovative and cost-effective synthesis of indium tin
oxide films. Thin Solid Films, 2000, vol.398-399, p.59-64.
80. Y.Sawad et al. Highly-conducting indium-tin-oxide transparent films fabricated by spray
CVD using ethanol solution of indium (III) chloride and tin (II) chloride. Thin Solid Films,
2002, vol.409, p.46-50.
81. A.Simashkevich, I.Usatii et al. Transparent conductive oxide layers and their aplications in
solar energetic. Abstracts. Conferinţa Fizicienilor din Moldova, CFM-2009, Chisinau,
Moldova, 2009, p.105.
82. A.Simashkevich, I.Usatii et al. Simple technology of silicon solar cells preparation.
Technology Transfer in Electronic Engineering, Multifunctional Materials and Fine
Mechanics, AŞM AITT, Ştiinţa, 2005, p.98-105.
83. А.Симашкевич, Ю.Усатый и др. Простая технология изготовления кремниевых
солнечных элементов. Труды 5 Межд. Научно-Техн. Конф. Энергообеспечение и
энергоснабжение, Москва, ГНУ ВИЭСХ, 2006, часть 4, с.92-97.
84. Rhoderic E.H. Metal-semiconductor contacts. Clarendon Press-Oxford, 1978, traducere în
rusă, M., Radio i sveazi, 1982, 208p.
85. D.Şerban et al. Elaborarea tehnologiei pilot de fabricare a celulelor şi panourilor solare.
Raport ştiinţific asupra activităţii de cercetare, nr. înregistrării 0101 MD01961, Chişinău
2003, 82p.
86. A.Simashkevich, I.Usatii et al. ITO-nSi solar cells: voltage dependent charge transport
mechanisms. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 21-25 September
2009, Hamburg, Germany, p.2230-2232.
87. D.Sherban, I.Usatii et al. Current transport mechanisms in ITO/nSi structures. Abstracts.
4th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics.
September 23-26, 2008, Chisinau, p.84.
88. Ph.Parent et al. J. Electrochem. Soc. 1992. vol.139. p.276.
89. I.Usatii. Investigation of electrical and photoelectrical properties of ITO-nSi structures.
Proceedings of the 4th International Conference on „Microelectronics and Computer
Science”, UTM, 2005, vol.1, p.82-86.
164
90. D.Sherban, I.Usatii et al. Estimation of solar cell parameters in view of solar radiation
spectral structure. Abstracts 4th International Conference on Materials Science and
Condensed Matter Physics. September 23-26, 2008, Chisinau, p.98.
91. A.Simashkevich, I.Usatii et al. Spray deposited ITO-nSi solar cells with enlarged area.
Proc. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 6-10 June
2005, Barcelona, Spain. p.980-982.
92. Т.Мосс и др. Полупроводниковая оптоэлектроника. Москва, Мир, 1976. 431с.
93. K.L.Chopra et al. Transparent Conductors - A Status Review. Thin Solid Films. 1983,
vol.102, N.1, p.1–46.
94. D.Serban, I.Usatii et al. Spray deposited ITO-nSi solar cells with enlarged area. Abstracts
2ND International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics.
Chişinău, Moldova, september 21-26, 2004, p.138.
95. A.Simaschevici, I.Usatii et al. Spray-deposited ITO-nSi solar cells. Abstracts 7th
International Conference on „Physics of Advanced Materials”. Iaşi, România, June 10-12,
2004, p.184.
96. F.Marques and I.Chambouleyron. Surface Barrier SnO2/SiOx/c-Si(n) Solar Cells:
Optimisation of the Fabrication Process. Solar Cells, 1986, vol.17, p.167-181.
97. H.Kobayashi et al. Mechanism of carrier transport in highly efficient solar cells having
indium tin oxide/Si junctions. J.Appl.Phys, 1991, vol.69, N.3, p.1736-1743.
98. I.Usatii. Panouri solare de diverse puteri în baza structurilor ITO/nSi. Energetica
Moldovei-2005, Chişinău 2005, p.660-662.
99. I.Usatii. Panou solar în baza structurilor ITO/nSi. Conferinţa Fizicienilor din Moldova-
2005, „Rezumatele lucrărilor”, p.152-153.
100. Brevet de invenţie 3737 F1, MD, H 01 L 31/18. Celulă solară bilaterală şi procedeu de
fabricare a acesteia / SIMAŞCHEVICI Alexei, ŞERBAN Dormidont, BRUC Leonid,
USATÎI Iurie, FEDOROV Vladimir (MD). Cererea depusa 26.03.2007, BOPI nr.10/2008.
101. А.Милнс, Д.Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл – полупроводник. Из. Мир,
Москва, 1975, 432с.
102. Э.Родерик. Контакт металл – полупроводник. Перевод с английского под ред.
Г.Степанова. Москва, Радио и связь, 1982, 208с.
103. D.Sherban, I.Usatii et al. Fabrication and evaluation of parameters of bilateral solar cells
with isotype junctions. Proceedings of the 3rd International Conference on Electrical and
Control Technologies ECT-2008, ISSN 1822-5934, Kaunas, Lithuania, 8-9 May 2008,
p.369-373.
165
