Modul8 PDF

Elemente de Electronic Digital (EED) specializarea Calculatoare
Elemente de Electronic
Digital (EED)
SpecializareaCalculatoare
Digital (EED)
Circuite Basculante Bistabile (CBB)
CBB, Generaliti
Generararea i formarea impulsurilor:
Cu circuite regenerative;
Cu circuite de comutaie neregenerative asociate cu reele de
temporizare, RC;
Circuite regenerative:
au dou stri electrice diferite
trecrea dintr-o stare n alta se face prin proces regenerativ:
circuite cu bucl de reacie pozitiv;
dispozitive sau circuite cu rezisten dinamic negativ;
Deosebiri:
la circuitele neregenerative tensiunea de ieire depinde permanent de
tensiunea de intrare;
la circuitele regenerative comutarea este iniiat de un impuls de
declanare (din exterior sau datorit ndeplinirii unei condiii de circuit), iar
funcionarea circuitului nu mai depinde n continuare de impulsul de
comand;
CBB, Generaliti
Elemente necesare pentru un circuit regenerativ:
surs de alimentare n curent continuu;
amplificator cu reacie pozitiv sau dispozitiv cu rezisten negativ;
element de stocare temporar a energiei;
Clasificare dup timpul n care circuitul st n fiecare din cele
dou stri:
CBB;
CBM;
CBA;
CBS CBB asimetric (trigger Schmitt).
Elemente de memorie
Schema de principiu a unui CBB
Studiul condiiilor generale de funcionare a circuitelor
regenerative
Se consider un amplificator cu reacie pozitiv format, de exemplu,
din dou inversoare (cu TBIP sau cu TMOS):
Circuitul are dou stri stabile:
S
1
:
S
2
:
Schimbarea strii: proces regenerativ
dac amplificarea pe bucl este >1:
Starea iniial S
1
: V
1
crete (perturbaie din exterior, de ex.)
inversorul I
2
intr n zona liniar V
2
, inversorul I
1
intr i el n
zona liniar V
1
crete i, dac reacia pozitiv are caracter
regenerativ, circuitul trece n starea S
2
; procesul este n avalan.
oL oH oL
V V V V V V = = =
1 2 1
oH oL oH
V V V V V V = = =
1 2 1
Condiia de funcionare regenerativ:
Condiia de funcionare regenerativ:
se desface bucla de reacie
se reprezint caracteristicile de transfer
ale celor dou inversoare presupuse
identice;
se elimin tensiunea v
o
i se obine
caracteristica de transfer a
amplificatorului, v
o
(v
i
);
Panta caracteristicii n zona liniar este
dat deprodusul amplificrilor individuale
aleinversoarelor:A = A
1
A
2
Condiia de funcionare regenerativ (2):
dac se nchide bucla de reacie, adic dac: v
o =
v
i
(prima bisectoare) se obin 3 puncte de
funcionare, dac A >1 : dou stabile (dup o
variaie mic n jurul punctului respectiv, se revine
la starea iniial dup anularea perturbaiei) i un
punct de funcionare instabil (orice mic
perturbaie la intrarea duce punctul de funcionare
n unul din cele dou puncte stabile;
se presupune A >1 i se introduce o tensiune
perturbatoare ntre intrare i ieire i se traseaz
caracteristica v
o
(e);
se folosesc relaiile: v
o
= v
o
(v
i
); v
o
= v
i
e ;
se elimin tensiunea e (grafo-analitic); se traseaz
pe graficul v
o
(e) punctele oinute din rezolvarea
sistemului precedent;
Condiia de funcionare regenerativ (3)
Concluzii:
Caracteristica prezint histerezis;
Punctele stabile, A i B corespunztoare celor dou stri logice;
Mrimea histerezisului, V
H
= E
s
-E
i
;
Tensiunile corespunztoare punctelor stabile, E
A
i E
B
;
Tensiunile perturbatoare limit, e
min
i e
max
;
pentru: e
min
< e < E
i
, v
o
=V
oL
E
s
< e< e
max
,v
o
=V
oH
valorile minime ale tensiunilor perturbatoare pentru schimbarea strii:
V
H
+e
A
respectiv V
H
+e
B
;
influena acestora asupra sensibilitii la declanare i asupra
imunitii la zgomote ale circuitului;
Regimul tranzitoriu:
Se introduce un circuit RC, se neglijeaz
curentul de intrare n amplificator i
rezistena de ieire a acestuia;
Se alege o tensiune continu E
o
astfel nct
s se obin cele trei puncte posibile de
funcionare, peste care se aplic o
perturbaie E
Condiiile iniiale: v
i
(0), v
o
(0) impuse (fixe)
Perturbaia E va determina variaii ale
tensiunilor de intrare i de ieire, v
i
(t),
v
o
(t), cu v
o
(0)=0
Regimul tranzitoriu:
Rezult:
dt
t v d
C t i
i
) (
) (
A
=
) ( ) ( t v A t v
i o
A = A
) ( ) ( ) ( t v E t i R t v
o i
A + A + = A
; ) (
) ( ) (
E t v
dt
t v d
A
RC
A
t v
o
o o
A + A +
A
=
A
E A t v A
dt
t v d
RC
o
o
A = A +
A
) ( ) 1 (
) (
Cusoluia:
A
RC
t
o
Ee
A
A
E
A
A
t v

