Determinarea caracteristicii volt-amperice a diodei

Scopul lucrării: Să se determine caracteristica volt-amperică a unei

diode semiconductoare și curentul de saturație a acesteia I 0
Utilaj:
 Diodă semiconductoare
 2 multimetre, unul pe post de voltemtru, altul ampermetru
 Sursă de tensiune
 Reostat cu cursor
 Fire de conexiune (turma de cabluri-crocodil)
Note teoretice:
Curentul de saturație ( I 0 sau I s ¿ este curentul care trece prin diodă la tensiuni
negative mai mari decât cea de străpungere. La diodele moderne, acesta este de
ordinul 10−12 .

Caracteristica volt-amperică a diodei neideale poate fi modelată analitic după

formula I =I 0 ( e kT −1 ) (1 ). Pentru aflarea I 0 vom logaritma ecuația, și vom
eU

considera ( e kT −1 ) ≈ e kT așa cum expresia exponețială e de ordinul 103, adică mult

eU eU

mai mare decât 1.

 Modul de lucru:
1. Vom asambla circuitul din imagine
2. Vom colecta Intensitatea curentului pentru mai
multe tensiuni. Vom utiliza reostatul pentru a
schimba tensiunea
3. Vom include datele in tabel și vom construi
graficul
4. Vom logaritma valorile lui I și vom construi
eU
graficul logaritmat (pe Oy - ln ( I ), pe Ox ln ( I 0 ) + kT )
, care ar trebui sa fie liniar.
5. Găsim funcția f ( x )=ax+ b a acestui grafic,
termenul b reprezintă ln ⁡(I 0)
6. Aflăm I 0=e ( )
ln I 0

7. Din considerente de „De ce nu?” aflăm și temperatura diodei când au fost

ak
efectuate măsurările după formula T = e
8. Vom estima erorile. ∆ I 0=eln I ∗∆ ln I 0 ; ε =∆ ln I 0
0

9. Scriem rezultatele finale, concluzii

Date:
U ,V I, A ln I
0,38 0,005 -5,29832
0,41 0,014 -4,2687
0,46 0,055 -2,90042
0,48 0,111 -2,19823
0,5 0,179 -1,72037
0,52 0,25 -1,38629
0,55 0,512 -0,66943
0,59 1,441 0,365337
0,61 1,837 0,608134
0,62 2,74 1,007958
 3

2.5

1.5
I

0.5

0
0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65
U
g1
2

0
0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65

-1
Ln I

-2

-3

-4

-5

-6
U
g2
Din g2 extragem punctele (0,4; -4,5) și (0,6; 0,55) și aflăm coeficienții
e
a= ≈ 25,25 ; b=ln I 0 ≈−14.6
kT
−14,6 −7
I 0=e =4,56∗10 A
25,25∗k
T= =459 K
e
1
Vom asuma că ∆ b=∆ ln I o = 20 ( jumate din o zecime din o despartitura)
 −2 −7 −8
∆ I 0=5∗10 ∗4,56∗10 =2,28∗10
ε I =5 %
0

Rezultatul final:

I 0=( 4,5∗10−7 ± 2∗10−8 ) A

ε I0=5 %

Concluzii:
Am reușit cu succes determinarea caracteristicii volt-amperice a diodei cu
semiconductor și măsurarea indirectă a curentului de saturație I 0 din aceasta.
Rezultatele sunt acceptabile și apropiate de valorile potențial reale. De
asemenea, am determinat și temperatura internă a diodei (185 C), care pare
destul de ridicată, însă corespunde ca ordin de magnitudine. Erorile sistemice
sunt acceptabile, însă pentru calcularea celor sistemice nu am creat un model.
Totuși factorul exponențial din calcularea rezultatului și a erorii ar putea duce la
abateri neprevăzute, de aceea, pentru măsurători mai precise ar trebui sa folosim
un alt model.