104. A.Simashkevich, I.Usatii et al. Bifacial solar cells based on isotype junctions. Proc. 22nd
European Photovoltaic Solar Energy Conference, 3-7 September 2007, Milan, Italy, p.484-
486.
105. З.Готра, В.Осадчук, Г.Кучмий. диффузионное легирование в современной
технологии кремниевых ИС. Зарубежная электронная техника, 1990, N.5, T.348, 63с.
106. А.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Изд.2, перераб. и доп., Москва, Высшая школа, 1980, 327с.
107. Ю.Таиров и В.Цветков. Технология полупроводниковых и диэлектрических
материалов. М., Высшая школа, 1990, 423с.
108. A.Simaşchevici, I.Usatii et al. Solar Cells based on SIS structures optained by spray
pyrolisis. Energy for Future, The Second Renewable Energy, Conf. Proceedings, Erevan
2005, p.107-110.
109. L.Bruk, I.Usatii et al. Isotype bifacial silicon solar cells obtained by ITO spray pyrolysis.
Materials Science and Engineering B, 159-160, 2009, p.282-285.
110. Д.С.Стребков, Ю.Усатый и др. Оценка параметров макетов фотоэлементов,
изготовленных на кремнии, полученном в фокусе солнечного концентратора. Труды
6-й Международной научно-технической конференции „Энергообеспечение и
энергосбережение в сельском хозяйстве”, Москва, 2008 г., с.164-169.
111. А.В.Симашкевич, Ю.Усатый и др. Двусторонние солнечные элементы для
фотоэлектрических модулей со стационарными гелиоконцентраторами. Труды 6-й
Международной научно-технической конференции „Энергообеспечение и
энергосбережение в сельском хозяйстве”, Москва, 2008 г., с.158-163.
112. M.L.Addonizio, R.Manoj and I.Usatii. Optimisation of low pressure-chemical vapour
deposited ZnO thin films as front electrode of thin film silicon based solar cells. Proc. 22nd
European Photovoltaic Solar Energy Conference, 3-7 September 2007, Milan, Italy,
p.2129-2133.
113. B.Drevillon. In situ studies of the growth of hydrogenated amorphous silicon. Journal of
Non-Crystalline Solids, 114, 1989, p.139-144.
114. A.E.Delahoy, I.Usatii et al. VHF PECVD deposition of nc-Si – material and device
properties. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 21-25 September 2009,
Hamburg, Germany, p.2860-2866.
115. F.Buatier de Mongeot, I.Usatii et al. Plasmon enhanced thin film PV devices on
nanostructured metallo-dielectric substrates. 24th European Photovoltaic Solar Energy
Conference, 21-25 September 2009, Hamburg, Germany, p.322-325.
166
116. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Influence of deposition conditions for bottom cell on
micromorph tandem device performance. Journal of Non-Crystalline Solids, 2008, vol.354,
p.2478–2482.
117. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Influence of microcrystalline silicon bottom cell on
micromorph tandem solar cell performance. Thin Solid Films, 2008, vol.516, N.20,
p.6979-6983.
118. Y.Mai et al. Microcristalline silicon solar cells deposited at high rates. Journal of Applied
Physics 97, 2005, p. 114913 - 114913-12.
119. P. Delli Veneri et al. Correlation between structural properties and performances of
microcrystalline silicon solar cells. Thin Solid Films, 2005, vol.487, p.174-178.
120. C. Droz et al. Relationship between Raman crystallinity and open-circuit voltage in
microcrystalline silicon solar cells. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 2004, vol.81, p.61-71.
121. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Micromorph tandem solar cells: influence of microcrystalline
silicon bottom cell on device performance. Proc. 22nd European Photovoltaic Solar Energy
Conference, 3-7 September 2007, Milan, Italy, p.1814-1818.
122. P. Delli Veneri, Lucia V. Mercaldo end I.Usatii. Silicon oxide based n-doped layer for
improved performance of thin film silicon solar cells. Appl. Phys. Lett. 97, 023512 (2010);
doi:10.1063/1.3463457.
123. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Doped silicon nitride as intermediate reflector in micromorph
tandem solar cells. Proc. 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1-5
September 2008, Valencia, Spain. p.2343-2346.
124. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Intermediate reflector for micromorph tandem solar cells:
comparison between two possible materials. 24th European Photovoltaic Solar Energy
Conference, 21-25 September 2009, Hamburg, Germany, p.2723-2726.
167
DECLARAŢIA PRIVIND ASUMAREA RĂSPUNDERII
Subsemnatul, declar pe proprie răspundere că materialele prezentate în teza de doctorat, se referă

