Lucrarea Nr.

Caracteristica statică iD=f(vD) a diodei

Polarizare directă - Polarizare inversă

A.Scopul lucrării
- familiarizarea studentilor în privinţa comportării diodei în circuit atunci când la
bornele acesteia exista semnale variabile (curent iD, tensiune vD) de amplitudini
mari şi frecvenţe joase;
- înţelegerea modelelor de semnal mare (neliniare) pentru diodă;
- verificarea Iinv=ct într-o plajă mare de tensiuni inverse aplicate pe diodă;
- Trasarea caracteristicii iD=f(vD) şi vD<0 pentru o dioda Zenner şi determinarea
rezistenţei dinamice în regim Zenner;

B.Scurt breviar teoretic

In Figura 1 sunt reprezentate modelul fizic al unei diode (d.e. 1N4001) precum si
simbolul diodei (utilizat în CE) împreuna cu mărimile electrice caracteristice.

Figura 1. Modelul fizic şi simbolul diodei

Se precizează că:
· v D = v A - v K (diferenţa de potenţial A -> K);
· v D > 0 defineşte polarizarea directă a diodei;
· v D < 0 defineşte polarizarea inversă a diodei;
· curentul prin diodă iD, cu sensul dinspre anod spre catod, este caracterizat de:
§ i D < 0 şi de valoare foarte mică în modul pentru polarizare inversă
(dioda este blocată şi practic nu premite trecerea curentului);
§ v D ³ 0.4V permite trecerea unui curent important prin dispozitiv;
practic dioda se comportă ca şi un contact închis la polarizare directă;

1
 Toate observaţiile de mai sus rezultă din ecuaţia curentului prin diodă. În fizica
joncţiunii pn se demonstrează ecuaţia Schokley:
vD

i D = I S (e VT
- 1) (1)
unde:
§ iD şi vD sunt determinate de circuitul în care funcţionează dioda (dacă circuitul nu
este alimentat iD este nul!);
§ IS are dimensiunea unui curent şi o mărime caracteristică fabricatiei (o diodă
fabricată are IS fixat);
§ VT se numeşte tensiune termică (din fizica joncţiunii pn se demonstrează că
kT
VT = , k fiind constanta Boltzman, T temperatura în [oK], q=1.6e10-19[C]
q
sarcina electrică a electronului. Pentru T=300oK – temperatura camerei – rezultă
VT≈25[mV]. De reţinut că VT depinde doar de temperatură);
§ IS depinde de tipul seminconductorilor şi de geometria joncţiunii pn a diodei,
toate acestea fiind controlate de fabricant. IS este foarte mic, ~10-18[A] la diodele
de foarte mică putere şi până la ~10-5[A] la diodele de foarte mare putere.

Dioda în regim de strapungere (generalităţi)

Pentru o diodă obişnuită, cu simbolul din Figura 2, s-a verificat că variaţii mici ale
tensiunii vD, în jurul unei valori VD ce asigură polarizarea directă, determină variaţii
importante ale curentului iD. Rezultă pentru variaţii ale mărimilor electrice vD şi iD
DvD
= rd = valoare mica ,
D iD
deci comportare similară unui comutator electric închis (care are ideal rezistenţă 0Ω)

Figura 2

La inversarea tensiunii pe diodă, vD<0, pentru tensiuni negative vD<-400mV,

rezultă din ecuaţia diodei:
vD

iD = I S ( e aVT
- 1) @ - I S = ct

2
 Valoarea lui IS este tehnologică şi foarte mică. Diodele semiconductoare obişnuite
au curentul invers Iinv≈-IS la tensiuni inverse mici repartizat neuniform pe aria joncţiunii.
La polarizări inverse mai slabe decât tensiunea inversă maximă, specificată în catalog de
fabricant, curentul invers este nepericulos pentru că se menţine la valori mici; însă când
vD<0 se apropie de tensiunea inversă maximă (d.e. -100V la 1N4001) curentul invers
creşte nelimitat şi foarte rapid, determinând distrugerea fizică a diodei, motivul esenţial
fiind faptul că acest curent Iinv nu este repartizat uniform pe aria joncţiunii.

Prin comparaţie cu diodele obişnuite, diodele Zenner sunt fabricate astfel încât
curentul invers să fie repartizat aproximativ uniform pe întreaga arie a joncţiunii
(densitatea de curent prin joncţiune este aproximativ aceeaşi pe toata aria, motiv pentru
care nu există zone microscopice cu supraîncălziri, deci străpungerea nu este priculoasă).

Diodele Zenner au simbolul şi caracteristica iD=f(vD) reprezentate în Figura 3.

Figura 3

Diodele Zenner sunt fabricate pentru a funcţiona în regim de strapungere pâna la

o valoare a curentului invers Iinv=IZM (dată de catalog).
Tensiunea de străpungere vD <0, de modul VZ, este dată de catalog. Se fabrică DZ în
plaja 2.7V £ VZ £ 500V iar 5mA £ I ZM £ 10 A .
Cea mai importantă caracteristică a DZ este aceea că asigură, în regim de
străpungere, o variaţie foarte mare a curentului invers cu mentinerea aproximativ
constantă a tensiunii vD~-VZ, sau altfel spus are o rezistenţă dinamică foarte mică în
regim Zenner.
Această caracteristică o recomandă pentru circuite de stabilizare a tensiunii.

3
 Pentru polarizare directă, DZ are o caracteristică statică similară cu dioda
obişnuită.

C. Caracteristica statică iD=f(vD) la polarizare directă

Se utilizează circuitul de test din Figura 4:

Figura 4

v RM
-RM resistor pentru măsurarea curentului iD, i D = ; VRM măsurat cu voltmetrul V1. Se
RM
va utiliza RM=0.5KΩ, RPM, 0.5W.

