JONCŢIUNEA PN.

DIODA SEMICONDUCTOARE

Descrierea calitativă a joncţiunii PN

Semiconductoare intrinseci

Elementele ce stau la baza realizării dispozitivelor semiconductoare sunt în general elemente

din grupa a IV-a al tabloului periodic. Este cunoscut faptul că atomii acestor elemente sunt
atomi tetravalenţi şi ca urmare, fiecare dintre ei va stabili legături de tip covalent cu alţi patru
atomi alăturaţi. Teoretic, electronii stratului exterior al fiecărui atom vor fi prinşi în aceste
legături covalente, neputând participa la o eventuală conducţie a curentului electric prin
această structură . Aspectul reţelei descrise este prezentat în figura 1.1.

Fig. 1.1- Aspectul reţelei cristaline ideale a elementelor tetravalente

Practic însă la temperaturi diferite de 0 K o parte din aceste legături între atomi se rup,
rezultând astfel electroni liberi ce pot participa la conducţia curentului electric. Totodată,
electronul devenit liber lasă în urma sa o legătură covalentă incompletă, denumită „gol”. Ca
urmare, apare posibilitatea refacerii acestei legături incomplete prin „zmulgerea” unui
electron ce realizează o legătură covalentă într-o zonă învecinată. În acest mod se reface
prima legătură covalentă cu preţul distrugerii celei învecinate. În acest mod lipsă electronului
s-a mutat din legătura covalentă iniţială în legătura covalentă alăturată. Se poate imagina
astfel migrarea golului (lipsa electronului) de la o legătură covalentă la alta. Apariţia golului
determină totodată şi apariţia unei sarcini electrice pozitive, datorate lipsei electronului
dispărut din legătura covalentă. Prin urmare, se poate asocia lipsa electronului cu apariţia unui
purtător de sarcină electrică poziitvă , golul.
Structura elementelor tetravalente la tempearturi diferite de 0 K este prezentată în figura 1.2
Fig. 1.2- Aspectul reţelei cristaline a elementelor tetravalente la temperaturi mai mari de 0 K

În concluzie, în urma acestor fenomene într-un material semiconductor, aflat la

temperaturi mai mari de 0 K, pot apare purtători de sarcină electrică negativă – electronii şi
purtători de sarcină electrică pozitivă – golurile. Ţinând cont de modul de generare al acestor
tipuri de purtori de sarcină se observă că ele sunt generate în perechi, numărul de electroni
fiind egal cu numărul de goluri. Aceste două tipuri de purtători de sarcină coexistă până în
momentul în care un electron liber întâlneşte un gol. În acest moment apare fenomenul de
recombinare ce determină dispariţia perechii electron-gol. Procesul este un proces dinamic în
sensul că în fiecare moment se generează noi perechi de electron-gol concomitent cu
recombinarea şi dispariţia altor perechi de electron-gol.

Semiconductoare extrinseci

Dacă în structura unui cristal tetravalent intrinsec sunt introduşi atomi străini se obţine un
semiconductor de tip extrinsec.
De obicei cristalul semiconductor este impurificat cu atomi de elemente chimice trivalente sau
pentavalente. Atomii de impurităţi se vor fixa în nodurile reţelei cristaline tetravalente,
substituindu-se atomilor (de element tetravalent) ce existau iniţial în structura cristalină a
materialului intrinsec.
După cum s-a arătat în subcapitolul anterior fiecare atom, inclusiv cel al elementului de
impurificare va forma legături covalente cu patru atomi alăturaţi. În cazul în care
impurificarea s-a făcut cu elemente pentavalente (fosfor, arseniu, stibiu) unul din electronii
de pe stratul exterior va rămâne liber putând contribui la conducţia curentului electric prin
structură. Fenomenul descris anterior este sugestiv reprezentat de figura 1.3

Fig. 1.3-Semiconductor extrinsec dopat cu elemente pentavalente

Este lesne de observat că în acest caz, în afară de golurile şi electronii ce se generează perechi
ca în cazul semiconductorului intrinsec apare suplimentar un număr de electroni datorat
dopării cu atomi pentavalenţi. Ca urmare numărul de electroni excedentari va fi egal cu
numărul atomilor pentavalenţi introduşi în reţeaua cristalină. În cazul apariţiei unui câmp
electric în semiconductor la conducţia curentului electric vor participa atât perechile de
electron-gol generate intrinsec cât şi electronii suplimentari generaţi de atomii pentavalenţi
introduşi în nodurile reţelei cristaline.
Datorită faptului că numărul de electroni ce participă la conducţia curentului electric este mai
mare decât numărul de goluri acest tip de semiconductor extrinsec se numeşte semiconductor
de tip n (conducţia curentului electric este realizată preponderent de sarcini electrice negative-
electronii) .
Dacă impurificarea cristalului se realizează cu atomi ai unor elemente chimice trivalente
(indiu) cei trei electroni de valenţă ai acestora vor forma legături covalente cu trei atomi
alăturaţi din cristalul de bază tetravelent.
Rămâne în acest mod un atom tetravalent din structura cristalină de bază ce nu-şi poate realiza
octetul pe ultimul strat de electroni. În această situaţie, atomul va zmulge un electron dintr-o
legătură covalentă alăturată, ceea ce echivalează cu propagarea lipsei de electroni (gol) dintr-o
legătură covalentă în cea alăturată. Imaginea acestui proces este prezentată în figura 1.4.

