Ministerul Educatie, Culturii si Cercetarii al Republicii Moldova

Centrul de Excelenta in Energetica si Electronica

Catedra : Tehnologii Informationale

Lucrare de laborator Nr.4

Disciplina : Dispozitive electrice si microelectronice
Tema: Studierea tranzistorului bipolar in conexiunea BC.

A efectuat: elevul gr. AT-0119 Cortac Marin

A verificat: professor Tofanica Veaceslav

Chisinau 2020
Competențe vizate de lucrare:

Competența specifică: determinarea și verificarea funcționalității dispozitivelor

electronice discrete într-un montaj.

Competente derivate: elevii vor dobândi competențele:

Cd1 — să studieze proprietățile tranzistorului bipolar în conexiunea BC;
Cd2 — să ridice tensiuni și curenți din circuitul dat;
Cd3 — să traseze familiile caracteristicilor de intrare și ieșire pentru conexiunea
BC, adică I e = f(U e−b) / U c−b = const și I c = f(U c−b)/ I e = const.;
Cd4 — să determine h-parametrii pentru conexiunea BC;
Cd5 — să interpreteze rezultatele obținute.

În figura 1 sunt reprezentate schemele de cercetare.

Figura 1 - Schemele de cercetare a tranzistorului bipolar în conexiunea BC.

 Figura 2 -Circuitul de ridicare a caracteristicilor de intrare I e = f(U e−b) / U c−b = const

Tabelul I -Rezultatele familiei caracteristicilor de intrare adică: I e = f(U e−b) / U c−b =

const

Uc-b Offset
,V 0 1 2 3 4 6 8 10 12 14
Ie,mA 0 0.396 0.879 1.372 1.868 2.862 3.858 4.854 5.852 6.849
0 Ue-
0 609 642 656 665 678 686 693 698 703
b ,mV
Ie,mA 0 0.397 0.881 1.374 1.870 2.864 3.859 4.856 5.853 6.761
5 Ue-
0 606 638 653 662 674 683 689 695 699
b ,mV

Figura 3 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor de ieșire adică: I c = f(U c−b)/ I e =

const.;

Tabelul II — Rezultatele familiei caracteristicilor de ieșire:

Ie,m Offset
A 0 1 2 3 4 5 6 8 10 12 16 20
R1 = 2.5 kΩ
Uc-b 0.72 0.53 0.57 2.57 3.57 5.56 7.55 9.55 18.0
V 0.74 1.57 14
1 1 7 8 3 1 4 9 3 3
Ic,m 0.72 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05
0.26
A 5 1 1 2 2 2 2 3 3 3 4
R1 = 2.5 kΩ
Uc-b 0.77 0.76 0.75 0.73 0.69 0.09 1.14 3.08 6.08 7.07 11.0 15.0
2 V 8 7 3 4 4 7 4 7 1 4 6 5
Ic,m 0.34 0.74 1.13 1.53 1.91 2.04 2.04 2.04 2.04 2.04 2.04 2.04
A 8 3 8 0 4 5 6 7 7 7 8 9
R1 = 2.5 kΩ
Uc-b 0.82 0.78 0.74 0.31 0.80 1.80 2.79 4.79 6.79 8.79 12.7 16.7
3 V 9 0 2 6 2 1 9 7 4 2 9 8
Ic,m 0.97 2.15 3.36 4.03 4.03 4.03 4.03 4.03 4.03 4.03 4.03 4.03
A 1 8 7 1 2 3 3 4 5 6 8 9
R2 = 820 kΩ
Uc-b 0.80 0.79 0.78 0.77 0.75 0.74 0.71 0.61 2.40 4.59 8.58 12.5
4 V 0 1 2 1 9 3 8 2 5 8 4 7
Ic,m 0.35 0.75 1.14 1.54 1.94 2.36 2.62 3.03 3.04 3.04 3.04 3.04
A 6 3 9 5 0 4 4 8 0 0 2 3
R2 = 820 kΩ
Uc-b 0.82 0.80 0.73 0.13 0.98 1.98 3.98 5.98 7.97 11.9 14.9 15.9
5 V 3 1 0 1 7 6 3 0 8 7 1 7
Ic,m 0.99 2.18 3.37 4.53 5.02 5.02 5.02 5.02 5.02 5.00 5.03 5.03
A 2 4 1 6 5 5 6 6 8 9 2 5

Formule pentru calcule:

∆ U e−b
 Rezistența de intrare: h1.1 b =
∆ I e [ ];
Ω

603 599.9
h1.1b(0) = 2.879 = 209.45[Ω]; h1.1b(5) = 2.8715 = 208.92[Ω];

∆ U e−b
 Factorul de reacție : h1.2 b =
∆ U c−b [ ];
.
 603 599.9
h1.2b(0) = 2.5 = 241.2[.]; h1.2b(5) = 2.5 = 239.96[.];

∆ Ic
 Factorul de transfer în curent: h2.1 b =
∆ I e [ ];
.

0.871 1.667
h2.1b(1) = 1 = 0.871 [.]; h2.1b(2) = 2 = 0.834 [.];

3.567 2.161
h2.1b(3) = 3 = 1.189 [.]; h2.1b(4) = 4 = 0.540 [.];

4.274
h2.1b(5) = 5 = 0.855 [.];

∆ Ic
 Conductivitatea de ieșire: h2.2 b =
∆ U c−b [ S];
0.871 1.667
h2.2b(1) = 5416 = 0.00016 [ S]; h2.2b(2) = 3943 = 0.00042 [ S];

3.567 2.161
h2.2b(3) = 4835 = 0.00074 [ S]; h2.2b(4) = 2844 = 0.00076 [ S];

4.274
h2.2b(5) = 5521 = 0.00077 [ S];

Concluzie:

În cadrul acestei lucrări am efectuat cercetarea tranzistorului bipolar în conexiunea

BC, am ridicat tensiuni si curenti din circuitul dat , dar am si trasat familiile
caracteristicilor de intrare si iesire pentru conexiunea BC, adică I e = f(U e−b) / U c−b =
const și I c = f(U c−b)/ I e = const.