-Rezistorul R=200Ω, 3W are rolul de limitare a curentului prin dioda D în situaţia când
multimetrul V1 este în mod defectuos setat ca şi ampermetru.
-Modificarea curentului iD se va realiza prin modificarea sursei de tensiune continuă VCC
(0< VCC < 20V).
-Voltmetrul V2 este necesar pentru masurarea tensiunii pe diodă, mărimea electrică vD.

Mod de lucru

- Se fixează vD la valorile din tabelul T1 (ajustând VCC şi apoi citind vD pe V2,

scala 0…1V);
- Se citesc apoi pe V1 valorile rezultate şi se completează în tabelul T1.

Tabelul T1
V2(vD)[V] 0.1 0.2 0.3 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7
V1 [V]
iD=V1/RM[mA]

4
 - După completarea tabelului T1 se trasează grafic caracteristica iD=f(vD) ce trebuie
să rezulte în forma din Figura 5.

Figura 5

- Reprezentati apoi caracteristica volt-amperica a diodei la scara semi-logaritmica;

NOTA
1. Pentru dioda utilizată (1N4001) se poate determina indirect IS de fabricaţie. Să
presupunem că temperatura ambiantă este ~300 oK . Rezultă un VT~25mV.
Folosind o pereche Q (VD, ID) din Tabelul1 şi ecuaţia (1) se
I
determină: I S = VDD/ VT
e
2. Curentul invers al diodelor nestabilizatoare are o valoare foarte mică şi nu poate
fi măsurat cu metode şi aparate obişnuite. Se va măsura curentul invers doar
pentru didele Zenner.

5
D. Studiul diodei în regim de strapungere

Modul de lucru

Se va utiliza dioda DZ9V1 cu următoarele date de catalog:

ìVZ = 9.1[V ]- imprastier e tehno log ica 8.5 ... 9.6V ;

ï
írz £ 10W - la I Ztest = 5mA
ï
îPT = 300[mW ] - la q caps = 25 C
o

Se calculează IZM (cea mai mare valoare permisă):

PT 300 [mW ]
I ZM £ = @ 30mA
(VZ ) max 9.6 [V ]
Circuitul de test:

Figura 6

Se va utiliza RM=500Ω/1W.
Din VCC se reglează iZ=-iD. Curentul reglat se citeste pe aparatul mA inclus în sursa VCC.
Pentru o valoare iZ reglată se citeşte vZ=-vD pe voltmetrul V.
Se completează tabelul T2.

Tabelul T2
iZ=-iD [mA] 1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20
vZ=-vD [V]

Se trasează graficul iD=f(vD) cu iD=-iZ, vD=-vZ.

Dv
Se determină rz = Z I Z =5 mA şi se compară cu valoarea de catalog.
Di Z

6
E. Determinarea curentului invers al diodelor obişnuite

Conform ecuaţiei Schockley, dacă vD <-400mV, va rezulta:

= 400 mV

i D = I S (e a*25 mV - 1) @ - I S

Curentul IS este foarte mic, de ordinul [nA] la 1N4148 şi de ordinul zecilor de

[nA] la 1N4001. Curentul invers al unei diode este ~IS atât timp cât solicitarea în tensiune
inversă este mult mai mică decât tensiunea de străpungere.

Un circuit pentru măsurarea lui IS este reprezentat în figura următoare :

Figura 7

· t<0 : toate comutatoarele sunt deschise. Se închide apoi K3 pentru descărcarea

condensatorului C. Se reglează VCC=Vinv la care dorim să măsurăm curentul
invers prin diodă (d.e. 10V). Se deschide apoi K3.
· t=0 : se închide K1 şi se menţine închis o durată de timp t1=100s. Dacă Iinv≈IS,
condensatorul C se va încărca la curent constant şi tensiunea vC va evolua
I I
aproximativ liniar. vC (t ) = vC (0) + inv t = S t
C C
· t=t1 : se deschide K1 şi imediat se măsoară vC cu osciloscopul prevăzut cu sondă
divizoare (Rin_osc=10MΩ). Valoarea observată este vC(t1).

Se determină indirect :
C * vC (t1 )
I inv (-10V £ v D £ -9V ) @
t1
NOTA
1. Cu C=5…10uF (nepolarizat) descărcarea condensatorului prin Rin_osc este
nesemnificativă dacă citirea valorii pe osciloscop nu durează mult. Constanta de
descărcare prin Rin_osc este :t RC = 10 *10 6 * 5 * 10 -6 = 50 s şi dacă citirea valorii
vC(t1) dureaza 1…2s, eroarea realizată nu este semnificativă.
V
2. Durata t1 se alege astfel încât vC (t1 ) £ CC = 1V pentru a putea aproxima că pe
10
durata t Î (0...t1 ) dioda D a avut la borne o tensiune inversă aproximativ
constantă.

7
Rezultatele experimentale vor fi trecute într-un formular de tipul urmator:

Lucrarea Nr. 4 – Rezultate

C.

Tabelul T1
V2(vD)[V] 0.1 0.2 0.3 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7
V1 [V]
iD=V1/RM[mA]

Caracteristica iD=f(vD): ...

I
IS = D
VD / VT
=?
e

D.

Tabelul T2
iZ=-iD [mA] 1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20
vZ=-vD [V]

Caracteristica iD=f(vD): ...

Dv Z
rz = I Z = 5 mA =?
Di Z

E.

vC (t1 ) = ?
I inv = ?