Modele echivalente pentru

dioda semiconductoare
Pe scurt
O diodă semiconductoare conține o
joncțiune semiconductoare p-n, două
contacte ohmice pentru legătura cu un
circuit extern şi o capsulă care să asigure
protecţia mecanică a ansamblului
joncţiune-contacte şi în acelaşi timp
posibilitatea evacuării spre mediul ambiant
a energiei termice dezvoltate la nivelul
joncţiunii.
 Modele
neliniar cu ajutorul unor modele liniare pe porţiuni. Perechile de
1. model de semnal mare valori (id, ud) se pot afla în tot domeniul permis al caracteristicii
• static. diodei.
• dinamic.
semnal mic daca dioda este modelată liniar, iar valorile
2. model de semnal mic
numerice ale parametrului elementului modelului depind de
• static, de frecvenţe joase.
perechea (ID UD). O astfel de pereche se numeşte punct static de
• dinamic, de frecvenţe înalte.
funcţionare (PSF).

regim dinamic ţine cont de efectele reactive dar şi de

regim static atunci când elementele reactive anumite fenomene fizice suplimentare ce limitează viteza
pot fi neglijate (capacitatea şi inductanţa). maximă de variaţie a tensiunii, respectiv a curentului prin
diodă.
Modelul de semnal mare static
Sub această formă se obţin rezultate cu erori
minime dacă tensiune electromotoare a buclei în
care in care se află dioda depăşeşte câţiva volţi.
Efectul curentului 𝑖𝑠 poate fi neglijat dacă
rezistenţa totală a buclei nu depăşeşte câţiva zeci
de 𝑀Ω
Modelul de semnal mare: Efectul temperaturii
𝑘𝑇
• Primul efect apare datorită 𝑉𝑇 =
𝑞
• doilea efect este adus de 𝑖𝑠 modificat de temperatură prin
modificarea purtătorilor de sarcină majoritari. se dublează la fiecare
creștere cu aproximativ 10oC

I S  f ( A, n, p ); n  p  n 2
i

u D mV
 1.8  2.2 0 ( Si )
T C
Modelarea diodei dincolo de străpungerea
inversă: Dioda Zener
• curentul invers din joncţiune creşte după o
lege exponenţială în raport cu tensiunea. Dacă
nu se realizează o limitare a puterii dioda se
distruge.

U inv  (U inv ) max iD  I S , (iD ) inv 

Această proprietate este utilizată la realizarea diodelor Zener sau a diodelor stabilizatoare.
Aceste dispozitive sunt utilizate în zona de străpungere inversă nedistructivă a unei joncţiuni p-n.
 Cauzele străpungerii inverse
• Prin străpungere înţelegem creşterea curentului la (U inv ) max  U Z  5V
polarizarea inversă a unei joncţiuni p-n atunci când
U Z  7V
tensiunea de polarizare depăşeşte o valoare limită
• Creşterea curentului apare datorită efectului tunel şi prin
multiplicarea în avalanşă a purtătorilor minoritari
∆𝑈𝑍
• Pentru un coeficient de temperatură ( ) negativ apare
∆𝑇
efectul tunel, iar pentru unul pozitiv apare efectul de
multiplicare prin avalanşă
 Cauzele străpungerii inverse
U Z
0
T

U Z  U Z M  U Z m
U Z  U Z0

iZ max(M ) PM  iZ M  U Z M

rdz || RL R1 || RL r
u0  Va   UZ0  Va dz  U Z 0
rdz || RL  Rdz R1 || RL  Rdz R1
Aplicații

rdz
u0  Va 
R1
Va R1
factor de stabilizare F 
u0 rdz
Modelul de semnal mic şi frecvenţe joase a
unei diode
Vg  VgM sin t

Va  u D  iD  R
 uD 
iD  iS  exp  1
 VT 
M (u dcc , idcc )  PSF
Modelul de semnal mic şi frecvenţe joase a
unei diode
x x2
e 1 
x
 ...
1! 2!
u u
x  D ;  1  x  D
VT VT
uD
x  1   1  u D  VT
VT
u D  u DCC  u D (t )
  u DCC  u D (t )    u DCC   u (t )  

iD  I S exp   1  I e exp 
  exp  D   1 
  VT    VT   VT  
   u DCC   u D (t ) u D (t ) u D (t ) u D (t )
 S
I  exp    1    i  
 DCC
V
   VT   VT VT T rD este rezistenţa diferenţială a diodei
iDCC
Circuitul echivalent de semnal mic
• Vom considera de această dată situaţia în
care nu se impun restricţii asupra frecvenţei
variaţiilor
• regiunile tranzitorii care apar ca urmare a
existenţei sarcinii fixe din regiunea de barieră
(trecere) respectiv a sarcinii datorită injecţiei
de purtători minoritari în regiunile neutre
• înălţimea barierei de potenţial din
joncţiunea p-n. cb 0
u A  Q Cb 
• Se consideră că Cb depinde de punctul static Q dQ uA
de funcţionare Cb  lim  1
u du b
Circuitul echivalent de semnal mic
Q dQ
C d  lim 
U du
 