la propriile activităţi şi realizări, în caz contrar urmând să suport consecinţele, în conformitate cu
legislaţia în vigoare.
Usatîi Iurie
04/01/2011
168
CURRICULUM VITAE
Informaţii personale
Nume/Prenume Usatîi Iurie
Adresa(e) Milescu Spătaru 5, MD-2044, or. Chişinău, Republica Moldova
Telefon(oane) +37322331296 Mobil +37379354009
Fax(uri) +37322738149
E-mail(uri) usaty1980@mail.ru
Naţionalitate(-tăţi) Republica Moldova
Sex Bărbătesc
Loc de muncă vizat / Institutul de Fizică Aplicată, AŞM

Domeniu Fizica corpului solid. Conversia fotovoltaică a energiei solare.
ocupaţional
Experienţa
profesională
Perioada Ianuarie 2003 – prezent

Laboratorul Materiale şi Structuri pentru Energetica Solară al
Institutului de Fizică Aplicată
Funcţia sau postul Cercetător ştiinţific
ocupat
Activităţi şi Obţinerea soluţiilor chimice a clorurilor de indiu şi staniu în apă şi
responsabilităţi alcool utilizând compuşii de SnCl4 5H2O, respectiv InCl33H2O.
principale Depunerea straturilor oxidice subţiri TCO utilizând metoda de
pulverizare şi piroliză („spray pyrolisis”) pe substraturi organice şi
inorganice în intervalul de temperaturi 300÷900K. Obţinerea,
cercetarea şi caracterizarea dispozitivelor fotovoltaice de tip ŞIS,
utilizând semiconductorul oxid ITO, în baza siliciului cristalin şi a
materialelor A3B5, cu o atenţie deosebita asupra procesul de
preparare/tratare chimica a materialelor cristaline. Realizarea celulelor
solare şi asamblarea modulelor solare cu puteri de până la 30W în baza
structurilor ITO/Si.
Studiul şi dezvoltarea celulelor fotoelectrochimice bazate pe electrozi
nanostructuraţi a compuşilor InP şi GaAs.
Din septembrie 2005 până în august 2006 participarea în cadrul unui

proiect internaţional MOE2-3062-CS-03, întitulat "Study of
169
Oxide/Nanoporous III-V Semiconductor Junctions for their use în
Photovoltaic and Photoelectrochemical Production of Hydrogen", între
Academia de Ştiinţe a Moldovei şi Laboratorului Naţional de Energie
Renovabilă din SUA (NREL, 1617 Cole Bevd, Golden, Colorado
80401-3393).
Din ianuarie 2004 până în decembrie 2004 participarea în cadrul
proiectului naţional 45.005P, întitulat „Optimizarea tehnologiei – pilot
de fabricare a celulelor solare”.
Din septembrie 2002 până în decembrie 2003 participarea în cadrul
unui proiect naţional 03.012C, întitulat „Elaborarea tehnologiei-pilot
de fabricare a celulelor şi panourilor solare”.
Numele şi adresa Institutul de Fizică Aplicată al Academiei de Ştiinţe din Republica

angajatorului Moldova
Adresa(e) Str. Academiei 5, MD2028, Chişinău, Republica Moldova
Tel:+37322738150, Fax:+37322738149, E-mail:
director@phys.asm.md, Website: www.phys.asm.md
Tipul activităţii sau Sursele energetice renovabile (fotovoltaica)
sectorul de activitate
Perioada Februarie 2009 – Ianuarie 2011