= A
1
1 1
) (
Pentru A<1,punctul defuncionare sedeplaseaz puin fa depoziia iniial;
Pentru A>1,seobine oexponenial cuexponentpozitiv i punctul defuncionare
evolueaz ctre unul dinpunctele stabile,n funcie desemnul lui E;
Pentru A=1, evoluia este liniar,cuacelai efect;
CBB cu TBIP
Schema de principiu:
circuit simetric cu dou inversoare
CBB cu TBIP
Stabilirea strii stabile la conectarea la tensiunea de alimentare prin
proces regenerativ;
starea S1: T
1
blocat, v
C1
=V
oH
~ V
CC
T
2
saturat, v
C2
=V
oL
= V
CEsat
~ 0
condiia de blocare:
condiia de saturaie:
starea S2: T
2
blocat, v
C2
=V
oH
~ V
CC
T
1
saturat, v
C1
=V
oL
= V
CEsat
~ 0; condiiile identice;
strile sunt permanent stabile;
0
2 1
2
2
2 1
2
1 BE oL C B
V V
R R
R
v
R R
R
v <
+
=
+
=
c
CC BE
c
BE CC
B
R
V
R
V
R R
V V
i
0 2 1
2
1
|
>
+
=
CBB cu TBIP
Schimbarea strii: prin aplicarea unui impuls de declanare:
Pozitiv pe baza TBIP blocat, sau:
Negativ pe baza TBIP saturat;
Impulsurile de declanare se pot aplica alternat pe cele dou baze
(declanare asimetric) sau se pot aplica la o singur intrare de unde
sunt conduse ctre TBIP ce trebuie acionat;
Cele dou moduri de declanare sunt specifice celor dou funcii pe
care le ndeplinete CBB: memorare, respectiv divizare a frecvenei
impulsurilor (sau de numrare);
CBB cu TBIP
Schimbarea strii: prin aplicarea unui impuls de declanare
Comand separat pe diode;
Comand separat cu tranzistor
CBB cu TBIP
Schimbarea strii: prin aplicarea unui impuls de declanare
Comand comun cu diode
CBB cu TMOS
Funciile de baz ale CBB:
Memorare - circuitul trece
n starea S1 i rmne
nemodificat pn cnd
cicuitul este cercetat n
privina strii lui logice;
Numrare:
2
f
f
T T 2
Variante ale CBB integrate
Elemente de baz pentru circuitele secveniale;
Condiionri pentru declanare:
mai multe variante de CBB pentru comoditatea proiectrii logice;
vitez de comutare maxim
Variante din punct de vedere al funcionrii logice:
CBB de tip SR,
CBB de tip T (flip-fop),
CBB de tip RST,
CBB de tip D,
CBB de tip JK,
CBB de tip master-slave.
CBBdetipT(flipfop)
O intrare de tact, T (comand pe
frontul pozitiv sau pe cel
negativ);
Dou ieiri, Q i Q/;
Se folosete la numrtoare
binare integrate.
CBBdetipSR
Comanda asimetric;
Pe nivel pozitiv sau negativ (sau pe fronturi);
CBBdetipSR
Comportarea circuitului este parial independent de
semnalele de la intrri datorit reaciei pozitive ntre
cele dou NAND-uri;
ambele trec simultan n starea 0, nedeterminare la ieire;(se
poate evita pe cale logic);
comanda modificrii strii se poate face cu fronturile
impulsurilor care determin i modul n care trebuie s se
modifice starea circuitului (mod de lucru asincron);
CBBdetipSR
CircuitulSRfpebazdeporiSAUNUconine
celuladememoriedebazconstruitcu2
poriSAUNU
DacSettrecesus,M1estedeschisfornd Q
jositrecndQsus
S=1 Q=1
DacResettrecesus,M4estedeschis,Qeste
trasjosi Qestetrecutsus
R=1 Q=1
Dac att Setcti Resetsuntjos,ambele
tranzistoareM1iM4suntnchise,icircuitul
pstreazstareanedefinit
Dacatt Setcti Resetsuntsus,attQi Q
sunttrasejos, avndostarenedefinit.Ca
urmare,combinaiaR=S=1nuestepermis
CBBdetipSR
CircuituldetipSRpebazdecircuiteSAUNUcu
sarcinarealizatcutranzistoarecudeplesie.
