Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ACȚIONĂRI ELECTRICE,
ELECTRONICĂ ȘI AUTOMATIZĂRI
Petroșani, 2022
CUPRINS
pag.
ACȚIONĂRI ELECTRICE
ELECTRONICĂ
AUTOMATIZĂRI
Capitolul 3 Sinteza și materializarea funcțiilor logice ale sistemelor discrete .……… 112
3.1 Sinteza funcțiilor logice ale sistemelor discrete prin metoda algebrică
directă, exemple ............................................................................................... 112
3.2 Materializarea funcțiilor logice ale sistemelor discrete prin complete logice
fundamentale ................................................................................................... 113
3.3 Materializarea funcțiilor logice ale sistemelor discrete prin
complete logice fundamentale ………………………………………………. 120
m ω ωs
Fig.1 Schema bloc a unei acţionări electrice
energie electrică
energie mecanică
5
Schema bloc a unui sistem de acţionare electrică este prezentată în figura 2:
B.I.D
6
În concepţia modernă C.M.M. are structura unui sistem de achiziţie şi prelucrare de
date.
Pe lângă fluxul informaţional util apar in sistemele de acţionare o serie de mărimi
independente de voinţa noastră care îşi exercită influenţa asupra acestuia. Aceste mărimi
poartă denumirea de mărimi perturbatoare. Exemple de perturbaţii: temperatura mediului
ambiant, fenomene atmosferice (descărcări), variaţii ale energiei primită de la sursa primară,
cuplul static ca perturbaţie aupra motorului electric, etc.
u
i
U
I
U0
i
T t
(1.1)
(1.2)
unde:
u,i – valori instantanee;
U,I – valori efective sau eficace;
√2U , √2I - amplitudini;
– pulsaţia, definită ca fiind:
(1.3)
α - faza iniţială a curentului.
În cazul convertoarelor cu ieşire în c.a., curentul şi tensiunea nu mai au variaţii
sinusoidale, dar sunt alternative şi simetrice (fig.1.6).
u
i
U0
i
(1.4)
Se constată că:
- termenii de sub sumă au pulsaţiile: , 2 , 3 ,…n (pulsaţiile sunt multipli ai
pulsaţiei fundamentale); pulsaţia fundamentală corespunde frecvenţei tensiunii reale
care se descompune.
- Ak, B k se numesc amplitudinile componentelor în sinus şi respectiv în cosinus.
(1.5)
(1.6)
(1.8)
(1.9)
(1.10)
9
1.2. Clasificarea S.A.E.
1. Sisteme de acţionare cu motoare de curent continuu
a. Sisteme de acţionare electrică cu motoare de curent continuu şi redresor complet
comandat
uc
U, f = ct. Ud
~
M.c.c
~
=
Ud Ud1
=
M.c.c
~
=
~
U1, f1 U, f1
~ M.A
~
Atât valoarea efectivă a tensiunii „U” cât şi frecvenţa „f” corespunzătoare energiei
de curent alternativ care alimentează motorul asincron pot fi modificate prin comandă.
Această categorie de sistem s-a dezvoltat mult în ultima perioadă şi are cea mai mare
răspândire. Aceste sisteme se clasifică:
b.1 - S.A. cu M.A. şi C.S.T.F. direct (cicloconvertor) – acesta realizează conversia
energiei de c.a. tot în energie de c.a. în mod direct fără a se trece prin forma de
energie de c.c.
b.2 - S.A. cu M.A. şi C.S.T.F. indirect
10
uc1 uc2
Ld id
U, f = ct. U1, f1 ct.
≈
~
ud M.A
Cd
~
≈
I ~
R
Circuit ~
Conversie c.a. – c.c. intermediar de Conversie c.c. – c.a.
(Redresor) c.c. (Invertor)
11
2. Cinematica acţionărilor electrice
- de tip diferenţial
- de tip integrator
Datorită acestor relaţii pentru a caracteriza complet o acţionare electrică este necesar
să cunoaştem o singură mărime şi o serie de condiţii iniţiale şi finale. De cele mai multe ori
se porneşte de la variaţia în timp a vitezei care poartă numele de tahogramă.
După forma geometrică există o mare varietate de tahograme:
triunghiulare
trapezoidale
parabolice
cu şoc limitat, etc.
Considerăm o tahogramă trapezoidală ca in figura de mai jos.
Există 3 timpi (intervale):
ta – un interval (timp) de accelerare
ts – un interval (timp) de funcţionare în regim staţionar
td – un interval (timp) de decelerare
Un ciclu complet de funcţionare este descris de timpul de ciclu „t c” care conţine şi
timpul de pauză ‚t0’.
- timpul de lucru
- timpul de ciclu.
12
ω,ε
s,α
αs
ωs
εa
αa
ta ts td t0 t
εd
tc
Dar în punctul de origine a sistemului de axe, evoluţia vitezei este nulă . Punând
această condiţie iniţială va rezulta valoarea constantei de integrare C1=0. Se obţine astfel
Dar în punctul de origine a sistemului de axe, evoluţia spaţiului este nulă . Punând
această condiţie iniţială va rezulta valoarea constantei de integrare C 2=0.
Evoluţia spaţiului din punct de vedere grafic reprezintă o parabolă convexă cu vârful
în origine.
Pentru a determina evoluţia şocului în punctele în care acceleraţia este discontinuă se
calculează următoarele limite:
13
pe intervalul
Pe acest interval viteza este constantă şi este egală cu viteza de regim staţionar, iar
acceleraţia şi şocul sunt nule.
pe intervalul
Pe acest interval mişcarea este uniform variată ( ) iar acceleraţia este constantă , egală
cu şi este negativă. În modul acceleraţia este egală cu cea de pe primul interval
Cum
Deci şocul este nul. Ţinând cont de expresia ce descrie evoluţia vitezei se obţine:
14
3. Cupluri
Cuplul este o mărime fizică ce se măsoară în [N.m]
Într-o acţionare electrică intervin trei categorii de cupluri:
Cupluri motoare – m
Cupluri statice - ms
Cupluri dinamice - md
F ω M mω
m
m
M F m
mω ω
b) Regimul de frână – acest regim nu este caracterizat de evoluţia vitezei. În acest caz
energia mecanică se transmite de la mişina de lucru spre motorul electric.
regimul de frână se găseşte în cadranele 2 şi 4
Viteza unghiulară şi cuplul motor au semne diferite
Regimul de frână poate avea ca obiective următoarele:
oprirea actionarii
reducerea vitezei de funcţionare
menţinerea constantă a vitezei de funcţionare.
3.2. Cupluri statice – sunt acele cupluri pe care maşinile de lucru le dezvoltă la arborii
lor.
Există două categorii mari de cupluri statice:
cupluri statice utile
15
cupluri statice de frecări (de pierderi):
Din punct de vedere energetic cuplurile statice pot fi:
cupluri statice active
cupluri statice pasive
Cuplurile statice active – sunt cuplurile care conţin sursă de energie mecanică.
Aceste cupluri pot să întreţină mişcarea sau să se opună mişcării. Apar în general la
deplasarea în câmp gravitaţional sau la maşinile de lucru ce dezvoltă forţe elastice.
De exemplu: - la ridicarea unei greutăţi cuplul static se opune mişcării iar la
coborârea greutăţii cuplul întreţine mişcarea
- la deplasarea unui vehicul în rampă cuplul static se opune
mişcării şi la deplasarea unui vehicul în pantă cuplul întreţine
mişcarea
Cuplurile statice pasive nu conţin sursă de energie mecanică deci se opun tot timpul
mişcării.
De exemplu: - cuplurile statice de frecări
- cuplurile statice dezvoltate de maşinile de lucru ce produc o
mişcare de deformare neelastică (maşinile de lucru de aşchiere)
Convenţie de semne.
Comparativ cu viteza, convenţia de semn pentru cuplurile statice este inversă decât
pentru cuplurile motoare.
a) ms – se opune mişcării => ms are acelaşi semn cu
b) ms – întreţine mişcarea => ms are semn opus cu
Consecinţe:
cuplurile statice active se întâlnesc în toate cele patru cadrane
cuplurile statice pasive se întâlnesc în cadranele I şi III
3.3. Cupluri dinamice – apar numai în regim tranzitoriu. Reprezintă diferenţa dintre
cuplul motor şi cel static.
16
ω
active
-Ms Ms m
ω
pasive
-Ms
Ms m
17
4. Stabilitatea acționării electrice
J
ms ms
M.E M.L < > M.E V M.L
mωω mω ω
WM Ec WL
Dacă energia se transmite de la motorul electric spre maşina de lucru atunci între aceste
energii există relaţia:
18
dω
unde, md J se defineşte ca fiind cuplul dinamic.
dt
Dacă:
dω
m ms 0, apare regimul de accelerare
dt
dω
m ms 0, apare regimul de decelerare
dt
dω
m ms 0, ct apare regimul staţionar
dt
Ms M
JM JL
i, ηT ms
M.E V1 M.T V2 M.L
mω ωs
WM Ec1 Wi We Ec2 WL
19
Operaţia prin care toate cuplurile şi toate momentele de inerţie sunt calculate (văzute)
la acelaşi arbore poartă numele de raportare. De cele mai multe ori raportarea se face la
arborele motorului.
unde,
Dacă energia se transmite de la motorul electric spre maşina de lucru atunci între
aceste energii există relaţiile:
Dar,
20
Ţinând cont de expresia raportului de transmisie se obţine:
Înlocuind, rezultă
Exemplu:
Pentru: motorul electric dezvoltă un cuplu de 10 de ori mai mic
decât cuplul maşinii de lucru.
De multe ori pentru simplitate se omit indicii „r”de la cuplul static şi „t” de la
momentul de inerţie.
21
Daca punctul de functionare oscileaza continuu sau se deplaseaza in sens contrar
noului punct stationar de functionare, acest punct se numeste static instabil.
Orice perturbatie din punct de vedere al stabilitatii statice are ca efect modificarea, fie
a caracteristicii mecanice a motorului, fie caracteristicii masinii de lucru, fie a ambelor.
Pentru analiza stabilitatii statice se utilizeaza o metoda grafo-analitica si o metoda
analitica.
Ex: 1) Fie o actionare cu caracteristica din figura urmatoare:
Ω (1)
A1 M.L (2)
Ωs1 ●
● B
A2
Ms1 M's1 M
A1 ● A2
Ωs1 ● B
● ●
Ms1 Ms2 M
J = m-ms = MS1 -M’S1 < 0 =>
=> A1 punct static instabil (pentru ca punctul de functionare nu se deplaseaza spre A2 ci in
sens contrar.
22
I. 5. Acţionări electrice cu motoare de curent continuu cu
excitaţie separată
Rs
u ms
Re, Le Ra M.L
φ e
La
ωm J
Rc
ie
ue
Se notează astfel:
u, i - tensiunea de alimentare a indusului şi curentul prin indusul motorului;
ue, ie - tensiunea de alimentare a înfăşurării de excitaţie şi curentul prin înfăşurarea de
excitaţie;
φ - fluxul magnetic util pe un pas polar;
e - tensiunea electromotoare indusă în înfăşurarea rotorului;
Ra, La - rezistenţa totală a înfăşurării indusului, respectiv inductivitatea acesteia La = ct
Re, Le - rezistenţa respectiv inductivitatea înfăşurării de excitaţie, Le = ct.
Rs - rezistenţa suplimentară variabilă în timp, înseriată cu indusul. Are rol la reglarea
vitezei în timpul procesului de pornire sau frânare a motorului.
Rc - rezistenţa de câmp, de regulă variabilă în timp înseriată cu înfăşurarea de excitaţie,
are rol de a regla valoarea curentului de excitaţie implicit valoarea fluxului.
Întotdeauna se alimentează prima data înfăşurarea de excitaţie. Astfel în circuitul de
excitaţie apare curentul ,, ie” a cărui evoluţie în timp este dată de teorema a II-a a lui Kirchoff.
=> =>
(1)
23
Acest curent ie produce un flux φ care dacă motorul este complet compensat nu depinde
de curentul prin indus. Funcţia f este tocmai curba de magnetizare a motorului în regim
tranzitoriu şi este o funcţie neliniară.
φ = f(ie) (2)
ie
Când se alimentează înfăşurarea indusului apare curentul ,,i” a cărei evoluţie în timp este
dată de teorema a II-a lui Kirchoff pe circuitul indusului:
=> =>
(3)
Curentul ,,i” parcurgând conductoarele indusului intereacţionează cu fluxul φ şi
determină apariţia unui cuplu electromagnetic:
m= kφi (4)
unde k este o constantă şi are expresia
p - nr de perechi de poli
a - nr căilor de curent în paralel
N - nr total de conductoare al înfăşurşării indusului
Cuplul determină punerea în mişcare a rotorului, evoluţia vitezei obţinându-se din ecuaţia
generală a mişcării.
(5)
e= kφ (6)
Cele şase relaţii reprezintă ecuaţiile de funcţionare ale motorului de curent continuu cu excitaţie
separată.
24
între ele. De asemenea evidenţiază mărimile de intrare, mărimile de comandă, mărimile de ieşire,
mărimile de stare, etc.
Pentru întocmirea schemei structurale se consideră că în fiecare ecuaţie se explicitează
derivata unei mărimi.
Ret
Ret∙ie
ue - φ
1 ie
f k ms
+ Le
m + - 1 ω
●
x α
J
R
R∙i
- 1
u+ i
- La
e
x
Ecuaţiile de funcţionare în regimul staţionar se obţin din ecuaţiile generale prin anularea
derivatelor în raport cu timpul.
25
În regim staţionar curentul prin indus depinde numai de cuplu static şi de flux.
U = R I + k ФΩ =>
Ω
A
Ω0 ● ΔΩ
ΩB ●
B
IN I
26
5.3. Caracteristica electromecanică naturală
Ω= - I
Ω
Ω0N ● ΔΩSN
ΩN ●
IN I
Se fac următoarele precizări:
- este o caracteristică liniară;
- este o caracteristică rigidă deoarece căderea statică de viteză corespunzătoare
curentului nominal reprezintă între 3-5% din viteza nominală;
- punctul nominal de funcţionare (un punct caracterizat de mărimile IN şi ΩN) se
găseşte pe această caracteristică
IN
Datele nominale ale unui motor de c.c. cu excitaţie separată sunt: puterea nominală,
curentul nominal, tensiunea nominală, turaţia nominală, şi uneori se indică rezistenţele
înfăşurărilor.
27
6. Sistem de acţionare cu m.c.c. şi V.T.C.
6.1. Principiul, schema de principiu, regimul de curent neîntrerupt
Principiul de comandă al acestui sistem este principiul comenzii în tensiune, respectiv
reglarea prin comandă a tensiunii de alimentare a indusului.
Schema de principiu
ik Lf id
ks
iD
U0 ms
Dn uD ud e M.L
m ω
VTC
Variatorul de tensiune continuă este format dintr-un contactor static (ks) şi dioda de nul
Dn. Între variatorul de tensiune continuă şi indusul motorului se montează o inductivitate de
filtrare, Lf, care are dublu rol:
- limitarea pulsaţiilor curentului prin motor;
- evitarea funcţionării sistemului în regim de curent întrerupt.
Variatorul de tensiune continuă este alimentat de la o sursă de tensiune continuă de
valoare U0 presupusă constantă şi practic transform această tensiune într-un tren de impulsuri
dreptunghiulare a căror durată şi/sau frecvenţă pot fi modificate.
Presupunem următoarele ipoteze de lucru:
a) Momentul de inerţie J al motorului şi maşinii de lucru este suficient de mare astfel încât
într-o perioadă de comandă a VTC-ului
b) VTC-ul este comandat cu o frecvenţă constantă, iar contactorul static este închis într-un
timp t1 = ct (f = ct, t1 = ct ).
Într-o perioadă de comandă ,contactorul static are 2 stări:
; T=
Presupunând că sistemul a funcţionat un timp suficient de lung, pe durata unei perioade
rezultă următoarele:
t є (0, ) = „1”
Indusul motorului este alimentat de la sursa de tensiune U0 , iar datorită caracterului
inductiv al indusului, curentul creşte aproximativ exponenţial. D n este polarizată în sens invers şi
este blocată.
