See discussions, stats, and author profiles for this publication at: https://www.researchgate.

net/publication/274719587

Electronică. Teorie şi aplicaţii

Book · January 2009

DOI: 10.13140/RG.2.1.2322.5760

CITATIONS
READS
0
770

1 author:

Constantin Stanescu
University of Pitesti
41 PUBLICATIONS 18 CITATIONS

Some of the authors of this publication are also working on these related projects:

SciFUN: Making Learning Science FUN View project

All content following this page was uploaded by Constantin Stanescu on 13 April 2015.

The user has requested enhancement of the downloaded file.

 CONSTANTIN STǍNESCU

ELECTRONICǍ. TEORIE ÇI
APLICAŢII

EDITURA UNIVERSITǍŢII DIN PITEÇTI

2009

ISBN: 978-973-690-948-1
 Constantin Stǎnescu – Electronicǎ. Teorie şi aplicaţii

Editura Universitãtii din Pitesti

Str. Târgu din Vale, nr.1, 110040, Piteşti, jud. Argeş
tel/fax: 40248 21.64.48

Copyright © 2009 – Editura Universitǎţii din

Piteşti
Toate drepturile asupra acestei ediţii sunt rezervate
Editurii Universitǎţii din Piteşti.
Nici o parte din acest volum nu poate fi reprodusǎ
sub orice formǎ, fǎrǎ permisiunea scrisǎ a autorilor.

Editor: lector univ. dr. Sorin FIANU

Referenţi ştiinţifici:
- prof. univ. dr. Ion Iorga Simǎn
- conf. univ. dr. Dumitru Chirleşan

ISBN: 978-973-690-948-1

2
 Constantin Stǎnescu – Electronicǎ. Teorie şi aplicaţii

CUPRINS

CUVÂNT ÎNAINTE.................................................................................................6
1. NOŢIUNI DE FIZICA SOLIDULUI................................................................8
1.1. Reţele cristaline..........................................................................................8
1.2. Structura energeticǎ a corpului solid..........................................................8
1.3. Concentraţia de purtǎtori în metale..........................................................12
1.4. Conducţia electricǎ la metale....................................................................15
1.5. Concentraţia de purtǎtori în semiconductori............................................17
1.5.1. Semiconductori intrinseci..................................................................17
1.5.2. Semiconductori extrinseci.................................................................19
1.6. Conducţia electricǎ la semiconductori......................................................24
1.7. Curenţi de difuzie în semiconductori........................................................24
1.8. Fenomene optice în semiconductori.........................................................28
1.9. Tehnici de obţinere a semiconductorilor intrinseci şi extrinseci..............31
1.10. Aplicaţii directe ale materialelor semiconductoare..............................32
1.11. Aplicaţii.................................................................................................33
1.11.1. Noţiuni introductive pentru laboratorul de electronicǎ..................33
1.11.2. Elemente pasive de circuit.............................................................36
1.11.3. Tuburi electronice..........................................................................40
2. DIODA SEMICONDUCTOARE...................................................................48
2.1. Joncţiunea p – n........................................................................................48
2.2. Parametrii diodei semiconductoare..........................................................56
2.3. Schema echivalentǎ a diodei semiconductoare........................................58
2.4. Metode de obţinere a joncţiunilor semiconductoare................................59
2.5. Tipuri de diode semiconductoare.............................................................60
2.6. Fenomene optice în joncţiunea p-n..........................................................63
2.7. Aplicaţii....................................................................................................66
2.7.1. Dioda semiconductoare.....................................................................66
3. CIRCUITE DE REDRESARE........................................................................71
3.1. Generalitǎţi...............................................................................................71
3.2. Redresorul monoalternanţǎ monofazat cu sarcinǎ rezistivǎ.....................72
3.3. Redresorul monofazat bialternanţǎ cu sarcinǎ rezistivǎ...........................74
3.4. Redresorul monofazat cu sarcinǎ RL.......................................................77
3.5. Redresorul monofazat cu sarcinǎ RC.......................................................78
3.6. Redresorul cu dublare de tensiune............................................................79
3.7. Filtre de netezire a tensiunii redresate......................................................80
3.8. Stabilizatoare de tensiune.........................................................................81
3.8.1. Stabilizatoare parametrice.................................................................82
3.8.2. Stabilizatoare cu compensare............................................................83
3.8.3. Stabilizatoare cu reacţie....................................................................84

3
 3.9. Aplicaţii....................................................................................................84
3.9.1. Redresarea curentului alternativ........................................................84
3.9.2. Dioda stabilizatoare (ZENER)..........................................................89
4. TRANZISTORUL BIPOLAR........................................................................94
4.1. Construcţie; principiu de funcţionare.......................................................94
4.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar......................................98
4.3. Circuite echivalente statice liniarizate....................................................101
4.4. Polarizarea tranzistorului bipolar; stabilizarea termicǎ..........................102
4.5. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar; scheme echivalente108
4.5.1. Ecuaţiile şi schema echivalentǎ cu parametrii Z.............................108
4.5.2. Ecuaţiile şi schema echivalentǎ cu parametrii Y.............................109
4.5.3. Ecuaţiile şi schema echivalentǎ cu parametrii hibrizi, h.................110
4.5.4. Circuitul echivalent natural (Giacoletto).........................................111
4.6. Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie............................................112
4.7. Alte dispozitive semiconductoare cu joncţiuni.......................................114
4.7.1. Tranzistorul unijoncţiune (TUJ)......................................................114
4.7.2. Tiristorul..........................................................................................117
4.7.3. Triacul şi diacul...............................................................................120
4.8. Aplicaţii..................................................................................................122
4.8.1. Tranzistorul bipolar. Caracteristici statice......................................122
4.8.2. Tranzistorul bipolar. Parametrii hibrizi...........................................126
4.8.3. Repetorul pe emitor.........................................................................128
4.8.4. Tiristorul..........................................................................................131
5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP..................................................137
5.1. Tranzistorul cu poartǎ (grilǎ) joncţiune (TEC-J)....................................137
5.1.1. Construcţia TEC-J...........................................................................137
5.1.2. Funcţionarea TEC-J........................................................................138
5.1.3. Caracteristicile TEC-J.....................................................................143
5.2. Tranzistorul cu poartǎ (grilǎ) izolatǎ (TEC-MOS).................................145
5.3. Parametrii de semnal mic ai TEC. Schema echivalentǎ.........................148
5.4. Polarizarea TEC.....................................................................................149
5.5. Aplicaţii..................................................................................................150
5.5.1. Tranzistorul cu efect de câmp cu poartǎ-joncţiune (TEC-J)...........150
5.5.2. Tranzistorul cu efect de câmp cu poartǎ izolatǎ (TEC-MOS).........156
6. AMPLIFICATOARE....................................................................................160
6.1. Noţiuni generale. Clasificare..................................................................160
6.2. Parametrii amplificatoarelor...................................................................161
6.3. Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC...........................................162
6.4. Amplificatoare de putere........................................................................165
6.5. Principiul reacţiei; reacţia în amplificatoare...........................................167
6.6. Influenţa reacţiei asupra parametrilor amplificatoarelor........................169
6.7. Amplificatorul diferenţial.......................................................................170
6.8. Amplificatoare operaţionale...................................................................172
 6.8.1. Descriere; funcţionare.....................................................................172
6.8.2. Aplicaţii ale amplificatoarelor operaţionale....................................175
6.9. Aplicaţii..................................................................................................178
6.9.1. Amplificatorul de tensiune cu tranzistor în montaj emitor comun. 178
6.9.2. Principiul reacţiei. Reacţia negativǎ................................................182
6.9.3. Amplificatorul diferenţial................................................................186
6.9.4. Amplificatoare operaţionale............................................................189
7. GENERATOARE DE SEMNAL.................................................................194
7.1. Oscilatoare..............................................................................................194
7.1.1. Parametri; clasificare.......................................................................194
7.1.2. Oscilatoare cu reacţie......................................................................195
7.1.3. Oscilatoare cu rezistenţǎ negativǎ...................................................198
7.2. Impulsuri.................................................................................................200
7.2.1. Circuite de formare a impulsurilor..................................................200
7.2.2. Circuite basculante..........................................................................202
7.3. Aplicaţii..................................................................................................207
7.3.1. Oscilatoare.......................................................................................207
7.3.2. Circuite basculante..........................................................................210
C. Circuitul astabil............................................................................................212
8. CIRCUITE LOGICE.....................................................................................214
8.1. Elemente de algebrǎ booleanǎ................................................................214
8.2. Circuite logice cu dispozitive semiconductoare.....................................218
8.3. Circuite basculante utilizate ca circuite logice.......................................221
8.4. Circuite logice secvenţiale......................................................................225
8.5. Aplicaţii..................................................................................................227
8.5.1. Circuite logice.................................................................................227
8.5.2. Numǎrǎtoare şi registre de deplasare..............................................231
C. Numǎrǎtoare.................................................................................................235
9. MICROPROCESOARE ?I CALCULATOARE ELECTRONICE..............238
9.1. Calculatoare electronice numerice.........................................................238
9.2. Microprocesoare.....................................................................................242
9.3. Scurtǎ istorie a calculatoarelor electronice.............................................245
 CUVÂNT ÎNAINTE

Prezenta lucrare a fost scrisǎ iniţial ca un curs destinat studenţilor care nu au

ca specializare electronica din Facultatea de ştiinţe a Universitǎţii din Piteşti,
devenind ulterior o carte cu acoperire mai largǎ, ce poate fi utilǎ şi altor categorii,
cum este cazul profesorilor care doresc sǎ se perfecţioneze în vederea susţinerii
unor concursuri şi examene de grad precum şi a tuturor celor care doresc sǎ capete
cunoştinţele de bazǎ din domeniul electronicii. Evident, nu au fost abordate toate
aspectele proceselor, acest lucru fiind datorat, în primul rând, faptului cǎ lucrarea
de faţǎ îşi propune sǎ abordeze bazele electronicii fizice, fǎrǎ a intra în aspecte de
detaliu.
Am scris aceastǎ lucrare având mereu în minte ideea de a o prezenta sub o
formǎ cât mai clarǎ şi cât mai simplǎ (nu simplificatoare), fǎrǎ a insista prea mult
pe aspectul matematic al chestiunilor abordate, pornind de la ideea cǎ învǎţarea nu
înseamnǎ în primul rând achiziţionarea unui volum cât mai mare de date ci
obţinerea unei viziuni de ansamblu cât mai corecte asupra fenomenelor care au loc.
De aceea, am insistat cât mai puţin posibil pe aspectul formal al faptelor prezentate
şi, mai ales pe aspectul calitativ, fenomenologic al acestora. Este mult mai puţin
important sǎ memorǎm o formulǎ decât sǎ ştim sǎ o interpretǎm corect şi sǎ o
folosim când este cazul. Din aceastǎ cauzǎ, s-ar putea ca, uneori, rigurozitatea
prezentǎrii unor demonstraţii şi aspecte formale sǎ fi avut de suferit dar aceastǎ
eventualǎ pierdere este compensatǎ cu siguranţǎ de formarea unei imagini clare a
fenomenelor. Pentru cei care doresc sǎ aprofundeze domeniul, existǎ numeroase
lucrǎri (unele din ele indicate în bibliografia de la sfârşitul lucrǎrii) care detaliazǎ
unele sau altele din problemele abordate.
Fiecǎrei teme i-au fost ataşate şi unele aplicaţii experimentale, care pot fi
realizate în laborator. Acestea sunt structurate în patru pǎrţi:
- o primǎ parte cuprinde prezentarea sumarǎ a unor noţiuni teoretice, absolut
necesare pentru desfǎşurarea aplicaţiilor;
- cea de-a doua parte prezintǎ scopul aplicaţiei experimentale şi descrierea
montajului experimental utilizat şi a celorlalte materiale, aparate etc.
 necesare; în general, se foloseşte o machetǎ de bazǎ, care, împreunǎ cu alte
aparate, de obicei de fabricaţie industrialǎ, permit desfǎşurarea lucrǎrii;
- a treia parte prezintǎ, pe etape, modul de lucru, indicându-se operaţiile
necesare pentru atingerea scopului propus; în general, indicaţiile nu sunt
rigide, lǎsând loc şi laturii creative, euristice, a activitǎţii;
- a patra parte cuprinde câteva întrebǎri la care trebuie sǎ se rǎspundǎ, ele
constituindu-se ca o concluzie finalǎ a activitǎţii; deşi în mod evident,
pentru a putea rǎspunde la aceste întrebǎri, trebuie sǎ se fi parcurs în
prealabil materialul oferit de aplicaţie, totuşi, acesta nu este întotdeauna
suficient, motiv pentru care este necesarǎ şi consultarea altor materiale
bibliografice.
Machetele tuturor aplicaţiilor au fost realizate şi testate în cadrul
laboratorului catedrei de fizicǎ, folosindu-se numai piese recuperate din aparate
defecte, de regulǎ de fabricaţie româneascǎ.
Tuturor celor care vor avea ocazia sǎ consulte aceastǎ lucrare le adresez
rugǎmintea de a-mi transmite observaţiile lor cu privire la diferitele aspecte ale
lucrǎrii, mulţumindu-le cu anticipaţie.

Autorul
CAPITOLUL I

1. NOŢIUNI DE FIZICA SOLIDULUI

1.1. ReEele cristaline
Starea solidǎ cristalinǎ este caracterizatǎ prin legǎturi stabile între fiecare
particulǎ constituentǎ şi cele vecine precum şi printr-o ordonare la distanţǎ a
acestor particule. Pentru descrierea structurii cristaline, se foloseşte o reprezentare
spaţialǎ a poziţiei particulelor constituente prin puncte, numite noduri, a cǎror
poziţie este datǎ de vectorul de poziţie:
r  ma1  na2  pa3 (1. 1)
unde a1 , a 2 , a 3 sunt vectorii de poziţie ai celui mai apropiat nod faţǎ de nodul
considerat drept origine, pe cele trei direcţii în sistemul tridimensional ales, numiţi
vectori fundamentali (de bazǎ), iar m, n, p sunt numere întregi.
Poliedrul format de aceşti vectori fundamentali se numeşte celulǎ
elementarǎ (figura 1.1). Prin translatarea cu multipli întregi ai vectorilor
fundamentali pe direcţiile lor, a acestei celule, se obţine o reţea tridimensionalǎ.

z
a3

a2 a1

y Fig.1.1

1.2. Structura energeticǎ a corpului solid

Din considerente ce au fost arǎtate pe larg în cursul de fizica corpului solid,
structura energeticǎ discretǎ a atomului izolat, aşa cum rezultǎ ea din rezolvarea
ecuaţiei Schrödinger, nu mai este valabilǎ şi pentru atomii grupaţi în sisteme
cristaline, când apar interacţiuni, dintre care cele mai importante sunt cele dintre
electronii periferici ai atomilor. Ca urmare a acestui fapt, teoria cuanticǎ aratǎ cǎ
fiecare nivel energetic discret se despicǎ în mai multe subniveluri, foarte apropiate
între ele, al cǎror numǎr este egal cu numǎrul atomilor din reţea, aceste subniveluri
formând o bandǎ energeticǎ. Pentru un numǎr suficient de mare de atomi în reţea,
se poate considera o distribuţie continuǎ a nivelurilor energetice dintr-o bandǎ.
Pǎturile electronice ale atomilor determinǎ astfel de benzi energetice ocupate cu
electroni, separate între ele prin zone în care energia electronilor nu poate lua
valori, numite benzi interzise.
Dupǎ modul de ocupare a benzilor energetice cu electroni, apare deosebirea
dintre diferitele solide, fiind posibilǎ şi clasificarea acestora.
Dacǎ în solid sunt N celule elementare, fiecare având s atomi, numǎrul
atomic al acestora fiind Z, numǎrul total de electroni din solid va fi atunci NsZ.
Numǎrul stǎrilor energetice (ţinând cont de dubla valoare a spinului electronic)
este egal cu. Vom face, mai întâi, o analizǎ la T = 0 K. Atunci:
 dacǎ electronii, în numǎr de NsZ, ocupǎ complet un anumit numǎr de benzi
(adicǎ energia celui mai înalt nivel energetic ocupat coincide cu limita superioarǎ
a ultimei benzi ocupate), banda de deasupra acesteia, separatǎ de ea printr-o
bandǎ interzisǎ, va fi complet goalǎ (figura 1.2).

Pentru a crea un curent electric printr-un solid, ar trebui ca electronii (sau cel
puţin o parte din ei) sǎ treacǎ în stǎri energetice superioare celor în care se gǎsesc
(ceea ce înseamnǎ ruperea lor din legǎturile pe care le au cu atomii cǎrora le
aparţin şi trecerea lor în stare liberǎ în solid), sub acţiunea unui câmp electric
exterior. Procesul nu poate avea loc însǎ în cazul solidelor cu structura descrisǎ
mai sus sub acţiunea unui câmp electric obişnuit, electronilor fiindu-le necesarǎ o
energie mare (cel puţin egalǎ cu lǎrgimea benzii interzise, Eg ) pentru a „sǎri”1
peste banda interzisǎ şi a trece într-o stare neocupatǎ, aflatǎ în banda de deasupra,
iniţial goalǎ (care se numeşte bandǎ de conducţie, deoarece în ea se pot afla aceşti
electroni, care pot participa la conducţia electricǎ). Ultima bandǎ complet ocupatǎ
se numeşte bandǎ de valenţǎ, conţinând electronii de valenţǎ ai atomilor solidului.
Ca urmare a celor expuse, solidul este un dielectric (izolator), el neputând

1
De multe ori, pentru simplificare, se foloseşte expresia „trecerea electronului de pe un nivel
energetic pe altul”, sau altele asemǎnǎtoare. Facem aici precizarea cǎ este doar o exprimare
formalǎ, nefiind nicidecum vorba de un salt real, fizic, dintr-un loc în altul al electronului ci doar de
o schimbare a stǎrii energetice a acestuia, care nu implicǎ în mod necesar o modificare a poziţiei lui
în spaţiu.
permite trecerea unui curent electric decât în prezenţa unui câmp electric foarte
intens (de ordinul a 108 V/m), când se produce fenomenul de strǎpungere electricǎ.
 dacǎ electronii nu ocupǎ complet ultima bandǎ energeticǎ, nivelul energetic cel
mai înalt ocupat aflându-se în interiorul acesteia, atunci ei pot trece foarte uşor,
chiar şi sub acţiunea unui câmp electric foarte slab, în stǎri energetice superioare
(aflate la valori infinit mici deasupra celor iniţiale) ceea ce asigurǎ trecerea lor în
stare liberǎ în cristal1 şi posibilitatea de a forma un curent electric.
Structura energeticǎ în acest caz este prezentatǎ în figura 1.3 şi ea
corespunde solidelor numite conductori, la care, la T = 0 K, ultima bandǎ ocupatǎ
(parţial) este banda de conducţie. Nivelul energetic maxim al stǎrilor ocupate cu
electroni este nivelul Fermi.

Deci, la T = 0 K, solidele sunt fie conductori fie dielectrici (izolatori).

La T > 0 K, dielectricii cu o lǎrgime Eg a benzii interzise micǎ (< 3 eV), pot
prezenta o conducţie electricǎ, datoritǎ fluctuaţiilor termice, care permit obţinerea
energiei necesare, de cǎtre unii electroni, pentru a trece în banda de conducţie. La
conducţia electricǎ a acestor solide participǎ şi golurile formate în banda de valenţǎ
prin trecerea unor electroni în stǎri energetice superioare, din banda de conducţie.
Astfel de solide sunt numite semiconductori. Pentru un cristal cu un singur atom
pe celulǎ, numǎrul benzilor ocupate (rezultat ca raport dintre numǎrul total de stǎri
energetice ocupate, NZ/2, şi numǎrul de stǎri dintr-o bandǎ, N) este Z/2.
Dacǎ Z este impar, ultima bandǎ este incomplet ocupatǎ, solidul respectiv
fiind un conductor (metal), cum sunt, de exemplu, metalele monovalente: alcaline
(Li, Na, K, Rb, Cs) şi nobile (Cu, Ag, Au), care au o bandǎ ocupatǎ pe jumǎtate, ca
şi cele trivalente (Al, Ga).
Elementele cu Z par nu sunt însǎ întotdeauna dielectrici, aşa cum ar rezulta,
ca urmare a faptului cǎ ultima bandǎ ocupatǎ este complet ocupatǎ. Astfel, datoritǎ
suprapunerii parţiale a benzii de valenţǎ cu cea de conducţie, elementele bivalente
sunt, toate, metale (de exemplu, Be, Mg, Ca, Hg, Zn). Unele dintre acestea sunt

1
Electronul respectiv nu este complet liber ci se poate mişca "liber" în câmpul periodic al reţelei
solidului, fǎrǎ a putea sǎ-l pǎrǎseascǎ (aceasta întâmplându-se numai în condiţii deosebite).
însǎ slabi conductori, ca urmare a unei suprapuneri mici a benzilor energetice. Tot
datoritǎ suprapunerii benzilor energetice, elementele pentavalente (As, Sb, Bi etc.)
sunt metale, deşi, având doi atomi în celula elementarǎ, ultima bandǎ este complet
ocupatǎ. La aceste elemente se observǎ o conducţie mixtǎ (de electroni şi de
goluri), ele fiind semimetale.
În aceste cazuri, nivelul Fermi este plasat în zona de suprapunere a benzilor
(figura 1.4).

Elementele tetravalente sunt metale sau semiconductori, cazul cel mai

interesant fiind cel al staniului, care, prezentând douǎ faze solide, este metal într-
una şi semiconductor în cealaltǎ. De asemenea, carbonul, cu structura de diamant,
este un izolator, pe când ca grafit este un semiconductor. Din aceeaşi categorie, a
elementelor tetravalente, Ge şi Si sunt semiconductori „standard”, iar Pb este
metal.
Cu excepţia cazurilor amintite, elementele cu Z par sunt dielectrici.
O problemǎ ce meritǎ a fi amintitǎ aici este şi cea a aşa-numitelor stǎri
locale, datorate unor defecte structurale ale reţelei, de tipul celor descrise în cursul
de fizica corpului solid. Aceste defecte determinǎ apariţia, pe lângǎ benzile de
energie permise, normale, ale solidului şi a unor niveluri energetice discrete,
plasate uneori în interiorul benzilor permise, alteori în interiorul benzilor interzise.
Aceste niveluri energetice, corespunzǎtoare stǎrilor locale, sunt foarte importante,
întrucât electronii din aceste stǎri pot fi excitaţi şi pot trece în stǎri din benzile
permise, modificând concentraţia purtǎtorilor de sarcinǎ electricǎ liberi în solid şi,
în acest fel, numeroase proprietǎţi ale acestuia. Legat de aplicaţiile practice, cel
mai cunoscut exemplu este cel al semiconductorilor cu impuritǎţi (extrinseci).
În concluzie, din punctul de vedere al conducţiei electrice, în funcţie de
structura celor trei benzi energetice (de valenţǎ - BV, de conducţie - BC şi
interzisǎ), la temperaturi normale, cristalele se clasificǎ în:
1. izolatori (dielectrici), la care lǎrgimea benzii interzise este cuprinsǎ între 3
şi 10 eV;
2. semiconductori, care au banda interzisǎ de lǎrgime mai micǎ decât 3 eV;
 3. conductori, la care banda interzisǎ are o lǎrgime practic neglijabilǎ sau, în
unele cazuri, banda de valenţǎ şi cea de conducţie se suprapun parţial.

1.3. ConcentraEia de purtǎtori în metale

Considerând, pentru simplificare, o reţea unidimensionalǎ, energia potenţialǎ
în reţea poate fi reprezentatǎ conform figurii 1.5, în care n1, n2,... reprezintǎ
nodurile reţelei. Potenţialul la marginea cristalului a fost ales cu valoarea zero.

Se observǎ cǎ un electron cu energia W1 nu poate fi liber în cristal, neputând

pǎrǎsi groapa de potenţial în care se aflǎ. El poate trece doar la un atom vecin, pe
acelaşi nivel energetic, fiind astfel un electron „legat”, care nu poate participa la
conducţia electricǎ. În schimb, un electron cu energia W2 se poate deplasa liber în
interiorul metalului, el fiind un electron de conducţie. Pentru a putea pǎrǎsi
metalul, unui electron nu îi este însǎ suficientǎ energia W2, întrucât, dupǎ cum se
poate vedea în figurǎ, el întâlneşte la marginea cristalului o barierǎ de potenţial.
Numai electronii cu valori pozitive ale energiei, cum este W 3, pǎrǎsesc metalul
devenind liberi în exteriorul acestuia. În mod obişnuit, electronii metalului nu au
energii care sǎ le permitǎ pǎrǎsirea acestuia.
Electronii liberi din metal sunt distribuiţi pe diverse niveluri energetice din
banda de conducţie conform relaţiei:
dn = f(w)N(w)dw (1. 2)
unde dn este concentraţia de electroni cu energii cuprinse în intervalul energetic
dw, f(w) este probabilitatea ca starea cuanticǎ de energie w sǎ fie ocupatǎ de un
electron, iar N(w) este densitatea de stǎri energetice din banda de conducţie
(numǎrul de stǎri energetice din unitatea de volum şi pe unitatea de energie).
 Sǎ considerǎm un metal de formǎ cubicǎ, de laturǎ a, în interiorul cǎruia
potenţialul este considerat constant1, bariera de potenţial la marginea acestuia fiind
suficient de înaltǎ pentru ca nici un electron sǎ nu poatǎ pǎrǎsi cristalul. În acest
caz, funcţia de undǎ asociatǎ electronului (funcţia Bloch 2) este nulǎ în exteriorul
metalului ceea ce este posibil numai dacǎ unda asociatǎ este staţionarǎ, având un
minim de amplitudine (nod) la capetele cristalului. Acest lucru impune ca
dimensiunea cristalului, a, sǎ fie un multiplu întreg al semilungimii de undǎ a
h
undei asociate electronilor liberi din cristal, adicǎ a = f şi, cum p = , rezultǎ:
 
2
p=f h (1. 3)
2a
2 2 2
w=p  f h (1. 4)
2m 8ma 2
Pentru cele trei direcţii, relaţia 1.3 devine:
px = fxh/2a, py = fyh/2a, pz = fzh/2a
Electronii liberi din metal sunt caracterizaţi deci de patru numere cuantice:
fx, fy, fz şi s (numǎrul cuantic de spin).
Într-o reprezentare în spaţiul impulsurilor, ţinând cont de principiul de
excluziune al lui Pauli şi de cele douǎ valori posibile ale lui s, densitatea
electronilor în acest spaţiu este 2(2a/h)3 deci numǎrul electronilor cu impulsul
cuprins în intervalul (p, p + dp) este: 3
1  2a ⎞ 8a 2
3

 2  4 p dp
 p dp 
2
h 3

Cum p = 2mw , 8 ⎝ h ⎠
pdp = mdw şi p2dp 3
2m w dw ,
se poate scrie: =
3

42m 
2
N(w)dw 8p dp  2 w dw
= h3
Dacǎ se noteazǎ: h3
3

42m  2 = 6,821027 eV 2 m 3 ,

3

C=
h3
rezultǎ:
N(w) = C w (1. 5)
Trebuie precizat cǎ în toatǎ aceastǎ discuţie, m reprezintǎ masa efectivǎ a
electronilor, aşa cum a fost ea definitǎ în cursul de fizica corpului solid.
1
În realitate el are forma din figura 1.5 dar, pentru electronii liberi din metal aproximaţia fǎcutǎ este
suficient de bunǎ.
2
a se vedea cursul de fizica solidului.
 Electronii liberi ai metalului se supun statisticii Fermi-Dirac, astfel încât
probabilitatea de ocupare a unui nivel energetic de energie w este datǎ de relaţia:
f(w) = 1
wWF
(1. 6)
kT
1 e
unde WF este energia Fermi, T - temperatura absolutǎ a cristalului şi k – constanta
Boltzmann.
Se vede cǎ, la T = 0 K, pentru w > WF, f(w) = 0 şi pentru w < WF, f(w) = 1,
ceea ce semnificǎ faptul cǎ, la 0 K, toate stǎrile energetice aflate sub nivelul Fermi
sunt ocupate, iar cele de deasupra sunt, toate, libere. La T > 0 K, când w = WF,
f(w) = 1/2, ceea ce dǎ posibilitatea unei alte interpretǎri a nivelului Fermi (nivelul
energetic a cǎrei probabilitate de ocupare este 50 %). În figura 1.6 este reprezentatǎ
grafic expresia f(w)N(w) la diferite temperaturi.

Numǎrul total de electroni din unitatea de volum (concentraţia de electroni)

este:
1
dw  2 CWF 2
3
n=
W 2
Cw
3
(1. 7)
F
0
Se constatǎ cǎ, la metale, concentraţia electronilor de conducţie este practic
constantǎ, nedepinzând de temperaturǎ. Rezultǎ cǎ, întrucât mobilitatea
electronilor este invers proporţionalǎ cu temperatura, conductivitatea metalelor
este şi ea invers proporţionalǎ cu temperatura (rezistivitatea este direct
proporţionalǎ cu temperatura).
Pentru a scoate un electron din metal, dupǎ cum s-a vǎzut anterior, este
necesar ca energia sa sǎ fie cel puţin egalǎ cu înǎlţimea barierei de potenţial de la
marginea cristalului. Energia electronilor la 0 K este însǎ cel mult egalǎ cu energia
Fermi. Ca atare, pentru extracţia unui electron este nevoie, în medie, de o energie
egalǎ cu diferenţa dintre nivelul barierei de potenţial de la marginea cristalului şi
energia Fermi, valoarea respectivǎ fiind o caracteristicǎ a fiecǎrui metal, numitǎ
energie de extracţie1. Aceastǎ energie poate fi primitǎ de unii din electronii de
conducţie ai metalului pe diferite cǎi.
De exemplu, prin încǎlzirea metalului, cum se poate vedea din figura 1.6,
unii din electroni pot avea energii mai mari decât W F şi pot depǎşi astfel bariera de
potenţial, ieşind din metal. Din calcule, rezultǎ cǎ, prin emisia electronilor din
metal ca urmare a încǎlzirii acestuia la temperatura T (fenomen numit emisie
termoelectronicǎ),se formeazǎ un curent termoelectronic a cǎrui densitate este
datǎ de:

j = AT2 
e
W ext
kT
(1. 8)
Aceasta este legea emisiei termoelectronice, cunoscutǎ şi sub numele de
legea Richardson-Dushman.

1.4. ConducEia electricǎ la metale

Din cele vǎzute anterior, rezultǎ cǎ, la temperaturi obişnuite, electronii de
valenţǎ ai metalelor se gǎsesc în banda de conducţie; acest lucru înseamnǎ cǎ ei
sunt liberi sǎ se mişte în interiorul cristalului, nemaiaparţinând unui atom anume şi
constituind astfel purtǎtori de sarcinǎ electricǎ liberi. Aceşti electroni se comportǎ
ca un gaz în care este „scufundatǎ” reţeaua cristalinǎ.
Sub acţiunea unui câmp electric exterior, de intensitate E , electronii de
conducţie capǎtǎ o mişcare ordonatǎ, ce se constituie într-un curent electric de
densitate:
. dQ E
j . (1. 9)
dS dt E
unde dQ este sarcina electricǎ transportatǎ în intervalul de timp dt prin suprafaţa
transversalǎ de arie dS, pe direcţia câmpului electric.
Aceastǎ mişcare dirijatǎ se suprapune peste agitaţia termicǎ a purtǎtorilor şi
are loc cu o vitezǎ medie constantǎ, numitǎ vitezǎ de drift.
Sǎ considerǎm un electron de conducţie; asupra sa acţioneazǎ câmpul electric
exterior, de intensitate E , cu forţa F  eE , imprimându-i o acceleraţie a . Ca
urmare, viteza electronului creşte pânǎ când acesta ciocneşte plastic un ion al
reţelei, cedându-i întreaga energie, dupǎ care mişcarea se reia în acelaşi mod, cu o
vitezǎ iniţialǎ nulǎ. Presupunând cǎ ciocnirile se succed la intervale de timp egale
(acest lucru însemnând cǎ distanţa parcursǎ între douǎ ciocniri consecutive este
egalǎ cu drumul liber mediu), dependenţa de timp a vitezei electronului este de
forma din figura 1.7, în care tC este timpul dintre douǎ ciocniri consecutive, iar
vmax este dat de relaţia:
. . .
v max  a Ct   etC E
mn
1
Adesea, se foloseşte termenul de lucru mecanic de extracţie
 Viteza medie a acestei mişcǎri este datǎ de relaţia:
. m v max et C .E ,
v   
2 2mn
din care se vede cǎ vm (care este viteza de drift) este constantǎ, deci mişcarea este
uniformǎ.
În realitate, ciocnirile nu au loc la intervale egale de timp dar formula se
poate folosi considerând o valoare medie a acestor intervale de timp dintre douǎ
ciocniri consecutive, tCm. Atunci, viteza de drift a electronilor de conducţie are
expresia:
.n . .
v et C E   (1. 10)
  2m n
n E
Mǎrimea µn reprezintǎ mobilitatea electronilor de conducţie. Densitatea de
curent va fi deci:
. dQ en dSdA E . .
E
j   env n  enn E
 dSdt E
Înlocuind: dSdt E
1
enn =  = (1. 11)

unde  este conductivitatea electricǎ a metalului, iar  este rezistivitatea
electricǎ a acestuia, densitatea de curent se scrie sub forma:
j  E (1. 12)
care reprezintǎ forma localǎ a legii lui Ohm.
Acest model clasic dǎ rezultate în concordanţǎ cu datele experimentale la
temperaturi obişnuite. La temperaturi scǎzute însǎ, acest model nu mai corespunde
rezultatelor experimentale, fiind necesarǎ o tratare cuanticǎ.
1.5. ConcentraIia de purtǎtori în semiconductori
1.5.1. Semiconductori intrinseci
Dupǎ cum s-a vǎzut în paragraful 1.2, la semiconductori, banda de valenţǎ
este (la 0 K) complet ocupatǎ şi separatǎ de banda de conducţie (liberǎ la 0 K)
printr-o bandǎ interzisǎ cu o lǎrgime de maxim 3 eV. În tabelul 1.1 este datǎ
valoarea lǎrgimii benzii interzise pentru unele materiale semiconductoare. La
temperaturi scǎzute, semiconductorii se comportǎ deci, ca un izolator, nedispunând
de purtǎtori de sarcinǎ electricǎ liberi, care sǎ formeze un curent electric sub
acţiunea unui câmp electric exterior.

TABELUL 1.1. Lǎrgimea benzii interzise a unor semiconductori

Semiconductor Eg (eV) Semiconductor Eg (eV)
Si 1,1 CdS 2,4
Se 0,8 PbS 0,41
Ge 0,67 PbSe 0,23
Te 0,34 PbTe 0,6
Sn 0,1 GaP 2,24
InSb 0,32 GaAs 1,35
InAs 0,39 SiC 2,8
InP 1,25 HgSe 0,6
InSb 0,18 Al2O3 2,5
AlSb 1,5 Cu2O 1,5
CdSe 1,8 ZnO 3,2

Crescând însǎ temperatura, are loc aşa-numitul proces de generare termicǎ

intrinsecǎ a purtǎtorilor de sarcinǎ electricǎ liberi, ca urmare a faptului cǎ un
anumit numǎr de electroni din banda de valenţǎ vor cǎpǎta suficientǎ energie (prin
intensificarea agitaţiei termice) pentru a rupe legǎturile covalente la formarea
cǎrora participǎ şi a deveni liberi în interiorul cristalului. Din punct de vedere
energetic, acest lucru înseamnǎ trecerea acestor electroni din banda de valenţǎ în
banda de conducţie, energia minimǎ necesarǎ fiind egalǎ cu lǎrgimea benzii
interzise. Este evident cǎ, spre deosebire de metale, concentraţia electronilor de
conducţie la semiconductori depinde de temperaturǎ, având în vedere cǎ tocmai ea
este cauza apariţiei acestor electroni.
Legǎturile covalente corespunzǎtoare electronilor trecuţi în banda de
conducţie rǎmân nesatisfǎcute, echivalând cu o regiune de sarcinǎ electricǎ
pozitivǎ, numitǎ gol care, la rându-i, participǎ la conducţie, ca urmare a deplasǎrii
sale în sensul câmpului electric exterior. Acest proces are loc prin saltul pe care îl
poate face un electron "legat" (situat energetic în banda de valenţǎ) de la un atom
vecin, electron care ocupǎ golul (situat, de asemenea, în banda de valenţǎ),
refǎcând legǎtura covalentǎ ruptǎ şi lǎsând în locul sǎu un alt gol. Înlocuirea
deplasǎrii reale a electronilor din banda de valenţǎ cu deplasarea în sens invers a
golurilor lǎsate de aceştia permite simplificarea studierii fenomenului de conducţie
electricǎ la semiconductori.
Deci generarea termicǎ intrinsecǎ constǎ în apariţia electronilor de conducţie
(prin excitarea acestora din banda de valenţǎ în cea de conducţie) concomitent cu
formarea golurilor în banda de valenţǎ. Fiecǎrui electron din banda de conducţie îi
corespunde un gol în banda de valenţǎ ceea ce înseamnǎ cǎ şi concentraţia
electronilor de conducţie este egalǎ cu cea a golurilor, fapt caracteristic
semiconductorilor puri (intrinseci), a cǎror conducţie electricǎ este numitǎ
conducţie intrinsecǎ.
Procesul de generare este dublat de un proces invers, de recombinare
electron-gol, astfel încât, la o temperaturǎ constantǎ cele douǎ procese se
echilibreazǎ, concentraţia (egalǎ) de electroni de conducţie şi de goluri, ni, numitǎ
concentraţie intrinsecǎ, rǎmânând constantǎ.
Pentru determinarea concentraţiei intrinseci se procedeazǎ ca în cazul
metalelor cu precizarea cǎ energia golurilor se mǎsoarǎ în sens invers ca cea
electronilor de conducţie. Conform figurii 1.8, energia cineticǎ a electronilor, Wkn,
şi cea a golurilor, Wkg, au expresiile: Wkn = w – WC, respectiv Wkg = WV – w,
unde WC este limita inferioarǎ a benzii de conducţie, iar Wv este limita superioarǎ
a benzii de valenţǎ.

Atunci, densitatea stǎrilor energetice pentru electroni şi goluri sunt date de

expresiile:
4 3 1 1

Nn(w) = 2m 2 w  WC 2  C n w  WC
2 h3 n
4
N (w) = 2m 23  w 12  W  w 21
p 3 p V
h
W C p V

Probabilitatea de ocupare a unei stǎri este datǎ tot de funcţia Fermi-Dirac.

Pentru electronii din banda de conducţie, expresia este tot cea datǎ de relaţia 1.6,
care, la temperaturi obişnuite, întrucât f(w) << 1, se poate aproxima sub forma:
f w  WkT
F w

e , ceea ce ne aratǎ cǎ, în aceste condiţii, funcţia de distribuţie se

reduce la una de tip clasic (Maxwell-Boltzamnn). Concentraţia de electroni este:
n = œ N n  w  f  w  dw  œ
w  WC
 w W F

e kT
 dw
Cn 
WC WC
WF WF WC
2
WC 3

nkT = 2m n kT 2  e  NC  e kT (1. 13)

h3
Analog, pentru goluri,

 Np wf w dw , unde f’(w) = 1 – f(w),

W
p= V
œ
ceea ce derivǎ din faptul cǎ o stare energeticǎ poate fi ocupatǎ fie de un electron,
fie de un gol, deci suma probabilitǎţilor de ocupare a acelei stǎri cu un electron,
respectiv de un gol este egalǎ cu unitatea. Evident, cum
wWF

f(w) << 1, f’(w)  e kT

Atunci,
WV WF WV
2 3

p = e 32m pkT 2 
WF
kT
 NV  e kT
(1. 14)
h
Întrucât la un semiconductor extrinsec,
n = p = ni, 3 WF WV WF
 m 2  kT ,
3

m n 2  WC
kT
p e
e
de unde rezultǎ:
W  WC 3 mp Eg 3 mp
W= V  kT  ln  W   kT  ln (1. 15)
F V
2 4 mn 2 4 mn
unde Eg = WC – WV este lǎrgimea benzii interzise.
Din relaţia de mai sus, se vede cǎ, dacǎ m n = mp sau T = 0 K, nivelul Fermi
este situat chiar la mijlocul benzii interzise; dacǎ mn < mp, nivelul Fermi este mai
aproape de banda de conducţie, în timp ce, dacǎ mn > mp, el este mai aproape de
banda de valenţǎ. Calculând np n i2 , rezultǎ concentraţia intrinsecǎ:
=
 Eg
ni = N C N V  e 2kT (1. 16)

1.5.2. Semiconductori extrinseci

Introducerea unor impuritǎţi în proporţie foarte redusǎ într-un semiconductor
se numeşte dopare. Folosind drept impuritǎţi elemente pentavalente, cum sunt Sb,
As, P, Bi, numite impuritǎţi donoare, se obţine un semiconductor extrinsec de
tip "n" în timp ce, folosind drept impuritǎţi elemente trivalente, ca B, Al, Ga, In,
numite impuritǎţi acceptoare, se obţine un semiconductor extrinsec de tip "p".
Aceste impuritǎţi fiind într-o concentraţie foarte redusǎ (10 14 – 1018
atomi/cm3) nu modificǎ structura cristalinǎ a semiconductorului, comportându-se
ca impuritǎţi substituţionale, adicǎ substituind în reţea atomii de semiconductor şi
fiind deci obligate sǎ se comporte ca aceştia (sǎ formeze patru legǎturi covalente
cu cei patru atomi de semiconductor vecini).
Atomii de impuritǎţi donoare dispun astfel de un electron în plus faţǎ de
numǎrul necesar realizǎrii configuraţiei electronice complete pe stratul de valenţǎ,
electron care este foarte slab legat (energia de legǎturǎ fiind de ordinul a 10 –2 eV).
Prezenţa impuritǎţilor donoare determinǎ apariţia unor stǎri locale însoţite de un
nivel energetic discret situat în banda interzisǎ, în imediata apropiere a benzii de
conducţie, numit nivel energetic donor, cǎruia îi corespunde energia WD. La 0 K,
acest nivel este complet ocupat cu câte un electron provenit de la fiecare atom de
impuritate donoare. Chiar şi la temperaturi mai scǎzute, unii din electronii aflaţi pe
nivelul donor pot trece în banda de conducţie, întrucât energia de care au nevoie
pentru aceasta, numitǎ energie de activare, este foarte micǎ, în comparaţie cu
energia necesarǎ procesului de generare intrinsecǎ. Evident, aflaţi în banda de
conducţie, electronii respectivi sunt electroni de conducţie însǎ locul gol, lǎsat de
aceştia pe nivelul donor nu este un gol care sǎ poatǎ participa la conducţia
electricǎ. Acest proces, de apariţie a electronilor de conducţie prin excitarea
electronilor de pe nivelul donor în banda de conducţie (proces neînsoţit de apariţia,
corespunzǎtor fiecǎrui electron de conducţie, a unui gol în banda de valenţǎ, ca la
conducţia intrinsecǎ) se numeşte generare termicǎ extrinsecǎ a electronilor de
conducţie. Fizic, procesul constǎ în ruperea electronului slab legat de atomul cǎruia
îi aparţine, el devenind astfel liber în cristal. Concomitent cu acest proces, are loc
şi procesul invers, de trecere a electronilor de conducţie pe nivelul donor, astfel
încât, la o temperaturǎ constantǎ, concentraţia electronilor de conducţie generaţi
extrinsec se menţine constantǎ, ca urmare a stabilirii unui echilibru dinamic în
cristal.
În cazul impurificǎrii semiconductorului cu impuritǎţi acceptoare, acestea au
o legǎturǎ nesatisfǎcutǎ, ca urmare a faptului cǎ nu dispun decât de trei electroni de
valenţǎ, care, împreunǎ cu cei patru puşi în comun de cei patru atomi vecini, nu pot
asigura configuraţia electronicǎ completǎ, de octet. Aceastǎ legǎturǎ nesatisfǎcutǎ
creeazǎ o stare localǎ, caracterizatǎ de un nivel energetic discret, situat în banda
interzisǎ, în imediata apropiere a benzii de valenţǎ, nivel care la 0 K este complet
liber. Legǎtura poate fi saturatǎ prin acceptarea unui electron legat, de la un atom
vecin, acesta rǎmânând legat de atomul de impuritate, deci nedevenind electron
liber. Locul lǎsat liber de acest electron la atomul cǎruia i-a aparţinut este însǎ un
gol care poate participa la conducţie, prin procesele arǎtate anterior. Energetic,
procesul constǎ în excitarea unui electron din banda de valenţǎ pe nivelul donor şi
apariţia unui gol în banda de valenţǎ, proces care se poate petrece chiar şi la
temperaturi mai scǎzute, întrucât energia de care este nevoie pentru aceasta este
foarte micǎ, în comparaţie cu energia necesarǎ procesului de generare intrinsecǎ.
Acest proces, de apariţie a golurilor în banda de valenţǎ prin excitarea unor
electroni din banda de valenţǎ pe nivelul acceptor (proces neînsoţit de apariţia,
corespunzǎtor fiecǎrui gol, a unui electron în banda de conducţie, ca la conducţia
intrinsecǎ) se numeşte generare termicǎ extrinsecǎ a golurilor. Concomitent cu
acest proces, are loc şi procesul invers, de trecere a electronilor de pe nivelul donor
în banda de valenţǎ, astfel încât, la o temperaturǎ constantǎ, concentraţia golurilor
generate extrinsec se menţine constantǎ, ca urmare a stabilirii unui echilibru
dinamic în cristal.
În ambele situaţii, peste procesele descrise, se suprapune şi cel de generare
termicǎ intrinsecǎ şi, ca urmare, oricând, în semiconductorii impurificaţi vor exista
ambele tipuri de purtǎtori de sarcinǎ electricǎ liberi, electroni de conducţie şi goluri
dar concentraţiile lor nu mai sunt egale, ca la conducţia intrinsecǎ. Semiconductorii
impurificaţi cu impuritǎţi donoare (semiconductori extrinseci de tip n) vor avea o
concentraţie mai mare de electroni de conducţie decât de goluri (motiv pentru care
electronii de conducţie sunt purtǎtori majoritari, iar golurile purtǎtori
minoritari), conducţia electricǎ realizatǎ în acest caz numindu-se conducţie
extrinsecǎ de tip n, iar cei impurificaţi cu impuritǎţi acceptoare (semiconductori
extrinseci de tip p) vor avea o concentraţie mai mare de goluri decât cea a
electronilor de conducţie (în acest caz golurile sunt majoritare şi electronii
minoritari). Procesele descrise mai sus sunt reprezentate în figura 1.9.

Sǎ considerǎm acum un semiconductor extrinsec de tip n. Întrucât, la 0 K,

nivelul donor este complet ocupat, rezultǎ cǎ nivelul Fermi este situat între acest
nivel şi limita inferioarǎ a benzii de conducţie: WC > WF > WD.
La o temperaturǎ oarecare, în banda de conducţie se gǎsesc electroni
proveniţi atât prin generare intrinsecǎ dar şi prin generare extrinsecǎ, în
concentraţie n = nD + ni, unde ni este concentraţia de purtǎtori generaţi prin procese
intrinseci, iar nD este concentraţia de electroni generaţi prin procese extrinseci.
€ La temperaturi mici, generarea intrinsecǎ este neglijabilǎ, ni  0 şi, deci n  nD.
Concentraţia electronilor de conducţie generaţi extrinsec este egalǎ cu concentraţia
de atomi donori ionizaţi şi care, printr-un calcul analog celor anterioare, se aratǎ cǎ
are expresia:
 nD = ND W W D F

e kT
(1. 17)
unde ND este concentraţia de atomi donori.
Pe de altǎ parte, în paragraful anterior s-a dedus relaţia 1.11, care exprimǎ
concentraţia de electroni din banda de conducţie şi care este valabilǎ indiferent de
modul de apariţie a acestora:

n = NC e W F WC

. kT

Ţinând cont cǎ n  nD, înmulţind cele douǎ relaţii şi extrǎgând rǎdǎcina

pǎtratǎ, se obţine:
WC WD
n= 

NC ND 
e 2kT
Un calcul mai exact dǎ valoarea:
N C N D WC WD
n=  e 2kT (1. 18)
2
2
€ La temperaturi de ordinul a 10 K, practic toţi atomii donori sunt ionizaţi şi,
întrucât încǎ ni  0, n  ND, deci concentraţia electronilor de conducţie rǎmâne
practic constantǎ. Temperatura la care practic toţi donorii sunt ionizaţi se numeşte
temperaturǎ de epuizare, TE.
€ La temperaturi şi mai mari, peste o valoare Ti , 1 generarea termicǎ intrinsecǎ
începe sǎ se manifeste în mod evident şi, cum concentraţia atomilor de
semiconductor este mult mai mare decât cea a atomilor de impuritǎţi, şi
concentraţia electronilor de conducţie proveniţi din generarea intrinsecǎ va fi mult
mai mare decât cea a electronilor de conducţie proveniţi prin generarea extrinsecǎ,
astfel încât ni >> ND şi, deci, n  ni.
În graficul din figura 1.10 este reprezentatǎ variaţia cu temperatura a
concentraţiei electronilor de conducţie într-un semiconductor extrinsec de tip n, de
unde se poate constata cǎ existǎ un domeniu de temperaturi destul de larg (în
domeniul de temperaturi ale mediului ambiant) în care aceasta este constantǎ, fapt
pe care se bazeazǎ şi majoritatea aplicaţiilor materialelor semiconductoare
extrinseci. Pentru comparaţie, s-a reprezentat cu linie mai groasǎ, variaţia cu
temperatura a concentraţiei de electroni de conducţie într-un semiconductor
intrinsec. Zona I, la temperaturi sub temperatura de epuizare, este zona de
conducţie extrinsecǎ, în care concentraţia creşte exponenţial cu temperatura,
exponentul fiind însǎ mic. Zona a II - a, la temperaturi cuprinse între T E şi Ti, este
zona de epuizare, în care concentraţia de purtǎtori rǎmâne constantǎ. Zona a III-a,
la temperaturi peste Ti, este zona de conducţie intrinsecǎ, unde concentraţia

1
De fapt, nu existǎ o temperaturǎ exactǎ la care putem spune cǎ toţi donorii sunt complet epuizaţi
sau la care generarea intrinsecǎ devine evidentǎ, deci TE şi Ti nu sunt în realitate valori exacte ci
domenii de valori ale temperaturii. Formal, este mai comod însǎ sǎ le considerǎm drept valor
exacte.
purtǎtorilor creşte din nou exponenţial însǎ mult mai rapid, exponentul fiind mult
mai mare. Mai exact, în aceastǎ zonǎ concentraţia este datǎ practic de relaţia 1.16,
unde exponentul este proporţional cu Eg = WC – WV (Eg ~ 1 eV), în timp ce, în
prima zonǎ, concentraţia este datǎ de relaţia 1.18, în care exponentul este
proporţional cu WC – WD (WC – WD ~ 10–2 eV).

În mod analog se produc şi procesele într-un semiconductor extrinsec de tip

p, în care însǎ purtǎtorii majoritari sunt golurile, provenite din generarea termicǎ
intrinsecǎ şi din generarea termicǎ extrinsecǎ (în acest caz electronii provin numai
prin generare termicǎ intrinsecǎ). La temperaturi mici, concentraţia golurilor într-
un semiconductor extrinsec de tip p este datǎ de relaţia:
 WC WD
p = 2NV NA  e 2kT
(1. 19)
unde NA este concentraţia de impuritǎţi acceptoare. Un grafic asemǎnǎtor celui din
figura 1.10 se poate trasa şi pentru concentraţia de goluri dintr-un semiconductor
extrinsec de tip p.
În tabelele 1.2 şi 1.3 sunt date valorile energiei de activare la germaniu şi
siliciu dopaţi cu diferite impuritǎţi.

TABELUL 1.2. Valoarea energiei de activare la semiconductori dopaţi cu impuritǎţi

donoare
impuritate Sb P As
donoare
WC – WD (10– semiconductor Si 43 45 53
3
eV) Ge 10 12 13
 TABELUL 1.3. Valoarea energiei de activare la semiconductori dopaţi cu impuritǎţi
acceptoare
impuritate B Al Ga In
acceptoare
WA – WV semiconductor Si 44 68 72 155
–3
(10 eV) Ge 10,4 10,2 10,8 11,2

1.6. ConducEia electricǎ la semiconductori

Consideraţiile expuse în paragraful 1.4 sunt valabile şi în cazul
semiconductorilor, numai cǎ aici trebuie sǎ ţinem seama cǎ existǎ douǎ tipuri de
purtǎtori: electronii (cu sarcinǎ negativǎ) şi golurile (cu sarcinǎ pozitivǎ). Aceştia
se vor deplasa sub acţiunea unui câmp electric exterior cu viteza de drift1:
.v.  et cm . . etcm . .
(1. 20)
2m n E  n E ; vp  E  p E
n

2m p

Se constatǎ cǎ viteza de drift a golurilor este în sensul câmpului electric, în

timp ce viteza de drift a electronilor este în sens invers acestuia. Fiecare tip de
purtǎtor va crea un curent electric cu densitatea:
jn = enn E = n E ; jp = enp E = p E (1. 21)
Sensul celor doi curenţi, determinaţi de cele douǎ tipuri de purtǎtori, este
acelaşi cu sensul câmpului electric exterior. Curentul total, rezultat prin
suprapunerea lor are densitatea:
j  jn  jp = e(nn + pp) E = (n + p) E =  E (1. 22)
Mǎrimea
 = e(nn + pp) (1. 23)
reprezintǎ conductivitatea electricǎ a semiconductorului, relaţia 1.23 fiind
cunoscutǎ sub denumirea de formula conductivitǎţii unui semiconductor cu
impuritǎţi.

1.7. CurenEi de difuzie în semiconductori

Am vǎzut cǎ într-un cristal (metal sau semiconductor), în prezenţa unui câmp
electric exterior, apare un curent electric, numit curent de câmp sau de drift.
Câmpul electric exterior nu este însǎ singura cauzǎ care poate produce o deplasare
dirijatǎ a purtǎtorilor de sarcinǎ electricǎ liberi. Aceasta poate fi produsǎ şi de
existenţa unui gradient de concentraţie a purtǎtorilor, datoratǎ fie unui gradient de
temperaturǎ, fie injecţiei într-o anumitǎ zonǎ a unor noi purtǎtori, fie acţiunii unor
radiaţii care produc generarea de noi purtǎtori etc. Acest gradient de concentraţie
dǎ naştere unui curent de difuzie, analog cu procesul de difuzie a gazelor.
1
În continuare, pentru electroni vom folosi indicele n şi pentru goluri indicele p
 Sǎ considerǎm un semiconductor în care existǎ un gradient de concentraţie
de electroni de conducţie. Acesta dǎ naştere unei difuzii a electronilor din zona de
concentraţie mai mare spre cea de concentraţie mai micǎ, tinzând spre
uniformizarea concentraţiei în toatǎ masa cristalului. Deplasarea dirijatǎ a
purtǎtorilor ca urmare a gradientului de concentraţie reprezintǎ un curent de
difuzie, a cǎrui densitate este datǎ de relaţia:
jn = eDn nr (1. 24)

unde Dn este coeficientul de difuzie al electronilor, o constantǎ ce depinde de
material.
Dar cum np = ni2, înseamnǎ cǎ, paralel cu gradientul de electroni, existǎ şi
un gradient de goluri, ce determinǎ, la rândul sǎu, un curent de difuzie de
densitate1:
jp = eDp pr  (1. 25)
Ca urmare a difuziei, în regiunile pǎrǎsite de electroni, respectiv goluri,
rǎmân sarcini electrice imobile necompensate (regiunea din care au difuzat
electronii este sǎrǎcitǎ în sarcini electrice negative, deci are un surplus de sarcini
pozitive, iar cea din care au difuzat golurile are un surplus de sarcini negative), de
semn opus. Aceastǎ distribuţie de sarcinǎ electricǎ determinǎ apariţia unui câmp
electric intern în cristal, E 2, care determinǎ, la rândul sǎu, apariţia unui curent
int
electric de drift, atât pentru electroni cât şi pentru goluri. Conform relaţiei 1.21.
aceştia au expresiile:
jnd  enn Eint ; jpd  epp Eint
Se observǎ cǎ cei doi curenţi de drift au sens opus (vezi nota de subsol)
sensului curenţilor de difuzie. Ca urmare se va produce un fenomen de echilibru
dinamic, întrucât efectul (curentul de drift) se opune cauzei (gradientul de
concentraţie şi curentul de difuzie). Echilibrul se stabileşte când cei doi curenţi, de
difuzie, respectiv de drift, sunt egali în modul, deci când curentul total este nul.
Densitǎţile totale de curent de electroni şi respectiv de goluri sunt date de relaţiile:
Jn  jn

 jn  e Dn n  nn Eint  (1. 26)
d

 
p p
Jp  jp
 jp  e D p  p Eint (1. 27)
d

1
Aşa cum sunt scrise cele douǎ relaţii, 1.24 şi 1.25, sensul pozitiv ales este sensul lui gradn (care
are, la rândul sǎu, sensul de la zona de concentraţie de electroni mai micǎ spre cea de concentraţie
mai mare) deci şi jn şi jp au sens pozitiv; gradp are sens negativ.
2
Sensul câmpului intern este de la zona din care au difuzat electronii liberi (unde a rǎmas un surplus
de sarcinǎ electricǎ pozitivǎ imobilǎ) spre cea în care au difuzat aceştia; cum difuzia are loc din
zona de concentraţie mai mare spre cea de concentraţie mai micǎ, sensul câmpului electric intern
este invers sensului gradientului concentraţiei de electroni (care este de la zona de concentraţie mai
micǎ spre cea de concentraţie mai mare) deci, conform convenţiei, negativ.
 Un semiconductor izolat ajunge deci la echilibru când J şi J sunt egali cu
n p

zero. Considerând, pentru simplificare, un gradient unidimensional, condiţia de

mai sus pentru curentul de electroni se scrie:
dn
nnEint = Dn (1. 28)
dx
Concentraţia electronilor de conducţie este datǎ de relaţia 1.13:
WF WC

n0 = NC e kT .
Dacǎ însǎ existǎ şi un câmp electric (câmpul electric intern, în cazul de faţǎ),
la energia WC trebuie adǎugat un termen suplimentar, eU, care provine din faptul
cǎ energia minimǎ a electronilor de conducţie este mai mare ca urmare a
accelerǎrii lor în diferenţa de potenţial, U, creatǎ de câmpul electric respectiv.
Concentraţia electronilor de conducţie este, în acest caz:

n = NC W WkT eU

F C eU
= n0  kT (1. 29)
e
e
dU
Cum Eint =  , putem scrie:
dx
dn
n0e  kT  e ⎞dU
eU
 en Eint (1. 30)
 

dx ⎝ kT ⎠ dx kT
Înlocuind relaţia 1.30 în 1.28, rezultǎ:
kT
Dn = n (1. 31)
e
Printr-un calcul analog, se obţine şi:
kT
Dp = p (1. 32)
e
Aşa cum am arǎtat anterior, la echilibru termic, concentraţia purtǎtorilor în
orice punct din semiconductor este constantǎ în timp, ca urmare a echilibrului
dinamic ce se stabileşte între cele douǎ procese inverse: generarea termicǎ şi
recombinarea purtǎtorilor.
Se definesc viteza de generare, G, respectiv viteza de recombinare, R, ca
fiind numǎrul de purtǎtori generaţi, respectiv recombinaţi în unitatea de volum şi
în unitatea de timp (dn/dt sau dp/dt). La echilibru, R = G.
De asemenea. se defineşte timpul de viaţǎ mediu al purtǎtorilor, ın şi ıp, ca
intervalul de timp mediu între momentul generǎrii şi cel al recombinǎrii.
Este evident cǎ viteza de recombinare depinde, pe lângǎ alţi factori, direct
proporţional de concentraţiile celor douǎ tipuri de purtǎtori care se recombinǎ.
Astfel, putem scrie: R ~ np, relaţie care, în cazul unor semiconductori extrinseci,
la temperaturi medii capǎtǎ forma:
 R ~ NDp0 pentru semiconductori de tip n
 R ~ NAn0 pentru semiconductori de tip p
unde ND şi NA sunt concentraţiile (constante) de impuritǎţi donoare, respectiv
acceptoare.
Ţinând cont şi de definiţia vitezei de recombinare, putem scrie expresiile
vitezei de recombinare a purtǎtorilor minoritari:
 R = p0/ıp pentru semiconductori de tip n
 R = n0/ın pentru semiconductori de tip p
Sǎ considerǎm acum un semiconductor de tip n, în care, la echilibru,
concentraţia de purtǎtori minoritari (goluri) este pno.
Dacǎ, printr-un mijloc oarecare, are loc creşterea acestei concentraţii la
valoarea pno + p0, se produce o stare de neechilibru, la încetarea cauzei care a
produs surplusul de purtǎtori, concentraţia acestora scǎzând spre valoarea iniţialǎ,
pno (p  0).
Valoarea pn = pno + p reprezintǎ concentraţia purtǎtorilor de neechilibru,
p fiind concentraţia purtǎtorilor în exces. Ecuaţia ce descrie acest proces este;
prin integrare, rezultǎ:
 t
ı
pn(t) = pn0 + p0 e p (1. 33)
unde pn(t) este concentraţia purtǎtorilor de neechilibru la momentul t dupǎ
încetarea cauzei care a produs dezechilibrul, iar p0 este concentraţia iniţialǎ a
purtǎtorilor în exces. Într-un mod asemǎnǎtor, se poate scrie şi o relaţie care sǎ
exprime concentraţia purtǎtorilor de neechilibru într-un semiconductor de tip p:
 t
ın
np(t) = np0 + n0 e (1. 34)

Sǎ considerǎm acum o porţiune paralelipipedicǎ, de arie transversalǎ A şi

lungime dx (figura 1.11) dintr-un semiconductor de tip n, prin care trece un curent
transversal de purtǎtori minoritari, de densitate j.
Dacǎ în acest volum se produce generarea de noi purtǎtori, cu viteza de
generare G = p0/ıp, într-o regiune infinit micǎ în interiorul volumului respectiv vom
avea o concentraţie p, de purtǎtori minoritari, proveniţi, pe de o parte din
generare, pe de altǎ parte prin transport de cǎtre curentul j, concentraţie mai mare
decât p0 şi dependentǎ de poziţie. Recombinarea purtǎtorilor are loc cu viteza R =
p/ıp şi este evident cǎ, urmare a faptului cǎ R > G, densitatea de curent la ieşirea
din volumul considerat va fi diminuatǎ cu o valoare dj. Din conservarea sarcinii
electrice în volumul respectiv, putem scrie:
dp p
edxA = – edxA + edxA 0 – djA
p ıp
Dar dt ıp
dp
Adj = – AeDp + AeppE
dx
(a se vedea relaţia 1.27) şi, deci:
p pp 2
 p p E
  Dp (1. 35)
2  p
n n n0 n n

t ıp x x
Relaţia de mai sus reprezintǎ ecuaţia de transport
2
Boltzmann.
p n  pn p n p n0
Dacǎ E = 0 şi = 0, relaţia de mai sus devine:  , cu soluţia:
t x
2
D p ıp
 x
Lp
pn(x) = pn0 + pn(0) e (1. 36)
unde
Lp = D ı (1. 37)
p p

se numeşte lungime de difuzie şi reprezintǎ distanţa medie strǎbǎtutǎ de un gol

injectat pânǎ la recombinarea lui cu un electron.
Relaţia 1.36 exprimǎ scǎderea concentraţiei de goluri (în general, de purtǎtori
minoritari injectaţi într-o zonǎ din semiconductor) exponenţial cu distanţa faţǎ de
locul de injectare.