FuncionalitateaesteaceeaicalacircuitulCMOS
Areoputerederepausmaimarecaversiunea
CMOS
Varianta CMOS
CBBdetipSR
CircuitSRCMOSconstruitcudouporiINU
cu2intrri
CircuitulrspundecndintrrileSiRsunt
activejos.
CombinaiaS=R=0nuestepermis
producndostarenedefinit
CBBdetipSRcuceas
CircuituldetipSRpebazdeporiSAUNUcu
douintrriicuintraredeceas.
CircuitulrspundelaintrrileSiRnumaicnd
CKestesus.
CndCKestesuscircuitulsecomportcaunul
simplurealizatcuporiCMOSdetipSAUNUi
rspundelaintrrileSiR.
CndCKestejoscircuitulpstreazstarea
curent.
Unsemnalparazitpozitiv(glitch)peintrareaS,
cndCKestesusdetermintrecerealuiQsus.
CBBdetipSRcuceas
CBBdetipSR
CBBdetipSR
Parametri de timp:
Intirzierea de propagare;
Latimea minima a pulsului
CBBdetipRST
Se separ semnalele care comand bascularea circuitului
de semnalele care arat n ce stare trebuie s basculeze
circuitul (circuite sincrone, comadate de un impuls de
ceas, tact):
intrrile SR arat n ce stare trebuie s treac circuitul;
intrarea T (tact, ceas, clock) asigur trecerea n starea
respectiv;
CBBdetipRST
Dou moduri de funcionare:
intrrile SR arat n ce stare trebuie s treac circuitul;
1. Pe durata T=ZERO se stabilesc strile S i R (obligatoriu diferite);
La trecerea lui T spre UNU, CBB ia starea corespunztoare
strilor S, R;
Se definete t
set-up
(intervalul de timp dintre stabilirea
variabilelor S i R i apariia impulsului de tact);
Se definete t
set-up
(intervalul de timp pe care mai sunt
meninute S i R pn la revenirea la ZERO a lui T).
2. Pe durata T=UNU, intrrile S i R se pot modifica determinnd i
modificarea ieirilor, circuitul fiind transparent pentru datele de
la intrare; la revenirea lui T la ZERO, CBB rmne n starea
determinat de ultima tranziie;
CBBdetipD
Se elimin i situaia de nedeterminare a strii de la ieire
realiznd: R=S/, intrarea respectiv fiind D:
Funcionare: pe frontul pozitiv al impulsului de tact,
ieirea Q va lua starea lui D;
Se pot defini i aici: t
set-up
i t
hold
Pentru T=UNU, modificrile lui D se resimt direct la
ieire.
CBBdetipD
Un circuit de tip D este realizat, la nivel de
poart prin utilizarea unui circuit de tip SR
pe baz de pori SAU-NU, conectnd D la
intrarea S, i D la R (folosind inversor).
Un circuit de tip D este n mod normal
implementat cu comutatoare poart de
transmisie
CBBdetipD
CBBdetipD
Timpul de intirziere (fata de CLK)
Timpul t
set-up
(D dupa CLK)
Timpul t
hold
(D dupa CLK)
CBBdetipD
Implementari circuite:
CircuitD(TTL)
Comandat pe front
Intrari de Presetare i tergere (PR_L, CLR_L)
Ca la CBB S-R
3 bucle de reacie
CBBdetipJK
Elimin efectele tranziiilor nedeterminate impuse de
intrrile R i S altfel dect la CBB de tip D:
CBBdetipJK
Funcionare:
J=ZERO, K=ZERO, circuit insensibil la T;
J=ZERO, K=UNU, circuitul trece n starea Q=ZERO;
J=UNU, K=ZERO, circuitul trece n starea Q=UNU;
J=UNU, K=UNU, circuitul schimb starea la
fiecare tranziie util a lui T (regim de numrtor);
CBBdetipMasterSlave
Elimin transparena de pe durata impulsului de tact;
- pot fi de tipul SR, D sau JK;
Exemplu: dou CBB de tipul RST comandate cu impulsuri
n antifaz pe intrrile de tact;
CBBdetipMasterSlave
CBBdetipMasterSlave
Comanda circuitului se face cu un impuls de tact (circuitul