28
u D, i d
U0
IM
Im
t
t1 t2
T
ik
IM
Im
t
iD
IM
Im
tє ( , T) = „0”,
Indusul nu mai este alimentat şi atunci curentul are tendinţa de scădere. În inductivităţile
din circuit Lf şi inductivitatea proprie a indusului se induc tensiuni electromotoare de
autoinducţie, de acelaşi sens ca şi curentul . Acestea deblochează dioda Dn, iar curentul de
sarcină care scade exponenţial se închide prin Lf, indus şi dioda de nul.
; (deoarece D n este în conducţie)
Acesta este rolul diodei de nul: de a permite existenţa curentului prin motor când este
deschis.
Aplicăm teorema a 2-a a lui Kirchhoff pe circuitul D n – indus şi va rezulta:
│
UD Ud
29
unde:
UD – valoarea medie a tensiunii la bornele diodei de nul;
Ud – valoarea medie a tensiunii la bornele indusului
Valoarea medie a tensiunii la bornele indusului este egală cu valoarea medie a tensiunii la
bornele diodei de nul.
│ε=ct ; ;
│ ;
Ud Id =0 Ce m
=> =>
30
Caracteristicile sunt drepte paralele cu panta negativă:
ωm
Ud0 / Ce
ε=1
ε = 3/4
Ud0 / 2Ce
ε = 1/2
ε = 1/4
IdcrM Id
Comanda sistemului:
- se realizează prin modificarea factorului de comandă ;
- deoarece ε є [0,1] sistemul poate funcționa numai în regim de motor;
- se realizează pornire și reglare de viteză pe caracteristici artificiale de tensiune.
În funcție de cum se modifică ε, există 3 metode de comandă:
1. Comanda în durată ( = variabil, T=ct)
2. Comanda în frecvență ( =ct, T = variabil)
3. Comanda în durată și frecvență ( = variabil, f = variabil)
31
6.2. Sistem de acţionare cu m.c.c. şi V.T.C.: funcţionarea în regim de frână
Valoarea medie a tensiunii la ieşirea V.T.C. - ului nu poate fi făcută negativă, rezultă că
pentru obţinerea regimului de frână trebuie creată posibilitatea existenţei unui curent în sens
invers faţă de regimul de motor.
Pentru aceasta antiparalel cu KSM se montează o diodă:
KS.M
Lf
id if
Df KS.F ms
U0
Dn e M.L
m ω
În acest fel dacă tensiunea electromotoare depăşeşte tensiunea U0, dioda Df e polarizată în
sens direct şi poate intra în conducţie.
Existenţa unui curent şi a regimului de frână este condiţionată de sursa ce asigură
tensiunea U0 , ea trebuind să permită existenţa unui curent invers (ex: baterie de acumulatori).
Tensiunea electromotoare depăşeşte valoarea U0 numai dacă viteza depăşeşte valoarea
ω0. Pentru a obţine frânarea şi la viteze mici, inclusiv oprirea acţionării în paralel cu motorul se
conectează un K.s.F. cu rol de frânare.
Pentru trecerea în regim de frână se parcurg următoarele etape:
a) Se suprimă comanda lui KS.M (rămâne deschis)
b) Se închide KS.F. Acesta scurtcircuitează indusul motorului, prin Lf apărând un curent
dat de t.e.m., de sens invers faţă de cel în regim de motor. Acest curent creşte exponenţial până
când se atinge o valoare maximă prestabilită.
c) Se deschide KS.F.
La tendinţa de scădere a curentului if, pe inductivităţile din circuit (La+Lf) apar t.e.m. de
autoinducţie de acelaşi sens cu e. Împreună cu aceasta se depăşeşte valoarea U0, se deblochează
Df, curentul închizându-se prin motor, D f şi sursă, scăzând exponenţial în timp.
Când se atinge o valoare minimă prestabilită se închide iar KSF şi fenomenele se repetă.
Considerând funcţionarea cu un cuplu static activ ce întreţine mişcarea după un număr
suficient de mare de cicluri, curentul variază periodic între cele 2 valori prestabilite.
32
id
t
Imin
Imax
KS.F Df
G
Obs. În intervalul cât conduce KS.F acţionarea funcţionează în regim de frână dinamică, iar când
conduce D f în regim de frână cu recuperare. Limitele I min şi I max depind şi de curentul de sarcină,
respectiv de cuplul care trebuie frânat. Comanda KS.F se face în funcţie de curent deci se
modifică atât frecvenţa de comandă a acestuia cât şi durata de inchidere.
ωm
kS4 → kSF kS1 → c-dat (kSM)
(M, Lf, kS4, D2) kS2 → 1 (închis tot timpul) KS1 D1 D3 KS3
● ●
D1 → D f D4 → dioda de nul (D n)
● ●
II I U0
Id
● ●
KS4 ● ● ●
D4 D2
●
KS2
● ●
III IV
kS3 → kSM
● ●
kS2 → kSF
kS4 → 1 (M, kS2, D4 , Lf)
D2 → D n D3 → D f Lf id
e
33
7. Alegerea şi verificarea motoarelor electrice
34
- constanta termica de timp
Pentru un motor dat, T depinde doar de k, care depinde de conditiile de ventilatie. Deci, in
general, constanta termica de timp la incalzire e diferita de cea de la racire.
Diferenta dintre T i si Tr este semnificativa la motoarele cu autoventilatie si mică la motoarele cu
ventilatie forţată.
- valoarea de regim stationar a supratemperaturii
Se observa ca, poate fi redusa (prin pierderi constante) prin cresterea lui k, respectiv
imbunatatirea conditiilor de racire. De asemenea, un motor dat poate fi incarcat mai mult daca se
imbunatatesc conditiile de racire.
- solutia ecuatiei
Variatia supratemperaturii este exponential crescatoare la incalzire ( θ S > θi ) si exponential
descrescatoare la racire ( θS < θi ).
35
7.2. Alegerea motorului electric
Motorul electric ales trebuie să constituie o soluţie cât mai bună, în sensul satisfacerii
complete a cerinţelor maşinii de lucru, cu cheltuieli de investiţii şi exploatare minime.
În acest sens trebuie să se ţină seama de:
1. puterea cerută de maşina de lucru;
2. serviciul tip în care va funcţiona motorul;
3. necesităţile de comandă (pornire, reglare de viteză, frânare, etc.);
4. felul tensiunii şi curentului de care se dispune;
5. altitudinea locului unde va funcţiona motorul;
6. natura mediului ambiant.
Pentru estimarea iniţială a puterii pe care trebuie să o aibă motorul electric, se are în vedere
puterea necesară la funcţionarea în regim staţionar şi, printr-o majorare a acesteia, se ţine seama şi
de puterea dinamică necesară.
Astfel, dispunând de diagrama cuplului static, ms f (t ) , se calculează cuplul static mediu:
t
1 c
M s med m s dt
tc 0
Ţinând seama că, de multe ori, variaţia în timp a cuplului static rezultă grafic şi are forme
neregulate, este util ca această variaţie reală să fie înlocuită cu o variaţie în trepte. Acest proces de
înlocuire a cuplului static printr-o variaţie sintetică în trepte se numeşte echivalare.
Echivalarea trebuie făcută astfel încât să se respecte 2 criterii:
- să se conserve valoarea medie;
- valoarea echivalentă („valoarea efectivă”) să nu fie mai mică.
Ştiind că integrala definită reprezintă o arie, pentru a se conserva valoarea medie a cuplului static,
echivalarea trebuie făcută pe criteriul ariilor egale (S1 = S2 ).
Pentru a nu se diminua valoarea echivalentă, este necesar ca fiecărei variaţii în curba reală să îi
corespundă o variaţie în curba echivalentă.
Ex:
real real
ms ms
S1 S2 Nu este corect,
chiar dacă S1 = S2 corect
tc t t
tc
36
ms
t1 t2 t3 t
Prin echivalare, integrala de definiţie a cuplului static mediu se transformă într-o sumă,
rezultând:
n
M sk t k
M s med k 1
, unde:
tc
tk – intervalele de timp rezultate după echivalare;
Msk – valoarea cuplului static aproximată pe intervalul t k.
Se calculează puterea statică medie:
Ps med M s med b , unde:
Ωb – viteza de bază (viteza la care funcţionează maşina de lucru când motorul electric funcţioneză
pe caracteristica mecanică naturală).
Se alege un motor având:
PN 1,1 : 1,3 Ps med
Coeficientul (1,1:1,3) ţine seama că, în decursul unui ciclu de funcţionare, motorul trebuie să
dezvolte, pe lângă puterea statică, o putere dinamică care nu a fost luată în calcul.
Verificarea motoarelor electrice de acţionare
În general, sunt necesare 3 verificări:
- la încălzire;
- la cuplul de pornire;
- la suprasarcină mecanică.
37
inec N
ω Ms
ω
Ms
tp – timp de pornire;
ts – timp de funcţionare în regim staţionar;
td – timp de decelerare;
tp ts td ta t t0 – timp de pauză;
tc tc – durata ciclului.
38
Presupunând că în acest caz 10% < DA < 80% şi FI > 2, încadrarea se face în serviciul
S4, deoarece se constată că motorul nu funcţionează în regim de frână (cuplul total dezvoltat de
motor şi viteza au întotdeauna acelaşi semn).
p
s
h s
Valoarea medie pe un ciclu a lui θs este:
tc tc
1 1 1 pmed
med s dt p dt
tc 0
h s tc 0
h s
40
k2 – constanta de proporţionalitate :
M
I şi înlocuind în relaţia de verificare, prin metoda curentului echivalent, se obţine:
k2
t
1 c M2 MN
dt M ech MN
tc 0 k 22 k2
t
1 c 2
M dt M ech - cuplul echivalent
tc 0
t
1 c 2
unde: Pech p dt , iar dacă p este constant pe interval şi se ţine seama de ventilaţie:
tc 0
n
Pk2t k
Pech k 1
n
t
k k
k 1
Se face numai pentru motoarele asincrone care pornesc prin cuplare directă la reţea. Pentru
celelalte cazuri, la calculul pornirii, se are in vedere deja relaţia de verificare, sau verificarea este
inclusă în verificarea la suprasarcină mecanică.
Relaţia de verificare:
M p diagrama 0,85 M p cata log
41
M p diagrama M sr (0 ) J tr r (0 ) - se calculează din diagrama neechivalentă
Puterea nominală a unui motor electric corespunde serviciului nominal tip şi temperaturii
mediului ambiant considerate la proiectare.
Atunci când condiţiile de lucru diferă de cele luate în calcul la proiectare, este necesară
corectarea puterii nominale.
1. Corectarea funcţie de temperatura mediului ambient
a ap
PNc PN 1 1 a - relaţia de corectare, unde:
iz
2. Al 2-lea mod de recorectare a PN apare când motorul electric funcţionează în alt serviciu
decât cel pentru care a fost construit.
42
ELECTRONICĂ
SCURT ISTORIC
44
Cap 1
ELEMENTE DE CIRCUIT
1.1 Surse
Sursele ca elemente de circuit sunt elemente de tip generatoare şi sunt prezentate
sursele ideale de tensiune şi curent
Sursa de tensiune
U
Simbol >
U0
Sursa de tensiune este elementul de circuit cu
proprietatea că este un element generator şi tensiunea la I
bornele acesteia U este constantă, adică U = U0 = constant
altfel spus în orice moment tensiunea la bornele sale este Fig.1.1. Caracteristica
independentă de curentul furnizat. Această proprietate este statică a sursei de tensiune
evidenţiată de caracteristica statică, fig.1.1. aceasta
reprezentând dependenţa dintre tensiunea şi curentul la bornele sursei.
Rezistenţa internă Ri, în conformitate cu legea lui Ohm, este definită ca reprezentând
variaţia elementară a tensiunii raportată la variaţia elementară a curentului. Ţinând seama că
tensiunea este constantă rezultă: Ri=dU/dI=0. Deci o sursă de tensiune are o rezistenţă internă
neglijabilă
Sursa de curent
U
Simbol >>
45
teoretic infinită.
În electronică se folosesc ca surse de energie surse combinate, adică surse ce pot
genera atât tensiune cât şi curent. Sursele prezentate sunt surse ideale şi se utilizează în
modelarea dispozitivelor şi circuitelor electronice, fără a avea aplicabilitate practică. Cu toate
acestea sunt cazuri în care se ţine seama de proprietăţile acestor surse ideale
1.2. Receptori
Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o w we
i
anumită energie la intrare, de valoare wi şi o transferă către Receptor
ieşire la valoarea we.
În funcţie de raportul între cele două energii, de intrare şi ieşire receptorii se clasifică
astfel:
1. wi > we – receptor pasiv de circuit, caracterizat prin faptul că diferenţa dintre energii
wi – we > 0 este datorată pierderilor pe aceste elemente
2. wi < we – receptor activ, caracterizat prin faptul că diferenţa dintre energii we – wi > 0
este preluată de la o sursă de alimentare, un astfel de receptor nu poate funcţiona fără
aport energetic de la o sursă
3. wi = wi – receptor ideal, întâlnit numai în modelarea dispozitivelor şi circuitelor
electronice
Din categoria receptorilor pasivi fac parte: rezistorul, condensatorul, bobina şi transformatorul
1.2.1. Rezistorul
R
Simbol
Rezistor fix Rezistor variabil Rezistor semivariabil
(potenţiometru)
Rezistorul este un element pasiv de circuit caracterizat prin mărimea fizică rezistenţă
electrică notată simbolic cu litera R
Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru rezistenţa electrică este ohm,
simbolizat Ω, [R]SI= Ω
În determinarea valorii rezistenţei electrice a unui rezistor se utilizează, de regulă multiplii,
astfel:
• 1kΩ = 103 Ω,
• 1MΩ = 103 kΩ = 106 Ω,
• 1GΩ = 103 MΩ = 106 kΩ = 109 Ω
Marcarea valorii rezistenţei electrice pe corpul rezistorului se poate face:
în clar, adică pe corpul rezistorului se notează 10k 10 kΩ
valoarea rezistenţei acestuia 150 150 Ω
exemplu: 4k7 4,7 kΩ
prin codul culorilor, pe corpul rezistorului se marchează valoarea prin benzi sau
puncte colorate având următoarea
semnificaţie:
1 – prima cifră semnificativă;
poate lipsi
2 – a doua cifră semnificativă;
3 – a treia cifră semnificativă; Fig.1.3 Marcarea rezistoarelor în codul culorilor
m – multiplicator;
t – toleranţa;
Semnificaţia culorilor este prezentată în tabelul următor
46
Valoarea marcată pe corpul rezistorului fie în clar fie în codul culorilor reprezintă
valoarea nominală a rezistenţei RN. Valoarea reală sau măsurată a acesteia R poate diferi de
valoarea nominală şi diferenţa celor două valori este reprezentată de toleranţă T reprezentând
valoarea absolută a abaterii valorii reale faţă de valoarea nominală, exprimată procentual şi
RN −R
T [%] = ⋅100 (1.1)
RN
definită prin relaţia:
Un alt parametru al rezistorului este reprezentat de puterea disipată Pd şi aceasta
reprezintă puterea cedată corpului rezistorului prin efect Joule şi evidenţiată prin încălzirea
acestuia. Valoarea acestui parametru depinde de valoarea rezistenţei şi a curentului I prin
rezistor fiind un parametru care indică valoarea maximă a curentului la care poate fi utilizat
respectivul rezistor Pd = R ⋅ I 2 . Există valori standardizate ale acestui parametru, câteva dintre
acestea fiind următoarele Pd = 0,125W; 0,25 W; 0,5W; 1W; 2W; 3W.