Fig. 1.4.-Semiconductor extrinsec dopat cu elemente trivalente

În această situaţie apare un număr suplimentar de goluri faţă de numărul acestora generat în
structura semiconductorului intrinsec, excedent ce poate participa la conducţia curentului
electric. Iată deci că în cazul semiconductoarelor extrinseci dopate cu elemente trivalente se
generează un număr de perechi electron-gol ca în cazul semiconductorului intrinsec şi
suplimentar, apare un număr de goluri datorat dopajului cu elemente trivalente, goluri ce pot
participa la conducţia curentului electric prin structură.
Un astfel de semiconductor impurificat cu elemente trivalente se numeşte semiconductor de
tip p ((conducţia curentului electric este realizată preponderent de sarcini electrice pozitive-
golurile).

Joncţiunea pn

Joncţiunea pn reprezintă o structură fizică realizată într-un cristal semiconductor care

are două regiuni învecinate, una de tip p – dopată deci cu atomi acceptori şi alta de tip n –
dopată cu atomi donori. Limita de demarcaţie între cele două regiuni vecine se numeşte
joncţiune.
Descrierea matematică exactă a fenomenelor din joncţiunea pn foloseşte ecuaţiile de
bază ale dispozitivelor semiconductoare pentru tot volumul joncţiunii; calculele sunt
laborioase chiar pentru un model unidimensional şi cu profil abrupt al concentraţiei de
impurităţi şi se realizează pe baza unor programe dedicate rulate pe calculatoare performante.
 Pentru a putea totuşi descrie fenomenele ce apar în cadrul joncţiunii pn s-a adoptat
modelul joncţiunii golite de purtători de sarcină.
Aplicând acest model, la limita de separare între cele două regiuni apare o zonă golită
de purtători de sarcină . Se consideră că electronii, care sunt purtători de sarcină majoritari în
regiunea n difuzează în regiunea p unde devin puttători minoritari de sarcină.
Similar, golurile – purtători de sarcină majoritari în regiunea p vor difuza în regiunea
n, devenind la rândul lor purtători minoritari de sarcină în această regiune.
În urma acestui proces, în apropierea joncţiunii, purtătorii de sarcină majoritari devin
absenţi, acest fenomen determinând apariţia unei regiuni golite de purtători de sarcină
electrică. Figura 1.5. ilustrează fenomenul descris mai sus.
Dacă la extremităţile joncţiunii pn se aplică o tensiune electrică, aceasta se va regăsi în
întregime la capetele zonei golite de purtători de sarcină. În cazul în care această tensiuni este
aplicată cu sensul de la regiunea p (potenţialul mai ridicat) la regiunea n (potenţialul mai
scăzut0 regiunea golită de purtători de sarcină se va îngusta ( vezi figura 1.6). Dacă sensul
tensiunii aplicate joncţiunii va fi inversat – potenţialul mai mare aplicat regiunii n, regiunea
golită de purtători de sarcină se va extinde ( vezi figura 1.7)
Îngustarea regiunii golite de purtători de sarcină va favoriza trecerea purtătorilor de
sarcină prin joncţiune, în timp ce extinderea acesteia va diminua acest proces.
Zonă golită de
purtători de sarcină

domeniul p domeniul n

Fig. 1.5.- Joncţiunea pn la echilibru

Zonă golită de
purtători de sarcină

domeniul p domeniul n

+ -
Fig. 1.6- Joncţiunea pn polarizată direct
 Zonă golită de purtători
de sarcină

domeniul p domeniul n

- +
Fig. 1.7.- Joncţiunea pn polarizată invers

Dioda semiconductoare

Caracteristica curent-tensiune a diodei semiconductoare

Cel mai simplu dispozitiv electronic semiconductor bazat pe joncţiunea pn este dioda
semiconductoare. Acest dispozitiv semiconductor se bazează pe o singură joncţiune pn.
Simbolul diodei semiconductoare este prezentat în figura 1.8.
A K

Fig. 1.8.-Simbolul diodei semiconductoare

Se observă în figura 1.8. cele două terminale ale diodei, una notată cu „A” – anodul, care
corespunde regiunii semiconductoare de tip p şi alta notată cu „K” – catodul ce corespunde
regiunii de tip n.
Considerând sensul de referinţă al tensiunii, respectiv al curentului prezentate în figura
1.9:
U
A

I A K
A

Fig. 1.9.-Sensurile de referinţă ale tensiunii şi curentului

ecuaţia curent – tensiune are forma:
 eU A 
I A  I 0  exp  1
 kT  (1.1)
unde semnificaţia termenilor ce apar în relaţie este:
IA – intensitatea curentului electric prin diodă (curentul anodic)
I0 – curentul de saturaţie al diodei
UA – tensiunea la bornele diodei (tensiunea anodică)
19
e – sarcina electrică elementară ( 1,6  10 C )
k – constanta lui Boltzman
T – temperatura măsurată în Kelvin
Curentul de saturaţie al diodei – I0 este o mărime specifică fiecărui tip de diodă şi poate fi
aflat din catalogul de componente semiconductoare (catalog editat de fiecare fabrică de
dispozitive electronice). Semnificaţia acestei mărimi va fi prezentată ulterior.
Forma grafică a dependenţei curent-tensiune este prezentată în figura 1.10.