1.8. Fenomene optice în semiconductori

Dacǎ asupra unui material semiconductor cade o radiaţie electromagneticǎ, o
parte din aceasta este absorbitǎ, restul fiind reflectatǎ sau transmisǎ. Interacţia
radiaţiei electromagnetice cu semiconductorul poate consta în absorbţia energiei
fotonilor de cǎtre electroni, care poate avea drept consecinţǎ, atunci când energia
fotonilor absorbiţi este cel puţin egalǎ cu energia de extracţie, emisia în exterior a
unui flux de electroni, fenomen cunoscut sub numele de efect fotoelectric extern.
Dacǎ energia fotonilor absorbiţi este mai micǎ decât energia de extracţie, se poate
produce, prin mai multe mecanisme, efectul fotoelectric intern, care constǎ în
crearea în semiconductor a unor purtǎtori de sarcinǎ electricǎ liberi în exces, fapt
ce duce, evident, la creşterea conductivitǎţii electrice a acestuia.
Unul din mecanismele de producere a efectului fotoelectric intern este
generarea opticǎ intrinsecǎ a perechilor electron liber-gol, ca urmare a excitǎrii
prin absorbţia fotonilor de cǎtre unii din electronii din banda de valenţǎ şi trecerea
lor în banda de conducţie, concomitent cu formarea corespunzǎtoare a unor goluri
în banda de valenţǎ. Acest fenomen se poate produce indiferent de tipul
semiconductorului cu condiţia ca energia fotonului sǎ fie cel puţin egalǎ cu
lǎrgimea benzii interzise, adicǎ h Š.Eg, ceea ce impune pentru lungimea de undǎ
a radiaţiei electromagnetice, o valoare maximǎ (lungimea de undǎ de prag):
hc
m = (1. 38)
Eg
Un alt mecanism de producere a efectului fotoelectric intern este cel de
generare opticǎ extrinsecǎ, prin excitarea electronilor din banda de valenţǎ pe
nivelul acceptor, cu apariţia corespunzǎtoare a unor goluri în banda de valenţǎ sau
prin excitarea electronilor de pe nivelul donor în banda de conducţie. Evident,
acest mecanism se poate produce numai în semiconductorii dopaţi, la care existǎ
nivelurile energetice discrete donor şi/sau acceptor.
Condiţia necesarǎ producerii fenomenului este ca energia fotonului absorbit
sǎ fie cel puţin egalǎ cu energia de activare, adicǎ h Š WC – WD pentru generarea
opticǎ extrinsecǎ a electronilor de conducţie, respectiv h Š WA – WV, pentru
generarea opticǎ extrinsecǎ a golurilor. ?i în aceste cazuri se poate scrie o relaţie
asemǎnǎtoare relaţiei 1.38, care sǎ exprime lungimea de undǎ maximǎ necesarǎ
producerii fenomenului.
Fenomenele descrise mai sus sunt reprezentate schematic în figura 1.12. În
tabelul 1.4, sunt date valorile lungimii de undǎ de prag pentru siliciu sau germaniu
dopat cu diferite impuritǎţi.

TABELUL 1.4 Valoarea lungimii de undǎ de prag pentru diferiţi semiconductori

impuritate B Al Ga In Bi As P Sb Cu Zn -
m (m) semicon- Si 28 18 17 8 18 23 28 29 1,1
ductor Ge 108 104 30 38 1,8
 Se vede cǎ lungimea de undǎ de prag este mai micǎ pentru semiconductorii
puri, decât pentru aceiaşi semiconductori dopaţi, lucru de altfel simplu de explicat.
În schimb, la aceştia fenomenul de generare opticǎ nu se poate petrece decât la
temperaturi scǎzute (~ 10 K), la temperaturi medii impuritǎţile fiind deja ionizate
prin fenomenul de generare termicǎ.
Procesul de generare opticǎ nu se produce în mod uniform în tot volumul
semiconductorului, acesta fiind cu atât mai intens, cu cât el se produce mai aproape
de suprafaţǎ.
Viteza de absorbţie a fotonilor la o adâncime x în semiconductor (numǎrul
de fotoni absorbiţi în unitatea de timp şi în unitatea de volum) este datǎ de relaţia:
A = I(x) = I0e– x,
unde  este coeficientul de absorbţie, ce depinde de energia de activare sau de
lǎrgimea benzii interzise (în funcţie de mecanismul de absorbţie), I(x) este
intensitatea radiaţiei la adâncimea x în semiconductor, iar I 0 este intensitatea
radiaţiei la suprafaţa acestuia.
Nu toţi fotonii absorbiţi produc generarea opticǎ a unor purtǎtori; pe de altǎ
parte, este posibil ca un singur foton sǎ genereze mai mulţi purtǎtori. Din aceastǎ
cauzǎ, viteza de generare a purtǎtorilor sub acţiunea radiaţiei electromagnetice
absorbite este doar proporţionalǎ cu viteza de absorbţie: G = A, unde  este
randamentul de generare (randament cuantic), definit ca numǎrul mediu de
purtǎtori de un anumit tip, generaţi prin absorbţia unui singur foton. Atunci,
G(x) = I(x) = I0e– x = G0e– x (1. 39)
Din relaţia de mai sus, se vede cǎ viteza de generare opticǎ a purtǎtorilor
scade exponenţial cu adâncimea în semiconductor, ceea ce înseamnǎ cǎ procesul
de generare opticǎ este semnificativ doar într-un strat subţire de la suprafaţa
semiconductorului.
Dupǎ cum am arǎtat anterior, fenomenul de generare este compensat de
fenomenul invers, de recombinare, la un flux constant al radiaţiei incidente
stabilindu-se un echilibru între cele douǎ fenomene (R = G), astfel încât
concentraţia purtǎtorilor în exces rǎmâne constantǎ (n = Rın sau p = Rıp),
adǎugându-se celei de echilibru. Acest lucru duce la creşterea conductivitǎţii
semiconductorului:
 = e[n(n + n) + p(p + p)] =
= e(nn + pp) + e(nn + pp) = 0 + f (1. 40)
unde  este conductivitatea la întuneric şi f este fotoconductivitatea
semiconductorului.
În anumite situaţii, se poate produce recombinarea radiativǎ a purtǎtorilor,
care este un fenomen invers celui de absorbţie a radiaţiei electromagnetice. Dacǎ
procesul de recombinare radiativǎ are loc lent (durata de 1 – 10–4 s), fenomenul de
emisie opticǎ se numeşte fosforescenţǎ, iar dacǎ el are loc rapid (10–5 – 10–8 s),
emisia opticǎ se numeşte fluorescenţǎ. În fapt, este vorba de tranziţia electronicǎ
de pe un nivel energetic superior, Wi, pe unul inferior, Wf, având ca urmare emisia
unui foton de energie h = Wi – Wf. Mecanismele prin care poate avea loc emisia
opticǎ sunt:
- recombinarea radiativǎ directǎ, adicǎ trecerea unui electron de conducţie
direct în banda de valenţǎ şi emisia unui foton;
- recombinarea radiativǎ indirectǎ, când trecerea electronului de conducţie în
banda de valenţǎ nu se face direct ci prin intermediul unui nivel energetic
discret existent în banda interzisǎ, corespunzǎtor unei stǎri locale, ceea ce
determinǎ emisia a doi fotoni, evident cu respectarea conservǎrii energiei; acest
caz are însǎ o probabilitate de producere mult mai micǎ decât recombinarea
radiativǎ directǎ.
- recombinarea radiativǎ prin alipire, care, spre deosebire de celelalte douǎ
tipuri de recombinare radiativǎ, se produce numai în semiconductorii extrinseci
şi constǎ în captarea de cǎtre un ion de impuritate a unui purtǎtor de semn
contrar şi emisia unui foton.

1.9. Tehnici de obEinere a semiconductorilor intrinseci

şi extrinseci
Aşa cum se va vedea în continuare, materialele semiconductoare au
numeroase aplicaţii, motiv pentru care o importanţǎ deosebitǎ o au metodele şi
tehnicile de fabricare a acestora. În prezent se cunoaşte un numǎr foarte mare de
substanţe semiconductoare, care se pot clasifica în mai multe categorii:
 substanţe simple (elemente): Si, Ge, Se, Sn etc.
 compuşi binari
- de tip III - V: GaAs, InSb, InPb
- de tip II - VI: ZnO, CdS, CdSe, ZnS
- de tip IV - IV: SiC
- de tip II - IV: TiO2, VO2,
precum şi alţii, mai puţin importanţi
 compuşi ternari
- de tip I - IV - V: AgBiSe
- de tip II - IV - V: MgGeP2
- de tip I - IV - VI: CuSi2P3
- de tip IV - IV - VI: PbSnTe etc.
 compuşi cuaternari: CuPbAsS3
 soluţii solide: Ge - Si, InAs - InSb, PbSe - PbTe etc.
Prima problemǎ ce se pune în practicǎ la fabricarea diferitelor dispozitive
semiconductoare este obţinerea semiconductorului cu o puritate cât mai mare şi cu
defecte ale reţelei cât mai reduse. Urmeazǎ apoi, dacǎ este cazul, o impurificare
controlatǎ, pentru obţinerea unui semiconductor intrinsec cu caracteristicile dorite.
Pentru aceasta, mai întâi se obţine un monocristal, printr-una din metodele
obişnuite de creştere a cristalelor. O metodǎ foarte des utilizatǎ este cea de
creştere epitaxialǎ a unui strat monocristalin pe un suport cu rol de germene, când
are loc transportul unor atomi din fazǎ solidǎ, lichidǎ sau gazoasǎ la suprafaţa unui
monocristal, astfel încât stratul nou depus continuǎ structura cristalinǎ a
substratului. Prin aceastǎ metodǎ, se pot creşte straturi epitaxiale de naturǎ chimicǎ
diferitǎ de cea a substratului, cu condiţia ca amândouǎ straturile sǎ aibǎ acelaşi tip
de reţea, cu parametrul reţelei foarte apropiat şi cu coeficienţi de dilatare
aproximativ egali.
Metodele de purificare utilizate sunt metode fizice, bazate pe trecerea lentǎ a
semiconductorului din faza lichidǎ în faza solidǎ, când are loc o redistribuire a
impuritǎţilor aflate iniţial în materia primǎ, acestea rǎmânând în cea mai mare
parte în faza lichidǎ.
Impurificarea controlatǎ (doparea) cu impuritǎţi donoare sau acceptoare se
poate realiza fie concomitent cu creşterea cristalului, prin introducerea in contact
cu materia primǎ semiconductoare (care trebuie sǎ aibǎ o puritate suficient de
mare), aflatǎ în stare de topiturǎ, soluţie sau vapori, a unei cantitǎţi
corespunzǎtoare de impuritate, fie prin difuzia atomilor de impuritǎţi, aflaţi în stare
de vapori, în monocristalul solid de semiconductor (aceastǎ metodǎ se foloseşte în
mod special când este necesarǎ realizarea unor straturi multiple de semiconductor
extrinsec cu tip de conducţie diferit, a cǎror grosime trebuie controlatǎ în mod
strict).

1.10. AplicaEii directe1 ale materialelor semiconductoare

Proprietǎţile deosebite pe care le au semiconductorii intrinseci sau extrinseci
fac ca aceştia sǎ fie folosiţi în construcţia unor dispozitive semiconductoare printre
care sunt şi cele care vor fi descrise în continuare.
Termistorul este un dispozitiv construit dintr-o plachetǎ de semiconductor
intrinsec sau extrinsec, a cǎrui rezistenţǎ electricǎ este variabilǎ cu temperatura.
Variaţia rezistenţei cu temperatura este datoratǎ, evident, variaţiei exponenţiale a
concentraţiei purtǎtorilor şi/sau variaţiei liniare a mobilitǎţii acestora cu
temperatura.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea termistorilor sunt oxizii unor
metale ca Fe, Mn, Mg, Ti, Co, Cr, Ni, Cu etc.
Mǎrimea caracteristicǎ a acestui dispozitiv este coeficientul termic al
rezistenţei:
1 dR (1. 41)
 = R dT
Termistorul este folosit la mǎsurarea temperaturii precum şi pentru
compensarea scǎderii rezistenţei rezistorilor la creşterea temperaturii.
Fotorezistorul este un dispozitiv semiconductor a cǎrui rezistenţǎ electricǎ
se modificǎ sub acţiunea radiaţiei electromagnetice incidente. El poate fi construit
din semiconductor intrinsec sau extrinsec şi funcţioneazǎ pe baza fenomenului de

1
În acest paragraf ne vom referi la acele aplicaţii ale semiconductorilor în care nu apar joncţiuni.
generare opticǎ ce duce, aşa cum s-a vǎzut, la modificarea conductivitǎţii
materialului şi deci a rezistenţei sale.
Caracteristica esenţialǎ a unui fotorezistor este curba spectralǎ de rǎspuns,
R = R(), în funcţie de care se stabileşte domeniul de utilizare a dispozitivului
respectiv. De asemenea, raportul 0 este o mǎrime caracteristicǎ ce ne aratǎ
sensibilitatea dispozitivului la acţiunea radiaţiei incidente.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea de fotorezistori sunt, pentru
vizibil şi ultravioletul apropiat: CdS, CdSe, Tl 2S, iar pentru infraroşu: PbS, PbSe,
PbTe, InSb.
Aplicaţia de bazǎ a fotorezistorilor este cea de convertor opto-electric.
Un caz particular, este cel când dispozitivul este utilizat ca detector de
radiaţii nucleare1, materialele semiconductoare utilizate în acest scop fiind, de
regulǎ, Si sau Ge intrinsec.
Materialele semiconductoare mai sunt utilizate şi în construcţia sondelor Hall
(Ge, InSb, InAs, HgSe), a termocuplelor şi ca materiale piezoelectrice (CdS, CdSe,
ZnO, GaAs).

1.11. AplicaEii

1.11.1. Noţiuni introductive pentru laboratorul de electronicǎ

a) Mǎrimi fizice utilizate în electronicǎ
În descrierea funcţionǎrii circuitelor electronice sunt utilizate de regulǎ
mǎrimi fizice definite în cadrul capitolului de electricitate şi magnetism.
Tensiunea electricǎ reprezintǎ diferenţa de potenţial dintre douǎ puncte.
Cum potenţialul este definit pânǎ la o constantǎ arbitrar aleasǎ, în circuitele
electrice se alege un potenţial de referinţǎ, egal cu zero (masa circuitului) faţǎ de
care, diferitele puncte din circuit vor avea potenţiale diferite, pozitive sau negative,
care sunt egale cu tensiunea dintre acele puncte şi masa circuitului (de aceea,
uneori se spune “tensiune într-un punct al circuitului” cu sensul de “tensiune dintre
acel punct şi masǎ”).
Intensitatea curentului electric este mǎrimea fizicǎ fundamentalǎ definitǎ
conform relaţiei:
dQ (1. 42)
I  dt
unde dQ este sarcina electricǎ ce trece printr-o secţiune transversalǎ a circuitului în
intervalul de timp dt. Pentru un curent constant, Q
I adicǎ intensitatea
t
curentului electric este numeric egalǎ cu sarcina electricǎ ce trece în unitatea de
timp printr-o secţiune transversalǎ a conductorului strǎbǎtut de curent. În
electronicǎ se utilizeazǎ foarte mult submultiplii unitǎţii de mǎsurǎ a intensitǎţii
1
Fenomenele ce se petrec în acest caz sunt mai complexe dar nu vom intra în detalii.
curentului electric în S.I. (amperul), în mod special miliamperul şi microamperul
(1mA = 10–3 A şi 1A = 10–6 A).
Se mai foloseşte, de asemenea şi o altǎ mǎrime, densitatea de curent:
d2Q
j dI
dS   dS (1. 43)
dt
numeric egalǎ cu intensitatea curentului ce strǎbate unitatea de arie a suprafeţei
transversale a conductorului. Unitatea de mǎsurǎ a acestei mǎrimi este:
[j]SI = 1A/m2.
Sensul convenţional al curentului electric este sensul de deplsare în circuit
a unei sarcini electrice pozitive, sub acţiunea câmpului electric imprimat de sursa
de t.e.m.
Curenţii alternativi, variabili sinusoidal, sunt descrişi de expresia
analiticǎ: s(t) = Smsin(t+) (1. 44)
unde s(t) reprezintǎ valoarea instantanee a tensiunii sau intensitǎţii, S m valoarea
maximǎ (amplitudinea),  = 2 pulsaţia şi  faza iniţialǎ.
Frecvenţa  a curentului electric alternativ, mǎsuratǎ în herţi (Hz) poate lua
valori într-o gamǎ foarte largǎ, de la cele joase, ale curentului alternativ din reţeaua
de 50 Hz, pânǎ la valori de ordinul sutelor de MHz, în cazul curenţilor de
radiofrecvenţǎ. De altfel, conform unei împǎrţiri nu foarte exacte, se vorbeşte de
domeniul de joasǎ frecvenţǎ (JF) sau audiofrecvenţǎ (AF) şi domeniul de
radiofrecvenţǎ (RF), împǎrţit la rândul lui în subdomeniile: înaltǎ frecvenţǎ (IF),
foarte înaltǎ frecvenţǎ (FIF) şi ultraînaltǎ frecvenţǎ (UIF). Primul dintre aceste
domenii corspunde undelor radio din gama undelor lungi, medii şi scurte iar
celelalte douǎ gamei undelor radio ultrascurte.
b) Semnale
Întrucât în circuitele electronice intervin tensiuni şi curenţi variabili, aceste
forme de variaţie în timp a mǎrimilor respective se numesc în mod generic
semnale.
În practicǎ întâlnim diverse tipuri de semnale dintre care amintim:
- semnle sinusoidale, descrise de expresia (3)
- semnale dreptunghiulare, de forma reprezentatǎ în figura 1.13.

Aceste impulsuri sunt definite prin duratǎ şi amplitudine. Dacǎ

impulsurile se succed la intervale constante de timp atunci se defineşte şi o
perioadǎ de repetiţie a acestora (figura 1.14). În general, se defineşte şi factorul de
umplere, ca raport dintre durata Ti a unui impuls şi perioada T de repetiţie a
impulsurilor.

- semnale dinte-de-ferǎstrǎu – sunt semnale periodice (a se vedea

funcţionarea osciloscopului) de forma din figura 1.14.a.
- semnale triunghiulare – sunt reprezentate în figura 1.14.b.
Evident în afara acestor exemple – din cele mai des întâlnite – existǎ şi alte
forme de semnale, inclusiv cele cu variaţie întâmplǎtoare, numite zgomote.
c) Instrumente utilizate în electronicǎ
Pe lângǎ instrumentele de mǎsurǎ utilizate şi în laboratorul de electricitate
(voltmetre, ampermetre, multimetre, ohmetre etc.), în laboratorul de electronicǎ
sunt utilizate şi alte aparate şi instrumente ca: voltmetrul electronic (cu impedanţǎ
mare de intrare), generatorul de semnale, frecvenţmetrul, osciloscopul şi altele.
Aici ne vom opri asupra celui mai important aparat, osciloscopul, prin
intermediul cǎruia se pot vizualiza diferite semnale şi se pot efectua mǎsurǎtori ale
unor mǎrimi (amplitudini, frecvenţe etc.).
Schema bloc a unui osciloscop este datǎ în figura 1.15.

Partea principalǎ a osciloscopului este tubul catodic - o incintǎ vidatǎ,

având în partea posterioarǎ un tun electreonic iar în partea anterioarǎ un ecran
fluorescent. Sistemul mai dispune de douǎ perechi de plǎci deflectoare (pe
orizontalǎ şi pe verticalǎ), pe care, dacǎ se aplicǎ o tensiune, fasciculul de electroni
este deviat. Tubul catodic dispune şi de alţi electrozi şi circuite auxiliare care
asigurǎ accelerarea fasciculului de electroni, focalizarea acestuia şi reglarea
intensitǎţii luminoase şi a poziţiei pe ecran a spotului luminos produs de impactul
fasciculului de electroni cu ecranul fluorescent. În lipsa tensiunii aplicate pe
plǎcuţele de deflexie, pe ecran apare un punct (spot) luminos; dacǎ pe plǎci se
aplicǎ o tensiune, spotul se va deplasa pe orizontalǎ sau verticalǎ cu o distanţǎ
proporţionalǎ cu mǎrimea tensiunii aplicate. Dacǎ tensiunea este alternativǎ, pe
ecran se obţine un segment de dreaptǎ. Pentru a vizualiza corect un astfel de
semnal, acesta se aplicǎ pe plǎcile de deflexie verticalǎ, pe cele de deflexie
orizontalǎ aplicându-se o tensiune dinte-de-ferǎstrǎu cu frecvenţa strict
sincronizatǎ cu cea a semnalului studiat, obţinutǎ de la un generator intern
(generatorul bazei de timp) sau extern. Existǎ şi variante mai complicate de
osciloscoape, cu dublu spot, cu memorie etc.

1.11.2. Elemente pasive de circuit

1. Noţiuni generale
Cele mai des întâlnite elemente pasive de circuit sunt rezistorul,
condensatorul şi bobina.
Rezistorul este caracterizat printr-o relaţie de proporţionalitate între
tensiunea aplicatǎ la bornele sale şi intensitatea curentului ce trece prin el (legea lui
Ohm: I = U/R).
Principalul parametru al unui rezistor este rezistenţa nominalǎ. În practicǎ
se utilizeazǎ rezistori cu valori ale rezistenţelor standardizate. De obicei, fabricanţii
adoptǎ un şir de valori (10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30, 33, 36, 39, 43,
47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91, 100) care, înmulţite cu puteri ale lui 10, asigurǎ
rezistenţe în limitele 10  - 10 M. Prin combinarea (legare serie sau paralel)
unora din aceste valori, se pot obţine toate celelalte valori care lipsesc din serie.
Alegerea s-a fǎcut ţinând seama de un alt principiu al rezistenţelor: toleranţa, care
indicǎ, în procente, precizia valorii nominale a rezistenţei. Cu seria de valori datǎ
mai sus, se asigurǎ prin fabricare o abatere de cel mult 5% de la valoarea nominalǎ
înscrisǎ pe rezistor. Dacǎ din serie se eliminǎ valorile 11, 13, 16, 20, 24, 27, 30, 36,
43, 51, 62, 75 şi 91 se obţin valori care asigurǎ o precizie de cel puţin 10%, iar
dacǎ se pǎstreazǎ numai valorile 10, 15, 22, 23, 47, 68, 100, aceastǎ serie are valori
precizate cu o eroare de maxim 20%.
Se poate verifica faptul cǎ, pentru fiecare serie, o valoare plus toleranţa
respectivǎ este egalǎ (aproximativ) cu valoarea imediat superioarǎ minus toleranţa.
De exemplu:
56 + 5%  62 – 5%
39 + 10%  47 – 10%
33 + 20%  47 – 20%
Pentru cazuri deosebite, se construiesc şi folosesc şi rezistori cu toleranţe
mai mici (2%, 1% şi 0,5%).
 Pe fiecare rezistor, fabricantul înscrie obligatoriu valoarea nominalǎ a
rezistenţei şi toleranţa. Aceasta se poate face fie în clar, fie utilizând un cod literal,
fie unul al culorilor.
Codurile literale pot fi diferite în funcţie de fabricant dar cel mai des
întâlnit foloseşte simbolurile:
R - unitǎţi
K - kilo
M - mega
F - toleranţǎ 1%
G - toleranţǎ 2%
I - toleranţǎ 5%
K - toleranţǎ 10%
M - toleranţǎ 20%
De exemplu, notaţia 1R5F semnificǎ 1,5  toleranţǎ 1%, notaţia 4K7I
semnificǎ 4,7 k  5%, iar notaţia 2M2K semnificǎ 2,2 M  10 %
Dacǎ litera corespunzǎtoare toleranţei lipseşte, sau dacǎ aceasta nu este
înscrisǎ în clar, ea se considerǎ 20%.
Codul culorilor utilizeazǎ benzi de diferite culori cu semnificaţii bine
precizate (figura 1.16). Prima bandǎ se considerǎ cea care este cea mai apropiatǎ
de unul din capetele rezistorului.

Primele douǎ benzi (I şi II) reprezintǎ cifre semnificative, a treia - numǎrul

de zerouri (puterea lui 10 cu care se înmulţeşte numǎrul citit pe primele douǎ
benzi) şi ultima - toleranţa., conform celor prezentate în tabelul urmǎtor:
Culoare Cifrǎ Toleranţǎ
NEGRU 0 -
MARO 1 1%
RO?U 2 2%
PORTOCALIU 3 -
GALBEN 4 -
VERDE 5 -
ALBASTRU 6 -
VIOLET 7 -
GRI 8 -
ALB 9 -
AURIU - 5%
ARGINTIU - 10%
 Dacǎ a patra bandǎ lipseşte, toleranţa este 20%.
Rezistoarele sunt caracterizate şi de alţi parametri:
- puterea disipatǎ (cele mai uzuale sunt de 0,5 W).
- coeficientul de stabilitate cu temperatura etc.
Din punct de vedere constructiv, rezistoarele pot fi construite cu peliculǎ de
carbon (cele mai uzuale), cu peliculǎ metalicǎ şi bobinate (de puteri mai mari).
Condensatorul are drept principal parametru capacitatea nominalǎ. Ca şi
la rezistoare, valoarea nominalǎ a capacitǎţii este determinatǎ cu o anumitǎ
toleranţǎ.
Un alt parametru este coeficientul de temperaturǎ, care ne aratǎ variaţia
capacitǎţii la variaţie a temperaturii conform relaţiei:
C = C0(1 + T) (1. 45)
De regulǎ, coeficientul de variaţie a capacitǎţii cu temperatura,  având
valori foarte mici, se exprimǎ în 10–6 grd–1.
?i la marcarea condensatoarelor se poate utiliza înscrierea în clar sau în
codul culorilor. În acest ultim caz se folosesc cinci benzi colorate (figura 1.17).

Prima bandǎ este cea dinspre firele de conexiune şi are semnificaţia de

coeficient de temperaturǎ, cu valorile posibile:
VERDE: –330, VIOLET: –750, AURIU: +100 (exprimate în 10-6 grd-1)
Benzile 2, 3 şi 4 au aceeaşi semnificaţie ca la benzile 1, 2, 3 de la rezistori
(codul culorilor fiind acelaşi), citirea dând valoarea capacitǎţii exprimatǎ în pF.
Banda 5 exprimǎ toleranţa cu semnificaţiile:
NEGRU: 20%, ALB: 10%, VERDE: 5%, PORTOCALIU: 3%, RO?U: 2%,
MARO: 1%.
Dacǎ pe condensator sunt înscrise numai 3 benzi, acestea sunt benzile 2, 3
şi 4, toleranţa fiind 20%.
Alţi parametri ai condensatoarelor sunt tensiunea nominalǎ, rezistenţa de
izolaţie, curentul de fugǎ.
Constructiv, condensatoarele sunt realizate în mai multe moduri, în funcţie
de dielectricul folosit. Astfel, întâlnim condensatori ceramici tubulari (în general
de capacitǎţi mici, pânǎ la 100 pF), condensatori ceramici de tip disc şi plachetǎ
(10 pF ÷ 1F), condensatori cu polistiren etc. Tensiunile nominale sunt de ordinul
zecilor sau sutelor de volţi. O categorie aparte o constituie condensatoarele
electrolitice (pot avea capacitǎţi mai mari, de ordinul mF) dar şi gabarit mai mare.
La introducerea în circuit, este esenţialǎ respectarea polaritǎţii condensatorului.
Condensatoarele cu tantal au proprietǎţi asemǎnǎtoare celor electrolitice dar au un
gabarit redus.
În afarǎ de rezistoare şi condensatoare, în circuitele electronice se întâlnesc
şi alte elemente pasive ca bobine, transformatoare şi altele.
Mǎsurarea rezistenţelor se face prin metode descrise în cadrul laboratorului
de electricitate dintre care cele mai precise sunt cele de punte. Capacitǎţile se
mǎsoarǎ prin metode asemǎnǎtoare, diferenţa fiind cǎ puntea trebuie alimentatǎ în
curent alternativ.
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Lucrarea are ca scop cunoaşterea diverselor tipuri de rezistoare şi
condensatoare, familiarizarea cu modul de înscriere a parametrilor acestora şi
mǎsurarea unor rezistenţe şi capacitǎţi.
În acest scop se foloseşte o machetǎ pe care sunt dispuse mai multe
rezistoare şi condensatoare. Pentru mǎsurarea rezistenţelor şi capacitǎţilor acestora
se foloseşte o punte R-C care, în principiu, este alcǎtuitǎ din patru elemente de
circuit caracterizate de o anumitǎ impedanţǎ, legate în punte. Unul dintre aceste
elemente este cel a cǎrui rezistenţǎ sau capacitate se mǎsoarǎ, iar altul are
impedanţa variabilǎ, celelalte fiind fixe. Pe o diagonalǎ a punţii se aplicǎ un
semnal sinusoidal furnizat de un generator, iar pe cealaltǎ diagonalǎ se aflǎ
elementul de nul care poate fi un ampermetru de c.a. sau, în cazul unor frecvenţe
audio, o cascǎ telefonicǎ sau un difuzor.
Întreg dispozitivul este încorporat într-o carcasǎ, panoul frontal fiind
reprezentat în figura 1.18.b, figura 1.18.a reprezentând schema de principiu a
punţii R-C.

3. Modul de lucru
1. Se citesc valorile înscrise în codul culorilor pe rezistoarele şi condensatoarele
de pe machetǎ. Se înscriu în tabel.
2. Prin fire de legǎturǎ, se conecteazǎ pe rând elementele la bornele
corespunzǎtoare ale punţii; folosind pentru început o sensibilitate micǎ, se
 regleazǎ butonul scǎrii de mǎsurǎ a punţii pânǎ când semnalul nu se mai aude
în difuzor;
3. Mǎrind sensibilitatea, se ajusteazǎ poziţia butonului la nivelul intensitǎţii
minime a semnalului;
4. Se citeşte pe scala aparatului valoarea mǎsuratǎ şi se înscrie în tabel;
5. Se comparǎ cu valoarea cititǎ.
6. Rezistenţele se mǎsoarǎ din nou, cu un ohmetru. Se comparǎ cele douǎ
mǎsurǎtori.
7. Toate rezultatele se trec într-un tabel de forma urmǎtoare:

Nr. det. R ( C ) citit  toleranţǎ R ( C ) mǎsurat

cu puntea cu ohmmetrul
1.
…

4. Întrebǎri
1. Care sunt sursele de erori în mǎsurǎtorile fǎcute ?
2. Se poate utiliza metoda de mǎsurare cu puntea pentru mǎsurarea inductanţei
bobinelor ? Dacǎ da, ce modificǎri ar trebui aduse montajului ?
3. Ce concluzii se pot trage din compararea celor douǎ serii de mǎsurǎtori ale
rezistenţelor, cu puntea şi cu ohmetrul ? Care metodǎ este mai precisǎ ?

1.11.3. Tuburi electronice1

1. Noţiuni teoretice
A. Dioda cu vid
Dioda cu vid este un dispozitiv compus din doi electrozi dispuşi coaxial într-
o incintǎ vidatǎ: catodul (emitorul electronic) filiform, plasat pe axa incintei şi
anodul (colectorul), de formǎ cilindricǎ. Catodul este încǎlzit 2 la temperaturi între
700 C şi 1400 C şi, ca urmare, temperatura ridicatǎ permite acestuia sǎ emitǎ, pe
baza fenomenului de emisie electronicǎ, electroni (figura 1.19).

1
Deşi tuburile electronice nu mai sunt de mult folosite în aplicaţii practice, totuşi fenomenele care
au loc la funcţionarea acestora sunt în continuare de interes, motiv pentru care a fost introdus acest
paragraf.
2
Încǎlzirea catodului se poate face direct, când catodul este un filament adus la incandescenţǎ prin
trecerea unui curent electric prin el sau indirect, când catodul este un cilindru foarte subţire, încǎlzit
prin radiaţie termicǎ de la un filament aflat în interiorul sǎu.
 Fenomenul de emisie termoelectronicǎ are loc datoritǎ creşterii energiei
cinetice de agitaţie termicǎ a electronilor liberi din solid pe seama energiei termice
exterioare. Curentul de emisie creşte cu creşterea temperaturii. În vecinǎtatea
suprafeţei încǎlzite se formeazǎ un nor de electroni care se agitǎ haotic. Acest gaz
electronic nu se îndepǎrteazǎ de suprafaţa metalului deoarece electronii extraşi lasǎ
în metal o sarcinǎ pozitivǎ, echivalentǎ, care îi atrage.
Prin aplicarea unui cîmp electric accelerator, peste o valoare criticǎ a
acestuia vor fi culeşi toţi electronii din norul electronic, curentul de emisie
atingând valoarea de saturaţie.
Richardson şi Dushman au stabilit cǎ densitatea de curent a curentului de
emisie este datǎ de:
 W0
2
j  A  T  e kT (1. 46)
unde W0 reprezintǎ lucrul mecanic (energia) de extracţie, care este o constantǎ
caracteristicǎ materialului electronoemisiv, iar A o constantǎ ce depinde de natura
şi starea suprafeţei catodului. Folosind schema principialǎ din figura 1.19, se pot
trasa caracteristicile statice ale diodei (figura 1.20).

Aceste caracteristici prezintǎ trei zone:

- zona I (zona de lansare sau zona tensiunilor negative) – curentul
anodic IA este foarte mic şi se poate neglija, el fiind datorat unui numǎr
mic de electroni cu viteze iniţiale mari, care pot învinge câmpul electric
frânant, ajungând la anod. În practicǎ, se considerǎ cǎ aceste
caracteristici pornesc chiar din origine, zona I fiind foarte greu de pus
în evidenţǎ.
- zona a II-a (regiunea de sarcinǎ spaUialǎ) este zona caracteristicii
anodice unde este valabilǎ legea “3/2”:
3
IA  K  UA2 (1. 47)
- zona a III-a (regiunea de saturaUie). IA atinge valoarea
maximǎ, conform relaţiei Richardson şi Dushman.
Pentru o diodǎ se pot defini parametrii:
 - rezistenţa internǎ staticǎ (în curent continuu),
R,
U (1. 48)
R  A
IA
- rezistenţa dinamicǎ (în curent alternativ) Ri:
(1. 49)
i du
R  diA
A
B. Trioda
La triodǎ, în afarǎ de catod şi anod intrǎ în componenţǎ şi un al treilea
electrod - grila de comandǎ, care este un electrod cilindric dintr-o plasǎ metalicǎ
rarǎ sau un fir metalic în spiralǎ, plasat între anod şi catod, în imediata apropiere a
acestuia din urmǎ (figura 1.21).

Prin potenţialul electric şi poziţia acesteia faţǎ de catod rezultǎ principalul rol
al grilei: acela de comandǎ a curentului anodic.
Curentul total de emisie (curentul catodic) este dat de relaţia1:

 K  u 32  Ku  f  3 2 (1. 50)
i u A

E G
C
⎝ i C  i A  i G
unde uE este tensiunea echivalentǎ anod-catod iar f - factorul de pǎtrundere al
grilei.
1
În acest paragraf, s-au notat valorile instantanee cu iA, uA, uG etc., componentele variabile ale
acestora fiind notate cu ia, ua, ug etc.
 În general, iG este foarte mic deci iC  iA.
Pentru o triodǎ, se pot trasa caracteristicile anodice, i A  f u A uG
(figura
 ct

1.22.a) şi de grilǎ, i  f u (figura 1.22.b). Caracteristicile anodice ale unei

A G uA

 ct

triode sunt, calitativ, aceleaşi cu ale unei diode. Caracteristicile de grilǎ aratǎ cǎ
acest al treilea electrod poate controla curentul anodic prin variaţia potenţialului
aplicat pe el; astfel, la valori negative (faţǎ de catod, considerat la potenţial nul) ale
potenţialului de grilǎ, mai mari decât o valoare numitǎ tensiune de stopare,
curentul anodic este nul, deoarece câmpul electric de frânare, dintre grilǎ şi catod,
este atât de intens, încât nici un electron din norul electronic din jurul catodului nu
are suficientǎ energie pentru a-l învinge şi a ajunge la anod. La valori peste
tensiunea de stopare ale potenţialului de grilǎ, curentul anodic creşte, la începul
mai lent, apoi liniar odatǎ cu creşterea acestui potenţial, pânǎ când se intrǎ în
regiunea de saturaţie, când curentul anodic nu mai creşte, ba chiar începe sǎ scadǎ
uşor, datoritǎ faptului cǎ grila este suficient de puternic pozitivatǎ pentru a atrage
ea însǎşi electroni, ceea ce înseamnǎ creşterea curentului de grilǎ şi, implicit
scǎderea celui anodic.
Pentru porţiunea liniarǎ a caracteristicii de grilǎ, a cǎrei zonǎ de mijloc se
gǎseşte de obicei la valori negative ale potenţialului grilei, se pot defini parametrii
triodei: panta S, rezistenţa internǎ Ri şi factorul de amplificare, ..

diA (1. 51)


S duG u A ct

Ri  1
(1. 52)
diA
duA u G ct
duA

duG (1. 53)
iA
ct
Cum iA = f(uA, uG), se poate scrie:
 diA
diA  diA   du A
duG duG du A
sau
diA Pe altǎ parte, întrucât
de
 1
Ri
 S duG 
 du A
iA = IA + ia ; uA = UA + ua ; uG = UG + ug diA
şi, deci:
= ia, duG = ug, duA = ua,
 ia  S ug  u
Ra (1. 54)
i
sau
Riia = RiSug + ua =  ug + ua
Pentru montajul din figura 1.21, în lipsa semnalului alternativ de grilǎ (ug =
0), mǎrimile electrice au expresiile:
uG = – Eg; iA = IA; uA = UA = EA – RAIA
Mǎrimile de mai sus determinǎ regimul static de funcţionare a triodei.
În prezenţa componentei alternative, u g = Ugmsint, mǎrimile au
expresiile:
uG = – EG + ug = – EG + ug = Ugmsint
iA = IA + ia = IA + ug = Iamsint
uA = UA + ua = EA – ua = EA – ug = Uamsint
uA = EA – RAiA = EA – RA(IA + ia) = EA – RAIA – RAia = UA - ua
Deci,
ua  RA RA
   (1. 55)
ia R i  R A ug
ug  RA ⎞
ia  ; ia 1   S (1. 56)
R i  RA  ug
⎝ Ri ⎠
Relaţiile de mai sus permit înlocuirea schemelor reale ale circuitului cu
triodǎ cu circuite echivalente. Astfel, relaţia (1.55) conduce la schema echivalentǎ
cu generator de tensiune constantǎ, cu t.e.m. egalǎ cu ug şi rezistenţǎ internǎ Ri,
ce debiteazǎ pe o sarcinǎ RA (figura 1.23.a) iar relaţia (1.56) conduce la schema
echivalentǎ în care tubul apare ca generator de curent constant, Sug, cu rezistenţa
internǎ Ri în paralel (figura 1.23.b).

Din relaţiile (1.55) sau (1.56) şi schemele echivalente rezultǎ cǎ

amplificarea ua
A este datǎ de relaţia:
montajului,
ug
 
A
R (1. 57)
1 i
RA
C. Tuburi multigrilǎ
Creşterea factorului de amplificare al triodei nu se poate face peste o anumitǎ
valoare deoarece mǎrirea lui  duce şi la mǎrirea lui Ri. Pentru eliminarea acestui
neajuns s-a apelat la modificarea tubului, introducând între grila de comandǎ şi
anod o a doua grilǎ (grilǎ ecran) obţinându-se astfel tubul numit tetrodǎ, care poate
avea un factor de amplificare mai mare fǎrǎ creşterea rezistenţei interne. Pe de altǎ
parte însǎ, caracteristica anodicǎ a tetrodei prezintǎ o porţiune de rezistenţǎ
negativǎ (efectul dinatron), care face instabilǎ funcţionarea în regim de
amplificator.
Eliminarea rezistenţei negative se poate face prin construirea tetrodelor cu
fascicul dirijat sau prin introducerea unei noi grile (grila supresoare) între anod şi
grila ecran, legatǎ la catod sau la un potenţial negativ obţinându-se astfel pentoda.
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Scopul lucrǎrii este studiul funcţionǎrii diodei şi triodei şi trasarea
caracteristicilor tuburilor respective. Se foloseşte una din cele douǎ triode ale
dublei triode 6N1, ea fiind utilizatǎ şi ca diodǎ prin scurtcircuitarea grilei la masǎ.
Montajul experimental se realizeazǎ pe macheta prezentatǎ în figura 2.6,
utilizându-se, de asemenea, urmǎtoarele:
- sursǎ de tensiune continuǎ, reglabilǎ, în domeniul 0 ÷ 200 V pentru
alimentarea circuitului anodic;
- sursǎ de tensiune continuǎ, reglabilǎ în domeniul 0 ÷ 10 V, pentru
alimentarea circuitului de grilǎ;
- voltmetru pentru mǎsurarea tensiunii anodice;
- voltmetru pentru mǎsurarea tensiunii de grilǎ;
- miliampermetru pentru mǎsurarea curentului anodic;
- microampermetru pentru mǎsurarea curentului de grilǎ.
În locul fiecǎruia din cele patru instrumente de mǎsurǎ se pot utiliza
multimetre.
 3. Mod de lucru
A.Trasarea caracteristcii diodei
- se scurtcircuiteazǎ bornele 5 şi 6, între 9 şi 10 se leagǎ un
miliampermetru, iar între 11 şi 12 un voltmetru;
- la bornele 7 şi 8 se aplicǎ o tensiune alternativǎ de 6,3 V;
- la bornele 13 şi 14 se aplicǎ tensiunea anodicǎ (plusul la borna 13)
variabilǎ, mǎsuratǎ cu voltmetrul legat între bornele 11 şi 12; valorile
tesiunii anodice se iau din 5 în 5 V, în intervalul 0 ÷ 150 V;
- pentru fiecare valoare a tensiunii anodice se citeşte curentul anodic
mǎsurat de miliampermetru;
- se întocmeşte tabelul:
UA (V)
IA (mA)
- se traseazǎ graficul IA = IA(UA);
IA
- se calculeazǎ perveanţa tubului cu relaţia: K  3
U A2
B. Trasarea caracteristicii de grilǎ a triodei
- între bornele 5 şi 6 se monteazǎ voltmetrul ce mǎsoarǎ U G, între 3 şi 4
un microampermetru pentru mǎsurarea lui IG, iar între 9 şi 10
miliampermetrul pentru mǎsurarea lui IA;
- se aplicǎ o tensiune alternativǎ de 6,3 V la bornele 7 şi 8;
- la bornele 13 şi 14 se aplicǎ o tensiune continuǎ constantǎ de 100 V
(plusul la borna 13); se pot alege şi alte valori, în jurul acesteia;
- se aplicǎ o tensiune continuǎ la bornele 1 şi 2 cu valori diferite (între –5
V şi +5 V) din 0,1V în 0,1V şi se mǎsoarǎ pentru fiecare valoare a lui
UG, curentul anodic IA;
- se întocmeşte tabelul:
UG (V)
IA (mA)
- se repetǎ determinǎrile pentru o altǎ tensiune anodicǎ, ce diferǎ cu cel
puţin 20 V de prima;
- se traseazǎ graficele IA = IA(UG) pentru cele douǎ tensiuni anodice, pe
aceeaşi hǎrtie milimetricǎ;
- din grafice se determinǎ panta caracteristicii de grilǎ S, rezistenţa
internǎ, Ri şi factorul de amplificare, ;
- se verificǎ ecuaţia triodei:  = SRi.
4. Întrebǎri
1. Sǎ se explice apariţia zonei I de la caracteristica triodei.
2. Sǎ se explice saturarea curentului anodic al unei diode la tensiuni anodice
suficient de mari.
3. Sǎ se explice forma caracteristicii de grilǎ a unei triode pe baza comportǎrii
electronilor emişi de cǎtre catod.
4. Care este rolul grilei şi cum acţioneazǎ ea ?
CAPITOLUL II

2. DIODA SEMICONDUCTOARE
2.1. JoncEiunea p – n
Joncţiunea p-n este o alǎturare de douǎ zone semiconductoare de tip de n,
respectiv p, unde, deci, are loc trecerea bruscǎ de la conducţia extrinsecǎ de tip n,
la cea de tip p. Ea se poate realiza fie în acelaşi semiconductor, în care se creeazǎ
douǎ regiuni alǎturate cu tip de conducţie diferit, caz în care ea se numeşte
homojoncţiune, fie alǎturând doi semiconductori diferiţi ca tip de conducţie sau ca
lǎrgime a benzii interzise, caz în care se numeşte heterojoncţiune.
Pentru înţelegerea fenomenelor ce se desfǎşoarǎ într-o joncţiune trebuie sǎ se
ţinǎ seama de faptul cǎ, întotdeauna când se alǎturǎ douǎ materiale diferite care
dispun de purtǎtori de sarcinǎ electricǎ liberi, are loc un transfer de sarcinǎ dintr-un
material în altul pânǎ când energiile Fermi ale acestora se egaleazǎ1.
Sǎ considerǎm o homojoncţiune p-n (figura 2.1). Fǎcând, deocamdatǎ,
abstracţie de purtǎtorii minoritari, iniţial, cele douǎ zone conţin:
- ioni donori (pozitivi) şi electroni liberi - zona n
- ioni acceptori (negativi) şi goluri - zona p.

Ca urmare a gradientului de concentraţie a purtǎtorilor, are loc difuzia

acestora între cele douǎ zone: electronii liberi difuzeazǎ din zona n spre zona p, iar
golurile în sens invers, difuzia tinzând sǎ uniformizeze concentraţia celor douǎ
tipuri de purtǎtori în cele douǎ zone. Acest lucru nu se întâmplǎ totuşi deoarece,
prin difuzia care are loc, zonele din care difuzeazǎ purtǎtorii (aflate la suprafaţa de
contact dintre cele douǎ regiuni, p şi n) rǎmân sǎrǎcite în sarcini electrice de

1
Explicaţia poate fi datǎ în acelaşi mod cu explicaţia paramagnetismului Pauli (vezi cursul de fizica
corpului solid), ca urmare a tendinţei de minimizare a energiei sistemului.
semnul celor ale purtǎtorilor difuzaţi, deci vor conţine sarcini electrice imobile
necompensate (ale ionilor de impuritǎţi). Astfel, în regiunea n, zona din care au
difuzat electronii de conducţie va rǎmâne cu un surplus de sarcini electrice
pozitive, iar în regiunea p, zona pǎrǎsitǎ de goluri va rǎmâne cu un surplus de
sarcini electrice negative. Aceastǎ zonǎ în care existǎ o sǎrǎcire în sarcini electrice
mobile, electrizatǎ pozitiv în regiunea n şi negativ în regiunea p, se numeşte
regiune de sǎrǎcire, de tranziţie sau de sarcinǎ spaţialǎ. Formarea ei determinǎ
reducerea difuziei purtǎtorilor dintr-o regiune în cealaltǎ pânǎ la stabilizarea
grosimii sale. Fenomenul are loc în felul urmǎtor: distribuţia de sarcinǎ spaţialǎ
creeazǎ un câmp electric intern (orientat de la zona n la zona p) care este cu atât
mai intens cu cât sarcina electricǎ imobilǎ acumulatǎ în regiunea de tranziţie este
mai mare, deci cu cât un numǎr mai mare de purtǎtori au difuzat dintr-o zonǎ în
alta. Acest câmp electric intern se opune difuzǎrii în continuare a acestor purtǎtori,
prin crearea unei bariere de potenţial; cu cât el este mai intens, deci bariera de
potenţial mai înaltǎ, cu atât fluxul de difuzie a purtǎtorilor va fi mai mic, pentru cǎ
numai purtǎtorii cu energii mari vor mai putea învinge aceastǎ barierǎ.
Câmpul electric intern, dupǎ cum s-a vǎzut în capitolul anterior, determinǎ
apariţia unui curent de drift, în sens opus curentului de difuzie, stabilindu-se astfel
un echilibru dinamic, la care curentul de difuzie prin joncţiune este compensat de
curentul de drift în sens invers.
Pânǎ acum ne-am referit numai la purtǎtorii majoritari, neglijând existenţa
celor minoritari, a cǎror concentraţie este mult mai micǎ. Totuşi existenţa
purtǎtorilor minoritari nu poate fi neglijatǎ, ei suferind aceleaşi procese ca şi cei
majoritari. Pe de altǎ parte, purtǎtorii majoritari care au difuzat în cealaltǎ regiune
devin minoritari în aceasta. De aceea, se poate observa cǎ purtǎtorii majoritari
formeazǎ curentul de difuzie, iar cei minoritari curentul de drift. Purtǎtorii
minoritari fiind în concentraţie micǎ, şi curentul de drift este foarte slab; de aceea,
curentul de difuzie la care se stabileşte echilibrul este şi el foarte mic, ceea ce se
obţine în momentul când câmpul electric intern are o valoare suficient de mare.
Regiunea de sarcinǎ spaţialǎ la care se stabileşte echilibrul se numeşte strat
de baraj şi este în practicǎ foarte subţire, de ordinul a 10–6 m. Acesta este şi
motivul pentru care nu se poate obţine o joncţiune p-n prin simpla alǎturare a doi
semiconductori cu tip de conducţie diferit, când continuitatea reţelei este întreruptǎ
pe o grosime de cel puţin acelaşi ordin de mǎrime, procedeul real de fabricare fiind
descris într-un paragraf ulterior.
Toate fenomenele descrise mai sus, pânǎ la formarea stratului de baraj de
grosime stabilǎ, au loc într-un timp extrem de scurt, la fabricarea joncţiunii, dupǎ
care se stabileşte echilibrul dinamic (descris în figura 2.1), ce nu mai poate fi
modificat decât prin intervenţia unor cauze exterioare.
În figura 2.1 sunt reprezentaţi ionii de impuritǎţi şi purtǎtorii majoritari din
cele douǎ zone, p şi n, stratul de baraj, de lǎrgime 4, cu distribuţia de sarcini
imobile ce creeazǎ câmpul electric intern, precum şi curenţii de difuzie a
electronilor majoritari din zona n în zona p, j dif
n , şi a golurilor majoritare din zona
dif
p în zona n, jp , precum şi curenţii de drift, jnd şi jpd.

Evident, aceastǎ reprezentare este simplificatǎ faţǎ de situaţia realǎ, pentru cǎ

ea presupune o concentraţie constantǎ a electronilor în zona n şi a golurilor în zona
p şi o valoare nulǎ a acestora în stratul de baraj şi în zona p, respectiv zona n. În
realitate, variaţia concentraţiei purtǎtorilor este de forma reprezentatǎ în figura
2.2.a, în care se vede cǎ, într-adevǎr, la distanţǎ mai mare de stratul de baraj (de
lǎrgime 4p în zona p şi 4n în zona n), concentraţiile sunt constante dar trecerea de
la aceastǎ valoare la una foarte micǎ în zona opusǎ se face treptat şi nu brusc. În
figura 2.2.b este reprezentatǎ distribuţia de potenţial al câmpului intern în
joncţiune. Din punct de vedere energetic, stratul de baraj reprezintǎ o zonǎ de salt,
ca urmare a prezenţei câmpului electric intern apǎrând o decalare cu valoarea eV0 a
structurilor energetice ale celor douǎ zone, p şi n, dupǎ cum se poate vedea în
figura 2.2.c.
Ne propunem în continuare sǎ determinǎm distribuţia potenţialului (numit
potenţial de contact) şi a intensitǎţii câmpului electric intern în interiorul stratului
de baraj precum şi lǎrgimea acestuia.
La echilibru, curentul total de electroni este nul, ceea ce înseamnǎ cǎ
densitatea curentului electronic de difuzie este egalǎ în modul (şi de sens contrar)
cu densitatea curentului electronic de drift: j . Acelaşi lucru se poate spune
dif
n = j nd
şi despre curenţii de goluri, deci j dif . Ca urmare, sunt valabile relaţiile:
p = j pd
dp dn kT kT
eDp = eppEint ; eDn = ennEint, unde Dp = p ; Dn = n.
dx dx e e
Rezultǎ:
kT dp int kT dn int
e dx = pE ; e dx = nE
sau, ţinând seama cǎ
dV kT dp kT dn
Eint =  , = – dV ; = – dV.
dx e p e n
Acestea sunt douǎ ecuaţii diferenţiale de ordinul I, care se rezolvǎ prin
separarea variabilelor şi integrare între cele douǎ limite ale stratului de baraj, de la
zona p (x = – 4p), unde, la echilibru, concentraţia golurilor majoritare este ppo şi
cea a electronilor minoritari npo, la zona n (x = 4n), unde, la echilibru, concentraţia
golurilor minoritare este pno, iar a electronilor majoritari nno. Variaţia potenţialului
este de la zero în zona p la V0 în zona n. Rezultǎ:
kT pp0 kT nn0
V= ln  ln (2. 1)
0
e p n0 e n p0
Din ecuaţia de mai sus, se pot scrie relaţiile:

pno = pp0  eV 0 eV
 kT
e 0 ; n po = n n0 e (2. 2)
kT
Pentru calculul distribuţiei potenţialului de contact, al intensitǎţii câmpului
electric intern precum şi al lǎrgimii stratului de baraj, pornim de la ecuaţia Poisson,
d2V 

dx 2 
, unde  este densitatea de sarcinǎ electricǎ a distribuţiei ce creeazǎ
câmpul electric şi  este permitivitatea electricǎ a mediului (semiconductor).
 Vom considera, pentru simplificare, cǎ în domeniul 0 < x < 4n,  este egalǎ
cu +enno, iar în domeniul – 4p < x < 0 este egalǎ cu – eppo. Atunci, ecuaţia Poisson
se scrie:
d2 en n0
V  
în zona n,
respectiv dx 2
ep p0
2
d
V
 în zona p.
dx 2 
Dupǎ cum se ştie, soluţia generalǎ a unei ecuaţii de tip Poisson este de forma
V(x) = Ax2 + Bx + C, constantele A, B şi C determinându-se din condiţiile la
limitǎ şi din valoarea constantei cu care este egalǎ derivata a doua a potenţialului.
Astfel, condiţiile la limitele stratului de baraj impun ca V(– 4p) = 0 şi V(4n) = V0.
De asemenea,
dV
= Eint = 0 pentru x = – 4p şi x = 4n.
dx
Rezultǎ cǎ potenţialul şi câmpul în stratul de baraj au expresiile:
A. în zona n ( 0 < x < 4n):
en en
V = V0 – n0 (4n – x)2 ; Eint = n0 (4n – x) (2. 3)
2 2
B. în zona p (– 4n < x < 0):
epp0 epp0
V= (4 + x)2 ; Ein = (4 p + x) (2. 4)
p
2 t 2
Punând, de asemenea, condiţia ca, pentru x = 0, cele douǎ soluţii sǎ coincidǎ,
rezultǎ grosimea (lǎrgimea) stratului de baraj, L = 4n + 4p:
2V n  p Lpp0 Lnn0
0
n0
p0 ; 4n = ; 4p = (2. 5)
L=

en n0 pp0 nn0  pp0 nn0  pp0
Se poate constata cǎ, cu cât concentraţia purtǎtorilor este mai mare, cu atât
stratul de baraj are în zona respectivǎ o grosime mai micǎ.
Dacǎ din exterior se aplicǎ un câmp electric, Eext, cǎruia îi corespunde o
tensiune exterioarǎ V, atunci stratul de baraj îşi modificǎ grosimea, ea devenind:
2V0  Vnn0  p p0 
L= (2. 6)
en n0 pp0
unde V are semnul "+", respectiv "–", dupǎ cum câmpul electric exterior are
acelaşi sens sau sens invers celui al câmpului electric interior, adicǎ tensiunea de
polarizare este directǎ (plusul pe zona p), respectiv inversǎ (plusul pe zona n).
 Folosind formulele 2.2, rezultǎ cǎ, la aplicarea unei tensiuni exterioare
directe, concentraţiile purtǎtorilor minoritari de neechilibru, np şi pn vor creşte,
conform relaţiilor:

pn = pp0 e  eV V
0
 
e  V0  V

eV
 kT
= pn0 eV ; np = nn0 e  kT = np0 kT (2. 7)
kT
e e
Apariţia acestui numǎr suplimentar de purtǎtori minoritari reprezintǎ o
injecţie de purtǎtori în joncţiunea p-n. Cum concentraţiile purtǎtorilor minoritari
variazǎ exponenţial cu distanţa faţǎ de locul de injectare (a se vedea relaţia 1.36),
rezultǎ cǎ şi densitǎţile curenţilor datoraţi acestora, care sunt proporţionale cu
gradientul de concentraţie, scad exponenţial cu distanţa faţǎ de joncţiune.
Reprezentarea graficǎ a curenţilor prin joncţiune este datǎ în figura 2.3, curentul
total prin joncţiune fiind dat de expresia j = (j np + jpn)x = 0 şi reprezentat prin
linia punctatǎ, paralelǎ cu axa Ox din figurǎ.

Se constatǎ cǎ, pentru x < 0, jpp(x)= j – jnp(x). Dacǎ x < 0 şi este suficient de
mare, curentul total este numai un curent de goluri (j np ı 0), adicǎ de purtǎtori
majoritari.
Analog, în zona n (x > 0), jnn(x) = j – jpn(x) şi, când x este suficient de
mare, curentul total este numai un curent de electroni (jpn ı 0). Acest fapt este
datorat fenomenului de recombinare a golurilor din zona p cu electronii injectaţi
din zona n şi a electronilor din zona n cu golurile injectate din zona p.
La aplicarea unei tensiuni de polarizare directǎ a joncţiunii, concentraţia de
goluri în exces la limita de separare dintre zona neutrǎ n şi zona de sarcinǎ spaţialǎ
(x = 4n) este:
 eV ⎞
pn = pn – pn0 = pn0 e kT 1
⎝ ⎠
Analog, la limita de separare dintre zona neutrǎ p şi zona de sarcinǎ spaţialǎ
(x = – 4p), concentraţia electronilor în exces are expresia:
  eVkT ⎞
np = np – np0 = np0  e 1
⎝ ⎠
La o distanţǎ x > 4n, concentraţia de goluri în exces scade exponenţial cu
distanţa dupǎ relaţia (a se vedea formula 1.36):
 eV A x n

pn(x) = pn0  e kT ⎞1e (2. 8)

Lp

⎝ ⎠
La o distanţǎ x < –4p, în zona neutrǎ n, concentraţia de electroni în exces are
expresia:
 eV A x p

np(x) = np0  e kT ⎞1e (2.8’)

Ln

⎝ ⎠
În zona n, la x = 4n, curentul de goluri are expresia:
jp dp dp n
  eDp
x 
p
 x
xAn
eD dx xAn xAn

adicǎ: dx
eDp pb0  eV ⎞
jp x   e kT (2. 9)
1
xAn Lp ⎝ ⎠
Analog, în zona p, la x eV = –4p, curentul de electroni are expresia:
eDn n p0  kT ⎞
jn x  e 1 (2.9’)
xA p  ⎠
Ln ⎝
Curentul total prin joncţiune este dat, deci, de expresia:
 eDp p n0 eDn n p0 ⎞ eV ⎞
j = jp + jn =       e kT 1
 L
⎝ p
Ln ⎠⎝ ⎠
Notând:
jS = eDp pn0 eDn np0 (2. 10)

Lp Ln
unde js se numeşte curent de saturaţie, relaţia de mai sus devine:
 eV ⎞
j = jS  e kT (2. 11)
1
⎝ ⎠
 Relaţia 2.11 reprezintǎ ecuaţia diodei ideale. Ea este valabilǎ şi la tensiuni
de polarizare inverse. Trebuie subliniat, de asemenea, cǎ ecuaţia diodei ideale a
fost obţinutǎ în condiţii simplificatoare, dintre care cea mai importantǎ este cea de
neglijare a proceselor de recombinare a purtǎtorilor în regiunea de sarcinǎ spaţialǎ.
Având în vedere aceste procese, ecuaţia diodei reale capǎtǎ o formǎ puţin
modificatǎ:
 j = jS  e 1⎞
eV
kT
(2. 12)
 
⎝ ⎠
În aceastǎ relaţie,  reprezintǎ factorul de diodǎ, un parametru cu valoarea
egalǎ cu 1 – 1,5 pentru germaniu şi 2 - 3 pentru siliciu. Evident, o relaţie analoagǎ
relaţiei 2.12 poate fi scrisǎ şi pentru intensitatea curentului prin diodǎ:
 eV ⎞
I = IS  e kT (2.12’)
1 
⎝ ⎠
Reprezentatǎ grafic, ecuaţia diodei ideale aratǎ ca în figura 2.4. Se constatǎ
cǎ, la polarizare directǎ (plusul pe zona p), curentul prin joncţiune creşte
exponenţial cu tensiunea aplicatǎ, în timp ce, la tensiuni inverse (minusul pe zona
p) curentul tinde rapid spre o valoare de saturaţie, I s, foarte micǎ (de ordinul 10–6 –
10–9 A). Rezultǎ, deci, o proprietate esenţialǎ a joncţiunii p-n, aceea de conducţie
unilateralǎ a curentului electric, rezistenţa acesteia la polarizare directǎ fiind
foarte micǎ, iar la polarizare inversǎ - foarte mare.

Fig.2.4

Realizarea practicǎ a unei joncţiuni p-n este un dispozitiv electronic numit

diodǎ semiconductoare, a cǎrei caracteristicǎ este prezentatǎ în figura 2.5.
I

V I
z s
V V
d

Fig.2.5
 Forma practicǎ a caracteristicii unei diode semiconductoare, diferitǎ în
anumite privinţe de cea a diodei ideale, se explicǎ astfel:
- la polarizare directǎ, curentul este diferit de zero (dioda se deschide) doar
dacǎ tensiunea de polarizare este cel puţin egalǎ cu o valoare Vd, numitǎ
tensiune de deschidere; la diodele cu siliciu Vd are valoarea 0,5 – 0,8 V, iar
la cele cu germaniu 0,2 – 0,4 V.
- pentru temperaturi obişnuite (~ 300 K), factorul e/kT (inversul sǎu se
numeşte tensiune termicǎ, egalǎ cu aproximativ 0,02 V) are o valoare de
-1
aproximativ 40 V . La tensiuni pozitive mai mari decât tensiunea de
deschidere intensitatea curentului prin diodǎ se poate exprima prin relaţia
aproximativǎ:
I = ISe40V (2. 13)
- curentul invers este practic constant şi egal cu - Is, valoare neglijabilǎ în
aplicaţiile practice. IS are o valoare mai micǎ la diodele cu siliciu şi mai mare
la cele cu germaniu.
- la aplicarea pe diodǎ a unor tensiuni negative cel puţin egale cu o valoare V Z
se produce strǎpungerea acesteia (fenomen ce va fi analizat ulterior),
curentul putând creşte nelimitat.

