1

NOTIUNI DE
FIZICA
SEMICONDUCTOARELOR

1.1. Generalit5(i
Dispozitivele electronice moderne, pasive gi active, gi circuitele integrate sunt realizate
pebaza a trei tipuri de rnateriale solide, cunoscute sub numele de materiale electronice solide:
conductoarele. semiconductoarele gi izolatoarele. Datorita faptului cd performanlele electronice
ale dispozitil,elor gi circuitelor electronice slrnt determinate, in principal, de conductia electricd
prin straturile lor semir:onductoare. acestea sunt cunoscute sub denumirea genericd de
disptt:it ive si circttite .settticottdur'loar(.
in general prin terrnenul de dispozititt electronic se ilrlelege acel component al
circuitului electrorric a cdrui func{ionare se bazeazd fie pe controlul migcarii purtdtorilor de
sarcind mobili in corpul solid. irr gaze sau in vid, fie pe controlul injecliei sau generdrii de
purtAtori de salcind in zonele active ale acestuia. La cele mai multe din dispozitivele electronice
acest control se exercitd prin cAmpul electric determinat prin aplicarea unor tensiuni intre
bornele dispozitivului sar-rL printr-un flux luminos incidentpe o suprafald a dispozitivului.
Caracterizarea funcliondrii dispozitivelor electronice se face in regim static prin
caracteristicile statice I-I/(! =1,(V,,...,V,tD.j=ln. unde I/ reprezinti curentul la

terrninalul/. respectiv I,', tensiunea intre terminalulT gi cel de referinla, iar n este numS,rul de
termirrale ale dispozitivului) 9i in regim dinarnic prin circuite echivalente, numite modele
dilamice. Trebuie subliniat faptul cd toate dispozitivele electronice au caracteristici statice
neliliare. De asemenea, trebuie remarcat faptul c5 la toate dispozitivele electronice existd
parametri funclionali (adica parametri ce caracterizeaza func{ionarea dispozitivelor in diverse
reginiuri de funclionare) controlabili pe cale electricS.
Dispozitivele ele,ctronice se impart in doui categorii generale: active 9i pasive.
Dispozitivele electronice; active sunt acele dispozitive care pot asigura transformarea puterii
absorbite de la sursele de, alimentare in curent continuu in putere de semnal util. Cu alte cuvinte
se poate afirma ca dispozitivele active arnplifica in putere semnalele utile aplicate la poarta de
lntrare a acestora.
Prin circuit elect,ronic se inlelege un set de dispozitive electronice compatibile ce sunl
inlerconeclale penlru a .tertti unui anuntil scop.funclional. Scopurile funclionale rnajore ale
circuitelor electronice converg cdtre doud direclii principale: controluI gi conversia energiei.
respectiv prelucrarea gi transmiterea semnalelor electrice purtdtoare de informa{ie.
Pe parcursul acestui curs este folosit gi termenul de reyea eleclronicd. Terrnenii de
circuit gi relea accentueazi aspecte diferite ale aceleiagi entitAli fizice. Astfel, atunci cAnd modul
in care dispozitivele electronice sunt interconectate este de primd irnportanld, se folosegte
termenul de retea.

1.2. Modele electronice pentru corpurile solide

Un material solid coniine in jur de particule (electroni, ioni neutri; in 102r

q;i atomi
unitatea de volum (centirnetrul cub), parlicule ce prezintd distanle extrent de mici ilttre ele.
De aceea, colrportarea acestora se studiazd pe baza a doud exlensii ale fizicii clasice:
cuantica probabilisticd, ce rezolvd problerna distan{elor rnici dintre parlicule. qi mecanica
statisticd, ce rezolvd problema numdrului mare de particule. Aceste extensii furnizeaza
principalele instrumente de studiu ale materialelor implicate in realtzarea dispozitivelor gi
circuitelor sent icottductoare. gi anume:
- modelul benzilor energetice dezvoltat pe baza a doud postulate fundamentale cu
privire la caracterul dual al particulelor materiale gi al radialiei electrornagnetice:
- condilia lui Planck - absorblia gi emisia radia{iei electromagnetice se
realizeazd in cuante discrete. cunoscute sub numele de fotorri , energia unui foton este
data de relatia:

E=h..f =h.t (1.1)

urrde./reprezintd frecven{a radialiei electromagnetice, h = 6,6262'10-3a It*s] reprezintd

constanta lui Planck $i t = h l(2 Tt)

- ipoteza lui de Broglie - impulsul unei particule urrdd (foton) este invers
proporlional cu lungimea sa de undd:

P= hl)": (1 2)

- statistica Fermi-Dirac ce furnizeaza distribulia electronilor in funclie de energia

cineticd a acestora la echilibru termic.

Un alt instrument important in studiul acestor materiale il reprezintd modelul chimic al

legdturilor. Acest model introduce doua noi particule conceptuale electronii (ce au aceeagi
sarcind ca gi particulele reale gi o masd efectivd m,) qi golurile (particule ce au sarcina egald
dar de semn contrar celei a electronului real qi o masd efectivd m*, diferitd in cele mai multe
cazuri de cea a electronului), nrenite sd descrie gi s[ facd posibild anahza matematicd a

proprietalilor a aproximativ 1023 electroni gi atorni reali existenli in unitatea de volum.

 Curentul continuu sau instantaneu ce apare prin dispozitivele sau circuitele
semiconductoare sub ac{iunea unor agenli externi perturbd atAt echilibrul electric cdt gi pe cel
termic. Efectele agerr{ilor perturbatori sunt descrise calitativ de modelul chimic al legdturilor gi

cantitativ de modelul benzilor energetice, iar analtza gi reprezentarea matematicd a acestora se

realizeaza folosind ecualiile lui Shockley, ecualii dezvoltate pe baza modelului benzilor
energetice. Distribulia in spaliu a particulelor, viteza gi energia lor se determind in conformitate
cu statistica Fernri-Dirac .

1.2.1. Modelul legitu rilor chimice

in serniconductoarele elementare cristaline ca C (diamantul), Si gi Ge fo(ele de legatura
intre atomi sunt asigurate de legiturile ce apar intre perechi de electroni de valen!6. Fiecare
legdturd con{ine doi electroni de valenla cu spini opuqi de la doi atomi vecini. De aceea, aceste
legdturi se numesc covalente sau homo-polare. in releaua cristalind a semiconductoarelor
elementare fiecare atom se invecineazd la distanfa minimi cu patru atomi uniform distribuili in
spa[iu (figura 1.1.a). Legaturile covalente sunt cele care conduclarealizarea acestei structuri
simetrice ce conferd cristalelor o deosebitd rigiditate gi duritate.
Reprezentarea sirnbolicd a acestei relele, ilustratd in figura 1 .1 .b pentru Si, este
cunoscutd ca modelul Shockley pentru semiconductoarele elementare. in acest rnodel legaturile
cor.,alente sunt reprezentate prin doua linii paralele pe care se indicd sau nu prezenla
electronilor. Cercurile. in care s-a inscris cifra +4, simbolizeazd atomii retelei ldri electronii de
valenli pringi in legaturile covalente, in conformitate cu figura I .1.c.

-l
/A
\,

Figura 1.1. Modelul legaturilor chimice

a) Releaua cristalina spaliala;b) Modelul Shockley; c) Reprezentarea atomilor din nodurile relelei.
 Figura 1.2. Generarea unei perechi electror-r-gol'

Ruperea ulei legdturi covalente se real\zeaza prin transmiterea energiei de activare unui
electron alacesteia. Transmiterea energiei de activare se poate face fie prin excitarea
semiconductorului cLl ul'l agenr exrern, fie prin cregterea temperaturii semiconductorului'
CreEterea temperaturii semiconductorului conduce la creqterea energiei de
vibralie termicd a
re{elei atomice a acestuia. prin ruperea unei legdturi covalente unul din cei doi electroni
ai

legdturii devine electron liber in spaliul dintre atomii relelei gi tegdturile covalente
(figura 1.2).
+
Prin plecarea electronului apare un exces de sarcind pozitivd, de valoare q (- q reprezintd
sarcina elementard a electronului), atomul care a pierdut acest electron devenind ion
pozitiv'
Aceast6 sarcind pozitivi, ce reprezintd o legdturA covalentd nesatislZcutd, se numeqte
gol. Se
observd cd prin ruperea urrei legdturi covalente este generatd o pereclie electron
- gol.
Modelul legiturilor chimice de valenla poate fi folosit cu succes 9i in cazul unor
semiconductoare compuse (ex. GaAs, GaP etc) in ciuda caracterului lor ugor ionic. in scltitnb,
pentru izolatoarele tip oxid gi semiconductoarele compuse cu caracter ionic pronunlat modelul
prezentat alterior nu mai este valabil deoarece legaturile itttre atomi sunt de tip ionic sau
heteropolar.

1.2.2. Modelul benzilor energetice

punctul de plecare i1 dezvoltarea acestui model il constituie diagrama energiei
potenliale a unui electron intr-un atom izolat ;i apoi generalizarea acesteia pentru cazul mai
multor atomi.
conven{ia de semne cu privire la energia electronului este:
- E < 0 pentru electronii din interiorul materialului 9i
- E > 0 petrtru electrorrii extragi din material.
Eviderrt. i1 studiul comporlarii electronilor de valen!6, ce reprezinta purtatorii de sarcind
reali in rnecanisrnele de conduclie, intereseazd numai spectrul energiilor negative'
Diagrama benzilor energetice la semiconductoare este compusa din benzi energetice
permise separate intre ele de benzi energetice interzise (vezi figura I .3). La OoK electronii de
valenla ocupd iltegral o band6 permisd numit[ banda de valenla. Energia nivelului superior al
benzii se noteazd cu E, iar energia rrivelului inferior al acestei benzi se noteazd cu E; .

indliimea energeticA a benzii de valen!6 pentru Si este de E,, -Ei. = 12eV .

,1
 Banda permisd care la OoK nu este ocupatd cu electroni se numeEte banda de conduclie.
E,nergia nivelului minirn al benzii de conduclie se noteazd cu E,., iar energia nivelului maxim
cu E . indllirnea energeticd a benzii de conduclie se nume$te a.finilate electronicd gi se noteazd

cu 1. Afinitatea electronic[ pentru Si este Xs, = E, -E,. = 4,02eV. intre cele doud benzi
permise se gdseqte o banda energeticd interzisd a carei inal{irre energeticd se noteazd cu
E,,=E, -E, $i acdrei valoarepentruSi este E,,,, =1,18eV.
in acord cu principiul de restriclie al lui Pauli numai doi electroni pot avea aceeagi
energie gi funclie de unda. in corrsecin[d, pe un nivel energetic al benzilor permise electronii se

vor distribui cAte doi. i,.,tr-u,., cristal de lcm3 sunt in jur de l0r2 aton,i gi deci benzile de
valenp gi de conduclie vor contrine irr jur de 1021 nivele energetice. De aceea, in descrierea
fenomenelor ce apar in dispozitivele semiconductoare se folosegte o diagramd energeticd
sirnplificata ce este cunoscutd sub numele de diagrama energie-distanla sau diagratna benzilor
energetice E-x.
Un electron srtuat pe uu anumit nivel energetic poate trece pe un nivel energetic
superior daca:
. nivelul energetic superior este liber qi
. e lectronului i se transrnite energia necesard saltului.

Saltul energetic in sens invers, de pe un nivel energetic superior pe unul inferior este
un proces natural. spontan. condilionat numai de existen{a unui nivel energetic inferior
neocupat.
La aplicarea unui cAmp electric extern, prin serniconductor pot circulacurenli electrici
datoritd a doud mecanisme de conduclie diferite, corespunzdtoare celor doud benzi permise
parlial ocupate:

/. - Er' lJlntla rle

'/.\ l.{) c()nrlUclic
F
Fl-
l . -{
) lrilllrlil lliurtll intclzrsir
.l rnlclzLrlt l-,

lJlnrll tlc
l]un.la.l.
t alcn{ii r lrlcntli

ir . b

Irigura 1.3. Diagrarna benzilor errergetice E-x: a) corespunzdtoare unui cristal fonnat din I 1 atomi de
Si; b) diagrama sir-nplificata folosita in descrierea fenomenelor ce apar in dispozitivele
sem iconductoare
 . deplasarea dirijata a electronilor de conduclie ;i
. deplasarea dirijatd a electronilor din legaturile covalente spre locurile libere din
legaturile covalente incomplete ce au furnizat electronii de conduclie.
Conduc{ia curentului electric prin aportul a doud benzi energetice este specificd
semiconductoarelor.
pentru descrierea fenomenelor lnacroscopice de conduclie s-au dezvoltat modele ce
folosesc particule fi ctive. Astfel :

. miscarea electropului liber in banda de conductrie este de,scrisd de o particuld

(notata cu -q) 9r
fictittd, numitd lol electror?. ce are aceeaqi sarcind ca particula real6
o masd ef-ectiv6 rn, ;

. miscarea elec(ronului in banda de t,alenld (electronul care se desprinde dintr-o

leg[turd covalentd pentrlr a ocupa locul liber dintr-o altb legdturd covalentd rupta) e.i/e
de.scri,sd 4e o altii particula.fictit,d numild gol, particuld cu sarcind electricd
egald

in ntodul cu cea a electronului (notald cu +q) 9i cu masa efectivd m*.

in concluzi e.in senticonducloare conduclia curentului electric este asigurata de doud
tirturi de purtdlori de sarcind ntohili, electronii Si golurile'

1.3. Semiconductoare omogene

1.3.1. Semiconductoare pure (intrinseci)

Un se;niconductor pur este un semiconductor ce nu prezintd in nodurile relelei cristaline

atorni cle irnpuritate gi nu prezintd defecte cristaline. Serniconducloarele pure poarta
denumirea

de semi con du c I o are intri n se c i.

Electronii ce primesc o energie egal6 sau mai mare ca energia de activare pdrdsesc
leg[turile covalente, aceastd rupere a legdturilor covalente fiind echivalentd cu generarea
de electroni in balda de conduc{ie gi goturi in banda de valen!6. Electronii 9i golurile
generate pe aceasri cale se numesc electroni gi goluri intrinseci 9i sunt responsabili de
conductivitatea intrinsecd a semiconductoarelor.
Datoritd faptului cd prin ruperea unei legituri se formeazd o pereche de particule
fictive electron-gol, concentra!iile acestora in semiconductoarele intrinseci vor fi egale.
Notatiile standard pentru aceste concentra{ii sunt:
. n [numdr/crnr] pentru concetttralia electronilor qi
. p fnurndr/crn'] pentru concentraJia gourilor'
iar valoarea lor comund pentru semiconductoarele intrinseci se nume$te concentralie inlrinseca
gi se noteazd cu n,. Se poate deci scrie:
n:p=ni (1.3)

Concentra{ia intrinsecd depinde puternic de temperaturd 9i de l[rgimea benzii interzise,

n
 1.3.2. Semiconductoare impure (extrinseci)

Materialele semiconductoare reale difer5 de semiconductoarele intrinseci tocmai prin

puritatea chimica limitatd gi prin prezen{a unor defecte ale re{elei cristaline. Prezen\a
impuritdlilor in concentralii controlabile gi omogene in semiconductor este beneficd deoarece
realizarea dispozitivelor electronice irnpune oblinerea unor semiconductoare fie cu exces de
electroni. fie cu exces de goluri.
Daci datorita dopajului in serniconductor averr exces de electroni, adic6 , , p,
coductivitatea senticonductorului este de tip n (conduclia curentului electric este asigurat[ in
principal de electroni), iar semiconductorul poarld numele de senticonductor extrinsec de tip n.
Dacd insd. semiconductorul este dopat astfel incAt sd avem exces de goluri, adicd p > n,
conduclivitatea semiconduclorului esle de tip p (conduclia curentului electric este asiguratd in
principal de goluri). iar semiconduclorul se numeSte extrinsec de tip p.
Exista doua tipuri principale de astfel de impurita\i: inpuritali donoare Si impuritdli
acceptoore. in figura 1.4, pe sistemul periodic parlial, sunt sintetizate posibilitalile diverselor
elemente de a se constitui irr-rpuritdli de substitulie donoare sau acceptoare, in raport cu
in
semiconductoarele elementare. Modul in care un donor sau un acceptor modifica local diagama
energetica E-x este ilustrat in figura 1.5.
Se nunresc impuritdli de substitul,ie donoare (sau donori) impuritalile ce pre:intd o
t'alenla superioard celei a a/omilor relelei de bazd. Diferenla intre valenla donorilor gi cea a
atoniilor relelei de bazd, caracterizeaza capacitatea donorilor de a furniza electroni de conduclie
lird ruperea unor legdturi covalente, deci lbrd generarea sirnultand de goluri, cazin care avem //
> p.iar semiconductorul oblinut prin impurificare cu donori este extrinsec de tip n.

IrIlrLrt rtii1rIc (l('n()itlc )I ilceanl0ltlc lll

:crnicontlLtcloil clc elcrtt.'ttlirrc

I ll lll l\' \' \'l \ll

Lrltctl(|\OF
i\rr \lS \l Si I' S ( I

(Lr ln (iu (ic .\s Sc llt

\g. ( tl lrt Stt St) lc I

\e!.'l)lt Jl ll ll)Ltl

\efel)L(rI rJul\itl
r'll
.\Lr I lg I I i'tr lJi I)o .\l

\( ( !'l)l()l \lilll)ltl

\ io nr ii lctc lc i rlc irazii

ii
lrtt1lLrr itrli rnl.tst ti;rl" ( irItlt i izrrclcett rrnici

Figura 1.4 Impuritalile de substitulie gi captorii izoelectrici in

sern r conductoarele elementare.
 _v___ -
'F.- EA

l,-----.-.- Er

F, tt-
l-A
- L-.
I 1:r
L.r I]\

Frgura 1.5. Diagrarnele benzilor energetice E-x pentru Si impurificat cu:

ator.ni dolori (stAuga-dollorul a tonizat, dreapta-donor neutru) 9i atorni
acceptori (stanga-acceptorul a ionizat, dreapta-acceptor neutru).

Energia de activare corespunzAtoare electronuluiin exces are o valoare mult mai Inica
ca E6. Dacd electronului in exces i se transferd energia necesard activdrii pe cale termica'
genera 9i un gol irl
optic6 sau prin irnpact, acesta devine electron de conduciie fdra insd a se
ion pozitiv de
balda de valelld ca in cazul ruperii unei leg6turi covalente, iar donorul devine
sarcina +q.
Se numesc iltltnrild(i de substitulte acceploare (sau acceptori) intpurild(ile ce prezinld o
re{elei de
t,alenld in.ferioard celei a atomilor replei de bazd. Diferenla intre valen{a atotnilor
baza qi cea a acceptorilor caracterizeazd capacitatea acestora de a furniza
goluri in barrda de
valenld {drd ruperea unor legdturi covalente, deci {bri generarea sirnultand de electront, cazin
care p > p . iar serniconductorul irnpurificat cu acceptori este extrinsec
de tip p. Energia de
activare necesare ului electron prins intr-o legdturi covalenta pentru ocuparea locului
liber din

legdtura covalentd nesatislacutd de impuritatea acceptoare este mult rnai micd

decAt cea de
prin
trecere i1 barrda de corrduciie. Daci unui astfel de electron i se transferd energia necesara
unul di1 mecalismele amirrtite anterior, acesta va ocupa nivelul energetic Ea. generAnd astfel
un gol fbra insa a genera gi un electron in banda de conduclie, iar impuritatea acceptoare cdreta
ii apar{ine nivelul energetic devirre ion negativ de sarcini -q '

1.3.3. Concentra{iile electronilor $i golurilor la echilibru termic

ingeneral, termenul de ecliilibru inseamnd cd propriet[1ile aflate sub observa[ie nu se
modific6 in timp gi deci transferul de energie este zero. in cazul nostru, ceea ce intereseazh este
echilibrul macroscopic (deci definit pentru valorile medii ale proprietalilor de interes)' Acesta
este un echilibru dinamic deoarece electronii gi golurile se afldin corrtinud migcare.
 Din punct de vedere operational echilibrul macroscopic se imparte in:
. ec'hilibt'u elec'tronic. ce se referd la echilibrul electrodinamic al electronilor gi golurilor
qi reprezirrta condilia ca intre doud contacte conectate la solid curentul gi tensiunea
mdsurate sd fie zero;
. echilibr"z atomic sau lermodinamic al cdrui inleles se prezentd in continuare.
Echilibrul termodinamic reprezintd o condilie globalS ce constd in indeplinirea
sirnultana a patru condiliide echilibru:
. echilibru termic ce const6 in pdstrarea unei temperaturi uniforme gi constante in tot
volumul materialului.
. echilibru electric ce constd in absenla factorilor externi ce ar conduce la aparilia unui
curent electric net prin material sau la generarea, recombinarea gi captura oricdrui tip de
purtdtori de sarcin6;
. echilibru chimic ce consti in absenla unui flux net de particule prin material gi a
reacliilor intre diferitele trpuri de particule atomice neutre;
o echilibru mecanic ce constd in considerarea unei presiuni hidrostatice constante.
Pentru determinarea concentratiei intrinseci la echilibru termic se utilizeaza doud
concepte:
. probabilitatea ca un nivel energetic E sa fie ocupat de un electron sau func{ia statisticb
distribulie Fermi-Dirac qi
de
. densitatea nivelelor energetice relativ la unitatea de energie dE gi unitatea de volum,
D(E).
Confornt statisticii Ferrni-Dirac probabilitatea ca un electron sd ocupe un nivel
enersetic E la echilibru tennic este:

/rE\ - (1 4)
.l+e.\pl( E-E, )
't k.r ) I

unde Er este energia (sau rrivelul) Fermi, definita ca energia la care./'(E,e): 112.
\4drirnea energiei Ferrni depinde de temperaturd gi de modul de dopare a
semiconductorului. La echilibru termic nivelul Fermi este constant in tot volumul
semiconductorului. Func{ia de distribulie Fermi-Dirac datd de relalia (1.4) este prezentatd in
figura 1.6.

Figura 1.6. Func{ia de distribulie Fenni-Dirac.

 Fu'c{ia de distribulie, ce caracterizeaza probabilitatea ca un r-rivel energetic E sd fie
ocupat de un gol. conforrn statisticii Fenni-Drrac este:
(1 5)
s: 1 - /(E)
in concordan!5 cu cele prezentate mai sus collcentra[ia electronilor in banda de
conduclie este:

t'", I F -F \
11,= ')
J, / (t,
r
u\Ll'
o(E tut \
).dE =.\
= 's.
.^pl -7 (1 6)
\ (. j I

iar concentra{ia golurilor in banda de valenld este:

/ l- \
/, = J,,
f,.
,c (E ) D(E ) dE =
rr
.\', ."e[ T -tr )
(1 7)

volum din
in care,\16 giNr reprezintd densitalile efective ale nivelelor energetice din unitatea de
banda de conduclie. respectiv din banda de valenld, 9i care depind puternic de temPeraturd
(-T"').
in consecin{d concentralia intrinecd este
/t\
t.t , =,,,Jr v\ .\ = expi i';
'\ -:2.kT) I
(1 8)

I'a echilibru termic produsul concentra{iilor celor doua tipuri de purtitori de sarctna
este egal cu pdtratul concerrtrafiei intrinseci indiferent de tipul semiconductorului
(pur sau
impur):
t1o . pa -- 11;
l
.
(t e)

Folosind relaliile anterioare se pot expritra corlcentratiile purtatorilor de sarcind Ia

echilibru te1-nrc pentru semiconductoare extrinseci in funclie de caracteristicile semiconductorului
intrinsec de baz6:
(
n,=n.*lr[ E,-Er,
kJ
)
)
(1.10)
/ L
I Lt.' \
Lt.t -tr

'\ --, kT
I

D^=|t.exp: ' l

ulde Ep, reprezint[ energia nivelului Fermi pentru semiconductoare intrineci

-F =-
Pt;t-
E, 'E, k T '-^N,.
A-,
(1.r 1)
2 2
pentru electronilor 9i golurilor. irt
a stabili relatiile analitice ale concentraliilor
semiconductoarele extrinseci, furrclie de concentraliile impuritelilor donoare, ly'r , $i acceptoare'
Ai.q , Se pleacd de la condi{ia de neutralitate a semiconductorului la echilibru termic,
exprimatd

prin rela{ia:
(1.1 2)
pr.=po-no*,V;-1/,=0

10
in care pV reprezintd densitatea de sarcind de volum ([C/cm]]). iar 1/; gi N) reprezintd

concentraliile ionilor de impuritate pozitivi, respectiv negativi, la temperatura consideratd.

Un semiconductor igi pastreazd caracterul extrinsec atdt timp cAt este indeplinita condilia:
. pentru semiconductoare de tip r
l/1, - ,r't; > 70 .n, ( = 10" cm-t pentru Si la Z = 300" K)
. pentru semiconductoare de tipp

,vi-,lt;,>10.n,
Ca atare
. pentru semiconductoare de tip n
lr
rr+ trt
n,,=- ' ' r'\', -,\,f _N)=Nr_ NoraT=3oo"K
" ?[ l=M,
)l
(1.14)
t|;
^ _n,- _
Un--=-
t1r., N, - N..,
. pentru semiconductoare de tipp

,,,=!)l [.r'' -.r-l * (I,.r 4r,,)\ 4.r: ] = - l/, = N.., - N,) la T =300" K
": (r.rs)
ni
.^ -ni
llr:--=- -
Po li.-r - /v"i..,
La nivele ridicate ale concentraliilor purtdtorilor de sarcind gi la nivele ridicate de
dopare cu irnpuritSli (> l0's cm' ; upu, fenomene ce rnodifica relaliile de determinare a
concentra[iilor purtdtorilor de sarcind prezentate anterior.
La neechilibru. nici una din relaliile prezentate in aceastd secliune nu mai este valabilS.
Totugi, pentru a se pdstra fonnalisrnul relaliilor (1 . i 0) Shockley a introdus doud nivele
enerqetice fictire 1de calcul). numite cvasinivele Fermi, ce au valori diferite pentru electroni gi
goluri gi variaza in interiorul semiconductorului. Astfel concentra{iile purtdtorilor de sarcind la
neechilibru sunt date de relatiile:
/rn\
Lr" -Er.,
ii^=ii e\DrI -- l

[ ftr I

) (r r6)
/rr\
"ltt "[:a
'\,
I

Dn = I'l
k.T )

1.3.4. Generarea $i recombinarea purtitorilor de sarcini

Aga cum am ardtat in secliunile anterioare electronii igi rnodificf, permanent starea
energetic6. Prin generare se definec fenomenele de trecere dintr-o stare energeticd in alta a
purtdtorilor de sarcind prin care electronii ajung in banda de conduclie (generarea de electroni)

ll
iar golurile in banda de valeuld (geuerare de goluri). Pr\n recombinare se definesc fenorlenele
de schirnbare a stdrii energetice a purldtorilor de sarcind prin care dispar electronii dirr banda de
conduclie gi golurile din banda de valenfd. Fenomenele de capturd reprezintd atAt fenomenele
de deionizare a irrpurit[1ilor din semiconductor cAt qi de trecere a purtitorilor de sarcind pe un
nivel energetic corespunzitor unui defect al relelei cristaline. Efectul tunel reprezinta
fenomenul de trecere a purtdtorilor de sarcind printr-o barierd de potenlial'
Tranziliile purtdtorilor de sarcini in aceste fenomene pot fi:
- tranzi(ii banc{d-bandd sau interbandd sau directe ce inseamnd trecerea directd a
purtatorilor de sarcind intre banda de valenld gi banda de conduc{ie (recombinarile gi generdrile
interbandd a perechilor de electroni 5i de goluri),
- tranzilii indirecte sau tranzilii bandd - nivel intermediar - banda (recombinari 9i
- generdri indirecte datorate fenomenelor de emisie gi de capturd a purtdtorilor de

sarcin[ de irnpuritdli sau de defectele cristaline),

- tranzt\ii intre nivele intermediare sau tranzilii internivel'

Simbolurile IEEE referitoare la fenomenele enun{ate mai sus sunt:

- ratele de desfEsurare a mecanismelor, irr sensul numdrului de particule care se
genereazdlrecombina/caplureazalemit in unitatea de volum gi in unitatea de timp, se noteazb cu:
g-viteza de generare. r-vileza de recombinare. c-viteza de capturi gi e-viteza de emisie a
purtdtorilor de sarcind de pe livelele intermediare (centre de capturd);
- particulariz-areaacestor viteze pentru cazul electronilor sau golurilor se realizeaza prin
folosirea indicilor rr, pentru electroni. $i p, pentru goluri (de exernplu: g,-viteza de generare a

electronilor).

Tranziliile termice indirecte de generare/recombinare electron-gol sunt descrise

satisldcdtor de rnodelul SRH (de la numele autorilor: Shockley, Read gi Hall). Conform acestui
model vitezele rrete de recombinare corespunzdtoare celor douh tipuri de purldtori de sarcind
sunt date de relatiile
1
p'n - n;
R,.sH/? = Rpsun=(| =
t,,r,,' (.p + p,) + r,,o' (n * n,)
P
r\rr SH/l --1./ rr..\H1l-o q\ rr. \H/l
(1. r7)
P
t\t..\Hl -t.
-'l'.\Hl -o ,</ \H/

in care r,,o gi "cro sunt doud constante ce reprezinta timpii medii de via!6 ai electronilor,
respectiv golurilor, iar ir, gi pr reprezintd concentralii fictive de electroni, respectiv goluri pentru
un semiconductor in care nivelul Fermi se suprapune peste nivelul energetic suplimentar (Ep =
E).
Din relalia (1 .17) se desprind urmdtoarele concluzii:
- la echilibru termic (n' p = nl'l viteza netd de recombinare este nul6;

1)
 - la neechilibru. in condilii de exces de purtdtori de sarcind (n.p> n,'1 viteza netd de
recombinare este pozitivd (U > 0 ), deci predomind recombinarea;
- la neechilibru, in condilii de lipsd de purtitori de sarcind (n-p<nl I viteza netd de
recombinare este negativa (U < 0 ), deci predomind generarea.
Ca atare, se poate concluziona cd un semiconductor aflat la neechilibru lSi denolta
ntecanisnte care tind sd-l readuca la echilibru.
Pebaza acestor observalii pentru vitezele nete de recombinare s-au dezvoltat formalisme
mai simole si anume:
n - l'10

Tn
(r.r8)
P- Po
x,,

in care r,,Si rrse numesc tirnpi de via16 ai purtdtorilor de sarcindin exces lald de situalia de
echilibru termic. Acegti timpi de viala reprezintd o caracteristicd importanti a unui
semiconductor gi au valori de ordinul (10 t =
e1s.
l0

1.4. Mecanismele de transport corespun zdtoare purtitorilor

de sarcinl in semiconductor
intr-un semiconductor omogen, aflat la echilibru termic, electronii gi golurile suferd doar
o migcare de agitalie termicd ce are un caracter haotic gi este insolita de ciocr-riri cu re{eaua.
Aceastd situalie duce la absenla curen!ilor electrici macroscopici de conduc{ie (curenti medii
nu li).

Starea de echilibru a unui semiconductor poate fi perlurbata prin expunerea acestuia la

un agent fizic extern: cAmpuri electrice, magnetice gi electromagnetice, fluxuri de particule etc.
in funclie de migcarea purtdtorilor de sarcin6, mecanismele de transpol't la neechilibru se pot
clasifica in urmdtoarele categorii fundamentale:
. dri.;fi- deplasarea purlStorilor de sarcind sub actiunea unui cdmp electric;
. difu:ie - deplasarea purtatorilor de sarcind este determinatd de gradienlii concentraliilor
purtitori lor de sarcin6:
. generat'ea - reconlhinarea purtdtorilor de sarcind;
. ('apturarea - entisia purtdtorilor de sarcind;
. e.fectul tunel.
Curentul de drift (sau de cAmp) predomini in tranzistoarele unipolare, iar curentul de
difuzie in tranzistoarele bipolare gi in joncliunile p-n. Generarea, recombinarea, capturarea,
emisia gi efectul de tunel (GRCT) cauzeazd curenlii de pierdere in jonctiunile p-r, in
tranzistoarele bipolare qi sunt responsabile de instabilitatea, imbatrAnirea gi strdpungerea
dispozitivelor electronice.

l3
 1.4.1. Miqcarea purtitorilor de sarcini sub ac{iunea cimpului electric
(drift)
in prezenla cArnpului electric purtdtorii de sarcind i;i pastreazd migcarea haoticd datoratd
ciocrririlor cu atomii re{elei de 6azd qi cu cei de impuritate. dar se deplaseazd 9i in direclia
cA11pului. Deplasarea in sensul cArlpului are loc datoritd faptului cd in intervalul intre
doud

ciocniri apare o creqtere a colnpouentei de vitezd orientat6 in sensul cAmpului. Acest efect de
antrenare a purtitorilor de sarcind in sensul cAmpului electric se numeqte drift.
Altrenarea in sensul cAmpr-rlui a purt[torilor de sarcind se realizeazd cu o vjtezd medie
numitd vitezd de drift. tt,1,, gi tt7o. ConsiderAnd un rnodel unidirnensional in care rdn:
r'tr,

electro'ii ce se deplaseazd dintr-un volum l dx de semiconductor irr direclia +x (vezi figura

1 .7). in intervalul de tinlp dl. produc un curent electric f,':
d0 -q'tt' A il( (1.1e)
L...--t'"n\
dr dr
iar densrtatea curentului f," este:
(1 20)
.1,,, = 1,,, fA - -Q' t1'\;,,

Jr-rdecAnd in mod similar 9i pentru goluri, se obline:

. dO q.p'.4dx
/,, =-i=---
dl o/
=al 'P'A't:,,, (r I)
J,.,=l,f'1-q'P'rpx
Expresi ile vitezelor rnedii pentru electroni 9i goluri sunt
(1.22)
\',1,, = _1,,' E, \',tp = V l'' E,

in care p, $i il/, sunt mobilitdlile electronului, repectiv golului, definite ca viteza lor medie de

drift pe unitatea de cArnp electric

q-x
l1'r,l-q'r' ',lrJ " (1.23)
ll
=l-i
lE
tl I ttl
l-t,,= rl =- I?'t,
unde r,, gi 'r, reprezintd tirnpii medii Iintr e doud ciocniri succesive Pentru electroni $i pentru
goluri.

rlx

Figura 1.7. Sisternul de coordonate 9i elementul de volum folosite pentru calculul curentului
de drift.

l4
 Mobilitalile purtdtorilor de sarcind sunt un rezultat al ciocnirilor acestora cu atomii
relelei debazd gi cu atornii de impuritate. Mobilitalile depind deci de concentralia de impuritSli,
de temperaturd 9i de intensitatea cAmpului electric aplicat. Datorita condiliilor specifice in care
se deplaseazd purl6torii de sarcind mobilitatea electronilor este mai mare ca mobilitatea
golurilor. adici pt,,, Vn.
in consecinld, densitatea curentu lui de drift total este:
...i- /\
J,=Ju,*Jr,=q'\p'Vt, - n'1, = q'lP'1, + n'$,,)' E =
I

t- D (1.24)
/\
=fo.,+o'_l..L=6.L
\ .' tl
p

in care o reprezintd conductivitatea semiconductorului iar p rezistivitatea acestuia.

Rela{ia
l-
-
;-
Jt -
.tr
L ) (1.25)
p

in care

Y / \)
( 1 .26)
q'\P'Vt+t1'lL")
reprezintl legea lui Oltnt penLru semiconductoare.
Aqa curn relevd relapia (1.26) rezistivitatea semiconductoarelor este puternic dependentd
de temperaturd. Figura 1.8 prezintd calitativ aceastd dependenla.
La 0"K senriconductorul este izolator perfect. La cregterea temperaturii (po4iunea I a
curbei) irrpLrritalile ionizeazd. deci concentraliile purlitorilor de sarcind cresc, iar rezistivitatea
scade. La temperaturile uzuale de lucru (por{iunea II a curbei) aproape toate impuritAtile au
ionizat. concentraliile de purldtori de sarcind rdmAnAnd practic constante. dar mobilitalile
electronilor gi golurilor scad. conducAnd astfel la o ugoard cregtere a rezistivitdlii.

l()()',l.' rl'ril
Figura 1.8. Dependenta de temperaturd a rezistivitalii unui semiconductor impur.

l5
 La temperaturi ridicate (por{iunea III a curbei) cregte in mod semnificativ t-tutttdrul
legdturilor covalente rupte. semiconductoarele igi pierd caracterul extrinsec. generarea
de

perechi electron-gol, pe aceastd cale, conducAnd la creqterea concentraliei de purtdtori

de

sarcind qi deci la scdderea rezistivitalii.

1.4.2. Difuzia purtitorilor de sarcini

Difuzia purt6torilor de sarcind in volurrul unui semiconductor apare atunci cAnd existd o
distribulie neuliform6 a purtdtorilor de sarcind. Fluxul de purtatori de sarcind ce se deplaseazd
din regiunile cu concelrtralie rnai mare a acestora cdtre regiunile cu concentralie mai
micd se

nume$te flux de difuzie, iar procesul se numeqte difuzie. Rata de difuzie a

purtdtorilor de
cu ionii
sarcini este determinatd de aceleagi rrrecanisme de ciocnire cu atornii relelei debazd 9i
de irnpuritate gi de vibralie acusticd gi opticd a atomilor relelei 9i a ionilor de impuritate'
parametrul care mdsoard gi caracterizeazd. rata de difuzie este coeficientul de difuzie, notat cu
driftul sunt controlate de aceleaSi
D,, pentru electroni gi cu Do pentru golLrri. Deoarece difuzia 9i
mecanisme, intre constaltele de difuzie gi Inobilitali exist6 o legdturd strAnsd
relevatd de

relatiile lui Eirrstein :

KT
L'V,, 'F,
D,, = = V.t.
q (1.21)
k.T
D,, =)-:-'Vu =V,' .1,
q

M6rirnea Ii, =(.k.f)lq ce apare in relalia (1.27) se rtutttegte tensiutte terrricd 9i are
valoarea de aproximativ 26 rnV la temperatura de 300"K. Astfel. pentru cazul unidimensiottal,
num6rul de particule care traverseazao suprafald unitard perpendiculard pe direclia
de transport

in unitatea de timp este dat de relalia:

A.
;^UL
h (1.28)
I r- -_tt.-
dx

GeneralizAnd oblinem urmdtoarea rela{ie intre fluxul de particule F qi gradientul

concentraliei de irnpuritili Vc:
( 1 .2e)
F =-D'Yc
Multiplicdnd aceastd relalie cu sarcina electronului, respectiv golului, oblinem expresiile
densitalilor de curent de difuzie:
j,,t = _Q. F, = q. D,,.Vn (r.30)
Juu=4F,=-Q'Dr'YP

t6
 1.5. Ecua{iile debazd ale unui semiconductor

Orice dispozitiv semiconductor, ale cdrui caracteristici depind de un numdr mare de

particule. poate fi descris cu ajutorul unui sistem de ecualii liniare gi diferen!iale, numite
ecualiile lui Shockley. in condiliile precizarii condiliilor la limitd, iniliale, de dopare cu
irnpuritali gi de rnediu. Acest sistem cuprinde treitipuri de ecuafii:
- ecualiile de densirure a curenlului,
- ecualiile de continuitale qi

- ecualia lui Poisson.

Ecualiile de densilale a curenlului exprimd, analitic transportuI purtdtorilor de sarcind

prin drift gi difuzie. Astfel, in cazul aplicarii unui cArnp de intensitate constantd gi a existen{ei
unor gradienli de concentra{ii de purtatori de sarcin6, densitateatotalS de curent este relevatd de
expresiile:
...
./=J,,+Jp
...
.j ,= j,,*.i ,,t =q.n.p,,.E+q.D,,.Yn (1.31)
...
.i , = i ,.t -i ,,t = q'P'lrt'E - q'Dr'YP

irr cazul aplicarii unor cAmpuri de intensitate variabild in tirnp, expresia densitdlii totale
de curent devine:

t
t-tTt J,
I +t
(1.32)
dE
I,=8.-
cll

unde J, reprezinta dens'i/alea cle curenl de deplasare.

Ec'ttaliile de continuilale descriu analitic variatia in tirnp a concentraliilor de purtdtori de

sarcina. Cauzele varialiei in tirlp a concentra{iei de purtdtori pot fi:
- generarea datoratd unor agenli externi,
- generarea-recombinarea intern6,
- fenomene de transporl (prin interrnediul curenlilor),
iar aceastd dependen!5 este exprir-natd analitic astfel:
T
ct1
= G,,' R,. + -'V i,,
t)t q
(1.33)
?n
"r
Y=G,,-Rt- ''vi .J t,
At q

unde G1,, $i Gr, reprezintd ratele de generare pentru electroni gi goluri sub acliunea unui factor
extern.
Un caz particular al acestor relalii, intAlnit la
majoritatea dispozitivelor
serniconductoare. este dat de absen{a sau de posibilitatea neglijarii efectului agen!ilor externi
(Gt:0), de cazul unidimensional (desfbgurarea proceselor dupi o singurd direclie) gi de

t7
considerarea unor relatrii simplificate pentru vitezele nete de recombinare. Astfel'
ecualiile

( l.i3 ) devin:

An __rt-rto *L L
At r,n q ex (1.34)
Ap _L.Ai,.
-_p-po
x,, q Ax
At

Ecualia lui Pois,son se referd la legdtura dintre potenlialul electrostatic, a' dintr-un

semiconductor gi delsitatea volurnicd ntacroscopicd de sarcind, pr:

Lu=_ Pt
t rl
"''-'15)
4, - vrl
.l \
'..
Qt =Q \P-"
Relalia intre cAmpul electric 9i potenlialul u este:
(l'36)
E=-yu
purtdtori
Dispozitivele serniconductoare de dimensiuni submicronice, cu numdr redus de
de sarcind, pentru care statisticile folosite irr dezvoltatea relaliilor precedente nu sunt
valabile.

se anahzeazd pornind direct de la legile rrecanicii cuantice.

18
 )a

,roNCTruNr ALE
CORPURILOR SOLIDE

2.1. Introducere
Joncliunea irrtre doua corpuri solide reprezinta intertala sau regiunea de granili ce separd
doud materiale solide ce au compozilii flzico-chimice dif'erite. Acestea se impart in jonc,liuni
otnosene (homoloncliuni) Si joncliuni neontogene sau eterogene (.hetcro jonc'1iuni).
La jonc'liurtile omogene materialele de baza din cele doua par{i alc acestora sunt identice
din punct de vedere chimic" lizic ai atomic. Jonc'liuneu p-n. ce reprezintl o structura tlzicd
rcalizata intr-un monocristal care are doua regiLrni vecine. una de tip p;i alta de tip r. este
clasiflcata. in rnod uzual. ca joncliune omogend. Aceasta reprezinta elementul principal al
diodelor semiconductoare p-n cat gi al unor amplificatoare qi comutatoare semiconductoare
multijoncliune/multiterminal ca tranzistoarele cu et'ect de cdmp, tranzistoarele bipolare. diodele
p-n-p-n. structurile multiterminal in 4 straturi p-n-p-n.
La.joncliunile eterogene materialele de baza din cele doud pa4i ale acestora sunt dif'erite.
I-leterojoncliunea intre un metal gi un semiconductor este cea nrai veche joncliune studiata gi
fblosita in aplicalii. Cand heterojonc[iunea nretal/semiconductor are proprieta{i redresoare.
aceasta este elementul principal al diodelor cunoscute sub denumirea de clioele,Sc.ho1lls1, (sau
diode cu barierd de suprata[a), fblosite atat ca detectoare de semnal in prirna transmisie radio (in
anul 1930). cat gi ca elemente redresoare de putere in conversia curentului alternativ in curent
continuu. in anii '40 au fbst fblosite in construclia receptoarelor radar ca detector al semnalelor
de microunde, iar in anii '60 au fbst elementele cheie in construclia circuitelor integrate-fTL cu
viteza mare de raspuns. l-letero-loncliunea metal/semiconductor ce nu are proprietafi redresoare
cste cLlt.loscuta sub denumirea de conlact olrmic. Hetercjoncliunile inlre tlouii.yemiconclucloare
L'ontpu.\e sunt utilizate pe larg in optoelectronicl in scopul cre$terii eficienlei cmisiei fbtonice a
dispozitivelor uzuale gi a oblinerii unor laseri semiconductori cu cmisie controlabild gi eficienta.
in ultirnii ani insd. heterojoncliunile rnultiple intre doud semiconcluctoare compuse sunt lblosire
pentru concentrarea purtatorilor mobili de sarcind in straturi in care ace$tia au o rnobilitate
ma.rima in scopul oblinerii unor tranzistoare ultrarapide;;i ca inlocuitor aljoncliunii. p-n clasice,
de cmitor in tranzistoarele bipolare in scopul oblinerii unor cigtiguri mari in curent (>l0l) li a
rln()r licc\ ctllc dc tliicrc tttl'tt nilri tlc 100(il[2. Iot in cutcgoriit ltctcr0lottclitrrtrlor sc ittcltclt'cltzlt ll
rrrid-:cllltctlltcltte tttr pl c/e lltc lll e ()ll5trtle (ill !ill')ile lt()lll'cl()r
si
ionc{iurtilc tttctltl-orid 5i

tri.ttllist()ill'clor' \I( )S.

2.2. .f onc{iunea P-rl

dc tip7t. cit 9i rclittlti
iu st*rctura dispozitirclor scrniconducttlarc sunt inclusc rrtit rcsittrri
r rtrirtlic a distritrulici
,-lc rip ,. i.trc occstc rcsiuni dc conductibilitatc dil'criti rlpi'lrc o
irnpurrtiililor. [)aci accasta varialic sc titcc pc () p()rliLIIlc ll'larc'
llu apar proprictLrli deoscbttc 5t
e cle d.ua scr'rc.rr6uct()arc sc cgrnporta
ca scmiconductoarc gradatc. t)ac[ r'aria{ia cottcctttrltlici
.lcinipuriti(i sclaceintr-ttttdtlnrettiudeccl rnttlt l0-"111 scoblineolollctlLlllep-/'

2.2.1. Jonc{iune a p-n la echilibru termodinamic

la ccle gase
irr dcterrninarea proprietatilor electrice ale.ioncliunii p-n se porne$te de
ccuatrii ale lui Shockley. Rezolvarea analiticd a acestora
este imposibila lira ef'ectuarea ltnor
irnportarr[a pentru sc()pul proptls'
aproximatrii. iar rezolvarea nulnerica a acestora nLl prezirrtd
l:f'ectuarea unor aproximalii adecvate este esen[iald pentru
oblinerca Lrnor scllulii arralitice 5i
pentru evidenlierea proprietalilor electrice ale joncliunii p-n'
de baza:
Studiul.ioncliunii p-n se va tace pebaza urmdtoarelor aproxima{ii
.lblosireaurruimoelelttnidinen.sionalpentrujoncliune;
. grosimea domeniilor p Si n este mare in raport cu lungintea de difuzie a electronilor in
clorneniul p, respectiv a golurilor in dorneniul rl, adica avem
o iortc'1iune grou'sa''
lungimea de difirzie este detlnit6,ca L,,,,., = Jt,,,,,,
'D,,,t,,
'

. prolilttl irnpuritalilor dopante este abntpl' adica in regiunea t't se gasesc numal
p se gasesc numal
irnpuritali donoare in cottcentralie constanta 'V7r' iar irr rcgiunea
irnpuritali acceptoare in concentralie constalrtd 'Vr]
. jonclittttea e.\le I:olerma.
precum 9i
figura 2.I cste prezentat ull nrodel urridirnensional al .ioncliunii 7r-ir.
in
reprezentarea protilului abrupt de irnpurit6{i al acesteia. Linia
dc dcmarcalie dintre cele doud
l-a.ioncliunea metalurgica
dornenii de conductibilitati clif'erite se nume$te ioncliune metulurgic'd.
concentra[ia cle irnpurita[i rreta este 0. Elcctronii din rcgiunea
ri qi golurile din regiunea /) sc
r.rur'esc purtutrtri mujorituri iar golurile din regiunea rl 9i
electronii din zona /t sc numesc
purlulori minorituri.
I)aca cele doua rcgiuni semiconductoare. n gi p, ar tl fbst independente. concentralllle
DLrrtitorilor <je sarcind ar tl fbst date de relaliile:
(2. La)
in rcgiunea p'. Pp,, =,\ r $i n,,, = n; f ,Y t ,

in regiunea n'. n,o = ,V,,gi 1t,,, = ni f N,, '

20
 l:igura 2.L Modelul Lrrridilrensional al.lonclttttttt7r-rt 9t

vlrialia collcentraliei nete de intpttrttiilt'

intr-o jonc!iune p-n atlata la echilibru tcrmic, datorita t'cnotncnelor dc diluzic ce apar in
de mai sus..Aceasti
structLlra. concenrratiite de purtatori cle sarcina dil'era de cele date in relaliile
dit'erenqa este pregnant6 in special in zonele adiacente
joncliunii rnetalurgice unde se constata o
scadere apreciabild a concentraliei de punatori majoritari 9i, respectiv, o cre$tere
apreciabil6 a
tbarte
pLrrrdrorilor de sarcind minoritari la{i de cele date de relaliile (2.1). Datorita concentraliilor
tliferite ale purtAtorilor mobili de sarcind de Lrn anumit tip intre cele doud regiuni
semiconductoare, electronii din regiunea n difuzeaza in regiunea p' ttnde
concentralia lor cste

rnai mica. dispdrdnd prin recombinare cu purtatorii majoritari ai acestei regiuni

in timpul rnediu
r,,,,, iar golurile din regiunea p difuzeaz| in dorneniul rz unde se recombind cu electronii
joncfiunii metalurgice'
rnajoritari. Evident, procesele de difuzie incep cu purtatorii din apropierea
Astt-el, in regiunile atliacente joncliunii melalttrgice, prin plecarea golurilor
majoritare din
regiunea p upure un exces cle sarcind negativa reprezentata de sarcina flxa a
ionilor acceptori, Si'
respectiv, prin plecarea electronilor majoritari din regiunea n, apare un exces de
sarcinri pozitiva

reprezentatd de sarcina fixd a ionilor donori. Existenla celor clouu.:urc'ini elet'lrice

de.t'entn

L,ontrur determina apurilia untti cump electric intern orientat de la regiunea i? spre
regiuneap 1l

ttpurilia trnei bariere interne de potenlial, numila buriera cle polenliul incorporatri' I{egiunea, ce
decat cele ale
cuprinde joncliunea metalurgica, in care concentratiile sarcinilor flxe sunt mai mari
electric
sarcinilor mobile se nume$te regitme cle trec'ere sau ragiune ele.;arcinri spulialu. Cdmpul
intern transportA golurile din regiunea n in regiunea p. respectiv electronii din regiunea
p in
rcgiunea n. deci in sens contrar f'luxului de dif uzie. Ca urmare. procesul de scddere
a

concentra!iei de purtatori rnajoritari nu se continuA pend la unilbrmizarea concentratiilor

(conlbrm tendinlei de difuzie), ci se autolimiteazi la valori care asigurd, in conlbrmitate cu
condilia 6e echilibru termodinamic. egalitatea lluxurilor de difuzie 9i de driti:

.t,,,--.t,,,t /?')\
I =-l '' ,

' t" l\t

I{eprezentarea gratica a situaliei de cchilibru tcrmodinamic a unei joncliuni p-rr este

ilustrata in tleura 2.2.

21
 '.'-.t.tt..t
_>L-<- iii'*ttilt.',t Ii..":rtrrte.r
r\'rt{r.rl) rjr'ttftett I r)eultalll

Figura 2.2. JonciiLrnea p-n la echilibru termic:

a) zonarea jorrcliLrnii p-n; b) varialiile concentraliilor purtdtorilor de sarcind;
c) varialia densitalii de sarcind; d) varia{ia potenlialului electrostatic.

Descrierea analitica a din jonc{iunea p-n este laborioasd chiar qi pentru

f-enomenelor
aproxirnaliile enuntate anterior. Dezvoltarea analitice a fbst simplificata considerabil de
Shocklcy prin introduccrea unei noi aproximalii rrumitd uproximalie de golire. Conform acestei
aproxirnalii.ionc{iunea se imparte in trei regiuni: o regiune de golire (corespunzdtoare regiunii de
trccere) gi doua regiuni ncutre (vezi f rgura2.2.a). .,lpnt-rimalia ele golire utnstti in.laptul ca in
t'cgiuneu elelrecerese ne,glijcu:ri c'oncanlruliile clc elec'txtui .S'i ele goluri /ct1u tle conc'enlraliile Je
itrtpurituli.iar rcgiunile neulre n,1i pt uu o L'omporlare identicu cu uceeo a douri.semicontlucloure
;epurule. Deci. in rcgiunile neutre nu existd sarcind electricd neta. 'foate f'enomenele specilrce
.joncliunii p-n la cchilibru ternric se petrec in regiunea de golire.

in rcgiunea de sarcinA spafiala. in confbrnritate cu aproximalia de golire. dcnsitatea de

sarcina de volum cstc data de relalia:

pentru -/,,, (.r ( 0

[)r =lf-q.,y, : (].3)
[q' ,Vi, pcntru 0 < :r < /,,n

22
 dc clirttp clcctric )i dc p()tcllltll clcctrtc sc dcdrtc tlitt I'czolr ltrcl cctlttici ltti

t ll lr, , { l.-l )

t,

;i lirlosirca rclalicr li = - C'uli'.r. cu condiliile la lirnita:

i:(.v= l,l= li(r = -/,)=t) rr il

rr(.r =/,,,, )=,1),,,, : rr(.r = -/,,,, )= 0

rindc (l),,,, rcprczinta initllirnca baricrei dc potcnlial intcrtte.

[)rin rczolvarca ccualici lLri I)oisson oblinern varia[ia irrtcnsitalii ciirnpului clcctric 5i a

potenIialului irr interiorul regiurrii de sarcirra spaliala:

( rr
i " "'.(-r+/,,,,) pentru -r-e[-/,,,,;01
1,.
/:,)(.Yr=1 ., (2.6)
-#'(/,,,, - r) pentru .r e [o;i,,,,1
|
q''v''1-r+/,,r)r pentru
.io
I -re [-/.,u;o]
r1 '7\
t/,) (,Y) = 1 .,
to,',, - t:'(/,,', --r)t pentru r e [0;/"" ]
l.

Reprezentarea graticd a varialiei acestor mdrimi este data in l'igura 2.3.c:;i d.

in scopul determindrii expresiei analitice a inallimii barierei de potenlial f,,n se traseazd

diagrama energeticd a joncliunii p-n la echilibru termodinamic. irt capitolul anterior am aratat cd
la echilibru termodinamic poten[ialul Fermi este constant in tot volumul semiconductorului, iar
Jiagrama energeticd la pozilii -r- situate in regiunile neutre este de lbrma prezentata in figura
1.3.a. Aceasta diagramd energetica aratd cd nivelele energetice Er', Er'1i Eg corespunzdtoare
zonei neutre p sunt superioare celor corespunzatoare zonei neutre n, u.\lfel inc'dt uvem o lreupla
anergetic'a tle lu regiunea n la regiuneu p,benzile energetice curbAndu-se in regiunea de trecere
lvezi f'igura 2.3.b). inallimea barierei de potenlial corespunzdtoare este data de relalia:

-
'Ptlrt-
E,(1,,u)-E,\-l ,,u) k.r ,.\,,.,V7, (2.8 )
=-
qqn:
Valoarea nraximi a irrtensitalii cdmpului electric sc obline la .r = 0 5i este data de
e xpresia:

L-,,,uo* = lEr1., = oll =

9-l-L' 1,,,, = L!J)' 1,,,, (2,9)
't:tt

Neutralitatea globalS a semiconductorului se exprimi prin:

/)
a't
 \, / = \ , i,,, il.l0)
\ccustl.i r.clulic irrdicli lllitrurttlcrcll ntai i.lcccllttllltll i.l rcgiurtii dc sarcinlt sprtlialli in
rJf rr.lnci.r rtliti sllt[r d0;xttl.i.
l)irr rcll.rliilc (l.u). (1.10) yi din corrdilia dc corrtittttitatc a potcrttialului clcctric la .r' = 0 sc
Irorrtc dctcrmiIta Illrsintca rctitrttii dc sarcinit spalialI:

{l.ll)

{ N, 'V, + 'V,,
Iiolosirrd relatiile (2.11)irr relaliile (2.9) intcnsitatea nraxinri a cimpLrlui electric devtne:
't.. f f I
F =
- !" ".1 +
l
|.rD,.,, (l ll)
'- ""'*
! 17 1 .t, , .r,, ,J

.t:
-l

l-!
Iil

, ;'

I rr.rt
I' lr
| ' r:\ l

| .,. t.\ |

.1.

-1.", ' l:r'i

l:igura l.l. a) Diagrarnele cnergctice ale cclor doud rcgiuni neutre n $i p .

b) I)iagrama energetica ajoncliunii p-tl : c) Varialia intensitalii cdrnpului electric:

d) Variajia potentialului electric.

1,1
 [)ucll trrra dln rcqiuni estc rnai slutl dopatii ca cculaltl. utrrncr lirrltirnca zorrci clc golirc r u
ll drrtri dc rcgiurrctr cea rlai siab doputir. ('lzul ccl ttt:.ti dcs irrtlilrrit irr pnrcticii cstc ccl ul jorrclrurrri
.rsrrttctricc Jt rt.la clrc .\ 1>> .\'7,. iur

it I l,,rt :l-
t-

'l (l
4,

f .r,,,, (l l..i)

2.2.2. Joncf iune^ p-tt polarizati electric

Cirrd trnci forrcliLrniTr-n i se aplica o tcnsiune'continua c.\tcrna tr"1. echilibrul cxistcnt intre
crrrenlii de drili gi de diluzie se stricd;;i prin structurd va circula un cllrent net nenul. Pcntru
apiicarea tensiunii la capetele joncliunii se considera doLra contacte metalice ideale. Contactele
idcale sunt acele contacte ce permit trecerea curentului in ambele sensuri fErd a determina caderi
.lc tensiune pe ele. -fensiunea aplicata din exterior se repartizeazd, pe regiunile joncliunii p-n
estt'el: caderea de tensiune pe regiunea neutrd r, notatd cu V,,, ciderea de tensiune pe regiunea
Ircutra p. notatd cu V1,, gi caderea de tensiune pe regiunea de trecere, notatd cu V,. Datorita
taptului ca regiunea de trecere este sardcitA in purtatori de sarcina, rezistivitatea sa electricd este
mai mare ca cea a regiunilor neutre n i p.in consecinfd, pentru valori rnici gi rnedii ale
curentului se poate considera ca tensiunea aplicata din exterior cade in totalitate pe regiunea de
trecere. adica V 1: V,.

Sensurile conven[ionale pentru tensiunea aplicatd din exterior V 1 $ pentru curentul net,
11, pe core aceasta il produce sunt prezentate in figura 2.4. Dacd tensiunea continud externd se
aplica cu polaritatea pozitiva pe domeniul p gi cu polaritatea negativa pe domeniul r, sensul
acesteia coincide cu cel conven{ional Ei V.1> 0. Acest tip de polarizare se nume$te plarizare
clirecta. Dacd tensiunea continud externd se aplica cu polaritatea negativd pe domeniul p qi cu
polaritatea pozitiva pe domeniul n, sensul acesteia este opus celui convenIional
ii Vt< 0. Acest
tip de polarizare se nume$te polarizare inver.sd. Nota{iile IEEE sunt:
- pentru cazul polarizarii directet V, =V,,, I, = [,,
- pentru cazul polarizarii inverse: Ir', = -1,',,. I , = -1,,
In c'ttttl ionc'littnii p-n ytluri:cttu clirect c'umptil eleclric in regiunect tle.yurc,ind.\:palialu
:t'ucle lu vuloureu 8,, - E/,, Et, reprezentend intensitatea cdmpului clectric corespunzitor
te'nsiunii c.\terne directe aplicate. buriera ele potenlial se retluc,e la t,uloureu e,,,,-Lr, . iar
diugretma henzilor energelic'e u tlonteniului n.se cleplaseuzd c'u q.1", in:;en:ntl pozitiv ul ctxei
cttcrgetice. Campul electric in regiunea de trecere se modiflca la valoarea:

t:(I't)=/,1,
\F# (2. l4)

25
 l:igurl l.-1. .lrtrrclirrnca /)-/r ltollrrrzltli cl.t () tcnsir.lnc ltlllicatli tlitt crtertor.

\licgorarca ralorii cirtrpului clcctric pune in cvidcnla tl rcducere

a sarcirrii clcctricc irt

r.cgir.rnca dc trcccrc. cuur corrccntralia ionilor dc

irnpuritali nu dcpinde de polarizarca iorrcliunii'
clectric este posibili nutrai
ci rrr.rrl1ai cic doparca cu illtpulitili. itlseatnni ca rcdLtccrca canipului
de relalia (2'll) in
prin rtrlc,,rr,.ureu tlitrtctt.siunilttr rcgittnii de golire. Acest lucru este ilustrat 9i
e rre se rrtodiflca numai inal{irnea barierei de potenlial, adica

r0
r
I trl -l | ttl (l r5)
I /. - ltll' - 1t\t)

rnic"1'ttrureu c'urcnlilor de c'ctmp si

[)e asemenea. r-licAorarea cdrnpului electric duce la -foate
aceste et'ecte corespunzatoare
rrruriraa ccptr cle dilitzia, rezr.rltdnd un curent 11. nenul.
sarcind' sunt ilustrate in
polarizarii directe aJonctiuniip-t?, precum 9i distribuliile purtdtorilor de
lrgura 2.5.A.
spre regiunea p in cantita(l
Deplasarea golurilor spre regiunea /1. respectiv a electrorrilor
rnai mari decdt la echilibrul termic se nume$te injec'lie de purtdtori
mirutritari. Existenla uttut
('rc$terea rutei .fenontenektr de
excedent de concentra{ii de purtAtori in aceste regiuni cluce la
sunt diferite fa[a de cele
t.cc..nthinatc. t{egiunile in care concentraliile de purtdtori rninoritari
de regiuni active. in consecinld'
corespunzdtoare echiribrului termic (deci sau ) poartd numele
cloua regiuni
j0rtclittnea p-n va cuprinde elouu regittni netilre. o regiune cle ';arcind spaliala $
ttc.tit,e situate de o parte gi de alta a regiunii de sarcin6 spa{iala.
in regiunile active este indeplinita condilia de ct'a.rineutrulilale elcctricu. adica
terrnodinamic satisf-ac irt
t.listributiile purtdtorilor de sarcind in exces fald de cele ale echilibrului
orice plan condiliile:

/7 (-r) = rr ('r) (1.16)

1; (-r) = 1r(.\')- 1r,,(-r), rr (.r) = rr(.t) - rr,,(-r)

spuliulu
itt t.u:ul jortcliunii p-n poluri:utd inver.s, c'cirnpul elcc'lric in regiunea tle.surcinu
c,rc.yte la valoarea Eu + 8,,, 8,, reprezentdnd intensitatea
cirnpului datorat polarizarii inverse,
c'u q'I'',,
httrieru (lc p()letI(iul c're,yle la rD,r,, +V,,,iar cliugrttntu henzilor energelice 'se tlepluseu:d
itt ,sen,strl neg,(rtiv ul uxci cnergetice. Campul clectric in regiunea
de trecere se modiflca la
Valoarca:

(2. I 7)
li(l',,) = [l,t

26
 r" ----{- i ll,
Il
', rr'l I

,lll _{r'

1
llt
't

'tt

,'ttt.tx

.llt

--il!l.litr

Figura 2.5. Joncliuneap-nin polarizare: A. directa; B. inversd.

a) Distribuliile purratorilor de sarcina; b) Diagramele E-x;
c)Varialia potenlialului electric; d) Varialia intensitAlii cdrnpului electric;
e ) Densitatea de curent prin structurS.

Mdrirea valorii campului electric pune in

evidenla o cre$tere a sarcinii electrice in
re-giunea de trecere gi deci o cre.r'tere a elimensiunilor regiunii de golire:

t-t
./? -.0 I
tn(p1ll --1tnlp10 (2. r8)

27
 ('rcltcl.ei.l eliptprr lrri clcctric tlttce ltr tttit'.1orttt't'tt t'ttt't'ttlrlttr tlt' tltltr:ia ttt /(tr'()(tt'L'(t
ttr.L,tllilt)t.tlt,c,Littt1t. ltt tr,,gitrttilt,(tL'rn'1, c()nccntnrliilc dc clcctrtltti 5i
rrolttt'i ror ll rrrai rttici dccltt
('tlrrdilil't dc cr ltsittcLltrillitlltc ill
lrr cclrilibrtt tcrllllc. tlcci lol tltttrrirrtt lt'trtttrrarrt'la tle 'qatrarttt'c''
rcsiurtilc acti\c cstc:
(\)= /l (.\) tl.l9)
1)

l:lcctclc corcspttttzLtttlarc ptllarizitrii irrvcrsc a lortcliurrii p-tr. prcctllll 5i conccntraliilc

prrrtlitorilor dc sarcinil. sutrt ilustratc irt tlqura 2.5.8.

2.2.3. Car:rcteristica statici ideali a jonc{iunii p-tt

Caracteristrca statica ideala a joncliunii 17-,? s-a dezvoltat pe baza upntxitrtuliei de ,4tlire

contpletata cu doua aproxirnalii specifice situaliei de neechilibru:

-'\'it'glrrticuliniec'lieitleptrrldtrtt'iminoriturl'adicI
n(-1,,) 11 p,,o. tt (-1,,) (( rrlrr (1.20)
P(l ,,) << ff,tt); p (l ,,) 11 P ,,tt

,\cest f-apt are urmdtoarele consecin[e:

a) Concentra[ia de purtdtori majoritari din regiunile neutre nu dif-era de cele de la

echitibru termic, iar pentru regiunile active varia{ia este fbarte micd'

b) Carnpul electric din regiunile neutre gi active este fbarte rnic. Pentru purtdtorii
majoritari el nu poate fi negli.jat intrucdt reprezintd singura modalitate de transport
in

condiliile in care concentratia s-a presupus constanta. I)entru purtatorii rninoritari. in

putem
rcgiunile active, se neglijeazd curen{ii de cdmp fala de cei de difuzie. Ca urmare.
aproxrma:

I t.t> t\= i '' ttr

,
(2.21)
i rr(-/'t
'
I il\-' 'l, / =
i
- -t tt,l

- in regittnca de .s,arcinu.spuliulu uvetn o .silttulie tle cva.siecltilibru. Contbrm acestel

ipoteze produsul conccntraliilor de electroni qi goluri este constant in tot volumul regiunii
dc sarcind spa[ial5, la f'cl ca la cchilibru ternllc:
/')')')\
n'p-ct.*,1;
Caracteristica statice ideala a jonc[iurrii p-r? este cunoscuta sub numele de ecualia
,\lr.c,klct, u dioclei. Determinarea acesteia se lace pornind de la ecualiile de continuitate alc
purtatorilor minoritari pentru cazul unidirnensional 9i rcgirn sta{ionar.
Datorita ncglijdrii f'cnomenelor <le generare-recombitrare din rcgiunea dc sarcind spa[iala
(aproximarea cle golire), cste mai comod sd se determine derrsitatea totald a curcntului prin

28
i()ltcliultc la grunilclc rcgrurrri dc trcccrc.,\stl!'1. prin suttltrclt clcrrsrt;.i1ilor tlc ctlrcttt I ,(-/ ) lr
I ,\l ,,). sc trblinc cun()scutlt ac'rtttlic u ltti .\lutc'klat".
P'" al-' l.ll
t, *tl'l)"'tr
l,= j,,.r(,,)+ i,,,,(-i,,1=i't't),'
i t, " l [.-nl IL'\,kt')
r )

('orrsidcriind..l, aria sccliunii rcgiunii dc trcccrc. curcrrtul total prin.joncliultc cstc:

t ' I f- rr'\ l
t,=t i,=t,, i",lpL' +l-ll=r lcrpl rl.ll)
,_ k I ) I I .t'=l-tl
) j
unde:

ra')5t

rcprezinta c'urentul tle .s'uturulie ul joncliunii p-n. iar

I'' =k"[lq (2.26)

reprezintd Ie ns iune a le rm i cd.

Cele doua fbrme alternative de exprimare a cLlrentului de satura{ie relevd cele douu
rnecani.;me c'e c'ontroleazd mdrimea uc'e.sluia: cli/ilzia purtdlorilor clesarcinri in regiunile active
(injeclia de purtdtori minoritari) Si generurea-recombinarea purtatorilor cle.sarcind injectali 'in
regiunile active (mecanismele de generare-recomhinare lermicd Shocklev-Read-Hatt). i,
regiunile active in polurizare directri predomind f-enomenele de recornbinare. iar in polarizare
ittver:;a predomind f-enomenele de generare.

Reprezentarea graficd a relaliei (2.24), datd in figura 2.6. este caracterislica.slulica idealu
u jonc'liunii p-n. Pentru tensiuni de polarizare directd V,=V, 24'V, la temperaturi in
=0,1V,
jur de 300'K, in relafia (2.24) predomind termenul exponential qi curentul direct prin joncliunea
D-n se poate determina cu relatia:

Irigura 2.6. Caracteristica statica idealtr a LrneijoncliurriTr-rr.

29
 ,,1 l.l7)
i',=1, erltl r

-lr' l

5i rccottttrittitri i llttltlitorilor rnirtoritlri iniccta(i irt cclc

d i lirzici
clottii
\ccst cUfcnt diltorllt
rc!:trrrti Ltcti\C cstc ctlll()sCttt stttr clcttttlttirca dc c'trt't'rrt la itrit'c'(ic"
'"
l'ctttrtt tcttsttttti dc lltllarizltre ittrcrsc I't = -l < -l'l ' ; -0.1 V. la tcntpcrlturi in itrr
de

100'K irr rclalia (l.l+) tcrtttcttttl cxpottcrtlial poatc ll Ircgli-iat 5t curctrtul illlcrs prin .ionclitlnc
cstc dat de rclalia:
tt-l
t 1-
(l.ltt)
'tl

,\cest curcnt. clatorat in principal fcnomcnelor de gcllcrllre ilt

rcgitrnile active cste
c'.osc't sub dcnurnirca clc c'trrcnl de pierclcri saLt L'urettl tle .sulurulic. Jorrcliunile /7-, utilizatc ill
riispozitivele de putcre rnica se caracterizeazd prin curenqi de satura{ie de ordinul
nA pentru Si 9i
pri\ la germantu.

,\$a cum releva relalia (2.21) curacleri.stic'u iottclitrttii p-tt c,ste PIttct'ttiL' ncliniura.

2.2.4. Abateri de la caracteristica statici ideali a jonc(iunii p'n

Ecua{ia Shockley penrru .joncliuni p-n a fbst dedusa pentru nivele mici de injeclie
(tensiu11ile directe gi inverse aplicate joncliunii au valori mici 9i moderate) 9i in condiliile
sirnplificatoare ale neglijarii proceselor de generare-recombinare in regiunea de
trecere 9t a
p-n apar
cf-ectelor <Je la suprat'a[a sernicorrductorului. in c'arac'leri.stica slaticd reald a ioncliunii
ttbuleri./ala de caracteri,stica.slatica itieald ulat in.sen's tlirect, cat Si tn 'sen.s int'er's'
Caracteristica staticd real6 a unei joncliuni p-n este prezentata, comparativ cu
caracreristica ideald, in figura 2.7. Din punct de vedere al abaterilor de la idealitate, in polarizare
tlirectd. deosebim pe caracteristica statica reala patru regiuni. in polari:are inversd,
pentru

terrsrurri de valoare moderatd. curentul invers prin joncliune este mai mare
decat curentul de
ce stau la
satura[ie (ln> Ii gi depinde de valoarea tensiunii inverse aplicate. Fenomenele flzice
baza acestor abateri vor ll prezentate in continuare. intr-ut.' subcapitol separat
vor tl tratate
l'enomenele ce apar in polarizarea invcrsa cu tensiuni de valoare ridicatd'

2.7. Caracteristica staticI reala a urrei joncliuni p-rr.

30
 ,! .(tt(tli(r (: :l)
tt ftt.t'l tlt,tltt.tti ttt',qlilittd /cn()nr(n('lr tla qt,ttt,t'ttt'(-t'(c'()nthinure (lin t't,qitrttt'tt
,!t' :ttt'c'rttti.s1ttt1ittld.l.u cclrilibrtt tcrrtttldirranric rilta lL'nonrcncltlr cle rccorrrt-rinarc. ri,i/,r. estc cgi.rlii
e tl cci.l a lr'l'l()t'llcttclor clc gcncrarc.,(,,r7,;. L'lind sc uplicl tl tcrrsirrnc crtcritlari uccst cclrilibru cstc
iistrrts pi ttrlrr trctd le t'ac'tttrrhittttt'e wt /i lttt:itit'ti itr lxtluriLtra tlirac'tti datoritl crc$tcrii nrtci dc
I'CC()lllbinarC ( ,,,= t',,,,,, -,(,,, ,,,). re.sltCc'lit' ne.qulit'ti itt pttluri:ura ittvCr.sd datOritl CrCgtCrii rltCi
R,,,

Jr'gr'ncrare. r\ccitti irrcgalitatc intre ratclc I'cnomcnclor dc gcncrarc $i rr'cornbinarc in rcgiunca

Je trcccrc ploduce un curcnt adilional prin jorrcliunc. cunoscut sub dcnunrirca de c'tratrt tla
' :L' n( re. I tt..
t'(tra - rc L'( ) nt h i nu

Curcntul de gcnerarc-rccombinare datorat rcgiunii dc sarcina spaliala cste tbrrnat din

.ioua componente: componenta datorata t'cnomenelor de qcnerare--rccombirrare din volumul
regiunii de sarcina spa1iala.1",,, gi componenta datorata f'enomenelor de generare-recombinare de
la suprala[a acestei regiuni .1r,,. Astfbl:
I,r=lrn+lu^ / 1 ?q\

Pcntru tcnsiuni aplicate situare in gama ltr,l>1.2, curcntul sc poare aproxirna prin:

rn=r*no[..'[#)-] (2.30)

Curentul de senerare-recombinare de slrprafala pentru tensiuni de polarizare ltt,lZ.3'1,', :

I r t' r I
1,,,=t",,,.1..*pl '"1 \2v)l
^:l-ll (2.31)

In consecin{5, curentul total de generare-recombinare in regiunea de sarcina spatiala,

pentru tensiuni ltr,l>5.2, este:

,t Iv r I I t v, ) I
1.,= I,n.+1r,,=(/*^,+.I*,,,,).1.*pl
L
# l-'
\:'vt) J L
i; tl-' )I
l=1-,,.1 cxpl\:'vt e32)

Curentul total prin joncliune este, in condiliile consideririi f-enomenelor de generare-

re'combinare. suma intre curentul dat de ecualia Shockley gi cel tirrnizat de relalia (2.32):

r, = ru r]*,-,,
[..,(?)- [..,(#)-,] 12.3 3 )

i)onderea celor doud componente in relalia de mai sus dclinegte o rnarime des fblosita in
c-xprimarea caracteristicilor redresoare ale unei joncliuni p-n gi anume tensiunea de prag L',.
Astl'el, ten.;iunea cle prag reprezinla lensiuneu clirec'tri lu c'ure componenla ,lhoc'kle.v ct c'urenlului
a.ste egalu c'tt componenla de recttnthinure:

,, =,_,, -,] r? lJ)

l*r(+l-,] [.'.0(#)
3l
 irr e ,l.sccirrltr crltrcsiLr Lr'r.rirrratir ij lt tcttsittttii dc llrlig cstc:

I'=l.l"lrrll,,,l!,,1 ( 1..15 )

ptczitttii irtlportltrl{a llt tltrclc loafte llllcl

,r, l)ol(,.t:(tt.a tlirc,c,tti clrcptul dc rccorrrbirtitt'c
cind caractcrlstlca
.ic rrricc{ic (rcgrurrca lr()tutal cu I pc clractcristica rcllrcrcrltatit irt tigtrra 1.7).
punctat in lrrlura l'7' in
.tuticu rclla cstc srtrratu sub caractcristica staticir idcalii rcprczcntatit
rncdii. colttpttttcnta dc
.lorrc'iul curclrtilor rlcdii(regiurrca rrotatir cu ll). nil'clc dc irrlcclic rnici 5i
clat de cctta{ia idcall't'
;ecornbiparc dcvinc nculi.labilit. iar curctttttl cstc practic

l.l injcclie'lrcgiunilc notate cu {ll 9i lV) pcntrLr.ionc{itttlca polarrzata dircct

rrive le rnari clc
Nlodclcle carc dcscriu
ielaliilc dctcrnrirtatc irl capitolclc 2.2.3:;i 2.2.1 ttt't ttlai strrtt valabile'
tlzic cel mai notabil
rrivclul rnarc dc injcclie sunt complicate gi nlr vor ti prezentate. lrenomenul
cstc legat de aparrlia urror carnpuri electrice in regiunile neutre.
cimprrri care nu se ntai pot
rrcgti.ja. in consecirr!d. tcnsiunea aplicata
joncliLrnii p-tl t1u se va mai regdsi in totalitate pe
neutre. active V,,rp\|i regiunea
rcqiurrea de sarcrna spatiata. aceasta repartizandu-se irrtre regiunile
putin abrupta
dc sarcind spaliali v,. De ascmenea. parlta caracteristicii statice realc este rnult tttai
regiurrii dc trecere' r\ceasta scadere
decdt cea ideala corespunzatoare tcnsilu'ii V,ce cste aplicati
r pantei este moclelatd prin irrtroducerea unui coeflcient rn in expresia caracteristicii statice

Shockley:
i.-
,l. =tr.texpl / )-'l
r l--.^l---- (2'36)
l-rl
\nt.t/t )
| _l

tn variaz,ii intre I 5i 2. in consecin[d, tensiunea pe joncliunea p-n

Valoarea coellcientului
cste datd de relatia:

L', =V,'YV,,,=nt'V, ' t[?) +(R,, + R,,)'t = tr1'vr R'.'/, (2.37)

'"1*J+
in care R,, gi R,, reprezintd rezisten[ele regiunilor neutre 9i active n Si p' Suma celor doua
-frebuie
Serie a structurii' remarcat
rczisten[e se noteaza cu R5 gi poarta denumirea cJe re:i.stenya
Valoarea rezistenlei serie
ca valoarea rezistenlei serie din relalia de rnai sus r?r/ e.\!e o con.slanld.
9i p, care depind la rirrdul lor de nivelul
de
dcpinde de concentraliile purtatorilor de sarcirri 11
pularizare al structurii.

I,cttlru lctt.stutti irtt,crse rnoderate curentul invers prin joncliul'le va tl o sulnd de

corrpollclltc:
(2'38)
1,,= 1,,,,-11,,+ Ir,r)
Curcntul invers prin joncliune dcpinde de tcnsiunea inversa aplicati prin
intermediul

componentei .1u11, ce dcpinde <le largirnea t(I/n) a regiunii de sarcina spa{iala'

Multe dispozitive semiconductoare de larg consum. al ciror grad de prelucrare a

supral'e1ei nu cste prea avansat" au caracteristicile statice dotninate de curentul de gencrare-

1a
)L
icc()nt[]ini.lrc io \t.lpralirlI. ,\ccl.rsta ducc llt crc$tcrca cxce sit ii r.t cttrctt{tlttr irtr e r5i )t ltt

,rrstltlilitatca irt titttp a cantctcristicilor stltticc.

2.2.5. Strirpungerea joncf iunii p-r

.\ga cum aln aratat in subcapitolul anterior.joncliunca;r-n polarizata invcrs cu tcnsiLllti dc
ralori rncdii gi nrici este parcLlrsa dc un curcnt dc valoarc lnica. l)atoriti accstui lltpt. caldcrilc de
rcnsiLu.lc pe dorneniile ncutre p Si n pot li ncgli.iate 5i putern considcra ca toltri tL-r.lsir.ulca
crtcrioara cste aplicata rcgiunii dc trcccre.
i)c rnasura cc tcnsiunca Il1 cregte curentul invers cre$tc ugor. iar caltd aceasta atingc o
.rnurnita valoare. notata cu L'6p, curentul irrvcrs cre$te puternic ai rapid. tirrzdnd catre infinit daca
ilcesta nu este lirnitat dc circuitr.rl exterior. Acest I'enomen poartd denumirea de,slrdpungere. iar
tr'nsiunea inversa Vnn la care se produce se nume$te tctt:;ittne cle .slrupungere. Dacd circuitul
cKterior limiteaza curentul prin joncliune la o valoare care nu duce la distrugerea strttcturii prin
incalzire excesivS. f'enomenul de strdpungere este reversibil.
['rincipalele f'enomene flzice ce stau la baza strdpungeriijoncfiunii p-n sunt'.
- gcnerureo interbanclu. in perechi, a purtatorilor de sarcind prin impact,
- eletul cle tunel,
- ,qenerarea ternticu a perechilor electron-gol.
[)rimele doud f-enomene se datoreaza c6mpului electric de valori mari, cJe peste l07V/m.
din regiunea de trecere, iar cel de-al treilea este legat de cre$terea puterii disipate urmatA de
cre$terea temperaturii in anumite puncte din structura jonctiunii. Reprezentarea strapungerii
joncliunii p-n,pe caracteristica staticA. prin cele trei mecanisme este ilustrati in frgura 2.8.
f)entru jonc[iunile p-n ce au concentratii de impuritali mai rnici de l0rscm-], strlpungerea
joncliunii p-n este determinata de f'enomenul de generare interbanda prin irnpact, in perechi, a
purtatorilor de sarcind in rcgiunea de trecere. Acest tip de strdpungere poarta demunirea de
\trapungere prin multiplic'are in avalan,sa a purlalrtribr de .sarc'ind.

lrigura 2.8. Strapungerea joncliunii p-n prin: a) rnultiplicare in avalanqa;

b) ct'cct tunell c)et'cct tcrmic.

al
JJ
 clcctric itt t'cgtttttcrl (lc trcccl'c iltlllgc \ lll()l'l rlc
irr clztrl irr e ur.c irrtcrrsitatcu clirrrpulrr i
.i'rtlrrrrrlrtir l.l0- V/rn. uccsta ;loatc irn;lrirrra prrrtlittlriltlr clc sarcitr.i cc tra\crscltzli tcuittltca tlc
lr.cecrc. c.crgic cipcticli tlc cutcva tlri rrrai lni"lrc ca irriil!irlca cttcrgcticlt lt lrcttzti ilttcrzisc l:,;.
.rsrlcl irrcat ip urrla cigcnirii cLr atontii rc{clci cristalinc si-i ioniz-czc. l)ttrtlittlrii dc sarcirtit
astlcl

lirrnrali sunt accclc1it1i la ftindLrl lor dc cirnpul clcctric putcrnic ai cind cttcrgia lor clnctlcll
cste

sLrllcicntri V0r tilrnra rroi pcrcchi clcctrorr-l-ttll 5.a.rn.d.,\ccst Proc'as ragutcrttti| coltdttcc
la

pr.ciuccrca upur rrur.r.rirr irrllnit dc pcrcchi clcctron-gol ;;i dcci a tttttti cttrcllt ittVcrs irrlrlrit.
in
avalangi nurnitrul purtiltorilor de sarcind. de trn
[)fczclrla prgccsului cLrrnulativ de rnultiplicarL'in
rr'urnit tip. care ies din regiunca dc trcccrc cstc nrult nrai rnarc ca nuntarul purtitorilor dc sarcinit
carc i'tri i1 rcgir-rpca clc trcccrc. I{aportul accstor doLli cateqorii dc purtatori de sarcini
delinegtc

Ittt,trrtrl de tttttltiplic,ttre in tn,ulun.yci I1 ce' permite descricrca catttitativI a f'cnomcnului

prrn

rclatia:
I r r r-l T ( L', )lI
[,,='\l 'l', It-e*ol-rll+ I*,0 | l-cxnl -t- (2.39)
\ fi,l .

t r;/l I

L *V))
Coeflcient ul ,V poate f-i estima t fblosind relalia emPiricd:
I (2.10)
\I =
l-(vt,,vt,t,)"
in care r? este un coeflcient cuprins intre 4 9i 7' valoarea sa depinzdnd de rezistivitatea
scm iconductoru lu i.
pentru tensiurri Vrt < 0,7 Z3a coet-rcientul M este aproximativ unitar, dar pentru tensiuni
inverse ce depdgesc aceasta valoare devine necesard fblosirea relaliei (2.39) pentru determinarea
curcntului prin structura.
Valoarea tensiunii de stdpungere prin avalangd depinde de mai rnulli tactori ca:
remperaturd, dopare cu impuritdfi, geornetria structurii. tehnologia de fabrica{ie etc'
pentru concentra!ii mari de irnpuritatii ( >l0rBcrn-r1 lirgirnea regiunii de sarcind spatiala
scade iar valoarea maxirrd a intensitdlii cdmpului clectric in polarizare inversd cre$te. putdlld
atinge valoari cJe ordinul 5.l0t V/rn,. astf-el incdt curentul invers cre$te fbarte mult pentrLl
tcrrsruni inverse mai mici. Cdnd concentrafiile de impurita(i sunt suficient de Inari pentru ca
tc'siunea la care are loc strdpungerea.joncliunii sa fle mai rnica de 7...6 V. generarea interbandd
prin irnpact devine inetlcienta datoritd taptului ca largirnea regiunii de sarcind spatialA este prea
mica pentru ca purtdtorii de sarcina astf'el creali sa aiba $ansa gcnerarii unor noi perechi electron-
gol gi un alt l-cnomen llzic clcvine responsabil de cre;terea puternicd a curentului invers. Llaricra
dc potenlial a.ioncliunii este. in acest caz. atat de sublire incdt probabilitatea ca purtatorii dc
sarcina si o treaca prin e/bct cle tunelcre$te lbarte rnult. Dcci noul fenonten lizic respttnsubil da
stt.tiptrngerea.joncliunilor puternic tbpute c.ste e.fbclul tle tunel, iar strapungerea in acest caz
poarte numele de.strdptutgere Zener. in cazul stripungerii prin ef'ect l.ener curentul irrvers
variaz6 mai lent..frebuie subliniat l-aptul ca, spre deosebire de fbnornenul de generare interbanda

ai
 i)rlll llllpitct. fttttttrtattttl tla t'/t't'l tle ltttrcl nu (,.\'la un l)1'111'1t.e t'(,qctt(,t.(ttir,. ltcgirrrtca dc st.iptrttgcrc
't eltrltctcristicii staticc ittrersc. ttttdc tcttsiullclr cstc pnlctic irrclcpcrrclcntii dc rul(xrrca curcrtului.
-e nuntcltc 5i lt,r_,lrilr, t/t, .tltthi I i:ut.t,.

,\tttnci cirtd.itlrtclitrnilc 7;-r prczintit rnultc dctl'cts sar.l crintl. datoriti.i Inrtcrialului
setrticottdttctor din carc sulrt conlcclionatc. prczinta curen{i rnrcrgi dc valuarc
ridicata
\tt'dplttt,qerc(l accslora .\'c l)oute rculi:u dulorilti fanomcnttlui t/e,qanertye lcrtnic,ti
tt lttrt.ttit,ril,r
,le .sttrc'ittti. irr cazul .ioncliunilor cu dclcctc. intcnsitatca cinrpului clcctric in ccltrclc clc
dclect
poate li fbarte nrarc'5i tc'lnpcratttra scmiconcluctorul in accste puncte cre$te tirarte- rnult.
Crcgtcrc.a
tcmpcratLlrii atttreneazii crL-$tcrea concentraliilor de putratori de sarcina datoriti generirrii
pc cale
termtca a accstora. dar cregtc-rL-a conccntra[iilor de purtatori dc sarcinii con{uce la
o cre$tere
suplimentara a temperaturii g.a.rn.d. Acest proL'e.\ rcgenercttiv conduce la distruqerea structurii
prin topirea locala a semiconductorului.
in cazuljoncliunilor ce prezinta curen[i invergi de valoare ridicata puterea disipata pe jonc[iLrne
conduce la incilzirea structurii. Aceastd incdlzire determina generarea pe cale termrc6
a
purtatorilor de sarcina. gi deci cre$terea curentului prin structura. Cregterea curentului
conduce la
o noua cre$tere a temperaturii. g.a.m.d., acest proces fiind gi el regenerativ.
'frebuie
subliniat faptul ca f'enomenul de cregtere a concentra{iilor purtatorilor de sarcina
pe caie termicd poate conduce la scaderea tensiunii pe joncliunea p-n, deci la exi.slenla
unei
regiuni cle rezi.stenla negativa pe L'arqcleril'tica.staticd la.slrupungere termica (vezi figura
2.g).
Observayii

Strapungerea joncliunii p-n poate fi cauzatir gi de compunerea f'enomenelor prezentate

mai sus. Cre$terea curentului prin multiplicare in avalangd sau prin ef'ect de tunel poate
fi urmatd
de o strdpungere termice a structurii datorita cre;terii puterii disipate pe joncliune qi
deci a
tcmperaturii acesteia. Aceasta este cauza pentru care, in unele cazuri, in caracteristica
staticd
po4iunea aproape verticald corespunzdtoare strapLrngerii prin avalanga (sau ef'ect
de tunel) este
urmatd de o po4iune ce prezintd rezisten{6 negativd.
Suprafa{a semiconductorului are un rol important in strapungerea joncliunii p-4.
Dacd
supratala prezinta imperf'ecliuni majore tensiunea de strapungere devine instabila
in timp gi
caracteristica structurii din apropierea strdpungerii prezinta un cot moale.

2.2.6. Dependenfa cu temperatura a caracteristicii statice a joncfiu nii p-n

Caracteristica statica a joncliunii p-n depinde puternic de tcmperatura. Calitativ

aceasta
dcpcnden[a se manif'csti prin cre$terea curentului prin joncliune. atdt in polarizare
direct6 cat gi
irr polarizare invcrsd. gi prin modificarea tensiunii de strapungere a structurii
odata cu cresterea
tem peraturi i.

35
 l)cpcnclcn(l.l dc tcntl)er.iltr,tfii. irt pttlurizure
liret'lti.lt eltractcristicii stlrticc il l()llclll'lllll /)-/r
rttrtt prttt itttct'tttcclittl
e :tc tlutl.i ip tlsrrri.t l.(). ( ttrcrttttl pt'irt iortclit'ttlc de pirtdc tlc tctttpctlttitl'li
1.,,' erit 1i tcrtttcrlti cr'ottctlltllli
tr.l).,. l),,.1... L,, ec tlcllttcsc cllrclltii 1,, 1i
'riirirrriltrr 'ritt
cLrrc.turui: Srr,ckrcr pi trc fcc()urbi.a'c. l)cpcrtclcrtlrt
e.rcsl.rtr.ziit(). ccl()r douir c.'rP()rrcatc arc
Sc p()i]tc cr;lrittta llrrrr rclaliilc:
.ic tctttpcratttrit l ccltlr dtlrtit cotttpollcl.ltc
i 1j ) f r' \ l: -,r.1' \
/.'.'..,.'/,.crp1^"J.-ni,i)=i.,''trp|-Tl
(1.+ l)
I.' \ - /.., li',-'l'l')
..t' j
i '' '
'\ :k.---:-
c\pl ------ r |
)

; I t'tl\I

in care a = 2,5 Ei fl = 1.5 '

Shockley' lar pentru a
in dornerriul curenlilor medii predomind et-ectul componentei
trctermina i.t1uen1a temperaturii asupra
caracteristicii statice directe se utirizeaz6 coeflcientul:
/'r \l (E.,, Li)
't
lt= -t --;t
(2."r2)
'' ='n'I
- dr 1,, ,,=+l v, tnli
L. drL ' \ 1' ll \'/'1 I

c', este cuprins intre -(l+i)rnV/'C, dar in practici este utilizati valoarea rnedie
Coeticientul
de -2 mV/"C .

produce rnoditlcari
in polarizare inversd, varialia temperaturii joncfiunii
ale

a curentului invers cit 9i a tensiunii de strdpungere'

caracteristicii statice datorita varia[iei atat
Dependenla de temperaturd a curentului
invers este data in principal de rl" termen ce
t'i evaluatd cu relaliile:
apare atat in 1n(rr;) cat 9i in 1*,u(r,) 9i poate

. ( E,' ) (2.43 )
l.,n-T"'.xPl
\_A "*r)

I '' l(

lr t(

dirccte a.ionc!iunir p-rr.

l:igura 2.9 lntluenta tcmperaturii asupra caracterlstlcll

36
 \ ll' \ I

i iltrftr j.10. Dcpcndcnla cu tcrnpcri.ltura a cuftrctcrisricii strrtrcc u loncliuniiTr-rr itt polltrizltrc

irrversa pcntrLl straipLlngcrc dc tip: a)avalan$i. b) lcncr.

I)cntru rnecanismele. cc detcrmina caractcristica statica a unei strucl.uri. eare au o

dcpendenla de temperatura de tipul cxp[- LEI(k I)l se lblosegte termenul de proc'e.se uc'tivute
/erntic. iar AE se nume$te energie de uc'tit'ure tcrmic'u. in cazul nostru energia de activare
termicd pentru curentul ,Iu este Er; iar pentru 1*,o este Er;/2.
Dependenla de temperaturd a tensiunii de strapungere a joncliunii p-n cste determinatd
Je tipul acesteia: prin multiplicare in avalangd sau Zener. La structurile la care strapungerea este
prin multiplicare in avalanga a purtdtorilor de sarcind, tensiunea de strdpungere cre$te odatd cu
cre$terea temperaturii. Explicalia acestui fapt este urmdtoarea. La cre$terea temperaturii se
lccentueaza vibralia termicd a atomilor din nodurile relelei cristaline gi deci drumul mediu dintre
doua ciocniri consecutive scade. Pentru ca un purtdtor de sarcind sd acumuleze energia necesard
ionizarii prin goc trebuie ca valoarea intensitatii cdmpului electric in regiunea de sarcind spafiala
sa fle rnai ridicata. deci Vsp va cre$te cu cre$terea temperaturii (figura 2.10.a.). CAnd
strepungerea joncliunii este de tip Zener, tensiunea de strapungere scade odatd cu cre$terea
temperaturii (figura 2. l0.b).

2.2.7. Regimul dinamic al jonc(iunii p-n

Regimul clinumic reprezintu regimul de ./imclionare u .\lruclurii in c'azul uplicdrii unrtr

sentnale de polari:are variabile in timp. Metoda cea mai tblosita in analiza regimului variabil
consta in.stabilirea ttnor c'irc'uile ec'hivalenle L'ure modeleu:a L'omporlareu jottc'liunii irt
c'oneliliile cle luc'ru clute { care inlocuiegte structura in schema clectrica in care lunclioneaza.
Circuitul cchivalent ntt e.\te unic. el depinzdnd, de reguld, de specificul semnalului variabil
aplicat.
in f unclie de amplitudinea semnalului variabil aplicat deosebim:
. regimul wriabil cle senrnal mic ce consta in aplicarea unui semnal compus dintr-un
semnal variabil de arnplitudine micd suprapus peste un semnal de polarizare de curent
contlnuu,
. rcgitnul vuriubil clesemnul mure cc constd lie in aplicarea unui semnal compus dintr-
un scrnnal variabil de amplitudine mare suprapus peste un scmnal de polarizare de curent
continuu. lre in aplicarea numai a unui semnal variabil de arnplitudine mare.

31
 I r*r din cclc rruri intilrritc situalri irr lirncliortrrca clisltozitirclor cstc cca in carc scll.llllllul
,. rrria[lil clc urnplitrrciirrc rnicu cstc irltcrnativ. ,.\ccst caz \ a li sttrdiat itl colttittttr'trc.
.ttlit itt
,:.,di1iilc clc rcsipr cvrrsistlrliorlilr (ti'cc\cn1ir ioasi a scrttn:.tlului altcrnltir'). crit 5i irl condiliilc
Lr'ui rcgirn ncstalionar ( ll'ccr cnlc rlcdii gi irtaltc alc sctnltalLtlui lltcrnativ).

Rtisputrsul iorrt'liutrii lu sentnul nic itt rcgittt ct'trsislrtlittttur

in cazul rcqirnulLri lariabil dc scrlnal rnic. tctrsittttca la lrtlrnclc iopcliunlicstc:
(1.+l
l', = I'r +r',(/) )

i1 prezelttra cgmpopentci variabile.joncliunea iii modillci starca stallonara prrrl

purtatorilor
rrocjiflcarca dirnensiurrilor rcgiunii de rrecere. a barierei de potcnlial gi distribuliei
rninoritari din regilrrile active. Aceste procese sunt lcgate de varialia sarcinilor electrice
din
dezvolta. Daca
regiunca de trecere gi din regiunile active qi necesiti un anumit tilnp pentru a se
(cazul fiecven{elor
r,,arialia in timp a componerrtei r,,,(/), considerata a tl alternativh. este lentd
joase) se poate presupune cd marirnile instantanee v1(/) li i r(r) sLlnt in aceeaqi relalie ca 9i
in

r cuirn stalionar. respectiv:

(2.4s )
'=rn['.'[#) ]
Deci. acest rnod de f r-rnc{ionare considerd ca jonc{iunea lucreazi in regirn stalionar pentru
toate st6rile intermediare posibile. De aceea. acest mod de f-unclionare se nume$te regim
c'vasi,sla(ionar,
Functionarea unei jonc[iunii p-n in cazul regimului cvasistafionar de semnal mic este

ilustratd in trgura 2.1 l.

Condilia de semnal mic pentru joncliunea p-n se poate deduce din rela[ia (2.45) prin
introducerea expresiei tensiunii totale (2'44):

\\(t)
_--_-----_--->

l'In
lr(t I
*r. -

\rr( t)

lrigura 2. I I . joncliunea p-n in regirn cvasistaliortar.

38
 l', + r',(l) t't i
,= /,,i l c\pl
J-
c\Dl 'u)
'\,tnl')
)
l-l ( l.l6
t\ rrt ' I'
]=, [..ni ttt.l' )

lcnttcnul cxpIt', U)f \tn./ )J p,,.t.. ll clczroltat in scric l'arlor dc pLrtcri. I)crrtru I pt.llca
;rcr:li.ia tcrtttcrlii clc ordrn supcrior trcbuic irrdcplirrita untlr.itoilrca corrdilic:

r',(r)i = ll',.sin(r'r.r)j << nt. t , sau I', << tn.l', (l.17 )

carc dcfine;te dr. tirpt c.otulilitt dc .s.etnnul rnic..

.\ccasta condilic pcrmite de-ci aproxinralia:

'"'" r"(/)
.*n,
' )= r* (1.18)
\. rtt . I/'r ) nt . 1,,

;i deci:
i ( v,
i ,= Ir.l .*pl ),,,,tr1
i+ -_,f I', )l- ,lt i= I. ,-r\,,r I T t,t/r).------:r
.expi t..,(t)
(2.1e)
| \tn.v, 1 nt.Yt- -; ) I
\tn'lt, tn.V,
-
.\ceasta relalie aratd f'aptul ca in condilii de semnal mic se poate considera raspunsul
joncliunii ca o suprapunere a doud et'ecte: componenta staticA I1 @a ef'ect al aplicdrii tensiunii
tr',) yi componenta variabila i,,(t) (ca ef'ect al aplicarii tensiunii v,,(r)), datd de relalia:
| +l
i 1l; = +. y,(/) = -:. y.,(/)
I

(2.50)
tn'y I l<,

Relalia de mai sus relevd faptul cd. intre componentele variabile ale ten.siunii .ri c.urentului
cxista o relalie liniarri. Mdrimea deflnita de relatia:

o n'V, r"t m'Vt

(2.s
/,,+1, - I, I)

se nume$te re:i.stenla
-
internd sau di/brenlialri a joncliunii.
Din punct de vedere grafic, condilia de semnal mic este echivalentd cu aproxrmarea
caracteristicii. in jurul unui punct static de func{ionare M. cu tangenta la caracteristica in acel
punct:
| _dlt
R, d/, =1,+lu
tn.l/, tl'52)

in polarizare inversd. curentul prin joncliune este fbarte llic ( Ir+1*"r)

1,,,,, --+ $i rezistenla
interna devine fbarte mare R, - ( m . V, 1,,,,,+ )l = (m. V, f I *u _+,r>
) fl{- 1,, ) .

in cazul curcntilor mari, rezisten{a internd devine cornparabili cu rezisten(ele de volum

introduse de regiunile neutre. iar circuitul echivalent in regim cvasistalionar va trebui completat
9i cu aceste rezistenle. Circuitul echivalent al joncliunii pentru regirn cvasistalionar cle semnal
mic este dat in figura2.l2.

39
 \ I I lf ii'
""
G t

\ ri ( |
-
l:igttrit l. I l. ('ircLrittrl ecltir alcttt ltl lortctitrrtrl /)-rr pclltrtl
I.cgilll cvllsistaliollar tle scttttlal tlttc'

t-ircuitul eclrirulent de sernnul trtic ul iottcliunii in reT4itrt nestoli0"ur

vitc'zit dc varialic dr"/dr cste lllare' iJr ill

('ind corriponcnta variabilir afe varialii rapide.
legate de varialia in tirnp a sarcillii electrice
din regirrnile
i0ncIiunea /7-,, apar cl'ccte ditramice.
.rctive r;i din rcgiunea de trccere'
\lodclLrlcclrivaletttaljoncliuniiinrcgirnnestalionardesemnalmicsedetermindtblosind
sctrcinzi aI cdrei rezurtat este cLlrloscut sLlb nulnele
fr$a-lrLrmita trtetocru cre t,turi:u de c.t,r^rror Ttrin
acestuia se neglijeazd urlndtoarele surse de
Je ,t,delttl cle c,ttrttrt;l ptrin,surciuri. irr dcterrninarea
irrtdrzicre ale semnalultti :

. intarzierea curentilor de dritt gi dif'uzie prin

regiunile tteutre ale joncliurtii p-n'
. regiurrea de sarcind spafiala'
irrtarzierea curentilor de drift :;i difuzie prin
. irrtArzierea datoratd f'enornenelor de capturd
gi generare in centrele de det-ect

irrterbandd situate in toate regiunile

joncliunii'
elementele modelului echivalent al
in corrtormitate cu metoda mai sus rnenlionatd,
regrm rrestafionar de semnal mic se determind
prin diferenlierea curentului 9i
joncliunii in
sarcirrii prin joncliune funclie de tensiunea aplicata'
Curentulprinstructuraincondiliileurruiregimvariabileste:
r rz \
-l
I rv )
--r- l-I Itr t^'at
AE
r| I -l .-o[fJ-']. /,,,,'lcxpl\J'/' )
'r-'- /'l .
(2.5 3 )
-'0
L ) \----vJ

.rrrcrttul 5hocklcv ffi cLrrcnlul dc dcPlasarc

ce rdmdne valabila pdnd la

,\ceasta reta[ie cste.iustitipata de condilia de cvasiechilibru
de sarcina spa[iara de cdtre purtatorii de
ri.ecve'[e tbarte inalte. crcoarece traversarea regi'nii
Dcosebirea ce apare in distribuliile
sarcina se f ace intr-un timp fbarte scurt = l0-rr s )'
(
cvasistatic consta in laptul ca acestea
purtitoriror de sarcind din regiunire active fala de regimur
p,(1,), respectiv n1,Glp)' Acest lucru' relcvat
rru mai pot urmari rnodul de varialie al concentra{iilor
irr tigura 2.13. se datoreazd taptutui ca modiflcarea
distribuliilor se realizeazl prin fenomene de
gcncrare-rcconibinare. l'enomene relativ lente'
curentului de generare recombinare
componentcle circuitului echivalent corespunziioare
Shockley 5i curentului de
au valori ntodeste in raport cu ccle corespunzitoare curentului
clcplasare gi de aceea accstca se vor neglija'

10
 \'
'l
v_- Y
1t,,,, lllr1r

i:iqura j.13. ModLrl de varialie irr tirnp a distribulici spalialc a conccntraliilorcle goltrri
rcsPectiv clcctrorri.

Componentcle asociate curentului Shockley sunt o rezistentA gi o capacitate legate in

paralel. Il.ezistenla asociata cLlrentului Shockley. numit6 rezistenta de difirzie. este:

t) I' rriJt
r\rlrr.illcr -r\r,/- -
-p I _l
' lSlroellcv ' 'l)

in literatura de specialitate capacitatea ce modeleaza variatiile sarcinii electrice din

regiunile active este numitd capacitate ele di/icie,:

C',1 = Gst'n.lt", '- = r ) 55\

2 2.R,t
Elemenlele L'onductive si c'apacilive ale modelului de regim nestalionur de semnul mic
clulorale componentelor de curent Shockley au valori .temnificative in polarizare directa, ier in
ytlurizare inversa e./bctul lor e.;le negliiabil.
Curentul tle cleplasare depinde de distribuIia cdmpului electric. Pentru o variatie micd a
tcnsiunii de polarizarq dv.r regiunea de sarcina spatiale suf'erd o modiflcare a ldrgimii ei d/, iar
cimpul electric o varialie a intensitAtii dE (figura2.l4).
Moditlcarea largimii regiunii de sarcin6 spatiala conduce la varialia sarcinii din volumul
.1 d/. Elementul capacitiv asociat acestui f'enomen este dat de relatia urmdtoare:

/, t...1, _ ('n,, /\ _t.;1,

''= / =u'T7o;' LAr'= \ (2.56)
r,

1i poarta denumirea de c'upucitulc cle harierd.

i,,rtcI i ttttc ttcsintctt'icir

I,, ln

l,lu1'111.;11 1

Irigura 2.1-1. Modillcarea intensitaliicempuluiclectric gi a largirnii regiunii de sarcina

spalialI in cazul unei modillcdri du.1 a tcnsiunii aplicate joncliunii p-n.

4l
 . irt ;,, 'l.rr t.z.rr.' Iil\ ! t \.t
( ,,
F-----------o

l:igurit l.l-5. ('ircLritttl cchiralcttt tic scttttrai lllic itl l'cgllll llsstallollllr
colespunzlitor stftlctLlfii .lctivc it iorrclitrrrii

l:igura 2.I6 Circuitul echivalent contplet aljoncliuniip-tr pentru

fegim nestalionar de selnllal Inlc.

t:/bcnil ttc,aslui alcmenl c'upuciliv al circuitului cchivalenl e.rle pregnunt in Ttluri:ure

itty,ct..su. in gtlurizure rlireclu capacitaleu tle huriera .te poate negliia.

in consecinla, circuitul cchivalent corespunzator f'enomenelor flzice din regiunile active

yi dc sarcina spaliala ale jonc{iunii p-n este fbrmat dintr-o rezistentd internd R, (care !ine seama
de ef'ectele stationare ale tutLlror componentelor curentului) 9i o capacitate Ci= Ca *
('t, toate in
paralel. in flnctrie de polarizarea in curent continuu a joncliunii p-n acest circuit echivalent
capatd fbrrne particulare. Figura 2,15 prezintd aceste fbrme particulare. Se observd cd elementele
datorate componenrei de generare-recombinare a curentului au fbst neglijate datoritd faptului ca
rnarimile lor sunt neglijabile atat in compara[ie cu elementele datorate componentei Shockley cdt
5i cu capacitatea de bariera.
La pivele mari,de injeclie schema echivalentd a joncliunii prezentata in figura l.l5 se
completeazd cu rezisten[ele serie de volurn ale regiunilor neutre n Si p. Suma acestor doud
rezistenle se noteazd cu R5 gi poarta denumirea de rezislen(u.serie u.slntclurii. Figura 2.16
prezirrtd circuitul echiValent cornplet al joncliunii 2-n pentru regim nestalionar de semnal rnic.
,,\ccst circuit este valabil pentru liecven{e at <lf t,, .

Jotrcliuneo p-n in regim variobil de semnal mare

Pcntru amplitudini L',, n'rari ale semnalului variabil curentul prin joncliune $i tcnsiunea
aplicatd accsteia se modiflca in lirnite largi. [-a liecven[e joase ale semnalului. adica pentru regiln
cvasista{iorrar, analiza se poate lace grafic pe caracteristica statica a.ioncliunii p'n. aia curn este
ilustrat in figura 2.17.
,/ttttc'liuneu p-tt itt reg,im c'r'u.si:;tnlionur
tle.ventnal mure e.\te un elemenl nclittiar.
c'uruc'lerizat prin conduclia c'urenlului ytraclic trturtui inlr'un singur 'sen.s.

,),)
 . tn tr,'l.tttz.tte Lltt.'r'l.t
''' I

l{n
t,^
t-
\ '--_ \,,y'
u-

liigura 1.17. !lotlclul dc scrnnal rnare gi rcginr cvasistalionar al jorrclirrnii 7r-rr.

\lodclarea comportarii joncliunii in acest caz. se rcalizcaza. in nrod uzual. prin

.tproximarea caracteristicii statice prin doua segmcnte de dreapta.'l'cnsiunea la care are loc
irnbinarea celor doua drepte. precum $i panta dreptei situata in intregime in domeniul tensiunilor
pozitive determina elementele modelului de semnal rnare ;;i regim cvasistalionar I,l; gi R7;.