Bursa de cercetare pentru participare la activităţi ştiinţifice şi tehnice în
cadrul proiectului de cercetare al Laboratorul naţional public-privat
pentru dezvoltarea tehnologiilor pentru energia solară termică, la
temperatură înaltă (ELIOSLAB), efectuat în cadrul Departamentului
TER (Tecnologie per l’Energia, Fonti Rinnovabili e Risparmio
Energetico)
ocupat
Activităţi şi Obţinerea straturilor subţiri de SiO2 prin metoda PECVD pe substraturi
responsabilităţi reflectente şi polimerice. Caracterizarea optica, electrica şi structurala
principale a straturilor şi studierea posibilităţii utilizării lor în oglinzi reflectente.
Numele şi adresa Italian National Agency for New Technologies, Energy and
angajatorului Sustainable Economic Development (ENEA), Portici Research Centre
Adresa(e) Località Granatello, 80055, Portici (Napoli), Italia
Tel: +390817723273, Fax: +390817723344, E-mail:
carlo.privato@enea.it, Website: www.enea.it
Tipul activităţii sau Energia solara termica
Perioada Octombrie 2006 – Ianuarie 2009

Bursă de studiu în cadrul unui proiect finanţat de Direcţia Generală de
Cooperare pentru Dezvoltare (DGDC) din cadrul Ministerului
Afacerilor Externe Italian prin intermediul Programului ICTP (the
Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics) pentru
Antrenare şi Cercetare în Laboratoarele Italiene.
170
ocupat
Activităţi şi Depunerea straturilor subţiri de siliciu amorf şi microcristalin prin
responsabilităţi utilizarea tehnicii PECVD. Studiul regimurilor de creştere a straturilor
principale subţiri şi condiţiile de depunere cu o particulară atenţie asupra
vitezelor de creştere şi a uniformităţii grosimii straturilor. Analiză
proprietăţilor electrice (conductibilitatea electrica), optice
(spectrofotometria UV/VIS/NIR) şi structurale a materialelor
(spectroscopia Raman).
Fabricarea dispozitivelor solare în baza joncţiunilor microamorfe de tip
p-i-n şi n-i-p precum şi a dispozitivelor tandem. Măsurarea şi
caracterizarea parametrilor fotoelectrice a dispozitivelor obţinute şi
asamblarea panourilor solare în baza lor.
Numele şi adresa Italian National Agency for New Technologies, Energy and
angajatorului Sustainable Economic Development (ENEA), Portici Research Centre
Adresa(e) Località Granatello, 80055, Portici (Napoli), Italia
Tel: +390817723273, Fax: +390817723344, E-mail:
carlo.privato@enea.it, Website: www.enea.it
Tipul activităţii sau Tehnologia straturilor subţiri de siliciu amorf şi microcristalin
Educaţie şi formare
Perioada Octombrie 2002 – Septembrie 2003

Calificarea/diploma Master în fizică
obţinută Profilul: Fizica
Specializarea: Fizica
Disciplinele  Optica cuantica
principale  Fizica stării amorfe
studiate/competenţele  Convertori de energie cu semiconductori
profesionale  Fizica semiconductorilor neordonaţi
dobândite  Fizica centrelor adânci în cristale
 Fizica frecvenţelor înalte
 Spectroscopia stării condensate
 Modele experimentale ale electronicii cuantice
 Teoria stării condensate
Titlul tezei de magistru: Proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale

contactului fosfura de indiu – electrolit în calitate de convertor
fotovoltaic.
Numele şi tipul Universitatea de Stat din Republica Moldova, Facultatea de Fizică,
instituţiei de Catedra Fizica Aplicată şi Informatica
învăţământ/furnizorul
ui de formare
Adresa(e) Str. Mateevici 60, MD2009, Chişinău, Republica Moldova
Tel: +37322577401, Fax: +37322244248, E-mail: rector@usm.md,
171
Website: www.usm.md
Perioada Septembrie 1998 – Iunie 2002