2.2. Parametrii diodei semiconductoare

Ca orice dispozitiv electronic, dioda semiconductoare este caracterizatǎ de
mai mulţi parametri de funcţionare, dintre care cei mai importanţi sunt:
1. Rezistenţa staticǎ a diodei, care se defineşte pentru un punct oarecare de
funcţionare al acesteia:
U
R= d (2. 14)
Id
În conducţie directǎ, rezistenţa staticǎ are valori foarte mici, în timp ce, în
conducţie inversǎ, ea are valori foarte mari. Putem spune deci cǎ, în general,
rezistenţa staticǎ a diodei variazǎ într-un domeniu foarte larg de valori, în funcţie
de punctul de funcţionare al diodei, motiv pentru care ea este un parametru mai
puţin util.
2. Rezistenţa dinamicǎ
dU 1 (2. 15)
Ri = d 
dId S
S este panta caracteristicii diodei în punctul de funcţionare. Este evident cǎ şi
rezistenţa dinamicǎ este dependentǎ de punctul de funcţionare, ea caracterizând
însǎ comportarea diodei în regim dinamic, adicǎ atunci când tensiunea aplicatǎ
diodei ( şi curentul prin ea) are variaţii rapide. Aşa cum se va vedea mai departe, în
schemele echivalente liniarizate ale diodei, rezistenţa dinamicǎ este consideratǎ un
parametru constant, deci mult mai util.
 3. Capacitatea stratului de baraj
Modul în care este distribuitǎ sarcina spaţialǎ din stratul de baraj face ca
acesta sǎ poatǎ fi asemǎnat cu un condensator plan, pe plǎcile cǎruia se aplicǎ o
tensiune V + V0. Considerând cǎ sarcina spaţialǎ este distribuitǎ în douǎ straturi de
grosime neglijabilǎ, aflate la distanţa L (lǎrgimea stratului de baraj), se poate
calcula capacitatea stratului de baraj cu formula capacitǎţii condensatorului plan, C
S
= d deci:
en n0 pp0
C=S (2. 16)
20V  Vn0n pp0
4. Capacitatea de difuzie
Dupǎ cum s-a vǎzut anterior, când dioda este polarizatǎ direct, curentul de
difuzie creşte, un numǎr mai mare de purtǎtori majoritari putând strǎpunge stratul
de baraj. Trecând în cealaltǎ zonǎ, ei devin minoritari; la distanţa x de stratul de
baraj, concentraţia purtǎtorilor minoritari de neechilibru este datǎ de relaţia (1.36).
Variaţia concentraţiei purtǎtorilor de difuzie determinǎ o variaţie a sarcinii
electrice acumulate de o parte şi de alta a stratului de baraj, apǎrând deci o
dQ
capacitate suplimentarǎ, numitǎ capacitate de difuzie: Cd = . Sǎ considerǎm,
dV
pentru început, difuzia electronilor în zonax p, a cǎror sarcinǎ electricǎ totalǎ este:
Q = eS œ n p 0e L  dx = eSLnnp(0).
0 n

dQ
Atunci, = = eSL dnp 0
C
d n .
Ţinând cont dedVrelaţia (2.9'),
dV putem scrie expresia curentului prin diodǎ,
eSDn n p 0 I L
datorat difuziei electronilor: In = , de unde np(0) = n n .
Ln wSD n

Atunci, dnp 0  Ln dIn şi Cd = L ndI n . Dar L2 = ınDn, de unde,

2

n
dV eSDn dV Dn dV
dI e
Cd = ın n  Inın (2. 17)
dV kT
Luând în considerare şi difuzia golurilor, capacitatea de difuzie totalǎ are
expresia:
Cd = e (Inın + Ipıp) (2. 18)
kT
La polarizare directǎ, capacitatea de difuzie este mult mai mare decât cea a
stratului de baraj, care este neglijabilǎ faţǎ de prima. În schimb, la polarizare
inversǎ, capacitatea de difuzie este neglijabilǎ, importanţǎ deosebitǎ cǎpǎtând
capacitatea stratului de baraj.
 În afara acestor parametri, diodele mai au şi alţii, cum sunt timpul de
comutare directǎ (intervalul de timp în care curentul prin diodǎ creşte de la 10%
la 90 % din valoarea nominalǎ), timpul de comutare inversǎ şi alţii, mai
importanţi în cazul diodelor cu destinaţie specialǎ.

2.3. Schema echivalentǎ a diodei semiconductoare

Un model ce caracterizeazǎ destul de bine dioda la semnale mici şi frecvenţe
joase este cel care aproximeazǎ caracteristica diodei reale cu una liniarǎ pe porţiuni
(figura 2.6).

Conform acestuia, o diodǎ realǎ echivaleazǎ cu un circuit serie format dintr-

un rezistor cu rezistenţa egalǎ cu rezistenţa dinamicǎ a diodei (presupusǎ
constantǎ), o diodǎ idealǎ (rezistenţǎ nulǎ la polarizare directǎ, rezistenţǎ infinitǎ la
polarizare inversǎ) şi o sursǎ de tensiune cu t.e.m. egalǎ cu tensiunea de deschidere
a diodei, care polarizeazǎ dioda invers.
La frecvenţe mai mari, capacitatea diodei joacǎ un rol foarte important şi, ca
urmare, schema echivalentǎ utilizatǎ în acest caz este cea din figura 2.7 în care R i
este rezistenţa ohmicǎ a joncţiunii, celelalte mǎrimi având semnificaţia cunoscutǎ.
Schema de mai sus se poate simplifica, în funcţie de polarizare. Astfel, la
polarizare inversǎ, Cb >> Cd, iar Ri este foarte mare ceea ce înseamnǎ cǎ dioda
echivaleazǎ cu o capacitate de valoare Cb. La polarizare directǎ, Cd devine
semnificativǎ, Ri este foarte micǎ, scurtcircuitând capacitatea diodei, aceasta
echivalând cu un rezistor de rezistenţǎ Rj.
 2.4. Metode de obEinere a joncEiunilor semiconductoare
O parte din problemele legate de obţinerea unor dispozitive
semiconductoare, aşa cum este şi cazul diodelor semiconductoare, au fost
prezentate în paragraful 1.9. Având în vedere însǎ cǎ o joncţiune este formatǎ din
douǎ zone de semiconductor cu tip de conducţie diferit, lucrurile sunt ceva mai
complexe. În continuare vom prezenta pe scurt cele mai importante din aceste
probleme. Practica a consacrat trei metode de impurificare a semiconductorului:
1. Difuzia este cea mai utilizatǎ metodǎ, ea realizându-se astfel: o plachetǎ
semiconductoare (de regulǎ de forma unui disc cu diametrul de câţiva cm şi
grosimea de câteva zecimi de mm) se introduce într-o incintǎ ce conţine un
amestec gazos format dintr-un gaz inert şi atomi de impuritate, în concentraţie
bine determinatǎ. Gradientul de concentraţie a atomilor de impuritate duce la
apariţia procesului de difuzie a acestora din mediul gazos cǎtre mediul
semiconductor. Pentru mǎrirea vitezei acestui proces, el are loc la o temperaturǎ
bine controlatǎ, cu valoarea de 800 – 1300C. Amestecul gazos se poate realiza
în diferite feluri: fie prin plasarea unei surse solide de impuritǎţi ce se evaporǎ
chiar în incinta de difuzie, fie prin trecerea gazului inert printr-o sursǎ lichidǎ de
impuritǎţi înainte de intrarea în incinta de difuzie, fie prin transport chimic,
când impuritatea este introdusǎ prin asigurarea condiţiilor de declanşare a unei
reacţii chimice la sursǎ.
Pentru realizarea joncţiunii, dupǎ difuzia într-un strat mai gros a unui tip de
impuritate, se realizeazǎ o nouǎ difuzie, cu impuritǎţi de tip opus, într-un substrat
(numit strat epitaxial) al stratului iniţial dopat1.
Pe o singurǎ plachetǎ de semiconductor se realizeazǎ un numǎr mare de
joncţiuni, lucru posibil prin utilizarea unor aşa-numite mǎşti de difuzie, obţinute
prin procedee litografice. Astfel, pe suprafaţa plachetei se depune un strat omogen,
de grosime convenabilǎ, dintr-un material prin care impuritǎţile difuzeazǎ mult mai
lent (constituind astfel, practic, un baraj împotriva difuziei impuritǎţilor în
semiconductor), iar peste acesta, un al doilea strat, dintr-un material special,
denumit în mod generic fotorezist. Fotorezistul este sensibil la radiaţii ultraviolete,
el putând fi de douǎ feluri: fotorezist pozitiv (un polimer care suferǎ o reacţie de
depolimerizare sub acţiunea razelor ultraviolete) şi fotorezist negativ (un
monomer care suferǎ o reacţie de polimerizare sub acţiunea razelor ultraviolete).
Stratul de fotorezist este supus acţiunii unui flux de radiaţie ultravioletǎ prin
intermediul unei mǎşti (o placǎ cu zone opace şi transparente, corespunzǎtor

1
Aşa cum s-a vǎzut, pentru cǎ lǎrgimea stratului de baraj este foarte micǎ, joncţiunea nu se poate
realiza prin alǎturarea fizicǎ a douǎ bucǎţi de semiconductori diferiţi ca tip de conducţie, motiv
pentru care ea trebuie realizatǎ într-un monocristal semiconductor. Procesul de realizare a joncţiunii
într-un monocristal semiconductor prin dopare succesivǎ cu donori şi acceptori este posibil datoritǎ
efectului de compensare (a se vedea cursul de corp solid) care apare într-un semicondutor dopat cu
ambele tipuri de impuritǎţi în concentraţii Na, respectiv Nd, ca urmare a cǎruia acesta se comportǎ
ca şi cum ar fi dopat doar cu impuritatea de concentraţie mai mare, în concentraţie egalǎ cu
diferenţa dintre concentraţiile reale.
zonelor ce urmeazǎ a fi impurificate). Dupǎ expunere, zonele de fotorezist expuse
sunt dizolvate cu un solvent organic ales corespunzǎtor, pentru ca el sǎ nu dizolve
şi zonele de fotorezist neexpuse acţiunii radiaţiei ultraviolete. Astfel, primul strat
depus pe placheta de semiconductor va rǎmâne în unele zone (acolo unde a
acţionat radiaţia ultravioletǎ) neacoperit cu fotorezist. În aceste zone el este
corodat (cu un agent coroziv care nu trebuie sǎ atace fotorezistul) şi îndepǎrtat de
pe suprafaţa semiconductorului, dupǎ care fotorezistul rǎmas este şi el îndepǎrtat
cu un solvent corespunzǎtor. În acest fel, pe suprafaţa semiconductorului s-a
format o mascǎ de difuzie, care permite difuzia impuritǎţilor doar în anumite zone.
Dupǎ o primǎ impurificare, urmeazǎ o a doua, cu impuritǎţi de tip opus, folosindu-
se acelaşi procedeu al mǎştii de difuzie şi apoi decuparea joncţiunilor astfel
obţinute, rezultând în acest mod bucǎţi mici de cristal semiconductor, numite cip-
uri1, cu suprafaţa de cel mult 1 mm 2, care, dupǎ verificare, se încapsuleazǎ şi devin
în acest fel diode semiconductoare.
2. Implantarea ionicǎ este un alt procedeu de impurificare, prin bombardarea
semiconductorului cu un fascicul nefocalizat de ioni de impuritate acceleraţi la
tensiuni de ordinul a 1 – 100 kV. Joncţiunile sunt realizate folosind tot tehnica
mǎştilor, ca la difuzie.
3. Alierea este un procedeu prin care o anumitǎ cantitate de impuritate se plaseazǎ
pe o plachetǎ de semiconductor, sistemul fiind încǎlzit la o temperaturǎ
convenabilǎ, care sǎ asigure topirea impuritǎţii dar nu şi a semiconductorului,
atomii de impuritate pǎtrunzând astfel în semiconductor. Urmeazǎ apoi o rǎcire
lentǎ, care sǎ reducǎ la minim posibil apariţia defectelor de structurǎ în
semiconductor.

2.5. Tipuri de diode semiconductoare

1. Diode cu contact punctiform (Schottky2)
Acest tip de diodǎ este de fapt o joncţiune metal-semiconductor (cu
proprietǎţi asemǎnǎtoare joncţiunii p-n) realizatǎ printr-un contact punctiform între
un fir metalic (din wolfram) foarte ascuţit şi un monocristal semiconductor
extrinsec (de obicei, Ge de tip n), întregul ansamblu fiind închis într-o capsulǎ.
Pentru formarea joncţiunii, se aplicǎ o serie de impulsuri de curent de scurtǎ duratǎ
cu mult peste valoarea admisǎ, fapt ce produce încǎlzirea pânǎ la topire a regiunii
de contact. Se formeazǎ astfel o microjoncţiune 3 cu capacitatea stratului de baraj
de ordinul a 0,1 pF, diodele construite în acest fel fiind utilizate la frecvenţe înalte
pentru procesul de detecţie şi ca diode de comutaţie.

1
În limba englezǎ, chip = fǎrâmǎ, aşchie
2
Teoria difuziei, care descrie fenomenele din joncţiunile metal-semiconductor a fost dezvoltatǎ de
W. Schottky (1938). Diodele Schottky pentru frecvenţe foarte înalte au o tehnologie de construcţie
mai
3
complexǎ decât cea descrisǎ mai sus. -4 2
Suprafaţa unei astfel de joncţiuni este de ordinul a 10 mm
.
 2. Diode redresoare
Aceste diode sunt construite cu joncţiuni obişnuite, de tipul celor descrise
mai sus, realizate de obicei prin difuzie. Funcţioneazǎ numai la frecvenţe joase,
parametrii caracteristici cei mai importanţi fiind: curentul mediu redresat, curentul
de vârf maxim admis, tensiunea inversǎ maximǎ admisǎ (de obicei, 50 - 80 % din
tensiunea de strǎpungere), cǎderea de tensiune directǎ pentru un curent de valoarea
curentului mediu redresat, curentul invers (10–6 - 10–9 A), rezistenţa termicǎ,
puterea disipatǎ şi alţii. Aceste diode sunt folosite la redresarea curentului
alternativ şi la detecţie şi comutaţie la frecvenţe joase.
3. Diode tunel (Esaki1)
Aceste diode au ambele regiuni dopate foarte puternic ceea ce face ca
lǎrgimea stratului de baraj sǎ fie mult mai micǎ decât la o diodǎ obişnuitǎ (~ 10–8
m). În aceste condiţii, la aplicarea unei tensiuni de polarizare directǎ, purtǎtorii
majoritari pot traversa stratul de baraj prin efect tunel, adicǎ şi în situaţia când
energia lor este mai micǎ decât înǎlţimea barierei de potenţial. Datoritǎ acestui
fapt, caracteristica diodei tunel este cea din figura 2.8 (în care este dat şi simbolul
folosit pentru reprezentarea în scheme electronice a acestui tip de diodǎ), din care
se vede cǎ ea are o regiune de pantǎ negativǎ, între punctele A şi B, adicǎ la
tensiuni pozitive cuprinse între VA şi VB.

Rezistenţa negativǎ a diodei tunel este de ordinul zecilor de ohmi. La

tensiuni negative, dioda tunel prezintǎ o caracteristicǎ liniarǎ (I ~ V), ceea ce
semnificǎ faptul cǎ, spre deosebire de diodele obişnuite, ea nu are proprietatea de
conducţie unilateralǎ. Întrucât influenţa temperaturii este foarte slabǎ şi dioda
poate funcţiona pânǎ la frecvenţe foarte mari (~ 1010 MHz), ea se foloseşte ca
amplificator, convertor şi generator de oscilaţii în domeniile FIF şi UIF sau în
circuite de comutare rapidǎ şi de formare a impulsurilor de foarte scurtǎ duratǎ.
Materialul semiconductor folosit pentru construcţia diodelor tunel este Ge sau
GaAs, iar tehnologia de realizare a joncţiunii este, de obicei, alierea.

1
Primele studii şi cercetǎri practice în legǎturǎ cu dioda tunel au fost fǎcute de L. Esaki, începând
cu anul 1958.
 4. Diode varicap (varactor)
Acest tip de diodǎ funcţioneazǎ pe baza dependenţei capacitǎţii stratului de
baraj de tensiune (a se vedea relaţia 2.16), fiind folositǎ la polarizare inversǎ
(pentru a avea o rezistenţǎ foarte mare). Simbolul folosit precum şi schema
echivalentǎ sunt prezentate în figura 2.9.

Diodele varicap au capacitǎţi de ordinul picofarazilor sau zecilor de

picofarazi, materialul semiconductor folosit la construcţia lor fiind siliciul care
asigurǎ o rezistenţǎ mai mare la polarizare inversǎ şi curenţi inverşi mai mici decât
alte materiale. Sunt folosite în circuite de acord, reglare automatǎ a frecvenţei,
modulatoare de frecvenţǎ etc.
5. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)
Dupǎ cum s-a arǎtat în paragraful 2.1 (a se vedea figura 2.5), la polarizare
inversǎ, aplicând o tensiune peste o anumitǎ valoare, se produce fenomenul de
strǎpungere a joncţiunii p - n, fenomen ce constǎ în creşterea foarte mare a
curentului invers, la o variaţie foarte micǎ a tensiunii de polarizare. Strǎpungerea
se poate produce pe douǎ cǎi:
 mecanismul Zener (tunelare) este datorat trecerii electronilor din banda de
valenţǎ în banda de conducţie, traversând banda interzisǎ, în prezenţa unui
câmp electric intens, cel puţin egal cu o valoare criticǎ, caracteristicǎ
materialului semiconductor (de exemplu, la siliciu, intensitatea câmpului
electric critic 8la care se produce strǎpungerea prin mecanism Zener este de
ordinul a 10 V/m). Fenomenul apare în joncţiuni cu dopare mare,
tensiunea de strǎpungere fiind relativ micǎ. Pentru puteri disipate sub o
anumitǎ limitǎ, el este reversibil.
 mecanismul strǎpungerii în avalanşǎ apare în joncţiuni mai slab dopate,
tot în prezenţa unui câmp electric exterior, a cǎrui valoare minimǎ (criticǎ)
este mai micǎ decât cea necesarǎ producerii mecanismului Zener (la siliciu,
~ 107 V/m). Acest mecanism se produce ca urmare a accelerǎrii purtǎtorilor
în câmpul electric la energii la care aceştia, interacţionând cu reţeaua
cristalinǎ a semiconductorului, produc noi perechi de purtǎtori, care şi ei
vor fi acceleraţi şi vor produce alţi purtǎtori, procesul continuând în
avalanşǎ, astfel încât numǎrul de purtǎtori este multiplicat, determinând o
creştere rapidǎ a curentului prin joncţiunea polarizatǎ invers.
În general, într-o joncţiune strǎpungerea se produce prin ambele mecanisme,
preponderenţa unuia sau altuia dintre acestea fiind determinatǎ de caracteristicile
joncţiunii. Deşi, teoretic, orice diodǎ poate fi folositǎ ca diodǎ stabilizatoare de
tensiune, în practicǎ se construiesc în acest scop diode speciale, folosind siliciul, la
care intrarea în regiunea de strǎpungere se face abrupt şi care rezistǎ la temperaturi
mai mari, ceea ce permite disiparea unor puteri mai mari. Tensiunea de
strǎpungere, Vz a unei diode Zener poate avea valoarea cuprinsǎ între 3 şi 400 V,
odatǎ atinsǎ aceastǎ valoare, ea menţinându-se aproape constantǎ (fluctuaţiile
nedepǎşind 0,5 - 1,5 %) pentru curenţi inverşi prin joncţiune de zeci şi chiar sute
de miliamperi. Puterea disipatǎ de diodele Zener poate avea şi ea valori cuprinse
în limite largi, de la 0,25 pânǎ la 50 W. Rezistenţa dinamicǎ a diodei Zener în
du
regiunea de strǎpungere, RZ = , are valori în domeniul 10 - 100 . Se constatǎ
di
(lucru evident, de altfel), o dependenţǎ a tensiunii de strǎpungere de temperaturǎ,
fapt ce poate fi caracterizat de coeficientul termic al tensiunii stabilizate, c:
1
c = dVZ
VZ (2. 19)
dT
Diodele stabilizatoare de tensiune (Zener), aşa cum le spune şi numele, sunt
utilizate în circuitele de stabilizare a tensiunii sau a curentului, fie direct (cum se
va vedea în capitolul urmǎtor), fie ca element de referinţǎ, în scheme mai
complexe.
În afara tipurilor de diode descrise mai sus, în practicǎ se întâlnesc şi altele
cum sunt dioda de comutaţie (diode construite special pentru a trece rapid din
starea blocatǎ în cea de conducţie şi invers), dioda Gunn1 (de fapt, un cristal
semiconductor de tip n, fǎrǎ joncţiune p-n, prezentând în caracteristica curent-
tensiune, ca şi dioda tunel, o regiune de rezistenţǎ negativǎ, folositǎ la generarea
oscilaţiilor de UIF), dioda IMPATT (structuri de tip p+-n-i-n+, caracterizate de o
rezistenţǎ negativǎ, folosite în generarea oscilaţiilor cu frecvenţe în domeniul
sutelor de GHz, cu puteri de ordinul waţilor), dioda PIN (structuri de tip p+-i-n+,
comportându-se ca un rezistor cu rezistenţǎ invers proporţionalǎ cu curentul prin
el, folosite în circuite de comutaţie sau modulaţie, la frecvenţe foarte înalte, în
special în domeniul microundelor).

2.6. Fenomene optice în joncEiunea p-n

Aşa cum s-a vǎzut în paragraful 1.8, sub acţiunea radiaţiei electromagnetice
incidente, în semiconductor are loc generarea unor purtǎtori de neechilibru care,
într-o joncţiune p–n determinǎ apariţia unui curent suplimentar faţǎ de curentul de
polarizare, curent pe care îl vom numi fotocurent, de intensitate IL, datǎ de o
expresie de forma:

1
Efectul Gunn, observat în 1963 la GaAs, apoi şi la alţi semiconductori compuşi care prezintǎ mai
multe minime în banda de conducţie pentru anumite direcţii în cristal, constǎ în producerea
microundelor într-un semiconductor aflat într-un câmp electric exterior, mai mare decât o valoare
de prag, caracteristicǎ semiconductorului.
 L e
I = h (2. 20)
unde  este eficienţa cuanticǎ (numǎrul de purtǎtori generaţi de un foton
absorbit), h constanta Planck,  fluxul radiaţiei incidente şi  frecvenţa acesteia,
mai mare sau cel puţin egalǎ cu frecvenţa de prag. În aceste condiţii, curentul
electric total prin diodǎ are expresia:
 eV ⎞
I = IS  e kT 1 – IL (2. 21)
⎝ ⎠
Se poate constata cǎ, în scurtcircuit (fǎrǎ polarizare din exterior, V = 0), prin
diodǎ circulǎ un curent egal cu fotocurentul, I = – I L. Un astfel de dispozitiv,
posedând o joncţiune p - n sensibilǎ la radiaţia electromagneticǎ se numeşte
fotodiodǎ.
De obicei, fotodioda se foloseşte în circuite electronice ca traductor optic,
permiţând comanda curentului electric din circuit prin intermediul unui flux
luminos, aşa cum se poate vedea în figura 2.10 a. Ea se mai poate folosi şi în
circuite de mǎsurare a mǎrimilor fotometrice (fotometre, luxmetre, exponometre),
caz în care la bornele fotodiodei se leagǎ un galvanometru (a se vedea figura 2.10
b) ce mǎsoarǎ direct fotocurentul proporţional cu fluxul incident şi, deci cu
iluminarea. Puterea debitatǎ de o fotodiodǎ este micǎ.

Dacǎ joncţiunea fotosensibilǎ este în circuit deschis (I = 0), atunci se

constatǎ cǎ, sub acţiunea radiaţiei electromagnetice, la bornele acesteia apare o
tensiune electromotoare, VL, având expresia:
kT  I L ⎞
V0 = 1   (2. 22)
e ⎝ Is ⎠
În acest caz, dispozitivul se numeşte fotoelement, celulǎ fotovoltaicǎ sau
celulǎ solarǎ, reprezentând o sursǎ de tensiune electromotoare ce converteşte
direct energia luminoasǎ în energie electricǎ. Pentru o eficienţǎ cât mai mare,
fotoelementele trebuie sǎ aibǎ o suprafaţǎ de recepţie a luminii cât mai mare (mult
mai mare decât cea a unei fotodiode). Puterea debitatǎ în mod obişnuit de un
fotoelement este de ordinul a 10–2 W, iar randamentul de conversie (raportul dintre
puterea electricǎ disipatǎ şi fluxul energetic incident) atinge 21% utilizând GaAs şi
18% utilizând Si.
Evident, atât fotodiodele cât şi fotoelementele trebuie construite în capsule
transparente în domeniul spectral al radiaţiei electromagnetice la care ele
funcţioneazǎ.
O altǎ categorie de diode în care se produc fenomene optice este cea a
diodelor electroluminescente1, în care joncţiunea p–n este polarizatǎ direct cu o
tensiune suficientǎ pentru a excita electronii din banda de valenţǎ, astfel ca, apoi,
sǎ se producǎ fenomenul de recombinare radiativǎ (a se vedea paragraful 1.8). Este
necesar ca aceasta sǎ se producǎ cu o probabilitate suficient de mare (în comparaţie
cu recombinǎrile neradiative) pentru a se obţine un randament de conversie a
energiei electrice în energie luminoasǎ suficient de bun. Cele mai bune materiale
semiconductoare, din acest punct de vedere, sunt cele compuse, de tipul III - V,
cum sunt GaAs, GaP şi SiC. Pentru ca radiaţia emisǎ sǎ fie în domeniul vizibil,
este necesar ca diferenţa dintre nivelurile energetice între care ale loc tranziţia
electronilor sǎ fie mai mare decât 1,7 eV. Lǎrgimea benzii interzise a GaAs este de
1,43 eV, ceea ce face ca radiaţia emisǎ sǎ fie în domeniul infraroşu ( = 9200 A),
în timp ce lǎrgimea benzii interzise a GaP este de 2,1 eV, astfel încât radiaţia emisǎ
este în domeniul vizibil, de culoare verde ( = 5600 A). Dacǎ se realizeazǎ o
soluţie solidǎ a celor douǎ materiale, se pot obţine radiaţii de diferite culori,
întrucât lǎrgimea benzii interzise depinde de proporţia celor douǎ materiale în
soluţie. Câteva exemple sunt date în tabelul 2.1.
În condiţii speciale, într-o joncţiune p–n se poate obţine o inversie de
populaţie care, combinatǎ cu un fenomen de emisie stimulatǎ, face ca radiaţia
emisǎ sǎ fie o radiaţie LASER, cu binecunoscutele proprietǎţi de coerenţǎ,
monocromaticitate2, unidirecţionalitate şi intensitate mare. În acest caz,
dispozitivul se numeşte diodǎ laser, folositǎ în numeroase domenii cum sunt
transmiterea opticǎ a informaţiei prin fibre optice şi citirea-scrierea informaţiilor
pe compact-discuri.

TABEL 2.1.
Semiconductor  (A) domeniu spectral
GaAs 9200 infraroşu
0,6GaAs - 0,4GaP 6600 roşu
0,5GaAs - 0,5GaP 6100 orange
0,2GaAs - 0,8GaP 5900 galben
GaP 5600 verde

1
Ele sunt mai cunoscute sub denumirea de LED - uri (nu diode LED, ceea ce este un pleonasm !),
LED fiind iniţialele cuvintelor din limba englezǎ "Light Emitting Diode", ceea ce înseamnǎ "diodǎ
emiţǎtoare de luminǎ"
2
Monocromaticitatea diodelor laser nu este atât de netǎ ca în cazul altor categorii de laseri, ca
urmare a tranziţiilor care nu au loc între niveluri discrete, radiaţia emisǎ având lungimea de undǎ
cuprinsǎ intr-un interval îngust.
 2.7. AplicaEii
2.7.1. Dioda semiconductoare
1. Noţiuni teoretice
Dioda semiconductoare este o joncţiune p-n, reprezentând zona de trecere de
la un semiconductor cu conducţie de tip p la unul cu conducţie de tip n în aceeaşi
reţea cristalinǎ continuǎ. Ca urmare a difuziei purtǎtorilor majoritari dintr-o zonǎ
în alta, în proximitatea joncţiunii se formeazǎ o sarcinǎ fixǎ pozitivǎ în zona n şi
negativǎ în zona p, ceea ce creeazǎ o barierǎ de potenţial ce se opune difuziei în
continuare a purtǎtorilor majoritari. La o temperaturǎ constantǎ, procesul devine
staţionar când curentul purtǎtorilor majoritari (cu sensul de la zona p la n) devine
egal ca valoare cu cel al purtǎtorilor minoritari (cu sensul de la n la p):
Im0 = – Is0
La aplicarea unei tensiuni U, de polarizare directǎ (potenţial mai mare) pe
zona p (anod) sau inversǎ, curentul purtǎtorilor majoritari creşte, respectiv scade,
conform relaţiei:
eU
I m  Is0 
e kT (2. 23)
unde e este sarcina electricǎ a portǎtorilor (electroni sau goluri), k - constanta
Boltzman, T - temperatura absolutǎ şi U tensiunea (pozitivǎ sau negativǎ) aplicatǎ
pe diodǎ.
Curentul total va fi: I = Im + Is, adicǎ:
 eUkT ⎞
I 
 s0 e
I  (2. 24)
1
 
⎝ ⎠
relaţie care reprezintǎ ecuaUia diodei.
Aceastǎ relaţie poate fi aproximatǎ pe porţiuni prin relaţii mai simple:
  eU
I I  pentru U  0,1 V (2. 25)
 s0
e kT pentru U   0,1 V
 I
⎝ s0
O diodǎ este caracterizatǎ de mai mulţi parametri (date de catalog):
- coeficientul de temperaturǎ:
 U ⎞
   T 
⎝ ⎠Ict
- tensiunea inversǎ de vârf repetitivǎ, VRRM
- tensiunea de strǎpungere, Ustr
- curentul direct maxim, Imax
- timpul de comutare inversǎ, trr (timpul necesar trecerii diodei din stare
de conducţie în stare de blocare) etc.
 Sǎ considerǎm circuitul din figura 2.11.

Putem scrie:
E = RI + U (2. 26)
Aceasta este o funcţie liniarǎ, reprezentatǎ printr-o dreaptǎ, în coordonate (I,U)
numitǎ dreaptǎ de sarcinǎ. Intersecţia acesteia, cu caracteristica diodei este un
punct, P(U0, I0), numit punct static de funcUionare (PSF) (figura 2.12).

Dacǎ variaţia curentului sau a tensiunii este micǎ în raport cu componenta

continuǎ (valoarea medie) a respectivei mǎrimi, se spune cǎ dioda funcţioneazǎ la
semnal mic. În acest caz, în jurul PSF, caracteristica diodei se poate aproxima cu o
dreaptǎ, astfel încât acest lucru permite determinarea rezistenţei dinamice, definitǎ
ca:
du
rd  di (2. 27)
Pentru un punct static de funcţionare dat, la polarizare directǎ, rd se poate
determina astfel:
dU 1 eU
rd  dI ; dar I  I 
dI s e kT
dU
Pentru t = 25 C, coeficientul lui U de la exponent are valoarea e  40 V1
kT
şi atunci:
I  Is  e40U (2. 28)
dI
de unde  40  Is  e 40U  40  I .
dU
Deci:
 rd  1
(2. 29)
40  I0
pentru punctul static de funcţionare de ordonatǎ I0.
2. Scopul lucrǎrii; dispozitiv experimental
În aceastǎ lucrare se urmǎreşte trasarea caracteristicii diodei, determinarea
rezistenţei dinamice a acesteia şi vizualizarea pe osciloscop a caracteristicii diodei.
Se foloseşte macheta ce are montatǎ pe ea o diodǎ şi alte elemente necesare
determinǎrilor, conform figurii 2.13.

În afara machetei mai sunt necesare:

- sursǎ de c.c. de tensiune variabilǎ 0 ÷ 30 V;
- AVO - metru (voltmetru);
- transformator 222 V/5 20 V;
- osciloscop;
- generator de semnal sinusoidal JF;
- fire de legǎturǎ.
3. Mod de lucru
a) Trasarea caracteristicii diodei
- folosind macheta şi fire de legǎturǎ, se realizeazǎ montajul din figura
2.14;

- se aplicǎ diferite tensiuni E între 0 şi 20 V (din volt în volt) şi pentru

fiecare se mǎsoarǎ U. În locul mǎsurǎrii lui I se preferǎ calcularea cu
formula
EU
I R
- se schimbǎ polaritatea sursei şi se repetǎ mǎsurǎtorile pentru E între 0 şi
– 20 V din 2 în 2 V;
- se completeazǎ tabelul:
 E (V) U(V) I(mA)
.
.
.
- se traseazǎ pe hârtie milimetricǎ graficul I = I(U)
b) Vizualizarea caracteristicii pe osciloscop
- se realizeazǎ montajul din figura 2.15.

Tensiunea aplicatǎ la bornele Y este proporţionalǎ cu intensitatea curentului

prin diodǎ, iar cea de la bornele X este proporţionalǎcu tensiunea pe diodǎ.
Cuplajul se va face în curent continuu.
- se calibreazǎ osciloscopul pe verticalǎ (mA/div) şi orizontalǎ (V/div) şi
se reproduce caracteristica vizualizatǎ pe hârtie milimetricǎ.
- se comparǎ cu cea trasatǎ anterior.
c) Determinarea rezistenţei dinamice
- se realizeazǎ montajul din figura 2.16;

- se stabileşte un PSF (E între 3 şi 10 V);

- se mǎsoarǎ cu AVO - metrul U0 şi se determinǎ I0;
- se calculeazǎ rezistenţa dinamicǎ, cu relaţia (2.29);
- se aplicǎ un semnal sinusoidal cu amplitudinea de ordinul volţilor şi
frecvenţa de 1 ÷ 5 kHz;

- se determinǎ curentul ug
i ;
Rg
 - tensiunea variabilǎ pe diodǎ se mǎsoarǎ cu osciloscopul în c.a., cu o
sensibilitate minimǎ de 0,02 V/div;
- se calculeazǎ  u
r  ;
d
i
- se comparǎ cele douǎ valori obţinute şi se repetǎ operaţiile de mai sus
pentru încǎ douǎ PSF diferite;
- rezultatele se trec în tabelul:

E(V) U0(V) I0(mA) rd() ug(V) i(mA) u(V) r’d()

.
.
.

4. Întrebǎri
1. Ce concluzii se pot trage din analiza caracteristicii trasate şi din compararea ei
cu cea vizualizatǎ la osciloscop ?
2. Dacǎ la vizualizarea caracteristicii pe osciloscop intrarea Y se trece pe c.a.,
imaginea apare dedublatǎ. De ce ?
3. La determinarea rd, dacǎ se fixeazǎ ug = ct. şi se variazǎ E, se constatǎ cǎ u este
invers proporţional cu E. De ce ?
4. Când se mǎsoarǎ u cu osciloscopul, dacǎ intrarea Y se trece pe c.a. imaginea
dispare. De ce ?
CAPITOLUL III

3. CIRCUITE DE REDRESARE
3.1. GeneralitǎEi
Datoritǎ proprietǎţii de conducţie unilateralǎ a diodei, acesta poate fi folositǎ
în procesul de redresare a curentului alternativ, obţinându-se, astfel, curent
continuu1. Schema-bloc a unui redresor este datǎ în figura 3.1 şi cuprinde
urmǎtoarele pǎrţi (blocuri) componente: T - transformatorul, cu rol de separare
galvanicǎ a redresorului de reţeaua de alimentare cu energie electricǎ şi de obţinere
a tensiunii alternative de o valoare corespunzǎtoare, R - redresorul propriu-zis,
alcǎtuit din unul sau mai multe dispozitive redresoare, prin intermediul cǎrora se
realizeazǎ procesul de redresare, prin care se obţine un curent electric continuu, cu
valoare variabilǎ (pulsant) şi F - filtrul de netezire, cu rol de micşorare a
amplitudinii pulsaţiilor tensiunii redresate, pentru obţinerea unei tensiuni cât mai
apropiate de cea constantǎ.

Pentru frecvenţe scǎzute ale curentului alternativ se pot folosi redresoare

mecanice dar practica a consacrat, datoritǎ avantajelor din toate punctele de
vedere, redresoarele electronice, acestea putându-se clasifica astfel:
1. dupǎ numǎrul de faze ale tensiunii redresate:
 redresoare monofazate;
 redresoare polifazate (de exemplu, trifazate).
2. dupǎ numǎrul alternanţelor redresate:
 redresoare monoalternanţǎ;
 redresoare bialternanţǎ.
3. dupǎ posibilitatea controlului tensiunii redresate:
 redresoare necomandate;
 redresoare comandate (reglabile).
4. dupǎ natura sarcinii:
 redresoare cu sarcinǎ rezistivǎ;

1
Redresarea curentului alternativ reprezintǎ procesul de transformare a acestuia într-un curent
continuu. Trebuie sǎ subliniem (pentru evitarea oricǎror confuzii posibile), cǎ un curent continuu
înseamnǎ acel curent ce îşi pǎstreazǎ mereu acelaşi sens, spre deosebire de cel alternativ, care îşi
schimbǎ periodic sensul. Cu alte cuvinte, un curent continuu nu este neapǎrat şi constant, adicǎ
intensitatea acestuia poate sǎ se modifice de la un moment la altul, doar sensul pǎstrându-se mereu
acelaşi.
  redresoare cu sarcinǎ inductivǎ;
 redresoare cu sarcinǎ capacitivǎ;
 redresoare cu sarcinǎ mixtǎ.

3.2. Redresorul monoalternanEǎ monofazat cu sarcinǎ

rezistivǎ
Schema unui astfel de redresor este prezentatǎ în figura 3.2.a şi cuprinde un
transformator care asigurǎ în secundar tensiunea alternativǎ instantanee u şi dioda
redresoare, tensiunea redresatǎ, us, fiind aplicatǎ rezistorului de sarcinǎ, de
rezistenţǎ Rs.

Pentru analiza funcţionǎrii redresorului, este utilǎ schema echivalentǎ a

montajului, prezentatǎ în figura 3.2.b. În aceasta, r are expresia:
 n ⎞2
r = r2 + r1 2  (3. 1)
⎝ n1 ⎠
în care r1 şi r2 sunt rezistenţele bobinei primare, respectiv secundare ale
transformatorului, n1 şi n2 fiind numǎrul de spire ale acestora.
Al doilea termen al relaţiei (3.1) reprezintǎ rezistenţa reflectatǎ de primar în
secundar. Tot în schema echivalentǎ, Ri este rezistenţa dinamicǎ a diodei, Vd
tensiunea de deschidere a acesteia, iar Rs rezistenţa de sarcinǎ. Notǎm:
R = Ri + r (3. 2)
Aplicând teorema a II-a lui Kirchhoff în ochiul de reţea al schemei
echivalente, rezultǎ:
u = (R + Rs)i + Vd = Umsin t,
de unde:
U sint  Vd (3. 3)
i= m
R  Rs
Evident, relaţia de mai sus este valabilǎ numai atât timp cât dioda conduce,
în restul timpului curentul în circuit fiind nul. Variaţiile în timp1 a tensiunii u =

1
Mai exact, pentru comoditate, s-a reprezentat variaţia mǎrimilor respective în funcţie de t = 2t.
Um.sint şi a curentului i sunt reprezentate în figura 3.3, în care u este figurat cu
linie punctatǎ, iar i cu linie continuǎ.

Se observǎ cǎ, între momentele t = 0 şi t 1, deşi u este pozitiv, i = 0, acest

lucru fiind datorat tensiunii de deschidere, diferite de zero, a diodei (pentru
deschiderea acesteia, tensiunea trebuie sǎ depǎşeascǎ valoarea V d). Unghiul 1,
(unghiul de deschidere) corespunzǎtor momentului t1 al intrǎrii în conducţie a
diodei, se obţine tocmai din condiţia ca i, dat de relaţia 3.3, sǎ se anuleze. Deci:
 ⎞
1 = t1 = arcsin U V  (3. 4)
⎝ d m⎠
În mod analog, momentului t2, când dioda înceteazǎ sǎ mai conducǎ, îi
corespunde unghiul 2 (unghiul de închidere):
2 = t2 =  – 1 (3. 5)
Diferenţa  = 2 – 1 reprezintǎ unghiul de conducţie al diodei. Tensiunea
redresatǎ, us, la bornele rezistorului se sarcinǎ, este:
us = iRS (3. 6)
şi, evident,
2 are aceea şi
2
formǎ cu cea a lui i. Curentul mediu redresat are valoarea:
1 1 U m sin t  Vd U V U
I0 =  i d t   d t  m d 0
2 0 2 0 R  RS R  R S  R  R S R  R S
U (3. 7)
unde U0 =
m
– Vd.


În cursul unei perioade dioda suportǎ o tensiune inversǎ maximǎ egalǎ cu
Um, în timpul perioadei negative, când dioda nu conduce. Curentul maxim suportat
de diodǎ este Imax = Um
.
R  RS
Dacǎ se neglijeazǎ tensiunea Vd (care, de altfel, este micǎ), unghiul de
deschidere, 1, este nul şi atunci:
  RS
U sin
t pentru 0  t  
 m
uS =  R  RS (3. 8)
 0 pentru   t  2
⎝
Aceastǎ tensiune, ca funcţie matematicǎ, se poate descompune în serie
Fourier, dupǎ
U cum
R urmeazǎ:
1 1 2 2 ⎞
u = m S  sint  cos2t  cos4t (3. 9)
  

S 
S⎝ 
…⎠
RR 2 3 15
Se constatǎ cǎ us conţine o componentǎ continuǎ cu valoarea:
U= = Um RS
R  RS 
(ceea ce s-a obţinut şi în relaţia 3.7), peste care se suprapun o infinitate de
componente de componente alternative, din care, neglijând termenii de ordin
superior, reţinem componenta fundamentalǎ, cu pulsaţia egalǎ cu cea a tensiunii de
alimentare şi amplitudinea:
U~ = U m R S
.
2 R  R S 
Raportând aceastǎ amplitudine la valoarea componentei continue, se
defineşte factorul de ondulaţie:
U 
= ~  (3. 10)
U  2
Randamentul procesului de redresare, ca raport dintre puterea utilǎ de curent
continuu, P şi puterea medie primitǎ de circuitul redresor, P m, se poate calcula
(pentru o diodǎ idealǎ), astfel:
1 U sin



2 2
P = U2m 1 = U0I0 ; Pm = 1 ui  U d  t  m
2 
m
 R 2
dt   t 2
R 4R
S 0 0 S S
Deci:
2
U 1 4R 4
= m S
 = 40,6 % (3. 11)
2 R S U 2m 2
Aşa cum se observǎ, randamentul este destul de scǎzut, fapt datorat prezenţei
armonicilor superioare sau, din punct de vedere fenomenologic, neutilizǎrii uneia
din alternanţe. La un redresor real randamentul este, de fapt, chiar mai scǎzut.

3.3. Redresorul monofazat bialternanEǎ cu sarcinǎ

rezistivǎ
Pentru îmbunǎtǎţirea randamentului redresǎrii, este necesarǎ redresarea
ambelor alternanţe, fapt ce se poate realiza folosind montajul din figura 3.4 a.
Forma tensiunii redresate, us, este cea din figura 3.4.b. (s-a neglijat valoarea
tensiunii de deschidere, Vd).
 Curentul prin Rs este dat de suma curenţilor furnizaţi de cele douǎ secţiuni
ale redresorului, care funcţioneazǎ în contratimp, pe câte o semiperioadǎ a
tensiunii de alimentare. De fapt, se poate considera cǎ redresorul dublǎ alternanţǎ
este alcǎtuit din douǎ redresoare monoalternanţǎ care folosesc aceeaşi înfǎşurare
primarǎ a transformatorului şi debiteazǎ pe aceeaşi sarcinǎ. La acest tip de
redresor, tensiunea inversǎ maximǎ pe parcursul unei perioade, suportatǎ de fiecare
diodǎ, este dublul tensiunii maxime dintr-o secţiune a secundarului
transformatorului, adicǎ Uinv max = 2Um. Evident, curentul mediu prin fiecare diodǎ
este jumǎtate din curentul redresat.
Fǎcând analiza Fourier a tensiunii redresate, într-un mod asemǎnǎtor celui de
la redresorul monoalternanţǎ, se obţine tensiunea redresatǎ:
S Um RS 
4
cos2t  4 cos4t ⎞ (3. 12)
2u = R  R    3 15
…
S ⎝
 ⎠
Aceasta conţine o componentǎ continuǎ cu valoarea:
U= = 2Um RS
R  RS 
(dublǎ faţǎ de cea de la redresarea monoalternanţǎ) şi o serie de componente
alternative dintre care reţinem numai pe cea fundamentalǎ, cu frecvenţa dublǎ 1 faţǎ
de cea a curentului alternativ de alimentare şi cu amplitudinea:
U~ = 4U m R S
.
3R  R S 
În acest caz, expresia factorului de ondulaţie este:
4Um
2 = 66,7 %
 = 3  (3. 13)
2U m 3

Dacǎ se face o comparaţie între redresorul dublǎ alternanţǎ şi cel
monoalternanţǎ, rezultǎ cǎ primul este evident mai avantajos: randamentul sǎu este
dublu, iar factorul de ondulaţie se reduce aproximativ la jumǎtate. Totuşi, sunt şi

1
Se poate considera cǎ, faţǎ de redresarea monoalternanţǎ, componenta fundamentalǎ a tensiunii
redresate a fost înlǎturatǎ, rǎmânând numai armonicile. În acest mod, se poate explica reducerea
factorului de ondulaţie.
unele dezavantaje: are un gabarit mai mare (înfǎşurarea secundarǎ a
transformatorului dublǎ) şi foloseşte douǎ diode în loc de una, acestea având
tensiunea inversǎ maximǎ dublǎ faţǎ de cea a diodei redresorului monoalternanţǎ.

Pentru a elimina şi aceste dezavantaje, în practicǎ se foloseşte un alt tip de

redresor dublǎ alternanţǎ: redresorul în punte (figura 3.5.a). Aşa cum se poate
vedea, pe una din alternanţe curentul circulǎ prin diodele D 4 şi D2, celelalte douǎ
fiind blocate (figura 3.5.b), iar pe cealaltǎ alternanţǎ rolurile se inverseazǎ: diodele
D4 şi D2 sunt blocate, curentul circulând prin diodele D3 şi D1 (figura 3.5.c), astfel
încât, permanent, prin rezistorul de sarcinǎ sensul curentului rǎmâne acelaşi.
Valorile tensiunii medii redresate şi curentului mediu redresat sunt aceleaşi ca la
redresorul dublǎ alternanţǎ clasic, în schimb tensiunea inversǎ maximǎ suportatǎ
de fiecare diodǎ este numai Um. Transformatorul având numai o singurǎ înfǎşurare
secundarǎ, ca la redresorul monoalternanţǎ, rezultǎ cǎ redresorul în punte are un
singur dezavantaj faţǎ de redresorul monoalternanţǎ: folosirea a patru diode, în loc
de una, ceea ce înseamnǎ un preţ de cost mai mare. Cum preţul diodelor este mic,
comparativ cu preţul total al redresorului, iar redresorul în punte pǎstreazǎ toate
avantajele redresǎrii ambelor alternanţe, este evident de ce, în practicǎ, folosirea
redresorului în punte s-a generalizat. De altfel, fabricanţii de dispozitive
semiconductoare pun în prezent la dispoziţia utilizatorilor punţi redresoare
integrate, conţinând toate cele patru diode într-o singurǎ capsulǎ, într-o gamǎ largǎ
de variante, cu parametri de funcţionare diverşi.
 3.4. Redresorul monofazat cu sarcinǎ RL
Schema corespunzǎtoare acestui tip de redresor, în varianta monoalternanţǎ
este prezentatǎ în figura 3.6. Inductanţa L poate fi conţinutǎ în sarcinǎ sau poate fi
adiţionatǎ acesteia pentru o mai bunǎ filtrare (efectul fiind analizat în continuare).

Ca urmare a faptului cǎ prin aceastǎ inductanţǎ trece un curent variabil, se

produce fenomenul de autoinducţie, constând în apariţia la bornele elementului
inductiv a unei tensiuni autoinduse, date de relaţia:
e=L (3. 14)
di
dt
Aplicând a doua teoremǎ a lui Kirchhoff în circuitul de redresare pentru
timpul cât dioda, presupusǎ idealǎ, conduce, se obţine:
di
U = L + iRS = Umsint (3. 15)
dt
Aceasta este o ecuaţie diferenţialǎ de ordinul I neomogenǎ, a cǎrei soluţie
este datǎ de suma dintre soluţia generalǎ a ecuaţiei omogene corespunzǎtoare
(componenta tranzitorie)
U  şi o soluţie particularǎ a ecuaţiei neomogene:
  RS
t

sin t    sin e 
m L
i= (3. 16)
R S  L  ⎝
2 2

în care,
tg = (3. 17)
L

RS
Pentru o valoare suficient de mare a inductanţei L, valoarea R s/L este micǎ,
astfel încât al doilea termen al relaţiei 3.16 este, practic, constant, peste acesta
suprapunându-se o componentǎ alternativǎ, datǎ de primul termen (amplitudinea
acestei componente este cu atât mai micǎ, cu cât L este mai mare). Forma
curentului redresat, i, este datǎ în figura 3.7.
Punând în relaţia 3.16 condiţia i = 0, se poate calcula unghiul de conducţie,
care creşte odatǎ cu scǎderea raportului L/Rs, ceea ce înseamnǎ o mai bunǎ
filtrare la creşterea valorii lui L, rezultat obţinut şi mai sus.
 De aceea, în practicǎ, pentru filtrare se folosesc bobine cu inductanţǎ cât mai
mare, singurele limitǎri fiind impuse de gabaritul acestora şi de obţinerea unui
factor de calitate al lor cât mai ridicat.

3.5. Redresorul monofazat cu sarcinǎ RC

Schema corespunzǎtoare acestui tip de redresor, în varianta monoalternanţǎ
este prezentatǎ în figura 3.8.a, în figura 3.8.b fiind datǎ forma tensiunii la bornele
rezistorului de sarcinǎ.

Dupǎ cum se poate vedea, capacitatea C este legatǎ în paralel cu rezistorul de

sarcinǎ, putând fi conţinutǎ chiar în consumator sau putând fi adǎugatǎ pentru
reducerea pulsaţiilor tensiunii redresate.
Procesul care are loc este urmǎtorul: condensatorul se încarcǎ atunci când
dioda conduce, descǎrcându-se pe Rs când dioda este blocatǎ, în acest fel
obţinându-se netezirea prin repartizarea mai uniformǎ în timp a energiei electrice
consumate de sarcinǎ. De fapt, condensatorul, având o capacitate mare, deci o
reactanţǎ capacitivǎ micǎ, scurtcircuiteazǎ în curent alternativ rezistorul de sarcinǎ,
astfel încât prin acesta circulǎ numai componenta continuǎ a tensiunii redresate şi
o foarte micǎ parte din cea alternativǎ, restul trecând prin condensator.
Tensiunea la bornele diodei este ud = u – us, astfel încât aceasta este
polarizatǎ atât pozitiv cât şi negativ. Dioda conduce numai atât timp cât este
polarizatǎ pozitiv, deci când u > us, în rest ea este blocatǎ şi condensatorul se
descarcǎ pe Rs.
Practic, dioda se deschide doar pe vârful alternanţei pozitive, când
u > us  U=.
Din relaţiile: C dq dq du
= ; iC = , rezultǎ: iC = C C .
duC dt dt
Dacǎ dioda (presupusǎ idealǎ) conduce, i = iR + iC, unde
du U
iC = C C = CUmcost ; iR = m sint.
dt RC
Dupǎ înlocuirea expresiilor lui iR şi ic, rezultǎ:
1
 C   sint 
2
i = Um (3. 18)

unde R S2
tg = CRS (3. 19)
În restul timpului, cât dioda nu conduce, condensatorul se descarcǎ pe Rs,
tensiunea variind la bornele sale conform relaţiei:

uC = uS = UC  t
e
CRS
(3. 20)
unde Uc este tensiunea maximǎ de încǎrcare a condensatorului. În condiţia în care
C este suficient de mare, constanta de timp CRs este şi ea mare, astfel încât
descǎrcarea condensatorului se face suficient de lent pentru ca tensiunea uc sǎ nu
scadǎ prea mult pânǎ la o nouǎ încǎrcare. În cazul redresorului dublǎ alternanţǎ,
efectul de netezire a pulsaţiilor tensiunii redresate de cǎtre condensator este şi mai
pronunţat, ca urmare a reducerii timpului de descǎrcare.
În analiza sumarǎ a fenomenului, nu s-a luat în considerare rezistenţa
secundarului şi nici cea a diodei. Dacǎ se ţine cont şi de acestea, se constatǎ cǎ
unghiul de conducţie al diodei (şi aşa destul de mic) se reduce foarte mult,
impulsurile curentului redresat devin foarte scurte dar cresc în amplitudine, fapt
care duce la creşterea valorii efective a tensiunii redresate.

3.6. Redresorul cu dublare de tensiune

Schema de principiu a unui astfel de redresor este prezentatǎ în figura 3.9.
Dupǎ cum se vede, ea derivǎ din cea a unui redresor în punte, la care douǎ din
diodele redresoare au fost înlocuite cu câte un condensator. Funcţionarea acestui
redresor este urmǎtoarea: când se aplicǎ tensiunea de alimentare a punţii, apare un
regim tranzitoriu în care pe una din alternanţe se încarcǎ un condensator, iar pe cea
de-a doua, celǎlalt condensator (mai exact, când conduce dioda D 1 se încarcǎ
condensatorul C1 la tensiunea Um, iar când conduce dioda D2 se încarcǎ
condesatorul C2 la tensiunea Um).
 Tensiunea la bornele lui Rs este egalǎ cu cea la bornele grupǎrii în serie a celor
douǎ condensatoare deci, dacǎ rezistenţa proprie a redresorului este mult mai micǎ
decât Rs, constanta de timp la descǎrcare este mult mai mare decât cea la încǎrcare,
astfel încât pe rezistenţa de sarcinǎ va exista permanent o tensiune doar cu puţin
mai micǎ decât dublul tensiunii maxime furnizate de secundarul transformatorului.

3.7. Filtre de netezire a tensiunii redresate

Pentru asigurarea unui factor de ondulaţie corespunzǎtor, se pot utiliza filtre
de netezire. Configuraţiile acestora sunt diverse dar se pot reduce întotdeauna la
configuraţia de bazǎ, prezentatǎ în figura 3.10.

Tensiunea furnizatǎ de redresor, u, şi aplicatǎ filtrului, are douǎ componente:

una continuǎ, Uo, cealaltǎ alternativǎ, cu valoarea efectivǎ U. Tensiunea la bornele
lui Rs, us, (adicǎ la ieşirea filtrului) va avea şi ea o componentǎ continuǎ, Uso şi una
alternativǎ, cu valoarea efectivǎ Us. Pentru o filtrare perfectǎ, s-ar impune ca Uso =
Uo şi Us = 0 dar, în realitate, condiţiile nu pot fi asigurate decât cu aproximaţie,
adicǎ Uso Š Uo şi Us << U. Între cele patru mǎrimi existǎ relaţiile:

US0 Z2 RS
=U0 (3. 21)
Z1  Z2 RS
 0

US = U Z 2 RS
 (3. 22)
Z 1  Z 2 RS
Din condiţiile impuse, rezultǎ:
 Z 2 RS Š Z1
0 0
(3. 23)
Z 2 RS  Z1 (3. 24)
Dacǎ factorul de ondulaţie al redresorului (la intrarea filtrului) este , atunci,
la ieşirea filtrului, acesta este:
Z2 RS
Z1  Z2 RS
S = (3. 25)
Z2 RS

Z1  Z2 RS 0

Explicitând în funcţie de configuraţia filtrului impedanţele complexe Z1 şi Z2,

în baza relaţiei (3.25), se poate calcula factorul de ondulaţie în diferite cazuri
particulare.

3.8. Stabilizatoare de tensiune

Stabilizatorul este un dispozitiv electronic cu impedanţǎ variabilǎ,
comandatǎ de variaţia unei mǎrimi electrice (tensiune, curent) de la intrarea sa,
astfel încât aceastǎ variaţie este compensatǎ prin variaţia cǎderii de tensiune pe
impedanţǎ, la ieşirea stabilizatorului mǎrimea electricǎ respectivǎ pǎstrându-şi o
valoare constantǎ.
Stabilizatoarele se pot clasifica, dupǎ diferite criterii, astfel:
a) dupǎ parametrul electric stabilizat:
- stabilizatoare de tensiune
- stabilizatoare de curent
b) dupǎ metoda de stabilizare:
- stabilizatoare parametrice
- stabilizatoare prin compensare
- stabilizatoare cu reacţie
c) dupǎ modul de conectare a elementului de stabilizare:
- stabilizatoare serie
- stabilizatoare paralel
Pentru a caracteriza eficienţa unui stabilizator, se defineşte 1 factorul de
stabilizare în tensiune, ca raport între variaţiile relative ale tensiunii la intrare,
respectiv la ieşire:

1
Definiţia s-a fǎcut pentru un stabilizator de tensiune. Evident, pentru unul de curent,
formulele se adapteazǎ în mod corespunzǎtor. De altfel, în cele ce urmeazǎ ne vom referi
numai la stabilizatoarele de tensiune.
 Uin
F = Uin (3. 26)
US
US RS ct .

De asemenea, se poate utiliza coeficientul de stabilizare, definit astfel:

S = Uin (3. 27)

US RS ct .

În cele douǎ relaţii, Uin este tensiunea la intrarea stabilizatorului, iar Us cea
de la ieşirea acestuia, adicǎ tensiunea la bornele rezistorului de sarcinǎ.

3.8.1. Stabilizatoare parametrice

Stabilizatoarele parametrice folosesc în componenţa lor elemente neliniare,
caracterizate printr-un parametru variabil în funcţie de tensiunea la intrare. Un
astfel de element este dioda Zener, schema unui stabilizator de tensiune parametric
utilizând o diodǎ Zener fiind datǎ în figura 3.11.

În figura 3.11.a este prezentatǎ schema de principiu a stabilizatorului,

alcǎtuit numai din dioda Zener şi rezistorul de balast, R, în figura 3.11.b este datǎ
schema echivalentǎ a stabilizatorului, iar în figura 3.11.c este prezentatǎ
caracteristica liniarizatǎ a diodei Zener la polarizare inversǎ, pe care sunt
reprezentate punctele de funcţionare A, la tensiune minimǎ ş i B, la tensiune
maximǎ. Sursa de alimentare (redresorul) furnizeazǎ tensiunea continuǎ U r şi are
rezistenţa internǎ Rr.
Analizând figura 3.11.c, se poate constata cǎ, la variaţii mari ale curentului
prin dioda Zener, între Iz max şi Iz min, are loc o variaţie foarte micǎ a tensiunii U z, de
la Uz max la Uz min, ca urmare a pantei foarte abrupte a caracteristicii diodei Zener.
Astfel, chiar dacǎ punctul de funcţionare se deplaseazǎ destul de mult (de la A la B
sau invers, ca urmare a variaţiei rezistenţei de sarcinǎ sau a tensiunii Ur), variaţia
curentului I va fi preluatǎ în cea mai mare parte prin dioda Zener. Se poate scrie:
 UZ ⎞
Uin = RI + US = R(IZ + IS) + UZ = RI Z   + UZ (3. 28)
⎝ S⎠

Calculând coeficientul de stabilizare, se obţine:

Uin Uin  IZ 1⎞ 1 1⎞
S = U  U  R    1   R  1
RR r
S Z ⎝ Z S⎠ ⎝Z S⎠
Deci:
1 1⎞
S=1+Rr  R  (3. 29)
⎝ Z S⎠
R
Cum, de obicei, rz este foarte micǎ (rz << Rs), se poate aproxima S = 1 + ,
rZ
ceea ce ne permite sǎ scriem:
US US  R ⎞ U S
F=SU 1   (3. 30)

in U in ⎝ rZ ⎠ U in
Se poate constata cǎ pentru a obţine o stabilizare mai bunǎ, adicǎ un
coeficient de stabilizare mai mare, trebuie sǎ creascǎ rezistenţa de balast, R, ceea
ce duce însǎ la o pierdere de energie în circuit, deci la o utilizare ineficientǎ a
acesteia.

3.8.2. Stabilizatoare cu compensare

În figura 3.12 este prezentatǎ schema-bloc a unui stabilizator cu compensare,
în varianta serie (figura 3.12.a), respectiv paralel (figura 3.12.b).

Funcţionarea are loc astfel: detectorul de eroare, DE, este un dispozitiv care
comparǎ permanent tensiunea de la intrarea stabilizatorului, Uin, cu o tensiune de
referinţǎ, Uref, de valoare cât mai constantǎ, furnizatǎ de un dispozitiv electronic
(poate fi o diodǎ Zener polarizatǎ invers, ce funcţioneazǎ la tensiunea de
strǎpungere). Diferenţa dintre cele douǎ tensiuni este amplificatǎ de amplificatorul
de eroare, AE, tensiunea obţinutǎ la ieşirea acestuia aplicându-se elementului de
reglaj, ER, cu rezistenţǎ variabilǎ, în funcţie tocmai de aceastǎ tensiune. Cǎderea
de tensiune pe elementul de reglaj compenseazǎ variaţia tensiunii de intrare, astfel
încât la ieşirea stabilizatorului se obţine o tensiune practic constantǎ.
În schemele mai simple, amplificatorul de eroare poate sǎ lipseascǎ, diferenţa
dintre cele douǎ tensiuni comparate comandând direct elementul de reglaj. Acest
tip de stabilizator este mai eficient decât cel anterior, utilizând energia sursei de
tensiune cu un randament sporit dar are dezavantajul cǎ nu reacţioneazǎ decât la
variaţiile tensiunii de intrare, nu şi la cele ale rezistenţei de sarcinǎ.

3.8.3. Stabilizatoare cu reacţie

Cele douǎ variante constructive, serie şi paralel, ale schemei-bloc a
stabilizatorului cu reacţie sunt prezentate în figura 3.13.a, respectiv 3.13.b.

Se poate constata asemǎnarea cu schema stabilizatorului cu compensare,

doar cǎ tensiunea de referinţǎ, Uref, este comparatǎ direct cu tensiunea de ieşire, Us,
semnalul rezultat din aceastǎ comparare şi (eventual) amplificare fiind aplicat
elementului de reglaj.
În acest caz, procesul de stabilizare are loc indiferent de cauza ce produce
variaţia tensiunii de ieşire, adicǎ şi în cazul variaţiei tensiunii de intrare şi în cel al
variaţiei rezistenţei de sarcinǎ, efectul de stabilizare fiind deci mult mai eficient.

3.9. AplicaEii
3.9.1. Redresarea curentului alternativ
1. Noţiuni teoretice
Montajul care, alimentat cu energie în curent alternativ, furnizeazǎ la ieşire
energie în curent continuu se numeşte redresor. În general, acesta are trei pǎrţi:
transformatorul, care modificǎ valoarea tensiunii alterntive a reţelei astfel încât la
ieşirea redresorului sǎ se obţinǎ tensiunea doritǎ, elementul redresor (unul sau mai
multe dispozitive neliniare cu conducţie unilateralǎ) şi filtrul de netezire, cu rol de
a reduce pulsaţiile tensiunii redresate, având în componenţǎ elemente pasive
reactive (condensatoare şi bobine), uneori rezistoare.
 A. Redresorul monoalternanţǎ
Schema dispozitivului este prezentatǎ în figura 3.14. Curentul circulǎ prin
diodǎ atâta timp cât ea este polarizatǎ direct.

Rezistenţa totalǎ din2 circuitul diodei, în afarǎ de rezistenţa de sarcinǎ, este:

n⎞
R t  R i  r2   2  r1 (3. 31)

⎝ n1 ⎠
unde Ri este rezistenţa internǎ (dinamicǎ) în conducţie directǎ a elementului
redresor (dioda D), iar r1 şi r2 sunt rezistenţa primarului respectiv a secundarului
transformatorului.
Ultimul termen din relaţia (3.31) reprezintǎ rezistenţa reflectatǎ de primar în
secundarul transformatorului.
Se vede cǎ:

 Rs  pentru u2  0
u   R t  Rs (3. 32)
2u
 pentru u2  0
⎝0
unde u2 = U2sint reprezintǎ tensiunea alternativǎ la bornele secundarului.
Tensiunea redresatǎ, u, va fi de forma din figura 3.15.