2.3. Heteroj oncfiunea metal-semiconductor

o structurd tlzicd ce intra in componenla
Contactul metal-semiconductor este tuturor
dispozitivelor electronice. Principala sa f unclie este de a contacta diverse regiuni
semiconductoare in vederea conectdrii terminalelor capsulei. in acett caz contactul trebuie sd
prezinte o rezistenla fbarte mici in ambele sensuri de polarizare, un astf'el de contact se nume$te
c'ontucl ohmic.
Contactul metal-semiconductor poate avea gi conduclie unilaterald. caz in care poarti
denumirea de conlacl redre.s'or. Contactele redresoare stau la baza construcliei diodelor Schottky.
Proprietalile contactului metal-semiconductor au fbst descoperite de F. Braun inca din 187.1, dar
teoria heterojoncliunilor metal-semiconductor (M-S) redresoare a fbst corect dezvoltata abia in
1942 de Hans lJethe 9i nu de Schottky-Mott-Davydov cum gregit apare in multe publicalii.
Datorita propagarii pe scard largd a acestei confuzii diodele a caror structLrrd se bazeazl pe
contactul iV{-S redresor au fbst numite diode Schottky gi nu diode Bethe a$a cum ar tl tbst
normal. Folosirea pe scard a diodelor Schottky pentru comutarea rapida intr-o gama larga de
curen!i a inceput in anii 1980. Problemele de reproductibilitate qi unifbrmitate a perfbrmanlelor
contactului ivl-S redresor au restriins tblosirea acestuia numai in structurile dispozitivelor
discrete. nepermildnd utilizarea lui in circuitele integrate pe scara larga. O alta aplicalie a
lreterojoncliunilor M-S este reprezentata de joncliunea de grila a tranzistoarelor MESFET (,l/etal
.5'emiconductor f-ield Effect lransistor) fblosite cu precddere in domeniul microundelor gi a cdror
integrare pe scara larga a inceput timid in l99l dupa cdteva de'cade de efbrturi ale inginerilor
tlzic ieni.
Oblinerea /imcliei ohntic'e sau retlre,soore a contactului metal-semiconductor se lace orin
ulegerea metulului, u .semiutncluc'torului Si a grudului tle impurificure.

Supralala semiconductorului reprezirrt6 o di:;c'ontirtuitate a structurii periodice din

intcriorul monocristalului deoarece, pe langa laptul ca atomii de la supralata semiconductorului

43
 tctiittl Ltttttt'
\ccilll in crtcrttlr pclttl't.l lilrrrilrca lcglittrrrl0r crlrltlclttc. itccllsta cstc !l
,lr.l tilr.ti i.ru
e clttrc tlc rlclcct tlc trp irrrlttrr.itatc.
.lcc.r'/c, tlt'/t,t'ta. cc illcctci.llii ctllttitttt itLltcLt ;i lrtlfitiltcll
,crrtictrrrtlrrctorrtltti itt rceitt;itlttc;.1:Ll[)flllclci. ic'tt'tttltrt'1tt'itt ttltttt'rlitt itt htttttltt ittlL'r:t\i
Lt tttt()t'

(,i,(,,.g(,//(,c, trtorritc, tttit.i t.Ltltitla tlt, .strltt'ttltt(ri. .\ccstc ttir clc cllcrgcticr' sttttt
rcllttir tlcsc' tltr
iri ri,/.,
cl'lcrgctici $i sc l)()tcLl/.ii ctl
irrrrrlir.uI l()r pc trpitatcl dc supt.l'rlir!ir 5i cncrgrc sc nunre$tc dcttsitatc
rapide dc srrpratirlit cstc
1),,. l.tr cchilibru tcrntodirranric rrur11ai o porliullc 17't11,.,, din stllrilc
()c,pi.ltll cu clcctr.pii dc la sLrprar'a!a scrnicorrductorului, 1:xistcn(a stitrilor rapide
dc sttpralat.
uciiaccrrta accstora. ntoditlcuri cc inscatrttta dc lirpt llparllia tlllci
ltroducc rntldiliciri irr rcqiuncil
t' t.gi tr tr i tl a .stt rt' i rt ti .; lttt i u I ti ( rt ultr i ti 5i rc gi trlte eo I i ta)'
1

supral'c1ci tilrd
l)t,ttlrtr.satuic'orrcltrc'tout'ale tle tip rr" elcctronii dc cclnclttclic dirr apropierca
sa Ocupe starile rapide de supratala;i cieci. pe ttlasttra ce accstea
sc octtpa cu clcctrotti' lu
suprat'ctei. prin plecarca
supratata se acurluleazd sarcind negativd, iar in regiunea din vccinatatea
datorata ionilor
electronilor. vot]l avea o sarcilta pozitiva. egald cu cea llegativd a srrprat'e1ei'
celei dc la supratala
ijonori. r\parilia acestei regiuni golite. cu sarcinS spaliala de semn contrar
transf'erului de electroni
scrniconductorului. deterrnind aparilia unui cdmp electric care se opune
sunt ocupate cLr
la suprafa[d. Astt'el la echilibru numai o liac[iune din starile rapide de suprafald
clectrorri. Aceastd sitLralie este ilustatd in tigura 2' 18'a'
de suprafald
lrenlru.scmrconcluctoarele de tip7r. electronii care ocupau deja starile rapide
di' rntervalul trec in banda de valenla ocupdnd nivelele energetice libere. Astt'el. prin ionizarea
negativd' iar la
irnpuritalilor acceptoare, itr vecinatatea suprat'e{ei apare o sarcind spafiala
serniconductorului de tip p se acumuleazd sarcina pozitiva
(golurile ce ocupd starile
supraf'a1a
rapide de supraf a15). Aceasta situalie este ilustrata in tigura 2.19.b.

E
(l ( l),,

lrigura Diagramele E-:i, laechil ibru termodinamic. la suprala{a unui semiconductor

cxtrintrinsec: a) de tiP rr; b) de tip p.

44
 \ l.
{
l:tr q(l),,

l:igura 3. I 9. [)iagralt]o e ltcructicir u trnui rnctal.

\lctalr-'lc au o diagrattrit cncrgcticit rclativ sirnpli. l:lc prcz.intir o bandi tJc

c1;nduclic
rrc,patc cu clcctrrlni pina in drcptul nivclului l:crmi a$a crrn rclcv,ir llqura 1.19.
vlarimca,otata
ett l:11 in accastli ligrrri sc llLllnc$tc enar,qiet tle extruc'1ie tt clct,tronilor clin rrtcttt! ("clectron gork
iirnctiorr in the rnctal") 5i rcprezinta cncrqia cc trr-buit: consumata in scopLrl cxrragcrii
unui
clcctron din rneral r;i dcplasirii lui la infinit.
Prin contactul dintre rnetal gi semiconductor au loc transt'eruri de clcctroni intre
cele doua
pi(i care moditrcd barierele energetice gi sarcinile nete de la sLrprafb{a de contact si din
r ecinatatea semiconductoare a acesteia .

('ondilia cle echilibru tcrntic'impune c'u nivelul liernti .su fie cons'rant in toata.\.tructyru.

2.3.1. Contactul metal-semiconductor de tip n

Contactul metal-semiconductor de tip /r poate sa aib6 atdt un caracter redresor ciit gi

unul
ohmic. Pentru oblinerea ttnui caracler redresor util metalul lrebuie.sa prezinte
/bto:;il o energie
cle exlraclie a electrcnilor din melal mare. Pentru a descrie cantitativ cdt
de mare trebuie sa fle
se detrnegte, in mod similar, gi pentru semiconductor energia de extraclie a
electronilor din
semiconductorul de tip r, 85.,,.
,\stt'el, pentru oblinerea unui caracter redresor util trebuie ca E,, ) E,r,
fapt ce faciliteaza
oblinerea unei bariere de potenlial importante, necesari pentru restriclionarea
transfbrului de
purtatori majoritari intre cele doua regiuni.
fransf-erul electronilor intre cele doud regiuni constd in treccrea acestora
din banda de
conduclie a semiconductorului spre metal gi din metal spre starile rapide
neocupate de la
supraf-a1a' Aceste transt-eruri uccenlueazri.slarea ele golire de purtitori
majoritari a regiunii din
vecindtatea supraf-e1ei 9i deci inlen.\itutea c'cimpultti elecrric intern
c.re$te. Difbren[a interna de
potenlial pe care o intArnpind electronii ce trec dinspre semiconductor
spre metal poarta
dcnumirea de bariera cle plenlictl ele cttnlacl gi se noteazdcu I/6,. Irrullinreu
barierei ele Tttenliul
Pe c'ure rt inlampinti elec'lronii c'e lrec tlinl;pre melal .spre semic.ontluclorse notea:d gu <Dn.ti
repre:inta principala carucleri.;licd a uc,e:;tui lirt ele c,onlacl.
ln figura 2'20
este ilustratd diagrama benzilor cner-qetice la echilibru termodinamic
corespunzitoare heterojoncliunii metal-scmiconductor de tip n gi rnoclul
de construclie al
acesteta.
Pe aceast6 diagrama s-au lblosit nivele cnergetice difbrite de
rcl'erinla pentru mc,tal 9i
pentru semiconductor. Dif-erenfa intre cele doui nivele
este egald cu dif-erenla intre energiile de
cxtraclie intre metal gi semiconductor.

45
 Sc ttt tct rtttitlc tot'
ric tt1't tt

tt'
a cotttactttlrti trtctal-scttticotrcluctor clc ttp
ljigLrra 1.J0. Diagranra bcrrzilor elrcrgctlce
dc tip,t poatc li oblinut pc doLra
(,uruc,rerul olttuicpentrLl conracrul nrctal-scnlicorrductor
eai:
.prlnmlc$orareapanalaanulareabariereidepoteritrialdecontactl/6.prinalegerea
cu o energie cie extraclie mic[ (dc cxernplu
Al); condilia de vn' =0 necesara
tur-rui nretal
numele de c'ondilie cle ben:i netetlel
oblinerii unui cotrtact ohmic ideal poarta
.;lrindoparcapLrternicSasemiconductoruIuiastt.elincatlirgirnearegiuniidesarctn6
Spatialas6devin6sr-rflcientdemici,gidecitransf.eruldeelectroniintrece[edoudregiuni
sa se realizeze prin el-ect de tunel'

2.3.2. Contactul metal-semiconductor

de tip p

Contactul metal-semiconductor de tip p are

in mocl natural un caracler ohmic' Aceasta
pentru cd:
| !::-r 'r'- ri^ - -lonrrnnii rcesttti
.semiconductorultlinddetipp,electroniiacestuiasuntpurtatorlmln oritari si nivelul
tar
lt'unsfbntltti lor in tnelal esle exlrem de redtt";'
. clectronii transf'era1i din metal ocupd stirile rapide de suprata{6' conducdnd
la

tttic,ytlrurea's'ttrciniiptl:itil,eexi.slenIeaiciinairrtedecontact.
Dinacestemotivepoatechiars6apar6lasupraf.aladecorrtactunexcedentdesarcindde
ta disparilia regiunii golite de baricri 9i
fblnarea unui strat de acumulare
legativa ce conduce
golrrriinirnediatavecindtateasupraf.e{eia$acumesteilustratintigura2.2l'

\l 5{1rI

p'
l:igura 1.21. Contactul metal-setniconductor de tip

16
 1.3.3. Carircteristica staticir l hetcrojonc(iunii nretal-setrticonductor de
rip ll

l)iaqrarna silnplilicata a lrenzilor crrcrgcticc corcsputtzLitoarc pollriziirii rtcestci

lictcro.jonclir.uri cstc ilustrati in ligura l.ll. I'c lccastii caracteristicit ss obscrvit cI irriillirttea
buricrci dc potcrrlial pcntru clcctronii cc trcc dinspre rnctal sprc scnriconductor cstc irrdcpcndcnti
,lc polarizarc. r'aloarca sa llind cgali cu cca corcspunzittoare situalici dc cchilibru tcrntodinantie
,D,,. iar inal{irnca baricrci dc poterrtial pentru elcctronii cc trcc dirrspre serniconductor spre nrctal

:ste i,., -i',. dc-ci dependc-nta dc polarizarc. irrrillirnea barierei de potcnlial pentru clcctronii cc
rrcc dinspre scmiconductor sprc metal scade in polarizare directa (l'r, -rl ) li crc$tc itt polarizare
irrversa ( L'r, + N',, ).

Curentul prin structura cste rezultatul superpoziliei a doi clrrenli:

. curentul de electroni dinspre metal spre semiconductor. notat cLt 111e, gi care, dupa ctttn
am ardtat mai sus. nu depinde de polarizare, respectiv
. curentul de electroni dinspre semiconductor spre metal, notat cu 1s,v, a carui valoare
cste dependentd de polarizare.
Deci:
I
r |- r.\/ i1ll

/ (D)
1,,, =,1,. J,,,.cxpl -;
Ir,) I
( 1.5 7)

'',r''
1.,, = .f , .l '\ -''
,, ..*pf v )
)

in care J711 reprezintd a$a numitul ctteficient de c'urenl lermoeleclr"onic. pulernic dependent de

temperatura(-7't).

\l I Scnttet)ttrlttc[()l' \I :
tle tin rt
I]

Er ll brr

Err -Vr) l- ,- Err

t'
L rll
E I,rl E t,tt
l-.,

ll.
i]'ruro 2.22. Diagrama in regim de polarizare electrica:
a) polariz-are directtr: b) polarizare inversd.

l1
 irt e tlttsccilt(lt cttt'cttttt I llritt slrttctttrli cstc:

, i ir'''r,.]
! = t.,,_/,,, =/,. l:s)
!"-ni,. ,l-,]
tttctal-
in llsrrrt l.l-l .a cstc rcprczclltati.i calitltiv cliractcristica statlcal a hctcrttitlttclittrtri
,crnicttndttctor dc tip lr ct't calactcr fcdfcs()r'

irr caz..l colttactLllui rlctal-scrlrconductttr dc tip n cLt L'(tr(tL'let'oltrrric', oblirrtrt prirt doparca
stltticc estc:
i)Lltct'nicll a scttticollducttlrului. ccrtalia caroctcristicii
I' \ I
t=t'.t '1
;i-rl il'-i())
L"xn|'r / l
in care,./71 r.cprel-inta coelicicrrtul tje cllrcnt de tunel.,/rr cstc cu citcva ordinc de ttliritttc
tttai

rnare dccat ,./lll.

in llgura 2.23.b cste reprezentata caracteristica statica cc corespunde acestui tip de

irctero.jonc{ iune.

2.3.4. Caracteristica statici a heterojonc{iunii metal-semiconductor de

tip p

C..tactul rnetal-semiconductor de tip p are caracteristica staticf, bidireclional6. Aceasta

poate sa tie aProxirnate Prin:

, I t/ (l.60)
I
'
t-
R,.
' l

in care reprezintd rezistenla internd a structurii.

[Lezisterrfa Rc este dO valoare rnicd.

i.l. ll'
I: iqura 3.2-1. Caracteristica statici a hcterojonc[i un i i tnetal-scm iconductor dc ti p rl
cu caracter: a) rcdresor: b) ohmic.

18
 DIODE

3.1. Clasificarea diodelor semiconductoare

Din punct de vedere al aplicaliilor lor, diodele pot fi clasificate in iurmdtoarele grupe:
l. Diode redresoare, folosite in redresarea curentului alternativ de diferite frecvenfe gi

puteri.
2. Diode detectoare. Aceste diode sunt folosite pentru demodularea semnalelor radio, video
etc. Funclia lor este asemdnlti;are redresdrii, dar semnaiele prelucrate au, de regulS,
frecvenle mari (de ordinul MHz - GHz) gi puteri nesemnificative. De aceea, structurile au
arii mici in vederea micqordrii capacitSlilor asociate joncf iuniip-n.
3. Diode de comutalie, folosite in circuite de impulsuri.
4. Diode pentru microunde. Aceste diode sunt folosite in circuitele de demodulare gi de
conversie corespunzdtoare domeniului microundelor. Ele trebuie s[ indeplineascd cerinte
specifice referitoare la impedanta gi nivel intrisec de zgomot. Diodele Cunn, IMPATT
(l,VPact lonization Zransit Time) gi PIN fac parte din aceastd categorie.
5. Diode tunel, folosite in generarea gi amplificarea semnalelor de frecven{i mare.
6. Diocle Zenner, folosite pentru stabilizarea tensiunii.
7. Diode vorcup. Aceste diode se folosesc ca elemcnte cLr capacitate controlabila pe cale
electricS.
8. Diode Schottlry,lblosite in detectoare gi redresoare ce lucreazi la frecvenfe mari.

Din punct de r,edere al tipului de joncfiune p-n folositd in realizarea diodelor putem
difercnlia:
l. diocle cujoncliune plutit;
/. 6lit.t tte c u co ttlact punctiforrn;
3. diode cu joncli une ptinct iformd;
4. diorle cu jonc'limte bariei'ci de supru,foyd.
La diodele cu jonc:liune platd, dirnensir-rnile ce dctcrmini aria jonc{iurnii
sr.rnt mult nrai largi
d':cAt grosinrcajoncfiunii. Din aceastir categorie de diode lac palte diode le redre.;orre.
La diodcle cu conlctct punctifo;'ttt, dirne'nsiunile ce determinir aria jorrcfiunii suni rn;,,i mici
Ceci: largi,n:-a regir-inii de sarcinii spaliaiii. Diodelc cu joncliune prrnctif-ormir prczir: ;i aceleagi
dirn:nsiLrni redusl ale jonc[iunii, sin3Lu'zi difererrli filir c!.: cele cu contact punctiforrn i-ii:id aceea
ca joncliunea metalurgica este platd. Aceste tipuri de diode sunt folosite, de reguld, pentru detecfia
semnalelor de frecvenle mai mari de 10o Hz'
in diodete cu jonc(iune barierd de suprafasd, una din regiunile joncliunii este oblinutd prin
formarea unui strat de inversie la suprafala semiconductorului.

3.2. Metode de producerea ionc{iunilorp-n

irr t'uriclie <je mcdul in carc se pioduc clcctrozii Ciodclcr, acc3tca sc impart in ciode cu
jonc{iune difuzata Ei diode cu jonctiune aliatd.
O joncliune aliatd se formeazd prin fuzionarea intr-un semiconductor a unui metal sau aliaj

adecvat urmatd de recristalizarea acestuia. Materialul dopant con{ine impuritdli acceptoare sau
donoare in funclie de tipul semiconductorului de bazd. Astfel, o diodd aliatd pe germaniu se
realizeazdprin fuzionarea unui aliaj indiu-galiu intr-un semiconductor de tip n sar-r a unui aliaj pe
bazd de arsenic intr-un cristal de tipp.
joncliunile difuzate, impuritalile sunt introduse in serr-'iconductor prin difuzie, utilizdnd
La
vapori de material dopant. Atomii de impuritate difuzati in semiconductor formeazd la suprafafa
acestuia un strat sublire cu conductibilitate de tip opus fa{6 de cea a semiconductorului de bazd.
Addncimea acestui strat depinde de temperatura qi de durata procesultri de difuzie. Aceasth metoda
este capabil6 atAt sd producd joncliuni p-n cu arii variind intre pm2 pdna la cdliva cm2, cdt 9i sd
ofere un control riguros al adAncimii stratului difuzat 9i al distribuliei densita{ii impurita{ilor in
cristal. Figura 3.1 ilustreazd sec{iuni transversale prin cele doLrd tipuri constructive de joncliuni
prezentate anterior.
in afara de diodele difuzate qi aliate, existd gi diode cLr joncfir"rne aliat - difuzata.ln acestea,
joncfiunea se formeazd in doLrd etape:
- mai intdi prin fgzionarea unui metal dopant in semiconductor gi apoi,
- prin difuzia atomilor metalului dopant in semiconductor de la stratul sublire forrnat prin
feCfisiali,^,,,, iir..,,rlt,l,ri"
Aceasti metoda combind simplitatea $i costul redus al tehnicii alierii cu avatttajel,: tehnicii
difuziei.

a) jonciiu;r.-' ali;rtd; b) ; rciiu:rc ditirzrti

50
 3.3. Diode redresoare

Diodele redresoare utilizeazd proprietatea joncliunii p-n de a conduce curentul electric

practic numai atunci cdnd este polarizata direct. Ele sunt folosite pentru redresarea curentului
alternativ de frecven{e mici gi medii, Simbolul utilizat pentru diodele redresoare este prezentat in
figura 3.2, Terminalul corespunzdtor contactului regiunii p a joncfiunii p-n ce formeaza dioda
poartd numele de anod, iar terminalul corespunzdtor contactului regiunii n poartd denumirea de
catod. ir practic6, recunoagterca cclcr doui terminale rste simpii, corpul Ciodei fiind marcat in
dreptul catodului (vezi figura 3.2). Tipic, diodele redresoare se realizeazd din Ge gi Si,
Diodele redresoare realizate pe Si, datoritd faptului ci siliciul prezintd o ldrgime energeticd
a benzii interzise mai mare ca a germaniului, prezintd atdt o gamd mai largd, a curentilor direcf i
permigi cdt gi o temperaturd de lucru maxim admisibilS mai ridicatd (125 oC+150 oC).
Rezistivitatea diodelor cu Si gi tensiunea de prag 2.,, a acestora sunt, tipic, de 1,5+2 ori mai mari
dec6t la diodele cu Ge. Acest lucru se datoreazd faptului cd rnobilitilile purtatorilor de sarcind sunt
mai mici in Si dec6t in Ge. Din acelagr motiv, puterea disipatd, la curenli direcli egali, este mai
micd in diodele pe Ge decAt la cele pe Si.
De asemenea, diodele realizate pe Si prezintl un curent invers mai mic decAt cele pe Ge
deoarece curentul invers al unei joncliuni p-n descregte odatd cu cregterea ldrgimii energetice a
benzii interzise.
Comparativ cu diodele realizate pe Ge, diodele realizate pe Si prezintd tensiuni de
strdpungere Vanmult mai mari. De asemenea, probabilitatea producerii unei strdpungeri termice in
diodele pe Si este micd datoritd ldrgirnii energetice mari a benzii interzise gi astfel operarea in
imediata apropiere a regiLrnii de strdpungere este stabild.
Datorita faptului cd strdpLrngerea la aceste diode se realizeazd prin fenomenul de
multiplicare in avalanga, tensiunea de stripungere cre$te cu cre$terea teniperaturii.
in ciuda faptului ci gi la dioclele realizate pe Ge stripungerea se realizeazd pnn acelagi
tinc,m,-'n, totu;:. Cctoritl cregtcl'ii accentuirte a cr;'c;-,lulili in'"'ci's le cregtr-:'Je tc;:pcrattri'ii,
stripungerea termicd incepe sd se dezvolte gi tensiunea de strdpungere scadc.
in figura 3.3 sunt ilr-rstrate comparativ caracteristicile statice tipice ale unei diocle pe Si gi
ale urrei diod: p.- Ce.

A (AncC)
?
ll t"
L '.ri
ll
I
o
C (CctoC)
Figr-rla 3,2. Si rlbolLrl ciiodci rcclr.'s o:tr';

5l
 IIrnr\ Dioda rc'drcsoarc
re'alizati pc Cc
-/ Diotla rc'drcsoarc
rcalizirtli pe Si

-v[\'] \'Iv]

-l0
lIpA]
Figura 3.3. Caracteristicele statice tipice pentru diode redresoare
r ealizatePe Si 9i Pe Ge.

in continuare sunt prezentali, pe scurt, principalii parametri ai diodelor redresoare.

Parametrii statici ai diodei sunt: tensiunea directd de prag Vr, curentttl de polarizare direct
maxim sdmisibil Ipy, tensiunea inversd maxim admisibild Vav $i curentul invers maxim Ip'v1.
Tensinnea directd de prag Vrreprezint[ tensiunea pe dioda la un curent direct de 0,1% din
curentul direct maxim admisibil f.-pr.
Curennil invers maxim Ip,yl reprezintd curentul invers prin structurd mdsurat la tensiunea
inversd maxim-admisibila Vpy(mai mic[ decdt tensiunea de strdpungere).

Parametrii dinamici ce caracterizeazd performanlele diodei ca element redresor sunt:

. Curentul direct mediu, Ir,tvu, definit prin relatia:
1 et
(3, 1)
Iy,1r-.tt =;' l^
uv
ti (/) d/
I

petrtm corr,lii.ii ri:;i, fiiait clc le rtr.pci'aturl la f;c:l'tln!a r:!clcl.

, Cttrentul direct efectiv, Irnus, deflnit prin relalia

tt-t'Rtvts - (3.2)

pentru aceleagi condilii ca cele menlionate mal strs.

, Ctn.erttul clirect de sLtprasarcind repetitivd, 1y.p,1,1, reprezentAnd sttpracurentLrl cc poate
trece periodic prin diodd in sens direct.
, Crrrerttttl direct de sttprasarcind accidentald Ip'5,y1, feptezentdnd supractlfclitrrl direct
maxim cc poate parcurge structllra, in conditrii specificate de temper:iluri 9i de tlirratii (in
general 10 ms).
, Te tt.s i un e a inv e rs ir nt ax i rn ci re p e t i t iv ii, (J n,,,t :.t.

52
 ' Tensiunea inversd de suprasarcind, UNu, specificatd pentru condilii date, de
temperaturd gi durata.
' Rezistenla dinamicd Ra a diodei, specificata pentru condilii date de curent direct gi
temperatu16.
' Capacitatea joncliunii, Cj, definitd pentru condilii specificate de polarizare gi
temperaturd.
' Frecvenla de tdiere, fg, cE reprezintd frecvenJa la care redresarea este posibild fdrd
micqorarea curentu lr i rer! r';sat.
r

Din punct de vedere termic diodele sunt caracterizate de urmdtorii parametri:

' Gama temperaturilor de lucru, [Zrin,In.u*], limitatd de condilile de operare maxim
permise pentru diodd gi dictatd de dependenfa de temperaturd a conductivitalii
semiconductorului gi de propriet6lile mecanice gi termice ale metalelor din care sunt
confectionali electrozi i.
. Rezislenlele iermice ce caracierizeazd, regimul termic al diodelor.
Prin analogie cu trecerea curentului electric printr-un circuit electric, regimul termic al
diodei poate fi caraclerizat prin rela{ia:

D_tq
T_T
1.r' -p
-- (3.3)
'-th

in care P,, reprezintd puterea evacuatd din dispozitiv, putere ce in reginr termic stafionar
este egala cu puterea disipatd de aceasta, Tl reprezintd temperatura joncfiunii, To reprezintd
temperatura mediului ambiant, iar R6 reprezintd rezistenfa termic[ totald corespunzdnd
evacudrii cdldurii prin semiconductor, capsulI gi eventLral radiator in mediul ambiant.
Aceastd rezistenfd terrnicd insumeazd rezistenfa termicd jonc[iune-capsuld Rthj_c ai
rezistenla termicd capsuld-ambiant Rp,.,-o (sau, in caztrl folosirii unuri radiator, a rezisten{ei
termice capsuld-radiaror R11,.,-, gi a rezistentrei termice radiator-ambiant R4,,-,).
Circuitul termic echivalent al diodei este reprezentat in flsura 3.4.

'1
.L . p
I

ilI In
I r l(111., -,
n, 1l
I'lt l\tl).e-lt r'
ri d
.l-
1l
1l
irt)
i r ,'tll.t'-tl
'1. _r'
,lt 5
FigLrra 3.4. CircuitLrl termic echivale nt al diodci.

53
 . Gama temperaturilor de slocare ce reprezinti gama de temperaturi la care se stocheazi
perforrnan[ele
diodele fEr6 incdrcare electricd sau solicitdri macro-climatice gi care nu afecteazd
lor.

Un alt parametru important al diodelor redresoare il reprezintd puterea totald maximd

de o diodi este
disipatd in regim permanent, P,o^u*. Puterea totala disipata in regim permanent
datd de rela!ia:
(3.4)
P,.,=Pn+PR+nu
unde pp reprezinti puterea disipath in poiarizare ciirectd, Fp tcprczirrti putciea disrpaia in
polarizare inversa gi Prn reprezintd puterea disipata in comuta!ie.
in condilii de incdrcare normale gi la frecvenle scdzute se poate aproxima:
P,, (3'5)
P,u,
=
La frecvenle ridicate va conta gi puterea disipatd in regim de comutatie Ppp, iar la tensiuni
de inverse mari gi temperaturi mari cre$te gi contribufia puterii disipate in
polarizare inversd.

3.4. Diode de comutafie

in toate circuitele de impulsuri de vitezd mare, cu o perioadd a semnalulr"ri mai rnicd de
1ps,

se folosesc diode speciale ce ofer6 un rdspuns rapid, numite diode de comutalie.

Simbolul diodelor
de comutalie este similar cu cel al diodelor redresoare'
Aga cum am ar6tat in capitolul anterior. la polarizarea directd a diodei in regir-rnea n sunt
injectate goluri, proces numit de acumttlare de purtdtori rninoritari. Aceste goluri difirzeazd
in

regiunea n gi dupd o perioada de timp se ob;ine distribu{ia finald corespunzdtoare tensiunii

de

polarizare aplicate. Durata acestui proces de distribuire a golurilor minoritare in regiunea zl este
dependentd de timpul de viald al pLrrtdtorilor de sarcini gi determinl viteza proceselor
tranzitorii in
polarizare directd.

La aplicnrea rrnei nolarizdri inverse, durata Drocesului tranzitoriu este dictati de:
. evacuarea golurilor aflate in exces in regiunca n faf/a Ce situa[ra de echilibru termlc atat
prin recombinare cAt Ei prin intoarcerea golurilor in regiuneap datoritd c6mpLrlLri electric
puternic corespuirzitor polarizdrii inverse;
. distribLr!ia purthtorilor minoritari in regiunea n lapolarizare inversd.
Din pupct de vedere tehnologic imbundtdlirea timpilor de contutare se poate realrza prin
micqorarea timpilor de viatri ai purtdtorilor mobili de sarcind qi prin micgorarea dirn':,isiunilor
joncfiLrnii. Micqorarer tirnpilor de viald ai pr-rrtitcrilor mobili de sarcind se realiz.r,izii prin
impurificarea structurii cu diversc materiale (Au in cazul Si). irr acest mod, micgoi:area til,ipilor de
viald a purtdtorilor de sarcind in Si ajLrnge pdni la valoarea Cc l0-10s. De acelagi orcliit cir trtirime
este timprrl de via;d al purtirtorilor de sarcinir in GaAs, millerial semiconductor folosii ; scard
largl in diodcle de comtrta{ic.

54
 Figura 3.5. Caracteristica de comutare ciin conduclie in regim de blocare a uner
diode de comutatie.

O altd metodd de imbun[t6{ire a timpilor de comutare in polarizare inversd o constituie

realizarea unor profile de impuritdli speciale, de regulS neuniforme. Acest tip de profil conduce la
aparilia unui cdmp electric intern mai puternic, care se opune difuziei purtdtorilor, astfel inc6t
sarcina stocatd este inmagazinatd in irnediata apropiere a regiunii Ce trecere.
Realizdrile actuale in domeniul diodelor de comutaJie cu joncliune p-n stabilesc timpi
minimi de comutalie de circa 5 ns.
Procesul de comutare al diodei semiconductoare bazatd pe joncf iunea p-n va fi studiat pe
larg in capitolul dedicat comuta!iei dispozitivelor semiconductoare.
Parametrii principali specifici ai acestor diode sunt cei ce descriu procesul de comutare:
. Timpttl de comtttare inversd, trr, reprezinti timpul mdsurat intre trecerea prin zero a
curentului direct la comutafia din condr,rctie in blocare gi atingerea de cdtre curentul invers
a valorii de 0,1 .f ,r,,,r,, in conformitate cu figLrra 3.5.

'Curentttl maxirn de comutolie, Ipxy, reprezintd curentul invers maxim ce poate fi sus{inut
in regim de comutatie inversd.
' Capacitatea totald q diodei, C,o,, reprezintd capacitatea mdsuratd intre terminalele diodei,
inglobdnd capacitatea joncfiunii, capacitatea capsulei gi capacitilile parazite.
. Capacilcttea capstilei, C p.

3.5. Diocl e Zener

Diodele Zener, numite gi diode stabilizatoare de tensiune sau diocle cu avalanSd,utilizeazd
proprietatea joncfiunii p-n de a avea la borne, atunci cdnd lucreazd in regir-rnea de strdpungere, o
tensirtne inversi aproxiniativ constantd. Simbolurile utilizate pentru diodele Zener sunt prezentate
in figLrra 3.6.
Diodele stabili,:atoare se realizeazl din Si deoarece joncqiunile p-n realizate din acest
material sunt caracterizate in special de strdpungereo in ava/onSci sau lunel, iar prirrtr'-o dopare
corespLtitzdtoare cu impuritir;i se obline Lrn curent invers dc valori rcduse gi cu o dcpeitdenli slaba
de valoarea tensiunii inverse .

55
 i\lT
Figura 3.7. Simboluri utilizate pentru dioda Zener

V2 \i.rr Vzr

al z.

lz:

It;zrt
Y lt
F i gura 3. 8. Caracteristi ca 1- Z corespun zdtoare polari zdrii inverse
a unei diode Zener.

Caracteristica tipicd curent-tensiune corespunzdtoare polarizlrii inverse a unei diode Zener

este datd in figura 3.8.
Valoarea tensiunii de stabilizare este determinatd de largimea jonc{iunii p-n. Astfel o mai
mare rezistivitate a materialLrlr-ri semiconductor conduce la o tensiune de strdpLlngere mai mare.
Diodele Zener cu tensiune de stabilizare micd, sLrnt realizatc prin doparea puternicd cu impuritdli
;i yi-ii-t Lrtilizaica '.:lto: j::.a;iiiili i;-lg.i.;tc, ceca c: ca'.i::cazi siinprll:g'::r pt'itt efuci l't'r'i Di ''trit
Zener realizate pe jonc[iLrni p-n largi gi care au rezistivitiiii clescute ale regiLrnilor joncliunii
prezint6 tensiuni de stabilizare de valori ridicate, bazate pe fenomenul de nrultiplicare in avalengd.
in dioclele Zener probabilitatea unei strlpungeri termice este neglijabili.
Diodele Zener sunt caracterizate de urmdtorii parametri specif rci:
- Tensiurtea cle stabilizaye nominalit V771 (sau tr'77) specificatl la ttn curent noniiil ',1
f,v (sau

177) dat, cu o tolerantd data.

- Ten.:irrnea de stabilizare ntinind Vz,, $att V71r), sub care proprietiif ilc
mai sunt garantate.
- Tensitt;rca r!t stobilizare maxirnd V71,1, peste caie propriciafiie de stabilizare nLl ti sttttt

sarantate.

56
 - Coefcientul de lemperaturd al tensiunii stabilizate, CTVT (sau ay1), caracterizeazd
dependenla de temperaturd a caracteristicii statice in polarizare inversd:

crvz" = :vz !!.1 [(.c) )

LT 1,,=",
' sau crv,= | 00.] +l
Vz LT 1,,=", [%l.cl
. (3 .6)

Diodele Zener puternic dopate care se strapung prin efect tunel (Vzu< 5Y) au coeficient de
temperaturd negativ, iar diodele Zener slab dopate ce se strdpung prin multiplicare in
avalangd (,Vziu> 7V) au un coeficient cle temperaturi pczititr.
in structurile diodelor cu tensiuni de stabilizare cuprinse intre 5 V gi 7 V se dezvoltA atdt
mecanismul de multiplicare in avalangi c6t gi mecanismul de strdpungere tunel.
in scopul reducerii valorii CTV7, sunt conectate in aceiagi capsul[ o joncliune p-n cu
proprieti{i de stabilizare cu CTVT > 0 qi una sau mai multe jonctiuni p-n. Se pot obtine
astfeldiode Zener cu un coeficientde temperaturd mai mic de 0,00l%l"C .

' Rezistenla diferenliald de stabilizar€ r7p (sau r27), definitd ca raportul intre tensiunea gi
curentul rezultat prin aplicarea unui semnal alternativ de amplitudine scdzuti (cie semnai
mic), cu frecven{a de lKHz intr-un punct static specificat (17y, V7fi de pe caracteristica de
stabilizare, in cataloage se specificd valoarea maximd pe care producdtorul o garanteazdin
punctul de funclionare (17p, V77).
- Curentul nominal cle stabilizare, I7y.
- Gama curenlilor in care se pistreazd proprietafile de stabilizare (17*,171).
- Crrrentul de stabilizare de suprasarcind I7s1y6 ce reprezintd valoarea amplitudinii unui
impuls de curent de formd rectangularf, gi dr-rrati lOms a cdrei aparilie provoacf, o depd;ire
a valorii limitd maximd a temperaturii jonclir"rnii gi care se poate produce de un numdr
limitat de ori pe toatd durata de func!ionare a diodei.
- Rezistenla de semnal ntare R7 definitd in conformitate cu relalia (vezi figura 3.9):

, -Vru -Vr.o
-t^
't7 - (3.t ,t

Figur"a 3.9. Evid:ntiert.r mirimilor utiliz'rie in de finitria rezistcnlci dc semnal rnarc

57
 i/. R7 )'2."
C#t--{i\
\7
Figura 3.10. Modelul echivalent de semnal mare
pentru o diodd Zener polarizatd invers'

Astfel modelul de semnal mare pentru o diodd Zener polarizatd invers se poate compune
i
dintr-o iczistcnli R2 gi c sursi lcieala Ce tensiune V73 ca in figLrra i0

4.6. Diode varicaP

Aqa cum am arAtat in capitolul anterior, capacitatea de barierd a joncliunii p-n este
poate servi ca 9i
dependenta de tensiunea inversa aplicata gi practic orice diodd semiconductoare
capacitor controlabil pe cale electric6. Diodele semiconductoare folosite ca 9i capacit6li
controiabile neliniar pe cale electricl gi care prezintd pierdcri rcduse in banda de
frecvenle de
operare se numesc diocle varicap (sau varacror). Diodele varicap sunt folosite
in circuitele
acordate, oscilatoare, filtre, pentru amplificarea microundelor 9i, in
general' in controlul automat al
sistemelor, datorita faptului cd: (l) factorul de calitate al acesteia este suficient
de bun, (2)
capacitatea de bariera a joncfiunii p-n nu depinde de frecvenld, (3) nivelul de
zgomot este redus'

Obsentalie
Capacitatea de difuzie a uneijoncliuni p-n degi are o valoare mai mare ca cea de bariera 9i
poate fi controlatd pe cale electricd, nu poate fi utilizata in acelagi mod in circuite deoarece
are un

factor de calitate redus gi prezinta r-rn nivel de zgomot ridicat (datorat fluctualiilor curentultti
de

difuzie).

Simbolurile utilizate gi schema echivalentd de semnal mic a acestei structuri sunt

prezentate in figgra 3.1l, in care R5 reprezintd rezistenla serie a regiunilor neutre, iar R, reprezintd
fi
rezistenfa regiunii de sarcind spafiala gi a regrunitor active in poir'izarq inversi. Cir,-i,ii-,,1 y..rLc
completat prin addLrgarea in serie a unei inductanle Lg, coresputrzdtoare teminalelor diodei 9i
a

unei capacit6tri C6, corespunzdtoare cargasei diodei varicap, ce ar gunta circuitul prezentat.
Contribliia acestor elemente este insd neglijabild in domenir,rl de frecvenle considerat.

('6
+ + C'O-?----lF--r-ffiA
tl
R'

lR..i
T l -- I

Figura 3.11. Dioda varicap. a) Simboluri. b) Scherrta echivalentd de semnal mic'

53
 O diodd varicap de calitate trebuie realizatd. dintr-un rnaterial cu rezistivitate micd. Totugi,
rezistivitatea nu poate sd scad6 extrem de mult pentru cd acest lucru conduce la scdderea tensiunii
de strdpungere gi deci a gamei de varialie a capacitalii de bariera a diodei. Ca atare, o dioda
varicap se realizeazd dintr-un platou, extrem de sublire, de semiconductor tip n, cu rezistivitate
scizutd, pe care se depune un strat cu rezistivitate mare de acelagi tip de conductibilitate,
oblindndu-se astfel o structurd n-n*. Pe aceastd structurd se realizeazi prin difuzie cu impuritdli
acceptoare joncfiunea p*-n, oblindndu-se in final o structurf, cu o rezistenJd serie, R5, de valoare
'rri,:5. Penffu a realiza o variaf ie maxirni a capacitdli! de barierl la n ve'ria{ie dati de tensiune, se
realizeazd un profil hiperabrupt al concentraliei de impuritdli aljoncliunii.
Principalul parametru specific al unei diode varicap este frecvenfa detdiere,fq, definitdca
frecvenia la care factorul de calitate Q are valoarea l, specificatd la o tensiune inversd datd:

,fo (3 .8)

Frecvenfele de operare ale diodelor varicap se intind pdnd in domeniul microundelor. Cel
mai adesea diodele varicap sunt folosite in amplificatoarele parametrice. Un amplrticator
parametric se obline prin plasarea unei diode varicap, polarizatd, corespunzdtor, in paralel cu un
inductor L.

3.7. Diode tunel

Diodele tunel se deosebesc de diodele analizate anterior prin prezen{a in caracteristica
staticd a unei regiuni cu rezistenld diferenJiald negativd, fapt ce permite acestui dipozitiv sd
genereze qi sd amplifrce semnalele pcriodice. Astfel, caracteristica staticd in polarizare directd a
acestor dispozitive este in formd de i/. Figura 3.12 prezintd caracteristici I-V tipice pentru diode
tunel realizate din Si, Ge, GaAs, InSb, precr,rm gi simbolurile utilizate pentru aceste dispozitive in
c ircuite.
Constructiv dioda tunel este formati dintr-o ionctiune lip D*nn, adici o jonc{iune ale cdrei
regir-rni semiconductoare sunt puternic dopate cu impurit[gi ( 1/ = 1025 + lOtu rn '). Datoriti
concentraliilor mari de impuritagi, nivelul Fenni corespunzitor acestei strurcturi la echilibru termic
se deplaseaza in banda de valenli in regiuncap gi in banda de conduc;ie in regiunea ir. Asemenea
structuri semiconductoare poarld numele de strucluri scmiconcluctottre degenerute.
in acelagi timp, tot datorita concentrafiilor rnari de inrpuritafi, regiunea de sarcini spafiald
are o ldlime foarte micd (mai micd de l00A), lapt ce condrrce la posibilitatea parcurgerii acesteia
dt: el,:cti'onii din barldr de cortduciic, corcspun:[toare regir,rriii rr, prin elcct tunel in pol:u'izare
dirccti. Curentul de tuncl este prcrpoqional cu numirrul de nivelc energetice, ce posedd o
probabilitate mai marc saLr egalS cu 0,5 de a fi ocuplte cu elccironi, gi care, deyi se giiscscin banda
dc val:nli pentru regiLrritap, respectiv in banda dc condricfie pcniru regiun.:;r /?, se sllirrapr,ln ca
n' e ncrgetic cu cele din banda de conduclie n regiunii /?, respcc[iv cu cr:le din banJ:l C: valen!5
";l
a rcgiLrniip ce posedir o probabilitatc de a fi ocupate cu el,;ctrcrrii mai rnici Cl0,-5.

59
 Irlrtr\] l; l1' ['l
l)

\i, \i \itu

.'.r---|;- .

;\ o__l=_____o C'

c.
Figura 3.12 Dioda tunel:
a) caracteristica staticd gi punctele caracteristice acesteia;
b) caracteristici statice pentru diode tunel realizale din diferite materiale semiconductoare;
c) simboluri utilizate pentru diodele tunel.

Astfel, cAnd structura este polarizatd, invers nivelul Fermi corespunzAtor regiunii fi,Epn, se
deplasezd in sensul negativ al axei enegetice, iar electronii din banda de valenld aflati pe nivelele
energetice descrise anterior vor trece in banda de conduclie ocupAnd nivelele libere. Pe misurd ce
tensiunea inversd Zp cregte, numdrul nivelelor energetice implicate in efectul de tunel cre$te 9i deci
cregte qi curentul invers de tunel lp1.,n"1. Curentul invers de tunel in diodele tunel estl foarte
puternic, diferentriind astfel aceste structuri de jonc{iun tle p-n obignuite.
La polarizarea directd a joncliunii p"n-, nivelul Fermi corespunzdtor regiunii n, se
deplaseazd in sensul pozitiv al axei energetice, iar electronii din banda de conducfie a regiLrnii n,
aflafi pe nivelele energetice descrise mai sus, trec in banda de valen{i a regiLrnii p ocupAnd
nivelele energetice neocupate. Rezultd astfel un curent direct de tunel, lFtunel, ce se supraptine peste
curentul direct obignuit aljoncfiunii p-n ( figr"rrat cLr linie intrerLrptd in figura 3.12.a). Pe m,-rsttrd ce
:e:,..i',inea aplic:l:: [,'-, tcel,]) nuntr,r:-ii ;ril'clcie: ::r'::;-;tice itr:pii:,t'-'!l' .fectul ds'.'-l:'-i 'i ,i "'lir;i1,
nivelul curentului direct de tunel, cresc pend la atingerea unor valori maxime corespult:ittoare
tensiunii directe Vp Si apoi scad pdnd la 0 la atingerea tensiunii directe Vv.Dacd. tensiunea directa
depirgegte valoarea ZTcurentul prin acesttip de joncliune devine, in principal, cllrent de dif,,zie.
Principalii parametri specifici ai diodei tunel sunt: tensiunea de vdrf trp, curenttll d: vArf 1p,
tensirrnea de valc /r.,, curentul de vale 17, tensittnca directd Vp6y1, rezistenfa diferen{ialir n':gativd
R;.
Trebuie menlionat taptLrl ca diodcle tunel comutd extrem de rapid. Limitarile tiirr .,lui de
rispuns sunt datorate capacita!ilor corspurvdtoare joncfiunii gi carcasei dipozitivultri. \,'il'-'za de
vaiiaiie a tensiunii aplicate structurii depinde de raportul dintre cltieritul de vdrf lp qi cr; itatea
joncliLrnii, C1.

6C
 Datorita regiunii cu rezistenla diferen{iali negativd prezentd in caracteristica 1 - V, dioda
tunel poate fi folosita in circuite ca element activ. Valorile tipice ale frecvenlei pdna la care dioda
poate opera sunt de ordinul GHz.
in funclie de aplicagiile in care sunt folosite, diodele tunel se pot impd(i in diode
amplificatoare, diode generatoare gi diode de comutalie, in funclie de tipul apticatiei caracterizarea
performanlelor diodelor tunel se realizeazd cu parametrii diferili. Astfel pentru diode tunel de
comuta[ie principalii parametri sunt: diferenla intre tensiunile de vale Si de vdrf, raportul tntre
cu:"eniii de varf Si de vole ,qi c,:l'tcitatec sfrt.tcturii, ial pentru ili,^,i l.l,'irir'!el generatoare princicalii
parametri sunt: puterea utild maximd gifrecven\a de tdiere .

3.8. Diode Schottky

Diodele Schottky sunt dispozitive electronice ce utilizeazd proprietdtile contactului
redresor metal-semiconductor de tip r.
Aga cunr am prezerri;ri ?n capituiirl anterior, conduclia curentului in cazui structriiilo' in.::i-
semiconductor este asiguratd de purtdtorii majoritari de sarcind. in felul acesta, trecerea curentului
nu mai este insolitd de fenomene de difuzie gi de generare - recombinare. Astfel, modelul
echivalent de semnal mic pentru aceste dispozitive este ilustrat in figura 3.13 in care rezisten!a
diferenfiald Ro'gi capacitatea de barierd C6 sunt definite gi calculate ca la joncfiunea p-n.
De aici rezultd gi principalul avantaj al diodelor Schottky, in comparafie cu diodele
realizate pebazajoncliunii p-n, $i anume posibilitateade lucru la frecvenJe foarteinalte, de zecide
GHz. Limitarile in frecvenfi sunt date de timpul de tranzit al electronilor prin regiunea de sarcind
spafiala, astfel cf, timpii de comutalie ai diodelor Schottky pot ajLrnge la valori de l00ps.
in figura 3.14 sunt ilustrate at6t un exemplu de realizare constructivd cdt gi simbolul gi
caracteristica staticd corespunzdtoare diodelor Schottky. Electrodul din Al realizeazd efectul
redresor in contact cr-r semiconductorul de Si de tip n. Electrodr,rl de Au in contect cll
semicondrrctorul de siliciu tip n* realizeazd un efect ohmic.
Ciderea de tensiune directd pe o diodi Schottt<y este de numai fa{d de la joncliunea p-n
din Si. La tensiuni invcrse mari qi dioda Schottky prezinti fenomenul de strdpungere in aceleagi
condi;ii ca la jonc!iLtnea p-n. Totugi, geomctria specific[ acestci structuri conduce la tensiLrni de
stripLingcre mai mici ca la joncliLtnea p-n.

Figura L li. Ivlorlclul echivri,:,ri de sentnal nrii al dic,clelor Schottl'i

61
 A Metal (Al) ip[mA
A
?r
Avt\ \
+?l
t/l
dv
L,

C
b.

Figura 3.14. Dioda Schottky: a) secliune printr-o realizare constructivd;

b) simbol; c) caracteristicd stattcd.

Diodele Schottky sunt utilizate in: detectoarele de frecvenfe inalte, redresoarele de putere
ce lucreazd la frecvenie ridicate Ei in circuitele integrate logice pentru cregterea vitezei de
conrr:ta.{ie a tranzistoarelor bipolar'e

3.9. Dioda electroluminescenti

Diodele electrolttminescente (LED - Li$h Emitting Diode) sunt dispozitive ce emit lumina
datoritd recombindrilor radiative ale purtitorilor minoritari injecta!i in regiunile active ale unei
joncliuni semiconductoare omogene sau eterogene polarizatd in sens direct. Simbolul utilizat
pentru toate diodele ce emit lumind este prezentat in figr"rra3.15.a. Diodele electroluminescente
emit spontan un fascicul optic, in urma excitiriiin curent direct in domeniul 0+5V .
Exista doud tipuri debazd de diode electroluminescente (vezi figLrra 3.15.b-c):
. cu emisie la suprafald sau nornsld, pentru care emisia se face pe o direc{ie
perpendiculard pe planul jonc[iunii, 9i
. cu entisie lateralir, pentru care emisia luminii se face intr-un plan paralel cu cel al

jo:l'-'iti"ii
Figura 3.15.b prezint.l o diodir electroluminescentd, tip dubli heterojoncliune. cu emisie de
sirprafafi. Aceasta radiazd.in esenfd in mod izotrop gi lumina este captatd prin ctrplaj optic adecvat
in apropierea imediatir a suprafelei emitoare. Diodele electroluminescente ctr emisie de suprafald
se mai nlrmesc Si diode Bttrnts sau diode lattrbertierte.
Caracteristica statici a unui t,ED este asemittitoare cu cea a unei joncliLrni p-n dar

deplasata cdtre dreapta deoarece rezistcnla serie a acestor structuri este ntai ntare. Astfel, I'aloarea
tipica a tensiunii pe acesteain polarizare directd depinclc de tipul semicondLtctorLrlr-ri r-rtilizri ;i este
cr.rprinsd intre 1,2 V gi 3,5 V (vezi figvra2.l2)
Dioda luminescentd se polarizeazd in sens ditect, astfel cd nll se di prea me. atenfie
valorii tcitsiunii de stripungere la polarizare ittvcrsi, care in valoate absolLrtai este mLllt iti,'.i micd
dccit la di,rdtl-' obiqrrLr i tc.

A-l
 E,lectrod melalic Regiupg de mctalic Oxid
tccomolnarc izolalor
t-

" \ |
n/iio,,r,,
p ( iaAs nAl, tCia

+*, n Al*Ciat-*As
(s
GaAs
ubstral

T Elcc lii :'ilctalrc Eleclrod melalic

(a) (b) (c)
Figura 3.1 5. Diode electroluminescente. a) Simbolul. b) ti c) Tipuri constructive:
b) cu emisie la suprafafd, c) cu emisie laterald.

vr-so [v]

Figura 3.16. Caracteristici statice ale diodelor luminescente.

InfluenJa temperaturii asupra caracteristicii statice a unei diode electroluminescente este

destul de importantd gi, datoritd faptului cd intensitatea radiativd este comandatd de curentul direct
prin dioda electrolurninescentd, este indicat a se utiliza un circuit de polarizare care sd stabilizeze
punctul static de func!ionare atunci cdnd variafia temperatr.rrii este semnificativd.
Polarizarea in curent continuu se poate realiz-a atdt cu o surs6 de tensiune cdt 9i cu una de
curent (vezi trgura 3.17). La polarrzarea in tenstune punctul stattc se obline la intcrseclia dintre
caracteristica statici a diodei electrolr.rrninescente qi dreapta de sarcind (vezi figura 3.17.b).
Alegerea rezistenfei R se face confortn relagiei:
R=(tr",.-Vr)11,.,,,, (3 .e)

in care curentul diodei elcctrolLrrninescente Is;p Se alege astfel incdt sit sc obfirld intensitatea
lunrinoasi doritd.
Problerna pr:incipalI a acestui tip de polarizare constd in dispersia (necunoscut[) a
caracteristicii staticc a diodei luminescente. Ataculin curent al unei dicde electrolunrinescente este
prezent:r'" in figrrru 3.17.c. Tranzistci'Lrl T impreLrnd cLt rezisten{ele Rr, R: gi Ra forrncazi sttrsa de
curent. Di;nensionarea acesteie se face in modul urrilit-or. lr4ai intli se alege tlanzistoi'til T'gi se
extri,tg d.r *itlltrg caracteristicile sale. Sc determirili curttttul de bazi rnarirn al TBJ:

63
 1rr,n^= I,.,tt, lgrrin (3'10)

Se alege curentul l
prin divizorul rezistiv Rr-Rz mult mai mare decAt curentul maxim de
bazd. I >20.1u,r*. Se alege tensiunea Va ce cade pe rezistenta Ra intre 2V 9i 3V 9i apoi se
dedermind valorile rezisten{elor din relaliile:

(3. r 1)

Pentru o mai bun[stabilizare acurentului, rezisten{aRr poate fi inlocuitdcu o diodd Zenet,

iar dacd se doregte numai o compensare cu temperatura, rezistenJa Rr se inlocuiegte cu o diodb
(legata cu anodul inbaza tranzistorului) in serie cu o rezistentd.
Diodele luminescente pot funcliona qi in impulsuri cu condilia ca frecvenla acestora sd fie
suficient de ridicat6 pentru ca ochiul uman sd nu sesizeze variafile intensitetii luminoase.
Utilizarea unei alimentdri in impulsuri permite oblinerea unei intensitali luminoase medii mai
mare ca cea oblinuti la alimentarea in curent continuu, pentru acelaqi curent mediu. Variafia
inttrrisi'Latii luminoase medii, normatd la intensitatca luminon:I cblinutl pentru un curent mediu de
l0 mA, in funclie de curentul maxim Iu,cdnd curentul mediu I^"aeste constant, este prezentatdin
figura 3.18.
R
t-l DV,6
.----{-}-i

vcct
t,l (b)

: l:: troluminescc:r:i
de curent.

2,4 T,2
2
0,8
t) 0.6
O,E

lroo,a Ionon'I ]ra

':
l0 [nA]

a) semnalul ic ien ic i

6"
 Curentul mediu este dat de relatia:
I^"0 = a"' I, (3.12)

Intensitatea luminoasd medie /n .o poate fi dedusd cu relafia:

Iv^rd=qv.Ivo'l^"dllo (3.13)

unde Iro reprezinti intensitatea luminoasd corespunzdtoare curentului 1o; iar q, reprezinti un
parametru numit efi cien!6 luminoasi.
Figura 3. i8.c prezintb, varialia eficienlei luminoase funcfie de curentul maxlm a$a cum este
datd de Hewlett-Packard.
Diodele elctroluminescente pot fi alimentate gi in curent alternativ. Schema tipica este
prezentatd in figura 3.19. Dioda D plasatd in paralel cu dioda electroluminescentd o protejeazd in
semialternanlele negative, deoarece tensiunea inversd pe care o poate suporta dioda
electroluminescentd este de cdliva vol1i. Rezistenfa R1 limiteazi valoarea maximd a curentului prin
circuit. Valoarea acesteia se alege in funcJie de intensitatea lriminoasd maximd acceptatd pentru
dioda luminescentd:
R, ) R,,,n =V, / I,nu, (3,l4)
Valoarea maximd a acesteia se alege astfel incAt aceasta sd fie neglijeabil[ in raport cu
impedanla condensatorului C, R, << (ro.C)-' ,

Curentul prin condensator este dat de relaf ia:

i =C.dvf dt = -C.a.Vr.sin(a.t) (3.15)
Valoarea medie a curentului redresat prin dioda electroluminescentd este:
1l'
I t r^n,,r : i(t) .dt = C .ot .V, n (3. r 6)
; Jot I

In consecintd valoarea condensatorului de poate alege astfel ?ncdt s[ avem intensitatea

litminoasd niedie doritd a iadiati.,i diodei lLrmin.rsceiii.s:

. - I ,u^r, (1r0o,,, ) (3. 1 7)

'\ r rl
.'J 'v .tt

Puterea disipatd pe rezistenfa R, se determind cu relafia:

P,f = Rt . Ii = R, .C . r.V,.r (3.18)

Rezistenfa R2 permite descircarea condensatorului atunci cdnd se deconccteaz6

alimentarea. Valoarea sa se alege astfel incdt sd fie indeplinit6 relalia:
R, >> 1l@.C) (3.1e)
a r.-ASta condLrcAnd cdtre valori cuirrinsc intre sr:te de KQ gi MQ.

65
 I t\ I l LrD

R2 AF
D LED rh\

\a r

Figura 3.19. Alimentarea unei diode luminescente in curent alternativ: a) schema

tipicS; b) formele de undd corespunzdtoare acesteia'

Diodele electroluminescente funcfioneazd la densitali de curent de p6na la l0A/cm2'

Degradarea intensitatii luminoase a diodei luminescente deprnde de valoarea
densitalii curentului
la jumdtate din
electric. Notdnd cu rt/2 timpul dupd care intensitatea luminii emise se reduce
valoarea ei inigiala qi cu -/densitatea curentului electric la care funcfioneazd
dioda, se poate afirma

cd tr,, -ll J .

Modularea pr,rterii radiante emise de o diodd luminescentd se ob;ine simplu acfionAnd

de durata de viafa r.
asupra curentului de alimerrtare. Banda de trecere a acesteia este determinata
joncliunii, cel putin
a purtatorilor injectali in zona activd a diodei, de capacitalile parazite ale
garanteazd
pentru densititri ale curentulr-ri suficient de mari. in general, in conditriile de utilizare ce
o densitate de curent superioard valorii de 40Alcm2, timpii de cregtere
gi descregtere a

impulsurilor luminoase sunt sensibil egali cu 75, care este de ordinul ns'
in consecin!d, intensitatea luminosd a diodelor electrolr-rminescente poate fi modLrlatd intr-o
oancli de frecvcnl, irrcepanci cie la zero pilri ia cateva suis .i' hli l;:. Experit,;c;,i--:, :-:-': obi;iil"i;
benzi de pAnd la 200 MFlz ( - 3dB optici).
in fgnctrie de spectrul de emisie, diodele electrolLrminescente se impaft in:
r LED-uri pentnr emisia in domeniul vizibil, ), e (350 + 750) nm ;
o IRED-r.rri (lnfiared Emitting Diode) pentru etnisia in dom:nir-rl infraro;ir apropiat,
)'e(750+1600)nrn.
Aplica!iile ciiodelor electroluminescente pot fi implrlite in doud categorii plincipal.::
c indicaloare cle stcrre Si a,fisoare;
c trctns;rtisia irfornaIiei.
in clasli inc.licatoarelor de stare putenr incr Ira indicatoarelc de stirri logice, incli.:ittoare
lunrinoasi: clc nivel analogic gi atenfionlri lumin'.nsc. Pentru in;licltca:'r dc starc ai :rl;crare se

66
utilizeazd LED-uri lambertiene de putere adecvatd aplicaliei gi cu emisie spectrali in culoarea
dorit6. Pentru transmisia informafiei in aplicatiile ce necesite separare galvanici se utilizeazd in
principal LED-uri, atdt directive cdt gi lambertiene, in telecomunicafii optice se utilizeazd IRED-
uri, directive gi lambertiene, de mare radian!6 cu structurl dubld hererojoncfiune sau dubta
heterojoncfiune cu cavitate opticd largita.
Constructiv, dispozitivele de afigare se pot prezenta sub urmdtoarele forme: de afigor
individual cu un singur segment (LED), de afigor cu mai multe segmente ce formeazd un caracter
(c!igit) in aceea;i capsuld, ,Je a.figor cu mai multe caractei'e in aceeasi anvelopd Ei de afiso;"
matriceal. Afigajele hibride cu segmente sunt obiinute din LED-uri ingropate in cavitdli in formd
de trunchi de piramidd rectangulard gi a cdror lumini este reflectati 9i difuzati spre suprafafa
exterioard transparenta. La afigajele monolitice segmentele individuale sunt formate prin difuzia
separatd de joncfiuni de diode electroluminiscente pe un singur substrat GaAsP. Caracterele
rezultd mai mici gi pentru mlrirea lor se folosesc lentile exterioare. Uzual se fabricd afigoare
monoliticetipTsegmente,cepermitafigareacifrelor,gi tipmatrice(5x7,16x16, 16x32 etc.),
ce permit afiqarea ceior 9Ii caractere ASCII (vezi figura 3.20.a,b,c). Din purrct de vedeie elcctric
LED-urile unui afigor monolitic au conectate impreund fie catodul, afigorul numindu-se cu catod
comun, fie anodul, afigorul numindu-se cu anodul comun (vezi figura 3.20.d,e). Existd de
asemenea qi afigoare inteligente care pe lAngd afigorul propriuzis, compus din 4 sau 8 segmente, au
integratd gi logica de comand[.

a 8T"g3tr
EIATE
,ffi0 HESNE
$3:IgIt
ffi *ffi"" d33:Ir
gJ;T33
833Jr
(a) (c)
Punct,
a h zBclITISl

,nr zv-f (d)

Figura 3.20. Afi;aje monolitice: a) 7 segmente; b) 7 segmente clr

punct zecirnrl, c) tnatriceal; d)7 segtnente, montaj tipr catod colnllnr
e) 7 segnrente, montitj tip anod conllln.

61
 3.10. Aplicafiile principale ale diodelor
3.10.1. Generalitdti

Aga cum am ardtat in subcapitolele precedente aplicaliile diodelor sunt multiple: redresare,
amplificare, detec{ie, circuite de comutaJie, oscilatoare etc. Toate acestea se vor prezenta in
capitolele specializate. in acest capitol se va prezenta modul general in care se analizeazd diferite
tipuri de circuite cu diode gi apoi, circuitele de limitare cu diode, de deplasare a nivelului de curent
continuu ;i stabilizatosrs Fsici,rcirice cu diodi Zener.
Analiza circuitelor cu diode semiconductoare se poate face grafic sau analitic. Pentru
analiza graficd trebuie s[ se cunoascd caracteristica electricd a diodei (din foaia de catalog sau
trasatd experimental) gi ecuafiile ce caracterizeazd comportarea circuitului analizat.
Rezolvarea analitic6, in sensul determindrii valorilor instantanee ale curentului gi tensiunii
pe elementele circuitului, se bazeazd pe expresiile analitice ale caracteristicilor elementelor de
circuit gi pe modelarea comport[rii acestora in funcfie de condiliile de funclionare. Analiza se
realizeazd utilizdnd principiul superpozitriei. Acesta consti in analiza separatd, staticd gi dinamicd,
a circuitului gi sumarea rezultatelor. Degi principiul superpoziliei constd in analiza independentd a
efectelor statice gi dinamice, intre acestea existd totugi o legiturd, in sensul c5, in general,
parametrii circuitelor echivalente utilizate in analiza regimului dinamic depind de valorile
marimilor ce definesc punctul static de funcfionare (caracteristicile electrice ale diodelor sunt
neliniare).
Analiza staticd a circuitului permite determinarea punctului static de func{ionare. Analiza
dinamicd a circuitului urmdregte determinarea componentelor variabile ale curenlilor gi tensiunilor
corespunz[toare elementelor de circuit. Funcfie de tipul semnalului dinamic aplicat (semnal mic,
semnal mare, periodic, neperiodic, de frecvenid joasd, medie sau inaltd) se modeleazd dioda cLr
circLritul echivalent corespunzdtor. Acest circuit va inlocui dispozitivr,rl in circuitul de analizat.
Pentru exemplificare se consideri circuitul din figura 3.21.a. Semnalul variabil are
amplitudine^ Esrrrtrlt mai micl decdt valoa"^1rensi11pii cont!r'-,r-"'0, iar fre:.,'c:ir. ecc:tuia estc
-funclionare
mici. Astfel putem considera condiliile de ale circu itului ca fiind de regirn
cvasista{ionar gi de semnal variabil mic.

ra(t)

e(r) o{*r,'
+
''E

FigLrra 3.21. Circuit cu diodd qi scheme le echivalente de regiin static (b),

respectiv dinan,ic (c).

68
 Circuitul echivalent in regim static este cel din figura 3.21.b. Dioda este polarizati direct,
iar punctul static de funclionare al acesteia se determind din sistemul alcatuit din expresia analitica
a caracteristicii statice gi dreapta de sarcind corespunzdtoare circuitului:

(3.20)

Sistemul transcendenta! se rezolvd iterativ, nrin aproxipl[1i succesive. Se presupune initial

Vr =0 9i se determind punctul static de functionare la pasul (0):
E
' !-J-t::
(o) v;"=g, I:9)=
R, +R, R,
= +R,
(3.21)

Cu aceastd valoare a curentului se recalculeazd tensiunea pe diodd folosind expresia

analiticd a caracteristicii statice:
(l) Ij.l) = 7{or , V!',:* 'v, .tn(tf'j I t, +t) (3.22)

Apoi, se continud:

-V|'t
(2) Y(z):V(r), Iyt:E
R, +R,
(3) If\ = 1(,.?t, V;3):m'Vr.ln(tl?) ltr+t) (3'23)

pAna cdnd valorile oblinute pentru mirimile corespunzdtoare punctului static de funclionare la
doLrd iteralii succesive sunt aproximativ egale, eroarea de aproximare fiind foarte ntic6:
yrnt (3.24)
ll - Jrn-l) , l/(n) - l/(ntl\
rl. =,1-
=tl'

Trebuie remarcat faptul cd acest calcul iterativ converge extrem de rapid.

Analiza dinamicd a circuitului se realizeaz6, pe circuitul echivetlent din figr.rra 3.21 .c,
cblinLrt nri,i nsiiviZarcc si:;;c, ilc tensiune c.:niinui Sr lnlcclrirla diodei cu mcdclLrl s6u Ce .'"1::r.i
alternativ de semnal mic gi regim cvasista!ionar. Neglijarea grupultri paralel R2-C este posibila
datoritd reactan[ei fbarte mici a condensatorLrlui C in banda de frecvenle de itrteres.
Rezistenfa diferen!iald a diodei se determind cLr relaf ia:
Rt = m'V, l[,, (3.2s)

gi. apoi, se pot calcLrla valorile inslanianee ale tensiunii gi curentLrlui prin dispczitiv:

i,(t) = { .sin (c'r'r)= e(t)l$t + Rr); I" = Erf (R, +Rr)

(3,26)
r,,,(/) = tr','sin(r,r r) = e(t|'R, l$,+xr); Iu = Er' Rtf(Rt + R,i)

Aceste r;zr,rltite se adnrit nurnri dacdestc indeplirrit:i crurdi;ia dc scnitxrl ntic:

L'u << m'V,. (3.2.7)

pl b.',,2,r cil'eia s-a elaibor:tt cir;uitr-rl ccliivelc:.:t din figLrr:r 3.21 .c.

69
 3.10.2. Circuite de limitare cu diode

Circuitele de limitare se pot clasifica in funlie de:

. caracteristica de transfer a circuitului in:
. circuite de limitare cu prag jos,
. circuite de limitare cu prag sus gi
-. circuite de limitare cu prag jos qi prag sus;
. prezenJa unor surse de tensiune continud in circuit in:
-:--^..--^ J - l:--:+--^ r>,.: .{^ lllrJrutl! - !urr!rrrq4
^,.--- \ll
ldl 4 JulSe c'
^^-ei-,'X itr
' ullLultg utr llllll[alu
. circuite de limitare cu surse de tensiune continud.

in
figura 3.22 sunt prezentate cele mai uzuale circuite de limitare impreun[ cu

caracteristicile lor de transfer determinate in conditriile simplificatoare Ru >> ,R, R,. -+.o .
Pentru exemplificarea modului de analizd a circuitelor de limitare se considera circuitul din
figura 3,22.f. Pentru oblinerea caracteristicii de transfer considerdm semnalul aplicat la intrare ca
fiind liniar crescitor in timp, de tipul vt =ki.t cu h gi siiiicient de micd pentru a putea plasa
circuitul in condilii de regim cvasista{ionar. in aceste condilii, modelul folosit pentru diodd este cel
de semnal mare, prezentat in figura 3.23.
Analizdnd circuitul se observd ci pentru orice valoare v7 ( 0 dioda Dz este blocatd astfel
incdtcircuitul sereducelacel prezentatinfigura3.24.a,iarpentruoricevaloatevl)0 diodaDr
este blocat6, circuitul echivalent fiind cel din figura 3.24.b. Tot in figura 3.24 sunt prezentate 9i
circuitele echivalente de semnal mare corespunzdtoare celor doud sLrbcircuite.
Astfel, pentru vr< 0 dioda D1 este blocatd atdt timp cdt tensiunedv,tct <Vr $i condr-tce atAt
timp cAt tensiunea v,tcr) Vr. CAnd dioda Dr este blocatd gi in conditrii de gol la iegire (Rr--+m),
tesiunea la iegirea circuitului este egald cLl cea de la intrarea circuitului u1, adicd vo: vr. Tensiunea
pe diodi este:

v,t('t=v,tr-vr-t--Et-lo=-Er-v, SV, (3'28)

Din relafia (i.2S) se deterntinit tensiunea de intrare pentt'u care dioda D1 este Druu:t|,,:
v, 2 -8, -V, Q.29)
Dioda D1 conduce pentru v,1-Et-V, iar din circuitul echivalent prezentat in figura
3.24.a putcm dedr,rce expresia tensir-rnii de iegire aplicAnd teoretna potenJialelor noduriloL:

(3.30)

(3.31)

/\)
 tu
rl I

a. '' ( 5lo )"0

{-Tb #
+
YPO _

"PI--"
r/vPI =\/v7
-

tI- =\t
-YPl--vfYz2 \l

Vpr vI
=V^/FVzt
)". - \tYPO--V
=\t \l-!\l Z2

T'l
a-->L-+--------l
t nr \
YDiT
-
! Y^J

. ',{\ | l* i'o
Ir
' /-\---_'-!
{ -1
vpo:g

R vPo=vfE2
-vp1 =-vY-f,r
-(

Fisura 3.22. Circuite uzuale de limitare cu diode.

f v.^.)\/,
t'." | -:.
A'i.
5-*->--n c
\ --------/ .rr
I|
I

/
i tga= (F-Ir
lA:7 lq
tr}-lr-H)
c

tlr | /'rr, Il,\('vL": \ /7

---l--,L--*.-7wss
1f
lnv
I a.\
Lvu' 'r-\
FigLrra 3.23. CircLritul echivalent des;nrnal m;rre fblo:;ilccl miii adeseain analiza
circt:it-'lor rl : lir.iteie.

7l
 pentru v7 > 0 dioda D2 este blocati atdt timp cdt tensiunedv,tcz< Vy $i conduce atAt timp c6t
rensiunea r^.,) Vr. CAnd dioda D2 este blocatd qi in condiliide gol la ieqire
Yo=vr, lN2=lA2-vr'2=vo-Ez=v,-Er3Vr' Q'32)

Din relalia (3.32) se determind tensiunea de intrare pentru care dioda D2 este blocat6:
(3.3 3)
v,<Er+Vr.
Deci, dioda D2 conduce Pentru v, > Er+V, gi din circuitul echivalent prezentat in figura
3.24 cieducern:
v, E, +V"
-T-
'' _ RR +:j;
/?>>&r
..,/
.u, . (E2 + Ia) vo = Ez +V, : V,lo (3.34)
1l
ll =+
R+R, R+R,
RR.
Folosind relaJiile deduse anterior s-a trasat caracteristica de transfer a circuitului,
prezentata in figura 3.22.f, caracteristic[ ce indici tipul circuitului de limitare: circuit de limitare
cu surse de tensiune continud 9i cu prag sus 9i prag 1os.

/a-\ lllq
v1{-Er-V7 [' .t ,, \
I vo
t{ T "Y I
-+E' Y
.,.n/
1*l *o,
I \ '0
*#
\,
-.
H , tl
I

-r,vf"ra{
ff
R

H
}"

R
-l -fF-
0( \r (F-r+Vt.t / i i.._.

.t v
H
R
EF

Figura 3.24. Circnitelc echivalente ce c ar act t ri zeazd fir n c I i o n ar e a circ Lt i t tr I Lr i

prezentat in figura 3.22.f .

7)
 3.10.2. Circuite de deplasare a nivelului de curent continuu

Circuite de deplasare a nivelului de curent continuu, numit gi circuit de deplasare a valorii

medii (clamping), are proprietatea de a deplasa un semnal variabil la un alt nivel de curent
continuu. Circuitul, de regulS, este format dintr-un condensator, o dioda 9i un element rezistiv
(vezi figura 3.25), dar poate de asemenea contine, pentru a produce o deplasare suplimentard, gi o
sursd independenti de curent continu (vezi figura 3.27). Valorile lui rezitenlei R 9i condenatorului
C trebuie alese astfel incAt constanta de timp t = R.C sd fie destrrl de rnare pentru ca tensiunea la
bornele condensatorului si nu scadd semnificativ pe durata intervaiuiui in care dioda nu este in
conduclie. in cursul analizei se va stabili cd in toate situa[iile practice codensatorul se va incdrca
sau descdrca pe durata a cinci constante de timp.
in figura 3.25 este prezentat un circuit de deplasare a nivelului de curent continuu'
Rezistorul R poate fi rezistorul de sarcini sau poate fi o combina{ie intre rezistorul de sarcina Rl 9i
un rezistor R de valoare doriti. Tensiunea aplicatd la intrare are valoarea medie egald cu 0.
Analizdnd circuitrrf .se observd cd pe durata intervah-rlui [0, T/2] dioda D conduce astfel
incfit circuitul se reduce la cel prezentat in figura 3.26.a. Rezistenfa diodei Raeste mult mai micl
dec6t R gi este neglijabild in raport cu impedanfa condensatorului C, astfel inc6t acesta se va
incirca rapid la o tensiune vc = Y, Se poate considera cd pe durata semialternanlei pozitive
tensiunea de iegire este practic nuld ve: 0.
Pe durata intervalului lT12,Tl dioda D este blocat[, circuitLrl echivalent fiind cel din figura
3.26.b, Tensiunea pe rezistenla R, egal6 cu tensiunea de ieqire v0, se determind aplicdnd legea lui
Kirchhoff ochiului de intrare:
V +v,. *vo :0 + vo = -V -vt: =-V -V =-2'V (3.3 5)

Forrna de undd a semnalului oblinut la iegirea circuitului din figura 3.25 este prezentatd in
figura 3.26.c. Se observi cdvorialia totald e sentnalulti cle ieSire este egalii cu varialia tolald a
semnalului cle intrare. Valoarea medie a tensiunii de ie;ire este:

\.).Jvl

deci ciruitttl a realizat o deplasare o valorii ntedii a semnoltiui in sensul negutiv al axei
len.siunilor egalci ctt amplindinea V a sernnaluluide intrare.

li
-l
rt'

R
),,

FigLrra 3.25 Circuit cl': deplir:;at'e u nr' '1;tlrti dr'ctlfclrt corttirlt'it

73
 VrV

a) b) c)
Figura 3.26. a) Circuitul echivalent in semialternanla pozitivd. b) Circuitul echivalent in
semialternan{a negativd. c) Forma de undd a semnalului de iegire,

Dacd dioda se inverseazd conectarea diodei (anodul la masi gi catodul la nodul de ieqire) se
obline aceeagi deplasare a valorii medii dar in sensul pozitiv al axei tensiunii.
in figura 3.27 sunt prezintate cAteva tipuri de circuite de deplasare a valorii medii 9i
formele de undd olinute la iegire in regim permanent, in cazul aplicdrii unui semnal alternativ
dreptunghiular la intrare. Trebuie subliniat faptul cd circuitele prezentate in figurile 3.25 9i 3'27 iSi
pdstreazd func{ia de deplasare a valorii medii gi in cazul semnalelor de intrare cu formd de undd
sinusoidala. Semnalul de iegire rezultat va fi la fei ca cei de intrare dar deplasat cu tensiunea de
incdrcare a condensatorului, Spre exemplu, valoarea medie a semnalului de ieqire pentru circuitul
vafi:
din figura 3.25
I rr | 1r - | -. T 2'V P37'/4
V,=* l- uo(r)dr=; Jrtz
' Tro l:.l-V+Zsin(ro.t)l.dt=-:-'V '-+ - 'IJrt2 sin(ro'/)'dt=
f T 2 T (3.37)
V 2'V 13n/2
=-;+ 2* ). sin(crr'/)'dr =

ffir":L
z[Vr

v1
/
I R) v6 ili
F,t---.
- ll I

\ ttl
-2V-Er I '-'
o-_

r-d
n\b
2V+E'l--l
Vs
,,1
tl
L
-1---?
I",lt" )va
f-'ll" \ .p
tt T !-zv+r.rl
Tt_--F--o
I

Figura 3.27. Circuitc de cleplasare a nivelulLti dc curent continltr-t

7,1
 3.10.2. Stabilizatoare parametrice cu diodi Zener
Schema unui stabilizator parametric cu diodd stabilizatoare este prezentat in figura 3.28.a.
Funcfionarea schemei se bazeazd pe caracteristica neliniard, a diodei stabilizatoare care admite
variagii relativ mari de curent la variafii mici ale tensiunii pe dioda. Liniarizdnd pe po(iuni
caracteristica diodei oblinem caracteristica din figura 3.28.b.
in plaja de stabilizare, iTellz^in, Iz^u*], se poate scrie aproximarea liniard
yz=Vz,+Rt.i/ (il2)
in care V2s este tensiunea de deschidere a diodei Zener in polarizare inversd gi R7 este rezistenla
diferenliali in regiunea util6, de stabilizare, a caracteristicii statice.
Curentul [,,.,1n este determinat de iegirea din regiunea de stabilizare a diodei Zener, iar
curentul [n.u* este determinat de puterea maximd admisibild pe care o poate disipa dioda
stabilizatoare.
Relaliile ce caracterizeazd funcfionarea acestui stabilizator sunt urmdtoarele:

li,=ir+io (3.3e)
i| ', = R'i,,,+vo
lro = ,t = Vzo t R, 'i,
Pentru a determina parametrii stabilizatorului trebuie gisita expresia de dependentd a
tensiunii de iegire funclie de tensiunea de intrare, de curentul de iegire gi de temperaturd,
v6 = ve(vy,io,T). Presupundnd varia{ii miciale acestor mdrimi, prin diferenliere oblinem:

^l^t^l /.jr' |
3l Av, + 3l "',
OVnl I

" 0u, ,,,=o 0i() 1,,=rtAr^" + 0T Ili',='t LT

^rt. (3.40)
Ay^ =
|
T=ct. T=ct vt=cf

Putem defini astfel:

- coeficientul de stabilizare S

1 3v,.wlI
{ r 4t}
I

J du, li,,=o
T =cl

- rezistenla de ieSire Rs
+, 1
vrol ,, 1

D -
rs--* "ol (3.42)
Olg
| =ct
1
--l-l /9 v, =u
lv |
T=ct AI=0

- coeficienttil de ternpercrtttrd S7'

rl
,Sr: -ol /1 4?\
0T 1i"=o
Y t=cl

Aplicdnd t*crlma lui Kirchhoff ocliiulLri dc i;r'iare al circuitulr.ri obtrine m

v1 = R(i7+;o)+vo = R'iu +vo + R'(vo -Vt)l R t (3.44)

l5
 (a) YR Rt (b)

tt -I- lfrzx
2

Figura 3.28. (a) Stabilizator parametric cu diodd Zener'

(b) Caracteristica staticd a unei diode Zener

Din relalia de mai sus se obline

R, R'R,
io -r-----'
R i, (3.4s)
'u=-.Vr
Vn
' -----''
R+Rt " R+Rt ZO
R+R,
Acegtia sunt parametrii de baz\. care exprimd performanlele unui stabilizator. Dacd
considerdm temperatura gi sarcina constante (Z = ct., R1
: ct'), se poate defini un parametru
auxiliar nLrmit tot coeficient de stabilizare in sarcind"

y = (tv,f Lro )lr, = (', l'o)lo^, =o = s(l + h I Rr)^'T' (3.46)

=", '
Un alt parametru auxiliar, numit tot coeflcient de temperaturd ca 9i ,Sn se definegte prin
relalia C, = S, f V, gi exprimd varia{ia procedural[ pe grad de temperaturd a tensiunii stabilizate.
Conform relafiilor de definilie a parametrilor, (3.41) + (3.43), se obline:
s = (R + Rr)f R, = RlRz
Ro=RllRt=Pt (3.47)
Sr = Srz ' nlG+ Rz) 1 Srz = Crt 'Vto
A,,c"i-,;l*!ii inciici utrrtitoarele:
- valoarea parametrului S poate fi mdritd prin cregterea valorilor rezistenJei R; ci'egterea
rezistenle i R condLrce la cregterea pierderilor de tensiLrne Ei poate scoate dioda Z,ener diit plaja de
stabilizare;
- valoarea rezisten!ti de iegire, R6, esie dictata de valoarea rezistetrlei Rza diodci 7,',:ner;
- coeficiclir-rl de ternperaturd este dictat de coeficientul cle temperatltra al diodei 7-'r:"t':r, S7'7,,
respectiv cle coeficientul de temperaturd al dic.dei stabilizatoare expritnat in procerltc pr: grad
CelsiLrs (oC); cocficientul C17este negativ, de aproximativ -0,loh/"C, pentru tensittni Li rirri mici
de 6V Ei pozitiv, dc aproxiniativ 0,Ioh/"C, pentrLl tensitrni V7 mai mari de 6V; coeficitiltttl de
tenrperaturir ei cliodelor cu tensiuni Vyaproxinrativ egale cLr 6V are valoli apropiate de zcti'.
Dio,l:le 7,cner se execut[ pentru tensir-rni cuprinsc intre 3 V gi 200 V, irt diverse cl,ise de
tolerarrii (59,,,l0'/o,20%) qi puteri disipate intlc 0,2W 9i 50\t/.

't6
 Pentru a micgora coeficientul de temperaturd al unui stabilizator parametric, ce are o diodd
Zener cu Crz pozitiv, se plaseazd in serie cu aceasta o diodd D al carei coeficient de temperatu16
este negativ gi aproximativ egal cu cel al diodei Zener (vezi figura 3.29). in acest fel sunt afectafi
gi
ceilalli parametri ai stabilizatorului: coeficientul de stabilizare,S scade rezisten{a de iegire R6
cregte.
Pentru oblinerea unei tensiuni stabilizate mai mari, atunci cdnd nu se dispune de o dioda
Zener de tensiune mare, se pot inseria doud sau mai multe diode Zener (vezi figura 3.30). in
scopul oblinerii unui coeficient de stabilizare mai mare se Foi conecta in cascad6 mai niulte
stabilizatoare (vezi figura 3.3 l). in acest mod cresc insa pierderile de tensiune. Alegerea
rezisten{ei R trebuie fdcutd cu grijd pentru ca ambele diode si funcfioneze in plaja de stabilitate.
Un coeficient de temperaturd scdzut se obline, pentru circuitul din figura 3,30, prin
introducerea unei compensbri termice (vezi figura 3.32). Astfel cu ajutorul grupului rezistiv P, R/ gi

R se regleazd punctele statice de funclionare ale diodelor Zener pentru a asigura o stabilitate
optimd la varialiile temperaturii mediului ambiant.
Obsen'u1ie
Diodele Zener nu se conecteazd in paralel in scopul oblinerii unui element de reglaj
derivalie de putere disipata mai mare, deoarece micile diferenle existente intre tensiunile de
stabilizare ale celor doud diode determind intrarea in conduc{ie a diodei de tensiune mai micd gi
menlinerea in stare de blocare a diodei cu tensiunea mai mare. Acest lucru conduce la distrugerea
ambelor diode.

tR

FigLrra 3.29. Stabiliz?'or' porametric cll Figura 3.30" Stabilizator cli diorle Zenel
cnmnerlq3re tCfmiCd legate in serie
p. Rz in R

vR

FigLr, r 3.31. Stabilizator cLr CoLrd etaje dc

I
*----
FigLrra 3.32. Stabilizxtcr
,1 ,^7
r -";
cu dicdc Zen;r
stat,,ilizare Iegate in serie gi cornpensafc terrnici

77
TRANZISTOARE
BIPOLARE
CU JONCTIIJNI

,1.1. Generalitl(i
Trar-izistoarele bipolare cu -joncliuni au fost prirnele dispozitive semiconductoare folosite ca
arrrplificatoare gi comutatoare contandate labricate pe scard largd. Odat6 puse baze/e /eorelice ale
acestuia de cdtre II-illiam Shocklet prin publicarea teoriilor sale referitoare la irt.ie clia de purlalctri
rrtinoritari in l9:17. respectir, la /ronzislorul cu .lonc'1iuni p-n in 1949. produclia de tranzistoare
bipolare cu jonc{iuni a derlarar rapid gi s-a dezvoltat continuu atAt sub formd discretd. cdt gi
intesratd. incepAnd cu anul 1985 aceastd produc{ie a fost devansatd de ceabazatd pe tranzistoarele
cu efecr de cAnrp cu grila izolatd (I\4OSFET) care au devenit dispozitivele dominatite atAt in
aplicaliile ce folosesc dispozitir,e discrere. cAt gi in cele ce folosesc circuite inieglate. itr plezent
prala dispozitirelor;i circLritelof irltegrate bipolare s-a restrArrs nutnai la dorneniile freo'en{elor
inalte gi ai ritezelor de rdspuns foarte mari. dontenii in care practic acestea nu au cottcurettli
serioSi. Dezr oltarea incepAnd cu anul I 981 a tehnologiei tranzistoarelor bipolare cu
heterojoncqiuni semiconductoare a {bcut posibil lucrul la frecvenle de peste 100GHz gi oblinerea
unor timpi de rdspuns rnai ntici de l0ps.

Denumirea de tran:is/or provine din reunirea cuvintelor lransfer-rezistor gi care relevd

prirrcipala proprietate a dispozitir,elor ce poartd aceastd titulaturS. Denumirea de bipolar provine
din faptul cd in funclionarea dispozitivului intervin doud tipuri de purtitori de sarcind de semti
diferit: electronii gi golurile. Tranzistoarele bipolare utilizeazd proprieta{iile.lortcliunii
senticctnductoare p-n (ornogene sau heterogene) gi pot fi realizate cu o singurd jonc{iune, cazin
care poafta nurnele de tranzistoare uniioncliune (prescuftat TUJ), gi cu mai multe jorrcliuni. lr
acest c'apito/ se prezintd numai tran:istoarele bipo/are cu doua joncliuni senticonducloare p-n
omogene. De aceea, ternrenul de tranzistor bipolar se va referi cu precddere la acest tip de
disnozitiv.
 Tra,zisloare/e bipolare ct.r joncliuni sunl dispo:ilit'e e/ectronice cu trei bonte" emilorul'
diferite (n
ba:a ;i cct/ec:torul- ce.fac /egiirura la trei regiuni .senticnndt'rctoare de conduclihilitali
saLrp). Tranzistorul bipolar cu jonc!iuni (prescuftat TBJ) poate s6
fie o structura de tip rryrri sau de
sullt feprezentate ilr
lilt 1,t1t. Cele doua structuri precum gi simbolurile corespunzdtoare acestora
acesteia fiind
figura 4. 1 . Sageata clin simbol corespunde .iorrcliunii p-rr et-nitor -baza. sensul
iptotdeauna de la regiu tlea p la regiunea r gi ildicAnd sensul norrnal
pozitiv al curentului prin
structurd. Tot i' aceasta figura sunt indicate 9i convenliile de sens pentru curenlii 9i tensiunile
corespunzdtoare celor doud tipuri de tranzistoare'
irr analiza circuitelor cu trarrzrstoare. in cele mai multe cazurt^ aceste dispozitiYe sunt
intrare 5i unul de iegire'
considerate ca tliporturi. Un diport este o retea ce are doud porluri: unul de
Deoarece tranzistorul bipolar cu jonc{runi are numai trei borne, una
trebuie sd fie comund intrdrii
ale uttui
gi iegirii. Borna cornund definegte conexiunea tranzistorului. Conexiunile fundatletrtale
trarrzistor sunt: bazd contund (BC). entiror cotilLtn (EC) ii coleclor comun (CC): figura 4'2'

l.l'ezi Itta accste conex iutii.

pentru descrierea cornportarii tranzistorului se pot defini trei curenli 5i trei tensiuni. Cum
rruntai patru dintre aceste sunt independente, puletn deci descrie cotttplet ct)tttpot'tat'ca
trart:islorului in regim sta{ionar Si rs,asistalionar.fblosind doudtensiuni 9i doi cr-rrenli
sub forn-ia a

tlotra a'fatnitii cle caracler"istici independenle"

-- BazA ,r BazA

ilT lt
n It

Euritor Colector Ernitor C'olect0r

Ettutor r-rlectr-rr (C') Euritor olector (C')

'-t- Y'. -f

IL- A in
vFP, \. t Hr \
^
:/ / \F,:
rp

BB
Figura 4.1. Structuri principale de TBJ gi reprezentarea simbolicA a acestora:
a) structurile TBJ'. nptt gi pnp; b) reprezentarea simbolica in circuit; c) sensul convenlional
al curen{ilor gi tensiunilor.

19
 /1 = /1 (1'1 . trr .) (4.1 )
l- = i.(1.1.1.. )

Familiile de caracteristici ce descriu tranzistorul se pot exprirna pentru toate conexiunile

fundanrentale ale acestuia gi pentru fiecare dintre acestea. in.funclie de aparlenenla ntdrimilor
implicatc /d porlurilc concxiunilor. pol sd.fic: caracteristici dc inlrare, caraclcrislici de transfcr Si
c'arac'/eristici de iesire. Figura 4.2 preztntd. pe lAnga conexiunile fundamentale ale tranzistorului.
toate tipurile de caracteristici corespunzitoare acestora.
Figura 4.1 aratd faptul cd structura tranzistorului bipolar cu joncliuni cuprinde doud
joncliuni semiconducloare. in funclie de modul in care sunt polarizate aceste joncliuni, direct sau
invers. se definesc regimurile de funclionare ale tranzistorului bipolar:
. regimul normal de lucru sau ucliv normal(prescurtat RAN) este ob{inut prin polarizarea
directd a .joncliunii enti/or-baza Si polarizarea int,ersd a.joncliunii coleclor-hazd;
. regimul inversat de lucru sau activ invers (prescurtat RAI) este oblinut prin polarizarea
inyer.sd a,joncliunii emilor-bazd Ei polarizarea directa a.joncliunii coleclor bazd;

Caracteristica de de
Caracterislica Caracteristica de
transfer i iegire
Bazd comund
.I
I (:= lc (ltrc.)J,,r,

i c= ic t r'3s )1, _-, sau

Ernitor corlun
i c=ic(t'cr)1,
'' tit -t'

i s= i a r'n, )1,
, (.1 --,
_Lr
i c= l..(t'sr )],'L I --,
-r'
sau

Colector cornun

lu(vc.u)1,.,
=.,

i t(v x:) r,,.,,=,,

ip(t'67)1,;,_., sau

Figura 4.2. Conexiur-rile fundamentale pentru un tranzistor rrpn gi fan-riliile de caracteristicr

corespurrzdtoare acestora.

80
 . regintul de soturalie (prescurtat RS) este oblinut cAnd arlbele.ioncliuni suttt polarizate
d irect:
. regimul 4e blocare sau de tdiere (prescurtat RB) este oblinut cAr d ambele joncliuni sunt
Polarizate invers.

4.1.1. principiul de funcfionare al tranzistorului bipolar cu jonc{iuni

Un tranzistor bipolar cu .joncliuni este alcdtuit din doud joncliuni semiconductoare'

jonclir-rrrea entitor-bazd gi joncliunea colector-bazd. ce impart o regiulie cotnuna' regiunea bazei'

dispozitiv
Nu orice doua -ionc{iuni alaturare fonneazd un tranzistor. Pentru a putea fonna acest
electronic. cele doud ioncliuni fonrate prin alteman!a. pe acelaqi monocristal.
a trei domenii
electrica a
serriconductoare de conductibilitatri diferite trebuie sa Jie cuplate electric. Cuplarea
cAnd sunt indeplinite urmdtoarele dor-ri condilii:
-io1c1iu1ilor se realizeaza atunci
. .jo,clrunea emilor-hazd trebuie .sd.fie pulen'tic asimelrica. adicit emilorrtl sd.fie ntult mai
pulernic dopat cu itnlturitdli clecat baza, a,st.fbl incat la polarizarea diLecta a acestei
joncliupi c,urenltrl ce o parcurge sd.fie practic irt inlreginte alcatuit ditr J'ttu'ta/ttt'ii clc
sarcind ma.ioril ari ai regiurtii erttilot'tr/tri:
. luttgitttL'a dc
regiuneo bazei. comuna celor doud.]oncliuni. sd.fie mult rnai sublire decat
de sarcina
ctilu:ie a purtdtorilor rninorilari ai acesleia. astfel incdt fluxul de purlatori
ma.joritari ai regiu11ii erritorului. oblinut prin polarizarea directd a
joncliunii emitor-baza'
sa a.iungd aproape in intregime la regiunea de sarcind spaliala a colectorului.

Tranzistorul bipolar fr:nclioneaza ca amplificator irt regirn activ ttorttial' Futicliortarea

de tip prtp itt
acestuia in RAN (ef-ectul de tranzistor) va fi explicat calitativ pentru o structuri
conexiu'e bazd comun6 folosind figura 4.3. in figuri. sdgelile indicd sensul in care
circuld
de curellt
fluxurile de purtatori de sarcin6. iar mirimea sageliilor indicd mdrimea componentelor
reprezentate.

ConsiderAnd polarizdri de valori moderate. cdderile de tensiune pe rezisterr{ele

de rolutlr

ale regiulilor cyasitteutre se pot negli-ia 9i telsiunile de polarizare l;tt> 0 li I/c:a<

0 se regasesc
pe regiunile de sarcipi spalial[ corespunzdtoare celor doui joncliuni. Ca atare. barierele de
jorrcliunea emitor-bazd.
poterr{ial pe aceste regiuni sunt O!,f,) -Vu,,, respectiv @!tu'*\Vrt\. La
deoarece regiunea en-ritorului estemult mai puternic dopatd decAt cea abazet, predontind injeclia
de goluri clin emitor. Pentru a caracteriza cantitativ injeclia golurilor din ernitor in bazd
se

introduce coeflcierrtul yr numit e.ficien(a entirorului care reprezinta fracliunea curentului

util de
soluri iniectate in bazd din curentul de emitor:

(4 2)

81
 n

o-+ o>
o--2 c,) Fhrx cle'r,
o-+ o>
IE
I goluri iu \,
Fhrr de coleclor 7'
gohrd in i

q->
emilor a-+
---|.,.v,
Reco mlrinlre-7-
iu enilor brzi I c_:eo

Figura,1.3. Fluxunle de purtdtori de sarcina printr-o structurd de tranzistol'bipolar

jorrcJir-rni derip pnp polarizard in RAN.

ln bazd. golurilein.jectale sunt purtdtori de sarcini minoritari Si curg prin di.fuzie pAIra la
granita regiunii de trecere a joncliunii colectorului. Datorita faptului cd regiunea bazei are o lSrgirne
nrult mai mica ca lunsimea de difuzie a golurilor in bazd gi o dopare cu impuritSli redusa.
rec'ontbinat"ea golurilor cu electronii maioritari din bazd e,ste limilala. Golurile aflate la granila
regiunii de trecere a joncliunii colectorului sunt antrenate. peste aceastd regiune, de cAmpul puternic
al reeiunii de sarcind spalialA a colectorului gi formeazd in colector an curent de goluri, notat cu 16;,

aproxintativ egal cu cel a/ emitorulzri. Astfel, caraclerizarea transportului purt6torilor mirroritari

Frrrn baza se realizeazd printr-un coeficient 0r, numit coe.ficient de transporl. definit prin relalia:

R-
irp ir, l-l
Pt-
lt',, I1'r,llp
= 1 + i,, ir,
(+ i)

Curentul de colector poate fi deci exprimat sub fbrrna:

ia = 1cr, * ]cn,, =F,'"'l r.i, + Ir-ur,, = oF iu + Iruo x io (+ l)
in care -I16e reprezint6 curentul de saturalie (sau rezidual) propriu joncliunii colectorului polarizatd
inrers. iar u1, reprezinta .factorul de antplificare in curent in sens direcl, in conexiune bazd
comuna.

Decr. mec'ani.s'ntul principal dintr-un lranzislor in regim norntal de funclionare este

transJbrul cttrenlului de la emilctr, prin baza, in coleclor, adica dintr-o zond cu rezistivitate mica
Qonclitrnea emitor-bazd polarizala direcl) intr-o zond cu rezistittitale ntare Qoncliunea coleclctr-
baza polarizatd invers), crtrtsliluind aSa-nuntitul efecl de tranzistar. Acest lucru relevd faptul ca
tranzistorul ampliJicd tn putere.

82
 4.1.2. Tehnologia de fabricare a tranzistoarelor bipolare cu
joncfiuni

Tra'zistoarele se fabrica iltr-o garnd foarle variatd de tipuri constructive prin

utilizarea

uror procedee tehnologice ca: tragerea dirr topitr-rrd, alierea. difuzia' cre$terea epitaxialA'
ir-nplantarea ioti icd etc.
prirrul tranzistor bipolar fabricat pe scard largi a fost rrarr--is/orttl cu conlact puttctifornt ce
fabricarea la scara
avea ca supoft semiconductor sernraniul de tip il. Din anul 1950 a itrceput
industriald a tran:istoarelor bipolare de lip pnp cu jottcliuni p-tt obyinute prin aliere'
TBJ aliate se

realizeazd prin alierea a doud bile de indiu la o pldcula de gerrnaniu de tip

rr' Aceastd aliere
de In' care
produce o topire locald a semiconductorului, care apoi recristalizeazd inglobAnd atomi
constituie un doparrt de tip p pentru Ge. formAndu-se astfel regiunile emitorului 9i
colectorului.

Tranzistoarele de tip npn pe suporl de Ge au inceput si fie fabricate din arrul

1951 folosind
schinlbAnd de trei
procedeul te6nologic al cres/erii epi/axiale (cristalul de Ge se cre$tea epitaxial
ori tipul de dopare cu impuritdl,i: rtr.p qi apoi il). Carn in acelagi timp, peutru a putea satisface
largd a9a ttuttiitul
cerinlele irnpuse in apticaliile de inaltd frecvenld, incepe sa fie produs pe scard
rran:istor cu barierci de supra.fald, ce folosea proprietalile joncliunii metal-semiconductor'
Dez'oltarea tehnologiei de impurificare a semiconductoarelor prin difuzie a condus
la

fabricarea din lg56 a tranzistoarelor lr4E,SA difuzate;i. apoi. a tranzistoarelor

plar-rare dr-rblu

difuzate atat sub fbl"nd de cornponente discrete cAt gr. incepAnd cu arrul 1960. sub formd
integratd.

Secven{ele tipice de fabricalie ale tranzistoarelor planare dublu difuzate I-noderne sunt
rnai precis al
ilustrate in figura 4.5. CAqtigul rret al acestei tehnologii a fost oblinerea unui corrtrol
grosinii bazei. gi posibilitatea micgorbrii spectaculoase a acesteia (< 0,5pm). In figuri este ilustrat
procesul tehnologic pentru un dispozitiv discret qi de aceea contactul de colector este
figurat pe
pe aceeaqi fald a
spatele pl6cu[ei de Si. in ctrcuitele integrate contactul de colector se realizeazd
plachetei ca gi cele corespulziroare emitorului gi bazei, 9i pentru oblinerea unei rezisten{e
a

contactulr.ri cAt mai r-nici. contactarea se face pe o zond de tip n- drfuzatd in regiunea rl a
colectorului in acelaqi etapd in care se realizeaza difuzia de emitor.

4.2. T eoria tranzistorului in regim sta{ionar,

la nivele mici de injec{ie
in acest capitol se vor detennina expresiile curentilor prin tranzistorul bipolar cu jonc{iuni.
precum gi circuitele echivalente acestuia pentru regimul staliorrar. Se va irrcepe cu atializa uttui
tranzistor ideal. urniatd de arraliza efectelor bidimensiorrale (2-d). corespunzdtoare structurii reale.

4.2.1. Ecua{iile Shockley pentru tranzistorul bipolar cu jonc{iuni ideal

Ecualiile curent-tensiune oblinute de Shockley au fost dezvoltate folosind un ntodel

unidimensional pellru transytortul purtdtorilor de sarcina prin struclurd.lpotezele suplimentare
pe care sebazeazl, teoria sunt:

83
 SiO"

Si-u

. sio" h) Reoriclalea srrprafelei

ll
b ) 5iO
"
cresclr I lenlic: 1000'(
- fr) lolezisl t Praclicarea fereslrti Deltlnt difitzra
cle enrilol in SiO, priu lepetarea ci f1.

lt

c ) .{.Plicarea fo 1o rezislorrr lur

j)Difirzia iruprrrilalilor cle 1ip n+ cle ettrilol

ll
cl )Fotorezistonrl esle expus l)
;i clevelopal. k 1 Reoriclalea srrprnfefei

e ) E s1e pr.rclica ta fetea stm 1;eutt'tt Placlicarta feles tre lo t' tretttttt co ttlat' tele
difirzia cle baza in SiC '. cle eruilor gi baza priu r:epelare c)-f).

f t Fo torezr s1o nrl esle illa Itlr1. iDeprrnere cle Al.

C oleclor
gi Difuzir inrprrrilalilol de lip p
oe Di zll, yrea lemriunleior' ;i incapsttlarea
n ) A1a

Figura -1.:1. Ilustrarea etapelor de labricalie a tranzistoarelor planare dublu difuzate prilr
reprezentarea secVenliala a secliunilor corespuuzAtoare unei structuri.

. .ictncliunile tranzistot'ului sunt abruple,iar concentr"aliile de intpuritaliin cele trei regiuni

selr'riconductoare ale tfanzistorulL.i sunl uni.forme.
, regiunile de emitor Si de c'olector sunl suficienl de groa.se irr rapott cu lungimile de
diiuzie rle purtatol'ilor de sarcin6. \ar grosintea ba:ei esle mult ntai mic'a decat lungintea de di.fu:ie
a purtatot'ilor ntinoritai'i ai acesteia.
. se neglijea:a contplel e.fectele dalorate geontelriei reale a dispozitivulzil gi se admile ch
jonclittnile sunt plane. egale tntre ele Si cu efec'le de ntargine neglijabile;
. se neglijea:d, de aseurenea. e.fbclele care au loc /a suprafala lranzistorului,
. nu exis/d alta exc'italie exlernd in a.fara lensiunilor aplicate slructurii. iar mdrimea
acestora este restrictiorratd pentru asigurarea unor niyele mici de injec|ie a purldlorilor de sarcind;
. se neglijeaza.fenomenele de generare-recontbinare din regiunile de sarcina spa{iala ale
celor doui joncliuni.

84
 Structura caracterizatd de ipotezele de mai sus poarld nulrele de lrattzistor
bipolar ctt
jonr.litrni itleal. Ecuatiile curent-tensiune se vor determitra pentru o structurd ideala de rip pnp'
termodinauric' iti
repfezentatd. impreuna cu principalele caracteristici ale acesteia la echilibru
fi gura ,1.5 .

Curellii de emitor gi de colector vor fi evaluali joncliunilc rcspective. unde. profitAndu-

la

se de faptul ca densitalile de curerrt ale purtatorilor de sarcitta sunt

constante in regiunite de sarcind

spaliala. cor.nponentele lor de goluri qi electroni vor fi evaluate in regiunile

in care purldtorii
la nivele
respecti'i de sarcina sunt puftatori nrinoritari. Aceastd strategie este adoptatd deoarece,
r'ici de injeclie. curentul de purtdtori minoritari poate fi erprirnat ca un curellt de difuzie'
i1 consecinla. curenlii prin structurd sutrt dali de urmdtoarele relalii:
I r, = Ai i/,(0) + A, ' .i,Gln)
(1.5)
I,-- = At. it,(f|/)+.4,' .i,(Il/ +lr)
In=le-lc'
care /6 5i /1 reprezintd grosimile regiunilor de sarcini spaliala ale emitorului.
respectir
in
colectorului.

,lro 0 \\t, \\r(, +lco

P,,,

Figura 4.5. Tranzistorul bipolar cu joncliurri ideal de tip pttp"

a) structural b) concentraliile de irnpuritdli; c) varialia densitalii de volum a sarcinii iti
tranzistor. d) varialia potenlialului.

85
 Folosind aceeagi rnetodl de determinare a densitalilor de curent ca cea aplicat6, in capitolul
al doilea. unei joncliuni p-tt polarizate oblinern ecualiile simplificate ale curenlilor prin structura
deternrinate de Shockle-v in 1949 si care ii poarra numele:

D,'P, ''i,,' 4't,n l-'l-

r, =.4 lq'D'L
-4 L, ctrrl[ ]-l [."ri
t \/r.l [', k.T ] I
.4.4'D,.t,, gJ-\_,)
' 1,, slr(rl' 2,),f.rol
[ '\kf ,) i (4.6)
I =. .4'D,'I',,
Lt slr(ll r,)[
[.^ol
'r
Q'l',,' l-'-]-
k.T ] I
.q.D,.p,, .,t,{4.1-l [._oIr r, I]_r)
.,,,,
., la D,L' L.
I 'L))a'\ k'T I

Aceste relalii pot fi puse sub fbrrna urmdtoare:

I =o,, [.,0 l\+l-'-l-,.[."0f

K'I \+)-,)
' K'I
L ' _l [ ', _)
-l (4.1)
| ="t [.,0]++l o '\ k.r,
t k.r, '-lI [.,0[+l+t-
t _l

CornparAnd relaliile (1.6) li (4.7) se corrstatd imediat cd:

a)t = a1:. (1 8)
fi r rt iliz4ii ulterior.
relnt ie ce r a
Calculdrl acurn marirnile ys gi B, ce caractertzeazd eficienla funclionarii tranzistorului in
regim actir nornral:

.' D:.F' n' .\''|',

f) JtEt ,'.1
1'{f)
"p "tt
Il <<Lt' (4 e)
^ I
11
vt-
:- a
ch {
\
ll- /..P.l)
,l-r I 'lIr rr- rl
I

2\1,,)
I

\.r/

Aceste relalii relevd inca o datd necesitatea ca: (1) joncliunea emitor-baza sd fie puternic
asinietrica (-\''ru' tt-\';''- cu cateva ordine de mdrime) gi (2) grosimea6azei sd fie mult mai mici
decat lungirlea de difuzie a purldtorilor minoritari corespunzdtori acestei regiuni (in cazul nostru
Il'<-<Lt,). pentru ca cele doui mdrimi de eficien!6, lr $i 9r, si fie apropiate de unitate.

86
 1.2.2. Modelul Ebers-Moll pentru TBJ

fost puse intr-

Ecua{iile (:1.6) corespunzatoare unui TBJ ideal in conexiune bazd c'otttt'ttld au
o forma compacta in 1954 de Ebers gi N4oll. E,cualiile generale oblinute. ce poartd tiunrele
de

ec.tra(iile Eber.s-l:foll pentru TB.l ideat(sau ecualiile Ebers-Moll originale).

surlt:

rr,,,r -l r /" \ I
I, I r,.lexPl#l-'l
1,. + 1-'l-o,,
l.^ol
L ' trt , L \tT j I t-l.lor
I r' I I tt'-^,-l
Ir=ctr /0, le^pl #l-ll-1.l.*ol
, lt ' -l l-'l
t \r1 I -i
f
lll Care:

ur=aa'Te (1.1 1)
0,e = 0n 'Tc
pararnetrul /65 reprezintd, crn^enttrl de ,saturalie al diodei emilor-bazd mdsural cu cotectorLtL
ntdsural ctt
Scttrlcirctrilat la ba:d. iar 16-e reprezinti curenlul de.satura(ie al diodei coleclor-bazd
emil orttl scurl c'ircuil al la hazd.
pararletrii o.p gi up reprezinta c'oeficienlii de ampli.ficare in' sens clirecl- respectil in sens
itn.ers.i, conexiun e ha:a comund cu ie.yirea in scurrcirczril (colectorul scurlcircuitat la
baza pelttrLt

sensul direct de transport. respectiv cu er-nitorul scurlcircuitat la bazd

pentru seusul invers de
transporl).
Factorul oB este factorul generalizal de transpot'l al purldlorilor minoritari injeclali
in
urreijoncliuni.
haza si reprezintd fracliurrea de purtatori minoritari. injectali in bazd prin activarea
pnn acesta
cc reugesc sa scape procesului de recombinare pe durata transpotlului prin difuzie-drift
regiune gi sunt colectali de cealaltd joncfiune.
in tranzistoarele reale, datorita efectelor produse de cAmpurile electrice interne datorate
gradien{ilor corrcentralilor de inlpuritali. valoarea Iui u6 va fi diferitd in functie de direclia
de

trallsDort a purtatorilor tninoritari.

pararnetrii yr $i yc.reprezintd eficienlele generalizate de injec{ie ale purtdtorilor minoritari
in bazd corespunzdtoare celor douh jonc{iuni ale tranzistorului emitor-bazd 9i colector-bazd'
comparand relaliile (4.10) cu (4.7) se obline urmatoarea relalie:
(1.12)
0p /rs = ctR '/cs
ce aratd interdependenla paralxetrilor relaliilor Ebers-Moll'
NotAnd cu:
/ tr \ |

I
lDE --l lES I .*ol --qa l- t
L',\r''l I
I

(4. r3)
- / \ i'
| | r/ \
I raR | .
I

|
rlla .lexDl -.'.: l-l I

- rcs
L',\r. I
-I I

.l

81
curentii caracteristici-joncliLrnilor tranzistorului. ecualiile Ebers-Moll pot fi puse sub forma:
Ie=]r,e-s,n'Inc (4.14)
lC=CIp.'1pp-l1r'
Circuitul echivalent corespunzhtor acestor ecualii, dat in figura 4.6.a, se nume$te modelul
Ebers-l,loll cu generatoare de curent comandale de curenli prin diode sau ntodelul de sentnal
mctre de tip diport (c'uadripol1 neliniar cu parantetri -vpentru TBi in conexiune BC. Pararnetrii /r-s.
/cs, oF gi ap se intAlnesc Ai sub denumirea de parametrii de cuadt'ipctl de scurtcircuil.