Calificarea/diploma Licenţiat în Fizica
obţinută Specialitatea: Fizica
Specializarea: Fizica şi energetica netraditională
Disciplinele  Bazele fizice ale microelectronicii
principale  Tehnologia dispozitivelor semiconductoare
studiate/competenţele  Bazele fizice ale optoelectronicii
profesionale  Fenomene de contact în semiconductori
dobândite  Fenomene de neechilibru în semiconductori
 Fizica dielectricilor
 Teoria electronica a semiconductorilor
 Termodinamica şi fizica statistica
 Bazele tehnicii vidului
 Electrodinamica
 Mecanica cuantica
Titlul tezei de licenţa: Obtinerea structurilor electrolit – fosfura de

indiu şi cercetarea proprietăţilor acestora.
Numele şi tipul Universitatea de Stat din Republica Moldova, Facultatea de Fizică,
instituţiei de Catedra Fizica Aplicată şi Informatica
ui de formare
Adresa(e) Str. Mateevici 60, MD2009, Chişinău, Republica Moldova
Tel: +37322577401, Fax: +(37322)244248, E-mail: rector@usm.md,
Website: www.usm.md
Perioada Septembrie 1995 – Iunie 1998
Calificarea/diploma Diploma de bacalaureat
obţinută
Disciplinele Profil real „fizico – matematic”
principale
studiate/competenţele
profesionale
dobândite
Numele şi tipul Liceul Teoretic româno-german "Mihail Kogălniceanu”
instituţiei de
ui de formare
Adresa(e) Str. Miron Costin 3, MD2068, Chişinău, Republica Moldova
Tel:+37322442035, Website: www.mkogalniceanu.md
Aptitudini şi
competenţe
personale
172
Limba maternă Română
Limbi străine Rusă, Italiană, Spaniolă, Engleză

cunoscute
Competenţe şi abilităţi Spirit de echipă: am experienţa muncii în echipă încă din facultate,
sociale când am participat la activităţile presupuse de proiectele practice şi de
cercetare derulate în cadrul facultăţii. Am continuat să consolidez
această experienţă ca angajat în domeniul specialistic, participând la
proiectele de cercetare.
Competenţe şi Disciplina, seriozitate, receptivitate fata de nou, adaptabilitate,

aptitudini creativitate şi originalitate, interes şi efort pentru perfecţionarea
organizatorice personala continua. Planificarea activităţii unui colectiv de proiect sau
al unei echipe de lucru, asumarea responsabilităţii de membru de grup.
Competente în conceperea unor instalaţii mecanice. Comunicare. etc.
Competenţe şi Depanare aparate electrice, mecanice şi electrocasnice

aptitudini tehnice
Competenţe şi O bună cunoaştere şi stăpânire a aplicaţiilor informatice (Windows,

aptitudini de utilizare Office, Outlook Express, Photoshop, Adobe illustrator, Internet
a calculatorului Explorer, OriginLab)
Competente şi Pasionat de artistica foto

aptitudini artistice
Alte competenţe şi Hobby: construcţii mecanice.

aptitudini
Permis de conducere B
Informaţii Referinţele pot fi furnizate la cerere

suplimentare
173

OBŢINEREA CELULELOR SOLARE ITO-Si CU SUPRAFEŢE PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

OBŢINEREA CELULELOR SOLARE ITO-Si CU SUPRAFEŢE PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

ACADEMIA DE ŞTIINŢE A REPUBLICII MOLDOVA

INSTITUTUL DE FIZICĂ APLICATĂ

OBŢINEREA CELULELOR SOLARE ITO-Si CU SUPRAFEŢE

01.04.10 Fizica şi ingineria semiconductorilor

Conducător ştiinţific: Dormidont Şerban, prof., dr.hab.

1. REVISTA PUBLICAŢIILOR CURENTE PRIVIND CELULELE SOLARE

4. OBŢINEREA ŞI CERCETAREA CELULELOR SOLARE BILATERALE

В диссертационной работе представлены результаты исследований по разработке простой

показана действенность подобного рода фотоэлементов с двусторонней чувствительностью.