Într-un circuit electric un rezistor are două aplicaţii fundamentale:
1. limitarea curentului I R
se observă că valoarea curentului
I este determinată de valoarea U U
∆U I = ; ∆U = R ⋅ I
rezistenţei R dacă valoarea U a R
tensiunii este constantă
I (1.2)
2. divizor de tensiune
U
prin intermediul unui grup R1 I=
rezistiv R1 şi R2 se pot obţine R1 + R 2
valori de tensiune ΔU diferite de U R2
∆U = R 2 ⋅ I = ⋅U
valorile tensiunii de alimentare U R1 + R 2
dar întotdeauna mai mici decât R2 ∆U
aceasta, ΔU < U
47
1.2.2. Condensatorul
Simbol
fix electrolitic variabil semivariabil
(trimer)
Condensatorul este un element pasiv de circuit caracterizat prin mărimea fizică
capacitate electrică notată simbolic cu litera C
Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru capacitatea electrică este farad,
simbolizat F, [C]SI= F
În determinarea valorii capacităţii electrice a unui condensator se utilizează, submultiplii
deoarece capacitatea de 1F este foarte mare, astfel:
• 1mF = 10-3 F,
• 1μF = 10-3 mF = 10-6 F,
• 1nF = 10-3 μF = 10-6 mF = 10-9 F
• 1pF = 10-3 nF = 10-6 μF = 10-9 mF = 10-12 F
Marcarea valorii rezistenţei electrice pe corpul rezistorului se poate face: 20 μF
în clar, adică pe corpul condensatorului se notează valoarea capacităţii 50 V
acestuia. Se utilizează în cazul condensatoarelor electrolitice sau cu tantal - +
acestea având capacităţi de ordinul microfarazilor (μF) sau milifarazilor (mF)
astfel de condensatoare sunt polarizate astfel că se specifică şi polaritatea
pentru conectarea în circuit a acestora precum şi valoarea maximă a tensiunii
la care pot fi utilizate.
prin codul culorilor, pe corpul rezistorului se marchează valoarea e
prin benzi sau puncte colorate având următoarea semnificaţie şi este d
utilizat de regulă la condensatoarele ceramice: c
semnificaţia culorilor pentru marcarea valorii capacităţii electrice este b
prezentată în tabelul următor unde se remarcă şi codificări pentru a
coeficientul de temperatură şi toleranţă:
48
Pentru identificarea aplicaţiilor tipice ale condensatoarelor se consideră relaţiile de definire a
capacităţii electrice în raport cu sarcina Q acumulată pe armăturile acestuia şi tensiunea U la
care este conectat condensatorul precum şi curentului electric instantaneu i definit ca viteză de
variaţie a sarcinii electrice, rezultând astfel:
Q 1
C= ⇒ U= ⋅Q t
U C 1
dQ
t
⇒ U=
C ∫
idt (1.3)
i= ⇒ dQ = idt; ⇒ Q = ∫ idt 0
dt 0
adică tensiunea pe un condensator se obţine prin integrarea curentului, aceasta ajungând la
valoarea tensiunii sursei la care este conectat condensatorul după un timp t ce depinde de
valoarea curentului de încărcare i. Această proprietate determină utilizarea condensatorului ca
element de netezire a pulsaţiilor de tensiune mai ales în schemele surselor de alimentare
realizate prin redresarea curentului alternativ (filtru c.a.).
Având în vedere relaţiile (1.3) rezultă succesiv:
dQ d (C ⋅ U) dU dU
i= = =C ; i=C (1.4)
dt dt dt dt
deci, pentru o tensiune constantă în timp U =constant rezultă i=0 adică curentul continuu nu
străbate condensatorul sau altfel spus un condensator blochează componentele continuii ale
curentului.
În curent alternativ condensatorul de capacitate C este caracterizat prin reactanţa
capacitivă XC definită prin relaţia:
1 1 ω – pulsaţia mărimii alternative
XC = = (1.5) unde
ω⋅ C 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ C f – frecvenţa mărimii alternative
1.2.3. Bobina
L L L LV
Simbol
fixe cu miez variabilă
Bobina este un element pasiv de circuit caracterizat prin mărimea fizică inductanţa
electrică notată simbolic cu litera L
Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru capacitatea electrică este
Henry, simbolizat H, [L]SI = H
Pentru identificarea aplicaţiilor tipice ale condensatoarelor se consideră relaţiile de
definire a inductanţei în raport cu fluxul magnetic Φ ce înfăşoară bobina şi curentul i ce
determină acest flux precum şi tensiunea instantanee u definit ca viteză de variaţie a fluxului
conform legii inducţiei electromagnetice, rezultând astfel:
Φ
L= ⇒ Φ = L⋅i t
i 1
L ∫0
⇒ i= u ⋅ dt (1.5)
dΦ d (L ⋅ i) di
u= = = L ⋅ ; u ⋅ dt = L ⋅ di
dt dt dt
49
adică curentul prin bobină se obţine prin integrarea tensiunii. Această proprietate determină
utilizarea bobinei ca element de netezire a pulsaţiilor de curent mai ales în schemele surselor
de alimentare realizate prin redresarea curentului alternativ (filtru c.a.).
Având în vedere relaţiile (1.5) rezultă succesiv:
dΦ d (L ⋅ i) di di
u= = =L ; u=L (1.6)
dt dt dt dt
deci, pentru un curent constantă în timp i =constant rezultă u=0 adică un curentul continuu nu
determină cădere de tensiune pe o bobină dacă se neglijează rezistenţa internă a acesteia.
În curent alternativ bobina de inductanţă L este caracterizată prin reactanţa inductivă
XL definită prin relaţia:
XL = ω⋅ L = 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ L (1.7) ω – pulsaţia mărimii alternative
unde
f – frecvenţa mărimii alternative
1.2.4. Transformatorul
Transformatorul este un element pasiv de circuit a cărui principală aplicaţie o
constituie modificarea amplitudinii unei tensiuni electrice alternative, acesta putând fi
ridicător sau coborâtor de tensiune. Această aplicaţie este
reprezentată de prezenţa acestuia în structura surselor de înfăşurare primară
alimentare cu rolul în principal de coborâtor de tensiune. miez magnetic
În continuare se prezintă a altă aplicaţie şi anume
aceea de adaptare de impedanţă. înfăşurare secundară
Un transformator este format din două înfăşurări i1 i2
obţinute prin bobinare pe un miez magnetic. Se consideră
un astfel de element conform fig.1.5 în care înfăşurarea
primară are n1 spire şi înfăşurarea secundar are n2 spire.
Prin alimentarea înfăşurării primare cu tensiunea u 1 Rs
cu valoarea momentană u1 acesta va fi parcursă de un
curent i1 acesta pe baza principiului inducţiei
electromagnetice va determina apariţia unei tensiuni u2 în u2
înfăşurarea secundară, tensiune care în circuitul închis
format de această înfăşurare şi rezistenţa de sarcină RS va Fig.1.5. Transformatorul
determina apariţia curentului i2.
Considerând puterea P1 din primar, P2 puterea din secundar şi randamentul η al
transformatorului, care este o mărime adimensională şi subunitară (η ≈0,8) şi având în vedere
P2 = η ⋅ P1
(1.8)
u 2 ⋅ i 2 = η ⋅ u1 ⋅ i1
relaţia de definire a puterii electrice ( P = u ⋅ i )se poate scrie
R S ⋅ i 22 = η ⋅ u1 ⋅ i1 (1.9)
În secundar conform legii lui Ohm se poate scrie u 2 = R s ⋅ i 2 şi prin înlocuire în relaţia (1.8):
Prin împărţire cu i12 se obţine:
2
i 1
R S ⋅ 2 = η ⋅ u1 ⋅ (1.10)
i1 i1
50
n1 u1 i 2 1
Raportul = = = k reprezintă raportul de transformare iar u 1 ⋅ = r1
n 2 u 2 i1 i1
reprezintă rezistenţa echivalentă sau reflectată (nu este o rezistenţă fizică) din primar.
Prin înlocuiri se obţine:
1 2
R S ⋅ k 2 = η ⋅ r1 deci r1 = ⋅ k ⋅ RS (1.10)
η
Se observă din relaţia (1.10) că valoarea rezistenţei reflectate în primarul
transformatorului este dependentă de rezistenţa din secundarul acestuia RS multiplicată cu
pătratul raportului de transformare k şi cu cantitatea supraunitară 1/η astfel că prin
modificarea raportului de transformare, ceea ce însemnă modificarea raportului numărului de
spire între înfăşurări, se pot realiza rapoarte corespunzătoare aplicaţiei între r1 şi RS adică
adaptarea de impedanţă
51
Cap 2
ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR
w Ge Ge Ge
Bandă de conductie e −
Ge Ge Ge
∆W Bandă interzisă
Ge Ge Ge
Bandă de valenţa
52
părăseşte legătura şi se numeşte gol (fig.2.1). Golul rezultat în urma mişcării unui electron
poate fi ocupat de electronul unui atom vecin astfel încât apare o deplasare de goluri în sens
invers deplasării de electroni, formându-se astfel un curent de electroni ini şi un curent de
goluri ipi, Între cei doi curenţi de purtători de sarcină există relaţia ini >ipi datorită mobilităţii
diferite ale celor două tipuri de purtători.
La realizarea dispozitivelor electronice se utilizează tipul de conductibilitate extrinsecă
care se obţine prin introducerea în reţeaua cristalină pentavalentă (câte 4 electroni în banda de
valenţă) a germaniului sau siliciului a unor atomi cu 5 sau 3 electroni în banda de valenţă,
denumiţi impurităţi. Procedeu tehnic de introducere a acestor atomi se numeşte dopare.
Dacă un semiconductor pur este dopat cu atomi pentavalenţi (Arseniu, As sau Fosfor,
P)în urma formării legăturilor covalente cu atomii semiconductorului (Ge sau Si)
înconjurători rămâne un electron care nu va fi cuprins în nici-o legătură covalentă. Acesta
w
BC
Ge Ge Ge
+
− +
− +
−
e −
+− +
∆Wd Nivel − −
Ge As + Ge + +
donor
+− +− + −
BV Ge Ge Ge
53
Aceşti atomi se numesc acceptori, se transformă în ioni negativi imobilizaţi în reţeaua
cristalină şi introduce un nivel energetic în banda interzisă foarte aproape de banda de valenţă.
Astfel, cu un aport energetic corespunzător temperaturii ambiante, practic toţi atomii
acceptori captează câte un electron de la atomii vecini, formându-se un număr de goluri egal
cu numărul acestora. În acest semiconductor, purtătorii majoritari sunt golurile, iar purtătorii
minoritari electronii şi se numeşte semiconductor de tip. Prin acceptarea electronului atomul
impurificator devine un ion negativ. Deci un semiconductor de tip „p” este format din goluri
ca purtători de sarcină (convenţional pozitivă) majoritari şi ioni negativi (fig.2.3).
p n NA - ND
x
NA = număr atomi acceptori
Joncţiunea metalurgică NA > ND x ND= număr atomi donori
NA < ND
Prin unirea celor două regiuni de-a lungul joncţiunii metalurgice apare fenomenul de
difuziune prin care golurile din semiconductorul de tip “p” (regiunea “p”) se vor recombina
cu electronii majoritari din regiunea “n”.
Astfel în jurul joncţiunii metalurgice se va forma în regiunea “p” o zonă cu exces de
sarcină negativă iar în regiunea “n” o zonă cu exces de sarcină pozitivă şi prezenţa celor două
zone determină apariţia unui câmp electric orientat de la regiunea “n” la regiunea “p” care se
opune difuziei în continuare de electroni din
p jonctiune n “n” în “p” şi a golurilor din “p” în “n” prin
−
- + - + - + E+ + transportarea în sens invers de purtători.
-
+ - + - + + −+ Se formează în structură trei regiuni
astfel:
+ + +
− + regiune de trecere în care nu există
- - - +
purtători de sarcină datorită fenomenului
lp ln de recombinare dar există ioni pozitivi şi
negativi de o parte şi de alta a joncţiunii
regiune regiune de regiune metalurgice. Câmpul electric este maxim
neutră trecere neutră în dreptul joncţiunii metalurgice şi are
E x valoarea E0.
două regiuni neutre din punct de vedere
dreapta de dreapta de electric în care există atât purtător de
aproximare D1 aproximare D2 sarcină cât şi ioni, astfel că în aceste
regiuni câmpul electric este nul
distribuţia Pentru studiul potenţialului electric φ
E0 câmpului electric E de-a lungul structurii se pleacă de la relaţia
dintre acesta şi câmpul electric E ştiind că
Fig.2.4. Structura joncţiunii p – n şi potenţialul electric se obţine prin integrarea
distribuţia câmpului electric câmpului electric de-a lungul direcţiei de
ϕ = − ∫ Edx (2.1)
54
orientare a acestuia:
Experimental s-a observat o variaţie în formă de clopot a distribuţiei câmpului electric
de-a lungul joncţiunii şi pentru uşurinţa calculului şi cu o bună aproximaţie se poate considera
o variaţie liniară deci curbele vor fi înlocuite cu dreptele D1 şi D2 a căror ecuaţii se determină
prin tăieturi astfel:
x E x
D1 : − − −1 = 0 de unde E = − E 0 − 1
lp E 0 lp
(2.2)
x E x
D2 : − −1 = 0 de unde E = E 0 − 1
ln E 0 ln
Ţinând seama de relaţiile (2.2) care exprimă variaţia aproximată a câmpului electric în
regiunea de trecere şi de absenţa câmpului electric în regiunile neutre, rezultă
E = 0, x < −l n
E = − E 0 x + 1, − l n ≤ x ≤ 0
l
p (2.3)
x
E = E − 1, 0 < x ≤ l
0
ln
p
E = 0, x > l p
ϕ = C1 = −ϕ1
E x 2
E
ϕ=+ 0 + E0 ⋅ x = 0 x 2 + E0 ⋅ x
lp 2 2l p
(2.4)
ϕ = − E 0 x + E ⋅ x = − E 0 x 2 + E ⋅ x
2
0 0
ln 2 2l n
ϕ = C2 = ϕ2
φ φ
x
φ2 x φ0 = φ2 - φ1
-φ1
55
1. dacă polaritatea „+” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “p” iar
polaritatea „–”a sursei este aplicată semiconductorului de tip “n” se numeşte
polarizare directă
2. dacă polaritatea „–” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “p” iar
polaritatea „+” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “n” se numeşte
polarizare inversă.
p E n p E n
ES ES
+ - - +
U U
φ φ
x x
φ0 φ0-U φ0
φ0+U
U
a) U b)
56
Cap 3
DIODE
Structură Simbol
Sensul săgeţii din simbol indică sensul de curgere al curentului (convenţional), de la „+”
la „-” adică de la semiconductorul de tip „p” la semiconductorul de tip „n”.
Joncţiunea se încapsulează în plastic pentru puteri mici sau metal pentru puteri mari.
Diodele por fi: - redresoare - putere mică
- putere medie
- putere mare
- de detecţie
- speciale - Zener
- Tunel
- Gunn
- Pin
- Varicap D I
În aprecierea unui dispozitiv electronic
este foarte importantă caracteristica statică a
acestui denumită şi caracteristică volt –
U
ampermetrică. Aceasta reprezintă dependenţa
R
curentului I ce curge prin acel dispozitiv de
cădere de tensiune măsurată la bornele acestuia. E
Pentru determinarea caracteristicii statice
a diodei se consideră următoarea schemă şi deci Fig.3.1. Schema pentru determinarea
caracteristica statică va reprezenta caracteristicii statice
dependenţa I = f(U). I
În cazul diodei ecuaţia U
caracteristicii statice dedusă având în I
vedere densitatea şi mobilitatea
purtătorilor de sarcină este:
U polarizare polarizare
I = Ii e U T − 1 (3.1)
inversă directă
experimentală
teoretică U
UST
kT II
unde U T = (3.2)–potenţial termic
q
k-constanta lui Boltzman Fig.3.2. Caracteristica statică
T-temperatura în oK
q-sarcina elementară a electronului
57
Pentru T = 300 oK (27 oC), UT ≅0,025 V
Deosebirea dintre cele 2 caracteristici teoretică şi experimentală se manifestă în
domeniul tensiunilor inverse mari unde la atingerea unei valori UST datorită câmpului electric
invers vor fi smulşi electroni de legăturile covalente care antrenaţi de câmp vor lovi alţi atomi
smulgând şi de la aceştia electroni fenomenul devenind cumulativ şi se numeşte multiplicare
în avalanşă şi dacă nu se iau măsuri de limitare a curentului dispozitivul se poate străpunge.