Ecualiile Ebers-Moll pentru un tranzistor de tip npn sunl formal aceleagi. dif-erind doar
sensul tensiunilor aplicate pe tranzistor:
f (v
| :| BF\|
-l
f tv \ -l
lt = lr. eXDl
I 'l t' I| l-l ' l-CX!'/,I

l.*pl l5
\lr
s l-tl
) )
L 'T )
|

|
\ -l'
(.1.1 5)

l,=u, .I,r' I r,,,

erpl --el-1
-l
f trt
l.*pl E l-r
-1,. ' I r,/
t-
\',7 ',|
I
l |

I 'l ', ) L _)

Circuitul echivalent corespunzator ecualiilor (4.15), corespunzitoare TBJ de ttp npir. este
reprezentat in figura 1.6.b.
PrelucrAnd forrna iniliala a relaliilor Ebers-Moll pentru un TB.l detip pnp in conexiune BC.
prin elirninarea irr prirna rela[ie a curentului 1p6 gi irr cea de-a doua relalie a curentului 1ps.
oblirrenr aga numitele ec'ualii de cliport ltibride:

.Ic.=crn'I, +
I rr/ .-"
FR
t ,
-]

/o =(l -ct F o.^).1u, 3l-tl*o,,

i.tof
L'\r;r
Iuu,, ' exDl
L',\r;t
l-l I

l-l
I
(-1 t6)
f rt'\
Ir =a-r,Io,-(l-a, snl 1,. [.*oits.l-1-l= ..r.tt-Iruo I .rpl e l-t
[ \''rl _l ['\r;, ]

Parametrii

Iraa=(l-oo.or).1ur. IcB,.t=(l-oo crn) 1c, G.17)

reprezintd cufenlii reziduali (de saturalie) ai joncliunilor ernitorului gi colectorului masurali cu
colectorul. respectiv ernitorul. in gol.
Circuitul echivalent acestui tip de ecua!ii poart6 denumirea de ntodel Ebers-Moll cu
generaloure de c'urertl conlrolale de t'urenlii Ia borne sau modelul de semnal mare de tip diport
(cuadripoll neliniar hibrid pentrlr TBJ in conexiune BC gi este reprezentatin figura4.7.

Cea mai folosita conexiune a TBJ este conexiunea emitor comun. De aceea, toate tipurile
de ecualii prezentate anterior pentru conexiunea BC se vor rescrie pentru conexiunea EC. Acestea
se vor obline siniplu prin irrlocuirea in ecualiile corespunzdtoare a marimilor Is gi V6s, in cazul
unul tranzlslor pnp. prtn'.
| - Jr
tL I I t'trB- - L/
tef,*t L/
(1 r8)
- - ttJ. LB

88
 o.n'Ioc cr-p'InE

T
Ia T-
+ +

*I" tI"
Lr)
prin
Figura 4.6. N4odelr"rl E,bers-Moll cu generatoare de cureut coluandate de curer-riii
diode pentru TBJ in cotrexiune bazd comund: a) de tip pttp;b) de tip iiprt'

g{.'Ir c-r-p'Ir U*,'Ic Clr'Ir.

f IC
I,1 .L
+ + +
l-r \.-.e',_
5B I6s-.,.lexp( u-/'l Il H I."o'lex1;tfQi tl
\.7 T L VT
rB
Vre
il) b)
Figura,t.7. N4odelul Ebers-Moll cu generatoare de curent coutrolate de curen{ii la borne
perttrLl TBJ irr conexiulle bazd colnulrd: a) de tip pnp'b) de tip rrpit'

Obtinenr astfel urmdtoarea formb pelltru ecualiile de diport k'uadripoll cu parantelri

hihrizi in c'onexiune EC'.
-l

r _ Ic,.,l1pn'ltexpl/r--)
rB-. til-tl
l*Fp [ 'tt i _]

I r-"\
Ic=Fr '1n-(1+l3n) Iru,,'\expl .= l-l l=
-l

(4.1e)
S \.rir) _l
-
Is-(1*Bo) I,uo
I rr'-'['..,
=p1,
L.-t[-ffJ-'-]
irr nerc nerqrrretri i

0F'
^
l-Clr (4.20)
u,R
^
l-cln
sunt cur-roscu{i sub denumirea de,/actori de antplificare it curenl in sens direcl, respcctit'itn'ers, ltt
conexiune EC.

89
 4.2.3. Caracteristicile statice ideale ale T.B.J. intrinsec

in aceasti secliuue se \ or prezenta caracteristicile statice ideale corespunzdtoare a$a-

nurritului tranzistor intrinsec. oblinut prin ignorarea geometriei reale a structurii ftz\ce, in doud din
cele nrai folosite conexiuni ale acestuia: BC gi EC. Ecua{iile pe baza cirora se vor trasa aceste
caracteristici sunt ecualiile deduse in subcapitolul precedent pentru o structurh de tip pnp.

In conexiune BC
. Carac'leristicile cle intrare. I, =lln(Vuu)1,,,n=,r. se traseaza plecArrd de la relaliile (4.15)

Pentru I,'cs = 0 oblinern o caracteristicd sirnilard cu cea a uneijoncliurrip-n:

f rr' -l

I, = 1,, e\Pl -:l l- t I

(4.1I )

I 'I-t ' -l

Pentru Lc, .0, 21 V, a\/eln:

[.'csl
r tr,r r -l lr/ \
"- l.'o[I +
tr" =trs ]-,
I l*..'n'l, s = lrr expl+l-1r, 11-ao t. (4.22)
L It ] rlr )

iar pentru inversarea polaritalii tensiunii de colector. adica pentru Vr,,ur0 voll avea:

f /,. \ -l

I,- 1,
-- ,_r,n_qr ur, l,s e\plf l-t] e.n)
L \,/ ,/ _l

Fanrilia de caracteristici de intrare pentru toate aceste situalii, ce plaseazd tranzistorul in

toate re.sin-]urile de func!ionare. este ilustrata in figura 4.8.

0
LT

k*A^,t.I
\:_^ : (

Drlr-tt-r p-l]fr1r 1p \rcB'] o

Figura 4.8. Caracteristicile statice ideale de intrare ale unui TBJ intrinsec deIip pnpin
conexiunea BC.

90
. C'aracleri.st ici/c cle lransfer. I,, =ll,(v u)1,,,,-,,. se determittd tot pe baza relaliilor
(4.15). Proce dAnd intr-un Inod siuri lar cazului precedent oblinem :

. pentru I''cs = 0

I rr' \
Ie=Clr' 10. lexpl
|
+a
"l t
(4 24)

' pelltf Ll L.t <o

(lt' \ (4.25)
Ir. = cL r" 1rr'expl
,.
f,', l* l.t .(l - crn)
)

' pentru I1r',, > 0

I ti.,t ]
(4.26)
t, --lt,', nn-
1.. I
expl j-'
t'rli r I
I
Familia caracteristicilor de transfer este ilustrata in figura 4.9.
. Cat.acterislicile cle ie;ire. Ic = Ic(I".r) pot fi reprezentate atat pentru I"nu = c1" cAt ;i
pentrLr It, =cL. in priniul caz se pornegte de la ecualiile Ebers-Moll. iar in cel de-al doilea
cle la ecualiile de diport hibride (4.16). Pentru a trasa prirnul set de caracteristici
se

procedeaza la fel ca iu cazr-rrile precedente. Trasarea celui de-al doilea set de caracteristici
incepe cu trasarea caracteristicii corespunzdtoare lui 1t = g'

I,--l,n IlexPltl'.,,,.-l
l=l-'l
(4 21)
r'7' t \ / _l

,Q
ir- ill'i t"'cE,: o

rur^- -:' f)
Lta
(l-=nq),_ls-s RS
\'--
J i -d15

e-.T__
RA.I
Fieura 4.9. Caracteristicile statice ideale de transfer ale unui TBJ intrinsec de tip pnpin
conexiunea BC.

91
 Ig-r:Irr+AIt

Reginr acliv uoltrml Reqinr acliv nomral

Regim \iB? =\;Br *.1\ Ee
Regiur Irr= Ir rlA It
cle cle
rl Irralle . .\,oo.
u5.rpi'esp{-- )
sir tr r r:r Jie
' \is1 .:-g I-.
-Lt
\ r"{ u-r'Isr IE{)

-\'ce [\t] -\ire [\']

|.
Ft-
Resim
. ,-'
cle Regim cle
1. Dloclll'e Lrlo care
a. J.
Figura:1.10. Caracteristicile statice ideale de iegire ale unuiTBJ intrinsec detip pnpin
conexiutrea BC: a) pentru V1113 = cl.; b) pentru I,t = .

"1.

Celelalte caracteristici se oblin prirr transla{ia pe vefticala la distanle corespunzdtoare

an.lr (presupunAnd cd o,/..este independent de curentul gi de tensiunea de colector.;. in
figura 4.10 sunt reprezentate anrbele tipuri de caracteristici precum gi imparlirea acestora
pe dil'eritele ree.irnuri de lurrcliorrare.

in conexiune EC
, Caracteristic'i/e de irttrure. I, =llu(l'rs)1,,,=*. se traseazd folosind relaliile (4.15) in

care se iniocuiesc rnirirrile I6gi I,'6s cu relaliiie (4.18). Caracteristica corespunzdtoare unei
tensiuni Ii.u = 0 este de tip dioda:
-l

Io" =
/r:
I /cs
I
- l*[3r]L
| I' I
'i [| ..tol -:q (l l8)
'l-[3, '\r; Ii- r l I

Dacd tensiunea de colector este suficient de negativd (.lltr,,tltV,t, + 4 .I/L ) atunci

r f ,I tr't-k
-l I
, /lr I Ja(
Ir=:
' e\Pi =i -l - (129)
l-9r I't I l-F,
gi teoretic vorn avea o singurd caracteristic6.
Daci tensiunea pe colector este pozitivd atunci:
, t I | ., \ I
Io- IE, l.*o[ ,unl_ll* /,r l.*ol let'tnuJ_
" l-0rL'\l;r_l l-FnL \ vr ) 11

)
(4.30)

gi curentul de bazd cre$te.

in figura 4.11 este reprezentata farnilia de caracteristiciteoretice de intrare.

92
 lrt )'Is"*{ I - c/-n ilcs l

Figura :1.1 1 Caracteristicile statice ideale de itltrare ale unuiTBJ intrinsec detip pnpin
conexiunea EC.

T
Ia. \^-
LE =0

11s ",g
'/
--'\i.-.0
r' r-L

(1 - cr-n )'I:s
i LE

il
II i_
a :l

F igr"rra :1.12. Caracteristicile statice ideale de trausfer ale unui TBJ intrirrsec de tip
prtp itt conexi unea E C '

. Caracteri.slisile rle trans.fer, Ic.=JIr,(Vril,,,,,,_.r. se oblin tot din rela{iile (4'14). in care

se inlocuiesc rudrimile I6gi Vlscu relatiile (4.11), $i se traseazd in acelagi mod ca cele de
intrare. Familia caracteristicilor de transfer este datd in figura 4.12.

. Caracleristicile cle ieSire, Ic = Ic([,'cr), pot avea ca parametru atat tensiunea I"56' cAt 9i

curentul 16. Caracteristicile Ir. =\lr(i'.r)1,,=., sunt cele ce sunt furnizate de producdtorii
de tranzistoare in cataloagele de specialitate. Relaliile folosite pentru trasarea acestor
caracteristici sunt (4. I 5):
i t rt -l/ , -
1c = Fr o -(t+ flr ) Iro,,
'1.-p l# 1
tl-
I I
t Yt I

Trasarea caracteristiclor de ieqire incepe cu trasarea caracteristicii corespunzatoare lui

I a= 0. Celelalte caracteristici se oblin prin translalia pe verticald la distan{e

corespunz6toare Br.1r. Familia de caracteristici oblinuta astfel este reprezentatd in figura

4.13.

93
 T=O
T^
t-L [\']
'82
KA.t--------------+l
-I, IurA]
Figura zl. 1 3. Caracteristicile stalice ideale de ieyire ale unui TBJ irrtrirrsec de tip
1:rtp in conexiunea EC.

4.2.1. Modele statice pentru TBJ reale

Pentru oblinerea unor modele statice care sd poatA fi utilizate in analiza gi proiectarea
srructurilor TBJ reale. trebuie ca la modelul. original sau extins, Ebers-Moll sd fie addugate
elerlerrtele parazite datorate efectelor bidimensionale (2-d) sau tridimensionale (3-d).

Irr ecualiile unidirnensionale Shockley ariile celor doud joncliuni ale tranzistorului au fost
considerate egale. in structurile reale (vezi figura 4.1rl.a), in scopul realizdrii contactului debaza.
aria colectorului esle rnai rnare ca cea a emitorului (Ac> ll).
Astfel ecualia curetttului de colector
rrebuie sd fie exrinsb penrru a include ;i curerrtLrl ce trece prin joncliunea colector-bazd, de arie l6-
-1s. ce nu este acoperita de joncliunea emitor-bazd. Aceasta joncliune adilionala este cunoscutd sub
denumirea de jonc'litrnea c'o/ec'/or-haza nesuprapusd (non-overlapped sau underlap). Grosimea
regiurrii /i corespunzatoare acestei joncliuni esle lf s-,,1. Astfel. ecua!ia curenlului de colector al
trtttri tran:is/c,n' rea/ c'ouline doua parli: una corespunzitoare curenlu/ui de colector a
tran:i.s/orului intrinsec ce are arnbele joncliuni de arii egale (=lt) gi una corespunzdtoare
ctrrenttrltri -jctnt'liurtii c'o/ector-ba:it nesttprapuse de arie Ac - lr. in RAN contribulia joncliunii
colector-baza nesuprapuse este nesemnificativd (onc{iunea fiind polarizatd invers), dar devine
importantd irr regim de satura!ie gi in regirn de comutalie din saturalie in blocare. Reducerea sau
chiar elirninarea ariei acesteijoncliuni a constituit obiectivul principal al inginerilor proiectanti de
TBJ rapide pentru microprocesoare. deoarece prezenla acesteia mdreqte tirnpul de corrutajie
inr ersa al TBJ real.
De asentenea. modelul Ebers-Moll perrnite incorporarea unor efecte fizice neglijate p6na
acLlnr. Tensiunile aplicate din exterior joncliunilor tranzistorului nu cad in intregirne pe regiunile
de sarcinl spaliala corespunzatoare jonc!iLrnilor tranzistorului, aga curn s-a presupus in modelul
unidirnensional. Aceste tensiurri se distribuie gi pe rezislenlele de volunt ale regiunilor neulre, pe
re:istenle/e de diJirzie ale regiunilor active ale tranzistorului Si pe cele de contacl, iar o cddere

91
 (pe o direclie
slrplimentar.d de tensiul.]e are loc datoritd curgerii transt,crsale a cltenlului de baza
perpe'dicuiara pe fluxul principal de purtdtori de sarcind). Rezistenla datoratd curgerii transr"ersale
a c-urentLrlui de bazd are un caracter distribuit qi poate avea valori importante deoarece. in general.
regiunea baz.ei. in scopul oblinerii unor frecvenle de lucru gi vlleze ridicate itl regint dinamic. are
rezistivitate ntare gi este sublire.
N4odelarea efectelor 2-d descrise anterior, pentru TBJ bine proiectate qi la nivele mici de
in.jec{ie. poate fi realizata prin circuitul echivalent cu elemente concentrate prezentat in figura
j.19.b. Sintbolul de TBJ a fost folosit aici pentru a siniboliza structura intrinsecd. descrisd de
ecLraliile Ebers-lr4oll. Totuqi. aproxirla{ia unei rezistenle de bazd /;b, constante Iru rezistA. nici

cliiar pentru TBJ bine proiectate. cAnd nivelul curentulr-ri debaza deterrtrind o cadere de tensiune
mai rlare ca 1.7. pe ri,t . Aceasta deoarece curentul prin joncliunea etnitor-bazd este puternlc
qi astfel. densitatea de curent la marginileioncliunilor este mult mai mare decAt irl centrul
'eli'iar
acestora. Aceast6 distribLr{ie neuniformd a curentului prin structurd invalideazd 9i caracterul
constant gi concentrat al rezisterr{elor de colector r..' 9i de emitor 1"'. Figura 5.19. c ilusteazd
nrodelul distribuit al unr-ri TBJ de rip pnp

tf

4' +
"-
\\'-D-ur,ll-5Y
E -A'
,t Ii J,

nrl

C.

Figura Modele statice pentru o structurd TBJ dublu difuzatd de tip pnp'.
4. i 4.

a.1 secliurre trattsr ersald printr-o structurd reald, b) tnodelul static cu elemente concentrate:

c) n-rodelul static cu elemente distribuite.

95
 Dirr aceastd analiza simpla este evident faptul cd putem obline un model static realisl.
pentru o structurd TB.l reala. prin sintpla contbinare a ecua{iilor extinse Ebers-Afioll ale TBJ
inlrinsec' c'u ecualiile unidintensionale ce ntodeleazd diferitele elentente parazile. Aceastd metodd
poate fi folosita cu succes gi in cazul structurilor de TBJ cu o geometrie n-rai complicatd: se
par-tilioneazd. in mod inteligent, structura in mai multe regiuni in care modelele 1-d sa fie valide;
in regiunile oblirrute se folosesc modele unidimensionale corespundtoare (tranzistor. diodd,
rezisten{d. etc.l gi prin combinarea adecvatb a acestora se oblin ecua!iile statice ce modeleazd in
rnod realist funclionarea structurii. Efectele datorate liniilor de cAmp electric de margine
neparalele gi curgerii divergente a fluxului de purtdtori de sarcini sunt neglijate in rnodelele
unidirnensionale. Dar aceste ef-ecte pot fi aproximate prin ajustarea coresput'tzdloare a ariilor
regiuni lor considerate.

1.2.5. Abateri de la caracteristicile ideale ale TBJ intrinsec

in subcapitolul 4.2.3 au fost determinate ecualiile de cuadripol pebaza cirora, considerAnd

parametrii acestora constanli. s-au trasat. pentru un TB.l intrinsec. caracteristicile ideale. Aga cum
s-a ardtat in subcapitolele precedente. chiar in cazul considerdrii TBJ intrinsec modelat
unidirlensional. parametrii acegtia depind de propieta{ile materialului semiconductor gi de
geonretria structurii.
in acelagi tirrp. acegti parametri depind de polarizare gi ca atare caracteristicile statice reale
ior fi diferite de cele prezentate altterior. Fenomenele de generare-recombinare din regiunile de
sctrc'ina spaliala a joncliunilor tranzistorului. relevd o cauzd a dependenlei de polarizare a
par"untetriloi'ntai sus menlionali. Alte cauze ce determind dependenla de polarizare a parametrilor
de cuadripol sunt:
. rnodularea grosimii ba:ei cvasineutre. fenomen cunoscut sub numele de e./bct Early.;
. ntodularea c'ontluc:tivitdyii bazei, efect ce apare la nivele rnari de injeclie;
, e.fectul Kirk. efect invers efectului Early. ce apare la nivele ridicate ale curenlilor prin
structura.

Efectul Earlt'in TBJ

Spre deosebire de caracteristicile ideale, caracteristicile de iegire ale TBJ in conexiune BC

sau EC ridicate experirnental. pentru nivele de curent prin structurd rnici qi moderate, releva, in
RAN. o conductanlA de iegire finitd (vezi figura 4.15). Cre;lerea curenlului de colector Si
condtrclanla de ieSire ./inila se datoreazd scdderii grosintii bazei cvasineulre odatd cu creSlerea
tensitrnii int,erse aplicate.joncliunii c'o/ectorului. Acest fenomen a fost modelat in 1952 de E,arly gi
de aceea poartd denumirea de e.fecl Earl1,. Pentru structurile reale sunt de fapt doub efecte Early.
cunoscute gi sub numele de e.t'ec'te de ntodular"ea grosirnii bazei cvasineulre'.

96
 . curentul de colector este mai mare decdt cel indicat de caracteristicile ideale 9i are o

dependenld mult mai acetrtuatd cu tensiunea Vcs,

. rezistenla bazei laterale cregte odatd cu micqorarea grosimii 6azet ca urlllare a creqterii
tensi urri i irrverse i colector-bazd'
apl icate -i oncli un i

Modularea grosil.rii bazei cvasineutre poate fi mittimizatd dacd regiunea ctilectorului

este
joncliunii
rrult mai slab dopatd ca cea a bazei. astfel incdt regiunea de sarcina spa{ial5 a
slab dopal a fost
colectorului s6 se irrtindd mai rrult in aceastd regiune. Acest concept de colector
i'trodus de Earll,in 1954 gr se poate implementa fie prin introducerea unei regiuni intrirrseci
la
fte prin folosirea
interfala dintre baza gi colector. oblinAnd astfel o structuri de tip pnip sau npin,
mai utilizata este cea a
unei structuri de tip p*t ,r* p sau n++ p+ n. Dtntre aceste doud solulii cea
bune din punct de
intercaldrii unei regiuni iltrirTseci in structur6, care oferd atAt perfomanle mai
al n.ricqordrii pana la disparilie a efectelor modulirii grosimii bazei^ cAt 9i o tensiurte
de
'edere
strapungere lt-lal lllare gi o capacitate a.ioncliunii colector-bazd nTai rnic6'
aplicate
Grosirnea bazei cvasineutre se r-nicgoreaza odatd cu creqterea tensiunii inverse
jo'c1iu'ii colector-bazd. Efectul Earll,privitor la rnicaorarea rezistenlei bazei laterale odatd cu
cresterea tensir.rnii inverse aplicate colectorului poate fi pr-rs irr eviden!6 folosind
un model
uuidirnensiottal cu pal'atnetri collcelltra!i:
r,, -llIl
OD

(4.3 l )
or. = 1 - (expresie 1)'tl' -(expresie2)' I{rr
pF - 11t41

scade'
Se observd c6 atAt or cat |\ pe cre,sc pe ntdsurd ce gro,sintea bazei c:'a.gineulre
condiicand Ia cregterea curerrtului de colector. Dependenla lui
pr de tensiunea invers5 aplicatd
ionctiunii colectorului la nivele mici de injeclie este ilustratd in figura
4'16

()
r-{
.rl
..1t'/t
./t/f
't'/ t i/
.{t,''t1,'
'ii'.",,'/"'
lf..-r')/
\,r *di'.1'
'A ,f-/.4t'

-4 -: i,, : 4 6 S l(.ll
\tElvl
Figura 4.15. Caracteristicile de iegie ir.r conexiune EC ale unui tranzistor npn de cAqtig
ridicat ce prezintd un efect Early pregnant'

91
 L\b el
Figura 4.16. Dependen{a lui p1-de tensiunea inversd aplicata joncliunii colectorului la
nii ele rnici de irriectie.

Prin extrapolarea caracteristicilor de iegire ale TBJ in conexiune EC (vezi figura 4.15) se

poate defini o mdrime des folositd in modelarea efectului Early gi anume lensiunea Earl\,'.
.. I dI", /,,1 tl\
|
' elc aL'cE
|._---t'
dll.'
\r'J-.,f

-
in RAN. influenla efectului Early asupr-a caracteristicilor de semnal mare se poate modela
astf-el:
,, f -l r r/ \
f r
I. = 1,,. expl ' tu l_r I I r+ 'to l. (4.3 3)
L'tt, I _l\ rtI/r)
iar conductanla de iegire corespunzitoare acestei modeldri este:

al
"*,= ial =-l- tJ.3-1.1
.r
1. .1 rt.l- '

In relaliile (1.33) qi (a.3a) coeficientul ne [1,2] este dictat de dependen]a largimii regiunii
de sarcind spalialA a joncliunii colectorului de tensiunea inversd aplicata acesteia.

Efectul Kirk fn TBJ

La nivele .foarte rnari de injecyie densitatea curentului de colector se mAre$te foane mult.
iar tlensitateo purtalot'ilctr minnrilari in regiunea de sarcina spa{iald a.joncliunii coleclor-bazd
devine comparabild c:u c'onc'entralia ioni/or de intpuritale dintr-o parte sau chiar din ambele p64i
ale joncliun ii rnetalurgice.
Cregterea sarcinii efective in regiunea de sarcind spaliala a joncliunii colectorului ce se
intinde in partea dinspre bazd corrduce la scaderea /drgirnii acestei regiuni de sarcind spaliala.
deci la cre$terea gro.simii ba:ei cvasineutre gi in conformitate cu relaliile (4.30) la scdderea
factorilor de atnpli.ficare in curenl. Acest efect, al cregterii grosirlii bazei cvasineutre la nivele
foarle mari de injeclie este cunoscut sub nunrele de eJb,'t Kirk. Ca gi in cazul efectului Earlr.
efectul Kirk este important in cazul TBJ de inalta frecven{5 gi vitezi rlare.

98
 ,tr:,(-
\; lt
-t: . _l -5i-

i4_ _i._li-r

li-, .' '\

l-\
r

j {r. ,1_r-r

L-- Li.
;.t-t .lr-i-r
'r
--//
:l

'',.r'r,l,-r"i-rl ,".| i t- l-f', 5'i-.'i. I

I,-; IltA] I.,, [pLA]
a )rrPn 2N69Ct ttlltt lllleglill cil Ac-0 lull
Li)

Figura ,1.17. Varialia lui p7 hurclie de curentul de colector Pentru un TBJ iN RAN.

Sc6derea sarcinii efectiye in regiunea de sarcind spatialA a jonc!iunii colectorului ce se

i'tinde in parlea dinspre colector conduce la cregterea largimii acestei regiuni. deci la mic$orarea
grosimii regiunii cvasiueutre a colectorului gi a rezistenlei serie corespurrzatoare acesteia
Dependen{a lr-ri 87. de nivelul curentullri de colector sau de emitor in RAN este ilustratd
irr figura
:1. I 7. evidentiindu-se astfel toate efectele prezentate anterlor.

4.2.6, Stripungerea tranzistorului bipolar cu jonc{iuni

Multiplicarea tn at'ulan$d lo ioncliunes colectorului

Trarrzistoarele bipolare cu.joncliuni sunt folosite ca amplificatoare in regimul de

funclionare actiy uonral. Astfel. tensiunile inverse mari se aplica
joncliunii coiector-baza. uttde
poate sA apard procesul de rnultiplicare in avalan$4. La tranzistoare. strepungerea este
asemAn6toare cu cea a jonc{iuuii p-t1. cu l-}rentriunea cd.fenontenele sunt dependente de conexiunea
TBJ, qi deci mai co6plexe. N4odelarea strdpurrgerii unei jonc{iuni prin multiplicare in avalangd
a

fost prezentatd in capitolul 2. in consecinld, purlatorii de sarcinS ce tfaverseazd regiunea de sarcina

spaliala a joncliunii colectorului pot produce perechi electron-gol prin ionizare prirr inrpact
deternrinAnd multiplicarea curentului inilial cu factorul M, a cdrui expresie este:

(1.3 5)
,ll =
1-(trrro l1co nn)"

in care Vru-u^ reprezintd tensiunea de strdpungere a joncJiunii colector-bazd deternlinatd cu

emitorul in gol (gi de aceea se noteazd cu Vcno).

Procesul de strdpungere in cazul unui TBJ de tip pnp in conexiune BC este prezentat in
figura 4.18.A.a. Curentul de colector ce iese din regiunea de sarcinb spaliala este de M ori mai
mare ca cel care intrd, adic6:
(1.3 6)
Ic = lr4' (cx p' I n + I,:aa)

99
 CAnd tensiunea inversa aplicatajoncliunii colectorului se apropie de tr/6-6e. curentul de
colector cre$te brusc lErd o limitd aparentS:. Strdpungerea joncliunii colector-baza, in cazul cAnd
trarrzistorul lucreazd la curen{i Ir =ct.+0. are loc la tensiuni Ir-rai mici ca Vc-so^ dar apropiate de
aceasta (vezi t'igura 4.18.A.b). in acest caz tensiunea de strdpungere a joncliunii colector-bazd se
noleazd cu Y6sp. Curentul debaz6. va fi dat de expresia:
Ia=le-lr.=ln (]-ur'lt4)-l\'{'lcBo g.3l)
Relalia (.4.37) relevd laptul ci pentru valori ale Iui M >llun curentul debazd igi schimba
sernnu l.
-frebuie
remarcat faptul cI multiplicarea in avalanqd nu afecteaza, in acest caz, decAt
j oncliunea colectoru lu i.

Procesul de strdpungere in cazul urtui TBJ de tip pnp tn conexiune EC este pezentat in
figura 4.18.8.a. Spre deosebire de cazul precedent, cAnd fenomenele se dezvoltau sub condilia de
I p; =cr. (dat de circuitul erterior). in conexiune EC curentul de bazd este constant (l n = cl.'). \ar
t-enornenele delin mai complicate deoarece menlinerea la o valoare constantd a curentului de baza
rru permite e\acuarea purtdtorilor rnajoritari in baza. rezultali din fenomenul de rnultiplicare in
avalangd. in acest caz suslinerea ar.,alan;ei se realizeazdprin cre$terea curentului de emitor.
O descriere rnatematica simplificatd se poate face inlocuind in rela{ia (4.37) pe l, cu
I, 'lu gi explicitAnd curentul de colector. Astfel se obline:

, .\J.a,'la \f .1,.8,, (4.3 8)

''-1-,\l a.o 1_ l,l .u,
Curentul de colector tinde cdtre infinit cAnd este indeplinita condilia:
.\l (I'e r ) or (1c. .l'c r') = 1 . (4.3e)

lntroducAnd in aceastd condilie relalia (1.35) se obline expresia tensiunii ,rro^!'I/ro la

care ,/, ,+ r . tensiune ce poartd denurrirea de tensiune de suslinere gi este notatd cu tr/61'6:

Ii.r, =lcsu.(l-or)i tt =l/6.31t/(i*Bo)"" (4.40)

in figura Ll8.B.b sunt prezentate caracteristicile de ieqire ale unui tranzistor ltnp in
coneriune EC a carei lensiurre ll.r, l= 75V. Aga cum relevd qi aceste caracteristici, in practica
terlsiunea de suslinere este de 3-10 ori rnai micd ca tensiunea de stripungere jonc{iunii colector- a

bazd l:;px. Datoritd r,'arialiei factorului de arnplificsr€ o6 cu nivelul curentului prin structurd gi
tensiunea de suslinere variazd funclie de nivelul curentului debazd.
Caracteristicile de iegire experirnentale pentru conexiunea EC din figura 4.18.8.b relevd.
de asenrenea. un eJect de tip tttulli-mecairisnr pentru Is =0 gi anume existenla unei regiuni de

re:istenld negatira pe aceastb caracteristicd. Acestd forrnd a caracteristicii 1, = 0 se datoreazdr

corrrbirratiei a doud nrecanisrnc:

100
 nil |Itil-)licare

I .i-
.L-i'
i.;l
.1
t)
yl
Ii5
a

^11 ,.,^l "S ":i, I

\cE \'LEo 'PFAli

Figura 4.18. Strapullgerea TBJ de ttp 1trtp. A) in conexluue BC; B) it-t conexiune E,C.
Figura releva: a) curerriii prin tranzistor; b) caracteristicl statice experi mentale.

. cre$terea lui ur cu cre$terea curentului de emitor. respectiv colector.

. rlultiplicarea i1 ayalangb a plrrtdtorilor de sarcind din regiunea de sarcina spatriald a
.ionciiuni i colectorului.
caracteristica cuprinde trci regiuni iruportattte. 5i attuttie:
. regiunea 0A a curenlilor de valori foarte reduse gi tensiunilor de valori mici.
. regiunea AB de rezisten{d negativ5 in dotreniul curenlilor nledii.
. regiunea BC de rezistel{a diferen{iald mica gi pozitivd in domeniul curenlilor mari.
in legatura c'u limildrile in lensittne de care lrebuie sd se {ina seama itt
Conc:lu:ionancl,
ulili:area TBJ Si care aPor ca date de catalog, relinent"
. /en,siulea cle .slrapuugere colec'lor-hazd cu emitoml in gol . i/666. este tensiultea cea lttai
lnafe pe care o poate suporta tranzistorul gi de care trebuie sd se lind seama atunci cAnd
acesta funcliotteaza iu conexiune BC:
. atunci c6ld tranzistorul func{ioneazd in reginT de cornuta!ie gi se blocheazd jonc{iunea
enritor-bazd prezintd importanld S\ lensiunea de strdpungere entitor-bazd cu coleclorul in
gol, I/sss, care datoritd concentraliilor diferite de impuritali ale regiulrilor tranzistorului.
dictate de func{ionarea eficientd a TBJ, are valori substanlial mai nTici;
. lensinnea de sus(iner€,1,'cE0, care este numit6 in cataloage tot tensiune de strApungere. $l

care corespunde de fapt situaliei de In=0. pentru un I,+0 cataloagele furntzeazl

tersiunea de sus{inere Itrn oblinuta in condi!iile conectdrii unei rezistenle R intre bazd;i
er-r-ritor: telsiunea de sus{inere reprezintd tensiunea maximd de care trebuie sd se lind
sealra

in funclionarea TBJ in conexiune EC.

101
 Strdpungerea secundard a TBJ

Fenomenele ce au loc in tranzistoarele bipolare cu joncliuni la tensiuni gi curenli de valoare

ridicata au fost descrise folosind un model unidimensional. in realitate. in trarrzistoare exista
cradiente trans\ ersale de carlp electric gi de ternperaturi. care pentru tranzistoarele de putere.
tranzistoarele ce lucreaza la tensiuni inalte gi tranzistoarele de frecvenla inaltd devin in-rpoftante.
Existerrla gradientelor trallsversale de tensiune gi temperaturd determind concentrarea
purlitorilor de sarcind corespunzdtori fluxului principal prin structu16 in anumite regiuni.
caracterizate fie de o intensitate a cArnpului electric mai mare. fie de o temperatura mai ridicata
(r'ezi figura 1.19.a). Dar aceste concentrdri locale de curent vor determina cregteri ale temperaturii
regiunilor in cauz6. care la rAndul lor vor determina cre$terea concentraliilor locale gi aga rnai
departe. Pentru a menfine constant curentul de colector, lensiunea entilor-bazd scade gi astfel
densitatea curentului din regiurrile cu telnperaturd mai micd va scddea;i mai rnult. Drept urmare.
distribulia transt,ersala a densitdlii.fluxului principal prin structurd tta.fi neuniforntd, majoritatea
curentului fiind concentrat in aga-nurritele pele./ierbinli. Singura indicalie externb a acestui pt'occs
regerteratit' este scdderea tensiunii bazd-er,Titor atunci c6nd se formeazd o patd fierbinte.
Temperatura serriconductorului in aceste pete fierbinfi poate atinge sute de'C gi sernicorrductorul
se poate topi local. fapt ce conduce la scdderea bruscl a tensiunii colector-ernitor. in acest caz.
chiar dacd tranzistorul nu se distruge. caracteristicile sale suferd o modificare definitivd.
in figura 1.19.b sunt prezentate caracteristicile statice de iegire corespunzdtoare unui
anumit tip de tranzistor pnp care a dezvoltat fenomenul regenerativ de strdpungere secundara. Se
constatd o dependenla clara a f-enomenului de puterea disipata in tranzistor. Astfel, pe ntdsurd ce
cttrenltrl de colec'lor dispo:ilit u/tri cresle ten,siunea co/eclor-entilor la care are loc
al
strapun.gerea secttndurct sc'acle.1-otuqi. curba de producere a strdpungerii secundare, ilustratd in
llsurd cu linie punctata. nu este o hiperbola de putere constantd. ea fiind mai apropiati de axa
orizontald in zona tensiunilor nrari. Trebuie rnenlionat faptul cd.fbnomenul nu apure ittstattttttteu.
ci are neroie de un anurnit timn nentru a se dezvolta.

Ic
Resirurc cie B -, Concenlr:r1ie
silLc 1lt:r cle prrrlnlori
sPaliali - mo bili rle slrciui
S lr:rpr rn.oel'e pliunm

a b \lE
Figura ,1 19. Strapultserea secundard a TBJ: a) secliune transversald ce ilustreaza
rreuni forrlitatea distri brrliei densitalii de curent in structurd; b) caracteristici statice
crnerirnentqlc ec i I ustreazd fenomenul strapungeri i secundare.

102
 Pentru a evita posibilitatea aparilrei strapungerii secundare produc6torii de
(safe operatirTg area - SOA)
tranzistoare bipolare cu.joncliuni. indicd o arie de siguranld
pe caracteristicile de iegire corespunzatoare dispozitivelor. in care
trebuie sd se incadreze

lunclionarea dispozitivului in orice condilii'

4.Z.7.Varia{ia cu temperatura a caracteristicilor statice ale TBJ

Caracteristicile statice ale tranzistoarelor se modificd odati cu modificarea
tetnperaturii

cleoarece principalii paratuetri ce caracterizeazd func{ionarea TB'l

variazd cu temperatura'
de iegire 5i de intrare itt
I't1uenla temperaturii se apreciazh de obicei in planul caracteristicilor
cotiexiune' este dat de
conexiu'e E,C (vezr figura 4.20). Curentul de colector in RAN. in aceasti
relalia bittecunoscutd:
Ic =Fr.'/r + (l3r + 1)'1.,rn.
Valorilor parametrilor
ce pllne i'r evidenld modificarea curentului de colector odatd cu modificarea
lli. $i /cro cu temPeratura.
figura
Fact,rul de antplificare in curenl $r cre$te odald cu cre,t'lerea tenTperatut'ii \rezt
de viala al purtdtorilor de
1.20). Aceasta cre$tere se explicd in principal prin modificarea timpului
sarcind i' bazd. CreEte;ea ternperaturii conduce la intensificarea
rnigcarii de agitalie termicd a
centrelor de recombinare 5i astfel scade probabilitatea capturarii
purtatorilor de sarcind de cdtre
de recourbinare in bazd 9t
aceste centre. Ciregterea tirnpului de viala conduce la scdderea curentului
de amplificare direct in
deci la cre$terea lui Br. in serreral. dependenla de temperaturd a factorului
dependenla nu este
curent ir colexiune EC este dati in cataloagele de profil. Dach insa aceastd
datd in catalog, se poate utiliza o relalie aproximativd:
(,1.41)
[]r(I) = Fr (4) il + (I -T,illrl
unde c = i00'(,. pentru Si 9i c = 50'C pentru Ge'
Curentul rezidual al .iortc'liuttii coleclorului, cresle odatd cu cre$lerea lemperaturrr
16s6,

dLrpd o lege dificil de exprin-iat teoretic. deoarece aceasta are

mai ntulte conlpollente influen{ate de
depinde irl
factori greLr controlabili (de exemplu starea suprafe{ei dispozitivului). Totugi. /66p
joncliunii colectorului
principal de concentralia purtdtorilor minoritari din regiunile cvasineutre ale
care cre$te exponel{ial cu temperatura. De aceea' atunci cApd cataloagele nu
furnizeaza

dependenla Ic.sa: Ic'no(T) se utilizeazd urmdtoarea rela{ie de calcul aproxinrativd:

(1.42)
lcro (I) = I csa(I. ) exP[a (r - Io )]

in care coeficientul de teniperalurd a = 0.12oC pentru Si 9i a = 0,08oC pentru Ge'

Aqa curn se observd in figura 4.10. gi a$a cum era de a$teptat in conformitate cu
cele

prezentate i1 capitolul 2. caracteristicile de intrare se deplaseazd spre stAnga odata

cu creqterea
a terlsiunii
teniperaturii. De obicei, aceastd deplasare se exprimd cantitativ prin rata de ttticgorare
ltuulacurent constant. care are valori tipice cuprinse in intervalul 2-2'5 rnV/"C'

103
 l0 - 1:l:ij ti2s c
l

a ,rl I

I1 tl
1
lJ
'I ll

-1)

l t1 In \
l nrlr
[)t
0 li) 20 _j0 40 50 0,2 0,4 0,6 0
\CE [\r] \ef, [\']
0,0 6

0.0

0,04

0.0 2

'0 t0
l0 20 ,]0 4040 50 {.2 0 0,2 0.4 0.6 0,E
\ir [\']
.. [\'] b ueE [U
Figura,1.20. Influenla teurperaturii asupra caracteristicilor statice ale unui TBJ pe Si de
Itp nprt ir-r conexiune EC: a) caracterstici de iegire: b) caracteristici de intrare.

I-s.

L'-
5'r

50 100 150 T['c']

Figura,1.2l. Varialia lui B7 cu temperatura.

Atttbolare0 termica

Din cele prezeutate mai sus reiese clar faptul cd odatd cu cre$terea temperaturii curentul de
colector cre$te. Daca circuitLrl in cadrul cdruia func{ioneazh tranzistorul permite cre$terea puterii
disipate odatd cu cretterea curentului de colector, atunci ternperatura structurii active. f, cregte
conducAnd Ia o noud cre$tere a curentului de colector. g.a.m.d. Aceastd inldnluire a fenomenelor
poate conduce la o cre$tere substanliald a temperaturii gi tranzistorul se poate distruge rapid. Acest
mecanisnr poafta denumirea de antbalare lermicd.

104
 pentru descrierea cantitativa a fenomenului de ambalare termicd trebuiesc determinate at6t
puterea disipata. cat gt puterea evacuat6. corespunzdtoate diverselor regirnuri
termice ale TBJ'
puterea clisipald in TB.l poate fi consideratb cu aproximatie ca cea disipata pe cele doua regiuni de
sarcind spa{iala ce prezintd rezistrvitdli mult mai rnari ca cele ale regiunilor
active 9i tieutre' Astfel'

in RAN puterea disipata intr-utt l'B-l de tip prrp este:

(4.13)
\'tB i2 +t'ra'' lc = \' BC' tc
P,t =
putere disipata constantd
Se observd faptul ca in planul caracteristicilor de iegire curbele de
sunt hiperbole.
Puterea ettacualiidin TBJ se poate determina cu rela{ia aproximativ6:
(1.44)
Pn = (7, -7") I R,,,
prin semiconductor.
in care Rrr reprezintd rezistenla termicS, total6 corespunzand evacudrii caldurii
capsuld 5i eventual radiator irl Irrediul anlbiant, adicd
(4.15)
Rrh = Rrt,.1, I Rrt.r, I Rrh.r-o

--il;-
urrde R,,.r-, eSte rezisten{a tenrlicd semiconductor-capsuld' R,, . ,. este rezistenla
ten'nicd capsuld-
termicd capsuld-
radiator. R,1,., este rezistetr{a tertlicd radiator-anlbiant 9i R,,, , ,, este rezistenla
.,
ambiatrt.
itt rcgirtt tcrrttit' .sta(ictnar prrlereadisipala in TB,l esle egald cn pulerea evacttold dtn
,ylruc'lurii, adicd P1 = P,, . Aceastd relalie permite exprimarea puterii disipate nraxitle ili structurd:

D .-tT (4.16)
7.,) R,n
'dlna\ - " .llrf\ I
,rrrdc
ut rul T
J /.mJ\ renrezitltd temperatura uraxim6 perrrisd pentru structura activa' Dependen!a
P tlat *- rdllrJ\\rd'
r-1 P, rf ) este.
v' cel mai adesea, dati in cataloage.

in regint termic nesla(ionar P, + Pr,. rar T,creqte dacd P.> P", $i scade daca P, t P,''
coresputlzator unel
Daca dupa o el'olulie telricd oarecare se ajunge la un regim tertltic sta{ionar,
excesiv 9i sd se
anurnite temperaturi f,1 < f7 n,n*, pentru ca temperatura structurii sd nu creascd
producd ambalarea terrnicd a dispozitivului trebuie ca regimul termic sr satisfacd condilia
de

st ab i1 i t at e dinant i ca:

aPr\ .aPn_ \ (4.17)

or,l, -,, ar R,n

Aceastd conditie poate fi scrisd 9i sub forma:

Lf ) D Lta
.rr I I
(4.48)
".-l
e1,. ar,l,-
' Ill
'l =l
_
tl
,
R,n

105
 i'r conformitate cu cele ardtate in acest subcapitol AI(. lAT, ei deci, o condiyie
'01
su.ficienla (dar nu gi necesard) pentru a satisface condilia de stabilitate (4.48) gi pentru evitarea
anrbalarii termice este:
.Pd fetc <0 (4.4e)

Aceasta condilie trebuie avutd in vedere cAnd se dimensioneazd re\eaua de polarizare in

vederea asigur[rii unui punct static de funclionare in planul caracteristicilor de iegire.

1.2.8. Limitiri in func{ionarea TBJ

Lirnitarile dorrreniilor tensiunilor de polarizare sau a curen{ilor corespunzdtori acestora se
definesc. cel r-nai adesea. in planul caracteristicilor de iepire. Pentru un tranzistor pnp in
conexiunea E,C acesle mbrimi surlt prezentate in figura 4.22.
Punctul de.funclionare al unui TBJ reprezinld urt puncl de coordonate (vs6,i6) silual in
7t/anttl c'arac'leristicilor de ieSire a.sigural printr-o anumild polarizare a jctncliunilor tranzislorului.
Cdnd tensiunile de polarizare nu variazd, punctul corespunzitor acestora, de coordonate (Vr,c.Ic),
se nume$te putlct static de .fttnclionare . Punctul static de funclionare al unui TBJ ce lucreazd ca
arrrplificator trebuie sd fie situat in regiunea permisii. Atunci cAnd tranzistorul este folosit drept
comutator prezinta irnportanli gi tensiunea inversd maximi ce se poate aplica joncliunii
emitorului.
C'urentulpt'in TBJ nu trebuie sa depdseascd t,aloarea lintitd 16'*u* deoarece, din procesul de
fabricalie. cele doud joncliuni ale tranzistorului nu rezultd perfect ornogene. Astfel, in unele
regiulri neomogene apaf concerrtrAri ale fluxului de purldtori de sarcirr5, astfel incAt, la depagirea
curentului maxim adurisibil. densitatea de curent in aceste resiuni creste foane r-nult conducAnd la
distruserea.joncliunilor prin efecte locale.
Tensitutile maxime pana /a care poate luc'ra lranzislorul sunl diclale de aparilia procesului
de multiplicare in aralan;d gi sunt reprezentate de tensiunile de strdpungere Vcao $i i/ss6 pentru
corteriunea BC gi de tensiunea de suslinere i/666.

tu
Ic,-,r"t
fr,'/,
,.'4,.'/i.. Hiuelbo ln
(, Y,7/.4r. ,- disipafie
'-,._._--,
74/i;,.1,
-
iA
{ii//,i,,
,/,,/,

,'r1 \ r.l

Fiprrra J 2l Prezerrtarea regiunii permise de polarizare a unui TBJ de tip pnp in conexiune EC.

106
 la care
Ob,sen,alie: pentru TB.l cu baza foarte ingustd tensiunea tl,laxit,lld colector-emitor
anume cre$terea
acesta poate lucra este deterltinatd de un fenomen aset-t-idndtor strapungerii 9i
colectorului pand
rapidd a curentului de colecror datoritd pdtrunderii regir,rnii de sarcind spaliala a
la emitor.

Aqa cunt am ar6tat in subcapitolul precedent puterea drsipata de un TBJ apare pe cele doud
parcurse practic de
rceiuni de sarcrnd spaliala. in cazul folosirii TB.l in RAN. joncliurrile sunt
acelaqi cureut. clar teusiunilc aplicate acestora sunt foarte diferite. Deci
putell.l aproxinra:
p,, pulerea electricit clisipalii pe lranzislor lrebuie sd.fie lintilala sub valoat'ea tttaritttd
=lr,,.lr.
crdrni.sa lrdn.,"r.Aceasta inseamltd de fapt situarea punctulr-ri static de funclionare sub hiperbola de

disipalie descrisa de ecualia:

(4.50)
Pdn,", =1"c,,'lc
poate sd apara
Obsentalie: pentru TB,l cte putere.in domeniul curen!ilor de colector rnari.
strdpurigerea secunclard;i. de aceea. purtclu/ de.fttnclionare al aceslora
trebuie 'so se ritue:c' itt
or.icc concli(ii, in aria de sigtn'anla a.funclioncirir (SOA) indicatS de
firmele producdtoare'

T'entperatut"a cle fitncSictnare a TBJ este limitald atat superior, cat 5i infbrior. Litni/area
sau acceploare
inferioat.a a lemperaturii es/e data de nece,silatea ionizdrii impttritd(ilor donoare
corespunz6toare diferitelor regiurii ale TBJ. Limilarea superioarii a temperoturii
esle data de

clcgraclarea caraclerului exlrinsec al semiconduclorttlui odatd cu cre$terea

acesteia'

semicolductorul putAnd deveni intrinsec. Temperatura cea mai rldicati a unei

structuri TB'T se
obline in reqiunea care are cea r-nai importantd contribulie la puterea disipatd a
TBJ' in cele nrai
multe din cazuri aceasta este jonc{iunea colectorului'
()b.sen,alie: Nu r-rr-rr-nai ternperaturile de funclionare sunt limitate irrferior 9i superior. ci 9i
ter-lperaturile de stocare ale dispozitivelor. Ternperatura tninitrd de stocare este dictatd
de
aparilia unor
contraclia termicd: diferita a materialelor componente ale dispozitivului ce determina
tensiuni niecanice ce pot conduce la distrugeri ale "imbindrilor" unor pd(i conrpottettte
ale
sudurilor'
dispozitii,,ului. Limitarea superioari a temperaturii de stocare este impusd de: inmuierea
clegradarea stdrii sLrprafe{ei semiconductorului datoritd creqterii activitalii chimice
a diverselor
irnpuritali etc.

5.2.9. Circuite de Polarizare

Tranzistorul bipolar cu jorrcliuni poate fi utilizat in circuite in oricare din regimurile de

tunclionare prezentate. Cel mai frecvent. in circuitele analogice. tranzistorul este folosit
ca
polarizat in
amplificator de semnal mic. situalie in care TBJ trebuie polarizat in RAN. Dispozitivul
RAN poate fi caracterizat cu aproximalie de urmdtorii parametrt'. ven, Fr, o," $i /cao. Dispersia
parametrilor de la un exemplar la altul. precum gi varia!ia acestora cu temperatura. a deterrninat
cdutarea unor circuite de polarizare care sd ofere o sensibilitate cAt rnai micd a punctului static
de

funclionare al TBJ fa!6 de varialia acestor parametri. Varialiile cele mai importante ale punctului

107
static de func{ionare al TB.l. odatd cu rnodificarea pararnetrilor mai sus merrJionati. se oblin in
conexiune EC. in contiuuare. se vor prezenta comparativ divese circuite de polarizare a TBJ in
conexiune E,C. analizAndu-se stabilitatea punctului static de funclionare corespunzdtoare fiecirei
solulii de polarizare.

in figura 4.23.a. este prezentat un circuit elementar de polarizare in RAN a unui TBJ de tip
pnpinconexiuneEC,incarepolarizareadispozitivului serealtzeazideladoudsursedetensiune.
Se incepe prin a scrie ecua{iile lui Kirchhoff corespunzitoare ochiurilor de intrare qi de
iegire ale sclremei:

=I"ou + I u' R'

[''on (,1.5 I )
I
l'cc = I'0, + I r" R,
Prirna din ecualiile (4.50) furnizeazd expresia curentului debaza:
f-
| !l[J -t r'EB
r
l^=- (4.s2)
'atn

iar cea de-a doua ecua!ie. ce poate fi reprezentatd in planul caracteristicilor de iegire, poaft5
denumirea de dreapta de sarc'ind.
Funclionarea dispozitivului in RAN este caracterizat6 de ecualia corespurtzdtoare
caracteristicii de iegire:
Ic =9r. 1r +(Fr + l). 1,uu.
Punc'ttrl static de.fntclionare al dispozi/ivului se gdseSte la inler,seclia caracleristicii de

ies'ire de Ia =cr.. furnizat de ecualia de mai sus, cu dreapta de sarcind (vezi figura 4.23.b) 9i este
caracterizat de urmdtoarele coordonate in planul (Vsg, I1):

(4.53)

IC RC \,;- fo [mA]
R-
IE,-.,.'"^

\"c c
Il{1\igmn,IC-"" )

tt- tY
\..ilt'elt:,Lt .1e lrrlctrli
A\rc<-
-l \t
\m [v]
a. D.

Fi gura 4.23. Polarizarea elementard a unui TBJ de tip pnp in conexiune EC:
a) Circuit de polarizare; b) Analiza grafica a circuituluiin planul(l/76. L)

108
 Relaliile (4.52) relevd clar modificarea punctului static de furrcliorrare odatd cu rnodificarea
pararnetrilor ce caracter-tzeazd funclionarea TBJ. Pentru a descrie catrtitativ aceste raria{ii se
iritroduc factorii cle .sen,sibililate ai curentului de colector in rapoft cu parallletrii tnai sus
nienfionali:
(4.s4)
Ss=OIc'laFr. S1 =al6lelruo' S, =alcl6Iicn'
Acegti factori permit exprimarea varialiilor curentului de colector atAt la dispersia
paranretrilor. cAt gi la variatia acestora cu ternperatura:
Nc = 'APo + 'S, 'A1.ro + S, 'Ai",,
Sn
(4.ss)
A16- =(su aprTar+sr ..,lctr(,f er+st'aI/Faf er)'LT
particularizdnd relaliile de rnai sus pentru circuitul din figura 4.23.a se oblin expresiile:

C-
0lr.
=l/ou
-I.en ^ -: al,
\
"t
0" (4.s6)
"[]- dF, Il n
LAr/
/ FB p
ttB

Varialiile tepsiunii I/s6 se deduc ugor diferelliind relatia (4.52.b):

'R. (4 s7)
Ll''rt( = -A1c
Rentarcam sensibilitatea acceltuatd a punctului static de funclioriare la varia!iile
parametrilor considerali. Pentru insensibilizarea punctului static de funclionare la varialiile
parametrilor este necesard completarea circuitului de polarizare cu elemente suplimentare.
lletoclele cle insensibilizare a ptutctului .static de .funclionare Ia dispersia pararnetrilor 9i la
rnodificarea condi{iilor de funclionare se impart in dou6 categorii: ntetode bazate pe inlroducerea
cle elernenle /iniare { mefode ba:ate pe inlroducerea de elemenle neliniare'

imhunaralir.ea stabilitdlii putl('tului .slalic de.funclionare al TBJ se poate reali:a pritt

introducerea unei re zislen(e (element liniar) in ernilorul tranzislorulzrl (figura 4.24.a).

T^ R; "CC
i^
E N[2(\ig*,,r,Tcr="1
-T^
. ^HtlUl:

\tc i i'-,{
rra l -- rBmn
Y
bb N{l(\;.*r,h^, )

<-t\
\rc [\ ]
b.

Figura 4.24. Polartzarea it.t RAN a unui TBJ de tip pnp in conexiune EC:
a) CircLrit de polarizare cu rezistenla in ernitor; b) Analiza grafica a circuitului in planul
caracteristici lor de iesire.

109
 Aceastd rezisten!6 introduce o reaclie negalivd in circuitul de intrare. Astfel. o cre$tere a

curentului de baz6. datoratd modificdrii paran,etrilor, determind o cre$tere a curentului de colector

gi deci o cre$tere a cdderii de tensiune pe rezistenla RE. Aceastd cregtere produce scdderea tensiunii
I'la $i, in consecinld. sciderea curentului de colector.
E,cualiile de circuit in acest caz sunt:

= I o. Ru +L:uo + Io. Ru=l(Fr

l,lI'as
""
+l).(l u * Icna)].Rr + vuu + I r. Ro
(4.5 8)

[1.c = It' Rt +I/EC + Ir' Rc

din czre rezrlti ernrg5i3 curentului de bazS:

t- I.'uu -l'on - (Fr + 1). Rr. . I( t]0 (4.5e)

Rr+(l3n +l).R,.
Inlocuind rela!ia (1.59) irr ecua{ia caracteristicii statice de iegire oblinem:

I' =Fn I',u, -l,',n, - (Fr - 1). RF . IcB0 + (Fi.- + 1) I

c.so =
Rr+(Fr+1).Ro (4.60)
_ Fo
. (.1,'uu
- I/rr) + (9n +1). (Ru + Rn). Iruo
R.o+([]o+1).R,
In condiliile in care RB << (Fr + l).R6, iar Fr >> 1 expresia curentului de colector devilie:

.R, ,f17.1r,(, I.u,r_l.ro Ro+RoR, B, , I

t'r
t(/
lt - 'rn)
=
Fr -l RF RF (4 61)
F "', I. I,',t
an -
*W . I, o,,
Kp Kp

CalcLrlAnd sensibi litatri le oblinem :

\- al, ^ c
_ _- il \
al, R, -Ro . i/. I
(1.62)
- -
" 6Fo 6lrao RI. AVou RF
-
CornparAnd aceste expresii cu relaliile (4.56) obsen,dm.faptul ca ele sunt ntull ntai mici.
deci ptrnclul static de ,fimcyionare este ntult mai pu{in sensibil la varialiile parantelrilor de interes.
Tensiunea I lc $i varialiile acesteia sunt strAns legate de valoarea, respectiv varialiile.
curentului de colector.
lJr >tl
I'rc =I'tt -lo.Ru -1..R. : I/rr-1, '(Ru+R.) (4.63)
|1r rrl
LI'uc.
= -M..(R, +R.)
Utilizarea surse de polarizare constituie o solujie neeconomicd gi de aceea
a doud
schernele practice folosesc o sirrgurd sursd de alimentare pentru polarizarea bazei gi a colectorului.
lrr figura:1.25 surrt prezentate trei variante de circuite de polarizare ce vor fi studiate comparativ.
Pentru varianta din figura 4.25.a expresiile coordonatelor punctului static de funclionare se
oblin simplu folosind relaliile (1.50), (4.51) 9i (a.52) in care se inlocuiegte tensiunea Vpscu Vs6.

110
 Vcc

a. b.

Figura 4.25. Circuire de polalizare ce folosesc o singurd sursd de alimentare.

Trebuie ne1{iolat faptLrl cd dimensionarea rezistenlei R6 conduce. in

general. la valori

r.nari. condilia R, << ([]r +l).Rr. trecesard pentru stabilizarea

punctului static de func{ionare'

devenind astfel mult tuai greu de indeplirrit'

O solulie mai bund este circuitul cu divizor pe bazd din figura 4'25'b' Analiza acester
nodului de intrare' Se
sclierre se realizeaz,a uqor dacd se aplicd teorema potenlralelor nodurilor
obtine astfel:
I,',,
"D + p0 -1,'ti
-
. J\t r\r n I (4.61)
I =-----. -, =l I.B*l{2'11
lt
R
-R,
NotArrd cu:
R. ^ - R,fr. (4.65)
r!' -. --:---'l'
I'....
R1 -R-
R,,
R' +R'

se poate echivala scherna din figura- 4.25'b cu cea din figura 4.24.a a carei analiza a fost deja

I acuta.

Pentru schema de polarizare din figura 4.25.c ecualiile de circuit sunt:

B. RB+(/. +1r).Rc =Vrn t I r' Rn+(Fr' +1)

I,'cr. =L'r:s + I
(1s +1c80)'Rc
(4 66)
I'sq- =l'0, +(1. + 1r)'R,: =I"EC * 1c (Fo'+ 1)/Fr
se oblin
clombinand aceste relalii cu ecualta corespunzdtoare caracteristicii statice de ieqire
expresiile coordonatelor punctului static de funclionare:
-lou -(Fo +1) {t'u Rt +(Fn +1)'1cro
l,- Yr
=8..1,'.
Rr+(Fr+l).Rc
=

D,>>l
Rr<<(D/'+r) o' Vr, RulR.
_ []o.(i,.. -L'rr)+(0,. +l)'(R, +R.)'/.uo -Vuu * I cun (4.67)
Rn + (Fr1) R('
+ Rc Rc

l|er.: =I"cc - Rc'lc '(0t +1)/Ft

ill
 Se observa cd gi cu aceasta schemd se oblin factori de sensibilitate mici dacd este

indeplinita condilia RB << (Bo +l).R. .

irr schemele electronice sunt utilizate frecvent generaloare de curenl conlinuu pentru
polarizarea 1-BJ gi stabilizarea punctului static de funclionare. Aceast6 metoda de polarizare.
iniprcuni cu urctodclc de compensare terrnicd. fac parte din clasa melodelor ne/iniare dc
slabili:are a punc'lului slalic de.filnclionat'e. in figura 4.26 sunt prezelttate rnai multe variante de
seneratoare de curent corrtinuu. precurn gi caracteristicile de iegire corespunzdtoare acestora.

Circuitul debazd al generatorului de curent continuu din figura 4.26.a este identic cu cel al
circuitului din figura rl.25.b gi va fi tratat in rnod similar prin echivalare Thdvenin. Expresia
curentului de colector, pentru o funclionare in RAN a TB.l, este similara cu (4.60).
NeglijAnd terntenul corespunzdtor curentului rezidual Ic-no, deoarece in cele mai rnulte
cazuri acesta este cu cAteva ordine de mirirne mai mic dec6t primultermen, se obline:
I, = -Iru)l Rr
(I/uu (4.68)

TBJ funclioneaz6. in regim activ normal dacd potenlialul colectorului, notat cu Vs pe

caracteristica de iegire a circuilului. nu scade sub Vuu-lr'Rn=Vsn (caz in care Vca: 0,
tratrzistorul aflAndu-se la granila dirrtre regirlul activ normal gi cel de saturalie). respectiv nu
depagegte raloarea I',,,,o, r R,,. Jr,. *1,'7sr,.
Dacb dispr-rnern de incd o sursd de tensiune, de polaritate diferita se poate folosi generatorul
de curent continuu din figura 4.26.b. Acesta este caracterizat de relaliile:
I'r.r = l'nc + I o ' Ro' = I"sr * (Fr + 1)'(1,0 + Icou)' Ru
(r1.69)
I'r, = I'cr. + I E' RE -I"er = I'ca

\',,
\; \'
u

Art':' \:VruT v' 'cB0

I
T
T I
T-
Rs
R"
Rt \"" 'BB
T

\b
I2
\.ro* 12'Rr

EL \,' -r T^.1? ^

Lt.

Figura 4.26. Gerieratoare de curent continuu.

112
din care se obline:

t- I'0,. -I',.,, - (lJo +1)'Rn' Iroo

1pn +1).Ro

, -Do \r''ro ' l'ou)*(' "t l'et -Vra

F
(4.70)
'.=@ = RE

L'on,'n = 0, Lr, ro, = i'Cg1

figura 4.26.c ai d. sult prezentate doua tipuri de generatoare de curent folosite

pe scard
i'
deoarece priti setarea la
largd i' circurtele iptegrate. Vom analiza doar circuitul din figura 4.26.d
zero a rezistenlelor R1 gi R2 in expresiile caracteristice acestuia se oblin
cele corespunzdtoare
circr-ritr-rlui din figura 4.26.c.
se poate aborda o
ConsiderAnd cd tranzistoarele au factori de aniplificare in curetlt Fr>>1.
trarare simplificatd a circuitului priri neglijarea contribuliilor curenlilor de bazd
fala de cele ale
ecualii de
curentilor de colector in expresiile curenlilor din circuit. Se oblin astfel urmdtoarele
c ircuit:

| -I Ii,.- - I/,,.,
-/
tt=t't:tl.)=
R+R,
II (1.71)
t) - )c)
It nrt * 1r ' Rr = I'' r,r:: * ]. ' R.

Folosind ecualiile Ebers-N4oll pentru descrierea funcliondrii TBJ in RAN se poate scrie:
I, = I r-, =
lrsr ' exP(Itun, f Vr1 (4.12')
l: = r:. = 1rs: expll'rn. fl:r)
I

Explicitiind expresiile tensiunilor bazd-emitor din relapiile de mai sus se obpine:

I I r ,1.=1 , 7\
LI'n-- I'uo,-l'rn: = ll' lrrl + + l'='r; l'tl+
,t:/
(4.73)
[/, 1r.'] I

Con'ibinAIid aceastd relalie cu (4.69) se determind urmitoarea expresie:

1,
* =
L', t"rll'-!"^&
R, Qt1)
I, R. R.. I, I l, ,l R.

Dacd se doreBte obpinerea unei surse de curent de valoare foarte mic6 este suficient ca fn
acest circuit s6 se irrl6ture rezistenlra Rr (Rr: 0).

4.3. Tranzistorul bipolar cu jonc(iuni in regim dinamic

Regintul clinantic al unui
'fB.l reprezintd.regintul de;t'unclionare in care lensiunile aplicate
acestuia t,ariazd. Teoria generald de regim dinamic trebuie sd porneascd de la ecualiile diferentiale
ce descriu fenomenele fizice dirr semiconductoare gi evolulia in timp a acestora' Funclionarea
/ranzislorului este puternic neliniard. Singura ntetodd de analizd capahild sa.fttrnize:e solulii
analitice pentru diverse tipuri de regim dinarr,ic este metoda de control prin sarcincT. Modelul

113
oferit de aceasta poate fi folosit atAt pentru studiul regintului dinantic de semnal nric, folosit de
reguld in arnplificatoarele de senrnal mic. cAt gi pentru studiul regintului de comulat'e (senrnal
mare) al TB.l. Metoda de control prin sarcind a fost introdusd de SEEC (Serriiconductor
Electronics E,ducation Committee) in 1960 pentru studiul regimului dinamic al TBJ deoarece esle
capabila sd eridenlieze.fbnomenele.fizice corespunzdloare di.ferilelor componente ale modelului Si
/brntele de undd corespun:dtoare dependenlei spaliu-tin1p a transportului (conductanle) Si
stocdrii (capac'ita1i1 purldlorilor de sarcind in di./brite regiutti ale tranzistorului. Componentele
modelului rezultat in urma acestei analize sunt neliniare.in cazul lirnita al funcliondrii la sernnale
nrici. rnf,rirnea acestor capacitali rru depinde de nivelul semnalului variabil aplicat, dar depinde de
punctul static de funclionare al dispozitivului.

in acest capitol se vor prezenta ecualiile corespunzdtoare modelului de control prin sarcind
precum gi lirlitele de validitate ale acestuia. Prin particulartzarea acestuia. in conformitate cu
t'ondiliile de .semnal mic; se va determiua apoi aga numitul model nalural de sentnal mic (sau
model Giacolettctl al TBJ. Tot aici. se va indica rnodul in care acesta se utilizeazd in analiza unui
arnplificator de sernnal rnic cu TBJ gi se vor defini factorii de merit ce caracterizeazdfunc\ionarea
TBJ la frecvenle inalte.

Condiyiile de semnal iric pentru un dispozitiv electronic multiterminal (> 3) impun ca

amplitzrdinea .semnale/or yariabile de tensiune (sau curent) aplicale slructurii la o pereche de
tenninale (uzual ternrinalele de intrare) .;d.fie atat de micd as'tfel incat curen{ii (sau tens'iuni/e) de
intrare de rasputr.s.pi /ensiuni/e Si curenlii de rii.spuns la loale celelalte terntinale sd,/ie
pr'opor{ionale (funclii liniare) c'u amplitudinea semnalului aplicat. Existd doud metode de
deterrninare a circuitelor echivalente de semnal mic pentru un dispozitw'. ntetr.tda exac'/d ce
tttili:ea:a de:t'o/tarea in serie a expresiilor mdrimilor ce caracleri:ea:a Juttclionarea TBJ Si
parliclt/arizerea ntodelului oblinut prin ntetoda de control prin ,sarcind la condiliile de .semnal
mic. Analiza exactd cere solulii sirnultane pentru ecualiile diferenliale pa(iale de semnal mic
deduse din cele $ase ecua!ii generale Shockley prin expandare linrara de tipul:
.r_,(/)=X.t=x,,(l)-+-Y,+-\',(crr) exp(j.to./) pentru o rnarime sinusoidald. in careX,1 reprezirrtA
r aloarea de curent continuu sau r.'aloarea rnedie a mdrirnii de interes. iar X.(co) reprezinti
nrlnlifrrdinen cnr.nnlglf, a semnalului variabil. Cea de a doua rnetodd. ce derivd din analiza de
control prin sarcind. este o metodd aproximativi' ce determind elernentele rrrodelului de semnal rnic
astfel:

(4.75)

114
 4.3.1. Modelul de control prin sarcini al TBJ

Modelul cle 5entnal r17are ce va fi prezentat in acest subcapitol. ca rezultat al

arralizei de
TBJ intrinsec
control prin sarcrnd. este unul aproxintatit,. unidintensional. Modelul corespunzSlor
\ta i,corpora nuntai e.fectele dalr.trale fenomenelor din regiuttea aclit:d a bazei '5i c'ele
cctresltunzd/oat.e t,ar"ia(iei sarcinii din regiunile cle sarcind spaliald
dalorila modificarilor
lacute cu
dir,ensiunilor acestora oclatd ctr ntctcli.ficarea lensiunilor aplicate slrtrclurii. Neglijarile
precum
privire la efectele datorate fenomenelor din regiunile active ale er-nitorului 9i colectorului.
sarcina spatiald, sutit
gi la efectele datorate fenomenelor de generare-recombinare din regiunile de
justificate datorita ponderii reduse a conlponentelor de curent corespunzdtoare acestora in
coniparalie cu cele corespunzdtoare fenomenelor ale cdror efecte sunt
ilcluse in model'
inlpreund cu
Transportul purtdtorilor de sarcind prin regiunile neutre ale emitorului gi colectorului.
alte elemente ce !tn de structura reald a TBJ vor fi incluse ulterior, sub forrld
de elemente paraztte'

Modelul de coltrol prin sarcila a fost dezvoltat pe bazaa dor,ra tipuri de ecualii
partriale:

' ecualia di.firen(iala de cotttittuilate,

. ccualia diferenliald de c,ontrol prin sarcind, a carei variabila este reprezentata de sarcina
aculttulati ili res,iultea de iltteres
r'11'tr'.r)-7r
?'{,^',-r. ) = .1' 4' J,, ldr
SaU )
t-1 76)

O,,(x,.r- ) - l',7 [' lrrt.r-l)-rr,

- "rl
l'd-r

qi care este oblinr-rrd prin integrarea. A ,l I:,[expresie]'dx. ecualiei de coutinuitate:

i0,,, ,,,(-r'..r..1)
1 - Qur,,1(xr'r:'/) (":, l) . (4 '77)
-r" + = 1r,1,1(rr .t) - i
,1,t
0t r ptn)

Trebuie subliniat faPtul ci in aceste ecualii timpul de via{a al purlitorilor de sarcind

(t, sau t,,) este cottsiderat constant.

Ecua(ia c{iferenliala de cctntrol prin sarcind pentru regiunea bazei ct'asineutre a unui
IBJ
icleal deltp pnpin conexitttte B('este:
Aeu(o.tL,,r) _9s(0.i1..r) _, r0 t\_i_(W.t\
=l''(o't)-iP(w't) (4.7g)
ar T
in care QBQ.II,' .l) reprezintd sarcina acuttrulati inbaza cvasineutrf,'
Dar i,,(0, t) = irt,Q') si i r(14/ 't) = icp(t).
presupunAld cd tensiunrle pe joncliuni se schimbh suficier.rt de lent astfel incAt distribulia
purldtorilor de sarcind in exces in regiunea cvasineutrd a bazei se schimbd ca o succesiune de
distribulii statice (distribulia particulard oblinutd la un mornent dat este identica cu distribulia

115
stalionard obtrinutA pentru tensiuni statice egale cu tensiunile instantanee corespunzitoare
r-nomentului de timp considerat) gi linAnd seama de faptul cd baza este subtire comparativ cu
lunginrea de difuzie a purtatorilor de sarcin6 minoritari in baz6, putem considera cd distribulia
purtatorilor de sarcind minoritari in ba:a esle liniara Si cvasistatic'd.
Deoarece arn admis o relalie liniard sarcind-curent gi cunoscdnd faptul cd in sislernele
liniare rispunsurile Ia diferitele excitalii sunt aditive. sarcina delerntinald de purtdlorii de sarcina
tttinorilari injectali sau extra;i din regiunea bazei in conformitate cu tensiunile aplicate este
aditit,a..Astfel. rdspunsul final poate fi considerat ca o sumd a doud rispunsuri:
. rdspnrt.sul direct oblinut prin considerarea ca terminale de intrare abazei gi a emitorului.
determinat de aplicarea unei ter-rsiuni vraQ) + 0 irr condiliile in care lcr(1) = 0, gi ale cdrui
F in conformitate cu rrotaliile IEEE;
cornponente prin'iesc indicele
. raspunsul int,ers oblinut prin considerarea ca terminale de intrare a colectorului gi a
bazei. determinat de aplicarea unei tensiuni lcr:(t) + 0 in condiliile in care vns(t') = 0, $i
ale cdrui componente primesc indicele R in conformitate cu notaliile IEEE;

in consecin!d. componentele directe gi inverse ale modelutui de control prin sarcind ale
urrui TBJ ideal sunt:

Qsr-(.0,[41 ,t
irr.(/) _
)

TF
eQrr.(0.ul.r) o,,(0.1l' .t)
int,Q) _ + *"' (4.7e)
0r t gt,
/\ tA IIl .t
6Qro 10.llt.t) Q,,(0.11-.t) VarlU.lt ,ll
+ -"' f-
At Tnr 'r

i()..t0 il /\ , Qu^(0,W',t) O,,(0^II'.t)

t.. It\= ": b^'
+ -'-"
ot Tnn Tn
i()...t0
'Y5n\ il'r) O."(0.1I-.1)
*''"
+ (1 80)
er Tan

rrll\' |-
T1

i. (l; = i.'-'(t) - icRQ)

iBQ)=lsr(/)+irR(l) (4.81)
ir(1) = io,.Q)-iur(.t)
Trebuie subliniat faptul ca rF difera de ra nurnai pentru TBJ cu bazd gradat dopatd in care
apare ul1 cAmp electric interrr ce accelereazd, respectiv frdneazd., migcarea purlhtorilor de sarcind
irrjectali in funclie de direclia de deplasare a acestora.

Acesl rnodel poate fi

completat luAnd in considerare variatia sarcinii din regiunile de
trecere ale TBJ. Aturrci c6nd tensiunea aplicath joncliunii ernitorului cre$te un flux net de purtdtori

116
de sarcina trebuie sd curgd iri direclia stratului de sarcirrd spaliald. de anlbele pdr{t. pentru a
coprpensa sarcina spa{iala fixa. Acestui flux let ii corespunde componerfta Aqlef A1 ce se adaugd
curentului de emitor. Sarcina qt E reprezintd diferenla dintre sarcina spaliala fixd a regiunii de
trecere a emitorului corespunzdtoare unei tetrsiuni lur(l) + 0 9i sarcina spaliala fixd a regiunii
de

trccere a etnitorului corespunzatoare uttei tensiuni lrr =0 '

La j6ncliunea colectorului situalia este analoagd. dar avAnd in vedere convenlia de semn'
corrrponerrta Oq,.of At se adaugd cu semnul minus la expresia curentului de colector.
in consecin!5 ecualiile nlodelr,rlui de control pritr sarcinI sunt:
QRr (0.11; .t) 6Qu,,(0.14t,t) Qr^Q.Ilt -r) Qu'r(O,W 't)
ir(l)= -Aqrc
r.7. et r nn Rr' At

0O,,(0.Ii-./) QurQ.l4/,/)
\.": , 0Qn^(10
BR(0.14/,t) O^rt}.ll'.tt Aqre i',1t t
-"' + LDr
)'/
At xnn 6t 0t
(4.8 2)
Ar

0QrnQ.II/.r) Q n, 10.11' . r 1 O* i0. ll-. I ) O,,(0^Il' .t\ Aq, ,

l:\t I -
t
At rnr tt ry1 At

Circuitul echivalent corespunzdtor colrlponentelor de curent constante in tir,rp este similar

circurtr-rlui echivalent E,bers-Moll. Ternienii variabili in tirnp pot fi reprezerlta!i prin capacitali
neli6iare oblinAnd astfel circuitul echivalent complet ilustrat irr figr,rra 1.27. Fenorrettele de
transport ale purtdtorilor de sarcind dirr regiunile neutre ale emitorului gi colectorului pot fi
modelate prirt rezisten{e echivalente de sernnal rnare (rezistenlele de volum ale acestor regiurri).
r.rt, rcc . Cdderea transversald a curentului del:azd se poate nlodela tot printr-o rezistenld de
$i
semnal r.;are /;, . iar jonctiunea parazitd colector-baz.6 nesuprapusi poate fi reprezentata intr-utl

similar jonc{iunii active colector-bazd. {inAnd bineinleles searra de diferen{ele de arie

'od
existelte intre acestea. Toate aceste elenrente au fost reprezentate punctat irr figura'1.27.

E I'ee C
Oi.. iC)
<-
->
rE lr-

tao'

;-n 'I''
.BIOB
Figura 21.27. N4odelul corespunzdtor regirnului variabil de semnal mare

t11
 Fenomenele de transporl ale purtdtorilor de sarcirrd din regiunile neutre ale ernitorului gi

colectorului pot fr modelate prin rezistenle echivalente de semrral mare (rezistenlele de volum ale
acestor regiuni). r1. $i rcr. . Cdderea transversald a curentului debazd se poate modela tot printr-

o rezistenld de semnal mare ruu, ,

iar .joncliunea parazitA colector-bazd nesuprapusd poale fi
reprezentatd intr-un rnod sir-nilar jonclir-rnii active colector-baza. {indnd bineinleles seama de
diferen{ele de arie existente inlre acestea. Toate aceste elemente au fost reprezentate puttctat in
r , r-
rtsura +.1 / .

Dezvoltarea acestui nrodel s-abazat pe relalia liniarb dintre sarcind gi curent. asiguratd de
distribulia o,asistationard liniard a purldtorilor minoritari, in exces fala de situalia de echilibru
termodirramic. din regiunea cvasineutrd abazei. Pentru ca aceastd distribulie sa igi pastreze forma
liniara trebuie ca valoarea instalttanee a curentuluibazei lb(I) sd rdmAnd rrica gi in regim variabil.
Aceastd condilie se poate exprima analitic astfel:
t^^
laU, tcltt. 611,, O,,
i -" +__:-:-::-r ((1. SaU
16t At il rt,
(4.83)
I lau^ |

vr c'l rp

4.3.2. Modelul natural de semnal mic al TBJ

Circuitele arralogice opereazd in cele mai multe cazuri cu semnale al cdror nivel este mic in
conrparalie cu tensiunile gi curen!ii de polarizare. in aceste condilii. se pot elabora rnodele
inc'rementale sau de semnal ntit' care permit determinarea performanlelor de interes lErd a mai fi
necesara includerea tensiunilor gi curenlilor ce definesc punctul static de funclionare.
Deoarece irr anrplificatoare TBJ sunt polarizate in RAN.
prezintd interes determinarea
rnodelului echivalent de sen'inal mic al TBJ numai in acest regim de func{ionare. in cele ce
urnreazd vom considera url tranzistor de tip pnp caruia i se aplica tensiuni de tipul:

vea =I'ts *l'r, = Iluu+Ilru 'sin(co'l)=1"0,, *Av6s (4.84)

Ica =L'cB *1'.,, = Vru +I',u 'sin(co'l) =L'r:s + Ava,

in care rarialiile Ji's6 gi .\r'66 indeplinesc condiliile de semnal mic expuse in introducerea
capitolului -1.3.

in consecin{d. rdspunsul funclional al structurii va fi proporJional cu varialiile tensiunilor

aplicate acesteia. iar f-actorii de propo4ionalitate vor fi elementele circuitului echivalent de semnal
nric. Vom nota cu Ar(Av) = x(.1/ +Av)-x(v) varialiile ce apar in rndrimile x ce caractertzeazd
rdspunsul structurii Ia varialiile Av ale excitaliei.
Folosim ca punct de plecare ecualiile modelului de control prin sarcind. Varialiile ce apar
in curenlii prin structurd pot fi scrise sub forma:

118
 LQ s;(Lt,n) d[AQrn (Avc,: )] LQ nn(.Lt'ct) Apuo (Av6.; ) d[Aqrc (Aycu )]
Ai6(/) =
IF Ar xsn 0r

d[AQ6p(Ai,r, )l LO o, (Ar'"o )
t)t Bt t | - t--..--T
Ar - tif
1.1.8 5 r

+
d[AOrn (Artr, )] AOu,.'(At'.n
+="'+ ) d[Aq, c 1Ar'66 )] .|-d[Aq1s(Avsr)]
Ar Tnn Ar Ar

d[A0rr (Ai',,, )] AO,,,. (Ar'.o )

AO^.-lAr'. ^)
"\aut\"'fbl A0B/1(Ar',-B) ?lLq, t(Jr'7p )]
Aru(l) = t--T
6r Tnr ,- rp At

irr care (r,ezi figura 4.28.a):

q. S,'/l'' 1p,,(0. Jr'sp)
1Qr,(-\r',,.)-T
q .1,.ll'' J7r,(il-.\'.s)
l?l,r(-\r';6)=T
(4.86)
r-(B) ri(E)
'\ I "\ D A/"([irnr)
Lq1 5(Lt, 1,6) = _ LQse(A,'uu) =
-q' "i't .V!B)+IrN!r
11r .R) 1.1C1
Aq16(Ar,.-3)=-LQllc(Ar,,..n1=-Q.'J,#'A16(Ar,.-u)
-\,J rl\ll

Incorporarea efectului moduldrii grosimii bazei cvasineutre se poate realiza in felul

urnrdtor. suserat in figura rt.28.b. in locul varia{iei reale a lui Il cu }f6-6 se poate presupune cd I{'
rdnrdne constant. iar concentra{ia A7r, (11",,\.,,r0)+ 0 . ConsiderAnd condilii de semnal mic este
evrdent ci varialia realS a grosimii bazei LII este mult Irai nticd ca I/9i ci se pot scrie relaliile:

,t.u; ( il.,lv,., ) _ Lp, (.0.1t u i

- A'J';,, (0, Vt t')

L[41 IT. + LII, TI.

(4.87)
au-
LW- = ^ 'Aler
cl'c B

Varia{ia concentraliei Lp,,(14/.Alcr) poate fi pusd sub forma:

L'p,,(14/'A1'r'r) - I'"(9:!'no) 'LU/ P"(0:Ves)

= ' 9!t ' 6'''.u (1'88)
ul 14/ dvcs

sau introducAld o noud ntdrin'ie q. cultoscutd sub derrurnirea de factor de mctdulare a grositnii
ha:ei. definita de relaiia:

''- Il' .414/

,.=It'' . (4.89)
ir.,,
sub forma:
n {0.1'1sl I7 ill P,,(9.'I-EB).r .Ar'.
.\r-l..tlf'.fi'..)=L- Lven = (4.e0)
I r 1-dri4 VT
n

119
 Salciur in jecla ld
tll s€lls rDvels a)

A 1in(r ) rj txt

qr., {0 1

. I{\.'
'Cts
-

Apn{W)

W W+\Wr W x
Figura 4.28. Distribulia pLrndtorilor de sarcind rninoritari in baza in regirn dinantic
cvasista{ionar pentrlr r,rn'fBJ detip pnp: a) cazul general. b) polarizat in RAN.

Varialiile concentra!iei Ap,,(0.Alur) in condilii de semnal mic $i pentru RAN sunt:

r7,,,(u.-\r16) = t,,,,
[.'ol
!* I-t l-'-]-r,,
) _ [".p l+
r r, t- r.l=
I
t | l
(+.9 r )

= r),,t,.'of P J [.-ol+'l-l-l=
\..tr,) t t tt ) )
Lp',,(o,r,,,) 4P
r,r

=\l),.([) lrA) =lr'/.r,I;

ln confbrrnitate cu relaliile (4.90) gi (a.91). se poate afirma ca e/bctul t,aria{iei tensiunii
ctplic'ate .jottc'litutii c'o/ec'lor"ului esle simi/ar cu cel al vurialiei tensiunii aplica/e joncliurtii
ernitctrtrltri dar sensibi/ ntai mic deoarece valoarea factorului I este extrem de rlica, cuprinsa intre
l0rqi 105.

In consecin!a. expresiile (1.86) devin:

A,'8,
AOrn(Ar,o, ) Qsr(l',,) .
= I,/

\t"'
\/) t \r. r - /)
ybl tIt, rg)'l
-116t rrr, g, =
t,r
tr. a 14.921
Jr71 1 (-\r'1o )I I tl'
Ar'.o
tt\t'lB)
tr. J
14,, (lt', u)- -.I " r,"' .Ar'.^
lc\Y, n)

120
 neutre \\r este
Irr RAN. colllPonenta inversd a sarcinii acun'iulate in exces itr regiunea bazei
e\treut de rllicd 9i. de aceea. relatiile niodelului de control prin sarciltd in regitl
staliollar. devltr:

r {),
Ybl r0.ll-)
r"
_t -
- ar.

, Qo, t 0' II-t (4 93)

'tJ
- tir
O", (0. Il') O,, 10.t1-1
IL
L BI. IF

Folosind relaliile (5.93)in exprirnarea rela!iilor (5.92) se obtin expresiile:

A,
(l'r'
r/\; (/)=/ l':, -(f'r.,-j_:f ' ;-(,q0+,q., )
r'\- i (1)=.9,,,.
rtt' ,t . /- 1.b

\r.rj,! ,,1 _
c, cn,.

lr' ,
:-:i Fr' .'r
r--ll ,
(4.e1)
(1 ) = i,rt \ = ,C r!_-!ll + 8, '1'.b * ,l_*jq- g,, ' l'.F
-\lF (f
1( '
\- RAN
/i'jr\
C. = C,11 C,, = Crr'
Fr, ,
\,.rr,- i trt-r(- Lt \lf \."'"
, tln\{:)/rl *g^).t.,.1,-.qn.1'.a
Ji1 t/l-l,tri-t\dr.
ti, ,
--;r-
l - L,//.
=

iri cale s-au folosit urntdtoarele mdrimi ce cara(:leri:eazd funclictnarea TB.l in regim dinanric 'le

setjltlal rnic intr-urt putlct ,static cle.funclionare (lc, Vce) situat in RAN{. oblinute din
relaliile (4'85)'
('1.92) si (4.93):
. transcondur:lan(a sau panla TB.I, g,,,,'.
It' (4.e5
,,
5'r - )
11

. c:onduclaula de ieSire a TB,l- notatd cu $s Sou $cei

I. (4.e6)
.90 =l';=!'8,,
,T
. conduclanla bazei aclit'e in,sens direct, notat6 cu $r S&u $be'

1,,: 1 9,, i1 e7)

-tr L', Fn Fr.
Q =-

. conduclanla ha;ei acliye in 'sens invers, notatA cu 8'F sau gbc:

1,. 1

tl-,Rn l (4.98)
,(,, =I. n
IT PF
. capacilalea de di./itzie a ionclitrnii entilorului. Cae"

],- (4 ee)
(dE=7'1r=8,,'TF
tT

121
 . capacilalea de di.fuzie a f oncliunii coleclorului, C76'.

(.dc; =
I.
rl.;,1r (4 r00)
=l.Cat
. capacilalea de barierd a.joucliunii entilorului. Crc:
Crr,=t..ltflrt(/EB) (4.r0r)
. c'apacitaleu de barierd a.joncliunii colector"ului, C6g'.

C' L,c' = e' A t f [ (' (t:( B) (4.102)

Circuitul echivalent de semnal mic corespunzdtor unui TBJ intrinsec cu punctul static de
funclionare situat in RAN. caracterizar de relaliile (4.94), este reprezentat in figura 4.29.
\4odelul din figura 4.29 permite incorporarea rezister,lelor de volum corespunzdtoare
regiurrilor neutre ale emitorului gi colectorului ale TBi intrinsec, precum gi a unor elentenle
extrinsec'i. corespunzitoare particularitililor constructive ale TBJ reale. Astfel, efectul curgerii
transr,ersale a curentului de baza este modelat cu o rezistenld, r'1,6'. iar efectul joncliunii de
suprapunere. polarizatd invers in regim activ normal al TBJ intrinsec. este rnodelat cu o capacitate
C.,.. numitd capac:i/a/e de suprapunere. Circuitul echivalent astfel corr,pletat este reprezelttat in
figura -1.30. Tot in aceasta figurd apar gi valori reprezentative ale elementelor modelulLri
coresputizdtor unui TBJ de Inicd putere polarizat in RAN la I,- =1 mA.

B
4
I L('
rf .lr

E E
Fi eura,1.29. Circuitul echivalenl de semnal mic corespunzdtor unui fBJ intrinsec polarizat
in RAN.
['=g itpt;

lu ( 21"{tJ)

l' l- t.'
(sari l'') E rt'lcc

(10rra) 7 (50-1oo ft)

r
D'

E
fee'
( 10+50 i))

Figura:1.30. Modelul natural de semnal rnic al TBJ polarizat in RAN.

122
 Circuitul echivalent al unui TBJ de Itp npn nu diferd decAt prin sensul tensiunii de senlnal
r'6" gi deci implicit al generatorului comattdat g,,,'t'6, '

Circuitul echivalent din figura :1.30 poartd numele de circuil echit,alenl nalural al TB.I
deoarece elenrentele sale ilustreaza fenorrenele fizice corespunzdtoare dispozitiVului. De
aserrenea el poate fi intAlnit gi sub denumirea de circttil echivalent de lip Giacoletlo.

4.3.3. Specificarea rispunsului in frecvenfn al TBJ

Perfctrntanlele la.fr"ect,en(e inalte ale TBJ, ce lucreazd in condilii de semnal mic' se

aprec,iazd. in marea rnajoritate a cazurilor. prin valoat"ea unor.fr"earcn(e caracleristice care se
definesc plecAnd de la expresiile coeficien{ilor complecai de aniplificare in curent in conexiunile
EC si BC:
T
13
("1. l0-r)
I-O
II | -.n
l+R
' Y

pentru determinarea expresiilor acestor factori de amplificare folosirn circuitul echivalent

natural de semnal rnic al TBJ pentru a modela funclionarea TBJ in conexiunea E,C. cu iegirea in
scurtcircuit. Circuitul echivalent rezultat este reprezentat in figura 4.31. Pentru a siniplificaanaliza
arr rreglijat efectul elenrentelor rcc I t'ee $i C..
AplicAnd Kirchhoff I in nodurile de intrare gi de iegire ale circuitului din figura'1.31
oblinem urmdtoarele expresii pelltru curen{ii de interes:
17, = (.gn + -j.c,r. C nl.I/ nu + (g,, *.1'ot'C,,)'11"a (.4.1 01)
t--l
:c q\ /'l :t /l
-

deci
|]r 8"
I] 8ut
R.
o _ =(
' L1
1|)I
o t-i.r,t.C
5n-l*-r'5ll
+ o + i. r,r. C (1+i or.ti'Cn)'(1+n)
1,, n
.,
+ g\! (4.10s)
n.a

Ft
(1+j co.r;.C^)

E E E E
Figura 4 i 1 . Circuitul echivalent de semnal mic pentru TBJ cu ieqirea in scurlcircuit in conexiune EC.

123
 Notdnd cu

, o)B
(4.106)
/fl -
/.11 2.n rr (C" + C,, )

'recrenla
{r'olt,otttrt la
Ia c'ar"e modulul
ntodulul .fac'lorului
/ac'torului de antplificare in sen,s direcl ln conexiune EC ,s'cade 1a

ll = 0,707 clin t,aloarea sa cle .fi"ecvenle joase. rela{ia (4.103) devine:

"li
A-
ll
r- -- (4.107)
I + j.cLr trru

Frecvenla./B este cunoscut[ sub denumirea de .fi^ecventra limila superioard a factorului de

amplificare in curent direct F .

Folosind expresia (1.107) in relalia (4.103), aceasta devine:

Fr' 0r
rl R | +.1'c'-r r'tn I + []r crF
(+ r08)
t"i
-l
=-.....-
t+B .l*t-t.l-t'Br (r) 0)

l+j.crroru " (1+[]n).cos - coo

faptul cd.t'recvenla Ia care modulul .factorului de antpliJicare in sens direct in

Se obsen'd
cctnexitrne BC'sc'ade la If Jin t,aloarea sa de Ji"ecvenlejoase^ ou. este de (1+81) ori
"1=0.707
tttai tttare C3 o1.. ceea ce.jLrstifica folosirea conexiunii BC la frecvenle inalte.
Frec'ven|a cle ldiere a untri TBJ.s'e de.fineste ca.fi'ecvenla la care modulul ctmplificarii in
('uretlt in sens direct, B, derine unilar. EgalAnd cu unitatea expresia factorului de amplificare

o- 0o - 0t (4.109)
ry=i,,
- r-'
lr-J'c) .rnl ,/'+(,, ,j )-

gi linAnd seama de laptul ca (ot. /coB)r >> 1. se ob{ine:

o)r = P, .c)B = g,,,/(('- +(-,,). (4.rr0)

Caracteristicile modul-fi'ecven15 corespunzdtoare factorilor de amplificare c R sr rrrf
reprezentate in iigura ,1.32.

Fe
0,707,pF

f.fi frf" I
Frgura 4.32. Caracteristicile modul-frecven{d lp(co)l li lu(c,l)l

114
 f-, IGHzl

Frgura 4.33. Dependenfa tipica.fi(1, ) pentru de

inalta frecven!5

FEI
T.iorrr:4 1,1 Circrritul echivalent de setnrlal nlic al utrui TBi de lip pnp
ir.t coneriutre EC cr-r rezistenlA de sarcind Rt. + 0 '

Frect,cl(cr cle taiere a unniIBJeste dependentd de condiliile de funclionare (punct static de

fu'cfionare. tenrperatura). in figura 4.33 este prezentatd dependenla frecverr{ei de tdiere de nivelul
curerrtului de colector pentru un TB.l integrat de t\p ttprt'

Se relia calculul anrplificarii in curent pentrll conexiunea EC dar in condiliile conectarii

r_rnei sarcini R,_ + 0. Circuitul echivalent de sernnal mic corespunzdtor acestul caz este reprezentat
in figLrra 4.3,1.
AplicAnd Kirchhoff I in nodurile de intrare qi de iegire ale circuitului din figura 4.34 se

ob{in urrndtoarele expresii pentru curenlii de interes:

1,, = (gn+.i.co' c +[Rr' I, - (-l/ b, ))'
^').Lt,

I, =[-(Rr .1,+I/,,, )..1 ,, -r,9,,,.1'r,. I'r,f 1ry,+ R1l

(-.1'', + s,,, ) t"(.)

!, | + (r,, ll Rr ) 'J,r, rr, + R,.

I_0,
(4 111)
(--i,r, * gD J lil ,r II
f
lr'y' 1,, +lRL _De i-
'y,
| + (ti, tt R. ) .i'u ra+^l
-l
(-,ri *g,,)'J'u .,,-) ll R) + )'u
= *
[''^ l + (.r, llRr )
.
.l,u )'Lo'
Expresia amplificarii in curent devine:

t25
 !-rr J&t Lo
I | + (.ri, llRr )
.
,t,u ,i' + n,
f
,,," * S,l,t:.), lo .e,, , Rr) + t,,, (4.1 12)
+ (ii, i/ R7 ) '.i,,,
1

0o f0

i + j.or. rn'fcn+C,, .(l + g,,.(1x ll RLDI ru + R,

ldl frel'en1a lirrrita superioard scade. fiind data de expresia:

(1.r13)
rn.lC, + Cu .(1 * 9,, .(rc, ll RL)))

(4.rr1)

arlplificarea la frecr enle joase. expresia arnplificarii in curertt der ine:

t4.l 15)

Se observd depent{en1a de ";arcind aldt a yalor"ii de joasd.fi"ect;en1d a

ampli.ficdrii in curenl.
,1r,. cal Si a.f)'ecrenlei /imita sttperioare a amplificdrii in curent^.fs. Ambele valori scad odald c:u
cre$lerea re:islenlei cle sarcind. R1,.
Folosind relaliile (.1.111) li (4 112) putem determina gi expresia amplifichrii in tensiune a
TB.T in conexiune EC:
I./ Rr.l, I\1 t_Ll
D
I\r
(4.l
:]l 16)
l, -,"nu'lu-L,, roo +I/ ,u ' ] ,, -t l't tt' -
r L,n.r
unde cu 2,,,, anl notat impedan{a de intrare in TBJ intrinsec, data de expresia:

Z r =+ = *,. ;1# Qu t t R1) * r',' (4.1 I 7)

"'
/lr'"* l
in consecinld

-l
(-.i'u + g,, )' .ti,
,"
'bb [,, -t- ---" .Q'r ll R,.)+t,,,]*f
[,
^ 1+ (r,, ll Rr ) .-ii
I g,,,'(rytll Rt)
(1.1 1 8)
1+ruo rr I + i.o.(i: J DD
, llr,).1C,+C,,.(1 * &,,.(rsll RlDl
_1,_ nl,1 '0rdcal ll
1+j co co!
..,'',
I+ l+e,,, l+to,,,
J'0),'(Ds
unde pararnetrii irlplicali reprezintd:

l'o
 . A t'r, - amplificarea in tensiut-te la frecvenle joase'
(4'119)
,4t.rt=-g,,.(ry,11 R1.)'r*f (r^+r,,, )'
. joase coresputlzdtoare TBJ
.,1 r.(r,d",j - r'aloarea rclealS a anrplificirii in tensiune la frecvenle
intrinsec ideal.
| (4'llo)
.al LrrJt-rl - -- .\irio 't?'
"1 '

. r,n $i r,,,,i - abaterile relative ale amplificdrii in tensiune la frecverl{e joase fatd de cea

coresput-tzdtoare TB-l irltrinsec ideal-

(4'121)
t:,,,=rrnfrn Enr,r=Rrft'1,'^
. pulsalia corespuzdtoare frecverrlei limita superioare a TBi.
?'n'./s (1.122)
0)-5 = =
+ g,,'(.h /i Rr))l
(r,o ill;).[(-^ +C]i, (1

in cazul ului arnplificalor. ce are o sarcind oarecare. frecvenla la care modulul amplificarii
de taiere)' in cazul
derirre unitar poarld denumirea de produs ampli.ficare-bartdd (sau frecvenla
nostru produsul aniplificare-bandd. Ilotat cu PBI4/ este:
+c
I g,', '(41 ii R1) Ry
(1.123)
PBII' =
--)
2. ir r',,u'[C^ +C,,'(1 + g,,,' (r,,i/Rr))] ).T
-'"hh
t' .I .
l-r

Se obserya cd aceastd frecvenla depinde de sarcin6. irr serrsul creqterii acesteia cu R7-. iar
uraxima se ob1ile pentru situalia de gol la iegire. Constanta de timp cot'espultzdtoare
'aloarea distribuita
lucrului irr gol corespunde incarcdrii capacitalii de barierd a colectorului prin rezistenla
Erpresia acesteia sugereazd niodul itl care PBIf poale fi crescut;i atlume
prin reducerea
a bazei.
valorilor elementelor Cu 5i r1,,

1.3.4. Exemplificarea utilizirii modelului natural de semnal mic al TBJ

Amplificator de sentnal ntic cu cuplai RC cu TBJ in conexiune EC

O schemd practici de aruplificator cu TB.l in conexiune EC este reprezentata

in figura 4'35'
Generatorul de sentnal. a cdrui rezisterr![ internd a fost notatd cu R6. este separat de etajul de
anrplificare printr-o capacitale C n, trumitd capacilale de blocare. ce blocheazd trecerea
co'nponentei coltinue intre etaj gi generator. Sarcina R1 este cuplatd la ieqirea
etajului printr-o
capacitate C'c. numitd c,apacitate de cuplaj a sarciltii. ce peiln ite trattsmiterea
Ilullral a
punctului
co'ponenrelor alterlatiye cdtre aceasta. Capacit[1ile Cr $i Cc asigur[ deci independen{a
st'tic de funclionare al etajului in raport cu elementele externe cuplate la intrarea' respectiV iegirea.
acestuia. adicd geleratorul de semnal gi sarcina. Rezistenla de stabilizare a punctului
static de

funclio'are RE este decuplatd in curent alternativ (in scopul oblinereii unei amplific[ri in tensiune
cfLt nrai ridicatd) printr-o capacitate CE. numitd sugestiv capacitate de decuplare.
Toate aceste
de lucru).
capacitdli trebuie s6 se conrporle ca nigte scurlcircuite la frecvenlele de interes (frecvenlele

127
 Figura -1.35. Amplificator de semnal mic cu un TBJ in conexiune EC.

DatoritA liniaritalii implicate de condiliile de semnal mic analiza circuitului se poate realiz'.a
separat pentru componentele continue gi alternative ale tensiunilor 9i curenlilor schemei. in
consecin!d. studiul acestui etaj de amplificare de semnal mic se realizeazd prin parcurgerea
urmdtoarelor etape:
, ana/i:a in curenl conlittuu^ ce are ca pulrct final determinarea punctelor statice cle
funclionare ale dispozitivelor schenrei ;
, delerminarea paramelrilor dinamici de semnal mic corespunzdtori dispozitivelor
circuitului:
, de/erminarea scltemei echivalenle de semnal micin curent alternativ;
. determinarea perforrranlelor de interes ale amplificatorului prin analizd pe schema
echir alenta de semnal n-ric.

Scheira echivalentb de curent continuu a etajului este de tipul celei din figura 4.25.b. cu
e\ceplia tipului de tranzistor utilizat. Prin inversarea corespunzitoare a polaritalilor tesiunil,rr
schemei gi a sertsului de curgere a curenlilor relaliile oblinute in acel caz iqi rnen{in valabilitatea:ii,
de aceea. nu se mai reface analiza. Odata determinate coordonatele punctului static se trece la
rerificarea funclionarii in RAN a TBJ. Aga cum este polarizat TBJ, acesta, in funcJie de valoarea
tensiunii sursei de alimentare I/66. poate sa funcJioneze fie in RAN, fie in RS. Granila dintre cele
doud regirluri. numita saluralie inc'ipienlii. este la Vsr-: 0.Pentru Vnc:>0 TBJ func{ioneaza in RS.
iar pentru l,s. <0 TBJ funclioneaz1, in RAN. Drept urmare! t,erificarea funcliondrii in I-4N a TITJ
.se reuli:eu:a prin c()mparorea ten.siunii I/1.p c'u I/s6in conforrnitate cu rela{ia:
<ll

I'c-r, = I'cs *I:sr- = -T*) *1,'uo > I/r, (4.124)

+
>0 >0

Odata determinat punctul static de funclionare al TBJ gi verificat regimul acestuia de

funclionare se poate trece la cea de-a doua etapd. Determinarea parametrilor dinamici se face in
conforrriitate cu relaliile (4 95)-(1.102) pe baza informaliilor referitoare la condiliile de lucru
(punctul static de funclionare. tenrperatura) gi la paramelrii dependenli de construclia gi tehnolog.ia
de fabricalie a TBJ (pararnetrii de proces). Atunci cAnd parametrii de proces nu sunt cunoscu!i in

128
totalitate, pelttru parametrii dir-ramici ce nu se pot determina se adopth valorile ideale ale acestora.
Valorile ideale ale parametrilor dinarnici dependenli de proces sunt: r1,, -+ 0. 1. --+ 0. r;. -+ 0 .
\l-->m, ri *o. Cu -+0. C-,. +0.
Deterrninarea sclremei echivalente de semnal ntic se realizeazd in doud etape. a$a cum este
indir-at in ficura -1.-16

. mai iptdi .se pasit,izea:d s'ursele de curent continuu din circuit gi se inlocuiesc, acolo unde
este posibil (in funclie de garna de frecvenle de interes). reactanlele externe prilt
scurlcircuite sau intrerr-rperi (r'ezi figura 4.36.a), pasivizarea unei surse de curent continuu
insearnnd inlocuirea acesteia cu rezisten(a sa internd. iar dacd aceasta nu este cunoscuta se
adoptd valoarea idealS a acesteia (nul5 pentru sursele de tensiune, infinitd pentru cele de
curelltJ.
. apoi se inlocuiesc dispozitivele cu circuitele echivalente de semnal n-iic corespunzdtoare
garnei de fi'ecvertle de lucru (r'ezi figura 1.36.b 9i c).
La fi"ect,enle joase efectele capacitive interne ale TBJ sunt neglijabile iar schenla
echivalentd de semnal rric a amplificatorului este cea din figura 4.36.b. Pentru a ugura analiza
acestei re{ele vorn aplica leorenta lui l\4i1ler.

Teoremo tui eyaltrarea efectului unei intpedanle Z conectale intre doud

XIiller ;terrnile
nocluri crle unei relele (vezi figura 4.37.a) asupra curen{ilor din aceste nodm"i alunci cand se
c.trnoasle ampli.ficarea in lensiunc re/aliyd /a noduri/e respec'live,9i anume:
i-r, (4.125)
V.
-1r
in conformitate cu aceastd teoremd e.fectul intpedanlei poate .fi echit,alat cu efectul a
Z*

dou,t impedanle Z1 q\ 2,", conectale inlre nodurile de interes Si cel de referin(d (vezi figura 1.37.b),
irt confonni/ale cu ex;;re,siile:

-L-L
Lt
/ _: 77
-
/ -:
t- )
-
(4.126)
-l l-A l-l^

Duala leorentei Iui X[iller Tterntile et,aluarea e.fbctului unei impedanle Z- cctrttune la doua
ochiuri de circuit (lezi figura 1.38.a) asupra bilanlului de lensiurti din buclele respeclive cattd se
cunoasle amplificarea in curenl relalivd la cele dottd ochiurl. gi anulre:
v
,r\r--I'llj=Lt.
I lr - -, (4.121)

in conformitate cu aceastd teoremd c'ele doud ochiuri se pot ,separa pritt echivalarea
e.fectului intpedanlei cotllune Z prin efectul a doud itnpedanle 21 Qi 2.. conectate ca in fiorrrn
4.38.b, date de relaliile:
z, = Z '(1- K ,)
Z. = z '(1 -11 L) (4.128)

t29
 t.
Il '.L€IL
P- E TJ
-8,
T"

\'\- l

'do* ( )e",i4+
p- p- Rr'l!t
r+t-)
,L

P- T_

F"
-t114 b"

F- T ,. r,u I.,
:-s :

l-_j
)
-l
-I
o*l \r"'
-De
I

\
l{
I

rt7 _

i.' I '.I R- rf v,
T-
I
L.

l
Ra J'u'o c:'
l
v
Figura -1.36. Determinarea schemei echivalente de sernnal mic pentru
amplificatorul de semnal mic cu un TBJ in conexiune EC.

lod cle refelinli ,

Figura 4.i7. Teorema lui Miller.

130
 Zr=Z'11-

.;
fefel ell ce ltocle f lefegrce nocle

Duala teoremei lui Miller.

in continuare se revine la analiza arlplificatorului a cdrui schemd ecliir,'alentd este

feprr-zentata in figura 5.45.b. Trans.forntarea impedan{ei zr,=1lgu, cctneclald ittlre nodut'ile de

inlrgre S'i de ieS'ire ale TBJ intrinsec, in confortnitate cu relaliile (4.125) gi (4.126) are Ltn caracter
aproximalit,gi poarld nuntele de unilalera/izare a TBJ, respeclit; a antpli.ficatorului. Aceasta se
poale realiza dac6. prirr irnpedanla al cdrei efect se doregte a fi echivalat, curentul este neglijabil in
l'apc)rt cu restul contribLrliilor de curelrt la nodul de iegire (sau nodul 2 din schemia 4.37). Deci.
tnilaleralizarea untti TB,l se poale realiza dacd:

I.r,,,l
.. t,,, qi l;,,',l ..1r,. . (1.129)

La TBJ opera{ia de unilateralizare se poate realiza- in cele mai multe cazuri. pana la

frecven{e./< /r.10.
ConsiderAnd indeplirrita condilia (4.129) referitoare la sarcind. arnplificatorul de sernnal
ntic se poate unilateraliza, oblinAndu-se astfel schema echivalentd din figura 4.36.b /. Valoarea
aproximativd a impedanlelor echivalerrte rir gi rp,: se detertttitrd dirr relaliile (4.126) in care
amplificarea in tensiune K. relativd la nodurile de intrare gi de iegire ale TB.l intrinsec. se
aproximeazd cu arrrplificarea I/n f It 0,, deterrninatd pe scherna 4.36.tr/ Se oblin astfel relaliile:

Lt..
K==L =-8,,,.(rxll R, ll RL)=-9,,'QallRL",L)
I'h, -l-
t"r,
(4.130)
'pl - ll
l+ g,,, '(li, Rc RL)
t'r, s,,, (\, li l\ 1i R/ )>>l

I'p.2 = -) ti,
l+
9,,'(l'o ll R('ll RL)
in care anr lrotat ger'leric cu ll 1t = (x -r,)/(x + ;.,; -r' expresia impedanlei echivalente a doud

irlpedanle legate irr paralel.

