Ministerul Educatie, Culturii si Cercetarii al Republicii Moldova

Centrul de Excelenta in Energetica si Electronica

Catedra : Tehnologii Informationale

Lucrare de laborator Nr.3

Disciplina : Dispozitive electrice si microelectronice
Tema: Studierea tranzistorului bipolar la conexiunea EC.

A efectuat: elevul gr. AT-0119 Goncear Ovidiu

A verificat: professor Tofanica Veaceslav

Chisinau 2021
Scopul lucrării:
1. Determinarea și verificarea funcționalității dispozitivelor electronice intr-un
montaj.
2. Sa se studieze conexiunea tranzistorului bipolar la conexiunea EC.
3. Sa se ridice tensiuni si curenti din circuitul dat.
4. Sa se traseze familia caracteristicilor de intrare si iesire pentru conexiunea
EC.
5. Sa se interpreteze rezultatele obtinute.

Figura 1- Schema de cercetare a tranzistorului bipolar in conexiunea EC

Tabelul 1- Rezultatele familiei caracteristicilor de intrare.

Uc- Offset
e, V 0 1 2 3 4 5 6 8 10 12

0 Ib, 0 42.9 141. 239. 338.7 437. 537. 736. 935.4 1135
mA 2 3 7 9 3 2
Ub-e, 0 606. 640. 655. 665.8 673. 680. 690. 698.9 706
mV 7 3 6 7 1 5
5 Ib, 0 36.0 132 228 329.3 428. 527 726 926 1125
mA 9 5
Ub-e, 0 692. 732. 748 759.6 767. 774. 784. 793.2 800
mV 1 4 7 3 8
 Tabelul 2- Rezultatele familiei caracteristicilor de iesire.
Offset
0 1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20

Ib=10µA=0.01mA
Uc-e 0 1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20
,V
Ic 0 30. 54. 73. 87. 95. 98. 101. 104.3 107.4 110. 113. 116. 119.5
,mA 82 40 33 17 44 12 23 5 5 5
Ib=50µA=0.05mA
Uc-e 0 1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20
,V
Ic 0 28. 49. 65. 75. 80. 81. 84. 87. 89. 92. 94. 97. 99.
,mA 32 19 18 83 61 92 53 11 69 25 80 33 85
Ib=100µA=0.1mA
Uc-e 0 1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20
,V
Ic 0 25. 43. 56. 64. 66. 67. 69. 71. 73. 75. 77. 79. 81.
,mA 74 82 78 12 04 11 24 36 47 56 66 74 81
Ib=150µA=0.15mA
Uc-e 0 1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20
,V
Ic 0 23. 38. 48. 52. 52. 59. 55. 57. 58. 60. 61. 72. 65.
,mA 09 29 11 01 87 72 42 11 79 47 14 80 45
Ib=200µA=0.2mA
Uc-e 0 1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20
,V
Ic 0 20. 32. 39. 40. 41. 43. 44. 45. 47 48. 49. 49. 50.
,mA 36 58 15 47 13 10 40 70 29 57 57 85

Formule de calcul  :
ΔUb−e
 Rezistenta de intrare : h1.1e = ΔIb = [ Ω];
601.76 685.21
h1.1e(0) = 454.442 = 1.324[ Ω ] ; h1.1e(5) = 445.789 = 1.537[ Ω ];

ΔUb−e
 Factorul de reactie: h1.2e = ΔUc−e .

601.76 685.21
h1.2e(0) = 2.5 = 240.7 ; h1.2e(5) = 2.5 = 274.08 ;
 ΔIc
 Factorul de amplificare in curent: h2.1e = ΔIb
86.59 60.89 39.44
h2.1e(1) = 0.01 = 8659 ; h2.1e(3) = 0.1 = 608.9; h2.1e(5) = 0.2 =197.2

73.33 50.38
h2.1e(2) = 0.05 = 1 466.6 ; h2.1e(4) = 0.15 = 335.9

ΔIc
 Conductivitatea de iesire: h2.2e = ΔUc−e
[S]

86.59 60.89
h2.2e(1) = 8.5 = 10.19[ S ] h2.2e(3) = 8.5 = 7.16[ S ]
73.33 50.38
h2.2e(2) = 8.5 = 8.63[ S ] h2.2e(4) = 8.5 = 5.93[ S ]
39.44
h2.2e(5) = 8.5 = 4.64[ S ]

Concluzie: In cadrul acestei lucrari am efectuat cercetarea tranzistorului bipolar in

conexiunea EC, am ridicat datele necesare ,iar la final am trasat graficele
caracteristicilor curent-tensiune.