În domeniul tensiunilor directe apar deosebiri mai pronunţate în domeniul valorilor
mici ale curenţilor prin dispozitiv şi se ţine seama de acestea prin introducerea unui coeficient
ηUU
I = I i e T − 1 unde η=2 pentru tensiuni; η=1 pentru tensiuni mari (3.3)
η în ecuaţia caracteristicii statice:
În anumite aplicaţii mai puţin pretenţioase se realizează o liniarizare a caracteristicii
pe porţiuni. Aceasta constă în aproximarea caracteristicii
statice prin două segmente de dreaptă (fig.3.3) definite prin I
intermediul a doi parametrii U0 şi Rd
U0 se numeşte tensiune de deschidere şi reprezintă
valoarea căderii de tensiune pe dioda polarizată direct α
pentru care curentul prin aceasta are o valoare semnificativă
(practic I > 1 mA). Valoarea cestui parametru depinde de U
tipul de semiconductor utilizat la realizarea joncţiunii diodei
astfel:
U0
U 0 = 0,2 ÷ 0,3V pentru Ge Fig.3.3. Liniarizarea
caracteristicii statice
U 0 = 0,6 ÷ 0,7 V pentru Si
Un alt parametru definitoriu al caracteristicii liniarizate îl constituie rezistenţa internă
Rd, se mai numeşte şi rezistenţa dinamică a acesteia deoarece după cum se va vedea valoarea
acestui parametru este dependentă de valoarea curentului prin diodă. Acest parametru
defineşte panta celui de-al doilea segment de dreaptă din aproximarea prin liniarizare a
caracteristicii statice a diodei. Ţinând seama de modul de definire al pantei unei drepte
1 1 dI
R d = tgα sau = = (3.4)
R d tgα dU
U
dI 1
= I i e UT (3.5)
dU U T
rezultă:
Ţinând seama de definirea caracteristicii statice prin ecuaţia (3.1) se obţine:
Considerând neglijabil curentul invers Ii prin joncţiune în ecuaţia caracteristicii statice
(3.1), rezultă:
Se observă că valoarea lui Rd este funcţie de curentul ce curge prin diodă; se mai
numeşte rezistenţă dinamică.
Pe baza caracteristicii liniarizate şi a celor doi parametrii ce o definesc se poate
U
UT dI I UT
I = Ii e deci = si deci R d = (3.6)
dU U T I
58
construi un model al diodei reprezentat în fig.3.4.
Structură Simbol
Ca urmare a creşterii tensiunii inverse aplicate diodei ceşte şi intensitatea câmpului
electric din joncţiune astfel că cel puţin una din legăturile covalente din structura regiunilor
semiconductoare se va rupe. Se generează astfel 2 electroni liberi care antrenaţi de prezenţa şi
intensitatea câmpului electric vor căpăta o mişcare ciocnind atomi vecini cărora le cedează
energie. Ca urmare al acestui aport energetic se va rupe o legătură covalentă a atomului
ciocnit. În acest fel fiecare electron liber în mişcare generează doi electroni liberi prin ruperea
legăturii covalente. Aceştia la rândul lor vor genera alţi 4 electroni liberi şi fenomenul se
repetă prin multiplicare în avalanşă al purtătorilor de sarcină. Efectul acestei multiplicări în
avalanşă constă într-o creştere pronunţată a curentului prin dispozitiv la o tensiune practic
constantă la bornele acestuia. Pentru a putea funcţiona în domeniul Zener cele două regiuni
sunt puternic dopate pentru a obţine o lăţime cât I
mai mică a joncţiunii, dioda să intre în zona de Polarizare inversă Polarizare directă
străpungere la tensiuni la tensiuni relativ mici şi
creşterea curentului să fie periculoasă pentru U
Uzmax Uzmin
dispozitiv.
Domeniul de funcţionare este domeniul Izmin
A – B (fig.3.5) unde dispozitivul este polarizat A
invers şi se observă aici că la variaţii pronunţate
ale curentului în limitatele Izmin şi Izmax tensiunea
la borne se modifică foarte puţin (Uzmin ÷ Uzmax)
de unde rezultă că prin conectarea unei sarcini în B
paralel cu dioda se obţine o tensiune practic Izmax
60
Determinarea celor două valori R şi Izmax se face punând condiţia ca punctul static de
funcţionare PSF să atingă cele două puncte extreme A şi B ale domeniului Zenner astfel că
Rs min R ⋅ Rs
U stab = R + R ⋅ U nestab − R + R ⋅ I z max
s S (3.8)
Rs R ⋅ Rs
U stab = max
⋅ U nestab − ⋅ I z min
R + Rs R + Rs
rezultă:
Cunoscând faptul că valoarea minimă a curentului prin dioda Zenner, Izmin astfel încât
să se declanşeze fenomenul de multiplicare în avalanşă al purtătorilor de sarcină este constant
pentru toate diodele Zenner şi că valoarea acestuia este cuprinsă în domeniul Izmin = 3 ÷ 5 mA,
prin alegerea unei valori din acest domeniu şi rezolvarea sistemului (3.8) rezultă cele două
necunoscute: R şi Izmax.
61
Cap 4
TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI
+ - + - - + - +
UEB UBC UBE UCB
ϕ ϕ
U CB
x x
ϕ0 ϕ0
U EB U BE
U BC
C C
B B
E E
62
În absenţa alimentării cu tensiune a joncţiunilor (polarizărilor) potenţialul electric în
aceste joncţiuni este ϕ0 iar în cazul alimentării cu tensiune potenţialul joncţiunii emitorului
care este polarizat direct scade cu UEB iar cel al emitorului care este polarizat invers creşte cu
UBC. Această polarizare determină modificări ale regiunilor de trecere ale celor două
joncţiuni.
Analizând cele două tipuri de tranzistore se poate spune că din punct de vedere
funcţional sunt identice numai sensurile curenţilor şi tensiunilor de polarizare sunt inversate.
Datorită polarizării inverse a joncţiunii colectorului (j2) regiunea de trecere a acestei regiuni
are o lărgime mare ce se extinde mult în zona bazei, aceasta fiind mult mai slab dopată cu
impurităţii decât zona colectorului. Prezenţa acestei regiuni de trecere extinsă în zona bazei
asigură transferul aproape integral al purtătorilor de sarcină difuzaţi din regiunea emitorului în
regiunea bazei în colector datorită prezenţei câmpului electric al regiunii de trecere. Acest
fenomen de transferare al purtătorilor se numeşte efect de tranzistor.
După calităţile constructive tranzistorii se pot clasifica astfel:
a) în funcţie de frecvenţa de lucru: - de joasă frecvenţă JF, fmax < 200MHz
- de înaltă frecvenţă IF, fmax < 1GHz
- de ultra înaltă frecvenţă UIF, fmax >1GHz
b) în funcţie de putere: - de putere mică, PD < 0,5 W
- de putere medie PD < 1W
- de putere PD < 10W
- de putere mare PD > 10W
c) după timpul de propagare a purtătorilor de sarcină: - obişnuiţi
- de comutaţie
63
invers al joncţiunii colectorului care este polarizată invers, deci:
Pe circuitul exterior tranzistorului, aplicând teorema I a lui Kirchhoff:
IE = IC + IB (4.2)
După cum s-a văzut I 'C < I E datorită recombinărilor de purtători în zona bazei şi se
I 'C
α= <1 (4.3)
IE
defineşte factorul de transfer în curent emitor-colector:
I 'C = α ⋅ I E (4.4)
astfel că valoarea acestui coeficient va fi: α = 0.9 0.999
şi se poate scrie:
Ţinând seama de (4.1) şi (4.2) rezultă, succesiv:
Prin gruparea variabilelor şi împărţire cu (1 − α ) a celei de-a doua ecuaţii se obţine
I E (1 − α ) = I B + I CB0 / : (1 − α )
1 1 (4.6)
IE = ⋅ IB + ⋅ I CB0
1− α 1− α
succesiv:
Având în vedere relaţiile (4.5) şi (4.6) rezultă:
α α α α
IC = ⋅ IB + ⋅ I CB0 + I CB0 = ⋅ I b + 1 + ⋅ I cb 0 (4.7)
1− α 1− α 1− α 1− α
α
Se notează = β şi această valoare reprezintă factor de transfer sau coeficient de
1− α
transfer în curent bază-colector. Având în vedere valorile coeficientului α rezultă pentru
I C = β ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0
(4.8)
I E = I C + I B = (β + 1) ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0 = (β + 1) ⋅ (I B + I CB0 )
coeficientul β = [10,1000], deci:
Relaţiile (4.2) şi (4.8) constituie ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului bipolar.
Deoarece β > 100 şi ICB0 << IB , de exemplu IB=50 µA; ICB0=2÷3 nA, ICB0 se poate
neglija şi atunci se pot obţine ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului bipolar simplificate:
IE = IC + IB
IC = β ⋅ IB (4.9)
I = (β + 1) ⋅ I
E B
64
4.3. Regimul static de funcţionare al tranzistorului bipolar
Regimul static de funcţionare al tranzistorului bipolar este acel regim de lucru în care
mărimile electrice (curenţi şi tensiuni) măsurate la borne acestuia sunt lent variabile sau
dI i dU i
≅0 ≅ 0, i = 1 ÷ 3 (4.10)
dt dt
constante în timp.
C Asupra unui tranzistor bipolar, prin
UCB
IC măsurarea la terminale se pot pune în evidenţă 6
mărimi electrice, astfel (fig.4.3):
B IB • 3 tensiuni: UBE, UCB, UCE
UCE
• 3 curenţi IB, IC, IE
Aplicând teoremele lui Kirchhoff între aceste
IE
UBE E
IE = IC + IB
(4.11)
Fig.4.3. Mărimi electrice măsurate la U CE = U CB + U BE
terminalele tranzistorului
mărimi se pot scrie 2 relaţii, astfel:
Astfel, prin scrierea celor două relaţii din
cele 6 mărimi electrice două sunt dependente (IE şi UCE) iar patru vor fi independente (UBE,
UCB şi IB, IC)
Pentru a reduce numărul de mărimi independente de la 4 la 3 mărimi independente se
consideră câte unul din cele 3 terminale conectat la potenţialul de referinţă, denumit masă
electrică a conexiunii sau montajului sau pe scurt masă. În acest fel acest terminal devine
referinţă şi celelalte mărimi electrice, de fapt tensiuni electrice se vor raporta la acesta.
Considerând în continuare una din cele trei mărimi rămase independente ca fiind un
parametru, se pot trasa nişte curbe numite caracteristice statice. În funcţie de terminalul
conectat la masă avem următoarele tipuri de conexiuni ale tranzistorului:
C IE IC E
IC IE
B IB B IB
UCE UCE
UEB UCB
UBE UBE
E C
Pentru fiecare tip de conexiune există câte două familii de caracteristici statice.
Dependenţa între curentul de la intrare şi tensiunea de la intrare formează caracteristicile
statice de intrare, iar dependenţa dintre curentul de la ieşire şi tensiune de la ieşire formează
caracteristicile statice de ieşire.
65
IE UCBn UCB1
a) Pentru conexiunea BC caracteristica de intrare
I E = f (U EB ) U CB =cons tan t
UEB U CBi < U CBi+1
IC
IEn caracteristica de ieşire
I C = f (U CB ) IE =cons tan t
IE1
Ucb I Ei < I Ei+1
b) Pentru conexiunea EC
IB
DUC - UCE1
caracteristica de intrare
I B = f (U BE ) U ce =cons tan t
U CEi < U CEi +1
UBE
IC -
I Bn
caracteristica de ieşire
IC = f (U CE ) I B = cons tan t
I B1 I Bi < I Bi +1
U CE
c) Pentru conexiunea CC
IB U
CEn
U CE1
caracteristica de intrare
I B = f (U BC ) U CE = cons tan t
U BC U ECi < U ECi +1
IE
I Bn
caracteristica de ieşire
I E = f (U EC ) I B = cons tan t
I B1
I Bi < I Bi +1
U EC
66
În foaia de catalog pentru fiecare tip de tranzistor în parte pe lângă alte date cum ar fi
valorile limită ale curenţilor, tensiunilor şi frecvenţei de lucru sunt trasate şi aceste curbe de
regim staţionar.
dI i dU i
≠ 0, ≠0 (4.12)
dt dt
electrice măsurate la terminale au variaţii pronunţate în timp:
Pentru studiul regimului dinamic se consideră joncţiunile unui tranzistor de tip n – p –
n în conexiune bază comună înlocuite de două diode ideale. Pentru dioda D1 care modelează
joncţiune emitorului şi care după cum se ştie este polarizată direct se poate adapta relaţia
D1 D2
E IE C U BE
I E = I i e UT − 1 (4.13)
UBE B în care Ii reprezintă curentul invers al
Fig.4.4. Modelarea joncţiunilor tranzistorului joncţiunii iar UT potenţialul termic al
acesteia
caracteristicii statice a unei diode pentru cazul acestei joncţiuni astfel că rezultă:
Analiza regimului dinamic pe baza relaţiei (4.13) este dificilă datorită exponenţialei
U BE
UT
e şi de aceea se caută o formă simplificată obţinută prin liniarizarea acesteia. Pentru a
putea liniariza exponenţială aceasta se dezvoltă într-o serie Taylor din care să considerăm
2 3
U BE
U BE U BE U BE
UT U U T U BE 1 U BE
2
1 U BE
3
e UT
= 1+ + T
+ + = 1+ + ⋅ + ⋅ +
1! 2! 3! U T 2 U T 6 U T (4.14)
U BE
UT U BE
e ≅ 1+
UT
doar primii doi termeni adică:
astfel că relaţia (4.13) de dependenţă dintre curentul de emitor IE şi tensiunea bază – emitor
devine o ecuaţia liniară:
Pentru ca aproximaţia făcută prin neglijarea termenilor de ordin superior să introducă
erori cât mai mici este necesar ca rapoartele să fie subunitare
Îndeplinirea condiţiei (4.16) înseamnă că mărimile electrice au variaţii restrânse într-
un domeniu în jurul unui punct, numit punct static de funcţionare, acest regim de funcţionare
se numeşte regim dinamic de semnal mic.
U BE
<< 1 ⇒ U EB << U T (4.16)
UT
U
I i ⋅ BE
I E = 24 (4.15)
UT
În situaţia funcţionării la semnal mic a tranzistorului acesta poate fi modelat ca un
cuadripol (fig.4.5), adică un bloc la care utilizatorul are acces la 2 borne de intrare şi la 2
borne de ieşire. Pentru acesta dependenţele între
cuadripol mărimile electrice de intrare notate cu indice 1 şi cele
I2 de ieşire notate cu indice 2 sunt liniare.
Prin modelarea tranzistorului ca un cuadripol
I1 şi considerând cazul funcţionării acestuia la joasă
U2 frecvenţă (JF) analiza regimului dinamic se face
U1 U1 = h 11I1 + h 12 U 2
(4.17)
I 2 = h 21I1 + h 22 U 2
utilizând ecuaţiile cu parametrii hibrizi:
Fig.4.5. Tranzistorul ca un unde hij reprezintă parametrii hibrizi, numiţi astfel
cuadripol deoarece au semnificaţii fizice diferite, astfel aceştia
sunt:
1. impedanţa de intrare cu ieşire în scurtcircuit
U1
h 11 = U 2 =0 (4.18)
I1
U1
h 12 = I1 = 0 (4.19)
U2
2. coeficient invers de transfer în tensiune cu intrare în gol
3. coeficient de transfer în curent cu ieşirea în scurtcircuit
4. admitanţa de ieşire cu intrare în gol
În baza acestor ecuaţii cu parametrii hibrizi se poate construi schema echivalentă sau
modelul pentru regimul dinamic al tranzistorului, conform fig.4.6
I
h 21 = 2 U 2 =0 (4.20)
II
h 22 h 22 = 21 I1 = 0 (4.21)
h 12 U 2 U
I1 h 11 I2 2
> La realizarea modelului cu
<< U 2 parametrii hibrizi se consideră prima
U1
h 21I1 ecuaţie din relaţiile (4.17) ca fiind
aplicarea teoremei II a lui Kirchhoff
ţinând seama de natura parametrului
Fig.4.6. Modelul cu parametrii hibrizi h11 iar cea de-a doua ecuaţie din
aceleaşi relaţii se consideră ca fiind aplicarea teoremei I a lui Kirchhoff ţinând seama de
natura parametrului h22. h12 ⋅ U 2 este o sursă de tensiune iar h 21 ⋅ I1 este o sursă de curent.
Deoarece valoarea rezistenţei interne a sursei de tensiune h12 ⋅ U 2 este foarte mică în
( )
raport cu impedanţa de intrare h11 R h 12 ⋅ U << h11 şi cele două sunt conectate aceasta se
2
poate neglija. Valoarea rezistenţei interne a sursei de curent este foarte mare în raport cu
1
admitanţa de ieşire R h 21 ⋅ I1 >> şi cele două sunt conectate în paralel admitanţa se poate
h 22
neglija faţă de rezistenţa sursei de curent.
