Sunteți pe pagina 1din 2

NUME SI PRENUME: data: 15.02.

2011
SECTIE SI AN:
EXAMEN DISPOZITIVE ELECTRONICE
Numarul 1
1. (a)Considernd c diodele sunt ideale, gsii valorile lui I i U n circuitul din fig.1. de
mai jos.(b) schimband valorile rezistentelor R
1
si R
2
astfel: R
1
= 4k si R
2
=2k in
circuitul de mai jos, calculati noile valori pentru I si U.
Fig. 1
2. Gsii tensiunea U
L
n circuitul din fig.2. de mai jos, considernd modelul liniar
pe portiuni pentru dioda D, cu parametrii V
D0
=0,65V si r
D
=20 .
Fig.2
3. Sa se deduca modelul Ebbers- Moll cu generatoare de current comandate de curentii
prin diode, stiind curentii la borne:
1
]
1


,
_


1 exp
0
kT
u q
I i i
CB
CB E F C

, respectiv
1
]
1


,
_


+ 1 exp
0
kT
u q
I i i
EB
EB C R E

.
4. Analiza in regim de semnal mic a tranzistorului bipolar: deducerea expresiilor
curentului de emitor, a rezistentei de intrare la emitor si a amplificarii in tensiune.
5. Se considera circuitul cu TB din fig.3. (a)Determinati punctul static de functionare(Ic,
U
CE
) , stiind ca U
BE
=0.6V si = 100. (b) Desenati circuitul echivalent de semnal mic
( hybrid ) si determinati amplificarea in tensiune.
Fig.3
6. Calculai i
D
i u
SD
pentru un circuit PMOS cu canal indus de tipul celui din fig.
4, avnd, U
TP
= -0,8V i K
p
= 0,2mA/V
2
. Expresia curentului in regiunea non-
saturata(tip trioda) este:
( ) [ ]
2
2
SD SD TP SG p D
U U U U K i +
.
Fig.4.