 
u
Cd  Cd 0 exp  A 
 kT 
 q 
 
C j  Cb  Cd
• La frecvenţe joase şi medii, depinde şi de frecvenţă
• Parametrii de semnal mic al joncţiunii depind de tensiune
• Dioda Varicap
Joncțiunea p-n in comutaţie
• fenomenele ce au loc într-o joncţiune p-n în
situaţia în care tensiunea aplicată la borne îşi
schimbă brusc polaritatea este un proces de
comutaţie
• Procesul de comutaţie este substanţial
influenţat de sarcina stocată în regiunile neutre

Q  Qp  Qn
Q
iA  modelul cu control prin sarcină al joncţiunii p-n

 qu A 
i A  I S exp  caracteristica statică
 kT 
Valoarea curentului pentru regimul staţionar
Q dQ
• În regim variabil iA  
 dt
t
dQ Q E dQ E 
 Qt   
ER
  R   Q   R  Ce 
dt  R dt R R

 C  E R  E F 
EF ER EF
pentru: Q   C  
R R R R

ER 
T

Qt     ER  EF e 
R R
Timpul de stocare

t  tS  Q  0


ER

 ER  EF   S
e 0
t

R R
tS

E R  E F  E R e 
0
ER  EF
tS
e 
ER
E F  ER
 t S   ln
ER tS= timp de stocare
tC= timp de cădere
Diode semiconductoare
• redresoare;
• detectoare (de înaltă frecvenţă) şi de comutaţie;
• stabilizatoare(Zener);
• fotodiode;
• varicap;
• electroluminiscente (LED);
• Schottky.
Dioda redresoare
• se utilizează pentru redresarea curenţilor alternativi de relativ joasă
frecvenţă.
• nu prezintă interes parametrii de comutaţie şi nici capacitatea joncţiunii.
• interesează curentul maxim în stare de conducţie şi tensiunea maxim
admisibil la polarizarea inversă.
• Cu toate că puterea disipată pe diodele cu siliciu este mai însemnată, ele
pot fi utilizate pentru redresarea unor curenţi mai mari decât diodele cu
germaniu având în vedere că funcţionează la temperaturi mai ridicate
(150oC)
• tensiuni inverse mai mari > 1000V
Diode de condensare şi de înaltă frecvenţă
• Sunt folosite in circuite de conectare
respectiv în circuite de înaltă frecvenţă.
În cazul diodelor de comutare parametrii
care prezintă interes sunt timpii de
comutare (timpii de stocare, de cădere
respectiv de ridicare). În cazul diodelor
de înaltă frecvenţă prezintă în mod
special interes capacitatea joncţiunii.
• L,C- contribuţia capsulei în schema
echivalentă a diodei.
Dioda Schottky
• Este o diodă a cărei funcţionare se bazează pe aşa numitul contact
redresor (dintre un metal şi un material semiconductor). Acest contact
reprezintă de fapt o joncţiune p-n în care metalul reprezintă
semiconductorul de tip p iar semiconductorul de tip n este un material
semiconductor dopat în mod corespunzător.
• Contactul redresor se caracterizează printr-un nivel mic de injecţie de
purtători minoritari şi prin urmare o cantitate redusă de sarcină
stocată în regiunile neutre. În consecinţă o diodă Schottky va comuta
rapid (100 ps). Căderea de tensiune în sen direct pe dioda Schottky
este mai redusă comparativ cu dioda de siliciu ( 0,3  0,5 V).
Fotodioda
• o joncţiune p-n astfel realizată încât să se permită
accesul luminii în regiunea de trecere. Ca urmare a
impactului dintre fotoni şi reţeaua cristalină sunt
generate suplimentar perechi electron-volt. Acest fapt
este exploatat polarizând invers fotodioda şi
exploatând dependenţa curentului invers prin
fotodiodă de nivelul de iluminare
• Se defineşte
𝑖𝑅
stabilitatea fotodiodei ca fiind raportul
𝑆 = , unde E este nivelul de iluminare. Această
𝐸
sensibilitate depinde de lungimea de undă a radiaţiei
incidente. Acest lucru este scos în evidenţă de
caracteristica spectrală a fotodiodei care este
dependenţa sensibilităţii normată şi lungimea de undă
a luminii.
Dioda fotoemisivă (electroluminiscentă LED)
• Joncţiunea utilizată într-o asemenea diodă se
caracterizează prin energie mare de recombinare a
perechilor electron-volt. Acest proces are loc mai
cu seamă în regiunea de trecere în situaţia în care
dioda este direct polarizată direct.
• Procesul de recombinare este însoţit de emisie de
lumină al cărui spectru depinde de combinaţiile
metalice introduse în materialele
semiconductoare.
• Căderea de tensiune pe un LED la polarizarea în
sens direct este relativ mare (1,5 1,8 V) iar
variaţia de tensiune la variaţia curentului este
scăzută.
Tranzistor bipolar
Este un dispozitiv cu trei borne numite emitor, bază şi colector şi care
sunt conectate la un monocristal semiconductor având regiuni dintre
care cea din mijloc este dopată diferit faţă de regiunile marginale.
Polarizarea tranzistorului
regim de funcţionare activ
• joncţiunea E polarizată direct  U EB  0 pnp   U CB  0 pnp 
 U EB  0npn   U CB  0npn 
• joncţiunea C polarizată invers
regim de funcţionare saturat