poate fi sensibil la fronturi pozitive sau la fronturi
negative):
Starea iniial cuT=ZERO circuitul MASTEReste
izolat deintrri,acestea potfistabilite
independent;
1:ieirea inversorului trece n ZERO,blocheaz
circuitul SLAVEfiind izolat deMASTER;
2:sunt validateintrrile,strile depe Ri S
trec n MASTER;nusesimte nimic laieire;
3:sedecupleaz intrrile circuitul MASTER
rmne izolat deintrri;
4:impulsul detactalSLAVEului trece n UNU
i datele dinMASTERtrec n SLAVE;
Schimbarea strii circuiului sefacepe frontul
negativ alimpulsului detact
CBBObservaii:
Circuitele basculante bistabile integrate au mai multe
intrri:
de date: SR, D, JK;
de tact: T (front cresctor sau front descresctor);
de comand asincrone (prioritare fa de celelalte intrri).
Exemplu: un CBB RST:
Este necesar respectarea
timpilor dintre diferite tranziii
aa cum sunt precizai n
datele de catalog;
Utilizarea bistabilului de tip D
ca un circuit de ntrziere
CBBObservaii:
PAL Secvential (16R8)
8 termeni produs cu D
Ieirea Q bucl la o arie I
Necesar pentru strile
mainii
Validare comun 3-stri pentru
toate ieirile
Digital (EED)
Comparatoare detensiune
Circuite electronice care asigur
conversia semnalelor liniare n
semnale digitale, n sensul c
permit compararea semnalului de
intrare analogic cu un semnal de
referin punnd n eviden
numeric poziia relativ a celor
dou semnale, fiind posibile dou
situaii.
Circuitul elementar AD
Este necesar ca regiunea de tranziie
s fie ct mai mic: V
it
0
presupune o amplificare de
tensiune ct mai mare;
R i
V v <<
;
0 oL c CC o
V IR V v = = o
,
R i
V v >>
oL CC o
V V v = =
Dou soluii:
Mrirea amplificrii cu mai multe etaje (comparatoare integrate
sau la utilizarea AO n circuite comparatoare de tensiune);
Reacie pozitiv pentru mrirea amplificrii
Comparatoare detensiune cuAO
Comparatoare integrate:
structura intern asemntoare cu AOP dar mai simpl;
etaj de ieire adaptat pentru diverse familii de circuite logice;
timpul de rspuns este mult mai mic dect la comparatoarele cu AO
viteza de variaie a semnalelor la ieire este mai mic;
nivelele logice de la ieire sunt adaptate.
Exemple:
A710/711
|M339
Exemple:
A710/711
dou etaje de amplificare tensiunea de prag este de
circa 2 mV;
un etaj de refacere a nivelului de ZERO;
un etaj de iere compatibil TTL de mic putere;
timp de rspuns <50 ns
utilizat pentru comanda memoriilor cu ferite;
|M339
4 comparatoare pe cip;
etaj de ieire cu colectorul n gol, compatibil TTL sau
CMOS;
rspuns lent, circa 300ns;
permite alimentare nesimetric;
utilizri: convertor A/D simplu;generator de impulsuri;
circuite de temporizare;oscilatoare comandate.
Exemple de comparatoare integrate utilizate n scheme cu
histerezis:
Exemple de comparatoare integrate utilizate n scheme cu
histerezis:
CBS cu tranzistoare bipolare
Circuite cu reactie pozitiv pentru mrirea amplificrii
(i micorarea tensiunii de tranziie a comparatorului);
Q2 repetor i Q1 cu BM reacia este pozitiv;
Funcionare: cu Q1 n RAN sau saturabil;
cu Q2 n RAN sau n saturaie;
dac Q2 nesaturat:
nivelele logice;
dac Q2 saturat:
nivelele logice;
(nu este posibil ntotdeauna);
e
BE CC
c CC oL CC oH
R
V kV
R V V V V