68
Introducând o rezistenţă suplimentară în bază
E C care să ţină seama de rezistenţa internă a bazei se
<<
rE β ⋅ IB obţine schema echivalentă sau modelul în T a
rB tranzistorului, care de exemplu pentru conexiunea
BC este prezentat în fig.4.7.
unde h11 = rE
B h21 = β
Fig.4.7 Modelul în T al tranzistorului
Deşi circuitul echivalent de cuadripol are aceiaşi structură pentru toate cele 3
conexiuni valoarea parametrilor hij depind de tipul acestora. Funcţie de tipul conexiunii
tranzistorului parametrii hibrizi se notază cu un indice ce permite identificarea conexiunii
astfel se utilizează indicii:
• b pentru conexiunea bază comună (BC), hijb
• e pentru conexiunea emitor comun (EC), hije
• c pentru conexiunea colector comun (EC), hijc
Dacă se cunosc valorile unui grup de parametrii pentru un tip de conexiune de regulă
pentru conexiunea emitor comun pentru care aceştia sunt daţi în foaia de catalog a tipului de
tranzistor respectiv prin calcule algebrice pot fi determinate şi valorile corespunzătoare
celorlalte două tipuri de conexiuni.
În tabelul 4.1. este prezentată dependenţa parametrilor hijb şi hijc în funcţie de parametrii
hije.
Tabel 4.1
Conexiune BC Conexiunea CC
h11b h12b h21b h22b h11c h12c h21c h22c
h11e h11e ⋅ h 22e h h 22e
− h12e − 21e h11e 1-h12e − (1+ h 21e ) h22e
1 + h 21e 1 + h 21e 1 + h 21e 1 + h 21e
I C = M ⋅ (α ⋅ I E + I CB0 ) (4.22)
de multiplicare prin avalanşă relaţia acestui curent devine:
în care M (fig.4.8) este factorul de multiplicare în avalanşă a cărui valoare depinde de
valoarea tensiunii colector – emitor şi a cărui expresie este:
69
M 1
M= n
(4.23)
U
1 − CE
1 U CEstr
U CE
U CEstr unde n = 3÷7 şi UCEstr reprezintă valoarea tensiunii
colector – emitor de la care apare fenomenul ireversibil
Fig.4.8. Factorul de de străpungere a joncţiunii. Astfel dacă valoarea tensiunii
multiplicare în avalanşă colector – emitor UCE este inferioară valorii tensiunii de
străpungere adică UCE < UCEstr rezultă o valoare a
factorului de multiplicare în avalanşă aproape unitară (M≈1), ceea ce înseamnă că relaţia
(4.22) va fi similară relaţiei (4.5)
Prima limitare se impune în domeniul caracteristicilor de ieşire asupra tensiunii UCE
prin realizarea condiţiei:
U CE ≤ U CE max (4.24)
în care Ucemax reprezintă valoarea maxim admisibilă a tensiunii UCE şi este un parametru de
catalog al tranzistorului. Valoarea acestui parametru îndeplineşte condiţia UCEmax < UCest.
Relaţia (4.24) reprezintă în domeniul caracteristicilor statice de ieşire, IC = f(UCE), o
semidreaptă paralelă cu ordonată având punctul de intersecţie cu abscisa UCE = Ucemax
(fig.4.9).
Rezultă că funcţionarea tranzistorului trebuie să corespundă unui punct situat în stânga
acestei semidrepte.
Se impun de asemenea limitări şi asupra şi asupra celorlalte tensiunii ale
tranzistorului, astfel:
U BE ≤ U BE max
(4.25)
U CB ≤ U CB max
A doua limitare se impune asupra curentului de colector prin realizarea condiţiei:
I C ≤ I C max (4.26)
care evită pe lângă distrugerea joncţiunii şi funcţionarea într-o zonă a caracteristicii cu
performanţe reduse ( β mic).
Relaţia (4.26) reprezintă în domeniul caracteristicilor statice de ieşire, IC = f(UCE), o
semidreaptă paralelă cu abscisa având punctul de intersecţie cu ordonata IC = Icmax (fig.4.9)
Rezultă că funcţionarea tranzistorului trebuie să corespundă unui punct situat sub
această semidreaptă.
A treia limitare se impune puterii dezvoltate în tranzistor, având în vedere că puterea
consumată la sursa de alimentare se transformă în putere a semnalului util şi căldură disipată
pe tranzistor. Puterea disipată pe tranzistor duce la o creştere a temperaturii joncţiunii Tj care
este limitată la Ge la 85 0C iar la Si la 150 0C. Valoarea acesteia este dată de produsul
tensiunii şi curentului pe circuitul de ieşire al tranzistorului care pentru conexiunea emitor
comun EC este circuitul colector – emitor. Depăşirea puterii disipate maxime admisibile Pdmax
conduce la fenomenul de ambalare termică care poate iniţia fenomenul de multiplicare în
avalanşă al purtătorilor de sarcină.
70
Pd ≤ Pd max
(4.27)
U CE ⋅ I C ≤ Pd max
Limitarea impusă puterii dezvoltate în tranzistor înseamnă realizarea condiţiei:
Puterea disipată Pd depinde de temperatura mediului şi de modul de transfer al
căldurii de la joncţiune la mediu caracterizat de rezistenţa termică, rezistenţa termică
joncţiunea – mediu poate fi scăzută prin utilizarea de radiatoare.
Din relaţia (4.27) rezultă:
Pd max
IC = (4.28)
U CE
şi această relaţie într-un sistem IC = f(UCE) reprezintă o hiperbolă numită hiperbolă de
disipaţie. Rezultă că funcţionarea tranzistorului trebuie să corespundă unui punct situat sub
această hiperbolă.
Având în vedere limitările impuse tensiunii Uce, curentului Ic şi puterii Pd pe
caracteristicile de ieşire se poate trasa un domeniu admisibil de funcţionare, numit zonă activă
normală, ZAN (fig.4.9.a) în care se poate fixa punctul static de funcţionare (PSF).
dreapta de sarcina
IC U CE = U CE max
+ EC
EC
RC RC
I C max I C = I C max
hiperbola de disipatie IC
T
UCE
domeniu PSF
admisibil ZAN U CE
U EC max E C a) b)
1 1
E C = R C ⋅ I C + U CE ⇒ IC = ⋅ EC − ⋅ U CE (4.29)
RC RC
teorema II Kirchhoff se poate scrie:
Relaţia obţinută reprezintă ecuaţia dreptei de sarcină, în sistemul de axe IC = f(UCE)
este ecuaţia unei drepte a cărei reprezentare se face prin tăieturi (pe baza intersecţiilor cu
axele) astfel intersecţia cu abscisa (pentru IC = 0) este dată de punctul UCE = EC iar intersecţia
E
cu ordonata (pentru UCE = 0) este dată de punctul I C = C
RC
4.6. Polarizarea şi stabilizarea termică a tranzistorului
4.6.1. Definire
71
Polarizarea unui tranzistor constă în totalitatea măsurilor care se iau pentru asigurarea
funcţionării acestuia într-un punct bine definit în domeniul caracteristicilor de ieşire denumit
punct static de funcţionare PSF care va avea coordonatele: UCE0, IC0, IB0 (indicele 0 indică
valorile acestor mărimi electrice corespunzătoare punctului static de funcţionare).
Stabilizarea termică reprezintă un ansamblu de măsuri care se iau pentru a elimina
influenţa variaţiilor de temperatură asupra punctului static de funcţionare.
Cea mai mare influenţă o are temperatura asupra curentului ICB0 care orientativ se
dublează la fiecare creştere a temperaturii tranzistorului cu 10 0C şi asupra factorului de
amplificare β.
Aprecierea stabilizării termice se face printr-o mărime numită coeficient de
stabilizare termică S ce ţine seama de influenţa curentului rezidual ICB0 asupra poziţiei
punctului static de funcţionare prin intermediul valorii curentului de colector IC şi este definit
prin relaţia:
dI C
S= (4.30)
dI CB0
Influenţa temperaturii asupra poziţiei punctului static de funcţionare este cu atât mai
mică cu cât valoarea coeficientului de stabilizare termică este mai aproape de 1 (S → 1).
Deoarece curentul rezidual ICB0 este un curent de structură al tranzistorului şi nu poate fi
măsurat se caută o relaţie de calcul al coeficientului de stabilizare termică pe baza valorilor
mărimilor electrice măsurabile la terminalele tranzistorului.
Se consideră relaţia de definire a curentului de colector conform ecuaţiilor de
I C = β ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0 (4.31)
funcţionare ale tranzistorului:
care prin derivare în raport cu temperatura T cu neglijarea în această etapă a influenţei
dI
temperaturii asupra coeficientului de transfer β şi împărţire cu C devine:
dT
dI C dI dI dI C
= β ⋅ B + (β + 1) ⋅ CB0 /:
dT dT dT dT
dI dI
1 = β ⋅ B + (β + 1) ⋅ CB0 (4.32)
dI C dI
C
1
S
dI B β + 1
1− β ⋅ = (4.33)
dI C S
1
şi se observă că cel de-al doilea termen al membrului drept al ecuaţiei conţine cantitatea
S
astfel că relaţia (4.31) devine:
de unde rezultă expresia coeficientului de stabilizare termică definit prin mărimi electrice
măsurabile la terminalele tranzistorului:
β +1
S = 29 (4.34)
dI
1− β ⋅ B
dI C
Se observă din relaţia (4.33) că pentru îndeplinirea condiţiei la limită de stabilitate
dI
termică absolută adică S = 1 este necesară îndeplinirea condiţiei B = −1 ceea ce înseamnă
dI C
că dI B = −dI C . Această dependenţă dintre cei doi curenţi se interpretează astfel: variaţia
curentului de bază IB trebuie să fie inversă variaţiei curentului de colector IC.
Îndeplinirea acestei condiţii presupune realizarea unei legături între cei doi curenţi
legătură ce se numeşte reacţie. Datorită sensului de variaţie reacţia se numeşte negativă.
Este necesar ca prin schema de polarizare să se asigure şi stabilizarea termică a
poziţiei punctului static de funcţionare.
Din punct de vedere al polarizării şi stabilizării termice există următoarele scheme de
polarizare:
polarizarea independentă;
polarizarea cu reacţie din colector;
polarizarea cu reacţie din emitor;
polarizarea automată sau cu divizor rezistiv în bază.
Analiza acestor scheme din punct de vedere al polarizării şi stabilizării termice
presupune calculul mărimilor electrice ce definesc poziţia punctului static de funcţionare
adică valorile UCE0, IC0, IB0 şi coeficientului de stabilizare termică al schemei
U CE
U CE 0 EC
73
Fig.4.11. Fixarea punctului static de funcţionare
definesc punctul static de funcţionare şi deci şi poziţia acestuia, putând la limită să aducă
acest punct în zona de saturaţie sau de blocare determinând funcţionarea necorespunzătoare a
tranzistorului.
Valoarea curentului de bază IB este determinată de valoarea tensiunii de alimentare EC,
de valoarea tensiunii UBE care reprezintă căderea de tensiune pe joncţiunea emitorului şi care
se polarizează direct astfel că valoarea acestei tensiuni este U BE ≅ 0,6 V precum şi de
valoarea rezistenţei RB presupusă cunoscută.
Prin determinarea valorii curentului IB, în punctul static de funcţionare IB0, pe baza
ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului se poate determina valoarea curentului de colector,
IC, în punctul static de funcţionare, IC0:
I C = I C0 = β ⋅ I B0 + (β + 1) ⋅ I CB0 ≅ β ⋅ I B0 (4.38)
Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor rezultă, expresia
tensiunii colector – emitor în punctul static de funcţionare, UCE0:
E C = R C ⋅ I C + U CE
(4.39)
U CE = U CE 0 = E C − R C ⋅ I C0
deci poziţia punctului static de funcţionare este determinată de valorile calculate IB0, IC0, UCE0,
fig.4.11.
IB =
1
⋅E(E C=−RU BE
⋅ (I) −+ I R) +C R ⋅⋅IIC + U = (4.43)
RC + RB C C C RC B + R BB B BE
(4.42)
= (R C + R B ) ⋅ I B + R C ⋅ I C + U BE
astfel că:
dI B RC
=− (4.44)
dI C RC + RB
Expresia coeficientului de stabilizare termică devine:
β +1 β +1
S= = (4.45)
dI RC
1− β ⋅ B 1+ β ⋅
dI C RC + RB
74
Analizând relaţia (4.45) se observă că îndeplinirea condiţiei de stabilitate absolută
RC
(S = 1) presupune îndeplinirea condiţiei = 1 realizabilă numai dacă R B = 0 ceea ce
RC + RB
înseamnă un scurtcircuit între colector şi bază adică eliminarea (şuntarea) joncţiunii
colectorului, ceea ce nu poate fi posibil pentru că nu mai sunt îndeplinite condiţiile de
funcţionare ale tranzistorului. Deci valoarea rezistenţei RB trebuie să fie diferită de zero
( R B > 0 ) conducând la înrăutăţirea stabilizării termice cu cât valoarea acestei rezistenţe este
mai mare. Deoarece o valoare prea mică a acestei rezistenţe determină un curent în baza
tranzistorului prea mare care multiplicat cu β generează valoarea curentului de colector şi care
poate depăşi valoarea maxim admisibilă ICmax, astfel că se realizează un compromis între
asigurarea polarizării şi stabilizării termice corespunzătoare a tranzistorului.
Pentru determinarea poziţiei punctului static de funcţionare se determină expresia
curentului din bază plecând de la relaţia (4.43) şi ţinând seama de ecuaţiile de funcţionare ale
tranzistorului ( I C = β ⋅ I B ):
1 RC
IB = ⋅ (E C − U BE ) − ⋅β ⋅ IB (4.46)
RC + RB RC + RB
R C E C − U BE
I B ⋅ 1 + β ⋅ = (4.47)
R C + R B R C + R B
de unde:
astfel că expresia curentului din bază, corespunzător punctului static de funcţionare IB0 va fi:
Valoarea curentului de bază IB este determinată de valoarea tensiunii de alimentare EC,
de valoarea tensiunii UBE care reprezintă căderea de tensiune pe joncţiunea emitorului şi care
se polarizează direct astfel că valoarea acestei tensiuni este U BE ≅ 0,6 V precum şi de
E C − U BE
I B = I B0 = (4.48)
R C ⋅ (β + 1) + R B
valoarea rezistenţelor RB şi RC presupuse cunoscute şi a parametrului constructiv al
tranzistorului, coeficientul β.
Prin determinarea valorii curentului IB, în punctul static de funcţionare IB0, pe baza
ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului se poate determina valoarea curentului de colector,
IC, în punctul static de funcţionare, IC0:
I C = I C0 = β ⋅ I B0 + (β + 1) ⋅ I CB0 ≅ β ⋅ I B0 (4.49)
Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor rezultă, expresia
tensiunii colector – emitor în punctul static de funcţionare,
+ EC UCE0:
E C = R C ⋅ I + U CE = R C ⋅ (I C + I B ) + U CE
RB (4.50)
U CE = U CE 0 = E C − R C ⋅ (I C0 + I B0 )
IB T
deci poziţia punctului static de funcţionare este determinată de
UCE valorile calculate IB0, IC0, UCE0, fig.4.11.
UBE 4.6.4. Polarizarea cu reacţie din emitor
RE
IE
75
Fig.4.13. Polarizarea
cu reacţie din emitor
În cazul acestei scheme de polarizare (fig.4.13) baza tranzistorului este conectată la
sursa de alimentare +EC prin intermediul rezistenţei de limitare RB care stabileşte valoarea
curentului de bază IB şi se introduce o rezistenţă RE între emitorul tranzistorului şi masa
circuitului.