Media tensiunii redresate pe o perioadǎ ( componenta continuǎ a acestei

tensiuni) este:
T
1 1  Rs 1 R s  U2
U0   u  dt    U2  sin t  d(t)   (3. 33)
T 2 RR  RR
0 0 t s t s
deci U0 U
 , unde U  R s  U2 este amplitudinea tensiunii redresate, u.
 R t  Rs
Curentul redresat are valoarea:
U
I  0 U  U2
(3. 34)
0 s   Rt  Rs 
R
Rs
u se poate dezvolta
 1 în1 serie Fourier:
2
⎞u  U    sin t   cos 2t  … (3. 35)
 

 
⎝ 2 3 ⎠
şi, neglijând
U Utermenii de ordin superior,
u    sin t (3. 36)
 2
Se constatǎ cǎ tensiunea redresatǎ are douǎ componente: o componentǎ
U U
continuǎ, U  şi o componentǎ alternativǎ cu amplitudinea egalǎ cu .
0
 2
Se defineşte factorul de ondulaţie:
U~
 (3. 37)
U
ca fiind raportul dintre amplitudinea componentei alternative şi valoarea
componentei continue.
Pentru redresorul analizat,
U  
     1,57
2 U 2
Scǎderea valorii factorului de ondulaţie, ceea ce duce la obţinerea unei
tensiuni redresate mai apropiatǎ ca formǎ de cea continuǎ şi la creşterea
randamentului redresorului, se face folosind un filtru. Cel mai simplu filtru este un
condensator legat în paralel cu rezistorul de sarcinǎ, tensiunea filtratǎ având în
acest caz forma din figura 3.16.

Acest lucru este datorat faptului cǎ are loc o reducere a amplitudinii

componentei alterntive ce trece prin Rs, o parte din aceasta trecând prin
condensator. Cu cât reactanţa condensatorului este mai micǎ, cu atât filtrarea este
mai bunǎ. Mai concret, lucrurile se întâmplǎ astfel: într-un interval de timp t
relativ mic faţǎ de T, dioda conduce (u2 > u), u având aceeaşi formǎ cu u2,
condensatorul se încarcǎ la valoarea U2. În restul timpului, u2 < u, dioda nu
conduce şi condensatorul se descarcǎ pe R s (descǎrcare exponenţialǎ cu constanta
de timp CRs), tensiunea u scǎzând de la valoarea U la U – u (u se numeşte
tensiune de ondulaUie).
Calculul capacitǎţii condensatorului care asigurǎ un factor de ondulaţie dorit
se poate face astfel: sarcina cu care se încarcǎ condensatorul este q = Cu,
sarcinǎ ce formeazǎ curentul mediu de descǎrcare al condensatorului în timpul:
U
T – t  T; q  IT ; I 
Rs
deci:
C  u  U  T ; C  U
.
Rs Rs  u  
u
Dar u unde U  U   U , deci
2 0
U0 2
1 (3. 38)

2    C  Rs
B. Redresorul dublǎ alternanţǎ
Schema dispozitivului este cea din figura 3.17.a, în figura 3.17.b fiind
reprezentatǎ forma tensiunii pe Rs. Cum tensiunile pe cele douǎ jumǎtǎţi ale
secundarului sunt în antifazǎ, când D1 conduce, D2 este blocatǎ şi invers.

Factorul de ondulaţie al acestui redresor fǎrǎ filtru este:

4U
2
3   0,67
  2U (3. 39)
3

O altǎ variantǎ de redresor dublǎ alternanţǎ este cea a redresorului în punte
(figura 3.18).
Avantajul faţǎ de schema clasicǎ este reducerea gabaritului transformatorului
(se utilizeazǎ o singurǎ înfǎşurare în secundar). Pe alternanţa pozitivǎ conduc
diodele D2 şi D4 iar D1 şi D3 sunt blocate şi pe alternanţa negativǎ, invers.
 Se poate constata cǎ frecvenţa tensiunii redresate la redresoarele dublǎ
alternanţǎ este dublul tensiunii alternative, iar prin comparaţie, factorul de
ondulaţie când se utilizeazǎ un condensator legat în paralel cu Rs este:
1
 (3. 40)
4C
Rs

2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental

Lucrarea are ca scop studiul funcţionǎrii redresorului mono şi dublǎ
alternanţǎ precum şi determinarea factorului de ondulaţie pentru diferite
condensatoare. În acest scop se utilizeazǎ macheta din figura 3.19, care cuprinde
urmǎtoarele elemente: o diodǎ redresoare legatǎ la bornele A – B, o punte
redresoare integratǎ, legatǎ la bornele C – D – E – F, trei condensatoare de
capacitǎţi diferite (25 F, 100 F şi 200 F) şi rezistorul de sarcinǎ, de 5 k/2W.

Conectarea în circuit a unuia sau altuia dintre cele trei condensatoare se face
cu ajutorul comutatorului K.
Se mai folosesc:
- osciloscop cu douǎ spoturi;
- transformator 220/24 V;
- fire de legǎturǎ;
3. Mod de lucru
A. Se realizeazǎ redresorul monoalternanţǎ.
 - se vizualizeazǎ simultan tensiunea u la bornele rezistorului de sarcinǎ,
R2 şi u2 la bornele secundarului, aplicându-le la intrǎrile Y1 şi Y2 ale
osciloscopului;
- se reproduc u şi u2 pe hârtie milimetricǎ;
- se introduc în schemǎ pe rând cele trei condensatoare şi se vizualizeazǎ
u, reprezentându-se pe hârtie milimetricǎ; se mǎsoarǎ pe osciloscop u;
B. Se realizeazǎ redresorul dublǎ alternanţǎ în punte.
- se repetǎ operaţiile de la punctul A;
- se calculeazǎ pentru fiecare valoare a capacitǎţii şi pentru fiecare din
cele douǎ scheme factorul de ondulaţie cu formula (3.38), respectiv
(3.40);
- se comparǎ valorile obţinute mai sus cu cele determinate experimental,
pe baza formulei (3.37), unde
u
U  şi U= se mǎsoarǎ direct la
~
2
bornele rezistorului de sarcinǎ cu un voltmetru de curent continuu sau
cu osciloscopul, prin trecerea succesivǎ a acestuia din poziţia c.c. în
poziţia c.a. şi determinarea deplasǎrii imaginii.
Atenţie: nu se vizualizeazǎ simultan tensiunile u1 şi u2.
- Rezultatele se trec într-un tabel de forma:
C (F) u (V) U= (V)  calculat  mǎsurat
Redresor 25
mono- 100
alternanţǎ 200
Redresor dublǎ 25
alternanţǎ 100
200
4. Întrebǎri
1. Ce concluzii se pot trege din compararea valorilor calculate cu cele determinate
experimental ale factorului de ondulaţie ?
2. De ce se deplaseazǎ pe verticalǎ imaginea de pe ecranul osciloscopului ce
vizualizeazǎ tensiunea redresatǎ la trecerea acestuia din poziţia c.c în poziţia
c.a ?
3. De ce nu este permisǎ vizualizarea concomitentǎ a tensiunilor u1 şi u2 ?
4. Se poate efectua lucrarea dacǎ osciloscopul nu ar dispune de douǎ intrǎri, Y1 şi
Y2 ?

3.9.2. Dioda stabilizatoare (ZENER)

1. Noţiuni teoretice
O diodǎ semiconductoare suportǎ o anumitǎ tensiune inversǎ maximǎ, care,
depǎşitǎ, duce la distrugerea joncţiunii. Dioda stabilizatoare prezintǎ un fenomen
de strǎpungere nedistructivǎ, caracterizatǎ prin creşterea puternicǎ a curentului
invers, la o valoare aproape constantǎ a tensiunii inverse pe joncţiune, fenomen
determinat în esenţǎ de douǎ efecte: efectul Zener şi multiplicarea în avalanşǎ a
purtǎtorilor de sarcinǎ electricǎ.
Efectul Zener se produce la tensiuni inverse între 2,7 V şi 5 V când, datoritǎ
dopǎrii puternice a zonelor n şi p bariera de potenţial este redusǎ, fiind posibilǎ
trecerea purtǎtorilor prin joncţiune. În cazul unei dopǎri mai reduse se produce
celǎlalt efect iar tensiunea de strǎpungere este peste 7 V. În acest caz, electronii
sunt puternic acceleraţi în câmpul electric intens din joncţiune şi ciocnirile lor cu
atomii din reţea duc la formarea altor perechi electron-gol, prin repetarea acestui
proces obţinându-se multiplicarea în avalanşǎ a purtǎtorilor.
O diodǎ stabilizatoare (Zener) este folositǎ în aplicaţii polarizatǎ invers în
regiunea de strǎpungere. Caracteristica diodei în aceastǎ regiune este reprezentatǎ
în figura 3.20.

Se observǎ cǎ, pentru un domeniu larg de valori ale curentului prin diodǎ,
tensiunea rǎmâne practic constantǎ, VZ. În fapt, se observǎ o uşoarǎ creştere a
tensiunii odatǎ cu creşterea curentului, rezistenţa dinamicǎ a diodei, r
u
Z 
i
având valori mici (1÷20 ). Tensiunea VZ poate avea valori între câţiva volţi pânǎ
la câteva sute de volţi, valoarea exactǎ fiind determinatǎ de tehnologia de
construcţie a diodei.

În aplicaţiile practice, curentul invers prin dioda Zener nu trebuie sǎ

depǎşeascǎ o valoare maximǎ, caracteristicǎ diodei respective.
 Pentru uşurinţa studiului teoretic, este util modelul liniar al diodei, în care
caracteristica este aproximatǎ conform figurii 3.21.a, schema echivalentǎ fiind
prezentatǎ în figura 3.21.b.
Principala aplicaţie a diodei Zener este stabilizatorul de tensiune, care
asigurǎ o tensiune de sarcinǎ constantǎ în condiţia variaţiei între anumite limite a
tensiunii de intrare şi curentului de sarcinǎ.
Schema unui stabilizator simplu este cea din figura 3.22.a:

Pentru ca us sǎ fie practic egal cu uz este necesarǎ dimensionarea corectǎ a

valorii R. Considerând modelul liniar al diodei, putem scrie:
u  ug u  U  i r  u  U  i r
R z z z z z z
 
i iz  is U i r
i z z R sz z

sau
R u  U z  i z rz (3. 41)
Uz  rz ⎞
 is  1  
Rs ⎝ Rs ⎠
Ecuaţia dreptei de sarcinǎ este:
U
i   u R  Rs (3. 42)
z z R  Rs
R
Cum u, iz şi Rs variazǎ între anumite limite, valoarea lui R se va calcula
utilizând valorile medii ale celor trei mǎrimi sau se vor calcula limitele intervalului
de valori ale lui R. Limitele lui i z sunt impuse de tipul diodei (I z min - valoarea
minimǎ a curentului la care se produce strǎpungerea, Iz max - valoarea maximǎ a
curentului invers), iar ale lui u şi Rs de aplicaţia practicǎ în care se foloseşte dioda.
Stabilizatorul de tensiune este caracterizat de doi parametri: factorul de
stabilizare şi rezistenUa la ieşire.
Variaţia tensiunii pe dioda Zener poate fi produsǎ de modificarea tensiunii de
intrare, u şi a curentului de sarcinǎ, is.
Putem scrie:
 uz  U
u = R(iz + is) + uz  i z  r
zz

de unde,
uz  u 
rz R  rz  R
 is  Uz R  r
R R  rz z

rz
Ultimul termen fiind constant (Uz = ct), rezultǎ:
uz rz R  rz
 u  is (3. 43)
 R R  rz

rz
Definim:
- factorul de stabilizare:
u
s  u
uz R  rz (3. 44)
us 
is ct rz

is ct
- rezistenUa de ieşire:
u
re  s
is uz R  rz (3. 45)
  i  Rr
uct s uct z
Se vede cǎ:
u
us   i 
 (3. 46)
s
uz s re
Pentru ca stabilizatorul sǎ fie eficient trebuie ca s sǎ fie cât mai mare, iar re
cât mai micǎ.
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Lucrarea are ca scop studiul diodei Zener (vizualizarea caracteristicii diodei
Zener la osciloscop) şi studiul experimental al stabilizatorului cu diodǎ Zener.
Se utilizeazǎ urmǎtoarele materiale:
- macheta ce are montate pe ea elementele necesare experimentelor (figura
3.23):
Se mai folosesc:
- osciloscop;
- transformator 220V/20V;
- fire de legǎturǎ.
 3.Mod de lucru
- se realizeazǎ cu macheta din figura 3.23 montajul pentru vizualizarea
caracteristicii diodei Zener (figura 3.24);

- se vizualizeazǎ caracteristica celor trei diode de pe machetǎ;

- se determinǎ Uz pentru fiecare din cele trei diode Zener;
- se realizeazǎ cu macheta montajul din figura 3.25;

- se vizualizeazǎ la osciloscop tensiunea u pe intrarea c.c. Pe intrarea c.a. se

determinǎ valorile Umax şi Umin şi se calculeazǎ u;
- se vizualizeazǎ pe intrarea c.c. us iar pe c.a. se determinǎ us. Se comparǎ us
cu valoarea calculatǎ, ştiind cǎ rz = 4 ;
- se calculeazǎ s experimental şi se comparǎ cu cel teoretic;
- se calculeazǎ iz, cunoscând Uz.
4. Întrebǎri
1. Dacǎ în montajul experimental din figura 5.4 se înlocuieşte condensatorul de
filtraj de 100 F cu unul cu capacitatea de 20 F, se constatǎ cǎ us nu mai este
stabilizatǎ. De ce ? Sǎ se calculeze limitele de variaţie ale lui Is.
2. În condiţiile întrebǎrii 1, înlocuind Rs = 510  cu un rezistor cu rezistenţa de 3
k, tensiunea us este din nou stabilizatǎ. De ce ?
CAPITOLUL IV

4. TRANZISTORUL BIPOLAR
4.1. ConstrucEie; principiu de funcEionare

Tranzistorul bipolar (numit astfel deoarece, la procesele ce au loc participǎ

ambele tipuri de purtǎtori) este construit dintr-un monocristal semiconductor,
împǎrţit în trei zone, al cǎror tip de conducţie alterneazǎ, formându-se, astfel, douǎ
joncţiuni p-n. Este evident cǎ existǎ douǎ variante constructive, p-n-p şi n-p-n, aşa
cum se aratǎ şi în figura 4.1, în care se prezintǎ şi simbolul folosit în schemele
electronice pentru acest dispozitiv.

Zona centralǎ se numeşte bazǎ, cele laterale emitor şi, respectiv, colector.
Pentru funcţionarea corectǎ şi apariţia efectului de tranzistor, baza trebuie sǎ aibǎ o
grosime foarte micǎ, iar emitorul trebuie sǎ fie mult mai puternic dopat decât
colectorul.
 Diagrama benzilor de energie şi structura joncţiunilor într-un tranzistor p-n-
p1 sunt prezentate în figura 4.2.a, respectiv 4.2.b.
Montarea tranzistoarelor în circuite poate fi fǎcutǎ în trei feluri diferite,
numite: conexiune cu baza comunǎ, cu emitor comun şi respectiv cu colectorul
comun, dupǎ cum unul din cei trei electrozi este comun circuitelor de intrare şi
ieşire (figura 4.3).

Sǎ considerǎm configuraţia cu bazǎ comunǎ, din figura 4.3.a, pentru un

tranzistor p-n-p; joncţiunea E-B fiind polarizatǎ direct, are loc injectarea golurilor
din emitor în bazǎ, acestea difuzând mai departe, spre colector. În condiţia în care
grosimea bazei este micǎ ( 510-6 m), cu excepţia unui mic numǎr de goluri care
se recombinǎ în bazǎ, celelalte vor trece în colector. Mai exact, pentru ca acest
lucru sǎ se producǎ este necesar ca grosimea bazei sǎ fie mai micǎ decât lungimea
de difuzie a golurilor în bazǎ.
În acest fel, deci, curentul ce apare în joncţiunea B-C este aproape egal cu cel
prin joncţiunea E-B. Cum aceasta din urmǎ este polarizatǎ direct, rezistenţa sa
fiind foarte micǎ, în timp ce joncţiunea B-C este polarizatǎ invers, rezistenţa sa
fiind foarte mare, putem spune cǎ, în condiţiile precizate, are loc un transfer,
practic fǎrǎ pierderi, al unui curent dintr-un circuit de rezistenUǎ micǎ într-unul
de rezistenUǎ mare. Acesta reprezintǎ efectul de tranzistor (de unde şi numele
dispozitivului, obţinut din combinarea a douǎ cuvinte: TRANsfer - reZISTOR).
Sǎ determinǎm acum expresiile curenţilor prin tranzistor. Pentru regiunea
bazei, din formula (1.35), în condiţiile E = 0 şi 6p/6t = 0, rezultǎ:
DB  p2  p  pB  0
2

x ı (4. 1)
B
De asemenea,
p
jp = – eDB ; jn = j – jp (4. 2)
x
unde jn, jp şi j sunt densitǎţile de curent de electroni, de goluri şi respectiv total în
bazǎ, DB coeficientul de difuzie al golurilor în bazǎ, ıB timpul de viaţǎ al golurilor

1
Fenomenele în tranzistoarele n-p-n se petrec în acelaşi mod.
în bazǎ şi pB concentraţia de goluri în bazǎ la echilibru (în lipsa injecţiei de goluri
din emitor). Dacǎ notǎm lǎrgimea bazei cu w, atunci, la limitele dinspre emitor,
respectiv colector ale acesteia, concentraţia de goluri are expresiile:
 eVEB ⎞  eVBC ⎞
p0  pB  e 1 pw   e 1 (4. 3)
kT ; kT ⎠
⎝ ⎠ ⎝
Rezolvând ecuaţia 4.1 în condiţiile la limitǎ 4.3, rezultǎ:
 x x
LB
p(x) = pB + C1 e + C2 e
LB
(4. 4)
unde
 w w
p w p0e p w p0e
LB LB

C1 = ; C2 =
w w w w
LB L L L
e e B e B e B
În aceste relaţii, LB = D B ı B este lungimea de difuzie a golurilor în bazǎ. Se
poate observa cǎ, dacǎ lǎrgimea bazei este prea mare (w >> LB), relaţia 4.4 se
 x
L
reduce la p(x) = pB + p(0) e B , expresie ce caracterizeazǎ joncţiunea E-B fǎrǎ nici
o influenţǎ din partea joncţiunii B-C, deci ca în cazul când cele douǎ joncţiuni sunt
complet separate, ceea ce aratǎ cǎ în aceastǎ situaţie efectul de tranzistor nu se mai
produce.
Concomitent cu difuzia golurilor, are loc o injectare de electroni din bazǎ în
emitor, electroni extraşi, la rândul lor, din colector. Concentraţiile acestora la
marginile bazei (condiţiile la limitǎ) sunt date de expresiile:
 eVEB ⎞  eVBC ⎞
n x E   n E  e 1 ; nx C    e 1 (4. 5)
kT ⎠ kT ⎠
⎝ ⎝
Rezolvând şi ecuaţia de continuitate pentru electroni (analoagǎ cu relaţia
4.1), rezultǎ:
n xxE

 n x e E pentru x  x E
L
n(x) = (4. 6)
E  E

 xxC
L
⎝nC  n x C e C pentru x  x C
unde nE şi nC sunt concentraţiile de electroni la echilibru în emitor, respectiv
colector, iar LE şi LC sunt lungimile de difuzie ale electronilor în emitor, respectiv
colector. Utilizând relaţia 4.2 şi echivalentul ei pentru electroni, se calculeazǎ j n şi
jp şi considerând cǎ suprafaţa transversalǎ a bazei are aria S, rezultǎ curenţii:
L w
D p e B  e LwB  eVEB eV
kTBC
1  D p  eVEB
 ⎞ e ⎞
  
1 1
B B
IE = eS kTe  eS E E  e kT (4. 7)
LB w w
L  ⎝ w
⎠

w  L  
e
LB
e B
⎝ LB
e e
LB E ⎝ ⎠

 w w
LB  eV
 eVBC

e D p  eVEB
EB
D p e e kT 1
LB
e kT 1 
B B    eS C C  e kT 1⎞
IC = eS
L  
w w 
L  
w w  w w

B L
e B  e L B  LB L L C ⎝ ⎠
⎝e e e B e B
LB  (4. 8)
Pentru a obţine un efect de tranzistor cât mai pronunţat, este necesar ca
partea de curent de goluri din joncţiunea E-B care nu circulǎ prin colector sǎ fie cât
mai micǎ. Se defineşte factorul de injecţie al emitorului:
curent de goluri în emitor 1
 (4. 9)
Lw 
 n D L e B e w
LB
curent total în emitor
1 E E B
pBD B L E w L
w
L
e B e B
Se defineşte, de asemenea, factorul de transport:
T curent de goluri ajunse la colector
1
  curent de goluri injectate în bazǎ  w w
(4. 10)
L L
e Be B
care, în condiţia w << Lb devine:
1
T  1 – w ⎞2
   (4. 11)

2 ⎝ LB ⎠
Acum putem defini factorul de amplificare în curent al tranzistorului
pentru configuraţia cu bazǎ comunǎ, ca raport dintre curentul de goluri în colector
şi curentul total în emitor:
 = T = (4. 12)
IC
IE
În figura 4.4 este reprezentat procesul formǎrii curenţilor într-un tranzistor
p–n–p, în care InE şi IpE sunt componentele electronicǎ şi respectiv de goluri ale
curentului de emitor, Ir curentul de recombinare a golurilor în bazǎ, ICB0 curentul
rezidual de colector cu emitorul în gol (cu joncţiunea E-B nepolarizatǎ), iar IE
este curentul de goluri injectate din emitor în colector.
Se poate constata cǎ:
IB = InE + Ir – ICB0 (4. 13)
şi
IE = I B + IC (4. 14)
Relaţia 4.13 este cunoscutǎ ca prima ecuaţie fundamentalǎ a tranzistorului.
De asemenea, este evidentǎ, din figura 4.4, a doua ecuaţie fundamentalǎ a
tranzistorului:
 IC = IE + ICB0 (4. 15)

În relaţia de mai sus, ICB0 este mult mai mic decât primul termen, astfel încât,
de multe ori, ea se scrie: IC  IE. Dacǎ în ecuaţia 4.14 se înlocuieşte IE din relaţia
4.13, se exprimǎ IC în funcţie de IB, rezultând:
IC =   ICB0 .
1 I
B
1
ICB0
Termenul ICE0 = reprezintǎ curentul rezidual de colector cu baza în
1
gol1, iar factorul

= (4. 16)
1
reprezintǎ factorul de amplificare în curent în conexiune emitor comun. Pentru
aceastǎ conexiune, a doua relaţie fundamentalǎ a tranzistorului se scrie sub forma:
IC = IB + ICB0 (4. 17)
De obicei,  are valori cuprinse între 0,95 şi 0,995, iar  între 30 şi 800.

4.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Analizând figura 4.3, se poate constata cǎ tranzistorul bipolar, indiferent de
modul de conexiune, poate fi reprezentat ca un cuadripol (figura 4.5), pentru care,
în general, pot fi definite trei categorii de caracteristici:
1. caracteristici de intrare, care exprimǎ variaţia curentului de intrare în
funcţie de tensiunea la intrare, Ii = f(Ui), când unul din cei doi parametri de
ieşire (Ie sau Ue) este constant.

1
Se constatǎ cǎ, în conexiune emitor comun, curentul rezidual de colector, I CE0, este mult mai mare
(de aproximativ  ori) decât curentul rezidual de colector în conexiune bazǎ comunǎ, ICB0, dar este
totuşi de douǎ-trei ordine de mǎrime mai mic decât I C, astfel încât şi el poate fi, de cele mai multe
ori, neglijat, putându-se scrie: IC = IB.
2. caracteristici de ieşire, care exprimǎ variaţia curentului de ieşire în funcţie
de tensiunea de ieşire, Ie = f(Ue), când unul din cei doi parametri de intrare (Ii
sau Ui) este constant.
3. caracteristici de transfer, care exprimǎ dependenţa curentului de ieşire în
funcţie de unul din cei doi parametri de intrare, Ie = f(Ui) sau Ie = f(Ii), pentru
o tensiune de ieşire constantǎ.
4. caracteristici de reacUie, care exprimǎ dependenţa tensiunii de intrare
în funcţie de unul din cei doi parametri de ieşire, Ui = f(Ue) sau Ui = f(Ie)
pentru un curent de intrare constant.

Sǎ considerǎm configuraţia bazǎ comunǎ (fig.4.3.a). În acest caz,

caracteristicile de ieşire sunt IC = f(UCB) la IE = ct. şi IC = f(UCB) la UEB = ct., cele de
intrare sunt IE = f(UEB) la IC = ct. şi IE = f(UEB) la UCB = ct., cele de transfer: IC
= f(UEB) la UCB = ct. şi IC = f(IE) la UCB = ct., iar cele de reacţie sunt UEB =
=f(UCB) la IE = ct. şi UEB = f(IC) la IE = ct. O parte din ele sunt reprezentate în figura
4.6.
Astfel, în figura 4.6.a este reprezentatǎ o familie de caracteristici de ieşire
IC=f(UCB) la IE = ct. Caracteristica pentru IE = 0 corespunde unui curent de colector
IC = ICB0. Se observǎ trei regiuni distincte:
a) regiunea activǎ normalǎ, pentru UCB < 0 şi UEB > 0, corespunzǎtoare
funcţionǎrii normale a tranzistorului;
b) regiunea de tǎiere, pentru UCB < 0, UEB  .0 şi IE  .0. În acest caz, ambele
joncţiuni sunt polarizate invers, ceea ce are ca urmare faptul cǎ prin
tranzistor circulǎ curenţi reziduali, de valoare foarte micǎ, el fiind practic
blocat.
c) regiunea de saturaţie1, pentru UCB > 0 şi IE >. 0, corespunzǎtoare
funcţionǎrii tranzistorului cu ambele joncţiuni polarizate direct.
Se constatǎ cǎ panta acestor curbe este practic nulǎ, acest lucru semnificând
independenţa curentului de colector de tensiunea de polarizare a joncţiunii C-B, ca
urmare a rezistenţei foarte mari a circuitului de ieşire.

1
Existǎ şi o a patra regiune, regiunea activǎ inversǎ, când joncţiunea E-B este polarizatǎ invers şi
joncţiunea C-B direct, ceea ce echivaleazǎ cu faptul cǎ emitorul şi colectorul îşi inverseazǎ rolurile.
Având însǎ în vedere diferenţele constructive dintre cei doi electrozi (emitorul mai puternic dopat,
colectorul cu o suprafaţǎ mai mare), nu este recomandatǎ utilizarea tranzistorului în acest regim.
 Analizând prin comparaţie şi figura 4.6.b, care prezintǎ familia de
caracteristici de ieşire IC = f(UCB) la UEB = ct, se vede cǎ rezistenţa circuitului de
intrare este mult mai micǎ dacǎ intrarea este în scurtcircuit(U EB = ct.) decât dacǎ ea
este în gol(IE = ct.).
În figurile 4.6.c şi 4.6.d sunt prezentate caracteristicile de intrare, IE = f(UEB)
la IC = ct. şi IE = f(UEB) la UCB = ct. Acestea sunt foarte asemǎnǎtoare şi relevǎ o
variaţie exponenţialǎ a curentului de emitor în funcţie de tensiunea de polarizare a
joncţiunii E-B, ceea ce este firesc (variaţia curentului printr-o joncţiune p-n
polarizatǎ direct este exponenţialǎ). Întrucât curbele sunt foarte apropiate, rezultǎ o
influenţǎ foarte slabǎ a tensiunii de ieşire asupra celei de intrare.
Întrucât IC practic egal cu IE, este evident cǎ IC = f(UEB) la UCB = ct. va arǎta la
fel cu IE = f(UEB) la UCB = ct., motiv pentru care nu a mai fost reprezentatǎ. Ultima
caracteristicǎ, cea din figura 4.6.e, are, de asemenea, o configuraţie foarte evidentǎ,
având în vedere cǎ este reprezentarea graficǎ a relaţiei 4.14.
În numeroase cazuri, pentru simplificare, se reprezintǎ doar caracteristicile
cele mai importante, pe un singur grafic, în felul urmǎtor: pe axa absciselor, în sens
pozitiv, se reprezintǎ tensiunea de ieşire, iar în sens negativ curentul de intrare; pe
axa ordonatelor, în sens pozitiv se reprezintǎ curentul de ieşire, iar în sens negativ
tensiunea de intrare. Vom exemplifica acest lucru în cazul configuraţiei emitor
comun (figura 4.7).
 Dupǎ cum se vede în aceastǎ figurǎ, în cadranul I este reprezentatǎ
caracteristica de ieşire, în cadranul II caracteristica de transfer în curent, în
cadranul III caracteristica de intrare, iar în cadranul IV caracteristica de reacţie în
tensiune. De remarcat cǎ panta caracteristicii de ieşire este mai mare decât cea
corespunzǎtoare în cazul conexiunii BC, ceea ce semnificǎ faptul cǎ rezistenţa de
ieşire este mai micǎ decât în cazul conexiunii BC.

4.3. Circuite echivalente statice liniarizate

Dacǎ tensiunile şi curenţii prin tranzistor sunt constanţi sau foarte lent
variabili (aşa-numitul regim static de funcţionare), studiul fenomenelor se poate
simplifica prin utilizarea unor modele statice, liniarizând caracteristicile statice.
Astfel, în cazul conexiunii B-C, putem scrie:
0
IE = U  U pentru UEB Š UD (4. 18)
 EB D pentru U U
 R EB˙ D
⎝ e

unde UD este tensiunea de deschidere a joncţiunii B-E, iar Re este dat de relaţia
aproximativǎ:
kT 1 (4. 19)
Re =
e IE
Circuitul echivalent ce se obţine pe baza relaţiilor (4.17), valabil numai
pentru regiunea activǎ, este prezentat în figura 4.8. El cuprinde în circuitul de
intrare rezistenţa Re şi o diodǎ idealǎ înseriatǎ cu un generator de tensiune U D, iar
în circuitul de ieşire un generator de curent comandat de IE.
 Pentru configuraţia cu emitor comun, se procedeazǎ de asemenea la
liniarizarea caracteristicilor de intrare dar aici intervine o altǎ rezistenţǎ. Pentru cǎ
IB = IE
, aceastǎ rezistenţǎ are valoarea:

1
kT 1
Rb = ( - 1)Re ; Rb = (4. 20)
e IB
Circuitul echivalent este valabil în regiunea activǎ şi în cea de tǎiere, fiind
prezentat în figura 4.9.

4.4. Polarizarea tranzistorului bipolar; stabilizarea

termicǎ
Funcţionarea tranzistorului, ca de altfel a oricǎrui dispozitiv semiconductor,
este afectatǎ de variaţia temperaturii la care se aflǎ acesta. Acest fapt se manifestǎ
prin modificarea unor mǎrimi, dintre care cele mai importante sunt curentul
rezidual de colector, ICB0 (ICE0), factorul de amplificare în curent, tensiunea de
deschidere, UD, a joncţiunii B-E.
 De exemplu, curentul rezidual de colector, ICB0, creşte odatǎ cu creşterea
temperaturii într-un ritm destul de rapid, practic el dublându-se la fiecare creştere
de 9 ÷ 10 grade în cazul germaniului, respectiv 5 ÷ 6 grade în cazul siliciului.
Acesta din urmǎ este totuşi preferat în construcţia tranzistoarelor, întrucât, chiar
dacǎ creşterea lui ICB0 cu temperatura este mai rapidǎ, valoarea lui la temperatura
camerei este mult mai micǎ (~ 10–9 A) faţǎ de cea pentru germaniu (~ 10–6 A).
La rândul ei, temperatura de lucru a dispozitivului se poate modifica fie
datoritǎ modificǎrii condiţiilor exterioare, ale mediului ambiant, fie datoritǎ
degajǎrii de cǎldurǎ ca urmare a efectului caloric produs la trecerea curentului
electric prin joncţiunile acestuia. Ca urmare, un parametru important din punct de
vedere practic este puterea disipatǎ maximǎ admisibilǎ, datǎ de relaţia:

Pd max Tj max  Ta
= R (4. 21)
t
unde Tjmax este temperatura maximǎ admisibilǎ a joncţiunii B-C 1, Ta temperatura
mediului ambiant şi Rt rezistenţa termicǎ, reprezentând un parametru de catalog
al tranzistorului respectiv, ce depinde de modelul constructiv al acestuia. Aceastǎ
ultimǎ mǎrime are în general valori de ordinul 1 ÷ 50 C/W pentru tranzistoarele
de putere şi 100 ÷ 500 C/W pentru tranzistoarele de micǎ putere.

Funcţionarea tranzistorului în regiunea activǎ normalǎ este determinatǎ de

aşa-numitul punct static de funcţionare (PSF), având coordonatele (IC, UCE) într-
un sistem de axe ortogonale, conform figurii 4.10. Poziţia sa este limitatǎ în acest
plan de mai multe condiţii restrictive, care determinǎ o arie cuprinsǎ între zonele
haşurate. Astfel, IC Š .ICmax, UCE Š UCEmax, iar ICUCE Š Pd max2.

1
85 C pentru germaniu, 150 ÷ 200 C pentru siliciu
2
Curba ICUCE = Pd max se numeşte hiperbolǎ de disipaţie
 În locul perechii de valori (IC, UCE), se mai pot folosi perechile (I C, UCB),
(UCB, UEB) sau (UCE, UBE). Pentru fixarea PSF în regiunea activǎ normalǎ, se pot
folosi diferite scheme de polarizare a joncţiunilor tranzistorului, dintre care, o
primǎ variantǎ este cea cu douǎ surse (figura 4.11).

Pentru stabilirea valorilor corespunzǎtoare funcţionǎrii în regiunea activǎ

normalǎ, se procedeazǎ astfel (schema din figura 4.11.a):
E  UEB E  UEB
IE = EB ; IC = IE + ICB0,  IC = EB + ICB0.
RE RE
Rezultǎ:
E  UEB
UCB = – EBC + ICRC = – EBC +  EB + RCICB0.
RE
În regiunea admisǎ, UCB < 0 (sau UBC > 0), ceea ce impune:
E BC R CI CB0 RC
R C  U EB
⎞ 
EEB >  1  
 EEB RE
RE ⎝ E
EB ⎠

Analog, se procedeazǎ şi pentru cazul schemei din figura 4.11.b.

Schemele de polarizare cu douǎ surse se dovedesc în practicǎ incomode,
motiv pentru care, pentru simplificare, se utilizeazǎ scheme cu o singurǎ sursǎ,
varianta cea mai simplǎ fiind cea din figura 4.12 (montaj emitor comun), la care
polarizarea ambelor joncţiuni se face de la aceeaşi sursǎ.
Pentru analiza circuitului, se utilizeazǎ caracteristicile statice de ieşire ale
tranzistorului (figura 4.13). Pentru schema respectivǎ, se poate scrie:
E – UCE = ICRC (4. 22)
E – UBE = IBRB (4. 23)
Aceste ecuaţii permit dimensionarea rezistenţelor RB şi RC.
 Ecuaţia 4.21 reprezintǎ dreapta de sarcinǎ, trasatǎ şi în figura 4.13,
intersecţia acesteia cu caracteristica de ieşire corespunzǎtoare unui curent I B dat
fiind punctul static de funcţionare M, de coordonate IC, UCEE.

Panta dreptei de sarcinǎ are valoarea – 1/RC. La o variaţie a lui UBE, se poate
constata din ecuaţia 4.22 cǎ are loc şi o variaţie a lui I B şi. deci, o deplasare a PSF
pe dreapta de sarcinǎ. Acelaşi lucru se petrece şi la o variaţie a temperaturii. Astfel,
din ecuaţia diodei, putem scrie:
 eUkTBE ⎞
IE = Is e 1 .
⎝ ⎠
Pe de altǎ parte, IC = IE + ICB0. De aici, rezultǎ cǎ IC depinde de ICB0, UBE şi
, toţi aceşti factori fiind, la rândul lor, dependenţi de temperaturǎ. Astfel,
 IC =  IC ICB0 IC  ⎞
 
 I CB0  T 
⎝
IC U BE
T 
 U BET
⎠
Se definesc factorii de sensibilitate la temperaturǎ ai curentului de
colector în raport cu ICB0, .UBE. şi respectiv :
S1  IC IC I
; S2   U BE ; S3  C (4. 24)
ICB0
Este evident cǎ, pentru o bunǎ stabilitate cu temperatura, cei trei factori
trebuie sǎ aibǎ valori cât mai mici. De exemplu, pentru schema din figura 4.12, S1=
 + 1, care este o valoare foarte mare, ceea ce înseamnǎ cǎ montajul are o
instabilitate pronunţatǎ la variaţii ale temperaturii, concretizatǎ în faptul cǎ, la o
variaţie datǎ a lui ICB0, variaţia lui IC este de +1 ori mai mare (tranzistorul îşi
amplificǎ propriul curent rezidual).
Pentru o stabilizare termicǎ a PSF mai eficientǎ, se utilizeazǎ una din
schemele prezentate în figurile 4.14 şi 4.15.

Pentru schema din figura 4.14, se obţine:

 R B⎞
 11 R 
S1 = ⎝ C⎠
RB (4. 25)
 1 
RC
Alegând un raport între RB şi RC cu valoarea 5 ÷ 10, valoare lui S 1 este de
aproximativ 10 ori mai micǎ decât în cazul precedent, ceea ce aratǎ o stabilitate
termicǎ mai pronunţatǎ.
 Cea mai des folositǎ schemǎ (şi cea mai eficientǎ din punct de vedere al
termostabilizǎrii PSF) este cea din figura 4.15, în care, neglijând IB faţǎ de curentul
care circulǎ prin divizorul de tensiune R1 – R2, se poate exprima potenţialul bazei
faţǎ de masǎ cu expresia: VB = ER 2
, de unde se vede cǎ acesta este practic
R1  R 2
independent de ICB0. De asemenea, S1 este dat tot de expresia 4.24, în care R B este
rezistenţa echivalentǎ legǎrii în paralel a lui R1 cu R2. Prin alegerea convenabilǎ a
acestora se poate obţine o valoare micǎ a lui S1 cât şi valoarea doritǎ a tensiunii de
polarizare a joncţiunii B-E. În situaţii deosebite, când se cere o stabilitate termicǎ
foarte mare a PSF (de exemplu în montaje care funcţioneazǎ în condiţii de variaţii
mari de temperaturǎ), se pot utiliza scheme cu compensare termicǎ, aşa cum sunt
cele din figura 4.16.

În figura 4.16.a, compensarea termicǎ a curentului I CB0 se face folosind o

diodǎ polarizatǎ invers, conectatǎ între bazǎ şi masǎ, aleasǎ astfel încât sǎ aibǎ
curentul invers egal cu ICB0 şi aceeaşi variaţie cu temperatura, ceea ce face ca orice
variaţie cu temperatura a curentului rezidual de colector sǎ fie compensatǎ prin
variaţia în sens contrar a curentului invers al diodei. Rezistenţa RE stabilizeazǎ (ca
şi în cazul figurii 4.15) PSF faţǎ de variaţia lui  şi permite polarizarea inversǎ a
diodei. Schema din figura 4.16.b foloseşte în locul diodei un termistor, care
realizeazǎ o compensare mai generalǎ, incluzând toate cauzele de instabilitate la
variaţia temperaturii.
În funcţie de aplicaţia practicǎ în care se utilizeazǎ tranzistorul, se pot întâlni
şi alte scheme (în afara celor prezentate aici) de polarizare a joncţiunilor acestuia
care sǎ asigure o stabilitate a PSF la diverşi factori perturbatori. De asemenea, este
evident cǎ analiza prezentatǎ aici pe câteva situaţii mai des întâlnite, se poate
extinde şi particulariza şi în alte cazuri.

4.5. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar;

scheme echivalente
Aşa cum s-a arǎtat în paragraful 4.2, tranzistorul bipolar poate fi echivalat, în
oricare din modurile de conexiune ale sale cu un cuadripol (vezi figura 4.5). Sǎ
considerǎm cǎ atât tensiunea şi curentul de intrare, cât şi tensiunea şi curentul de
ieşire sunt mǎrimi variabile, având amplitudini mici (de unde şi expresia semnal
mic). Aceste mǎrimi variabile, pe care le vom nota cu u1 şi i1 la intrare şi cu u2 şi i2
la ieşire, nu sunt independente ci pot fi exprimate unele faţǎ de altele prin scrierea
teoremelor lui Kirchhoff în cele douǎ circuite ale cuadripolului (circuitul de intrare
şi cel de ieşire) sub forma unor ecuaţii de gradul I care conţin patru coeficienţi care
caracterizeazǎ funcţionarea tranzistorului la semnale variabile de amplitudine
micǎ. În funcţie de mǎrimile alese ca fiind independente, se pot stabili trei categorii
de parametri mai des utilizaţi, aşa cum se poate vedea în cele ce urmeazǎ.

4.5.1. Ecuaţiile şi schema echivalentǎ cu parametrii Z

În acest caz, ca variabile independente se aleg i1 şi i2; atunci,
u1  Z11i1  Z12 i2 (4. 26)

⎝u2  21i1  Z22 i2
Z
Se constatǎ uşor cǎ parametrii Z se pot obţine din ecuaţiile 4.25, astfel:
u u u u
Z11 = 1 ; Z12 = 1 ; Z21 = 2 ; Z22 = 2
i1 i 2 i1 i1 i2 0 i 2 i1 0
i2 0
0
Se mai poate constata cǎ parametrii Z au natura unor impedanţe,
semnificaţiile acestora fiind:
 Z11 - impedanUa de intrare, cu ieşirea în gol;
 Z12 - impedanUa de reacUie, cu intrarea în gol; caracterizeazǎ
influenţa curentului de ieşire asupra tensiunii de intrare;
 Z21 - impedanUa de transfer, cu ieşirea în gol; caracterizeazǎ
influenţa curentului de intrare asupra tensiunii de ieşire;
 Z22 - impedanUa de ieşire, cu intrarea în gol;
Se poate observa cǎ, potrivit relaţiilor 4.25, la intrarea cuadripolului,
tensiunea u1 se aplicǎ pe Z11 strǎbǎtutǎ de i1 în serie cu un generator de tensiune cu
valoarea Z12.i2. La ieşire avem tensiunea u2, aplicatǎ impedanţei Z22 în serie cu un
generator de tensiune cu valoarea Z21.i1. Pe baza acestor observaţii, se poate alcǎtui
schema echivalentǎ a tranzistorului pentru parametrii Z, ca în figura 4.17.

4.5.2. Ecuaţiile şi schema echivalentǎ cu parametrii Y

Alegând ca variabile independente u1 şi u2, ecuaţiile care exprimǎ curenţii
sunt:
i1  Y11u1  Y12 u2 (4. 27)

⎝i2  Y21u1  Y22 u2
Parametrii Y se obţin astfel:
i i u u2
Y11 = 1 ; Y12 = 1 ; Y21 = 2 ; Y22 =
u1 u 0 u2 u 0
2
1
i
1 i2 0 i 2 i1 0
Natura lor este cea a inverselor unor impedanţe, adicǎ sunt admitanţe: Y
1 –1
= , [Y]SI = ohm = siemens.
Z
Semnificaţia fizicǎ a parametrilor Y este:
 Y11 - admitanUa de intrare, cu ieşirea în scurtcircuit;
 Y12 - admitanUa de reacUie, cu intrarea în scurtcircuit; caracterizeazǎ influenţa
tensiunii de ieşire asupra curentului de intrare;
 Y21 - admitanUa de transfer, cu ieşirea în scurtcircuit; caracterizeazǎ influenţa
tensiunii de intrare asupra curentului de ieşire;
 Y22 - admitanUa de ieşire, cu intrarea în scurtcircuit;
Conform relaţiilor 4.26, la intrarea schemei echivalente avem douǎ ramuri,
una conţinând o impedanţǎ corespunzǎtoare lui Y11 şi cealaltǎ un generator de
curent cu valoarea Y12.u2, iar la ieşire, de asemenea douǎ ramuri, una conţinând o
impedanţǎ corespunzǎtoare lui Y22 şi cealaltǎ un generator de curent de valoare
Y21.u1. În figura 4.18 este datǎ schema echivalentǎ a tranzistorului cu parametrii Y.
 4.5.3. Ecuaţiile şi schema echivalentǎ cu parametrii hibrizi, h
Unele dezavantaje ale sistemelor prezentate mai sus au impus adoptarea unui
al treilea, folosind parametrii hibrizi (numiţi astfel, întrucât natura lor fizicǎ nu este
aceeaşi pentru toţi), în care drept variabile independente se aleg curentul de intrare,
i1 şi tensiunea de ieşire, u2. Sistemul de ecuaţii ce exprimǎ celelalte douǎ variabile
este urmǎtorul:
u1  h11i1  h12 u2 (4. 28)

⎝i2  21i1  h22 u2
Estehevident cǎ:
u u i i
h11 = 1 ; h12 = 1 ; h21 = 2 ; h22 = 2
i1 u2 0 u2 i 0 i1 u 0 u2 i 0
1 2 1

Parametrii hibrizi nu sunt definiţi prin acelaşi tip de condiţie (de scurtcircuit
sau de gol), natura lor fiind şi ea diferitǎ. Astfel, semnificaţia lor este urmǎtoarea:
 h11 - impedanUa de intrare, cu ieşirea în scurtcircuit;
 h12 - factorul de reacUie în tensiune, cu intrarea în gol; caracterizeazǎ influenţa
tensiunii de ieşire asupra celei de intrare;
 h21 - factorul de amplificare (de transfer) în curent, cu ieşirea în scurtcircuit;
caracterizeazǎ influenţa curentului de intrare asupra celui de ieşire;
 h22 - admitanUa de ieşire, cu intrarea în gol;
Schema echivalentǎ a tranzistorului, cu parametrii hibrizi este datǎ în figura
4.19.
În toate cele trei moduri de descriere şi caracterizare a tranzistorului, cei
patru parametri (Z, Y sau h) pot fi definiţi în trei variante diferite, dupǎ tipul de
configuraţie: cu baza comunǎ, cu emitorul comun sau cu colectorul comun. Dacǎ
se cunosc parametrii de un anumit tip pentru o anumitǎ configuraţie, se pot calcula
parametrii şi pentru celelalte configuraţii. Astfel, între parametrii hibrizi definiţi
pentru conexiunea cu emitor comun, respectiv cu bazǎ comunǎ, existǎ relaţiile:
h11e = h11b 21b 1  h 21b
;h h12e = ; h 21e =
11b h 1  h 21b
1h h22 b
; h22e = h
1
2

b
1

2
1
b
 De asemenea, între aceşti parametri dinamici şi cei statici ai tranzistorului
bipolar, se pot stabili legǎturi aproximative. Astfel,
h21b  –  ; h21e  –  (4. 29)

4.5.4. Circuitul echivalent natural (Giacoletto)

Un circuit echivalent valabil într-un larg domeniu de frecvenţe şi care
reflectǎ mai bine procesele fizice din tranzistor este circuitul echivalent natural 
hibrid (Giacoletto).
Sǎ considerǎm un tranzistor p-n-p în conexiune emitor comun. Dacǎ peste
tensiunea de polarizare a joncţiunii E-B, UEB, se suprapune o tensiune variabilǎ, ueb,
tensiunea totalǎ va fi: uEB = UEB+ueb, variabilǎ şi ea. Acest fapt determinǎ variaţia
curentului de colector, IC, ca urmare a variaţiei curentului de difuzie al purtǎtorilor
minoritari prin bazǎ dar şi variaţia curentului I B, ca urmare a variaţiei curentului de
purtǎtori injectaţi din bazǎ în emitor şi a variaţiei curentului de recombinare în bazǎ
datoritǎ variaţiei numǎrului de purtǎtori în exces în zona neutrǎ a bazei. Curentul de
colector este: iC = IC + ic, în care componenta variabilǎ, ic, are expresia:
e
iC =  I C ueb = – gmueb (4. 30)
kT
Mǎrimea
e
gm = I (4. 31)
C
kT
se numeşte conductanţǎ mutualǎ sau transconductanţǎ.
Pe de altǎ parte, componenta variabilǎ a curentului din bazǎ, ib, este datǎ de:
du
ib = gube + Cd be (4. 32)
dt
în care g este conductanţa de intrare la semnal mic, datǎ de relaţia:
g
g = m (4. 33)

iar Cd este capacitatea de încǎrcare a bazei, la semnal mic (cu valori de 5 ÷ 200 pF
pentru curenţi de colector de ordinul a 1 mA)
Relaţiile 4.29 şi 4.31 permit construirea circuitului echivalent, aşa cum este
prezentat în figura 4.20.a. Ţinând cont şi de alte procese care au loc în tranzistorul
 bipolar funcţionând în regim dinamic, cum ar fi variaţia sarcinii electrice stocate în
regiunile de tranziţie ale joncţiunilor tranzistorului (se introduc capacitǎţile C bc =
C şi Cbe), cǎderea de tensiune între contactul ohmic al bazei şi centrul regiunii
active a bazei (se introduce rezistenţa rx), rezultǎ forma finalǎ a circuitului
echivalent Giacoletto, din figura 4.20.b, în care s-a notat C = Cd + Cbe.

Acest circuit este valabil pentru toate cele trei configuraţii şi, în funcţie de
domeniul de frecvenţe în care funcţioneazǎ tranzistorul, el poate fi simplificat, prin
eliminarea unor elemente care pot fi neglijate.

4.6. Tranzistorul bipolar în regim de comutaEie

Regimul de comutaţie constǎ în procesele care au loc la trecerea bruscǎ a
tranzistorului din starea de blocare în cea de conducţie şi invers. Aşa cum s-a arǎtat
anterior (§ 4.2), starea de blocare se obţine la un tranzistor când ambele joncţiuni
sunt polarizate invers, curentul de colector având o valoare foarte micǎ (ICB0), deci
practic neglijabilǎ. Starea de conducţie se alege în regiunea de saturaţie sau la
limita dintre regiunea de saturaţie şi cea activǎ normalǎ (a se vedea figura 4.10).
Întrucât, în acest caz, tensiunea dintre colector şi emitor, UCE, este de maxim câteva
zecimi de volt, practic curentul de colector este egal (pentru conexiunea emitor
comun) cu raportul dintre tensiunea de alimentare şi suma rezistenţelor de colector
şi emitor, fiind deci independent de valoarea curentului prin bazǎ.
Sǎ considerǎm un tranzistor p-n-p în conexiune emitor comun, aflat în stare
blocatǎ (figura 4.21.a). Evident, pentru aceasta, E trebuie sǎ aibǎ o valoare
pozitivǎ. Fie +E1 aceastǎ valoare. La momentul iniţial, t = 0, tensiunea E suferǎ un
salt brusc de la valoarea +E1 la o valoare negativǎ, -E2, corespunzǎtoare stǎrii de
conducţie. Curentul de bazǎ şi cel de colector suferǎ şi ei variaţii, fapt ce se petrece
şi la saltul brusc în sens invers, de la -E2 la +E1, a tensiunii E. Reprezentarea
graficǎ a acestor variaţii este cea din figura 4.21.b. Analizând variaţia în timp a
curentului de colector, se constatǎ cǎ, de la t = 0 pânǎ la t = td, acesta rǎmâne cu
valoare nulǎ, fapt datorat necesitǎţii ca primii purtǎtori injectaţi sǎ difuzeze prin
bazǎ şi sǎ ajungǎ la colector, ceea ce implicǎ o anumitǎ întârziere (inerţie).
 Intervalul de timpul necesar pentru apariţia modificǎrilor în curentul de
colector, td, numit timp de întârziere sau timp de tranzit prin difuzie, este dat de
expresia:
w2
td = (4. 34)
2D B
unde w este lǎrgimea bazei şi DB coeficientul de difuzie al purtǎtorilor minoritari
în bazǎ.
Curentul de colector începe sǎ creascǎ de la momentul td pânǎ la o valoare
maximǎ staţionarǎ, ICS, egalǎ (în cazul circuitului analizat) cu E
C
.
RC
Intervalul de timp tc = t1 – td, în care curentul de colector creşte de la zero
pânǎ la valoarea maximǎ staţionarǎ, ICS 1, se numeşte timp de creştere. Acest
interval de timp pentru atingerea curentului de colector corespunzǎtor este datorat
procesului de descǎrcare a capacitǎţii joncţiunii colector-bazǎ ca urmare a
schimbǎrii sensului de polarizare a acesteia.
Se defineşte timpul de comutare directǎ ca fiind intervalul de timp din
momentul aplicǎrii comenzii de comutare pânǎ când curentul de colector atinge
90% din valoarea maximǎ staţionarǎ, ICS. Este evidentǎ relaţia:
tcd = td + tc (4. 35)
Tranzistorul rǎmâne în starea de conducţie atât timp cât E îşi pǎstreazǎ
valoarea. Dacǎ la un moment t2 E suferǎ un salt brusc de la –E2 la +E1, curentul din

1
Mai exact, pânǎ la 0,9 (90%) din ICS, valoare la care se poate considera cǎ tranzistorul se gǎseşte în
stare de conducţie.
bazǎ suferǎ şi el un salt brusc, curentul de colector rǎmânând însǎ constant încǎ un
interval de timp, ts = t3 – t2, numit timp de stocare, necesar evacuǎrii surplusului
de sarcinǎ electricǎ stocatǎ în bazǎ. Dupǎ trecerea acestui interval de timp, curentul
de colector scade la zero1 într-un interval de timp tf = t4 – t3, numit timp de
scǎdere, necesar reîncǎrcǎrii capacitǎţii joncţiunii colector-bazǎ.
Timpul scurs de la aplicarea comenzii de comutare inversǎ pânǎ când
curentul de colector scade la 0,1 (10%) din valoarea maximǎ staţionarǎ, ICS, se
numeşte timp de comutare inversǎ:
tci = ts + tf (4. 36)
Cunoaşterea proceselor tranzitorii, ce au loc atunci când tranzistorul trece din
stare blocatǎ în stare de conducţie sau invers, are o mare importanţǎ, în mod
special pentru aplicaţiile acestuia în circuitele logice.

4.7. Alte dispozitive semiconductoare cu joncEiuni

4.7.1. Tranzistorul unijoncţiune (TUJ)
Tranzistorul unijoncţiune este un dispozitiv semiconductor alcǎtuit conform
figurii 4.22.a, dintr-o zonǎ semiconductoare de tip n (p) şi o alta, alǎturatǎ, cu tip
de conducţie diferit, p (n), la contactul dintre cele douǎ zone realizându-se singura
joncţiune a dispozitivului.

Cei trei electrozi ai acestuia sunt baza 1 (B1), baza 2 (B2) şi emitorul (E). În
figura 4.22.b. este dat simbolul tranzistorului unijoncţiune, iar în figura 4.22.c,
modul de alimentare al acestuia.
Constructiv, tranzistorul unijoncţiune se realizeazǎ utilizând, de exemplu, o
barǎ de siliciu de tip n slab dopat, joncţiunea fiind obţinutǎ prin sudarea, în zona de
mijloc a barei, a unui fir de aluminiu. Atomii acestui metal difuzeazǎ în siliciu ca

1
Mai exact, pânǎ la 10% din ICS, valoare la care se poate considera cǎ tranzistorul este deja blocat.
impuritǎţi acceptoare, formându-se, astfel, o zonǎ de tip p, la contactul dintre cele
douǎ zone apǎrând, evident, o joncţiune p-n.
Între B1 şi B2, bara semiconductoare este omogenǎ. Atât timp cât joncţiunea
p-n nu este polarizatǎ, zona dintre cele douǎ baze se comportǎ (la temperaturǎ
constantǎ) ca un rezistor liniar. Dacǎ însǎ joncţiunea este polarizatǎ cu o tensiune
Ve, se produc anumite fenomene, pe care le putem descrie mai uşor utilizând
schema echivalentǎ a tranzistorului unijoncţiune, prezentatǎ în figura 4.23.b.

Sǎ considerǎm, pentru început, cǎ Ve = Vee – REIe = 0. Bara de siliciu fiind

omogenǎ, cǎderea de tensiune (datoratǎ aplicǎrii tensiunii Vb) între baza B1
(consideratǎ legatǎ la masǎ, adicǎ la potenţial nul) şi un punct oarecare P din
interior, este proporţionalǎ cu distanţa de la acel punct la baza B 1 (datoritǎ
distribuţiei uniforme a potenţialului).
Dacǎ joncţiunea, consideratǎ punctiformǎ, se gǎseşte la mijlocul distanţei
dintre cele douǎ baze, Rb1 = Rb2 şi cǎderea de tensiune pe Rb1 este jumǎtate din Vb.
În general însǎ, joncţiunea nu se gǎseşte dispusǎ simetric faţǎ de cele douǎ baze,
astfel încât Rb1  Rb2. Cele douǎ rezistoare formeazǎ o punte divizoare de tensiune:
R b1 Vb Rb1 R
   b1 (4. 37)
R b2 Vb  Vb R b1  R Rb
b2

Mǎrimea  se numeşte raport intrinsec şi are de obicei valoarea de 0,45 ÷

0,60. Ţinând cont de acest fapt, cǎderea de tensiune pe R b1, datoratǎ aplicǎrii
tensiunii Vb între cele douǎ baze este egalǎ cu Vb.
Sǎ vedem acum ce se întâmplǎ când se aplicǎ şi o tensiune Ve, aşa cum se
aratǎ în figura 4.22.c. La valori mici ale acesteia, când Ve < Vb + Vd, unde Vd este
tensiunea de deschidere a joncţiunii, aceasta este polarizatǎ invers, prin ea trecând
deci un curent foarte slab, curentul invers de saturaţie. Când V e devine cu puţin
mai mare decât Vb + Vd, joncţiunea este polarizatǎ direct, ceea ce determinǎ un
curent direct, de valoare mare (crescǎtoare odatǎ cu tensiunea de polarizare directǎ
a joncţiunii). Acest lucru determinǎ o injecţie de goluri în barǎ, în zona dintre
emitor şi B1, fapt ce duce la scǎderea rezistenţei R1, ceea ce determinǎ şi scǎderea
tensiunii Vb şi creşterea, în consecinţǎ, a tensiunii de polarizare a joncţiunii (fǎrǎ
sǎ fie nevoie, pentru aceasta, sǎ creascǎ şi V e), ceea ce duce la creşterea şi mai
mare a curentului Ie şi la o injecţie mai puternicǎ de goluri în barǎ, şi aşa mai
departe. Putem sublinia acest fapt dacǎ scriem:
Ve(descrescǎtoare) = Vee(constantǎ) – REIe(crescǎtoare).
Aceastǎ creştere a curentului Ie, concomitent cu scǎderea tensiunii de emitor
determinǎ o rezistenţǎ dinamicǎ negativǎ de intrare a dispozitivului, aşa cum
rezultǎ şi din figura 4.23.a, în care este reprezentatǎ caracteristica de intrare a
tranzistorului unijoncţiune. Analizând aceastǎ caracteristicǎ, se constatǎ
urmǎtoarele: crescând uşor tensiunea Ve (curentul Ie fiind foarte mic), aceasta
trece printr-un maxim, numit tensiune de pic, Vp, apoi scade pânǎ la o valoare
numitǎ tensiune de vale, Vv, între aceste douǎ valori curentul Ie crescând rapid.
Dacǎ, de la valoarea Vv se creşte din nou tensiunea V e, curentul Ie creşte în
continuare şi el, trecându-se în regiunea de saturaţie. Este evident faptul cǎ, între
pic şi vale, rezistenţa dinamicǎ de intrare a tranzistorului unijoncţiune este
negativǎ.
Practic, Vp  Vb + Vd., iar în vecinǎtatea punctului de vale Vee  REIe, ceea
ce înseamnǎ cǎ Ie este limitat numai de RE.
Tranzistorul unijoncţiune este folosit în mai multe aplicaţii, cum sunt releele
de timp, circuite pentru comanda tiristoarelor precum şi oscilatoare de relaxare,
schema unui astfel de circuit, precum şi forma semnalelor generate fiind prezentate
în figura 4.24.

Funcţionarea oscilatorului de relaxare are loc astfel: dacǎ iniţial

condensatorul C este descǎrcat, el se încarcǎ cu o constantǎ de timp ı1 = RC (R =
100 ÷ 200 ), atât timp cât joncţiunea TUJ este blocatǎ. În momentul când
tensiunea uc la bornele condensatorului atinge valoarea Vp, joncţiunea se deschide,
curentul ie creşte rapid şi condensatorul C se descarcǎ rapid prin R b1 şi R1 (cu
constanta de timp ı2 = (Rb1 + R1)C).
Tensiunea uc descreşte, de asemenea rapid, pânǎ la valoarea Vv. În acest
moment, joncţiunea este din nou blocatǎ, condensatorul începând din nou sǎ se
încarce, fenomenele repetându-se periodic. Tensiunea de ieşire, us, la bornele
rezistorului R1, este o tensiune în impulsuri, cu o perioadǎ datǎ de:
 Vb  Vv
T = RCln
Vb  Vp (4. 38)
Considerând Vv  0 şi Vp  Vb/2, rezultǎ T  0,7RC.

4.7.2. Tiristorul
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor având o structurǎ p-n-p-n, aşa
cum este prezentatǎ în figura 4.25a, în figura 4.25.b fiind dat simbolul utilizat
pentru acest dispozitiv.