• ambele joncţiuni sunt polarizate direct

regim de funcţionare blocat

• ambele joncţiuni sunt polarizate invers

tranzistor in conectare inversă

• joncţiunea E invers polarizată, joncţiunea C direct polarizată

Conexiunile tranzistorului
Funcţionarea unui tranzistor este caracterizat de 4 mărimi independente,
două tensiuni şi doi curenţi. Ca urmare, tranzistorul poate fi echivalat cu
un cuadripol în care unul dintre terminale este comun atât intrării cât şi
ieşirii. Dependent de terminalul comun tranzistorul se poate găsi în
următoarele trei conexiuni: E comun, B comună, C comun.
Tipuri de caracteristici
Funcţionarea unui tranzistor fiind caracterizată de patru mărimi, două
tensiuni şi doi curenţi aceasta poate fi modelată prin familii de
caracteristici adică funcţionarea este exprimată de dependenţa a două
mărimi funcţie de o a treia considerată independentă, cea de-a patra
mărime fiind considerată ca un parametru. În mod uzual cele două
caracteristici ale tranzistorului reprezintă aşa numita caracteristică de
intrare respectiv de ieşire
Tipuri de caracteristici
• caracteristica de intrare i E  f U EB  U CB cst .

• caracteristica de ieşire iC  f U CB  iE cst .

• caracteristică de transfer iC  f U EB  U CB cst .

Relaţii între curenţii din tranzistor
tranzistor pnp în conectare directă şi aflat în regiunea activă de
funcţionare

i E  i E p  i En
iC p  iE p  iR
iB  iEn  iR  iCB0
iC  iC p  I CB0
Relaţii între curenţii din tranzistor
• funcţionarea unui tranzistor este cu atât mai eficientă cu cât valoarea
curentului de colector aproximează mai bine curentul de emitor
• Emitorul: puternic dopat astfel încât să injecteze multe goluri în bază
şi prin urmare curentul din emitor să fie aproximativ un curent de
goluri şi în acelaşi timp baza slab dopată.
• Se defineşte aşa numita eficienţă a emitorului
i Ep i Ep
E   1
1
iE i Ep  i En
Relaţii între curenţii din tranzistor
• Prezintă apoi interes ca prin golurile injectate prin bază, 𝑖𝐸𝑝 să ajungă
cât mai multe la colector (componenta 𝑖𝐶𝑝 )
• Se defineşte în acest sens aşa numitul factor de transport dat de
relaţia:
iCp iC p
t   1
1
iE p iC p  iR
baza se face subţire şi slab dopată
Relaţii între curenţii din tranzistor
• 𝐼𝐶𝐵0 să fie cât mai redus

i Cp i Ep
i C  i Cp  I CB0    i E  I CB0
i Ep i E

t   E   F
reprezintă factorul de amplificare de curent în conectare directă
şi conexiune bază comună, este parametru de regim static
Funcţionarea tranzistorului în regim activ
Conexiunea BC. Dacă neglijăm influenţa joncţiunii colectoare asupra
joncţiunii emitoare atunci se poate scrie că

  qU EB  
iE  I E0 exp  mkT   1
   
iC   F  iE  I CB0
iE  iB  iC
Modelul pentru tranzistorul bipolar EC
iC   F  iE  I CB0
iC   F  iB   F  iC  I CB0
iE  iB  iC

F 1
iC  iB   I CB
1F 1F 0

iC   F  iB  I CE0
F
 F
1F