Se pot deternrina aculn pe schema ecl'iivaler-rtb din figura 4.36.bl1 unele performanle ale

amplificatorului de semnal mic:

. amplificarea in tensiune,

131
 ,1 _/1 -9,,'11a,.0'a llr|zll Rc ll Rt)
.ll - -al =L,, =
tr
r.
l+ '\t-. )ri.l l+:!r.l'.
R r.,
I r.. ,'. )\ Rr)-"
It lrrlcal
(4.1 | )
-o5rr ' "lR.
( ," \
r++-l
t; tt t'r,t )
I [,.
l-x',,

llt care R6: R1i'iR3:

. arrrrrlificarea in curent.

^Il't'u:R
X,,,rr.
I, Rt*t. ti,; tRs
-1 1=.11,=--
I_ (, t' -lt'
]\
ll t' \ l,/
I
*5 h.

[' I(p
-'D I l'-llr,
n r.l
,r -a I
'1it i.d -fr (4.132)
a
anl 'r'T

f ) f .frJl'-' ,'rlt R, )
R, ,i
I'*',..'t]!i
r

1.Ttry)
I *r,,
. amplificarea in putere.

I'. I.
.lt- ,.=-=-1t .7t=.1tt,,.1 r,, (1.133)
r- ..t ^

Sc'herna ecltivalenla de sentnal ntic'penlru.fi'ecvenle inahe este reprezentatd in figura 4.36.c

;iprrrr Lrnilateralizarea tranzistorului bipolar oblinern schema echivalenti din figura 4.36.c/. in
conformitate cu teorema lui I\4iller elernentele echivalente impedanleirrr sunt date de rela{iile:

-, tiL ti,
I -K 1 * 9,, .(ti, ti R, ll Rr)
C-,,1 =C-,, (l-'() - Cu'|1+g,,'Qx ll R6' ll Rr))
(4.134)
l-l K l+l[*g,,,.(/irii r,,
RcllRt)l
ii&
.I l+ i ) s,,,.(r, // R/ )>>]
C'',:=C'f,.(1-lf Kl:('f, '- | -+ Cl,
[ 9,, '(rs ll Rs ll RL) )
Dach este indeplinitd condilia g,,.(rhll Rc llRr) >> 1 relaliile corespunzdtoare elementelor
impedanlei :rr se simplifica in modul sugerat rnai sus.
Se determina gi in acest caz nTdrirnile de interes:

1aa
I)^/.
 amplificarea in ten s tu11e.

Qx iI ruzil Rr..i )
-oSttt .Il.
Ll,'
. I,',,
e
1 +j
.rrt . C,,: (ro
. ll ru2 ll Rr".n )
r
-l ,,.
T

]l*

- sy 0'n llz! 4+t )

(1 +,', (rn ll r,,1)) (t+Ro,"R,)
(1.r3s)
[ 1 +.i' c,r' C*: (ri i I r,,. I I Rr..r, )] | i +.i' co' (C'n +Cur )' ?, I I rn I I r,r))
'4, r,

l+.j c,r . (C-^ *C,,r ) ' (.r, il rn ll r,,r)

I r'1,

. arrplificarea in curent.

o .I/.
5//l :1] f h
,1
I.
=t.t
l(r -+ -.
-
I-
"l - - |
lrl --l-
/, +=n \I rrI l.
\ l\P / --

Q .r fr
(\t/
.l

*r",+r"rit:'r) [,-,-'l [,-,- 4,

[' RB ,t ti,' r,,llrpll Rc)
)[ (4 r36)
[+j ro C,,1 '(rir lirr;t'lRz...r,)]'11+j ol'(Cn+Cur) ((r,. + Rs')llr,i'i ri,r)]

/'! >) Rij +/ ,

I
4,,,
:
1rJ cD ' (C, +C,,r ) ((r:, + Rr'| ll r^)
t,,,

inainte de a aborda proiectatea de principiu a acestui etaj este necesar sd se delirniteze in

planul caracteristicilor de ieqire ale TBJ clreapla de sarcinii dinamica. in cortfonttitate cu condiliile
de serrnal rric punctul de fulrclionare al l-BJ este definit de rela{iile:
i6.ft)= 1, +i,.(t)
lcr(/) -L'ro+t,,,(l) (4.137)
I/cr, =I'cc - Ir 'Rr - I u' Ru '(R.
=Vrl' - 1.
+ Ru)
r'.. (1) = -i. (/) ' Rr"ch

Ultirna dirr relaliile (4.137) reprezintd ecualia dreptei de sarcind dinamicd. Reprezentarea
celor doud drepte in planul caracteristicilor de iegire este datd in figura 4.39.

l aa
I )--)
 L..i. r;-(1) = -Rr.i"t1)
(.--- -- f'araclerislica cle sarciua
I? +P- clinartuca
-
Yce (1)

Dreapla cle sarciua

sla lrcr

\.. \,.r, r',_-,

Figura 4.39. Reprezentarea dreptelor de sarcina, statica gi dirrarnica, in planul
caracteristicilor de iegire ale TBi de Iip npn in conexiune EC.

Carac'leristica dinamica propriu-zi,sa este un segmenl al dreptei de ec:ualie (4.137) a cdrui

lungime depinde de amplitudinea sernnalului dinantic'. Pentru determinarea amplituclirrii
semnalului (in condilii de semnal r.nic) se ignord neliniaritatea caracteristicilor in RAN gi se pun
condilii de evitare a intrdrii TBJ in RS gi in RB. InspectAnd schema din figura 4.35 se constatd cd
potenllalul colectorului lc(l) poate sd creasci pAna cdnd TBJ intra in blocare sau atinge valoarea
tensiurrii de alimelrtare I66. in rlorrentul atingerii valorii maxime e 1:6-. curefltul de colector del,ine
t-tul (ic:0) gi antplitudinea maximd a curentului instantaneu de colector 1cr.a, este I6
(t,= 1r' +i- =031,,uu, = 1r.). irt consecin!5, amplitudinea maximd a sernnalului de iesire in
semialternanta pozitivA este :

I lru"t = 1.,n^ 'fr...t, = 1c '(Rr' ll Rr)" :- Rc ' Ir- (1.138)

Potenlialul r'6(r) poate sd scadd pand la intrarea in satura{ie a TBJ ln conseclnla.
?

anrplitudinea maximd a sernnalului de iegire in semialternanla negativd este:

I' l' t,/
tal:ttt.r. r'
' t:t:r --t aE --t/ t r],-t IJF (1.139)
Amplitudinea nrarintd a semnalului de iegire este data de cea mai restrictiva din cele doua
condilii. (-1.137) ti (-1.139). adica:
-
I .,,.,, = tttirt( I ,n.... I'..n.,, l (4.140)

Proiectarea unu i etaj an-rplificator pune probleme legate de alegerea gi stabilizarea

punctului static de funclionare. Pozilia punctului static este aleas6 pe baza a trei considerente
principale:
'funclionarea TBJ in RAN gi men!inerea unei funclionari liniare a acestuia in conditii rle
senrnal ntic:
. controlul pararnetrilor de serlnal mic;
. controlul purerii disipare.

134
 Ttrfll'l Dreapta cle sarcina l-*^
\ct- clinamici
\,'CC Dreapta cle s.rrcina ,,
KL-+KE --'statcii RC+RE
T-
Dreapta cle srciua l-lrur
cliua urica

T-.
1mil

i'aE. \'cE.n, rr" "Crl 'aE

1 b.
Figura,1.,tr(). E,r,aluarea limitelor curentului static de colector:
a) liniita minimd: b) limita maxitld.

Func{ionarea in RAN a TB.l gi mer,!inerea unei funcliondri liniare a acestuia in condilii de

semrlal mic este legata de antplasarea punclului slatic de.funclionare Si a dreptei de sarcinii
dinarnicit itt interiorul regiunii ytermise in regiunea liniard a caracteristicilor statice. Condilia de
anrplasare a intregii drepte dinamice in regiunea permisd furnizeazd limitele in care trebuie ales
curelttul static de colector in regiunea perrnisS. Figura 21.40 este destirratd evaludrii acestor limite.
E,valuarea curentului static de colector mirnil-n -16'n11n SC face in planul caracteristicilor de
ieSire corespur-rzdtoare tcntpct'uturii ntirtime de lucru a TBJ sau valorilor trtininle a paratnerilor
prirrcipali ce caracterizeaz1 funclionarea in RAN. Fn'in gi 1c,80n,,',, (r'ezi figura 1.10.a).
Caracteristica dinamicd este limitatd inferior de regiunea de tdiere (- axa orizontald) gi. daca li1,,o.
este arnplitudinea ntaxilr-rf, impusd. atunci:

1c)1c,.in=l'l'n'"* (1. r 41)

A1.ech

Curentul static maxim de colector 16-,,o, se determitr[ in planul caracteristicilor de iegire

coresprrnziloare tempct'altn'ii rnaxinte de luc'ru a TBJ sau valorilor maxime ale parametrilor
principali ce caracterizeaza funcliottarea in RAN. Fn,ur gi 1c80.u,, (vezi figura 4.40.b).
Caracteristica dinamicd este limitatd superior de regiunea de saturalie. deci:

t (, lrrr'ar
1, r -Vr.-(ia,nrr -1, rrr,,,,.) (4. 1.12)
RC + R,

Controlul parametrilor de ,remnal rric este necesar intrucAt la modificarea poziliei

punctului static. datorita modificdrii condiliilor de lucru, se modificd gi valoarea parametrilor de
serrLnal nic. Stabilizarea punctr"rlui static de func{ionare cu temperatura duce la ntenlinerea
constantd a poziliei acestuia. deci la limitarea varialiilor parametrilor de semnal mic. Modul de
proiectare al relelei de polarizare a TB.] pentru a asigura inserrsibilizarea TBJ la varia{iile
temDeraturii a fost prezentat intr-o sectiune anterioar6.

135
 Conlrolul puterii disipate pe TBJ este necesar deoarece temperatura la care lucreazd
structura semiconductoare depinde de valoarea curentului de colector din punctul static de
funclionare. in consecin!d. punctul static de funclionare trebuie sd se plaseze sub hiperbola de
disipalie. iar in cazul tranzistoarelor de putere sau de tesiuni inalte in SOA, evitAndu-se ambalarea
termicd. Evitarea arnbalarii termice se face prin alegerea unui punct static astfel incAt
dP*n., lAI, <0. adici
Parp,.t z Ic .1,'r., Ir. .ll"r, - 1. .(R,. + R,)tl
= vc,
Fp_^.
+- I'., -2. I, .{R, -Ru t <0 l= 1. 2.(Rc + Rr )
(4. r43)
clc I

ExtrdgAnd expresia lui 16.din dreapta de sarcind se obline:

, -
-L -
I'rr, - I', u (1 r44)
D
l\C D
- 1\f
gi irrtroducdnd aceasta rela{ie in condilia (4.1401 se determina:
I-- - - I'.
r-""-l' L''''' v-^
- P-+P ,, 2'(Rc + Rr =
t\( ,.[
I/., 19
) 11.115,r
)

4.3.5. Parametrii de cuadripol ai TBJ

Aga cum am ardtat intr-o secliurre anterioard. TBJ indiferent de conexiunea in care este
utilizat in resirn diltarnic. poate fi tratat ca un cuadripol (vezi figura 4.41.a). Parametrii rle
cuadripol realizeaza o caracterizare generalS. formald, r,alabila pentru orice dispozitiv activ gi care
nu reflectd o iegdtura simplS cu structura gi principiul de func{ionare al dispozitivului. Pararnetrii
de cuadripol depind de punctul static de funclionare, temperaturi gi frecvenla de lucru gi se pot
masura cu ugurirrla la bornele l-BJ. servind astf'el la deterrninarea paralnetrilor modelului natural
de semnal mic al TBJ. in acest sens. irr condilii de semnal mic. se pot definii urmdtoarele seturi tJe
paranretri de cuadripol mdsurabili direct: parantelrii adntitanld. pararnetrii intpedanld. parantetrii
hibri:i Si parantetrii g. Dintre aceqtia se prezintd nurnai parametrii hibri:i deoarece. in generiil.
cataloagele de tranzistoare furnizeazd penlru TBJ de joasa Si ntedie.fi"ecttenla numai acerlli
oarametri.

Parantetrii hibrizi sunt defrnili prin setul de ecualii liniare gi omogene:

'],+h,'L',,
I'',=/J,
(1. 14 6)
],,=hr'],+/1,''V,,
in care parametrii cornplecgi irrrplicali gi-au cAgtigat popularitatea datoritd legaturii simple cu
parametrii modelului natural de semnal mic al TBJ, mai ales la frecvenle joase, gi reprezinta:

VI
h, =Al - impedanla de inlrare cu ieSirea in scurlcircuil, A.t+7 )
1, 1,.,,_,,

136
 I.' I

:t - faclor"tr/ de transfer in tensiune invers cu intrarea in go/. (,1.118)

l..r
, I I,_0

h- - factorul de lran.t;fbr in curenl direct ctt ieSirea in scurlcircuit- (4 14e)

?1,. ,

tr,, = L] - adntilanla de ic,sire c'tr ittlrarea in gctl (4 150)

1,,,
1,, =u

Circuitul echivalent corespunzdtor ecua{iilor (4.146) cu paral-netrii hibrizi este reprezerltat

ip figura 4.41.b. N4odelarea cu paranletrii de cuadripol se aplicd tranzistorului in orice conexiune.
dar ,rysp\ru analiza unui circuil nu e,yle necesar .sd.folo.sint ntai mulle settri de 1:aramelri hibri:i ,

ind su.t'i cien/.

trnul' sin gur" .fi
Aqa cun'i am aratat ntai sus parantetrii hibrizi de cuadripol sunt cei rnai utilizali pentru
descrierea TBJ la frecven{e joase datorita Iegdturii simple cu parametrii circuitului natural de
semlal mic al acestuia. in continuare se relevd aceastd legdturd pentru un TBJ in conexiutre EC.
folosind schemele echivalente prezentate in figura 4.42.Dirt schema echivalentd 1.42.a se deduce
inrpedanla de intrare cu iegirea ilt sct-ttlcircuit a TB.l:

,, =:'I,',11 = r, +rr ll rr, r\+rr. (1.i5r)

l'1

' =/
T.
lL' -0
=

Factorul de transfer in tensiune invers cu irrtrarea in gol al TB.l se determind dirt schema
-t 42t.b:

,
,r
tl, _
-:
I'' ,l ,^
(1.152)
l-' l, = t'r + t'..

iar f,actorul de transfer in curent direct cu ie5irea in scuttcircuit se deduce din schema echivalentd
| 11^.

. ' I
l"l 9,,,'/
rr r
-/ g,, . (t"n ll rr,) = Fo . " (1.153)
rI
ll
-
- 1,1, V rn * I'rr
1{l ^- -0c
t'
'n llr'-L

I It ltt 2

a) b)
Figr:ra 4.41 Circuitul echivalent de cuadripol cu pararnetri hibrizi.

t31
 \i
r
Ito
l!

v
I
l:1 llrF-
'-
-t rl

r.
I -l
lJ..

Fisura,1.42. Relevarea legaturii dintre parametrii ! gi parametrii naturali ai TBJ

de tio nat in conexiune EC.

Schema echivalenta din figura 4.42.d conduce la urmdtoarea expresie pentru admitanla de
ie5ire cu intrarea irr gol:

L',, V r, -ir-
,t
1+ * 8,, L,t', t
r i-1) rn -l t"s:
t^t, --f rn -t rit II Q
Pf T,l I

I',,i
|

I,',
=--|
rl t'" + t",
(4. r s4)
lt a

138
 TRAF{ZISTOARE CU
EFE,CT DE CAMP CT]
GRILA JOI\CTITII{E

^. 5.1. Generalitlti
franzistoarele in eleclricii esle ctsigurctlir de un singur tip t.{e purtdtori cle
care ccsnctuclia
s'crrcinti se nulltesc lrunzis'loctre unipolare. Datoritd faptului cd.fLtnctiot'tcl'eo lr(tnzisloarelor
tutipolure s'c buzecrzii pe principiul. ntodtlaliei conc{ttclittilcilii tmei regit.tnt s'enticortc{t.tc'/oure,
rtrttttile "cot'tol", prin aplic'cu'eu untti cdmp eleclric I,rcutsversctl (ce r-nodificd 1-re climensjr.Lnilc. fic
concenlraliile pr-rrtdtolilor mobili de sarcinir corespunzdloare canzrlulLri), acest tip de lranzistozu'c se
rltlmesc $1lt'(ulzisloore cLt efbct de cdntp. Pentrlt aceste dispozitive se foloseqte curent presoLlrtarea
de'flrC sar-r iill'f (1iicld /jlfcct 7i'ansistor).'l'ranzistoarele cu efect de cAmp pot fi glupate asll'el:
' itr funclic c|e contpozitiu grilei sau portii (elementul cle conranclir prin cerre se aplicir
cArupr-ri lt'atnsrzerseil cc nroduleaz[ oonductivitatea oanalulr-ri) arrem trei tipr-rli cle lrir't':
. cu poelrtir de tip barier'[ Schottkl, rneterl-semiconductor, tranzistoarelc riurmindu-sc
N4l:S ]rlil';
' cu poarld cle lip metal-izolator-seuicorrductor (MOS), lranzistoalele nunrindu-se
MO S I.'11'f saLr'f I1CM OS ;

' ctt poetrtittip jonclir"uie p-n,lranzistoarelc nuurinclu-se JFIIT sau fllC.i;

c1c
. in luncfic c|e geontett'icr gt'ileiervem douZr tipuri de FIJ'I':
' cu grilzi irozilionath pc o singurd parte a slrllctlu'ii semiconciuctozlre'
' cLt gt'ila situatii pc clourI fcle alc strLrcturii scmiconc]Lrctoarc;
. irt fiutc!ie clc c:ontpozillrr regir"rnii scmjooncjLlcloarc a c,crnult.tlt.ri avcnl:
. FEJ'cu ceurai indLrs qi
. I;El'cu canal initial, dopat;
' in fr-rnclie cle omogenitatea structur"ii semiconductoar-e:
. Fli'f ou-r0gcne;
. [i]l'f heterogcne.
 cele cu poartd de ttp
tranz,istoarele cr: efect catlrp' acest capitoi ttateazd' pe
Dintre .de de polarizare, modele
car.acteristicile statice ic1eale. cilcr,ritere tipice
jorclrune p_11, pfezentanclr:-se vor fi prezentale
niic coresptir-izltoate JrrET. Tranzistoa'ele MoSFET
clc sem*al nrar:e gi c1e semnar ou precdriere iu aplicaliile
Tranzistoarele rrET heterogene sunt utirizate
i' capitorul ulmzrtor..
fi in caclrul acestei
cie mare vitezd qi in oele cie com'talie gi nu 'or irrezentate
optoelcctro'ice
I LlCrzlrl.

sau TEC.') a fost inrrentat

,r_ra'zistorur cu efect c1c cdnrp cu gr-ild cie tip jo'clir-rne (.rFET
a
in ig52 i. scopul i'lzitur[rii problc'rclor cle irrstabilitate gi reprodr-rctibilitate
tcor.etic c1c Srrockley suprafelelor cle contaot metai-
MEsrtrET, datorate stdrii
caracteristicilor tranzistoarcror clispozitiv este itt,
peut.: prinra dat[ in 1953 clc Decay 9i Ross' Aoest
scrriiconcluctor, 9i labricar
c1e tip /? Sau p nr-rrrritl
cculal conc{ttcliv sat..
esenLd ult rezistot, (o regir-rrre
seinicot,t.cluctoare
(sau a
c{e grosintecr regit'rnii cre surci,ir spctliald cr t'tnei
con*olcLrd
coductor) ct cdrui secrir,e es'e de tip
plu,rur-"pitaxiar cu canal conductiv
p_,.1' fig,ra 5.1. este prezentat r_ur .rrrE'f
d<,'it).jo,cLiruti corespunz.toaLe
alc grosim"rr .i"liroitut6 clc regir-urile de salcinir spalialI
r. ca'alur coridr_rctiv .rai'ricd ca lunginrea
qi sr:bstrat-ca'a1, aceasta fii'ci cle 10-100 ori
jo'cliunrror poatd_czuiar la douir tet'nritlale
ale sale sllnt conectate prin contacte ohtlice
ciuralulni. iar celc doul capete

trutrritcc|rctt(l(D)li,tt,trsr'-t(S),in..t.n",oinrultecazttt.istrbstr.atr-rlestelegatlaacelaEipoter-ilialct-t
fa![ de axa l.ngitudinald'
astfcl u' "cr-cct cic caurp" aproxiurativ simetric
grira. obli'incru-sc caz' in care se obline
.r.ot.LiEi. sr:bstr.zrtul,i poate fi folosit inclepe'cle'r,
clcctrodul corespu-'z[tol c{acd .ionctir'*iie
(J, corarror. eJicace ar secritutii ca,artLrt'ri se obyine
r.errocrcr ctL e.fect cre cdntp. regir'rnilor de
sr,ut.t pora,izale i,tter.s. cleoaLece astfei climensiunile
prcrrii_ct tctr si saLbsrrat-cu,ar aplicate'
moclific6 semnificativ oclat[ cu moclilicalea tensiuniior
spaliaiI se
sarcin[ de tlanzistoare cll efect de cinrp
cr-r
pe'tru cele cloud variante
Sirrborurile grafice folosite
gi se'sur oonvenlio*al al curenlilor Ei
tensir'rn'or
gr:ild jo'c!ir:'e planar_epitaxiaie.
'recr,rmin hgura 5'2'
stlttt reprezentate
corespt-tnzZrtozile acestora'
(i.ild Dl'uo
Sttt'sa

W
L
n
I}Y
Y
l'
SrtbslmtP+

cie tip n'

Sec{ir.rrle Printr-un J FET
planar'-epitaxial cr.r ci'lual coucittcliv
I lgLll'a ). I

140
 JFET Ciuirtl rI ,TFET cIl ffltiill l.)

iD LJ

i.*-
-b
o I \0
\"'-".:{') \io u:[
] G =

\i.s t:0'---l ,l \,6t-:-6 -l

Irigura 5.2. SinrbolLu'ile grafice, seusLrile conventiouale ale lensiiruilor gi curentilor gi

polariz-arczi normalI corespunzltoare oelor clouii tipLrri cle .]ltrll'f .

Sbgeata clin sirlbolul grafic indicd tiirul conductibilitdlii oanalului. Polarizarea noslala.
peutru funclionar"ea ca amplificator. a JFIIT este de asemencri ilustlatd in figr-tra 5.2. Aga cLl1t1 alr
ulenliotrat anlerior pentrr: uu control eficicnt al conductibilitirlii canalului trebr-rie ca joncliLrlilc
poartd-canal $i substrett-canal s[ fie polarizate inrrels. Astl'el. curentul de griJir corespuncle
cureritltltti r,uror joncliLrni polarizate iuvers, practic putAncl fi consiclerat nlrl (lo
=0). in polarizare
uormalir curctltltl cle clren[ 1p. avAucl seusul couvenlional, este pozitiv gi este aproxinrativ cgerl cL]
cel dc sursir fs.
Conexiur-rile funclamentale ale .lFll'f. atunci cAnd acesta este privit ca un clipolt. sunt: clrenir
comund (DC), sursh oomunir (SC) gi grila comunii (GC). De regr-rld, atAt expresiiie analitice. cAt
5i
rcplezitttiirilc tcorctice gi cxperimcntale ale caraicteristicilor statice corespunzd.toare.l|L.1'sr;nt clale
pentlll concxir-rnea SC'.

';i
:

'fratrz-isLoarclc cu c1-cct de odmp clr glil[ jonctir-utc ar-r avantaje importeurtc {zrlit cic
tranz-istoarcIe bipolare cu jonctinni, cJin carc enLrmerdm unliitoarcIc:
' t'c:i.s'leiiici c{e ittlru'e pe elec'li'oclttl cle poarlit este.fburte ntcrre (strte sau mij tle M())
pcrnli!6ncl astlel realizarca Llnor: amplificatoare cu rezistcnlir cle intlerrc lbarte 11etr:el
'prezirtltr cel ntcti ntic zgonrot L/f ,li 11.[2 lu.fi"ect,enTe focr.s'e c]intre toote tr(ulzi,s.tourcle
bipolnre Si unipolarc reulizctle tn tehnologii ttzt.tcrle;
' depettclenlu de lentperaltrci ct c'cu"crcleristicil.or static'e e.i1e rnult ntai reclas[r.
'fotLrgi, itr cotlpauatie cu
tranzistoarele bipolalc, trunzis'lctarelc ctt e/bct tle c,(ipt1t t,tt,r
umpli./icci itt c'trrcttl 9r. clatolitir pantci ulci a caractcristioilor statice, umpl.i.fic'rrreu lor tn ten.s,itstc
e.sle micci.

5.2. Teoria JFET in regim stationar

in aceasth secliune vor fi
prezentate caractelisticile statice corespunzdtoare moclelului
sinetric idealizat al .IFII'I', abatcrile comportdrii reale a JFI1T cle Ia accste caracteristici icieale.
vada!iet clt tcmpcratlu'a a caractcristicilor: statice gi circnitelc de polarizzrre tipicc ale.li.tll'l-.

14t
 alc JFBT
5.2,1. Caractcristicilc statice

"sirletric idealizttL"' prezentat in

AnalizalrrrrclionlriistrtrcttrriisenriconcluctoareaJFE,Tseva|acepentl.Lldispozitivulctt
SC, foiosincl un mocler numit
oanar co'clucti', in concxinne
figr.rra 5.3.a. cc irlrPlicit:
'rrcglijar:carezistetrlelorregir-rtrilolcrlirsittetttrcaleclreneiqistrrseil
' jonclir-rni 7-r-l--r asitretricc abt'tqrLe;
.czttlalr-rrrilbrLr'rclopatar,AnclpefiecarepartedouZtgrilesinretrice. de porarizare
care iu absc'la tcrrsiunilor
pe'tru {iecare jonc{iu'c existd o regiune gorita. ter'rinalele clren'
cDro Ei o 1lrgime ro=/,,0. cclnsicierincl
prezirrtii o c1i{.creni-r i'tcrnir
clc lrotcn!ial
(vcs < 0), potenlialul cana.'ilut
gi gr:'ei la un potenlial
qi sur:sd lcgatc la rnasd 'egativ inclicl figura 5'3'a' utiliza'd
iar profir'i
'olzrrizar.ca acestuia uniform or"u "'*
co'clr-rctiv va fi 1:lactic nul"
a unei jonclir'rni p-rz zi
grilei este :
legir-rnii c1e sarcind spafial[
aproximalia c1e golire 1[rgimea (5.1)
\-'''l
l:ct-b(y)=lu=1,,0 ^'F:/;/a;
negativeazzt puternic
grosi'rea canalului' b(y)' poate
J)acd te'sir:nea zrpiicarl grilei se
.i.ensir,urea grilzr-sursI corespu'zltoare acestci i'crricleri
a ca'alului co'ducti' se
c1e'c'i
'ulZr. rle liiiere 9i estc clatd dc rcla!ia:
numeqtc lett'tttrtta rle prcrgsatt (s 2)
I'1, = clr r,i '(1 - f t;n\
''t

\DS-\',

.'attal tt
f
\,bf
I
-L

\.'D3- \'tp5r"1l-A\"

T '*t iul funcliondri i J itrll-f '

iciealiz-at folosit peutrr-t str.rcl
Figura 5.3. ModclLrl siuretrtc

142
 Atr-urci cAncl lensiuneer L'65 devine egald prag [/p, idea] canalul estc golit in
cLr tensiunezr de
totalitate dc pultdtori, iar curentul cal'e cLrrge intre clrenir qi snrs5" este uul. Aceastir sitLralic
oorespunde intralii in regint cle tiiiere saut bl.ocarc a Jlrllf. ilt consecinld, plaja cle tensiuni I,'6;,e
corespunzdtoarc unei filncliondri eficace a .lFll'i- este:
[/P <l/cs <0 . (5.3)
inacest clomeniu de lensiuni, coirsidelAnd in continLrare tcrminalelc suls/r $r drcni
conectate la mas6. condr"rctanla canaiului este datd cle relafia:

2 b()! u/ 2.14/.(cr_l,,s _I/G.e

i;q) Ro)
G = Q'l-r,i 'A/D
tt q'rl
- 1 r-r1
=
At,t
L I-
t-- (5 4)
.,',' ,r
2.[I' .ct l vI -,/(-/,q)/r0
- Ll ' 1t,, '
rr:t
I'?;.s l(D no GO {,-
\_--''--/- L
['- u
\ A-v,trw
U,.
-
in cat-e [4/ reprezintir llfimca oanali-rlui, iar mdrimea G0 poate fi cor-rsidet'atZi cr-i aproxirr-ra1ic
concluclanla n'iarir-uZi et canalr:lul, oblinutir pcntrll Zc;s: 0.

Se considerd acurn silr"ralia in oare pe grila se apiicii o tensiunc negati\/[ Z6;5, cuprinsir in
gama datd cle relalia (5.3), iar pe drend o tensiune fiind legatd la maszi. in pozitiv[ I/'p.e, sursa
aceast[ sitr-ra1ie trtolenlialul cunulului t'tu ntcri es'le tmifitrnt, in ciispozitiv existAncl un cdmp
triiirsrrersatl clatorat tensir"rnii I/t;.s gi Lur cAmp longituclinal clatoi'at apliciilii tensir-rnii I.'os.
Delernriuarea analiticd a clistribi-r1iei biclimensionale a cAmpr-rh-ri elcctric cste cli{lcilir qi, cle accca.
pcntru simpiilicarca anzrlizei fiurctiondrii struoturii, Shockley a proplrs o arproxinratie. cLrnt>scr,rtir
srtb cletrutrrirca cle aproxintuliu grnrltrulri u lui Shocklelt, care consiclelir oir nioclillcarca liu.gintii
cattalului scr rcaiizearzii sitJicicnt cle leirt astf'cl incAt, in liecerrc sectiLurc llarnsvcrsald a acestLlia. set
poatii fi apJicat ii-iocleliil itniclii-i-ici-isioiriil. in coiilorniitatc cii accsi.zi, notAnc'l cii l(J,) potcntialLii
caualului la clistanta J, cle sursd gi Iblosincl relaliile (5.1) gi (5.2), lirrginiczr canalului 1a accastir
coorclonatd este:

2'b(.t')= Z
" f t
J-|r,,,{],lq-l -
--l=/.rl
(,
.ll-
q)
/jo l- I,'( ),) - (i.s)
L
,u/l -/1,,1r,r,, l- t Fuu*r,
Legea lr-ri Ohrl pclltrlr concluc!ia curentului in ciinal in cazul in care zl cstc clescliis
ind i l-crcnt clcr c oorcl onala Jr consrdcrat[, aclica I/6,, *l/ (y) > [/,,, Vy e [0, l,l . este:

') o' li;' (_5 6)

'':
uncie ,,i., reprcz,intir clensiLzrtczr clc curcnt la coorclonata;r, /:r, este componenta pe axa Jr a cAmpulr-ri
cleotric, i ar o concir-rctir;i tatea canalul Lri.

Ilelalia (5.6) se poarc scric qi astlti:

.2 . b( t,)
(_s 7)
14/ rlu

t43
 se obltne:
stts in luugul cainalului
lntegrAncl cxpresii't cie niai
(5 8)
- \'''
et. .14/ . l' 2.b(1,).c1lz(1,)
- -"
L,I,t'dY:o'" Jr'(o)
l/(l)= I/ps
(5.g), inregrancl qi li'dnd seama ca Iz(0):0 $i
in relalia
irilocuincl expresia (5.5)
sc obline : ",. r
, ,.- [,,trt -2 .('l',,n+t/,r', -l'o'Ylt
ou-vo{ I
-=!Q tt'o''
/ 1; = L;q
I ''
- J f,rl, ,,, -
l/,, l
L f'
pcrrltc cletcr'rinarca caLacteristicilor statice corcspu'zzttoare 'l'E
Aceasta cstc ccuartia ce

Ast|cl,ceiractertsLiciicclctt:atrsfcrcoreslrunzltoareciispozitir,uluisutrtciatederelalta
dc icEirc c1c lela!ia t'' =\l
'
rIt)=11 /)\t (;s/lt]'r=cr
-lt'.rt".'.)l . iar cat'acl'cristicilc ''(1/o')1"''--"
! . .-:.-^ i.,,..a{i^r: I)r,rrlr.rr tcnsir,ttti c1c clreriir nrici
MaiintAiSc\/ortrasacalrztctcristicilecleiegireteorctice.I)etr|rutentPeutru tensittni zp5 mai
liniar"
comportl czr ttn rezistol zrproximativ
til;rl << ), tr:anzistot'ul se
lcn roi
canalul,^cor-iducancl ia cleqterea
mari, cxti'clerea regin'ji
sarci'd spaiialir langir ciren[ingusteazd
cle
i'cr-riclerea ca'altilui 1a

clcci, ra curbar.ea.acceltr-ratir-L..*ru.,"risticiror.
rezistivitzrlii erccstnizr Ei,
de ecnalta:
clrctrZt se irrocluce penlru tct'lsiuuca Vp5 funiz'atd
(5. I 0)

Solulia accstci cctlalii cstc: (5.i l)

l" t)., =1"6'5 -li P
i'chiclerii canalului (vezi
ce ooresp'^de
crcsca'cr tcnsiu'ca clc crrcnii pcste zrceast' rraroare
cle sarci'd spa!iald aic
de golire aplicatr rcgir-rnilor
figura 5.3.b). i' co.cor.cla'!d
cu aproxinrairea
teoretic consternt, electronii
maioritari travcrsancl reglLlnca
curertur c1e clrenir r6mauc uuui
clispoziti'ului. ercctronii r-'i'oritari cli'baza
{ornratir la clrc'ir cxact ir aceiagi *oci in carc
c1c sarci'ir spalialzr Dacir tcnsiunczr c1e dreu6
.fl]r clc ttp ,pntrarrerseerzf, r.cgiu'ea clc sarci'zi spaliald a colectorurr-ri' lii r scurtare a
golitl cle iangii crrcn[ sc i'g.oaE[, cceel ce condnce
,i'rr. rcglunea
crcqtc gi
t< L,clar potenlia].rl cu'ar.r,* v(r-t) este tot I/GS-I/, qi' i'
consccin!f,'
'rai L
carralului c.nciuct^,. cie clrer-if, clata dc rclail.l
cste cu apr"oxi'ra1ic tot acelaqi. Dc accea, tensinnea
curc.tul clc clre'ir
cle 'scrluruLie
(5,11) poartir cletlr;mirca dc Iensittne "
(s 12)
Z1)stot = 1/n' -l/P pnn
sittialiei cle irrchidere a canalulr-ri la clrenl' detcrminat
Astfel' cureutul corespuuzittor
cxprcsia (5 9), este:
inlocuirca rclalici (5'12) in
(5. 1 3)

144
 Vz.rloarealIuaxlltltzl tcoreticd ar curcnlului
: c1e clrerrl, notertir ./p.5.-y, sc ob!ine pcl]trll I/ ns2 l/ os:rut
$i Vc;s: 0 gi estc clattaidc lu'mdtoarea expresie
,
:

: t Ll
Go ,l
2 (cD
. nr,, - v,))3"t - (cl) no)3''
1o.s:s -V I (5. r 4)
t 3 J,D;VI, l
Catracteris tic:ile staticc tcorctjcc cle iegire sr"rnt reprezentelte in fiorwr 5 4. n

C'aracteristicilestaticecletransfel Io:ll,t(/rc.s)1n,.=", sedeductotcljrrrelaiia(,i.9).Accstca

prczintit intcrcs nrrnreri pelttfLl tensiuni [,'ps,]_ [/o*^r, regiune in care acest treurzistor cstc folosjt ca
an-rplificator si cat"e poariit cleuurnireat c1e regiurte cle scttttrcrlie sau regit,tne c/e inchiclere a cunulailtri
lcr clrenit. 'frebr-ric rcntarcat faptr"rl cir termenul de suturalie la JllE'I'are o cu totr-ri altir sc,mnilrcatie
clecAt la'l-8.1, regiunea cie saturarlie a.Ilrlr'f corespunzAnd plactic regir-rnii active normalc a'l-ll.).
().wnexpl,e,s'ittcut.en|u|ttic|ec|rendinregi'ttnead'es'tt,|ttra|ient.tmuic|epinc|cc|e|en,rittnectc|e
teoletic, lruruis'lortrl in aceus'/d regiunc ure o ,singurri cctracleris'licd cle lransfbr datir cje relatia
(5.13). Caracterislicile staticc tcoretice de iegilc sunt reprezenlate in figr-rra 5.4.tt., iztr cea cle
tt'ansl'er in figr-rla 5.4.b.

iltEI crr c'irual n .IFIl' crr ctual p

, Si,!lrrlillie

.:i) \,,.,
\t sr t:\t.,,r

-->
Srrftlril lic
'DL-i

il

L).

FigLrra 5.4. Caracteristicile statice teoretice ale JIrll'l-:

a) calactclistioa cle ieqire; b) caractelistica clc transl'er

145
 5"2,2,A[rrrtericielacaracteristicilcstaticcidealcatc.!FET
gcouictriei reale a
.r'ET se clatoreazl atat ignorir.ii
caractcristicilc icleale arc
Abatcrrlc clc 1a aceslora' i'iigr-rra 5 5 sttt-tt
fu'clionare folosite pe.tru clcclucerea
strr:cturii. cat 5i zrp*rximf,riior pentl'u celc dotti
cxPcrinrentale c1c iegire I,r=\t
cafacrersticjrc statice 't(2")l,,i-*="
,irczcl-lr.ate

tilluLiclil'criteclc.]lrl].f,Ltttttlcliscretcucattalngialtulintegratcucaltrallr.
statice cle ieqire clisti'gern 'rai
tc'sir-urii cle clrc.ir pe caracteristicire
i' runclie c1c 'rdri''ca pcntru vos S (0,1"-0'2)v ^
regit'rnecr nelinicu"cl
ri,icrr(ra caracteristiciJor:
rrnltc rcgiLuri: r.cgiut,rctL r/p5e[(0,1:0.2)v; I/r-r's'nrl' regiuneu
cle sctluratrte
tcrrsir.uri clc crrenir cupr.i'sc in inLcrvarr:r
rrcntrlr
regitrnect cle s{rdpttr,"n''n,,.^,.,rai
pcntru l"l;5e f l j;5.1,, J'itrHlr-'sl Ei ertinsd clecAt cca
extinsd clecat c p'ezisd de teo're
crc ritti't.irct1e este
La Jirlr-r.rcalc ,egiu,ecr 'rai cc nll sunt
pc 'u(in
rcgittuile cvasineutrc ale ct"enei qi sursei
sr'rpliurcntarc
clatoriLa caclcrilor cic tcnsiuric tcnsiu'ea lzi5 este'rar
pantci caracteristicilor clc
,,arc{)pcritc,,crc loncliu'rca grirci. iar clc'c'cie'[a

accctrtuzrtfi.

In l-l
Inl't] li-,

Ii

c. lil

r I.,. A 1
Iplttt:rl
\jn"l

I 1
-l

l-r.

l;igr"rra 5'5' Caracteristicile

statice experiueutale cle icatre:
cetual cle tip p'
pentrLr Lrrr Jirl-r'-l' itrtcgrat ctt
a) Dentftr Lrn.l FE',l' cliscrct ctt cztual rr; b)

146
 neliniard caracteristicile reale ciiferd foarrte pufin de cele plczisc c1e lc,oric.
Ltt regiunecr
diferenlele miuore datorAnclr,r-se odclerii transversale a curentnlui principal al strLrcturii pc regiLrniic
t'ezistive corcspttttzZttoare clrenci gi sursei, ce face ca tensilurezi ce c,acle pe canaiul conclr:cLirr intcrn
sd fie urai nricit ca cea aplicatii din exterior. CrescAnd tensiunea I/p5 lleste limita corcspr-ruziitoerrc
inclriderii czinalului se coustettit cir. spre deosebir"e de predicliile teoriei. in regiuneu tle s't.rtarcrlie
ctrcttlul de clreu[ are o Ll$oard creqlerc. Aceastii cre$tere estc rezlrltatr-rl cumulZtrii r-nai multor ci.luzc
clintre care cele tlai seurnificative sunt: crcgterea conductanfei canalului G6 datoritd micaorirrii
lr"rrrgirnii acestuia, cfect ce poartd clenumirea de moclululicr ccutttlulul, qi oontribu!ia curcntLrlLri de
goneli.ll'c-fecr>tlbirretre corcsprrnz-itor rcgiLrrrii dc salcinir spatialzi din lcgir-rnca clleuci.
Atuncr cAucl tensiirnea l''p5 cl"e$le foarte mult, la capdtul cle ldng[ cJrend, uncle oanalul s-a
inciris, aparc stritpLlngcrca plirr rlLrlliplicare in avalai-r;f, a joncliLrnii poartd-carral. Dcoelrccc .iFl:'l'
cslc utr clispozitiv a cdrui lirnclionare nu clcpinclc clc couccutraliilc clc pr-rrtiLtori nirnoritali, proccsrrl
clc stritpr-mgcrc cstc lipsit de complicafii. Strdpungclea are loc atunci cAncl tensiunea grild-canal
attnge :;i dcpagcgtc t,ziloarczt orjticZr I/6a, corespunzdtoau'e strhpLrr-rgclii joncliLrnii. Astf'cl pentru un
.lFlrl- cu cetnal r? volr avea:
I/
, - t,G.\' _ tt,/tjJ? |
t/ (5. r 5)
{/j/t)D.s -
rlb1i ndnd tcnsi r-rucar clc stt'irpuuc,clc clrcn[-sursir r-rgor crcscZrtoarc cu 125:
I/' t l/
, (l.jli)l).t ,
--l' 6.5
Tr /J1i (5.l6)
[)inirc toatc .]l:l:'l'" cclc reali'zttlc plirr inrplautzu'c ionici zru ccle nrai ntari tcnsiuni clc
siliipLur gcrc cllc rr ii -sursa.

5.?.3" htodelc staticc cle semnal marc pentru .IFET

itezultatelc obtiuule p6.nd acum pern-rit elaborarcer uuor mocJelc statice clc scmnal merre
pcntru.lFll'f itr cc:ie clotiit rcgiuni de interes irr cauc accsta este lolosit cu prepoliclcrcnll: rcqiunea
lrniarl gi rcgiLtnca clc satr-rratic.:1ces/e tnoclele se./i;lose,sc pe s'cctrd largit itt c'alc'tiul put.tc:telor
,s' I tt I i c' a de I i t tt c t i o t t Lo' e (' o r e.\ pt t t,t z ti I o ct r e,I F li1'.
fn rcgitrnect linint'(i..)lrli'l' cste asinrilat Lrnui rczislor a ciu'ci valoarc cstc contanclalit
elcctronic clc tensiunca gril[-sr-trsir. in conlbrnritate cu rclertieL.

Io=(i'1"u:; (.5.17)

in cerrc (i rcprczintd conclLrcli,inter carnalulr-ri datir cle rclalia (5.4).

in rcgitutcct t.le s'crltit'ulic. caractcristica clc icqirc cste rloclelald cle lela!ia:

I rs = I,,^.s' 0 - I'(i,; f I't, )t' tt -r )'' [/ D.s) (s. rri)

iiu' caraclcristica clc trausf'cr cJc rclatia:

I t lt lrt
In= I1r'r''lI*|r:<ll/
\ !/.\/ /_ )' (5. 1 e)

t41
 semnijlcalrarparauretrului?",negaLirrpentruturJFlrTcr-rcanalpEipozitir'lleLrtrur-inJFllr
e f'ectul
ligr-'.a 5.6.b. Acesta moclele a-z'a, in lXincipal, 'iodtllaliei
ctr cerrrar r. cstc irustr.atir ir.r
Lia.iy la'fllJ' Valoarea tipicd a
inversr-rir-ri te'siunii
c1e
ru'girrii can.lultii co'c1uctir,.qi corespunde
erccstr-ri
sus su't irusrrate in figura 5.6 atar sub {orma unor
ffi:':iH'J'::;[]i;,"u.rrn,u,.'rai echi'ale'te clispoziti'ul'i stuciiat'
sub forma u'or cir.cuite
calactcristici iclcaliz,atc. cat 5r

6.2.4.F],icctulvariaficiterrrperaturiiasupracaractcristicilorstirticcale
JFF],7

Pcntruaccsttipclcclislrozitivefeciulr,arialieitenrpcratrtt.iiSeaplcciarzdinplanuL
paranretri i.-rporta'li in futrcfio'area
tra'srcr." ca*actcri ztrte c7c cci
c10i
cararctcristiciior staticc crc
/r-rsr $i tensiunea clc
prag I/r''
Jlrlj'l': cnlclrtul urzrxit-t-t 1a satr-rralic cratoritar sc[ciorii mobilitalii
tenrpcratn'i. /r.r, scaclc clcoarcce ci6 scacre
ocratZr cu crc$tcrca difcfe.lci internc de
iar.rroclulr-il tcnsiu'ii clc prag cregte clatoritzr sczrclcrii
purtzrtorilor"cic sarci'f,. in figr-rra 5'7'
c1c tra'srcr cu tcr'irerertura cste cea irr-rstratd
()7;s. Var.ierlia car^ctcristicilor

'orcri!iar T
l{tgirtttr ctt
rl-)
[.-=fl\;
\ c:._, -,"\t.;:,i
u,rD t .. sniu la {i e
-*=.->;
'lz
Ir, \T;.,.at

=.l{'.=j 'T ,,'

\'6;ii "::\'6t-11

Av
vl)':i

n,IFEI

G=if\bs :0
T pocr rrittltlicil

( ataclc't'islit-lt f L.{: l
cr.t x Ltftl lc pIFF.T
.ioticlittttt l,)

,,^. .j.(--)

__>
\jcrr
-\
C.

[:igr-rra5,6.Moclelestztticeclesenrnaltrratepetitrrt.Illl].f:
circr-rittrlcchiValettt pelltftl rcgiittica liniardl [r) caractcIisticzt
a) car-actcristici slaticc 9i
icrcarizatir'alabirZr irr rcgiuuea
icairc iclcariz_ati; c) car.actcristica static6 cle trarsf'cr
staticir c1c
clc sattlfallc
clc salttt'a-ttc; cl) circLritc
echivalcutc pcutrlt 'l I;E'l irr regitrtrea

t4tt
 ID

Io,- t
':

Io,.a l,

\i,rt

Irigura 6.7. \/aria!irt cz'tractcristicilor stztticcr clc lransfel cu tempcrzltLlra.

Se obscn,[ cir in
l'r-rnclie c1e plasalca punotLrlui static dc firnclionalc al .l]rlj'l'pc
cariicterisli c'a, c o e.f i c i e n I I cl e I c nt p e r c I t,t r- ir u I J l; li'l'
u r

A/,, I

L,/ (-5 20)

' - A'l'l tJ;.\,_cr
,-,,
-l
portlc.s'u./ic ttegu7il, (pol'!iunea N4 -.1p^e5 el caracteristictt),pozi/itr (portir-urca Vr,- N4 zr caracteristicii)
Si.rtul (pnnctLrl Nzl al caracteristicii).
' 'Zona preltralir
cle lLtcru este cea corespunzirloarc curcr-rtilor urari (r'cgtt.nca N4 - /lr,ss ir
cAi;actclisticiicle tr':rnsl''cr'). colesyrunziitoeuo rela!iei lr:) loo, zona in cale qi pi.uttut tranzistrlrLrlLri
-r.
Ll11;
I

.>111 r I
(s.2 l )
Ol',:.
''JIf
I

irs=Ct

este rreti nrarc. I)coarece in aoc?lstir regilurc coelicientul de lempctaturdclcstc ncgatjv rc'zLtllb.c7a.l(L
,ll;87'probletttu cunbulirrii lcr"ntice nLt se pLtne. Coorclonata d;0 colcspunziitoarc pLlnctlrlLli M. in
cttT: c1: 0, este indicatd Llncoli in catalog sall se poatc calcr-rlzi cu flomrLrla erproxirlzrlivit:

1r-,0 = 0. 43' I t.)r\ f I/; (s.22)

5.2.5. Circuite de polariT .aye pentru .lF[lT

('irc'uitele tle poluri:urc ule.llrl!7'lrebuie sir ct.sigttre polctrizurea uceslLtiu intr'-tur crtt,rntil
pLtnc'l cle.fimc:iiortcta in rcgirn.\'l(tlic (pLrnot static clc fr,urcliclnar:c), carerclcli',..at(lc corxclonntclc,,il
ntenlinerecr.fitnc'lirttiirii ,lJIt7'tt't uce,s'l ptutcl tn c,oncliliile ttnei tentperutur.i t;uriubile S'i cr unei
c{i,s:persii cle./trbriculie u put'crnrelrilor s'/ruclurii s'erniconcltrctoore. A$a cL}t'lt am ar.[tat in
sr-rbcapilolul precedent" se recomanclir a se climensiona retezlua cle polalizarc pcnhu un curent clc
cirend , asigurdud astl'ei cvitarca problerlelor legate cle disipalea putcr"ii in clispozitiv. ierr ip cerzul in

t49
 O stabiritate termicir
i' funclioria'ea 'lFll'f '
carc cLlferltr_rl clc drc'zr cstc aprolliat ca verloarc c1e , clriar:
extret-ltc poate szr l-tc
irri't cstc foartc n'rare' raportul
r)islrcrsia c1c labr.icat,ic a pa1.el111ctr.i1or 'alorilor
cle accst I'apt'
in proiectare s6 se linir sealria
czr
Lutcori c1e 5/1 , 9i clc aceca se fccol-l1anclzi
zrlc rF]1'f sunt rcprczentarte
in figr-rra 5 [l pcntru ltu
crc polarizare
cclc urai nz.uarlc circr-rilc O*t],.o g'ilei se
poliirizzrt"c prezentat
clispozi[i' cu czurttl rt. itr ctrc'itr-rl
c]c ln. ll^:l,.l"t^r\'zarezt
lt5 qi de zrceezt
clc curentnr c1c sursl Is:
Io pc'czistcttlzr
crc tc'siurn..lutn gr:ilI
clc polariza'e se aplica pc
rczrrr,ca.tl\rri' ciic.rcr.ca
u.Ltronlc,rit u grirei.'fensiunca
c,it.c,ttirttL.se ntune.yrc de porc,.izure sunt:
arrc'alori clc orcli'r-r1 MQ' Rela{iilc ce carerclcrtzcazitcircuitul
care
irrin rczislc'fa /16^
(5'23)
1t,,,, = -llr' 111
I/r, = | p'(lln-r /tt)+ l',.,.t
a JFli'f cc sc ligutctt'z'd\n
lclatic a ccualiilor'(5 23) clclinc;te clreultln c{e polcu'iztrre
l)rinra pc rezistc'1a clc gril[ 1t6 ir lbsr
crc treuisftr a accstr-ria. cZrclcrca c1e te'siurre
carerctcristrcii in ciucla
foartc nricd iu compararie cr-r
11.r
'lanr_rl accsl,cia cstc "1,r' 'alorii
,cgrijatir cicoarccc 'aloerrca dc ordinul nrV'
cle tcnsittne pc 1i6; estc
pctrtt't-t 1o'= 10-9A cdclcrea
riclicaic a /tc;' l)c cxcLlplu' cic transficl zt
itr regitltlca c1c satut.erl,ie clc calacter.istica
Dislrozitir,ttl cstc caractct.izert

.ccstt-tizt:
( (5'24)
1,,,. )r
= /7,,s* -
/11
[, l,;J
polarizarc gi carzicter.istica c1c t'a'sfcr clctcrni'ir lrurctul stattc
Intcr:scc!ia ir_rtrc clrcalrta clc sistetnului de gtadr-il
llezc-.,r'zrrea a'ariticir (respectiv n'r-nelicii) a
c1c runclio'zrrc nr clipozitir,,,rr,;i. utta aclevitrati qi r"rua falsit'
corcluce rzr cleterminarea a rlor'rii solr-rlii,
cloi jor'rat clin ccualiilc (5.23) tcnsiuui
solr-rlia corespui-rziitoarc unei
a$zr crilrl cstc iiustrat in
figu'a 5.g.a. irviclent, r1r"u'r1ai

l/r;5 e(V1',0) cstc corcctir'

Astfcl' ccualta
f,"' (s.2s)
I'u
{ltz,,l ltt;2 l*.8fu1 ',,''=u
Vnn
\jnn

l-r.

clc polarizare zutotnatzt

polarizare ale .lI:E I': a) ciLcuit
["igura 5.8. (]ircLritc tipice cle
rezistiv pc poarta.
b) circLrit dc poat'izare' cr-t clivizor

150
fur ni'zc trz.it s o i r,r t i i I e :

l-t
lr
I I
2 |
l+
II itl;n l-
* L '/).5:S l' P | ',.\' J
t Do..lJ , (5.26)
' q/ P*rr
1. - --l -

iar rclatia (5.23.a) furniz,cat.it tcnsiunilc de grilir colcspunzdtozue:

[/r,,ru.1t - -/i., . l to..t\ (s.27 )

Ei 1'olosincl critcrir-rl prezcnlart mari sr-ts se alege solufia oorectA.

l)atoritir clispcrsici pareirlrctrilor cle i?bricaiie ai.lFIi-l', cziracleristica stalicit fLrrnizald clc
catalog cstc ltcsigLird (rrczi ligula 5.9.b in care s-elll reprczentat cafacteristicilc oxtrcr-ne). iar
proiectetrea Lrnr-ri circuit cle 1:olarizarre de acest tip cale sd mentiirir in limite clolite (c1e obicei intpr-rsc
cic aplicalrilc iu care clispozitivLrl este folosit) culenLul cle ciren[ cste cJiticiliL. ciacli nu imposibild
cAncl aceste limite sr-rut li;at'tc nrici. in figr.rr:a 5.9.b cstc rclevat:lccst fetpt. priu rcprczcr-rtarca a cloLrir
tipr-u:i dc linrite corcspr"rnzirtoarc pLlt'rctr-rlLti static cle fLrnclionalc: (A. L3) pcntrLr care estc llosibila
gdsirea r,tuei cL'cptc corcspr"urzittoare cie polarizare ciirc sA treacd prin originc (dcci zr r-u'u-ri circr-rit clc

aLttopoliu'izar:c) gi (ll " B) pcntru cal"c ulr se poate asigura poliirizar:ca cll accst tip cie circr,riL.
C'ilcr,titr:i clc polariz.arc carc pcnlitc nrcutinclczr l'ariafici clrrcnlurliri clc clrcnir in iinritcr
.stratrsc trclettit cr-t t,itria!ia pariulctrilol tchnolosici ai .lFl-i'l- cstc ilustrat in [igLrra (r.8.b. ].icLraiitlc cc
clu'lcl"cf izcilzi:i lccsI ci rcLri t sLlrt.
I'r;.; = l'r;c, -- 1?.r . //) I,"Gr; = I/Dt) . ll. f (l\ + /?2)
(s.28)
I' t;D : I t)' ( ll D-t- /i.., ; + I/,rr'
, cloiii gruclc clc libcrtiitc,l/r;c; li R.s.. iii clrcaptar clc poliirizarc (,5.2t3.2i). iacc posibilii
Prc;z-cit'1a a
gitsirea Lurei solLrtii cliiar in czizLrl unor lin-ritc lbalte strAnse inrpr,rsc varialici culcntului cle clr.enu.
I{cprczcntarea in plarrr"tl caractcr:isticilor clc lrzinsfer a drcptei cle ltolarizare cofcspLuizirt<larc accstLri
tip dc circr-rii cstc clatit in ligura -r. 10.
T
fllsrr iD
f
-'' rp--T ]D:ji 'lr
I Ui
il ^Ur-'11l::l):
--r)r
'- -r\!'rL) " rP
,i -- -''--- i^.-
-u i iltx tl

.Uf, T
rD r].
lclevliln lii
I^ _,
-DtJ'
T--
-DE
I Crl
t a rnc lelislica rcii 1a \'Pr..,... \jPrni,t
\"G !

ir. l-)'

Figura 5.9. Ii.cprcz,cnLarci.r in pIanLrI caractcristicilor clc transfbr a clrcplcr clc

1to Iarizarc colespu nz-zitoare LrnLr i circLr it cle z.rLrtopolarizeuc.

1.51
 iD
ID:t':tn1r?r

ID:.tEmin

rDttrar:
T

t,_
\j,-,r=\bc-lti'In
rIJ r"tu1l
'-,-E

$]; \jP,','i'', \ G'.1,,*r. \'c s-i'''

cic rrarrs['cr a clrcptci clc
,.,t1':;,r;:;:rrarca in prarrurcaractcrisriciro'
'igLrra
ltolarizalocoresllt.ttrz-tltoarcttlttticircr'ritclcpolarizat.ecr.tclivizorrczistivingrilir.

cre fr-r'c1io'are Se rcalizear,'a

in rr-roc1 sinr'ar cazr'rlui alltel'lor'
l)ctcrl.i'ar.ca pu'ctr"rlui static
(5.28'a) qi rezo^'a'cl
czrractcristicii clc tlans'er pe cea a clreptei cie sarci'ir
iurocr_ri'ci i,-' cxlrrcsia
ccnatiet clc gt'aclLrl cloi rczultatit' clr"c'ir sd
(/r1, /?:, /rs, /r?] a:rrcr_i'l"i::::.]]::r,cle
ff,:::I:,il:Iffi
l)ttricrtstor-tall'c2t i.tu\r5tLr ulvrv
r:clclc
r L'.v
clc
'olarizarc
/t;n'in' iar
' - ----..^: sir
tenstt-ttlett t_ucclic clrcnit_sut.sir
{i.' l.lt.rn.,.,t,
,.; Iie l-.',- -, r:Afff1
ca,ttcl
intrc linritclc inlpttsc /l-''nn' $i
ari zlncl ecr-rali a 5' 24 pc'irtt 'rccste
sc moclillcc ,:-..r..,.;-4...1 o..,rnti'l 5 ?4 nctriftt zlCCSte
-.-i'"ir i"!''''rl""igi ;,1;;;';,,;
\'aflttza cstc Llflllttr"{')ctrLcL' P' articul
.,rn-,ntnur.u. crr
,r---^..1
ai 'll;11'l'
lltll'all'lcf f l I [ul [r-ilrclit;t'izrrc clirr plariul
il ltr r\rE
t1c
I

lrrrr111 0risi coor0oll2rtctu

coorcl0nzrlclc l,,LttruLr'r\/r punctclot' staticc
r,'aloti cxtt'ctlc. lltltclll girst zt CttrctrlulUi clc cit'ctlz1:
,,-..:-ri^ll,-.,1.. {rrrrc{rr-r-rr.i,
prttr Carc tt'cLlt-tic Si tfcacZt drCapta dc SalCini
calitctcristicilor cic trattsf'er l/ '\
(5.2e)
r' /'trtitt (i- /' D n,in / 1 /).51s nrin ./
"-----. . t/
r' _ l.t .(l- /rrn',', / //).r,t',,.'.' )' l'csnrin -l/
-
i t,,\ rr.rs - | i, rnrrr
corcsPttt-tz.ttort ch'cptci de
sarcinZt:
(-'u itccstc clatc sc lltll clcterutiua parametrii
(s.30)
./D,,.,,,,
(.;(.) = L'
I'-r;c; l'(i.s n,.* *.1?\-
l\,\
-
/ /-l ,,,,. -- /1) n i,,

Irolosirici ccttafta (5.3 i )

l"t;(j = I'' Dr,' ll, f (ll I + 1?' )

rczistctltci cic intrat'e a scltclllci:

q1
inrpunAtlcl o auuttrilit vztloarc (5.32)
/ir;'-' 1l r/i I{z

"'--
scdccli.rcvlrlorilcrczistcrr!clorc.liviz,oLtrlr'ric]cirrtt.arc/11',si/t2.
rozistentei dc circnd /lp:
i.ualia (5,2g.b) poatc lirrnizer vaioarea (s.33)
I? e= (1" 1,,11 -l",ti l 1/)o - 1?s

5.3. t{cgirnul riinamic at JFET

ilr
snnt clctcrminate cle sarcina clin regiuuca Porlii.
Proprictirtilc clitrziuricc alc .lIttl'f
(5.18) Poate
ccualiilc (5.e). (s.i3) 5i (6'1a) sari ccualiile (5.17) qi
clat clc
conscc i tr ld nl oclch-rl static j

tcnsititrii .lonciiuriilor plirr adatrgarca

tttrc
varialiilc rapicle alc
{r cxtins llclltrll 2I iucluclc 9i

tlL
irrnatqttzinltli care sit rellccte supliurcntLrl clc curcnl la teruriiralul por{ii atr-rnci caucl
cJc sarcil.ti:i
varta'i;,i\ satrcinit iuntao,zizinatit in rcgiur-rile cle sarcinl spalialir ale jonclir-rnilor grila-canal (saLr glilir-
catral ;;i substrat-canal). Dcoarece cAnrpul in lcgiLrnca dc szrrcind spatialii dcpinclc nclinial cjc
lctrsiunclt clc poarl:i. lcnonrcnc]e cle inrlagazinare dc szircinir nLr sc vor pulca mocjela ir-r gcrrcral
printr-o capacitatc linialzi. Sarcina carc se asocierzei rcgir,uiii golitc a.jonclir-rnii poartit-canal cstc
ciatir clc rclatia:

Q r
: I,t" .4 . N , 4,
ll 1,r,-h(s')l.c)1t tv fl'.ln -t:(1t)l iJ' .cv/
: .Q .N t:. {r (5.i4)
lL o)1/ 2.b(.y)i I11

Irolosincl cxprcsia (6.8) gi integrAncl se obline exi:resia sarcinii oare poate IL folositir in
dctcrnrinarca oerpacitittilor glilir-sr-u'szi qi gril[-clrena cle seurnai mare. l)e excnrplu, cerlracitatca
crild-sLu'sir se cletcrnrir-rdr cu relatia:

(5 35)

Iu acest I'el nodclele statice rcprezcrltate in figura 6.6 pot {i completate prin erciirngalca
capacitirtilor (i6;.e $i Cc;n cc ntoclclcaz-it valialia salcinii acumulatc in stnlctlu'ir gi a capacitirfii (,'p.e,
capacitate palaz-itir datoratir gcon'retriei reerle a.lFlrl'l'. Se obline astfcl:

it(ri,r. \,1-,s ) = -171(r',;1.. r'l.is ) -,,,,, .blcl/

lrtx=cr
(5.3(r t
cllt;s g-al
"i
;-]
i; (r,r;.s.r'o,l ) = c',r. .
I
t]/ lrr,s=ct.
i- coD
cl/ I'i,t.t.
.i,:.

6.3.1. iiegimr"rl ciinamic de sernnal mic al .IFET'

I)ctcr;linett'clt t-tnr"ti ntoclcl cle ser"nnal mic pcntru Jlrll'f se poatc realt't.a pr:in Lrtilizarcri unor
rlctoclc sinTilnre acelofa fblositc 1a'i B.l. l)eoarece aceastd structllrir esrc lblosjtir ca antplillcator in
rer:,ir-tnea clc saturatic n cziracleristiciior stalice, circuitul ecl'rivalcnt cic scntnal niic sc rra clctermina
pcrltl'u liructionalca iu aceasll reqiurre. Folosincl ecualiile moclclnlr-ri clc control prin sarcinir al
JFi,1l'. prin dil'erctrfielea relaliilor (5.i6) gi (5.36) sc oblin elcmentcle rloclelului cchivalcnt dc
scnrnzrl mic:
. /r'oti,\conLlttclttttltt cle .s'cntnu/ rlic salr 7:ctnlctJl?ll'f

,.
'lltt
.(,,, -
_ct,,l _ 2t,, _2.i,-,,,, [' -&"), (5.i 7 )
al',,, 1,,^_.,
-l
I,'c;.s -1,'t, v, ,l \ V'' )'
. (otlL.{ttL'lttntct clc ieS'ire clc,s'entttctl ntic'

r, = #i ,,,,=,,
= ;,'1,,r,
It
I,, (5.i tt )

I53
 I

gt'ild-'\Ltt"sri c{e sentnul tttic

' c:(tpacil(t{e(I I

us.'
/1
d0,l *r |
I
|
tt
'ol
clr)G.\ 11.,,,_.,.
fi cicterminatir cu forttlula
I

impuritali gradat {n.r lroatc

czir:c i' cazrl ur.rni c1c
[ur.rnt)
aPt'crr itlrativit: 'rofil I

t'oul
-ss=
r',,, -
jsil'
(lrl,;.\(l)i.o)
c'ssr) =t(''*'i',-.-,,-',o=., I
.rntc I

' t'ttptrc'iltrlctt gt'ilit-clrenit tlc 'senutttl

t'u'i
I

'- t'/-ig'l ., I
cl'r.r,, I,i,, I

poatc
I
fi clctcrmiuatd ctl forutttia
impr-rritali graciat (nJ abLunt)
carc in cazul unui prolil clc
aProrrnlativir:
(l.a' tt ut'
I

( = ' r. 0 - lr'
(- .l
l' r'llr';7'
"'i =1) 1i''=c1 I
"a rl;[JILJ cit
8'' c1e lcusiu'ca f'6;5 Ei faptul
|

I{clalia (5.37) rclc'Zt clcpc'clcnla

li'iarir
',f*n'"oitd.uctautci qi c{c climc'sir-rnilc 'll;l'l'1" in
valoarca erccstcia cstc clicratir
atlr c1c ..u..".-t clc noiarizarc cat (1o
tt'cbuic t]n:t:"'i:.':l1rtr-rl cir 1a cr-rrculi clc polarizarc cgali
par.ticr-rliu cic li.rpoltr,rl l'v'll..DcrIScn'rcnca
,. ft.). rrz,lsco'cructa,l,a rlrr.i r csre sir'liiol,::1'::::**l'::':#i::r:::lpr.,
ur .rrrEr.
in f rsLrl'a 5 l I estc prczclrlilt circr-rttLti ccl-tlvaicflrt c '*ui
cLr c1n:ll Ut tu cetiral 7;'
Ailruri cle elementeie
pcntrlr ar'bclc tipyri c1c tranz.istoare:
l]. iini. p'nctatir qi ele'rentcle parazite dc
'alabil figi-rrir an fost reprezerrtert{r.u
prczc'tatc nrarl sLls. in accastd sr'rrsei 5i
str'cturii rcarc a rFt'f: rczistentelc scrie ale cireuei 5i
'ric crrcr-rir-sursir. Valorire tipice ale crcn-ie'teror moclelului clc scmnetl t'ic
scm^al corcspr:'zZrtoarc sLint:
carpacitareer
C'"oe [i'4lpl]' Cn;6e [0'3;1'lplt'C7'e [0'1;1ip]t'
g,,,ef0,1;l0lr]]AiV , t',t=Il g,,n[50'1001I(Q'
/scric,/' /rcri.., € [50;100 l() '

tt
0
+ '- Lli
;

t'=erie r'

S
al .lFll'l-
l:iguLa(l.ll.CirctrituIeclrivaletrtdcsetlrtlaltrrtc

154
 5.3.2. Spcrci{icarca rispunsului in frccvcnfl al .IFIIT
Per.formcrnlele lu .fi'ecvente inulle ule ,/1787-, cc lucreazd in conclitii clc scnlrarl mic, ,r,c
crprecicrzti, itt tl.)arca majolitate a oazurilor, prin yulocu'ecr tmor./i'ec:t,enle corucleri;;lice;
fi'eutenLcr
cle lciiere a lrcrnzis'torului,.f:1., qi Stt.oclusul am.pli/iccu.e-bcrncld, pltLV.
Folosincl circuitul ecl'rivalent din figura 5.i2 determindm expresia amplificirrii in cllrent zi

tretnzistolului cr,r ic;ilca in scr:rtcircuit, la ficcrrente inalte.

l) Ll
Ll

CircuitLrl echivalerrt cle senrnal rric; pcntm.l Fl.l'l'in corrcxiLrnc SC

cLr iegirca in scLrrtciroLrit.

Apl icAncl l(ilchholl' I in nodur:ilc de intleu"e gi cle iegirc alc oircuitr,riui echivalent clc scurnal
mic clin ligLu:a 5.12. se obtin expresiile cr-u'enlilor de interes:

,, !., = -i'r-o'(C.. 'l (ls. )' Y,,

lr : .(r, \/ *. (5.43 )

gi dcci
(t
tl t =lu =
: .- tt'\
5/l/
--
tf\ \
-r'\..,.r )
(5.44)
!s | ' uJ ' | \,.,"
s.' :r, '

in consecrntir expre.siu .frecvenlei penlrLt core tnoclulul cA,ytigttlui in cLn'ct'tl clevine uniI ctt-
(Ii'ecven[a cie thiere) e stc:
I 8,,,
t, (5.45)

(lclalalt litctor dc rtrcrit ai .ll;l:i'l' sc clel"cmriti[ ciin exprcsia amplitlcitrii in tcnsiunc

a ,lliE'l'
(r,czi l'igLrra -5.13). AplicAncl teorcrra lLti Miiler sc obfine circr-titul cchivalcnt ciin Iigr_rr-a 5.13.b. in
carc:

_.gLt = (1 - 1()'(-'u,7
iAl>>l
C',!,t = ( _11 Ii ). ("r,r i (.t
ra (5.46)
- 9,,, '(t',t ll ll r.) = -.gr, . 1i,:".r,

155
 Gf, Ltd
D
ffil
tl r. | -*4
c g'.1!ia
\',.i *(, (o. 'i1
,

--rv I '
fr''r-{ --d:-

O+
S b.

clc sctrttal mic pcutru

.lFL,'l in cotlcxir-tnc SC
l"igura 5.13. CircLritLtl cchivalcnt
ctr sat'cinI collcctattl Pc iegire.

in tenstuue
oircuit cleclucem cxpresia anrplificiirii
:

ir-r ccr'sccitrlir. clin anL\1\'I,apc

..lvrt

- 5,,, ' ll t.,.tl

/trt, tt -
-
1+ j'r.'.1;co.
1 + j'r.,.r ({.'f,, + Cl,i,)'
/?1.,'.1,
(5.47)

,'ll u,,l.rl

-g,,' llr'
(1+tuu,)'(1+j o:ios)
if + lt,'r;1)'(i +.i'ro'cr.)
-;;-
ftccvenlc joase . I tt)itt"al -
itrcarepai.al]lct|iiinrplica!i[cl]IcT,illtd:l[11-arrl.plificareaintetrsiutteli'l [clativzl a alxllliJlcirii itr tcrrsiLrrle
idcalir ilr teusittnc la frccvcnlc jOitsc' t]""1 - zlbatcrea
ar]]pli{icarca intr"ittscc" (!)s' 1rr: lsa!i a co
rcsPl-tuzzttozlrc
fir{ir clc cczr corcspunz.droarc Jirl'l'l'lclcal
la J,r.cc'cr!c.i.asc
llccvctttci liniiri stlllcrioarc a
JFf'r'f"
csl-c cialt cic e xp'i'csta atrzt
,litica:
Pt'ocltts'Ltl rtttrpli'fictrre-bctndir
K;->l (J
()/,r (s,48)
, r Ct)c 5,,,
=
PBII" =lAt
',1' ^
.L'n - =
2.n.(C!,r+ C,r,) 2.n'(C o,1+ C,r, )

5.3.3"lixctllpleclcutilizarcamodeluluiclcsomnalmica|JFt.]'f
SC
Anrp{ificutr)r dc santrtn! trtic
ctt cuplo'i IJC ctt 'llryiTitt conexirurc
irl lrgura
oll Jlrt'r- in corlcxiLll'rc sc cstc
fepfczelllatd
o scrrcrrrar rlfactica arrplificator c1e
ccrpacilitli clc cttplcti
cu'l-rlJ, capacitdlile Cc; si Crsc lrllmesc
5.1,r. cra gi i, cazur a'r'liricatoarclor
c1e sernnal, rcspectiv
rezistcnla c1e sarci'd' iar capacitatca
cupla gc'eratorul
clcoarccc au rolul cle a clr arrplificatoarele
zicelagi rol ca qi capacitatca
(i.5 sc rllrme stcc,crltttcirctre de c{ecultrcti.avtnclexact adici
*cbr-rie s[ prezinte impeclanle ncglijabiic'
cr.r.r.B.r. r_a fr.cc'e'rclc crc
lucru accsr..*u.truti
trcbr'rie
parcurgerea acctoraqi ctapc ca ei
i* cazLrl t'llJ^
ffi;:T::'r',T,:il'lt:ilffiI',,...ri,u
aclici: firial crctci'rirrarca pu'ctclor staticc
dc
. tttttrri:u i, t,trre,t L,()tlrittltr.ce arc ca l)'uct
Ittnctt otlarc al e cli spozi tivcl or scltcttlci'

156
 \bn

ti
,^I. t\.r_
rf l_!,r
Ll -'L l
a\d t7

.-r:
i*rl't
ANL]T

lin Io (_; c cd
\i I ll
lr_
r\U -'L I Yfl
t-

\.,
Y
l. r{c f .-- -r-{- i--r'\ \r,-
--l
tL
L)
r\I ilJ.'
,
\.,.-,

S S di-z
'l/-;:t tt
cl.
ljisLrra 5.1.1 . Anrpliflcator clc scnrnai r-nic cr-r .] lrlr'l'irr concxiunc S(i.

. Llclct'tllit1(u'co ltut'ruuclt'ilot' clinttmici clc sentneri n-ric co rcspt-rr-rzirtoli cl is pozit ivclor'

circ uil r-r1r"ri ;

" clelerntirttu'eu s'c:ltentci cc'hivctlenle cle .s'enutctl. ntic in crtrcnt altclnatit,;

't{elet'ntitturca p',et"fitt'rttt.tnlelot'tle inlcres alc ampiificiitoltlLti ltrin apalizri pc sc)rcrtra
cchivalcntir clc senrnal urrc.

Analiza clc culctrt colltinLlLr sc reclucc Ia clcterminarea soluliilor sistemLtluri c1c ccr,ralii lbrmai
clin relaliilc (-5.28) 5i (5.2a). Odatir ce au lbst cleterr.ninate coorcionertele pr,rr.rctului static, sc tlcce ler
tarifit:tu'crr ftutc'liotttirii itt regint cle s'ulurulic a Jl;1i7'. Aocastir verillcarc ,s'e reulizeuzir ltritt
C,0]11puI.ureCl|an,\'i1||1iic|rend-'gt.tt.'s'iic'u/ensiuneCIc0res'}lt'tt.tzft|clctre

l"r)s=1"',r,',-lD'(ll:,j-l?/)))l'i;.sr.r =Vc;.s-l/t, (5.48)

Schenrele echivalenlc clc semnetl uric ;;i i}ecrrenle joase. rcspectir,, inaltc. clctcmrinatc in
Ln'ma pafcLrrgcrii cckrr clotiit ctapc prezcntalc in capitolLrl 4.3.4" sunt datc in ligrrra 5.14.b. c.
[Jrii]arcralizarca.lllE'l-. r'especli\/ a cla.juli-ri c1e arlplifice]fe. cste prez.cntaitd in ligura 5.14.d.
Inrpcclarrlcle clc intrarc ;i dc icairc lu fi'ecvenye Torr,sc slurt:

'7 t.'
t) -r, .ir)\il
vl
!:i,tt) --.-s
!"
-
-- /\C Z,,,,rt =
flj-0 ll,,=() = r,t ll lln (5.4e)

r51
 cxpresia:
fi'ccventc joase cstc <iatZr c1c
Arnpli[jcatrca it-t tctrsit-ttrc 1a

---]Ltr- llr)=# -jU'*- (5.s0)

ll l?r'll
'".,"- ,!,
l"u--g,,,'V-r,l(r'r
"*i,",' O*. ['.',1; ]U
l-ll;;J.-;;-
;:;;-t )

[cct Millcr, tiuclc sat e

I'tt.frecrattlcitlctltcczqlacitatcaclcintrare,consiclerabilr-rrirrit[pritr dc
qi clin acciistir ctttz,iaarlplilicarca
in tcusiuile scaclc' llxlrrcsia caPacitalii
scurlcir.cr_rrtczc luu.zrrczr
intrare a cta.ir'rlr:i cstc: (s.si)
(- Kt) = Cls' * Cu'l' (1 + g"'' 1ll-""1)
(,'i",, =(-'*, + (-'u,i'
(1,,, = (-'"" )-
srtnt
r caLac:tc ri sticc arnpli ficatorului
:
o
r arr ex ilrcsi i l c impcclan!el
l,/ It, ;
-/ .\ tl !
-
.j cl C'r,,'/lc (5.s2)
n
-llt I
:11
I -r

r,1 ll ll ,,

[; n'l16r, + C].(,r) '(,1 ll ll'.,)

cLajr-rltti cstc:
t\nrplificarca in tcusiutrc a

-8,, 'Lg,, I + i. o., -if:n" -r Cl, ) i]t,.".,,

I,' ,,
/11 -
l/
-.!.]
(s. s 3)

A,,o

(1 + j'r;l/c0.,' )'(l + j'{r) {rl,',,, )

oaractet istice ir-rtr'lrii Ei ieqirii'

lll CLII'C (0in $l (t),,,'1 sutrt pulsaliile un gir-rlare
a eraiului sc cietcrminZi din
concliqia:
l'irccvetrta linritir supct'ioara

/l
(s s4)
/rl'0 G
1/, I= 6
qt cstc

t-)- t- ,.. ( (s.ss)

./in ' ,rout.l 1*
|

/.s - tl-\

158
 tlmplificator rle s^entrtul mic cu cupla.j Il.C cu .II.'IiT'in cotre.riune DC

O scl-retld praolicZt cle amplificator cu .lirEf in conexiune DCI estc relrrezcntettd in ligura
5.15.a. Schentcle echirralentc cle senrnarl mic c<llespunzf,toale clomcrrii1or" clc h'ecvcutc joasc,
resirecti\/ inaltc, sr-rnt cJate in figura 5.15.b.c.
Lcr./i'ecrenle.joas'c ir-npeclan!e1e de intlale ;i de iegire sLrnt:

l/.
/=_i,., = /1" + 1i"
!,,
=:
11u r,, ll ll.s Y''''(r'1 // It5)>>l
i (s.56)
__
i-- =o [" ,, 0'u ll llt) - g,,, '11 s,, * 9,, '(rr1 ll )lt) 1
9u,
17;
iar arnplillcarrca iu tcusiuuc cstc:
/ \/.cch

t", {,...1'- .(r,

vO ll ll,
"'.> ll R,\
,], ,
:.qJ
o/// "l.l 8,,, ' ll t,""1

r" (t-r- n, llr,) fLr,, -t- g,,, .[/ .(r, ll

",
]1, ll 1?,.).1 (t+lt, ti?,;) (t-rs,,, /?i.".,r,
)
.,lt.trrdral (5 _56)
. . 1?,. .q,,,.i17".1, >>-l- /i. <<iii
9,,, ll t.- (1 -r- g,,, )
-)l
I i r;rr II t:(,(rl

Se ilbsct'r'ir cd anrplilrcarca iu tcnsiunc la l]ccvcntc.lozrsc cste sLrbllllitarir. tinzancl cirtrc I

at,;nci ciitrcl sut'tl. ?nclcplinitc concliliile spccilicatc nrai sus. Accsta cstc. n-rotirrul pcrntlt-t carc circLritLtl
-
llr'0zcntat in accerstzi sr-ctiLrnc sc nLuro$lcr t'epelor pe ,s't.rr.td.

i'rt.fi'ccrcttle incrliu utriliiteralizai-ca'i'l:Ci coiiciuce la cii'ciiitiil ccirivzilcnt clin [igirra 5.15.cI.

ir-r calc cxprcsiilc clcncnlclor cchivetlcnte slutt:

Cij, =(l-l() ('-,: C'",,10*.g,,./?r_""r,),

"Lcctt/' C!1,=0*llli).C,,r, -s'r/ 19
--8r \- 't:) '"q\ = -(t._f tt, , )/
\(s//r ,'/'ccrr
(-s'571
1( = (.qr,.1?i-..t,.)/(l+ ,4,,, llt,"rr.
Inrpcclanlelc cle itrtrare qi de ie;ir:c sr_rnt:

_ -5
r _ ,/.) (',,, =C).,1+(il,
1,,, - -
l\
- I,
I,' 0
(5.i 8)

- c:(ri,/ .l/
-!.f
,l--o

r,alf li.1
.t
I* 9,, .1r,1 ll )le) /- urrto

(':;,1 l"nl
ll !lt) 1 + j. co. (Cu, + ()/,!"). /,,,,,,,
t +.i'co'(C',', + --
I *.q,,, .(r,1 ll |1,;)

159
 'DD

tl
I..1
&-I'q ,J ___,5,'

{ 1r I

- rlr

11 ,r
--'5

I- ,-' '-----_-=X
t._T ,
\- g,=, ,)

It"'\E.

c. Z,:,r-rl

I'a
S

.,1
\jo I
l)
t\U
('-,r-l-L ii s*\'
(l'
.ll:ll'f in concxiLit.}c l)C
5. Anrlllif icatot cic scurual
llli0 cLl ctlpla.i I{C cLr
l;igLrrl 5.1

ficcvctrle itraltc cstc :

Ar-npliflcztrca in tcrtsiunc la
[',t _ /Ir ()
,
,/ll,()=[-
(1 +.j'o a:,,,)'(i + j . rr:i c0,''.,, )
/ i tr)\
I
.- 11
((.'o,, + r'i,)'t1?c; , 1?.q )
g,, /11.""1' >> I

('),,r,r =
1
-)
('i, + (rl,) I r- ,1L:tii;.",

iat.licc.',ctr!alillritilsLtllcIioaIiIScl]oatcclctcrtrritrar,rtilizAnd'Iortrrula(5.55).
i)c corcsl)Lrrzirtori i*trarii qi icqirii sLurr- siluaii Ia lrecvcnle
Sc obscr'ar cir pcrltfLl cta.j'l
clccit polii 'oliictajr-rlui sc qi, i* corseci.r!ii, f'ccve'!a limitl sllperioara
corespLlrlzartori
r.r"rrt rnari i'artc
aaccstuiacstcttiultnraitlarcclccAtcczicorcspl-il-izf,toarcetaitrluiSC.

160
 TRA]\ZISTORUL
MtrTAL-OXI D-S E[4 I COND UCTOR

6.1. Gencralitirfi
'franzistortll MOS (sau MOSFEl')
este un clispozitiv clcctropic alc cirrui caractcristici
electricc svnt cleterminqte cle ntoclulalicr cctncluctivitcilii unci regiuni, numitit ccrttcrl. sitLrarte i'
vccinittatea scmiconcJuctozu'e a intcrfclei oxid-semiconcluctor, prin ir.ttcrntetliti trntri c(itrrp elacl,ic
perpeuclicular pe lungimea canalrtlui, aplicat printr-un clcctrocl iz<>lttt clc scnriconcluctgr (p,ar.ta).
IzolatoLul lblosit este un stral subfire dc oxicl (SiO2) crescut prin oxiclare tcltiicir la supraltrta
siliciulLri. r\ga cum ant ardtat gi in capitolr"rl plecedcnt, plincipir-rl cle funclionarc betzirl pcr-'ocluialia
condtrctivititlii unei regir-rni setnicondnctoare situeaz,ir ar:cst clispozitiv ip claser clispozitivclor oLr
eJbc'l cla cfun1t.

Pentlu infelcge|ca q;i clcterntinerrea carerctelisticilor clcctrice alc, Iv{OSlrl-j'l' sunt sLrficicutc
cunoEtinfelc lcgate cle proprietrilile flundamentale alc matcrialclor semiconcluctoar.c conrplctalc clc
cclc lcgatc clc clrifl iu getma tcnsiunilor gi culcnlilor mici r;i mcclii qi cle cclc lcgatc clc clifirzic r;i
g0llerarc-recotlbinarc-captrtrii-err-risic in gamer clrrenlilor lbarte nrici. Ltt I'cl cii la
cclclalrc
clispozitive studiztte pdnzi acum, lzi tetrsiuni iuversc mari aplicato oncfiun i1>r cor.csirunzirt..r.c
.f 1t-tt
structr"rrii trcbuie consicJcratc mecanisrnclc cle gencrare prin impirct.

('ttrenltrl clornintrnl tn lulOsltliT'(la [cnsiLrni gi curen!i nici

r;i mcclii) es,te us.igtr.u/ rle ttn
,sittgtrt'lip cle purlciloriclc s'crt'cinc-r: clcctronii in clispozitivcle MOS|lj'l'cLt czrnal 4 (n-MOSp'li'l'sltLr
n-MOS) qi golurilc in dispozitivclc MOSITLT'I' cLL canal p (p-MOSlii.r'l' sau p-N,lOS). ./\ccsLa
csrc
tnotivul pcutrit carc etccste ciispozitivc sc incacJrctv.din c'lu.scr disltozilit:clot. trniltolcr,'a. i^ lir'ctic
clc
uoclttl cic lomlat'c a catralulLri concluctiv existir clouzi Lipuri clc MOSlrl:r l':
'ctr c'(tnctl inclus, la carc canalr-tl coucluctiv sc {brurcazir nLrnai la aplicar.ca unci tcnsiLlri
priu invet'sarca tipLrlLri clc cor-rdLrctibilitatc a rcgiLrnii clil vccipirtatea ipter:lctci <lxicl-
scur icoucluctor.;

'ctr t:ctnttl inititrl, cat'actcrizatc prirt cxisl.enla unui czrnal colclLrctiy cIiar.iu lipsl lltliciu.ii
rrrrci tcusirrrri pc nour.Iir.
 canar'rui existir tot croul tipuri MoSrrl]'l': cu carral rr qi
i' tirnclic clc tipr"rl co'dr"rctibilitirlii
ctt catritl 7.r'
Lip 7r' ierr in
MOS crr carral irrclus Ei Sttbstrat dc
in frgura (r,1.a cstc rcprczcntat ttu tratrzistclr cclc clou[ rcgiu.i dc tip
surt rcprczc.tatc ctapclc clc tzrbricafic tipicc arrc accstr"ria.
6.1.b
.gr.rra gi .rr,'.rr7. pc.t*r tranzistoerrclc MoS
in tlgr-ua *u rost clcru"rnrir.e clc Shocklcy dt'e,it
rcprczcntar.e porfii izolate suuL situctricc' iar
rcgir-r.i gi rcgir"rrrire aciiaccntc corespuuzdtoarc
si'rctricc celc clonir
,rr,i urirltc ca;lliri i',';ia clrcttci cstc dit'critir dc aria
,:...r-..r-:r.r i,.trr vvrv
....1,.
sttrsa qi clreuat sLlnt lllLcl'sulrrrrtt',,cttrrrli 'clc.sitnlii oxid'ltri gi
ciif'critc clin punct clc vedcre al
lor sttut
sursci, iar r.egiurrilc cle oxicl acliaccrrtc rratcriarl co'cluct.r carc poate
cri. oxici. Pozrrtu cstc rcarizatl crirrtr-uu
crc'sitiriii .i'cleror clc carpturir
gi din Si p'ternic dopat' tuctaic t'c''actare
tL Al (in cclc r'ai mulr.c
czrzuri), crar pozrtc rcaiizat[
'faSi, wSi)' t]n.sanclviq din ztcestczt' in figura
7'1'a' pentru
(tLr.gstc.), siiicali ('fisi, MoSi, 'utl acceagi atat sr-rb elcctlodul
gcornetriei str.uoturii, grosimea oxic*-rlui a fost consiclcratd
si'-rplificarea grosimeer oxidului in
corcsp'nzhtoare dr.enei qi sursei. i'Lealitate,
clo poar.ta cat qi in regir_rnils
mare dccit cea
clrenci Ei sursci este in jur de 5000A' mult nrai
r.cgiu'ile corcspunz2ttoare real\zeaziaintre drend gi surs6, ra
oxiclului porlii clc 50+2000 A. conduclia se
corospllnz,rtoarc pri' inversarca tipului de
cle si corcspunz'tor interfeiei oxicl-semiconcructor,
suprafala substrzrtnlui este
cratoritirtcnsiunii apricate porlii. in cele mai multe c^:l',rt stibstratul
conclLrctibilitatc er accsteia ,folu'i, elcctrodul oorcspunzdtor substraturui poatc fi [olosit Ei
regat rzr aecragi potcniial cti sursa.
inclclrcnclcrl|,c,,lz'irrtAlriittttaialcsitrstt.ttctttrilcirrtcgratc.
ac{ic6 cri'rensitrnire cs infl'enleazir
in mocl olli'iu
*iticealc MoSFE.f,
I)itnans,iunire canalului l' hfimea
stzrticc are clispozitivului, sunt: grosimea oxidului x6, lturgimea
carracteristicilc
catraiuluillzqigr.osirrrcacanzrluluir/c.Dinptrnctcleveclercalacestorclir-rrensir,rniexistirtreitiptrri
clc strttctrtri MOSFEI':
clc climcnsiuni mici lblosite
in cifcr'ritele rapicle ;i de putcre micit integratc
' tt'anzistoarelc
extreii'.i' laii''it (VLSI' U] SI ;i ELSI) in
care:
SCiftd lctrb", i;.irtc largl 9i
- I -:-
PC

lI/x L', L> (2...3)'xo, x6;) l0'dc;

de putere
. tranzistoarerc cti canerl scurt fotosite
in circuitele vLSI, tJI-sr ri ELSI rapicle Ei
meclie in care:

,l/>> L, L> (2...3)'xrr, rrl > l0'clc;

in circuitelc cliscLete 9i integratc dc vitczd tneclic'
. tt'anzistoarele cr"r czural lung folosite
i-'
cle alimentare meclii' in care:
putet'e mlca $1 meclic qi tcnsir-rni

LV>> 1.,1,>> Xg, X11)) cl1-.

l)e[lllt,corlcliliaclellaist-lsitrrpttsitclinrctrsir.rtrilorcriticealetratrzistoarelorMoSpoartit
cttndilia Dannctrid'
clcnrtttrit'cit tlc legc tlc 'tc'crltrrc sttur

toL
 (llBl)ii

*...
\^

\"r: s

5. f)ellulclcl url'hlulrri
Prrll 11\iil l.)ofiu rr l-)r.
sr rl.rrn1c lr.'l r-' stulc lu rii

2. C'r'eglelc.n SiO rpe

irurbele lrllrnlefe

(r.iulii lrrlltlc;t srrrltlusrrlrri

dc utt.trl ;i clr-..{iuirr.a
co u hc tc'leir' 1.lt'iu li logrrlie
i. l'rnc licllr..l l'ctestlr.'lor
cls' cheni pi lrr':;i Sur.si Lr l'llil
1;r'iu
li"r lo 1i lo rr.r;r fie

StrLrstrlrl
4. Ditirzi';r &1ll i l)iplfl l lill'L.n
iolii-lt llen htr ftrlrtnr.et 7. C {)t}r.{.'lifctr l.linilrrr'
.joucfirrnilr,rl cle ck'r-'lli ;i srrI'sr colcsltrrlzii lor i sIrrc lrrlii
I;igLrra 5.I. Sliiiclum unui MOSI'l','i'cii canal irrclr.rs clc tip rr.

SirnbolLrrile gralicc lblositc pcntru ccle pi]trlr variantc clc tranzistoarc IVIOS, pl.ccl11 gi scpsLtl
couvcnfional al cttreuliloL qi teusiLruilor corespllnzartoarc ucestol'il, sLltt rcprezcntatc in Iigur.a 6.2.
Sageata din sinrbolul grafic indicti tipLrl concluctibilitarlii substlertului. l)olarizaleer pgrnap'r, pcptru
fitncfiottarea ca alxplificatot'il MOSlr]-il', cstc clc asculcnca ilustrltir i1 figLrra 6.2. (lr-rrcntLrl sfatic
dc glilir estc nr-tl clatoritii prczcnfci izolatorului. in poiarizalc noriralir curcntLrl clc clrcnir, avAr-rci
seusirl convcntional, cstc poz,itir, 5i cgal cu curcntul cic sr-rr.sh.
OorlcxiLrnile llnclaltrcntale itlc MOSFHl', atunci clirrcl accstzr cstc privit ca un cliprtrt, sLrnt:
clrctlit cottrttnl (DC), sltrsd cotuunir (SC) gi griJi contLrr.rir (CC). i)c rcgLrlir, at6t cxprosiilc a'aliticc.
oAt 5i Lcpt'czclrtiirilc tcorctice;i cxpcrirlcntalc alc canrctclisticilgr slaticc c9r'cspuuziitoiLr.c
N4OSFli'l' sunt clatc pcntru concxiurrca SC.

163
 ID'\-,
t-]
{)} \

/ \bs
r" \bs
q

\65:'o

cl.

Figtrra6.2.SinrbcllurilcIEEEpcnt|uMOSIrE.l.:a)cucatralirldLrsdctipll;
b)cucanalirrduscletipp;c)cucarralinilialcletipn;d)ctrcanalirrilialcletipp.

Pctl|rttau$urairrlelegcrealtncliorrirriitrarrzistorrrl.uiMosvonrstudiapentruincept'tt
capacitorulMos.Avlrrc{c,,JbL\7-.i|tcoriadezvoltatdpentrucapacitorulMossevordctenrrinaapoi stucliatc panit elcum'
pi, zr$a olrnl am proceclat cu clispozitivele
carzrctcristicile icreaie ale MOSr;ri'f
clc cazul iclcal Ei sc vor mocrela
pri'ciparere cfecr.c 2-d gi 3-d'
sc vol.pu'cta c{ifcrc*lelc falzr
ver fi urmerlir cle stttcliul di*amic
al
.'rczc'tarcn ciror_ritclor clc porarizare caracteristice crispozitivLrlui
de sem*al mic qi comportarea Ia
cc va incluclc mocrel'l c{c co'tr.or prin sarcind, mocrelul
MOSIrir,I
inaltir fi'ecvcn!d.

6.2. CaPacitorul MOS

i.fig*r.a6.3cstcrcprezcnlltirosccfir.rneprintr-uncirpacitorMOs(MOSC)Eimoclerarea di' trei
ii{calb. Strfc-tn.zr Mosc cste alc[tuitir
accstcia pcrrtru crctcrmi'arca caractcristicil<lr
clcterrninatc c1c celc patru stratr-rri
are acestuia: rnetarul porlii, izolatoL 0'
'ctcro.ronc!iu.i
scuricotrclr-tctot clc tipTr sau n, mctalul <le contact al strbstratului'
Mosc estc relcvzrtir cie larga sa utilizarein tranzistoarclc cliscrcte 9i iu
I'rportanla str.Llcturii
zi"fosf proptrs[ pcntru primzr clatd in 1959 cle ciitrc Jhon Moll
cir.cLrirclc i*tcgrar.c, Str'ct'rii Mosc
Asrirzi ea cste folositir in
pcrltflr a tj {brositir ca capacitatc
controlut ita p" care elcctricir (varicap).
' cn stfuct'rir crc cornaurcldin tra'zistoa.elc
MOS etc'' evolu^nci
crispozitii,erc cu tra'sfcr clc sarcinir,
propLrsir cre vloll, la sr-rprapuncri de
tipLrl
Al/Sio2/si/mctai,
crc ra s'lrraprrcrca n pzrtru stratLrri
(inlb''a!ici) in DITAM (clyna*ric
pc'rru stocarca sarcinii
Al/poly_si/Si3N4/Sio 2rs\rt\1,,'ririzarr:
ratrcl<lttt acccss tncttrorY)'

164
 ,)lL/ 2
Si 1i sltr u

S ul-rstr:l I 0 s,i
fl. b.
Figura 6.3. Scc{iunc tlansvcrsalir pli ntr'-urt capac it<tr MOS.

6.2"1. Capacitorul jvi{}S iclcal

Pcntru a infclcgcrea ltnomcnclor cc au loc in MOSC la aplicarca uuci tcusiutri
Ll$Llrel
extclnc sc considerir mai intfri o structurir iclealir caractcrizatit c'lc urmz"ttoarclc ipotczc:
. col"nportlree] la sllpra[al6 a scmiconcluctorului estc iclcnticit ctt cca clin voluu;
. absen[a oricdror sarcini in oxicl sau la interlala oxicl-scmiconcluctor.

Construclia cliagramei crrcrgcticc a structurii cste rclcvatir in ligum 6,4, Figr"rr:n f .z[.n 1ip6[i1
cliagrama E-x colespunzirtr>are celclr trci stratuli aliittrratc. in citrcia clil'crcn!ci intrc ctrcrgiilc de
extraclie a electronilor clin rnetal r;i c'lin semiconcluctor nu arc loc nici un transfor clc electt'oni intrc
celc douZi materialc clatoritir prezen{ci izolalonrlui (SiO2) intrc elc. [)if'crcnfu irttrc accslc crrolgii c1c
exti'acfie se noteaz[ our l.ip15 qi estc clata cle rola!ia:
[n , = 11 '(l)prs = 67 . ({D", - cDs ) (6 1)

Diagrama cnclgctioir a strLrstLrrii ntunci cAncl urctalr-rl cste scurtcir:cr-titat la semicoucluctor

(pcntru a asignra conclilia cle echilibru tenloclinamic) estc prczcntat in figurilc 6.4.b. l:lcctronii
metalr-rlui tlcc in scmiconcluctorLrl cic tip p, clatoritir cncrgici lor sLrpcricliu'c, incitrclincl ncgativ
semiconcluctolr.rl. I'eorctic, oxiclLrl clc siliciu nlr are nici un r:ol in accst transf-or cic pafl.icLrlc
clcoarccc, clatolitit inirliimii encrgeticc mali zr bcnzii intcrzise (> [ieV), gcnclzrrca tcmrict"r a
purtirtorilol de sarcir-rir la terlpcraturu'r camcrci cstc practic nr,rl[. l)atoritii cxccsr-rlLri clc clcctrorri
(prinrili clin nietal) bcnzilc cncrgcticc alc scmictincl'uc'Lomlr-ri sc cru'bctvzl la inicrliila SiO2i:ii.
Regiunca pe cerfe accstea sc curbcazd poaLtii dcnuurirca cle rcgitutc cle surcinci s:pcttiulti cle
suprc(hyii, ial glosirnca accsteia.y/0 cstc cicpcnclcntir dc potcn!ialLrl sLrpral'c1ci scmicorrclLrctolulLri la
irrtcrfala SiO2/Si, 25,;;i carc, in caz.ul cle fnlzi aI echilibrLrlLri tclr.nic, cstc chiaL clil-crcu!a intrc
potcn!ialclc clo extlac!ic corospLurzi'rtoarrc mctalulLii gi scnriconcluctonrlLri. V5;e =' {pp't.
in conformitartc cLr [curenra iLri (]aLrss. sarcina ucgaLivir cxistcrrti-r la sLrpralirla
scmiconcluctorulLri estc conrpcnsutai clc sarcina pozitivir clc ta sLrpr:alii!a nrctalLrlLri la intcLlafa
melal/SiOr, Datoritir conccutralici mari a clcctronilor in mctarl, rcgir"rnca clo sarciuir spaIialir clc la
surpralzrIa nrctalr"tlr-ri cste fbalte ingLrstir. Lii!imca accstcizt cstc cr-rnosoLrtir sLrb clcnunrirctr clc ltrnginta
Dcb.1,a;;i cstc notatlt cu 1,p11.

l6,s
 1\$a cttl11 ttlll ariltat tl'llli sLts o caractcf
istiotl
h'I Si0: Scttticerttclttclot
prirrcipalir a strttcl'ttrii ivlOSC o t'cprcziutir
clil'crctrla

intrc cncrgiilc (saLr potcn!iaiclc) clc crtrac!ic

a

L:115 (sitt"t
clcctrorrilor clirr trrctal ''si clin sctlicotrclttctot'' F.r
l. /'

liigtrra 6.5 cliagt'antc clrct'gctlcc

llrczitrtir
nq
1:-.
-tlrrrs). !l.lt
F,,
N/IOSC iclcal irr [unc!ic cic scntrtul 5i
posibilc llctttrut
ru r i cl i ['ctctt !c
itri tttcai ttccstc
ll f
i itstlpra cl iagrarnc i c ttc rgct icc
'ccLLrl po I ari z'irri
clc tip p qi rlr5a*
a utrui MOSC iclcal cu scmicoucluctor
upliccrlti
< 0 cstc ilustraL tn [igttra 6'(t' Dacd lensitmett
pot'lii e's'te negtrliurT (V6 < 0), arc loc: o acumttlarc
clc

(pt'in cftctr'rl
golurri la strprafzrlu scuriconcluclorttlui
atraclici clcctLostaticc) qi' irl ftinclic clc
mitrimca Scuricoudtrclol VLn.

tcnsiunii ziplicatc, rcgiuncet clc sarciuit spalialii

pAnir la
ncgativh clc suprafalZt cxistcutir sc uricEorezrzir
pozitivit
clisparilic, fornrAnclr-r-sc o rcgir:nc clc sarcitrir
(r,czi tigLrrilc 6'7.a,b,o)' l)atoritit calit[1ii cic butt

iz<rlator. a oxiclLrlr-ri, cttt'cutul

priu strutctttt'ii estc practic
ntrlgiclccittii,clul.[lcrnriclitlscnricrltrc.lltctot.estc
Salcina
constaut (ca 9i la cchilibru I'crmociiuamic)'
t:t
acuu*tlat5 la suptalala semicoucluctorultii' Qs'
gZrsc,,stc cot'csponclcntul in sarcinzr acttmulettir la
strprafzrla rrctalttlui la inter[a!a nictal/SiOz ' Q'c;' adicb
(6.2)
Qc; =-Qs;
.l'cnsiunca Vt,tt, lali
clc carc sc raportcttzit FigLrra 6.4. Coustluclia diagrautei etrergetice

tcr-rsiLrncer ncgativir Iz'6; aplicatzr,

rcprcziutit (a;a curn corcstrlutrzittoal'c strtlottrrii MOst. idcalc'

sr-rgct'cazZtr;i {igLrra 6'6'b) lensitrt'tact clc bcttzi ncledc'

car.c pcrrtru stLlrctura MOSC idcalir
cstc:
(6.3)
(D,l'Ls'
I/t,Bkl" l -
utt
v(,; > 0, ;i clacri niirrimczr teusittt"tii aplicate
l)ttcitten.yiuneu ultlic0r(t ivtosC e.ttc pozitivtt,
rctt,sitrne inr,it.t.tcc{t;i ct I/1;1, aclicavc;1vc;t, golLrrilc
clcpirgc;tc o a*umitir valoarc, nLr'ritii 'otata
rcsiLrneer dc sarci'a spalialii
clc la sr_rprarala se'rico^cluctor.ului r,'L fi
rcspirise, mirri'cln-se
]l!ftI Accst rcgi.r dc lucru al
sr,rpra{a!a sc'rico'crnctorr-rlui ra
la inteLrala siot/.si.
rrcgativir clc
g,rit.a.r)iagran'rclc crrcrgeticc atc MOSC corcsp.tt.tzitoarc
i;arpacito*rlLri MOS sc llrmc$tc t.cgint cra
clc sarcinir in structurir,ruL, plezcntatc
i' figurzr 6'6'd'
accstui cerz. inrp'cLurir cr-r varialia clc*sitirliror
i'tcrfiila sio2/si 5i crc$tcrca clifcLc'1ci cic
sc obscrvrr cfc$rcrczr cr-rrbirrii bc.zilor crcr.gcticc la
clc la v5(''ltr v5'
firIir clc sitLra!ia clc ccliilibrLr tct'tuoclinitt'ic,
1rt)tcn!ial pc sc'ricorrciuctor

I (16
 \ilo=0
-- ---t-"- < [r1',j.1= cl),u, - r 1r,.,'=0
tlrg= 1.1;F\ gp
;

/s
\t:ro ''()
lir

Irigr'r|a 6.5. Diaglarn0 encrgcticc posibilo nt.trr,losc iclcal cLr scrr-riconcluctor clc rip p.

Sarcina negativil clatoral.it ionilor acceptori clin regiunea golitd

0a, pcntnr cazr-rl ip carc
semiconcJuctolul estc r-urilomr clopzrt, poatc fi cletcrminat[ cu rclatia:

tr', lvru (6.1)

--t
In carc ctl (/ss-a notat,s'ctrcinct ctcumulalci lu suprctt'hlct senticoncluclorulti
1te ttnilctlett cle urie.
Dctcd lensiune ct pozilittti ctpliculii slnrc:lttrii clepcis'es'/e t,ct/ocu'c(t I/6;1 (c<tr:csp1rpzirtgarc
uuui
potenfial al suirrai'e1ci cgal cr-r potenIialr-tl Fcr.mi, aclicir 2.1=- rlt7.), bcnzilc
cucrgoticc sc cLrr.bcazzi;;i
mai tnr"tlt, astlcI incAt la supralirfa setniconc]uctolulr-ri nivclLrl llcluri se va plasa
clcasupra
Fclmi iutlinscc (1i7.> Ii1-) gi deci in vecinirtatca 'ivcl,lLri
10, r/.1 a intcr:lt1ci SiO2/Si scnricgnciuctorul clcrri'c
cle tip tt (t1g'ti figurile 6.6.c:.1)" Aocst I'cnomcn cstc cr-rnoscr.rI siib rruurclc
clc invet..s,ic..cl
conduclibilitcilii !;entic:rtnt{trclrtrttllri. Sarcitia acurnLrlartzi la sLrpralarlzr scrnicr>uclLrctorulLri
(es) ostc
fornratit atAt dc iouii acc'cptoli (Q3) clit gi cic elcctronii clin stlatnl cJc
invcrsic clc sLrpralaI it (e,,):
Q.i = Qit + Qi, : -tl' N.,t' r,,u .,!(ffi + g,', (6 s)
ili |cgirli clc invcrsic, clcpcnclcufa sarcinii Q,, clc potcnIialul izi. cstc cxpolcrrtialir, iar
sarcirtii p7v cste par:abolicii, aslfcl incat la clc$tclca tcrrsitrnii apticatc
clepcnclctrlit
LrcLrrrularcA
clectronilot'la sLrprafitla sclnicottcluctorLrlLri estc mLrlt rrai acccntuatzi clcclit
crc;tcr.ca sar.cirrii
corcspnnzzitoal'c rcgiLrrrii dc sarcirrir spn!iaIir.
7'en's'itrneu l/6; penlrtr c'(tt'c concenlrcrlict put'ldlot'i/ot'tle.s'trt.cirtci mebilitlip,s'tt.crltrl
clc invar..s,ia
tlc 's'ultrufitlii (elec'lroni in c'crztrl cte,/n1(t) clct,inc egcrlir c'tr con(,ert/t'u(iu
lttrr,ttitrt.ilur clc,s,trt,cittt'r
nuriot'ilcrt'i cti 'sertticottt{ttclrtrultri ,tLrb.tlrulttltti ,s'a rnrnta,yte
tattsittrrc rlc pnrysisc cLt 1,1,.
'olcazir

t6l
 vc " *FH
\ii .r\,ig \,'.- .:: (l
a, . ,,:l 0 'U

It;t',t F..
F'r tut

l.'..
!,1.1
.

Ii,_
fi-
r,,ts1

_+" Lrrp
l;
i.
Ut,':::()

r
cr:Fi
n
F..
"-r,p
f tr,.
! l,r

l,ipp \'b =\tct

li1'1,a
Ilv Vc>0
l-'.rtut

F^
E
LFi

Iirp

\'!=2'<DP'r")'Vr
\;'o

\,L >\h
\i- >ro
Et,trt I:'.py1

f.
asupfa berlzilor ellcrgcticc
alc lttlci
i tr rlc i tcrls i Llrr i tr('
F i gtrra 6.6. Il,l'cctrrl apl icZrri
icorlcl ltctot' cle tipp qi <lr,',.t'< 0.
strtritLr r i MO SC ctl scl.lr

rcgiunii cle sarcind spalial[ este

cit extiuclcrea
VP sc poatc cot-tsiclcra
Pctttrlt tcusir-tui V6>
lucscllr l'l i llctiti vir, clec i :
(6 6)
r,/,uu* = -tl' N't' rno''Pl1Vffi
) = -4'N ,t'
= Qi,(vr)
Qi,u/,, v,,1 , t af,l\(',.41
atat pcntt'tl Ci.lpitclt0l'Lll IVI\J) uitt'
impol'tallt
'l'cnsiutuca clc ptag VP rcprcz'itltir Lu'l pzlranlctfLl

nrai alcs, pclllrll tt'attzistortrl MOS'

aPlicate
inccpc clc Ia Lcicvar:ca rriocltilLri clc clistribtt!ic a tcnsir.mii
;iLrnii cle pl.ag
cxprcsia tcnsiuriii cle grilit cstc:
sLrLtctr-rrii pc stratLlt'ilc accstcia' Astfcl'

168
 L'G : Vo4 c[1",5 * Z5 (6.7)
unclc reprczintd tcnsiunca cc caclc pe stratul de oxicl,
tr/o

PotcnIialul supLalcIci. corcspunzirtol tcnsiurrii Vr, pcntru cafc couccntra[iu pu|tatrlril0r

mobili de salcinir din stratul clc irrversic clc la supralirfir cstc cgalir 0Lr corlccntraIia purtirtorilol dc
salcinii dc tip opus clin volunrul ssmicouclLrctorLrlui eslo:

- ,,.,,, ll/,
L's(L't,)=T=T-2.q)rl..l /.i(,,,,.) 1.,. 2.

