Ministerul Educatie, Culturii si Cercetarii al Republicii Moldova

Centrul de Excelenta in Energetica si Electronica

Catedra : Tehnologii Informationale

Lucrare de laborator Nr.8

Disciplina : Dispozitive electrice si microelectronice
Tema: Cercetarea fotorezistorului

A efectuat: elevul gr. AT-0119 Goncear Ovidiu

A verificat: professor Tofanica Veaceslav

Chisinau 2021
 Scopul lucrarii:
1. Studierea proprietatilor fotorezistorului.
2. Ridicarea si trasarea caracteristicilor curent-tensiune ,adica If = f(Uf) / Ф =
const.
3. Ridicarea si trasarea caracteristicilor de luminanta If = f(Ф) / Uf = const.
4. Determinarea parametrilor de baza K0 , Kf si trasarea dependentei Rf = f(Ф) /
Uf = const.
5. In figura 1 este reprezentata schema de cercetare.

Figura 1- Circuitul de cercetare a fotorezistorului

Tabelul 1 – Rezultatele pentru determinarea intensitatii fascicolului.

Ub,V 0 0.5 0.9 1.3 1.7 2.1 2.5 2.9 3.3 3.7 4.1 4.5 4.9
Ib,mA 0 75 95 105 125 140 155 175 180 195 205 215 225
P, W 0 0.038 0.082 0.130 0.142 0.28 0.37 0.486 0.57 0.694 0.9 0.97 1.066
8
Ф, lm 0 0.12 0.22 0.27 0.52 0.92 1.52 1.82 2.32 2.62 3.2 3.92 4.22
2

Tabelul 2 – Rezultatele pentru caracteristicile curent-tensiune

Ub = 4.0V Ф = 3.2 lm
Uf,V 0 5 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29
If,mA 0 0.3 0.6 0.8 1 0.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7 3 3.6
Ub = 4.4V Ф = 3.9 lm
Uf,V 0 5 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29
If,mA 0 0.5 0.9 1.1 1.3 1.6 1.9 2.1 2.4 2.7 3 3.3 3.6
Ub = 4.8V Ф = 4.2 lm
Uf,V 0 5 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29
If,mA 0 0.6 1.2 1.5 1.7 2 2.3 2.6 2.9 3.3 3.7 4.1 4.5
Tabelul 3 – Rezultatele caracteristicilor de luminanta
Uf = 24 V
Ub, V 0 1 1,8 2,6 3,4 4,2 4,6 5
Ф, lm 0 0,3 0,6 1,6 2,4 3,3 4 4.3
If, mA 0 0,37 0,49 0,61 0,69 0,77 0,83 0,85
Rf, kΩ - 78 57,5 45,9 40,5 36,3 33,8 33
Uf = 26 V
Ф, lm 0 0,3 0,6 1,6 2,4 3,3 4 4,3
If, mA 0 0,45 0,55 0,7 0,8 0,91 1,01 1,05
Rf, kΩ - 68 55 43 37,7 33,2 30,1 29
Uf = 28 V
Ф, lm 0 0,3 0,6 1,6 2,4 3,3 4 4,3
If, mA 0 0,5 0,65 0,85 0,95 1,1 1,2 1,25
Rf, kΩ - 65,2 49,7 38 34,1 29,7 27,3 26,3

Formule pentru calcul  :

If mA
a) Sensibilitatea specifica : k0 = Uf +Ф [ lm∗V ];
0.7 mA 1.0 mA
k0(1) = 10+3.2 = 0,053 [ lm∗V ]; k0(2) = 10+3.9 = 0,072 [ lm∗V ];
1.4 mA
k0(3) = 10+4.2 = 0,099 [ lm∗V ];

If mA
b) Sensibilitatea integrala: kf = [ ];
Ф lm

0,56 mA 0,65 mA
kf (1) = 1,5 = 0,373 [ ];
lm kf (2) = 1,5 = 0,43 [ ];
lm

0,8 mA
kf (3) = 1,5 = 0,53 [ ];
lm
 1.4

1.2

0.8
If ,mA

0.6

0.4

0.2

0
0 0.3 0.6 1.6 2.4 3.3 4 4.3

Ф,lm

Uf = 24 V Uf = 26 V Uf = 28 V

Figura 2 – Caracteristicile de luminanta ale fotorezistorului If = f(Ф) / Uf = const.

90

80

70

60

50
Rf, kΩ

40

30

20

10

0
0 0.3 0.6 1.6 2.4 3.3 4 4.3

Ф, lm

Uf = 24 V Uf = 26 V Uf = 28 V

Figura 3 – Caracteristicile dependentelor Rf = f(Ф).

Concluzie  : Efectuând această lucrare am afalt principiul de funcționare

fotorezistorului, ridicarea si trasarea caracteristicilor curent-tensiune(If = f(Uf) / Ф =
const.) si a caracteristicilor de luminanta(If = f(Ф) / Uf = const.) precum
determinarea parametrilor de baza k0 si kf .