Dupǎ cum se constatǎ, structura cu conducţie alternantǎ dispune de trei

electrozi, numiţi anod - A, catod - K şi poartǎ - P. acesta din urmǎ fiind un
electron de comandǎ, care poate lipsi, caz în care dispozitivul se numeşte diodǎ
Shockley. Cele patru straturi semiconductoare cu conducţie alternantǎ au
urmǎtoarele caracteristici:
 stratul anod, A, din semiconductor de tip p, cu grosime şi dopare medii;
 stratul de blocare, C, din semiconductor de tip n, de grosime micǎ şi dopare
slabǎ;
 stratul poartǎ, P, din semiconductor de tip p, de grosime micǎ şi cu dopare
medie;
 stratul catod, K, din semiconductor de tip n, subţire şi cu dopare puternicǎ.
Trecând de la anod spre catod, întâlnim 3 joncţiuni, p-n, n-p şi p-n, pe care,
pentru identificare, le vom nota JAC, JCP şi respectiv JPK. Într-o primǎ aproximaţie,
din punct de vedere al conducţiei, tiristorul poate fi echivalat cu trei diode legate în
serie, dintre care cea din mijloc are sens de conducţie invers faţǎ de celelalte.
 Sǎ urmǎrim figura 4.26.a. Dacǎ anodul este la un potenţial mai mare decât
cel al catodului, adicǎ uA > 0, se spune cǎ tiristorul este polarizat direct. Dacǎ, în
aceastǎ condiţie, uP = 0, joncţiunea JAC este în stare de conducţie dar JCP este
blocatǎ. Aplicând o tensiune directǎ uA moderatǎ (câteva sute de volţi), curentul iA
rǎmâne foarte scǎzut. (sub 1 A), el reprezentând curentul invers al joncţiunii JCP.
Tiristorul rǎmâne deci în stare blocatǎ, rezistenţa lui între anod şi catod
având valori de cel puţin 100 M. Dacǎ tensiunea directǎ creşte, la o anumitǎ
valoare criticǎ, Uam joncţiunea se deschide, cǎderea de tensiune pe tiristor scǎzând
drastic (la valoarea de aproximativ 1 V), rezistenţa acestuia fiind şi ea de numai
câteva sutimi de ohm. Se spune cǎ tiristorul s-a amorsat, tensiunea Uam la care se
produce acest lucru fiind tensiunea de amorsare la un curent iP = 0. Dupǎ
amorsare curentul iA nu mai este limitat decât de rezistenţa circuitului exterior.
Dacǎ se micşoreazǎ tensiunea directǎ aplicatǎ, uA, tiristorul rǎmâne amorsat atât
timp cât curentul iA se menţine peste o valoare limitǎ, care este curentul de
menţinere, Im, cu o valoare de ordinul a câteva zeci de mA. Sub aceastǎ valoare
limitǎ, tiristorul se dezamorseazǎ şi trece în stare blocatǎ, pentru reamorsare fiind
necesarǎ aplicarea unei tensiuni cel puţin egalǎ cu valoarea de amorsare.
La aplicarea unei tensiuni inverse, uA < 0, joncţiunile JAC şi JPK fiind
polarizate invers, curentul invers prin tiristor este foarte mic, (sub 1 A), el fiind
de fapt egal cu curentul invers al joncţiunii JAC. Crescând tensiunea inversǎ, la o
anumitǎ valoare, Us, se produce strǎpungerea tiristorului, aceastǎ valoare fiind de
fapt determinatǎ de condiţia ca partea din ea ce reprezintǎ cǎderea de tensiune pe
joncţiunea polarizatǎ invers care are tensiunea de strǎpungere mai mare sǎ fie egalǎ
cu aceasta.
În concluzie, la polarizare directǎ, tiristorul prezintǎ douǎ stǎri stabile: starea
blocatǎ, când tiristorul se comportǎ ca un întrerupǎtor deschis şi starea de
conducţie (sau amorsatǎ), când tiristorul echivaleazǎ cu un întrerupǎtor închis.
Trecerea de la starea blocatǎ la cea de conducţie se numeşte, aşa cum am precizat,
amorsare. Caracteristica iA - uA este prezentatǎ în figura 4.26.b.
Sǎ considerǎm acum cǎ pe un tiristor este aplicatǎ o tensiune directǎ, mai
micǎ decât tensiunea de amorsare, Uam. tiristorul fiind deci blocat. Dacǎ se aplicǎ şi
o tensiune uP pozitivǎ (poarta la un potenţial mai mare decât catodul, vezi figura
4.26.a), care asigurǎ un curent iP, se constatǎ cǎ amorsarea se produce dacǎ acest
curent are o anumitǎ valoare minimǎ. La iP > 0 (cu valori de zeci de mA),
caracteristica iA – uA are acelaşi aspect calitativ ca în cazul când iP = 0, dar
tensiunea de amorsare are o valoare mai micǎ. Cu cât curentul iP este mai mare, cu
atât tensiunea de amorsare este mai scǎzutǎ. Dacǎ, dupǎ amorsare curentul iP se
anuleazǎ, tiristorul rǎmâne amorsat atât timp cât curentul iA este mai mare decât Im.
În concluzie, aplicând pe un tiristor tensiuni de valori normale de funcţionare, la
polarizare inversǎ el rǎmâne blocat, pe când la polarizare directǎ el se poate
amorsa, trecând în stare de conducţie, în condiţiile prezentate mai sus. Amorsarea
tiristorului se poate face prin aplicarea unei tensiuni pe poartǎ, care sǎ asigure un
curent minim iP, ceea ce semnificǎ faptul cǎ trecerea din stare de
blocare în stare de conducţie a acestui dispozitiv se poate comanda prin
intermediul porţii, care este electrodul de comandǎ al tiristorului.
Explicarea fenomenelor care au loc este urmǎtoarea: la iP = 0, la polarizare
directǎ, joncţiunile JAC şi JPK fiind polarizate direct, deci deschise, practic întreaga
tensiune uA aplicatǎ pe tiristor este aplicatǎ între stratul de blocaj şi cel al porţii.
Aceasta produce în joncţiunea JCP un câmp electric intens care accelereazǎ putǎtorii
minoritari (electronii) din stratul porţii, aceastǎ accelerare fiind suficientǎ (când u A
= Uam) pentru ca ea sǎ determine strǎpungerea joncţiunii JCP, cu scǎderea bruscǎ a
cǎderii de tensiune pe aceasta şi creşterea concomitentǎ a curentului iA, ceea ce
determinǎ amorsarea tiristorului. Dacǎ se suprimǎ tensiunea de polarizare directǎ,
recombinarea electronilor generaţi la strǎpungere cu ionii pozitivi ai reţelei
determinǎ anularea curentului prin tiristor şi reconstituirea joncţiunii J CP. În cazul
în care, pe lângǎ tensiunea de polarizare directǎ, uA, se aplicǎ şi o tensiune
pozitivǎ, uP, pe poartǎ, curentul de poartǎ (care mai este numit curent de
comandǎ), iP, determinǎ trecerea electronilor din stratul catodului în stratul porţii
şi, întrucât aceasta este subţire, majoritatea acestor electroni sunt injectaţi mai
departe, în stratul de blocaj, sub acţiunea câmpului electric produs în joncţiunea
JCP de cǎtre tensiunea de polarizare directǎ, uA. Aceşti electroni fiind în numǎr mai
mare decât în lipsa curentului iP, este evident cǎ fenomenele de strǎpungere a
joncţiunii JCP şi amorsarea tiristorului se vor produce mai uşor, la o tensiune de
amorsare mai micǎ. Creşterea lui iP determinǎ creşterea numǎrului de electroni şi
amorsarea se va produce la un câmp şi o tensiune de amorsare cu valoarea şi mai
micǎ, creşterea numǎrului de electroni compensând scǎderea energiei lor
individuale, cǎpǎtate prin accelerare.
O explicaţie mai riguroasǎ a fenomenelor poate fi datǎ dacǎ se echivaleazǎ
structura tiristorului cu cea a douǎ tranzistoare, dupǎ cum se poate vedea în figura
4.27.

Sǎ considerǎm cǎ facem o secţionare arbitrarǎ printr-un tiristor, ca în figura

4.27.a, astfel încât se formeazǎ douǎ structuri de tip p-n-p (dreapta-sus), respectiv
n-p-n (stânga-jos), care pot fi asimilate cu doi tranzistori, aşa cum se poate vedea
în figurile 4.27.b şi 4.27.c.
Dacǎ pe tiristor se aplicǎ o tensiune u A, adicǎ între emitorul primului
tranzistor (T1) şi emitorul celui de-al doilea tranzistor (T2), joncţiunea centralǎ, JCP
este strǎbǎtutǎ de trei curenţi: un curent de goluri injectate din emitorul
tranzistorului T1 în colectorul acestuia, IC1, un curent de electroni, injectat de
emitorul tranzistorului T2 în colectorul acestuia, IC2 şi curentul invers propriu
joncţiunii JCP, polarizatǎ invers, Iso. Acesta poate fi considerat ca fiind suma dintre
curenţii inverşi de colector ai celor douǎ tranzistoare, adicǎ:
Iso = IC01 + IC02
Putem scrie, de asemenea, relaţiile:
IE1 = IA ; IK = IE2 ; IK = IA + IP
Atunci, curentul total prin joncţiunea JCP, egal cu curentul IA, este date de:
IA = 1IE1 + 2IE2 + Iso,
unde 1 şi 2 sunt factorii de amplificare în curent ai celor douǎ tranzistoare. Din
relaţia de mai sus, rezultǎ:
2 I p 2 Ip  IC01  IC02
II =  (4. 39)
s0
A
1 1   2 1 1   2 

Relaţia 4.38 explicǎ comportarea tiristorului şi forma caracteristicii acestuia.
Amorsarea se produce când IA  œ, adicǎ atunci când numitorul expresiei 4.38
tinde spre zero, deci când  = 1 + 2  1. Dacǎ 1 + 2 < 1 tiristorul este blocat,
iar dacǎ 1 + 2 > 1 tiristorul este în stare de conducţie. Aceste condiţii pot fi
îndeplinite la anumite valori ale tensiunii aplicate între anod şi catod, întrucât 1 şi
2 sunt mǎrimi caracteristice funcţionǎrii celor douǎ tranzistoare în regim dinamic
(diferiţi de factorii statici de amplificare în curent continuu) şi fiind deci
dependente de curentul prin tiristor.
Influenţa tensiunii aplicate pe poartǎ şi deci a curentului i P asupra tensiunii
de amorsare se poate vedea dacǎ, din relaţia 4.39, prin derivare, se scrie:
dia  

dip 1 1  2
În condiţia de amorsare, 1 + 2  1, o creştere micǎ a lui i P determinǎ o
creştere infinitǎ a lui iA.
Fǎrǎ a intra în detalii, este evident din comportarea tiristorului, cǎ acesta
poate fi folosit drept comutator electronic comandat dar şi în alte domenii, cum
este cazul redresoarelor comandate şi al controlului vitezei de rotaţie a unui motor
de curent continuu sau alternativ.

4.7.3. Triacul şi diacul

Problema practicǎ ce poate sǎ aparǎ în anumite cazuri este aceea de a
dispune de un comutator electronic comandat care sǎ permitǎ conducţia în ambele
sensuri, ceea ce, evident nu este cazul tiristorului. Aceastǎ problemǎ poate fi
rezolvatǎ prin utilizarea unui dispozitiv a cǎrui construcţie rezultǎ din cele ce
urmeazǎ. Aşa cum am vǎzut în paragraful anterior, tiristorul este o structurǎ p-n-p-
n, care poate fi comandatǎ pentru a trece din stare blocatǎ în stare de conducţie
(unilateralǎ) prin intermediul unui curent slab aplicat pe poarta dispozitivului. În
afarǎ de modul de construcţie al tiristorului prezentat în paragraful de mai sus, care
este un tiristor P, acesta se poate construi şi în varianta tiristor N, care diferǎ de
prima prin faptul cǎ poarta este fixatǎ pe stratul interior n, vecin cu anodul. În acest
caz, tiristorul poate fi comandat printr-un curent de poartǎ, iP, negativ, funcţionarea
dispozitivului explicându-se în mod analog cu cea din cazul prezentat anterior.
Asociind doi tiristori, unul de tip P, celǎlalt de tip N, se poate obţine o structurǎ
semiconductoare numitǎ triac1, aşa cum se aratǎ în figura 4.28, în care se prezintǎ
şi simbolul dispozitivului.

În figura 4.28.b este prezentatǎ structura unui triac, în care se vede cǎ mai
apare o zonǎ n, difuzatǎ în zona p ce constituie electrodul 2 (E2), necesarǎ pentru
ca cele douǎ porţi ale celor douǎ tiristoare de la care s-a pornit sǎ constituie un
singur electrod. În acest fel, prin schimbarea poziţiei porţii tiristorului din dreapta,
prin poartǎ pot fi injectaţi atât electroni, prin partea din dreapta, cât şi goluri, prin
partea din stânga, injecţie ce poate determina trecerea în stare de conducţie a
triacului într-un sens sau în altul. Caracteristica I – V a triacului este o
caracteristicǎ simetricǎ, având în cadranul I exact aspectul caracteristicii unui
tiristor, formǎ ce se repetǎ, evident cu schimbarea sensurilor, şi în cadranul III.
Rezultǎ cǎ un triac se comportǎ exact ca un tiristor, cu singura deosebire cǎ aceastǎ
comportare este valabilǎ în ambele sensuri ale curentului. Rezultǎ deci cǎ triacul
are proprietatea de conducţie bidirecţionalǎ şi poate fi comandat sǎ treacǎ în stare
de conducţie (amorsat) printr-o tensiune de comandǎ aplicatǎ pe poartǎ. Comanda

1
de la expresia TRIode Alternative Current (în limba englezǎ)
se poate aplica în patru moduri: normale, când impulsul de comandǎ este pozitiv
dacǎ electrodul vecin porţii este polarizat negativ sau când impulsul de comandǎ
este negativ dacǎ electrodul vecin porţii este polarizat pozitiv şi, respectiv inverse,
în cazul când impulsul de comandǎ este pozitiv, ca şi polarizarea electrodului vecin
porţii sau când impulsul de comandǎ este negativ, ca şi polarizarea electrodului
vecin porţii.
Cele mai importante aplicaţii ale triacului sunt cele de reglare a intensitǎţii
efective a unui curent alternativ şi în comanda reversibilǎ a motoarelor electrice.
În cazul în care poarta lipseşte, amorsarea fǎcându-se numai prin creşterea
tensiunii U aplicate între electrozii E1 şi E2, se obţine un alt dispozitiv, numit diac1,
folosit în mod special la comanda tiristoarelor şi a triacelor.

4.8. AplicaEii
4.8.1. Tranzistorul bipolar. Caracteristici statice
1. Noţiuni teoretice
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic alcǎtuit dintr-o structurǎ
alternantǎ de semiconductor cu tip de conducţie diferit (npn – figura 4.29.a sau
pnp – figura 4.29.b), formând douǎ joncţiuni.

Cele trei zone se numesc emitor (E), bazǎ (B) şi colector (C). Placheta de
semiconductor pe care se realizeazǎ tranzistorul este introdusǎ într-o capsulǎ care
poate avea diferite forme (în prezent majoritatea firmelor au standardizat aceste
capsule) din care ies cele trei terminale, E, B şi C.
Constructiv, baza are o grosime mult mai micǎ (~ 1m) decât lungimea de
difuzie a purtǎtorilor prin joncţiune şi este mai slab dopatǎ decât emitorul. Acesta,
ca şi colectorul au grosimi mult mai mari decât lungimea de difuzie.
Pentru o funcţionare corectǎ, cele douǎ joncţiuni se polarizeazǎ astfel:
joncţiunea E-B direct, joncţiunea C-B invers. Notaţiile uzuale sunt cele din figura
4.30.

1
de la expresia DIode Alternative Current (în limba englezǎ)
 UCE = VC – VE = – UEC
UCB = VC – VB = – UBC
UBE = VB – VE = – UEB
Conform precizǎrii anterioare, când UBE > 0 şi UBC < 0, tranzistorul lucreazǎ
în regiunea activǎ, când se produce efectul de tranzistor: purtǎtorii majoritari din
emitor, injectaţi în bazǎ trec în colector (prin joncţiunea B-C se comportǎ ca
purtǎtori majoritari) formând curentul de colector.
IE = I C + IB (4. 40)
Definim factorul de amplificare în curent în montaj emitor comun, în mod
obişnuit cu valori de 10 ÷ 1000:
I
 C (4. 41)
IB
Circuitul de colector se comportǎ ca un generator de curent, dependent de
curentul IB.
Înlocuind în relaţia 4.39 IC = IB, putem scrie:
IC  
  (4. 42)
 I I
E E
1
Unde

 (4. 43)
1
cu valori de ordinul 0,98 ÷ 0,998, se numeşte factor de amplificare în curent în
montaj bazǎ comunǎ.
Ca urmare, în practicǎ se considerǎ cǎ IC  IE .
Se poate obţine astfel, modelul static pentru un tranzistor în regiunea activǎ
(figura 4.31). Modelul prezentat în figura 4.31 este pentru un tranzistor npn.
Pentru tranzistoarele pnp trebuie inversate sensurile curenţilor şi al diodei.
 Tranzistorul poate fi utilizat într-un montaj astfel încât unul din electrozi este
comun circuitelor de intrare şi ieşire, rezultând în acest mod cele trei configuraţii:
emitor (EC), bazǎ comunǎ (BC), sau colector comun (C.C.) (figura 4.32).

Conexiunea E.C. este cea mai des întâlnitǎ şi modelul static de mai sus este
pentru aceastǎ conexiune.
Caracteristicile statice pentru conexiunea E.C. exprimǎ IC în funcţie de UCE
pentru un curent IB constant.
Pe aceste caracteristici, se observǎ trei zone: la valori mici ale lui U CE (< 0,2
V), IC creşte rapid cu creşterea lui UCE (regiunea de saturaţie); la UCE mari (~ 45
V) apare o creştere bruscǎ a lui IC (regiunea de strǎpungere în avalanşǎ); între
aceste zone existǎ zona activǎ, unde se observǎ o uşoarǎ creştere a lui I C la
creşterea lui UCE.
Sǎ analizǎm urmǎtorul circuit (figura 4.33.a). Se observǎ cǎ:
EC = ICRC + UCE (4. 44)
ceea ce reprezintǎ ecuaUia dreptei de sarcinǎ.
Punctul static de funcţionare (PSF) se aflǎ la intersecţia dreptei de sarcinǎ
cu caracteristica corespunzǎtoare unui curent de bazǎ IB dat .
E U
I B  B R B BE (4. 45)
Se poate constata cǎ, la o modificare a lui IB, PSF se deplaseazǎ şi el. Se
defineşte panta dreptei de sarcinǎ:
IC   1
(4. 46)
UCE RC
 2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Scopul lucrǎrii este trasarea caracteristicilor statistice de ieşire în
conexiunea E.C. pentru un tranzistor de micǎ putere. În acest scop se foloseşte o
machetǎ (figura 4.34). Mai sunt necesare:
- douǎ surse de tensiune c.c., cu tensiunea reglabilǎ în gama 0 ÷ 20 V;
- un microampermetru;
- un voltmetru.

3. Mod de lucru
- se realizeazǎ montajul de lucru, prin cuplarea sursei EB între bornele A-
B, a sursei EC între bornele G-H, a unui microampermetru între bornele
C-D şi a unui voltmetru între bornele E-F.
- se fixeazǎ un curent IB = 10A ; pentru aceasta, se calculeazǎ tensiunea
EB necesarǎ cu relaţia (4.45), în care UBE  UBE0 = 0,6 V, se fixeazǎ
aceastǎ valoare, dupǎ care se ajusteazǎ pentru obţinerea curentului IB
exact la valoarea doritǎ;
- se aplicǎ tensiuni EC cu valorile: 0,2 V; 0,4 V; 0,6 V; 0,8 V; 1V; 2V;
3V; 4V; 5V; 6V; 12V;
- se mǎsoarǎ UCE pentru fiecare valoare a lui EC;
- se calculeazǎ IC pentru fiecare valoare a lui UCE cu formula (4.44);
- se repetǎ mǎsurǎtorile pentru un curent IB = 20 A;
- se reprezintǎ grafic cele douǎ caracteristici şi dreapta de sarcinǎ pentru
EC = 7 V;
- se determinǎ grafic PSF pentru cei doi curenţi IB;
- se determinǎ IC şi UCE dintre cele douǎ PSF şi se verificǎ relaţia
(4.46);
- se determinǎ  pentru cele douǎ PSF.
4. Întrebǎri
1. Depinde  determinat de PSF ?
2. Dacǎ generatorul de curent din modelul static ar fi ideal (rezistenţǎ internǎ
infinitǎ) ar rezulta o pantǎ nulǎ a caracteristicii: IC
 0 . Ce se constatǎ
UCE
practic ? Ce semnificaţie are acest fapt ?
 4.8.2. Tranzistorul bipolar. Parametrii hibrizi
1. Noţiuni teoretice
Cel mai des întâlnit caz în aplicaţiile practice în funcţionarea tranzistorului
este cel în regim dinamic, cu semnal aplicat la intrare, de amplitudine micǎ. În
acest caz, toate caracteristicile dinamice ale tranzistorului pot fi considerate liniare,
acesta putând fi înlocuit cu un circuit echivalent format numai din elemente liniare.
La frecvenţe suficient de joase se pot neglija capacitǎţile interne ale tranzistorului
şi inerţia de deplasare a purtǎtorilor, caz în care se obţine regimul de funcţionare în
curent alternativ cu semnal de joasǎ frecvenţǎ şi de amplitudine micǎ.
Conform celor trei configuraţii de conexiune a tranzistorului, acesta poate fi
asimilat cu un cuadripol (figura 4.35).

Mǎrimile u1, i1, u2, i2, se pot scrie sub forma unor relaţii (teoremele
Kirchhoff) care sunt ecuaţii de gradul I cu patru coeficienţi ce reprezintǎ parametrii
de semnal mic ai tranzistorului.
u1 = h11i1 + h12u2 (4. 47)
i2 = h21i1 + h22u2 (4. 48)
Cei patru parametri se numesc hibrizi întrucât natura lor nu este omogenǎ. Se
observǎ cǎ:
h11 
u1 (ieşire în scurtcircuit) (4. 49)
u2 0
i1
h12 
u1 (intrare în gol) (4. 50)
i1
u 2 0

i2
h21 
i1 (ieşire în scurtcircuit) (4. 51)
u2
0

i2
h22 
u2 (intrare în gol) (4. 52)
i1
0
- h11 reprezintǎ impedanUa de intrare, cu ieşirea în scurtcircuit;
- h12 reprezintǎ factorul de reacUie în tensiune cu intrarea în gol;
este adimensional;
- h21 reprezintǎ factorul de amplificare în curent cu ieşirea în scurtcircuit;
este adimensional;
 - h22 reprezintǎ admitanUa de ieşire cu intrarea în 1
gol; reprezintǎ
h22
impedanUa de ieşire.
Aceşti parametri se pot defini pentru fiecare mod de conexiune: emitor
comun, bazǎ comunǎ sau colector comun.
Se poate observa cǎ:
h21B  – 
h21E  – 
Analizând ecuaţiile în care apar parametrii hibrizi, se observǎ cǎ prima
ecuaţie este o ecuaţie de tensiuni (legea a doua a lui Kirchhoff aplicatǎ în circuitul
de intrare) iar a doua, o ecuaţie de curenţi (legea întâi a lui Kirchhoff pe nodul de
reţea din circuitul de ieşire). Considerând cunoscute mǎrimile i1, u1, i2, u2, se poate
construi schema echivalentǎ, cu parametri hibrizi, a tranzistorului (figura 4.36).

2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental

Scopul lucrǎrii este determinarea parametrilor hibrizi ai tranzistorului în
montaj emitor comun. Se foloseşte o machetǎ conform figurii 4.37.
Se mai utilizeazǎ:
- douǎ surse de c.c.
- generator de semnal sinusoidal cu amplitudinea de câţiva volţi v.v.;
- voltmetru electronic;
- osciloscop.

3. Mod de lucru
- se executǎ montajul şi se verificǎ;
- se fixeazǎ un PSF pentru: UCE = 5 V şi IC = 2 mA;
- tensiunea EC se calculeazǎ cu relaţia:
 EC = IC(RC + RE) + UCE
- tensiunea se estimeazǎ (pentru h21E  200) cu epresia:
EB  RB  IC
 UBE  RE  IC
h21E
- se regleazǎ EB în jurul valorii calculate pânǎ se obţine PSF dorit;
tensiunea UCE se mǎsoarǎ cu un voltmetru electronic;
- se aplicǎ la intrare un semnal sinusoidal de ordinul a câţiva volţi vârf la
vârf cu frecvenţa de 1 kHz;
- se mǎsoarǎ uCE (câteva zeci de mV);
u
- se calculeazǎ i  CE ;
C C
R
- se mǎsoarǎ uBE (5 ÷ 10 mV);
u
- se calculeazǎ i  int . ;
B
Rg
ic uBE
- se determinǎ: h21E  ; h11  şi h12E şi h22E cu relaţiile ce
iB iB
E
exprimǎ uBE şi iC în funcţie de parametrii hibrizi. Rezultatele se trec
într-un tabel.
4. Întrebǎri
1. Conform definiţiei, h21E  – . În practicǎ se constatǎ însǎ cǎ la IB mici cele
douǎ mǎrimi au valori diferite (de exemplu, la BC 171B, h21E = 330,  = 290).
De ce ?
2. De ce factori depind parametrii hibrizi ?
3. Sǎ se realizeze schema echivalentǎ a montajului utilizat în lucrare.

4.8.3. Repetorul pe emitor

1. Noţiuni teoretice
Schema de bazǎ a unui astfel de circuit este cea din figura 3.38.a, în care, aşa
cum se vede, tranzistorul lucreazǎ în conexiune colector comun, schema
echivalentǎ a circuitului, cu care se poate studia comportarea acestuia la semnal
mic fiind datǎ în figura 4.38.b.
Se alege un PSF dat de IC şi UCE. Pentru asigurarea unei excursii maxime
simetrice a tensiunii de ieşire se alege VE = UCE. Rezultǎ:


EC  VE  UCE

RE  VE (4. 53)
 IC
 
 RB   EC  UBE  VE  
⎝ IC
 Amplificarea în tensiune a montajului este:
u
A  e 1  h21E  R E h  RE
i   h 21E  h  R E
(4. 54)
h11E  1  h21E 
u
u
1 11E 21E
RE

Practic, circuitul repetǎ la ieşire variaţiile tensiunii de intrare, atât ca

amplitudine cât şi ca fazǎ, în condiţia în care reactanţele condensatoarelor din
circuit sunt neglijabile. Rezistenţa de intrare Ri, în baza tranzistorului, este:
Ri  h  RE  Rs
RE  Rs
21E (4. 55)
Rezistenţa de ieşire cu intrarea în scurtcircuit se calculezǎ conform schemei
echivalente:
u*
R e
i* eg 0
Dar
u*  R E  iB  h21E  i * ; iB  u * RG  h11E  ,

unde
R G  Rg  RB .
Rg  R B
Atunci,
R h
RE  Gh 21E
21E
Re  R h (4. 56)
G 21E
RE  h21E
Se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire are o valoare micǎ, în timp ce cea de intrare
are o valoare mare. Apare astfel evidentǎ calitatea circuitului, aceea de adaptor de
impedanţe pentru un transfer maxim de tensiune.
Considerând un astfel de circuit interpus între un etaj de amplificare cu
rezistenţǎ de ieşire mare, A1 şi un altul cu rezistenţǎ de ieşire micǎ, A 2, schema
echivalentǎ este cea din figura 4.39.
 Considerând Rg = 1 k şi RS = 100, rezultǎ: Ri = 100 k şi Re  35 .
Atunci,
ue RS  R i
  0,67 (4. 57)
e g Re  RS Ri  Rg
In lipsa repetorului, rezultǎ:
ue RS
  0,09 (4. 58)
e g Rg  RS
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental

Scopul lucrǎrii este studiul comportǎrii repetorului pe emitor şi verificarea

rezultatelor teoretice. Montajul eperimental este realizat pe o machetǎ, conform
figurii 4.40.
Mai sunt necesare:
- sursǎ de c.c.;
- generator de semnal sinusoidal (1 ÷ 5 kHz);
- osciloscop;
- voltmetru electronic.
3. Mod de lucru
- se realizeazǎ montajul din figura 4.40, aplicând tensiunea EC =
10 V şi un semnal sinusoidal (1 ÷ 5 kHz) între borna Aşi masǎ;
- se variazǎ RB pânǎ când VE  5 V, ceea ce asigurǎ un PSF în
mijlocul regiunii active;
 - se vizualizeazǎ pe osciloscop ui şi ue şi se determinǎ
amplificarea montajului, pentru mai multe frecvenţe;
- se verificǎ dacǎ ui şi ue sunt în fazǎ cu ajutorul osciloscopului;
- se aplicǎ semnalul de intrare la borna B, caz în care rezistenţa
internǎ a generatorului se neglijeazǎ;
- se mǎsoarǎ cu osciloscopul eg şi ui şi se determinǎ Ri, utilizând
formula:
e ⎞
Ri  R g   g 1
⎝ ui ⎠
- se repetǎ determinarea lui Ri conectând la ieşire RS (se leagǎ
borna D la masǎ). Dacǎ la conectarea lui R S apare o limitare a
semnalului la ieşire, se reduce ui pânǎ când ue este sinusoidal;
- se calculeazǎ Re cu formula:
Re  RS  ⎞
 1
ui
⎝u ⎠
*
mǎsurând pentru aceasta u*.
4. Întrebǎri
1. Cum se pot justifica relaţiile de mai sus, pentru calcularea lui RI şi Re ?
2. De ce, prin introducerea lui RS, este posibilǎ apariţia unei limitǎri a semnalului
de ieşire ?

4.8.4. Tiristorul
1. Noţiuni teoretice
Tiristorul este o structurǎ semiconductoare care se utilizeazǎ în mod special
ca dispozitiv de comutare la curenţi mari, de pânǎ la câteva sute de amperi.
Structura unui astfel de dispozitiv este alcǎtuitǎ din patru straturi alternative
semiconductoare de tip p, respectiv n, aşa cum este prezentatǎ în figura 4.41.a. În
figura 4.41.b este prezentat simbolul utilizat în circuite. Cele trei terminale ale
tiristorului sunt: anodul (A), catodul (C) şi poarta (P). Dispozitivul conduce numai
într-un singur sens, de la anod la catod şi poate comuta din starea blocatǎ în cea de
conducţie prin aplicarea unui puls pozitiv pe poartǎ.

Caracteristica curent-tensiune a unui tiristor este prezentatǎ în figura 4.2. În

sens direct, aceasta prezintǎ trei regiuni: regiunea 1 corespunde stǎrii blocate, de
impedanţǎ mare, regiunea 2 este regiunea de rezistenţǎ negativǎ iar regiunea 3 este
regiunea de impedanţǎ micǎ, corespunzǎtoare stǎrii de conducţie.

Dacǎ tiristorul este polarizat direct, el poate comuta din starea blocatǎ în cea
de conducţie şi invers, funcţionând ca un întrerupǎtor. În punctul A de pe
caracteristica I-V, se definesc tensiunea de comutare (amorsare), Va şi curentul de
comutare, IC, iar în punctul B, tensiunea de susUinere (menUinere), VS şi
curentul de susUinere, IS = IC. În sens invers, tiristorul se comportǎ ca o joncţiune
obişnuitǎ, polarizatǎ invers, caracteristica arǎtând în mod corespunzǎtor: o regiune
de blocare, 4, caracterizatǎ de curenţi inverşi practic neglijabili şi o regiune de
strǎpungere, 5, cǎreia îi corespunde tensiunea de strǎpungere, Vst.
Analizând mai în detaliu comportarea tiristorului, se poate constata cǎ,
aplicând o tensiune directǎ, V > 0, moderatǎ (câteva sute de volţi), curentul I
rǎmâne foarte scǎzut (sub 1 A), el reprezentând curentul invers al joncţiunii
catod-poartǎ. Tiristorul rǎmâne deci în stare blocatǎ, rezistenţa lui între anod şi
catod având valori de cel puţin 100 M. Dacǎ tensiunea directǎ creşte, la o
anumitǎ valoare criticǎ, Va, tiristorul se deschide, cǎderea de tensiune pe acesta
scǎzând drastic (la valoarea de aproximativ 1V), rezistenţa acestuia fiind şi ea de
numai câteva sutimi de ohm. Se spune cǎ tiristorul s-a amorsat (a comutat din
starea blocatǎ în cea de conducţie), tensiunea Va la care se produce acest lucru
fiind tensiunea de amorsare la un curent de poartǎ, IP nul. Dupǎ amorsare, curentul
I nu mai este limitat decât de rezistenţa circuitului exterior. Dacǎ se micşoreazǎ
tensiunea directǎ aplicatǎ, V, tiristorul rǎmâne amorsat atât timp cât curentul I se
menţine peste o valoare limitǎ, care este curentul de susUinere (menUinere), Is, cu o
valoare de ordinul a câteva zeci de mA. Sub aceastǎ valoare limitǎ, tiristorul se
dezamorseazǎ şi trece în stare blocatǎ, pentru reamorsare fiind necesarǎ aplicarea
unei tensiuni cel puţin egale cu valoarea de amorsare.
La aplicarea unei tensiuni inverse, V < 0, curentul invers prin tiristor este
foarte mic, (sub un A). Crescând tensiunea inversǎ, la o anumitǎ valoare, V st, se
produce strǎpungerea tiristorului.
În concluzie, la polarizare directǎ, tiristorul prezintǎ douǎ stǎri stabile: starea
blocatǎ, cǎnd tiristorul se comportǎ ca un întrerupǎtor deschis şi starea de
conducţie (sau amorsatǎ), când tiristorul echivaleazǎ cu un întrerupǎtor închis.
Trecerea de la starea blocatǎ la cea de conducţie se numeşte, aşa cum am precizat,
amorsare.
 2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Scopul lucrǎrii este studiul funcţionǎrii tiristorului, trasarea caracteristicii
curent-teniune a acestuia şi determinarea unor parametri. Pentru ridicarea punct cu
punct a caracteristicii I-V, se foloseşte o machetǎ care, împreunǎ cu alte elemente
necesare, permite construcţia montajului din figura 4.43.

Mai sunt necesare:

- 2 miliampermetre;
- 1 voltmetru (în locul celor trei instrumente se pot folosi trei multimetre);
- douǎ surse de tensiune continuǎ reglabilǎ, EA şi EG.
Aceeaşi caracteristicǎ poate fi obţinutǎ şi prin vizualizarea pe osciloscop,
folosind montajul din figura 4.44 şi un osciloscop.
La montajul din figura 4.44 tensiunea pe rezistenţa de 10 , proporţionalǎ
cu I, se aplicǎ pe plǎcile de deflexie verticalǎ iar tensiunea pe tiristor, V, se aplicǎ
pe plǎcile de deflexie orizontalǎ.

Dacǎ tensiunea de alimentare este alternativǎ, de forma:

E = E0sint
reprezentatǎ în figura 4.45.a, mǎrimile I, V şi VG au forma din figura 4.45.b,
4.45.c, respectiv 4.45.d.

Din figura 4.45.b se observǎ cǎ I apare la un anumit moment de timp, t,

mǎrimea corespunzǎtoare, t =  numindu-se unghi de deschidere. Acesta este
unghiul pentru care este valabilǎ relaţia:
E0sin = Va (4. 59)
unde Va este tensiunea de comutare (amorsare). Pentru aceastǎ valoare a
momentului de timp, tensiunea V scade la valoarea de susţinere, V S. Starea de
conducţie a tiristorului se realizeazǎ între momentele de timp corespunzǎtoare
unghiurilor  şi , timpul de conducţie fiind dat de expresia:
 T (4. 60)
t c 
 2
unde T este perioada tensiunii alternative.
Tensiunea pe poartǎ în circuitul din figura 4.44 este:
VG  R 2 
(4. 61)
E R1  R 2
Comutarea se produce când VG =VGp, unde VGp este tensiunea de poartǎ de
prag, adicǎ tensiunea de poartǎ minimǎ la care se produce comutarea.
Curentul anodic maxim este dat de relaţia:
Ip  E0  Va
(4. 62)
Rs  R3
Curentul de poartǎ minim, IGp, se calculeazǎ cu relaţia:
V V
I Gp  G G Gc (4. 63)
R
unde VGc este tensiunea de poartǎ în timpul cât tiristorul este în stare de conducţie.
Curentul mediu redresat este dat de relaţia:
 
I 1
1  cos
  sin t  dt  (4. 64)
Iap 2  2
Pentru determinarea tensiunii minime de poartǎ şi a curentului de poartǎ
minim se foloseşte montajul din figura 4.46 iar pentru determinarea tensiunii de
comutare se foloseşte montajul din figura 4.47, cu care se poate determina şi
tensiunea de strǎpungere la polarizarea inversǎ a tiristorului.

3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicii curent-tensiune a tiristorului, se foloseşte
montajul din figura 4.43. Se parcurg urmǎtoarele etape:
- se verificǎ montajul realizat pe machetǎ, identificându-se
elementele acestuia şi conexiunile;
- se leagǎ în circuit instrumetele de mǎsurǎ (un voltmetru de
curent continuu şi douǎ miliampermetre de curent continuu) precum şi douǎ
surse de tensiune continuǎ, reglabile (se pot folosi surse de tensiune fixe,
cuplate la un montaj potenţiometric);
- se alimenteazǎ montajul de la cele douǎ surse de tensiune
variabilǎ, EA şi EG;
- se asigurǎ un curent de poartǎ IG = 0,5 mA şi, pentru diferite
valori V, se mǎsoarǎ I;
- rezultatele se trec într-un tabel de forma urmǎtoare:

I (mA)
V (V)

- cu valorile din tabelul de mai sus, se traseazǎ graficul I = f(V).

Se vor alege tensiuni V între 0 şi 50 V, luînd valori cât mai dese în
intervalul 0 ÷ 10 V;
- din graficul obţinut, se determinǎ tensiunea de comutare, Va;
- utilizând montajul din figura 4.44, se vizualizeazǎ caracteristica
tiristorului şi se comparǎ cu cea trasatǎ punct cu punct;
 - utilizând montajul din figura 4.46, se determinǎ tensiunea de
comutare, Va, la polarizare directǎ şi tensiunea de strǎpungere, Vst, la
polarizare inversǎ. Pentru aceasta, se procedeazǎ astfel:
- se trece comutatorul K în poziţia 1 şi, prin vizualizare pe
osciloscop, se determinǎ Va;
- se trece comutatorul pe poziţia 2 şi, prin vizualizare pe
osciloscop, se determinǎ Vst;
- utilizând montajul din figura 4.47, se determinǎ tensiunea de
poartǎ minimǎ, mǎsurându-se tensiunea de poartǎ pentru care tiristorul
comutǎ, cu voltmetrul V, la o tensiune EG = 0 ÷ 30 V;

- se determinǎ apoi curentul de poartǎ minim cu comutatorul în

poziţia 1, mǎsurând acest curent cu microampermetrul;
- se comparǎ valoarea Va, determinatǎ anterior, cu cea rezultatǎ
din grafic.
4. Întrebǎri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicii I-V a tiristorului trasatǎ
punct cu punct cu cea obţinutǎ prin vizualizarea pe osciloscop ?
2. Corespund valorile Va, Vst determinate pe grafic cu cele mǎsurate direct ?
3. Sǎ se explice funcţionarea montajelor din figurile 4.44, 4.46 şi 4.47.
CAPITOLUL V

5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP

5.1. Tranzistorul cu poartǎ (grilǎ) joncEiune (TEC-J)
5.1.1. Construcţia TEC-J
Tranzistoarele cu efect de câmp sunt tranzistoare unipolare (funcţionarea lor
este determinatǎ de un singur tip de purtǎtori - cei majoritari) şi sunt de douǎ feluri,
dintre care primul este descris în acest paragraf. Structura şi simbolul folosit în
schemele electronice pentru tranzistorul cu poartǎ joncţiune (TEC-J1) sunt
prezentate în figura 5.1.

Dupǎ cum se poate constata, sunt douǎ variante constructive, cu canal n

(figura 5.1.a) şi cu canal p (figura 5.1.b), ambele fiind construite pe un cristal
semiconductor (de tip n, respectiv p), la capetele cǎruia se aflǎ contactele la cei doi
electrozi numiţi sursǎ - S şi drenǎ - D şi între care se formeazǎ un canal. Cel de-al
treilea electrod este grila (poarta) - G, formatǎ, aşa cum se vede în figura 5.1, pe
un substrat semiconductor cu tip de conducţie diferit de cel al stratului în care s-a
realizat canalul, ceea ce înseamnǎ cǎ între grilǎ şi canal se formeazǎ o joncţiune p-
n. Grila este puternic dopatǎ, în timp ce sursa şi drena sunt mai slab dopate.

1
Tranzistoarele cu efect de câmp mai sunt cunoscute şi sub numele de FET-uri (de la "Field Effect
Transistor", în limba englezǎ). În cazul TEC-J ele se noteazǎ J-FET, iar în cazul TEC-MOS, se
noteazǎ MOS-FET.
 5.1.2. Funcţionarea TEC-J
Fenomenul principal care se petrece într-un TEC-J este deplasarea
purtǎtorilor majoritari de la sursǎ spre drenǎ prin canal, a cǎrui lǎrgime se poate
modifica prin tensiunea aplicatǎ pe poartǎ, dispozitivul comportându-se ca o
rezistenţǎ comandatǎ prin aceastǎ tensiune.
Pentru a înţelege mai bine funcţionarea TEC-J, sǎ reamintim câteva lucruri.
Am vǎzut cǎ atunci când o joncţiune p-n este polarizatǎ invers (potenţialul zonei p
este mai mic decât cel al zonei n), regiunea sǎrǎcitǎ în purtǎtori (regiunea de
sarcinǎ spaţialǎ, stratul de baraj) se lǎrgeşte. Lǎrgirea este cu atât mai mare cu cât
tensiunea de polarizare inversǎ este mai mare (în valoare absolutǎ).
De asemenea, se poate constata cǎ, dacǎ doparea este foarte diferitǎ între cele
douǎ zone (de exemplu, NA >> ND), regiunea de sarcinǎ spaţialǎ este mult mai
extinsǎ în zona slab dopatǎ (zona n, în exemplul nostru) decât în cea puternic
dopatǎ.
Sǎ considerǎm un TEC-J cu canal n la care doparea este foarte puternicǎ în
regiunea grilei şi slabǎ în canal, ceea ce face ca joncţiunea ce apare între grilǎ şi
canal sǎ prezinte o regiune de sarcinǎ spaţialǎ extinsǎ practic numai în canal.
A. Considerǎm mai întâi situaţia în care potenţialul porţii este nul, VGS = 0.
În aceastǎ situaţie, sǎ analizǎm ce se întâmplǎ când, între drenǎ şi sursǎ, se aplicǎ o
tensiune VDS > 0, crescǎtoare. La valori mici ale acestei tensiuni, apare un curent
ID, proporţional cu VDS, situaţie în care tranzistorul se comportǎ ca o rezistenţǎ
constantǎ. Crescând valoarea tensiunii VDS, se produce urmǎtorul fenomen:
diferenţa de potenţial dintre canal şi grilǎ este mai mare în vecinǎtatea drenei şi
mai micǎ în vecinǎtatea sursei (ca urmare a distribuţiei potenţialului de-a lungul
canalului). Ca urmare, tensiunea de polarizare a joncţiunii formate între grilǎ şi
canal este mai micǎ în vecinǎtatea sursei şi mai mare în vecinǎtatea drenei, ceea ce
impune şi faptul cǎ regiunea de sarcinǎ spaţialǎ din canal este mai largǎ în
vecinǎtatea drenei şi mai îngustǎ în vecinǎtatea sursei. Cu alte cuvinte, canalul se
îngusteazǎ în apropierea drenei (figura 5.2), ceea ce înseamnǎ creşterea rezistenţei
sale.
 Ca urmare, creşterea curentului ID odatǎ cu creşterea tensiunii VDS se face din
ce în ce mai lent, pânǎ când, la un moment dat, pentru o valoare Vp, numitǎ
tensiune de prag, canalul se închide complet. Deşi acest lucru s-ar putea interpreta
ca o reducere la zero a curentului prin canal, în realitate acest lucru nu se întâmplǎ,
datoritǎ unor fenomene pe care le putem descrie simplificat şi pe scurt, astfel: când
canalul se îngusteazǎ, densitatea de curent în zona în care acesta este foarte îngust
creşte dar, logic, aceastǎ creştere nu poate avea loc la infinit, astfel încât curentul
ID capǎtǎ o valoare constantǎ, de saturaţie, I Ds. Variaţia ID = f(VDS) este datǎ în
figura 5.3.

B. Sǎ considerǎm acum situaţia în care între grilǎ şi sursǎ se aplicǎ o tensiune

VGS < 0.
Dacǎ VDS = 0, lǎrgimea canalului este constantǎ pe toatǎ lungimea lui, dar
mai micǎ decât în cazul când VGS = 0. La creşterea tensiunii VDS, se vor produce
aceleaşi fenomene ca în situaţia analizatǎ mai sus, caracteristica I D = f(VDS) având
aceeaşi formǎ (calitativ) ca în cazul anterior, dar curentul de saturaţie va avea o
valoare mai micǎ (a se vedea tot figura 5.3).
Cu cât VGS este mai mare (în valoare absolutǎ), cu atât curentul de drenǎ de
saturaţie, IDs, este mai mic, astfel încât, pentru o anumitǎ tensiune V GS = Vp,
numitǎ tensiune de prag (de închidere), curentul IDs se anuleazǎ.
Rezultǎ astfel cǎ, prin potenţialul aplicat pe grilǎ, se poate controla lǎrgimea
canalului, tranzistorul comportându-se ca o rezistenţǎ comandatǎ în tensiune.
Putem face un studiu simplificat, astfel: pentru tensiuni VDS < Vp, potenţialul
sursei este VDS, iar cel al drenei este VDS + VGS. Este evident cǎ, în acest caz,
obturarea canalului şi saturarea lui ID se obţin când:
VGS + VDS = Vp (5. 1)
Sǎ considerǎm cǎ în canalul tranzistorului, de lungime L, purtǎtorii mobili au
o sarcinǎ electricǎ totalǎ Q. Deplasarea acestora între sursǎ şi drenǎ, care are loc în
timpul ı, numit timp de tranzit, Cdeterminǎ C curentul de drenǎ:
ID = VDS = V  V ,
p GS
ı ı
unde C este capacitatea joncţiunii create între poartǎ şi canal.
Dar tensiunea VGS nu este uniform distribuitǎ de-a lungul canalului ci creşte
de la VGS la sursǎ, la VGS + VDS la drenǎ.
1
Luând o valoare medie, egalǎ cu VGS + VDS, curentul de drenǎ are
2
expresia: C 
ID = VV 1 ⎞ (5. 2)
 p  V 
DS
ı 2 ⎠
GS
⎝
Se poate determina timpul de tranzit din relaţia:
L V
v = = E =  DS ,
ı L
unde E este intensitatea câmpului electric creat între sursǎ şi drenǎ ce determinǎ
deplasarea purtǎtorilor în canal cu viteza de drift v.
Din relaţia de mai sus rezultǎ:
L2
ı= (5. 3)
VDS
Înlocuind
C  relaţia 5.3 în 5.2, obţinem:
ID = V  V V  1 V2 ⎞ (5. 4)
V
DS 
2  p DS GS DS
L ⎝ 2 ⎠
La saturaţie, când VGS + VDS = Vp, relaţia 5.4 devine:
C 2
 V ⎞
ID = V  V 2  1  GS  (5. 5)
I
DS0 
L2
p GS
⎝ Vp ⎠
Relaţia de mai sus este o relaţie aproximativǎ, obţinutǎ în situaţia
simplificatoare cǎ tensiunea creşte liniar de-a lungul canalului.

Un studiu mai detaliat se poate face dupǎ cum urmeazǎ, în condiţia în care
facem urmǎtoarele presupuneri iniţiale:
 - concentraţia de impuritǎţi donoare, ND este constantǎ în canal
- zona de sarcinǎ spaţialǎ se întinde numai în zona n (în canal)
- în regiunea de sarcinǎ spaţialǎ, potenţialul nu depinde decât de coordonata
y (figura 5.4.a)
 - considerând secţiunea canalului de formǎ dreptunghiularǎ, lǎţimea
canalului este egalǎ cu unitatea, înǎlţimea lui este 2H şi lungimea L.
Fie h, grosimea regiunii de sarcinǎ spaţialǎ în punctul de abscisǎ x. Cum V
q
nu depinde decât de y, ecuaţia Poisson, V = 2 q
, se scrie: d V2  care, prin
 dy


integrare, dǎ dV q
 y În aceastǎ relaţie, Q reprezintǎ densitatea de sarcinǎ
ct.
dy 
electricǎ în canal, q = eND. Pentru determinarea constantei de integrare, ţinem cont
cǎ la y = 0 avem o zonǎ de potenţial constant (întrucât nu existǎ sarcinǎ spaţialǎ),
 dV
deci   ) 0, ceea ce ne conduce la relaţia:
⎞
dy
⎝ ⎠y0
dV q (5. 6)
 y
dy 
Integrând a doua oarǎ între limitele y = 0 şi y = h,
rezultǎ:
1q 2 (5. 7)
V(h) – V(0) = h
2
Potenţialul V(h) este cel al punctului A, iar V(0) al punctului B, din figura
5.4 a. Considerând potenţialul sursei egal cu zero, atunci V(h) este diferenţa de
potenţial între A şi S, iar V(0) diferenţa de potenţial între B şi S, adicǎ diferenţa de
potenţial între grilǎ şi sursǎ, VGS.
Pentru cǎ VGS este negativ, vom nota VGS = – VGS. Putem scrie, deci:
1q 2
V(h) = h – VGS (5. 8)
2
Dacǎ notǎm n mobilitatea electronilor în canal şi ID curentul în punctul de
dV
abscisǎ x, putem scrie: ID = – nq 2H  h, de unde,
dx
dV ID 1 ID 1 (5. 9)
 
dx 2n q H  2nqH h
1H
h
Din relaţia 5.8 exprimǎm
2
h= V  V  ,
de unde: GS
q
dV 1 1
 2
dx 2nqH
1 2
V  VG 
qH S

şi, prin integrare: 

 V– 22  V  3
I Dx  ct.

V 3qH2 GS  2 (5. 10)
2 n qH
Pentru determinarea constantei de integrare, ţinem contǎ cǎ:
 la x = 0, V = VDS, deci:
2
 VGS 2  ct.
3
VDS – 2
3 qH2  (5. 11)

V DS
 la x = L, V = 0, deci:
2 2 (5. 12)
3

 ct ID L
  V
2
3 qH2 GS
2nqH
Rezultǎ:LI 2 2 
D
3 3
 (5. 13)
qH  VGS V DS  VGS 2 
2 2
2n  VDS 
qH 3 ⎝ 
Pentru VGS = 0, relaţia de mai sus devine:
(5. 14)
LID
 VDS  2 2  VDS  23
2
2nqH 3 qH
Din derivarea ei, se poate obţine maximul curbei ID = f(VDS).
dI D 2n qH  2 1

  VDS  2 
dVDS 1  2
L ⎝ qH 
Curba ID = f(VDS) pentru VGS = 0 prezintǎ un maxim (adicǎ ID capǎtǎ
valoarea de saturaţie maximǎ, IDSmax) la:
qH 2
VDS = Vp = (5. 15)
2
Valoarea curentului de saturaţie maxim,IDSmax, este:

qH qH 
2 2  qH 2 ⎞32⎞ 2 qH Vp
 
2 2
IDsmax = (5. 16)
n
 n
  
2
L  2 3 qH ⎝ 2 ⎠  L 3
⎝ ⎠
Relaţia 5.13 se scrie, în aceste condiţii, sub forma:
u Vp I D2 1  p 3
 VDS    2 DS

3 IDs 3 VV
sa
max  V
⎝GS
3
 VGS 2 
 (5. 17)
ID VDS  3 
⎞V2  2
3
⎞
 VGS DS  V  VVGS   (5. 18)
3 2    
I
Ds max
Vp ⎝ V
p ⎠
 ⎝ p
⎝ p ⎠ 
 5.1.3. Caracteristicile TEC-J
Pentru a uşura discuţiile, în relaţia 5.17 vom face înlocuirile:
I V V
z = D ; x = DS ; y = GS
IDs max V Vp p
Cu aceste înlocuiri, relaţia respectivǎ devine:
3 3
y ) 3x + 2 y 2 – 2(y + x) 2
A. ID = f VDS GS ct . . Studiem funcţia z = f(x) cu y parametru constant.
V
Tensiunea de prag se obţine când derivata acestei funcţii se anuleazǎ, adicǎ
dz
= 0. Acest lucru înseamnǎ:
dx

3–3 1

y  x = 0  y = 1 – x, zp = – 2 + 3x + 2(1 – x) 2 .
Putem scrie deci:
3
ID ⎞
 2  VD  V
2  (5. 19)
DS
3 1
S
V 2
⎝ ⎠
I Ds  V 
p p
max

Relaţia de mai sus exprimǎ variaţia curentului de saturaţie, IDs, în funcţie de

VDS (curba punctatǎ din figura 5.5)

Pentru valori mici ale lui VDS, caracteristicile sunt practic rectilinii:
3
3 3
2x ⎞
3 3 3x⎞  3
⎞

y 2 
= 3x + 2z – 2z 1   3x +2y –2 2y + ... + 1  = 3x1  y 2 
2 

⎝ y⎠ ⎝ 2y⎠ ⎝ ⎠
I  V ⎞V
 D
 31 GS  DS (5. 20)

IDs max ⎝ Vp  ⎠ Vp
 VDS Vp 1
 (5. 21)
ID
I Ds max  V GS ⎞
3 1  
 Vp 
⎝ ⎠
Punând r0

Vp
) 3IDs max , putem considera TEC-J ca un rezistor de rezistenţǎ r,
dependentǎ de VGS, conform relaţiei:
r)
(5. 22)
VGS
r0
Vp
1
B. IDs = f  . IDs se obţine când x = 1 – y, de unde:

GS VDS
V ct.


z
s = 3(1 – y) + 2y
3
2
3

– 2 = 1 – 3y + 2y 2
3

ID V V ⎞ 2
 1  S G   GS  (5. 23)
I Ds ⎝ V  ⎠
max
3 Vp p

Curba ce reprezintǎ relaţia de mai sus este cea din cadranul al II-lea din
figura 5.5. Se poate constata din aceasta cǎ IDs = 0 când VGS = Vp
Utilizând aceeaşi metodǎ de trasare a caracteristicilor ca cea de la figura 4.7,
se obţin toate caracteristicile unui TEC-J, aşa cum se poate vedea în figura 5.6.
Analizând aceste caracteristici, se pot extrage câteva observaţii:
 din caracteristicile de ieşire (cadranul I), rezultǎ cǎ TEC-J funcţioneazǎ ca o
rezistenţǎ (variabilǎ liniar) comandatǎ în tensiune la tensiuni VDS < Vp (canalul
deschis) şi respectiv ca un dispozitiv cu curent constant (canal închis) la VDS >
Vp.
 din caracteristica de transfer (cadranul II) rezultǎ cǎ se poate face o analogie
foarte bunǎ între comportarea TEC-J (la VGS < 0) şi cea a unei triode.
 caracteristica de intrare (cadranul III) relevǎ un curent IG foarte mic (~10–10A)
ca urmare a polarizǎrii inverse a joncţiunii dintre grilǎ şi canal.
 caracteristica de reacţie (cadranul IV) relevǎ o influenţǎ neglijabilǎ a tensiune
de ieşire, VDS, asupra curentului de intrare.

5.2. Tranzistorul cu poartǎ (grilǎ) izolatǎ (TEC-MOS)

Acest tip de tranzistor este construit pe baza unei structuri metal-oxid-
semiconductor1, în douǎ variante: cu canal iniţial şi cu canal indus, care poate fi, la
rândul lui, de tip p sau n. Modul de construcţie şi simbolul folosit în schemele
electronice pentru TEC-MOS cu canal indus sunt prezentate în figura 5.6, iar cele
pentru TEC-MOS cu canal iniţial în figura 5.7.

Dupǎ cum rezultǎ din figura 5.6, construcţia TEC-MOS cu canal indus este
urmǎtoarea: pe un substrat semiconductor de tip n (figura 5.6.a), respectiv de tip p
(figura 5.6.b) se creeazǎ prin difuzie douǎ regiuni de tip p (figura 5.7.a), respectiv
n (figura 5.7.b), la o distanţǎ L = 5 – 50 m una de alta, regiuni care formeazǎ una
sursa, cealaltǎ drena. Zona substratului fiind slab dopatǎ, cele douǎ joncţiuni ce se
formeazǎ între sursǎ şi substrat şi între drenǎ şi substrat joacǎ un rol neînsemnat
(ceea ce nu se întâmplǎ în cazul TEC-J). Pe faţa superioarǎ a substratului între

1
De la iniţialele acestor trei cuvinte provine şi denumirea: MOS
sursǎ şi drenǎ se depune un strat de SiO2, care este un foarte bun izolator, iar peste
acesta un electrod metalic - poarta (grila). La cei trei electrozi (sursǎ, drenǎ şi
grilǎ) se mai adaugǎ încǎ unul - baza, reprezentat de stratul metalic depus pe
substrat şi care, de regulǎ, se leagǎ la sursǎ.
În mod asemǎnǎtor este realizat şi TEC-MOS cu canal iniţial (figura 5.7),
deosebirea constând în faptul cǎ, dacǎ la TEC-MOS cu canal indus regiunea sursei
este complet separatǎ de cea a drenei, la TEC-MOS cu canal iniţial se realizeazǎ de
la bun început un canal de conducţie cu acelaşi tip de conducţie ca cel al sursei. În
ambele cazuri, stratul izolator de SiO2 are grosimi de ordinul 500 – 2000 Å Prin
potenţialul aplicat pe poartǎ, se poate controla sarcina spaţialǎ mobilǎ dintre sursǎ
şi drenǎ şi deci curentul dintre aceşti doi electrozi.

Sǎ considerǎm un TEC-MOS cu canal iniţial de tip n; între drena şi sursa

acestuia se aplicǎ o tensiune VDS, de valoare micǎ. Pentru o tensiune V GS nulǎ,
dispozitivul funcţioneazǎ ca un TEC-J, curentul de drenǎ, ID, fiind crescǎtor odatǎ
cu creşterea lui VDS, pânǎ la atingerea saturaţiei. Dacǎ pe grilǎ se aplicǎ o tensiune
pozitivǎ, VGS, în canal vor fi atraşi mai mulţi purtǎtori (electroni, în acest caz) din
substrat, astfel cǎ (în condiţia cǎ VDS este constant şi mai mic decât Vp) ID creşte la
creşterea lui VGS. La tensiuni VGS negative, efectul este invers, curentul ID scade la
creşterea în valoare absolutǎ a lui VGS, ceea ce ne permite sǎ tragem concluzia cǎ
TEC-MOS funcţioneazǎ, ca şi TEC-J, ca o rezistenţǎ comandatǎ prin tensiunea
VGS, aplicatǎ porţii. Relaţiile deduse pentru TEC-J sunt, ca urmare, valabile şi
pentru TEC-MOS, cu singura deosebire cǎ acesta din urmǎ poate funcţiona şi la
tensiuni UGS pozitive, ceea ce nu este cazul la TEC-J.
Caracteristicile TEC-MOS sunt şi ele asemǎnǎtoare cu cele ale TEC-J,
deosebirea esenţialǎ constatându-se numai la caracteristica de transfer, I D = f(VGS),
care este prezentatǎ în figura 5.8. În plus, se mai constatǎ şi unele deosebiri
cantitative, în ceea ce priveşte curentul IG foarte mic (~ 10–12 A) şi rezistenţa de
intrare foarte mare (1010 – 1013 ), datoritǎ stratului foarte bun izolator.

La TEC-MOS cu canal indus, funcţionarea se datoreazǎ fenomenelor de

suprafaţǎ care au loc la interfaţa oxid-semiconductor unde, ca urmare a întreruperii
reţelei, atomii de semiconductor din aceste zone se comportǎ ca nişte impuritǎţi
acceptoare1 care determinǎ apariţia unor niveluri energetice discrete în banda
interzisǎ. Existenţa acestor stǎri de suprafaţǎ ale electronilor determinǎ apariţia
unei sarcini de suprafaţǎ ce creeazǎ un câmp electric superficial şi, corespunzǎtor,
o diferenţǎ de potenţial între suprafaţa semiconductorului şi interiorul sǎu.
Densitatea stǎrilor de suprafaţǎ poate fi crescutǎ prin adsorbţia unor atomi de
impuritǎţi la suprafaţa semiconductorului.

Sǎ considerǎm un TEC-MOS cu canal indus, având substratul bazei de tip p.

Aplicând o tensiune pozitivǎ, VGS, între poartǎ şi sursǎ, electronii aflaţi în substrat
vor fi atraşi spre interfaţa oxid-semiconductor, unde vor ocupa stǎrile de suprafaţǎ;
crescând valoarea tensiunii VGS, la un moment dat toate stǎrile de suprafaţǎ vor fi
ocupate, în continuare electronii acumulându-se în aceastǎ zonǎ, iniţial încǎrcatǎ

1
Acest fapt se petrece întrucât atomii respectivi au octetul incomplet (cel puţin un atom vecin
lipsind din reţea) ei putând accepta deci electroni pe un nivel energetic discret, asemǎnǎtor celui
determinat de impuritǎţile acceptoare.
cu sarcinǎ pozitivǎ, şi electrizând-o negativ. Stratul format, numit strat de
inversiune, îmbogǎţit în electroni, constituie un canal (de tip n) care permite
trecerea curentului electric între sursǎ şi drenǎ, în momentul aplicǎrii unei tensiuni
VDS. În mod asemǎnǎtor funcţioneazǎ şi TEC-MOS cu canal indus de tip p.
Caracteristicile TEC-MOS cu canal indus aratǎ la fel cu cele ale TEC-MOS
cu canal iniţial sau ale TEC-J, singura deosebire esenţialǎ fiind la caracteristica de
transfer, care aratǎ conform figurii 5.9.

5.3. Parametrii de semnal mic ai TEC. Schema

echivalentǎ
Funcţionarea TEC poate fi caracterizatǎ prin valoarea a douǎ tensiuni, VDS şi
VGS şi a doi curenţi, IG şi ID. Aşa cum s-a vǎzut, IG este practic constant deci ID
depinde numai de cele douǎ tensiuni, astfel încât putem scrie:
dID = ID  I D
dVG V dVDS (5. 24)
VG S DS

Se definesc urmǎtorii parametri:

 transconductanţa (conductanţa mutualǎ)

gm = ID
(5. 25)
VG VD ct .
S S

 conductanţa de drenǎ
1
gD = ID
 (5. 26)
rD V D
VG ct .
S S

 factorul de amplificare static

V
 =  DD (5. 27)
VGS
ID ct .

Între cei parametri se poate stabili relaţia:

gmrD =  (5. 28)
 În regiunea nesaturatǎ, datoritǎ liniaritǎţii caracteristicilor, se poate scrie
(pentru mǎrimi alternative):
iD = gmuGS + gDuds (5. 29)
Pornind de la relaţia 5.28, se poate stabili schema echivalentǎ a TEC (figura
5.10) valabilǎ atât pentru TEC-J cât şi pentru TEC-MOS, valorile parametrilor
fiind însǎ deduse prin relaţii specifice fiecǎrui tip de MOS.

5.4. Polarizarea TEC

În aplicaţiile practice, la fel ca în cazul tranzistoarelor bipolare, şi la
tranzistoarele cu efect de câmp se pune problema asigurǎrii polarizǎrii
corespunzǎtoare, folosind o singurǎ sursǎ.
În cazul TEC-J şi TEC-MOS cu canal iniţial, între care existǎ o mare
asemǎnare funcţionalǎ, polarizarea corectǎ de la o singurǎ sursǎ se obţine prin
metoda polarizǎrii automate a porţii (analog cu metoda negativǎrii automate a
grilei la tuburi electronice).

Schema folositǎ este cea din figura 5.11.a. Elementul esenţial este rezistenţa
RS, prin care trece curentul ID, ce produce o cǎdere de tensiune la bornele acesteia,
potenţialul mai mare (pozitiv) fiind la sursǎ şi cel mai mic (negativ) la masǎ. Cum
grila este practic legatǎ la masǎ (IG este practic nul, deci cǎderea de tensiune pe RG
este şi ea nulǎ), ea se aflǎ la un potenţial mai mic (mai negativ) decât cel al sursei,
asigurându-se astfel tensiunea VGS negativǎ necesarǎ:
VGS = – RSID ; E = VDS + ID(RD + RS)
Capacitatea CS scurtcircuiteazǎ rezistenţa RS în curent alternativ, astfel încât
numai componenta continuǎ a curentului de drenǎ sǎ treacǎ prin RS, ceea ce
asigurǎ o tensiune de polarizare a grilei constantǎ.
Reprezentând grafic relaţia VGS = – RSID, se obţine o dreaptǎ care se
intersecteazǎ cu caracteristica de transfer ID = f(VGS) în punctul M (figura 5.11.b)
care, proiectat pe dreapta de sarcinǎ, obţinutǎ prin reprezentarea graficǎ a relaţiei E
= VDS + ID(RD + RS), dǎ punctul N.
 Pentru TEC-MOS cu canal indus, la care funcţionarea se face în mod normal
cu tensiuni VGS de acelaşi semn cu VDS, polarizarea cu o singurǎ sursǎ se realizeazǎ
prin scheme asemǎnǎtoare cu cele de la polarizarea tranzistorului bipolar (figura
5.12), cu deosebirea cǎ, pentru a folosi avantajul TEC (rezistenţǎ foarte mare de
intrare), rezistenţele divizorului de polarizare vor avea şi ele valori mari.