( l"'t) lr - (6 7)
,/'\ ( la r,, - 1i,,. )
n= l) :) rr, .cxp |
l- tti 'cxDl
I
k .7: )I
\ k"t' )
Dcoarecc s-it prcsLlpr rs al.rscula >ric
TL;dror sarcini in stratul clc oxicl gi la supralirta oxiclului clc
<

la intcrlirfa SiO2/Si, clinrpul clcctric in castit rcgiunc -l cstc constlint .1i9, iar tcnsiLrnca cc r:aclc pc
stratul dc oxicl poato li cxpin tatit prin lc latiia:
1,, = lir.xo (6 ti)
in coulormitatc cu teorcmer ir"ri Gauss aplicatd structr-u'ii icleale a MOSC sc poatc sor.ic:

' {/ zt* 0: t.' ' /i.'

0J; =sn* 'lj,=cn*.3 =Clo.Vo:*QI =-t;s,/r.s I/0=-+--".)-5, (6.9)
x6"CoCo =
in care /:5 rcplezintf, intensitatca odmpului clectric la supraliila sen-riconciuotorr.rlui, iar cu C'1; s-1
notat capacitatea spccilicir (pc i;nitartea cic aric) a stratului cie oxicl, aclicir:
= t:,,.
Cly /r1, rc t0)
'I'cnsiutrca cle pclartd cste clcci
, lcgatir cle caracteristicile regiunii clc sarcinir spat.ialdr clc
supra[a1ii pLi n rcla!ia:
-.4
t)
\.i,\ .r. tl
t'a = - -1 t1.rr1q -1- /.y (6, 1 r)
r\.0 .

Pentt'tt I/t(V',)-2'(Dp sarcina clin stratLtl cic invcrsie poatc ir ncglijatzi in raport cu sarcina
ionilol dc inrpLrlitatc clin rogiunca clc golirc (Qr<< Qt).in conscointii, cxprcsia tcrrsiLrrrii clc pr.ag
pcntILr sL|t"rcturi icicalc cstc:

, ,
= -tl- cDi\rs + z.q) r..
L6
+ (I)vs -v 2.4) r, (6.12)

7.2.2. Capacitorul MOS real

l)at'amctrii capacitot'Lrlui MOS Lcal (r;i iniplicit ai MOSIilr't') air cxprcsii cli{'crirc clc cclc
clctcrntinatc autcLior. Accastc clil'crcnlc apar datoritir e.xislcn!ei Lrn,,rr saL'cini i1 r,olurnLrl o.riclulrri
;i
la sLrpralala oxiclr,rlui cclt'cspLrnziitoalc intclltlci SiOu/Si. ,r\paLitia accstor sar.cirri cstc irrcr.o*tir
proccsi-tltli tchnologic dc Iabrica{ic al accstor clispozitivc. Astl'cl. incorpoylrca Llror iurl>yr.iLirti sa'
foruiarca Ltrtor clc['cctc cristalinc itr pt'ocesLrl clc crcqlcrc a oxiclulLri clc siliciLr clctcrrpipir alrariLia

t69
 clc 'sttt'cinu
rcpar.tizutc alca.or i'v.ruurul Si()2, s.rlil accstora purtdrlcl clcrrr-rrnirca
L'.()l.safci^i oxicltitri' i)cusitatetl
irt ttivercrc dc cuprurd urc otitrttrur sau. mai scurt. scr,c:irut
itrttttgtr:ittutti c)t1c1r clc lcntir irr timp qi
notatit ctt por'(.r) arc o varin!ic alcatoa|c li
p1;'1.' 'l..tu;i' variafia
a sarcirrii oxiclului,
'olu'ricir s'r'crrta./ixti u oxichilLti'
cstc nunritir crc tcruror.gi
clc ercccir arccasgr sarcir-rir Lcalizate in
i'stabilitirlii clcctLicc a crispozitivcror gi circuitclor illtcgratc
accstcia cstc c.uzu
su't qi elc scciiul uuor clel'ccLe ce se
tcrr'orogic ivros. S*prat.cfclc rrctcro.ionclir.ruiror'rctalLr'gice
clc sarcin[' I)ctrsitatea acestor'ivcle
cle
i*.i'elc clc capturir pcrltr.Ll p'rtirtorii
'robili
apricatir .ctcroio.cii'*rii' iii caz:r'ti
ct.r,",stituic c'lc {ir!ii sarcinzl
captur.ir c{c sr,rlrraiirlir variazir cn tcusiu.ca
cn Qrr' l)istribu!ia cie'sitirlii
i^ nivcrc crc capturir crc la strpraiala oxiclului sc ..tczi'z'd
irrrrragaz.i'atir
clesarcirritirrirrl-ct.iot.r-rlstLrrcttrriiMOSCcSter0pl.o7-cntatitirrligura6.T.
paran-retriror structurilor MOS
poate fi incorporat p*n
rilcctul accstol. sarci'i asLlpra
'l'crme'ii suplimentat'i se cleter'riuir
snpli.rcntari. in cxp.csiile accstoLa.
aclirugarcer Lulor tcrl.lre'i globalir a strr'rcturii' Se
Gauss u.ui MOSC Ei clin co'crilia clc'eutralitate
pri. apricarca tcorcmci rr.ri
str:urcttrrii rceilc:
cxprcsia tcnsiuuii clc bcnzi ncteclc ctlrcspt-tnziitoarc
oblinc zrstfcl

Qor
(6. i3)
(I) Qi,
V p1i = vrls
Cts cu
stalrdarcl V1,11< 0,
iri gcncretl, Pctlrtl tehtrol ogizr MOS
clc Prag cleviue:
ut nccstc conciilii exprcsia tcnsiunii
+Vr,rr+2'<D
(6. ia)
v,
= -6{,, nvu,,, iz. cDn' =
Lo
t.'

o teusiuuc contiuttir V1; > 0 (vezi tigutLit 6,8.a),

(-'.oqsiclcrind stltcttrt'et MOSC polarizatir cu
pri'apricarca tcore.rci lui Gauss sc poatc obline
clin co.cli1ia clc ncutrarlitatc globarir a str.uctnrii ;i
corespunzittor MOSC reprczcntat
in figura 6'8'b'
moc{clurl cchivarlent in curcnt continuu
in zrccst moclci suut:
Capacitiriilc clc scttttrttl urarc cc apaf
.C't.|..r,:1t1,-''irrli<:irpacitzrtcaclccurclIcot.littuttaintcr.f'.etr:iSiO2/Sir
.C,.5-rcp|czitrtitcapacitatcaclecttt.ctrtcotrtinttt-taoxic{Lrliii...
N{ tl

*.,-ffiil'l- l-a
p {x)

Pot (x) vlT

i*- t'' ti.--'d-> N4OS(l

ljigrrla (r,7 t)istribtrtia cicrrsitirlii tlc sat'cittit itr strrtctttla

110
 'l'cnsiuneo tr/nt prezclltil in
trrtlclcl iucorporcazir clilbrcnla clc potcnfial cl1t.r..tir
sarcinii inmagazinatc iu l'olr'tmLtl oxiclului Oo'r'gi clii-crcnfu intrc potcn!ialclc 'r.cz.crIei
clc cxtr.ctic alc
rnctalului gi scmiconcluctoruI ui,
Consiclcrirnl apoi cii tcusittt'tii cttutinuc Vr; i sc aclaLrgir o conlpopcltzi
(<
altcr-'.tivir c'
arrrplifrrclinca tr''" Itrin aplicarca tcorcnrci lui (iauss gi clil'crcnlicrca r.clatici rcz.ult'tc s0 poiltr.
1"7"
0bgine nioclcltrl cchiVitlcnt clc sctrtual tttic corcspunzr-rtol VlOS(l rcprczcrrtat
i' llsur.* 6.lJ.c.
Capacitatea dc scmnal rnic a sfrr-rcturii cstc:

(6.l-5)
.I

C,, (.1, + (';,

Lurclc capncitalilc inrplicatc ir-r rclaIic sunt:

'(''., - capacitatca dc sctl]ttal tnic cc moclclcazzi valialia salcinii in scnricolclrrcttlr.
' Clir - capacitatczt cic sctnnal mic ce moclcleazir variafia sarcinii la intcrfirfa Si1;2.
Capacitatca C', estc rczultatul varialici a doLrd tipuri clc serrciuir; clcctloui
i:
r;i golgLi, in
confilrmitate cu oelc cioud varialii clc sarcinir moclclatc, capacitatcer poatc Ii expri'ratir
E: astf'cl:
t
r
Cr: Cn-t- C,
(6. r6)
t.
&

F
t.
t.
t
r'
t.
t:
L

,
x 'li
'a-
i \j
f! P{xl
-
.-

5'

F
l
i
t
L
t-
t^

r
;t
t co \"n, c's
!
t
s
.---Jl*-J Fr-Jr
F
z
FT
| ,,Cl
.1
* --.1|_
t
i (j L,t
E

L
lj
t
t,.
-
a
' c.
,
IigulaMorlclclc echivalcrrtc alc MOSO pcrrtru:
6.{1.
b) polarizalca cLr o tcnsiurrc cr-lrrtirrLrir vc;>0; c) couclitii clo sclnnnl
I
!
rrric.
:

:!
a

i
I
i_
ltl
-

': :

i
 t i b i I i tir f i i sc nr i co
:ttlrtrlrti in Prczcnta tlnci
ndut
6.2.3 . I nv c rs ia c o tr cl tr c

.ioncf iuni
langir o strllctLtftr
N,loS. prczcnratri in [igtu'a 6' l . incorpt]t",*':l
StL.ucturer *anzisrorr,rl'i .l.l* 9t
practic rn.ginrcn carralului tranzistorultri'
cc 'rczcula
vros. gi cror.rir joncli'ni p-rt,
stabircsc
-proccsul clc irr'ersie ar concltrctibilitirlii la suprafala
mocrirr.a
polaLiz^r.ca erccsr.or ioncIir-'ri pe Llll tnoclcl simplilicat prezentat
in figirra 6'9.
rlcrcstttr proccs sc va rcalizzr
scuricotrcluctorr-rltti. Arraliza
(2-c1)' (-'elc c10uir direclii
ce
.r.ranz,istornl iclcai MOS cstc u' clispozitiv biclimc'sio'ar
su.t clirccfia pcrpc'clicularii' 'l':;i
ciirecfiLt
in arraliza r-r.r.ri MoSr,ir'r'iclcal
trcbuicsc corrsicrcratc c{imcnsionale prcze.rate
in irrtroclucerea
co'cluctiv. Di,.' tip*rilc
par.arcrd, 1'. rcrativ la ca'_raiLrl la accasta' ili'cl clispoz-itive
Mos cu H/ ,= I' ftrc cxccplic c1c
accsr.tri capitoi r*rrnai
tr.a.z,istoarclc conc{i1ie
Iranzisr.crreror A4OS ce indcpline'sc tu'nt(tlts*'ecr
tridinrcrsiorralc. Anctrizci
rurtrror
Lclcriloarc la c1imettsiunilc criticc: (6.17)
r'rll,r,i,'ii
concrilic l)ennurcr, ltoate -ri
,e'tcontpusit i'
c*nrtt ortttlize
"
,urrri*i ,',,]rrt ii
,^r, >) xe in
cste posibilir,l.uur""r pcntru dispozitivcle cu /-
acscor'puncre
tt,itrintcttsi,nctre.Accstii esr'c pc crircclia x (= valxo)
lu'ginrc a canzilului, cflnrpur crcctric prirrcipar
crxicl, pc aproapc irrtrcager i'te'sitatczr camp'lui
arpricatir pc grila. N'eri nrult, i. accste conclilii,
ire tersiu'ca elcctric dc drfft Re
$i cstc co.torert mulr mai *'-"r glgcat c^mpul
pe clir.eclia x- estc
clcctrii ra iirrcrizrlzr Siozisi
vul L)
;;;;;l';; procitts tl" tt"'i"t-'*a cle clreni 1x cousiclera c[ iu
graclualzr a rr-ri Shockrey se poate
gi cu arproxirnalia
Astf.cl, i^ con{brmitate uniclimensional
pc clircc!ia ;.r sc pot aplica riezultatcle moclelu''ri
ficc^re plar.r pcrpen,1i..,ro,. lzrpt'l cir atunci cfind se
Mos. Singura cliferenla feyta cte accsta este
clczvoltat pcrlrru capacitorur variazit in ftrnclie cie
pot"riliar'l sr-rpraf'e[ci serniconc{nctorr'rlui
a'ricir o tcrrsiunc pc o ioncli',rc polentialr-rl strprafe!ei
y. r, COusccin[ir, iutr-o sccli''o a strLrct'rii a.iari, ii, -oorcloniit^;r
coorclorrat^
scuri condttctorLrl r-ti clcvinc
:
(6 18)
v';(v)-v,-v(Y) '
prag ttr seclittneaJ/ estc:
iar exprcsia tcnsiLrriii clc ,

l/Y (tt\7-3'!
ei,(v,i,,,,) +v,,.,,+tri.,(y) -_Qi,Vil,,) +v,,,,+2.i)r,-v(y) (6'19)

t,\"Y )
- u0
C0
lr"rtlgirl]ea
semicoucluct<lt'ulrti sir sc raaliz'e't'c pe toat-r
pe.ti;n czr iuversia colcluctibilitiriii
ca'alLrlLricstcr"rcccszu.czitcusiun.oapii.ati,pegLilirsirinclcplineascitconc'li1ia:(6.20)
" > l1lax Vrj)
Vr'
;'rl0'/ l ctt o tcnsittnc
in cat'c substratul trauzistt lrLrlui MoS sc polu'izcazit
poiarizatir ir.rvers' I.
in practicir, cxistir situaiii
astf.cr irrciit jo.c!iLrnca sursir-substrat sir frc
1.,,6.1, apricatir i'r.rc
sursir :1i substrat,

t12
ilcest€ conclili-i len,siqqea.cle prag core-spunzirtoarc stnrctLrrii crc$tc, lirpt cuuoscut suh clcrrunrirca cle
c.fbct da s'ubslrut ("bocly eI'['cct"), i;i cstc clatir de:

Qi,1z'cn ,.1.
[]/ + I/ t,-tJ +2'(l)
/(i.9inv-/P-
-L/ - r =

(6.21)

= Vpo t y (Jr.tr,.* rr*- Jr rt+

)
utrcie cu [r,e s-zt notat valoarca tcnsitrnii clo prag pcntru Vsn:0, iar puaurctnrl y, clrnosclrt sub
clerrunrilea cle c'on,s'lcrnltt rle afec't dc .s'ttb.tlrul,'cste clat cle lelatia:

c1 . N..,.x,111
I_ (6.22)
t:u''[vk

6.3. Teoria MOSFET in regim sta{ionar

ir.r accst capitol, nrai intiii, vor Ji relcvatc calactcristicjlc staticc colcspunzir.tozrlc
tlanz.istoarclor MOS iclcalc cu canail inclus, Apoi sc vol' pl'czcnta abatcrilc clc la idcalitatc pculr'r-r
di{'elitelc tipuri cliurensionalc cle MOSI;ll'l'. I)e ascmcnca, pontrLr cli{'critc tilluli dc MOStrli'i' s0 vor
prezenta cclc mai utilizatc moclcle de curent cor-rtinuu Ei circr-ritclo tipice cic polerrizalc
corcsp r.tnzirtoa rc accs to rzr.

\J
\b :,$

) 1r.,,2

\,58 - 0
\ +
t)'
It
l'
,ft

tAn
R.S.S. Y"
lrigLlra 6.9. MoclelLrl simplificat pc carc se realizeazir analiza iln,crsiciconcluctibilitittii
scrn iconcluctonr Iir i irr prczerr[a rrnci .jorrctiu n i.

t73
 M()S ctt c:rtral ittcltts
(1.3.1. Cilrzrctcristicilc strrticc idcrrlo alc tritnzistorrrlui
clc o stt't-tcturil
[)errtru a clccrr-rcc caractcListicilc / - l'alc i\,losl;E'l'ctr curtul ittcllts uc tillositlr
cstc pfczerltat i. hg,rar
(r.r0. z\tur-rci ca'cl su'L inclclrliuite
cu substrat clc tip 7r ar ci':ci uroclcl la cimpul clcctric in
fhcc r.rrnrirtoarca zlproxi'ra!ic rclcritoarc
conclitiilc lui l)crr.ar.cl sc poatc iar in ca'erl cfi'rp'l elcctric cc
i' .xicr ciirrpur crccric cstc i. 1)rincipar pe crirecliu .r, [.*.
str'ctur.ir: cLll'I' ill'r1 tttai s1'rtts'
clc clLi[t cstcin principaipc clirec!ia1,. /t,,. Accastit scpararc, a$a
procirrcc curcntul
desc:tlmpttlles'i':itnpli.licit1lrrlblcttttt|lit|ittrttsioi,tttitiinc!attit1lt'ob|elnrl la t'asai ca pc celelaltc
pfcsllpLtuc cit surszr cstc legatir 9i
unulilic,.iu a'aliz,a cc va Ltful^ se va ca tctrsiuuea de
apricir tc'sir.r'irc [/c;.s, I/os'$i zrs. Dacii te'siu'ca z6;5 cstc mai ll]zrre
tcrrrirrarc sc tip n Ei aplicarea nnei
sc*riconcluctorr.rlui sc iormeerzir nn canarl r:oncructor crc
prag. ra sr-rpraf'!a c1c cltrcnt' iu
la apaLilia ttulti cttl'cnt clc Ia clrcnir let sursit' a citrlti clcusitatc
tcrrsiuni L/p5; conclucc de clrift pe axa;r, '/r"
poatc ii aproximar"ir prin courponerlta
corrlbrmitatc cr"r scpararca caurpurilor,
ciccat polarizarea uegativit a
ncgativir a jo'c!iu'ii drcnir-substfat cstc r.'ai puternicii
Poiarizzir.c^
golite estc mai marc lAngZr clren['
sursit-sltbstrut ,;i, in conscciu!ir, aciAncimea rcgiunii
.ionc!iLnii proclucl pa'd la clrcud' it-t
inversia conclr-rotibilitirlii se'riconclucto'ului la sr'rprafalir sir se
l)c.t*r ca
condilie:
vll5trebuie sI incleplincetscd urmltoarea
con[onnitate cu (6.19), terrsiun ca
=v6;'1-v1' 6'23)
[/rn <ri,., -(-- Q|J(.;;,.)f cu'vl/p6*2'cD';')
ir"ri Shockley
f1!ir clc sr-rrsir cstc lz(y). Irolosinc{ ccualiilc
i,,' ca.al. la coorclonata y tcnsinnca
clc dr:ift al clcctrotriiot. in
cle circnl, aproxitlat prin culentLrl
pctrtrr-r sctrricottclttctoa|e, cuuctr[ul
ctirccliay. poatc li cxprinrat prirr lclalia:

-lo= f,.,,r,,r.c;x.1{ = t r'pt,,'n(x,rr' _!#r,'c\x'w = (6)4\

'(- aV ldy) * c1 ' n(x,y)'c1x : -l-t' (-cIV lcly)'tV 'Q['0)

I,1,, I':
=
clc sarcitrit in cernal' aciicirl
Liltcic cr-r gi, i-n not"at clcrrsitalca sLlpcl'ficialii

. at, 6'25)
el,Or= - [" t1'n(x,/)'d"i .

clc cliftrzie au mai ftlsI firctrtc ttt'triittoat'clc

irr rclalin tl.z+i pc la'gzi nagliicut.cu ctu'c,tLt:lui cic
m.biriturect cracrronirrtr in cu,ctr ct .fosr con,sic/eratit c'rt'vlcr,tti, irrclcpc*c'lentit
crourir aprirxir'iiri:
x, curtpur crectric r.rtgirtttrinctl
li, e,ste prcsr,rs' cott'tlttnl penlrtr x e | 0' c/t'l '
ccrrr.clorrzifzr E\
faicc Lrrmirtoarcel aproxiuat'c:
in scopul clirninirrii uriirirl1ii 01, t.
(6'26)
Cl)'f
:j( \.'/ v)=-1" c1'tt(x,1")'clr =--rl'['r7'ln(x' y)-nol'c|x=Q''"(y)
lt
(iatrss se ob1i.
co*clilia dc ne'tr.alitatc globalzi zr strlrct'r'ii gi aplicanci [c'tcLltet lrri
Di'
ru t'trt ittoat'c l c rcl a1i i:

[/r;,s=-(Qi,+Q',)lcu-v[",.',t)'vr+v(y) * -oi'(ift:'tZvc;s-l'I/''+l/('v)il' $'21)

n4
 sio;.

\ir.,"::Q
Jri (l' )

-'-- cilr)al l)

Strt>sh:rt Si

x=0 x={l ,:

liigttla 6.10. Moclclclc fblositc pcntlLr stucliul unui MOSlrll'l'cLr capal ri

Din rclalia (6.27) sc obline exprcsia dcnsitirlii sLrpcrlicialc clc sarcipir:

ei,b) = -Co.ll/r;.t:l/1, -tr/(1t)l (6.28)

liliminf,ncl gi, in I'cla!i'a (6.24) prin utilizaLca aproxirla!iilor. (6.26) qi (6.2ti) sc obfinc
ec'uct(itt tlilbrenliald./irnclcrntatrlcrlci pentnt o s'tntcltrrci A4O,\!tli7' ttniclintcn.s,irnulir:
-I , : lLn
.Co .tll .l/cs
-1,/,, -t. f U)|.(_clt/ f cl.y'), stttr
! p'cly = pt,,.(,'n.I,t/ .ll/(.\. (6,2q)
-l'r,+'t,'(y)l.cllt
SolUfia ccLratioi cli['crcrr!ialc a MOSI;l,r'l'cr.r cunal Iung scr poatc obfinc prip iptcgr.arcl erccstcirr
clc lar sLrrsir (J,...0, y(y =.0)...0) ta cJrcrri (J,=-. l,,V(1.)=.1/7,15). Sc obtinc astf'cl:

n5
 f''/,,..1.r,= fl"'pr,,'(-],,'il/'(vt;'
ttt -['r'*li)'dl' 3 ((r,30)
J) ^) r I t,r2 1

,,, ='!;' ft,,' (.',,

[,
n', - t'',')'' ;" - +] = 2' l\'
['
n" - I r' )'''''" - ?i
MOS'
.pr'C,, cstc tttl llaratlrctrlt ctlttstrr'tctirr al tranzistotlulLri
Iu dranii lcr
l|cItttitt(6.30)esIel,uIttbilitt.tttntttictIttttcictinc|c,ttnaItlexi,ttditlloIaliIcttccle sarcirrii Q,,
(6'23)' orcltcrca tcrrsir-urii I"ir's cltrcc la nlicSorat'ca
i'clalir
.flu.,tft.aclicIi esLc irrclcplirriili in accastit rcgitttlc Q"(L) - 0' cat
la
la conlplcta clispa|itic a citttaluliti
clirr clrclrtuI ctrctici. pinir cur ((1.2[t)' pcllt|Ll:
t[icrc a cztnalLtlr"ti sc oblit,tc, itr ctltrlilrtrritatc
.lI;11,I.. Accastii ((r.3 i )
|/ _
-'rl]
l'tts = rr-r'ss'rt = 1r,6.9 ' 1,
'',, ....r. itntcrtottrc ntt l11ai suut v^labile. LLrugimczt cauetltth"ti
1,, .

Pc,lt.tt lctt.sittni vns> I/nsrr, calcttlclC

Astlcl' tcnsiuncer
capitLrl cliuspLc clrcud fiiuci Zsinul-Zl)s'nt'
se scLrltcirz itltr I't< l,
potculialtrl siru ia
a clrenci' tensiunea ce
caclc in principar pc rcgiunca c1c sarci'ir spalialir
aplicatir i'trc circ*ir fi'rurrn v'(L\ * v(0) =- l'l)"ur' cn urmare'
*cr!i'i'cru-sc rzr vzrloarc crnsta'tir
caclc pe car'arr.rr co'cructor '
(tcoLcr.ic) cle tc'si'rncer I/1;.e,
menli.arrclr-r-sc la o valoare
cLrrcrltLlr cic clrcnii n* .rzri cstc co't*llat
c<rrrstaurtir: _ .,.r (6.32)
I11x !or^t = [p(Vo.s= I'l',srut) = 0'(l/c;s -V'')t '

c^r*rl i'clus c1c tip iz sc poerte aclapta ctr ltqr-rritr!it

.r,c.ria jircLrtir pcutru tra.zist.urclc vros cr.r

,i pcntrutfzY:iffi: u..r Mosiirr cu ceural iuclus. ltt'g' snnt

ill':"iff,.:lJ: clc icaiLc
^rc tratusfcr a MOsFI]'f
cxpresia ctrracteristicii dc
prczcrrtertc i' ligr_rr.a (r.1 r.a. r{cralia (6.3')rcprczirtir

inrcgit-ttrcaclesal.uralic,etcirrcrrcprczctltalrcgLaflrcires1epl.ezcntatiritrfigura6.11.b.

)
5
.l
s
Vpx=[\t
-l
,t,I -,-
.aa
4

F)
n -L
Ltl

I I
t)+
\D t [\i] \jD:]L[\il J

b.
a.
o stt'uctur[ MOSl;ft'l-
Figtrla 6. I l . Caracteristicilc staticc teorctice Pclltrtl
b) clc trattslcr,
cannl ittclus clc till rr: a) clc icairc;
clt

t76
 6.3.2. Abatcri clc la c:tractcristicile staticc iclcalc alc MOSITII'I cu canal
inclus

CaLactcListicile idcalc alc VIOSID'l'au ftlst clcteLnrirratc in concliliilc siniplilicatoarc alc

negli.irlrii cotlponcutei dc clilirzic u curcutului clc clrcnir, ncgli.jirrii nroclirla[ici lLrngirnii canalului
pentt'u tensiutti Vrx>/D.sr.,. ncgli,jririi vi.tlialici nrobilitirlii cr.r coorclonatclc pc axclc.v. -r'5i chiar;
pcntrll trattzistoarclc dc climcnsiLrui nrici, rrcglijirrii varialici vitczci clc clrili,si l irrtcnsitirtii
cAnrpului clcctric cr-r co<lrclonata.r ctc.
I)rincipalclc cf'cctc ploclusc asLrpra caluctcristiciloL 1- l" dc aceste ncgli.jirLi srrrrt listatc in
contin ualc:
. c'ontluc'!iu s'ub prag clatoratit curcntului clc dilirzic:
. aqa numitclc e.fac'tc dc c'(itttlt elcc'lt'ic ittlut.s':
. clcctr-rl clc satnlarc a vitcz-cri dc drili a pLrrtirtoriltll clc sarrcinii iu rupolt cu iutcusitlrrcer
cArnpulr-ri clcotric longituclinal ;

'scitclcrca nrobilitirlii purtiit<lrilor clc sarcirrir oclatir cu c;rc;tcrca clintpLrlLri clcctric

transr;crsal;
. apari!ia unui curcut clc grilir (;i crcgtcrca celLri clc substlat), clatolitir c['cctuliri clc tr-rncl
iror,vlcr-Norclhcim prin carc clcctronii trec prin baricra clc potcnfizrl SiOz/Si, oclatZr cLr
crcqterca intcnsili1ii odmpr,rIui clcctric tlatrsvcrsaI;
. cregtereet tcr-rsiunii clc prag clatolitri creq;tcrii salcinii clin intcliorul oxiclLrlui plin
cztpturarea clcctroniloI c0 trelvcrscerzir accarstir rcgiunc prin cf L.ct clc tuncll
', ' clistot'sionarea caracteristicii ,/ - j,' "r MOSFI:i']' cJatoriri rraria!ici longituclinalc a
",1. sarcinii ittntagztzinatc in voluurul <lxiclLrlLri gi la intcrfala SiO2/Si;
. et;a uutnitcle e./'ec:le clc len,s'itrne incrltci ce se intdlncsc in unclc structLrli MOSlrLi'l'clriar 5i
alunci ciincl cAmpul clcctric nu cstc lbartc intcns:
. mocluleirca Iungimii cernalului coucluctor;
'moclularca lirlimii eic<;trice a cauzrluhri clatolitir cfcctelor cic niau'gine ale clinrpulLri
clcctricl
'crcgtct'cli curcntului cle substlai (;ii chiiir aparilia unui curcnt clc poartir) clatoritir
gcnclitrii prirt intpact a pLrrtittoLilor dc salcini"r la tcnsiLrni invcrsc rnari aplicatc
j oncf ir"rn i i cilcrrir-s Lrbst rat;

' ttroclificarea tousiuuii cle prag clatorita I'cnonienclor cle captr-rr:it;;i gcncmle cle pLrrtirtoli
cle sarcitrit. clitr volutrrr-rl gi clc la sLrpralhla oxiclnlui, proclusc clc clcctlonii accclclali ai
"zlvalAnSei ";

'clistolsionafczl calaotcristicii staticc a MOSITD'1'cJatolitir vaLia!ici longitLrclinalc a

sat'cinii itrtriagazinetlc in volunrul oriclr-rlLri ;;i la irrtcrlata SiO2/Si,
iti accastat scc!iLlnc, clirr toatc accsto abaLcri tlc la iclcalitatc, r,or fi analizatc cclc alc ciLler'
cf-cctc asLrpfzl c:araclcrisl.icii pot li crplimal.c arralitic.

177
 Cttnilttclitt stilt 1tt'ug u NIOSFIiT'
a hrst Frcutzr
Iuucliorrirr.ii staticc n ivlosrrlj,r' cu canal n clin sccliurlcel plccccrcutir
Anarizu citzul
u'or. tc.siuri r,/c.s urarri c. tc'siu'ca crc p.ag, aclicir lrcnt^t
pcut*l caz.ur apricirrii 'rai t'ai
clctinit.'[ot,';i, at'.oi carrcl tc'siunca aplicatir grilci cstc
cxistcnfci urrui caural c.'cluct.r bi*c
ntitto,ilctr.i
pri. structurir circulir u^ ctrt',tl tle ptu'tri-lrtt'i
r.icir ciccdt ccu cic prag (aclicir v,.2.(Dr..), clc ctu'ent sult
Substrat clc tipTr). z\ccsta cstc ctrroscLtt sub clc'u.rirca
(crccfLorri pcntrLl MOStrl,i.t.cr.r
- estc cuu.scLrtir sr'rtr clcnltmirezt
r.cgiu'car crc pc caractcristiczi / i/corcsl.r.'rzirtoau'c'ccstuia
r)rilg,iar clc t'cgit'rnc cle int'ct'sie slabd'
c1c regir-rrc crc co*cluclic sub
prag s,.Lr sub clenur'irczr pLrli. r.rlatir
priu catualul sirpcrticial 9i
s''t injcctali cic.ionc!iu.ca n.''-7t trsnrsci. clilirzeazir
practic acelagi mcceluist'' i'tal'it
i)urrtirt'rii n,ri'or.itari
corcctali cre 1)-n',- ttcrrenci, polar:izatir irvcrs. ristc
sl'1t .jorrcliunca n-rajorc collstzitl in faptul
c{c injcc!ic crc pirrtirtor.i mi.or.itar.i-cri{uzio-corcctarrc, I)i{'cLc'gclc
qi ra,r.r).r. intr-o rcgiutrc clc sarcit-rzi
loc i'tr-o regiurrc sublirc (rcgiu'ca berzci ncutt:c), ci
czr clilirzia,u ar.c
poatc fi i.trinsccit sau Ll$or
u1e,.c. carc ciirr punct cre vccrcrc al concructibilitzrlii
spaliala clc lungirnc
clc co*trcll a inicclici purtirto'iror
minoritari la MoSFll'l' sc realtz'eazit
crc tip 7r, :pi cir modaritatea pc gril['
s'rsci prin i'tcr'rccriul tcnsiu'ii aplicate
pri' scirclcr.caba'ierci crc potc'lial a joricli''ii pentru a
acest cluent cle diftrzic a fost neglijat
iri arraliza antcriozit.it a strrloturii MOSI;ET este in raport .Ll
rclaliirc anarlitioc qi creoarcce conlpollcrta cle diftrzie 'eglijabila
sinrpri'ca este i' rcgim cje inversic puter^icl'
cle cirirl atrr*c! cancl supfa{.a1a scmiconcluctor'lui
conlporlcllta
slabir curcnlul cic cliluzic tlrc o
valoarc Ioarte riricir'
$i in rcgim rls irrvcrsie
reLu!i.i:
e,sIe c|cIimiIuIa c|e ttrmc'tIourele
I|egittttctt c{e ctlllduclic sth 1.;t,ctg
O:.Uy jLS!) +I/,,r, +) .(I) (6.3 3 )
-Qit(l''ru) +1,'r,r, 1L'c;., S-:-::-:- (,,.
r; .

co
(lr-rrcntttl sub p|agpozlte[iaproxirnatprirrcttrcntulclecli|rrzicgiastfelpoeltclrcalculat,
o b[i nitncl Lr-sc inr [luerl rcla!ia:
(v \l- (, Vo.s
r-l
\l (6.34)
t,;= I1.,rt.-Pl i+ l'l
\n'vr ) L
I -cxlll -.- T,r tl|
\ ''l /)
|

sc ttti lrteaTitpg scal'ar lzrrgir in

aplicaliilc cic pulcre lozrrte
:Frtttellotrarca sub Pt:zlg a ivlosfl,'l
in rcgi ,-,,.,.o a" l,initu.1i. sr'rb pLag il constitLric
scitdeiea
nricit. PrittcipalLrl clczavantaj al lr-rcrr-rlr-li
clispozitivului.
cllanatich a ficcvcnlci clc tiricLc a
l-t't tt
rle tettsitttrc ?nriltit (tslq)ru curttcteristicii
Ii/'ectcta (e cftrttP elactric irtlctts si
NIOSTIiT'
aplic.:: fl-trrcttonarca
Crcgtcr:czr intcrrsitirlii ciinrpltltti clcctric pi a tensiLrrrilor ,1.:..,zit (pritl
parramctrii cc carzrcterizctrzir tt'a':;1"rllt'tul
str.Lrctr_u.ilor cris'ozitivclor sc'ricorclucto.rc dcoarccc
c'iisier-capr.ura qi c{'cct'r clc t'ncl
clcpinci c[c cA'lpLrl
crr.irl sa' cri^rzic). {lcrcrarcir-r.cco'rbiuar.ca,
c lcctt'ic: cl i rr cl i spozitir''

178
 lvttlbilitirlilc.,si ctlustantclc'clc clilirzic alc purtatorilor nrobili clc sarcipir sctr6
tlclatir c'
ct'c;;tcrca intcnsitirlii clinrprrlrri clcctric aplicat clisptlzitivulrri clatoritir picrclcrilrlr
clc c'cr.gic caLrz{.1t0
clc crcgterea ficcVcnfci ciocnirilor itccstom cu atonrii rclclci oristalipc all.Ii
i. vi6r.*!ic. t)c
ilsclllcllca, oclatit ctt crc$tcrca intcnsitirlii canrpulrti clcctlic, clc5tc crrcrgia cipcticir
1ptrr.tirt'rilor.
nrobili clc sarcitiiit;i clcci ctcsc t'atclc clc sctrcral'c, clc cmisic;;i clc trcccr-c pr.ip cll.ct
clc turrcl tr urci
baricrc clc potcrrIial alc pLrltittorilol rnobili clc saLcirrir. iar cclc clc, r'cconrbinarc
;;i clc cu'trrr.li sc'cl. i'
cottsccitiIit. sc poatc al'it'ttta cii atlil. Pct'lilnttanfclc clispozitir,'clor scrlicopclLrctolro
cat 5i tir'pul clc
viatir al accsttlra pOt li lrric.,sorittc cle aplicitLca unor canrpLrri clcctlicc clc iptclsit'tc
r-uurc.
l)attlIitir trlttrritrltllti ttrarc clc hctclo.ioncIiuni. prccunr,,si a impcr'l'ccfiuuilt>r u*rtcri,lclor.cc
lc
alclitLticsc. litttctitlnltrca Lt'anzistoalclor ltzlOS cstc nrai nrult inllucrrfatir clc
intcnsitirtca c0r,pulLri
clcctric ciccit cca a trattzistonLclol bipolirrc sirll cLr cl'cct clc cAnrp cr.r grilir.ioncIiLrpc.

li./bc'telc depantlenlui ntobilitdlii ptrr'tirtot'ilot'tnobili da,s,ur.cittir cla itttcn.s.itutcu c,0rtptrltti

c I e c: I r' i c' u.t tt pr o c: a r u c I e r i,s' I ic' i i L V u il:tOS l;' I i./'

in canaltrl conclttctrlr mobilitatcit pLrrtirl.oLilol clc sarcinir cstc irrflucntatir atat clc
intc'sitatca
ctAt-npultti longitr"rclinal cdt Ei c'le intcnsitatca clin'rpullri tlan,svcrsal.
Cclc c.lor-rir mcca'is'rc clc
rcclLtccrc a r-nobilitilfii sunt: crc;terear viblalici opticc a atornilor
rc!clci sonrico.cluct.a'c cLr
crc{itcrca intcnsitirlii climpLtlui Iongituclinal gi ingrirmirciirea pr-rr"tirtor.illr clc
sarci'a la i'tcrlala
SiO2/Si oclatii cLl cfc$tcrca intcnsittifii cimpului transvclsal. lixprilrerrca
a^aliticir a accstor
mecanisrle concluce la unrlirtoarclc rclatii:

, tt l-t o I'to
r !r- - tt *
I
t"! - (6,35)
.,-l- (i + ii,.,"127 )d
Ir*1ri,
L
-"/\' J
,,t li,., lv

lll cilrc fl'o rcpfOzilltir nrobilitatea pttrtitl.orilol clc sarcinir lzi intcnsitirli nrici alc climpLrlLri
clcctric.
ili'r. lii /16'7'strnt intcnsitil!ilc critice alc cAmpr.rlui clcctric Iongituciinal,
rcpcctiv treursvcrs'1, T $i 6
srttrt pat|atlctri cll]pirici cc tcolctic vttritt'ziacu intcnsitatca climpLrlui aplicat qi cu tcmpcr.'tLrr.a.
Iutcnsitatca criticir et clinrpr-tlr-ri elcr:tric transvclsal cstc in jr-rr clc
l00KV/cm q;i rcpr.czi'tzi
intensitatca tnaxitni a campului elcctficr la intcr'[a[a sio]/si" ])aramctnrl
6 variaz-ei clc la 0,5 parrir la
2 odatir ctt creqtercit tcnsitruii aplicate pc griki. Intcnsitertca cririczi
a cliprpLrlui clcctric longitLrclinal
cstc clatil cic vitcza dc satLrra!ie a pr-rrtittorilor mobili cic sarcind,
in conlornritatc cr"r rclaIia:
li('t. = lrr,,r
/lr, (6.36)
Vaioarca pariulctrulLri crlpiric y estc cu aproxinratic 2.

CLtt'crlttlltri c{c ci|cnii scaclc la intcnsitirfi clcscLrtc alc cliurpirlr,ri

clcctric lo'gitirclirral. in
genoral' chiar clacir tctrsiutica aplicatir pc clrcttit cstc clciraltc
clc a pLoclLrcc urr cliprp clcctric i'tc's in
cca tlai lllal'c it cztrtalltlLti. trltLrSi Ililrgir clrcnzr irrtclrsitatczr
clinrpLrlLri cstc clcstLrl clc urarc;i cirr.,rtirl
clc clrcrlit al clisptlzitivLrltri va Ii nrai nric clccat ccl plczis
clc ccLraIia tcor.ctici]r (6.:10). i:cLra(itr
tcorcticit Lltticlinlcttsional:r (6.30) conclucc la crori nrici lirtir
clc siLLraIia r.calir clacir cstrr irrclcplirririr
corrclitizr:

119
 ((;'37)
t tt's aa ,',',
ctrnalc cic lr'r^gi.ri I lfL.r j cl'cctLrl
cir ra rr.a'zistoarclc N,rosFli't'cu
rrl:rn1io torzl rrc ararir clccrric lougituclinal
n-,un,t, c1c.sarcilln crc irrtcnsitrrtea carnpul'i
purtirtorilo,.
crc'crrcrculci niobilitilii e,rbc:t crc cunctr ,\'cltrr''c*tru
at'cl clc
ci.cct sc nrai nuurc'tc si
cstc pfcgrla't. r)c Accea, accst dc clrenir cste clat crc urnrirtoarezr
dc satur^[ie (r/1r5 Z I/cs - vr), curcntur
tr.arrzistoar.c. in corrclilii
cx 1'lt'csic:
(6'381
w ,,, r., \
(l/,,', - I" P)
Io=C u''*'''.,,,,'
sarcinit la satut'a1tc'
cstc vitcz'a pLrrtirttlrilor clc
itr cztt'c 1'*,,r = l-1,, 'cll/ f cjy= ct'
cctrctclcrislicct a lulosFliT'
cit ntdsLtt.it ce ruttgintecr ccrnururtti scucle,
sc co'statii astf.cr 1tc
tt.fitttclia litticrt't1'
litttlc
";1trc clectric
-., ...,.n,,
trernsvcrsarl co*st[ tot
i' mlo$orzrrea
mobiritir!ii cLl ca'rpr-rl
r:ifcct'l meu'e ca iu Cazul anterior'
'aria!ici
accastit micqorare nu cstc la fcl c{c
curcr,rtulr.ri clc clrcnii, clar
. (t cctncllt,tlr,ti cont|uclor (lsL|p|,cl

tilbctete ntoclttlirrii lttttgitttit i i u ld|inlii e|ectricc

,l

crt t'crc:l rtt' i'rl i c ii I-V ct AttOS l; Ii'l'

r"in,rrogi.. tn rcalitate, mirrir'ire t gi L, oe ir-rtqlvi' i.

pr.ccsr:l
gconrctricc, crct.rminzitc. cle clir-'qnsiunilor elcctronice ale
t - lz ale vtosFE'f coresp'urcl
cxprcsiirc a'aliticcarc caractcristiciror
clepe'clenfZr este mai acccuttteltl
c1c te.siunilc apricate sfructurii, Aceastd
ca*al'rr.ri. clepirrza'cl
cli nrcnsi trni geo mctricc
subnricronice'
pentrtt clispozitivcle cc att
aplicaLca Llnor tetrsiutri pe
drcni
clcvinc scsiz,abilir Ia
NIoc{ttlqrect lut,tgitl,tii ccrtluItt|u,i
rcgir-iirca ci:: til'c*it (vczi [igura
tr,.o5)[/t::;''',l.I,airst{clclcterrsir'rrri,lutrginrcacicctriciracatralr-tlr-risettric;orcazirclatoritZtprezcnlct
i'trc purnct,l clc incrricl*e erl canair-riui Ei
rcgir_*rii crc sarcinir spa!iald
6.12,tt').VIicaoraLca lurngirnii "onol''tlui 'u't"t;t:;;:::"^:i:::: :::f::j,::T;':l::].fitlru:H
c1c crrclir rasatr.ualic
cst: ncnlrln) ei crcetcrca
liill;Ji;i::l:ffiili.;;;i.;;crr,rcranla
trattsconcluctanlci structtrrii' i a canalu',ri este clatir cle rclafia:
6'12'a luugirnczr clcctronioi
irr confoLmitatc ctt ligura (6.39)
Lr=l'-!rt- ),s =
L- !o
r.9giuq94 clc saturalie este
dat de expLcsta:
cle cil:c*ir in
in consecinlir cur:e'tul
(6.40)
I-
tl)=
T,V
.co .(vos -\',,,)'
l-r,,
/' I '1:.

dc saturaiic este:
inr cotrtittctanlir irr rcgiunca
AT I u) (6.41)
!,t l)
- =T , =- 2.1i,
gu
.pr,, (J,, .(i
al
"' , ,-,, -_
.
c;s - V,,)= '+::- L,,
oy D: al/ uS

r80
 I{clafia (6.47) rclevit Ir4rtul oit sc poatc clcf ini o tcnsiunc sirnilarit tcpsignii |)1r11, (c lu'l'U.l:

l-a)
dlt,.Al.t,\- '
L',(\rosFr:r') = l,t. .f .rr)
-J!!=- [0l.lr, )
{6
'"''-'
l)ctltrlt tt'anzistoltrclc MOSI;li'l'pararrrctrurl ccl nrai utilizat pcritrur a caractcliza csrrrluctarrIa
rlr: icsilu estc:

L=lf I 1 (6 41)

Accst clcct cstc Lclcvht clc cat'itctclistica rcalir a ur"rr,ri trauzistor N/lOS cLr canal n
rc;rrczctrttttir in Iigura 6.12.1:. Valorilc til"riccr pcntlr"r ), sc plasclzir irr gtrnra (0.0.i:tt.(X)5)V-r.
Micq;orarcli accrsttti cl'ccl. sc ptlLttc t'caliza priti incorporarcu unci lcgiuni slab clopatc l0pgl.r rcgiLrnca
cJlctrci la intcrlir[a SiO2/Si (vczi ligLrrtr 6.12.c) calc lircc ca lunsinrca clcctronicir a curralultri sir lrc
iuscnsibiIir [alir clc clcq;lclca tcnsiLrnii aplicatir clrcnci.
lr4icqoLarca lcnsiunii clc prag sc clatorcazir rcgiLrnii clc sarcinir strlalialir clo la.joncliunca
'sttt'sci (vczi ligura 6,12.a) cc ltll cstc controlatir dc tcnsiunca aplicatir prlr!ii. Accastir lricq<;r.arc a
tctrsitrr-rii de pltrg cste ftrartc iurpoltitntit itr tranzistoarclc cLr canal scurt;i cst0 cr,rposctrtir sLrt-r
dcnrrmirezr c1c cfbci \'uir.

Ii/bctcle t:crt'ictlici ltilimii cleclrottice l,V1;Lt caoairlui cu tcnsiunilc aplicatc sirnL: nricpt)r.ar.ctr
crtrentttltli clc cirend pcntrtt valori etlc tensiunii L/6;5 apLopiate cle tcnsiunca cio prag c'latoritl llptLrlLri
cir Ll/6 < 14/. rndrirca ct-lreutlrlui clc clt'cnit ;i a concluctanlci clc clrcnir la valopi lirlr'tc nruLi ulc
tcnsiLrnii l'f,y datolitir orcgtcrii lirtimii clcctronicc a canalr-rlui (Ws > W) ii cr:cqtcr.ca tcnsiLrpii clc
pr1g. I'rimclc clouir el'ectc sunt ilLrstlate in figura 6.I3.
'' Clrc$teroa tcnsiuuii clc prag
se clatorcazir micEoriirii lirlinrii clcctronicc a canalulLri cu
grosinrilc rcgittnilor cJc sarcit.tit spafialir alc jonc!iLrnilor cilcnci qi sLrlsci. l.il"cctgl rlicggr:irLii lit!iprii
cloct.ronice a canatlLrlui alsllpra ciiracteristiaii I-V, pcntru tensiLuri /a;5; zrpropiatc do tcnsiLrlca cic
prag. poate l'j analizat plin inlocr"rirca ciimensiLuiii gcomctlicc tr\,'cu cea clcctronicir l/7,.. c.rprcsia
curentului cic circnh clcvine:

I
|D =_. r!ti.t,,t 2.r;.,
I */.. p,, 'lI-(2.
^ q)/. + L'.ru).|.',rs ,
-;-
t,/:^l
Y D.s"l
I

(6,44)
L
,/l
_J
I

I{claIia (6.44) rclcvi] scr"rclcrca curcntLrlLri clc' cllcrrir la i,alori niici alc tcrrsiLrnii /.'r;,s,f i irlplicit
scirclcrca co rr cl urctanic i clo cL'cn a:r.
Atutrci cattcl LcnsiLtttca rtplicatzi pc grilZr alc valoli ntari, Ii-rlinrca rcgiupii c]c sarcilir spalialri
ctlnt|olatit clc aceastit lctrsirtltc clc;;tc, clcvcnirtcl la un n.rtllcnt clat rlli prlr'c ca lirtiprca ecornctr.icir a
grilci (tr{i; > LI').Accastit sarcittii suplinrcnl.ari:r c;onclucc la crc;tcrca curcptLrlui clc clrc,nir $i a
concluctanfci accstcia. Ilf'cctul accstci orc'tcri poatc ii cstinrat ast{'cl:

It= |.tit""t
#) (6.4s )

l8r
 ; ltcgitttter
Itcg itt ttcn
clc liP
tlir:rtli lr

<- rr'al
<* id i'nl
<- r'eal
(*icleal

1ld
!' acesttri f'ettotlctt asttpra
6. 12. fvloclLrlalca lLrngirnii canalttltti 9i tlttstrat'cla cf cctttlr'ri
l;igLrra
' ,aractcristicilof ale MOSITE f '

,!-r' i
:Zq i
r<*>

[;igrrra6.l3.NlodLrtitrcagrtlsitttiicarraItrltril
V1' (l'V1,:< l'V'),tl) la tcrrsitrni 4;s
fbarte nrirri (l;[i"> ,n.
a) la terrsittni tr/1;.5.apropiat c clc

Itt2
 (.'urantul ele sttbl;tt'ut ul A4OSI;'li'[

La valori mat'i alc tcttsiuttii aplicatc pc clrcnir poatc sir apalir iu rcgiunca golitir u accstcia
proccsttl clc iotrizarc pritt q;oc pt'itr carr' sc gcrlcrcirzir pclcchi clcctrop-etil, z\slfcl, l)cptl'Ll glt
i\4OSlrDl'cu catral rl lttrclc clin golrrrilc rcz-ultatc "cure" sprc substlal. iar clectrolii cirtlc tcrnrinalul
clc clrcnit clirrcl na;;tcrc'rttttti cttt'cttt dc substt'at. Vakiarca aecstui curerrt clc subst;uI dcpiprlc cle
tcrtsittnca pe rcgitrnca golitir a clrcnci (clatoritir taptr,rlui cir cncrgia purtirtgrilol clc sapcinir cstc
clcternlinatir dc accasta) q;i. clc itscntcncit, dc vttloarca curcrrtului clc clrcnir (ce clctcrminl
concctttraf ia pLrrtittorilor clc sitt'citrit clin canal cc
intlit in rcgiunca golitir). Accst clL'ct cstc rlui pLrlin
ittrpot'tatrt p\.^lttrLl tt'auzistoarcle MOSF['l'cu cunal 7: clcclalccc clicicrrla cLl carc goliu.ilc clil capal
gcncrcazit pclcchi clectrtltt-gol cstc nrul[ mzri micir clccAt cca a elcolronilor. C'aractcrizzrrca accstiri
curcnt clc substrat sc lirr:c cr,r umrirtoarca rcla[ie cmpirici:r:
I on = Kt .(l/o.s - Lirs:,u, ) . 1,., . cxp l- Kr l(V,r, - 1r,rr,,,,,, )l (6,46)
irl carc Kl K: suut paranrctri clcpcnclcn[i clc ploccsul dc larblica!ic al MOSlrl"i'l'.
Si
I-ilbctLrl ma.iol al acestui f'cnontcu asupl'er pcr[orman!clol clo circuit cstc apari!ia Lrnci
concluctetu!e parazitc intrc clrenii gi sLrbstrat:

ol,.r,,_ol,,,,.olrtr.r_ 1,,,, .l,,* K, )

+ (6'47)
\v,r,, ov,r,, olrou I/,r, -v,r*'[t irDs +D"s,* )
C|c$tcrcel cxccsivd a valorii tensii-urii cJe cllenii c;onducc Ia strirpungcrca jonc!iLrnii clrenii-
substlat prin pr:occsuI dc nrultiltlicarc in avalani;ir.
Obs'ert:trtic

"iu; l,a valori mett'i atle tcnsir-urii arplicatc pegrilir poatc sd aparii stliqrr:ngcrca oxiclLrlLri grilci,
proPes destrr"rcliv pcutrut tratrzislor. ValoLilc lipicc alc tcnsiunii clc stirpLurgcpc er oxiclulgi l,ly sLrut clc
aproximativ (25--50)V. Datoritir lirptului cir oxicltrl este uu bun clielcctlic, clectrocir-rl cle poartir
poatc sd itct-ttlrltlcze seu'ciui, astt'cl inoAt striqrLutgefczr oxiclului poatc atvca loc chiar pLin simpla
atingcrc a clcctrocltrltri dc poartii cu urdua sau clr obicctc clectr:izatc, I)c accczr, uncle tranzistoarc
MOS aLi o ciioclir Zencr, coltcctittil itrtlc poaltit i;i sr-rlsii, incolpoLatir itr slnrotr-rrir. Siprb6lrrl u1r-ri
astfL'l dc tretuzistor este rcprezentat in figula (t.l4.I)ezt:antajul majol al accsLci solgfii constir ip
tuicgot'arca inipcdanfei clc intrarc a tranzistorului.'l'ranzisLoaLclc MOSI;l-11'lcprotcjatc trc6yic sir
tic rrianipLrla[c cLr glijir pcntLLr a sc cvifa strirpurrgcrczr accstola.
It
(\

S inr boIu I f o Iosit pcntfu stnrctuli lc IVIOS I; I :'l' protcjatc.

l,!3
 6.3.3. Morlclc stlticc clc scmnal nrzrrc pcntru MOSF[i'f cll cilrtal irttlus
clc scttrtritl ttrarc
Itcz'ltatclc.blinLrtc panir ucr-rnr pcnuit claburarca unclr tttoclclc stnLicc
perrtrrr tra.zistoarcle MOSlrll'['cr.r carral inclr-rs.,,lca.vlc
ntodala sa.fblo's'c't'c 1tc scttt'it lurgci itt
l'tOSI;L'1"
culcttltrl ltunclclot' ,slttlic'a tle.fitttc'tirttlttt'c cot'u,\l)tutzt-tlrtctre
.[.r.anzistoar.clc
Mos nroclcnrc sc lealizcazf, intr-o varictittc cotrstructivir iargii. [Jna ciin
vitczci clc lucru. ir-r accst sctrs canalltl se
principalclc dircclii clc cvolulic cstc lcgatir clc creqtcrca
rcerlizcazir cli' cc in cc nrni scLrrt, ial la sLrpraIalai
sc [t.rL'ittea/-t-i Liil climp ciccLric intcnr pt'iutr-<l
urocli[icirri au tbst prczctrtzttc pc larg in
c{oparc ncuuilornrir a substratulLri. l-rf'cctclc erccstor
subcap i to lttl attrtcrior.
Pcntrlt tt'atrzistoetrclc MOS cLl canal inclus lr-rng (1,- 5pm)
cat'acteristicilc statice
expresii analitice :
rcprczcntatc in figrrra 6'15 se pot uroclela {olos incl ururittoarclc
' penlrt,t I4OSItll'l'ctt cctttul tt
' in regittttect clc blocttrc V651 Vp
(6.48)
I,r=0
' ht rcg,hrnea clc lip lriocld I''r;s> [/r, Vtx'1 l/os'""t
(6.4e)
=2'fl'(r',,\' -l"t' -l''t''\f 2)'l/D'\
1,,

, in t'e gitttteu clc :;ttltrt'ulic l"cts L'r. VDs)* I"ns'ur

.(lrr,, (6.s0)
1,, - r,,)='(l + 2'' zp.)
= fi
. ltenlrLt fulOStt'li'l'ctr cctncrl p
' itt t'cgittttcu da l-tlttc'ttrc I/t;'s> Vt'
, (6,51)
t -Il \J
l) =
. in regiunecr c{e lip lriocllt l"c;s1 Vp,lVoA <lVos,u,l
(6.s2)
I rs = -/'l'(V,' - I'i;.s * 1t,r., f 2) "v'1''s
' ltt regitttrcct dc sctlttrctlie I/1;5< [/r,lL'osl>*lZr;slutl
(6 s3)
I r,
=b'(v, -vnr)' '(l-)"'vDS)
tlioclclcetzit, itr principal,
Scnirilica!iu paramctrului )" cstc ilLrstrzil,ir in Iigura 6.12.b. Accstal
tcnsitilrii Early clc la'l'B'l'
cfcctr:l niclclLrla!ici lupgirnii carralulLri sorrcluctiv;i corcspLrnclc ittvcrsului
l)ctrtrutrattrz,istoarc[cMOScLtcanalirrclLrsscltrt(I,<
r.cllr.czcltatc ip {igura 6.l5.tl sc pot utoclclat fcrlosind urmittoarelc
expresii analitice:
. pcnlt'tr |40f;l"lt7' ctr ccutul n
' itt regirtneu cla blocctre l/6;.e1 [/p
(6.s4)
Itt=0
' irt t'cglittttctt cle lip lt'iotl{t I/1;,1) [/p,I/r-ts I Vtxrur

184
 '-
tl)=
I -t- 0'
-v,,-+t l (r+ ),.r',,r)
' 2 )', (6.s5)

. irt regittttctt clc :;tt I t rrctl ic l"c;.s )- I,/,,. l',rt ) i,lr.rs.r

/"=*1ft,r'("" - I',,)t. (I -r- L . 1,1,.,

) (6.56)

pctlt nt t\'l),S lr 1:7' c'u cctttu l p

. in ragittnect cle blocure I"6t> Vp

l,r=0 (6.5 7)
. itt t'egitutau da lip tt'iodti ["<;s1 Vr,.ll'rr.sl < ll.i-,.s:ru,l

t-
l+0,
? fr
-,,,,, *+)(r - r,", r,rs ) (6.5 fi)
( I',, - i,;.s) Ir,,
, in regitrneu cle,s'ultrrulie [/65< Vp.U/nA>* l/lsr.,l
i,.$'
'' = . ^ -{_ .(v,,
.(l/,,- /r,.r) ' -v,,r)=
.(l-),.vt).\) (6.5e)
I + 0t

l)aramctrii implicaf i in accstc cxprcsii sunt clali clc rclagiilc:

[]/ = F,,( p) .C0 .'tV

L f (2. L) 0, = 1f 11,,
. tir,.) . (6.60)

in
unele cazuri, pentru rcgiunea cle satr,trafie ln locul cxprcsiilor prczcntate mai sus sc
lbkrseq;tc <-r LclaIic nruIt simplificat[:

. I o =9. (Vr;s -l/r,)"' . (1t/,". t/DS) (6 61)

uncle rr este ulr cocllcicnL cc clepinclc cic proccsni tehnologic Ai clc climcnsiunilc Moslrll'l';i calc
are valori cuprinsc intre 1 Si 2 (m e | 1,2l).
[:f'cctul clat cle procesul de iclnizarc pLin ;oc la joncliLrnca ch'cnci poatc ii mi>clclat printr'-Lrn
generato r dc curent plasat intrc cirena r;i substratr-rl Lranzis toalelor (vezi [i gurer 6. I 5. c,).

Ohs'ct't,crlic

in cazLrl lrurtzi.vloctrclrtr cn ccrnctl iniliul,alc cirror calarctclistici sLrnt rcprczcutatc in ligirra

6.16 in locul parametrlrlr-ri I,J, folosit pcntru MOSFtil' cu canal inclns, sc fblosc5tc valoarcir
curcntului cle cirenit pentru Vc;s': 0 $i Zpsru,, adic6:

[pe.5. = [\.v1] 6.62)

Ast[ci, expLesiilc {olositc pctrtru a moclela caractcristicilc lvtoslrl:r'l'cu carral initial ir suut:

pcntru VG5 < l/p

[o , t./ \ rz
1,, =.] 2.[1*;.:
l+- | - )'",
2'/,')I '+ I','
pcntru l,'c;.s >Vt,^ L/r).\ ( tri-,.s:,., (6.63)

f
,,,,, 1,),,,:,,1, ',,)' (l -r),",V,-,.r) p.r'',rrr L'r;.s,) I'',,, Vr, ) i,irs:,,,

1ti5
 IpIrrtA]
( 4lpItttAl
.,
q.1 ..,=1r\r

4
5\j
-) +\
) -i\
t
F:_T_.-_ffi--T----';.
0 I .? i't 5 o 7\b'llvl \ir,.rIvl
I\{OSliE'l cu callill 1)
T)

IpIlrr\l
,) \'q-.ic.=(l\i
5
4 JY
!
] 4\i -)

2 2

t t

() 7 -\br[Vl o \'c3[\jl

l{c'.{ittttcit
fic tivil
\i; 'i=(r\i ;
5
Efec te de Io,
4 ,5V i c',llifll scUfl
Itr
-)
')

I
2 i,l 7 \i:i:r[\iJ
h'tOSFF.T clr cnrlnl rl
l'r '
C,

l;igura 6. I 5. Caractclisticile staticc alc MOSlrli'l': a) ctr caltal luttg; b) ctt canal scLtrt.
c) Moclclarca f'crrrjitrcrrLr tr i clc ionizalc priri goc IaiorlcliLrrrca clrctrci.
I

ip nrocl sirrrilar sc pot oblinc qi cxprcsiilc calactcristicilor statice alc MOSI;l,r'l'cu canal

irritial clc ti1l7r.

'l'rarrzistoarclc MOS cu carral inilial pot lucra cLl tcnsiLuli cle poarta atAt pozitive cdt qi
rrcgative, l)tlch [/c;s> 0 pcntrr-r MOSI;l,j'f cu catral rt, rcspcctiv tr"c;s,-0 pctttru MOSltl]'f ctt c;tualp,
r.cgirrrLrl clc lircr.Lr sc pLlrc$tc regim de itnhogtililc, clatoritir crc;;tcrii collccntiaIici clc prtrtirtori
rriobili dc sar.cinir in carralr-rl concluctor. Dtrcd Vr;s< 0 pcrttt'r-r MOSlrli'f ctt canal /?. rcspcctiv I"r;s> 0
pcrrtlr ivlOslrli'l'cu carral 7r, rcgirrrirl clc lucru sc nulnc$tc rcgittt cla.rcirric'it'e, clcoarccc conccrttra!ia
clc r-rLrltr-rtori rnobiliclc sar'cinit itr catralr-rl conclucttlt'scaclc.

l,s6
 N{()s ti ['t cu clurl iuilill cle tip n

IpIrni\l
0

4 ;l
)

i- --\t,,l\,'l
l--2 '-r- -.>
I ,t o $ l0\D3[\'rl
I\:lOStih'l' crr r-irr)rl irrilirl cle ti1.t 1r

IpInrA] InInt:\l

il r
\rl'- n =r'rt
')

2 4 o I ro_\;"lvl --l -2 -1 il I 2 i \c..[\,]

Figula 6. 1 6. Cara<;tcristici statice pentru MOSIrli'l' cu canal initial,

6.3,4- Ilf'ectulvariafiei tempcraturii asuprn caractcristicilor staticc alt:

MOSFIIT
Din pttrrctr-rl clo vcciet:c al clcpeuclenlci dc temperalulir, lr'anzistoaLclc MOS prcziptir acclcaq;i
avantaje ca gi tranzistoarcle .lltlil'.
Odat[ cu creqtcrca tcmperatLrrii, 1p scacic clcoarccc p scaclc clatoritir scirclcrii probilititfii
plrftiitofilor cle sarcinii. 'Lt>na prclcLatii clc lucrr: a MOSf I:j'l' Iirlosit ca anpliliciilol cstc cca
cot'cspunzitoeirc saturalici. Dcoarecc in etccastit rcgiune coeflcicntLrl clc tc11tpcraturir cste
ncgativ'
rczLtltd cd la MOSI.I')7- prrtblantct ctmbclririi lerntice rnt .\c pt.u,te. I)c ascprcnca, trapzistoarcle
VIOS
nll vor prezcnta nicioclaui fcnomenul clc ambalarc tcrnricir.

6.3.5. Circuite cle pola rizttra pentru MOSFET

Circtrilela clc pctlurizttt,e crle M0,Sl.'li't' lrcltttic s.it cts,igut.c

.fitnctioncu.cu cr.t:c,r,tttirr itttr._trn
crrttrtttil lttrttc'l cle.fincliottcrt'c tn rcgiut ,vtcrlic (r-rumit pLrnct slaLic clc ltLscIiolarc).
car.,ctcr.i,t,ttl clc
coot'clotratclc (.lrt Iinr-),,t'i nrcnlinerecr .firnc'!iottcirii A4OSt;'li'f in crcc,st
ltttnc,t in c'ontlitiile trttai
di'tpcr,s'ii da .fhht'ic:ttlic ct ltttt'cttrrclr'tilor ,s'lrucltrt'ii .s'cnticontlttclo(rt'tt. Alcgcr.cl urrtri puucL
static clc
Ir'ruclior-rarc sc face in lLrnclic cic scopLrl urmirrit: obliucrca Llncr aqupiitc
pilritc
g,,, =(aIol0['"c;,r,),,,,,---r,.- folosilca uuci rcgir-rrri cat nrai linialc a car.uctcristicilor
ctc.
CircLritclc clc llolat'izarc ponLnt ivlOSl;l-:'l'cir cunal inclus tr.cbLric sii asigLrr.c accca;;i
pola|itatc a tcrtsittnilor aplicate pc clt'cnir gi pc sLrlsii, iar circuitelc clc polar.izzl.c pcntr.Ll
MOSI;li'l'crr

187
 pc cllctrit '.si pc srrrsir lic acccaqi polaritatc
caral i*ili.l trcSuic sir asiglu.c pcntru tcrrsiunilc al"rlicatc
[ic polaritirli dil'cLite
irr cirzul cirrcl sc cl'rc5tc tirlcfiorrarca lr4OSUli'l'in rcgiur clc irlbogirlirc'
rrcutttt IttrtcIiottat'ca in rcgittr clc sitt'itcirc'
(]clc nrai ltzt.talc circr-ritc c{c polarizttrc alc MOSI;I j,t sunt rcprezcntatc in figtrra 6.17 lletttru
Lrn clispozitiv ctt cattal lt.
gircLritLrl clirr {igLr'a 6.ll.tr poatc ti frllcJsit pclltrtl i\4OS[]il' ctt cattal inclLrs ;;i pctltt'tt
ivlOSFlr'l' <:u cilnal irritial attttrci clittc[ sc clorcqtc lirncf ionarca
lui in lcgirl cle imbogirlirc. dcoarcce
pe poartir 5i pc clrcuii.
o['crir acccaSi p0laritatc pclltrlt tctrsiituilc aplicatc
I{c I ati i I c cc caritc tcr i'z,ctvt'it c i rc u i ttt I stttrt:

,, llt
Ir,r:;s= (6.64)
Rn*V,r,,
L"rts=V,',t-llD'lD
prtlctrizcr|c a MOSITIIT cc sc (igureazit
Priura rclaf ic a ccualiilor (6.64) clclinegtc drectplct cle
irr planLrl caractct'isticii c{c tratrs(L't' a i'tccstlrizt'
polariz.ittrt pcntru a Ilncliona in
Sir consiclcrirm cir tranzistorul MOS pc care clorim sir-l
rergiittreet clc satr,rt'afic este cu caual luug Ei cd
are vetloarea parametrultti l' extrem cle micd. Astfel,

ccualier caractcr.isticii cle translcr a etcesluiet dcvilrc:

(6.65)
Ip =.F,(V,r, -Vu)t
clicapta clc polarizarc qi caractcrristica'clc transfcr determitrd
prtnctul 'static
hitcr,fccliai i'irc
(respcctiv nuurcricd) a sistcmullti cle gradul
clc 1u'cfionare al clipozitivulLri. Itczolvarczi anzrliticir
zr dor-rir solulii, ttna aclevitratit
cloi tbr:nrat clin ccLra!iilc (6.64.2r) gi (6.6a.b) conclucc la dcten'ninarea
>
Ei Lrna larlsir, la ficl ca iu cazul
.llrE'l'. f,iviclent' numai soltrlia corcspLurzittclare uuei teusiutti vc;s 0
cstc cot'cctit.
Circuit*l cli* figura 6.li .b poatc Ii folosit pcntru toate tipr'rrile cle tranzistoarc MOSFET
cler.rziLe"c,.ic ceipabil a alrlica 1)c pOal'tilal,At tcnsiLrui por.iiivc cAt Ei 1c'g''i'u'"

b.
il'
lrigttra 6. | 7. Circtritc ttzttale clc trrolat'iz,are pctttt'u MOSljl 't'

llJS
 I{c ll IiiI c cc c ar.trc tcr.i,ttazir c i rc u it ul s u r.rt :

t)
/\ r
l/,i.\ =
ffi'I'1t1,
t\l -t- /\)
- |t)' ll.\'
(6,66)
I/t,,\' = I''1,1t * (/i,, -t- ll,\')' I t)

Sji irl accst cltz itttct'sccIiu irrtrc cllcuptl clc trroluriz-;rrc (clutu clc lclirtia 6.66.a) 1i e ar.acre r.istica
clc translL'r cletclrtrilrii puttctul static clc firucliurrarc al clipozitivglLri.

7.:1. llegirnul variatril dc sc'rral rnic,rl MosFEl-

I)roprictir!ilc ciirrarnicc ale IVJoSlili'i'surrt clctc.nrinntc clc sulcirrilc
ucr-rnrulltc in sfr.uctr-rr,ii
carc cicllitrcl dc tcrrsirrnilc aPlicatc pc clcctrozii clispozitil,ului.
in corrsccinIii. ur.clclclc staticc
cictcrlrlittaLc lttitcriol'pot fi cxtitrsc pcntrlr a inclr,rclc pi varialiilc
rapiclc alc tcrrsiu'ilclr.jtlrrc!iLr'il'r.
prin incltrderca Llll()l'colllpollcnl.c cilrc si:l rcf'lcotc supliurcnl.ul clc cur.cnI
la tcr.niinalclc
clispozitivtrlLti atr-rnci cancl sat'cit-tit inuragazinatir in accsta variazir.
nccstc c.'rpor-rc'te pot {i
cletcrnrinatc prin unrtliztt s'crt'cinii ttctttnulole sau ctttttlizct t/e
c:onlt'o/ ytr.in .s'ctrc:ittc-t.
Astl'cl, sarcit-tzi stocittit irt canalul concluclor cle lr.rngirnc L LI/cstc
Si c-latir clc rclatia:

Qi: =w u,
l,'Oi,fl,l'c11,='1,Y l"'' Q:,tr,) # (6.61)
l;olosincl rclalia (6.24) gi linancl cont cle cgalitatca (6.26)
se oblinc umrirtolrca cxprcsic:
Lu' . .IJ',
: _!t,, Q,,(.y)
clV 1,, (6.68)
,.

.1,t
Irrlocuirrd accastir reia{ic in (6.67)

Qi. = -lL" -LV' . Jrl.'"'l:Qi,bDlz .dt/ ' flttsr'r,

ll't;r -
rl
l/r trtl
- l/ l: 'rlV =
I,t I ,.,
I
(6.67)
.Lr . L.Co 3 (Vc;.s -v,,)t -3.(Vo, _ vp),[/os *v6.s
2 f ,.

a
J 2.(Vc;s -V,,)-vu.
Sarc irr a stocalir la grilI poatc fi obiirutir pr.intr-o proccclurir
sinrilarzi:

Vc= l, C-h . l/ob,') . L[/ . d), :l-. LV, (:0 . U/ r, - eus _ 2. <"1>,,.) _ Oi. (6.6ri)
Se pot calcLtlzt acttlrt variulliile sarcinii existcrrtr:
in canal ;i la grilir in fir'clic clc var.i.tiilc
tcnsir'tnilor aPlicatc structurii' Dcteruriuarcet ur-tri nroclcl clc
semnal mic pcntrLr i\4OSlrli'l.sc poatc
tacc prin Lrtiliza|ca ttnot't]lclocle sinrilarc acclora folosite
Ia't'BJ. I)coarecc accarslir str.uctrr.ir cstc
trtilizatii ca arriplilicatot'in rcgiunca cic satLrlatic a camctcli.sticilor
staticc. circLritLrl cclrivalc'L clc
sctlttztl tlric sc Va clctcrmiua pcutt'r-r lirnclionalca accstcia in
accasfzi rcgiLrnc.
itt cort'sccit-tIit elctlcntclc corcspt-ttrzzilourc circr-ritulLri ccrliivalcnI in
crt,.s.i,s.lulirrrtt.
(r'cginr i'aLiabil valabil pclltrll frecvculc jriasc) sc pot 'cgi,
oblinc prirr cli{'c'o'rticrca rclaliilor (6.50).
fcspcctiv (5'56), in firncIie clc lLrngirnca cernalulLri colcllctor.
Se 6bti'c astlcl:

r89
 . I t' tt tt.s c' t t t t cl ttc Ittn!tr
I de .\atltt1ul tttic )( lLt l)( '/ll/(/ MOS lr lll'
(tr ltcrltftr N4OS lrl:'l'
| -'Ilt
1r cLr calliil ltlllg
ott)| I
I l.',,. - I.',,, (6.61))
.r
rsDl -
r,t l c;,s lt
I
|

lrs-el
=l
I
l
I ti
.1 |
L' I t\
" -'-
I'
L + o,
'1
I 1",;.s - r)I!
cLl
pcrltrLt N4OSlrll-l'
canal sctll't
I
[''(;s-r /' t T 0,
( Ir'rr.s -l/ p)
. c0n(lttclutlldt tle ic,Yit'c cle .tarttttul lt tic
.r
(rt I
(6.70)
.r
t') |
I
(t(l --l
^t,
Ol./),s
I =)"' D
lr,,*_-ct.
pclltrll ctlzlll in carc tensiLlneul
circuitui echivalcnt clc scmnal mic in rcgilll cvasistaliotlar
iutre substrat gi sursir nll variazd este reprezelltat
in figura 6.1u. surbstratul tranzistoarelor MOS se
negativd) clacir este cu canal
lcagir fic la ccl rlcgativ potcnliaI al circuitului (sursa cle tensiune
'iai clacd este cll 0anal p'
,. f\ela ccl mai pozitiv potcnlial al circuitullri (sLu.sa cle tensiune pozitivir) cle cltrcnt alternativ
,l.otu;i, ir-r {bartc mllltc cztzttl'i, sllt'sa tranzistorului poate avca un potenlial
slrrsa vafiazir afectrnd tcnsiunea dc prag a
sor1llific^tiv. Astlcl, tcnsiunea intrc substfat $i
treurzisto*rrui qi creci i.{luetrfa.cr curcntur clc
crrc'i. ca t*'are se porrtc .onsiclcfzl slrbstratul ca o a
este:
cloLra grilz'i c1c comancl d. iar transconclttctaula corespunz[tottLc zrcestcia

| -z't,t . OV,, Pcntn'r MoSFll'l

lrrr*7, O[/i,s 'cu canal luug
(6.71)
r't l) )"t
(l ,
t) tllD =-=
^f lt 3S
/ ) -- -: -0,"r
O
I Vr,, -V,, , OV1' Pelltru MOSITET
' I)
I t n o,
.(Vc;.,
-vr) }Vt,s cu cattal scttrt
I{ata clc vafialie a tclsiLrnii clc pr:ag [a!ir cle varialia
tcnsiurii clintre sutbstrzrt gi sursI este:

.9llL:, = - --,:J:: - -x,,

(6.72)
0 !, Bs ,12. t- vr,, 2. <I>
,,.

pcntru parauretrtil X' Acest parametru exprilllil raPortttl

carc sc constituie ;i ca rcla!ic clc cletini!ie
cl i ntr:q cclc clo utit lransco ucl
ttclan.lc 1l c ilispozi tlyylu1, 1cl lcl'
(6.13)
8,,,n1g,,, =X

irrlocLri rrc{ cxPrcsia (6.7 2) \n (6,71) sc oblinc:

2'y.1,, peutrLt MOSl;lil'

cu catral lLrng
2'(!ot -V,,)'",17'cD ,., + I",t
alo - ( z (6.7 4)
(f
(:r/,
' =-=
v.l---
,.)
\)t)'tD r
o^r/
l' ns
' \vc'' -v'' peutt'u MOSTTI'if

I I -r 0, . (l/c;.s - V,')l' ^12

' rIt ,, t V511 ctr canetl scttt"t

col'csputrzitttlr accsttti ctiz cs[c

Cir.cuitul cchiValcnt clc scmuaI -
nric;i |cginr cvasisla!iorlerf
rcpt'czctttttt in figtrra 6.1 ti.b'

190
 (J o---1) )D (j h::t ol)
\' ld= I I
,_l
rll' ge g, ll'"
l-6 5
-g;
OS
,t
oS
t''

l-!1"
B e-<:
il' b.
lrigLrrl (r' l ll. (lirctritc cchivalcrrte cie sernrrnl rtric pcntr.Lr VlOSpli'l' in rcgirrr cvasistlIiorrar..

z\tttrtci ciintl vitczl.t clc variu(ic a tcnsiunilor aplicatc str.uctLrLii

crcatc. cir0Llitul cclrivalent eJc
sclrtultl rrtic t|cbLtic c0tltplctal. ctt clcnrcntclc capacitivc cc ullclclclzii
varialia sarcinii acurnulatc in
stlr-rctulir. L.a satr-rra!ic cxprcsia sarcinii acunrulatc in canal
clcvinc:

Q;; = _:) .ty . L. co .(vc.s _ r,,r)

I (6.7 5)

Astfel. capacitatea clc scmual mic virzr-rtir intrc gritii qr sursir cr"r cilcna scurtc irc Lri tatd la sLrrsi-r
se cietcrnrinir din r.clafia:
*l
do: / I AO;,1 )-.1
'II/ . Co ,
I v\|
-.qscc r
-\

r/At/
o^rI'{;s
I

/ (r;,! | a (6.7 6)
11..,,,.=g1 l;.,,,r.=., J

iar' capaciterrca cle scnrnerl mic vitzlrtir intre clrcnl Ei sursir ou grila scurtcirouitatir la sLrrszi cstc
clatir
clc rclaf ia;

(6.77)

I)resltpunind ch ?rr tnoclclLtl cie scrnnal rnic intrc tcmrinalclc

str-LrctLrrii sr,urt capacitirfilc Cu,,
C*'r,si C7', cxpfosiilc accstola pclttrlt ltu ntoclcl uniclimcnsional
;i pentlLr Ir"rncfro'area i' r.cgi'r clc
satr-rrafie sc cicterntinir din relatiile:

Cu., *c*r: c.qr." :l t,"ty .ca

J (6.785
*t = C.'rlr", :
(1,1, -F C
0

Itezolvalea erccstr-ri sistern nc conclucc ler;

('r, =213.[,.Il/.C'()
C,7r=(",7=Q (6.1())

I)cqi in
Llrllla analizci trtiiclinrcnsioualc ct-cctuar.ii antcrior., la szrturerIic"
capacitatca
hrrrctionalir C.*7 cstc nulit, lotrtrsi in[:c accstc cloirir terminalc
cxistir o capacitaLc par.azild cr'slaurtei
clc sLtprapLtncrc Ei o capacitate furrc!ionzrlir clatoratir el'cctckrr'2-cl. irr c0nsccinIir,
circuil.Lrl cchiValcrrt
clc sctitttal rlric la licct'crrlc inaltc pcntru cazLrl clincl tcrrsiLrncr.r
substlnt-sur.sir uu rrmri,z-ir csl.c
fclrrczcrltat in figLI|a (t.l()'a.l)acr:t insii itccasl.it Lcnsiuuc
vttria;tlt, circuitul cchiyllcrrt c.,-,.,trlct cstc

l9r
 sttbstrat-
in ligLrra 6,19.b. capacitirlilc qi clx' corcspltllcl legiutrilor clc sarcitrit spafialir
c",7,
ilustLaL
accsto ril stl llt :
sr r lsii. rcspcct i l' substrat-clt'cnit' ll)x prcsi i lc
, ( ',rAit
r' :- r;s
"'l i
..''r'-lGili,r1;''-r/)('
O,', = -7:;==71= I (-s/'g
/il (6.80)
..
l, ( '
.t l)
1r /

r \-.//_r0 - t!)
r(.)

sLrrsei. iar /;f 5i /'f rcprczirrtit l-rrgi'lilc

r-rr.rdc ,rl,s $i ,4.:/ rcprezintir ariilc .ionc!ir-ruiltlr clrcttci 5i
cil.ctrei 5i sttrsct'
rcgiunilor clc sarcinir spa{ial11 cot'csllLtnzittoarc.itlrrc!it'ttlilor
clc conttict at grilci' oxicl qi
capacitatca (,1"6 capacir.atca {brnratir intLc matcrialul
'roclclcazir
il tr.arrz.istor.Lrlui. varorirc tilricc
pcntru toatc acestc clcu-tctitc apat'tot ir-i
substLat in ataLa arici activc
ligLrra 6.19.b.

6.5. lthspunsul la frccvcnfc inattc al MOSFB'T

]vlos, cc lucLcazii iuco'clifii de
,erfbrntttnlale [cr .fi|ecvenla in.urre ole trcrnzistoctrelor
scnrrral rrric, sc ttltt'ecittzit, irt l1l^rczl
maitlritatc a caznrilot' prin vcrlocrrea t.tno1.,l.'.1cven[e
Pl}lV'
tr lt'rrt'tzislttrtitti'.f:t' Si pror{trnrl amplific'rtre-buncld'
ctrt.ucteri,stic'c; .frecven.lct de ltiiare irt cttt'etll exprcsia arlpliliciilii 4
liol'si'cl circuitLrl cchivalcrjt clin lignra 6.20 clctcmrindur
Llanzislorltlr-ri cu icSirca irt scLtttcit'ct'tit'
Ia [t'ccvctttc inaltc'
in rroclLrrilc dc intrarc 5i clc iegire ale circuitului ecl"rivalctlt clc setnneli
Aplicancl I(irchhotf,l
oblin oxprcsiilc ctrrcn!ilor clc intcrcs:
ruric clitr tigLrrzr 6.20, se

/* = j'or'((-'.r, -rCr,1)'V r., (6.81)

111 = g,,,'Lg.,

I <, (6,i12)
j.rrr'(Cin, +Crd)

C',sa 1l-10)FF

f I0-i ,lu)l':l.i
i1.10)nr&rV (iJ,1.3)m.dr
L'ar
(l '-1t];fl;

R D.

scnrttal rnic ;i liccvcn!c inaltc pcrttrtr MOSlili,

lligttra (r.19. CircLrits ccltivalcrttc cle

l()2
 ;rtit i-95

i'
,) S

Figura 6,20, (lircuitLrl cchivalcttt clc scmnitl tttic pctttltt IVIOSIlr'l' in cr:ncxiunc S(l
cu icsirca in scut'tcilcuit.

in corrsccinfir crTr'c,t'iu.fi'ccvenlci panlnr c'ttrc c'ci.1'tigrl in c'urcnl dcvittc urtilut'([i'ccvcnla de

tiricrc) cstc:
lu
tt. = _
t. ' .(,,,
(6.u3)
2.x ('.*., -F ('*,/

Celirlalt lactor clc mcrit al MOSFIi'l'sc cjctcmrinir clin cxprcsia antplitlcirrii iu tcnsiunc (vczi
ligura 6.21). z\plic0ncl tcofcrrra lLri lvlillcL sc oblinc circuitLrl cchiv'alctrt clin ligura 6.2 I .b. itr cat'c:
lA-lr'l
C:/s,1 - K)'C sa C!,t = Q -lf K) 'C u,r =
=0 C'
,,r (6.84)
K 3 -,g,,, .(.r,1 ll /?7. ) = -t',,, . /1r.".r,
Din analiza pe circuit .se clccillco cxprcsi?t amplilicirrii in tctrsittnc:
,\'n
. R, l,,o
ilt _L,, _ -c,
tJ Dt "l-Ccll
(6.rJ5)
V
1g.s I -r .i'r,':r'trr.e

Ir(!){

Itt vclt v paranlctfii implicali rcprczintii:

' /lt ,t - aurt)lificarca in tcusiLrnc la ii'ecvcn!c.joasc,
''lt'o,,l"rt

^8,,,' Ilt, /ly'oirt ul

At'o = -9,,, '1?r""t' - (6.86)
(l -r Il,.l r,1) [* 8s111
L-vJ

in cat'o y't pui,l.nl- antplit-lcafca iclcalir in tcnsir-rnc la Ii'ccvenfc joatsc, e,,,,1 - abatcrca rcltttivit a
arnplificirrii in tcnsir-rnc la frecvcrlfc .joasc itrlir dc cea cor'gspLurziltoal'c MOStfli'l' idca]
intriuscc;
1 (L)s - pulsafia corcspunziitoarc [j'ecvcnlci lirnitii sLtpcrioarc a lvlOSlilj'l',

. t...-, ldl"l
or., =, 1/1(C(r F(1,1.)'1i,.".,, |= 1/l((l-,r-i (1,r.')'1?r.".r,'| (6.87)

P t' o cl t r.r tr I u m pl i.t'i c' cr r c - b a n cl ii es Lc clat cl c oxpresia analiticri:

r
ct)\'- 'r' 'rr <)

I'llLJ/ =l/,,,,1. - (6.tt8)

' ' '" 2.n 2'n.(('',!,1-F ( ',r, ) -*-{L=--i6l"l'
2.n.C*t

t93
 G ]r_r a,:.

?'T--
I r,.
'ljl T*u' ttr,

.)

b.
l;igura 6.21. CircLritLrl cclrivalcnt clc scmnal nric pcntru MOSIrll'f iu c<lncxiunc SC cu
sarcinI coneclatl pc iegire.

t94
 REGIMIJL DE COMUTARE
AL DISPOZITIVELOR
SEMICOI\DUCTOARE

7.1. Generalitlti
Regimul de lucru al unni dispozitiv semiconductol in care, sub aclir:nea unei comenzi
exterioaLe, acesta trece din starea de blocare in cea de condr-rclie sau invers se numegte regint de
conu,rlcrre. Conntlalictse numeEte tlirecliiclacd trecerea se face clin lcgim de blocare in regim de
conducfie Si irn,ersiidacf, trecerea se face din regimul de conduclie in cel de blocale.

Regimul de comutare este un caz particular al funcliondrii dispozitivelor in regim variabil

cle sentnal nlclre, unde comportarea neliniard a dispozitivelor semiconductoare nu rnai poate fi
neglijati. Acest regirn este intdhrit in aplicaliile legate de folmarea, generalea gi prelucrarea
inrpulsirrilor. Cei mai impoltan!i pararnclr'i ce descliu reginrr-tl de comutalc sunt tirnpii dc
comrrtarc: direct Ei invels, in concordan{b cLr tipul comutalii. DctenliLralca accstoi'a implica
evidenlierea proceseior tranzitorii ce au loc in dispozitive gi oblinelca de solulii analitice pentrll
ploblenicLc nelinjare cc lc corespLrnd. in tratarea regirnului dc conrt.tal'e putelr folosi Lrna din
unldtoalele metode:
. metoda rezolvdlii aploximative a ecualiei de continuitate in regim variabil;
. netoda circuitului echivalent de semnal mare;
. metoda de control prin sarcin[ sau, mai scufi, metoda sarcinii;
. rletoda numeric[.
Aleloclu rezolvdrii crpt'oximative a ecualiei de conlinuitctle tn regim yctriqbil coristzi in
liniarizarea ecualiei de continuitate prin utiiizarea unndloarelor aproxintalii:
. ntodel unidintensional aI structr-rrii;
. crproxintalia de golire plin care dispozitivul se imparte in zone de sarcind spalialf,, zone
active qi zone neutre:
. nivel ntic de ittjeclie ce implicd neglijarea curentului de drift al purtdtorilol minolitari;
. condilii 1a limitd impuse unol mdrimi asupra cdrora nll averr un control dilect.
 Fornta liniarizald a ectLaliei de contirutitale este cLfixosctrtd sub denunirea de ecualie de
difi,rzi.e. Ecualiile de difuzie coresirunzdtoare celor doud tipuri de purtdtoli mobili de sarcind,
cosiderAnd direclia x ca fiind caracteristic[ modelului unidirnensional, sunt:
al t). /
Ot?t,
=-
- _frt,-Ilt,o _ t) -u'' af
.O-l?,,
al , (7 1)
AP!,
=-P,,- P,,o *,-,
u"'.0=lt',,
ot ;- a"
in care nt,, $i pt, reprezintd concentraliile de purtdtori mobili de sarcind in exces fald de situalia
de echiliblu terrnic, adicd nt,, - Ht,-nro, pl, = pu- puo.
Condiyiite iniliale pentru aceste ecualii sunt lepartiliile stalionare corespunzdtoare stdrilor
funclionale dinainte de comutare. Condiliile Ia limitd se impun fie concentraliilor de purtdtori
miloritari la interfelele cu regiunile de sarcind spaliala (vezi condiliile la limita ale lui Shockley),
fi e gradienlilor concentraf iilor purtdtorilor de sarciud.
Solr-r{ia analiticd oblinutd, pe lAnga faptul cd este aploximativ[, aLe o fortld neatractivd
deoarece conline funclia eroare, erf(u).

Metoda circttitr,tlui ecltit,alent,, constd in utilizarea circuitr-rlui echivalent de semnal mare de

regirn dinamic pentru dispozitivul al cdrui regim de comutale se studiazd. Folosind tlansfolmateie
Laplace aie ecualiilor de circuit se determind relaliile peutru curenlii gi tensiunile ce descrir-l
reginrul de comutare. Dezavantajul principal al acestei metode constd in faptul cb. valabilitatea
circiiiielor echit,alenie de senmaL ntare este liniiiaid supei'ior tn fi'ecvenla.

Metoda sarcinii constd in descrierea funcliondrii dispozitivului prin relalii intre culenlii la
terminalele dispozitivului gi sarcina acumulatd in exces in dispozitl fa!d" de situalia de echilibru
termic, prin modelele de control prin sarcind.
adrcd.

Ecualiile modelului de control prin sarcind sunt forme integrale ale ecualiilor de
continuitate scrise pentru purtdtorii minoritari din regiunile active qi neutre aie dispozitivului.
Astfel, considerand un model unidimensional pentru dispozitiv gi notdnd cu p sarcina de purtdtoli
minoritari in exces fatd de sitr-ra{ia de echilibru termic in regiunea considelatd lxt, xzf , adicl:

o=f'q.A.cttv
-,rl
r
'dx (7.2)

unde I este aria transversald a regiunii considerate qi c/ concenttalia purtdtorilor minoritari in

exces, se obline ecualia sarcinii iu regiunea de interes:

l0,,,' (xr ) ip,n (x2)

dQO
: -: + ---=- (1.3)
-
dt Tp.,r.,.
in care lp.,n (x,; gi lpm.(r2) sunt curenlii de purldtori minoritari la extremitA{ile zonei, iarr'.,,',. este

timpul de via!6 al pur'tdtorilor minoritari.

196
 Ecualiile modelului de control plin sarcin[ sunt ecua]ii diferen]iale liniare gi oldinale gi de
aceea metoda sarcinii este folositd pe scard largd in tratarea analiticd a regimului de comutare.

Metoda nutnericd rezolvd ploblema neliniard a fr,rncliondrii dispozitivului in regim de

conrutare fdrd, a folosi nici r-lna din aproximaliile intrebuinlate in mod uzval in aborddrile
anterioare. Ecr-raliile iui Sliockley sunt scrise pentru intlegul dispozitiv, condiliiie la limitd
impunAndu-se numai la contacte asupra cur:enfiior gi mai rar asupra tensiunilor.

in acest capitoi se vor eviclenlia plocesele tranzitorii qi timpii de desfdgurare ai acestora

pentru urm[toalele structuli principale ce se intdlnesc in componenla a aproape tuturor
dispozitirrelor semiconductoare: joncliunea p-n, lranzistolul bipolal, tranzistoarele cu efect de
cdmir cu glila joncliune gi MOS.

7,2.llegimul de comutare al joncfiunii p-n

Diodele bazate pe joncliurTea p-n au aplicabilitate lalgd in cilcuitele de comutalie. Tintpii
de contutare direcld Si inversd sunt bineinleles cei rnai importanli parametri ai sdi, stabilind limita
sirpelioard a vtlezei de rdsprurs a cilcuitului in care acestea sr-urt folosite. Acegti lnmpt satnl
controlali ttt principcrl de fenontenele de difuzie Si recombinare ale pm"tdlorilor de sarcinir
minoritari. Folmele de r"urdd perllr'r-r curentul qi tensirurea la bornele diodei in regin de comutalie
sunt deteminate de vtteza cLr care pr"u'tdtorii de sarcind rninolitari sr-rnt injectati in regiunile active
gi. r'espcctiv. dc vitcza cu care sarcina de pnltator"i nrinolitali acurnulatd in lcgir"rrrile acLive este
erzacuatd.
Cele mai r:tilizate metode cle analizf, a legimului de oomutare a joncliunn p-n sunt metoda
rezolvdrii aproximative a ecualiei de continr,ritate qi metoda sarcinii, ilelodd ce se constititie ca rur
excelent insllument didactic qi oare va fi prezentat[ in continttare.

7.2.1. Modelul de control prin sarcini al joncfiuwii p-n

Modelul de control prin sarcind este folosit pe scarb larg[ in descrierea fenomenelor ce au
Ioc in joncliune in legim de comulare a acesteia din regim de conduolie in legim de blocare Ei
invels. Considerdrn o structurd asimetricd de tip 7,rn-rr. Modeldnd r-rnidimensional aceast[ structurd,
ecualia de continr.ritate pentrlr golurile rninoritare injectate in regiunea n devine:

ap,,(x,t) pu(x,l) - puo I Aj

,,(x,l)
= (7.4)
AI Tp 0x

Ecualia de contlol plin sarcind a nnei joncliuni p-n se determind plin integralea ecualiei de
continLritale (7.4) intre linritclc rcgiunii ci,asineutlc n. "r1 gi 't2:

= i
,,
(xr ,l) - i
,,
(x2 ,1) (7.5)

t97
ln care
(7.6)
Qr(xr,xz,t) = Ai 'Q' [,'lr,,(x,t) - P,,07'M
in exces in regiune.
reprezint1" salcina acr,imulatd
Ecualia (7.5) reprezintE, de fapt bilan1ul fluxurilor de purtf,toli minoritari in regiunea
cvasineutrd n (regiunea activd n 'l regiunea neutld n). Astfel Qu(xr,x2,t)lr, rept'ezititf,
conrponenta ce compenseazd. sarcina pierdr-rtd prin recombinare, iar AQ,,(xr,xz,l) l0t conponenta

de incdrcare a capacitAlii de difr-rzie. Curentul ir(xzil reprezint5, cureutul de goluri ce iese din
regiunea npelacontactul de anod. Majoritatea contactelor reprezintd suprafele cu vitezd mare de
reconrbinare gi in cazul in catte x2 - );1 )) Iu se poate considera io(xz,t) = 0. Totu$i, peutt'u a
include Ei cazul joncfir-rnilor subliri (xz - xt .' Lr), se consider[ cE

, xz) I x ,
(t.t)
i
,(xz,t) = Q p(xr
in care .r, repLezintdtirnpul de viald al purtf,tolilor minoritari la interfala catodr-rlui.
iniocr-rind (7.7)in (7.5) se obiine:
AQrQt,xz,l), Qp(xt,xz,t) (7.8)
i,,(xt,t)
0t ref

1n care

1
Lcl' (7 e)
- ll- r
Ilx t)
+ Ilx s

reprezint[ Limpul de viald efeclitt al pultdtorilor de sarcind minoritari care line sealna atdt de
recombinarea in volr:m c6t gi de cea de la interfala catodr-rlui.
In regim tranzitorin vartazd atAt sarcina din regiunile cvasineutre ale structr-rrii cAt gi sarcina
+

Qi = Qo din regiunea de tLeceLe. Acestol varialii le corespund urmdtorii curenli de purtdtori

majoritari:
dQn dy,
1-
'p
dt
= Cu6, "ol i).-;l
(7 10)
dQi' dv,
,.+ _ = fo(r,,).-;f
dr " d,I

r-rnde C6(vr) replezintf, capacitatea de balier[ a joncliunir, rdr ri tensiuuea ce cade pe regiunea de
sarcind spaliald.
Acegti curenli sunt importanli atunci cAnd jonc{iunea p -n este polarrzatd. invels gi se pot
neglija cAnd aceasta este polarrzatd direct. Relalia (7.10) este neliniatd, dar se poate liniariza
introducAnd un nou parametm, capacitalea de barierd de semnal mare, notat cu Ca sau cu Q qi
definit de reia[ia:

(7,1r)
vTinitiut - vTrinal

198
 Astfel, avdnd in vedere ca joncliunca este de tip pn -n qi neglijdnd cdderea de tensiune pe
regiunile cvasineutre ale structurii, se poate aploxima curentul joncfir"urii i7 prin urnidloarea relalie:

t,,l=tp\^l /\ , ,- _oQ,r(xr ,x:,1) -, Qp(xr,rr.,t) -tf

; -; t,-,r/T'r- , n 'dl
dt,rt
(7.r2)
A, ,*
cunoscutd sub denumilea de ecucrlia de control prin sarcind.

7.2.2. Comutarea directd a joncf iunii p -n

Anahza regimului de comutare a joncliuntip -n se va face pentru o structurd cu plofil de

inrpLrritali abrupt qi asimetlic gi conoentralie unifonlS a impr-rritdlilor in cele doud legiuni ale sale,
conectatd in cilcuitui pt'ezeutat in figLrra 7,1. Itezistenla cle sarcin[ R; este mult mai mare ca
rezistenla difelenliald a jonoliunii 11,7.

La t :0, prin tlecerea comutatorului K din pozilta 0 in pozilia 1, joncliunea este polartzatS,
direct cu o teusiune Vp, tensiune ce coresplurde tinui nivei mic de injeclie. Formele de undd ce se
oblin pentru mdrimile de intercs sunt prezentate in figura J.2.a. Cwentul plin stluctnr'd este dat de
urmStoarea lelatie:

V-
'r 1a /=0
Ilr,

ir(t) : t. -1,.,(/\
I/,, \' /
"t la I e (0,1.,.) (7. 13)
tr L

+ Il,.-v
t/,-
t)t,,
,

la

Datorita faptulr-ri c'/a lla << 1tr se poate considera c/av,1{1 Zpgi, in consecinld, curentul irrin
stluctlud este:
I/F -L/A _ I/F
I- -t //-n\
* w/l (7.r4)
R,, - Il,,
- rF\r

llornrele de undd relev[ clar: faptul c-ala t : 0 dispozitivul comurd tn ctu ent.

lCoutrhre
,[ clirecti

l{egiru cle conclrrclie

FigLrra 7.1. CircLritLrl utilizat pentru analiza regimulLri de comutare
al urreijonc[iunip -n.

r99
 Ploblema care se pune este: de ce exista o intArzie in stabilirea tensiunii pe joncliuue Ia
valoarea corespunzdtoare curentului ce o parcurge:

v,t=r/rt"[f - ,) (7.1s)
)
Aceastd intdlziere se datoreazd timpului neoesar acumuldrii salcinii injectate itr regilttrea
activd de tip n, fenomen modelat prin inc6rcarea capacitalilor joncliunii (capacitatea de diftizie 5i
capacitatea cle bar.ier[). Capacitar'ea de balierd" este foarte micd in polarizare directb. gi de aceea
efectul acesteia poate fi rieglijat. in consecin![ ecualia de contlol plin sarcind in cazul polarizdr:ir
directe a joncliuuii devine:

; -T 1F
0Qrjt,xt,l), Q p$t,xz,t) (7.16)
IfI =
0t Tcl'

Condilia iniliala a acestei ecualii este Q rQ,, x2, 0) = 0 . Varialia in timp a sarclnll

acunrulate in legiunea cvasineutrf, n poate fi determinatd"rezolvdrrd ecr-ialia (l.16). Se obline astfel:

Qp$t, x2,t) = I t-' xct' - t"o[-*)] (7.17)

[t
Timpul, notat cu /.,., in care sarcina acumulatd in exoes fala de situaiia de echiliblr'r
tennoclinamic ajunge la 0,9 din valoalea sa finald Q16,,xz,@) = I p "c"1,, poartd det"Lt"turirca de litnp
c{e creStere. llxpresia analitic[ a acest'ria este detern-linat[ in continttaLc:
f ( /")l
'lt-expl -'"' Il=0,9'Ir'a"r = =ret 'ln10=2,3'r"s (7'18)
Qr(xr,r2,1",): IF.ret /cr
L \ t'r '/J
in acest caz, cdnd comutarea are loc din situalia de echilibru termodinal'Lric, tiutpul de
conrutare directd, notat cu lrr1, esle chiat'timpul de creEtere lr,'.Dac6. ittsd conrutarea directh ar fi
avut loc clin regir-rnea de biocare, timpr-rl de cotnutare dileotd ar avea doui componente: timpr-ri de
intArziere, datorat descdrcdrii capacitalii de barierd de 1a tensiunea -Vp la tensiuue nu1d, notat cu /.1,
qi timpul de creqtere /c,., corespunzdlor acr-unulf,rii sarcinii in regiunea activd cle tip rz. in
consecinld, timpul de comutare directf, este dat de expresia:
l"r1=1,6*t", (1.1e)

Dacd tensiunea directd aplicatd la intrarea circuitulr-ri este mate (nivel mare de injeclie)
forrneie de und[ ale tensiunii gi curentului se modificd (vezi figura 7.2.b). Supracreqterea tensiunii
1a bornele structulii se explic[ prin varialia r'ezistivitdlii regir-rnilor joncliunii gi saltului tnare de
curent prin dispozitiv, l/.{0) : Vrll?r. Astfel, rezistivitatea regir-rnilor neutre ale joncliunii la /: 0
este cea datd de concentraliile corespunzdloarc situaliei de echilibru temric. Pe mdsurd ce
concentralia purtdtorilor minoritari in regiruriie cvasineutle creqte datorit[ injec{iei gi difuziei
rezistivitatea legiunilor cvasiueutre scade.

200
 lcr=l cd

T
rF .rUF
Qixr.x2 )

0 g.T-'r-

il. b.
ItrigLrla 7.2. Courutarea direct[ joncliunii p-l--n:
a

a) la nivel uric de injectie; b) la nivcl rlare de injectie.

' 7.2.3. Cornutarea invcrsi a ioncfiunii p -n

Prur tlecelea comutatorului i( din pozi\ta 1 in pozilia 2 droda este comutatd invers.
Modelul de control plin salcin[ va fi I'olosit gi in acesL caz pentru dctelminarea timpului de
cornutare invers6. Fonnele de r,rndd caracteristice acestui pl'oces tranzitoriu sunt prezentate in
figLrra 7.3. Se obselvd c5. folmele de r-rndd sunt mai compiicate in acest caz,
ConsiderAnd ca momcnt inilial momentul trecerii comntatorului pe pozilra 2, se poate
afirnra c'ala t: 0 curentul prin cliodd va comuta imediat Ia valoalea:

(7.20)

'fensiunea pe cliodd nu poate varia brusc deoarece sarcina acumulatd in

exces fatd de
situalia de echilibru termic in rcgiunile active ale joncliunii se evacueazd intl'-un timp finit.
Evacuarea acestei sarcinii se realtz.eazl prin curentul invers ia(t) gi prin recombinare. Timpr"rl l, in
care tensiunea pe joncfir-rne rdmAne pozitir,[, adtcdt,rt > 0, poartd. dennmirea de tintp cle slocare.
Analitic timpr-rl de stocare se poate defini prin lelaliile vr1(t,): 0 sau p!,(xr,/") = 0 .

20r
 \i-,f-uL-FL'lir

Figura 7.3. Cotlutarea iuversir a jorrcliLrrriip-rz

Curentr-tl prin structur[ iu acest intelval este dat de rela]ia:

I/,,+\',,(l) I',,
1,,(0<l<1"\- t( "t\'/ --L:ln (7.21)
ll,. ll t

Astfel. se poate considera c/atn inturttalu/. de lintp 10.l11 cm^entul invers pt'il't slt'Ltcltu"d esle
colstunt. Folosincl erceast[ aproxin-ralie ecna]ia de control prin sarcind pentlu acest interval de timp
devine:
An (-
uvn\"LI '- r\ () (,' r' /\
, rt )12tt) Yp\nlrrlrr/ (7.22)
|
-r -
oI -
Tct'

Condilia iniliaiir a acestei ecualii este:

O (v. 0\-/.-.t (t.23)
Vp\'rl>41v^)v)- /1: tcf

qi, in consecin!f,, rzarialia salcinii aclurLllate in exces fala de sitr"ralia de echilibru tertlodinamic in
regillnea cvasinellffd de tip n in intet'valr-rl 10, /r'l este:
I tl
Qp\1,xz,l)--l,r'rer.* Q,,+ I,r)'rer"expl -fT.r' | ' Q'24)
o<1<r" \ /
l:-olosind relalia analiticd de dchnilie a timpului de stocare, vA(1,) :0, se obline:

Qu(*r,xz,ls)= Ai'Q' j..,'[rr,, (x,t)- P,,of '&=

Q'zs)
= Ai.Q Jr''"l^t
[,,p,,0 [."0 Pg-il-rl
n )
.,'[-t"l
1,,
n = 0
) \ )
in consecinld folosind relaliile (7 .24) Si (l .25) se dedr-tce explesia tirnpului de stocare:

202
 Qp@,,x2,1s) - -l R 'rcr' * (1,, + 1,,) 'rcr 'exp(-1,/t","' /)= I = (7 '26)
1, = r"r' 'ln tl+ I,l I R)
/1

in reaiitate sarcina Op(xr,xt,lr) este diferita de 0 gi, de aceea, aceastd expresie a timpulr-ri in
ceu'e tensir-rnea pe joncliune ldnrAne pozitivd conduce la valori mai mari decAt cele obtinute
experimental.

Odatl erzacuatd salcina acumulatd ?n exces din regiunea ovasineutrd n, tensiunea v/(l > /s)
devine negati\/d, r'ezistivitatea regiunilol joncliunii creqte Ei culentul invers incepe sd scadd cdtre
1,, Tirrrnrrl
/U, rlecesnr ?'^^x"^x":r
J rrrll./Lrr rruvuJclr '""^^^:+x1li Lrv
lllLallUatl ll L(llJClultd.Lrl uqr rvrcr a
de harieri ionctitrnii de la 0la tensiunea invelsl
q JU

Irn - Io./i1 poarta denumirea de lintp de descreSlre qi este notat cu /4r".

Ecuatia de controi plin sarcinf, pentru inlen,alul (/r, /'+/,,r"; devine:

! ,,, _: 0Qu6,,r:,1)- 0r(.r,,.r:./)-.,,/\

-/R \/ i
clr,,,(l)
(7.27)
Al a" ,ll
AplicAnd I(ilcirhoff II circuitului clin figura 7.1 se obline:
vn(l) = I/R-iR(t)'llr, (7.28)
?,
Irrlocuind (7 .28) in (7.27), aceasta devine:

.. /,\ - AQ,,6t,xz,l) , Qp\t,xz,l) T, w. ,-, dift(/)

(7.29)
-l 1q\t ): - j' 1\t,
Al ," ,1,

Din lclatia cle definilie (7.6) a sarcinii Qp se observf, cd in intervalr:l de timp (/r, 1.,-t-1u..;
aceasta este fbarte micd gi se poate neglija in expresia (7.29):

-i nQ) C
i'1lr' dl^ (r) I dr (7.30)
=
Conditia iniliala a acestei reia{ii cliferenliale este:
la(1.,) = 1a. (7.3r)
iat' solulia corespunzdtoare este:
(,\
.cxpl -'j:
iR(t)
=
1a
'1,- ci'llt.)
; I
(7.32)

Uzr-ral se considerd ca 1a /: ls-l- /ds' curentul invers prin structttrd a scdztrt la valoarea 0,1'1a
:;i dcci explesia lui /.r., se deternrind cliu egalitatea:

[')
0" I . //r = ./o .cxp
| -rj?
-.i 'r./.
|
(7.33)
\ ,/

ce conduce la:
/dr. = 2, 3.C.i . llr, Q .34)

in consecinfd, timpul cie comutare inversd al joncliunii p-n, notal cLr l6i, esle dat cle expresia:

t,i :t.,*/.lr. ='c.1,.ln(t+tnf t,r)+2,3.C:j.llr. (7.35)

203
 7,2.4. Mctodc dc micqorare a timpilor dc comutare

Relaliile (7.18) gi (7.35) aratd clar faptui cd tiurpii de courntare 1.7 gi 1"; depind atat de
modul telrnologic de realizare a diodei (timpii de viald ai purtdtoriior minoritari, capacitatea cle
barierd). cAt gi de cit'cr-Litr-rl cxtctior, prin valorile cltrclt{ilor IvEi Ip
Trei nrclocle lehnologice sunl in general folosite pentru reducerea timpilol de corirutare:
. cre$tet"ea clensitirlii centrelor de recontbinare a purtdtorilor de sarciuir; doparea cu Att
recluce t.1'al purtdtolilor cle sarcinh in Si 1a i 0-l0s;
. ltic,yor^oreo clinrcn,s'itutilor' .strutclurii: micgoretrea ariei jortclilurii coucluce la sclclerea
capacitdlii c1e balierir, iar micEorarca llrgimii regiuuii de tip t1, x2- Jl, cottdllce la scdclerea
tirtrpr,rlui dc via[ir clcctiv al lrurtdlorilor clc sarcirrd;
. folosirea ttnor structru'i de tipttl p'- n - lf in care regiurea c1e tip n este foarte sublire,
cnnoscute sub denr-rmjlea cie structuri cu contact de purtirtori majoritari (ntcrjorily ccrrrier'
conlacl);

O diocla specializatd pcnlrlt lucn:l in regim cle cotnuterre este clioclct cu revenire in lrectplii.
step recottery) (liocle. Structura este de ttp |t-i-n. cLl Llr1pr:ofi1 clc ilrrpr.u"itdti rieuujfortl, ce determiud
folmarea unui cAmp electric intern ce sc oilLule difuzici pultdtorilor ttiinot'itari, aslf'el incAt sarciua
stocatl este inmagazinatit in imediata apropiere a regiunii cle tlccere. Ca ttrtnat'e sarciua stocatl.
care ltLr se dispctseazd clatoritd lrrezen!ci legiLrnii itrltirtseci, estc clinrirratd rapitl apt'oape irt
iritrcgirne in tinrpul de stocare. Deoarece capacitatea de barierd cste Lnicd gi peutru cf,, iu acesl caz,
er:oriie aproximirrii Q,,(i,);:; fl ss11i c;xiein c1e mici se obiine o forma cle i"rnc1f, petilt'u cttLeili aproape
clreptr-rngliiulara (vcz.i figLrla 7.4). clc Lrndc Ai rlctttrtttirca acestui dispozitiv. l-inrpii de tlanzi!ic
clispozitiv sunt cie olclinul 10-e-t10-lls.
oblurr,r1i cu acesl
O alta categorie cle ciiode specializate pentrul lucrul in regim de comutalie il constitr-rie
diodele Schottlgt. Acestea, fiind stlucturi a cdror funclionare seba:zeazia pe transportul prutirtorilor
rnajoritari, nu niai acumulczd sarcind, astfel incdt /r: 0. Aceste cliode au fost preze utatc 1tc larg in
capitolele 2 gi 3.