E C = R B ⋅ I B + U BE + R E ⋅ I E (4.51)
Aplicând teorema II Kirchhoff pe circuitul bază – emitor al tranzistorului rezultă:
E C = R B ⋅ I B + U BE + R E ⋅ (I B + I C ) = (R B + R E ) ⋅ I B + U BE + R E ⋅ I C
şi ţinând seama de ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului ( I E = I B + I C ) se obţine:
1 RE
IB = ⋅ (E C − U BE ) − ⋅ IC (4.52)
RB + RE RB + RE
de unde prin explicitarea curentul IB se obţine:
dI B RE
=− (4.53)
dI C RB + RE
astfel că:
Expresia coeficientului de stabilizare termică devine:
Analizând relaţia (4.54), similară relaţiei (4.45), se observă că îndeplinirea condiţiei de
RE
stabilitate absolută (S = 1) presupune îndeplinirea condiţiei = 1 realizabilă numai
RB + RE
β +1 β +1
S= = (4.54)
dI RE
1− β ⋅ B 1+ β ⋅
dI C RB + RE
dacă R B = 0 ceea ce înseamnă un scurtcircuit între colector şi bază adică eliminarea
(şuntarea) joncţiunii colectorului, ceea ce nu poate fi posibil pentru că nu mai sunt îndeplinite
condiţiile de funcţionare ale tranzistorului. Deci valoarea rezistenţei RB trebuie să fie diferită
de zero ( R B > 0 ) conducând la înrăutăţirea stabilizării termice cu cât valoarea acestei
rezistenţe este mai mare. Deoarece o valoare prea mică a acestei rezistenţe determină un
curent în baza tranzistorului prea mare care multiplicat cu β generează valoarea curentului de
colector şi care poate depăşi valoarea maxim admisibilă ICmax, astfel că se realizează un
compromis între asigurarea polarizării şi stabilizării termice corespunzătoare a tranzistorului.
Pentru determinarea poziţiei punctului static de funcţionare se determină expresia
curentului din bază plecând de la relaţia (4.52) şi ţinând seama de ecuaţiile de funcţionare ale
tranzistorului ( I C = β ⋅ I B ):
1 RB
IB = ⋅ (E C − U BE ) − ⋅β ⋅ IB (4.55)
RB + RE RB + RE
76
de unde:
astfel că expresia curentului din bază, corespunzător punctului static de funcţionare IB0 va fi:
Valoarea curentului de bază IB este determinată de valoarea tensiunii de alimentare EC,
de valoarea tensiunii UBE care reprezintă căderea de tensiune pe joncţiunea emitorului şi care
R E E C − U BE
I B ⋅ 1 + β ⋅ = (4.56)
R E+CR−E U BE R B + R E
I B = I B0 = B (4.57)
R E ⋅ (β + 1) + R B
se polarizează direct astfel că valoarea acestei tensiuni este U BE ≅ 0,6 V precum şi de
valoarea rezistenţelor RB şi RC presupuse cunoscute şi a parametrului constructiv al
tranzistorului, coeficientul β.
Prin determinarea valorii curentului IB, în punctul static de funcţionare IB0, pe baza
ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului se poate determina valoarea curentului de colector,
IC, în punctul static de funcţionare, IC0:
I C = I C0 = β ⋅ I B0 + (β + 1) ⋅ I CB0 ≅ β ⋅ I B0 (4.58)
Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor rezultă, expresia
tensiunii colector – emitor în punctul static de funcţionare, UCE0:
E C = U CE + R E ⋅ I E = U CE + R E ⋅ (I C + I B )
(4.59)
U CE = U CE 0 = E C − R E ⋅ (I C0 + I B0 )
deci poziţia punctului static de funcţionare este determinată de valorile calculate IB0, IC0, UCE0,
conform fig.4.11. se observă o similitudine perfectă între schemele de polarizare cu reacţie
din emitor şi din colector diferenţa fiind dată de înlocuirea rezistenţelor RC şi RE în expresiile
coeficientului de stabilizare termică şi ale coordonatelor punctului static de funcţionare.
I1 = I 2 + I B
E C = R1I1 + R 2 I 2 (4.60)
0 = R E I E + U BE − R 2 I 2
nodurile şi ochiurile de reţea din circuitul bază – emitor al tranzistorului, rezultând astfel:
Înlocuind în ecuaţia a 3 – a curentul de emitor IE în funcţie de curenţii IB şi IC pe baza
ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului, se obţine:
IC + EC
RC R 2 ⋅ I 2 = R E ⋅ (I B + IC ) + U BE (4.61)
R1
RE R 1
I2 = ⋅ I B + E ⋅ IC + ⋅ U BE (4.62)
I1 IB T R2 R2 R2
U CE
I2 de unde rezultă expresia curentului I2:
U BE Ţinând seama de relaţia (4.62) şi de prima
R2 ecuaţie din relaţiile (4.60) se obţine:
EB RE
RE + R2 R 1
IE I1 = ⋅ I B + E ⋅ IC + ⋅ U BE (4.63)
R2 R2 R2
E C = R E ⋅ I B + R E ⋅ IC + U R2 + R1 ⋅ R 2
BE ⋅ E C = R E +
⋅ I B + R E ⋅ IC + U BE (4.66)
R + R R + R
R
+ 1 ⋅ (R EE+C R=2)R
1 R1 R 2
2
⋅ IEB ⋅+R1 +
R 1
⋅ R E+⋅ IRC1+ ⋅ I B1 +⋅ URBE R1 + R 2
(4.64)
2
R + R2
E ⋅ ⋅ IC + 1 ⋅ U BE (4.65)
R2 RR2 2 R2 R2 R2
R2
Prin înmulţirea relaţiei (4.65) cu expresia ≠ 0 se obţine:
R1 + R 2
R2
Analizând relaţia (4.66) se observă că ⋅ E C reprezintă expresia divizorului de
R1 + R 2
R1 ⋅ R 2
tensiune format de grupul R1 şi R2 faţă de tensiunea de alimentare EC şi că
R1 + R 2
reprezintă rezistenţa echivalentă a conexiunii paralel a rezistenţelor R1 şi R2. Din punct de
vedere rezistiv, prin pasivizarea circuitului, şi având în vedere rezistenţa internă neglijabilă a
sursei de tensiune EC faţă de masă cele două rezistenţe
R1 şi R2 sunt conectate în paralel. + EC
Dacă se introduc notaţiile: RC
R2
EB = ⋅ EC IC
R1 + R 2 T
(4.67) IB
R1 ⋅ R 2
RB = U CE
R1 + R 2 U BE
se poate obţine o schema echivalentă a circuitului de RB
polarizarea automată a cărei structură este prezentată în RE
fig.4.15 EB
Prin explicitarea curentului de bază IB din IE
R2
⋅ E C − U BE Fig.4.15. Schema echivalentă a
R1 + R 2 RE
IB = − circuitului
⋅I de polarizarea automată
(4.68)
R1 ⋅ R 2 R1 ⋅ R 2 C
RE + RE +
R1 + R 2 R1 + R 2
expresia (4.66) se obţine:
şi prin derivare în raport cu IC, rezultă:
78
dI B RE
=− (4.69)
dI C R ⋅R
RE + 1 2
R1 + R 2
β +1 β +1
S= = (4.70)
dI RE
1− β ⋅ B 1+ β ⋅
dI C R ⋅R
RE + 1 2
R1 + R 2
de unde coeficientul de stabilizare termică:
Se observă că îndeplinirea condiţiei de stabilitate absolută (S = 1) presupune
RE R ⋅R
îndeplinirea condiţiei = 1 realizabilă numai dacă 1 2 = 0 , adică fie R1 = 0
R ⋅R R1 + R 2
RE + 1 2
R1 + R 2
fie R2 = 0. Îndeplinirea condiţiei R1 = 0 înseamnă conectarea bazei direct la +EC ceea ce
înseamnă că tranzistorul va fi în regim de saturaţie permanentă iar îndeplinirea condiţiei R2 =
0 înseamnă conectarea bazei direct la masă ceea ce înseamnă că tranzistorul va fi în regim de
blocare permanentă. Deci valorile rezistenţelor R1 şi R2 trebuie să fie diferite de zero
( R 1 > 0; R 2 > 0 ) Prin alegerea corespunzătoare a raportului dintre rezistenţele R1 şi R2 se
poate realiza un compromis între asigurarea polarizării şi stabilizării termice corespunzătoare
a tranzistorului.
Această schemă de polarizare asigură cele mai bune condiţii tehnice pentru asigurarea
stabilizării termice deoarece presupune realizarea unui raport dintre două valori de rezistenţe.
Pentru determinarea poziţiei punctului static de funcţionare se determină expresia
curentului din bază plecând de la relaţia (4.52) şi ţinând seama de ecuaţiile de funcţionare ale
R2
⋅ E C − U BE
R1 + R 2 RE
IB = −β⋅ ⋅ IB (4.71)
R ⋅R R ⋅R
RE + 1 2 RE + 1 2
R1 + R 2 R1 + R 2
tranzistorului ( I C = β ⋅ I B ), astfel că relaţia (4.68) devine:
Prin explicitarea curentului IB din această relaţie se obţine valoarea acestui curent
corespunzătoare punctului static de funcţionare:
Valoarea curentului de bază IB este determinată de valoarea tensiunii de alimentare EC,
de valoarea tensiunii UBE care reprezintă căderea de tensiune pe joncţiunea emitorului şi care
se polarizează direct astfel că valoarea acestei tensiuni este U BE ≅ 0,6 V precum şi de
valoarea rezistenţelor R1, R2 şi RE presupuse cunoscute şi a parametrului constructiv al
tranzistorului, coeficientul β.
R2
E C − U BE
R1 + R 2
I B = I B0 = (4.72)
R1 ⋅ R 2
+ (β + 1) ⋅ R E
R1 + R 2
79
Prin determinarea valorii curentului IB, în punctul static de funcţionare IB0, pe baza
ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului se poate determina valoarea curentului de colector,
IC, în punctul static de funcţionare, IC0:
I C = I C0 = β ⋅ I B0 + (β + 1) ⋅ I CB0 ≅ β ⋅ I B0 (4.73)
Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor rezultă, expresia
tensiunii colector – emitor în punctul static de funcţionare, UCE0:
E C = R C ⋅ I C + U CE + R E ⋅ I E = R C ⋅ I C + U CE + R E ⋅ (I C + I B )
(4.74)
U CE = U CE 0 = E C − (R C + R E ) ⋅ I C0 − R E ⋅ I B0
deci poziţia punctului static de funcţionare este determinată de valorile calculate IB0, IC0, UCE0,
conform fig.4.11.
80
E C = R1 ⋅ I1 + U BE + R E ⋅ I E
I1 = I B + Ii
(4.75)
I E = IC + I B
I C = β ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0
β +1 β +1
EC = ⋅ (R 1 + R E ) ⋅ I C − ⋅ (R 1 + R E ) ⋅ I CB0 + R 1 ⋅ Ii + U BE (4.76)
β β
β R1
I CB0 − ⋅ ⋅ Ii = 0 (4.78)
β + 1 R1 + R E
β + 1 R1 + R E 1 1
Ii = ⋅ ⋅ I CB0 = 1 + ⋅ 1 + ⋅ I CB0 (4.79)
β RE β RE
Eliminând între aceste ecuaţii curenţii I1, IB şi IE se obţine:
De unde rezultă expresia curentului de colector:
Compensarea absolută a variaţiei curentului ICB0 cu temperatura se poate obţine când
termenii relaţiei (4.77) ce conţin variabilele ICB0 şi Ii sunt egali, adică:
β E C − U BE β R1
IC = ⋅ + I CB0 − ⋅ ⋅ Ii (4.77)
β + 1 R1 + R E β + 1 R1 + R E
Din această relaţie se va obţine curentul invers al diodei necesar compensării
În concluzie este necesară alegerea unei diode care are la aceiaşi temperatură cu
tranzistorul a cărei compensare termică o realizează un curent invers dat de relaţia (4.79)
astfel încât curentul de colector IC nu va mai fi dependent de ICB0. Dacă această condiţie nu
poate fi îndeplinită riguros se conectează rezistenţe în serie sau paralel cu dioda astfel încât să
se realizeze o compensare cât mai aproape de cea ideală.
81
Schema de compensare din fig.4.16.b. utilizează o diodă D conectată în serie cu
emitorul tranzistorului a cărei compensare
+ EC urmează să o realizeze. Dioda este polarizată
R direct prin rezistenţa R.
Prin dioda D va curge curentul IE şi
IC curentul I a cărui valoare este stabilită prin
T rezistenţa R destul de mare astfel încât acesta să
IB I
U CE fie practic constant.
Se consideră schema echivalentă a
U BE
IE circuitului de polarizare automată conform
RB fig.4.15 completată cu elementul de stabilizare
termică rezultând schema echivalentă conform
EB RE fig.4.17 unde UD reprezintă căderea de tensiune
UD pe dioda D. Aplicând teorema II Kirchhoff pe
E B = R B ⋅ I B + U BE + U D (4.80)
Fig.4.17. Schema echivalentă a circuitului
de polarizare şi stabilizare cu diodă
E B − U BE U D
IB = − (4.81)
RB RB
circuitul bază – emitor se obţine:
de unde rezultă:
Se observă din relaţia obţinută că tendinţele de creştere ale curentului IC(deci implicit
si ale curentului IE=IC+IB) determină (având în vedere caracteristica diodei) creşterea căderii
de tensiune pe aceasta UD şi implicit scăderea curentului IB. La rândul său scăderea curentului
IB determină pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului scăderea deci compensare
creşterii curentului IC. Această schemă realizează o compensare mai pronunţată a variaţiei
tensiunii UBE cu temperatura.
Principiile de polarizare şi stabilizare ce utilizează diode semiconductoare sunt
prezentate în fig.4.18.a şi respectiv fig.4.18.b
Schema din fig.4.18.a reprezintă o variantă modificată a schemei de polarizare
automată în care divizorul rezistiv este format din rezistenţa R1 şi termistorul RT iar în cazul
considerat este eliminată rezistenţa RE. Aplicând teorema II Kirchhoff şi teorema I Kirchhoff
E C = R 1 ⋅ I1 + U BE
⇒ E C = R 1 ⋅ (I B + I T ) + U BE (4.82)
I1 = I B + I T
pe circuitul bază – emitor rezultă:
U BE
Din aceiaşi schemă rezultă că R T ⋅ I T = U BE deci I T = şi ţinând seama de relaţia
RT
EC 1 1
IB = − + ⋅ U BE (4.83)
R 1 R T R 1
(4.82) se poate explicita curentul de bază IB a cărui expresie va fi:
Creşterea temperaturii determină creşterea curentului de colector şi scăderea
rezistenţei RT ceea ce va determina conform relaţiei (4.83) scăderea curentului IB. La rândul
său scăderea curentului IB determină pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului
82
scăderea deci compensare creşterii curentului IC. Această schemă realizează o compensare
mai pronunţată a variaţiei tensiunii UBE cu temperatura.
IC + EC IC + EC
RC RC
IT
R1 R1
RT
T I1 IB T to
I1 IB
I2
IT U BE U BE IE termistor
o
t
RT RE R2 RE
termistor URE
a) a)
E B = R B ⋅ I B + U BE + U RE
E B − U BE U RE (4.84)
IB = −
RB RB
fig.4.15 se poate scrie:
şi se observă că o creştere a căderi de tensiune URE determină reducerea curentului IB. La
rândul său scăderea curentului IB determină pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului
scăderea deci compensare creşterii curentului IC
83
Capacităţile CB şi CC reprezintă capacităţi de cuplare cu sursa de semnal care
generează semnalul de intrare u şi respectiv
+ EC cu sarcina amplificatorului căreia îi este
RC aplicat semnalul de ieşire y. Rolul acestor
R1 C C capacităţi este de permite numai semnalului
CB util (semnal variabil în timp să treacă prin
acestea şi de a bloca componentele
T
continue).Valorile acestor capacităţi se
aleg astfel încât reactanţa capacitivă a
R2 CE y acestora:
u 1
RE XCB = =0
2 ⋅ π ⋅ f ⋅ CB
(4.85)
1
XCC = =0
Fig.4.19. Schema amplificatorului elementar 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ CC
să fie nulă şi să se comporte ca scurtcircuite
+EC pentru gama de frecvenţă f a semnalului de
R1 RC intrare u în care lucrează amplificatorul.
CB rB β IB C C Capacitatea CE reprezintă
capacitatea de decuplare a emitorului şi are
rolul de a pune la masă variaţiile tensiunii
rE colector – emitor. Şi valoarea acestei
R2
T - model cu capacităţi se alege astfel încât să fie nulă
parametrii pentru gama de frecvenţă f în care lucrează
CE amplificatorul.
naturali
RE Prin înlocuirea tranzistorului T cu
schema acestuia corespunzătoare regimului
dinamic de funcţionare al tranzistorului
bipolar se obţine schema echivalentă din
Fig.4.20. Utilizarea modelului tranzistorului fig.4.20.