5.5. AplicaEii
5.5.1. Tranzistorul cu efect de câmp cu poartǎ-joncţiune
(TEC-J)
1. Noţiuni teoretice
Tranzistoarele cu efect de câmp sunt tranzistoare unipolare (funcţionarea lor
este determinatǎ de un singur tip de purtǎtori - cei majoritari), structura şi simbolul
folosit în schemele electronice fiind prezentate în figura 5.13. Aşa cum se vede în
aceastǎ figurǎ, sunt douǎ variante constructive, cu canal n (figura 5.13.a) şi cu
canal p (figura 5.13.b), ambele fiind construite pe un cristal semiconductor (de tip
n, respectiv p), la capetele cǎruia se aflǎ contactele la cei doi electrozi numiţi sursǎ
- S şi drenǎ – D, între care se formeazǎ un canal. Cel de-al treilea electrod este
grila (poarta) - G, formatǎ pe un substrat semiconductor cu tip de conducţie diferit
de cel al stratului în care s-a realizat canalul, astfel încât între grilǎ şi canal se
formeazǎ o joncţiune p-n. Grila este puternic dopatǎ, în timp ce sursa şi drena sunt
mai slab dopate.
Fenomenul principal care se petrece într-un TEC-J este deplasarea
purtǎtorilor majoritari de la sursǎ spre drenǎ prin canal, a cǎrui lǎrgime se poate
modifica prin tensiunea aplicatǎ pe poartǎ, dispozitivul comportându-se ca o
rezistenţǎ comandatǎ prin aceastǎ tensiune.
 Sǎ considerǎm un TEC-J cu canal n la care doparea este foarte puternicǎ în
regiunea grilei şi slabǎ în canal, ceea ce face ca joncţiunea ce apare între grilǎ şi
canal sǎ prezinte o regiune de sarcinǎ spaţialǎ extinsǎ practic numai în canal.
Sǎ analizǎm mai întâi situaţia în care potenţialul porţii este nul, VGS = 0. În
aceastǎ situaţie, între drenǎ şi sursǎ, se aplicǎ o tensiune V DS > 0, crescǎtoare. La
valori mici ale acestei tensiuni, apare un curent ID, proporţional cu VDS, situaţie în
care tranzistorul se comportǎ ca o rezistenţǎ constantǎ. Diferenţa de potenţial
dintre canal şi grilǎ este mai mare în vecinǎtatea drenei şi mai micǎ în vecinǎtatea
sursei (ca urmare a distribuţiei potenţialului de-a lungul canalului). Ca urmare,
tensiunea de polarizare a joncţiunii formate între grilǎ şi canal este mai micǎ în
vecinǎtatea sursei şi mai mare în vecinǎtatea drenei, ceea ce impune şi faptul cǎ
regiunea de sarcinǎ spaţialǎ din canal este mai largǎ în vecinǎtatea drenei şi mai
îngustǎ în vecinǎtatea sursei. Cu alte cuvinte, canalul se îngusteazǎ în apropierea
drenei (figura 5.14), ceea ce înseamnǎ creşterea rezistenţei sale.

Ca urmare, creşterea curentului ID odatǎ cu creşterea tensiunii VDS se face

din ce în ce mai lent, pânǎ când, la un moment dat, pentru o valoare Vp, numitǎ
tensiune de prag sau tensiune de închidere, canalul se închide complet. Când
canalul se îngusteazǎ, densitatea de curent în zona în care acesta este foarte îngust
creşte dar aceastǎ creştere nu poate avea loc la infinit, astfel încât curentul ID
capǎtǎ o valoare constantǎ, de saturaţie, IDs. Variaţia ID = f(VDS), este datǎ în figura
5.15, ea reprezentând caracteristica de drenǎ a TEC-J.

Cum curentul ce trece prin canal, IDs, depinde de lǎrgimea acestuia, rezultǎ
cǎ se poate controla acest curent prin tensiunea aplicatǎ pe poartǎ (grilǎ). Aceastǎ
tensiune trebuie sǎ aibǎ o astfel de polaritate astfel încât joncţiunea p-n sǎ fie
polarizatǎ invers: pentru TEC-J cu canal n grila este polarizatǎ negativ faţǎ de
sursǎ, pentru TEC-J cu canal p, pozitiv faţǎ de sursǎ.
Dacǎ VDS = 0, lǎrgimea canalului este constantǎ pe toatǎ lungimea lui, dar
mai micǎ decât în cazul când VGS = 0. La creşterea tensiunii VDS, se vor produce
aceleaşi fenomene ca în situaţia analizatǎ mai sus, caracteristica ID = f(VDS) având
aceeaşi formǎ (calitativ) ca în cazul anterior, dar curentul de saturaţie va avea o
valoare mai micǎ (a se vedea tot figura 5.15).
Cu cât VGS este mai mare (în valoare absolutǎ), cu atât curentul de drenǎ de
saturaţie, IDs este mai mic, astfel încât, pentru o anumitǎ tensiune VGS = Vp,
curentul IDs se anuleazǎ.
Rezultǎ astfel cǎ, prin potenţialul aplicat pe grilǎ, se poate controla lǎrgimea
canalului, tranzistorul comportându-se ca o rezistenUǎ comandatǎ în tensiune.
Pentru descriera funcţionǎrii TEC - J, se definesc urmǎtorii parametri:
- panta caracteristicii de drenǎ:
DS
r DS 
dV (5. 30)
dID VDS 0 şi VGS 0
- conductanţa mutualǎ (transconductanţa)
dID
gm  (5. 31)
dVGS
VDS Vp

Transconductanţa este maximǎ la VGS = 0, când:

 gm0 2

IDs0 (5. 32)
Vp
unde IDs0 este valoarea curentului ID când VGS = Vp, la scurtcircuit între drenǎ şi
sursǎ.
În regiunea de saturaţie, curentul de drenǎ este dat de expresia:
 V ⎞2
IDs  IDs01 GS  (5. 33)
 Vp ⎠
⎝
de unde se poate exprima VGS:
1  IDs
VGS  V 
p IDs0 (5. 34)

De asemenea, în aceeaşi regiune, transconductanţa este datǎ de relaţia:


gm  g m0  1 VG ⎞  gm0 IDs (5. 35)

S
 Vp ⎠ IDs0
⎝
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Lucrarea are drept scop studiul funcţionǎrii unui TEC-J şi trasarea
caracteristicilor statice ale acestuia.
Pentru trasarea punct cu punct a caracteristicilor statice ale TEC-J se
foloseşte montajul din figura 5.16, care reprezintǎ macheta, instrumentele de
mǎsurǎ şi sursele de tensiune utilizate.

În afara machetei din figura 5.16, se mai utilizeazǎ:

- machetǎ pentru vizualizarea caracteristicilor de drenǎ (figura 5.17);
 - machetǎ pentru vizualizarea caracteristicilor de transfer (figura 5.18);

- patru AVO-metre (multimetre), folosite în schema din figura 5.16;

- un osciloscop;
- douǎ surse de c.c. cu valoare variabilǎ 0 ÷ 20 V, ED şi EG.
3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicilor TEC-J se foloseşte montajul din figura 5.16,
tranzistorul folosit fiind de tipul BF 245. Se parcurg urmǎtoarele etape:
- se verificǎ montajul realizat pe machetǎ, identificându-se elementele
acestuia şi conexiunile;
- se leagǎ în circuit instrumetele de mǎsurǎ, care sunt: douǎ voltmetre de
curent continuu şi douǎ miliampermetre de curent continuu (toate cele
patru instrumente de mǎsurǎ pot fi multimetre digitale) precum şi douǎ
surse de tensiune continuǎ, reglabile (se pot folosi surse de tensiune
fixe, cuplate la un montaj potenţiometric).
- se alimenteazǎ montajul de la cele douǎ surse de tensiune variabilǎ, ED
şi EG.
 - pentru trei valori constante ale lui VGS, în domeniul de tensiuni sub
tensiunea de prag şi la diferite tensiuni VDS, se mǎsoarǎ curenţii ID .
Rezultatele se trec în tabelul urmǎtor:

- VGS (V) 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3

ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA)
-1
-0,9
-0,8
-0,5
-0,3
-0,1
VDS 0
(V) 0,1
0,3
0,5
1
1,5
2
5
10

- se traseazǎ caracteristicile statice de ieşire,

ID  f VDS ct
şi cele

V
GS
de transfer, I  f V , folosind datele din tabelul întocmit;
D GS ct
V
DS
- pentru VDS = 0, se mǎsoarǎ IG la diferite tensiuni VDS, rezultatele
trcându-se în tabelul urmǎtor:

VGS (V) 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3

IG
- se traseazǎ caracteristica de intrare, IG  f VGS , folosind datele
0
din tabelul de mai sus;  V
DS

- din caracteristicile trasate, se determinǎ Vp, gm şi IDs0 şi, cu valorile

determinate, se verificǎ relaţia (5.32);
- folosind montajele din figurile 5.17 şi 5.18, se vizualizeazǎ la
osciloscop caracteristicile de ieşire şi de transfer şi se comparǎ cu cele
trasate punct cu punct.
4. Întrebǎri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicilor de ieşire şi de transfer
trasate punct cu punct, respectiv vizualizate la osciloscop ?
2. Cum funcţioneazǎ montajul din figura 5.17 ? Dar cel din figura 5.18 ?
 5.5.2. Tranzistorul cu efect de câmp cu poartǎ izolatǎ (TEC-
MOS)
1. Noţiuni teoretice
Tranzistoarul cu efect de câmp cu poartǎ izolatǎ (TEC-MOS) se deosebeşte
de TEC-J prin faptul cǎ poarta este izolatǎ faţǎ de canal printr-un strat de oxid, care
este un dielectric. Principial, TEC-MOS este construit conform figurii 5.19;
tranzistorul reprezentat în aceastǎ figurǎ este cu canal de tip n, putându-se realiza,
bineînţeles, şi varianta cu canal de tip p.

De asemenea, canalul poate fi realizat iniţial sau indus. Indiferent de varianta

constructivǎ, un TEC – MOS are patru electrozi: sursa (S), drena (D), grila
(poarta) (G) şi baza (B), care, de regulǎ, fiind un electrod auxiliar, se leagǎ la
sursǎ.
Dacǎ pe poartǎ nu se aplicǎ tensiune, curentul de drenǎ este ID = 0 în cazul
când canalul este indus. Aplicând o tensiune negativǎ de polarizare pe poartǎ, VGS,
curentul ID depinde de acesta aşa cum rezultǎ din figura 5.20.

La o anumitǎ valoare, Vp, a acestei tensiuni, numitǎ tensiune de prag,

curentul ID devine diferit de zero, datoritǎ inducerii unui canal între sursǎ şi drenǎ;
peste aceastǎ valoare, curentul creşte odatǎ cu creşterea tensiunii VGS.
Pentru VGS = ct., peste valoarea de prag, curentul ID este dependent de
tensiunea VDS conform graficului din figura 5.21.
 TEC – MOS cu canal iniţial se comportǎ asemǎnǎtor dar caracteristica ID =
f(VGS) este cea din figura 10.4.

Se vede cǎ, în acest caz, la VGS = 0, existǎ un curent ID diferit de zero, care
se poate anula prin aplicarea unei tensiuni VGS pozitive. Deci, TEC – MOS cu
canal iniţial poate funcţiona şi la tensiuni VGS pozitive, spre deosebire de cel cu
canal indus, care funcţioneazǎ numai la valori negative ale acestei tensiuni.
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Lucrarea are drept scop studiul funcţionǎrii unui tranzistor cu efect de câmp
cu poartǎ izolatǎ (TEC-MOS) şi trasarea caracteristicilor statice ale acestuia.

Pentru trasarea punct cu punct a caracteristicilor statice ale TEC-MOS se

foloseşte montajul din figura 5.23, care reprezintǎ macheta, instrumentele de
mǎsurǎ şi sursele de tensiune utilizate. Se foloseşte un tranzistor de tipul ROS 01,
care este un TEC – MOS cu canal de tip p indus.
În afara machetei din figura 5.23, se mai utilizeazǎ:
- o machetǎ pentru vizualizarea caracteristicilor de drenǎ, ID = f(VDS)
(figura 5.24);

- o machetǎ pentru vizualizarea caracteristicilor de transfer, ID = f(VGS)

(figura 5.25);

- patru AVO-metre (multimetre), folosite în schema din figura 5.23;

- un osciloscop;
- douǎ surse de c.c. cu valoare variabilǎ 0 ÷ 20 V, ED şi EG.
3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicilor TEC-MOS se foloseşte montajul din figura
5.23. Se parcurg urmǎtoarele etape:
- se verificǎ montajul realizat pe machetǎ, identificându-se elementele
acestuia şi conexiunile;
- se leagǎ în circuit instrumetele de mǎsurǎ, care sunt: douǎ voltmetre de
curent continuu şi douǎ miliampermetre de curent continuu (toate cele
patru instrumente de mǎsurǎ pot fi multimetre digitale) precum şi douǎ
 surse de tensiune continuǎ, reglabile (se pot folosi surse de tensiune
fixe, cuplate la un montaj potenţiometric).
- se alimenteazǎ montajul de la cele douǎ surse de tensiune variabilǎ, ED
şi EG.
- pentru diferite valori constante ale lui VGS şi la diferite tensiuni VDS, se
mǎsoarǎ curenţii ID . Rezultatele se trec în tabelul urmǎtor:

- VGS (V) 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3

ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA)
-1
-0,9
-0,8
-0,5
-0,3
-0,1
VDS 0
(V) 0,1
0,3
0,5
1
1,5
2
5
10

- se traseazǎ caracteristicile statice de ieşire,

ID  f VDS ct
şi cele

DS
V
GS
de transfer, I  f V , folosind datele din tabelul întocmit;
D GS ct
- se determinǎ:  V

gm  dI dID
D
dVGS şi gd  dV
VDS ct DS VGS ct.
în punctul VDS = - 10 V şi ID = - 10 mA.
- folosind montajele din figurile 5.24 şi 5.25, se vizualizeazǎ la
osciloscop caracteristicile de ieşire şi de transfer şi se comparǎ cu cele
trasate punct cu punct.
4. Întrebǎri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicilor de ieşire şi de transfer
trasate punct cu punct, respectiv vizualizate la osciloscop ?
2. Cum funcţioneazǎ montajul din figura 10.6 ? Dar cel din figura 10.7 ?
CAPITOLUL VI

6. AMPLIFICATOARE
6.1. NoEiuni generale. Clasificare
Definit în modul cel mai general, un amplificator este un cuadripol la
intrarea cǎruia dacǎ se aplicǎ un semnal variabil, la ieşire se obţine un semnal de
aceeaşi formǎ şi frecvenţǎ dar cu amplitudine mai mare. Este evident cǎ sporul de
putere la ieşirea amplificatorului este obţinut datoritǎ unei surse de energie
electricǎ cu care este prevǎzut acesta.
Amplificatorul este deci, în sens larg, un cuadripol activ caracterizat de
perechile de mǎrimi ui şi ii - la intrare şi ue şi ie - la ieşire, între care se stabileşte o
relaţie biunivocǎ (unei perechi de valori ui, ii îi corespunde o pereche şi numai una
de valori ue, ie). De regulǎ, se impune ca mǎrimile de intrare sǎ fie cât mai puţin
influenţate de mǎrimile de ieşire.
Clasificarea amplificatoarelor se poate face dupǎ mai multe criterii:
1. dupǎ natura semnalului amplificat
- amplificatoare de tensiune
- amplificatoare de curent
- amplificatoare de putere
Primelor douǎ tipuri li se aplicǎ la intrare semnale de amplitudini mici, motiv
pentru care se mai numesc şi amplificatoare de semnal mic. Al treilea tip necesitǎ
lucrul cu puteri mari, motiv pentru care amplificatoarele din aceastǎ categorie se
mai numesc şi amplificatoare de semnal mare.
2. dupǎ tipul elementelor active utilizate
- amplificatoare cu tuburi electronice
- amplificatoare cu tranzistoare
- amplificatoare cu circuite integrate
3. dupǎ frecvenţa semnalelor amplificate
- amplificatoare de curent continuu
- amplificatoare de joasǎ frecvenţǎ (JF) sau audiofrecvenţǎ (AF), care
lucreazǎ în gama de frecvenţe 10105 Hz
- amplificatoare de înaltǎ frecvenţǎ (ÎF) sau radiofrecvenţǎ (RF), care
lucreazǎ în gama de frecvenţe 105 – 107 Hz
- amplificatoare de foarte înaltǎ frecvenţǎ (FIF) şi de ultraînaltǎ
frecvenţǎ (UIF), care lucreazǎ în gama de frecvenţe 108 – 1010 Hz
4. dupǎ lǎrgimea benzii de frecvenţe în care lucreazǎ
- amplificatoare de bandǎ îngustǎ (~ 10 kHz)
- amplificatoare de bandǎ largǎ (~ 106 Hz)
5. dupǎ tipul cuplajului între etaje de amplificare
- amplificatoare cu cuplaj RC
- amplificatoare cu circuite acordate
- amplificatoare cu cuplaj prin transformator
 - amplificatoare cu cuplaj rezistiv (galvanic)

6.2. Parametrii amplificatoarelor

Dintre multitudinea de parametri care caracterizeazǎ un amplificator, îi
enumerǎm aici pe cei mai importanţi:
1. parametri de intrare
a) gama de tensiuni de intrare
b) impedanţa de intrare
ui
Zi = (6. 1)
ii
2. parametri de ieşire
a) gama de tensiuni de ieşire
b) gama de curenţi de ieşire
c) impedanţa de ieşire
d) puterea maximǎ la ieşire
3. parametri de transfer
a) coeficientul de amplificare (amplificare, câştig)
i. amplificarea în tensiune:
ue
Au = (6. 2)
ui

ie ii. amplificarea în curent:

Ai =
ii (6. 3)

AP = iii. amplificarea în putere:

Pe
(6. 4)
P
i
Se mai folosesc formulele:
u
Au = 20lg ; Au = ln e (6. 5)
ue u i

ui
şi cele analoage, pentru amplificarea în curent şi putere 1. Unitatea de mǎsurǎ a
amplificǎrii este în cazul primei formule din 6.5 decibelul (dB), iar în cazul celei
de-a doua formule neperul2 (Np).
b) caracteristica amplitudine-frecvenţǎ
Aceastǎ mǎrime reprezintǎ curba A = f(). Se definesc: frecvenţa limitǎ
inferioarǎ, m şi, respectiv, frecvenţa limitǎ superioarǎ, M, care reprezintǎ
frecvenţele la care amplificarea scade la 1
din valoarea acesteia în mijlocul
2

1
În acest caz, factorul din prima formulǎ este 10 şi nu 20, iar în a doua formulǎ logaritmul natural se
multiplicǎ cu factorul 1/2.
2
1 Np = 8,686 dB
 benzii de frecvenţe a amplificatorului. Diferenţa B = M – m reprezintǎ banda de
frecvenţe a amplificatorului.
c) distorsiunile amplificatorului
La amplificatoarele reale, semnalul de ieşire nu reproduce identic semnalul
de intrare, datoritǎ neliniaritǎţii caracteristicii de transfer sau apariţiei unor
armonici. Astfel, întâlnim distorsiuni ale amplitudinii în funcţie de frecvenţǎ,
pentru care definim factorul de distorsiuni de amplitudine, M:
A A0
M= (6. 6)

distorsiuni ale fazei în funcţie de frecvenţǎ, distorsiuni armonice şi de

intermodulaţie. Pentru distorsiunile armonice, se defineşte factorul de distorsiuni
armonice:
2 2
U  U …
=
1 2 (6. 7)
U0
unde U1, U2, ... reprezintǎ amplitudinile armonicilor şi U 0 amplitudinea semnalului
fundamental.
d) raportul semnal-zgomot
Aceastǎ mǎrime reprezintǎ raportul dintre tensiunea semnalului util şi cea a
zgomotului propriu1.
e) gama dinamicǎ
Gama dinamicǎ reprezintǎ raportul dintre semnalul de putere maximǎ şi
respectiv de putere minimǎ pe care le poate furniza amplificatorul. Limita
superioarǎ a puterii furnizate este determinatǎ de puterea amplificatorului, iar cea
inferioarǎ de raportul semnal-zgomot.
f) sensibilitatea
Aceastǎ mǎrime se defineşte ca fiind tensiunea minimǎ la intrare care asigurǎ
la ieşire puterea utilǎ nominalǎ în sarcinǎ.

6.3. Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC

Schema acestui tip de amplificator este prezentatǎ în figura 6.1.a (folosind un
tranzistor bipolar), respectiv în figura 6.1.b (folosind un TEC). În schema din
figura 6.1.a, rezistenţele R1, R2 şi R3 au rol în polarizarea tranzistorului (a se vedea
paragraful 4.4), în timp ce R4 are rol atât în polarizare, cât şi, împreunǎ cu R5, la
constituirea rezistenţei de sarcinǎ. Condensatoarele C1 şi C3 permit cuplarea
amplificatorului, atât la intrare cât şi la ieşire, numai în curent alternativ, iar C2
scurtcircuiteazǎ R3 în curent alternativ. Acest amplificator este inversor, în sensul
cǎ semnalul de la ieşire este defazat cu 180 faţǎ de cel de la intrare.

1
Zgomotul propriu reprezintǎ semnalul existent la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea
sa semnalul este nul.
 În mod analog, în schema din figura 6.1.b, R1, R2 şi R3 asigurǎ polarizarea
tranzistorului, R2 alcǎtuind în acelaşi timp, împreunǎ cu R5, rezistenţa de sarcinǎ a
amplificatorului. Condensatoarele C1, C2 şi C3 au şi ele acelaşi rol cu cele
corespunzǎtoare din schema 6.1.a. ?i acest amplificator este inversor. Sǎ analizǎm
acum funcţionarea amplificatorului din schema 6.1.a, pe baza schemei echivalente
a tranzistorului, aşa cum a fost ea configuratǎ cu parametrii hibrizi.
Rezistenţa de sarcinǎ a amplificatorului este R4 dacǎ avem un singur etaj de
amplificare sau Rs = R 4R b
, unde Rb este rezistenţa de intrare a tranzistorului
R 4 R
b
din etajul urmǎtor, legatǎ în paralel cu cele douǎ rezistenţe de polarizare a bazei
acestuia. Schema echivalentǎ cu parametrii hibrizi a montajului este datǎ în figura
6.2. La frecvenţe medii, reactanţele condensatoarelor de cuplaj se pot considera
practic nule, în timp ce capacitatea parazitǎ, Cp are o reactanţǎ infinitǎ. Curentul la
ieşirea amplificatorului este: i2 = h21i2 + h22h2, unde i1 este curentul la intrare şi u2
tensiunea la ieşire. Pe de altǎ parte, u 2 = Rsi2, de unde: i2(1 + h22Rs) = h21i1, relaţie
care ne permite sǎ calculǎm amplificarea în curent:
i h 21
Ai = 2  (6. 8)
i1 1  h 22
RS
Impedanţa de intrare, consideratǎ pur rezistivǎ, este datǎ de:
 u1 h 11  h 11 h 22  h 12 h 21
R =  (6. 9)
Ri S
i1 1  h22 R S
u2
Amplificarea în tensiune este datǎ de: Au = RS i2  A RS şi,

u1 R i i 1 i
Ri
înlocuind expresia lui Ai din (6.8), se obţine:
Au = h 21 RS
 (6. 10)

 h11  h11 h22  h12 h 21 RS

Putem scrie, de asemenea: u1 = – Rgi1, unde Rg este rezistenţa internǎ a
generatorului ce furnizeazǎ semnalul de intrare şi u1 = h11i1+h12u2. Eliminând u1 din
aceste douǎ relaţii şi folosind şi relaţia (6.8), putem calcula impedanţa de ieşire,
consideratǎ pur rezistivǎ:
h11  R g
Re = (6. 11)
h22 Rg  h11h22  h12 h21
Formulele astfel obţinute sunt valabile pentru semnale de frecvenţe medii. În
cazul frecvenţelor joase, efectul capacitǎţilor de cuplaj nu mai poate fi neglijat şi,
ca atare, în expresia amplificǎrii va apǎrea şi influenţa capacitǎţii C 3. Refǎcând
calculele, rezultǎ:
1   1
 

= Au 1  j⎞ 
2 2
Auj = (6. 12)
Au  
1  ⎠
1 ⎝ ⎝
3 R 4  R 
2

unde s-a notat: 2C b
j = (6. 13)
1 

2C3 R 4  Rb
Aşa cum se poate constata, la frecvenţe joase, amplificarea scade odatǎ cu
scǎderea frecvenţei. Definim frecvenţa limitǎ inferioarǎ, j, frecvenţa datǎ de
relaţia (6.13), la care amplificarea scade de 2 ori faţǎ de valoarea la frecvenţe
medii. De asemenea, se observǎ şi faptul cǎ frecvenţa limitǎ inferioarǎ este cea la
care reactanţa capacitǎţii de cuplaj, C3, este egalǎ cu rezistenţa echivalentǎ a legǎrii
în serie a lui R4 cu Rb.
La frecvenţe mari, capacitǎţile de cuplaj au efecte neglijabile, în schimb
capacitatea parazitǎ, Cp, influenţeazǎ evident funcţionarea amplificatorului.
Aceastǎ capacitate parazitǎ este capacitatea echivalentǎ a grupǎrii în paralel a
capacitǎţii colector-emitor, a capacitǎţii de intrare a etajului urmǎtor şi a capacitǎţii
conexiunilor montajului. Ţinând cont de aceastǎ influenţǎ, dupǎ efectuarea
calculelor se obţine amplificarea la frecvenţe înalte:
1    ⎞2  21
Auî = = Au 1    (6. 14)
Au 1 2C RpS  2  
⎝ ⎝ î ⎠ 
unde s-a notat:
î = 1
(6. 15)
2Cp RS
?i în acest caz se poate vedea cǎ se defineşte o frecvenţǎ limitǎ superioarǎ,
i, ce reprezintǎ frecvenţa la care amplificarea scade de 2 ori faţǎ de valoarea la
frecvenţe medii şi la care reactanţa capacitǎţii parazite este egalǎ cu rezistenţa Rs.
La frecvenţe înalte mai intervin şi alte fenomene, ca urmare a influenţei
capacitǎţilor Cbe şi Cbc, care determinǎ scǎderea amplificǎrii, acestea acţionând ca şi
Cp (putând fi, de altfel, incluse în Cp). În mod special capacitatea Cbc, care are
valori de ordinul 3 ÷ 6 pF, acţioneazǎ ca un circuit de reacţie negativǎ, ce limiteazǎ
amplificarea la frecvenţe mari, acest fenomen fiind cunoscut sub numele de efect
Miller sau reacţie internǎ.
Mǎrimea: B = î - j se numeşte bandǎ de trecere (de frecvenţe) a
amplificatorului, reprezentând domeniul de frecvenţe în care amplificatorul
amplificǎ semnalele aplicate la intrare.

6.4. Amplificatoare de putere

Dacǎ la intrarea unui amplificator se aplicǎ un semnal variabil de o anumitǎ
putere, iar la ieşire se obţine semnalul amplificat la o putere mai mare,
amplificatorul respectiv este un amplificator de putere. Faţǎ de amplificatorul de
tensiune, amplificatorul de putere necesitǎ la intrare un semnal mare, iar impedanţa
de sarcinǎ este de câteva zeci sau sute de ori mai micǎ.
Amplificatoarele de putere se pot clasifica dupǎ mai multe criterii. Astfel, în
funcţie de tensiunea de polarizare a bazei şi de amplitudinea semnalului la intrare,
amplificatoarele pot funcţiona în trei clase de funcţionare:
 clasǎ A, când elementul activ este în stare de conducţie pe toatǎ durata
semnalului de la intrare, semnalul de la ieşire reproducând în totalitate semnalul
de intrare;
 clasǎ B, când timpul în care elementul activ este în stare de conducţie este
jumǎtate din perioada semnalului aplicat la intrare;
 clasǎ C, când timpul în care elementul activ este în stare de conducţie este mai
mic decât o semiperioadǎ.
De asemenea, în funcţie de tipul de cuplaj al amplificatorului cu sarcina,
întâlnim:
 amplificator cu cuplaj prin transformator;
 amplificator cu cuplaj capacitiv;
 amplificator cu cuplaj direct (galvanic).
 În figura 6.3 este prezentatǎ schema unui amplificator de putere funcţionând
în clasǎ A, cu cuplaj prin transformator. Pentru uşurinţa înţelegerii funcţionǎrii
acestui amplificator, vom folosi şi diagrama din figura 6.4.

Dacǎ la intrare se aplicǎ un semnal sinusoidal, punctul de funcţionare se

deplaseazǎ pe dreapta de sarcinǎ, de o parte şi de alta a punctului static de
funcţionare, ales prin polarizarea tranzistorului, între tensiunile U CEmax şi UCEmin şi,
respectiv între valorile curentului ICmax şi ICmin. Practic, se poate scrie:
U  UCE min
UCE = CE max (6. 16)
2
Tensiunea de alimentare, EC, se alege practic egalǎ cu UCE, iar curentul de
colector corespunzǎtor punctului static de funcţionare respectiv se alege astfel
încât puterea disipatǎ de tranzistor în acest punct sǎ nu depǎşeascǎ puterea maximǎ
disipatǎ admisibilǎ. În aceste condiţii, Puterea maximǎ utilǎ a amplificatorului este:
1
Pu = UCEIC (6. 17)
2
 iar puterea absorbitǎ de la sursa de alimentare:
PC = ECIC  UCEIC (6. 18)
Randamentul amplificatorului este deci:
P
 = u = 50 % (6. 19)
Pc
Acesta este randamentul maxim posibil, în realitate apǎrând pierderi şi în
transformator şi pe alte cǎi, astfel încât randamentul este în realitate mai mic.
Totuşi, acest tip de amplificator are avantajul introducerii unor distorsiuni neliniare
neglijabile.

Dezavantajul amplificatorului de clasǎ A, în ceea ce priveşte randamentul

scǎzut, se poate evita prin folosirea amplificatoarelor de clasa B la care, datoritǎ
funcţionǎrii doar pe o semiperioadǎ, sunt necesare de fapt douǎ etaje care
funcţioneazǎ în contratimp. Schema unui astfel de amplificator este datǎ în figura
6.5. Astfel de amplificatoare au un randament ridicat, ajungând la 80 %,
distorsiunile armonice sunt şi ele reduse, fiind posibilǎ şi eliminarea folosirii
transformatoarelor.

6.5. Principiul reacEiei; reacEia în amplificatoare

Reacţia reprezintǎ procesul de aducere a unei pǎrţi din semnalul de la ieşirea
unui amplificator la intrarea acestuia, prin intermediul unei bucle de reacţie.
Schema generalǎ de realizare a reacţiei este prezentatǎ în figura 6.6.
 Reţeaua de reacţie asigurǎ atenuarea corespunzǎtoare a semnalului de la
ieşire şi, dacǎ este cazul, o defazare corespunzǎtoare, mǎrimea caracteristicǎ a
acesteia fiind factorul de reacţie, . Semnalul la intrarea amplificatorului este: s
= s i + s r = s i + s 0. Pe de altǎ parte: s 0 = A 0 s 
Din cele douǎ relaţii se obţine:
s0 = A
0
si (6. 20)
1 A0 
Rezultǎ deci cǎ amplificarea sistemului amplificator-circuit de reacţie este:
s
A= 0 A0 (6. 21)
 1 A 
si 0

Se vede cǎ pentru A0 suficient de mare, amplificarea A tinde spre o valoare

egalǎ cu inversul factorului de reacţie, , deci devine independentǎ faţǎ de
amplificarea amplificatorului de bazǎ. Se spune cǎ amplificarea amplificatorului cu
reacţie este desensibilizatǎ faţǎ de amplificarea amplificatorului de bazǎ. Dupǎ
modul de readucere a semnalului de la ieşire la intrare, se disting patru configuraţii
tipice de realizare a reacţiei: serie-serie, serie-paralel, paralel-serie, paralel-paralel.
Acestea sunt prezentate în figura 6.7. În funcţie de configuraţie, mǎrimile care apar
în relaţiile de mai sus au semnificaţii diferite, dupǎ cum urmeazǎ:
- reacţia serie-serie:
i
A = 0 ; A = i0  A0y ;= r
u
(6. 22)
0y y y
u i u 1  0y i 0
A
y
- reacţia serie-paralel:
u u A0u u
A0u = 0 ; Au = 0  ; u = r (6. 23)
u ui 1  A0u u u0
- reacţia paralel-paralel:
u u A0z i
A0z = 0 ; Az = 0  ; z = r (6. 24)
i ii 1 A0z  u0
z
- reacţia paralel-serie:
i i0 A0i ir
A0i = 0 ; Ai =  ; i = (6. 25)
i  i i 1 A0i i 0
i
 În general, se disting urmǎtoarele trei situaţii:
1 – A 0 < 1 - reacţie pozitivǎ;
1 – A 0 = 0 - amplificatorul devine oscilator (vezi § 7.2)
1 – A 0 > 1 - reacţie negativǎ

6.6. InfluenEa reacEiei asupra parametrilor

amplificatoarelor
Prezenţa reacţiei negative la un amplificator determinǎ modificǎri ale
parametrilor acestuia, aşa cum se poate vedea în cele ce urmeazǎ:
1. Influenţa reacţiei negative asupra amplificǎrii
Dupǎ cum se poate constata din relaţia (6.21), amplificarea unui amplificator
cu reacţie negativǎ scade; pe de altǎ parte, însǎ creşte stabilitatea amplificǎrii, lucru
pe ce poate fi arǎtat în modul urmǎtor: dacǎ amplificarea fǎrǎ reacţie A 0 suferǎ o
variaţie dA 0 << A 0, atunci A 0 devine A 0 + dA 0, iar A devine A + dA.
Diferenţiind relaţia 6.21, se obţine:
dA = dA0 (6. 26)
 
2
1  A
0
Atunci,
dA 1 dA0
 (6. 27)
A 1A A0
0
 Din relaţia de mai sus, se vede cǎ variaţia relativǎ a amplificǎrii cu
reacţie este mai micǎ de 1 – A 0 ori decât cea fǎrǎ reacţie, stabilitatea în
amplificare a amplificatorului crescând deci de 1 – A 0 ori prin utilizarea
reacţiei negative.
2. Influenţa reacţiei negative asupra benzii de frecvenţǎ
Întrucât, pe de o parte, produsul bandǎ-amplificare este constant, şi, pe de
altǎ parte, amplificarea cu reacţie negativǎ scade de 1 – A 0 ori, rezultǎ cǎ
banda de frecvenţe a amplificatorului cu reacţie creşte de 1 – A 0 ori.
3. Influenţa reacţiei negative asupra impedanţelor de intrare şi de ieşire
ale amplificatorului şi asupra distorsiunilor neliniare.
Se poate demonstra cǎ impedanţa de intrare a amplificatorului cu reacţie
negativǎ creşte, iar cea de ieşire scade, în comparaţie cu mǎrimile corespunzǎtoare
ale amplificatorului fǎrǎ reacţie, de 1 – A 0 ori. De asemenea, se aratǎ cǎ
factorul de distorsiuni se reduce şi el cu acelaşi factor, când se utilizeazǎ reacţia
negativǎ.

6.7. Amplificatorul diferenEial

Amplificatorul diferenţial este un amplificator simetric, funcţionând ca
amplificator de semnale variabile sau de curent continuu şi care permite eliminarea
practic totalǎ a influenţei derivei termice asupra parametrilor sǎi. Schema de
principiu este cea din figura 6.8 şi din ea se vede cǎ amplificatorul diferenţial
dispune de douǎ intrǎri simetrice şi una sau douǎ ieşiri.

Dacǎ la cele douǎ intrǎri se aplicǎ semnalele ui1 şi, respectiv ui2, se definesc:
- semnalul de intrare diferenţial:
ud = ui2 – ui1 (6. 28)
- semnalul de intrare de mod comun:
u u
umc = i1 i 2 (6. 29)
2
Din relaţiile de mai sus, se pot exprima, invers, semnalele de intrare în
funcţie de cel diferenţial şi cel de mod comun:
 ud
ui1 = umc 
2 (6. 30)
Pentru studiul funcţionǎrii amplificatorului diferenţial se utilizeazǎ schema
echivalentǎ, care este datǎ în figura 6.9.

Considerând cǎ amplificatorul diferenţial analizat este perfect simetric, vom

nota:
h11e
RC1 = RC2 = RC, h21E1 = h21E2 = h21E, h11E1 = h11E2 = h11E, re= .
h 21e
Atunci:
R u
ue1 = C d  RC u mc (6. 31)
2re 2R E  re
R u
ue2 =  C d  RC u mc (6. 32)
2re 2R E  re
R u
ue = ue1 – ue2 = C d (6. 33)
re
Se poate constata cu uşurinţǎ cǎ, în timp ce semnalele de ieşire ue1 şi ue2
conţin atât semnalul de intrare diferenţial cât şi semnalul de intrare de mod comun,
semnalul de ieşire diferenţial, ue conţine numai componenta diferenţialǎ de intrare.
Aceasta reprezintǎ caracteristica esenţialǎ a amplificatorului diferenţial, care ǎi
permite acestuia sǎ funcţioneze fǎrǎ a fi influenţat de factori variabili, cum ar fi
deriva termicǎ, zgomotul etc. întrucât aceştia apar numai în semnalul de intrare de
mod comun, nu şi în cel diferenţial, unde, prin scǎderea celor doi termeni care sunt
semnalele la cele douǎ intrǎri, se reduc.
Definim amplificarea diferenţialǎ şi pe cea de mod comun, astfel:
R RC
Ad = C ; Amc = (6. 34)
2re 2R E  re
Cu aceste relaţii, expresiile (6.31), (6.32) şi (6.33) devin:
ue1= Adud – Amcumc ; ue2= – Adud – Amcumc ; ue= 2Adud (6. 35)
 În aplicaţiile practice, este de dorit ca amplificarea diferenţialǎ sǎ fie cât mai
mare, iar cea de mod comun cât mai micǎ, ideal chiar nulǎ. Evident, acest lucru nu
se poate realiza la un amplificator diferenţial real, la care amplificarea de mod
comun este subunitarǎ dar nu nulǎ. Abaterea amplificatorului diferenţial real de la
situaţia idealǎ este caracterizatǎ de factorul de rejecţie a modului comun, notat
cu CMRR1:
A
CMMR = d  2R E  re  R E (6. 36)
Amc 2re re
Cu cât CMRR este mai mare, cu atât amplificatorul diferenţial real se
apropie mai mult de cel ideal. Pentru a creşte CMRR, trebuie sǎ creascǎ foarte
mult RE, fapt ce necesitǎ o tensiune de alimentare mare, ceea ce face ca valoarea
lui RE sǎ fie limitatǎ. Creşterea CMRR peste limita impusǎ de valoarea lui R E se
poate face prin utilizarea unor elemente active, cum este generatorul de curent
constant cu tranzistor, montat în circuitul de emitor, ca în figura 6.10, prin care
valoarea factorului de rejecţie a modului comun este substanţial crescutǎ.

În general, la amplificatorul diferenţial semnalul de intrare de mod comun

poate varia în limite largi, în schimb, pentru a avea distorsiuni reduse la ieşire,
semnalul diferenţial trebuie sǎ fie mic, de obicei de ordinul zecilor de mV.

6.8. Amplificatoare operaEionale

6.8.1. Descriere; funcţionare
Amplificatorul operaţional - a cǎrui denumire vine de la faptul cǎ poate
efectua diferite operaţii matematice, de unde au apǎrut şi primele aplicaţii - este
alcǎtuit în principiu dintr-un etaj diferenţial urmat de un etaj de amplificare, în
prezent el fiind realizat sub formǎ integratǎ, ca un dispozitiv electronic de sine

1
Notaţia CMRR vine de la denumirea în limba englezǎ: "Common-Mode Rejection Ratio"
stǎtǎtor, având calitǎţi deosebite, cum sunt impedanţa de intrare foarte mare, derivǎ
a tensiunii neglijabilǎ, impedanţǎ de ieşire foarte micǎ, amplificare foarte mare.

Vom studia în cele ce urmeazǎ amplificatorul operaţional ideal, care este un

amplificator prevǎzut cu douǎ intrǎri (intrarea neinversoare, "+" şi intrarea
inversoare, "–", aşa cum se vede în figura 6.11) şi care are urmǎtoarele proprietǎţi:
 dacǎ la intrǎri se aplicǎ semnalele ui+ şi ui–, la ieşire se obţine semnalul
ue = lim A0(ui+ – ui–) (6. 37)
A0 œ

 dacǎ ue = 0, atunci ui+ = ui–

 impedanţa de ieşire este nulǎ
 amplificarea A0 este constantǎ în toatǎ banda de frecvenţe şi A0  œ
 impedanţa de intrare este infinitǎ
 CMRR este infinit
 timpii de tranziţie sunt nuli.
În mod obişnuit, amplificatoarele operaţionale reale funcţioneazǎ cu reacţie
negativǎ, ceea ce reduce amplificarea dar, în acelaşi timp duce la creşterea
stabilitǎţii, a benzii de frecvenţe şi a imunitǎţii faţǎ de semnale parazite.
Existǎ trei moduri de utilizare a amplificatorului operaţional (AO): ca
amplificator neinversor, amplificator inversor sau amplificator diferenţial,
schemele respective fiind prezentate în figura 6.12.
1. În cazul amplificatorului neinversor (figura 6.12.a), tensiunea de intrare se
aplicǎ la intrarea neinversoare (ui = ui+) şi reacţia negativǎ se realizeazǎ pe
intrarea inversoare, la care avem tensiunea: ui– = ue Z1
. Cum ue este
Z1  Z2
datǎ de relaţia (6.37), dupǎ efectuarea calculelor, rezultǎ:
 Z2 ⎞
ue = ui 1   (6. 38)
⎝ Z1 ⎠
Funcţia de transfer este datǎ de raportul ue/ui care, dacǎ impedanţele sunt pur
rezistive, reprezintǎ amplificarea în buclǎ închisǎ:
 R2
Aneinv = 1
(6. 39)
R1

Se constatǎ cǎ semnalul la ieşirea amplificatorului neinversor este

proporţional cu cel de la intrare şi în fazǎ cu acesta.
2. În cazul amplificatorului inversor, (figura 6.12.b), considerând impedanţa
de intrare infinitǎ, rezultǎ cǎ ii  0 şi, deci, – i1 = i2. Pe de altǎ parte, i1 = ii
u
u i ; i2 = e , de unde,
=
Z1 Z2
Z2
ue = – ui (6. 40)
Z1
Funcţia de transfer, datǎ de raportul ue/ui, este deci egal cu –Z2/Z1 şi, în cazul
când impedanţele sunt pur rezistive, coincide cu amplificarea în buclǎ închisǎ
pentru amplificatorul inversor:
R
Ainv = – 2 (6. 41)
R1
Dupǎ cum se poate constata, semnalul la ieşirea amplificatorului inversor
este proporţional cu cel de la intrarea lui dar defazat faţǎ de acesta cu 1800.
3. Pentru amplificatorul diferenţial (figura 6.12.c), se poate scrie:
ii– = i1+i2 şi e  u u  u
1 i i  0 . Punând condiţiile: ii– = ii+ = 0 şi ud = 0,
 e i  i
Z1 Z2
Z2
rezultǎ: u = u  Z 2 ⎞ = e . Pe de altǎ parte, u = i Z = e2 Z4 = u .
  1
e i– 1 Z1
Atu nci, Z1 ⎠
⎝
i+ i+ 4
Z3 Z 
 Z
u=e  Z 2 ⎞ Z4  e 2 (6. 42)
 
e
1 2 Z1 ⎠ Z3  Z 4 1
⎝ 1
Z
Alegând impedanţele astfel Z1 Z3
 , se obţine:
încât Z2 Z4
ue = e 2  R (6. 43)
e1 R
2
1
Funcţia de transfer este în acest caz egalǎ cu raportul impedanţelor, Z2/Z1 şi,
dacǎ acestea sunt pur rezistive, ea este egalǎ cu amplificarea în buclǎ închisǎ:
R
Adif = 2 (6. 44)
R1

6.8.2. Aplicaţii ale amplificatoarelor operaţionale

Pe baza rezultatelor obţinute la analiza funcţionǎrii amplificatorului
operaţional ca amplificator neinversor, inversor sau diferenţial, rezultǎ şi o primǎ
serie de aplicaţii ale acestuia, utilizând schemele corespunzǎtoare, conform figurii
6.12. În afarǎ de aceste operaţii, amplificatorul operaţional poate efectua şi altele,
dupǎ cum urmeazǎ:
1. SUMATOR INVERSOR ÇI NEINVERSOR
Aplicând la intrarea unui amplificator operaţional montat ca amplificator
neinversor (figura 6.13.a), respectiv inversor (figura 6.13.b) mai multe tensiuni, la
ieşirea acestuia se obţine o tensiune ce poate fi calculatǎ astfel:

a) pentru amplificatorul neinversor, la intrarea neinversoare se poate scrie:

e u
i1 + i2 +...+ in = ii+ = 0 , unde ik = k i , k = 1, 2, ..., n .
Rk
Dacǎ R1 = R2 = ... = Rn = R, atunci e1 + e2 +...+ en = nui+ .
 Dar ui+ = ui– = R ue
S . Punând condiţia: Ra + Rb = nRa, se obţine:
n RS  Rb
ue =  e k
k1 (6. 45)
b) pentru amplificatorul inversor, la intrarea inversoare se poate scrie:
u e
i1 + i2 +...+ in + ir = ii– = 0 . Dar ir =  e , ik = k , k = 1, 2, ... n
R Rk
n
ek u = R = ... = R = R, rezultǎ:
De aici, rezultǎ:   e . Punând condiţia R 1
k1 R k R
2 n

ue =   e k (6. 46)
k1
2. SUBSTRACTOR
Circuitul substractor este un circuit care efectueazǎ operaţia de scǎdere a
douǎ tensiuni. El se poate realiza pornind de la circuitul amplificator diferenţial
(figura 6.12.c), la care, în plus, se pune condiţia: R1 = R2. În acest caz, din relaţia
(6.43), se obţine:
ue = e1 – e2 (6. 47)
3. MULTIPLICATOR ÇI DEMULTIPLICATOR
Circuitul multiplicator (demultiplicator) este un circuit ce realizeazǎ operaţia
de înmulţire (împǎrţire) a valorii unei tensiuni cu o valoare constantǎ. El se poate
realiza pornind de la circuitul amplificator inversor (figura 6.12.b), la care, în plus,
se pune condiţia: R2 = kR1. În acest caz, din relaţia (6.40), se obţine:
ue = kui (6. 48)
Dupǎ cum constanta k este supraunitarǎ, respectiv subunitarǎ, se realizeazǎ
operaţia de înmulţire cu k, respectiv de împǎrţire cu 1/k. Un caz particular este cel
la care k = 1, când se obţine circuitul repetor, la care ue = – ui.
4. INTEGRATOR
Circuitul integrator este un circuit ce realizeazǎ operaţia de integrare a
valorilor unei tensiuni aplicate la intrare pe un interval de timp, schema acestui
circuit, prezentatǎ în figura 6.14, fiind realizatǎ plecând de la circuitul amplificator
inversor.
 Întrucât ui+ = ui–, la intrarea inversoare avem:
du
i1 = i2 = iC . Dar iC = C C .
dt
1
Atunci, uC = i C  dt . Cum uC = ue, rezultǎ:
C
t t
1 1
C 0 RC 0
ue = i i  dt  u i  dt .
Alegând valorile lui R şi C astfel încât RC = 1, se
obţine:
t (6. 49)
ue =  ui dt
0
5. DERIVATOR
Circuitul derivator este un circuit ce realizeazǎ operaţia de derivare a unei
tensiuni aplicate la intrarea circuitului, schema acestuia, prezentatǎ în figura 6.15,
fiind realizatǎ plecând de la circuitul amplificator inversor.

Întrucât ui+ = ui–, tensiunea la bornele condensatorului este chiar ui. Pe de altǎ
parte, ue = – RiC . Din aceste douǎ relaţii, se obţine:
du
ue = –RC i .
dt
Alegând R şi C astfel ca RC = 1, avem:
du
ue = – i (6. 50)
dt
În afara acestor aplicaţii, amplificatoarele operaţionale sunt folosite şi în alte
circuite, cum sunt: filtre active, comparatoare, limitatoare, circuite de mǎsurare etc.
O ultimǎ precizare se impune a fi fǎcutǎ: în toate discuţiile de pânǎ acum, s-a
lucrat în condiţiile unui amplificator operaţional ideal. Amplificatoarele
operaţionale reale au proprietǎţi care se abat de la cele ale unui amplificator
operaţional ideal, ceea ce face ca în aplicaţiile reale sǎ aparǎ unele aspecte
suplimentare, de care trebuie sǎ se ţinǎ seama. Astfel, un amplificator operaţional
real nu este niciodatǎ echilibrat perfect, ceea ce face ca, atunci când la intrǎri se
aplicǎ tensiuni egale, la ieşire tensiunea sǎ nu fie nulǎ. Pentru a obţine la ieşire o
tensiune nulǎ, la intrare trebuie aplicatǎ o tensiune diferenţialǎ, numitǎ tensiune de
ofset, cu valori uzuale de ordinul a câţiva mV. Evident, acest lucru determinǎ şi un
curent în circuitul de intrare, numit curent de ofset.

6.9. AplicaEii
6.9.1. Amplificatorul de tensiune cu tranzistor în montaj
emitor comun
1. Noţiuni teoretice
Amplificatorul de tensiune are rolul de a amplifica semnalul de intrare - cu
distorsiuni în limita impusǎ - pânǎ la un nivel dat, fǎrǎ a debita practic putere. De
regulǎ, cuplajul între astfel de amplificatoare se face prin circuite RC. Punctul de
funcţionare se stabileşte la jumǎtatea dreptei de sarcinǎ, plaja de variaţie a
semnalului încadrându-se pe lungimea acesteia. Un astfel de amplificator, se spune
cǎ funcţioneazǎ în clasǎ A.
Schema clasicǎ a unui astfel de amplificator este cea din figura 6.16.

Dacǎ amplificatorul este cuplat cu alt etaj, în paralel cu rezistenţa de

sarcinǎ a etajului, RC, apare şi rezistenţa RB, formatǎ la rândul ei, din legarea în
paralel a trei rezistenţe: Ri - rezistenţa de intrare a tranzistorului urmǎtor şi R1 şi R2
- rezistenţele de polarizare a bazei acestuia. Noua rezistenţǎ de sarcinǎ va fi atunci:
Rs  R C  R B
(6. 51)
RC  RB
ceea ce duce la faptul cǎ dreapta de sarcinǎ ce trece prin punctul static de
funcţionare (UCE, IC) face cu axa tensiunii unghiul , dat de relaţia:
Ie 1  tg (6. 52)
Ue RS
Punctul de funcţionare se va deplasa pe aceastǎ dreaptǎ între douǎ limite
determinate de condiţia:
 i C = I C +  IC (6. 53)
Schema echivalentǎ a montajului este cea din figura 6.17, unde C1 şi RB
aparţin etajului de amplificare urmǎtor iar Cp este capacitatea parazitǎ totalǎ a
etajului, care se compune din capacitatea de ieşire colector-emitor C e1, capacitatea
de intrare a etajului urmǎtor, Ci2 şi capacitatea conexiunilor montajului, Cm.
Cp = Ce1 + Ci2 + Cm

La frecvenţe medii, efectele condensatoarelor sunt neglijabile şi, în acest

caz, C1 şi Cp se pot elimina din schema echivalentǎ. Considerând impedanţa internǎ
a generatorului de naturǎ pur rezistivǎ, putem scrie:
R  RB
ui = ug – Rgii ; ue = – RSIe ; RS  C
RC  R B
Dar
ui  h11  ii  h12 
ue

 ⎝ ie  h21  ii  h22 
Notând A ie ue
A i i (6. 54)
i amplificarea în curent, se obţine:

h21
i
1  h 22  RS
Dacǎ h22  0, Ai  h21.
u
Impedanţa de intrare este datǎ de R  i şi are expresia:
i i
i
h  h11  h22  h12  h 21  
R R i 11 1  h 22  RS (6. 55)
S
Pentru h12  h22  0, Ri  h11.
Amplificarea în tensiune, A  ue , are expresia:
u i
u
de unde,
 R RS
A i . u S  A
e
Ri i
R i  ii
 Au   h21  RS
(6. 56)
h11  h11  h22  h12  h 21  
RS
Pentru h12  h22  0, Au   h21  R
 S  RS
h11 s

Impedanţa de ue
Re  , are expresia:
ieşire, ie
ug 0

Re  h11  Rg
(6. 57)
h22  R g  h11  h22  h12 
h21
Dacǎ h12  h22  0, Re  œ.
La frecvenţe joase, capacitǎţile parazite, Cp, nu intervin dar se simte efectul
capacitǎţii C1. Notând cu Aj amplificarea la frecvenţe joase şi cu A0 amplificarea la
frecvenţe medii (dedusǎ anterior), se aratǎ cǎ:
Aj 1
 (6. 58)
A0  j ⎞2
1
 
⎝ ⎠
unde 1
  (6. 59)
C  RC  R B 
j

reprezintǎ pulsaUia limitǎ inferioarǎ.

A
Punând condiţia ca amplificarea Aj sǎ scadǎ la valoarea 0 , rezultǎ cǎ  =
2
j, ceea ce ne permite sǎ interpretǎm pulsaţia limitǎ inferioarǎ ca fiind pulsaţia la
care amplificarea montajului se reduce de 2 ori faţǎ de cea de la pulsaţii
(frecvenţe medii).
La frecvenţe mari, C este neglijabil, însǎ intervine C p care va avea o
reactanţǎ din ce în ce mai micǎ la creşterea frecvenţei, scurtcircuitând din ce în ce
mai accentuat RS, ceea ce are drept efect atenuarea mǎritǎ a semnalului de ieşire.
Notând cu Aî amplificarea la frecvenţe înalte, se obţine:
Aî 1
A0  ⎞
2 (6. 60)
unde 1 
⎝ î ⎠
î  1
(6. 61)
Cp  Rp
reprezintǎ pulsaUia limitǎ superioarǎ, adicǎ pulsaţial la care Aî scade de 2 ori faţǎ
de amplificarea A0 la frecvenţe medii.
Rp se calculeazǎ cu relaţia:
1 1 1 1 (6. 62)
R p Re  RC R B
Mǎrimea
î  j
B f
fj (6. 63)
2
î

reprezintǎ banda de frecvenUe a amplificatorului, adicǎ domeniul de frecvenţe în

care amplificarea acestuia nu scade sub valoarea A
0
2.
2. Scopul lucrǎrii; montaj eperimental
Scopul lucrǎrii este studiul amplificatorului de tensiune cu tranzistor în montaj
emitor comun.
Montajul eperimental este realizat pe o machetǎ conform schemei din figura
6.18.

Mai sunt necesare:

- sursǎ de c.c - 10 V;
- generator de semnal sinusoidal de frecvenţǎ variabilǎ;
- osciloscop.
3. Mod de lucru
- se realizeazǎ montajul de amplificare, aplicând un semnal cu frecvenţa
de 1 KHz la intrarea amplificatorului (bornele 1-2);
- se vizualizeazǎ pe osciloscop semnalul de intrare şi cel de ieşire, se
determinǎ amplitudinile acestora şi se determinǎ amplificarea
montajului;
- se observǎ defazajul dintre cele douǎ semnale. Pentru aceasta, se aplicǎ
mai întâi semnalul de la intrare la ambele intrǎri, X şi Y ale
osciloscopului şi se observǎ poziţia segmentului obţinut; se aplicǎ apoi
semnalul de intrare la bornele X şi cel de ieşire la bornele Y şi se
observǎ din nou poziţia segmentului;
 - se ridicǎ caracteristica de frecvenţǎ a amplificatorului şi se reprezintǎ
grafic; pentru aceasta, se aplicǎ un semnal sinusoidal de amplitudine
constantǎ (1 V) la intrare şi se modificǎ frecvenţa. Pentru fiecare
valoare a frecvenţei se mǎsoarǎ cu osciloscopul amplitudinea
semnalului de ieşire. Se determinǎ fj şi fî şi B. Se comparǎ cu valorile
rezultate din calcul, obţinute cu relaţiile (6.59) şi (6.61).
4. Întrebǎri
1. Ce se obţine cînd se analizeazǎ defazajul dintre semnalul de intrare şi cel de
ieşire ? Pe ce se bazeazǎ metoda utilizatǎ ?
2. Ce se întâmplǎ dacǎ la intrarea amplificatorului din figura 12.3 se înlocuieşte
condensatorul de capacitate 1 F cu altul de capacitate de 1 nF ? Dar dacǎ între
bornele 3 – 4 se conecteazǎ un condensator de capacitate 1 nF ?
3. Cum se pot determina rezistenţele de intrare, R i şi ieşire, Re, folosind metoda
de mai sus ?

6.9.2. Principiul reacţiei. Reacţia negativǎ

1. Noţiuni teoretice
Reacţia (feed - back) constǎ în aducerea la intrarea unui amplificator a unei
pǎrţi din energia semnalului de ieşire, conform schemei, proces care este redat în
schema din figura 6.19.

Semnalul de ieşire, e, este readus la intrare printr-o reţea de reacţie ce aplicǎ

la intrare semnalul:
r = e ( < 1) (6. 64)
care se suprapune peste semnalul de intrare, i, rezultând semnalul:
 = i  r = i  e (6. 65)
 se numeşte factor de reacUie, fiind caracteristic reţelei de reacţie.
Amplificarea amplificatorului fǎrǎ reacţie este:
e
A (6. 66)

iar amplificarea cu reacţie este:
e
A  (6. 67)
r
i
Folosind relaţiile (6.64), (6.65) şi (6.66), expresia amplificǎrii cu reacţie
devine:
 Ar  A
(6. 68)
1 ± 
A
 Dacǎ  = i + r, adicǎ semnalul readus de la ieşire este în fazǎ cu cel de la
intrare, reacţia este pozitivǎ şi dacǎ i = 0 şi   1 sistemul funcţioneazǎ ca un
oscilator. A
 Dacǎ  = i – r, adicǎ semnalul readus de la ieşire este în antifazǎ cu cel de la
intrare, reacţia este negativǎ.
Dacǎ A este foarte mare (A  œ), A  1 , adicǎ, practic, amplificarea cu
r

reacţie este independentǎ de amplificarea de bazǎ, ceea ce reprezintǎ un avantaj în
aplicaţiile practice.
Folosirea reacţiei negative în amplificatoare are însǎ şi alte avantaje. De
exemplu, raportul dintre semnalul util şi semnalul parazit (datorat insuficientei
filtrǎri a tensiunii de alimentare, zgomotului termic al componentelor etc.), numit
raport semnal-zgomot, S/Z, este îmbunǎtǎţit în cazul utilizǎrii reacţiei negative.
În funcţie de modul de aplicare a semnalului r la intrare, se pot obţine patru
configuraţii de reacţie:
- reacţia de tensiune – serie;
- reacţie de tensiune – paralel;
- reacţie de curent – serie;
- reacţie de curent – paralel.

Sǎ considerǎm schema echivalentǎ a unui amplificator cu reacţie negativǎ

de tensiune – serie (figura 6.20). Rezistenţa de intrare în prezenţa reacţiei, Rir, este:
Rir u u  ur u    Ar 
 ii   (6. 69)
ii u i
i
ii
iar cea în lipsa reacţiei, Ri,
u
R  (6. 70)
i i
i
Din conpararea celor douǎ relaţii de mai sus, se obţine:
 Rir = Ri(1 + A) (6. 71)
În mod analog, se aratǎ cǎ la reacţia de tensiune – paralel, rezistenţa de
intrare este datǎ de relaţia:
Rir R
 1  i  (6. 72)
A
Pentru reacţia de tensiune – serie, rezistenţa de ieşire este:

Rer u e în gol Ar  ui

 u
ie în scurtcircuit  A  
 Rr
de unde (dacǎ ue = 0, ur = 0, u = ui ):
Rer R
 1  e  (6. 73)
A
În mod analog, la reacţia de tensiune – paralel:
Rer = Re(1 + A) (6. 74)
Rezultǎ deci cǎ, prin modificarea configuraţiei de reacţie, se pot modifica
în sensul dorit rezistenţele de intrare şi ieşire ale amplificatorului.
Reacţia negativǎ are influenţǎ asupra benzii de frecvenţǎ, în sensul creşterii
acesteia, ca urmare a scǎderii amplificǎrii, întrucât la un amplificator, produsul
amplificare-bandǎ de frecvenţǎ rǎmâne constant în lipsa sau în prezenţa reacţiei.
De asemenea, distorsiunile neliniare sunt reduse prin folosirea reacţiei negative.
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Scopul lucrǎrii este studiul reacţiei negative şi influenţa sa asupra
funcţionǎrii unui amplificator. Montajul eperimental este realizat pe o machetǎ, aşa
cum se poate vedea în figura 6.21.

Mai sunt necesare:

- sursǎ de c.c., reglabilǎ;
- generator de semnal sinusoidal IF, cu frecvenţǎ reglabilǎ;
- multimetru electronic;
 - osciloscop.
Se va studia reacţia tensiune – paralel şi curent – paralel.
3. Mod de lucru
- se leagǎ bornele 1 şi 2 între ele;
- se alimenteazǎ montajul cu o tensiune continuǎ de 15 V şi cu P1 se
regleazǎ VE pentu T1 la valoarea de 4 V;
- se mǎsoarǎ VE pentru T2;
- se mǎsoarǎ VC pentru T1 şi T2;
- se calculeazǎ:
IC1 VE1 VE2
 IE1  ;I  IE2  ;VCE1 = VC1 – VE1; VCE2 = VC2 – VE2;
4 C2 R
R 6
- se realizeazǎ configuraţia de amplificator cu reacţie tensiune – paralel,
culegând semnalul de ieşire la borna C sau curent – paralel, culegând
semnalul de ieşire la borna B;
- se aplicǎ la intrarea montajului (borna A) un semnal sinusoidal de 10
kHz cu valoare efectivǎ US = 3 V;
- se vizualizeazǎ pe osciloscop semnalul în colectorul şi emitorul lui T2;
- se mǎsoarǎ cu voltmetrul electronic tensiunile efective Ui, U0 şi U;
- se determinǎ amplificarea pentru cele douǎ configuraţii:
U a) pentru reacţia tensiune - paralel:
A (6. 75)
r

S b) pentru reacţia curent – paralel:

U
U R3
A  0 ;A I0   U0 (6. 76)
u i 
Ii R 7 US  Ui
S
U
- se determinǎ rezistenţa la intrare:
Rir Ui  R  Ui
 I 3 (6. 77)
i Us  Ui
- se completeazǎ tabelul:

Reacţie tensiune - paralel curent – paralel

P.S.F. IC1 = IC2 = IC1 = IC2 =
US (V)
Ui (V)
U (V)
U0 (V)
Au
Ai
Ri
- se decupleazǎ punctele 1 şi 2, rezultând amplificatorul fǎrǎ reacţie;
 - se mǎsoarǎ din nou U, Ui şi U0;
- se calculeazǎ amplificarea fǎrǎ reacţie:
U
A
US (6. 78)
- se calculeazǎ rezistenţa la intrare:
Ri  R3  Ui
(6. 79)
US  Ui
- se verificǎ relaţiile (6.68) şi (6.71).
4. Întrebǎri
1. Ce efecte are reacţia negativǎ asupra funcţionǎrii unui amplificator ?
2. Ce defazaj trebuie sǎ asigure o reţea de reacţie utilizatǎ la un amplificator de
tensiune cu tranzistor în montaj emitor comun pentru a se obţine o reacţie
negativǎ ?

6.9.3. Amplificatorul diferenţial

1. Noţiuni teoretice
Amplificatorul diferenţial este un montaj simetric, alcǎtuit din douǎ
amplificatoare, a cǎrui schemǎ de principiu este prezentatǎ în figura 6.22.