O nrctodci rie circuitmenitl sf, reducir timpii de comutare inversl ai diodelor este prezentatd
in figr-rra 7.5. Plin lcgalcn in paralel cu rezistenla cle sarcin'a Rt a unui condcnsatot'C se poate
redncc parlial sau total timpul de stocale. Condensatorui C poartd clettuurilea de conc{ensulor cle

cotnpensare satt de accelerctre.

La I :0, datorit5. saltuh-ri de tensiune la intrarea circuitului gi tensiunii mici pe dispozitiv,
condensatorul Csepoateinchrcacusarcina Qc=C'(Vr+Vp).Dao6"aceast[sarcindQ6estemai
micdcaceastocatdindispozitivlaarcestmoment Qr@r,iz,0)=lp'r"1,,ttttntai opartedinsarcina
stocatd este preluatI de condeltsatol', sarcina rdmas[ Qp(xr,xz,O) - 0c fiincl erracuatd iutr-un tiurit
t',..t, (1, fiincl timpul c1e stocare corespunzdtor situafiei iu care condensatorul C lipsegte din
scl-remi).

204
 Irigura 7.4. Forma de r"rncld corespunzbtozrre clrrel-ltlllui la comutarea irrversb a Lrnei lil{D.

.il R-
--L

FigLrra 7.5. Ilxemplu de metocld de circuit folositir pcutlu reclucerea

timpLrlLri de comr-rtare invers[ a uuei diodep-n.

Dacd sarcina p6
este egal[ clr Qp(xt,xz,O), intreaga sarcind stocatd este transferatd
condensaton-riui C Ei timpul de stocare devine nui. Aceastf situalie corespunde alegerii r-urui
conclensator cu ca1:aci tatca:
Il' L,,t rli'Lrt'
r-----r
v::-unr,r,,, (1.36)
l" ,,. + I/
',
,, .
Jl,. (L' + L' ,,)
Dr,rpii plelLlarea completd a sarcinii stocate. tensiunea pc c.:apacitor soacle cdhe zero cLt

constanta de timp rc =C./?,- (clacd se neglijeaz/a capactlatea cle barierd a joncliunii diodei gi se

considerd ci in conduc{ie inriersd R1s---+co).

7.3. l{egimul de comutare al TI}.I

7.3.1. {Jeneralitifi

Func!ionalea tranzistorului bipolar in regim de comutalie implicd trecerea bluscd a acestuia

din starea de blocare in starea clc conduclie (comutarc dilect[) sar-r din steirea de conduclie in starea

de blocare (comutar:e inr,'clsa). (lornirtalea'filJ se poate lealiza pentlu olicare conexiune a sa gi cu

un semnal de excitalie atAt dc tip tensir"ure cAt qi de tip curent. Bineinieles oir timpii de comutare ai
'tBJ diferir in ftrnclie de concxir-rne gi in funclic dc lipui snrsei cle semnal care comandd comutalia.
Tlebuie subliniat faptLrl cd, indil'crcnt de conexinnea cle funclionare a fBJ, rdspunsul acestuia la
aplicalea unni semnai trcaptd de valoare marc pe inlrare, este considel'abil mai lent deoAt rhspunsul
la aplicarea ur-rei trepte de somnal mic. Acest Incru este pelfect logic deoarece, in momentul in care
se initiaz[ regimul tranzitoriu de semnal mic, 'l'l].T este deja poiarizat intr-un punct static de
fi;t-tclionare, valorile elenenteior cle senrnal nric ce mocleleaz[ functionarea acestr-ria fiind astfel
constante bine defi nite.

205
 TB.I satisface cel mai bine cet'inlele uuui courutator cotrratldat, -\tc
respectiv ale unui iuversor logic, iu conexiune EC. Avantajele oferite rVi
de aceastd conexiune: putere de cotnauch micd, rezistenld de iegire
mici in conduclie gi mare in starea de blocare, cufent reziclr"ral tnic ctc.,
au inrpus folosirea ercesteia pe soard largd in realtzarea circuitelor tnai
sr:s menlionate . l)e aoeea, str-rdiul comutaliei TBJ se va face pe Llll

astfel de circuit, prezetrtat irt figLrla 7.6. lrigura 7.6. CircLrit itrt,cl'sot'
Timpii cle corlutare diLectd q;i invers[ ai fl]J se vor determina cu TBJ in conexiurte EC'
folosind rlodelul de control prin sarcind. Acesta este un model de regim cvasistalionar qi ca atare
nu poate pune in eviden![ timpul de tranzit prin difuzie al pttrtdtorilor minoritari plin baza.
Ecualiile generale aie moclelului de control plin sarcind pentru TBJ intrinsec de tip pn7r, deduse in
capitolul 4, sunt:
; tr\) -- Q,tr'(o,l4t .t) dQ BR(O,14/, t) _ Q,,,r(0,14t, t ) Q,,,.(O.W,t) _Arlnc
tc\,
Xt, 0t xnR xtt 0t
0q r"
: 0Q,,,,(0,14r,t) , Qor(0,14/,t) , AQn,,l),l4'^t)
-f-=-==-t--T ,
Qu^(O,14r,t) -1.--r- 0q,',
(7.31)
i
s(t)
0r xBI 0t rnR 0r 0r

aQBr,(0,'t4/,t) QBR(O,ttr.t) 0q,,.,

i FU): At r,p xF TR
f-
0t

Dac[ tt'anzistorul bipolar' funclioneazir in I{AN gi eficienla Tr a aoestuia este 111a1'e, se poate

considera cu o bunii aproximalie c'a Qnn(O,[il ,t) = 0 $i deci relaliile Q .3]) cleviu:

ic?) = Q,t,,.(0,[4/,t) *Aqrc

xt- 0t
0O,,,(0^ll.t\
; l t\ I _ " LDl'
\') )' ./ | O,,,-(0.11/.t\
>altl' \") ' )' J , aqrc , ocl,,r:
-|- (7.3 8)
Ll!\t
-
al
;-

aBF Ar Ar

jtl\t):
,J\ 6QrrF(0,14/,t) , Qu,,(O,llr.t)
-
Q,to(0,1'V,t) -r-
0q,,,
-
,

Al \* at, 0t

De asemenea, iutroducAncl capacit[li1e de balier[ de semnal meue aJe joncliunilor stri"rcturii

ecualiiie (7.3 8) devin:
,,\ Q,tr(0'tl/ 't) -urC'
-'tc\t):
T.F -
ol

LB\L ) _
oQ,tr(o,W,t) . Qon(0,n/,t) ,
* -tvil' ^ d,rn
A,
,,
-wic'
Ar,ro
(1.3e)
0r W At

:tn\I)=
,!\ )Qur(O.W,t) , Qrsr(O,W,t) , Qnr(0,W,1) , n
- - --1f'
d,u,,
A W V g
Datoritd faptulr,ri ca in RAN ioncliunea emitor-bazd este polarizatl direct, capacitatea cle
barierd Ci6 este rnicd qi cfectul acesteia este neglijabil:
, J\ Q 1j,. (0,14r .t) /-
:LC\t): 0r'r,
(1.40)
-LiC' -
TF ol

206
 0Q,,,,(0,[4/,t) ,Qu,.(0,W,t),n 0r,r',
i,t(t) = T---1C'-
0r T Br, 0t
(1.40)
i,,(t) =
0Q,,,,.(0,14t ,t) Qo,,(0,14t ,t) Q,tn (0,[4/ ,t)
0r r Br, Xr

Atunci cAnd fll.T funclionea'zir tn regint d.e scrluu'alie sarcina acumulatd in exces rn reglunea
fi deSCOnpUSd iu dOUd OOmpOpente i1 dOUd tfrOCllri diferite:
h.-,-,ai rrnrrlr-a rrnqfa

Qu(0,14/ ,r) = Qsp(0,'t4r .r) + Qou(0,[4/ ,r) , (1.41)

a$zr clulr s-a plocedat la cleciucerea nroclelului de control prin sarcin'a(vezi figura 7.7.a);

Qt(0,LY .t) = Qrs, (0, U/,t 7 + Os (0, il/,r), (1.42)

r-rncle Qs51(0,14/,1)Teprezintd sarcina acumulertZt in regiunea bazei neutre, iu exces fald de sitttatia de
eclrilibru termodinauric, Ja satr:ra!ie incipientf, (r,rn> 0,vcn:0), iar QsQJf,t) r'eprezintd sarcina
acumulath in cxces fald cle cea acLrmlrlatiala saturalie ir-icipientd (vezi {igr-rra 7.7.b).
inainte cle a tlece la clezrroltarea unui mociei cle control prin sarcind pentru regiunea cle saturalie
lrazat 1rc desconrpunerca (7.42) trebr:iesc liimulite cAteva aspeote legate de constantele de timp
corespunz[toare purtiitorilor minoritari cle sarcind in sens direct gi invers plin stmctnrd. Pentru
trarrzistoalele icleale intrinseci rt.-: rp-lr $i TBt,: ^tuR: 16. Aceste constante de limp diferd doar
cincl cloiraleer berzei nu este unil'ormd gi in aceasth regiune existd un cAmp eleclric inlcnr
ertur-rci
care. in fLrnclie de clilcclia de transport, aocelerceuS" sau inoetineqte deplasarea purldtorilor cle
sarcinii. 'l'otr,rgi. llcntrll er clcscric tiurpr-rl de via16 al pr-rrtdtor"ilor minolitali in bazd rp. r'especlirz
linrpr-r1 dc transport al accstora prin bazd ln, Sllll(l a introdus conslcrnlele de linrp entpirice rnr,'$i
1734. respectiv rr. $i rn. pentru a inclr,rcle gi reconbinarea la suprafald (caracterizata cle timpi cle vialir

ai pr-rtdtolilor de sarcind di1'eri1i lald cle oazul recombinirii in volr.ul) gi pielclerile datolate
geomctri ci rcale er structr.rrii fi onc!iunea co lec tor-bazir nesuprap Ltsa).

\
l\
lo*\ F

\Ii

ll.

0 \\/ w
lrigLrra l.l. Cele doLrA posibilitiili de clesconrpunere a distrit:Lr(iei de pLrrliitori cle sarcinir
rurinoritari acurlula!i iu exces in regilrnea bazci ueLrtle.

201
 Aceste constante nll corespllrid unei realitdli fi,zice gi o rcprczctttaLe mai corect[ ar fi
partajzu"ea structurii rcaie zr TB.l, moclelat'ea sepeuatd a partilii1or, sLln-iarea corespunzdtoare a
componentelol oblinr-rte prin moclclarea partiliilor qi apoi adiingarea recombindrii parazite cle
suprafald, decAt introducerea unor constante de tirlp,cmpilice.
tjrmAncl acceaqi linie de intloducere a unor oonstante cle tinrp enrpirice pentru includerea
unor efecte parazile, SEIIC a introdus o nouir constant[ dc tirlp erlpiricd t5, rralabil[ numai in
legim de satura{ie, care s[ inclucll efcctele de nivel tnare de injeclie gi c1e plstrare a cttrentului cle
colector in leginr dc satLrralie la o valoale aproxiurativ cottstatttd" (data de circLritul extelior).
Coristarita de tirnp 15 poaltd dcrrumirea de timp cle viald echivcrlenl al purtdtorilor de sarciuh
minor'itali in regim cle sctturalie. Relalia de dcfinilic peutt'u tinipr"rl dc via{d echivalent al
purtltolilol tlinoritari 1a saturalie este:

^' _ Q,s(0,t4/)
L(,-- (1.43)
Io-lns,
uncle s-a uotat cu 1s51 curefltulclebaz'a coresirunzdtot'saturalici irtcipietrte. dat de expresia:
r , /()
:11.51/l)7; (1.44)
1/JSr ,

in cerre 16.51rcpr"ezint[ rraloarea clirentului cle colcctor la saluralic incipicntf,.

Irolosincl relaiiile de mai sr-is qi !inAnd cont de faptul cf, in satut'ailie sc p<tate neglija el'cctr-rl
capacitdlilor cle barierd de semnal mare gi de limitarca iutpusit cle circuitul extcrior curetitului de
coleotor (lcrur:, Issl),ecucrliile moclelului cle conlrol pt'in sarcirtfr penlru reginu,Ll c{e scrlttrctlie devin:

i6(l) = /c.sr = Qo.r,(o,Ur,t)

xt,
r)
v/JSl\v1'/
(0 l)t/\r/t\ o,(0^l4r.t\ ao,(0.lu.r\
: /r\
IB\I)- _1r-_ (t.4s)
TBF -.) 0t
r) (A
\//JSl\\/r/rItr/ttr\'/ /) (fi ltr/\l r\/ /) li lt/ r't\/ )Qr(0,14r.t)
+ *'" , \\/r'
,' /r\ \/qtv.,r V/JSI
/ t-T '
'1;\r -
T BI, T5 TF 0t

7.3.2. Cornutarca TI].1 in, rcspectiv din, regim activ normal

Consicleriuri cd ataciim ctajul clin {igura 7.6 cu un semual prezelttal in figura 7.8.a. Nii,elele
l/ p Si I/ p sunt alese astfel incAt sd fie mr-rlt mai mari ca I/y $i sir indeplineascd coridilia:

aV- ( /.r'
t\
_Iu",
trr) | - (1.46)
r \B Fn
in care

t- vcc -I/,rcst *I/cc -l/no

lCSI -
(7.47)
R.-
^ -(- II,
astfel incAt llB.l sa cornute in resim activ normal.

208
 Rdspi-rnsr-rl circr-ritulr-ri la erccst semnal impleund cu varialia in timp a distribu{iei purtdtorilor
'l'l].I sunt prezcntatc in figirla 7.8. in stare blocatd
nrinoritari Ei cxcLu'sia ptrnctului cle I'Lrnclionru'c al
(punctr,rl B de pe oaraoteristjca statjcd dc iegire prczenlatd in figula 7.8.) anrbele joncliuni alc
i'^''-i-r^""r"i ^""r :olarizate
Llcill/-t)L(JL LuLtl JLlrlL I in\rers, tranzistorul fiind palcllrs de un cuLent lezidual mic. La /:0
polaritatca scmualului de intrare sc schirlb[, ini!iinclu-se astfel procesul cie comutare direotd in
re-einr actirr de ftrnclionare a ]'ilJ. Din pr-uict dc vccicle zrl fenomenclor fizice comutetrezr ciirect[
poate fi impal'1itd in clou[ faze:
. faza i rapidd ciatoratir desoiu'cirrii capacit[1ilor cJe bzrrier[ ale structurii prin fluxLrli de
pr-u'ldtori rlajor:itari ai regir,urilor inrplicate in proces;
. laza ll mai lentd clatorat[ c]ifuzici pr-u'tdtolilor minoritari inbaz'a.
CAncl timpr-rl de intArziere datorat fazei ll este mult mai mare clecdt ce1 datorat fazeil atunci
ccle clor:d feuomenc pot Ii separate gi tr:alatc inclepcnclent. in accst mocl se va prooecla iu coutinuerre
pcnilLr clcteltlinalca unei cxpr:esii analitjce per-rtrr"r timpul cle conrutare dir:ectii.'fotr-rgi, in
lranu-istoarele modelne dc conrLrtatie, timpii dc intArzicrc clatolali celor cloud faze suut comparabili
;i dc arccca fcuomerre]c 1r.r sc ll()t scllara;;i nu sc pot tfata indctrrcuclent.

inturzierea clulorctlir .fhzei I se pou]te cietermina neglijAnd l-enourenele corespunzdloare

purtbtorilor rlinoritali. Tn co'rsecin{4. modehrl cle control prin sarcinl fvrntzeaz'aurrnzitoarea reialie
penlru curcnlul de bazit:

,r,(/): c,,, !?!+('p: tl\- (7.48)

/\.
iU dl
uncle r,,.,, $i lcyr reprczirrtir cziclclile c1c tensiune pe jonclirmile corespunzdtoeire tlanzistorului
intrinscc.
Irr intclrralul c1e timp corespunzirtor eiccstei laze cr,rrentul cle colector poate fi consiclerat nul
qi deci
t',,r' l1r-, : \,
t.tj, i- l,/j,c.
= (1.4e)
0 : dt'*, -l- Clt,r,-,. Clt,..rr, : - d.'
= -Clr,rr,,, ,r,r,

in consccinla ecr-ralia (7.48), pentu-r accst circr-rit, dcvine:

,-l'
iuU) = Q,,, +c,c
- ).+ c]1
(7 50)

F.xprcsizi curenllLlui de bazd f'ulnizatir de circLrit (r,ezi ligLrra 7.6) este cleterminatA ir.r

continnarc:

.dt'tn, (7,s2)
clt

209
 [-)r1
(X ]

tel

0
1-r,, t:i )

l_).

{f. --_.
Pt-ro

T.n,t
T.,-.,..

T-"
rI1-)
-
,fi,re:r1-rt::r _

!--0e sflfcrllt
T.. r

ler

fl\trl \(,:{l

l\tr.*,1

-l'BJ
FigLrra 7.8. CourLrtarea in/clin regim zrctiv uonrril:
a), b), c), cl) l'crrmele c1e Lrndir caractcristice courutdrii;e) distributii ale concentratiei
pLrrtatorilor rrinoritariin baz-ir la clif'erite l.uonlcnte corespuuzirtoare conrLllArii clirecte; l)
clistribLrtii alc conccntlatiei pLrrtAtorilor nrinoritari in baz.it ltt dif'critc l.nomentc
-l-IlJ.
colcspLlr.lziitoarc comutitlii iuverse; g) excLrrsia pLluctlllui de f'Lrncf ionare al

cu oonditia iniliala v nt! (t - 0) = -V n $i soluiia:

- / rl
'tc'))ll-u;.cxpl/ --'rcl
I \ I r)
,Frj,(t)=v, .l I-cxpl - l=v,,--(v,. +Vn). cxpl --rc'l . |
(7.53)
L \ \ \
ConsiderAncl c'a faza I clureazd pAnd cdr-rd tensiunea 1.'r-73r, coreSpurrzdtoare tranzistomlui
intrinsec, devine egald cu tensiuuea de deschidere a joncliunii E-B I/0, se cletermind intdrzierea
corespuuzdto are zrceste i faze:

tt
oor
(1,11) =V, =V/, - (Vr, +Iiiil.exp(-t,,, f q.) (7.s4)

210
 /,, = x(: t"(ry1 :,n, -r roo,)' (C 11;
+Cic)' ln
(+#) (7.ss)

incontinutire se cielermin[ intdrzierca clatoratd fenomenelor ftzice ce lin cle diluzia

pr"trtdtorilor minoritari. aclicd trtl(irzierecr corespunzirtoare fazei IL Atunci cAnd tensiunea vEB
devitre pozitivd iucepe inleclia de pLrrtdtori minoritali in regiuneabazet, astfel incdt la finalr-rl fazei
I sarcina acuurulatd in regiunca ba'zei nclrtre, neglijata in dezvoltarea anterioard, este mic[ clar
diferita dc zero (vczi distribulia corespunzdtoare in figura 7.8,e), fimpul necesar accstor primi
purtdlori de sarcind injcctali inba'zlr sdr ajungii la coleclor se evalneazEtla 113 ciin timpr-rl cle tlanzit
al pLu'tdtorilor rliuoritali plin bazi. adic[:
11 :
l az = 7'l B
JJ
-'a t, (7 .56)

in conseciulir, tir-npul clLrpa carc curentul cle coiector incepe sI creascir vizibil cstc dat cle
e xpresia:
( v,- *tr,.\ r,
p) Urli;
r
l,t = | * / az = (,R, + r',,0, ). (C ir + C (1.s7)
", a )*
I)upd co tranzistorul intld in I{AN, curentul de colcctor nu cregte brusc la valoareei
Igp=pp,lnF=[]t,.(VFf llil. intAt'zierca este cauzatd cle timpr-rl rlecesar formdlii clistribuliei
coresputizdtoare,ft'7. (i,ezifigula 7.8.e). Intervalul cle timir in care curentul cle colcctor cregle cle la
0,1.1('F la 0.9..I,.,,.- se numcqtc lintp de u'e+'lere sau de riclic:ctre ;;i se noteaz/a cu /",.. llxpresia
anaiiticir et lui 1..,. se dcclLrcc lbiosind ecLratiile moc'lch-rlui de control prin sarcinir valabile in itAN
f 7 40) conrrrlelate cr.r lclatiile clc cirouit:
\'.'",/
1'Iic:Iic:c - llc 'lr
(7.s8)
i,sQ>1,,)=10,, : vt.f 1l tr

ConsiclclAnd cd tr,. este consiclerabil mai rnerre ca l111 se iroatc neglija courponenta cle
pr-rrtdtoli rrrzrjoriLztri C p R( Gi( f d/) a curcrrtulLri clc colcctor q;i fcrlosincl relaliile (7.5 8) oblinem :

/-\ lA t.f/ ,\
; //\ - U61:\v,rr 'l )
T,
L-
(7.se)
I- 4Q,,,..(0,14t .t) Q,,,..(0.14t.r) oic:
't't + C.1g ' llc.
- r
Ar RI' 0r

ElinrinAnd O,,,,. (0 -14t, t 1 intre cele dor:d reiatii re'znllh er:rral jn diferentialh:
1,,,. /(' (/ ) 0i,'
t7. -t- C'.71 111' r 1j1: * [tt 1.
.(' .
1a ll1'
'dr
J-
'
(7.60)

cr-r conclilia iniliald i6.(.r :1:) :0,1./,".,. qi solulia:

2Il
 t I )l
ir.(t) =[': y. I 1;1, I I -0.9 ciX ttl
^I t-
\. xtt +I ^lt, .Rc tl
(1.61)
L
T BI; ic ,))

IntroclucAncl relalia (7.61)) ir:n(ccL c( ua!!iia ( 75 L).til )se cieterrm.tltJlar exilresla analitic[ a varialiei
sarcinii de pr-rrtdl.ori miuoritari actti llllrulrate:in
rlal tl.exX(ces in11 baz'aLiaco)lllrLIltarre clirectl:
11

t t).cexIp)l-
l-lz \.1
tl (7.62)
.9.
I

Q 0,, (0,[4r .t) = r u,' 1,t,,' -C0,! tl

\ T.t]F +$p'C,c 1ic
))
l1
'fimpr,rl clc cregtere sc dech IC cclIin,'br.o alit ate)a:

ic,Q) = 0,9' IcF , (1.63)

cle uncle se oblinc:

t", = t3 - l) : (r u,. +9 r' C ic:' 1?.)' ln 9 =2,2' (r 3p+1.37'' C7g' 1?c) (7.64)

in conser:in!d, tirl]pul de cotnutare clirectd a "t'BJ in RAN este:

|"d=l4t-F/r1't*|,,. (7.65)

La |:
fu polzuitatea senrnalului cle
jntrare se schiutbit, iniliindu-sc rcffel rrr'nnecrrl r'lc
courutare itrversd clin regitn activ de funclionare iti legim de blocal'e. Din
rrr rrrr'1 r'ln rrerlet'r. al

fenonrenelor fizice comutalea inversf, lroate Ii iiripirrlitir in clor"r[ faze:

. faza Iil datoratd evacuf,rii sar:cinii acumulate in ba'za ueutrd pf in trccerea purtirtorilor
1-rinoritalj inalroi in emitor qi prin recombtnarc cu puitdtori majoritari asigurali de
culeutul de bazzi;
. faza lV clatorala incdlclrii capacitirlilor cle bat'ierl ale strr:ctttrii.
Faza III este caracteryzztlir de timpul cle ciic{ere, notat cu 1,1.,-. clefinit ca tinipul in cat'c

curerrtul cle colector se tnicgot'eatzir dc la 0,9' IcF la 0,1' 1.o.

La comr"rtzrLea ilve rsd curentul cle bazir varttv.ia prin salt 1ti valoareel:

i ,,(t 2 t,,) = -l tsn

= -l/R f IIB Q '66)

IJxpr.esia timpului c1c cdciere se cletermiul clin ecuatiile rnodelulr"ri

analiticl a c1e corltrol pritr
sarcind completzrte cu r:ela1iile c1e circuit (7.58.a) Ei (7.66):

..
I.\l
/,\ .- O,,,..(0,14/.t)
't- \'I ./| --
TL'
(1.61)
Qr?,. (0.14/ '\
, _ 0Qu,.(0,w ,t).*:;"+Cp'Rc;
A:
-tntt7
llliminAnd Qo,,(0,W,t) intre etceste ecr,ralii se obline:

-[i r,' I r)R = ic * (c s,, + f) p' C p' 1i,')'*,

Ar'
(7.68)

ctr condilia inilial[ ic:(tn) =fs p' I sp qi solLrlia:

2t2
 l. -lA
ir.(t) = -l, ,
1, I sp + l.J r. ' (l rsn + lr,,).."p[- (7.61))
r3p*l)p.Cp:.llc.
Din relaiiile

t'(loo):0,9'lr:r.'
lc.(/1; .
r) = 0,7 l6;p
(7.70)
ldcr-10-9-r(J.l

se cleclucc expresia timpr-rlui cle c:iiclere:

I 4r, : (r 61,+ [3y . (-',c.',4,.). L' *W (7 7t)

y;y'l6p+0,9'lct.'
dc odcielc este cu atdt niai mic ctt cdt raportul Innllsr, este ma i rnare. hltroclncAnd
'f in-rpui

relalia (1.69) in ecualia (7.67.a) se obline expresiet analiticd a varia{iei salcinii Qo,,(O,1(,t):
( ,-,. )
Q,,r.(),\'[/,t)=_anr.'Iu,,-rrur'(]uttr.Is7.) expl -*, : ." l7.12)
B/. - /i \_jC t\(,
-f . I

\ l.) )
'l'itttpttl de c'otrtttlcte inver'.\d, llottlt oll lgi, se deline;te ca intervalul dn 1irrrrr ccrrrq irrlr'c
qi rrrnrrrr.rrltrl
nrourentul aplicdrii semnalulur de comanclf, a comuta{iei it'rverse circttitului lrl zei
cfincl curentr-rl de colector scacle la 0,1 clin valoarea sa iriilial[ (adicir Ia 0,1 . 1c'n'). in consccirttd
iirlpul cle conrulare ittvct'sit clitr rcgit-ttrea etciivd este:
/ci = ltlsc (7.73)

Expresia tintpr-rlui clc comutare inversf, nu incluele Ei intAr:ziet'ea datir de fenoinenele lazei a
IV-a datorata inczircf,r:ii capacitalilor cle barierd. $i aceastf, iutArzire se rroate delclrlirra nrin
r-rtilizarea moclclnlui dc contlol prin sau:cind:

i /r\-
):.. ,' i/i .'1t':u'-rC,r..tlt'.r:.
t tJ\t , --./( i(.(/)=(.) :
(7.14)
Cl/ C{t
Din ccr-raliile cle cir"cLrit se deduc relatiile:
r.'16 i It'('(. =\t,-ot !\)urg,
r'r:r = -cit,n,c. = (7.7s)
0 = c1t:,r,,, l- cltrt c. - c7\t,r,r, ,

*i tr?') ' (/lu + ) - I" u = tt ,tu U)

''nn
cc concluc la ccr,ralia clifclen!ialit:

i,(r ) = -(.(' 1r:

t- (; y.)' (11,, +,',,, ).W
dr
(7.t6)

cu colrclitia iniliala i,,(l =t)=-lrstt=*(t,'*f |ltr) $i solu!ia:

,( -lo I )
lr(/) = -1nn.."0[ I (t.77)
(C.tr )- C y.) (llo + r,,0,) )

213
 llxpresia aualjticd a irrt6r'zict'ii cot'cspt-ttrzdtoare fazei lV se clecluce din relatrile:
i nQt) = --0,1' I BR (7.18)
)
l'ar, = l't --1r,
qr eqle

tta,, :2^3 ' (C

11;
+ C y)' (11,, + r,,n ) (1.1c))

7.3.3. Comutarea TIIJ in, respectiv din, rcgim de satutafie

I)ac[ ataciul etajr-rl clin figura ] .6 cu un semnal v7(/), prczetriat itr figura 7.9.a, ale cdt'ui
rrivele [/p qi I/p s;unt alese astlel incAt sir indeplineasc[ concliliile:
v.. , 1cs,
[/1,',1/p >> I/1 L> lusl: (7.80)
t) u ,
r \/J Pr
corlutaLea'fll.T se rra faoe in, rcslrcctiv din, regim de saturalie .

It[spr"rnsr,rl cit'cuitr:h-ii la acest sculnal, imprcun[ cu varia{ia in tinip a distnbufiei

pr-Lrtirtorilor rtrinoritari gi excr.rrsia punctului de funclionare al TilJ sunt prczentate in {igura 7.9.
Dil punct cle vcclerc al I'cnonlcnclor {lzicc ;i in accst caz couu.ttat'ca clircctd poatc [r impdr'!iti in
cloud J'azc: fazlt I corcspr-u-rzit"toarc clcschrcirrilot' capacitiriilor cle baricrii gi faza II cor'cspLtnziitoat'c
proccsclor lcgale dc diluzia pr-Lrtirtorilor cle sarcjuir rtrinoritari in baz-i. Se obsen'A clt la courlttarea
dilectir culentul de colector se limiLeazd la valoarea
/crn, i [/(:(:f ]l(:. (7.8i)
Fenomenele ce se pctfec iu strr.rcturd in intervaiele cle tir-np lr11Ei lrp sr-rnt sitlilare celor cle la
conrutarrca clire ctd in regirl activ nonlal gi de acccii exprcsiile analitice ale intdrzierilor
corespunzZrtoetrc suut datc relaliile (7.55) 9i (7.56).
tot clc

Lttcn,alul dc tin-rp in care curcntul clc colector cre:;te cie la 0,1'1.r, la 0.9'.I,..5, se uunrcqtc
tiltp cle L're$tere seru r1e riclicare qi se notea't.'a cv /.,. CotisiclerAnci cf, in acest intcrval c{c tirr-ip
tranzistorul lunclioneaza in IIAN gi c[ /., este cousiclerabil mai mare ca 1,11 se poate ncglija
cornponenta de purtltori majorital'i a curentului dc coiector qi folosind rclaliilc de circuit se reoblin
rela{iilc (7.59). respectiv (7.60). Conclilia iuilialZr a ccua!iei (7.60) este in etcest ca'z
ir'(t = /u ) :0,1 '1,'r, qi couc|-Lce la solr-rfia:
t I - I't I-tz
i,.(t) = [J,. /,,,. .l I - ."p
L I x13p*l)p.cy..lls )l.t,r/.,,..p[- rrrr,.+[3F.Cp-llc ),' ",
'Iirlpr-rl clc ct'cEtct'e se ded Llce din egalitatea:
ic, (/: ) = 0,9 . ,16"1 . (7.83)

dc uncle se obtine:

(7.84)

214
 l)n (x)
-l-
r
r5

t"

0,i)'i;s1
n

0, I'l;s1
1
:;i 16r il? IR
\tc
l* 1:r
ni !1t.,.
i- lci -l 1{ r::
i!,r
in:
Qe,
IB.:
-
iIJ,'I
Q ni,t rl.
I]
l\'cn*nt I \tc
IrigLrla 7.9. (-'omutarea'l'Ii.] in/clin re_qirn cle saturalie:
a), b). c). cl) folnrele clc unclir caracteristice conrutiilii; e) dislribLrtii ale concentrertiei
pLrrtzitorilor nrinolitari in baz-ir la clil'eiite mornente corespuuz-iiloale corlutdlii clirecte;
f) distributii alc couceutra!iei pirrtdtorilol minoritari in bazir Ia clil'crite n.lonteute
colcspLrrrziitoiile courr-rtiu'ii invcrse; g) excLrlsia punctulLri cle f'unctionare al 'l'llJ.

Se obset't,it c2i limpr-rl de creqtcre scaclepe rritsurh ce curentul 167;.cregtc.

'l-impu1 de comutarc clirectir
in sarturalie este:
lrd=lrttl-l(t1+lcr (7.85)

La tt-totleulul l.r cAncl cut'eutul cle colector atinge valozrrea /6-51 tranzistor:ul intr[ in regin'r de
satlrfzllie. Sarcina Qnt.(0,['/,/) ac,r-rmulali llAna in aicest nrourcnI in rcgiLrnca bazci neutre este
O,rs,(0.[4/)=rF '/r.'sr : r61,'161,;1. ]rolosincl collafiile rr-roclcltrlr-ri de conu:ol prin saroind valabile la

215
saturalie (relatiilc 7.45) in condilia iniliald Qs(O,W,lq) :0, se obline cxpresia
care ipQ: IBF, cu
alaliticl a sarcinii zrcumulatir supiimentar fald cle sarcina 0rsr(0, I4f corespuuzdtoare saturalici
incipiente:
| 1-exPl( r-," \l
G(o,w,t1:15'(113p-1rs,) | - I
(7.86)
L \ rs ))
I

Procesul cle acuurulerre cle sarcinir in regiuuezr bazei neutre coutinu[ pdn[ la atitrgerea
valorii finale Q.tt(0,f4/) : r.t' (l nr -1r*r) clacd 1 <('r,s.

La polalitatea scurnalului cle intrare se schirnbd, iniliinclu-sc astfel procestrl cle corttLtlare
itn'ersir clin reginr cie saturalie in regiil cle blooare. Cureutul de colcctot' t'6t'nAne la valoarea lcrnr -,
/csr $i dupl nrourentnl /5 cle aplicare a semnalului de comututre, pe o clLuatit cleuumit[ lintp c{e
stocctre, /5, fleceserrd evercuirrii sarciriii Q,ssQJa) acurnulate la satr-tralie. I)e asemeuea. iu acest
iritcrval cle timl: tranzistorLrl estc irr rcginr clc satuta!ic. Curctttttl cle bazd varrazd prin salt la
valoarea:
i ,,(t) : -'l nn = -1" R f llR
(7.81)

Folosincl ccr"raliile ntociclului clc control prin sat'citif, (7.45) r,alabile in regim c{e saturetlic ctt
in tlat clc rela{ia (7.87);;i r:u coudilia inilialir Qs(O,Llt,t5): QssQJD se obline expresia varialiei
-fBJ
sarcinii Os(0,14/,,t) in intenalul irr care rZrn'rAne ittcZt in rcginr dc satLtt'atic:
( r- r \
0.t(0.1'l/,17 =-r.s'(1737q * 173*1)+ts (1,,,, +/u,.)'cx1lt - (7.88)
\ ..-.. / I

I)in relafiile:
g
0s (0, 14/ ,tu1 = (7.fie)
1.9=16-15

se deduce expresia analiticd a timpului cle stocare:

',-^ I,rn + I,t',

t^:t,, (7.e0)
I13p*lsr1
i-a momentul / : /6, tranzistorul intrd in regirti acliv notmal gi din ccr-rafiile modeluh-ri cle

corrtrol prin sarcinzi ce cetrerctct'tzett'z.i:.lunctiouarca TIli se obline:

h..
-fs p I ic' 1tc )'*
r 'C"al
. ir:Q) + (r
s1, = 1jp +[J
(7,e 1)
ir(t =/a) = 1r:sr = Fr. lrsr .

Solr-rtia ccLraliei difcrcrr!iale (7,9 I ) celo'

( I
.(l /^') 'exp -tr,
ir(t) =--[3 F . I BR +$
'-
,t,, + I

l. r, Br -,-
13 F 'C.1g
. lls
j (7.e2)

iar cxprcsia sarcinii Qnr(0,142,t) dcvinc:

216
 ( I-lo )
Qnr(0,14/ ,/) = -:",t,, 'I,tn )-r, sp.Q on+ If6s,).exp[-
a31:*$p.C.16;.llg )
l. (7.e3)

Folosincl clelinilia I intpu lui c{e cddere l,r/c/. enunteIlZI in subcapitolul an1 erior se cleterminh:

1+0,1.1,r' llon
/d", = /o.s -/n.t = (r nr.-*p p'C p ./t,-).ln (1.e4)
l+0,9.10,11,,,,

Rclalia (7.94) rclevir laptLtl cd tinrpLrl de circicle poate fi micq;olat prin crcgtcrea curentului
invers /rn.
In consccin\6. litttpul cle contulcrre int,er.s'(r din regint de scrtn'alie tn regim cle blocare esle:
l"i=lq*1.1.,. (7.1)5)

Desigr,rr. 1:rocesul clc conrutarc continLrd prin incdrcarea capacitZrlilor c'lc barierf ale
stlucturii. intArzierea corespur.rzirtoare acestei fa'ze se poate ciccluoe lblosincl relalia (7 ^79).

7.3.4. Mcfocle cle reduccre a timpilor clc comutarc a TIl.l

Ilela{iile clcduse anterior aratd clarr faptLrl ca timpii cle conrutale clirectd ;;i invelsir depincl cle
atat de moclr-rl tehnologic cle realizare al TBJ (tirlpi de via![ ai purtdtorilor minoritaui, oapercita]i de
baricld ctc.), cAt qii clc oilcLritul crtcrior prin valolile curetttilor l1jp, Issl $i /6rr. irr consccinlii.
recluccreii tinrpilor dc conrutalc pentru acest dispozitiv se poate reahzzt atAt prin crc$terea vitezei
intrinseci a'l'8.] rria tehrrologie. cAt gi plin utilizalca unor tehnici de circr-rit.

r,' A4ic'S'orut'eu tintpilor cle contttlctre t,ict /ehnologie se poate rcaliza prin ururdtoarele cdi:
. cre.flereu clctt.s'iliilii c'cntrelor cle recotnbinure a purrtitoliloi'dc salcind in bazii: clopareet
cr-rAir recluce tinipr-rl cle viatir al pultirtor:ilor cle satrcrniiin bazd;
, ntic$ot'ut'cu clintensittnilor' ,rlrucltrii S'i ct rezi.s'lit,il(rlii l:nzei: micgorerrea aljcr.jono!ir"rnilor
corrdr-rce 1a scdclerca capacitiriilor de barierS, iar mic;orat'ezi rezistivita!ii bazei 'fBJ
condr"rcc 1a micgorarea rezister-rlei rbb, gi de ci la scdclerea constetntei de timp
r,.,,' '(C p + Cl
,r) |

. .fttlo,s'ireu unol' .\'tt'uL'ttrri elerogerrc c1e tipr-rl Si/Ce,Sir-*/Si. Al,Gar-*As/GaAs/GaAs ctc.,

Il,ecluccrca tirnpilor clc vialir ai pLrltAlorilol clc seucind minoriLari inbaz.ia prin clopareer cu.ALr
a lbst r,rtilizatir pcnlru prima datir in i962 pentru crcgtcrca vilczci circuitelor'l''l'l- (transistor'-
transistor logic). AceastZr n-ictodh dle micgorarc a tinrpilol de c;omLrlarc prin creTle"reu den.silcitii
cenlrelot' cle reconfiinure Lve urmdtoarele limitf i:
. temperatura inaltZr la carc rJtfs'zea'z'a Au limiteazd micqorarea timpilol rT3, r'espectiv ts7,-:pi
r sp.ltt aprox it-uatir, 1 ns;
. cu exccplia dopalii cu ALr, cste dificilir oblincrca Lrnor concentralii nrari de in'rpuritirli fbra
a gencra clel'ectc in structurei clispoz-itivr,rlr"ri;

2t1
 . doparea cu Ar-i a regiunii bazei gi r-urcori a lcgiunilor clin inrccliata veciu[tzite a
jonc[ir-rnilor deterntind rcclucerea ferctorr-rlr"ri de anrplificarc iu curcnt l]1,, ntai ales in cazul
tranzistoarclor nnts.

irr tchnologia clasicir dc realizarc a fllJ cregterea viLczei intrinseci a acestuia sc t'ealizeazd
prirr micAorzirca ariilor'.ionc!iunilol structurii gi a grosimii baz'ei. N4icqorarea ariilor'.joncliunilor
stn:cturii afe ca efect nricqoral'czr czq)acitaliior dc baricrir. N4icrsclrarczi grosimii bazei corrduce la
scdclerea timpr-rJui clc treinzit a purtiiorilor clc sarcinlt rniuoritari in baz.'a, 16, l'cspcctiv
T1; gi r1q.

'l'otirgi, rlicgorarea c'lirlcnsiLrlrrJor rcgir"rrrii bazei couducc la ct'cgtcrca rczistenlei I'bn, qi deci la

clc$tcfcul cc-llrslerutci c1c tirrrlr r,,,, .(('p +(.'1r). in consccinfA, ceritr!a cle crcptct'e a vitczci intlinscci
a -tl-lJ a coriclus la clczrroharca unei noi tehnoJogii irr 1980, cunoscutd sub dctttnrirca dc self
nligned p0ly5'ilisr,r-entitter technologXt Accasta couibinatd cu tchnologia izoldrii dielcctrice. ar
conclus la elaborzrrea strlrctllfii pt"czcrttalc in Iigr,rla 7.10.
Avantajele oblinute cu aceastir tehnologie surt urmdtoalele: clii-ncnsiuni rcdusc ale aliilor
joncliunilor I'8".I, dopeu'ca putcnricri cr.r inrpr"rritdli a emitorulr-ri fdrd a iutroc'luce defecte in structurd,
fapt ce conducc la oblincr:ca ulrui [31, cle i,aloal'c nlerrc, ob!irrct'ca uttci rczistctttc rrrici. prirr izolarc
clielectlici aria.joncliunii colector-bazd ncsLlllrzrpuse sc micgoleaz[ gi iu conscciu![ qi cfectclc
parztzite introcluse clc aceasta ctc. lnovaliile acluse in gcotletria strr:cturii dc aceste tehnologii pot
rcclucc constanta cle tinrp r,,,, '(C 6'+C'1t) la aproxin-izttir, 1ps.

ir M'E E

FigLrra 7.10. Scctiunc lrzins\/efsalit printr-utt 'l'[JJ realizat in: a) tchnologic clasica;
b) telrnologie sel/ cr|ignecl polysiIicon-emilIer Si cn izolatie diclcctric[.

218
 A$a cLul zull zcnlett in subcapitoiul anteriol plincipalii pararletli oe limitcazd
pre
per'1'olnran!cle 'l"B.l intrinsec sunt: eficien!a emitorului, limpul dc tleurz--it pi:in difLrzie-drif1 al
crrrilorLrlui, tinipLrl de tlanzit prin diltzie-dlil't al bazet, timpr-rl de incdrc,arcldescdrcale al
capacitalilor cle baricrzi ale strLrcturiiprin rezisten[a laterala abazei 1,,,, timpnl de tranzil plin drift
plirr rcgiLrnca c1e sarcir-rir spalial[ a colectoruiui.
Cele mai multe clin limitZrrile acestor parametri, ce apar in TllJ ourogene, pot fi depZrgite
prin LrLiliz-zu'czl Lrnor in oale eilitolr.rl, baza Ei colectorui sr-urt rea]izate clin
,s'lt'uc'luri elerogene
nrateriale difcrite. in acest l'el ccle tLei regir:ni alc TIli \/or avea verlori clii'er:itc ale ciimensir:nilor
benzilol cnerqetice" constantelor c'lielcctricc, concerl.tlaliilor intrinseci, concentraliilor inipLrrit[tilor
clorroarc sau aoceptoarc. timpilol cle viat[ gi mobilitirlilor ooresplrnzlatoare celor doud tipr-rr:i de
1:r:rtdtori cle sarcin6. Astl'e1 clc
't'll.l cterogerle au fost fabr:icatc cLr slrcccs pe Lrn singr:r' cristal
semiconcluctor sLlb lilmra cliscrctir incepAnd cu ernul 1972, ajLLngArrclu-se in prezent la perlbrnranle
cleosebite in ccea ce plirregte liispr-tnsul in li'ecvenlla, .f7-:= 400GFlz pentrlr stt'ncturi cle tip n-L-rP/p-
InCaAs/n-lnGaz\s/i-InP. in ccca ce plivegte tel'urologia integratir perlbrmanlele oblinr,rte zru Iost
rleri moclcste clator:itA neimpclecherilor ce apar intrc lelelele crislaline ale materialclor Lrtilizate,
Directiile urr.nerte in tehnologia integratii zlll rlvllt \a baz\. structuri bazate pe: (1) Ga"As1-*, (2)
Ca,Al,Asr, (3) Si/GerSir-,/Si. Dintre accstea, s'lruclurile buzale pe Si/Ge"Sil-,/Si ,sttnl cele ntui
ltrontil[tlrscu'c cllitor:itir urilirtoareior motirze: vitezei intlinseci de lirspuns foaltc ]rzrrc., fu'ccvcnlei cic
liricre llarc. r,alorii n-rari ale lactolLrlui cle amplil'lcare in cnrenl lJl' clator:itZr nrobilitirtii ridrcate a
purtir{.oriiol mobili cie sarcinit gi a r"rnci lzirgimi energeticc uiai rriici a benz-ii intcrzrsc in berzei.
Lr;urrirrfcr intcglirrii itccstor slructuri in cilcuileie intcgrate ba'zate pc Si.

A.lic:s't,t'cl'ecr litnlt!lot'tle ('ontrtl(tre ui 7'l],J t,ict circ:t.til exlat'ior sc poatc rcaltza plin
Lrlnr litcrarrr] c rtrc toclc.
, ulilizcu'ett trnot' )'cn1tlulc dc c'ttrttundlt c,tr nit,ele I/1. tri I/p tnuri asl.l'el incAt curctrtli ltt.'. Jnn

$i llsr sd crcasci:t gi itr consccinta timpii dc comutitre sit se micgolcz-cl

. /blo.s'it'etr unt,ri t'ctltuc'itot' tle uccclerurc in cilcuitr-rl cle intt'ale:
. trliliztrreu trtrei t.liotle ,\chottlqt lcgatzi in paralel cu .joncliunca colcctor-bazd oarc sii
irlp i ccl i cc sa tll l'rlroei prr.l lir nc'l Zi a'l'13 J ;
'ulilizctt'cu trnei sttt".sc de c:ut'enl cotts'lctt'tl iu emilor", cle verloare ntai micir ca cczr
corcspunzitloarc satLu'a1ici 'l'8.1. care sii fic aclirratd cle semnalul cle corranclzi.

I;olosilc:t t-rt-tt-ti capiicilati de accclcrarc in cii'cr-ritr"rl de intlar:c cstc ulla clin ccle uiai rrtilizzrtc
r.uctodc clc cfe$torc a vitezci dc conri-rtatic a'l-8.1. Circuitul Lrliliz-at ii lbrnrclc de Lurclir
co|csltuuz,titoa|c sr,rut pfez.cntale in tleltra 7.I I .

Curcntr"rl clc baz-ir la conrr-rtalca clircctir arc inilial valoarreer isll -= 0) : I6s1 : VF llltrl
(tcnsir-rnca pe condcnsertorul C'{linci rrr,rlir la l:0), scirzlincl clr,rpd aceea cirtre rraloarea cle regim
slalionar in(lr)'= /6p"" V1.l(.Ilal I?n) < 4xr.L'ot.rsiclcrAud valabile urmirtoarele inegalitati /?61 <<
1131 ;i I!r'<< r'7,'yy, 0xpresiet ourcululr-ri c1c bazir in acest interval cie tintp clcrrine:

219
 i Jl\t(r\_ i. 't-i'corttl ]'c -,,,.t{r',' 1'c'
(7.e6)
t ) -'l?4, = ' =l/t._
/?rr, C[l 11,,,

obf indndu-se urtrrdtoztrea ecu ati c d i fcrcnf ial d

dv..
l'1,=\', +(1?n ll lln,) C + (7.e7)
ol
cu solutia

r'.. (r) = n, - (7.e8)

[' ".pI ll
(.ltbt IlB2) (: )j

Din egzrlitatea
r/c(/r) =I/r Ilrzl(llo, + llo:) (1.ee)

se oblir-rc cxpresizr tirlpului in carc condetisaton-rl cle ziccelcrare se incarcd clc Ia 0 la valoarrca finald

Qr.U ): (: .l/F . ltB2 f etB-r 1lo2) :

t1:(R31il RB.).c-'.lnI
tt' : tt" I (7.100)
[ /lr, )
Sarcitta injcctalir irr lrazir pAnir la tnouentul estc:
(7.10 i
Q Br, (0,11/, 1,) = Qr,' (l t) = tr.'' rr: (/r ), )

j,-
ir,li, ft
[t_i

T--
'l:1,

-Ir,t-
-IeRil

_\.i:c *T,-',. ll r,

-\tl

FigLrra 7.1 I Crcgtclea vitczci clc conrutale a"f i3.l prin Lrtilizarea Lrnci

capacitirli dc accelcrare.

220
iar rraloarea cr"u'entului dc coiector la 11 este:

, ,. \ c .I't 11
,,.
r(,.\tt) _ (7.r02)
r,r. ll,t, + Il,t.
Pentru | ) lr,la conrutatre clirectii. moclelul cle contlol prin sarcinit fttr ntzeazd u rnr irto a rea
ccuatie:
)i
+ (r Dl"'C (7 r 03)
$ t,.
. I trr,-= t.(/) 1,1, +$ p- 'Cl p'
OI

cr-r corrclilia initiala (7.102) gi solulia:

i,.(r1:F, ;.
/,- | - c.rpl - 1
t
R1,,+ 11,,. ( +l) F.c j(: . llc
I r t)r
)1"
-.1
)_ (t .104)
)-
1,,,,+IJ,.. r,,,..(C ll''=-t] rf- ]
i ""n[--
=lJ7,..
\'rnr.. \ r,BL'+11r'L,c..1<c.)
r\nalizAncl lelalia (7.104) se obserrrd cZr clacd este indeplinitii condilia:
C-'/i/J":TRF. (7.1 0s)

illLmcl

ic,(t>t1):[)p.]6y. (7. 106)

iar tintpul clc intAz-iele al curcnlulrLi c1e coiector-in aceastd etapit cicvinc nul. In practicit, clatoritii
c:airaoitililor $i inclirctanfclor paraz-itc, clepetrclenlei lactorului f31, cic valoalca cut'cntr,tllri prin
clispozitir,gi tinrpLriui cic tlanzit ai pLrri6torilor mobili cie sarcin[ prin bazit, se oblinc o nricit
irrtArzicre in stabilirca curentului la valoarea Fr. . I sp.il conseciulir:

t,,t =tt:(/ln l nB).cl.lniti3) (7.r01)

i-a monrcntr-r1 t: nivclul scmneiluiui de intrare se schimbZr gi inccpe procesul cie cotlutarc
invclsd a I'lli. (lurcnlLrl clc bazit rrariazit plin salt la valoiirca:

; t/ \__t,iii{()-__l',,+r,,.(t:)
tl'\r1l- __/,,-rl,',.'R,,.'(1..,,,+|it,,.) /7tou\
R,r, 1lu,

gi scacle expcluerrtietl cittr,c lrn: l'nl(ftdtr'1?82) cu cousteurta cle timp (llnrlllluz)'C.

Dc la mor-nenlul 1j clu:entlll de ba'26, scacle cltle 0 cu o constant[ de tin"ip mult mai micd
cletcrnrir-ratl clc capacitalea C 1 ;.

l)crttrupt'evcni inlrcu'ecr ttt .tctlurulie ucl(irtcd tt 7'B,l se poate oonecta o cirocl6 Schottl<), in
cr

lraralel cLr -ioncliurieer colector-bazla a acestuiet (vezi figura 7.12). Motivele sunt ururdtoarele:
culcntul clircct in.ionclirrnilc nictal-semiconcluctor dc tip r? cstc lbrnrat clin purtittoll nrajolitali gi

221
tensiunca dc cleschiclere a ace stejzr este nrar ulcd ca cea corespunzltoetre unei jonc{ir-uri 7r-rr. Astle l,
irr rcginr clc satLrralic al I11.1. ciiocia Sclrotll<1, Ljrrritcazii cAclcrca cle tcrtsiurte pe.lorrcliLrnea colcclot'-
bazdla vzrlori ritici (mai nrici ca If), astfcl incAt sarcina Q5(0,14/,1) ttcunttrlatir in bazf, cstc foarte
micir gi timpr,rl clc slocau'c csle aproapc cLiurinat.
A patr"a metoclir cie creqtere a vitezei cle comutalie a TllJ estc prezcutati in figLrra 7.13. in
erccst czrz sentnalul c1e iritrarc comeurclir calca dc cuLgel'e a curentttllti coustant fr-turizat de sursa 1rr,
ce are valoarea sclectatd astfbl incAt sd ilenlind clispozitivul in RAN, intre i'B.l ce trebuie contutat
gi un al cloilea fTl.l sau o cliocld.
Aceasti metocid este lolositir in circuitele logice ECL (linritter Couplecl /-ogic) Ei sc
intdlne;te sub clcnr-unirea cle CLN4 (CLrrrent iy'cclc /-ogic). Struclura unr,ri etstfel cle circr"rit cste
sirrrilarii unr-ri anrplificator clifcrcnlial. Stabilirca cirii cle curgcrc a oLrrcntullri d,i; se rcalizcazf, prirt
co11pzl1"area nivclulr,ri tcusir-rnii clc iutt'atre cu o tensir"tne cle ref'erinlti I/111;p. Astfel, cAnd 1r7({ f.!11,1,
'f2. iar cAnci t,r>> Irirr:r
tralzis{orr-rl Tr i;e blochcazd gi culentui circuld prin dioda D sar,r tt'atrzistorul
'L-1
tranzistorr:1 conlutZr in IIAN :;i cliocla D sau tranziston:l fz se blocheazir.

_\i::r

1{rJ

[ar",i cl icr cla Sclrt"r 1{kr.

4----
cu cliocla Sclrolftr,

l?igura 7.12. lnrtrLrnAtd(irca vitezei clc courLrta[ie al 't'B.l

prin utilizarea unei cliocle Schottlty.

1t;,1 =I1,1 1

_b,.-11.t

\rr.r,l 't r--

'11,.11

\tr.l

fl. l-r.

Figr-rlzr 7.13. Crcgte rca vilez,ei cle comrtlale pri n con.rlrlat'ea lrntt i cLlfeitt
-l-1 -l-2.
irrtrc clouzi cai: a) 'l-11.1 f 1 9i cliocla D; b)-fllJ qi 'l-llJ

222
 7.4. ll.egimuX clc ctimutarc al tranzistoarelor cu ef ect de cf,mp
'l-ranzistoarcle cu elcct de cAnrp, in special trernzistoarele Ii4OSIrE"l', sunt cele mai fabricate

dispozitive clatorita folosirii lor: pe scarl lalgir in inversoarele logice gi in nieuroriile logice.
Yile't.a de contutare a tranzistoarelol cu efect cle cdmp in circLritele irrtegrerte digitale este
cleterntinalir cle clor-rh rleceurisnre ale c,iu'ol tinipi dc clesfZtqut'are suut cutroscu!i sr.rb denumit'ile cle:

timp cla intArziere intrinsec' sttu tinrp clc tranzil datorat tii'npLrlui finit de travcrsarc a catialr"rlui cle
purtirtofii dc sarcind nrajoritar:i Si titttpul cle inldrziere exlrinsec datorat sarcinii capacitive gi
1.1411161116.f 11r t-t,;rn'zilri capacitiyc ale IrEl'. Cele clonir ntecanisme au loc sinittllatr ip clispozitiv, iar

tir"r-ipul cle contutare total este numit timp cle tnliirzi.ere al. por'1ii. i,r t''-ratca majolitate a circuitelor
cle corlLrtalic gi logicc sarrcina tranzistoarelor cu efect cle cAmp este in principal oapacitivit
(circLritLrl clc poartir al tranzistolului cr-r efecl cle cAmp cotlanclat). Ast{'ei, tinrpul clc intArzierc
cxtrinsec cste clatorert: inciu'ciu'ii sau clcscirrcdrii unei capacitdli;i intArzicr"ii.R C-'clatorerlc liniilor cle
conexiune intrc celc clor-rir Fl:i'l'-Ln'i.
-l'irtrpii cle intArzierc, intrinscc;i extrinsec, ai FF,'l'pot Ii micaorafi prin micgorarezt
dinrensiunilor clispozitivLrir-ri gi prin scnrtareer liniilor cle conexru,,re. iu cilcLrirele integratc, aceste
mirsuri concluc la cre;tcrca dcnsitalii de irrtegrare a dispozilivclor gi cleci la crcatcrea puterii
ciisipatc pe r-rnilatca cle arie. Pentru a dcsclic pcrl'ornratifcle tranzistoarelor cu efect de cdtlp, in
acesl caz-- cstc clclinit Llu ltoLt c't'ileritt cle perftu"rttcutlii iulrinsec cLtnoscLtt sttb dcnunrirea clc produs'
lttrtt:ra-inlar:iere (pou,er-clcla,r, procirtcL) satt e nergic cle c:ornula'e'. P,1 ' l11.
in accst sLrbczrpitol se \ror anttliza r"nccauismeie intrinscci gi extrinseci cor:espunzittoarc
cortrrttirL'ii tlatrzistoarclclr cu cl'cct cle cAmp gi se \/or cletermina exprcsii analiticc pcrrtru timllii cle
ir:t"ilzire (intrir-rsec ;i cxtrinsec) gi llrocir,tsr-rl puterc-intAlzierc. Mai intAi insit se vor reatlinli
llrincipalclc proprictirti alc 1lll'l'carc le cleosebesc nct cle treurzistoarclc bipolare:
. rcz-istcnla cie icSirc in stare blocatd este lbarte rr)arc, aproximativ (108+ l0lr;{);
't'cz-istcnfzi clc icairc in stalc cle concluc!ie este mai nrare ca la'l'll..[, c'lr: aproxiurativ
(10r+10:X) pcntlLr'l'l.l(l.l gi (10r-10'r)() in regiunca cle satulafie, respcctir, (l:l0l)(), in
lirnctic clc vaionlcl tcrrsiunii grild-sursir. in rcgiunea liuiarzi;
. rcz-istentit clc intlalc cstc cie apr:oximatiy (108-:1013;{) pcnlru'l'ljcJ gi c1c (1012*i0l'l;t)
pcrttru l'l:CN'l0S;
" trauzistoerrcle cu clcct clc cArnp func[ioneazii ct-r pLu'tit1<;r'i Lnajolrtari gi clc accca nlr sLlnl
altclatc tlc icnonrcrrclc ele acunrularc clc sarciui,i, rispr"rnsLrl lor intrirrsec lrincl tnui rupicl
czr al I'8.1.
i)atoritir lar:gii ior i-rtiiiz-[r:i in
circLritelc intcgratc digitale, auralizzr se vrl r:l-cctLra pc Llll
lrauzistor NlOS cLr canal ri. l)en1ru lcsLul tranzistoalelor cu el'ect clc oAmp analiza se poate clectua
intr-un urocl siurilar.

223
 7.4.1. T'impul de intf,rzierc intrinscc
tcsl reprczentat in figr-ira 7.14.a, cc rcpt'czintir cle I'apt uu circLtit
Corrsicieriurr circr-titr-rl clc
invcrsor. irrtlc sarcinzr ercuurulatir in canal $i cr-rrcutul clc clrenh al MOSFtll cxistir urtndtoatrczt
rela!ie:
io() = clOr. f c1r (7.109)

La corrr,rtzrrca clircctir a clispozitivului sarciuer iu canal variaz'a intrc 0;i valoarca finalir Q6;
corespurrziitoarc unui prutct clc Iunclionare stabil cartrcLcri'z,at clc coorclot-tatelc ([o, [/ni irr planul
caractcrislicilor clc icSirc ale MOSFII'f. hitegrdnd rclalia (7.109) se obline:

/,, : :
.[ tr fj,' lf i,,1r)l cte,
(7 1 10)

Datorit[ lzqltr:lLri cd ur,r sc cunoa$te clcpcnclcn!a exactit intre it gi Qgintegrala c1c tlai sus uu
poatc fi erraluartir cxact. folosinci o aproximarlie cvasi-clinauricZt. priu care se consicier[ cir AOc- este
propor'lionald cr-r it pc intreaga perioaclir clc tlauzit, qi Lrtilizincl expresiiie (6.30) gi (6.67), cledr-rsc in
capitolr,rl 6, se obtinc:
1')
! ,r, r 11 -)"
-. 1'r '-L'L
a' rr '
(t,r, ; _ ! i' :_3_',(!'r,; _ r:,t,)
_\ n + tljr_
-) 2.(l/c,s -I/r)-L'oS
lT -
pr,.ci, .l;il4/ (2 1.)l [(r"s' (71I1)
'I
-t/r).ttr.r-vir.r;2)
r: ( L,;.s - I, t)t
\r'a;.s-rP/ - I,'t,) .l///),t
\t(,-.s- ,'Pl
(l,c;s li;
t)s +r,/)\'-l ;.3
l_r,, l;,2 ' (1"6,e - l',,) -1" o.,lt .l/ o,s

.T,ntbn
l_lo"

\u - \P

a.

\iIP r-\i
I vGG
'G'-

Li D

\o* \.,o
rl'* =l?
-'D
\i
'nr ) s
r, \i
-\l trll-, - \'P
tl)1,."r-
c. rl.
fiigLrra 7.14. CircLr itLrl Lrtiliz-at pcrttrtt cvaluarea tirrrptrlLri cle courirtate al MOSFt]-l-.

224
 Atr-urci cAnd cornutalia sc lace clin regiunca cle blocalc in legiunea dc satrrrzrJic cxplcsiat
ti il pr"r l r.r i cl c lr'air zi t capdtit uru'r irloerrcet lormd particu l arir :

1:l (1.1)2)
l-r,, (.|,i:;5 *l/ p)
Valoalczr tinipr-rlr-ri de tlanzit cste loafte micd, nraxiln zeci c]e us.

7 .4,7. i)rodusul nuterc-?ntf; rzicrc

Ilxlllcsia gcnclalir a accstLri clileliu clc lrcL[brrlart!d se poaLc c]ctcruritta cLr Lr$Lli'ittlit
inlocr,rincl tn cxprcsia de c1efini1ie rclaliile (7.111) gi (6.67). Se obline astfel:

/jcorl.rirrc : . t, oQ)' cll = I o . I,',1.r' . I

u = I/ ' Qcr =
Jtr(,) ns'

? rJ'
,,, r.4,,
t /, 3.(1,?,.s _ l'n)=-3 (l/r;.: * 1" 1) . 1,' ps + V lts
(7. l 13)
: ',
' _
.\
V,tt
1
_l / \,'
/)/
c.s - l,'P) - I/ DS

iair pcntrlr conlutarea in rcgitttrca dc satltra!ie

)
l.u,.,,,rrr. :: I'1" . L. Co. (1"r;, - V rf (1 .114)
_)

Valoalcer accstui llaraurcti'r-r poatc varizt ilttt'c 0,25fJ pctrLrr-t trzurzistoerrele cu canal scLrrt qi

120+ 5001.1 pcntrr-r N4OSlrll'f cu ./- e li;5lprm .

7.4.3" Tiinptrl tic ?ntirzie re extrinsec

' l)cntru dctcnuinitrca tirlpului clc intdrziele extrinscc r-rtilizdm clin nou circuitLrl de test clin
ligula 7.14. NivclLrl 0 al scnrnerlului de intrare rnontinc tlanzislorui N4OS blocat. ial la I ='0
sclrirrrbarca nivelulur scninaluluri cic infare la I,'c<; clcterurinit contlltzirez] clirectir a disp<tz-itivLrlLri,
tclrsiuncir alrlicatlt intrc grilir qi sLrrsit fiinc| I/cc;)- [1p.

llxcln'sia pr-urctulr,ri c1c lirncfionerrc arl MOSITE'I' este prezentata in figura 7.I4.c.l-a aplicarea
terrsirrrrii c1c corlancira tt c'tlntrldt'ii c{irecle, curcntul cle clrcr-rir sc stabilcqte aproape instautaneu
clcoarece tinrpLrl intlinsec cJe lrauzit ai pLrrtdtorilor marjoritari prin canal estc neglijabil in raporl c;r,t
tintpii clc inLAlziclc cstt'inscci yi prlnctLrl dc lirnc!ioni.lle Lrccc clin pozilia 1 in pozitia 2-.'[r'anzistorLrl
h4OS comLrtir astl'el clin stiu'c cic blocarc (pozitia 1)in stare cle satLu'a!ie (pozilia 2) clcoarecc r.'D5(2)'='
I''op) li-rsr,,': l,',rr- 1"1,. ConsicicrAnci cA relalia cie clependenla ip== ip$,6;e,t'p5) cle rr:gim stet{ionetr
poate Ii aplicatir gi in rcginr tranz-itclriu, curcnlul cle circr.rir al MOSFII'I'in pr"rnctr-r1 static 2 csl,e:
I orz)
: l.J
.(l,crt
-V,,)t = ll.l/ic; (7 r ]s)

Dc aici incepc proccsnl cic clesciu'czrrc a capercitirlii de sarcind C7_, zrstl'el iucAt tcnsir;nca pc
conc'lcnsalol scadc clc la vetloar:ea inilialZr I/ytplzt t,aloarca finaiii 2p5141 c:orespunzdtoatre pr"rnclului 4
(a11at la inlcrseclia dreplci cle sarcini cu ceu'acteristica statici] r,(;.s': [/c;c; t I/7) din planul

22s
czn'ztcteristicilor staticc clc ieqire. Aceastd excursie a punctuJui de lirnclionalc poate fi impirriitd in
clouii sltbetape :

. clin punctr-rl cle fnnclionare 2 in purrctr-rl de futrc!iottare 3 (corcspunzdtor saturafiei

ir-tcipiente, [/ns1): ]/t;s- I/p: [/c;<:), tranzistorul fiincl iu regitl cle saturalic pe inti'eaga
perioclzi clc varizl1ie a tcnsiunji clrcttd-sr"u'sf,;
. clin punctul 3 in 1:unctr-rl 4, excursia punctr-rlr-ri c1e lLurclionarc realizAnclu-sc itr rcgiLrttca
riclinierrd a czir-zrctet'isticii staticc cle ic;ire corcsputrzdtoat'e 265: I/(;a ) I/p.
'l'ipipul cic intArzicrc cxllinscc, l-iotat cll /11qr, r,a fi cicci stttla intre tintpr:1 coresput-tzhlor
cxcr-rrsiei pr,rnctr,rlr-ri cle [r.r:rclionare cle ]tt2la3, t2s, gi tirtpul col'csputrzzitot cxcnrsiei puuctr-rlr,ri cle
func!iouarc intic 3 Si 4. r:.r. aclicZr:
1,1,,, =/.3*/;-1 (7.1 16)

NcglijAncl coruponcnta c1c curcnt prin rczisteula 1lp, clin lelaliile cle circr-rit se otrline:

.
u'l)'s
,1.,
.I ll)
i ,. = -(' , cl/
Q

I-:xculsia punctr-rlui cle funclionarc inlre 2 5i 3 sc t'ealizeazA lzr cureut cot-istant. lratrzistorul
N4OS flind in rcgiut cle saLurafic:

iD = I Dro, =$'(l/c;.\ -L',')t :$'l']1;; (7.1 18)

In co:rsccintii tinrpLrl clc conrutztrc iutrc 2 gi 3 cslc:

,1 [' ,trt,t - I' ,tu C ,, . ([r ru - [/c;c) (7.I 1e)

'!) - /D.., lJ i.io
llxcursia pLrrrctulrri clc ILrncIioualc itttt'e 3 qi 4 sc t'caliz-eazii ilr lcgir-ruca liniarit itt carc
curcntul clc clrcnir cstc clat clc cxltt'csia:

. ^"1.', f riz-t
- t, t,)''' ,r., _'/)5'l
_l/\.Ii /7 1an\
tr): z.p -
L(i'Or z )
inlocLrind (7.120)in(7.117)seobline oecualieclil'ercnlialadctipl{iccati:
f v: ) ,r.,
z.$.1
t"'
U'os -l/ r,)'L',r,, +,
-?2)l= -C,.'dt (7.121)

cLr conclilia inilialir vDs'(/:0): Zps(:t: l/Dssnt: VGS- l/p: I/66.

Substitutia variabilci lp5 prin l/z conduce la o ecr-ra1ie clifer:enliald liniara in
Ct. clz 1
(1.1n)
2.$.(l/(;.\ -l/r,) dl 2 (vc;s -l/p)'
cr-r condilia inilial[ 211- 7ll,/p5,u1: 1lI/61;.
Notdnd cLr

C,
(7.123)
2'f)'(l/cs -l/p)

/zo
sc obli ue Lu'rnaltoelreer io h-r!ie pcntru eor"ralizr (7.121):

I i,
'I r-cxpl
(r).1 (,)
- l l+zo'cxpl - I.
(1.124)
2.(l/r,.r-1,' P.,) L \T/-] \T/
1n consccin!Zr. lcrg ea cle variatie a tensir-rtiii drenir-surszi este:
(r
.exp] --*
I/c;o
^\ x
lto.s (/) =
l t, r, )ln I ._o[{ I ."'(-:)-'].''
lt.12s)

2 ( I'r;.s 1r,,,, L',-tt''IiJ-] 1',s(r) \r/

iar Linrllrl clc comu tnrc intrc pLrnctclc 3 gr 4 se clelcrmina clin coriclilia l/os(,t):' r,ns(/;.t) ;i cstc dat clc

lrnltlloarca crprcsi c iu') zll luca:

(t,.
/ i.r =2.$l/cc,,r[zr;.,-,]. (1.t26)
[I,i,.r,,, ]
I,'c,c,

Vtiloarca teusiunit I,l;5'111 se detcrtliuit din sistetlul r"trtn[lor:

(f1,'21
lz rl,l| u,',,,_ r',,).r" '/)str) l-,
1 ..., /-).s'('l)* ) l-r/)(4) (1 121)
|L-l
-;
ll",r,, = I'lr.tr''i ll,, I ,,r.t,
'

'J'inrpLrl cle dilcctit cstc:

conruterc
/.,1 :/,r-l-l.1r, =/,"-l-/r1*/1 1
(7 128)

L.a rronrcnlul ,'r nivclul seurnaiLriLri cle intrarc cievinc ciin nou 0 gi incepe protc.s'trl c.le

c'ttnttrlru'c itn'cr'.s'd. I)uirclul stttic dc funclionare se vai clcplasa aploape iustt'urtancLt (/,,, = /,,. ) itt
1;r-rncLul -5" iar din pLrnctLrl -5 irr I irrtr'-un timl'r ijnit, 1sr. neccsar incdrcdrii concicnsatorulr"ri clc salcinit
('1. astl'cl incirt tcnsiLnrca r)('sa clcviuit cgal6 cLr 0.9.11r)D. l,cgea clc valialic a tcnsiuuii clletrir-sLtrsit

sc clctcnliuir clin ccLratia Lrlmittoare:

,i.'
Lr'/).s l/'
; -'t-11'-l(':
|; _; L/.' *,/)/) -1r'/),s
:--- (1.tze)
(ll,
111
q- l(^ t,
-.tl

Sc obtirrc asf icl:

/\
I'p.s(/) =I",i,t -\l't,2- l't-,.rr-r,)'c-\1)t -t+ 'r.
1\1)
l
(7 1i0)
\ /- /
Din cronclilia
1'P.5 (15 1 ) : 0,L)' I" t:tt (7.13r)

lcz-ultir crplcsia analiticir a timirului clc intArz-ier"e extrinsec la comutare inversit:

221
 tl' l' \
/i"r:/-sl :ll,,r'('r.'1nry Q'132)
0,l'l/DD
ir"r consccintir, tinrlrul dc coututarc ittversl al MOSFBI este:
lri:lt,-F1i"":/rr+/jr (7.133)

?28
 DISPOZITIVE
MT]LTIJOIqCTIT]NE

Dispoz.itn,cle n-l:lti-jonclii-rnc sLurt clispozitive electronice er c/ilor stlucturir incorpoleazi trci

sett r-trai nttLlte joncfir-rni. Din erceastir categorie cle dispozitii,c Iac parte c'liodele pnptt- tiristoarcle,
diacele, tt'iacele etc.'l'oate clispozitivele prezenlate in accst capitol alt celraoteristici 1-1,'ce prezintir
clouit siu-t trei regir-ini cie stabilitate in Irtnc{ionare gi ca atare pot fi folosite in circLritelc cic
corrt-rtzt!ie. in cilcLritelc cle ct)ur,crsia energici. in circuitcle clc inrlrLrlsuri ctc.

ft.1. lliod 'd !)trptl

8. I . I . t-]crrcr":rlitx{i

I)iocla pnpil esLeu rrrr,.tura cle siliciLr nronoclisterlin cu patrr-r legrLuri cic conclLrctibilitali
rilterrrafc p-t1-p-il. ct-utoscittit itr liicratulii 5i sLrb clenLurrirjle c|e clinislor" cliodci ,9hockle1.', cliocld crr
trtttit'tr slrctltu'i. SinibolLrl. calactcristica stiitici qi rloclelr"rl r-rniclimensjonal corespunzitoarc acestci
slr-uctr"rli slrnl prezentalc in figura 8.1 .

Itcgiunilc c.rtronrc, puterric clopale,7:" (sau /2t) $i n'' ale structr-rrii poartir clenun"rirea c1e
cntilori.I:nritorr-rl p.''-'- (sat,.r pt; se rlai nlulegIe trt ctnod, iar emitorr-rl n-'- - ccrlocl.l{egir-urca meclieini
cic tip,r'' isr,.t n) poarlir clcnumjrea cle bcrzir groasd, iar rcgiunea ncclianei cle lipp poaltii cicr-r,rmireir
t1c btzd strblire. Clclc trei ,ionctiLrni eilc stlLrctLrrii sunt plasate la distanle ntioi intre clc astlcl ?rrclit
.jorrc!iunile Jt - h. r'cspcctir, ,l: -.It. sdr poatd iirdcplini iunclia cle trarnzistor.
Diocia pnpn prazintiL intcres prin {brma caractcristrcii salc in polurizure clircc'tlt lorrnir
iipicii clcrnentcloi cle conrr-ttzi!ic cu clor"rir stari func!ionale stabiie. I)acir aplioirm o tensir-tnc lrozilivii
intlc anoclr,rl gi catodr.rl clispoz-itivului atuuci.joncfir"urilc crtrcme Jr $i J: sc polarizcazir clirecL, iar
-iorrc!iLLrrca uicclianzi,./2 sc polar-t't-.ctt'zit iuvcrs. Cr-rrcutirl lrrin strlrctnrd alc valori urici. fiind practic
curct"ttul iuvers al .ionctiLrnii ,.1. ,\ccastit sitr"ralic corcspunde regiLurii 0A a caracteListicii staticc.
irutrtildt regiurnc cle blocorc. in cale funclionarcer structu::ii 1tn1tt cste stabilit. Datoritir fcnon'icr-iulur
clc rrr-rltilrlicatrc in avalau-i$it la joncliuurea J2, 1a o anurnitir tcnsiune l/no, r-tiu-nitii tens,it.tnc cle
entot'sore sau de uprinclcre sar,t r/c irtloctrcere, curcnlul prin structuld cregle blusc iar tcnsiurrczr cc
oade pe strucLurir scllclc.
 \.A
b. L-.

l;igula li.l. Diocla prlptl: a) nrociclLr l un icl inteus iotial; b) sintboluri Lrti lizatcl
,.\,,,,,.^^i,,,.;-t i,,7, -t,,t i. -
cJ ciu actcIl5Uca stilLlc?1.

Astfcl clispozitivul trcce in ccalaltd stare cle fr-urclionare stabilir ciu'cia ii corespnnclc
rcgiunczt llC a caracter:istjcii stettice. numitit regiune cle conductle. Coolclonertele punctuiui i3 c{e
iittrarc in cotrcluc!ic in conclitii de stabilitate a 1'r.rnctionirrij slurt notzlter, in corrfbrmitate cu
st:tttclat'clclc Iljl1l:i. cr-r (/1 . f'j) .li sc rlLurcsc cLrlcnt
5i tcrrsir-rnc cle "inchiclcrc" (latching). Por!ir-rnca
trrLcr:ntcciiat"ir Al] et cetlactcristicii staticc. cc corcspr-urclc urrci fr-rnclionirri instabilc a cliodci pt1pt1^
rclcvit o razi.rlenlti clinunticci trcgulittti. Comutarca invcrsd. clin starea clc concluclie in stalca c1c
blocetrc, arc loc atunci cAncl cltrctrttll srr,r lo.qirr.aa scacl sr-rb valorile not:rtc ctt 111^
'"','.li"pozitirr
rcspcctiv I/j/, nllntitc c7e ntenlinere.
ir
)n ltolurizcrrc inver.s'ti jor-icliunile ,,/r $i ,/: sunt polarizate inrrcrs, iar joncLiunca,,/3 cstc
polarizat[ clircct. in consccit-rtit curcnlr-tl prin stlr-rctnrd ale valori nTici cie orc]inul curelttului irrvcrs
pt'irtlr-<r jonc!iLurc p-n. l)ttLoritii [cnorlcnclor cle nrLrJtiplicale in avalaurqa la cele cloud.joncliuui
lrolarizate iuvcfs^ Ia o tcnsiune nolatir ctt I/sp qi nuuritir tcrrsiunc c1e strf,pr-rngcl'e curcntLtl prin cliodir
crc$le Dflrsc.
Valot'ilc parattictriloi'clc catalrrg corcsltr-rnzatoli caractelisticii [-V a cliodclor ltrtlttt valiazii
in lunclie cle t'caiizirrilc tcirnologicc gi clc destinafia acestot'a. Astf'el. tensiunca cle zulorsare L,'1ct
variaz.lt. clc la z.cci 1a sutc clc volli, iar curentr"rl corespunzirtol acesteia /6s cle let microa.nrpcri pAnir la
cAliva nrilianrpeli. l{cz-istcnfel cofcspLnrzittoale stiu'ii cle bloc:rre poate iua valot'i cr,rprinsc irrtrc
cliliva MO plinir la sutc clc MO. in stalca clc concluciie culentul plin stnrctLu'ir po:ite avea valori clc
1acAliva uiiliarr-tpcri llAnir la cAfiva anrpcri, iar coorclonatelc pr"urctr-rlui cle urcntinere in conclr:cfie
pot rraliaintrc limitele (1nA.0,5V)-(50mA,20V). I{ezistenla corespunzdtoare stlrii cle conclr"iclic
cste foarte mic[. cliocl ele pnpn clc micd putele plezenlAn<i cea n-iai ridicatzi valoal'c a acestcia
(aproximativ i0A).
Caracteristica staticA a dioclci prtpn esle puternic depenclentd de temperaturf,. AtAt lensiunea
cle ulttot'snrecil qi cr-trctttit clc tlletrtinerc si irrr:lrirlclc sr:zrd rlrlatil r:rrLr (treslct'c)r]
LruttLruq lcrrrueralrrlii
Lvrlrl/LrLILLrr rr, irr fir,rrrir
,rr (iSLrr(r

8.2. csLc rcltrczcutala cat'actct'istica stalicf, a r"ruei structuri ltultn tle pLltctc rrriczi la doLriL tcurpcratLrri
dc luclu.

230
 I. IliAl

\.1,,Iv]
T1

IrigLra 8.2. Variatia cLr tou.lllcfzitllra a caracteristicii stzrtice a dir>clci pnpn.

Datorit[ caraclcristicii sale cu cloLra stirri ftrnc!ionzrle stzrbile, cijocia prtpn esle ittiiizatzi I l']

circLritelc cle contanclli a porlii lirisloarelor. in circr-ritele c'lc protecl.ie la supraterrsiuni, u1

gcucratoafele de irr.jrr,rlsuri cle ;:claxarc etc.

8.1"2. []e tcrmin &ylc:d cayacteristicii I-I/ ,] diocle i pnpn

in acest subcapilol se \/o1'prezenla procesele fizicc ce au loc in dioda pnpn, plocese lizicc
cziracteristice fi:nclionirrii tr:turol dispozitiveior mr-rltijoncliune, gi pe baza acestora, partilionancl Ei
nroclelitrcl in utocl corcspr"rnzirtor slrllcrtLu'a, se va cletelntiner cxplcsia cl.Lrzrctcristicii staticc a
dispozitivLrlLri.
Aloclalttl folo.ril trt rrnulizcr .firncliondrii .s'lt't.rc'turii c,\'te cel propus' c{a ljbet'.y 1;i prezentert in
1-rgr-ri'a 8.3, in cotrlblnritate c:Ll accsta structurer pnplx se clescompune in clor-Ld stlLrcturi c'le tranzistor.
'1'1
clc tippnp Si 'i-2 clc tip /?prl, colrcctatc ca in lrgura 8.3.b. .l.onctiunile perif'erice./r $i ,4 oonstilr-ric
.iortctir-rnilc en-ritor-baza alc tratnzistoarelor'l'r gi 'llz, ial jonclir-rnca meciieurd coresltunclc
.joriclir-urilor colector-bazi ale cclor cloLrd tranzistoare. I{elatiile ce caractert't.eazit arcest nrocici sunt:
I *I I
).1 I * -rI /a,1
I
- Ll -- ! lr2 -I /('l
(,9.I)
'(,1 -t gl:.r('1-r1Jl

Polariznncl clirccl sLntcturet cu o tcnsiurne tr/.1< llno,.jorrcliLrnilc,/r $i ,/: sc polarizeaz:i clilcct.

iar.ioriclirrnca ,4 sc polari'zctt'zir invcrs. AstJ'el, trunzis'toure/e nroclclur/tri ./i,tnctioneozci irt regint uctitt
norntul.'l'cnsiLrrtca aplicatir stnrclLrrji sc lcpar'lizcazZr astf'cl pe cclc l-r'ci .jonctir,rni:

(ti 2)
.I r:
$... A
A J.l IL l.)-
_,)
pi

l:i*'/t. (_ iBl-la_2 r)
T
lr+Ilr-- '

,i1+
ft_i
rj.r'r1.r./'
,,',t.)4,1.:
,+,
-T. J-r \;i it
FiqLrlrr S.3. Moclelarczr strLrcturi i Tlpn

231
 'l-ensiunea iuvcrsei pc jonc!ir,rnca meclian[ poate avea valot'i riclicate astfel incit I'enonrcuul
dc rlultiplicare in avalan$h ler aceerstl joncliune trebuie considerat in exprimarea curentilor de
colcctol zri celor c'louir tranzisioarc. in confoi:miterte cu moclelr-rl ]jbers-N4oil cr-rrenlii de colector ai
tlanzistoarelor stt"r:cturii pot fi exllrinra{i astfei:
Ir, = A,/,(ur r ' 1,,, + Ir,,ut)
(ri 3)
I5-., = A4 .(o" p2. I ,t. + lr-,t'..)
in carc 0"7.'1 gi o.1.1 sLlnt ltrctorii clc anrplillcatlc in cnl'cnt clirect, t1rl {actorLrl cle nrultipliceirc irt
avalzutE;it la .jortctir-rtrca ceutralit" iar I6s1r gi 16ps.7 crrlr.'rrlii
uLr(Lrrr irrrtersi ;ri inrrr'lirrrrilnl dc lnlcglgl' 11i
trauzistoarclol l-r $i 'l':.
Intt'ocluci'irrcl rcialiilc (ti.3) irr ccr-ratia (ti.1.d) sc otrtinc ut'tttittoafcit cxpt'csic l)clttl'Lt cLtt'etttul
prrn structurd:
I .', = Al '(rx,"1 I p1 + t\ p.. I ri.. *1rrro.r * Iruo.r.) = A,l'l(a rt + <x,,2)' |,, + Io.,l (,3.4)
l.'t I.,r lnz

:lclr czl

, --.-_1,,.
'
I .,1:
i\1"' - (o-7.1 t rr"7,.1 )
- (8.5)

iractorul clc nrultiplicarc itr avalan$d cste dat clc cxprcsia:

jt':J :- ll (8 6)
(t. \" I L' \"
1-l 'cri:l t-l '., I

[ ]'ru, , \ l'',tu= )
unclc I/6a2 t'cprczitttit tctrsittttca clc strirpLrlrgcre a jonc{iunii,./:.
Itclalia (8,5) r:clcvar posibilitatca cle;terii puternice zi cr-r.r'cntului prin strurctllrfl dacit estc
inclcpl init[ c:o n c{ i I icr cl e unt or s cr r e'.

(x/fr + u,,.., :lf lvrl (8.7)

IntroclucAncl rclalia (t1.6) in conclilia c1c amorsare sc obline expresizr lensiurrii clc an'rolsar^e :

I/
,llo-t- t,' (8 8)
llll2

Pcntn-r zi cvicleLrlia Jbnonrcnclc l\'r)ce cc stau la baza atlorsf ii cliodci pnptt r:clatia (ti.7)
poatc fi scrisZr sub lcrttta:

u + o,., ( [ ,.,) = I -l
t.l I I1= I1(V1) (8.e)
t.t(l ..t) -'02
A41\t.,1'

Ast[e1 sc poatc allmrzr cd clcpcudenla l'actorilor cle amplificare o"7: cle curentul priLr

clispozitir, 1i dcpcndcnta lactorr-rlui cle nrr-rltiplicare in avalauqd cie teusiunca aplicatir 1rc ciispozitirr
stau la berzer amorsiirii sLrr"rcturii pn1tn.lr<lnlzr clepcndcnlci 1'actorilor clc arlplilicarc itr cLtrent o,7.'
lrcrrtnr cloud tranzistoare. unul dc lip pnp gi altul de tip t'tpn, ce au accizrqi paraurctt'i cotrstructivi
cslc rcprczcnlatal in {rgula 8.4.

,\') a
LJL
 1

{"1. E

0.tr

{,) .
"1

(j.l

to5lo4l$jlr)rll]-11 lo l{tr io[-{]

IrigLrra 8.4. Depenclcrrta I'actolilor o"7. cic cLircrrtul prirr stlr-rcturh.

I-a tensii-irti clilecte cle valoare micd curentLrl plin clispoz-itiv cste Ibarte nric. hincl
cletet'ntinat cle.joncliunea ccntralI polarizatir invers. Astfe] l'aclorii o.7: zrll valori rlici, i,l/este
alrt'rrrirtiaiiv unitar ;i in cor-i1br'nritate cLr (8.5) I ,1* 111-,. Mirrind tensiunea zinodicir curcntul rezicii-ral
crc$tc ai odati ct-t :tccsta crcsc ;;r rralolilc iactorilor: o.7.. l)c aseltlenea, la cregterca tensiunii clircctc
aplicate crcqte;;i valoarca letctorr,rlLri iy'. Crcqtelczr valolilor'l'actorilor cle amplilicarc in culent
clirect conclucc. a$a cum rcier,I e cLraliile (8.3), Ia oregterea" culentului prin dispozitiv gi ?n
cortsccin{it la o nouit crcqtere a lactorilor'o./.-. Are deci loc Ltn pt'oc'es resenera[it,cc conciucc lzr
incleplinilca conciitici cle anrolsare.
Creqtcrca cLtrcuiLtlui pi'in strr"tctr:rit clatorit[ proccsr-rlui rcgcncrrativ c]etcrnriuir scelcicrcra
bzrliclci cle poicnLiitl a .joncliLurri ce ntleile gi cleci sciiclcrca tcnsir-urit pe clispozitir,. ,St:ur.let'eu
1ell'l'ittltii1l,:c/i,s:1ltl:i1il'c'tlltc,otlli|ett|t'ttt're,s'le.rectc.t'tl.en.lultti
rc:i.s'IanItirtclttIit'ti tt t't.tt'uc'Ict'i.s'tic'ii I - l',
])etrlru a pitlca cxplica in continnztrc pl'ocescle cc alr ioc it-r clispozitir, csic trccesar sir sc
t'evitiit la cxprcsia ([i.-i), cletclrlinatd in condi!iilc simpliiioatozu'e ale aproxiniiu'ii curcutr:lni
jonc:tiunii oeutrale cLr sLnra curctrtilol rcziclr:ali 1c1,o.r $i Ir:n,t.z.l)e l'apl relalia exactir cste:

-1.
-'.,, [."0( ?;" )-']-,,,,,, [..,,['1i., )
-'] -,",.
t-
f.l: _ (8. r0)
A,l-t -(u,,-, -t
+u7,.3 ) AI - (cr ,.., -r a 7., )

in carc./or2 reprcz-iutii clu-culul clc gcnerar:e-recombinarc al joncliurrii rnccliane clat dc rclatja:

(8,I I )

In regtr-utczr clc rezistentii negatirt6, a caraotelisticii, pc urislrrir cc curentul pr:in clispozitiv

crcgte, letrsiunea pe dispozitiv scacle cletemrinAnd soirclerea valorii lZictorulr-ri A4pttna la 1. Ast{bl, Ia
Llll tttoltletlt clat, seuttttl cxplcsici de la numitorul lelatiei (t3.i0) c'lerzine ncgativ iair tensiunea ce
caclc pe.ioncfiLlltea oentrala dcrvine pozitivZt, tra.nzistoar,elc'l'1 qi 'f2 satulAndu-se. iu consccinta.
clispozitivul irece in et cloua sa slarfe liurctionalA stabilii c[reizi ii corespr-urclc pe czrrzrcteristicd

233
t'cgiLrneu tla conchtc'lrc. in accst caz cxprcsia ([i.10) clevii-tc:
, (1.,,' (l',u' \ /tz')
/r'u' cxpl'fir ) , cxpls2J+/.,''"t cxplt';
,'' - l= - ,,J+/t""2 ,,J IR ]?\
\.,..-./
'.t:
(a,.-r +ct-,,..)-I (ctr'' + {\y1)-I
Coututarea in sens iuvcrs, clin concluclie in blocarc, estc calactcrizatd cle coorclonattelc
11r ilf a.1 ulr-ri cle rrentincrc. Curetilul cle ntanliner"c poertc fi clefinjt drept culeutr-rl la care tcnsiunca pc
jonc!i Lrncit ccnlrzrlii clcvinc zero stru cstc incleplintlir conc{iticr
-
cle ntenlinere'.

rt,..,(| ,,)-t-o"7..;(.1,,)= 1 (8.13)

'l'crrsir-rrrca colcspr-rnzirtoeu'c cLrrcutului 1ir, nr-rmitir len.s'iune c{e nte utrinet'e. sc poatc clclcrrlina
cll arp r:oxinra!i c cli rr ccr-ra!ia:

(t',,\ ( t,',, \
Irr = 1,,.: cxlll i
'[1.,/ l.- 1",,,,.cx1)l 1, I ,t
\/'It) 'Ol

8.1.3" Amorslrile ;rararitc alc clioclci llrlpti

I)iocia pnpn potrlc Ii prcmatur amorsatir, la o tcusiutrc urai tlich czt J,iJg. prin cre$lcl'c(
tanlperctlLl'll sau prinlr-o t,crriulie brtt.scii a len.siuuii altlicule strr,rcl-ut'ii. Accslc attrorsitri poat'tzi
c1crrlrnrircet dc ct tn o r'.s' ut' i pnr u zi I e.

La crcq;tcrea tcrrltclatr.rrij cr-rrcntul iur,'crs prin.joctiuuca urcciiaur-i cicqtc coitclttcAtrci la

crcqlci'ea valolilor lzrctorilor o"7..,si cleci lii accclcrzu'ca proccsLllui rcqcuct'atir,. acljcd la inclcplinirca
concliliei clc atlolsarc (8.7) ia o tcusir-rnc clirectd urai nricit. l)epcncicnla c1c tcutperaturit a factorilor
c1e antpiificflrc o"y.., prczcntertir iu ligr-rra 8.5, relcr,[ faptLrl cZr dispozitivul coLluta clin stat'ca clc

blocare in starrca clc conclucfie la o tcnsiune cu atAt niai micd cu cAt teurpct'atura estc mai ric{icatii.
Amorsarcer premalurir er structulii sc poate reahz;t qi 1a terlperzitulli uot'malit clach tcnsiuneat
clircctd aplicatii are cl vilczzi clc crcqtcrc loartc uriire. Aceerstit aurorsarc palazitri i-roartd clcnurtrirca
de efbct dy/cl1. AccastZr courltoltalc a clispozitivului igi etre explica!ia in airaiitiat r"rnci c:ontltonenle r{i
ctu'cnl .s'ttplintettlcu'c. aclicir a conlponen/ci cle cleplct,s'ctre ia: C)p'( clr,rd/), cetrc ct'cgtc villoarczt
cr-rrcn tur I ui cc pitt'cttrgc .]orrct i ttttclt nrccl i itttei.

I
0,8
F\
E{.J
Vt
n./
*
,.0.(r
t"
0,4
/I t b.
cdl

do
0,1 ,#
/V
M
\ 10

itt5lCi410ltriititt lil .t0 100 150 t00 Tr.c l

iolAl
IiigLrla,3.5. Dcpcnclcntcle clc tcnrpclaturd a lc:
a) fircltrlilrrl dc irrrrlllif rcarc irr crrrent o.7,,,7,, gi {\1:pr1p'.b) tcnsiLruii clc antorsarc

234
 In consecirr!ir- rclaf ia (8.5) corespunzittoil'e legrr"uiii cle bloceu:e a caractclisticii clevinc :

-t
I-
111. * A,l .C p .c|v ,, iclt
r.l = (8. r5)
-t
A,l - ( cr,
r,.,
-t- tt r.." )

Lrncic(7: rcpt'czitttli irt pt'incipal clpacitatca cic baricrir a meclianc ,/2.

"jolictiunir
Crcgterca cui'crrtuhti pr:in .jonctiLrnea centralir clcterr-nind crc$terca valorilor' lactorilor clc
anplificare o.7:. llr'occsLrl regenerettirr concinc0nd la o valoare a lcnsiunii cie amorsare mai miczi
decAt V3e. Cu cdt vtte'ztr cle varialie a tetrsiiruij directe aplicate stmctr-rrii este mai meue cu atAt
tensiunca de amorsare este mai micir.

l}'itarea eurot'seit'ilor paraz.iLc sc realizeazdlte prin limitirri impr-rsc tcurpclaturii rlaxinrc clc
lurcrn gi rrilezcj rlaxiure cle varialie a tcnsiunii aplicate, fie prin solLrfii tehnologicc la nivelul
structurii ftz;ce. Ccie mai r:tilizatc solulii tehroJogice cotrsletu in guntareer joncliLrnu ,./3 cu o
rezistenld clr o capacitatc. zrstl.cl incAt curentul clc cleplasare sd evite aceastir joncJiLrnc qi s[ r-u,r
setLl

afectez.e t,aloat'czl lr-ri o,71 care are o varialie n-iai pronunlatir in lr-rnc!ie c1e curent (vczi variatiLt u"1.,,,,,,
cliri fisula fl.4).

8.2. Iliacul
Djacr-rl eslcclispozitiv mLrlti.jonc!iLure cc lrrezirrtei condr:c1ic biclireclionalir. Dispozitivr-ll
t-tt-t

arc cittci stratli"tri cit conductibilitirli altcrnate qi patru jonc!iuuri. \4odclLrl Luiiclinrcnsional al
sirLiclurii cste prezcntzit in figula 8.6.a. ial sinrbolLrl clispoz-itrvului cstc rcprezcntat in figLu'a 8.6.b.
Cci doi clcctloz-i ai dispoz.itivului se nLu']resc terntinctle. Moclclarea lirncfionalI a stlLlctLli'ii sc poatc
rcaltztr l'olosincl cloitit stllrctut'i 1tn1tt concct:rtc antiparalel ca in figula U.6.c. NotAncl cLr /q1 5i 1..11
cLrlcnlri prin cclc cloLtir stt'uciun pnpn se poatc cxpr"ima culcntul prin clispozitiv ca llincl:
I7:11-1.p (8.16)
La atpiicar:ea unei tensir:ni I/'r> 0 structurapryn I estc polariz.at'a clirect, iar strr,rclultr prtltn 11

cstc polarizatd invcrs. it't cottsccintit. curcntul prin sLr'uctlud estc clictat cle strLrcturapnpn. ], aciic,it
I.r. = I ..u J- /inr:
=
/. rr , (8. 1 7 )

izir tcnsiltuea dc aurolsarc corespllnzitoerrc accsteia sc noteazir cu I,'no sar-i lr,j,,.

dcviuc negatirra, structura pnpn ll esle polariz-atir clirccl iar

CAncl tcnsiunea aplicitLit l/1
slructrtra pulut l cstc polalizali:r inrrcrs. CLrlcntLil prin stlucturA este cJat de relatia:
I-lt-t
* rilrr.l
r7 -/.ll : -1_ll. (8 rti)
clispozil,ivr-tl conrutand in conciucrtie 1a tcnsiunca cle anrorsafc colespunzltorirc strllctLrrij il.:rolarlri
ctt [/61q satu Zr,, .

in
cousccitt!it. cetraclet'isticzr staticir a clispozitirrului, prczentatd in figula 8.6.cI, cstc
cetractet'izztth clc douii rcgiutri stabjle clc conclr,rc!ie, Lrner in polarizalc cJircctZr.,si alta in polarizar:c
iuversf,. ir-r genclal. tcnsiLrnilc cle aurorseu'e in sens clirect;i invcrs sLurt apro,rirnaliv cgalc. valoeuczr
lor comunii notinclu-sc- cv L's1.

235
 Ti tl
c. '
^ l-1,

b) simboII c) tloclelare {irncfiorraI:r;

Figr,rra ti.6. DiacLrl: a) stlr-tctltrZl;
tl ) caractct'isticir statica'

cliacul se foloscEtc iu circuitcle de otlrelll

Datoritil caractcrisLicii salc biciircclionarlc,
or I i c1i spozitivel o r tri ac'
erlternzrts, pcntlll oo ut zrtt cl zr tiristoarc
1

[i.3. Tiristorul
8.3.1.
-E
iristoc'il1 coltt'c*tia*al
strttctttt'it TrilTrti
,l.iristor.ul co'r,c'!ionzrl csLc Ll' clispozitiv clcclronic lcaiizat clintr-o
r-rcdiatiit c1c till 7r'
corrprctar-ir cLr L'r crcctrocl clc
conra'clir'ui'it pocrrrci^ corccr^t ra rcgir-ruca
N4oclelr-rluniclinrctrstorraigisilrrbolLrlacestt-ticlispozitir,st-Ltrtplezetltateitt'figtrr.a8.7.
i'gol esrc simila.ir ctt
ca.cr crcctroclul c1e poartzr cste rhszrt
r;rrnctrorrarea tiristorurr,rr atu'ci
nunte$le. tn',"'u"n,..:',:,
cle ar-rorsarc cofespLlr]'z.iatoare zrccstr-ri czlz sc
cea a cliocicr r)tlr)t1..r.cnsinrca
cste de a per'rite inicctarea utlttt
gl sc cr-r lrlo. r{olul elcctlocluh,ri iroartzr
ruurottnutr'cu.c clc arllofszire a
'orcazir cie a controla in accst rrrocl teusi'ncer
curcnt i' jo'cf r,nca J3 a strucLurii 1t,1,t s\cleci
dispozitivului '.istorLilui prir-r inlcctarczr unr,ri cureut pc
..--.1.... (;.,:.,.. ,,., er,loc la ztuorsarca ltt
Analiza proccsclor fiz'icc cc eru
st'r-rctu'a pnpn (vc'zr
poatc racc folosirrcf ioclcrui fr-rnclional propus clc l]bcrs
poartl sc 'entru
ircest nodei sunt:
iig.,ru 8.7.c). I{clalrile ce cauerctcr\zcazit
l.,t=lr;r=lcr)-lct lrt=\1-ll1' (8'19)

Irst= It:: I 1" = Ii''-l [';

1i
-----=------,-., A
}L

lio
o
4r

('.
tr,
il.
a1 -l'iristorLrl cottvetltional: a) structurit: b) simbol; c) uroclelarc
l:igLrrzr (). /

236
 Pentrr: tensiuni [".t poz-i1ivc gi urai nrici ca lensiuncar c1c zulorszrre, notzrtir cr-r I/ u.
tlanz-istoarclc rlociclr-rlr-ri sLInl polariz-atc irr I{AN. in consccintir, cLrrcn!ii cJc colcctor' ai
Lranz-istozrrclor"l't gi
'i'r sr-rnt c'lati dc relatiilc:

Ir, = ,tl'(rxy.1' I p1 + I;,j11.1) = A4.(ar..r . I ., + 1r.,,,,.,)

(8.20)
16-, = A'l' (cr"r:' I p. * I;s6.) = i1.1'|ar,.r' Q,., + 16;) + /cro.. I

Astlci. cr-rrcnlul plin structuri:r sc clctcrminir clin relalia:

] t = I t. t )- I r." = 44 .
l,(rx,.1 * (\ 1..t)' I,t + rx 1r2 . I 6 * I c rso.t + I c: rxt,zl (8.2 1 )

clc Lruclc

I-
t,....1,., +1r..
_ _t (8.22)
- Al-t -(ur.,+a7.,)
Itelatile anterioare aralir laptLrl cd irrjcclia Lrur-ri culcnt pr:ir-i joncliunea caloc'lr-rlui are ca ef'cct
cl'c$tefea curentrrliri /r': $i a lactor:ulLri o.7.2. Acestc crcgteri concluc la cregtcrea cLrentului prin
struclurd gi clcci proccsul rcgeneratirz conclucc la o tensiune cie amorsare IIn< [,'xt. l:-.stc eviclcirt
I'aptrrl cir valoarea tcusiLurii clc anrorsare se micg<>reaz/a pe mirsLrrir 0e clrrentlll injcclat prin
clectroclul clc poarl[ cre$te. Depcnclenla lbctorilor de ailplificzrre in curenl clileot star-r gi in accst
cttz Ia bazer amorsalii cli spozitivuI ui,

lizicc cc sc pctrcc in pclioacla dc contulau'e sLrnt acelcagi ca la cliocla pnpn Si tlcei

I)r'occ:;clc
itt re.gituteu da c'intduc'1re tlanzistolu'elc sttrclLrrii sc \iol'sztturer. iar relatja cc clesclic fi"rnclionarca
clispo;r-i Livul ui cstc :

I- I. - {\,...
_
-jl
-
( r)"
r.'r
-l- tf,
r.'. ) -l
t,, \ ( tr.,. (8.23
Ic.r^ .a,rnf '-',',
r
| ] uro.z 'eXPl
\. r7' ) l-l-
,/,.r0.: .

'.'[?') , - '::
\2 V, )-""'
r"
(cr",..r -t-tx,,.2)-l

{laractcristica l- I,'a tir"istorirlLii cstc ilr-rstratd in figLra 8.8.a. Se obscrvir clcpcnclen!a

tcnsiLrnii dc amorsarc cie curenturl injectat pc poartir. Atunci cAnd curcntr,rl injectat i1; clcpirgcEtc o
arrLrnritii valoare iinrorsarea sc proclr-rcc clirect (r,ezi clrrba punctalf, Oll), ca la.joncliLLnct 1r-,r. it
polalizarc rnvcrsii clispozitivr:l se compoflir ca o clioclZr pnpn, plin el trccAnd un curerrt mic.
(loilr"tlarcit iu scrrs invcrs, din couclLrc!ic in biocarc, sc rcarlizeazir in mocl r-rzLral prin
scitclct'czt citrct-itLrlui 11SaLr lctrsjunii I,'4 sub valorile clc mcntincrc.'i'eorctic, blocarca tilisrorLrlui sc
mai poatc realiza gi plin cxtrelc.crc?l Lrnui cLrrcnl plin poaltit (aclica /G < 0). itl'ectclc aplicirrii LrnLrr
curc-nl ncgaliv pc lroar"tit constau in crc;terea curcnlului gi tensir-rnii clc nrcnlincrc prccurl gi a
tcnsiunri clc atrorsare (r,ezi figura 8.8.b). Praotic, este ineficientd blocarea tiriston-tlr,ri convenljonai
in accst urod clcoar:coe valoarcet curentr-rlni invcrs necesal' pe poartd ar 1'r comparabilI cu valoarca
curentului principal prin ciispoz-itiv gi clcci s-ar pierclc rrnr,tl clin avantajele princrpalc ale portri:
oouratrcizt Llnor cul'enli mari in cilcr-ritul eurodrc prin valori rlici ale curentului cle poartd.

237
 i.- =0
;!J
T_.

IH
\,,8R h
\'-' \'nr' lA
'Ft'L

t. i gull,, 8. g. caractcrisrici le stalice alc ti'isto'Lr lu i conrreutioual.