1.1. Sursele renovabile. Conversiunea fotovoltaică

Fig.1.2. Dezvoltarea celulelor solare în baza siliciului.

1.3. Straturile TCO

unde Rs este rezistenţa superficială în Ohmi pe pătrat, egală cu

iar d – grosimea stratului de oxid în centimetri. Este ştiut, că

Q  d  exp( d ) (1.4)

Tabelul 1.1. Valorile factorului de calitate Q pentru diferite materiale TCO

Material Rs (Ω/□) α (cm-1) Q (Ω-1)

Tabelul 1.2. Lucrul de eşire a unor materiale TCO

Tabelul 1.3. Criteriile de selecţie a TCO

Transparenţa maximală ZnO:F, Cd2SnO4

1.4. Straturile ITO şi ZnO

Fig.1.3. Structura benzilor In2O3 nedopat si dopat cu Sn.

Piroliza este descompunerea unui amestec de vapori pe o suprafaţă încălzită. În cazul

Tabelul 1.5. Procentajul InCl3 în soluţia alcoolică InCl3:SnCl4

σ (Ohm-1cm-1) 2,6102 2,6103 4,7103 2,6103 1,3103 42,4

n (cm-3) 11020 5,51020 1,11021 6,51020 6,81020 5,31019

Eg (eV) 3,2 3,52 3,7 3,44 3,44 3,44

Straturi ITO cu conductivitate electrică şi transparenţa maximală de 90% în domeniul

Tabelul 1.6. Sistematizarea datelor de obţinere a straturilor ZnO

1.5. Structurile SIS

Fig.1.4. Diagrama benzilor energetice a structurii ITO/nSi/n+Si: a) la întuneric, b) la iluminare în

Tabelul 1.7. Sumarizarea mecanismelor de pierdere a energiei , care nu permit obţinerea

Cea mai înaltă eficienţă de 12,6% a fost obţinută în cazul CS SnO2:P/SiO2/n-Si cu

1.6. Celulele solare bifaciale

În anii ce urmează dezvoltarea CSB mergea paralel cu dezvoltarea CS obişnuite, în multe

Fig.1.7. Celula solară bifacială texturizată.

Fig.1.9. Construcţia CSB de tipul c).

Eficienţa la iluminare din spate alcătueşte 63% în comparaţie cu iluminarea frontală.

Fig.1.10. Celula solară bifacială texturizată de tipul c).

1.7. Celule solare cu heterojoncţiuni şi straturi subţiri amorfe şi microcristaline de siliciu

Fig.1.11. CS în baza structurilor αSi:H/Si policristalin.

1.8. Concluzii la capitolul 1

În comunitatea ştiinţifică sunt specificate diverse metode de caracterizare a

Sub termenul suport se subînţelege sistemul de fixare a plachetei-substrat pe care va fi

Fig.2.2. Imaginea schematică şi reală a sistemului de pulverizare

2.2. Descrierea instalaţiei de depunere a structurilor microamorfe.

Camerele de depunere: Camerele instalaţiei sunt plasate în următoarea ordine iar

Fig.2.4. Sistema optică a spectrofotometrului Perkin Elmer model Lambda 900.

2.4. Descrierea masurarii Raman.

Fig.2.6. Renishau Raman Microscope, system 2000

Fig.2.7. Schema sistemei „Renishau Raman Microscope, system 2000”

Fig.2.8. Schema sistemei de masurare a caracteristicilor curent-tensiune.

2.6. Descrierea masurarii eficientii cuantice interne

Fig.2.9. Schema sistemii pentru masurarea eficienţei cuantice interne şi fotosensibilitatii

2.7. Concluzii la capitolul 2

3.1. Obţinerea straturilor subţiri oxidici prin metoda pulverizării.

3.1.1. Succesiunea proceselor de obţinere a straturilor subţiri In2O3:SnO2 (ITO)

HNO3  H   NO3 (3.2)

SnCl 4  O2  SnO2  4Cl

Realizarea contactelor ohmice cu suprafeţele celulelor solare ITO/SiO2/nSi

Fig.3.3. Forma şi dimensiunile grilei de contact.

Pentru optimizarea procedeului de obţinere a celulelor solare şi a parametrilor fotovoltaici

3.2. Determinarea concentraţiei optimale a purtătorilor de sarcină în Si-materialul de bază