Fig. 1.10.-Dependenţa curent-tensiune a diodei semiconductoare

Regimurile de lucru ale diodei semiconductoare

Studiind relaţia 1.1 şi observând graficului prezentat în figura 1.10 se disting două
regimuri de funcţionare ale diodei semiconductoare.
Prima regiune a graficului – regiunea conducţiei directe, plasată în cadranul I,
ilustrează funcţionarea diodei semiconductoare în condiţia în care :
UA  0
Pentru această polarizare a diodei, intensitatea curentului electric anodic este pozitivă
şi creşte accentuat odată cu creşterea tensiunii anodice aplicate diodei.
În această zonă de lucru graficul dependenţei curent-tensiune este ilustrat în figura
1.11.

Fig. 1.11.-
Caracteristica diodei
semiconductoare în
zona polarizării
directe
Analizând relaţia 1.1 se observă că în cazul polarizării directe (deci U A  0) factorul :
eU A
exp  1
kT

şi în aceste condiţii ecuaţia curent –tensiune a diodei semiconductoare poate fi considerată cu

o bună aproximaţie ca fiind de forma:

eU A (1.2)
I A  I 0 exp
kT
În cazul polarizării inverse –
tensiunea anodică negativă, adică U A  0 , va fi îndeplinită condiţia:
eU A
I 0 exp  1
kT
iar relaţia 1.1 va căpăta forma:
I A  I 0 (1.3)
Aspectul grafic al dependenţei curent –tensiune în cazul polarizării inverse a diodei
semiconductoare este prezentat în figura 1.11.

Fig. 1.12-Caracteristica diodei semiconductoare în zona polarizării inverse

Studiind relaţia 1.3. se observă că în cazul polarizării inverse intensitatea curentului electric
prin dioda semiconductoare este egală cu valoarea curentului de saturaţie. Iată deci
semnificaţia curentului de saturaţie –I0 care reprezintă intensitatea curentului ce străbate
dioda semiconductoare în cazul polarizării inverse a acesteia. Ordinele de mărime ale
curenţilor de saturaţie sunt foarte mici, aceştia având valori de nA în cazul diodelor de mică
putere cu Si, sau μA în cazul diodelor de medie şi mare putere.

Circuite cu diode semiconductoare

Analiza exactă a circuitelor cu diode semiconductoare

 Cel mai simplu circuit ce conţine o diodă semiconductoare este prezentat în figura
1.13. Este un circuit serie, realizat cu o rezistenţă R, o diodă cu Si şi o sursă de tensiune E.
R
I

U
E A

Fig. 1.13.-Schema de polarizare a diodei semiconductoare

Aplicând legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul marcat în interiorul schemei se obţine:
IR  U A  E (1.4)
Ecuaţia de mai sus va fi utilizată aluri de ecuaţia curent-tensiune caracteristică diodei
semiconductoare polarizată direct:
eU
I  I0 exp A
kT , (1.5)
ecuaţie ce poate fi scrisă sub forma:
kT I
UA  ln
e I0 (1.6)
kT
termenul e are valoare de 0,025 V, pentru o temperatură de valoarea T  300K . Datorită
acestui fapt ecuaţia 1.6 poate fi scrisă sub forma:
I
U A  0, 025ln
I0 (1.7)
Pe de altă parte, din ecuaţia 1.4 se poate exprima valoarea intensităţii curentului electric pin
circuit:
E  UA
I
R (1.8)
Deci pentru determinarea mărimilor electrice ce caracterizează funcţionarea diodei
trebuie rezolvat sistemul format din ecuaţiile 1.7 şi 1.8. Datorită ecuaţiei 1.7 pentru acest
sistem nu poate fi găsită o soluţie analitică . Sistemul de ecuaţii 1.7, 1.8 poate fi rezolvat doar
prin metode numeice.
O astfel de metodă ce poate fi utilizată este următoarea: se porneşte de la o valoare
iniţială aleasă pentru intensitatea curentului:
I  I1
Se introduce această valoare în ecuaţia 1.7, determinându-se o valoare corespunzătoare a
tensiunii la bornele diodei UA1:
I
U A1  0, 025ln 1
I0
Această valoare a tensiunii la bornele diodei este utilizată în relaţia 1.8, determinându-se o