= =
0
; o
1 2 1
2
c
R R R
R
k
+ +
=
, ;
2
CC
c e
e
oL CC oH
V
R R
R
V V V
+
~ =
n ambele cazuri, nivele logice nu depind esenial
de parametrii tranzistoarelor.
Funcionare: tensiunile de prag
V
pH
La deschiderea lui Q1 cu Q2 n RAN:
V
pH
= kV
cc
(dac V
BE0
= V
BE
);
La deschiderea lui Q1 cu Q2 n saturaie:
V
pL
La deschiderea lui Q1 n RAN:
CC
c e
e
BE pH
V
R R
R
V V
2
0
+
+ ~
pL c
e
BE pL
CC
V R
R
V V
V k =
(
1 0
o
e
c
BE
e
c
CC
pL
R
R
k
V
R
R
V k
V
1
0
1
0
1 o
o
+
|
|
.
|
\
|
+
=
Condiia: V
pL
< V
pH
sau: V
it
= V
pH
- V
pL
>0
Mrimea histerezisului mare mic n funcie deaplicaie;
MNpe caracteristica deintrare zon derezisten negativ
determinat dereacia pozitiv dincircuit;
CBS cu TEC cu canal indus
Pentru mrirea impedanei de intrare;
TEC cu canal indus caracterizat prin V
p
i k
Nivelele logice:
V
oH
= V
DD
(tranzistorul TBIP este blocat);
;
0 E c DD oL
I R V V o =
e
Z CC
E
R
V k kV
I
) 1 ( +
=
d
R R R
R
k
+ +
=
2 1
2
CBS cu TEC cu canal indus
tensiunile de prag
La revenire:
Dar:
p BE Z CC pH
V V V k kV V + + = ) 1 (
BE D e D d DD Z B
V i R i R V k k V V + > + = ) ( ) 1 (
d e
BE DD Z
D
kR R
V kV k V
i
+
+
=
) 1 (
k
i
V v
D
p GS
2
+ =
D e
D
p pL
i R
k
i
V V + + =
2