Montajul are douǎ intrǎri şi una sau douǎ ieşiri. Se pot defini douǎ semnale
de intrare:
- semnalul de intrare diferenUial:
ud = ui2 – ui1 (6. 80)
- semnalul de intrare în mod comun:
umc ui1  ui2
 (6. 81)
2
Astfel, se pot exprima semnalele la cele douǎ intrǎri:
ui1  ud  ud
 umc 2 ; ui2  umc 2 (6. 82)
 Dacǎ se considerǎ un amplificator perfect simetric (RC1 = RC2 = RC; h21E1 =
h21E2 = h21E ; h11E1 = h11E2 = h11E ), se poate scrie:
ue1  R C  RC
 2  RE  
(6. 83)
2 u
d re u mc
re

ue2   R C  RC
 2  RE  
(6. 84)
2  ud umc
re re

ue  ue1 RC
 ue2  u (6. 85)
e d
r
h
unde r  11E .
e h21E
Se constatǎ cǎ tensiunea culeasǎ între cele douǎ colectoare (simetric), ue, este
proporţionalǎ doar cu semnalul de intrare diferenţial, în timp ce tensiunile culese
între colector şi masǎ (asimetric), ue1 şi ue2, conţin în plus şi o componentǎ de mod
comun.
Se defineşte amplificarea diferenUialǎ, Ad:
Ad  R C
(6. 86)
2
re
şi amplificarea de mod comun, Amc:
Amc  RC
(6. 87)
2  RE  re
Din calculele practice rezultǎ cǎ amplificarea de mod comun are valori
subunitare, fiind, de fapt o atenuare. Cazul ideal, pentru Amc = 0 ar însemna cǎ
tensiunile de ieşire asimetrice ar fi pur diferenţiale. Abaterea de la aceastǎ situaţie
se caracterizeazǎ prin factorul de rejecUie a modului comun, CMRR1:
CMRR  Ad RE (6. 88)
Amc  re
Tensiunile de ieşire asimetrice sunt de amplitudine egalǎ şi în antifazǎ, iar
tensiunea de ieşire simetricǎ are o amplitudine dublǎ faţǎ de acestea. Semnalul u d
este limitat ca valoare (~  25 mV), în timp ce u mc poate varia în limite largi,
determinate de limitele regiunii active a tranzistoarelor. Rezultǎ astfel proprietatea
esenţialǎ a amplificatorului diferenţial: aceea de a extrage semnale utile slabe din
semnale perturbatoare puternice care acUioneazǎ pe modul comun.
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Scopul lucrǎrii este proiectarea şi studiul funcţionǎrii amplificatorului
diferenţial. Montajul experimental este realizat pe o machetǎ prezentatǎ în figura
6.23.

1
De la expresia în limba englezǎ: “Common Mode Rejection Ratio”
 Mai sunt utilizate:
- sursǎ de c.c.  10 V;
- osciloscop;
- generator de semnal sinusoidal.
3. Mod de lucru
- cu valorile din schemǎ, se calculeazǎ:
VE   E
I (6. 89)
RE
Se considerǎ cǎ, tranzistoarele funcţionând în regiunea activǎ, VE  – 0,6 V.
- se calculeazǎ I
IC
 IC2  ;
1 2
- se calculeazǎ UCE = E – VE – IRC ;
- se aplicǎ tensiunea de alimentare montajului şi se mǎsoarǎ U CE1 şi UCE2
şi se comparǎ cu valorile calculate. Dacǎ cele douǎ tensiuni nu sunt
egale, se acţioneazǎ asupra potenţiometrului de 100  pânǎ la egalarea
lor;
- se calculeazǎ Ad şi Amc;
- se pune la masǎ una din intrǎri şi se aplicǎ un semnal sinusoidal la
cealaltǎ intrare; cu osciloscopul, se mǎsoarǎ amplitudinea semnalului de
intrare şi a celui de ieşire şi se se determinǎ Ad;
- se conecteazǎ împreunǎ cele douǎ intrǎri se li se aplicǎ un semnal
sinusoidal (cu amplitudinea de 1 ÷ 2 V); cu osciloscopul se mǎsoarǎ
amplitudinea semnalului de intrare şi a celui de ieşire; se determinǎ
Amc;
- se comparǎ valorile mǎsurate cu cele calculate.
4. Întrebǎri
1. Cum se poate justifica neglijarea cǎderilor de tensiune pe R B1 şi RB2 în calculul
efectuat pentru UCE ?
2. Dacǎ osciloscopul şi generatorul de semnal sinusoidal au masa comunǎ prin
reţeaua de alimentare, tensiunea între cele douǎ colectoare ale amplificatorului
diferenţial nu poate fi vizualizatǎ. De ce ?
3. Ce concluzii se desprind din compararea valorilor calculate cu cele
determinate?

6.9.4. Amplificatoare operaţionale

1.Noţiuni teoretice
Amplificatorul operaţional este un amplificator care are douǎ intrǎri: una,
numitǎ intrare neinversoare (+) şi cealaltǎ intrare inversoare (–). Tensiunea de
ieşire este proporţionalǎ cu diferenţa dintre cele douǎ tensiuni de intrare:
ue = A0(up – un)
unde A0 este amplificarea în buclǎ deschisǎ a montajului, care are o valoare mare
dar este dependentǎ de frecvenţǎ.
Teoretic, dacǎ, up = un, ue = 0 dar în practicǎ ue  0, fapt explicat prin
existenţa unei tensiuni de decalaj (offset) între cele douǎ intrǎri, cu o valoare de
câţiva milivolţi.
La amplificatorul operaţional este posibilǎ aplicarea simultanǎ a reacţiei
pozitive şi negative. Principalele configuraţii ale amplificatorului operaţional sunt
urmǎtoarele:
A. Amplificator inversor cu reacEie
Configuraţia este prezentatǎ în figura 6.24.

Dupǎ cum se poate constata montajul are o buclǎ de reacţie negativǎ,

amplificarea cu reacţie fiind:
u R
A  e  r (6. 90)
r i R1
u
ue este în antifazǎ cu cel de la intrare iar amplificarea este practic inversǎ factorului
R
de reacţie,   r .
R1
 R1  R r
Rezistenţa R2 se alege cu valoarea R2  pentru o compensare
R1  Rr
optimǎ a erorilor datorate curenţilor de polarizare.
La aceastǎ configuraţie, rezistenţa de intrare este relativ micǎ şi practic egalǎ
cu R1. Montajul poate fi folosit şi ca sumator.
B. Amplificator neinversor cu reacEie
Amplificarea acestui montaj, a cǎrui schemǎ este prezentatǎ în figura 6.25,
este:
R
A r 1  r (6. 91)
1
R

iar R2 se alege cu valoarea

R 2  R1  Rr .
R1  Rr

Rezistenţa de intrare este: Ri A0

R  , având valori foarte mari.
2 Ar
Dacǎ Rr = 0 şi R1 = œ sau Rr = R2 şi R1 = œ, factorul de reacţie este unitar,
deci A = 1, circuitul fiind un repetor de tensiune.
C. Amplificator diferenEial cu reacEie
La cele douǎ intrǎri se aplicǎ tensiunile uip şi uin. Pentru ca circuitul sǎ fie
sensibil la diferenţa de tensiune dintre cele douǎ intrǎri trebuie ca:
R1 R3

Rr R 2
caz în care amplificarea este:
Ar  Ue R
 r (6. 92)
Uip  Uin R1
La toate cele trei configuraţii, rezistenţa de ieşire este:
Re  R 0  A r
A0
unde R0 este rezistenţa de ieşire în buclǎ deschisǎ.
 D. Integrator
În cazul acestei configuraţii, tensiunea la ieşire este integrala tensiunii de
intrare:
ue   1
RC  ui (6. 93)

 t   dt

E. Derivator
Tensiunea de ieşire este derivata tensiunii de intrare:
du t
u  RC  i
e (6. 94)
dt

2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental

Scopul lucrǎrii este studiul amplificatorului operaţional şi realizarea unor
configuraţii caracteristice.
Montajul experimental este realizat pe o machetǎ pe care este montat un
amplificatorul operaţional de tipul A 741.
 Mai sunt necesare:
- osciloscop;
- sursǎ de tensiune continuǎ stabilizatǎ  10 V;
- generator de semnal sinusoidal A.F.;
- generator de semnal dreptunghiular;
- generator de semnal triunghiular;
- voltmetru electronic;
3. Mod de lucru
1. Se realizeazǎ configuraţia din figura 6.24, în care se vor lua ca valori: R1 =
1k, Rr = 10 k, R2 = 0.
- se alimenteazǎ montajul cu  10 V;
- se aplicǎ un semnal sinusoidal ui de 1 kHz şi 1V vârf la vârf, la intrarea
montajului;
- se mǎsoarǎ ue şi se determinǎ amplificarea în u
A  e;
tensiune, r i
u
- se vizualizeazǎ la osciloscop tensiunea de ieşire, observându-se
defazajul acesteia faţǎ de cea de la intrare.
2. Se realizeazǎ configuraţia de integrator (figura 6.27) luându-se ca valori: R =
10 k, C = 10 nF; în paralel cu C se leagǎ o rezistenţǎ auxiliarǎ, Ra = 10 M
- se alimenteazǎ montajul cu  10 V;
- se aplicǎ la intrare un semnal dreptunghiular, ui de 2 V vârf la vârf
(componenta continuǎ nulǎ);
- se vizualizeazǎ ue.
3. Se realizeazǎ configuraţia de derivator (figura 6.28), în care R = 100 k, C =
10 nF; în serie cu C se leagǎ o rezistenţǎ adiţionalǎ, Ra = 1 k şi, în paralel cu
R, un condensator auxiliar Ca = 100 pF;
- se alimenteazǎ montajul cu  10 V;
- se aplicǎ la intrare un semnal triunghiular ui (1 kHz) şi se vizualizeazǎ
semnalul la ieşire; Ce formǎ are acesta?
- se scot pe rând şi apoi simultan elementele auxiliare din circuit şi se
observǎ efectul asupra tensiunii de ieşire.
4. Întrebǎri
1. Ce defazaj este între uI şi ue la montajul de la punctul 1 ?
2. Ce formǎ are ue la montajul de la punctul 2 ?
3. Ce formǎ are ue la montajul de la punctul 3 ?
4. Cum se poate folosi un amplificator operaţional ca sumator ? Sǎ se realizeze
schema acestuia.
5. Cum depinde potenţialul intrǎrii inversoare de tensiunea ui, aplicatǎ la intrarea
amplificatorului operaţional din figura 6.25, în care R2 = 0 iar Rr = 3R1 ?
CAPITOLUL VII

7. GENERATOARE DE SEMNAL
Circuitele electronice care, în funcţionarea lor, genereazǎ un anumit semnal
se numesc generatoare de semnal şi, dupǎ cum este produs acesta, ele sunt de
douǎ tipuri: oscilatoare şi generatoare comandate.

7.1. Oscilatoare
7.1.1. Parametri; clasificare
Oscilatoarele reprezintǎ circuite electronice neliniare care genereazǎ semnale
electrice (oscilaţii electrice întreţinute) cu o frecvenţǎ caracteristicǎ, utilizând în
acest scop energia electricǎ furnizatǎ de o sursǎ de alimentare.
Principalii parametri ce caracterizeazǎ un oscilator sunt:
- forma semnalului generat;
- frecvenţa(domeniul de frecvenţe) semnalului generat;
- amplitudinea semnalului generat;
- impedanţa de ieşire a sursei echivalente;
- impedanţa de sarcinǎ pe care oscilatorul debiteazǎ semnalul;
- stabilitatea în frecvenţǎ a semnalului generat;
- stabilitatea în amplitudine a semnalului generat;
- coeficientul de distorsiuni al semnalului generat;
- tensiunea şi curentul de alimentare;
- randamentul de utilizare a energiei sursei de alimentare.
Clasificarea oscilatoarelor se poate face dupǎ mai multe criterii:
1. dupǎ forma semnalului generat:
 oscilatoare sinusoidale;
 oscilatoare nesinusoidale.
2. dupǎ frecvenţa (domeniul de frecvenţe) semnalului generat:
 oscilatoare de joasǎ (audio) frecvenţǎ (JF, AF);
 oscilatoare de înaltǎ (radio) frecvenţǎ (ÎF, RF);
 oscilatoare de foarte înaltǎ frecvenţǎ (UIF, FIF).
3. dupǎ principiul de funcţionare
 oscilatoare cu reacţie;
 oscilatoare cu reacţie negativǎ.
4. dupǎ tipul reţelei de reacţie
 oscilatoare RC;
 oscilatoare LC;
 oscilatoare cu cuarţ etc.
5. dupǎ tipul elementelor neliniare folosite
 oscilatoare cu tuburi electronice;
 oscilatoare cu tranzistoare;
 oscilatoare cu circuite integrate etc.
 7.1.2. Oscilatoare cu reacţie
Sǎ analizǎm schema din figura 7.1, ce reprezintǎ un amplificator cu reacţie
pozitivǎ, asiguratǎ prin circuitul de reacţie cu funcţia de transfer  Amplificarea
u
proprie a amplificatorului este A0 = 0 .
u

În prezenţa reacţiei, amplificarea este:

u
A= 0 A0 (7. 1)

u i 1A0
Dacǎ u i = 0, se poate obţine semnal diferit de zero la ieşirea circuitului dacǎ:
A0 = 1 (7. 2)
Relaţia (7.2) este cunoscutǎ sub numele de condiţia Barkhausen de
întreţinere a oscilaţiilor. Ţinând cont cǎ factorul de transfer (de reacţie) ca şi
amplificarea sunt mǎrimi complexe, relaţia (7.2) se poate scrie:
 
A = e  A0 eiA  =
i

ceea ce implicǎ:
A 0 = 1 1,0 (7.2’)
i   A 
şi e = 1,de unde   A = 2k.
Pentru k = 0, rezultǎ:
  A = 0 (7.2’’)
Relaţiile (7.2’) şi (7.2’’) aratǎ cǎ, pentru amorsarea şi întreţinerea oscilaţiilor,
este necesar ca factorul de reacţie al reţelei de reacţie sǎ fie egal în modul cu
inversul modulului amplificǎrii proprii a amplificatorului şi defazajul introdus de
reţeaua de reacţie la semnalul readus la intrare sǎ fie astfel încât acest semnal sǎ fie
în fazǎ cu semnalul de intrare.
Configuraţia generalǎ a unui oscilator cu reacţie este datǎ în figura 7.2.
Reţeaua de reacţie, formatǎ de impedanţele Z 1, Z 2, Z 3 trebuie sǎ asigure o
inversare de fazǎ la frecvenţa de lucru, întrucât, dupǎ cum s-a vǎzut, la ieşirea
amplificatorului cu tranzistor, semnalul este defazat cu  faţǎ de cel de intrare.
 Impedanţa de sarcinǎ a montajului este:
Z 2 Z 2  Z 3 
ZS = .
Z1  Z2  Z3
Amplificarea montajului este:
h
A = 21 ZS = – SZS == – Z1  Z 3
.
SZ2 Z1  Z2  Z3
h11
Factorul de reacţie are expresia:
u Z1
 = uBE  .
CE
Z1  Z3
Atunci, din condiţia Barkhausen, rezultǎ:
Z1  Z2
–S = 1,
 Z 1  Z 2  Z 3

sau:
Z 1+ Z 2 + Z 3+ Z 1Z 2S = 0 (7. 3)
Relaţia (7.3) reprezintǎ condiţia de oscilaţie a montajului din figura 7.2.
Considerând impedanţele Z 1 şi Z 2 pur reactive şi de aceeaşi naturǎ, din (7.3)
rezultǎ relaţiile:
R
S= 3 (7.3’)
X1X2
X1 + X2 + X3 = 0 (7.3’’)
Din relaţia (7.3’) rezultǎ cǎ panta S a tranzistorului trebuie sǎ aibǎ o valoare
minimǎ datǎ de relaţia respectivǎ, iar din (7.3’’) cǎ Z 3 este de naturǎ opusǎ
celorlalte douǎ, astfel încât, oscilatoarele cu aceastǎ configuraţie pot fi (figura 7.3):
 oscilatoare Colpitts, cu Z 1 şi Z 2 capacitive şi Z 3 inductivǎ.
 oscilatoare Hartley, cu Z 1 şi Z 2 inductive şi Z 3 capacitivǎ.
Din relaţia (7.3’’) se poate deduce frecvenţa de oscilaţie a montajului. De
exemplu, pentru oscilatorul Colpitts (figura 7.3.b), avem:
X1 = 1 1
, X2 = , X3 = iL
iC1 iC2
şi, înlocuind în (7.3’’), obţinem:
 1  C1  C2 ⎞
i0L + 
i0 ⎝ C1   = 0,
⎠
de unde, C2
LC1C2
0 =
C1  C 2 (7. 4)

De asemenea, pentru oscilatorul Hartley (figura 7.3.a),

X1 = iL1, X2 = iL2 şi X3 = 1 .
iC
Înlocuind în aceeaşi relaţie, (7.3’’), se obţine:
1
i(L1 + L2) = 0,
+ iC
de unde:
0 = CL1  L 2  (7. 5)
Din schema de bazǎ, din figura 7.2, derivǎ şi alte variante, cum sunt
oscilatoarele cu cuplaj magnetic, la care, între Z 1 şi Z 2, care sunt de naturǎ
inductivǎ, se realizeazǎ un cuplaj mutual.
În mod asemǎnǎtor se pot construi oscilatoare RC, la care reţeaua de reacţie
este alcǎtuitǎ din rezistoare şi condensatoare. Acestea sunt utilizate în mod special
ca oscilatoare de joasǎ frecvenţǎ, întrucât oscilatoarele LC ar necesita la frecvenţe
joase bobine cu inductanţe mari şi, deci cu un gabarit şi consum de material mare.
Oscilatoarele LC se utilizeazǎ pentru generarea frecvenţelor radio, la care reţelele
de tip RC ar necesita capacitǎţi de valori foarte mici, greu sau chiar imposibil de
realizat practic.
Configuraţiile reţelelor RC pot fi foarte diverse dar fiecare trebuie sǎ
îndeplineascǎ condiţia Barkhausen, atât de amplitudine, cât şi de fazǎ. Dacǎ la
oscilatoarele LC frecvenţa de oscilaţie a acestora este chiar frecvenţa de rezonanţǎ
a circuitului LC, la oscilatoarele RC circuitul de reacţie se comportǎ în mod
selectiv, condiţia de fazǎ fiind satisfǎcutǎ numai pentru o anumitǎ frecvenţǎ,
aceasta fiind frecvenţa de oscilaţie a oscilatorului.
În figura 7.4 sunt prezenta te cele mai des utilizate reţele RC.
 Relaţiile care caracterizeazǎ aceste reţele sunt urmǎtoarele:
€ reţeaua trece-jos:
1 ;  = arctg RC6   R C 
2 2 2

= 1 5 R C 2   R C 6   R
 2 2 2 2 2 2 2 1  2 2
52R C
C 2
2 2

€ reţeaua trece-sus:
 3 3 RC5  2 R 2 C 2 
3 3
C  R
= ;  =  arctg
1 6 R 2 2
C 2   R C 5   R
2 2 2 2 2 2 1 62
R
2
C2
C 2
2 2

€ reţeaua Wien:
RC 
 = ;   =  arctg 3RC
1   R C 2  9 R
2 2 2 2 2
2 2
2
1 R
2 2
C C

7.1.3. Oscilatoare cu rezistenţǎ negativǎ

Acest tip de oscilator foloseşte pentru generarea oscilaţiilor un element
neliniar a cǎrui caracteristicǎ staticǎ curent-tensiune prezintǎ o regiune de pantǎ
negativǎ, adicǎ o regiune în care rezistenţa dinamicǎ (diferenţialǎ) este negativǎ.
Cum rezistenţa staticǎ în regiunea respectivǎ este pozitivǎ, elementul neliniar
respectiv absoarbe energie în curent continuu, generând energie sub formǎ de
oscilaţii. Aceastǎ proprietate de conversie a energiei de curent continuu în energie
de curent alternativ este folositǎ pentru întreţinerea oscilaţiilor într-un circuit
oscilant, în care pierderea de energie prin disiparea ei pe rezistenţa proprie este
compensatǎ prin energia generatǎ de elementul neliniar.
Elementele neliniare cu rezistenţǎ dinamicǎ negativǎ sunt de douǎ tipuri:
  dispozitive VNR1, având caracteristica de tipul celei din figura 7.5.a.
 dispozitive CNR2, având caracteristica de tipul celei din figura 7.5.b.

Este evident, dupǎ modul de control al fiecǎruia dintre cele douǎ tipuri, cǎ
dispozitivele VNR se conecteazǎ în paralel cu circuitul oscilant, iar cele CNR în
serie cu acesta. Ca dispozitive VNR se pot da ca exemplu tetroda şi dioda tunel, iar
ca dispozitiv CNR - tranzistorul unijoncţiune.
Schemele de principiu ale unui oscilator cu element cu rezistenţǎ negativǎ
sunt prezentate în figura 7.6.

Indiferent de tipul oscilatorului, o problemǎ importantǎ în proiectarea şi

construcţia unui astfel de circuit este cea privind stabilitatea frecvenţei şi a altor
parametri ai semnalului generat faţǎ de variaţiile de temperaturǎ, de tensiune de
alimentare, de valoare ale mǎrimilor R, L, C ale circuitului oscilant etc. Pentru o
stabilitate cât mai bunǎ, se folosesc metode de compensare (utilizând termistori) şi
de protecţie prin termostatare. De asemenea, utilizarea cristalelor de cuarţ (sau a
altor cristale piezoelectrice) permite obţinerea unor performanţe deosebite din
punctul de vedere al stabilitǎţii semnalului generat.

1
Denumirea vine din englezǎ: "Voltage controlled Negative Resistor", adicǎ dispozitiv cu
rezistenţǎ negativǎ controlat prin tensiune.
2
Denumirea vine din englezǎ: "Current controlled Negative Resistor", adicǎ dispozitiv cu
rezistenţǎ negativǎ controlat prin curent.
 7.2. Impulsuri
Impulsul este o variaţie rapidǎ de tensiune sau curent. Durata unui impuls
este foarte scurtǎ comparativ cu intervalul de succesiune dintre impulsuri şi cu
procesele tranzitorii generate de acesta în circuit.

Principalii parametri ce caracterizeazǎ impulsurile (figura 7.7) sunt:

amplitudinea, A, durata, ti (intervalul de timp dintre momentele de timp
corespunzǎtoare atingerii unei valori egale cu jumǎtate din amplitudine), durata
pauzei, tp (intervalul de timp între sfârşitul unui impuls şi începutul celui urmǎtor),
perioada de succesiune, T (intervalul dintre douǎ impulsuri succesive), timpul de
creştere, ta (sau durata frontului anterior - intervalul de timp în care tensiunea -
sau curentul - creşte de la o zecime din valoarea amplitudinii la nouǎ zecimi din
valoarea acesteia), timpul de cǎdere, tc (sau durata frontului posterior - intervalul
de timp în care tensiunea - sau curentul - scade de la o nouǎ zecimi din valoarea
amplitudinii la o zecime din valoarea acesteia), coeficientul de umplere, (raportul
dintre durata şi perioada impulsului, ti/T).
Impulsurile pot fi obţinute fie prin formare (din semnale de altǎ formǎ, cu
circuite specializate), fie prin generare (cu montaje care genereazǎ direct astfel de
semnale).

7.2.1. Circuite de formare a impulsurilor

În general, pentru formarea impulsurilor se pleacǎ de la semnale periodice de
altǎ formǎ (de obicei, sinusoidalǎ) care se aplicǎ la intrarea unui circuit de formare,
la ieşirea cǎruia se obţine semnalul dorit. Circuitele de formare a impulsurilor pot
fi liniare (având în componenţǎ elemente pasive R, L, C) sau neliniare (având în
componenţǎ elemente neliniare).
Cele mai importante tipuri de circuite de formare a impulsurilor sunt
circuitele de limitare, circuitele de derivare şi circuitele de integrare.
 Pentru exemplificare, sǎ analizǎm câteva din cele mai utilizate circuite,
dintre care face parte şi circuitul de limitare cu diode, prezentat în figura 7.8.a.

Dacǎ la intrarea acestui circuit se aplicǎ o tensiune sinusoidalǎ, la ieşire, forma

semnalului este cea din figura 7.8.b., fapt datorat proprietǎţii de conducţie
unilateralǎ a diodelor din montaj. Se constatǎ cǎ, în acest fel, semnalul obţinut este
(cu o foarte bunǎ aproximaţie) de formǎ dreptunghiularǎ.
La circuitul de derivare (figura 7.9.a), prin aplicarea la intrare a unui semnal
dreptunghiular, la ieşire se obţine un semnal de forma celui din figura 7.9.b.

Lucrurile se petrec în felul urmǎtor: la creşterea bruscǎ a tensiunii de intrare,

ui, de la zero la valoarea maximǎ, tensiunea de ieşire, ue, suferǎ de asemenea un
salt brusc, de la zero la valoarea maximǎ, dupǎ care scade exponenţial în timp
(rapid, dacǎ RC << ti), lucrurile petrecându-se la fel dar cu schimbarea polaritǎţii
semnalului de ieşire la scǎderea semnalului de intrare de la valoarea maximǎ la
zero.
La circuitul de integrare (figura 7.10.a), aplicând un semnal dreptunghiular la
intrare, ui, din momentul saltului brusc al tensiunii de intrare de la zero la valoarea
maximǎ, condensatorul se încarcǎ pânǎ la tensiunea maximǎ, dupǎ care, din
momentul când semnalul de intrare scade brusc la zero, semnalul de la ieşire scade
exponenţial la zero Dacǎ constanta de timp a circuitului este mult mai mare decât
durata impulsului (RC >> ti), semnalul de ieşire are o formǎ aproximativ
triunghiularǎ (figura 7.10.b)
 Ca circuite de limitare neliniare, se pot folosi amplificatoarele limitatoare
care utilizeazǎ în funcţionare regiunea de saturaţie a tranzistoarelor.
Pentru exemplificare, prezentǎm în continuare circuitul de limitare cu
amplificator operaţional (figura 7.11), a cǎrui caracteristicǎ de transfer (tensiunea
diferenţialǎ de ieşire, u, în funcţie de tensiunea diferenţialǎ de intrare, u d = u+ - u–),
prezentatǎ (idealizat) în figura 7.11.b, prezintǎ zone de saturare atât la tensiuni
diferenţiale de intrare negative cât şi pozitive.

Aplicând la intrarea amplificatorului operaţional o tensiune sinusoidalǎ cu

amplitudine de ordinul a 1V, acesta „taie” sinusoida, realizând acelaşi efect ca
circuitul de limitare cu diode.

7.2.2. Circuite basculante

Circuitele basculante sunt circuite electronice de generare a impulsurilor 1,
caracterizate prin douǎ sau mai multe stǎri cvasistabile (de acumulare), trecerea de
la o stare la alta (bascularea) fǎcându-se foarte rapid, curenţii şi tensiunile din
circuit având şi ei variaţii foarte rapide.
Circuitele basculante sunt, de fapt, amplificatoare cu reacţie pozitivǎ şi, dupǎ
numǎrul stǎrilor stabile pe care le au, sunt de trei feluri: circuite bistabile, circuite
monostabile şi circuite astabile. Pentru înţelegerea funcţionǎrii lor, sǎ urmǎrim
schema generalǎ, prezentatǎ în figura 7.12, alcǎtuitǎ din douǎ etaje de amplificare
cuplate între ele prin impedanţele Z1 şi Z2, care asigurǎ astfel bucla de reacţie

1
Aceasta este doar una din aplicaţii, existând însǎ şi altele, aşa cum se va vedea ulterior
pozitivǎ. La conectarea sursei de alimentare, datoritǎ imperfecţiunilor simetriei
montajului, unul din cei doi tranzistori primeşte pe bazǎ un impuls negativ (de
exemplu, T2), acesta se va deschide parţial, tensiunea negativǎ din colectorul sǎu
va scǎdea, ceea ce echivaleazǎ cu producerea unui impuls pozitiv transmis bazei
tranzistorului T1 prin Z2; în acest fel, tranzistorul T1 se blocheazǎ, curentul sǎu de
colector scǎzând, ceea ce duce la creşterea tensiunii negative pe colector, aceastǎ
tensiune transmiţându-se tranzistorului T2, şi aşa mai departe, astfel încât, într-un
timp foarte scurt T2 este complet deschis şi T1 complet închis. În funcţie de natura
impedanţelor Z1 şi Z2, se obţin cele trei tipuri de circuite basculante.

1. Circuitul basculant bistabil

Circuitul basculant bistabil (CBB), a cǎrui schemǎ este cea din figura 7.13,
prezintǎ douǎ stǎri stabile egal posibile. Funcţionarea circuitului poate fi descrisǎ
pe baza celor discutate mai sus.

La conectarea tensiunii de alimentare, unul din cei doi tranzistori trece în

stare de conducţie (la saturaţie) celǎlalt fiind blocat, starea menţinându-se un timp
nelimitat dacǎ condiţiile se menţin aceleaşi, deci starea este stabilǎ. Dacǎ pe baza
tranzistorului aflat în stare de conducţie se aplicǎ un puls de tensiune negativǎ,
circuitul basculeazǎ rapid într-o stare complementarǎ, în care tranzistorul aflat
iniţial la saturaţie se blocheazǎ, iar celǎlalt trece în stare de conducţie, stare de
asemenea stabilǎ, din care circuitul poate bascula în cealaltǎ stare prin aplicarea
unui nou impuls negativ pe baza tranzistorului aflat în stare de conducţie. În
colectorul fiecǎruia din cei doi tranzistori se obţin semnale dreptunghiulare de
polaritǎţi opuse, având durata egalǎ cu intervalul dintre douǎ impulsuri succesive
de comandǎ a basculǎrii, aplicate pe bazele tranzistoarelor. Pentru o basculare mai
rapidǎ, în paralel cu rezistoarele R3 şi R4 se poate monta câte un condensator care
asigurǎ astfel o formǎ cât mai apropiatǎ de cea idealǎ, dreptunghiularǎ, a
semnalelor. Dupǎ modul de comandǎ a basculǎrii, se pot reliza mai multe variante
constructive, aşa cum se va vedea în capitolul urmǎtor.
2. Circuitul basculant monostabil
Schema circuitului basculant monostabil (CBM) este prezentatǎ în figura
7.14., ea derivând din cea a circuitului bistabil, la care R4 din figura 7.13 se
înlocuieşte cu un condensator.

La aplicarea tensiunii de alimentare, prin fenomenele tranzitorii descrise

anterior, se ajunge în starea stabilǎ, în care T1 conduce, iar T2 este blocat. Aplicând
un impuls negativ pe baza lui T2, acesta este adus în stare de conducţie, iar T1 se
blocheazǎ. Aceastǎ stare este însǎ instabilǎ, deoarece condensatorul C începe sǎ se
încarce, tensiunea pe baza lui T1 începe sǎ creascǎ cu polaritate negativǎ şi
circuitul basculeazǎ în starea stabilǎ, în care T1 conduce şi T2 este blocat. Timpul
de revenire din starea instabilǎ în cea stabilǎ este determinat de constanta de timp
de încǎrcare a grupǎrii condensatorului.
 3. Circuitul basculant astabil
Schema circuitului basculant astabil (CBA) este cea din figura 7.15 şi din
analiza ei se vede cǎ se poate considera cǎ derivǎ din schema circuitului basculant
bistabil, prin înlocuirea rezistoarelor R3 şi R4 din figura 7.13 cu condensatoare.

Dacǎ la momentul iniţial T1 conduce şi T2 este blocat, C1 începe sǎ se încarce prin

R2, în final asigurând o tensiune negativǎ pe baza lui T 2 care duce la trecerea
acestuia în stare de conducţie, circuitul basculând în starea în care T 1 este blocat şi
T2 conduce. În aceastǎ stare, circuitul rǎmâne pânǎ la încǎrcarea lui C2, când
circuitul comutǎ din nou, lucrurile repetându-se astfel la infinit, circuitul neavând
nici o stare stabilǎ. Sǎ facem acum şi o analizǎ cantitativǎ a proceselor din acest
circuit. Pentru aceasta, considerǎm momentul to ca fiind momentul când T2 tocmai
a trecut în stare de conducţie. VCE1 creşte brusc de la -E la 0, şi acest salt pozitiv de
tensiune este transmis prin C1 la baza lui T2, VBE2 crescând brusc de la 0 la +E, ceea
ce duce la blocarea fermǎ a lui T2. Condensatorul C2, cu tensiunea iniţialǎ zero, se
încarcǎ exponenţial (constanta de timp fiind R4C2) la tensiunea -E prin R4. VCE2, în
acelaşi timp ajunge de la 0 la – E, C1, la rândul sǎu descǎrcându-se de la tensiunea
iniţialǎ +E (plusul pe baza lui T2) la 0 şi încǎrcându-se apoi cu polaritate schimbatǎ
prin R2 (constanta de timp fiind R2C1). Când, la momentul t1, VBE2 trece prin
valoarea 0 spre valori negative, T2 trece în stare de conducţie; T1 primeşte în bazǎ
un puls de tensiune cu valoarea +E blocându-se, deci circuitul basculeazǎ în noua
stare, în care va rǎmâne un timp scurt, determinat de constanta de timp R3C2.
Curentul de încǎrcare a lui C1 prin R2 este:

E   Ee  R C
t t1 0

i= 2 1

R3 .
La t1, când VBE2 = 0, cǎderea de tensiune pe R2 este:
t1 t0

E = iR2 = 2E R2C1
.
De aici, rezultǎ: e
t1 – t0 = R2C1ln2
şi, analog,
 t2 – t1 = R3C2ln2.
Deci, perioada semnalelor ce se obţin la colectoarele celor doi tranzistori, de
aceeaşi formǎ dar în opoziţie de fazǎ, este:
T = (R2C1 + R3C2)ln2 = 0,693(R2C1 + R3C2) (7. 6)
Forma semnalelor generate de circuitul basculant astabil, numit şi
multivibrator, este cea din figura 7.16.

4. Circuitul basculant Schmitt

Schema acestui circuit este cea din figura 7.17, din care rezultǎ cǎ el este un
circuit asimetric, cuplajul între etaje realizându-se prin rezistenţa comunǎ de
emitor, R6 care introduce o reacţie pozitivǎ ca urmare a cǎreia starea circuitului
depinde de tensiunea aplicatǎ pe baza tranzistorului T1.

Sǎ considerǎm cǎ în starea iniţialǎ T1 este blocat şi T2 în stare de conducţie la

saturaţie. Aceastǎ stare se pǎstreazǎ atât timp cât potenţialul pe baza lui T 1 rǎmâne
mai mare decât cel al emitorului. Dacǎ acesta scade sub potenţialul emitorului, T1
începe sǎ conducǎ, pe colectorul acestuia apare un puls pozitiv de tensiune, care se
transmite la baza lui T2, blocându-l. Rezultǎ deci cǎ circuitul basculant Schmitt este
un circuit cu douǎ stǎri stabile care pot fi comutate prin aplicarea la intrare a unei
tensiuni cu variaţia continuǎ care trebuie sǎ depǎşeascǎ un prag critic.
De remarcat faptul cǎ circuitul Schmitt prezintǎ o comportare cu caracter de
histerezis, tensiunea de prag de comutare inversǎ fiind, în general, diferitǎ de cea
de comutare directǎ.
Forma de variaţie a tensiunii de comutaţie poate fi oarecare. Caracteristicile
specifice ale acestui circuit fac ca el sǎ fie utilizat cu mai multe funcţii, dintre care
cele mai importante sunt cea de formator de impulsuri dreptunghiulare din semnale
sinusoidale, cea de memorator de impulsuri aplicate la intrare şi cea de
discriminator de amplitudine a unor impulsuri.
În afara circuitelor prezentate aici mai sunt şi altele, multe din acestea
fabricându-se în prezent sub formǎ integratǎ, cu caracteristici specifice tipului de
aplicaţie în care sunt folosite.

7.3. AplicaEii
7.3.1. Oscilatoare
1. Noţiuni teoretice
Se ştie cǎ, dacǎ la un amplificator cu reacţie, reacţia este pozitivǎ şi dacǎ
1
semnalul la intrare este nul iar,factorul de reacţie este   , sistemul
A
funcţioneazǎ ca un generator de semnal (oscilator).
Reţeaua de reacţie poate avea diverse cofiguraţii, ea însǎ trebuind sǎ asigure
condiţia de amorsare a oscilaţiilor.

Sǎ analizǎm reţeaua din figura 7.18 (reţeaua Wien). Funcţia de transfer a

reţelei este:
1 U2 Z2
  (7. 7)
 U1 Z1  Z2
unde:
1 R2
Z1   R1 şi Z2 
iC 1  iR 2C2
1
 Defazajul introdus este nul numai dacǎ 1
RC  , de unde:

0 012
0  0R
2 1
 2 C1
2 RRCC (7. 8)
1212
În acest caz, funcţia de transfer are valoarea:
1 U2 1
  (7. 9)
 U1 R1 C1
1 
R 2 C2
Dacǎ R1 = R2 = R şi C1 = C2 = C, frecvenţa de rezonanţǎ a reţelei devine:
0  1
(7. 10)
2RC
O astfel de reţea poate fi folositǎ ca reţea de reacţie pozitivǎ pentru obţinerea
unui generator de semnal sinusoidal (figura 7.19).

În aceastǎ schemǎ se foloseşte un amplificator operaţional, la a cǎrui intrare

neinversoare este cuplatǎ reţeaua Wien. Amplificarea fǎrǎ reţea a montajului este
stabilitǎ de reacţia negativǎ formatǎ din gruparea R3 – R4.
R
A1 3 (7. 11)
R4
Dacǎ R1 = R2 = R şi C1 = C2 = C, din condiţia pentru amorsarea oscilaţiilor
rezultǎ cǎ R3 = 2R4. Pentru stabilizarea amplitudinii oscilaţiilor, în practicǎ nu este
posibilǎ menţinerea unei valori constante a amplificǎrii şi atunci în reţeaua de
reacţie negativǎ se introduce un element neliniar (bec cu incandescenţǎ, termistor,
diodǎ, tranzistor J-FET etc.) cu rol de rezistenţǎ variabilǎ controlatǎ prin tensiunea
de ieşire.
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Scopul lucrǎrii îl reprezintǎ studiul caracteristicii de transfer a reţelei Wien
şi al funcţionǎrii unui oscilator cu reţea Wien. Montajul experimental este realizat
pe o machetǎ, ca în figura 7.20.
 Mai sunt necesare:
- sursǎ dublǎ de tensiune stabilizatǎ 0 ÷  12 V;
- multimetru electronic;
- generator JF;
- osciloscop;
- frecvenţmetru
3. Mod de lucru
- se aplicǎ un semnal sinusoidal u1 la bornele A – M; acest semnal se aplicǎ la
bornele de deflexie X ale osciloscopului, semnalul u2, cules la bornele B – M
aplicându-se la bornele Y ale acestuia;
- se variazǎ frecvenţa semnalului astfel încât pe ecranul osciloscopului sǎ aparǎ o
dreaptǎ, caz în care, dupǎ cum se ştie, cele douǎ semnale, u1 şi u2 sunt în fazǎ;
- se mǎsoarǎ frecvenţa la care se obţine dreapta cu un frecvenţmetru şi se
comparǎ cu cea calculatǎ cu formula 7.10;
- se aplicǎ un semnal de frecvenţe diferite la intrarea reţelei, în domeniul
 0 ⎞
  20  0 , menţinând o valoare eficace constantǎ (100 mV) a semnalului
 ⎠
⎝ 20
de intrare;
- pentru 20 frecvenţe diferite, repartizate uniform în domeniul de frecvenţe
respectiv, se mǎsoarǎ tensiunea eficace la ieşirea reţelei;
- se traseazǎ graficul modulului funcţiei de transfer, în funcţie de frecvenţǎ:
u2
 f 
u1
- se realizeazǎ montajul de oscilator, cuplând punctele B – D, A – C şi aplicând
tensiunea de alimentare amplificatorului operaţional;
- se culege semnal la bornele E – M şi se vizualizeazǎ pe osciloscop. Se
calculeazǎ amplificarea A cu relaţia 7.11 şi se verificǎ condiţia de amorsare a
oscilaţiilor.
4. Întrebǎri
1. Care este condiţia pentru ca un amplificator de tensiune liniar cǎruia i se aplicǎ
o reacţie între intrare şi ieşire sǎ funcţioneze ca oscilator ?
 2. Ce se poate spune din analiza reprezentǎrii grafice a variaţiei funcţiei de
transfer a reţelei Wien în funcţie de frecvenţǎ ?

7.3.2. Circuite basculante

1. Noţiuni teoretice
Un circuit basculant este format din douǎ etaje de amplificare, conectate între
ele prin componente pasive (rezistori sau condensatori). Vom analiza situaţia când
circuitul este realizat cu tranzistori, aceştia funcţionând în regim de comutaţie –
când unul este blocat celǎlalt este saturat. Circuitul are douǎ stǎri, trecerea dintr-
una în cealaltǎ fǎcându-se printr-un proces de basculare.
A. Circuitul bistabil
Schema unui astfel de circuit este cea din figura 7.21.

Întrucât, în practicǎ, simetria montajului nu este perfectǎ, la conectarea

tensiunii de alimentare unul dintre tranzistori se va gǎsi în stare de conducţie,
celǎlalt în stare blocatǎ, stare ce se va menţine şi în continuare, ea fiind deci o stare
stabilǎ (de exemplu, T1 saturat, T2 blocat). Dacǎ tranzistorul T1 este blocat (de
exemplu prin aplicarea unui impuls negativ pe bazǎ sau prin scurtcircuitarea de
scurtǎ duratǎ la masǎ a bazei lui T1 sau a colectorului lui T2), curentul în baza lui
T1 scǎzând brusc, potenţialul colectorului lui creşte brusc, determinând apariţia
unui curent în baza lui T 2, care trece astfel în stare de conducţie. Acest lucru duce
la scǎdera potenţialului colectorului lui T2, ceea ce determinǎ menţinerea în stare
blocatǎ a lui T1, stare care este stabilǎ.
Pentru ca, în conducţie, tranzistorii sǎ se satureze, este necesarǎ o
dimensionare corespunzǎtoare a componenetelor, astfel:
IB1 E  UBE1

R 2R 4
Considerând R2 << R4 şi neglijând UBE1, IB1  E . De asemenea,
R4
E  UCE1 sat. E
C1 1 1 I  
R R
 La saturaţie, trebuie IC1
ca IB1  , adicǎ:
h21E
R4
 
h R1 21E 1
R2 21E
Analog, 
h R 3 2
B. Circuitul monostabil
Schema circuitului este datǎ în figura 7.22.

Se observǎ cǎ circuitul derivǎ dintr-un bistabil în care s-a înlocuit rezistenţa

R3 cu un condensator şi baza lui T2 se polarizeazǎ prin legarea lui R3 direct la
tensiunea de alimentare. La conectarea acesteia, T2 este saturat şi T1 blocat, stare
care este stabilǎ.
Dacǎ se aplicǎ un impuls negativ în baza lui T2, circuitul basculeazǎ, T2
blocându-se şi T1 devenind saturat. Ca urmare, tensiunea la bornele
condensatorului suferǎ un salt negativ cu valoarea ~ E. Aceastǎ stare este însǎ
instabilǎ deoarece condensatorul se încarcǎ prin R3, potenţialul bazei lui T2
crescând şi ducând la deschiderea acestuia, circuitul basculând în starea iniţialǎ,
stabilǎ.
Durata stǎrii instabile, T, se calculeazǎ astfel: condensatorul se încarcǎ în
starea stabilǎ la tensiunea:
U = – (E – UBE2)
iar în cea instabilǎ la tensiunea:
U* = UBE2 – UCE1  UBE2
Încǎrcarea se face exponenţial prin R3, tensiunea pe condensator scǎzând
conform relaţiei:
 
t ⎞

uBE2 t  E  E  BE2   e R 3 C  E  BE2 
 
U U
1 
⎝ ⎠
La t = T, uBE2(T) = UBE2, de unde:
 T = R3Cln2  0,7R3C (7. 12)

C. Circuitul astabil
Schema circuitului este prezentatǎ în figura 7.23.

Se observǎ cǎ schema este simetricǎ, cele douǎ condensatoare realizând stǎri

instabile. Rezultǎ o basculare permanentǎ din starea T 1 –saturat şi T2 – blocat în
starea T1 – blocat şi T2 – saturat şi invers. Durata basculǎrii este mult mai micǎ
decât durata stǎrilor instabile, tensiunile în colectorii celor douǎ tranzistoare fiind
de forma din figura 7.24.

Durata fiecǎrei stǎri instabile este datǎ de relaţia:

T1  0,7R3C1 (7. 13)
T2  0,7R4C2 (7. 14)
2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Scopul lucrǎrii este studiul funcţionǎrii circuitelor basculante. Montajul
eperimental cuprinde macheta care permite constituirea celor trei tipuri de circuite
(figura 7.25). Starea de saturaţie sau de blocare a unuia din tranzistori se constatǎ
prin aprinderea, respectiv stingerea becului din colectorul sǎu.
Mai sunt necesare:
- o sursǎ de c.c.;
- osciloscop cu douǎ canale.
3. Mod de lucru
A. se realizeazǎ circuitul bistabil (borna 1 se leagǎ la borna B şi borna 2 la
borna A).
 - se observǎ starea circuitului dupǎ aplicarea tensiunii de alimentare
(max 5V);
- se basculeazǎ circuitul, prin scurtcircuitarea de scurtǎ duratǎ la masǎ
a bazei tranzistorului aflat în stare de saturaţie sau a colectorului
celuilalt tranzistor (blocat) şi se observǎ noua stare a circuitului.
B. se realizeazǎ circuitul monostabil (borna 1 se leagǎ la borna B, borna 2
la borna C şi borna 4 la borna A).
- se repetǎ operaţiile de la punctul A
C. se realizeazǎ circuitul astabil (borna 1 se leagǎ la borna D, borna 2 la
borna C, borna 3 la borna B şi borna 4 la borna A).
- se vizualizeazǎ uB1 şi, uB1, apoi uC1 şi, uC2;
- se mǎsoarǎ experimental duratele celor douǎ stǎri;
- se calculeazǎ duratele celor douǎ stǎri cu formulele (7.13) şi (7.14)
şi se comparǎ cu cele experimentale.
4. Întrebǎri
1. Cum se explicǎ rotunjirea semnalului vizualizat pe oscilocscop, comparativ cu
semnalul dreptunghiular, teoretic ?
2. De unde trebuie cules semnalul audio de la un circuit astabil folosit ca
generator de joasǎ frecvenţǎ ?
CAPITOLUL VIII

8. CIRCUITE LOGICE
8.1. Elemente de algebrǎ booleanǎ
Algebra booleanǎ1, numitǎ şi algebra logicii binare, opereazǎ cu variabile
care pot avea numai douǎ valori numerice, 0 şi 1, cǎrora le corespund valorile
logice NU, FALS, NIMIC, respectiv DA, ADEVǍRAT, TOT.
Funcţiile logice de bazǎ sunt urmǎtoarele:
1. negaţia sau complementul logic sau funcţia logicǎ NU (NOT) face ca unei
variabile binare x sǎ îi corespundǎ variabila binarǎ x , cu proprietatea:
x x=1 (8. 1)
Tabela de adevǎr a acestei funcţii este:
x x
0 1
1 0
2. intersecţia sau produsul logic sau funcţia logicǎ ÇI (AND), a cǎrei tabelǎ
de adevǎr este urmǎtoarea:
x y xy
0 1 0
1 0 0
0 0 0
1 1 1
3. reuniunea sau suma logicǎ sau funcţia logicǎ SAU (OR), a cǎrei tabelǎ de
adevǎr este urmǎtoarea:
x y xy
0 0 0
1 0 1
0 1 1
1 1 1
Aceste funcţii logice au urmǎtoarele proprietǎţi:
1) x  y  z = (x  y)  z = x  (y  z) (8. 2)
2) x  (y  z) = (x  y)  (x  z)
(8. 3)
3) x = x
(8. 4)
4) x  y  z  x  y
z (8. 5)

5) x  y  z  x  y (8. 6)
z
1
Algebra booleanǎ a fost elaboratǎ de matematicianul englez Boole în secolul al XIX-lea;
ea a fost folositǎ în tehnica de calcul pentru prima datǎ de cǎtre Shannon, în 1938.
 Ultimele douǎ relaţii sunt cunoscute sub numele de teoremele lui de Morgan.
Mai pot fi demonstrate şi relaţiile:
xxx...=x (8. 7)
x xx ...=x (8. 8)
x x=0 (8. 9)
 x  0 = x (elementul neutru faţǎ de sumǎ) (8. 10)
 x  1 = x (elementul neutru faţǎ de produs) (8. 11)
 x  (x  y) = x (8. 12)
 x  ( x  y) = x  y (8. 13)
Pentru reprezentarea graficǎ a funcţiilor logice de bazǎ, se utilizeazǎ
simbolurile grafice (logigramele) din figura 8.1.

Folosind funcţiile logice de bazǎ, se pot defini şi alte funcţii auxiliare:

1. funcţia logicǎ NICI (SAU-NU, NOR) are simbolul grafic şi tabela de
adevǎr prezentate în figura 8.2 (se foloseşte relaţia 8.5)

2. funcţia logicǎ ÇI-NU (NAND) are simbolul grafic şi tabela de adevǎr

prezentate în figura 8.3 (se foloseşte relaţia 8.6)

3. funcţia logicǎ SAU-EXCLUSIV (XOR) sau adunarea modulo doi are

simbolul grafic şi tabela de adevǎr prezentate în figura 8.4.
 Funcţia SAU-EXCLUSIV se defineşte astfel:
x  y = (x  y)  (x  y) (8. 14)
4. funcţia logicǎ COINCIDENŢǍ (SAU-EXCLUSIV-NU) are simbolul
grafic şi tabela de adevǎr prezentate în figura 8.5 şi este definitǎ prin
relaţia:
    
x  y  x  y  x  y  x  y  x  (8. 15)
y

În discuţiile de pânǎ acum, s-au considerat funcţii logice realizate cu numai

douǎ variabile binare, x şi y. În general, în practicǎ se întâlnesc funcţii realizate cu
mai multe variabile logice, caz în care funcţia respectivǎ se poate exprima prin aşa-
numiţii termeni P şi S. Termenii produs (P) reprezintǎ o funcţie care ia valoarea
logicǎ 1 pentru o singurǎ combinaţie de valori ale variabilelor, scriindu-se ca
produs al tuturor variabilelor (fiecare din acestea putând fi negatǎ sau nenegatǎ);
termenii sumǎ (S) reprezintǎ o funcţie care ia valoarea logicǎ 0 pentru o singurǎ
combinaţie de valori ale variabilelor, scriindu-se ca o sumǎ a tuturor variabilelor
(fiecare din acestea putând fi negatǎ sau nenegatǎ).
Exprimarea funcţiilor logice de mai multe variabile se face sub forma unei
sume logice de termeni P sau a unui produs de termeni S, aceste forme numindu-se
forme canonice.
Sǎ considerǎm urmǎtorul exemplu: se dǎ funcţia de trei variabile x, y, z, a
cǎrei tabelǎ de adevǎr este datǎ mai jos. Scrierea în formǎ canonicǎ cu termeni P
sau S a funcţiei f(x, y, z) se face astfel: pentru scrierea cu termeni P, se iau acele
combinaţii de variabile pentru care funcţia ia valoarea 1, combinaţiile fiind
produse ale tuturor variabilelor, negate dacǎ au valoarea 0 şi respectiv nenegate
dacǎ au valoarea 1; pentru scrierea cu termeni S se iau acele combinaţii de
variabile pentru care funcţia ia valoarea 0, combinaţiile fiind suma tuturor
variabilelor, negate dacǎ au valoarea 1, respectiv nenegate dacǎ au valoarea 0.

x y z f(x, y, z)
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 0
1 0 0 0
0 1 1 1
1 1 0 0
1 0 1 1
1 1 1 1

Astfel, pentru funcţia a cǎrei tabelǎ de adevǎr este cea de mai sus, formele
canonice cu termeni P şi S sunt:
fP = ( x  y  z )  ( x  y  z)  (x  y  z)  (x  y  z)
fS = ( x  y  z )  ( x  y  z)  (x  y  z)  (x  y  z
)
Scrierea funcţiei sub formǎ canonicǎ permite implementarea ei într-o schemǎ
logicǎ. Pentru funcţia de mai sus, schema logicǎ este cea din figura 8.6.a (cu
termeni P), respectiv 8.6.b (cu termeni S).
Dupǎ cum se vede, schemele logice rezultate sunt destul de complicate;
pentru simplificarea lor, se poate face minimizarea funcţiei, pe baza relaţiilor
(8.3), (8.5), (8.6) şi (8.12). Dacǎ numǎrul variabilelor nu este prea mare, se poate
folosi minimizarea prin metoda diagramelor Karnaugh, aceste fiind matrice cu 2n
cǎsuţe (n fiind numǎrul variabilelor), fiecare cǎsuţǎ corespunzând unei anume
combinaţii de valori ale variabilelor şi având înscrisǎ în ea valoarea combinaţiei
respective. Rezultǎ cǎ fiecǎrei cǎsuţe îi corespunde un termen P sau S (dupǎ cum a
fost exprimatǎ funcţia). Pentru funcţia de mai sus, diagrama Karnaugh este cea de
mai sus. Pentru minimizarea funcţiei, se procedeazǎ astfel: se grupeazǎ câmpurile
adiacente având valoarea 1 în dreptunghiuri sau pǎtrate cu laturile egale cu una,
douǎ sau patru cǎsuţe, urmǎrindu-se ca toate câmpurile cu valoarea 1 sǎ fie
cuprinse în cel puţin o grupare, iar grupǎrile sǎ aibǎ suprafaţa maximǎ.
 Funcţia logicǎ minimizatǎ se obţine prin însumarea termenilor
corespunzǎtori grupurilor realizate.
Conform acestei metode, funcţia luatǎ ca exemplu se poate scrie sub forma
minimizatǎ astfel:
f = ( x  y  z )  (x  y  z)  (y  z) =
( x  y  z )  ( x  y  z)  (x  z) =
= ( x  y  z )  (x  y)  z
Schema logicǎ prin care se implementeazǎ funcţia minimizatǎ astfel obţinutǎ
este reprezentatǎ în figura 8.7.

Pentru funcţii de douǎ variabile, diagrama Karnaugh are dimensiunea 2 × 2,

pentru patru variabile 4 × 4, iar pentru cinci variabile se construiesc douǎ diagrame
cu dimensiunea 4 × 4 pentru patru din cele cinci variabile, fiecare corespunzând
uneia din cele douǎ stǎri ale celei de-a cincea variabile.

8.2. Circuite logice cu dispozitive semiconductoare

Dupǎ modul de realizare a lor, circuitele logice cu componente
semiconductoare sunt de mai multe feluri: circuite logice cu rezistenţe şi diode
(RDL), circuite logice cu rezistenţe şi tranzistori (RTL), circuite logice cu diode şi
tranzistori (DTL), circuite logice cu tranzistori (TTL).
 Dintre acestea nu vom descrie aici decât ultima categorie, având în vedere
cǎ, atât din punct de vedere al performanţelor cât şi din punct de vedere al
tehnologiei de fabricaţie acestea sunt cu mult superioare celorlalte, motiv pentru
care primele categorii nici nu se mai folosesc în practicǎ.
Indiferent de tipul lor, circuitele logice funcţioneazǎ în aşa fel încât starea
logicǎ 0 are asociat un nivel de tensiune scǎzut (potenţialul masei, care se
considerǎ 0), iar starea logicǎ 1 are asociat nivelul de tensiune ridicat. Dupǎ cum
potenţialul nivelului logic 1 este pozitiv, respectiv negativ faţǎ de masǎ, spunem cǎ
se lucreazǎ în logicǎ pozitivǎ, respectiv negativǎ.
Circuitele logice cu tranzistori se realizeazǎ pe baza schemelor din figura
8.8.

Circuitul NU se bazeazǎ pe proprietatea tranzistorului de a comuta din starea

de conducţie în cea blocatǎ şi invers sub acţiunea unor semnale aplicate pe bazǎ.
Iniţial, în logica pozitivǎ aceasta este polarizatǎ cu o micǎ tensiune negativǎ, –VB,
ceea ce determinǎ blocarea tranzistorului. Curentul de colector este deci ICB0,
foarte mic, deci VCE  EC, la ieşire obţinându-se nivelul logic 1. Aplicând un
semnal pozitiv pe bazǎ, apare un curent IB, ca urmare IC = IB şi VCE = EC – ICRC,
la ieşire obţinându-se nivelul de tensiune scǎzut, corespunzǎtor nivelului logic 0. În
acest fel, circuitul realizeazǎ funcţia logicǎ NU. Pentru ca nivelul logic scǎzut sǎ
fie practic nul, adicǎ VCE  0, trebuie ca IC = EC/RC, ceea ce înseamnǎ funcţionarea
tranzistorului în regiunea de saturaţie. Utilizând un tranzistor p-n-p şi schimbând
polaritatea tensiunilor în circuit, se obţine un circuit NU în logicǎ negativǎ.
În acelaşi mod se pot analiza şi circuitele ?I şi SAU, din figura 8.8.b,
respectiv 8.8.c, realizate tot în logicǎ pozitivǎ.
În prezent dezvoltarea tehnologiei de fabricare a dispozitivelor
semiconductoare a permis realizarea circuitelor electronice integrate, astfel încât, şi
în domeniul circuitelor logice acestea s-au impus definitiv. Cele mai avansate
tipuri de circuite logice integrate sunt circuitele logice TTL realizate cu tranzistori
multiemitor, bipolari sau cu efect de câmp. Cel mai comun circuit logic integrat
TTL este circuitul ?I-NU, numit şi poartǎ elementarǎ, cu ajutorul cǎruia se pot
sintetiza toate tipurile de circuite logice. Schema standard a unui astfel de circuit
este prezentatǎ în figura 8.9.

Nivelul logic de intrare este 0 dacǎ Ui < 0,8 V şi 1 dacǎ U i > 2 V, iar cel de
ieşire este 0 dacǎ Ue < 0,8 V şi respectiv 1 dacǎ Ue > 2,4 V.
Dacǎ joncţiunile înseriate BC1, BE2 şi BE3 sunt deschise, potenţialul bazei
lui T1 este 2,1 V (tensiunea de deschidere a unei joncţiuni p-n cu siliciu este
aproximativ 0,7 V). Dacǎ una din cele douǎ joncţiuni BE1 este deschisǎ prin
aplicarea unui nivel logic 0 (legare la masǎ), potenţialul bazei lui T1 este de maxim
0,7 V. Aplicând la ambele intrǎri un semnal de nivel logic 1 (U i > 2 V), VB = 2,1 V
şi, ca urmare, joncţiunea BE1 este blocatǎ, în timp ce T2 este saturat, iar curentul de
colector al lui T3 este, de asemenea, la saturaţie, lucru asigurat de T4 şi D3, ceea ce
determinǎ o valoarea a lui U e sub 0,4 V, adicǎ 0 logic. Aplicând unei intrǎri o
tensiune de nivel logic 0, adicǎ mai micǎ decât 0,8 V, joncţiunea BE 1 este
polarizatǎ direct şi potenţialul bazei lui T1 este de maxim 1,5 V, cele trei joncţiuni
BC1, BE2 şi BE3 rǎmânând blocate şi, cum T4 este menţinut în stare de saturaţie,
tensiunea la ieşire va fi mai mare decât 2,4 V, deci de nivel logic 1, indiferent de
nivelul logic aplicat celeilalte intrǎri. Se constatǎ deci cǎ circuitul are la ieşire
nivelul logic 1 dacǎ cel puţin una din intrǎri este la nivel logic 0 şi, respectiv
nivelul logic 0 dacǎ ambele intrǎri sunt la nivel logic 1; circuitul realizeazǎ deci
funcţia logicǎ ?I-NU. Cu acest circuit se pot sintetiza şi celelalte circuite
fundamentale, aşa cum se poate vedea în figura 8.10.

În general, sinteza se poate realiza folosind formulele lui de Morgan şi

celelalte proprietǎţi ale funcţiilor logice. Având realizate funcţiile logice de bazǎ
 (NU, SAU, ?I), se pot astfel sintetiza orice fel de circuite logice, utilizând numai
circuite ?I-NU, adicǎ porţi elementare TTL.
Un exemplu de aplicaţie a celor discutate mai sus, sǎ luǎm cazul
calculatoarelor electronice, care lucreazǎ în sistemul de numeraţie binar, pentru
aceasta utilizându-se circuite de adunare a numerelor binare, conform regulilor:
0 + 0 = 0 ; 0 + 1 = 1 + = = 1 ; 1 + 1 = 10.
Se poate vedea cǎ rezultatul adunǎrii poate fi un numǎr binar format din douǎ
cifre, dintre care cea mai puţin semnificativǎ (prima din dreapta), numitǎ bit-sumǎ
se poate obţine cu funcţia logicǎ SAU-EXCLUSIV, iar cea mai semnificativǎ (cea
din stânga), numitǎ transport, se poate obţine cu funcţia logicǎ ?I . Circuitul care
rezolvǎ adunarea binarǎ a douǎ cifre binare, numit semisumator, (reprezentat în
figura 8.11.a), se poate sintetiza cu porţi elementare TTL, ca în figura 8.11.b.

8.3. Circuite basculante utilizate ca circuite logice

Circuitele logice prezentate în paragraful anterior, numite circuite logice
combinaţionale, realizeazǎ sinteza unor operaţii logice. Pentru aceasta, este însǎ
necesar ca variabilele sǎ fie memorate (temporar sau permanent), în circuite logice
specializate. Ca circuite de memorie pot fi utilizate circuitele basculante bistabile
care, dupǎ modul de funcţionare pot fi asincrone, la care tranziţiile la ieşire
urmǎresc acelaşi ritm cu cele de la intrare, indiferent de momentul producerii
acestora şi sincrone, când tranziţiile la ieşire au loc numai la momente de timp bine
determinate de un semnal de comandǎ, numit tact. Circuitele basculante, mai ales
când sunt folosite în circuite de memorie, pot fi realizate cu circuite logice de bazǎ,
care, la rândul lor, se pot sintetiza cu porţi elementare TTL.
Cel mai simplu bistabil se poate realiza cu douǎ porţi inversoare, ca în figura
8.12, el fiind însǎ impropriu pentru utilizarea ca memorie, întrucât el nu poate fi
comandat.
 Pentru a rezolva aceastǎ problemǎ, se poate utiliza schema din figura 8.13.a,
cu circuite SAU-NU, sau 8.13b, cu circuite ?I-NU. În figura 8.13.c. este datǎ
tabela de adevǎr pentru schema cu circuite ?I-NU.

Bistabilul astfel realizat este un bistabil R-S asincron, el comutând la orice

modificare a stǎrii la intrare. În echipamentele numerice este însǎ nevoie ca
diversele operaţii sǎ se execute sincron şi, pentru aceasta, se completeazǎ schema
din figura 8.13.b dupǎ cum se aratǎ în figura 8.14, obţinându-se un bistabil R-S
sincron (cu tact).

Dupǎ cum se poate constata analizând schema de mai sus, datoritǎ circuitelor
?I, bascularea nu este posibilǎ decât dacǎ semnalul se aplicǎ la intrare sincron cu
semnalul de tact. Pentru înlǎturarea nedeterminǎrii apǎrute la ieşirea acestui tip de
bistabil când intrǎrile sunt la nivel logic 0 (sau 1 la bistabilul R-S fǎrǎ tact), cele
douǎ intrǎri pot fi legate între ele prin intermediul unei porţi inversoare,
eliminându-se astfel posibilitatea ca cele douǎ intrǎri sǎ se afle la acelaşi nivel
logic în acelaşi timp. Se obţine în acest fel un bistabil latch D, cu o singurǎ intrare
de date, având schema din figura 8.15. La acest circuit apare însǎ inconvenientul
cǎ, în timp ce linia de tact trece din starea logicǎ 1 în starea logicǎ 0, poate apǎrea
o comutare a intrǎrii de date.

Un alt circuit care eliminǎ nedeterminarea de la circuitul R-S este circuitul

bistabil J-K, derivat dintr-un circuit R-S, aşa cum se poate vedea în figura 8.16.
Dacǎ intrǎrile J şi K sunt simultan la nivelul logic 1 şi se aplicǎ impulsul de tact,
ieşirea îşi modificǎ starea.