Aprinclcrilcparazitcp|incL.c$tc|eatenlpefatul.iiEii]fi1"iefcCtc1r,/cltscirrtirirrcscSila
a'le tet'uperaturii c'le
vziloriior'
l:vitarca acestofzl sc ob!ir1c Iic pr.i' li'ritari inrpr-rse '1axilrlc
tiristoarc. terrnologicir,
lie prin soruiii telir-rologice. cea'rai forosit' solulie
rr_rc.-r qi a c1c
'arialie, Str-ttcturi cste
'itczci este StLuctura ctt gunt pe et'itor' Moclelarea etccstei
1:llczc'tzrtzr iri
ligura 8.9.a,
factor'ului de amplificare
g.9.b. Irrezcnlzr rczisterrlei 1rr.'rocle'eazl clepenclenla
prczcntatii in figur.a zrcesta'
unei rute sulrlirle'itare lrentru
clc rr^loarca curcntului pr.i'clislroziljv pr-i'realizarea
G1:2
.r.ir.istorr,rl poatc fi alini.c'tar atit cr.r o tersiu'e co'tinr,iir cdt qi cr.r
o tersiu'c altc.ratr'zr'

ra aplicarcer unci tc'siuni altcl.^tivc

irt'c auocl gi catod cste ascnritriatoarc
tiristorurr_ri
oou-rpclrtar:ca ir-r co'duclie poate fr
cu cleosebirca cir p'agur crc ir-rr.i'arc
cll ccil a u'ci crioc.re scr-r-rico'cluctoarc. cot'anciii
ur-rci courenzi aclec'ate pc elcctroclr-rl cre lloartii' serrrualul c1e
*roclirrcat priu airliciirea conltttitrc'a
cat gi ur-r irllrr-rls cre Poraritatc ool'cslrLl'zitr'oairc'
poatc atiit u' scur'al co'rirrr-ru l'tnit' Iiincl lcgatir cle proccsc
' clin blocarc irl conclr'rctic Et itlvcrs sc t'ealizeazf,intr-ut-t timp
tir'!storului lrcbuie sti
cic llr.rrtrlori r'i'oritari. De
aceea, irttptLL'sut'ire tle co'tctnc{ii
fizicc ca injec{ia gi cxtrac[ia
cle tin4t c{e menl'inet'e Pc,
r,i,ir,ir care lrcntru comLrtzrre clirectd poartir clc'uurirea
ctibci o clttt.ctr(t 'fimpii c1e cornutare dircclil 5t
i'versir cre rintlt de t.ette,it.e
pe 1t'crrrIi.
comuti.irc
ltotu.rd^iar pcntru scacl cAncl moclulul a'rplituclinii
se'rnalulr'ri c]c
in'crs[ cresc cLl terlpel.atul:a qi c, cure'tul anociic ai
la
.r.inrpii clc comntar c va,ztzitcle Ja zeci cie nanosecunclc, i'tiristoarcle .apiclc'
corr-iarncizr crcgtc.
gencral. tinrpui cic blocare al unui
tiristor estc mai ntarc ca cel
r-nicrosccunclc in tirisroarclc lcntc. ln
c1c aurorsetrc.
(:i \.:-. C
rG
___:--+ ?L
T-
\-t=l 11

T.
J;l
rtiltiitEg
.\

d I
I
&
A
A
accsteIa'
cLl $Llllt pc cmitor Ei uroclclarca
FigLrra 8.9. StructLtra clc tiristot'

238
 Corrtancla polJri tiristoarclor sc poate rcaltz.a priu clouii tehnroi gi anuntc: c'ornunclcr pc
ret'licol;i sttu ltritt crtnpliluclinc Si c'omcutc/u pe orizonlcrld satt pt'itt.fuzu. in cazvl c,ontenzii prin
crrnplilucline. tct-tsilurea c'le conranclir cste in faz.ia clr ceel aplicatd intrc anoclul gi catoclul
dispozitivulut, anrorsarea la lensiuuea c'loritir realizAnclu-se prin niodificar-ca amplituclinii tcnsiunii
clc corr'tandd. Un cxcnrplu sinrplr-r clc polarizetre a tir:istolulr,ri in curent altcrnativ folosind Lrn astfcl
cle circr,rit cle contetncld. impreunit cu fornrele de r-rncid corespunz[loare, cste prczcntat in figr-rra
8.10.a. 'finprLl cle conc'luclic t6. al tirislorului cste caractertztrL r-Lzual plin Lurghiul 0 : rrl t6 ce
poartii denr:urirca cle unghi cle contluclie. Unghiul cle concluclie al tiristorr"rlr-ri poale li moclificat
pi'in irttct'ntccitLtl sctrrtalulLri aplicat pe poar:lir. Acest mocl cle conranciii este inrpelfect clcoarccc rtr-r
pet'uritc urn rcglaj conplet al r-rnghiului dc conduclie, ci nnrlai in intclverlul 90" -:1[i0", cecz] c;c sc
fi'atclucc prin 1erplr,rl cI t,aloareet mcclie a cLrrcrrtului nu poatc fi variatir pAna la zero ci nunrai pAnir la
112 clin verlorilc nraxinrc rcspcctivc. I)osibjlitateer unci comcrrzi carc sir pcmritZr r-rn reglaj apfoapc
total al Lurglriului cle concluciic cstc ol-clitir cle comcutdu prin.{trzir. iri erccst oLt,r,.pc poartir sc aplicir o
lct-tsiutrc cle an"rltlitLrclinc cotrstatrtl clat'dc fa'26. r,aliabila. iixcrnplc c]e cor-r-ianclir prin l'azir inrprcLrnei
cu formole cle r-rndd cc caractcrizctvzit {uncfionar"ea cilcuitelor sunt ilt'ez-crllalc in figurile 8.i0.b 5i
8.10.c. Cilcuitul llc - C.'rcprczirtlir r:rr ciror-rit del-azor cerre permitc ob!inerea unei tcr-rsir-uri clc
comancld llc poart,l eii,Arrcl faz-a variabilir pr:rn intermediul var:iatiei rezistcntei /11.

rpil )

, iAtl )

1 v. '-i.
., .: ---'--li1,.
Fii_-. '.:. ,/
/ 1,
\,'
\gC

l';r{rl

i
\i:
\itrlj
I

\. \+,

': r.t-llt 0
-.--.H'}'
t-.

IigLrra [i.I0. l)osibilitirti cle couranclzi a 1i listolLr ILri :

a) conrancla prin anrpIitLrcliuo: b) gi c) conrarrria prirr fazir.

239
 fJ.4. Triacul
posecr[r 1t,r:priercrrcct tle
.r.riuctrresre uu clis'oziti'clcctronic czrrc, spre cleosebire cle riristor,
prezetrtat in
crisltrzirit;t,rrui, al c[rei mociel unicli'-ie'isiorral cstc
conducrie LticrirecLio,urtt. srr.t.tcrttrcr rtntipcu'ulel \n
ct,r crot.tir ri,isrocrre cotlectctte
g.11.a, conli*c ci'rci stratu t:i si e.ste ecrtivarentci
r.Lgura coLesilunzdtor acestui
crc siliciu. ce (lLt o ,si,gr,d r)oc*rrr cre cortc*tcrir. simbol*l
aoclaqi rrrorrocrisrzrr snut prcz-cutatc itr figura
clis1:rozitir,, i'rprcn'ir cu sc'rsurilc
cou'c'tio'rare pentru cr-rrenfi Ei rcrsir'r'i'
cu 7'1
ctirentul prinoipar sc r-llrl1lcsc ret'ntittctle gi sc'oteazl
g.11.b. cci c10i clccrrozi i'trc czrrc circurd
cores'nrrzirtoare caracteristicii ''r-ri
1 _ r,.ltrc.z.uLtatir i' r.rgura g.i 1.c, are Ibr'rzr
qi 72. car.actcristica
1;7" I)c tlceca' triacr-rl cstc
i'tilrrit 1i
tir.istor porau.rzarc clircctzr i. a'rbcrc"porar:ita1i ale tensir-rnii
cur sctlttalc cle
()rtttrcritclrt pc pozrrf[ (grili):;e poatc Iacc
'c'tru
sub clcrrtrrnirczr clc lit'isloI bic{ireclirsttttl'
clouzr scnsuri arc cure'trlui
principal 1r"'l'cnsiutlile clc
ar'bclc polarirali pcnh"Lr {-iccarc cri. ccrc
cu il6 \i l/no peutt'u "t': 0 9i cr'r I/; 9i
,,"' pctttrLt
clircct iuvers sunt uotate
2r.11ro1.sarc in scns 9i in
clc a'rolsare in sens cli'ect
gi i'vcrs sr-rnt c'nsidcrtte egalc'
Iigura Ii.11.o tc*siu'ile
1:,_ * 0. Dc:;iin
c1e +10,%.i'func{ieclepola'itdlilete'si''ilorzrplicatestt'ttctr-lt'ii'
lrracticiraccsterlcritcriri'pr:oporfie
1:,.9it16;.scclistirrgllttlt.t'ttttoclL.u.ic|c.{itttctricltt(|t.e.pte7'C..1Latcittfigrrta8.12.
sLructurii' aclrci
clc aplica.cil Lltor tetlsiuui poziti'c
i\4.clttll clc [u'ctionafc cstc clctcrr'i*^t cle
cic f trtrctiotrarc CO|1ll)olta,rea
clispozi|ir,rtltti cstc cictcrtrtirra|i1
1'7 > 0 $i t.r; > 0' irr accst ttlclci
stiuctrtra
c.ttva,Iitt,,rr1. strzilnl /r3 a\/allc1 rolul Clc ltocr'rit "'""'1ic:ri'
strrrctlr'r r)111:p.t7t crc rir.i,rrot.
atrtiparalcl' cstc blocatit
l)3t1lp1tl5"cclttcctittil . - :-..-: t,l
rlnei tcrrsiutri -. ): ()f\ "i a,. ,rrrci icrrsir-rtr'
ltltct tct-tslttttl
fLrrrctiollelfc cstc clel,ct.tlrinar cle aplicarea
it,Joc/tt|// clc 'i
clc ti'.io'c!iune fi1;-lh''
ciirect, cste comi.urcratir pri' clcctroclui
c1e electrozii 7'1 9i c'
yq; < 0. Structurar r)1t12r)3t.ta.polarizat-r
pc clatorit[ ;r-r't'ri1or clctcrmi'atc
La aplicar.ea p.rcrtialulr-ri ,cgatirr regi,ne,. p3 din vecinirta.ea
o c1c tc'sir-'nc 5i astl'cl i'trc
czrclclc'oartd.
1rc str.atr-rl r'tc'r ,3 irpelrc
g.12.b), jo'cliu'ea coresirurizirtoare 713-,6;
i,r ,6; circr-rlir u'r curent i6; (ve.z\ figura
crcctr.ocl*lui $r
p1t'I2l\t't6;5i asrt'cl jonclir"rnilc
ciir"cct. Accst cnLcr-rt cunorsecrzd liri,rlorul uuxilittr
[iincl polarizalir ,'1 ,'1
cliri vecinzrtatea supcrioar[ a regiur-rilof ir6; gi rra gi rlin r:egiLrnilc 'si
cot1lpu,\e r.egiunerr
crin 7;3
unrctt"scctzu
iar tiristolul pr"irrcipal p1tt214tra 'se
'
tlev\n ltoltu.izcrta tlit,cc,t.

l6y:r'-

i..
lv-
i

r r'-ay'
\':.,
,l U TI
(i rl
C.
It.
' I r. ..r ^.,,..,,.r,'"igticir
Slll1t)Ol, c, uitlcrLlrr Staticl-r
'friac;Lrl: a) uroclcl uniclimertlsional; ll)
I

FigLrra tl. I I .

240
 "'\.loclul lll
tlc lintc'liottcrre c:orespuncle aplrciu'ii unor tcnsjuni ncgativc structurii.,,1ici li < 0
yi lr;< 0. in acesi nrocl r'lc lr.rnctionarc s11'Llctura p3t12J)1tl5 csrc polar"izatir clircct iaLr structlu'L\p1n1p1t'ta
c()ncc1ati-r arrtiparalcl invcrs. arlorsare a structLrrti pttltu polariz.atc clilcct sc izrcc pr:in
Clon-reurcia cle

antitortrl atr.rilit.rr rrr;. Astl-cl. la aplicarca potcntialulLri negativ pc poart[..jonctir-rnca lblrtratzi clirr
rcgir-rnca /r; coreslrLrttzittoarc structr-trii p\t?)l)tt?5 qi regiLrtrca /?1; SC polart'zca'zit dilcct. cuttor'.s'iind
frrjslolLri auxrljal (r,czi figura 8.12.c). Joncfiunca p3-t12 sc y:olatrzctt'zit clilcct qi astl'cl sc
p'.1t12p3111;

trntrtt's'act:ii .yt tit'i.s'lot't.rl princ'iltctl p3n21:1ris. in consecintzi, se poate z'i{lrma cI in iloclLrt Ill clc
fr-rnctionarc conrancla se face inclirect pe poarta anodicir rr2.

gi Lurci tensiuni vr; ) 0.

,\'loclul 1J,'cle l'r,rnclionare corcsplnrcle aplicirrii r-rnei tensiurri v7'< 0
,\lt'trclLrrcr 1tt'int'ipttlti p3t12p1t1:, polzrrizatii clirecl, ,\'e otnor,gcctzir inclirec/ prin "oonrAnclii cle la
ciistarr!;i" a poflii iinoclicc 13. Astlcl. lensiunca pozitivir aplicalZr pe poartd polarizcaz.it. clircct
.ioiretiunca lilrrllrtir ciin lcgir-inea /)3 corcslllrnz-dloerfc portji (/' $i lcgilrnca n 1. in accs;r f cl sc
in;ccteazit clcctrotti clrn regiLrircll /?,r in regir:nea p3 (rzezi ligr,rla 8.12.d). Acc;;ti elcctri-'rri clill.rzcaz.it
in rcgiitncil /r.r t:ol'cspLtuzitloz.trc icrntinalului 'l-1. liinci coleclati cle.ioncliLu-rea p3-t12 corespLLnziiloare
strirclLu'ii plincipalc. Cre;tcrca cr,rrenlului plin aceastir.jonc!iLrnc concluce la anrorsiilca l-iristorr-riLri
l)11 lzp 1t't 5.

h4oclurilc cle lirncliorrale l5i II colcspuncl calacLerislicii statice clin caclranul [. ial nrocJuri]c
cle lirncijonarc lll
gi IV corespuucl catracter:isticii clin oetdrannl IIL Valoarea cLlrcntlrlLri principal
inilucuicaz',ir r;irloaica cureniului clc couranclir qi astlcl sensibilitatca la scmnalul c]c corlanclir csic
rniri ilalc cind cci cloi cLrrcnli cilcLilir in seusuri opllsc.'friacr-rl sc foloscgtc in cilcuitclcr ilc rcgl:,ilc
si ciriir:urtlii a p.Lltclii ir: cLricut allclnaiii,.'i'ensiunca clc antoanrr)l:silrc tr:ebLric sir ljc urei urarc clccit.t
lrl()arcil cle vir'f it tcnsiLrnri aplicatc triacLrlLri inlle terminalelc'l-1 qi 'l'1 pentfLl a asigula anl()l'sluL'rl
.lispri:,,-iiir LriLrr pc potiltii la olicc vtrlonrc instanlauce a tcnsiuni clc aliurcutarc. Lin circLiit cic
conr:incli't plin laz-ir a tliacr-rlui estc prezcntat in ligr-rra [3.13.

.l I
]. {, l'l.rJ 11
'- tl "''-'
ti- .i:_r I

l'.,[,:,rl Ii] l'l['...i.1 I i

:!.:'t-t
\ ''r''
-.t.i.r'' '1il ::i-r

Ir
N4ocluli lc clc ftrnclionarc colcspu nz-zitoar"c t i ri stonr I Lr i.

241
 CiicLrit cle couratrcld prin f az[ a

242
 ZGOIVIOTUL ELECTRIC

1.1. Generatiti(i
in general, prin zgomot electric se in{elege orice,sentnal perlurbalor indiferent cd este
generat de o sursd interttd satt extertrd dispozitivului sau circuitului
stucliat. in acest capitol se
trateaza nutnai zgoruotele care iqi au originea in fenourenele fizice lnicroscopice
ce au loc ip
elenlentele de circuit gi se lasd la o parte zgomotele care rezultd prin captarea
ulor seprnale
generate de diverse sLlrse externe. Astfbl, pt'in zgomot inlelegem
Ltn s,entnal eleclric fluctuctr.tl
(tetrsiune sau curent), clt o r,orialie ctleolocu'e in tintp. Existenla
zgomotului constituie o
consecinla fltndamentald a faptului ca sarcina electricd nu este continud, transporlul
ei
realizdtldu-se iu mod aleator, in cantitdli discrete, egale cu sarcina electronului. RezLrlta
ca
zsotltotul este asociat direct proceselor fundarne ntale din componentele gi dispozitiyele
sem iconductoare.
Studiul zgornotului esle impot1ant cleoarece zgoniotul impune limita inferioard a valor.ii
tttlui serllnal electric care ntai poate fi amplificat de un circuit 17rd o deteriorare senrnilicativa
a
calitalii sentttalttlui. De asetrenea. tot consiclerente de zgomot impun gi limita supeloara a
Yalorii cdstigulLri ttrtui arlplificator (daca cAgtigul esre pfea n-rare eta-jele de iegire alc
anrplificatorului vor incepe sd iinriteze din cauza amplificdrii zgornotului dat cle etaiele cle
intrare).
Setnnalele de zgornot electric se caracterizeazd printr-o anumitd densitate spectrald.
Dacd tttl setlrttal dc zgotnot are densitatea spectrala uniformd intr-o banda larga de fi.ecyepte.
acesta se nurneqte zgontot alb.
in acest capitol se descriu diversele surse de zgomot electronic care apar in structurile
de baza ale dispozitivelor uzuale:joncliunea p-n, tranzistorul bipolar cu joncliuni gi cele doua
tipuri de tratlzistoa|e cu efect de cdrtrp. cu grila joncliune gi MOS, gi se prezinta circLritele
echi|alente de sernnal tuic ale acestora care conlin generatoare de zgon-iot. in llnal se prezrnta
cAteva tnetode uzttale de specificare a performanlelor de zgornot ale unui circLrit.

9.2. Natura zgomotului electric

9.2.1. Zgomotul de alice

Zgomotul de alice este prezent in toate dispozitivele ce con{in joncliuni p-n qt cou1acte
metal-senricottdltctor de tip redresor, fiind asociat intotdeauna cu trecerea unui curent
conlinuu.
Petltrtt a explica originea zgolnotulLli de alice se va considera o joncliullep-71.
Curentul
prin joncliLlne, 1, se compllne din golurile din zonap gi electronii din zonan ctire alr suficienti
energie pentrtt a inviuse bariera iuternd de potenfial gi care, dupa ce au traversat regitrnel cle
sarcind spaliald, difuzeaza niai departe ca purtdtori rninoritari. Astfel, trecerea fiecarui pLrrtator
peste regiunea de sarcit-td spaliald este un eveniment pu" oleator (dependent de laptul ca
ptrrtitorul rnobil de sarcind are at6t o energie suficienta cdt gi o vitezd corespunzdtoare) gi. ca
urmare, ctrrenttrl /din circuitul exterior care apare ca fiind constant este. de fapt, cotnpLt.s tlintr-
un ntrmdr nrcu"e cle intpuls'uri de cttrent alecrtoare, independenle. FlLrctua{iile curentului 1 sunt
denumite zgomot de alice,

in general zgomotul de alice se specifica prin varia{ia pdtratica rnedie a curentului prin
jonc{iune fa{d de valoarea sa medie /l:
;: r
,. 17,- ,.r,
it
-. =U-I.r)t =,ll]:.|; (t-1r)rdt =2qt,,LJ' (9 l;

Ltnde q este sarcina electronului , iar Lf e ste banda de lrecvenfd in care are loc mitsurarea
exprimatd in LIz.
Densitatea spectrald a curentului de zgornot definita prin relalia:

,s,=7t Itf =2.ct'tn y62fuzl, (.e.2)

este irrdependenti de frecven{d giin consecinld zgomotul de alice este un zgomot ctlb.
Deoarece zgomotul este un sernnal pur aleator, valoarea sa instantanee nu poate fi
prezisd pentru nici o valoare a timpului. Singura infbrrna{ie disponibila pentru a fi utilizata in
calcLrlele de circuit se leferd la valoarea patratica medie a zgomotului clatd de rela{ia (1.1) in
care banda de frecven{d Af este deterrninatd de circuitul in care ac!ioneaza sursa de zgolnot.
Explesia 9.1 este valabila pAnd la frecven{e cornparabile ctL inversul tirnpului de trecere a
purtdtorilor niobili cle sarcind prin regiunea de sarcina spaliala a jonc{iunii. adica pdna la
fi'ecvenfe de ordinul GHz.

Efectul zgornotultti de alice se poate reprezenta in circLritul echivalent de semnal rnic al

Lrnei joncliuni p-n prin includerea in paralel cu joncliunea a unui generator cle curent (r,ezi
figura 9.1.a) caracterizal prin valoarea efectivd:

(e.3)
gi care, deoarece sernnalul de zgomot are o fazd aleatoare, nu are polaritate.
Curentttl de zgornot prodLrs prin mecanismul de zgomot de alice are o amplitudine care variaza
aleator intin-rp, specificarea acestei amplitudini fiind posibila nurnai printr-o firnc{ie cie
densitate de probabilitate.

11
Y r-1--t-j f--C r
r:{i] YIA r-'ln | .- /\-- f--l-----{ A. :-
+'li'r'R'l
V
I = l,l"'ftip,:=:.r't..:r l"b1;1 +.riTlr- ?',=
R ?Y- itp^'
vn=V+ %
: I
I_l---T IAT trl^
-l+o L---.-------O U
a, b, c,
Figura 9.1. Circuitele echivalente de sentnal mic care inclLrcl:
a) zgorrotul de alice pentru o joncfiunep-ri; b) gi c) zgornotul terrnic pentru un lezistor,

1/ t1
-aa
 9.2.2. Zgomotul termic

Zgomotul termic este generat printr-un mecanism complet diferit de acela al

zgomotului de alice. El igi are originea in migcarea termicd aleatoare a electronilor qi nu este
afectat de prezen{a sau absenla unui curent continuu, deoarece vitezatipica pe care o capdtd un
electron care se migcd intr-un conductor sub influen{a cAmpului electric este mult mai rnicd
decdt viteza sa tennicd. Fluctua{iile de energie ale electronilor liberi determind aparilia unui
curent fluctuant prin orice structurf, rezistivd sau, in mod echivalent, a unei tensiuni fluctuante
la borne. Energia cinetica medie a electronilor este propo(ionald cu temperatura T gi deci
zgontotul terntic esle direct proporlional cu T.
Media in timp a curentului fluctuant sau a tensiunii fluctuante de zgomot este zero, dar
mediile pdtratice ale acestora sunt diferite de zero:
AI T
) +KI
_al
/- -
R
^
i =4kr RLf (e 4)

unde ft este constanta lui Boltzrnann, T temperatura structurii rezistive, R rezisten{a structurii qi
Af banda de frecven{d in care se realizeazd mdsurdtorile.
Se poate ardta cd zgomotul tennic al unei structuri cu rezistenfa R se poate reprezenta
printr-un generator de curent i 2 conectat in paralel cu structura rezistivd (vezi figura 9.1 .b) sau
printr-un generator de tensiune 7 conectat in serie cu structura rezistivd (vezi figura 9.1.c).
Aceste doud reprezentf,ri sunt echivalente, r,alorile efective ale generatoarelor sunt:

4kT RLJ (e.s)

Se observd ca expresia 9.4.b a generatorului echivalent Norton se poate obline din

expresia

r:- - P- ,- (e.6)
Densitatea spectrald a zgomotului termic este independent[ de frecvenld gi, in
consecin{i., zgomotul termic este un zgomot alb.
in figura 9.2 se indica modul in care se poate calcula zgomotul a doud rezistoare legate
in serie, respectiv in paralel. La legarea in serie a doud rezisten{e tensiunea generatorului
echivalent de zgomot este datd de relalia:
111
v | | r: (e.7)

iar la legarea in paralel a acestora expresia curentului generatorului echivalent de zgomot este:
aa
I -11 '1t (e.8)
Zgomotul termic este un fenomen fizic fundamental prezent in orice rezistor liniar
pasiv. Aceastd categorie de rezistoare include rezistoarele convenfionale, rezistenfa de radialie
a antenelor, difuzoarele, microfoanele. in cazul difuzoarelor qi microfoanelor sursa de zgomot
o constituie migcarea termicd a moleculelor de aer. in cazul antenelor sursa de zgomot este datd
de radialia de corp negru a obiectului spre care este indreptat[ antena.

245
 t=t E.kTF
''V R
Y-=y'4fiffif
R=R1+R1 , -' E.k.T,af R=Rr//R.
vrt
V1=VTk.XR1.nf-
v,.={4-TIT$S

Figura S.Z. I\aoaut de determinare a generatoarelor de ,gl*ot echivalente in cazul:

a) legarii in serie a doud rezistoare; b) legirii in paralel a doud rezistoare.

9.2.3. Zgomotul de lic[rire (zgomotul l/f )

Zgomotul de licdrire, este un tip de zgomot care se intdlnegte in toate dispozitivele

active gi in unele componente pasive discrete cum ar fi, de exemplu, rezistoarele cu carbon.
Provenienfa zgomotului de licdrire este variatd. in tranzistoarele bipolare zgomotul de licdrire
este determinat in principal de nivelele de captur6, asociate impuritdlilor gi defectelor re{elei
cristaline, existente in regiunea de sarcind spafialS emitor-bazd. Capturarea gi generarea
purtdtorilor de sarcind de citre aceste defecte se realizeazd, in mod aleator. Valoarea
constantelor de timp asociate procesului de capturare gi generare de purtitori de sarcind face ca
zgomotul care ia nagtere sd aibd energia concentrati la frecvenle joase.
Zgomotul l/f este asociat intotdeauna cu trecerea unui curent continuu gi poate fi
reprezentat printr-un generator de curent cu valoarea patraticd medie datd de expresia:
fq
i' = const !- Lf
'{0" (e e)
.l

in care A/este o bandd de frecven{e joase centratd pe frecvenlaf, I este curentul continuu prin
structuri, a este un parametru cu valoarea cuprinsd in intervalul [0, 5; 2], b este o constantd cu
valoarea aproximativ unitarf,, iar constanta notatd co const. este caracteristicd unui anumit tip
de dispozitiv.
Dacd in rela{ia (9.9) parametrul b este unitar, densitatea spectralS a zgomotului are o
dependenp de frecven{d de forma 1/f, dependenli care justifici denumirea de,,zgomot l/f " gi
care aratd cd zgomotul de licdrire va avea efectul cel mai important la frecvenle joase. Aceasta
sursd de zgomot poate si fie sernnificativd chiar pAnd la frecven{e de ordinul MHz.
Aga cum am ardtat in sec{iunile anterioare zgomotul de alice qi zgomotul termic au
valori pitratice medii bine definite care se pot exprima in func{ie de intensitatea curentului
continuu, respectiv de rezisten{a, gi de un anumit numdr de constante fizice bine cunoscute.
Pentru zgomotul de licdrire situalia se schimba, expresia (9.9) conline o constantd
necunoscutd dependentd de tipul de dispozitiv utilizat. in unele cazuri aceastl constanti poate
varia foarte mult chiar gi pentru diferite exemplare de tranzistoare sau circuite integrate care
provin din aceeagi placheta de siliciu gi care au parcurs acelagi proces de fabricalie. Aceastd

246
compoftare se datoreazA dependenlei zgomotului de licdrire de contaminarea cu impuritlli gi de
imperfec{iunile cristalului.

9.2.1. Zgomotul de explozie (,,zgomot de floricele,')

Originea zgomotului de explozie nu este pe deplin l6murit5, fiind legatd in principal de

contaminarea semiconductorului cu ioni ai metalelor grele. Astfel dispozitivele dopate cu aur
prezint\. un nivel foarte ridicat al zgomotului de explozie.
Zgomotul de explozie este caracterizat printr-un generator de curent cu valoarea
pdtraticd medie de forma:

(e. r 0)

unde l este curentul continuu ce stribate structura, c este un parametru cu valoarea cuprinsd in
domeniul [0, 5; 2], iarf,este o valoare particulard a frecvenlei pentru procesul considerat.
Valoarea constantei ce apare in definilia (9.10) depinde de tipul dispozitivului
considerat gi de aceea trebuie detenninata experimental.

1.2.5. Zgomotul de avalanql

Zgomotul de avalansd esle deterntinat de aparilia fenomenelor de multiplicare in

avalanSd Si efect Zener intr-o joncliune p-n.
in cazul strdpungerii prin avalangS, golurile qi electronii pot capita in regiunea golitd a
jonc{iunii p-n polarizatd invers suficientd energie pentru a genera prin ciocnirea cu atomii de
siliciu noi perechi gol-electron. Acest proces este cumulativ, ducAnd la producerea unei serii
aleatoare de vArfuri mari de zgomot.
Zgornotul de avalangd este intotdeauna asociat cu trecerea unui curent continuu. fiind
mult rnai mare. pentru aceeagi valoare a curentului continuu, decdt zgomotul de alice, deoarece
un singur purtator poate declan$a un proces de avalangd. Acest tip de zgomot nu intervine in
mod obignuit in dispozitivele discrete gi in circuitele integrate deoarece tensiunile inverse
aplicate acestora se aleg rnai mici ca tensiunile de stripungere.
Situalia cea mai obignuitd in care se pune problema zgomotului de avalangd este aceea
in care in circuit se utilizeaza diode Zener gi ca urmare utilizarea lor in circuitele de zgomot
mic trebuie gi este in general evitatd.
Zgomotul de avalan$d al unei jonc{iuni poate fi reprezentat printr-un generator de
tensiune legat in serie cu aceasta. t' . Vulou..a pdtraticd medie a generatorului rl este greu de
prezis. deoarece depinde de structura dispozitivului. Valoarea tipicd mdsuratd pentru densitatea
spectrald a zgomotului de avalangd pentru o diodd Zener parcursd de un curent continuu de 0, 5
^t
mA este 5,, = v2 I Lf = l0-14Y2 lHz.

a A1
 9 .3. Zgomotul dis pozitivelo r semico nductoare

9.3. 1. Dioda semiconductoare

Circuitul echivalent complet al unei joncliuni p-n ce include sursele de zgomot este
reprezentat in figura 9.3. Sursele de zgomot modelate gi incluse in circuitul echivalent sunt:
. zgomotul termic al resistenfelor serie ale regiunilor neutre n qt p:

4 = +kT (r. + r) Lf = 4kT R, L"f (e.1 1)

. zgomotul de alice aljoncliuniip-n:

-:
ii=2qloL.f (e. r 2)

o zgomotul de licdrire reprezentat printr-un generator de curent legat in paralel cu rezisten{a

diferenlial6 a jonc{iunii :

r -^Lf"
ti,, = const . 1", (e.13)
''r ^f

9.3.2. Sursele de zgomot in tranzistoarele bipolare qi modelarea acestora

Tranzistoarele bipolare sunt caracterizate in principal de zgomotul de alice, asociat

emisiei sarcinii electrice ce susline curenlii caracteristici acestora. Van der Ziel a calculat
teoretic, pentru prima datd, zgomotul asociat cu fluctualiile aleatoare in curenlii terminali ai
jonc{iunilor tranzistorului. Astfel, in regirn activ normal, densitAtile spectrale ale surselor de
zgomot asociate curenJilor debazd, de colector gi de emitor sunt date de relaliile:

,"lof =2q l n
,Zlof =2q Ic (9.14)

,llor = filot * ilrlnr + 2Re{ir ir}ltf = filor * iLlnr

unde Re{ir .iry t n7 reprezintd partea realdaspectrului de corelalie intre curenfii respectivi.
Tranzistoarele bipolare prezintd qi zgomot termic asociat rezisten{elor serie
corespunzdtoare regiunilor neutre qi rezistenlelor de contact ale terminalelor. Cea mai importantd
dintre sursele de zgomot termic este cea asociatf, rezistenlei bazei. Minimizarea acestei surse de
zgomot poate fi realizatd, prin tehnici de layout (contacte multiple pentru baz6, distan{e laterale
mici intre emitor gi bazd, folosirea de emitoare multiple).

t= V'hfr

Figura 9.3 Circuitul echivalent de semnal mic al unei joncliuni p-n completat
sursele de zsomot caracteristice acesteia

248
 Rezistenla serie a colectorului, r..', poate sd fie la fel de mare ca cea abazei dar fiind
plasatd in serie cu nodul de impedan{d mare al coiectorului, efectul zgornotului termic al
acesteia devine neglijabil gi de aceea nu mai este inclus de obicei in model. Rezisten{ele rn , ru
gi 16 din circuitul echivalent de semnal mic al TBJ fiind un rezultat exclusiv al rnodel[rii nu
prezinta zgomot termic.
De asemenea, tranzistoarele bipolare prezintd. gi zgomot llf. Experimentele au
confirmat pentru acest tip de zgomot ntodelul fluctualiei densitdlii purtdtorilor ntobili de
sarcind intplicali in procesele de generare-recombinare, in volumul gi la suprafatra
semiconductorului, in regiunea de sarcind spaliald a joncliunii emitor-bazd, propus de
McWhorter.
in conformitate cu acest model, densitatea spectral5 a sursei de zgomot t/f din bazFt
poate fi exprimatd in RAN prin:
_ |
/
f,,t.
il,rlLf=KoLl (e.l s)
I
unde Ke Qi Ap reprezintd pararnetri ce depind de tehnologia de fabricalie.
Tot experimental s-a constatat existenla tnui zgomot de explozie asociat curentului de
bazd al tranzistorului bipolar. Mecanismul de aparilie a acestui zgomot nu este incd pe deplin
inleles, dar experimentele evidenliazd faptul cd acesta este legat de imperfec{iunile structurii
cristaline. Densitatea spectrald a acestuia. in RAN. este:

Jl l^t LalB
I DD I rt
- (e.16)
l+( /
\J J
t_l
L /

unde K6 este o constantd dependentd de procesul tehnologic, iar f6 reprezintd rata principala de
repetilie a semnalului. in tehnologiile rnoderne de integrare acasti formd de zgon-rot poate fi, in
rnare nrdsura. elirninatA.

in consecinld rnodelarea surselor de zgomot corespunzf,toare tranzistoarelor bipolare, in

regim activ nonnal. este ilustratain figura g.4.inpractici este mult mai convenabild folosirea
modelului cu generatoare de zgomot echivalente la intrare, model reprezentat in figura 9.5.
Expresiile analitice ale valorilor pdtratice medii ale acestor generatoare sunt:

j
li -l 8, + jot(C, -c,)l
=i2u+iit+i2r'l =i-i=*-41,*l'l'
- (e.17)
I C'
om F'rl rpl

I.rt=\ffi

Figura 9.4. Circuitul echivalent de semnal mic al TBJ care include sursele
principale de zgomot.

249
 tn lYr''. { cn 9nr' V r.'.
vl
Figura 9.5. Circuitul echivalent de semnal mic al TBJ cu generatoare de zgomot
echivalente la intrare.

(e.18)

= i? t. rir,+ 4 kT ruu, + 2kT f g,,,

in care parametrii implicali sunt:

e frecventa la care rnodulul factorului de amplificare in sens direct in conexiune EC, B ,

scade la II ^,lZ ainvaloarea sa de frecven{e joase po :

cro=lffr,(C,+Ct)]
o valoarea pdtratici medie a zgomotului termic al rezisten{ei serie abazei:

i=Gkrlr66) Lf
Se observd cd valorile pStratice medii ale ambelor generatoare de zgomot echivalente la
^
intrare depind ae i?t 9i de ll in consecin{i, intre f qi t existd corelafie. Aceastd corela{ie se
manifesti pregnant numai la frecven{e foafte joase unde zgomotul 1/f este dominant gi la
frecvenle foarte inalte la care factorul de amplificare in curent direct in conexiune EC, p , al
TBJ scade in mod semnificativ gi efectul corela{ieidevine semnificativ.
De asemenea, se observd c6, in conformitate cu (9.18), densitatea spectrald a tensiunii
echivalente de zgontot la intrare este independentd de frecvenld. Acest circuit este valabil atAt
pentru tranzistoare bipolare detip npn c6t gi pentru cele de Iip pnp.
Sd presupunem cd TBJ este utilizat intr-un etaj amplificator. Dacd impedanla sursei de
semnal cu care este alacal antplificatorul este micd, generatorul de zgomot devine important,
iar generatorul de zgomot 2,2 tinde sd fie scurtcircuitat. in aceste condilii este clar cd oblinerea
de performanle de zgomot bune impune reducerea valorii rezisten{ei R",h=rbb,+Il(2g,,).
Aceastd minimizare se obline prin proiectarea tranzistorului astfel inc6t sd se obJind o valoare
micf, pentru rezistenla rbb $i prin utilizarea tranzistorului la curenti de colector mari pentru a

reduce valoarea termenului I l(2 g .

^)
in circuitele in care tranzistorul este comandat de o sursi de impedan\d mare
generatorul de curent de zgontot echivalent la intrare este dominanl. in aceste condilii, pentru
ob{inerea unor performanle de zgomot bune, trebuie folosit un tranzistor cu factor de
amplificare f p mare gi este necesard polarizarea acestuia la curenfi mici.

250
 9.3.3. Sursele de zgomot qi modelarea acestora in tranzistoarele MOS
La tranzistoarele MOS se disting doud surse importante de zgomot: zgontotul termic
asociat canalului conductiv rezistiv qi zgomotul 1/f datorat mecanismului de conduc{ie la
suprafald. Mecanismul zgomotului terrnic al canalului este binecunoscut. Migcarea aleatoare a
purtdtorilor de sarcind mobili in interiorul acestuia genereazd, zgomot termic la terrninalele
dispozitivului. in acord cu teorema lui Nyquist, densitatea spectrald a curentului de zgomot
termic, de scurtcircuit, al canalului, corespunzatoare tranzistoarelor MOS ce opereazd in
regiunea de saturalie este:

E lot = 4kr y g,,, (e.1e)

in care k este constanta lui Boltzman. I este temperatura absolutd, g,, este transconductanla
MOS-ului, iar yreprezintd o funclie foafte complexd ce depinde de parametrii de bazd ai
tranzistorului gi de condiliile de polarizare.
in general, pentru analiza manuald a performanlelor de zgomot a circuitelor cu
trenzistoare MoS, valoarea pdtraticd medie a curentului de zgomot termic asociat canalului
este datd de relalia:
-i
iJ=4kTy groL.f (e.20)
unde

It pentru regiunea liniarS, pentru Vns = 0

'/ =\l2l3 pentru regiunea de saturatie
(e.21)

Pentru un tranzistor MOS care func{ioneazdin regiunea de saturalie

gda = 8r, (1 + ry) (q ))\
unde s-a notat.
n=cr,lo
'I Srrf/ 5r? (e.23)
Astfel expresia generatorului de zgomot termic echivalent la intrare al unui tranzistor
MOS ce opereazd in regiunea de saturalie devine:
---:- ?t'l+n\
1',,,,=4kf-LJ
10
(9.24)
_ On1

Migcarea aleatoare a purtatorilor de sarcind prin canal genereazd giun curent de zgomot
de gri15, via capacitatea grilf,-canal, a cdrui densitate spectrald este:
;t
i;ltf=akrlles,,,))(2ny)2Cr,=qkTG*ls)("flf)' (9.2s)

in care f, reprezintd frecvenla de taiere caracteristicd tranzistorului.

Comparativ ;. efectul curentului de zgomot de grild este important

cu numai la
frecvenJe mai mari ca f, qi, in majoritatea cazurilor practice, acesta poate fi neglijat.
Mecanismul implicat in producerea zgomotului llf a constituit subiect de disputd pe
perioada cAtorva decenii. Diferite teorii gi modele fizice au fost propuse pentru a explica
fenomenul zgomotului 1f in MOSFET-uri. Dintre acestea se disting doud modele de bazd:

251
modelul fluctuafiei mobilitAlii purtdtorilor de sarcind exprimat prin rela{ia empiricd a lui Hooge
qi ntodelul fluclualiei nuntdrului de purtdtori ntobili de sarcind, asociat fenomenelor de captura
qi ernisie a acestora la interfa{a oxid-semiconductor, propus de McWhorler.
Experimentele confinnd modelul propus de McWhorter, ceea ce conduce la ideea cd
aparilia zgomotului llf se datoreazd in principal fluctualiei densitdlii purtdtorilor mobili de
sarcind. Conform acestei teori, pentru un tranzistor ce funcfioneazd in regiunea de saturalie,
valoarea pdtraticd medie a curentului de zgomot llf de drend se calculeazd u$or cu rela{ia:
k/I
izatrr = _4_4 nf
'q'r Q.26)
c,,ll/Lf "

iar valoarea patraticd medie a generatorului de zgomot llf echivalent la intrare cu rela{ia:

2 KF K,
Lrr Lf' = 61 (e.27)
2pCot w L.f Cr'Ir L f
----L
In cele mai multe cazuri practice, folosirea celor doud surse principale de zgomot
(zgomotul tennic qi zgomotul 1f ) este suficientd in estimarea performanlelor de zgomot ale
circuitelor CMOS. Totugi, pentru aplicaliile in care cerin{ele de zgomot sunt drastice, aceste
doud surse de zgomot pot fi minimizate qi astfel alte surse de zgomot pot deveni importante.
Sursele de zgomot adi{ionale sunt:
. zgomotul termic asociat grilelor rezistive tip "poly", modelat printr-o sursd de curent
echivalentd la iegire cu densitatea spectrala dat6, la satura{ie, de expresia:
D
)
i),t=4k1----S*- (e.28)
l2 n-

in care R, este rezistenla totald a po(ii, g. este transconductanfa totald a MOSFET-ului

considerat gi r reprezintd numarul de {6gii ce compun grila;
. zgomotul termic asociat substratului rezistiv, rnodelat printr-o sursd de curent de zgomot
cu densitatea:

i1s=4kT Blbllvlg;,u (e.2e)

unde B reprezintd o constantd de propo(ionalitate, b este ld{imea substratului considerat,

iar g^u este transconductanJa substratului la satura{ie datd de expresia:

(, =(,om
omD,
rq ?0\
2@, +Vu,
in care y reprezintd constanta de efect de substrat;
. zgomotul de alice asociat curenlilor de pierderi ai joncliunilor drenf,-substrat gi sursd-
substrat polarizate invers, care, datorita valorii reduse a acestuia, poate fi neglijat in
maj oritatea cazuri lor.
Modelul de semnal mic de zgomot al tranzistorului MOS, valabil in regiunea de
saturafie, este reprezentat in figura 9.6. in acest model curenlii de zgomot termic gi lfasociaJi
capacitI{ii grilS-canal au fost neglija{i deoarece acegtia devin importan{i la frecven{e mai mari
decdt frecven{a de tdiere a tranzistorului.

2s2
 Figura 9.6. Modelul de semnal mic al MOSFET ce include gi sursele principale de zgomot.
, r:=
rl=V
'i Llsd

'=V?',,J

Figura 9.7. Modelul de semnal mic al MOSFET cu generatoare de zgomot

echivalente la intrare.

La fel ca in cazul tranzistorului bipolar performanlele de zgomot ale MOSFET sunt cel
mai adesea reprezentate prin doud generatoare de zgomot echivalente la intrare cu densitdlile
.^
spectrale. i';, f i
i;r . Astfel. in figura 9.7 este reprezentat circuitul de zgomot mic al MOSFET
in care apar generatoarele de zgomot echivalente la intrare.
Expresiile analitice ale densit5lilor spectrale ale celor doud generatoare de zgomot
echivalente la intrare sunt:
,l'.l'.:'
.,.=, 'f/ =\l!: idtJ: r!4 + 4 k'l- R" (e.31)
I

l8'' -J{tJct7
:/ .rl-"t-t"a
il,l\f = jor(Cr, -r*flYli# t
(e.32)
lg. - Jots,'l
Aga cum se observd din rela{iile de mai sus, primiitermeni ai v-2, gi i3, depind puternic
de acelagi set de surse de zgomot, ceea ce inseamnd cd acegti termeni sunt 100% corela{i.

9.3.4. Sursele de zgomot gi modelarea acestora in JFET

Sursele de zgomot ale tranzistoarelor cu efect de cAmp cu grild jonc{iune sunt in cea
mai mare parte aceleagi cu cele ale tranzistoarelor MOS. De aceea, prezentarea acestora va fi
succintd.
Deoarece materialul canalului este rezistiv el va avea un zgomot termic care constituie
sursa majord de zgomot in JFET. Acest zgomot se poate reprezenta printr-un generator de
;
curent de zgomot, i} , plasat in circuitul echivalent de semnal mic al JFET intre dren6 gi sursd.

2s3
 De asemenea, dupf, cum s-a determinat experimental, in dispozitiv apare Si un zgomot
llf datorat fenomenelor de generare-recombinare in regiunile de sarcind spa{iald ale
joncliunilor grild-substrat. Zgomotul de licdrire se poate reprezenta printr-un generator de
curent, i)1y, plasat intre drenS gi surs6. Aceste doud surse de zgomot sunt caracterizate prin
urm[toarele relalii analitice:
=
iza = 4krl(213) g,llf , i2arr = Kf (ILs I tl tf (9.33)

unde K, este o constantd dependentd de tipul dispozitivului, iar a este o constantd cu valoarea
cuprinsi intre 0,5 gi 2.
Altd sursb de zgomot in JFET o constituie zgontotul de alice generat de curentul

rezidual de grild, modelat printr-un generator de curent ;'l ptasat intre gril6 gi drend:

=
i'n=2q I"o Lf (1.34)

unde cu 1oo s-a notat curentul invers de satura{ie al jonc{iunii grild-canal. in mod obignuit
acest zgomot este foarte mic. El devine semnificativ numai atunci c6nd impedanJa sursei de
semnal conectati la grild este foarte mare.
Circuitul echivalent de semnal mic al JFET care include principalele surse de zgomot
este prezentat in figura 9.8. Circuitul de zgomot mic al JFET in care apar generatoarele de
zgomot echivalente la intrare este prezentat in figura 9.9. Expresiile analitice ale densitdlilor
spectrale ale celor doud generatoare de zgomot echivalente la intrare sunt:
^l-ltrl
,;,1 L"f -- ( i; ) i7r 1\ f 1.e,, - j r.o Cr",
l

(tto + itor,) (1.35)

7,1 of = 2Q I co+ljcoiC", * c )l' r L2

ls^ - iac rol

La ambele tranzistoare cu efect de cAmp. la frecvenle joase, densitatea spectrald a
generatorului de curent de zgomot echivalent la intrare are o valoare foarte mica. in consecin!a.
in cazul in care impedanla sursei de semnal este rnare, tranzistoarele cu efect de cAmp au
performan{e de zgomot cu mult rnai bune decAt acelea realizate de tranzistoarele bipolare.
deoarece, in aceste condilii, generatorul de curent de zgomot la intrare este dominant.

-€
. l=-
| =\114
I
,tan=V1tn
rE-
\'-E
Y

Figura 9.8. Circuitul echivalent de semnal mic al JFET, care incude si sursele de zgomot

Caa

Figura 9.9. Circuitul echivalent de semnal mic al JFET cu generatoare de zgomot

echivalente la intrare.

254
 Trebuie totuqi subliniat cd densitatea spectrald a generatorului de tensiune de zgornot
echivalent la intrare al unui tranzistor bipolar este tipic mai mici decAt cea corespunzitoare
generatorului de tensiune de zgomot echivalent la intrare al TEC, deoarece pentru o aceeagi
valoare a curentului static valoarea tranconductanlei tranzistorului bipolar este mai mare decAt
cea a lranzistorului cu efect de cAmp. Ca urmare, pentru surse de impedanld mic6 tranzistorul
bipolar realizeazd in general performan{e de zgomot superioare acelora ale TEC.

9.4. Specificarea performanfelor de zgomot ale circuitelor

electronice
Semnificalia performan{elor de zgomot ale unui circuit este datd de fapt de limitarea pe
care zgomotul o impune asupra valorii minime a semnalului care poate fi acceptatd frr6, ca
zgomotul sd degradeze calitatea semnalului de la ieqire. Din acest motiv funclionarea in
condiliile in care se line seama de zgomot se exprimd in mod uzual in termenii unui semnal de
zgomot echivalent la intrare, care furnizeazdla iegire acelaqi zgomot ca gi circuitul in disculie.
in acest fel. zgomotul echivalent la intrare se poate compara direct cu semnalele aplicate,
efectul zgomotului asupra acestor semnale fiind apoi ugor de determinat.
Aceasta rnetodd de caracterizare a performan{elor de zgomot se poate extinde
oblinAndu-se o reprezentare mult mai generald gi de mare utilitate, in care performanyele de
zgonrot pentru orice diport sunt descrise prin interntediul a doud generatoare de zgomot
ecltivalenle la intrare. Situa{ia este descrisd in figura 9.10 unde un diport care conline diverse
generatoare de zgomot este echivalat prin aceeagi re{ea, dar cu toate generatoarele de zgomot

pasivizate (o relea fErd zgomot) qi cu doud general.oare de zgomot. unul de tensiune.

,,-_. li
unul de curent. 7],, conectate la intrare.
Aceasta reprezentare este valabilS pentru orice valoare a impedanlei sursei de semnal,
cu condilia de a line sealna de corela{ia existenta intre cele doua generatoare de zgomot.
Includerea corelaliei in modeldrile de zgomot introduce o cregtere considerabild a complexitalii
calculelor gi in cazul in care corelalia este importantd este de multe ori mai convenabil sd se
revini la re{eaua iniliald cu surse interne de zgomot. Totugi pentru marea majoritate a
circuitelor corela{ia este mici gi se poate neglija. De asemenea, neglijarea corelaliei este
posibila dacd unul din generatoarele de zgomot echivalente de la intrare este dominant.
Valorile pdtratice medii ale generatoarelor de zgomot echivalente la intrare din figura
9.10 sunt ugor de determinat. Algoritmul este urmitorul: mai intAi se scurtcircuiteazd intrarile
ambelor circuite qi prin egalarea zgomotului de la iegire determinat pentru fiecare caz in parte
se calculeaza ,,t,; apoi, se lasd in gol intrarea fiecdrui circuit gi egalAnd zgomotul la iegire
determinat pentru fiecare circuit in parte se calculeaza i . in acest mod au fost determinate
expresiile analitice ale generatoarelor de zgomot echivalente la intrare ale tranzistoarelor
bipolare gi unipolare prezentate in secliunile anterioare,
in mod curent performanlele de zgomot ale dispozitivelor gi circuitelor electronice se
specificd printr-un parametru numit factor de zgomot. Dezavantajul acestei metode constf, in
faptul cd ea se preteaza numai la aplicaliile in care impedan{a sursei este rezistivd.

255
 Figura 9.10. Reprezentarea zgomotului unui circuit prin generatoare de
zgomot echivalente la intrare.

Definitia factorului de zgomot F al unui circuit este urmdtoarea:

- raportul semnal - zgomot la intrare PIP

-I'-:I _
/S/,^/'l
\"" ,t
(e.36)
rapoftul semnal - zgomot la iesire P /P /(/AIr
' 0' ' =O,tot

unde { este puterea semnalului la intrare, Po este puterea semnalului la iegire, P-, reprezintl,
puterea zgomotului la intrare corespunzAtoare generatorului (sau circuitului) de atac al
amplificatorului gi Po,o, este puterea totalI de zgomot la iegire.
Factorul de zgomot se exprimd de obicei in decibeli (dB), adicd
10 lgF=tOlg(4 lP=)-101g(PnlP,o,,o,)
e37\
F* =(S I N),au -(,S/l/)odB
Dacd se conecteazd in cascadd mai multe etaje amplificatoare atunci zgomotul cel mai
important este cel al primului etaj de amplificare deoarece acesta este amplificat de toate
celelalte etaje.
Expresiile analitice ale valorilor pdtratice medii corespunzdtoare generatoarelor de
zgomot echivalente la intrare deduse in sec{iunile precedente pentru diverse tipuri de
tranzistoare relevd faptul cd acestea depind de frecvenfd. in consecinld, pentru determinarea
factorului de zgomot este necesar a se preciza banda de frecven{e pentru care se face calculul.
Existi situalii in care factorul de zgomot se specificd pentru o bandd ingustd A/.
centrati pe o frecventd "fc (A"f <<1.), denumirea acestuia in acest caz fiind de factor de
zgomot de bandd ingustd. Astfel, performanlele de zgomot ale amplificatoarelor acordate qi

amplificatoarelor urmate de circuite selective in frecvenfd sunt caracterizate prin factorul de

zgomot de bandd ingust6. Pentru restul amplificatoarelor se specificd un factor de zgomot
mediu, determinat pentru intrega band[ de frecvenle de interes.

Rezistenla optimd a generatorului de semnal

in acelagi timp qi o sursd de zgomot datoriti impedanlei

Generatorul de semnal este
interne a generatorului. Dacd impedan{a sursei de semnal este o rezistenld puri generatorul
furnizeazd un zgomot termic. in acest caz existl o rezistenli optimd a generatorului din punct
de vedere al zgomotului introdus de arnplificator.
Rezisten{a optimd a amplificatorului se determind utilizAnd circuitul din figura 9.ll.b.
Zgomotul intern al amplificatorului este reprezentat prin cele doud generatoare de zgomot
echivalente la intrare v?, qi i?,, iar zgomotul termic al generatorului de semnal este reprezentat
printr-un generator de tensiune de zgomot in serie cu rezisten{a Rr.
";

256
 Figura 9.1 1. Circuitul echivalent de zgomot al ampli?catorului cu sursd de
semnal rezistivd.

Amplificarea circuitului se noteazd cu Ay, iar rezistenla de sarcini a acestuia cu R1.

Pentru a ugura calculele presupunem cd in gama frecven{elor de interes cele doua surse de
zgolxot ale amplificatorului tJ Si ,l ,; trnt necorelate.

Pentru a determina rezisten{a optima a generatorului de semnal trebuie mai intdi gdsita
expresia factorului de zgornot in func{ie de rezistenla generatorului, iar apoi determinate
extremele acestei expresii prin rezolvarea ecua{iei:
6FfaRs=0 (e.3 8)

gi. in final, aleasd dintre aceste extreme Rgopt pentru care factorul de zgomot este minim.
Expresia factorului de zgomot poate fi simplificati astfel:
F =(Pi I P,)f (pal p,o.,o,) =(pif p)(p=,.., f p=)= p,a,,o,
f
(Aop,,)= p,o,,o,
f
p,o (9.39)

ttnde P., reprezintd puterea de zgornot la ieqire corespunzdtoare sursei de zgomot a

generatorului sau circuitului de atac al arnplificatorului.

Zgomotul la poarla de intrare a amplificatorului datorat surselor interne ale acestuia se
determina aplicAnd teorema superpoziliei gi este:

1.. Zi rr R.q 2
Y=r.,{=rlz
,l' r ln, z,l= = (e.40)
Z,- Rs -' Z, t Re
t_;t--t_,T-l_,Li --)
l:v=,-r ;i=,
lzi+ Rsl lzi+ Rsl
Zgorlotul la poarta de intrare a amplificatorului datorat zgomotului rezisten{ei
generatorului este:

|
. tt2
lz,i ;v:g (e.41)
-
:9..1 - t i
lz +p
lLt l\ol
ol
l-
I

Puterea totala de zgomot la iegirea amplificatorului este:

, 'l T
.1, |lAtl
r ll
H^
t:'tot-
. !: :
-
p - ,=t,t p -t'tt.t (9.42)
"L "|
iar puterea de zgomot la iegire corespunzdtoare zgomotului rezisten{ei serie a generatorului de
semnal este:

lnt
I r ll
p l

't t=9.4
':0 -r_ D --.- (e.42)
tt!.

in consecinla factorul de zgomot este dat de rela{ia:

257
 P=,,o,
lal'. lal'
R, '=t^
,
ti-
D
-' \ "'n-
Lt1 11
,:0
l'\a lt-oA l'oa
(e.13)
D
t\1.

, a * Rrtj, , "'=,+ R"r; ,?, R^i,

y2=s 4kr Rs Lf 4kT Rs Lf 4kr Lf

Prin derivarea expresiei (9.43) qi egalarea cu 0 a derivatei obtinem expresia analitica a

rezistentei optime a generatorului pentru care factorul de zgomot este minim:
--:-
AD2.2
uI l':l
2
, I=i _n Y-i l ^ (9.44)
aR AkTR:At
aAr r\g JJ
:
1LT\t
1nl llJ D.
I\^
5

p l-V:r- --v
(e.4s)

Acest rezultat este valabil chiar gi in cazul in care corelalia intre semnalele y], gi ;3,
este semnificativd. Trebuie subliniat faptul cI rezistenla optimA din punct de vedere al
zgomotului nu corespunde transferului maxim de putere.

258
 10
AMPLIFICATOARE DE
SEMNAL MIC

10.1. Generaliti{i
Prin antplificare inlelegem procesul de marire a valorilor instantanee ale unei rndrirni
folosind energia unor surse de alimentare, firi a rnodifica rnodul de variatie a marimii in tirnp.
NotAnd cu x, (l ) rrrarimea (sernnalul) de intrare gi cu xs (t ) mdrirnea de iegire, cantitativ definilia
calitativa de rnai sus se poate exprima astfel:
ro (r) = A ' x, (t) sau xo (r) = A' x,(t - rS (10.1)
in domeniul tirnp. respectiv
\a_1
Aa-n Al
(10 2)
-4= A' expU'q), A = constant
in dorneniul frecven{a, unde I este amplificarea semnalului, A reprezintd factorul de
aurplit-tcare in domeniui complex gi r este timpul de intArziere (de trecere) al semnalului in
(prin) amplificator.
Relaliile (10.2) sunt asigurate numai atunci c6nd amplificatorul funclioneaza liniar.
Funclionarea unui amplificator poate fi consideratd liniara atunci cAnd toate dispozitivele sale
electronice func{ioneazd in condilii de semnal mic gi intr-o gamd de frecvenJe in care factorii
de transfer a semnalului de la intrare la ieqire, corespunzdtori acestora, nu depind de frecven{a.
Din pacate. in arnplificatoarele reale aceste condi{ii nu sunt indeplinite in totalitate, deci
senrnalele sunt drslorsionate - adicd forma de undl a semnalului la iegire diferd de forma de
undd a semnalui de la intrare.
Cauzele apariliei distorsiunilor in amplificatoare sunt prezentate in continuare.
. Arunci cAnd nu sunt indeplinite condiliile de semnal mic de func{ionare a
dispozitivelor semiconductoare, datoritd caracteristicilor lor I-V neliniare, transferul semnalului
de la intrare la iegire nu mai respectd conditiile (10.2). Semnalul de iegire va confine
componente spectrale noi - armonici ale semnalului de intrare gi componente de intermodula(ie
dacd semnalul de intrare are cel pufin doua componente de frecven{e diferite. Aceste
distorsiuni ale semnalului se numesc distorsiuni neliniare qi pot fi imp6(ite in distorsiuni
armonice gi distorsiuni de intermodulatie.
 Distorsiunile annollice ale semnalului pot fi apreciate prin factorul de distorsiuni
annonice, d, definit ca raportul intre valoarea efectivd a annonicilor semnalului 5i valoarea
efectivd a fundamentalei:
Irt2 r"
, _,r!f rirr z'Voer t r lt6'rs.o + ".
(10.3)
V
' 0 ef.1
unde Z0er,2 , Vrrr,r, Vorr.o... sunt valorile efective ale annonicilor sernnalului de iegire. iar
V06., reprezintd valoarea efectivd a fundamentalei semnalului de iegire.

r Atunci cAnd factorul de amplificare depinde de frecven{a,

A(ia) = A(a) 'expli q(co)], (10.4)
pot sa apara distorsiuni ale semnalului de ieqire chiar daca sunt indeplinite condiliile de semnal
mic.
Dacd semnalul este sinusoidal gi dacd amplificatorul lucreazd in condilii de semnal mic
atunci semnalul de iegire indeplinegte conditria (10.1). Daca insi la intrarea amplificatorului
aplicdm un semnal periodic nesinusoidal, armonicile acestuia vor fi arnplificate gi defazate in
mod diferit, deci forma semnalului de la iegire va fi diferitd de cea a semnalului de intrare.
Distorsiunile datorate arnplificarii inegale a armonicilor semnalului de intrare se numesc
distorsiuni de amplitudine, iar distorsiunile datorate rnodificdrii rela{iei de faz\, intre
componentele de frecvenla diferita ale semnalului de intrare se nurlesc distorsiuni de faza.
Chiar in cazul aplicarii unui semnal periodic nesinusoidal la intrarea unui amplificator
de semnal mic, se poate obline un rdspuns care sI satisfacd relalia (10.1) daci sunt indeplinite
condi{iile urrndtoare :
A(a) = ssnt|. modulul amplificarii nu depinde de frecven!5; (10.s.a)
=
- r \ -- /
drp(co)
= const. =s faza arnplificarii nu depinde de frecvenla. (10.5.b)
dcrt

Performanfele arnplificatoarelor reale sunt apreciate prin caracteristici gi parametri care

se referd la:
. distorsiunea formei de undi a semnalelorl
r mdrimea amplificdrii in putere, tensiune sau curent, a transadmitanlei sau
transimpedan{ei;
o stabilitatea funcliondrii amplificatorului;
o sensibilitatea la zgomotele exterioare;
o zgomotele interne;
o natura dispozitivelor gi regimul de func{ionare al acestora, structura internd, numdrul
de etaje etc.
La un amplificator bine proiectat, modificirile valorilor parametrilor gi/sau
caracteristicilor ce ii descriu funclionarea la varia{ia tensiunii surselor de alimentare, a
condiliilor de mediu sau la schimbarea componentelor, trebuie sd fie cAt mai mici. Un
amplificator poate fi format din unul sau mai multe etaje de amplificare. Un etaj de amplificare
poate contine unul sau mai multe tranzistoare. Un arnplificator, respectiv un etaj de

260
amplificare, poate fi reprezentat sub forma unor scheme bloc sau a unui cuadripol (vezi figura
10.I ).
Un etaj de amplificare sau un amplificator se poate caracteriza prin: amplificarea in
tensiune, amplificarea in curent, amplificarea in putere, amplificarea transimpedanfd,
amplificarea transadmitanfd, impedanfa de intrare gi impedanfa de iegire:

, Vn , In , _-v
Vn'ln -v _
Vorr'lorr'cosOo
v, [_i' v,.L, v;,r.I;,r.cos0i
( 10.6)

unde Z6.s, Io"r, 4"r , 1,.s reprezintd valorile efective ale tensiunilor gi curenJilor de la intrare gi
de la iegire, iar 0s, 0i reprezintl unghiurile defazd intre curenti gi tensiuni la iegire, respectiv
la intrare.
in cazul unui amplificator format dintr-o succesiune de etaje conectate in cascadd
amplificlrile globale au expresiile:

.4,.=4
V^ V^, V^" V^
=:YJ-.
vi I/i vo, Lon_,
- Avr. Avz. .... er^ .explj.(en, + evz + ...*.pn" A, 'exp(j.9n)
)] =
lor. !0, ..... lo A,,.(-A,.).....(-1,-)=
A, =h--
rffft ; I ,
=
J I t
^r ^_

(-l)"-' .Att,Atz.....Arn.r*p[j.(9^
= +9rz *,..*ern ))= l,.exp(j.e/) (10.7)
v^.t^
4, = # = Av' Ar't*P[j'(qn *q,)]
Y :'1:

4, =+ =? = Z i' ar = zi . Av' .*p [j.(e,. * e,, )]

?
A, = *V, = +Vi +!, = -'z,t . 4t
-t
= z;t .,t, .explj.(e, -er, )l

x1(t) [ll At- xe(t) xon-r(l)

l"l
(a)
Xi l- l X'
A
l-l
Ir 10
L lor I'z Ioz

"
I:.n lo
lb)L -irll
-+l=lt
Figura
A llyo
-.L--
,'-

-
10.1. Reprezentarea amplificatoarelor, simple sau compuse dintr-o succesiune de -
t!"MF"
-
etaje, sub forma: a) unei scheme bloc de amplificare in domeniul timp gi in domeniul
frecvenl[; b) unui cuadripol

261
 Exprimdrile logaritmice ale amplific[rilor in decibeli (dB), respectiv neperi (Np), se
numesc cdgtiguri gi se pot exprima astfel:
G/[dB] = AvldBl=20'lgAt, =
= 20'lg Ar't +20'lg Ar, +...+ 20.19 An, = Gvr * Gr, + ...+Gr,
Gr[Np] = lr,[Np] = 20' ln Ay = GylNpl +Gnt[Np]+...+ Gu,[Np]
G/[dB] = lr[dB] = 20'lEAr = Gn +G,, +...+ G,,
Gr[Np] = li[Np] = 20' ln l7 = Gy1[Np] +Gnr[Np] +...+ Gn,[Np]
Gp[dB] = lrldB] = l0' lg Ap = Gn + Gr'r+...*Gpn (10.8)
Gp[Np] = lr,[Np] = l0' ln lr = Gpr[NP] +Grr[Np]+...+ G",[Np]
GzldBl = AztdBl = 20' lg Az = Gzr + Gzz + ... * Gzn
Gz[Np] = lz[Np] = l0' ln Az = GzrNPl +G72[Np] +... + Gr,[Np]
Gr[dB] = ly[dB] = 20'lE Av = Gyr + Gy2 +...* Gyn
Gr[Np] = ly[Np] = l0' ln lr = Grr[NP] +Grr[Np] +...+Gr,[Np]
Din relafiile de mai sus se deduce gi legltura dintre Np qi dB: lNp = 8,686 dB.
Caracteristica tipicd amplitudine - frecvenfd a unui amplificator bine proiectat este
in figura 10.2. Modulul amplificirii in frecventl r[mdne practic constant intr-un
prezentatd
anumit domeniu de frecvent5, numit bandd de frecvenld a amplificatorului, ce poate fi
determinat cu relafia:
B= f"- f, (10.e)

unde /] este frecventa limitd superioard a benzii de trecere, iar f, este frecvenla limitd
inferioarS.
Frecventa limitd superioarl, f" este frecven{a pentru care puterea util6 furnizatd in
sarcinl de cdtre amplificator scade la jumdtate fatd de cea furnizat[ in band6, lucru care se
intdmplI atunci cdnd modutul amplificirii devine 4o/Ji=0,707.,4u6, adicd modulul
amplificlrii scade cu 3dB fald de 4s[dB].
Caracteristicile de frecvenfd se reprezintd in general folosind o scara dublu logaritmic6,
unde frecven{ele sunt marcate in decade sau octave iar modulele amplificlrilor in decibeli. Prin
decadd se inlelege un interval de frecvenfl cu limitele laterale in raport de 10, iar prin octava
un interval de frecventa cu limitele laterale in raport de 8.

Auo
0,707.Av0

f
Figura 10.2. Caracteristica de frecvenld tipicl a unui amplificator

262
 Reprezentarea la scara logaritmici este avantajoasl din urm[toarele motive:
o caracterizarea globali a unui amplificator cu mai multe etaje se obline prin simpla
sumare grafictr a caracteristicilor etajelor;
r in diagrame se pot reprezenta amplificiri gi frecvente care variaza in limite foarte
largi;
r aproximarea liniar fragmentatd a caracteristicilor reale este simpltr gi cu erori destul
de mici.

Clasificarea amplificatoarelor se poate face dupd diferite criterii, f6r5 a exista intre
diferitele clasific[ri o delimitare precisd. in continuare, se prezint[ cdteva din cele mai
importante criterii de clasificare impreuni cu clasificlrile corespun z6toare.
Dupi frecvenfa semnalelor, amplificatoarele pot fi implrfite in: amplificatoare de
curent continuu (c.c.) gi amplificatoare de curent alternativ (c.a.).
Amplificatoarele de curent continuu amplific[ atAt semnale semnale de c,c. gi semnale
ce au o variatie arbitrard gi oricdt de lentd, cAt gi semnale de curent alternativ de joasd gi
chiar
medie frecvenfd. Cuplajul direct este singurul utilizabil in cazul acestor amplificatoare pentru
a
putea asiguru .fj = 0. Acest tip de cuplaj are dezavantajul interdependen{ei punctelor statice de
funclionare ale dispozitivelor etajelor de amplificare componente, ceea ce conduce la o
proiectare mai dificill a acestor amplificatoare.
'lmplifcatoQrele de curent alternativ au in structurd cuplaje (de tip RC sau galvanice)
care nu permit trecerea componentelor de c.c. Cuplajul RC este de fapt un cuplaj prin
condensator' ce se nume$te aga deoarece condensatorul formeazd cu rezistenla de intrare
a
etajului amplificator urmitor acestuia un circuit RC. Cuplajul galvanic (prin transformator)
poate asigura pe lAngd izolarea in c.c. gi o eventuald amplificare in tensiune sau
adaptare Ia
rezistenfa de sarcind. Dupd domeniul frecven{elor semnalelor, amplificatoarele de c.c se pot
clasifica in:
- antplificatoare de audiojlecvenfd ce au banda de frecvenfd cuprinsd intre zeci de t{z
gi zeci de KHz;
- amplificatoare de videofrecven\d ce au banda de frecvenld de Ia aproximativ 20 FIz
la 30 MHz;
- amplificatoare de radiofrecvenld care sunt destinate amplificarii semnalelor cu
frecvenle mai mari de 100 KFIz.
Dacd se fine cont de ldjimea benzii de frecvenii, amplificatoarele de c.a. se pot implrfi
in: amplificatoare de bandd ingustd si amptificatoare de bandd rargd.
Amplificatoarele de bandd ingustd au raportul f,/f, mai mic decAt 1,5, iar cele de
band6 largd au acest raport mai mare ca 100.

Duptr natura sarcinii, cuplati la iegirea amplificatorului, amplificatoarele se pot

clasifica in: amplificatoare aperiodice, care au sarcini neselective (amplificatoare de
audiofrecvenla 9i videofrecvenfd) qi amptificatoare seleclive (acordate), care folosesc ca
sarcind circuite rezonante RZC, oblinAndu-se astfel o band6 foarte inzusti.

263
 Duptr nivelul semnalului, amplificatoarele se pot impirfi in:
- amplificatoare de semnal mic cuacterizate prinff-o dependentd liniarl a semnalului
de iegire de semnalul de intrare, astfel incdt pentru analiza lor pot fi utilizate modele de semnal
mic pentru dispozitivele electronice;
- amplificatoare de semnal mare caracterizate prinh-o dependenfl neliniarl a

semnalului de iegire de semnalul de intrare.

Dup[ clasa de funcfionare, amplificatoarele pot fi tn clasa A, B, AB, C. Clasele de
funcfionare sunt de fapt, regimuri de lucru ale amplificatoarelor ce depind de pozilia punctului
static de funcfionare gi de amplitudinea semnalului (vezi sectiunea 10.5.1). Existd qi alte clase
de functionare ce se referd cu precddere la amplificatoarele de putere 9i anume clasele D, E,
G,

H sau S.

l0.2,Amplificatorul tratat ca un cuadripol

in ci un amplificator, respectiv un etaj de amplificare,
secliunea precedentd am artrtat
poate fi reprezentat sub forma unui cuadripol (vezi figura 10.1). Cele patru mirimi electrice
corespunzitoare acestei reprezentdri (V,, 1,, Vo, Io), pot fi asociate in patru moduri diferite
pentru a descrie comportarea electrica a acestuia, definind in patru tipuri de parametri:
parametrii impedanld (parametrii z), parametrii admitanld (parametrii y), parametrii hibrizi
(parametrii /r) gi parametrii I '

Orice circuit liniar poate fi reprezentat cu parametrii de cuadripol. Matricea

parametrilor de cuadriPol este:
(l) reciprocd, atunci cand circuitul reprezentat este pasiv, respectiv
(2) nereciprocd, atunci cAnd circuitul reprezentat este activ'
Deci, amplificatoarele au matricea parametrilor de cuadripol nereciprocd. Mai mult,
datoritd faptului cd, de reguli, transmisia semnalului in amplificatoare se face intr-un singur
sens, de la intrare spre ieqire, qi cd efectul semnalul de iegire asupra intrlrii trebuie sd fie
foarte

mic (ideal nul), matricea cuadripolului ce modeleazi amplificatorul va avea paramerul

corespunzitor cdii ieqire-intrare foarte mic (ideal nul).

Amplificatoarele al cdror parametru de cuaripol ce corespunde cdii iegire-intrare este
nul se numesc unidireclionale sau unilaterale. Amplificatoarele unilaterale care asigurd un
transfer ideal al semnalului, de la sursa de semnal la intrarea amplificatorului 9i de la ieqirea
amplificatorului la sarcintr, se numesc amplificatoare ideale. in tabelul 10.1 sunt prezentate:
(l) seturile de parametri de cuadripol, (2) ecualiile de defini{ie ale acestora, (3) modele de
cuadripol gi (4) modelarea amplificatoarelor ideale'
Relafiile de definitie gi semnificalia paramehilor complecgi ce apar in modelele de
cuaripol prezentate in tabelul 1.1. sunt:
o pentruparametrii imPedanld
t, I

z, =+l - impedanla de intrare cu ieSirea tn gol,

Ii lr^=o

264
 10.1. Modelarea amplificatoarelor cu paramekii de cuadripol
Denumirea
parametrilor de Ecualiile de definigie Modelele de cuadripol

[, 4 z" I
Parametii Vi = Zi .I_r+ zr'Io
impedanfi h= tt '1, + zo. Io
Ir,
lo
-L l,Lo !,vi lo H
Paramehii Ii = li .V, + y,.V,
iT-
w^
I

Io=!f.V, +yo.Vs v.l

admitanla
v,I ilr,S S flr,1., -i
H
o-J-J I i c Amplificator ideal

t^
Vi=4.{. *4.fro +|I,
tl
Paramerii hibrizi
Io:hf.I,+Ito.Vo IIYgh1!t
cr-l
Amplificator ideal de
curent

Paramerii g
,r - 5r .y ! a Er,tO

h=grzG:a
!-t
Fi
lI
5 .- aO
gI
n-,
I Q
rr r,
!r,
I Ur, I Qtt''
I

v-,
J
{' Amplificator ideal de
tensiune

VI
Z, = 7l - impedanla de transfer invers cu intrarea tn gol,
10 lr -o

v"l
Zf = - impedanla de transfer direct cu ieSirea tn gol,
7l
li lL,=o
v"l
- impedanla de ieSire cu intrarea
Zo = 7l
Lo lL,=o
in gol;

. pentruparametrii admitanld

=;:l
II - admitanla de intrare cu ieSirea tn scurtcircuit,
Z, t/ , 1..
tYs=u
-'

- admitanla de transfer invers cu intrarea tn scurtcircuit.

- admitanla de transfer direct cu ieSirea tn scurtcircuit.

- admitanla de transfer direct cu ieSirea ln scurtcircuit:

265
 a pentru p sr ame t r i i h ibr izt
t/l

b, = +l - impedanla de intrare cu ieSirea in scurtcircuit'

t i lv^=o

cu intrarea in gol,
h, =+l
Y
_
factorul de transfer tn tensiune invers
olr,=o

rl
,t = ?lr^*- factorul de transfer in curent direct cu ieSirea in scurtcircuit'
Io - admitanla de ieSire cu intrarea tn gol;
b, = I
V ol4=o

I pentru parametrii g

intrare cu ieSirea tn gol,

_ factortil de transfer in curent invers cu intrarea tn scttrtcircuit,

't/
cu ieSirea tn gol'
6 r - ,, - factorttl de transfer in tensiune direct
- ,_i
L0 -"

rr
r Al I

d - impedanla de ieSire cu intrarea tn scurtcircuit'

5n - '
-:l I

'-o lv t=o

Conditiile de transfer ideal al semnalului sunt:

o pentru transfer de la sursa de semnal la intrarea amplificatorului
- pentru sursd de curent (vezi figura 10'3 'a): z inA ) 0 , adici Zi = 0' bi
:0;
- pentru sursl de tensiune (vezi figura 10'3 'b): zi,e ) oo, adicd / , = 0' 9, = 0 ;
o pentru transfer de la ieqirea amplificatorului la sarcind
- pentru cazul in care semnalul de ieqire este curent (vezi figura 10'4'a): zoutAl@,

adiclyo=0,&o=0,
zouz1)0,
- pentru cazul in care semnalul de ieqire este tensiune (vezi figura 10.4.b):
adicd Vo = 0, 9o = 0.

I- z
v,=;ft{;'v ti
lr=;4;'Lo,
- .iha I Lo
Zi,t)Q
2,.t10
= loi

(a) (b)
(a) de curent, (b) de tensiure, la
Figura 10.3. Transfer ideal al semnalului de la generator:
inffarea amplificatorului

266
 I_o Zouu
r--t t
ri=-'ri,
lrnA r
Lo=L r Lo,

6E,.
lnn :-L T lowA !L =outA
Qlo,l)z"*e l)z' Zuuul)@ ; ---ro
=oulA '"
t_l+J = Io,
(a) (b)
Figura 10.4. Transfer ideal al semnalului de la iegirea amplificatorului la sarcini pentru
semnal de iegire: (a) curent, (b) tensiune

10.3. Etaje cu tranzistoare bipolare

in acest subcapitol se vor prezenta mai intdi etajele de amplificare cu un transistor gi
apoi cele mai importante tipuri de etaje de amplificare compuse. Analiza se va efectua
considerandu-se ce ffanzistoarele functioneazl in conditii de semnal mic. Degi in secfiunea
precedentd s-au prezentat modelele utilizate frecvent in analiza amplificatoarelor de semnal
mic, in evidenfierea performantelor etajelor de amplificare prezentate in continuare, din motive
didactice, va fi folosit modelul natural pentru hanzistoarele bipolare.

10.3.1. Etaj cu tranzistor bipolar in conexiune emitor comun

Etajul cu transistor bipolar (TB) in conexiune emitor comun (EC) este unul din cele mai
utilizate etaje de amplificare. Schema acestui etaj este prezentatd in figura 10.5.a.
Condensatoarele Cs, Cs Si Cs au capacitatea suficient de mare pentru ca reactantele acestora s5
poatdfi considerate neglijabile la frecvenfele de lucru.
Pentru a putea adopta un model pentru etajul de amplificare studiat hebuie evaluate mai
intdi impedanlele de intrare gi de iegire ale acestuia. Acestea vor stabili tipul semnalului ce
trebuie aplicat la intrare, respectiv tipul semnalului de iegire, pentru a obline transfer maxim al
semnalului cdtre sarcind.
o Impedanla de intrare a etajului la frecvenfele din band6, penhu care se poate
neglija efectul capacitdlilor tranzistorului, se evalueaz| pe circuitul echivalent prezentat in
figura 10.5.b, in care rezistenfa echivalentd notatl cu R6este RrllRz. Presupundnd un tranzistor
bipolar suficient de unilateral astfel incdt efectul rezistenJei r, si fie neglijabil, expresia
analiticd a acesteia este:
Z,=V,l!, = Ru l/ \.r 3 \.7 (10.10)

in care R;,1este rezistenfa de intrare in transistor

R'.=L'= Lu' =r- (l0.lr)

!:, v u,lr,
Impedan{a de intrare in tranzistorul I este mult mai micd decdt rezistenta echivalentd a
divizorului rezistiv din bazd Rr. Ca atare, impedanfa de intrare va fi ugor mai micd decAt rn.
Valoarea rezistenJei rn este dependentd de valoarea curentului de colector, fiind de ordinul
sutelor de O pdnd ta cdfiva kC) pentru curenfi de ordinul mA. in concluzie, valoarea moderatd a
rezistenJei de intrare a etajului face posibil atacul atdt in tensiune cAt gi in curent.

267
 *Vcc
R], Rc
C,'

I
G \!
ll{
T
Lo

.QC I
Rzt Rt=

(a) (b)
Figura 10.5. Etaj de amplificare cu TB in conexiune EC: (a) schem[, (b) schema
echivalenttr de semnal mic

oImpedanla de iegire a etajului la frecvenfele din bandd se evalueazd tot pe circuitul

echivalent prezentat in figura 10.5.b, dar consider6nd sursa de semnal pasivizatI. Pasivizarea
sursei de semnal face ca tensiunea V u" sL devind nul[, deci impedan{a de iegire este:
rt I

Zo =?l
fl = Rc l/&c,r < & (10.12)
'o lv -=o

in care Roc,r este rezistenla de iegire in colector a tranzistorului

v^l
&cr =*lI, I
-ts (10.13)
!_0 lv
^=o

Valoarea rezisten{ei de iegire a tranzistorului este de asemenea dependentl de curentul

de colector, fiind de ordinul zecilor de kQ pAnI la sute de kO pentru curenfi de ordinul mA. Ca
atare impedanla de iegire, atunci cAnd rezistenta din colector face parte din circuit, este limitati
de Rc.
Concluziile sunt urmhtoarele :

- dacS fu face parte din circuit atunci etajul poate fi,,citit": (l) in tensiune dacd R6<<
Rt, (2) in curent dacl R6>> R1 face parte din circuit;
- dacd Ra este rezistenfa de sarcini etajul trebuie ,,citit" in curent.
in consecinyd, acest etaj, funcfie de caracteristicile sursei de semnal gi de sarcin6" poate
fi considerat ca amplificator de tensiune, de curent, transimpedan{i gi transadmitanf6. Totugi, in
cele ca urmeazd nu vom determina decdt amplificdrile in tensiune gi curent.
o Amplificareo tn tensiune in bandf, este:
ll Rc ll R) Rc ll R) ll Rc ll RL)
:Y
A,, =%_ --g^I!*(ro ='g=!Y-b"?lll - -8.(ro
v
s !,(Rs + R6 ll rr) La"
+ Ru ll r') I+ Rr f
(Ra llr,)
Rs ll ro(R' (1 0.1 4)
-g^Rc 4ia"a
tt';f[t+ pulQott Rr)f (l+e;)(l+eo)
[t +nr/(Rr
unde

A4ara = -g^Rc, ei = Rr f (Rn ll rr), es = R.lQ6 // R) (r0.ls)

268
 Relaliile de mai sus relevd urmdtoarele:
- tensiunea de iegire este il-r arfiifazd cu tensiunea de intrare in etaj;
- amplificarea in tensiune este sensibild atdIla variaJiile tensiunii de alimentare (g.- Ir,:

-V;6.) c6'I gi la varia{iile temperaturii (g, - VL -D;

- amplificarea idealI a etajului este fixatd de polarizare (16 ) qi de rezisten{a R6.;
- amplificarea etajului la frecven{ele din bandd se apropie de cea ideald dacd
R8 << (R6llr,) $i &- << (rs ll R,,).
Pentru a in{elege rnai bine funcJionarea etajului ca amplificator de tensiune, in figura
10.6. sunt prezentate cronogramele tensiunilor gi curen{ilor etajului.
. AnryhJicureu tn curent in bandd este:

i!- rl rs ll R{;
In d'/ :h( or
A
-w
nll R-- R 6nl'n
-t -

:tI
-
V, t'-+R"ll
' 1' R-x l1 + r, f ( Rn ll Rs\]. ll r Rr {ro ll R6 ll
-1,. (1 0.1 6)
t'n Rall R,
Atia"a
-
(1 +e, )(1 + eo )

Se observd ca amplificarea maximd in curent a

etajului depinde de perfonnan{ele tranzistorului (Be).
Rezisten{ele de polarizare gi sarcina stabilesc
au-rplificarea reali. care este rnai mica decAt cea ideala.

Celelalte performan{e ale etajului se pot

exprima func!ie de cele determinate deja:

(1.r7)

Se observd faptul cd, in band[, toate

performanlele etajului depind de polarizare qi de
performanlele tranzistorului. De aceea' polarizarea
trebuie sd asigure stabilitatea punctului static de
funclionare in raport cu variagia ternperaturii gi I/""^,=mrn(Vgt-I'6e,
'Rclc)
dispersia parametrilor, iar sursa de alimentare trebuie
sa fie stabilizata.
1*JA
Pentru a defini banda de frecvenje a etajului
trebuie evaluate frecven{ele limita. Frecven{a limitl
inferioara este datd de condensatoarele de cuplaj, C6 qi
Cc, $i condensatorul de decuplaj Cs, iar frecvenJa
limitd superioard este datd de parametrii tranzistorului.
in conformitate cu metoda constantelor de timp Figura 10.6. Cronogramele tensiunilor gi

de scurtcircuit, expresia aproximativd a frecven{ei curenlilor etajului EC

269
lirnita inferioare este:

0.1 8)
2x'C6 (R, + Ru llry) 2n.Co.lGB llh)/(0e +1) +R"1 2n.Cc (& ll Rl t(1
Pentru determinarea frecvenfei limitA superioard se utilizeaza circuitul echivalent
prezentat in figura 10.7. Pentru analiza acestui circuit se va utiliza teorema lui Miller. Teorema
lui Miller pennite evaluarea efectului unei impedar\e Z. conectate intre doud noduri ale unui
circuit, asupra curenfilor din aceste noduri atunci cAnd se cunoagte amplificarea in tensiune
relativ lanodurile respective K:VrlVr (vezi figura 10.8). in conformitate cu aceasta, acelagi
efect asupra circuitului este produs de doud impedanfe conectate intre nodurile de interes gi

nodul de referin{d (vezi figura 10.8), Zt Si Zr:

(10.1e)
t-1lK
AplicAnd teorema lui Miller capacitdlii Cu gi considerAnd ca arnplificarea in tensiune
nu este sensibil modificata fala de valoarea sa de frecven{e joase oblinern :

K 7-g,,.(rs ll Rc ll R1.) (10.20)

(10.21)

-l

I
D
I :l
R6 i| t| /\/
o t'a')
l;
1'
V,.
I I
I
-l

Rr (b)

Figura 10.7. Schema echivalentd de semnal mic la ffecvenfe inalte

Fisura 10.8. Teorema lui Miller.

270
 Capacitatea de intrare a etajului este:
C,, = C, +C 1t : Co +Cu.[1+9,,, (ts ll R{ ll Rr,)] (10.22)

Se observd faptul ca valoarea capacitalii de intrare depinde semnificativ de polarizare.

Pentru r,alori uzuale, de ordinul mA pentru 16 gi kQ pentru R6, valoarea acesteia devine mult
nrei mare decAt capacitatea C* a tranzistorului.
in confonnitate cu metoda constantelor de timp de gol, expresia aproximativa a

frecventei limit[ suoerioare este:

A':----.
2'T
),n C,,,.(Rs ll R6ll4)+Cr,.(Rg llro)
(10.23)

10.3.2. Etaj cu tranzistor bipolar cu sarcini distribuiti

Schema unui etaj de arnplificare cu sarcind distribuita este prezentata in figura 10.9. Tot
in aceasta figurd este prezentatd qi scherna echivalentd de semnal mic a etajului. Acest etaj
ofera doua iegiri: una pe colectorul tranzistorului 7 gi cealalta pe emitorul tranzistorului.
c Rezistenla de intrare in etaj este
V
Z, =7 = Rn ll &.r { Ru (10.24)
:_i

in care R,,7 este rezisten{a de intrare in transistor,

o / -L, I'n, + Rr, (!o+Vo, r,)

1\. -- - -ttat\[, D t..
-.^ \tr'!_0r lL_hr-tt-
/r/ , r\-
! V r,l'o
(Br-+l)
=t',- Rt, (0r -l)/;:4 +r11+Rn =ro+Ro'(0r
*l)
rQ (10.25)

ln &- +(Io - g,,.V t")'r0 +Ro- .(I_o +V o, fr,1 :0

lo -g,,'t'o-Rrfr,
L' o, R.. + l'o + Ro

Relalia de mai sus relevl faptul cd irnpedanla de intrare in tranzistorul I este mult mai
mare decAt rezistenla echir,alentd a divizorului rezistiv dinbazd Rr. Se cunoa$te faptul ca, din
motive de stabilizare a punctului static de funcfionare, Rs se alege mult mai micd decAt
(Bn +l)Rr. Ca atare, divizorul bazei limiteazd irnpedan{a de intrare in etaj. Cum valoarea
acestei rezistenJe este rnoderatd spre rnare, puteln cousidera etajul atacat in tensiune.
o Rezistenlo de ieSire in colector a etajului este

v,.1
zu,=]tl =R{ll&,..t<& (10.26)
, ot lt.r=o

in care Roc.r este rezistenla de iegire in colector a tranzistorului.

Expresia rezistenfei R66.1 este:

271
 Figura 10.9. Etaj de arnplificare cu sarcini distribuitd

I \OC.T
ro (Ii)l - 8,,.v t) +ffttg, + nu il R)). r_lnt

I-!0,

= Rr"ch t to - gn, ,o.v ,,1 lllor= Rr*"h * ro ( ,* B.- I (10.27)

\. =Ru
Rt r"n )
,I fn n r, fr'Rt rl
:--_ :--_
A,
r, Ru ll R,
/ircnh' i/,t
' Rr..n
Jl,l

Valoarea acestei rezistenle este foarte rnare, de ordinul sutelor de KO. Ca atare
impedanla de iegire in colector, atunci cAnd rezisten{a din colector face parte din circuit, este
limitatd de R6.
Concluziile sunt urmdtoarele :

- etajul poate fi ..citit" in tensiune daca R6 face parte din circuit;

- etajul trebuie ..citit" in curent dacl R6 este rezistenla de sarcina.
t Rezistenla de ieSire in emitor a etajului este (vezi figura 10.10)
t,/
/ ^. |

-
Li)
1

RF: ll RrL.r ( &i;,r (10.28)

-
rl | -

'02 lv =o
-t

o
t/l -(r, + Rn ll Rr)'Lr,, lr, _ ro + Ru ll R, * Rr
/\oE.T -
-:-0ll
f lV =ro
1+r,.lfVr, l+0n
._02 I

F=O
-Vr"lro-!
(r + Ru ll Ro).V u" f ro = I_. (!- g,,Yr,,).ro
&: + (r0.29)

Ily.t,. _r'o+Rull Rr+0, ro -n

rr tlt - ------------:- -rr
& +,b

Impedan{a de iegire in emitor este practic datd de rezisten{a de iegire in emitor a

tranzistorului. Curn valoarea acestei rezistenfe este foarte micd, etajul trebuie ,,citit" in
tensiune.

272
 fuilRg

Figura 10.10. Scliema echivalenti utilizatd pentru determinarea impedanlei

de ieqire Zo, .

Ca atare, in continuare, se vor determina:

- pentru cazul in care iegirea arnplificatorului este in colector
( 1 ) transadmitanla etaj ului. A, = !r, lV ,. pentru cazul in care Rc = Rz,

(2) arnplificarea in tensiune, Ar., = V o, f V , pentru cazul in care R6 face parte din etaj,
I
- pentru cazul in care iegirea amplificatorului este in emitor
t3 ) arnplificarea itt tertsiune Ar.: =Lo. lV
r.
. AnryltJicareatransadnitanldeste

Irrl
I

, _
-/or ln,
VI V R, + Ru ll R,..,
.lV
_ot-. tll
' -
=t<t
_0
a, + R,.Ql|, +V u, f r,)l
RB ll Ri,r
r.(R6ll R,,r)
( 10.30)
(R, + Ru ll R [(t + R)V I !lo, + Rurof
7.). u"
R-
rt I
=-
r'"(i+Roiro)+(po +1)Ro RL
in care raponul
/,
I- n. I !0, se delermind astfel:

Ior&,+ 9^I!6,rs+(!0,+V o,f r,)Ro

(l_.ot- -0
lu'(& + ro + Ru) : Yr,n(E,ro - Rn l r,) (10.3 i )
.. /- ft r/11 rR6 R, +rn+R,
:-A'l1or----.-
g,Jb-Rt, ,', ' B,,rs- Rt
. AnryhJicarea ?n tensiune A,,, este

, = I_,,r= -!,,,14 nt
lt -''-' . R- llR, R,-* _&
.4:..
VV __ = -(& ll R, ). /1\'=--
RF,
-,
RE
( 10.32)
:g _o

/.t5
 Relafia (10.32) evidenliazi faptul cI arnplificarea etajului cu iegirea in colector este
aproape independentd de parametrii tranzistorului.
. AmpltJicarea tn tensiune Ar,, este

v"- (!or-V a..Ir,).(Rs II R11

V R-+R"l/R, ,.
_A
#1v
t\B tt f\l
t,+(RE il &.)(L/0,+v u"f r)f
,T

RB ll Ri.r

Rr+Rull R,,, t+tfp11to,fyu"+7f r,).(RDll R)l (10.33)

RB ll Ri,r I
-+l
Rr+RollR,.., l+ ,', .Rr+rr+RtllRt
(RF ll RL) Frro
r lrr
t til | ,
I 0i/b-REll RL _1 9rro
L
rn &+ro+R,,llR, rn &+r'o+Rull R,
RelaJiile (10.32) 9i (10.33) aratd faptul ca dacd se alege rezistenla din colector R6 egala
cu cea din ernitor Rs atunci oblinem urmdtorul rezultat:
Ar,,
=-4r,, = -l. (10.34)

Ca urmare, in acest caz, itt emitor qi in colector putem culege simultan tensiuni de
aceeagi arnplitudine, dar de faze opuse, etajul numindu-se etaj defazor.

10.3.3. Etaj cu tranzistor bipolarin conexiune colector comun

Schema unui etaj cu tranzistor bipolar in conexiune colector comun (CC) este
prezentatd in figura 10.11. Tot iu aceasti figura este prezentatd gi scherna echivalentd de
semnal mic a acestui etaj. Se obserryd faptul c6 acest amplificator nu este unidirec{ional
(intrarea nu este separatd de iegire), degi s-a neglijat reacfia internd in amplificator.
o Rezistenla de intrare se calculeazd astfel:

R, :V,l !, : Rp ll R,.7 3 Rn, Rn << R,,r' (r 0.3s)

rn care

*Vc:c

Figura 10.1 1. Etaj cu TB in conexiune CC.

1't A
 ll I t! ,"=Lr,
*n , - t.z !, t IR, ll RL ro).(g,,Lr,, - = r, +(Rn ll &. iirb )'(Br + l) ( t0. j6)
Ru=R1 ll R'
Mdrirnea rezistenJei de intrare este lirnitata de rezisten{ele divizorului dir"r baza. Datorita
faptului cd valoarea rezisten{ei echivalente R; este moderatd spre lnare, etajul poate fi atacat in
tensiune in special in cazul in care R" .. 4
o Rezistenlu de ieSire se calculeazi folosind schema echivalentd din figura 10.12,
oblinutd prin pasivizarea sursei de semnal. Obiinem astfel:

R":+= R11llRn,7 z h.r, Rr. << &,1 (10.37)

1_o

ln care

- ,. ,,
D -'o
1{/ L, rt I L. l'l-
-." ,,1
4g,,,LJLr,;l-'o"LfuJl i-4-r]- (1 0 38)
_,",,1 rn
-'o"LBn+t 1r;+R*//Rd)-l _.^ ,,r,-Rrll Ra
-r,+Rrll R,
t r ))-''" B,r*t pr+l
Se observd c6.vqloarea rezisten{ei de ieSire este,foarte micd qi deci etajul poate fi ,,citit"
in tensiune.

Cu o rezistenla de intrare de valoare moderatd spre mare gi o rezistenla de iegire foarte

micd. acest circuit poate fi privit ca un amplificator de tensiune. Totugi, a$a cum se va
demonstra mai jos, antplifcarea sa lu tertsiune este subunitard, in schirnb, amplificarea in
curent este semnificativa.
o AmphJicarea in tensiune se calculeaza astfel (vezi figura 10.1 1):

a_, vo
I,R"+11.+Vn [!, + (l_,r, +V o)l Ru]R, + I ,ro +V o
(10.3e)
I

11, 1lt o;lRr(l + r, f R) + r,f +1+ Rr f Ru

ln care
!, !,
vo (RL ll RL ll r"o),(g,,,V o, + !,) (Rtt ll RL ll ro). (8, +l)

Yo

itl Ro,
Figura 10.12. Scherna echivalentd utilizatd pentru calculul rezisten{ei de iegire

275
 Ob{ineur astfel:
/,. ,

,|

,t- Anarut
( 10.40)
R"(l+ r,iRu)+r, I+e
l+ p'+
a\B (.REll &,llro).(Br+I)
t
Relafia (10.40) aratd foarte clar cd de fapt etajttl nu amplificd in tensiune. Datorite
faptului cd arnplificarea etajului este apropiatd de unitate, acesta poartd numele de repetor pe
emitor.
AmpliJicarea in curent este (vezi figura 10.13):

=!9-:t'ollrollR,Ro
RB ll R8
.(9r+l)I, -rR- + rr.-'s11&
I- -(P/r't'rr1 4.an,
n
Al

!,
-6
+R, " -A
Ru ll Rr + R,.r.
ro/l Rr RB ll Rs
= (0,- - 11'
rrll R,+R, RR ll r,
Rs + + (Ro ll R1, ll rs).(0r. + 1)

Fr+1 ( 1 0.41)

11+ R,-lQ'o
\--VJ
ll RE)1.{I+lr, +(RF ll R1,ll a).(Fi. + l)l/(Ru ll Rp)l\r
v0

,1
^lideal
(1+e,)(1+sn)
Aceastd rela{ie relevd faptul cd o pierdere substanfiald de curent apare datoritA
divizorului de tensiune care polarizeazd baza tranzistorului. Prin aplicarea unei tehnici de
circuit nurnitd booslrap (care va fi descrisd intr-o sec{iune ulterioara), efectul produs de
rezisten{ele de polarizare poate fi practic eliminat.
O alta pierdere de curent apare gi prin divizarea curentului alternativ de emitor intre
rezisten{a de sarcind R; gi rezistenfa de emitor RE. O solulie de principiu o constituie utilizarea
unei surse de curent pentru polarizareatrattzistorului, care sd asigure o rezisten{d foarte mare in
c.a. in acest fel pierderile la iegire devin aproape nule ( eo -+ 0 ). O schemd practicd ce
inrplementeazd o astfelde solu{ie este cea prezentatd in figura 10.14.
Datoritd faptului cd acest etaj perrnite debitarea unui curent alternativ important printr-o
rezisten{[ de sarcinf, de valoare relativ rnicd lird ca amplitudinea tensiunii sd scadd apreciabil.
el este folosit ca etaj de ieSire (ce debiteazd in sarcind puterea necesard).

Yh"
t_t 'fr Gr+l) 1,

-|>

R1

Figura 10.13. Etaj de amplificare cu TB in conexiunea CC atacat cu

surs[ de curent

276
 *Vc:c:

Figura 10.14. Etaj de amplificare clTB in conexiune CC cu generator

oe curent ln emltor

Spre deosebire de etajul de amplificare cu TB in conexiune EC, repetorul pe emitor este

urr etaj de bandd largd. Capacitatea de intrare mica a etajului explic[ aceastd proprietate.
Pentru detenninarea acesteia considerim schemele echivalente ale repetorului pe emitor pentru
fren,enle inalte. prezentate in figura 10.15. Analiza repetorului la frecven{e inalte va utiliza
teorema 1ui Miller.
AplicAnd teorenta lui Miller capacitdfii Co oblinern schema din figura 10.16. Daca
considerdnt c[ amplificarea in tensiune nu este sensibil modificata fatd de valoarea sa de la
fi'ecvente ioase obtinem:

k'_ (10 12)

t5,
+ralRB\+t't
R-(1
IT-T
D
]\B (R" ll & llto).(8,, +1)

C=r=C,.(l-K;=6-.. [, p R*(1+ rof Ru\+rn

+-(
t f\B (RE ll RL llro).(Bn +l)
R r. /P,-
1+ 'n -'b)' t +
T
R8 +0
^ ti))@
a (Rt ll RL lll'o).(0r + r)
--+ t'-
rn
(10.43)
Rr(1+rofRu)+rn ro +(Ro ll RL)' (0r +l)
IT-T
RR (R, ll RLll rs).(Bp +1)
C,z : C, (1 - 1/,K) 0
=
Deci capacitatea de intrare, C,,,, este:
v
(10.44)
r, +(R,,ll Rr.). Gr +1)
Relalia (10.44) relevd faptul cd efectul capacitdlii C" este foarte mult micgorat gi deci
polul introdus in caracteristica de transfer de aceastd capacitate se va afla la frecvenle inalte.

277
 R,tR,lyo

h,

- L^ti'l
.
--l
I
I
p
I
R"l Vn' ', Rt
\l
R73 a 8,,V 6"
l^l -"tl
'rl
V.
1., I
* I
I

Figura 10.15. Schema echivalentd a repetorului pe emitor pentru frecven{e inalte.

Vtt"
--i*

R6 f Cu+6n,

&
Figura 10.16. Schema echivalentd a repetorului pe emitor d.p.d.v. al teoremei lui Miller

10.3.4. Etaj cu tranzistor bipolar in conexiune bazi comuni

Schema unui etaj cu tranzistor bipolar in conexiunebazd comund (BC) este prezentatd
in figura 10.17. Tot in aceastl figura este prezentati gi schema echivalenti de semnal mic a
acestui etaj. La fel ca in cazul etajelor precedente incepem prin a determina impedanlele de
intrare gi de iegire pentru a stabili modul in care trebuie ,,ataeat", respectiv.,citit" etajul.
. Impedanla de intrure in bandd se determind cu relalia:
7 -Dl\, -Dl\F
L
//Dr\t1
1I
- -

r ,' 'R',.<a\, r
D
t\t
-r '1. rt
=
,7'
-(l-o+ |) t* lol I-o 1+(ro + Bor)f(Rl+ro) 1+ Fo
(I 0.4s)
ro . !r, = R't,lo + | o. (!lo - g,, V t) = RL !'o+ r0 . g; - F r Lr,)
r; I-n

Llolt_u =Q, +por)f (4,*ril, RL = h ll Rc

Relatia de mai sus relevd faptul cd rezistenfa de intrare a etajului de amplificare cu TB
in conexiune BC este foarte rnicd. deci atacul etajului va fi in curent.

278
 Cc:z

Kl

o V.

RltR2

ft) 'J rt/. I

Figura 10. 17. Etaj de amplificare cu TB in conexiune BC: (a) polarizare; (b) schema
echivalent[ de sernnal mic.

. Inryedonla de ieSire in bandl se determind utilizAnd schema echivalenta din figura

1 0.1 8.

Zo: &-// &,r < & ( 1 0.46)

L'^ ro (Lo - 9,,V t,,) -V -

'
r,,
= ro (1 + g,, ' Rc ll r,) + P'r ll ,,'"J-
I. t;
8,,.t'o) + r; = 7i11 +po)+ r,
= ri,(1 + (10.47)
r" = -(R" llr-).!0, R, = R.ll Rt
Se obsen'h cd valoarea rezisten{ei de iegire din tranzistor este foarte mare, de ordinul
N4O. Ca atare. considerAnd R6 drept rezistenld de sarcinA, putem considera c[ arnplificatorul
poate fi citit in curent. in acest caz, ctJ rezistenla de intrare foarte rnicd gi cu rezisten{a de ieqire
foarte mare. etajul de amplificare cu TB in conexiune BC se apropie de un amplificator ideal
de curent. Totugi, aga cum se \/a ar6ta mai jos, amplificarea in curent a etajului este
snbunitqrd. Etajul amplifica insa in tensiune. Dacd rezistenla R6 face parte din circuitul de
polarizare, atunci rezistenla de iegire este moderata (& <&) qi etajul poate fi privit ca un
anry I ifi c al or tr ans i nt p e danl d.
o V.

I
-f
I
rnl
I

Figura 10.1 8. Schema echivalentd utilizati penhu determinarea rezistenfei de iegire.

279
 Lt continuare se vor determina performan{ele de amplificare in banda ale etajului
. Amphficarea ?n curent a etajului este:
I_n
n
^l
lr lo ls & + Rt- -lLo + Lo" f {nr I R6 ll r,)l I

_ _ Rc
(R, ll Ro I r,)(1 + g ,,ro) I

&r + Rr (Rs ll RE ll --
r,)(l * g,,rct) + Rl. + ro (10.48)
D R1+a t1
_1\] 9o -
=
&r Rr Bp +1+ r, f R,t
+ p, +1+ r, f Ru
V u"= Lo.Ri.+(Ilo- g,V u).rh
= Lu,l[o = 1R1 + royf (l+ g,ro)
. AmpltJicarea in tensiune este'.

'R" -+o
, Vo=-
A..=-u -!oRt- _ &.R. I
_ R,.Rr . l+-g,roRL''r;'
oiltv D
= rt..R,
,
{10.-19)
-r v Rr+& -'s "/ V*lto Rr+R, Ry+ru dm"L
R,+R,
-c -T.Lr,
Se poate observa faptul cd acest etaj ofera aproximativ acelagi modul al amplificlrii ca
cel aletajului cu TB in conexiune EC.
. AmphJicareo transinrpedanlii este:
L/
-I::rRi, Ri R5llr,')
(R" ll
A-
lr -tI; + v b" i(Rs ll Rp ll r,)l p// Re ll ro *V o" I l_lo
(r0.50)
R'r.(Ro ll Rs ll r,) flo
Rs ll RF ll r, + (R'1. + 6)/(1 + g^ro) Bn+l+r,fRu

10.4. Etaje compuse cu tranzistoare bipolare qi unipolare

Existd grupuri de cAte doud etaje elernentare cu TB care se intAlnesc frecvent in
amplificatoarele cu componente discrete sau integrate. Polarizarea tranzistoarelor celor doud
etaje este inseparabila gi de aceea este convenabil sa fie privite ca un unic etaj, numit etaj
con'tpus.

10.4.1. Etaje compuse cu tranzistor bipolar de tip CC- EC $i CC-CC

Schema de principiu a etajului compus CC-EC este prezentata in figura 10.19. Tot in
aceastd figurd este prezentatd gi scherna echivalentd de semnal mic a etajului. in continuare
sunt prezentate principalele caracteristici ale acestui etaj evaluate in banda de frecven{e.
Impedunla de intrare este cea a unui etaj CC ce are ca sarcinf, rezistenla de intrare a

etajului EC, adica

f/
v
Z, = I! - Ri = RB ll Ri.r ( Ru, Ru << 4,2, (10.s 1)
&,r' = rzt +(Rr p ll r,2 ll ro).(Fnr +l) = ro, + ror. (B t, +l)
in care Rn: RtllRz este rezisten{a echivalentd a divizorului de polarizare din bazatranzistorului
I' (nereprezentat in schema de principiu din figura 10.19).

280
 Figura 10.19. Etajul compus CC-EC

Rezistenla de intrare in tranzistorul I' este mare, de ordinul zecilor de KQ.

Impedanlu de ieSire este cea a etajului EC, adicd:
Za = & = ft. ll fo.1 " = &. lllb < & ( 10.s2)

Valoarea acesteia este rnoderatd. Ca urmare etajul poate fi privit ca un amplificator

transadmitan{a daca lucreaza pe o rezisten{a de sarcind de ordinul kf2 qi rezistenta Rc este
rezistenla unei surse de curent (de valoare foarte mare).
Trans sdmitanla etaj ului este:

Lo R. ll 16, g12'V t',,t

I'"-Ril;+RLW '-'/ huz

& ril + (Bn +1)r,,
&,+* (l0.s3)
\- /lrs. o nt:
P
l\a ltll ti1
'.
f,t. ,o

ft- ll ro. + R,, R, + R, 1Bo, +\)rot - nrli

// fO1 + I(l
6r/_
^t
R, ror + (.F^ +l)ro,
AnrpliJicarea tn tensiune este datd practic numai de etajul CC, adic[:
l/ -
V l*g,,2(roz ll Rr)l=-g,rR,., RL = Rc ll Rr. ( 10.s4)
't l"n1
lT-
t,:.([]rL+1)

AmpliJicarea in curent este data de ambele etaje gi este:

0n +1 If ..-

(1 + r,t iru,) .
{1 + [ry, + roz '(F r t + 1)]/Ru I ] | + R,, l(ro, ll R .)
- \-----.-=v-
(10.55)
4r.
Frr +l 00.,
I+ [r,, + r',2.(9 pr + 1)]/Rul 1+ R,,lR.

Schema de principiu a etajului compus CC-CC este prezentatd in figura 10.20. Tot in
aceastA figura este prezentatA qi schema echivalentd de semnal mic a etajului. Rezistenla de
sarcini se conecteaza in emitorul celui de-al doilea transistor. Principalele caracteristici in
band[ ale acestui etaj sunt prezentate in continuare.
Rezistenla de intrare este cea a unui etaj CC ce are ca sarcini rezisten{a de intrare a
etajului CC, adicd
& =v ,l!, = Rn ll Ri.L., s Rn, Rn << R,.r, (10.56.a)

281
 tVcr
ieqire

T''
iegire

Figura 10.20. Etajul compus CC-CC

&P ' ra+@

R,.t,:t'n1+(Rr,ll Ri,7. +1) =
//4,) (Bt.-' (10.s6 b)
rnt +1,",r. + (F r-r+ 1)R1_l' (F. +l) (0,"-r +1). (0rz +1)' Rr
= =
irr care : Rr ll Rz este rezisten{a echivalentd a divizorului de polarizare din baza
Ra
tranzistorului I' (nereprezentat in schema de principiu din figura 10.20).
Rezisten{a de intrare in tranzistorul I' este mare, de ordinul sutelor de kO. dar din
pacate este scurtcircuitat[ de rezisten{a echivalen{d a divizorului de polarizare Rs, care are o
valoare moderat6. Utilizand tehnica boostrap putem practic elimina efectul rezistenfei R3.
Rezistenqa de ieSire este rezistenla de iegire a tranzistorului I" aflat in conexiune CC,
adica:

D _," - &.r _ t'rr+R,.7" o _t'nt+Rr&_'0 rtl

/b - f na ll rrt'n. ,b 7 (10.s7)
= =
0r:+1 0r.:+1 9^+l F,"r+l
Valoarea rezisten{ei de intrare este foarte micd. -

- -.
Cu o rezistenfa de intrare foarte mare (in cazul utilizarii tehnicii boostrap) gi o rezisten{a
de iegire foafie micd, acest etaj compus poate fi privit ca un amplificator ideal de tensiune, dar
cu o amplificare subunitard. Etajul amplifica insa in curent, oferind o valoare semnificativd a

acesteia deoarece ambele tranzistoare arnplifica in curent.

. AmpliJicarea tn tensiune este:
V rr 2 <<Rr (B/.2 +l )

I/
-)l
frl fn? tn2
l*-li: l*.-
R,, 1Bo, +1; Rr(Br, +1) R.(pn" +1) (1 0.s8)
4"t=1 4r t

R,.r,, rftz + Rr,. (0r: + l)

=
. AntpltJicarea in curent este:
n ,l
nl-
!-o 0rr+l '-=PIil -r I
I-R (1+&,r,/ro'X1+[rn, +(ro' /R,,. )(0n, +l)]/Rrl] \_/
1
LT, f\l,
D
__f-- lI01
4,"
1,.

+1)'(Bo, +1)
(0,"r
(10.se)
(l + R,.r. f ro,). {1 +[r", + (t"s, ll R,,r").(0' + i)]/Rul]

R,.r. v rx2 + Rr.. (Frz + 1)

282
 C

lv. sau
"l v.
I

l-
Y i I

E
Figura 10.2 1. Conexiunea Darlington

Un caz particular al circuitului din figura 10.20 il reprezintd conexiunea Darlington

prezentata in figura 10.21. Aceastd conexiune poate fi echivalatd cu un tranzistor (nurnit
transistor Darlington). Parametrii hibrizi ai tranzistorului echivalent se deterrnina prin
inlocuirea tranzistoarelor I' qi I" cu circuitele lor echivalente. Pentru simplificarea calculelor
vom neglija in cele ce urmeazd parametrul /r," pentru ambele tranzistoare. Ob{inem astfel:
't/
.l
1,,. =|l
ll =
h,.,-(|t.,,+l\ft,; (r0.60)
a1 lt.. =0

. I.l
=Lh,.,,!, (r0.6r)
TI h;), + h,",
-r l.=u

l^ f , t- rl , r
II 1,- I S1 f I ln"1 l/ I t ,l I r
(10.62)
v. h,", (h,", +l)
Aga cum reler,d relaliile de rnai sus, tranzistorul echivalent are rezistenfa de intrare rnult
mai mare ca a unui transistor obiqnuit, factorul de amplificare in curent aproximativ egal cu
produsul factorilor de arnplificare in curent ai celor doud tranzistoare gi admitanla de iegire cu
intrarea in gol este data practic de tranzistorul 7".