Trigger Schmitt cu circuite integrate
Pe intrrile unor circuite logice,
uneori, semnale lent variabile i
peste care se pot suprapune tensiuni
parazite (zgomote) eventual, din
exterior;
Pentru evitarea unor comutri
necorespunztoare se pot folosi:
circuite cu histerezis;
intrri cu caracteristici de histerezis;
Q1 TBIP multiemitor, cu diode de evitare a reflexiilor;
ieire stlp totemic;
CBS cu reacie pozitiv;
circuite de adaptare a nivelelor logice
tensiunile de prag sunt: V
pH
= 2V; V
pL
= 0,7V;
Utilizare:
ntrzierea
impulsurilor i filtrarea
de zgomote;
formarea impulsurilor;
preluarea corect a
unor semnale lent
variabile:
Circuite cu histerezis cu pori logice elementare:
oL o
V v =

|
|
.
|
\
|
+ = +
2 1 2 1
1 1
R R
V
R
V
R
V
prL
oL
pH
deunde:
2
1
0
2
1
1
R
R
V
R
R
V V
L prL pH

|
|
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
+ = + =
2 1 2 1
1 1
R R
V
R
V
R
V
V v
prL
oH
pL
oH o
Exemplu:
TTL standard: pentru R
1
=360O, R
2
=2kO,
V
pL
= 1V; V
pH
= 1,7V;
Variant CMOS: rezistene mai mari
Varianta CMOS
Varianta ECL
V
C
(t)
V
TH
V
TL
V
OH
V
OUT
(t)
V
OL
t
t
T
L
T
H
t = 0 t = 0'
Analiza Oscilatorului cu Trigger Schmitt
I.C. (0)
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
ln( )
t
RC
T
L
RC
TH OL
TL OL
C TH
C L TL
OL C C
C OL OL TH
TL OL OL TH
V V
L V V
V V
V T V
V V t dV t
C
R dt
V t V V V e
V V V V e
T RC
=
=
=
=
=
=
I.C. (0)
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
ln( )
t
RC
T
H
RC
OH TL
OH TH
C TL
C H TH
OH C C
C OH OH TL
TH OH OH TL
V V
H V V
V V
V T V
V V t dV t
C
R dt
V t V V V e
V V V V e
T RC
'
=
=
=
=
=
=
ncrcarea Capacitorului Descrcarea Capacitorului
Frecvena = fosc= 1/T = 1/(T
L
+T
H
) , Factorul de umplere = T
H
/T
Oscilatorului cu Trigger Schmitt
Digital (EED)
Circuite detemporizare
Circuite de temporizare
Utilizare:
realizarea unor impulsuri de durat bine precizat:
realizarea de ntrzieri bine precizate a fronturilor
implsurilor;
Se pot realiza cu circuite regenerative i cu circuite
neregenative;
Circuite de temporizare
Variante:
CBM cu elemente discrete cu reacie negativ;
CBM integrate BIP sau CMOS;
CLI elementare, eventual CMOS, de tip regenerativ sau
neregenerativ;
Dispozitive de temporizare integrate
Dispozitive cu rezisten negativ;
Parametrii impulsurilor:
T, t
rev
, V
o
, ,
Stabilitatea duratei impulsurilor;
Reglajul duratei;
+
f
t

f
t
CBM cu elemente discrete
Funcionare;
condiii de saturaie;
pentru Q:
aproximativ:
pentru Q:
2 0
1
c
CEsat CC
b
BE CC
R
V V
R
V V
>
|
2 0 c b
R R | <
|
|
.
|
\
|
+ >
+
b
BE CC
c
CC BE
c
BE CC
R
V V
R
V
R
V
R R
V V 2 1
1 0 2 1 2
|
Funcionare;
blocarea tranzistoarelor este asigurat;
pentru Q:
pentru Q: prin salt de tensiune negativ din colectorul lui Q
Amplitudinea tensiunii de ieire:
0 2
2 1
2
1 BE CEsat BE
V V
R R
R
v <
+
=
CC CC
c
BE
c
c
CC
c
o
V V
R R
R
V
R R
R
V
R R
R
V ~
+
~
+
+
+
=
2 1
1
2 1
2
2 1
1
Formele de und:
Determinarea elementelor formelor de und:
t
cr
, T, t
rev
Colectorul Qi t
cr
|
|
.
|
\
|
=

cr
t
o o
e V t v
t
1 ) (
2 1 2 c a c a cr
R C R R C ~ = t
cr cr
t t 3 , 2 =
(foarte mic);
t
cr
, T, t
rev
Baza lui Qi T
( )
t
t
CC BE CC B
e V V V t v