O variantǎ cu o singurǎ intrare de date a bistabilului J-K este bistabilul T,

prezentat în figura 8.17, la care starea la ieşire nu se modificǎ decât dacǎ intrarea
de date, Td, este anterior aplicǎrii impulsului în starea logicǎ 1, realizându-se astfel
un ciclu complet la ieşire pentru douǎ cicluri la intrare, deci o divizare cu 2.

În practicǎ, pentru evitarea comutǎrii întrǎrilor de date în timp ce linia de tact

trece de la nivelul logic 0 la nivelul logic 1, mai întâi se determinǎ starea intrǎrilor,
se deconecteazǎ intrǎrile şi apoi se modificǎ ieşirile conform stǎrii intrǎrilor. Acest
lucru se poate realiza prin conexiunea "master-slave" 1 sau prin tehnica declanşǎrii
pe front.
Circuitul bistabil R-S "master-slave" este reprezentat în figura 8.18 în
care este datǎ şi tabela de adevǎr.
Funcţionarea lui are loc astfel: când intrarea de tact trece din starea logicǎ 0
în starea logicǎ 1, porţile 5 şi 6 se blocheazǎ, deschizându-se însǎ porţile 1 şi 2,
ceea ce permite transferul datelor de intrare cǎtre primul bistabil R-S, numit
"master", format de porţile 3 şi 4. La tranziţia intrǎrii de tact din starea logicǎ 1 în
starea logicǎ 0, mai întâi are loc blocarea porţilor 1 şi 2, întrerupându-se legǎtura
dintre intrǎrile de date şi bistabilul "master", dupǎ care se deschid porţile 5 şi 6,
ceea ce permite transferul conţinutului ieşirilor "master"-ului cǎtre bistabilul R-S,
numit "slave", format de porţile 7 şi 8. Separarea completǎ a ieşirilor Q şi Q de
intrǎrile R şi S precum şi comanda şi transferul de date pe palierul semnalului de
tact, fac ca acest bistabil sǎ prezinte o mare imunitate la zgomot.

1
"stǎpân-sclav", în limba englezǎ.
 Singura problemǎ rǎmâne nedeterminarea pentru R şi S în starea logicǎ 1
concomitent; ea se poate rezolva prin introducerea unei reacţii, obţinându-se astfel
circuitul basculant bistabil J-K "master-slave", care este prezentat în figura
8.19.

În anumite cazuri, este necesar ca transferul unor date sǎ se facǎ întârziat cu

un impuls de tact1. În acest scop, se utilizeazǎ circuitul bistabil D2 cu acţionare pe
front. Schema circuitului este prezentatǎ în figura 8.20.

1
de exemplu, la registrele de deplasare
2
D provine de la iniţiala cuvântului delay = întârziere (în limba englezǎ)
 În general, circuitele bistabile de diferite tipuri, realizate sub formǎ integratǎ,
sunt prevǎzute în plus cu intrǎri asincrone de comandǎ, prin care se poate acţiona
direct asupra ieşirilor: intrarea preset poziţioneazǎ starea iniţialǎ doritǎ la ieşire şi
intrarea clear şterge datele înscrise la ieşire. Aplicaţia lor cea mai importantǎ este
în realizarea memoriilor pentru tehnica de calcul, aşa cum se va arǎta în capitolul
urmǎtor.

8.4. Circuite logice secvenEiale

Spre deosebire de circuitele logice combinaţionale, la care mǎrimile de ieşire
sunt funcţii numai de mǎrimile aplicate la intrare, circuitele logice secvenţiale sunt
circuite la care mǎrimile de ieşire depind atât de cele de intrare cât şi de starea
anterioarǎ a sistemului. Acestea pot funcţiona sincron, când tranziţiile se produc
simultan, în ritmul semnalelor de tact sau asincron, tranziţiile producându-se în
acest caz la momente de timp diferite.
 Registre
Acestea sunt circuite ce permit înscrierea (memorarea) unor informaţii
(valori logice) şi transferarea la cerere a acestora. În funcţie de modul de
introducere şi citire a datelor, (simultan în toate celulele registrului sau succesiv,
poziţie cu poziţie), registrele pot fi:
- cu scriere paralel (scrierea se face simultan în toate celulele) sau serie
(scrierea se face succesiv, fiind comandatǎ prin impulsurile de tact, câte unul
pentru fiecare cifrǎ binarǎ - bit);
- cu citire paralel sau serie .
Prin combinarea acestor moduri de citire şi scriere se pot obţine registre de
tip serie-serie, paralel-paralel, serie-paralel şi paralel-serie. Modul de scriere-citire
al acestora este arǎtat în figura 8.21.

scriere citire citire

1 2 . ...............n scriere 1 2 . . . . . n
a) registru serie-serie
b) registru serie-paralel
scriere
scriere
12. .. . . n 1 2 . . . . . n citire
citire d) registru paralel-serie
c) registru paralel-paralel Fig. 8.21

Pentru construirea registrelor se folosesc bistabili D. Un exemplu de registru

serie-serie cu patru celule este cel din figura 8.22. Pentru înscrierea informaţiei,
mai întâi, la intrarea de reset (R) se aplicǎ un puls având ca efect trecerea tuturor
ieşirilor în starea logicǎ 0 (ştergere), dupǎ care la fiecare impuls de tact se aplicǎ
concomitent la intrare biţii de informaţie.
 La primul impuls de tact, dacǎ primul bit este 0, ieşirea Q1 rǎmâne 0, dacǎ
aceasta este 1, Q1 trece, de asemenea, în 1. La al doilea impuls de tact aceastǎ
valoare înscrisǎ la ieşirea primului bistabil va fi transferatǎ la ieşirea celui de-al
doilea bistabil, la ieşirea primului fiind acum înscrisǎ valoarea de la intrare aplicatǎ
în timpul celui de-al doilea impuls de tact. Dupǎ aplicarea celui de-al treilea
impuls, respectiv a celui de-al patrulea, primul bistabil va conţine informaţia
transmisǎ la intrare în timpul celui de-al patrulea impuls de tact, al doilea pe cea
din timpul celui de-al treilea impuls, al treilea bistabil pe cea din timpul celui de-al
doilea impuls şi al patrulea bistabil pe cea din timpul primului impuls. Astfel, la
fiecare impuls de tact informaţia înscrisǎ într-un bistabil se deplaseazǎ la
urmǎtorul, astfel de registre numindu-se registre de deplasare.
Dacǎ bistabilii sunt prevǎzuţi şi cu intrǎri de preset, acestea se pot folosi la
scrierea paralelǎ a informaţiei. Informaţia este cititǎ în mod serial, în ritmul
impulsurilor de tact, la ieşirea serie. Unele registre permit deplasarea şi în sens
invers a informaţiei, ele numindu-se registre reversibile; de asemenea, registrele
construite în formǎ integratǎ pot fi mixte, permiţând accesul la intrare şi/sau ieşire
atât în format serie cât şi paralel. Dupǎ cum se poate constata, citirea serialǎ este
distructivǎ, informaţia distrugându-se în timpul acestui proces, în timp ce citirea
paralelǎ este nedistructivǎ.
 Numǎrǎtoare
Numǎrǎtoarele sunt circuite logice secvenţiale care permit numǎrarea
impulsurilor aplicate la intrare şi memorarea rezultatului. Numǎrarea se bazeazǎ pe
faptul cǎ un circuit bistabil, prin aplicarea la intrare a unui impuls, îşi schimbǎ
starea, la aplicarea impulsului urmǎtor revenind în starea iniţialǎ. Numǎrarea se
face în sistemul de numeraţie binar.
Sǎ urmǎrim funcţionarea circuitului din figura 8.23, realizat cu patru
bistabili.

Intrǎrile J şi K ale fiecǎrui bistabil sunt legate împreunǎ şi menţinute în

starea logicǎ 1, iar ieşirea Q este legatǎ la intrarea de tact a bistabilului urmǎtor.
Impulsurile de numǎrat se aplicǎ la intrarea de tact a primului bistabil. Un astfel de
numǎrǎtor este asincron, tranziţia ieşirii bistabilului n fiind întârziatǎ faţǎ de
momentul aplicǎrii impulsului de tact cu timpul necesar propagǎrii semnalului prin
n bistabili.
Pentru a mǎri frecvenţa de lucru se utilizeazǎ numǎrǎtoare sincrone, la care
toţi bistabilii sunt controlaţi de acelaşi impuls de tact, transportul fǎcându-se
paralel.
Pentru numǎrarea în sistem zecimal sau sexagesimal (sau în orice alt sistem
de numeraţie), trebuie ca numǎrǎtorul sǎ fie prevǎzut cu posibilitatea de revenire la
zero dupǎ un numǎr prestabilit de impulsuri, lucru realizabil prin utilizarea unor
combinaţii de circuite logice adecvate.
Numǎrǎtoarele pot funcţiona şi invers (conţinutul scade la fiecare impuls
aplicat) sau reversibil (atât ca numǎrǎtor direct cât şi ca numǎrǎtor invers, având
câte o intrare pentru fiecare mod de lucru).

8.5. AplicaEii
8.5.1. Circuite logice
1. Noţiuni teoretice
A. NoEiuni de algebrǎ booleanǎ
Microprocesorul unui calculator efectuezǎ operaţii cu numere exprimate în
sistemul de numeraţie binar. Regulile de calcul în acest caz sunt:
0 + 0 = 0 ; 0 + 1 = 1 ; 1 + 1 = 10
Regulile generale ce stau la baza algebrei booleene sunt:
A. Adunare (funcţia logicǎ SAU):
1) A  A = A (A  A = A)
2) A  B = B  A
3) A  (B  C) = (A  B)  C
4) A  (BC) = (A  B)  (A  C)
5) 0  A = A
6) 1  A = 1
7) A  A = 1
8) A = A
B. Înmulţire (funcţia logicǎ ?I)
1) AA = A (AA = A)
2) AB = BA
3) A (BC) = (AB) C
4) A (B  C) = AB  AC
5) 0A = 0
6) 1A = A
7) A A = 0
În aceste condiţii, sunt valabile formulele lui De Morgan:
 ABCAB (18. 1)
C (18. 2)
ABCAB
C
Funcţiile logice (SAU, ?I) pot fi realizate de circuite logice cu douǎ stǎri,
corespunzând lui 0 logic şi 1 logic.

Sǎ analizǎm circuitul din figura 8.24.a. Acesta poate funcţiona ca un

inversor, realizând funcţia logicǎ NU. Dacǎ U I = 0, tranzistorul este blocat, U E 
EC = 5 V. Dacǎ UI = 5 V, tranzistorul este saturat, U E  0. Considerând tensiunile
de 0 şi 5 V nivelurile 0 şi 1 logic, circuitul realizeazǎ într-adevǎr funcţia logicǎ
negaţie (NO, NU), a cǎrei tabelǎ de adevǎr este datǎ în figura 8.24.b, simbolul de
circuit fiind cel din figura 8.24.c.
Circuitul din figura 8.25 realizeazǎ funcţia ?I – NU. Dacǎ cel puţin una din
tensiunile UA sau UB este (aproximativ) egalǎ cu zero, în punctul P potenţialul este
VP = 0,6 V, iar la ieşire UE  5 V. Numai dacǎ UA şi UB sunt egale cu 5 V
simultan, diodele D1 şi D2 sunt blocate, tranzistorul se satureazǎ şi U E = 0. Tabela
de adevǎr a circuitului este datǎ în figura 8.25.b, simbolul de circuit fiind cel din
figura 8.25.c.

În general, în prezent se utilizeazǎ porţi de tipul NU, ?I – NU şi altele,

realizate în tehnologie integratǎ, de regulǎ capsula conţinând mai multe porUi. De
exemplu, circuitul integrat CDB 400 conţine 4 porţi ?I – NU, CDB 404 – 6 porţi
NU, CDB 413 - 2 porţi ?I – NU cu câte 4 intrǎri.
B. Poarta elementarǎ TTL
O poartǎ elementarǎ realizatǎ în tehnologie integratǎ bipolarǎ, în logicǎ tranzistor
- tranzistor (TTL) este reprezentatǎ în figura 8.26. Tranzistorul T1 este un
tranzistor multiemitor, în funcţie de numǎrul de intrǎri. La acestea (A şi B în cazul
prezentat), se aplicǎ tensiuni cu valori:
 0,8 V nivel logic 0
U  ⎝ 2 V nivel logic 1
I

La ieşire, se obţine o tensiune UE:

 0,4 V nivel logic 0
UE  ⎝ 2,4V nivel logic 1

Dacǎ ambelor intrǎri li se aplicǎ o tensiune U I = 2 V, potenţialul în baza lui

T1 este 2,1 V şi joncţiunile B-C 1, B-E 2 şi B-E 3 sunt polarizate direct prin R 1.
Joncţiunea B-E 1 este blocatǎ. Curenţii din circuitele de intare sunt mici (~ 40 A).
Dacǎ UI depǎşeşte 2 V, tensiunea pe B-E 1 scade, putând deveni negativǎ,
menţinând aceastǎ joncţiune blocatǎ. T2 este saturat iar IE este:
IE = (EG1 – UCE3)RG2
Dacǎ IE < 3IB3, T3 se satureazǎ, asigurând nivelul zero la ieşire. Dacǎ la
una din intrǎri UI < 0,8 V, joncţiunea B-E 1 este polarizatǎ direct prin R1. La
intare, curentul este:
U  UBE1  EG1
I C
I R1  RG1
cu condiţia: EG1 – I1RG1 < 0,8 V. Potenţialul pe baza lui T1 are o valoare de
maxim 1,5 V şi joncţiunile B-C 1, B-E 2 şi B-E 3 rǎmân blocate. T4 este saturat iar
curentul de ieşire este:
U  UCE4  UD  EG
I E  C R 4  R G2
2
Pentru ca ieşirea sǎ fie la nivelul logic 1, trebuie ca: EG2 – IERG2 > 2,4 V.
Nivelul logic aplicat celeilalte intrǎri nu influenţeazǎ nivelul ieşirii în starea
respectivǎ.
Se observǎ deci, cǎ acest circuit realizeazǎ funcţia logicǎ ?I-NU, fiind
echivalent cu circuitul din figura 8.25.
Cu ajutorul porţilor ?I-NU se pot realiza şi celelalte configuraţii, dupǎ cum
se aratǎ în figura 8.27.
 3. Scopul lucrǎrii; montaj experimental
Scopul lucrǎrii este studiul funcţionǎrii unei porţi ?I-NU şi modelarea altor
circuite cu ajutorul acesteia.
Montajul experimental cuprinde o machetǎ pe care este plasat circuitul
CDB 400, care conţine patru porţi elementare ?I-NU într-o capsulǎ cu 14 pini cu
alimentare de 5 V, polaritate pozitivǎ la pinul 14, masa la pinul 7.
Se utilizeazǎ, de asemenea, o sondǎ TTL, cu ajutorul cǎreia se pot verifica
nivelurile logice.

Schema acesteia este prezentatǎ în figura 8.28, iar funcţionarea ei este

urmǎtoarea: dacǎ UI < 0,8 V, D1 şi D3 conduc, T1 şi T2 sunt blocate, LED2 este
aprinsǎ şi indicǎ 0 logic, LED1 este stinsǎ; dacǎ Ui > 2 V, D1 şi D3 sunt blocate, T1
şi T2 sunt saturate, LED1 este aprinsǎ şi indicǎ 1 logic, LED2 este stinsǎ; pentru
0,8 V < Ui < 2 V, D1 conduce şi D3 este blocatǎ, LED1 şi LED2 sunt stinse. Deci,
diodele luminiscente, LED1 (roşu) şi LED2 (verde) indicǎ nivelul logic.
Macheta este prezentatǎ în figura 8.29.

3. Mod de lucru
- se fac conexiunile A - M şi B - N şi se alimenteazǎ montajul;
- aplicând 0 logic (K1, respectiv K2 închis) sau 1 logic (K1, respectiv K2 deschis)
la fiecare intrare a porţii, se verificǎ tabelul de adevǎr, cu ajutorul sondei
logice;
- se realizeazǎ funcţiile logice ?I, SAU, SAU-NU şi se întocmesc tabelele de
adevǎr.
4. Întrebǎri
1. Dacǎ o intrare a unei porţi ?I-NU este lǎsatǎ “în vânt”, cu ce nivel logic
echivaleazǎ acest lucru ?
2. Ce funcţie logicǎ realizeazǎ circuitul din figura 8.30 ? Sǎ se realizeze tabela de
adevǎr.

8.5.2. Numǎrǎtoare şi registre de deplasare

1. Noţiuni teoretice
A. Circuite basculante
Dacǎ se conecteazǎ douǎ porţi inversoare ca în figura 8.31.a, se obţine un
circuit basculant bistabil, stǎrile ieşirilor fiind complementare (Q şi Q ).

Pentru a controla stǎrile bistabilului, putem înlocui inversoarele cu douǎ porţi

?I – NU, obţinând în acest fel un bistabil de tip R – S (figura 19.1.b). Intrǎrile de
comandǎ sunt S (set) şi R (reset). Dacǎ stǎrile logice la intrǎrile S şi R sunt 1,
atunci starea bistabilului nu este influenţatǎ. Dacǎ S are nivelul logic 0, Q va avea
nivelul logic 1, deci, la ieşirea porţii 2, dacǎ R are nivelul 1, Q va fi la nivelul 0.
Dacǎ S trece în 1, bistabilul memoreazǎ pânǎ la o nouǎ comandǎ trecerea
anterioarǎ a lui S din 1 în 0. Analog, pentru R . Dacǎ S şi R trec simultan în 0,
ieşirile Q şi Q vor trece în starea 1. La trecerea simultanǎ a lui S şi R şi în 1,
starea bistabilului nu se poate prevedea ca urmare a regimului tranzitoriu
necontrolabil. De aceea, nu se utilizeazǎ în practicǎ comanda simultanǎ a intrǎrilor.
Tabelul de adevǎr al bistabilului R – S este urmǎtorul:
 S R Q Q
0 0 NEDETERMINATE
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 MEMORATE

Acest tip de bistabil este asincron, dar într-un echipament numeric, unde
diversele operaţii sunt comandate sincron, se genereazǎ un şir de impulsuri numite
semnale de tact, folosindu-se bistabili R - S cu tact (figura 8.32).

Starea unui astfel de bistabil se poate modifica nuumai dacǎ linia de tact este
în stare logicǎ 1.
De asemenea, nedeterminarea ieşirii pentru R şi S simultan în 0, se poate
elimina folosind circuitul din figura 8.33, când se obţine o singurǎ intrare,
bistabilul fiind de tipul latch D.

Un alt bistabil, cel de tip MASTER – SLAVE, este prezentat în figura 8.34.
Dupǎ cum se vede, este vorba de doi bistabili R - S cu tact interconectaţi, cu
intrǎrile de tact în antifazǎ şi cu reacţie pentru a rezolva nedeterminarea de la
intrǎrile R şi S.

Primul bistabil, MASTER (stǎpân), îşi poate modifica starea dacǎ la intrarea
T nivelul este 1, timp în care bistabilul al doilea, SLAVE (sclav), are starea
nemodificatǎ (intrarea T2 este în starea 0). Dacǎ T trece în 0, se declanşeazǎ
bistabilul SLAVE şi din ieşirile MASTER-ului semnalele se înscriu la intrǎrile
SLAVE-ului, primul fiind blocat în starea respectivǎ.
Tabelul de adevǎr al bistabilului de tip J - K MASTER – SLAVE este
urmǎtorul:
J K Qn + 1
0 0 Qn
0 1 0
1 0 1
1 1 Qn
Qn este starea Q înaintea impulsului de tact, iar Q n + 1 este starea Q dupǎ
impulsul de tact.
Un circuit integrat ce realizeazǎ funcţia de circuit bistabil MASTER –
SLAVE J – K CDB 476 care conţine doi bistabili J - K.
Un alt tip de bistabil este bistabilul D cu declanşare pe front (figura 8.35),
care transferǎ conţinutul intrǎrii D la ieşirea Q numai în momentul tranziţiei
impulsului de tact din 0 în 1 şi este realizat prin interconectarea a trei bistabili R -
S.

În sfârşit, bistabilul T este obţinut dintr-un bistabil R – S cu intrǎrile aflate

permanent în starea 1, starea ieşirii Q putându-se comuta în complementara ei prin
impulsul de tact.
B. Registre de deplasare
Registrele sunt circuite logice secvenţiale având fie un rol de stocare a
informaţiei primite la intrare, fie un rol de stocare şi deplasare a informaţiei primite
de-a lungul registrului, în funcţie de tactul de deplasare (registre de deplasare).
Structural, registrele sunt alcǎtuite dintr-un lanţ de circuite basculante
bistabile conectate în serie (ieşirea unui circuit basculant este legatǎ la intrarea
urmǎtorului), activarea circuitelor fǎcându-se simultan prin impulsul de tact (cum
este cazul registrelor de stocare şi de deplasare), sau având în comun numai
anumite intrǎri de comandǎ (cazul registrelor de stocare a informaţiei).
Din punct de vedere al transferului de informaţie de la intrare la ieşire
registrele pot funcţiona în patru moduri diferite:
- serie – serie, caz în care informaţia este introdusǎ la intrarea primului
circuit bistabil din lanţ şi este furnizatǎ la ieşirea ultimului circuit, dupǎ
un numǎr de impulsuri de tact egal cu lungimea lanţului;
- serie – paralel, caz în care informaţia este introdusǎ la intrarea
primului circuit basculant din registru, dar furnizarea ei se face grupat,
simultan la ieşirile circuitelor basculante ce formeazǎ registrul;
- paralel – serie, caz în care informaţia este introdusǎ simultan la
intrǎrile circuitelor bistabile din registru, furnizarea ei fǎcându-se însǎ
la ieşirea ultimului circuit din lanţ, pas cu pas, cu ajutorul impulsurilor
de tact;
- paralel – paralel, caz în care informaţia este introdusǎ simultan la
intrǎrile circuitelor basculante ce formeazǎ registrul şi este cititǎ tot
simultan la ieşirile circuitelor, putând fi deplasatǎ sau nu de-a lungul
lanţului de circuite.
În funcţie de structura sa internǎ, un registru poate lucra într-unul sau mai
multe sau chiar în toate aceste moduri de transfer ale informaţiei.
Sǎ considerǎm circuitul din figura 8.36.

Linia R (reset) permite ştergerea bistabililor (cu 0 la toate ieşirile) dacǎ

nivelul logic la starea R este 0. În timpul funcţionǎrii, R se aflǎ în starea 1 (linia
este activatǎ). Intrarea serialǎ de date (I s) fiind în starea 1, pe primul front crescǎtor
de tact, Q1 trece în 1, pe al doilea Q2 trece în 1, şi aşa mai departe. Dacǎ Is trece în
0, pe urmǎtorul ciclu de impulsuri de tact (în numǎr egal cu numǎrul bistabilililor)
ieşirile acestora trec succesiv în 0. Ieşirile celor n bistabili formeazǎ un "cuvânt"
binar de n biţi, secvenţa fiind încǎrcatǎ succesiv, serial şi este accesibilǎ în regim
paralel (registru serie – paralel). Intrǎrile Pr1 P , Pr3 ,  sunt intrǎri de preset,
r2
,
prin care registrul se poate încǎrca paralel în combinaţia doritǎ, care poate fi
extrasǎ pe linia Es în format serial, în ritmul impulsului de tact, când circuitul
funcţioneazǎ ca registru paralel – serie. Circuite asemǎnǎtoare pot fi realizate şi cu
bistabili de tip R - S sau J - K.
 Funcţionarea în regim serie – serie sau serie – paralel este sincronǎ pe când
cea în regim paralel – serie sau paralel – paralel, informaţia fiind introdusǎ
simultan pe intrǎrile circuitelor, funcţionarea este asincronǎ.
Se folosesc, de asemenea, circuite de acelaşi tip, numite registre de stocare
(numai în configuraţie paralel – paralel) cu rol de stocare temporarǎ a informaţiei
(memorie tampon).

C. Numǎrǎtoare
Prin conectarea în serie a mai mulţi bistabili J – K (figura 8.37), se realizeazǎ
un numǎrǎtor.

Intrarea de numǎrare este T. Aplicând pe intrarea de reset (R) un semnal,

ieşirile bistabililor teec în 0. Impulsurile aplicate intrǎrii T se înscriu succesiv în
bistabili, la ieşirile acestora formându-se un numǎr binar, cea mai nesemnificativǎ
cifrǎ citindu-se la ieşirea Q1, cea mai semnificativǎ la ieşirea ultimului bistabil.
Intrǎrile J şi K sunt menţinute în starea 1, bistabilii funcţionând ca bistabili de tip
T.
Numǎrǎtorul funcţioneazǎ asincron ca urmare a întârzierii tranziţiei ieşirilor
dintr-o stare în alta faţǎ de impulsul de tact. Un alt tip de numǎrǎtor este cel din
figura 8.38, care funcţioneazǎ sincron, prin aplicarea simultanǎ a impulsului de tact
la toţi bistabilii.

2. Scopul lucrǎrii; montaj experimental

Scopul lucrǎrii este studiul funcţionǎrii circuitelor integrate numǎrǎtoare şi
registre de deplasare; montajul experimental este realizat în douǎ module: modulul
A (figura 8.39.a) este un registru de deplasare şi modulul B (figura 19.9.b) este un
numǎrǎtor decadic.

Circuitul din figura 8.39.a este un CDB 495 care este un registru de
deplasare integrat, a cǎrui schemǎ este datǎ în figura 8.40.

Dupǎ cum se vede, sunt interconectaţi patru bistabili J – K formând un

registru cu transfer paralel – paralel, având însǎ şi posibilitatea de încǎrcare serie
(la intrarea în serie). În plus încǎrcarea este ireversibilǎ, semnalul de tact putând fi
aplicat la douǎ intrǎri de tact (RS - right shift - la încǎrcarea serie semnalul se
deplaseazǎ spre dreapta; LS - left shift - semnalul se deplaseazǎ la stânga).
Circuitul din figura 8.39.b este un numǎrǎtor decadic alcǎtuit din circuitul
CDB 490 - numǎrǎtor zecimal (cu 10 stǎri) a cǎrui schemǎ este datǎ în figura 8.41,
cuplat cu un sistem de afişare cu LED-uri.
Circuitul CDB 490 este compus dintr-un divizor cu 2 (A) şi un divizor cu 5
(B, C, D). Intrǎrile R01 şi R02 executǎ, prin trecera în 1, resetarea numǎrǎtorului, iar
Rg1 şi Rg2 executǎ, prin trecerea în 1, poziţionarea la ieşiri a combinaţiei 1001.
Pentru numǎrare, cel puţin câte una din intrǎrile celor douǎ porţi .?I – NU trebuie
sǎ fie în 0. La ieşire se obţine un numǎr între 0 şi 9, codificat binar pe patru linii,
numǎrul citindu-se dupǎ formula:
 n = QA23 + QB22 + QC21 + QD20
unde QA, QB, QC şi QD au valoarea:
1 pentru LED aprins;
0 pentru LED stins.

3. Modul de lucru
A. Studiul registrului de deplasare.
- se alimenteazǎ montajul (modulul A) cu o tensiune de 5 V c.c (atenţie
la polaritate);
- intrarea MC se leagǎ la masǎ;
- intrarea serie se leagǎ la + 5 V (nivel 1);
- se aplicǎ semnal de tact (prin apǎsarea repetatǎ a întrerupǎtorului) pe
intrarea de tact RS;
- se observǎ deplasarea semnalului de intrare de nivel 1 logic prin
aprinderea succesivǎ a LED-urilor;
- se leagǎ intrarea serie la masǎ;
- se aplicǎ semnal de tact (prin apǎsarea întrerupǎtorului) pe intrarea LS;
- se observǎ stingerea succesivǎ a LED-urilor de la dreapta spre stânga.
B. Studiul numǎrǎtorului.
- se alimenteazǎ montajul (modulul B) cu 5 V c.c.;
- se aplicǎ impulsuri la intrare prin apǎsarea repetatǎ a întrerupǎtorului;
- se observǎ afişarea numǎrului de impulsuri.
4. Întrebǎri
1. Ce se întâmplǎ dacǎ, la registrul de deplasare studiat, intrarea fiind la nivel 1,
se aplicǎ mai mult de patru impulsuri ? De ce ?
2. Numǎrǎtorul decadic studiat poate numǎra cel mult 9 impulsuri. Cum se pot
numǎra mai multe impulsuri ? Sǎ se alcǎtuiascǎ schema unui numǎrǎtor pânǎ la
1000.
 CAPITOLUL IX

9. MICROPROCESOARE ÇI CALCULATOARE
ELECTRONICE
9.1. Calculatoare electronice numerice
Un sistem de calcul trebuie sǎ îndeplineascǎ urmǎtoarele funcţii:
a) funcţia de comandǎ şi control (realizatǎ de unitatea de comandǎ şi control);
Aceastǎ funcţie asigurǎ extragerea instrucţiunilor de program din memoria internǎ,
analiza acestora, comanda executǎrii fiecǎrei operaţii, extragerea datelor necesare
din memoria internǎ, depozitarea rezultatelor în memorie şi, în general,
iniţierea şi controlul oricǎrei operaţii realizate de celelalte componente.
b) funcţia de prelucrare (realizatǎ de unitatea aritmetico-logicǎ);
Ea asigurǎ executarea operaţiilor aritmetice şi logice.
c) funcţia de memorare (asiguratǎ de memoria
calculatorului); Funcţia constǎ în stocarea informaţiilor.
d) funcţia de intrare-ieşire (realizatǎ cu ajutorul dispozitivelor periferice).
Prin aceastǎ funcţie, este asiguratǎ comunicarea dintre utilizator şi
calculator: introducerea datelor în memoria internǎ şi prezentarea rezultatelor.
Partea hardware a unui sistem de calcul este compusǎ din totalitatea
echipamentelor fizice care formeazǎ un calculator.
Partea software este formatǎ din totalitatea programelor care asigurǎ
funcţionarea interdependentǎ a componentelor hardware.
Deşi calculatoarele electronice se prezintǎ într-o mare diversitate, ele conţin
anumite blocuri constructive comune, arhitectura unui calculator cuprinzând, în
general, urmǎtoarele blocuri de bazǎ (figura 9.1):
1. unitatea centralǎ de calcul sau unitatea aritmetico-logicǎ (UAL)1
realizeazǎ operaţii aritmetice, funcţii logice şi transferuri de date între
registrele interne sau în exterior, prin magistrala de date. Operarea se face cu
„cuvinte” binare cu lungimea de 4 pânǎ la 64 biţi 2, în funcţie de tipul
calculatorului (pentru minicalculatoare, de obicei, 16 biţi). Operaţiile sunt
executate pe baza unui program, care constituie o succesiune de comenzi
pentru rezolvarea problemei date. În acest scop, sistemul foloseşte datele
stocate în memorie, unde depune şi rezultatele executǎrii programului.
2. blocul de comandǎ şi control (BCC) este în legǎturǎ cu toate celelalte
blocuri, asigurând efectuarea automatǎ a tuturor operaţiilor de la introducerea
datelor pânǎ la obţinerea rezultatelor precum şi controlul operǎrii corecte a
calculatorului. De obicei, microcalculatoarele au realizate aceste douǎ blocuri
de bazǎ (UAL şi BCC) sub formǎ integratǎ (LSI, VLSI 3), dispozitivul astfel
realizat numindu-se microprocesor, care mai include în plus registre interne.
3. memoria este partea constructivǎ a unui calculator electronic în care sunt
stocate date sub formǎ binarǎ. Ea poate fi de douǎ feluri: memorie ROM
(Read-Only Memory) sau memorie permanentǎ, adicǎ memorie ce nu poate
fi ştearsǎ sau inscripţionatǎ, ci numai cititǎ, în care sunt înscrise cuvintele
instrucţiunilor de program şi alte informaţii necesare funcţionǎrii
calculatorului, acestea neputând fi şterse şi memorie RAM (Random-Access
Memory) sau memorie volatilǎ, adicǎ memorie cu acces aleatoriu, în care se
poate înscrie, citi şi şterge informaţie. Datele sunt înmagazinate în memorie
sub formǎ binarǎ în diferite celule de memorie (locaţii), unei locaţii
corespunzându-i un bit, şi o adresǎ de identificare. Capacitatea memoriei este
datǎ de numǎrul maxim de locaţii şi se exprimǎ în octeţi.
În afara locaţiilor, sistemul de memorie mai cuprinde un registru de date şi
unul de adrese. Pentru încǎrcarea memoriei, mai întâi informaţia este introdusǎ în
registrul de date apoi adresa este şi ea încǎrcatǎ în registrul de adrese, iar prin
comanda de înscriere a datelor are loc transferul informaţiei la locaţia stabilitǎ. La
citire, etapele sunt aceleaşi dar se desfǎşoarǎ în ordine inversǎ.
De obicei, sistemele de calcul utilizeazǎ o memorie internǎ, de capacitate
micǎ (la microcalculatoarele din primele generaţii era de cel mult 64 sau 128 Kb,
ajungându-se la cele din categoria IBM-PC pânǎ la valori de 128 Mb) şi vitezǎ
mare de operare şi o memorie externǎ, cu capacitate mare dar vitezǎ de operare
mai micǎ.

1
se mai utilizeazǎ şi prescurtarea CPU - de la expresia (în limba englezǎ) "central
processing unit".
2
bit-ul este cea mai micǎ unitate de informaţie, reprezentat de o cifrǎ binarǎ care poate
avea valoarea 0 sau 1. Multiplii bit-ului sunt: 1 byte (octet) = 2 3 biţi = 8 biţi; 1Kb
(kilobyte) = 210 biţi = 1024 biţi; 1Mb (megabyte) = 220 biţi; 1 Gb (gigabyte) = 230 biţi; 1
Tb (terabyte) = 240 biţi
3
(V)LSI reprezintǎ iniţialele cuvintelor expresiei (în limba englezǎ) "(Very) Large Scale
Integrated", ceea ce înseamnǎ "integrare pe scarǎ (foarte) largǎ"
 Dimensiunea memoriei interne nu poate avea orice valoare, întrucât
procesorul, prin construcţia sa, nu poate accesa decât un anumit volum de
memorie. De regulǎ, pentru calculatoarele prevǎzute cu microprocesoare 8086 sau
mai evoluate, acest volum este de 1 Mb. Din acesta, o parte de 384 Kb, care
alcǎtuieşte memoria superioarǎ (high memory) este rezervatǎ de un pachet de
programe speciale (rutine de intrare-ieşire) cunoscut sub numele de BIOS (Basic
Input Output System, adicǎ Sistem de Bazǎ pentru Intrǎri şi Ieşiri). Restul, de 640
Kb reprezintǎ memoria de bazǎ, care este la dispoziţia programelor aplicative. Pe
mǎsurǎ ce aceste programe au devenit din ce în ce mai complexe, capacitatea
memoriei de bazǎ s-a dovedit nesatisfǎcǎtoare. Pentru a nu o mǎri, ceea ce ar fi
complicat foarte mult arhitectura microprocesorului, s-a recurs la un artificiu.
Astfel, pornind de la constatarea cǎ în zona de memorie superioarǎ, unde este
rezident BIOS-ul, existǎ zone libere, care ar putea fi folosite, s-a ajuns la instalarea
unui nou tip de memorie, numitǎ memorie expandatǎ (EMS), care ar putea avea
teoretic o dimensiune infinitǎ. Practic, ea funcţioneazǎ astfel: în zonele libere ale
memoriei superioare, "alunecǎ" pe rând diferite pǎrţi ale memoriei expandate, în
funcţie de necesitǎţi. Evident, pentru acest lucru, este nevoie de un soft (program)
special - gestionarul de memorie. Dimensiunea memoriei expandate este numai
teoretic infinitǎ, practic ea fiind limitatǎ de capacitatea registrelor de adrese ale
microprocesorului. Dacǎ microprocesorul poate accesa fizic o capacitate de
memorie mai mare de 1 Mb, partea acesteia de peste 1 Mb este numitǎ memorie
extinsǎ (XMS). Memoria expandatǎ poate fi o parte a memoriei extinse sau o parte
din memoria externǎ.
În afara acestor tipuri de memorie, la calculatoarele din generaţiile mai noi
existǎ şi o aşa-numitǎ memorie cache, care este o memorie specialǎ, legatǎ de
microprocesor într-un mod mai direct decât memoria internǎ şi care funcţioneazǎ
ca memorie tampon între aceste douǎ elemente, permiţând transferul mai rapid al
datelor şi instrucţiunilor, deci o vitezǎ de lucru mǎritǎ. Dimensiunea acesteia poate
ajunge pânǎ la 512 Kb.
Memoria externǎ este, aşa cum îi spune şi numele, o memorie cu dimensiuni
practic infinite, exterioarǎ calculatorului, realizatǎ pe diverse medii de stocare.
Din punctul de vedere al realizǎrii fizice, memoriile pot fi de diverse tipuri.
Dacǎ la începuturile tehnicii de calcul se foloseau relee, memorii cu feritǎ, circuite
basculante cu tuburi electronice şi apoi cu tranzistori, în prezent memoria internǎ a
calculatorului este constituitǎ de circuite basculante (un circuit reprezentând o
unitate de memorie) realizate prin integrarea pe scarǎ largǎ, pe principiile
microminiaturizǎrii, astfel încât ea are dimensiuni foarte mici la o capacitate mare
(de ordinul chiar al sutelor de Mb) şi o vitezǎ de lucru de asemenea foarte mare.
Memoria externǎ are o varietate mai mare de forme de realizare, începând cu cele
mai vechi (banda şi cartela perforatǎ, banda magneticǎ, cu densitate şi vitezǎ de
lucru mici) şi ajungând pânǎ la cele actuale, care sunt discurile magnetice şi CD-
urile în diverse variante. Discurile magnetice sunt medii de stocare a datelor
(memorii) care pot fi citite, şterse şi înscrise (prin tehnica obişnuitǎ a înregistrǎrii
pe suport feromagnetic), fiind realizate sub diverse forme, împǎrţite în douǎ mari
categorii: hard-disk-uri (discuri fixe), cu capacitǎţi de pânǎ la mii de Gb, care sunt
unitǎţi de memorie instalate în interiorul calculatoarelor, pe suportul lor
funcţionând şi memoria expandatǎ şi floppy-disk-uri, realizate ca unitǎţi de
memorie independente, cu capacitǎţi de stocare mai mici (de pânǎ la 100 Mb, la
floppy-disk-urile de tip ZIP). Acestea din urmǎ au fost practic eliminate, odatǎ cu
dzvoltarea memoriilor de tip flash.
Compact-disk-urile (CD) reprezintǎ medii de stocare mai recent realizate.
Prima variantǎ apǎrutǎ a fost CD-ROM-ul care, aşa cum îi spune numele, este o
un mediu de memorie permanentǎ, care nu poate fi şters sau rescris, ci numai citit.
Datele sunt stocate pe suprafaţa de aluminiu depusǎ pe un suport de material
plastic, (sub forma unor mici gǎuri corespunzând valorii 1, lipsa acestora,
reprezentând 0 logic) şi citite prin reflexie cu ajutorul fasciculului emis de o diodǎ
laser. Alte variante ulterioare sunt CD-R (CD-Recordable), un CD special pe care
se pot înscrie şi apoi citi date pe un suport organic, CD-RW (CD-Rewritable), şi,
mai nou din punct de vedere tehnologic, DVD (Digital Versatile Disk).
CD-RW este un disc pe care este aplicat un strat reflectorizant de aluminiu şi
deasupra acestuia un strat de oxid teluric. O razǎ laser provenitǎ de la o diodǎ laser
transformǎ la înregistrare structura cristalinǎ a oxidului teluric într-o fazǎ amorfǎ,
modificându-se astfel coeficientul de reflexie al suprafeţei, ceea ce permite
inscripţionarea datelor. Pentru a se obţine schimbarea de fazǎ a oxidului teluric, la
înregistrare suprafaţa respectivǎ este încǎlzitǎ local puternic pentru o perioadǎ
scurtǎ prin intermediul razei laser. Pentru ştergere, întregul strat de oxid este
încǎlzit un timp mai lung, necesar recristalizǎrii acestuia. Citirea se face în mod
obişnuit, ca la un CD-ROM. Capacitatea unui CD (indiferent de tipul lui) este de
650 Mb, rata de transfer a datelor fiind de ordinul a 300-600 Kb/s.
DVD-ul este un disc de concepţie mai recentǎ, care a fost şi el realizat sub
diferite forme (DVD, DVD-R, DVD-RAM), din necesitatea stocǎrii unei cantitǎţi
mai mari de informaţie, pentru a putea folosi mediul de stocare ca disc video.
Astfel, DVD-RAM constǎ dintr-un disc cu mai multe straturi de stocare ce se pot
inscripţiona de mai multe ori pe ambele feţe, citirea fǎcându-se cu capete de citire
multiple, fǎrǎ a fi nevoie sǎ se întoarcǎ discul de pe o parte pe cealaltǎ. Având o
ratǎ de transfer de 1300 Kb/s şi o capacitate de 2,6 ÷ 17 Mb, acest tip de unitate de
stocare a datelor s-a impus în domeniul profesional pentru stocarea imaginilor
video şi ca mediu de arhivare.
4. interfaţa de intrare/ieşire (I/O adicǎ input/output). Împreunǎ cu
perifericele (tastaturǎ, display, imprimantǎ, perforator şi cititor de cartele şi
benzi etc.) permite utilizatorului sǎ comunice cu calculatorul.
5. magistralele reprezintǎ suportul fizic de transmitere a informaţiei, acestea
fiind: magistrala de date, magistrala de adrese şi magistrala de
comandǎ. De obicei, acest suport este constituit din cabluri electrice
împreunǎ cu alte dispozitive speciale dar în ultimul timp, în tehnica e calcul
a pǎtruns şi are o dezvoltare deosebitǎ transmisia datelor prin fibre optice.
 9.2. Microprocesoare
Microprocesorul reprezintǎ „creierul” unui calculator electronic, el fiind un
circuit integrat pe scarǎ largǎ (LSI), ce permite efectuarea operaţiilor aritmetice şi
logice prin intermediul unui program. Schema-bloc a unui microprocesor este datǎ
în figura 9.2
Unitatea aritmetico-logicǎ (UAL) este partea propriu-zisǎ de efectuare a
operaţiilor aritmetice şi logice. Operaţia fundamentalǎ efectuatǎ este adunarea,
efectuatǎ prin intermediul unor circuite semisumatoare. Scǎderea se face tot prin
intermediul operaţiei de adunare dar în locul numǎrului respectiv se adunǎ
complementul sǎu; înmulţirea se reduce la o adunare repetatǎ, iar împǎrţirea se
face prin scǎderi repetate. O componentǎ importantǎ a UAL este un registru
special, acumulatorul care pǎstreazǎ iniţial unul din operanzi şi în final rezultatul
operaţiei. Alte circuite din UAL sunt indicatorii de condiţie care memoreazǎ
condiţiile specifice prin care trece sumatorul în urma efectuǎrii operaţiilor
aritmetice şi logice: indicatorul de transport (CY), indicatorul de rezultat zero
(Z), indicatorul de semn (S), indicatorul de paritate (P) etc.

O altǎ parte a microprocesorului o constituie registrele, conectate la

magistrala de date prin intermediul unui multiplexor. Acestea sunt registre cu
destinaţie generalǎ, care pǎstreazǎ operanzi sau rezultate intermediare, registre de
adresare, dintre care cel mai important este numǎrǎtorul de adrese (care conţine
adresa instrucţiunii care urmeazǎ sǎ fie executatǎ), registre de instrucţiuni etc.
În sfârşit, blocul cel mai complex, cu rol de generare a secvenţei de semnale
necesare pentru execuţia fiecǎrei operaţii, este unitatea de comandǎ şi control
(UCC).
Modul de lucru al microprocesorului este urmǎtorul: pentru executarea unui
program se executǎ succesiv instrucţiunile aflate în zona de memorie-program.
Dupǎ execuţia unei instrucţiuni, numǎrǎtorul-program se incrementeazǎ cu o
unitate dupǎ care, pentru execuţia urmǎtoarei instrucţiuni, microprocesorul
transmite pe magistrala de adrese adresa locaţiei de memorie la care se aflǎ înscrisǎ
aceastǎ instrucţiune, citeşte conţinutul locaţiei (instrucţiunea), îl decodificǎ,
generând apoi semnalele necesare pentru execuţie. Astfel, microprocesorul
parcurge repetat cicluri de extragere a instrucţiunii şi execuţie a ei, lucrând
secvenţial (algoritmic), ritmul de efectuare a fiecǎrei operaţii fiind dat de un
generator de tact.
Fiecare procesor este alcǎtuit intern din mai multe micromodule,
interconectate prin intermediul unor cǎi de comunicaţie, adevǎrate autostrǎzi
informaţionale, dotate cu mai multe benzi. Aceste cǎi de comunicaţie sunt numite
magistrale interne, care pot transfera date şi instrucţiuni sau comenzi.
Datele şi instrucţiunile formeazǎ codul unui program ce este rulat pe un
sistem de calcul şi reprezintǎ informaţia care este procesatǎ. Comenzile reprezintǎ
informaţia ce ajutǎ la aceste procesǎri, prin acţiunile hard şi soft pe care le
determinǎ.
Procesorul unui sistem de calcul joacǎ rolul unui adevǎrat motor, iar
arhitectura lui se bazeazǎ pe 3 componente esenţiale şi anume:
1. motorul de execuţie: reprezintǎ componenta principalǎ a procesorului,
asigurând prelucrarea instrucţiunilor şi datelor necesare, prin intermediul
unitǎţii aritmetico-logice încorporate, precum şi furnizarea rezultatelor obţinute
în urma procesǎrilor fǎcute.
2. registrele interne: reprezintǎ zone de memorie interne, de mici dimensiuni, a
cǎror accesare, de cǎtre UAL şi celelalte module ale procesorului, este foarte
rapidǎ.
Din punct de vedere fizic, registrele sunt circuite electronice realizate dintr-
un numǎr mare de celule basculante bistabile (CBB) şi au rolul de a primi, stoca şi
transfera informaţia binarǎ. În funcţie de numǎrul de biţi manevraţi de un registru,
aceştia pot fi de 4, 8, 16, 32 sau 64 biţi. O altǎ clasificare a registrelor se face dupǎ
natura elementului ce realizeazǎ funcţia de memorare efectivǎ:
 registre statice, la care funcţia de memorare este realizatǎ de circuitele
basculante ale circuitului, prin setarea (valoarea 1) sau resetarea (valoarea 0) a
acestora.
 registre dinamice, la care funcţia de memorare este realizatǎ de
condensatoare, iar informaţia este stocatǎ sub formǎ de sarcinǎ electricǎ pe aceste
condensatoare, existenţa sarcinii corespunzând valorii binare 1, iar absenţa sarcinii
corespunzând valorii binare 0.
Registrele interne ale microprocesorului sunt clasificate şi folosite de
microprocesor astfel:
 registre de date (generale) – sunt folosite pentru manipularea datelor; în
general aceste registre sunt utilizate de instrucţiunile logice şi aritmetice şi pot fi de
16 biţi la procesoarele 8086 şi 80286, 32 de biţi la procesoarele 80386 şi 80486 şi
64 de biţi la procesoarele Pentium.
  registre de pointer şi index – sunt utilizate de cǎtre instrucţiunile pentru
transfer de date, adresǎri indexate şi stivǎ.
 registre de segment, folosite în accesǎrile de memorie şi transferuri de date –
conţin adresele de segment pentru program, date curente, extrasegment şi stivǎ
 registrul indicator de instrucţiune – indicǎ instrucţiunea curentǎ în cadrul
unui program în curs de execuţie
 registrul de stare, prin intermediul cǎruia se poate verifica efectul execuţiei
anumitor instrucţiuni sau stǎri ale microprocesorului.
3. modulul interfaţǎ.
Modulul interfaţǎ (controlerul de magistralǎ internǎ) reprezintǎ dispozitivul
ce controleazǎ transferurile de intrare/ieşire (magistralele sistemului), lucrând
similar cu un controller extern de magistralǎ; el „semaforizeazǎ” aceste transferuri
pe bus şi genereazǎ într-o zonǎ de memorie internǎ (buffer) o structurǎ de tip stivǎ
pentru reţinerea instrucţiunilor ce vor fi procesate de modulul executor.
Magistralele interne ale microprocesorului sunt cǎi de comunicaţie între
modulele ce alcǎtuiesc intern microprocesorul, deosebit de rapide, cu lǎţimi de 8,
16, 32, 64, 128 sau 256 de biţi, în funcţie de microprocesor, realizate la nivel
microscopic.
Modul de lucru general al unui sistem de calcul este urmǎtorul: sistemul de
operare (SO) încarcǎ programul în memoria de lucru (operativǎ) a calculatorului
(memoria RAM), informând microprocesorul, prin intermediul modulului
interfaţǎ, despre adresele la care acesta a fost plasat în RAM. Acest modul va
iniţializa registrele de segment la valorile corespunzǎtoare, setând pointerul de
instrucţiune la offset-ul primei instrucţiuni a programului respectiv, în segmentul
de cod.
Prin intermediul magistralelor sistemului, acest modul preia instrucţiunile
şi operanzii corespunzǎtori secvenţial, incrementând simultan şi indicatorul de
instrucţiune, astfel încât acesta sǎ se plaseze la instrucţiunea urmǎtoare din
program.
Orice acţiune internǎ a unui microprocesor (preluarea datelor, procesarea
instrucţiunilor, etc.) este guvernatǎ de un semnal de bazǎ periodic, stabil în
frecvenţǎ, dat de un circuit special numit ceas, sau generatorul semnalului de tact.
Acest ceas reprezintǎ elementul principal ce influenţeazǎ viteza de lucru a
sistemului în ansamblu, deoarece, crescând frecvenţa acestui semnal, numǎrul de
“acţiuni-procesor” (transferuri, procesǎri de instrucţiuni, etc.) într-o unitate de timp
va creşte proporţional.
Acest circuit conţine:
1) cristalul de cuarţ, ce este elementul ce poate genera un semnal cu frecvenţa de
ordinul MHz;
2) convertorul analog-digital ce este realizat cu un circuit specializat;
3) divizorul de frecvenţǎ, ce este un element ce asigurǎ divizarea frecvenţei
primare în diverse frecvenţe secundare.
 Cristalul de cuarţ este componenta activǎ principalǎ a ceasului, generând un
semnal sinusoidal (deci un semnal analogic) cu frecvenţǎ deosebit de stabilǎ în
timp, numitǎ frecvenţǎ master sau principalǎ. Este folosit efectul piezoelectric, ce
reprezintǎ fenomenul de apariţie a unei tensiuni, în momentul în care un cristal de
cuarţ suferǎ o deformare mecanicǎ; fenomenul invers apare prin aplicarea unei
tensiuni la armǎturile cristalului, acesta suferind o microdeformare. Semnalul
analogic este preluat de circuitul convertor analog-digital, care va realiza
transformarea semnalului primar analogic în semnal digital.
Divizorul de frecvenţǎ, în funcţie de tip, împarte frecvenţa master în
frecvenţe secundare cu diferite valori, folosite de microprocesor şi de celelalte
circuite ale sistemului.
Microprocesoarele folosesc semnalul digital generat de ceas, împǎrţindu-l
în aşa-numitele cicluri instrucţiune, adicǎ intervale de timp bine definite, în care
procesorul va executa câte o instrucţiune. Un ciclu instrucţiune este divizat în trei
pǎrţi numite cicluri maşinǎ. Aceste cicluri maşinǎ stabilesc timpul pentru:
 preluarea codului de operaţie (OP Code Fetch);
 citirea memoriei (Memory Read);
 scrierea memoriei (Memory Write)
Un astfel de ciclu maşinǎ are o duratǎ variabilǎ, în funcţie de numǎrul de
tacturi ce îl compun şi de tipul procesorului.
Familia microprocesoarelor Intel 80X86 permite cuplarea, extern sau
intern, cu unitǎţi specializate în operaţii matematice în virgulǎ mobilǎ, a aşa-
numitelor coprocesoare matematice (notate i80X87) programabile prin propriul lor
set de instrucţiuni.
Prin folosirea unui astfel de tandem microprocesor-coprocesor matematic,
se obţine sporirea vitezei de lucru, sesizabilǎ mai ales în situaţia rulǎrii unui
program ce prelucreazǎ date în virgulǎ mobilǎ, deci calcule matematice ce se
doresc foarte precise.
Microprocesoarele Intel începând cu Pentium, înglobeazǎ coprocesorul în
aceeaşi capsulǎ, renunţându-se definitiv, la variantele cu coprocesor separat.
Toate instrucţiunile pe care un procesor le poate executa formeazǎ setul de
instrucţiuni ale procesorului. Acest set este proiectat şi optimizat pentru fiecare
procesor în parte. Toate procesoarele Intel 80X86, inclusiv Pentium, au setul de
instrucţiuni complet compatibil „în jos” cu versiunile anterioare.

9.3. Scurtǎ istorie a calculatoarelor electronice

Primul calculator electronic numeric a fost construit în 1944, la comanda
firmei americane IBM, de cǎtre profesorul Howard Aitken, de la Universitatea
Harvard. Funcţionând cu relee electromecanice şi tuburi electronice, el putea
înmulţi douǎ numere de câte 23 de cifre în 5 secunde. Urmaşul sǎu, construit în
1946, se numea ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Calculator) şi a fost
folosit în domeniul militar, la calculul traiectoriilor tragerilor de artilerie. Având în
componenţǎ 18000 tuburi electronice, 70000 rezistoare şi 10000 condensatoare,
ocupând volumul unei camere mari, acest calculator putea realiza 5000 de adunǎri
pe secundǎ. În 1947 existau în întreaga lume doar 6 calculatoare.
Odatǎ cu inventarea, în 1948, a tranzistorului, de cǎtre Bardeen, Brattain şi
Shockley, s-a intrat în era dispozitivelor semiconductoare, ceea ce a permis
miniaturizarea şi a dat un nou impuls tehnicii de calcul. Sillicon Valley, din
California, ale cǎrei baze au fost puse de Shockley, a devenit centrul mondial al
fabricǎrii dispozitivelor semiconductoare şi locul unde (cel puţin în domeniul
microelectronicii) se construia viitorul. Compania IBM a devenit liderul mondial al
construcţiei calculatoarelor, poziţie pe care o menţine şi în prezent, în ciuda
apariţiei concurenţei celei mai performante. Alǎturi de ea, alte companii au adus
contribuţii esenţiale la dezvoltarea rapidǎ a tehnicii de calcul. Astfel, în 1965,
Digital Equipament Corporation a produs primul minicalculator, numit PDP-8,
ocazie cu care s-a introdus definitiv utilizarea tastaturii ca periferic. Un pas
important înainte a fost fǎcut în 1971, când firma Intel a realizat primul
microprocesor. A urmat, în 1974 punerea la punct a microprocesorului 8008 şi a
lui 8080, realizat de Ed Roberts, în cadrul firmei sale, MITS. În 1975 se
înfiinţeazǎ firma Microsoft, de cǎtre William Gates şi Paul Allen, prima firmǎ de
soft, care a început sǎ creeze programe aplicative pentru minicalculatoare în
limbajul BASIC. În prezent firma Microsoft, autoarea sistemului de operare MS-
DOS-Windows deţine o mare parte din piaţa de soft, iar Gates este unul din cei
mai bogaţi oameni din lume.
Evoluţia microprocesoarelor1 este prezentatǎ succint în tabelul de mai jos.
Odatǎ cu evoluţia microprocesoarelor a avut loc şi dezvoltarea mini şi
microcalculatoarelor din categoria „personal computer”. Astfel, în 1981, IBM
lanseazǎ modelul IBM PC, cu 16 Kb memorie RAM şi o unitate de floppy-disk.
Urmeazǎ, în 1983, modelul PC-XT (extended technology), cu 128 Kb RAM şi
hard-disk de 10 Mb, iar în 1984, PC-AT (advanced technology), dotat cu procesor
80286 şi având ca sistem de operare sistemul DOS 3.0, elaborat de Microsoft. În
1987 apare PS/2, prilej cu care produsul soft Windows, dezvoltat din 1985 de
Microsoft ca o extensie a sistemului de operare DOS (Disk Operating System), s-a
impus definitiv. Din acel moment, dezvoltarea s-a produs rapid, ea continuând şi în
prezent în acelaşi ritm. Sǎ mai subliniem faptul cǎ ceea ce am descris pe scurt
reprezintǎ doar o parte din dezvoltarea tehnicii de calcul, anume cea a "home
computer"-elor, existând însǎ şi o altǎ laturǎ, cea a computerelor de mare
capacitate, care a avut şi ea o dezvoltare la fel de rapidǎ, rǎmânând însǎ mai puţin
cunoscutǎ, datoritǎ aplicaţiilor strict ştiinţifice şi profesionale.

1
Este vorba de procesoarele fabricate de cel mai mare producǎtor din lume, firma Intel.
Alǎturi de acesta, alţi producǎtori, dintre care el mai cunoscut este AMD, au dezvoltat
tehnologii performante şi asemǎnǎtoare, de fabricare a microprocesoarelor.
Procesor Frecvenţǎ Registru Magis- Magis- Mem. Mem. Nr. Data
de tact intern tralǎ de tralǎ de max. cache tranzis- apari-
(MHz) (biţi) date adrese admin. (KB) toare ţiei
(biţi) (biţi) (MB) niv. I
8088 4,77 16 8 20 1 0 29000 iunie
1979
80286 6; 8; 10; 16 16 24 16 0 134000 feb.
12; 16; 20 1982
386SX 16; 20; 25; 32 16 24 16 0 275000 iunie
33 1988
386DX 16; 20; 25; 32 32 32 4000 0 275000 oct.
33 1985
486SX 16; 20; 25; 32 32 32 4000 8 1185000 apr.
33; 40; 50 1991
486DX 25; 33; 50 32 32 32 4000 8 1200000 apr.
1989
486DX/2 40; 50; 66; 32 32 32 4000 8 1400000 mart.
80 1992
486DX/4 75; 100; 32 32 32 4000 8 1600000 feb.
120 1994
Pentium 50; 66 32 64 32 4000 16 3100000 mart.
1993
Pentium 75;90;100; 32 64 32 4000 16 3300000 mart.
120; 133; 1994
166; 200
Pentium 150; 180; 32 64 36 64000 16 5500000 sept.
Pro 200 1995
Pentium 233; 266 32 64 36 64000 32 7500000 mai
II 1977
 BIBLIOGRAFIE

1. Blakeslee, Th., Proiectarea cu circuite logice MSI şi LSI standard, Editura

Tehnicǎ, Bucureşti, 1988
2. Bostan, I., Metode clasice si moderne in studiul circuitelor digitale - lucrǎri
practice de laborator, Ed. MatrixRom, Bucureşti, 2006
3. Brezeanu Gh., s.a., Probleme de dispozitive şi circuite electronice, Partea I, Ed.
Rosetti, Bucureşti, 2001
4. Cǎtuneanu, V.M., s.a. Tehnologie electronicǎ, E.D.P., Bucureşti, 1984
5. Cordoş E., Marian I., Electronica pentru chimişti, Ed. ?tiinţificǎ şi
Enciclopedicǎ, Bucureşti, 1978
6. Damachi E., ş.a., Electronicǎ, Ed. Didacticǎ şi Pedagogicǎ, Bucureşti, 1979
7. Dascǎlu, D., s.a., Dispozitive şi circuite electronice, Ed. didacticǎ şi pedagogicǎ,
Bucureşti, 1982
8. Dascǎlu, D., s.a., Dispozitive şi circuite electronice. Probleme, Ed. didacticǎ şi
pedagogicǎ, Bucureşti, 1982
9. Dascǎlu D., Turic L., Hoffman I., Circuite electronice, Ed. Didacticǎ şi
Pedagogicǎ, Bucureşti, 1981
10. Dǎnilǎ Th., ş.a., Dispozitive şi circuite electronice, Ed. Didacticǎ şi
Pedagogicǎ, Bucureşti, 1982
11. Dima I., Munteanu I., Materiale şi dispozitive semiconductoare, Ed.
Didacticǎ şi Pedagogicǎ, Bucureşti, 1980
12. Dolocan V., Fizica dispozitivelor cu corp solid, Ed. Academiei, Bucureşti,
1978
13.Dolocan V., Fizica joncUiunilor cu semiconductoare, Ed. Academiei,
Bucureşti, 1982
14. Dolocan V., Fizica electronicǎ a stǎrii solide, Ed. Academiei, Bucureşti,
1984
15. Dragomirescu, O., Moraru, D., Componente şi circuite electronice pasive,
Ed. BREN, Bucureşti, 2003
16. Drǎgǎnescu M., Electronica corpului solid, Ed. Tehnicǎ, Bucureşti, 1972
17. Drǎgulǎnescu, N., Miroiu, C., Moraru, D., ABC. Electronica în imagini.
Componente pasive, Ed. Tehnicǎ, Bucureşti, 1990.
18. Drǎgulǎnescu, N., Agenda radioelectronistului (ed. a II a), Ed. Tehnicǎ,
Bucureşti, 1989
 Constantin Stǎnescu – Electronicǎ. Teorie şi aplicaţii

19. Gheorghe V., ş.a., Dispozitive şi circuite electronice, Centrul de multiplicare

al Univ. Bucureşti, 1985
20. Gonţean, A., Bǎbiţǎ, M., Structuri logice programabile, Editura de Vest,
Timişoara, 1996
21. Gray E.P., Searle L.C., Bazele electronicii moderne, Ed. Tehnicǎ, Bucureşti,
1973
22. Grove A.S, Fizica şi tehnologia dispozitivelor semiconductoare, Ed.
Tehnicǎ, Bucureşti, 1973
23. Ionel S., Munteanu R., Introducere practicǎ în electronicǎ, Ed. Facla,
Timişoara, 1988
24. Miron C., Introducere în circuite electronice , Ed. Dacia, Cluj-Napoca, 1983
25.Mureşan, T., ş.a., Circuite integrate numerice – AplicaUii, Editura de Vest,
Timişoara, 1996
26. Nicolau E., ş.a., Mǎsurǎri electronice, Ed. Tehnicǎ, Bucureşti, 1979
27. Sandu D. D, Dispozitive şi circuite electronice, Ed. Didacticǎ şi Pedagogicǎ,
Bucureşti, 1975
28. Simion E., Miron C., Feştilǎ L., Montaje electronice cu circuite integrate
analogice, Ed. Dacia, Cluj-Napoca, 1986
29.Spînulescu I., Fizica straturilor subUiri, Ed. ?tiinţificǎ şi Enciclopedicǎ,
Bucureşti, 1975
30. Spînulescu I., Fizica tranzistorilor şi principiile microminiaturizǎrii, Ed.
Didacticǎ şi Pedagogicǎ, Bucureşti, 1973
31. Spînulescu I., Dima I., Pârvan R., Metode electronice în
fizica experimentalǎ, Ed. Didacticǎ şi Pedagogicǎ, Bucureşti, 1975
32. Spînulescu I, Pârvan R, Principiile fizice ale microelectronicii, Ed. Tehnicǎ,
Bucureşti, 1981
33.?tefan, Gh., FuncUii şi structuri în sisteme digitale, Ed. Academica,
Bucureşti, 1991
34. Toacşe, G., Necula, D., Electronicǎ digitalǎ, Ed. Teora, Bucureşti, 1994
35. Vasilescu G., Lungu S., Electronicǎ, Ed. Didacticǎ şi Pedagogicǎ, Bucureşti,
1981
36. Vǎtǎşescu A., ş.a. Dispozitive semiconductoare, Ed. Tehnicǎ, Bucureşti,
1975
37. Vǎtǎşescu A., ş.a. Circuite integrate liniare, Ed. Tehnicǎ, Bucureşti, 1979
(vol. I), 1980 (vol. II), 1984 (vol III)
38. Wakerly, J.F., Circuite digitale – Principiile şi practicile folosite în
proiectare, Ed. Teora, Bucureşti, 2003

249

View publication stats