B rB Rezistenţele RC şi R1 se consideră
C
conectate la masă din punct de vedere
rE rezistiv dacă se consideră neglijabilă
β IB rezistenţa internă a sursei de alimentare EC,
R2 R1 RC care este o sursă de tensiune. Prin
RB scurtcircuitarea capacităţii CE este scoasă
E E din circuitul echivalent pentru regim
dinamic şi rezistenţa RE, astfel că schema
Fig.4.21. Modelul echivalent al echivalentă se transformă conform fig.4.21.
amplificatorului Rezistenţa de intrare este rezistenţa
măsurată între bază B şi emitor E adică:
Ri = RB {r + [r (R
B E βIB + RC ) ]} (4.86)
R1 ⋅ R 2
R B = R1 R 2 = (4.87)
R1 + R 2
unde RB este rezistenţa echivalentă a rezistenţelor R1 şi R2 conectate în paralel adică:
iar RβIB este rezistenţa internă a sursei de curent din colectorul tranzistorului.
84
Deoarece:
R βIB + R C >> rE
(4.88)
rB + rE << R B
R i = rB + rE′ (4.89)
relaţia rezistenţei de intrare Ri devine
În relaţia (4.89) s-a introdus rezistenţa echivalentă a emitorului rE′ ≠ rE deoarece
conform relaţiei (4.86) reduse prin îndeplinirea condiţiilor (4.88) ar rezulta că rezistenţele
emitorului rE şi bazei rB sunt conectate în serie adică sunt parcurse de acelaşi curent IB. În
realitate numai rezistenţa rB este parcursă de acest curent iar rezistenţa rE este parcursă de
curentul de emitor IE. Datorită acestui fapt rezistenţa rE se înlocuieşte cu echivalentul acesteia
r’E şi între aceste două rezistenţe este aceiaşi relaţie care există între curenţii de emitor IE şi
respectiv de bază IB adică:
I E = (β + 1) ⋅ I B (4.90)
rE′ = (β + 1) ⋅ rE (4.91)
R i = rB + (β + 1) ⋅ rB (4.92)
şi deci:
astfel că rezistenţa de intrare devine:
adică o rezistenţă de intrare relativ mare datorită parametrului β.
Rezistenţa de ieşire este rezistenţa măsurată între bază C şi emitor E adică:
Ro = R C {R βIB + [rE (rB + R B ) ] } (4.93)
RO = RC (4.95)
adică rezistenţa echivalentă este dată de valoarea rezistenţei din colector deci:
Amplificarea în tensiune este dată de raportul dintre tensiunea la ieşire y (dată de
produsul dintre rezistenţa de ieşire Ro şi curentul de ieşire IC) şi tensiunea de la intrare u (dată
de produsul dintre rezistenţa de intrare Ri şi curentul de ieşire IB):
85
y R o ⋅ IC R C ⋅ IC R C ⋅ β ⋅ IB RC
AU = = = = = β⋅ (4.96)
u R i ⋅ I B [rB + (β + 1) ⋅ rE ]⋅ I B [rB + (β + 1) ⋅ rE ]⋅ I B [rB + (β + 1) ⋅ rE ]
IC β ⋅ IB
AI = = =β (4.97)
IB IB
Amplificarea în curent este raportul dintre curentul de ieşire IC şi curentul de la intrare IB:
4.9. Regimul de comutaţie al tranzistorului bipolar
Regimul de comutaţie al unui dispozitiv semiconductor este definit ca reprezentând
trecerea bruscă din starea de blocare în starea de conducţie (conducţie directă) şi invers din
starea de conducţie în starea de blocare (conducţie inversă). Starea de conducţie înseamnă
deschiderea joncţiunii colectorului astfel încât curentul de colector are valoarea maximă iar
starea de blocare blocarea joncţiunii colectorului astfel încât curentul de colector este practic
nul.
Acest regim este întâlnit în aplicaţii privind formarea, generarea şi prelucrarea
impulsurilor şi reprezintă un caz particular al funcţionării tranzistorului în regim variabil de
semnal mare unde nu se mai poate neglija comportarea neliniară a acestuia.
Semnalul de comandă variază foarte rapid în timp astfel că problema de rezolvat este o
problemă neliniară la frecvenţe mari. Tranzistorul bipolar se comportă foarte bine în regim de
comutator funcţionând în conexiune emitor – comun (EC), fig.4.22.a
IC dreapta de sarcina
+ EC EC
RC
RC
B
IC I CS B1
IB RB
T UCE IB = 0
u A1
A
U CES b) EC U CE
a)
Fig.4.22. Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie
Tranzistorul este blocat când ambele joncţiuni sunt polarizate invers, curentul de
colector al tranzistorului fiind curentul invers al joncţiunii colectorului adică I C = I CB0 practic
nul, iar în conexiunea EC I C = I CE 0 = (β + 1) ⋅ I CB0 ceea ce înseamnă că valoarea curentului în
baza tranzistorului IB trebuie să fie nul, deoarece din ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului
se ştie că:
I C = β ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0 conditii îndeplinite simul tan numai dacă
→ I B = 0 (4.98)
I C = I CE 0
acesta corespunzând punctului A1 pe caracteristica de ieşire prezentată în fig.4.22.b. Deoarece
la tranzistorii din Si valoarea curentului ICB0 este foarte mică practic punctele A1 şi A
coincid.
Starea de conducţie a tranzistorului corespunde funcţionării acestuia în zona de
saturaţie sau la limita dintre zona activă normală şi zona de saturaţie, punctului B pe
caracteristica de ieşire prezentată în fig.4.22.b. La intrarea în saturaţie tensiunea UCES are
E C − U CES E C
I CS = = (4.99)
RC RC
86
valori cuprinse în intervalul U CE = (0,2 0,5) V şi această valoare poate fi neglijată în raport
cu valoarea tensiunii de alimentare, EC astfel că valoarea curentului de colector la saturaţie ICS
va fi:
La limita dintre zona activă normală şi regiunea de saturaţie (UCB=0, saturaţie
incipientă), acestui curent de colector îi va corespunde un curent de bază de saturaţie, IBS:
I CS EC
I BS = = (4.100)
β β⋅ RC
Oricât de mult ar creşte curentul de bază peste valoarea IBS curentul de colector rămâne la
IC ≤ β ⋅ IB (4.101)
valoarea ICS, astfel în regiunea de saturaţie este îndeplinită condiţia:
Pentru analiza regimului de comutaţie se consideră că tranzistorul este supus unei
mărimi de intrare u de tip impuls (fig.4.23.a) şi se studiază calitativ efectele induse în
funcţionarea tranzistorului în aceste condiţii:
Până în momentul t0 se
u
E1 presupune tranzistorul blocat
a) (IB=0, IC=0) şi în acest moment
t trensiunea de la intrare u îşi
schimbă valoarea printr-un salt de
E2
la valoarea E 2 ≤ 0 la o valoare
E1>0. Curentul de bază IB are şi el
un salt de la valoarea 0 la
IB1 b) E
valoarea I B1 = 1 şi acest salt se
RB
t
petrece într-un timp td, până în
IB2
momentul t1 (fig.4.23.b)
tcd tci Curentul de colector
IC td tr ts tc începe să crească după un timp
ICmax (momentul t1) necesar ca
0,9ICmax purtătorii de sarcină injectaţi de
ti c) emitor în bază să ajungă în
colector, şi acesta reprezintă
0,1ICmax t timpul de întârziere ti.
După ce tranzistorul intră
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 în zona activă normală
(reprezentat de momentul t1)
Fig.4.23. Formele de undă în regim de comutaţie curentul de colector nu creşte
brusc la valoarea ICmax, atingând
valoarea 0,9 ⋅ I C max după un interval de timp, tr, numit timp de creştere sau de ridicare. Acest
timp de ridicare se defineşte ca fiind intervalul de timp scurs din momentul aplicării comenzii
de comutaţie până în momentul când curentul de colector ajunge la 0,9 din valoarea finală
ICmax. Dacă ICmax<ICS comutaţia se va realiza în zona activă normală şi valoarea timpului de
creştere este determinată de parametrii joncţiunii, în special capacitatea electrică a joncţiunii
dintre bază şi colector şi de durata de viaţă a purtătorilor de sarcină.
Având în vedere definirea celor trei intervale de timp se poate defini timpul de
comutaţie directă (tcd) ca fiind intervalul de timp din momentul aplicării comenzii până în
momentul t3 în care curentul de colector ajunge la 0,9 din valoarea finală ICmax:
87
t cd = t d + t i + t r (4.102)
După atingerea valorii ICmax tranzistorul rămâne în starea de conducţie atâta timp cât
tensiunea de la intrare u se menţine constantă la valoarea E1.
Considerând că la momentul t4 tensiunea de la intrare variază brusc de la valoarea E1
la valoarea E2 (care pentru tranzistorii cu Si poate fi şi 0), joncţiune emitorului se polarizează
E (= 0 pentru Si )
invers şi curentul de bază se modifică brusc la valoarea I B2 = 2 .
RB
Dacă punctul static se afla în zona activă normală (punctul B1) acesta începe să se
deplaseze către punctul A. Aceasta determină scăderea într-un anumit timp (după curba
punctată în fig.4.23.c) curentului de colector de la ICmax<ICS către 0.
Se defineşte timpul de cădere tc ca fiind intervalul de timp în care curentul de colector
scade de la valoarea ICmax la o valoare 0,1 ⋅ I C max .
Timpul de comutaţie inversă tci reprezintă intervalul de timp dintre momentul aplicării
comenzii de comutaţie inversă până când curentul de colector scade la 0,1 din valoarea
iniţială.
Acesta va fi egal cu timpul de comutaţie directă dacă comutaţia se va face din zona
activă normală (t ci = t cd ) .
Dacă punctual static de funcţionare se află în zona de saturaţie (punctul B) curentul de
colector va rămâne constant un timp ts până la eliminarea surplusului de sarcină electrică
acumulat în regiunea bazei în regim de saturaţie.
Acest timp este denumit timp de stocare, ts şi se defineşte ca fiind timpul scurs de la
momentul aplicării comenzii de comutaţie inversă până când curentul de colector începe să
scadă. În acest caz ICmax = ICS iar timpul de comutaţie inversă va fi:
t ci = t s + t c (4.103)
Pentru reducerea timpilor de comutaţie se iau măsuri constructive cum ar fi:
• timp de viaţă al purtătorilor de sarcină redus;
• capacităţi de barieră cât mai mici ale joncţiunilor;
• grosime mică a bazei.
Pe lângă aceste măsuri luate în procesul de fabricaţie există şi posibilităţi de reducere a
acestora prin îmbunătăţiri aduse circuitului de către
+ EC utilizator (fig.4.24).
RC
D Una dintre aceste posibilităţi constă în
conectarea unui condensator CB care la comutarea
directă se comportă ca un scurtcircuit realizând un
IC curent de bază iniţial IB>IBS reducând astfel timpul
IB RB
T de creştere tr după care rezistenţa RB menţine
UCE
tranzistorul la saturaţie incipientă (UCB=0) deci
sarcină stocată mică. La comutarea inversă se va
u reduce timpul tc ca urmare a unui curent invers
CB
- EB iniţial IB2 mare.
Altă posibilitate constă în utilizarea unei
diode D polarizată invers şi a unei tensiuni - EB
Fig.4.24. Îmbunătăţirea comutaţiei pentru polarizarea inversă a joncţiunii emitorului
tranzistorului bipolar prin rezistenţa R. Prin alegerea diodei D şi a
rezistenţei RB astfel încât la polarizarea directă a
joncţiunii emitorului să fie îndeplinită condiţia:
88
IB ⋅ R B = UD (4.104)
unde UD reprezintă tensiunea de deschidere a diodei, tranzistorul va fi menţinut în saturaţie
incipientă reducând timpul de stocare, ts.
89
AUTOMATIZĂRI
1.
DOMENIUL ȘI METODELE AUTOMATICII.
PROBLEME GENERALE
93
• mărimea de execuție ym produsă de către cilindrul de presiune CP;
• mărimea de conducere c, produsă de regulatorul de frânare RF;
• mărimea de perturbație z produsă de sarcina ce se extrage Q.
Există o mare varietate de sisteme automate, diversitatea fiind impusă mai ales de natură
foarte diferită a proceselor tehnologice și de cerințele de automatizare foarte deosebite. Din aceste
motive clasificarea sistemelor automate se face în raport cu anumite criterii:
• după forma de variație în timp a mărimilor sistemului, sisteme continue sau sisteme
discrete;
• după modelul matematic, sisteme liniare sau sisteme neliniare;
• după viteza de răspuns a sistemului, sisteme automate rapide (procese rapide) care au
durata regimului tranzitoriu tpt < 10 s sau sisteme automate lente având tpt > 10 s;
• după caracteristicile constructive, sisteme automate cu semnal unificat (care au toate
mărimile aceeași natură și cu variație în același domeniu) sau sisteme automate specializate
(orientate spre anumite procese);
• după cantitatea informație apriorice.
Fig. 2.1.2. Schema de clasificare a sistemelor automate după criteriul informației apriorice
94
La sistemele automate cu program mărimea de referință variază după un program impus,
iar la cele de urmărire mărimea de referință urmărește mărimea de ieșire care are o variație
aleatorie.
unde ks=a0/b0 și se numește coeficient de transfer static. Rezultă atunci caracteristica statică care
este o dreaptă y(t)=ksu(t).
în cazul amplificatoarelor, ks este coeficientul de amplificare, iar în cazul traductoarelor se
numește sensibilitate absolută.
Să considerăm un element de automatizare cu caracteristica statică ideală dată de ecuația
y1=f1(u). Datorită variației condițiilor externe (temperatură, umiditate etc.) și a condițiilor interne
(îmbătrânirea materialului, migrarea parametrilor elementului etc.) această caracteristică devine o
caracteristică statică reală yr=f2(u).
95
Se numește eroare a unui element, variația mărimii de ieșire cauzată de modificarea
condițiilor interne și externe pentru o mărime de intrare constantă. Dacă eroarea se exprimă prin
diferența dintre mărimile de ieșire se numește eroare absolută Δy, iar dacă se raportează la mărimea
de ieșire se numește eroare relativă, ε:
Domeniul cuprins între cele două curbe yi și yr din figura 2.2.1 reprezintă spațiul de eroare.
Corespunzător acestui spațiu, pe axa u(t) vom avea pentru fiecare mărime de intrare u0 o plajă în
jurul acesteia de lățime u2-u1 denumită zonă de insensibilitate.
Mulțimea valorilor mărimii de intrare cuprinse în jurul unei valon date u0, pentru care
mărimea de ieșire iese în afara domeniului de eroare, se numesc praguri de sensibilitate.
Datorită existenței domeniului de eroare elementele de automatizare se construiesc cu o
eroare controlată astfel încât să fie inferioară unor limite impuse. Aceste limite se numesc abateri,
iar diferența între abaterea superioară și inferioară se numește toleranță.
Dacă eroarea se găsește în domeniul toleranței, atunci elementul corespunde exigențelor
tehnice.
Dacă elementul de automatizare are variații ale mărimii de intrare în domeniul de
insensibilitate, mărimea de ieșire este necontrolabilă și aceasta impune amplificarea mărimii de
intrare astfel încât variația mărimii de ieșire să fie cuprinsă în afara zonei de insensibilitate.
Pentru îmbunătățirea regimului staționar al elementului de automatizare se practică o
legătură inversă de la ieșire la intrare printr-un bloc denumit element de reacție și având
coeficientul de transfer β numit factor de reacție (fig. 2.2.2).
Dacă scriem ecuațiile elementului cu reacție primim:
din care dacă eliminăm mărimile intermediare obținem caracteristica statică a acestuia:
Factorul care multiplică pe u este coeficientul de transfer al elementului cu reacție ksr și are
expresia:
96
unde semnul de la numitor este ”-” dacă relația este pozitivă și “+” dacă este negativă.
unde pi este probabilitatea evenimentului X iar H(X) are ca unitate de măsura "bit”.
Cantitatea de informație I este numeric egală cu nedetennianrea pe care o elimină
prin obținerea sa.
Rezultă deci că informația este numeric egală cu entropia pe care o elimină prin obținerea
acesteia.