+ = 2 ) (
b
CR = t
( )
t
t
b
BE CC o
R
e
CR
V V C
dt
t dv
C i
B
= =
2 ) (
BE B
V T v = ) ( 2 ln
2
ln t t ~
=
BE CC
BE CC
V V
V V
T
b
CR T 69 , 0 69 , 0 = ~ t
t
cr
, T, t
rev
Colectorul lui Qi t
rev
|
|
.
|
\
|
=

rev
t
CC o
e V t v
t
1 ) (
'
1 c rev
CR = t
CC rev o
V t v 9 , 0 ) (
'
=
1
3 , 2 3 , 2
c rev rev
CR t = = t
rev
t T
f
+
=
1
max
Dependena duratei:
de tensiunea de alimentare;
de temperatur;
de rezistena de sarcin;
Tensiunea de alimentare:
tensiunea de strpungere a jonciunii emitor-baz protecia cu diod serie;
Temperatur:
prin:
rezult: V
CC
ct mai mare;
prin elementele de temporizare C, R
b
La durate mari conteaz i elementele care nu au fost luate
n considerare: I
EBo2,
I
CEo1,
V
CEsat1
BE CC
BE CC
b
V V
V V
CR T
=
2
ln
min CC
V
max CC
V
BE
V
( )( ) u u d
dV
V V V V
V
CR
d
dT
BE
BE CC BE CC
CC
b

=
2
Dependena duratei:
De rezistena de sarcin:
rezistena n colectorului lui Q spre mas (saturarea lui Q):
rezistena n colectorul lui Q spre sursa de alimentare (saturarea
lui Q):
rezistena n colectorul lui Q spre sursa de alimentare (saturarea
lui Q):
rezistena n colectorul lui Q spre mas nu se folosete, scade
amplitudinea impulsului de la aceast ieire.
|
|
.
|
\
|
+ >
+
+
+
b
BE CC
c
CC BE
c s
s
c
BE
c s
s
CC
R
V V
R
V
R
V
R
R R
R
R
V
R R
R
V
2 1
1 0 2
1
2
2
2
|
s c
CEsat CC
b
BE CC
R R
V V
R
V V
>
0
1
|
|
|
.
|
\
|

+ >
+
b
BE CC
s c
CC BE
c
BE CC
R
V V
R R
V
R
V
R R
V V 2 1
1 0 2 1 2
|
Mrirea factorului de umplere:
t
rev
0
cuplarea capacitii de temporizare prin repetor pe emitor:
Reglarea duratei CBM:
brut, prin capaciti;
reglaj fin prin R
b
e (R
bmin
, R
bmax
)
reglaj prin generator de curent (variaie liniar);
It
C
V V t v
CC BE B
1
) ( + =
BE B
V t v = ) (
I
CV
T
CC
=
Scheme de reglaj prin
generator de curent:
R
V
R R
R
V
I
EB CC