1.4.2. Etaje cascod

Etajul cascod este un etaj compus din doud tranzistoare, primul in conexiune EC gi cel
de al doilea in conexiune BC daca tranzistoarele sunt bipolare, respectiv primul in conexiune
sursd comuna (SC) gi cel de al doilea in conexiune grild comund (GC) daca tranzistoarele sunt
unipolare. Cele doua tipuri de tranzistoare, bipolar gi unipolar, pot fi combinate ob{inAndu-se
astfel doua tipuri de etaje cascod: primul in care tranzistorul bipolar este in conexiune EC, iar
tranzistorul unipolar in conexiune GC gi cel de-al doilea in care tranzistorul unipolar este in
conexiune SC. iar tranzistorul bipolar este in conexiune BC.

Etaj cascod cu tronzistoore bipolare

in figura 10.22 sunt prezentate cele douaversiuni ale acestui tip de etaj de amplificare.
Schema echivalentd de semnal mic. corespunzdtoare ambelor variante de polarizare, valabila in
banda de frecvenJe a etajului. este prezentatd in figura 10.23. in aceastd schernd efectul
rezisten{elor rur gi r4: a fost neglijat. Principalele caracteristici in bandd ale acestui etaj sunt
evaluate in continuare.

283
 *vt:c
Rc:
(-,-.
14 vo

T2
?L
L "_L
IJT
sau
rrg Lel
Tt

Ct'

Fisura 10.22. Etaie cascod

R,,

V. I
I

Ro,r: h
Figura 10.23. Scherna echivalenta de semnal mic a unui etaj cascod in band[

Impedanla de intrare este cea a unui etaj EC gi ca atare valoarea acesteia este
tnoderatd, adicd
V
Z'=t =& = RRllR,,',, (R,,ri' &,t; " Rp' Ri.7,=r,1 (i0.63)

Ca atare, etajul cascod poate fi atacat atAt in tensiune cAt gi in curent. Ca atare, etajul
cascod poate fi atacat atat in tensiune cAt gi in curent.
Impedanla de ieSire se evalueazb pe schema din figura 10,23 considerdndu-se
generatorul de semnal pasivizat. Pasivizarea generatorului de semnal implica anularea tensiunii
Lu,r.
7- IY)
L0 P
)- Rc ll R{,r, < Rc
-
V (!o - 8,,'zV )ro, -V
D _:rLO 1
r'" r,o
g.r(rs, I I r,r)). + ru I I r,.
r\.7. - J = l7 + ro2 =
lo lo
( 1 0.64.1
hl>>rr2
= (1 +pnz ) .ro2 + rn2
V,.,=A r/
v,
t '-bt2
-
fg1 / I fo2

Se observd cd valoarea rezisten{ei de ieqire din transistor este foarte mare, de ordinul
zecilor de MQ. Ca atare, consider6nd R6 drept rezistentd de sarcin6, putem considera cd

284
amplificatorul poate fi citit in curent. Dacd rezistenja R6 face parte din circuitul de polarizare,
atunci rezistenla de iegire este rnoderatA ( & < & l. in consecinld. se vor evalua toate cele patru

tipuri de arnplificare.
AmpliJicarea de tensiune este:

/
t- _I/,
_'-A _ l-r, l^ v..
'-u _ ltl/ /
/tt/ - - 1 /tl/1 (10.65)
fl f/ t/
v v
,-v -oc
^
!.
-8 \----w-
-g
4r r nvt
-
Amplifcarea de tensiune a printului etaj este'.

n --V n,.. ll & r ) 8r,r(ror ll R, t,)

.r,r= --{nttV ^.rlrs1 - (10.66)
1 .
t !., r T'
Rs llt'n, R6 llr^
-
in care R,.r. reprezintd rezisten{a de intrare in cel de-al doilea transistor gi a carei expresie.

detenninatd prin neglijarea efectului rezisten{ei /"02, este:

_r/ I rnz
D-
l\r./. (i 0.67)
-
-E,zV t,oz-Lorrlrn. gu,r+lfr;.t 1+pot
Valoarea acestei rezistenle este dependenta de polarizare gi este mult mai rnica decAl
cea a rezisten{ei 161. Ca atare, amplificarea primului etaj devine:

t'" R"^
.'.,,.,..-
4''/?/ ttt t-t
:t tl _ _

l- R" ( Ru rt r.,)
:
o'rr l-0r, ' (I 0.68)

iar daca parametrii tranzistoarelor sur-rt identici atunci

[],. >>1
.4,,,=-Fol(1+F") = -1. (I 0.6e)

Amplificarea de tensiune a celui de-al doilea etaj este'.

g,,,2rir' >>l
>>ft. , R; >>lla
=_I/Yu --l-a?tll
ri1.
RL) | + g r,2ro,
A
_I/
- l+ rs2l(fu ll R1.)
on,J_
D
a
'-be2

-10 (&, l l R r) = /n: (l| - g,,zV a,z) - V auz ) t-lotn' t t R,, + ro2) = V t,r(1 * g,,zroz) ( 1 0.70)

llo = I+ 9,'zr,z
V u,. R, ll R, + rs,

in consecinld, amplificarea totali a etajului cascod este:

,t'=-1 ,tr .1,Ir= 1+ grrro,

{n,tr;. (1 + pe2 ) '-----:------=-XD,al\C r,
-r I -' -
--1 (10.71)
l+ R" ( Rs ll rnr\ l+ rorl(Rc ll R)
Relalia (10.71) arata ca etajul cascod, din punct de vedere al amplificarii in tensiune, se
comportd ca un etaj emitor comun. Dacd etajul func{ioneazd in gol, atunci amplificarea
acestuia este:
ft ll R;-+a
| + gn.ro, 8^zt'Ltz>>l
^-l 6m/'\lL (10.72)
I + ro, l(R. ll Rr)

285
 Aqa cum indica relaJia de mai sus. amplificarea de tensiune in go1 are valori foafte
ridicate. Func{ionarea in condifii apropiate de gol a etajului cascod este posibild dacd se
folosegte. in locul rezistenlei Rc, o sat"cind qctit,d (de exernplu o sursd de curent), care oferd o
rezistenld foarte mare in curent alternativ gi, de asemenea, o valoare doritd a cdderii de tensiune
continue pe aceasta.
Amplificarea de curent se determind inlocuind in schema echivalentd din figura 10.23
generatorul de tensiune cu unul de curent qi considerAnd ca sarcini rezisten{a R6'.

_ g nlLo,, - L' 0,, f (rnz I I ro) _ g,t rnt - (I! u,, f If o,). rnt f (rn, I I ro r)
(r 0.73)
Rrll Ro+rn, .y^ | + r", f (R, ll Ru)
Rs ll RB tir
Raportul Vo"rlVr", se evalueazd inlocuind in rela{ia llolVr,, (10.70) pe !-lo cu

expresia din rela{ia (10.73):

Lo =V r,,t(1+ g,.rsr)f(& +"or)

g,^V trt =V ,,rl(rn,ll ro) +V o"r(1+ grrro.)f (Rc + roz) (10.7 4)
4rt>>rr:,4r,>>&
Vuot 8,,,'4rl >>l a . o ,r
6mt 6mt'nt ^

lfrn2+g,,,=-1+0r,
- =
V 0,, lf (r^, II rgr) +(1 + g.rro)f(R ; + ro..)

Arnplificarea in curent a etajului cascod este deci:

c, ,r I', t1,.,
g,,rInr-?T! ^ --+- 'i,''J,'i,'.Ft,r-'.
>Rtrr, l*pr._a
t?,>tto
0r.' 0r r-0' r=0r
":t 0r>l Iln>>r.,
1 + po.a t'n., ll ro, R-
n-
-t -
| + r", l(R" ll Ru) I t,-
I T tnll tD1\B
.--1_
1+ r;r l Ro =
0n (10.75)

Rela{ia de mai sus indica faptul ci, gi din punct de vedere al arnplificirii in curent.
etajul cascod se comportd ca un etaj emitor comun.
AmpliJicarea de transadmitanld se determind considerdnd rezistenla din colectorul
tranzistorului Z2 drept sarcind:

" - lu -Vo &' -Avln,-" =---Xn)

n\, -- --g,zk - (10.76)
L"Y,&&
-a -6

AmpliJicarea de transndnitanld se determina inlocuind in schema echivalentl din

figura 10.23 generatorul de tensiune cu unul de curent:

4r=? ( 10.77)

Concluzii
Etajul de amplificare cascod prezintd in band[ aproximativ aceleaqi performanle de
amplificare (tensiune, curent, transimpedan{i qi transadmitant[), precum gi aceeagi impedan{a
de intrare, ca un etaj cu transistor bipolar in conexiune EC, dar prezintb suplimentar
urmdtoarele avantaie:

286
 - atunci cAnd eta.iul fuuc{ioneazd ca amplificator de curent sau de transadrnitan{i,
rezistenla de ieSire esle mull mai mare ca cea a tmui eraj EC (aproximativ cu doud ordine de
mdrirne):
- amplificarea de tensiune in gol are t)alori foarte ridicate, de ordinul l0s pentru curenli
de colector de ordinul rniliamperilor;
- lensittnea la ieSire poate qvea amplitudine mai mare decdt tn cazul etajului EC,
deoarece tranzistorul T2 func{ioneazdin conexiune CC, caz in care tensiunea limita este mult
mai mare.

$i la fren,en{e inalte, etajul cascod prezintd avantaje fa!6 de cel EC. Pentru a le
evidenlia. considerlm scherna echivalenta la frecvenle inalte prezentata in figura 10.24.
Pentru a evalua capacitatea de intrare caracteristicd acestui etaj aplicdm teorema lui
Miller capacitorului Cut. Obfinern astfel cele doua efecte capacitive de pe intrarea, respectiv
iegirea. primului etaj de amplificare:

Cir : Cr,r(1 - Ar) = 2C;,t, C'/1 = Ce,tQ-IlAri (10.78)

=2C,er
-l
RelaJia (10.78) arata faptLrl ca efectul Miller este slab. Caatare, capacitatea de intrare a
etajului va fi mai mica decAt cea a etajului EC:
Ci, = Cnt + C;t Cn1 +ZCut (10.7e)
=
Frecvenla limitd superioard a etajului va fi:

{- -J-
'/') (10 80)
2x C,,(Rrll RBll4,)+C|i rp1(1+0r.r)+ Cuz(&:llRL)
Concluzia este ci etajul cascod este un etaj de bandd largd.

10.4.3. Etaje compuse cu tranzistoare bipolare de tip CC-BC

In figura 10.25 sunt prezentate schema de polarizare (ar), schema de principiu (b) qi
schetna echivalenta de semnal rnic in bandi ale unui etaj cu TB de tip CC-BC (c). Etajul este
cunoscut gi sub denumirea de etaj cu cuplcl pe emitor. Etajul cu cuplaj pe emitor atAt in
varianta simetrica (arnplif-rcator diferen{ial), prezentata in figura 10.25.a1, cAt gi in varianta
asimetricd. este larg folosit in circuitele electronice: amplificatoare, circuite de limitare a
semnalului. circuite basculante, circuite logice, oscilatoare. in continuare sunt evaluate
principalele caracteristici ale acestui etaj in bandd.
Impedanla de intrare este'.

Z,=R6llR,r.,. (10.91)

unde Ru =RtllRr este rezistenla echivalentd a divizorului din bazd, qi R,., este

rezistenla de intrare in tranzistorul Tl.

Expresia rezistenfei R,.r, este:

D _-t
l/ _:i,'lv,.-v,-hr: ^ _,. r| f/ lt,,
(r 0.e2)
",.7; --l_- -Y_t rtlrnt -/nl\l-I-6c2 lv-trtl
1t

287
 f(g +Ill
I f-^
4r,zV r,"z
.^1,,

L/
' ftzlY h")T t xl
tl '.!
Figura 10.24. Schema echivalentd de sernnal mic a etajului cascod la freo,enle inalte

+Vcc tVc'c

Y(, L,
Lr}--JCc't
vl

(ar ) (a:)
tVc:r-
CC
T1
Tr
v, : Yo

(b)
t'02

I ' 'llI', r"

'lt i/d i lo
+. \v ir
-l

tl I

a.iil
Lhrt
1

I
't
I 8.zV t"z
I
;-l
U
IV p-_i
v )8., tr'r"' rn2lYb"2 I/o ;l R1

it
| 1l
r "0,
I
I Ll
I

ll-
I

V- I

/> lr J
I

Z, h, r,l i
R, r,l i
Rn tri h
(c)
Figura 10.25. Etaj cu cuplaj pe emitor: (a1) schema de polarizare, (a2) varianta simetricd
(etaj diferen{ial), (b) schema de principiu, (c) schema echivalentd de semnal mic in banda

Pentru evaluarea raportului V o,rlV u", se aplicd teoremele lui Kirchhoff ochiului de

ieqire gi apoi nodului din ernitoarele tranzistoarelor. Obfinem astfel:

v b,2 =tif n ll Rr) + (!| - g^rv a")ro= I>-

-!lo = V r,", I rnt r g,,rV r,, + V 0,, f (r", II ro)J

288
 r;1 >>r;, , 412 >>R1,
V,^ R- +l 8,': rirl >>l
9,"r + 1 tx2
(10.e3)
V,.
:De I
t"; 7+ gr,trot 1 tnt B7.2 + 1

R . ll R,. + ts2 rn" ll rsl

Rezistenla de intrare in tranzistorul Ir este:

fl, rI rI -- lct-lc:
7:=7:

^ vII
(10.e4)
" n ,+l
PF.
Valoarea impedan{ei de intrare este moderatd, deci etajul poate fi atacat atAt in curent
cAt gi in tensiune.
Impcdtnla de ieSire este:
Z": R. /l R^ ,. < R-.. ( 10.es)

ln care
, fo"r=L'o"r(Rr+r"r)fr^
,a ro1(I o - gt,,iv -Lt =L*t I r;r+ g,tl:h"t+Lh,.2f (ril ll ti)t)
D
-!./. -
v ^l
-UI
I

) -V r'ot
=
'tt _ |

:o 1t,..=o
Iln 1,,=,
(10'96)
., ,
-'u- -
(s,,zt'ot+i)'(Rs +,'.,)'";i':;::':':..i'i?;:',-
ut
[, B' tnt l!"iii'"..
-'ut
Rs - r^ l 1l + p61 ) I
| - g,,,rtnt+ 'n'
t{ ll t"s1

Ca atare, amplificatorul va fi citit in tensiune cAnd R6 face parte din circuit qi in curent
cdnd R1. este rezisten{a de sarcina.
AntpliJicarea in tensiune este:
I' _1/ L/
, :_0 'b.t :_L
-rl - /tt t ttt ) ( l 0.e7)
It/
:-g Il'
:-g
I
-t !-hc!

1 A,.^
rit

nl,1,1
( gu,tl' r.,, -I' ^., rn1)(rs1 ll R,.7.)
lV t,r+(g,,rLr,or+V b,tlrn)Q"ull Ri.r)l'(R, + R,)lR,
Rr a.R,
<<rilt
([]rr + l)(rs,ll R,.r;) R,,r2

= (10.e8)
[r;, +(f]n, +iXt,r ll Ri.r.)).(R, + R,)lR,
Tt=Tz

_ (0n +l)R,,n _ rn. It',4ct I

r.r - (01 r + l)R,.r, trt - t'n: 2

in care R,." este rezistenja de intrare in tranzistorul 12,

_I/
'-hp )
V 0", lrn, t g,^Lna +V u"rf (rn, ll ror)-V or, tr ^

1t-t1 (l0.ee)
rcl-/cl
(Frr +1).r^tl(Bot+1) rn711rg1
tnZ

I +0o'-(0nr +1).(rn2f ru +1)/(Fr, +1)+(Br, +1)/(Br, +1) = 1+F,.-r

289
 /1
lLI/1
_-1.G{ ll &,) _-lLu,rf r,r+ g,,rLr,r+Yu"ri(r^,llror))(R,ll Rr) _
_T,/
/-be2 V 0",
Tt=Tt

_ 17 + 9 r, + r*,(L.", f Yu") f (rnz l l ro )l(Rc l l R t l

t,, -!,,
(10.r00)
rnr .[(0rr + l)ir",] .lrilf (PF2+l)l
/?8 <<R8

_ [1 +0o,-(1+ t,/ru,)](&. //R.)',','l', II

f,,r.lR{: Rr,)
'n2

AmpliJicareu ?n curent este'.

I
-lV u^lrntt g,,tV r,,r+[r"rf (r^rllro)]
f Rr + R, Ru + R,.r, l!^
Rs RB tx.
rt-r2.rat-/c2
I t g,,trr\ + lrrt tt (t"n2 ll rsr)1. (V ,", lLu") frz<<4tt
(10.r01)
=
(1+ R,/Rr).(1+ (,n /Rr)
11, <<n8 R,,l <<R8
'
0o'
= Fo'
(1+&/R8) (1+(,n/Rr)
Capacitatea de intrare se determind aplicAnd teorema lui Miller capacitalii Cn7 a
tranzistorului T1:

C,u : Cpr+C^r(1 - A,'t)= Cu' +C"' (1 -ll2) = gu, + C"t l2 (10.102)

Performan{ele circuitului cu cuplaj pe emitor cu TB sunt apropiate de cele ale

montajului cascod cu TB. Fafb de etajul cascod clasic, acest etaj are avantajul unei tensiuni de
alimentare mai mici. Bineinleles ca etajul poate fi realizat gi cu tranzistoare unipolare, caz in
care acesta se numegte cu cuplaj pe surs5, dar gi cu TB gi TU.

10.4.4. Etaj e diferenfiale

Etajele diferen{iale sunt intAlnite frecvent in configuratia amplificatoarelor operalionale,

atdtca etaje de intrare cdt gi ca etaje intermediare de amplificare. Se numesc etaje diferenliale
deoarece amplifici diferenJa dintre semnalele aplicate pe cele doui intrdri ale sale, cu conditia
ca valoarea lor individuald sd fie mai micd decdt tensiunea de alimentare sau o fratiune din
aceasta.
Schema clasicd de principiu a unui etaj de arnplificare diferenlial simetric cu
tranzistoare bipolare este prezentatdin figura 10.26. a. in esenfa. etajul diferen{ial simetric este
un etaj cu cuplaj pe emitor (respectiv cu cuplaj pe sursi pentru realizdrile cu tranzistoare
unipolare) ce prezintd doud intrari qi doua ieqiri. Circuitul de polarizare din terminalul comun
al emitoarelor poate sd fie o sursd de curent, realizatd cu tranzistoare, sau o sirnpl[ rezistenfi.
Degi pe aceastd schemd nu s-au reprezentat circuitele prin care se inchid curen{ii de bazd, ai
tranzistoarelor Z1 gi 22, in schemele reale trebuie create cdile de inchidere a acestor curen{i.
Caracteristica de transfer a etajului reprezintd dependenla curentilor de colector, i61 gi
i6.2, func{ie de diferen{a dintre tensiunile aplicate pe cele doud intrdri y1 - v72. Pentru

290
determinarea caracteristicii de transfer se scrie bilanlul tensiunilor pe ochiul de intrare gi prin
exprimarea tensiunilor ce cad pe jonc{iunile bazelor in confonrritate cu rnodelul Ebers-Moll
Dentru RAN se obtine:

l, Il - l, 12 = \' BEI - l, BE2 = v, 6? p = vr hl lt +ts) l" :"' v, h! , (10,103)

lsr -rrrn /s: \rcz tc:
deci
i, , (t ,, -,',. )
e\pl
'\. Vr )i, ( I 0.1 04)
icz
-:
Din bilan{ul- curenlilor in emitoarele tranzistoarelor se obline:
Tr=7,
Ip:itt+irz: cx6-r 'tr *o,":.ic;, = o'p.(igr+i..2) (1 0.1 05)
Din rela{iile (10.104) 9i (10.105) se obline:
o'1r'Ip ap'Ip
'( I - '\: - (1 0.1 06)
,|+eYnl( 1'rr - l'rr
't - " v,.'-
)
|
t+exp[ Y+-l
\. ll
I
\t'r)
In figura 10.26.b este reprezentatd dependenla acestor curenfi de diferen{a dintre
tensiunile aplicate pe cele doua intrari. Se observi cb pentru diferenfe intre tensiunile de intrare
mai mari decAt cdteva sute de mV, curen{ii de colector devin independen{i de v71 - v72, deoarece
tot curentul furnizat de sursa de curent, 1p, curge doar prin unul din tranzitoare. Extinderect
domeniului di.ferenlei tensiunilor de intrare pentru care cat'acteristica de trans-fer este
aproxintatit, liniard se poatc reali:a prin irtroducerea unor rezisrenre in ,serie cu etnitoarele
trctnzistoarelor .

P ar s m etrii omp lifi cat o s relor d iferen liale

Principalele rndrirni ce caracterizeazd fuuc{ionarea etajelor diferen{iale in regirn
dinarnic. sunt tensiunile de mod colnun gi cele de mod diferenfial.
Tensiunile de mod conlun reprezintd semisuma tensiunilor mdsurare in rapoft cu masa
in doua puncte omoloage ale circuitului.

l-Vcc

0,5'a; Ip

-4Vr-3Vr -2Vr -Vr 0 Vr 2Vr 3Vr 4Vr rtr-r:n

(a) (b)
Figura 10.26. Etaj de amplificare diferenJial: a) schema de principiu,
b) caracteristica de transfer

29r
 Tensiunile de ntod diferenlial reprezintd diferenla tensiunilor mdsurare in raport cu
rnasa in doud puncte omoloage ale circuitului.
in concordanta cu definiliile de rnai sus oblinem:
. tensiunea de intrare de mod diferential
rtiT =\ti1 -vit (10.107)
. tensiunea de intrare de rnod comun
1',r +V.1
rt. =--^---:
z
(i0.108)
. tensiunea de iegire de mod diferenJial
vo,, =vol -vo2 (10.109)
. tensiunea de iesire de mod comun
lhr * lhr
1'0. =-:- /. (10.110)

Tensiunile individuale de intrare gi de iegire se pot exprilna astfel:

V,l =l)rc +V,af2
It2 =Yic -r,a l2 (10'111)
r,ol =r,0, +r,6,1f2
V02 = 1,0. _vOa 12
Se pot definii patru tipuri de arnplificari in teniune corespunzdtoare tensiunilor de mod
diferenlial qi de mod comun, de intrare qi de iegire:
. amplificarea de mod diferen{ial

, \'t)rl
^dd --- vid (10.112)

. amplificarea de mod comun

, _ la,
n,,,-- (10.113)
\,, r.

. amplificarea de transfer de la modul diferenlial la modul contun

lr, = \l I

(10.114)
,,,;1,, _o

. amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferenJial

,
e,,
l'o,l
=fl I
(10.11s)
' lc lr" =0

Majoritatea aplica{iilor in care se utilizeazd amplificatoarele diferen{iale impun

amplificarea tensiunilor diferen{iale in prezenla unor tensiuni de mod comun fluctuante. Ca
atare, in mod obignuit, semnalul care trebuie amplificat este semnalul de mod diferen{ial, iar
cel de mod comun trebuie rejectat. Capacitatea etajului diferenlial de a separa semnalul al
modului diferenlial de semnalul perturbator al modului comun se caracterizeazd prin factorul
de discriruinare (numitqifactor de transfer), F:

F = Aaa f Au (10.1 16)

292
 Dacd etejele diferenJiale uu suut perfect simetrice, tensiuuea diferen{iala de iegire poate
sa conJina gi o componentd produsd de tensiunea de intrare de mod comun perturbatoare.
Capacilalea anrplificatorului diferenfial de a sepqra lensiunea de ieSir"e diferenliald produsd
de /eniunea de intrqre diferenliald de tensiunea de ieSire diferenliald produsd de tensiunea de
inlrare de mod conlun se caracteri:ea:dprinfactorttl de rejeclie a modtilui comun, CMRR,
4..
^r r^^ "1111
(l 0.1 I 7)
n
ncd

sau exprimat in decibeli

t -4,, \
cnlRRdB =l0lgl "" /l
I (1 0.1 1 8)
\A"d )

Analiza de semnal mic

Analiza de semnal mic pentru un etaj diferenlial simetric se poate realiza utilizAnd
teorema superpoziliei gi apoi conceptul de semicircuit. Ca atare, se determind rispunsul
circuitului separat pentru un semnal de intrare pur dif'erenfial gi separat pentru un semnal de
intrare de mod comun pur, adunAnd apoi rezultatele. Raspunsul circuitului la semnale pur
diferenliale, respectiv pur colnune, se face pe baza teoremei bisec{iunii, adicd pe baza
conceptului de sernicircuit.
Excileree antplificotorului diferenlial cu un semnql de intrare pur diferenlial este
prezentat irr figura l0.2l .at qi presupune cii pe cele doud baze ale tranzitoarelor se aplicir
lensiuni de semnal mic egale in modul Si de faze opuse (t,ezi figura \0.2'/ .az). Pentru
sirnplificarea analizei s-a considerat modelul naturai de semnal mic al trantanzistoului in banda
freo'enlelor rnici gi rnedii in cal'e s-au neglijat elementele r,, ru gi 16. Rezistenla Rp reprezintd
rezistenla de iegire a sursei de curent lp.
Deoarece etajul este perfect simetric (Tr = T:), tensiunile aplicate pe cele doud baze
produc rariagii ale curenJilor celor doud tranzistoarelor egale in rnodul, dar de sensuri opuse i,.1

: - ict, int : - ih;., i,t: - i,z.Ca urmare, bilan{ul curenlilor in nodul comun emitoarelor
tranzistoarelor conduce la valori nule pentru curentul dinamic prin rezistenJa Rp, deci
potenlialul dinamic al acestui nod este nul (vezi figura 10.27.br) li nodul poate fi considerat
punct de masa. Cei doi curen{i de colector avdnd varialii egale in modul gi opuse ca fazd,
produc varia{ii in antifaza gi egale in modul ale potenfialelor celor doua colectoare, deci ale
tensiunilor de iegire. Ca atare, courponenta dinarnica a tensiunii la jurnatatea rezistenlei de
sarcin6 R1. legatd intre cele doud iegiri, este nulS gi rezisten{a R; se poate desface in doua
rezistoare. fiecare de valoare R1,12 (vezi figurile 10.27.6 gi 10.27.b2).
Circuitul astfel obJinut se poate impali in doud, dupd axa de simetrie, analizAndu-se
numai o singurd parte a acestuia care poartd numele de semicircuit de mod diferenSial. Acesl
circuit simplificat, prezentat in figura 10.27 .c, poate fi utilizat pentru analiza funcfiondrii
amplificatoarelor diferen{iale de toate tipurile, atAt la frecven{e joase cAt qi la frecvenfe inalte.
Arnplificarea pe modul diferen{ial este:
, No,l ,,oa12 -gr,.Yb"t.(rs1 llRcllRLl2)
)\ds
-
l,id l,idl/ lb4
=-8,(^,"l-',+) (10.1re)

293
 +Vcr-

RL/2 RLl2

1ti7t /

V V
-tll -td
2 2
(ar)

lrcl
O -----+ O
lt7t
,.\
/. / \'h/ ,^
t
(ar)
(b:)
? v51a/2

1'1y|2
--------t
Rc

(c.)

I!-,a
1

Figura 10.27. Etajul diferen{ial simetric: ai) qi a2) excitat cu semnal de intrare
pur diferen(ial, b1) circuitul echivalent de semnal mic pe modul diferen(ial pur,
b2) varia{iia tensiunii dinamice pe rezistenla de sarcin[,
c) semicircuitul de mod diferen{ial

Impedanla de intrare de rnod diferenlial este:

z ,a = R,,t =\'o =
" I ,a z.L'! 2 = a.Yl l' = 2. -!u- = 2. r,t^'-?='^ 2. rn (10.120)
!,a !-ta Lo^ lrn
Excitarea amplificatorului diferenlial ar un semnal de intrare pur comun este prezentat
irr figura 10.28.a Si presupune cd pe cele doud baze ale tranzitoarelor se aplicd tensiuni de
sentnal mic egale aldt it1 modul cdt Si in faza.
Tensiunile aplicate pe cele doud baze produc varia{ii ale curenlilor celor doud
tranzistoarelor egale in modul gi in faza, ict: i,2, ibt= itz, i"t-- i"z. Bilan{ul curenJilor in nodul
comun emitoarelor tranzistoarelor conduce la valori ale curentului dinamic prin rezisten{a Rp
egale cu 2. i,t:2' ip:)' i,. Ca alare, in semicircuitul de mod comun, rezistenfa care apare in
emitorul tranzistorului T1 are valoarea 2'Rp pentru a produce cdderea de tensiune 2' i" 'Rp.
Potenlialele celor doud colectoare avAnd varia{ii egale in modul qt fazd. curentul dinamic prin
rezisten{a de sarcind Rr este nul.

294
 *Vr-c:

R6 R6.

Ilo, Vo,

4ulV b"l 6-I/m2 r-hc2

tnl tfrt

r-
I r,
{-l

v I Yr"t f/
/bc) |

| V
(a)
+ +-"

I Tl

|-} g''tLt'"t I
(c)
V I vnrt
2'R, R.l
-rc v -+ vr"
? I
Figura 10.28. Etajul diferenfial simetric: a) excitat cu semnal de intrare de mod
IV
pur comun. b) circuitul echivalent de semnal mic pe modul comun pur,
c) sernicircuitul de mod comun

Dacd curentul dinamic prin rezistentra de sarcine este nul, atunci aceasta poate fi
eliminata din circuitul echivalent de semnal ntic.
Semicircuitul de rnod comun este prezentat in figura 10.28.c. AnalizAnd acest circuit
oblinern:
0,- >>l

A ="ot:
-&,'1, Bp 4,, >>2
=
11"
-Pr &
1,,,, I/ r,r, * 2. Rp .(L , +V u", f rn ) rrt + 2.Rn .(Br, + 1)

&-.I. +r.or.(I. - g,,.V b,t)+2. R,,.(!_,,+V lrn)=0 = (10.121)

, Er,./br-l.Rl,rnt 'v-h'1=,7,14,a,'*7U|n-r"t
r/ '
0,".rot -2'Rp ,
1' =
&H'0-l Rr
ptil]j
p'
+ 2' Rp' (!, +Yra I ' rnti o'
2,, = R,,.
'- =Y,, -(u"t 1,, = rrl+2'R"'(Bt+1) (1 0.1 22)
Lo^lrn
in consecinla factorul de discrirninare a modului comun este:

l?-
Ada _ l+2.Rp,g. (10 123)

Etajul amplificator diferenlial este cu atdt mai bun cu cAt factorul de discriminare are o
valoare mai mare.

295
 10.5. Amplificatoare de audiofrecven(i qi de radiofrecven{i
Arnplificatoarele de audio frecven{A (AF) 9i de radiofrecventrA (RF) sunt formate din
mai multe etaje conectate in cascada. Etajele dinspre sursa de semnal sunt de semnal rnic, iar
cele dinspre sarcini de semnal mare. Ultirnul etaj al arnplificatorului de RF 5s nslnpsre a/ni
final, iar penultirlul se nurnegte elaj prefinal.
Reamintim faptul ca un dispozitiv funclioneazl,in regim de semnal mare dacd punctul
sdu dinamic de ftinc{ionare evolueazd amplu in jurul pozi}iei de repaus, pdtrunzdnd in regiunea
neliniard a caracteristicilor statice. Regimul de semnal mare este specific dispozitivelor active
din circuitele analogice care prelucreazd puteri mari, mai mari de ordinul unitifilor de W (pot
ajunge de ordinul kW in cazul etajelor de audiofrecvenld din sta{iile de emisie). in func{ie de
pozilia punctului static de funcJionare gi de arnplitudinea semnalului un tranzistor poate lucra
intr-unul din urmitoarele regirnuri, numite clase de funclionare: A, AB, B, C, D, E, G, H qi S.
Etajele de arnplificare ale unui amplificator de AF sau de RI pot fi de uz general. ca
cele prezentate in subcapitolele precedente, sau pot fi specifice, ca de exemplu etajele cu cuplaj
prin transformator gi etajele amplificatoare selective.
in cadrul acestui capitol se vor prezenta clasele de funcfionare gi doua din cele mai
utilizate tipuri de etaje specifice arnplificatoarelor de AF gi RF: etajul cu TB in conexiune EC
gi cuplaj prin transformator gi etajul selectiv.

10.5.1. Clase de funcfionare

Clasele de func{ionare se definesc in concordanld cu intervalul de conduclie. /.. a

tranzistorului amplificatorului intr-o perioad[ a semnalului aplicat. Intervalul de conducfie este
funcfie de pozi{ia punctului M6 gi de arnplitudinea sernnalului. in tabelul 10.2 sunt prezentate
succint principalele caracteristici ale claselor de funcJionare.
Cele mai utilizate clase de func{ionare in circuitele clasice de semnal nTic qi de putere
alacate cu semnal sinusoidai sunt clasele A, B, AB, gi C. De aceea, acestea se vor aborda in
continuare.
Sa considerim cd la intrarea unui transistor se aplicd un semnal sinusoidal
vb" =Vb"sin col . NeglijAnd efectul varia{iilor tensiunii, rcE, caracteristica de transfer

ir- =i6(v6s) a tranzistorului bipolar este aproximativ exponen{iald. Pentru a ugura explica{ia se
folosegte totugi un rnodel liniarizat al acestei caracteristici. in figura 10.29.a sunt reprezentate
relafiile grafice intrare-iegire corespunzdtoare celor patru clase de func{ionare.
Semnalul 116", SUpr?pus tensiunii de polarizare Vnndin punctul static de funcfionare Ms,
este redat pe durata unei perioade, Z=2nf at. Raspunsul tranzistorului Ia semnalul aplicat,
curentul ig, nre o formd specifica pentru fiecare clasa de funciionare, forma caracterizatd de
parametrul numit unghi de deschidere (sau de conductrie), notat cu 0 gi definit ca jumdtatea
intervalului unghiular de conduc{ie, o)tc , pe care rispunsul este nenul.
Tranzistorul bipolar poate fi comandat gi in curent, ceea ce este avantajos pentru
tranzistorul bipolar deoarece dispunem de o caracteristicd i, = priu aproximativ liniar6, care

296
are, cu aproxilnatie, ca punct de plecare originea gi este lirnitata de curentul de saturalie (dat de
circuitul incare acesta func1ioneaza.1. in figura 10.29.b este reprezentatd. funclionarea
tranzistorului in cazul atacului in curent pentru cele patru clase de funclionare.
Funclionarea in clasd A se caracterizeazE printr-un unghi de couduc{ie 0 de 1800.
Punctul static de funclionare al tranzistorului, M6, se gisegte, de regul6, in porfiunea centrald a
caracteristicii de transfer. Amplitudinea semnalului de ieqire nu trebuie sd depdqeascd ordonata
punctului Mo, adica valoarea de c.c a curentului de colector. Clasa A se caracterizeazd printr-
un coeficient de distorsiuni neliniare d mic, dar gi printr-un randament q redus. Este specificd
funclionarii tranzistorului bipolar in etaje de AF gi RF de semnal mic.
Fwrclionarea rtt clasd AB se caraclerizeazd printr-un unghi de conduc{ie 0 cuprins intre
90" gi 180o. Se trece din clasa A in clasa AB dacd se mireqte semnalul sau/gi se deplaseazd
punctul static de funclionare al tranzistorului. M6, c[tre cotul caracteristicii. Ca urmare, se
mare$te substanlialrandamentulq, dar cregte moderat gi coeficientul de distorsiuni neliniare d.
Tranzistoarele din etajele simetrice de AF de semnal mare (la care rdspunsul nu con{ine practic
arnronici pare) funcfioneazd de regula in aceastd clasd".

Tabelul 10.2. Clase de functionare

Clasa de Interval de Randament
Observa{ii
fiinctionare conductie maxim teoretic
25% - etaj clasic
A r -7- - arnplificatoarele de semnal mic
50% - cuplaj prin
func{ioneazd in aceastd clasd;
transformator
- semnalul de iegire prezinta distorsiuni
B r :Tl)
'c ^ | - 78j% de racordare la etajele in contratimp;
- caracteristicd arnplificatoarelor de AF;
- elimind distorsiunile de racordare;
AB Tl) <t, <T 18j%
- caracteristica amplificatoarelor de AF;
- sarcina este acordata pentru etajul de
C r, <Tf 2 90% amplificare;
- caracteristicd transmitdtoarelor de RF;
- utllizeazd modularea impulsurilor in
ldlirne qi filtrarea pasivi la ieqire;
D comutare 80%-90% - caracteristici arnplificatoarelor de AF
(subwoofer in automobile), controlului
motoarelor etc.,
- caracteristica amplificatoarelor acordate
E comutare 96%
(unde radio gi microunde):

G sirnilar AB
H Sirnilar G
- comutarea tensiunii de alimentare in
func{ie de mdrimea semnalului de iegire;
- tensiunea de alimentare este ..modulatd"
t00% de semnalul de iegire (menfinutd pu{in
peste mdrimea semnalului).

297
 Clasd AB: 90"<e<180' (a)

Yt
Clasd C: 0 <90'

Clasa A: e:180' Clasd AB: 90"<0<180' (b)

Clasa B: 0 -90" Clasd C: 0 <90"

Figura 10.29. Definirea claselor de func(ionare A, AB, B gi C pentru TB

comandat: (a) in tensiune gi (b) in curent.

298
 Funclionarea in clasd B se obline atunci cAnd punctul static M6 se gdseqte chiar in
cotul caracteristicii de transfer. Se obline astfel un unghi de conduclie 0 de 90".
Funclionarea in clasd C se caracterizeazd, prin-un unghi de conduclie mai rnic de 90" gi
irnplicd plasarea punctului static al tranzistorului in regiunea caracteristicii de transfer ce
corespunde unei abscise Vsp mai mica decAt tensiunea de deschidere a joncliunii baza-emitor a
tranzistorulu i Va ilor).
Clasele B qi C, datoritd faptului cd furnizeazd un rdspuns caracterizat de un spectru ce
conJine armonici, nu sunt proprii func{iondrii tranzistoarelor din amplificatoarele de AF.
Datorita randamentului ridicat (de pdna la 80%) qi posibilit[1ii de filtrare a annonicilor
nedorite, in clasele B gi C lucreazS, tranzistoarele din circuitele de radiofrecven{d, cum sunt
amplificatoarele de putere gi multiplicatoarele de frecven{[.
Observalie
FuncJionarea in clasele AB, B sau C necesitdrefacereaformei de undd a semnalului de
ieSire.Pentru aceasta se folosesc de regula etajele amplificatoare tn contratintp ce sunt formate
din doud tranzistoare ce conduc alternativ.

10.5.2. Etaj cu TB in conexiune EC qi cuplaj al sarcinii prin

transformator
in radioreceptoare etajul final solicitd intotdeauna la intrarea sa o putere de AF de cel
pulin c6liva miliu'ati, pentru o putere de iegire de sute de miliwafi. Aceastd putere de intrare
este furnizata etajului final de catre ultimul etaj preamplificator. Cea mai convenabild alegere
practicd pentru etajul prefinal este etajul cu TB in conexiune EC cu cuplaj prin transformator
(r'ezi figura 10.30.). etaj ce prezintd o serie de avantaje esenliale fald de etajele studiate
anterior:
- pennite realizarea unei bune adaptari cu etajul finall
- are cea mai mare amplificare in putere;
- datorita transformatorului de cuplaj, cu rapoft de transformare subunitar, se poate
alimenta intrarea etajului final cu un curent de AF relativ mare, fErd ca totuqi curentul
corespunzitor de colector al tranzistorului prefinal sd fie prea mare; ca atare, se poate folosi
drept amplificator prefinal un tranzistor de putere micd;
- tensiunea continud de colector este aproape egal6 cu tensiunea sursei de alimentare
Vcc$i, de aceea, se pot admite amplitudini foarle mari pentru tensiunea de colector de c.a., deci
se pot obline puteri relativ mari la iegire.
in figura 1.36. se prezinta schema unui astfel de etaj. Practic, dacd etajul este utilizat ca
prefinal, deci ca etaj de semnal mic, tranzistorul Iva func{iona in clasd A. in acest caz, analiza
funcfionarii acestuia gi determinarea perfonnan{elor oferite se poate face utilizAnd parametrii
de semnal mic ai tranzistorului.
Trebuie subliniat faptul cd acest etaj poate fi utilizat gi ca etaj final clasa A qi, in ciuda
faptului ci tranzistorul Z lucreazd la semnal mare, analiza func{ionirii etajului se acceptd a se
face tot cu Darametrii de semnal mic.

299
 *Vcc

Figura 10.30. Etaj cu TB in conexiune TC gi cuplaj al sarcinii prin transformator

Transformatorul Ir
impreund cu rezistenla de intrare a etajului final reprezintd sarcina
utila din circuitul de colector. Raporn-rl de transformare al transformatorului, definit ca raportul
intre numdrul de spire din secundar qi nurnirul de spire din primar (n=nrf ny), se deduce din
condi{ia de adaptare a rezistentei de intrare a etajului final R;,, respectiv a rezistenfei de sarcind
R; in cazul in care este utilizat ca etaj final, cu rezistenfa pe care tranzistorul trebuie sa o
..simtd" in colector:

NL =Tit,.(rrlrr)' .Rrru,, (10.124)

in care nlr este randamentul transformatorului cu o valoare cupdnsA intre 0,7 Ei 0,9.
in prezenla semnalului de intrare, adicd in regim dinamic, punctul de func{ionare al
tranzistorului se deplaseazdpe caracteristica dinamica a cdrei ecua{ie este:
t,r,r:-Rj..i11 (10.125)
Semnul minus din rela{ia (10.125) reflectd antifaza intre varialiile tensiunii v6i,-qi cele
ale curentului de colector ir-.
De regulh, punctul static de funclionare gi panta caracteteristicii statice se aleg astfel
incdt sd se oblina semnal de ie;ire maxim nedistorsionat. Aceasta implica

f f vr".^ v(c - ] cRt. -vBL.

'c'ma\ (1 0.1 26)
Rr, Rl
in care Ig reprezintb valoarea curentul de colector de c.c. (corespunzdtor punctului static de
funcJionare), iar 1",'u* Qi V,".^u* amplitudinile maxime ale componentelor de c.a. ale curentului
de colector gi lensiunii v1 p.
Din rela{ia (10.126) deducem valoarea optimd a R!-, Rlr.o,,:

VCC _ IC:RE _VBE

(10.127)
_(

Puterea utild maxima va fi in acest caz:

,,')
/i,^* (vcc - I}RE -Vu)' Ic(Vcc - IcRo -Vur)
P
'lc.max - - (1 0.1 28)
2Rl.,op, z(Vcc - IcRp -Vur)lIc 2

Dacd se renunld la rezisten{a de emitor afuncr ob!inem:

P _ I(:(Vcc -VBE) _ IcVcc '

-rlr'.max (10.130)
2 - 2

300
iar randamentul maxim corespunzStor este:
Prr'.rrr* Icvcc 12 _
Inra\ Put, -
1

' (10.131)
I , vr, 2

Perfornranlele dinarnice ale acestui etaj in banda de frecven{e sunt similare cu cele ale
unui etaj cu TB in conexiunea EC ce are ca rezisten{d in colector Rj .

Limita de jos a benzii de frecven{e se deduce din rela{ia:

| lt t- ll,l (1 0.1 32)

t-'J
J . t^. '(r4 )lt
I

in care A,, este amplificarea in tensiune in bandd gi l, este amplificarea la frecvenle joase.

Frecven{a limita inferioard este:

R,
J, = * (10.133)

I 0.5.3. Amplificatoare selective

Arnplificatoarele care amplificd sernnale ce au frecvente cuprinse intr-o gamd ingusta

de frecven{e se llumesc amplificatoare selective. Ele se caracterizeazd prin sarcini sau circuite
de cuplaj selective gi de intdlnesc in variantele cu circuite rezonante LC qi cu punte dublu T.
Dintre aceste se va prezenta in continuare numai prima variantd.

Etaj cu TB in conexiune EC Si circuit rezonant derivalie tn colector

in figura unui etaj selectiv cu TB in conexiune EC gi
10.3 1.a este prezentatd schema
circuit rezonant derivalie in colector. Pierderile circuitului sunt reprezentate printr-o rezisten{d
in paralel, presupusd independentd de frecven{a. Pentru protectia la strapungere a jonc(iunii
colector-baza a tranzistorului se poate introduce o diodd in serie cu circuitul rezonant.
Scherna echivalenta in curent alternativ este prezentati in figura 10.31.b. Aceasta relevb
faptul ca tranzistorul T se comportd ca un generator de curent ce atacd circuitul rezonant.
Tensiunea de ieqire este:
Vo = Z'! (1 0.1 34)

in care Z este impedanla circuitului rezonant:

7-
s- 1
(1 0.1 3s)
I R+ ja)C+f0ol)
La rezonanfd, partea irnaginari a irnpedan{ei se anuleazd, oblinAndu-se:

"1
jo- r- - Zo=R (10.136)
2n,lLC
Pentru determinarea curbei de rezonanli a sarcinii acordate notlm cu:

O :tD-(])0 (1 0.1 37)

diferenla fata de pulsa{ia de rezonan{a gi presupundnd r,r/ << co6 rela{ia (10.135) devine:

301
 +Vc-c

L-r
t"\-
ln r/..
-I_u

(a) (b)
Figura 10.3 l. Etaj cu TB in conexiune EC gi circuit rezonant derivalie: (a)
schema de polarizare, (b) schema de semnal mic.

a
l,1R + j(0/ + coo)C + l/[(co' + oo)I]
I
(10 i38)
l/R + jlco' + o6)C +rl ja(rL+ ir,rt l1o,itl
I
l/R + jo/C + ;o//1rolz; 1l R+ ziat c
Tensiunea de iesire a etaiului devine:
I
V^:-:--. (10.139)
-u riR+2iotc
o Dacd pulsalia de rezonan{d o:o este suficient de joasa pentru a se putea neglija
capacitalile interne ale tranzistorului bipolar, atunci
4 >,[l _o V /t.-.r;
l- ot, t,, -g,V g /ln I ln\
=u -
llR+2iaC llR+2iatc \ -- "/
gi varia{ia arnplificdrii in tensiune in jurul frecvenJei de rezonanld o va reproduce pe cea a

irnpedanfei Z.
Caracteristica modul-frecvenfd a amplificdrii A, este prezentatd in figura 10.32.

Modulul amplificirii scade la lf Jl=0,707 din valoarea sa maximd, corespunzdloare

rezonanlei. la pulsalia:
r:lu:tlQRC) . ( i 0.141)

Ca atare banda de frecvenle a circuitului este:

I
^ "0'g ( I 0.1 42)
2n 2nRC
Factorul de calitate Q al circuitului se definegte ca raportul dintre frecven{a de
rezonan{d (frecven{a centrala)fr gi ldrgimea benzii de frecven{e a circuitului B:

- fo
R
Q
B " -
= 2n f^RC: onCR
oJoZ
(10.143)

302
 I t,l
1..

0.707 Ayn
^*

Figura 10.32. Caracteristica de frecventd a circuitului

Deoarece, de reguld, raportul .f,lf.i=$o+nlll(,fo-Bl2)=t+Blt-fo-Bl2) este mai

mic decAt 1.5, amplificatorul este de bandd ingustd (selectiv).

r Dacd pulsaJia de rezonan{d ore este la frecvenfe mai inalte, capacitdiile interne ale
tranzistorului nu mai pot fi neglijate. Practic, frecven{a de rezonani5 a circuitului este afectatd
gi in plus efectul reacliei interne Zy, ce nu mai poate fi neglijat, poate conduce la instabilitate.
Aceste probleme sunt cunoscute sub denumirea de:
- aliniere - acordul pe aceeagi frecven{d a mai multor circuite rezonante in cadrul
aceluiagi amplifi cator;
- instabilitate - apari\ia oscilaliilor in amplificator.

Alinierea Si instabilitateo
intr-un amplificator de RF existd mai rnulte etaje cu circuite rezonante. Pentru a avea o
buna selectivitate (proprietatea de a arrplifica semnale sinusoidale ce au o frecvenld cuprinsd
numai intr-o banda ingusta) a amplificatorului de RF, trebuie ca toate aceste circuite sa fie
aliniate, adica sa fie acordate pe aceeagi frecvenla. Dacd circuitele rezonante nu vor fi
acordate, amplificarea pe frecven{a doritd va fi mai mic6, iar caracteristica modul frecven{[ nu
va rnai fi
simetrica, fapt ce va determina distorsionarea sernnalelor modulate ce trec prin
amplificator.
Pentru a analiza modul in care poate fi realizatd alinierea in cadrul unui amplificator
RF. sa considerdm doua etaje selective conectate in cascadS. Schema echivalentl de semnal
rnic a acestei cascade este prezentati in figura 10.33.
Primul etaj a fost reprezentat sub forma unui circuit rezonant RLC atacat de un
generator de curent !,t !
s. Elernentele circuitului rezonant incorporeazd admitan{a de
= 1^V
i.$ir. yo"' a tranzistorului prirnului etaj. Tranzistorul celui de-al doilea etaj a fost reprezentat
printr-un circuit ecl-rivalent cu parametri adrnitant6.
Adrnitanla de intrare in cel de-al doilea tranzistor este:
L V V,-v -V. v- Y .Y.^
)',- = *='#=)' (10.144)
-t't: Vl Vr .+-v.
-te2 "2=l'-tez"-#L,
'-"tLt
f.z+lrrz
in care raportul VrlV, a fost dedus din ecua{ia obtrinutA prin aplicarea teoremei lui Kirchhoff
nodului de iepire:

303
 I.t v V,

\-Y-.=i
Etaj I
Figura 10.33. Schema echivalentd de semnal mic a unui amplificator format din doui
etaie selective cascadate

(10.145)

Relalia (10.145) relevd faptul ca dacd nu se poate neglija reac{ia internd in tranzistor,
adicd y,,,+0, atunci admitanSa de intrare in cel de-al doilea tranzistor y.r. depinde de

admitanla circuitului rezonant de ieSire. Practic, acordul circuitului din colector modifica
acordul circuitului din baz\,, deoarece admitan{a circuitului rezonant de iegire Y", variazd
puternic ?n jurul frecvenlei de rezonan{d.
Admitanfa de la ieqirea prirnului etaj este:

I-,=f,+r'' r.l': =Y,+l'

'-rt) -v
v ltY"+v
'-r(:'- /c: I -- '-tt)'
) ( I 0.1 46)

Efectul adrnitanfei l', asupra acordului circuitului rezonant al primului etaj poate fi
redus. chiar neglijat. daca:
vv
! ,.,1' /,1
<<1,+}'l--tt? (1 0.117)
Y t ,'
J
''',1

in continuare, se analizeazd. influen{a acordului circuitului rezonant al primului etaj

asupra acordului circuitului rezonant al celui de al doilea etaj. Pentru aceasta se determind
admitanta de iesire a celui de al doilea tranzistor:
v r/
-, v,T -,
v r/
v- lrrzlfrz.
v
J
-J.-
t;)
-t
r .,.r)
-, ._ I
,, tr,
/ tif (1 0.1 48)
f(:-t t -- | t
'-oe2 '-tt2
v. "- -- -
yt + ! ,..

in care raportul VrlV, a fost dedus din ecua{ia ob{inutd prin aplicarea teoremei lui Kirclihoff
nodului de intrare, in condi{iile pasivizdrii sursei de semnal:
(Yt+)'.")V,+y ,V.=0 (l0.l4q)

Se observd c6, qi in acest caz, dacd nu se poate neglija reac{ia internd in tranzistor, adicd
! # 0, atunci adntitanla de ieSire din cel de-al doilea tranzistor lo'i drpind, de admitanla
,,2
circuitului rezonant al primului etaj qi, practic acordul circuitului primului etaj modificd
acordul circuitului celui de-al doilea etai:

304
 v-v
l_t - rl (10.1s0)

Efectuf adrnitanlei )', asupra acordului circuitului rezonant al celui de-al doilea etaj
poate fi redus, chiar neglijat, daca:
v
-rr--lc:
\'-
\\ r a - l
l
(10.i51)
V
lrTl
:-,,(
' ,.1

Relaliile (10.147) qi (10.151) relevd conditria de reducere a interacliunii i.ntre cele doud
eral e

v v <<(Y"+v
--rt)'- /i'2 )(1,+v
:-u. 2 '-' -re2
). (1 0.1 s2)

care, pentru a putea fi utilizatl mai ugor in practicd ca o condifie de proiectare, poate fi adusa
sub fonna:

Y . ,) ,' << ( RrR,l-r : GrGr' (1 0.1 s3)

Pentru a explica modul in care instabilitatea poate sd apard intr-un amplificator de RF,
considerdm de asemenea cascada formatd din doud etaje selective cu TB in conexiune EC,
concentrAndu-ne asupra parlii reale a admitan{ei v6"zute ln colectorul primului tranzistor, G, .

Dacd notdrn cu G.r: partea reald a admitanlei de intrare in cel de-al doilea tranzistor.

conductanfa G, se poate exprima ca:

Gr:Gr+G,.r., (10.154)

Datorita faptului ca G,.r. nu este o conductan{d propriu zisd ci un efect electronic pot sd

apara urmatoarele situalii:

- Gi >0.cazincarecircuitul estestabil dacdconductanladeintrareinprirnul etajeste
de asemenea pozitivd;
- G1 :0,caz in care pierderile corespunzdtoare circuitului atacat de 1., sunt nule, deci
pot persista in amplificator oscila{ii neamortizate in absenta generatorului de semnal,
- Gi < 0. caz in care se genereaza putere de semnal la intrarea celui de-al doilea etaj,
adica etaj ul autoosc i leazd determ inAnd instabil itatea arnpl ifi catorului.

305
11
REACTIA IN AMPLIFICATOARE

11.1. Propriet[{i generale ale reac{iei negative

11.1.1. Amplificatoare cu reacfie

Reacf iaconstituie un procedeu prin interniediul cdruia sunt influenlate diversele

performanle ale unui circuit electronic. Cele mai cunoscute aplicalii sunt cele din cadrul
amplificatoarelor gi al generatoarelor de semnal. in cazul amplificatoarelor, prin reaclie se inlelege
transferul unei pdrli a senmalului de ieSire inapoi la intrarea amplificatorului. Transmisia de
semnal nedorita de la iegirea amplificatorului la intrarea acestuia poartd numele de reaclie
parazitd. Dupa modulin care se combind la intrarea amplificatorului semnalul de reac{ie cu cel dat
de generator, se poate vorbi de reaclie negalivd sau de reaclie pozitit,d. Aplicarea unei reac{ii
pozitive ntdreSle ntodulul untplificdrii, iar aplicarea unei reaclii negative nticSoreazd modulul
ampliJicdrii. De reguld, in antplificatoare se folose;te reaclia negativd.
Prin folosirea reacliei negative scade modulul amplificdrii dar se oblin o serie de avantaje
importante cum ar fi:
- cre$te banda de frecven{e a amplificatorului;
- impedan{ele de intrare qi de ieqire ale amplificatorului se n-rodificd in sens convenabil,
amplificatorul tinzAnd sd se transforme intr-unul ideal cu amplificarea aproximativ independentd
de proprietdlile sursei de sernnal qi de cele ale sarcinii;
- imbunatalegte stabilitatea funclionirii prin reducerea efectului destabilizant al unor reaclii
parazite care apar in arnplificator la anumite frecvenle;
- reduce dependenla arnplificarii de rnodificarea parametrilor dispozitivelor active gi a
condiliilor de mediu;
- reduce nivelul de zgomot la iegire gi al distorsiunilor neliniare determinate de etajele
ampl ifi catorului. exceptdnd primul etaj.
in figura 1l.l este prezentatd schema de principiu a unui amplificator cu reacfie, in care
elementele componente sunt considerate ideale. Amplificatorul de bazi oferd amplificarea a:

4=XzlXr (1r.1)
 Comparator

Amplificator de
bazFt

Figura I 1 .1 . Schema de principiu a unui amplificator cu reac{ie

in relalia ( I I . I ) semnalele Xt b
pot fi, fiecare in parte, curen{i sau tensiuni. Re{eaua de
Si
reac{ie preleveazd un eqantiou al semnalului de iegire pe care il transformd gi il prelucreazd pentru
a fi compatibil cu cel de la intrare qi pentru aavea nivelul dorit. Comparatorul, care de regula nu
se poate identifica in schemele reale ca un circuit distinct, opereazd, scdderea semnalului de iegire
al refelei de reac{ie {1din semnalul furnizat de generatorul de semnal, Xo.
Amplificarea totalS a amplificatorului cu reac{ie este:

| aX, a(X--X,)
X. --t -___E _l
a(X--fX.) / 0 ,rr a.
- /1=- \ll./.)
I-YYY 1+ q..f
-a
Aga cum am precizat anterior se defineqte
. reuclia pozitivd pentru

A>a. lt+afl<t t-"1 (11.3)

. reaclia negativd pentru

A<a, h+ofl>t (1 1.1)

Se defineqte transmisia pe bucld ca raportuldintre semnalulde ieqire al relelei de reaclie{r

gi semnalul aplicat la intrarea in amplificatorul de bazd f,t,
'r _-l
1' (r l.s)

Se definegte factorul de reaclie ca raportul dintre amplificarea amplificatorului de bazit a Si

amplificarea totald a amplificatorului cu reac{ie:

F =9=l+T=l+af
/--:
11
(r 1.6)

307
 ll.l.2. Efectul reacfiei negative asupra performanfelor unui amplificator

Aga cum am precizat in subcapitolul precedent reaclia negativd are o serie de efecte
benefice asupra perfonnanlelor unui amplificator. in continuare se vor analiza cele mai importante
dintre acestea.
o Desensibilizarea amplificatorului
Amplificarea amplificatorului de bazd este sensibil5 la condiliile de functionare, adicd la
varialia tensiunilor de alimentare gi a temperaturii, precum gi la dispersia parametrilor
dispozitivelor electronice conlponer,te. Considerdnd o func{ionare a amplificatorului cu reac{ie in
bandi, varialiile arnplificlrii totale Ao in raport cu cele ale amplificirii amplificatorului debazdas
se pot exprima ca:
N4r_04,= I _
A^
(1 1.7)
Lao Ooo (l+aof)2 ao l+aofo'
aolca
M_ I .Loo- 7.Lao
-4, 1+ aoJo as Fo as '1.8)
Rela{ia (l 1.8) araI"d, cd, prin aplicarea reacliei negative, varialia relativd a amplificdrii totale
scade fald de cea a arnplificatorului de bazd exactin raportul in care scade amplificarea. De aceea,
factorul de reaclie se mai numeqte Si factor de desensibilizare. Aceasti desensibilizare a
amplificarii este un cAgtig calitativ irnportant. Creqterea amplificarii la valoarea dorita poate fi
realizatd, prin introducerea mai multor etaje de amplificare.
o Cre$terea liniaritdlii caracteristicii de transfer a amplificatorului
De regu16. arnplificatorul de baza incorporeaza dispozitive active ce au toate caracteristici
de transfer neliniare. De aceea, caracteristica de transfer a amplificatorului de bazd este gi ea
neliniara. Aceastd caracteristica poate fi insd liniarizatl, pe po(iuni. Pantele segmentelor de
dreaptd ce o aproximeazd au, de reguld, valori destul de diferite (vezi figura 11.2,a). Acest lucru
conduce la distorsionarea semnalului aplicat, dacd amplitudinea acestuia este suficient de ridicatd
astfel incdt si acopere abscisele a cel putin doud segmente ale caracteristicii.
Rela{ia (11.8) ne aratd cf, reaclia negativi reduce modificirile care survin in amplificarea
amplificatorului de bazd. Ca alare, segmentele ce alcituiesc caracteristica de transfer a
amplificatorului cu reactie vor avea pante ce vor diferi mult mai pulin (vezi figura I 1.2.b),
exceptAnd zona de saturalie a caracteristicii in care reac{ia negativd nu mai are efect. Ca atare,
caracteristica de transfer a amplificatorului cu reacJie negativi va fi mult mai Iiniard.
o Reducerea niyelului de zgontot la ieSit'e
Reactia nesativd imbunatdleqte substan{ial raportul semnal-zgomot daci acesta apare in
interiorul amplificatorului (vezi figura 11.3.b). in schimb, daci semnalul parazit este introdus in
acelaqi punct cu semnalul util, reaclia negativd nu are nici un efect asupra mdrimii semnalului
parazit de la iegire.

308
 &tvl regiunea de satura{ie
/ Xrlvl regiunea de saturalie
/
o 6

4 A

2 2

-l"^ ln )n in {r[mv] -0,3 -0.2 -0

-z^ 0.
r 0.2 0.3 {' tvl
A A

-6 -6

(a) (b)
Figura 1 1.2. Exemplu de caracteristica de transfer: (a) amplificator de baza;
(b) amplificator cu reacJie

Pentru a exemplifica modul in care reacfia negativa influenleazd nivelul zgomotului [a

iegire, se considerd amplificatorul zgomotos prezentat in figura 11.3.a. Acest amplificator este
utilizat ca bloc amplificator in cadrul amplificatorului de bazd al unui amplificator cu reac{ie
negativi (vezi figura I L3.b). Arnplificatorul nezgomotos a1 a fost addugat pentru ca
amplificatorul cu reaclie sd aibd aceeagi amplificare ca gi amplificatorul fbrd reac{ie din figura
I L3.a. La iegire amplificatorul cu reac{ie oferi:

.Y: = a.(gtX t + X -\ - aat.tXs - X ,)+ aL= = earX c-eer.f X t+ aL=

ll
.Y. ,
--'
AA,
- |t+aatJ r
..Y^ + = .Y- -.Y- +-Y - (11.e)
t+aatJ
-ts
t

semnal util semnal parazit

Raportul semnal/zgornot la ieqire este:

(S/,V)
\ , 'oul -X^
lX^^=a,X -lX- (r i.r0)
Relatiile precedente indici faptul cd efectul semnalelor parazite introduse de etajele
amplificatorului de bazd, altele decAt cel de intrare, se reduce la iegire. Mai mult, distorsiunile
neliniare introduse de un etaj pot fi caracterizate cu un generator echivalent la intrarea acestuia qi
deci rela{iile(11.9)gi (11.10)rdmAnvalabile.Deci, distorsiunileneliniareintrodusedereguldde
etajul final, unde nivelul semnalului este mai mare, se reduc la iegire in prezen{a reac{iei negative.

ZJ Ao

(a) (b)
Figura I I .3. a) Bloc de amplificare cu zgomot; b) Arnplificator cu reac{ie cu zgomot

309
 Amplificarezl d1 Se deduce din condilia:
.
l_
aa,
4 ul (11.11)
-';-g
^-. I L nn t t- q"f
o Cre$terea benzii
frecven\itde

SE presupunem cd amplificatorul cu reaclie din figura 11.1 este atacat cu un semnal

sinusoidal, cd semnalele rdspuns Xr, X,, {sunt la rAndul lor sinusoidale gi cd amplificatorul de
bazdare o funclie de transfer cu un singur pol:

o= oo (ll.l2)
1 + j o/co"

in care a0 este amplificarea in bandd gi crl" este frecven{a limit6 superioard, la care amplificarea
scade cu 3dB. Caracteristica modul-frecven{d a acestuia este prezentatd in figura I 1.4.
Sd presupunem, de aselrenea, cd reacfia este pur rezistivd, oferind deci un factor de
transfer/ constant. Ca atare, amplificarea in bucl6 inchisa devine:

A=Q:oo1-h (11.13)
1+ q.f 1+ aof 1+jo/lor, (1+aof')l 1+jo:/cr:",
A,

Se constatd c5 banda amplificatorului cu reac{ie ,8, a crescut exact in raportul in care a

scdzut amplificarea. adica B, =.f,(l+ao.f). Datoritd acestei propriet6{i, reaclia negativa este

folosita in realizarea arnplificatoarelor de bandd larg5, deoarece prin utilizarea ei proiectantul poate
r ealiza com prom i sul nece sar amp I i fi care-b and d.
o Modificarea in sens convenabil a intpedanlelor de intrare Si de ieSire
lmpedan{ele de intrare gi respectiv de ieqire ale aniplificatorului cu reacfie diferd de cele ale
amplificatorului de bazd. Reaclia negativd are gi in acest caz efecte favorabile, deoarece produce
modificari intr-un asemenea sens incAt amplificatorul tinde sd se transforme intr-un amplificator
ideal. Examinarea acestui aspect este insd imposibili dacd nu se concretizeazd nalura semnalelor
aplicate, respectiv culese, la intrarea, respectiv iegirea, amplificatorului. De aeeea, aceasta va fl
fEcutd in subcapitolele urrndtoare pentru fiecare tip de reaclie negativd in parte. Totugi, acum se
vor sublinia cdteva aspecte calitative legate de acest subiect.

lal,^
t-lou
ltula

log or

Figura 1 1.4. Caracteristicile modul-frecvenjd ale amplificatorului de baza gi

arnplifi catorului cu reacJie

310
 Atunci cAnd avem
- semnal de lensrune
- la intrare impedanla de intrare a amplificatorului cu reac{ie se modifica in sens
crescdtor fa{a de cea a arnplificatorului fdrd reactie;
- la iesire impedan{a de ieqire a amplificatorului cu reac{ie se modifica in sens
scdzdtor fap de cea a amplificatorului ldrd reac{ie;
- semnal de curent
- la intrare impedanla de intrare a amplificatorului cu reaclie se modifica in sens
sc[zdtor fap de cea a amplificatorului fdr6 reac{ie;
- la ieSire impedanla de ieqire a amplificatorului cu reaclie se modificd in sens
crescdtor fa{6 de cea a amplificatorului frrd reac{ie;

11.2. Topologia circuitelor cu reacfie

in schema de principiu din figura I 1.1 semnalele frqi ! pot fi, fiecare in parte, curenfi sau
tensiuni. in consecinld. existd patru tipuri topologice de amplificatoare cu reaclie, corespunzdtoare
celor patru tipuri de amplificatoare de baz6: de tensiune, de curent, transimpedanfd qi
transadmitanld. Diferen{ele intre aceste topologii provin din modurile diferite in care se citesc,
respectiv se compard. semnalele de tensiune fald de cele de curent.
o in figura 11.5.a este prezentatd topologia unui amplificator de tensiune cu reaclie
negativd. Semnalul de ieqire fiind de tensiune, citirea acestuia se realizeazd prin legarea in paralel
a relelei de reac{ie. Aqa cum a fost precizat in schema de principiu din figura 11.1, comparatorul
are rolul de a scldea din semnalul furnizat de generator semnalul fwnizat de re{eaua de reac{ie.
Scdderea a doul semnale de tensiune se poate realiza numai prin conectarea in serie a elementelor
ce furnizeazd aceste semnale. De aceea, aceastd topologie este caracterizatd de o reaclie cu
eSantionare in nod Si comparare pe bucld. Pentru acest tip de reac{ie mai sunt folosite gi
urmdtoarele denumiri: reaclie serie-paralel qi reaclie serie de tensiune.
o in figura I1.5.b este prezentati topologia unui amplificator de curent cu reac{ie negativi.
Semnalul de ieqire fiind de curent, citirea acestuia se realizeazl prin legarea in serie a re{elei de
reac{ie. Scdderea a doud semnale de curent se poate realiza numai prin conectarea in paralel a
elementelor ce fumizeazd aceste semnale. De aceea, aceastd topologie este caracterizatd de o
reaclie cu eSantionare pe bucld Si cotnparare tnnod. Pentru acesttip de reac{ie mai sunt folosite gi
urmdtoarele denumiri: reaclie paralel-serie Si reaclie paralel de curent.
o in figura 11.5.c este prezentatd topologia unui aniplificator transimpedanfa cu reaclie
negativd. Sernnalul de ieqire fiind de tensiune, citirea acestuia se realizeazd prin legarea in paralel
a relelei de reac{ie. Scdderea a doud semnale de curent se poate reahza numai prin conectarea in
paralel a elementelor ce furnizeaz\, aceste semnale. De aceea, aceastd topologie este caracterizati
de o reaclie cu eSantionare tn nod Si comparare in nod. Pentru acest tip de reaclie mai sunt
folosite gi urmdtoarele denumiri'. reaclie paralel-paralel qi reaclie paralel de tensiune.

al l
JII
 Comparare Eqantionare

1 (a)

V,.

zr (b)

Amplificator de
bazEt

a-
tc.)

zt, (d)

Figura 1 1.5. Topologia amplificatoarelor cu reactie negativtr: (a) reacJie serie de tensiune;
(b) reaclie paralel de curent; (c) reaclie paralel de tensiune; (d) reaclie serie de curent

)a1a
tz
 o In figura 11.5.d este prezentata topologia unui amplificator transadmitan{6 cu reac{ie
negativd. Semnalul de iegire fiind de curent, citirea acestuia se realizeazd prin legarea in serie a
relelei de reaclie. Sciderea a doud semnale de tensiune se poate realiza numai prin conectarea in
serie a elementelor cefurnizeazd aceste semnale. De aceea, aceastdtopologie este caracterizatdde
o reaclie cu eSantionare pe bucld Si comparare pe bucld. Pentru acest tip de reac{ie mai sunt
folosite gi urmdtoarele denumiri'. reac{ie serie-serie qi reac{ie serie de curent.

11.3. Reac{ia cu e$antionare in nod gi comparare pe bucll

in amplificatoarele reale expresiile factorilor de transfer direct a1u, respectiv inversfi sunt
greu de detenninat, deoarece in ambele blocuri componente ale circuitului sunt reac{ii nedorite.
Amplificatorul de bazd nu este unilateral, deci reacfia sa inversd internd influen{eazi comportarea
arnplificatorului (rnodificlndfy). Nici refeaua de reac{ie nu este in unele cazuri unilaterald, fapt ce
conduce la modificared ay. De aceea, s-au elaborat abordiri aproximative care in anumite conditii
sa furnizeze expresiile ar $ifv.
Cea mai utilizatd abordare aproximativd este prezentatd in continuare.
(l) Maiirrtdi determindperformanlele reSelei de reac[ie tn condisii de idealitate.
se
- Factorul de transfer
Amplificatorul fiind atacat cu un generator de tensiune. condiliile de idealitate impun
un curent de intrare in amplifivatorul de bazd nul l, = 0 (impedanla de intrare a
amplificatorului de bazd se consideri infinitd). in consecinld:
f -v-ll-rl!,=o
'LI'd "lv l
(r i. r4)

- Irnpedanla de intrare
t'l
ii.f,d=YofL:11,
'1t- ,
'
(11.15)

in care I_2,1 reprezin{d curentulde intrare in re{eaua de reac{ie.

- Inrpedanla de ieSire
- _ r.. trl
'o.1td -' ,[ lttl,, '!il
_n
-v
(11.16)

(2) Se construiegte un amplificator ,,modificat", cunoscut sub denumirea de antplifcator

sau cottfiguralie in bucld deschisd, prin incircarea amplificatorului de bazd cu
impedanlele de intrare, respectiv iegire, ale relelei de reaclie (vezi figura I 1.6).
Performan{ele acestei configuralii sunt:
- anrplificarea tn bucld deschisd

a,-= l/
^
lV
- (r 1.17)
-v/ -5
- intpedanla de inlrare
z-, =vt-
-X
I
ll,l
-tl rfi/'
^ J@
(il.1 8)

a1t
JIJ
 T
r0
Amplificator de
bazlt Z,IVO
z- Qv
-+
T/'

\ _,1
h f)
a
?ol ia
Relea de reactie

f, tl
Relea de reaclie
_l
f, I z
Figura 1 i.6. Amplificator de tensiune in bucla deschisd

- impedanla de ieSire
7* -r/ lr
L0-, I
(r 1.re)
Ol!0 lr-_n

(3) Daca se indeplinesc urmdtoarele condilii:

- amplificatorul de bazd este suficient de unilateral,
- reac{ia pe calea de semnal intrare - iegire (calea direct6) a amplificatorului de bazit
este mult mai mare decdt reaclia pe calea de semnal intrare - ieqire a re{elei de reaclie gi
- reaclia pe calea de semnal iegire - intrare (calea inversd) a amplificatorului de bazd
este mult mai mica decdt reaclia pe calea de semnal iegire - intrare a re{elei de reac{ie.
atunci 4, =
q_'t . f , = .f ,.,0 $i performan{ele amplificatorului in bucld inchisd se pot

evalua cu rela(iile:

4,. =----9-- Z, .fu,) -o -

-' 17''6 '-l 1'1 7^=---A-
=z-,(t+q;l- (11.20)
l+ at' "-l
I ..tJ l*o)l 'f
-' -' l7,.aq "-l-tu

In consecin{l, amplificarea totald a amplificatorului cu reac{ie (configuraliei in bucla

inchisa) se determind prin parcurgerea urmitoarelor etape:
- se identifica amplificatorul de baz6, releaua de reaclie gi se stabileqte tipul reacliei;
- se analizeazd unilateralitatea amplificatorului de bazd gi indeplinirea condiliilor de la
punctul (3);
- se analizeazd releaua de reac{ie in condilii de idealitate determinAndu-se: factorul de
transfer, impedanla de intrare gi impedan{a de ieqire;
- se determind configuraJia in bucli deschisi prin ata$area la amplificatorul de bazd a
impedan{elor de intrare, respectiv iegire, ale refelei de reaclie;

3r4
 - se determind performanlele a.1,,2.,, Z; oferite de configura{ia ?n bucld deschisa:
- in final, folosind datele acumulate, se determind

, _ q.;,
.)
|*er..l t,,t
gi impedanlele I Si Zj, care pentru acest tip de reac{ie sunt

Z,=Zr,rl*a'l_ ,\.
lz.-q'-tf , td zr=zil(t*qil
-Y \ -'lZ,-*' /,. )) Vid

Exemplu de aplicare a teoriei

Pentru a exemplifica modul in care se aplici teoria reacliei negative serie-paralel se
considerd amplificatorul de tensiune, format din doud etaje de amplificare cu TB, prezentat in
figura 1 1.7. Se considerd cd toate condesatoarele schemei sunt scurtcircuite la frecven{ele de lucru.
Etapele ce trebuie parcurse in analiza acestei scheme sunt prezentate in continuare.
(l) Analiza in curenl continuu are ca rezultat determinarea punctelor statice de func{ionare
ale dispozitivelor electronice qi deci a regimului in care acestea func{ioneazd.
(2) Determinarea parametrilor dinamici ai tranzistoarelor schemei. Aceastd etapd
fvrnizeazd, elementele necesare atAt verificdrii condiliei de unilateralitate
lh,"t ""lrrllloh*l a
tranzistoarelor. fapt ce conduce la asigurarea indeplinirii condiliei de unilateralitate pentru intregul
arnplificator, cAt gi determindrii valorilor performan{elor amplificatorului. in band6, conditia de
unilateralitate pentru tranzistoare poate fi exprimatd astfel:

1,,, *' ,(t.P.r_Lll,,lpn

ttn r\+rn)l
'^
r;+/; rv+rnl
\ (1r.21)
I
|

I
-t l/ cc

Rcr
L6
II
-1r
l1

-lF
R1
D

Rel

Figura I 1.7. Amplificator de tensiune cu reactie negativd

315
 (a)

t.
nplificator de baza
Arnolrticator

-_ra )r,
'(
\q ),, V
!o

J
p

fr V ''r Rcr Rc p,
V.,
0r L-
I (b)

p^

o+r,

Figura I 1.8 Amplificator de tensiune cu reacfie negativd: (a) schema echivalentd de

semnal mic; (b) identificarea amplificatorului de bazd gi a relelei de reaclie

(3) Deterntinarea schemei echivalente de semnal mic a antplificatorului cu reaclie

negatit,d permite identificarea amplificatorului de bazd, a relelei de reac{ie qi a tipului reac{iei
negative. Schema echivalenta de semnal mic a amplificatorului din figura I 1.7 este prezentata in
figura I 1.8.
Se observa cd arnplificatorul de bazd este format din doud etaje cu TB in conexiune EC.
Releaua de reac{ie este formatd din rezisten{ele R1 gi R2. Reteaua de reacfie rezistivi este conectatd
in paralel cu iegirea amplificatorului, deci egantionul prelevat este de tensiune. La intrarea
amplificatorului observim cd singurul legat in paralel este divizorul de polarizare Rs1. Tensiunea
de reaclie (cdderea de tensiune pe rezisten{a R1) este adusd in emitorul tranzistorului 7r.
Practic, tensiunea pe intrarea amplificatorului de bazd (tensiunea bazd-etnitor a primului
tranzistor) este diferenla intre tensiunea de intrare in amplificatorul cu reac{ie ( (, ) li tensiunea de

reaclie. Deci tipul reac{iei este cu eSantionare in nod Si comparare pe bucld. Totugi, trebuie
observat faptul cd releaua de reaclie nu este parcursi de acelaqi curent ca intrarea amplificatorului,

316
ca in teorie. Curentul de intrare in amplificator este curentul de bazd, iar curentul ce intra in
re{eaua de reac{ie este cel de emitor.
(4) Anatiza relelei de reac1ie in condisii de idealitate. in detemrinarea performan{elor
re{elei se utilizeazd schema prezentatd in figura I 1.9.

- Factorul de n'ansfer .f ,,,,:(V rrlV)|,,

t -"' ll,,_0^:R,l(Rr
+Rz) QL22)

- Impedanya de intrare z t,/,ct = (V o I lr )1,1=o = R, + R, (1 1.23)

- Impedan(a de ieSire Zo {rr = tL-, /I ll I = R1 ll R, (rr.24)

-u.Jtu -t't,, -| '1lr' =u

(5) Deterntinarea configurctliei in bucld deschisd. Amplificatorul in buclS deschisd este

prezentat in figura 1 I .10.a. Aplicdnd teorema lui Thdvenin se poate incorpora rezisten{a
echivalentl R4 in rezistenla generatorului. Se obline in acest fel schema echivalentd din figura
1 1.10.b in care L', =Lr. Rul Gr+Ra).
(6) Analiza configuraliei in bucla deschisd are drept rezultal determinarea performanlelor
ol,, Z*,, Zi . Sctrema echivalentd de semnal mic utilizatd pentru determinarea acestor performan{e
este prezentatd in figura I 1.1 1.
Amplificarea in buclS deschisd este:

^, _Vo _ -g,zVt,zfro-ll &r.ll(Rr+R2)ll Rt,l

(1 1.25)
v,
fl -
(R*+rn,,.!-'r'r +(Rtll nrl.lLtt-=
,ry

rnr - ( R,-t ll
i''t,, I
't, Rtr" ll rnz )
"n'
Expresia tensiunii Lb"z se determind aplicAnd teorema lui Kirchhoff ochiului de iepire al
primului etaj de amplificare:
(l--------v," ) (v,. v,^ \
V^..=ri,," ' -'''
-P^,1'',l+(Rr!l R")l
\ Rr'1ll R1," llr^, ""'- " )
- -btz
\ rn, & tll Rrr" llr,2 )
I

..(,,lT rot+Rtll R. ) (l r.26)

f-tl
' \ &'t ll RB" ll rn2 ) |

I/
/ hel -- 'V u",
Wtro - RJI h
inlocuind relalia (11.26) in (1 1.25) oblinem:
-

WI
-+ u
i
Figura I 1.9. Re{eaua de reaclie

all
Jt /
 R"llRn,

Fior
' 'b*'-
rre I 1 .10. Schema echivalentd de semnal mic a amplificatorului in bucl6 deschisd
T,

R'
,^f*, I
"g | --
r.,:l L n,

VI &ilRz I

z-l
Figu I 1 .1 1. Schema echivalenta in de semnal mic a amplificatorului in bucla deschisd

E,,zlraz ll R(.2ll(& + R) ll RLI

(rr.21)
-
I'. - ru+R\ll R2
r,
lf--

+R,ttn) &il R2
(R. +4, -JI/P!F*
prrhr - ll Rt R2 R.t ll Rut ll rn.,

Impedanla de intrare in bucl6 deschisd este

' , -t- (R' l!R")'llt/' b''r - v

-'"t ,
\
, I'
f
-rcr - \ ,;' &\ ll RB2llrn1 ) I

7 --t - (11.28)
l_t lta|fnt )

kt II
lnz +z + ror( +9r)
-- t'tr * (RI I I R)'
"
!,!
&,, ll RB. ll rn2 * r(r + & ll Rz
iar impedanla de iegire in bucl6 deschisi este

318
 rr I

Za=ill
II =tb:-tl \:l/(R' + R. ). (11.2e)
10 lr'' -n

(6) Determinarect performanlelor configura{iei in bucld inchisd, AplicAnd relaliile (l 1.20)

se determind cu ugurinla performanlele configura{iei in bucld inchisd. Ob{inem astfel

I * *l
Z =Z't\+a',,1
_' t_ f
t/,+6- "_l-tJ
r Z =R,, llZ (1 1.30)

zo Z;
*l
l+a,,|
-'
f
17,
-- "-I't.1

11.4. Reac{ia cu e$antionare pe bucll qi comparare in nod

in amplificatoarele reale expresiile factorilor de transfer direct 4,r, respectiv invers j, sunt
greu de determinat, deoarece in ambele blocuri componente ale circuitului sunt reactii nedorite.
Amplificatorul de bazd nu este unilateral, deci reac{ia sa inversd interni influenleazd comportarea
amplificatorului (modificdnd.f). Nici re{eaua de reactie nu este in unele cazuri unilateralS, fapt ce
conduce la modificarea gJ. De aceea, s-au elaborat abordlri aproximative care in anumite condilii
sa furnizeze expresiile q $irt.
Abordarea aproximativa utilizata in acest caz este prezentata in continuare.
(1) Mai ?ntAi se determindperformanlele replei de reaclie in condiyii de idealitate.
- Faclorul de trattsfer
Anrplificatorul fiind atacat cu un generator de curent, condiliile de idealitate impun
V r = 0 (impedanfa de intrare a amplificatorului de bazd se considera nula). in

consecin{6:
{ lr
"-lrd -f
| I i I I
- -J l-'ll_,=0
^l
I
(1 1.31)

- Impedanla de intrare

. id -v
!t.f lr _^
- ' :,f .I L:lv
I
(11.32)
,L! _u

unde l/ reprezintd tensiunea la intrarea re{elei de reac{ie.

".,
- Intpedanla de ieSire

tt lr
"o.fd - l_tl t Jl,.:2 _" (1 1.33)
I

-"

(2) Se construiegte un amplificator ,,modificat", cunoscut sub denumirea de amplifcator

sau configuralie in bucld deschisd, prin incdrcarea amplificatorului de bazd, cu

319
 impedanlele de intrare, respectiv iegire, ale relelei de reaclie. Schema acestui circuit
este prezentatd in figura 11.12.
Perfomran{ele acestei configuralii sunt:
- amplificat'ea in bucld deschisd
*
, tr
4t=!oll_n (11.34)

- impe dantl a"de intrare

z.,=v,lLl
_, / _6
lR, =0
(11.35)

- intpedanla de ie.Sire
Zi,=v,,/!nl,
-ul1 -0"
(11.36)
-rl

(3) Dacd sunt indeplinite urmdtoarele condilii:

- arnplificatorul de bazd este suficient de unilateral,
- reaclia pe calea de sernnal intrare - iegire (calea directd) a amplificatorului de bazit
este mult mai mare decdt reaclia pe calea de semnal intrare - ieqire a relelei de reaclie gi
- reac{ia pe calea de semnal iegire - intrare (calea inversd) a amplificatorului de bazit
este rnult mai micd decAt reaclia pe calea de semnal iegire - intrare a relelei de reaclie,

atunci et = er , f , = f ,,0 $i performan{ele amplificatorului in bucl6 inchisd se pot

evalua cu relatiile:

(1 1.37)

la\
g

Amplificator de
f
)a f./
|-1 bazd
q-l

Relea de reaclie
*I
,,lO'
- rt
Znr

Relea de reaclie

rt
7: /:)

Figura I 1.12. Amplificator de curent in bucla deschisa

320
 in consecinld. amplificarea totalS a amplificatorului cu reac{ie (configura{iei in bucla
inchisd) se determina prin parcurgerea urmitoarelor etape:
- se identifici amplificatorul de bazd,, re\eaua de reaclie gi se stabilegte tipul reac{iei:
- se analizeazd unilateralitatea amplificatorului de bazdqi indeplinirea relaliilor (3);
- se analizeazd re\eaua de reaclie in condilii de idealitate determinAndu-se: factorul de
transfer, irnpedan{a de intrare gi impedanla de iegire;
- se determind configuralia in bucld deschisd prin ata$area la amplificatorul de bazb, a
impedanlelor de intrare, respectiv ieqire. ale relelei de reactie;
- se determind performan\ele q", , 2., , Z o oferite de configura{ia in bucld deschisd;
- in final, folosind datele acumulate, se determind

o.,
A-
'-^, = ---------i- '
t+a, t J t,,J
-l

qi irnp.Oun1-.t" , , r, pentru acest tip de reac{ie sunt

-l( *r ^care \ .( ,r \
Z.=Z lll+a,l f
-'lz,-0..2"-..L1'rd
l. Z^=Z^ll+a,l f
-'lZtn1" vd )
l.
-t -' /\/
I \
Exemplu de aplicare a teoriei
Pentru a exemplifica rnodul in care se aplicd teoria reacliei negative paralel-serie se
considerd arnplificatorul de curent. format din doua etaje de amplificare cu TB cuplate direct.
prezentat in figura 11.13. Se considera ci toate condesatoarele schemei sunt scurtcircuite la
frecvenlele de lucru.
Etapele ce trebuie parcurse in analiza acestei scheme sunt prezentate in continuare.
(l) Analiza in curenl conlinuu are ca rezuhat determinarea punctelor statice de func{ionare
ale dispozitivelor electronice gi deci a regimului in care acestea func{ioneaza.
+Vcc

Figura 11.13. Amolificator de curent cu reactie nesativS

321
 (2) Deterninar"ea parametrilor dinamici ai tranzistoarelor schemei. Aceastd etapa

furnizeazd elementele necesare atdt verificdrii condiliei de unilateralitate lg,"g,"lrrlgr"g,"l u

tranzistoarelor, fapt ce conduce la asigurarea indeplinirii condi{iei de unilateralitate pentru intregul

amplificator, cAt gi determinirii valorilor performanlelor amplificatorului.
(3\ Deterntinarea schemei echit,alente de semnal mic a antplificatorului cu reac(ie
negativd permite identificarea amplificatorului de bazd, a reielei de reaclie 9i a tipului reac{iei
negative. Schema echivalentd de semnal mic a amplificatorului din figura 11.13 este prezentatain
figura I i .14.
Se observd cd amplificatorul de bazd este format din doua etaje cu TB in conexiune EC.
Releaua de reac{ie este formati din rezisten{ele R1 gi R2. Re{eaua de reac{ie rezistivi este conectatd
irr serie cu iegirea arnplificatorului, deci egantionul prelevat este de curent. La intrarea
amplificatorului observdm cd, pe lAngd divizorul de polarizare Rsl, eSte legatdin paralel 9i releaua
de reactie.

(a)

rlmr rlitiuaror ae bazi

C I tz
It,e )r,
p n
,.8

!I \
Rcl Rcz R1 (b)
l/- +)
v
I

t;
R,

i"'
lo,
t-
J
I

Relea de reac{ie
Figura 1 I .14. Schema echivalentf, a amplificatorului de curent cu reac{ie negativi

322
 R"l
-+-V
Figura 1 1 .15. Re{eaua de reactie

Deci tipul reactiei este cr,r e$antionare pe bucld $i comparare in nod.

(4) Anatiza relelei de reaclie in condi1ii de idealitate. in determinarea performanJelor
retelei de reaclie se utilizeazd schema prezentatd, in figura 1 I .15.
- Factorul de transfer f ,.,0 = Qf I Dlr,=o : -Rr/(Rr + Rz) (11.38)

- Impedanla de intrare z i.
"r,d
: (V l Dl,, _n = Rl l l R"
,!t _"
(1 1.3e)

- Impedarla de ieSire Zn ri,t = Cfi, tI I-J)l'l!=0 = R, + R2 (1 r.40)

-u,J ru -,
(5) Deterntinarea confguraliei in bucld deschisd. Amplificatorul in bucli deschisf, este
prezentat in figura 11.16.a. AplicAnd teorema lui Thdvenin se poate incorpora rezisten{a
echivalentd Rr in rezistenta generatorului. Se obline in acest fel schema echivalentd din figura
l1.l6.bincare llr=f rf n, $i Rl: RsllRB.
(6) Analiza configuraliei in bucld deschi,sd are drept rezultat determinarea performanlelor
e*1,Z',,Zi. Schema echivalentd de semnal mic utilizatd pentru determinarea acestor performanle
este prezentatd in figura 11.17 .

Tz

(a)
zo,f ia:
RlllR2

(b)
zo,f id:
&ilRz

Figura 1 I .16. Schema echivalentf, de semnal mic a configuratiei in bucl6 deschisd

)L)
 -v
6 nt2'-hc)

gn,tV bnt

RlllR2

Figura 1 L 17. Scherna echivalentd de semnal mic folosita pentru determinarea

performantelor confi guraliei in bucld deschisd

Arnnlificarea in buclS deschisd este:

f ti,,-6 g,nzV t,rz.lV t"t
ut --
8^tV ttrz
= Vu,r, Vo", ,V0", 1ll
,^- R,.&- 4 ;-R-&-4
g,ntlt"nt l l(R, + R )l l RLI
-a
- vFz r-: +(0r:+lXRr //R2)
1+
ror ll ft, (il .41)

o ,I-. .=
I'.,, [, /.] *(0r:+lXRr//R:)l
d /tl I _,bL
", '/,,"r\'l
l
-
,rl /ilI I

L _l

Ll
I nlfn2
I' 0", /.: - (Fr:+ l)1R' //R.)
1

ru ll &.1
Imoedanta de intrare in bucla deschisi este
I/ T/
/-be
v :Dcl
f V,.
1

= q, ll(\ + Rz), (11.42)

I
-De
,""JlCr. e)
deiiesire in bucl6 deschisd este
iar impedan{ aoe

Y-,, rh.(l-'o - g ^tL ") + lRt l l Rz l l (rnz + ror l l Rc )ll-/o

7 u

3l
!o
-o lr, =0 Llo

'\ , + []rll
,"(
= ro: l

I'n2 -t fg1
I'1'ot = ,,=
ll fl;,+Rtll '' // R2tt(r^2+rolttRcr)1.
l+tR,
R")
(11.43)

,i 'T: t rir &r +RI ll R2 v u",

Rtll R" 'nt

a^ A
)./.+
 (6) D ete or c onfi gur al ie i in bucld inchisd. AplicAnd rela{iile (11.37)
mt i nar e a p e(brmanl eI

se determind cu ugurin{a performan{ele configura{iei in bucld inchis6. Oblinem astfel

| _-r
ln
\' t .&'
I lLn &r +Rr
7- Z,
(11.41)
--l
i+a,l^
-t lt(L+u
t
^ J_ltJ
t\-)6
( ,r \
7, _7
LA _ LA Zo=Z'oll Rct
It*n,ln,-oI_,,, ),

11.5. Reac{ia cu e$antionare in nod qi comparare in nod

in amplificatoarele reale expresiile factorilor de transfer direct 47, respectiv inversj,. sunt
greu de determinat, deoarece in ambele blocuri componente ale circuitului sunt reacJii nedorite.
Amplificatorul de bazd nu este unilateral, deci reaclia sa inversd internd influenleazd compoftarea
amplificatorului (modificdndTi). Nici re{eaua de reaclie nu este in unele cazuri unilaterald, fapt ce
conduce la modificarea gz. De aceea, s-au elaborat aborddri aproximative care in anumite condilii
sd furnizeze expresiile A qirt,.
Abordarea aproxirnativa utilizatd in acest caz este prezentatd in continuare.
(1) N4ai intAi sedetermindperfornranftle relelei de reac{ie in condilii de idealitate.
- Factorul de transfer
Amplificatorul fiind atacat cu un generator de curent, condiliile de idealitate impun
V t = 0 (impedanla de intrare a amplificatorului de bazd. se considerd nula.y. in

consecin{d:

f -r.lv"l
"-\'td-J t --lL,=O
(1 1.45)

- Impedanla de intrare
trl
Z,f,d=Y=lt=f1,,_,,
.al
(1 1.46)
,,

unde !,,, reprezintd curentul de intrare in releaua de reaclie.

- Impedanla de ieSire

zo,7id =Vrl!rlr,=o (n.47)

(2) Se construiegte un arnplificator ,,modificat", cunoscut sub denumirea de amplificator

sau configuralie in bucld deschisd, prin incdrcarea amplificatorului de bazd cu
impedanlele de intrare, respectiv iegire, ale refelei de reaclie. Schema acestui circuit
este prezentati in figura I 1.18.
Performan{ele acestei configura{ii sunt:

325
 - amplificarea in bucld deschisd
(1 1.48)
Qz = v-al[-s
- impedanla de inlrare
(1 1.4e)
z'. =v,l
_,t t -l
_" lR, +-

- impedanla de ieSire
(r l.s0)
Z-,,=V^llnl,
(3) Dac[ sunt indeplinite urmatoarele condilii:
- amplificatorul de bazi este suficient de unilateral,
- reaclia pe calea de semnal intrare - iegire (calea directd) a amplificatorului de bazd
de reaclie qi
este mult mai mare decdt reaclia pe calea de semnal intrare - iegire a re{elei
- reacJia pe calea de semnal iegire - intrare (calea inversd) a arnplificatorului de bazFt
este mult mai rnicd decAt reaclia pe calea de semnal ieqire - intrare a relelei de
reactie,
,*
atuncl a z a Qz, f , = .f ,,0 gi performanlele amplificatorului in bucld inchisa se pot
evalua cu rela{iile:

, u7 zj 7- zo (11.s1)
.1 7 =----;- L- -
L0 -
tl!nI u7 |t ,. l+4rlz,-*J | + a"zlr,
y,.1
-.,'f v,a
,

'7 +6
=F

in consecin![, amplificarea totald a amplificatorului cu reac{ie (configuraliei in bucl6

inchisa) se determind prilt parcurgerea unndtoarelor etape:
- se identifica amplificatorul de bazit, re\eaua de reaclie 9i se stabileqte tipul reacIiei:
- se analizeaza unilateralitatea amplificatorului de bazd qi indeplinirea condiliilor (3);
- se analize aza re\eaua de reaclie in condilii de idealitate determinAndu-se: factorul de
transfer. impedanla de intrare 9i impedanla de ieqire;
se determina configura{ia in bucl6 deschisi prin atagarea la amplificatorul de bazd
- a

impedanlelor de intrare, respectiv ieqire, ale relelei de reaclie;

- se determind performanlele a*7, 7-,, Z.o oferite de configura{ia in bucld deschisi;
- in final. folosind datele acumulate, se determini

/-Q'z
1---.
1+a,f..
gi irnpedan{ ele Z-i Si Zs care pentru acest tip de reac{ie sunt

Z-,
7= *l Zo = z*o(r* n21",-*{-r,r)
l+Qzlz,-* J y,1
'Z-+a

326
 T'

Amplificator de
)a V
I
bazd z,lv
-+
o

Sz

tl
I

Re{ea de reaclie

- '[t
zo;f ia

Re{ea de reacfie
__t
ft tl

Figura I 1 .18 Arnplificator transimpedali in bucla deschisa

Exemplu de aplicare a teoriei

Pentru a exemplifica modul in care se aplicd teoria reacliei negative paralel-paralel se
considerd amplificatorul de transimpedan{d, format dintr-un etaj de amplificare cu TB in
conexiune EC, prezentat in figura 11.19. Se consideri cd toate condesatoarele schemei sunt
scutlcircuite la frecvenlele de lucru. Etapele ce trebuie parcurse in analiza acestei scheme sunt
prezentate in continuare.
(l) Analiza in curent continuu are ca rezultat determinarea punctelor statice de func{ionare
ale dispozitivelor electronice gi deci a regimului in care acestea func{ioneazd.
(2) Delerminar"ea paramelrilor dinamici ai tranzistoarelor schemei. Aceasta etapa
furnizeazit elementele necesare at6t verificarii condi{iei de unilateralitate
ly y lttlv - -_re
l-rc -oe I
,' | "
l'_
Je I

tranzistoarelor, fapt ce conduce la asigurarea indeplinirii condiliei de unilateralitate pentru intregul

amplifi cator, cdt gi a determ indri i perform anlelor anlpli fi catorului.

tVcc

Figura I I . 19. Amplificator transimpedanti cu reac{ie negativi

 (3) Deternrinarea schemei echivalenle de semnal mic a arnplificatorului ctt reaclie
negativd permite identificarea amplificatorului de bazd. a relelei de reaclie gi a tipului reactiei
negative. Schema echivalentide semnal mic a amplificatorului din figura I1.19 este prezentatdin
figura I 1.20.
Releaua de reac{ie este format[ din rezistenla Re. Releaua de reaclie rezistivd este
conectatd in paralel cu iegirea amplificatorului, deci egantionul prelevat este de tensiune. La
intrarea amplificatorului observdm cd, pe lAngb divizorul de polarizare R.at, este legati in paralel gi
releaua de reaclie, deci cornpararea se face in curent. in consecinld tipul reacliei esle cu
eSantionare in nod Si comparar"e in nod.
(4) Anatiza relelei de reaclie in condilii de idealitate. in determinarea performanlelor
re{elei de reaclie se utilizeazd schema prezentatd in figura 11.21.

- Factorul de rransfer f -, . = U , lV
-u
)l ll 'r =0
= -ll Re (1 1.52)

Impe danl a de intrare Z i.y i,t : lY-, I e !)llL,=o : R r (1r.53)

_D (1 l.s4)
- Impedanla de ieSire zo.t,o =(v,f L)1,,,_o - I\F

(a)

t-iG
p
n
tl lIr \b )r I
I

V
?I
T)r lR,
1
Rcr
lv "l
t-"1
I
Rr
(b)
Y
-a-g -7 I I

Rr
I

--l
Re{ea de reac{ie
Figura 1 1.20. Scherna echivalentd a amplificatorului transimpedantd cu reacfie negativd

328
 r
Ir
H^
rri

re
V,I
-'i
+ Ir,
Figura I 1.21 Re{eaua de reac}ie

(5) Deterninarea configuraliei in bucld deschisd. Amplificatorul in bucli deschisd este

prezentat in figura 11.22, in care lr=V rf n, gi R":R" llRu. Prin aplicarea teoremei lui
Thdvenin s-a incorporat rezistenta echivalentd R6 in rezisten{a generatorului.
(6) Analiza configuraliei in bucld deschisd are drept rezultat determinarea performanlelor
aL,Z',,2i. Scherna echivalentd de semnal mic utilizati pentru determinarea acestor performan{e
este prezentatdin figura 11.23.
Amplificarea in buclS deschisa este:

a7 _Lo',,,1- g,Yo"Q'o ll Rr ll R,,. ll R,.) _ g,,(ro ll Rc ll Rr ll Rr)

r
t.,
V, V. , _bL
V.
_be lll
-ht t-,
-A
r1r R1 R" -+_+;
rr Rr RL (1 1.ss)
r. <<Rr
," aa Rr

= Tu,(rn ll RF ltR!Xt il R{ ll RF ll R) = BpQ"s ll R( ll RF il Rt)

Impedan{a de intrare in bucl6 deschisd este
- V,
:qrll Rp,
Z,==:---Y_- (11.56)
V 6" iQ^1 ll Rr)

(a )r
t, r\zif z o,f id: p.
1. p R.l
I 'a- |
"l
?l r> /^o I
Re
1
zi Z
Figura 1 1.22. Scherna echivalentd de semnal mic a configura{iei in bucld deschisd

zo
Figura I 1.23. Schema echivalentf, de semnal mic folositi pentru determinarea
performan{elor configuraJiei in bucld deschisa

329
iar impedan{a de iegire in bucld deschisd este
Zo=nll kll RF. (i1.57)

(6) Deterntinarea perforntanlelor confguraliei in bucld tnchisd. AplicAnd relatiile (11.51)

se determind cu ugurinla performanlele configura!iei in bucld inchisS. Oblinem astfel

, Vo_ g'= .
-1 7=-=-----------
,
l:,
t_" I+ a- |
(11.58)
7
7- zo
..1
I+ a?l f
-" I
R,+ ' Yid

2.6. Reac{ia cu esantionare pe bucll gi comparare pe bucl[

in amplificatoarele reale expresiile factorilor de transfer direct ay, respectiv invers;!, sunt
greu de determinat, deoarece in ambele blocuri componente ale circuitului sunt reactii nedorite.
Amplificatorul de bazd nu este unilateral, deci reaclia sa inversi internd influenleazd comportarea
amplificatorului (modificdndf). Nici releaua de reaclie nu este in unele cazuri unilateral[, fapt ce
conduce la modificared ay. De aceea, s-au elaborat aborddri aproximative care in anumite condilii
sd furnizeze expresiile at'$iL.
Abordarea aproximativd utilizata in acest caz este prezenlatd in continuare.
(1) N4aiintAi se detennindperforntanlele relelei de reaclie in condi|ii de idealitate.
- Factorul de trattsJer
Amplificatorul fiind atacat cu un generator de tensiune, condiliile de idealitate impun
l, = 0 (imPedanla de intrare a amplificatorului de bazd se consideri nula). in
consecin!6:

f
-Zrd
-v-Jt-"1!,-O
. tr"l (11.5e)

- Intpedanya de intrare

.
-. {,) -t/__.t rtrl
-
7 ) r I tnl
_"tL_O (1 1.60)

unde 2.,, reprezinti tensiunea la intrarea in releaua de reacfie.

- Impedanla de ieSire
,. I
(11.61)
Z-o.i ,a = /-t I L,lL,,=u

(2) Se construiefte un arnplificator .,modificat", cunoscut sub denumirea de amplifcator

sau configurolie in bucld deschisd, prin inclrcarea amplificatorului de bazi cu
impedanfele de intrare. respectiv ieqire, ale relelei de reacfie. Schema acestui circuit
este prezentatd in figura 11.24.

330
 Performanlele acestei configuralii sunt:
- antplificarea in bucld deschisa

g",,=!olVs (11.62)

- intpedanla cle intrare

2., :I!e lt,ln, (1 1.63)

-o
- impedanla de ieSire
Zo=Vol!01,,=o (11.64)

(3) Daci sunt indeplinite urmdtoarele condilii:

- amplificatorul de baza este suficient de unilateral,
- reac{ia pe calea de semnal intrare - iegire (calea directi) a amplificatorului de bazd,
este mult mai mare decdt reaclia pe calea de semnal intrare - ieqire a re{elei de reac{ie gi
- reac{ia pe calea de semnal iegire - intrare (calea inversd) a amplificatorului de bazd
este mult mai micd decAt reac{ia pe calea de semnal ieqire - intrare a relelei de reaclie,

atunci qr
=
qi, f z = f ,,0 ti performanlele amplificatorului in buclS inchisd se pot
evalua cu rela{iile:

.( +r -(
At=:-#o*,, )
Z,=Z,ll*grlr-of,,,1 *r
Zn=Zol I*q; l_ "f.,1
\
(11.65)
l+a,f
-' '_,/, lJ
\ '7-+o-''" | \ rzr

In consecintd, amplificarea totald a amplificatorului cu reac{ie (configuraliei in bucld

inchisa) se detennind prin parcurgerea urmdtoarelor etape:
- se identificd amplificatorul de bazd, re\eaua de reaclie qi se stabileqtetipul reac{iei;
- se analizeazd unilateralitatea arnplificatorului de baza qi indeplinirea relaliilor (3);
- se analizeaz6, re\eaua de reactie in condilii de idealitate determindndu-se: factorul de
transfer, impedanla de intrare gi irnpedanfa de ieqire;
- se determini configuralia in bucl6 deschisd prin ata$area la amplificatorul de bazd a
impedanlelor de intrare, respectiv ieqire, ale re{elei de reactie;
- se determind performanlele ai , Z*,, Zi oferite de configura{ia in bucld deschisd;
- in final, folosind datele acumulate, se determind
+

4
4,,
- -I
-) -<
l+ a,, f
-t"-Ztd

I qi Zct care pentru acest tip de reac{ie sunt

gi impedantele

-r(. *r f ,,, )l. Zo=Zoll+qrl_

Z,=Z,ll+qrlr,-o -*(, *r ^-f ,, )I.
I t-' | tLr+u
\
ar'" -Ltu )
\ )

aa t
JJI
 Amplificator de
bazd.

z* Ay

I/.
ZJ vo

Figura 1 1.24. Amplificator transadmitan{i in bucla deschisa

Exemplu de aplicare a teoriei

Pentru a exemplifica modul in care se aplici teoria reac{iei negative serie-serie se considerd
amplificatorul de transadmitar-r16, format dintr-un etaj de amplificare cu TB, prezentat in figura
11.25. Se considera cf, toate condesatoarele schemei sunt scurtcircuite la frecvenfele de lucru.
Etapele ce trebuie parcurse in analiza acestei scheme sunt prezentate in continuare.
(1) Analiza in cur.ent conrinuu are ca rezultat determinarea punctelor statice de funclionare
ale dispozitivelor electronice gi deci a regimului in care acestea funclioneazi.
(2) Detenninar"ea parantetrilor dinantici ai tranzistoarelor schernei. Aceastd etapd
furnizeazd elementele necesare atAt verificarii condi(iei de unilateralitate lz,"Z*lrrl;t"Z*l a

tralzistoarelor. fapt ce conduce la asigurarea indeplinirii condi{iei de unilateralitate pentru intregul

ampIificator, cAt gi a detennindrii performan{elor amplificatorului.
(3) Deterntinarea schernei echiyalente de semnal mic a amplificatorului cu reaclie
negativd permite identificarea amplificatorului de baz6, a relelei de reaclie gi a tipului reactiei
negative. Schema echivalentd de semnal rnic a amplificatorului din figura 11.25 este prezentatdin
fisura 11.26.
*Vcc

Figura I 1.25. Arnplificator transadmitanfa cu reacfie negativi

))L
 Releaua de reaclie este formata din rezisten{a Rs. Releaua de reaclie rezistivd este
conectatd in serie cu iegirea amplificatorului, deci egantionul prelevat este de curent. La intrarea
arnplificatorului observdm ci numai divizorul de polarizare .R6 este legat in paralel, releaua de
reac{ie fiind legatd in serie. Deci compararea se face in tensiune. in cotrsecitr{a, tipul reacJiei este
cu eSantionare pe bucld Si comparare pe bucld.
(4) Analiza relelei de reaclie in condilii de idealitate. in deternrinarea performan{elor
relelei de reaclie se utilizeazl. schema prezentatd in figura 11 .27 .

-Facrorul detransfer f ,,0=(Vtf !")1, o:Rr (11.66)

- Impcclarrla dc intrarc zr
fid=LY,I !-rlll,_^ =n, (II.67)

Impeclan{a de ieSire Zo.r,,t = V r f !)1,,,0= Ru (n.68)

(5) Determinarea configuraliei in bucld deschisd. Amplificatorul in bucl6 deschisd este

prezentat in figura 1 1.28, in care V'r:V ,fRaf {nr + Ra)] li RL = Rr ll Ru.Prin aplicarea teoremei
lui Thdvenin s-a incorporat rezisten{a echivalentd Rr in rezistenfa generatorului.
(6) Analiza configuraliei in bucld deschisd are drept rezultat determinarea performantelor
ai,Z-,,2i. Schema echivalent[ de semnal mic utilizatd pentru determinarea acestor performanle
este prezentatd in figura 11.29.
Amplificator .t
de-baza-- I n |
-w

(a.)

nit* o. i.*ti"
Figural 1.26. Scherna echivalentd a amplificatorului transadmitanfd cu reac{ie negativa

! Llo

vrl R6 v
-,+
I
Figura I 1.27. Re{eaua de reac}ie

333
 Amplificator
de bazi

R'.
Rc//Rr
V",

Figura 1 1.28. Amplificatorul transadmitanld in bucla deschisa

Arnplificarea in bucld deschisd este:

f 1;,+6
" {r,LtPo
- -=l)
v r-rR, +R. = r-+R.+R.
(r 1.6e)
x ll 5
' L_he
r1r

Irrrpedanla de intrare in buclS deschisd este

Z-i =ti*Rt' - (1 1.70)

iar impedanp de iegire in bucla deschisd este

Ln=lg-lt(p. (11.71)

(6) Determinarea performan{elor conf guraliei in bucld inchisci. AplicAnd relaliile (11.65)
se determina cu ugurin{d perfornran{ele configura{iei in bucld inchisd. Oblinern astfel

. 1.,
I .'t , V,, I(,(Rrll Rt)
'lit-v,,
(& ll R.)RH
-'-i'-lra',f
-
-=:-

' ,, R*+Ru--) R"+Ru ,'

-.t | 5
-t.
(tt.72)
-( *r ) - ( -
*r \
Z,=Z,l t *tr1,,,,-,,,.f Zo= Zo[t+ qrl^,--,of
\ i-+'t
,,,u I
,)
,,,0 )

Itr Rt

Figura 1 1.29. Scherna echivalent6 de semnal mic folositd pentru determinarea

nerformantelor

aa A
JJ+