Dacă notăm cu I(X) informația care se obține despre evenimentul X avem expresia:
Acesta este codul binar natural deoarece numerele se succed în ordine naturală crescând cu
o singură unitate.
Pentru obținerea codului binar corespunzător unui număr zecimal, acesta se împarte
succesiv la 2 până ce se obține catul zero, iar resturile în ordinea inversă, reprezintă cifrele codului
binar.
Spunem că două cuvinte (numere) ale unui cod numeric sunt adiacente dacă diferă între ele
printr-o singură cifră de același rang.
Codul binar care are următoarele proprietăți:
• are numerele adiacente, față de axele de simetrie geometrică ale codului;
• este ciclic în raport cu proprietatea de adiacență;
• se numește cod binar reflectat sau Gray.
Proprietățile anterioare sunt prezentate pentru exemplul codului Gray cu două cifre:
99
Pentru a se obține codul Gray, se pleacă de la codul binar natural și fiecare număr al
acestuia se transformă prin următorul algoritm:
• se adună fără transfer numărul binar cu el însuși deplasat spre stânga cu o singură poziție;
• se elimină cifra din rezultat cifra din dreapta și rezultă tocmai echivalentul în codul Gray.
De exemplu, numărul 1011 in cod binar natural, va avea echivalentul în cod Gray 1110,
obținut prin adunarea fără transfer între 1011 + 10110.
Algoritmul se poate realiza direct fără efectuarea calculelor dacă se aplică următoarelor
reguli:
• se explorează numărul binar natural de la dreapta spre stânga cifră cu cifră și dacă prima
cifră este 0, atunci următoarea se transcrie în numărul din cod Gray neschimbată, iar dacă
cifra este 1, atunci următoarea se transcrie modificată în codul Gray;
• se continuă acest procedeu până la ultima cifră, care se va transcrie neschimbată în codul
Gray.
Codurile numerice binare sunt utilizate în sistemele automate logice și numerice.
100
2 : REGIMURI DE FUNCŢIONARE ALE SISTEMELOR
u
b
-
a
α
u
101
1) De tip releu:
a u
b) releu monopoziţional real
y
1
ciclu histerezis
a b u
c) releu bipoziţional ideal
y
+1
0 u
-1
y
+1
-a a u
-1
y
+1
-a
0 +a u
-1
102
f) releu tripoziţional real
y
+1
-a -b
+b +a u
-1
2) De tip special
a) zonă de insensibilitate
-a
+a u
b) tipul saturaţiei
y
+1
-1
y
+1
-a
+a u
-1
103
d) de tipul zonei de insensibilitate cu ciclu histerezis
+1
-a -b
u
b a
-1
e) de tip parabolic
u
f) de tip hiperbolic
y
g) continuă şi diferenţială
y
+1
b
-a +a
u
-b
-1
104
h) discontinuă în trepte
y
+b
-a
+a u
-b
ys
−b −a
a b u
− ys
105
k) periodică
y
ym
u0 / 4
− u0 / 4 u
Principiul reacţiei este folosit în ştiinţa sistemelor pentru a obţine fie o stabilizare a
funcţionării fie o amplificare a mărimii de intrare. Necesitatea realizării unor sisteme stabile a
apărut ca o condiţie impusă de considerente practice, deoarece sistemele instabile nu pot fi folosite
în practică. Sistemele nou concepute, în special cele industriale trebuie să fie stabile. Se numeşte
reacţie sau „feedback” sau legătură inversă, procedeul de aducere la intrarea unui sistem a unei
mărimi care depinde de mărimea de ieşire. Dacă dependenţa este liniară, vom numi factor de
reacţie β raportul dintre mărimea de reacţie şi mărimea de ieşire
y
β= r
y
Reacţia poate fi pozitivă sau negativă, după cum mărimea de reacţie yr se adună respectiv
se scade din mărimea de intrare.
Se numeşte eroare staţionară ε abaterea dintre mărimea de intrare şi mărimea de reacţie:
ε =u-yr
Efectele reacţiei
106
Pentru îmbunătăţirea comportării sale în regim staţionar vom aplica asupra sistemului o
reacţie de factor β obţinând:
u S ε y
Ks u y
± ⇔ Kr
yr β
Kr
2. df ( t ) S F(s)
dt
3. d n f (t ) Sn F(s)
dt n
4. t 1
³ f ( t)dt s
F(s)
0
5. t t t 1
³ ³ ...³ f (t )dtdt...dt sn
F(s)
0 0 0
6. f(t-T) e-Ts F(s)
7. t 1
s2
8. σ(t) 1
9. sin ωt ω
s + ω2
2
10. cos ωt s
s + ω2
2
11. e-t/T T
1+ T ⋅s
12. e − at 1
(s + a )
13. 1- e − t / T 1
s(1 + T ⋅ s)
14. k(1- e − t / T ) k
s(1 + T ⋅ s)
L [ y( t )] Y(s)
G(s)= =
L[u ( t )] U (s)
108
Exemplu :
Fie regimul dinamic al unui sistem cuadripol RC (circuit de integrare electric)
i R
u1 C u2
I i II
(u) (y)
Facem ipoteza simplificatoare că acest circuit lucrează în gol (fără curent sau sarcină la ieşire).
Ne interesează să găsim răspunsul sistemului (mărimea de ieşire y).
U(s) Y(s)
G(s)
1
U1(s)=L [u1(t)]=
s
1 1
Y(s)=G(s)⋅U(s) Y(s)= ⋅
1+ R ⋅C⋅s s
1 1 A B A⋅s + B + B⋅T ⋅s
T=R⋅C [sec] Y(s)= ⋅ = + =
1+ T ⋅s s 1+ T ⋅s s (1 + T ⋅ s)s
(A + B ⋅ T )s + B
Y(s)=
(1 + T ⋅ s)s
109
A + B ⋅ T = 0 A = −T
®
¯B = 1
T 1
Y(s)= - +
1+ T ⋅s s
y(t)=L [Y(s)]=-e-t/T +1=1-e-t/T
y
T t
s⋅X(s)-A(s)⋅X(s)=B(s)⋅U(s)+X(0)
[s⋅I-A]⋅X(s)=B(s)⋅U(s)+X(0)
X(s)=B(s)⋅U(s)[s⋅I-A]-1+X(0)[s⋅I-A]-1
Y(s)=B(s)⋅U(s)⋅C⋅[s⋅I-A]-1+X(0)⋅C⋅[s⋅I-A]-1+D(s)⋅U(s)
Y(s)=[B(s)⋅C⋅[s⋅I-A]-1+D(s)]⋅U(s)+X(0)⋅C⋅[s⋅I-A]-1
110
În condiţii iniţiale nule X(0)=0 Y(s)=[B⋅C⋅[s⋅I-A]-1+D]
Se numeşte matrice de transfer G(s) o matrice specială scrisă în complex de
dimensiuni q×p prin care multiplicând la stânga vectorul de intrare se obţine vectorul de
ieşire.
Există sisteme la care mărimea de ieşire nu depinde direct de mărimea de intrare. La
aceste sisteme numite strict proprii lipseşte matricea D (D=0).
Sistemele strict proprii au matricea de transfer de forma:
G(s)=B⋅C⋅(s⋅I-A)-1
Pentru sistemele cu o singură intrare şi o singură ieşire numite sisteme mono I/E,
q=p=1.
Din [G(s)]=q×p=1×1=1
G(s) scalar şi matricea de transfer devine funcţie de transfer:
Y (s)
Y(s)=G(s)⋅U(s) G(s)=
U (s)
Se numeşte funcţie de transfer G(s) raportul dintre transformata Laplace a mărimii de
ieşire şi transformata Laplace a mărimii de intrare în condiţii iniţiale nule.
111
3: SINTEZA ŞI MATERIALIZAREA FUNCŢIILOR
LOGICE ALE SISTEMELOR DISCRETE
3.1. Sinteza funcţiilor logice ale sistemelor discrete prin metoda algebrică directă, exemple.
Proiectarea sistemului logic implică obţinerea funcţiilor logice prin aplicarea sintezei
ca problemă fundamentală. Pentru aplicarea metodei algebrice directe de sinteză se impune
introducerea unor noţiuni specifice şi anume :
- o funcţie logică este sub formă disjunctă dacă conţine mai mulţi termeni, legaţi între
ei prin operaţia logică SAU, fiecare termen conţinând variabilele de intrare, negate sau nu,
legate între ele prin operaţia logică ŞI.
- o funcţie logică este sub formă canonică disjunctivă dacă termenii săi, legaţi între ei prin
operaţia SAU, conţin fiecare toate variabilele de intrare.
- o funcţie logică este scrisă sub formă conjunctivă dacă conţine mai mulţi factori, legaţi între ei
prin operaţia logică ŞI, fiecare factor conţinând variabilele de intrare, negate sau nu, legate între
ele prin operaţia logică SAU.
- o funcţie logică este scrisă sub formă canonică conjunctivă dacă fiecare din factorii săi, legaţi
între ei prin operaţia ŞI, conţine toate variabilele de intrare.
În urma sintezei prin metoda algebrică directă, funcţia logică se obţine sub formă
canonică disjunctivă.
Pentru aplicarea metodei algebrice directe este nevoie să se întocmească o tabelă specială
numită tabelă de adevăr, formată din 2n linii şi din (n+1) coloane, unde n reprezintă numărul
variabilelor de intrare. În primele n coloane se trec toate combinaţiile posibile ale variabilelor de
intrare scrise în cod binar natural. În ultima coloană se trec valorile funcţiei logice y conform
condiţiilor de sinteză. Funcţia logică obţinută prin această metodă este formată din atâţia termeni
câte valori de 1 există în coloana (n+1). Fiecare termen conţine toate variabilele de intrare,
negate sau nu, după cum în linia termenului respectiv, variabilele au valoarea 0 sau 1. Funcţia
logică finală conţine toţi termenii legaţi între ei prin operaţia logică SAU, deci este scrisă sub
forma canonică disjunctivă şi este nesimplificată.
Simplificarea se face aplicând proprietăţile algebrei booleene.
Exemplu
112
Să se facă sinteza prin metoda algebrică directă pentru o funcţie logică de 3 variabile
binare y = f(u1,u2,u3) ştiind că funcţia are valoarea 1 dacă două sau trei variabile au valoarea 1.
y = f(u1,u2,u3); n=3
Tabela de adevăr va avea un număr de linii L=2n = 23 = 8 linii şi un număr de coloane
C= n+1=3+1 = 4 coloane. Tabela de adevăr având 8 linii şi 4 coloane active este prezentată în
figura următoare :
3.2 Materializarea funcţiilor logice ale sistemelor discrete prin complete logice
fundamentale
Din analiza operaţiilor logice am constatat că operaţiile ŞI, SAU, NU sunt elementare,
deoarece ele intervin în toate celelalte. Deci, folosind numai aceste 3 operaţii se poate realiza
orice funcţie logică.
Se pune problema, ca din mulţimea de operaţii logice utilizabile, să ne alegem un anumit
număr şi care, realizate experimental sub formă de module, să ne permită să materializăm orice
sistem automat logic. În prezent, în industrie se produc module ce realizează majoritatea
operaţiilor logice, modulele fiind construite pe principiu electric, electronic, hidraulic, pneumatic
sau chiar mecanic.
Definiţie.
Numim complet logic fundamental o mulţime de module logice cu ajutorul cărora putem
realiza orice funcţie logică.
Dacă în completul logic fundamental intră un singur modul – el se numeşte complet logic
universal pentru că modulul respectiv poate, prin repetarea lui de un număr de ori, să realizeze
orice operaţie şi funcţie logică.
113
Cele mai importante complete logice sunt :
1. Completul logic fundamental ŞI, SAU, NU;
2. Completul logic fundamental ŞI, NU;
3. Completul fundamental SAU, NU;
4. Completul logic universal NOR (NICI);
5. Completul logic universal NAND (NUMAI).
114
Fig. 4.4. Modulul SAU
a) Schema de principiu; b) Tabela de adevăr; c) Simbolul
Dacă cel puţin pe o intrare u1, u2, u3 aplic o tensiune “+E” prin dioda respectivă circulă
curent şi pe rezistenţa R se măsoară o cădere de tensiune aproape egală cu E care reprezintă
semnal logic 1.
Dacă toate intrările sunt legate la 0 volţi sau neconectate prin diode nu circulă curent şi
tensiunea pe R va fi 0, deci semnal logic 0.
Deci conform tabelei de adevăr din figura 4.4.b., acest circuit realizează operaţia
logică SAU. El are reprezentarea prezentată în figura 4.4.c.
Modulul NU sau de negaţie se obţine utilizând un tranzistor în regim de comutaţie,
conform schemei din figura 4.5.a.
115
este 0, ceea ce reprezintă semnal logic 0.
Tabela de adevăr este prezentată în figura 4.5.b.
Simbolul modulului inversor este prezentat în figura 4.5.c.
Vom avea nevoie de “n” module ŞI, unde n – numărul de termeni, de “k” module NU,
unde k – numărul de variabilenegate independente şi de un singur modul SAU. Deci, numărul
total de module este N = n + k + 1.
Exemplu
Să se materializeze, folosind completul logic fundamental ŞI, SAU, NU, următoarea
funcţie logică :
116
3.2.2. Complet logic fundamental ŞI-NU, exemple
Materializarea acestei funcţii de realizare a operaţiei SAU doar cu module ŞI-NU este
prezentată în figura 4.7.c.
Deci funcţia logică se transformă astfel ca toate operaţiile SAU să fie înlocuite prin ŞI,
NU ceea ce face ca numărul total al modulelor să se mărească. Aceasta fiindcă, pentru fiecare
modul SAU înlocuit apar 4 module ŞI + NU.
Exemplu
Să se materializeze folosind completul logic fundamental ŞI, NU următoarea funcţie
logică :
117
Fig. 4.7. Completul logic fundamental ŞI-NU
a) Modulul ŞI; b) Modulul NU; c) Realizarea operaţiei SAU;
d) Schema logică a exemplului
Materializarea acestei funcţii logice folosind completul logic fundamental ŞI-NU este
prezentată în figura 4.7.d.
118
a realiza orice funcţie logică trebuie să arătăm că operaţia ŞI se poate realiza cu modulele
SAU +NU.
119
3.3 Materializarea funcţiilor logice ale sistemelor discrete prin
complete logice fundamentale.
După cum se vede, această operaţie NOR este practic o combinaţie a 2 operaţii : o
operaţie SAU şi o operaţie NU; adică este Nu aplicat asupra lui SAU.
120
Pentru operaţia ŞI
121
3.3.2. Complet logic universal NAND, exemple
122
funcţia logică NAND.
Pentru varianta TTL, dacă cel puţin o intrare este legată al potenţial 0 volţi sau la
masă, tranzistorul T1 intră în conducţie punând la masă baza tranzistorului T2 care se blochează.
Ca urmare, tranzistorul T4 este blocat şi potenţialul ieşirii y faţă de masă va fi +5
volţi, deci logic 1. Atunci când toate cele 3 intrări sunt legate la potenţial pozitiv (+5 volţi),
tranzistorul T1 este blocat, baza lui T2 este pozitivată prin joncţiunea bază colector a lui T1 şi
deci T2 intră în conducţie punând la masă baza lui T3. Ca urmare, tranzistorul T3 se blochează,
T4 intră în conducţie şi pune la masă ieşirea y.
Potenţialul ieşirii y faţă de masă va fi 0 volţi, deci logic 0.
Se constată că funcţionarea în varianta TTL respectă, deasemeni, tabela de adevăr din
figura 4.10.c.
Simbolizarea modulului NAND este prezentată în figura 4.10.d.
Completul logic NAND este universal deoarece vom arăta că folosind numai module
de tip NAND putem realiza operaţiile elementelor ŞI, SAU, NU.
Fig.4.10.Modulul NAND
a) Varianta DTL ; b) Varianta TTL; c) Tabela de adevăr; d) Simbolul
123
Schemele de materializare a operaţiei NU folosind module NAND sunt prezentate în
figura 4.11.a.
Pentru operaţia ŞI
124
Fig. 4.11. Sistemul logic universal NAND
a) Realizarea operaţiei NU; b) Realizarea operaţiei ŞI; c) Realizarea operaţiei SAU ;
d) Schema bloc a exemplului
125
BIBLIOGRAFIE