+
=
" '
' '
R
E V V
I
EB CC

=
) (E T
Convertor tensiune-durat
Declanarea CBM:
CBM integrate
Circuitul de baz cu circuitul de temporizare, R
t
C
t
;
circuite de intrare pentru selectarea modului de declanare;
circuite de ieire compatibile cu familia de circuite logice;
Declanarea CBM:
cu frontul pozitiv;
cu frontul negativ;
cu condiionri de tip I-SAU;
cu intrare cu histerezis.
Durata minim: 25ns 150ns (n funcie de productor)
74LS121 25ns
MMC4098 (cu V
DD
= 15V) 150ns
Circuite neretriggerabile (neredeclanabile)
Circuite retriggerabile: ncepe un nou ciclu de temporizare la
fiecare tranziie semnificativ a impulsurilor de declanare
CBM integrate: 74121
74121 Circuit monostabil multivibrator neretrigherabil
Schema bloc i tabela de funcionare:
74121 Circuit monostabil multivibrator neretrigherabil
74123 Circuit monostabil multivibrator retrigherabil
Schema bloc i tabela de funcionare:
|
|
.
|
\
|
+ =
ext
ext ext w
R
C R t
700
1 28 . 0
CBM integrate
Durate mari:
R
t
limitat C
t
mare (electrolitic) trebuie evitat
schimbarea polaritii tensiunii pe capacitate; prin diod
sau prin tranzistor;
5kO < R
t
< 2MO;
5kO < R
b
< 2MO
5kO < R
c
< 25kO
Factor de umplere: 30% 100%
Sensibilitatea la zgomote:
Sunt sensibile din cauza circuitului liniar
Digital (EED)
Circuite detemporizare cuCircuite
Logice Iintegrate elementare
Circuite de temporizare cu CLI elementare
Pentru ntrzierea unui front;
Pentru generare de impulsuri de durat foarte scurt;
Pentru generarea impulsurilor de durat mare;
Se folosesc reele de temporizare i CLI n schem de
circuit regenerativ sau neregenerativ;
Parametrii impulsului obinut depind de parametrii CLI
i de condiiile reale de funcionare;
Trecerea impulsului de la intrare se face lent n zona
tensiunii de prag logic; pot aprea oscilaii la ieire; se
prefer CLI cu histerezis pe intrare;
Valori diferite n funcie de familia de circuite logice
folosit.
Circuite de ntrziere a fronturilor
Pentru ambele fronturi
Pentru ambele fronturi cu CLI cu histerezis;
Pentru ambele fronturi cu trigger Schmitt
Parametrii corespunztori CLI cu influen asupra mrimii
rezistenei de temporizare i a capacitii de temporizare;
oH oL
V V ,
oH oL
r r ,
max min
R R R
t
< <
Pentru frontul cresctor: Pentru frontul descresctor:
Impulsuri scurte pe ci separate pentru ambele fronturi (1):
CBM cu CLI cu simpl sau dubl ntrziere:
Digital (EED)
Generatoare deimpulsuri
Generatoare de impulsuri
Genereaz impulsuri cu frecven dat, cu factor de
umplere dat i cu fronturi, de regul, ct mai mici;
Posibiliti de realizare:
cu dispozitive cu rezisten negativ:
cu dispozitiv PNPN;
cu diod tunel;
cu TUJ;
cu tranzistor funcionnd n avalan;
cu circuite cu reacie pozitiv:
cu TBIP CBA standard;
cu TEC;
cu pori TTL;
cu pori CMOS;
cu comparatoare i cu AO;
Alte principii:
cu mai multe monostabile n cascad;
i i d i i
CBA cu TBIP
n varianta cu cuplaj colector-baz:
Schema funcionare,
Dou stri cvasistabile:
La limit, se accept: pentru ambele tranzistoare;
CBA cu TBIP
Condiiile de blocare:
realizate prin salturile de tensiune din colectoare spre bazele
celuilat tranzistor;
Condiii de saturaie:
|
|
.
|
\
|
+ >
=
2 1 01 1
1
2 1
b
BE CC
c
CC
b
BE CC
B
R
V V
R
V
R
V V
i
|
|
|
.
|
\
|
+ >
=
1 2 02 2
2
2 1
b
BE CC
c
CC
b
BE CC
B
R
V V
R
V
R
V V
i
|
c b
R R
0
| <
CBA cu TBIP
Determinarea formelor de und:
|
|
.
|
\
|
=

1
1 ) (
1
rev
t
CC o
e V t v
t
CC f
V t v 9 , 0 ) (
1 01
=
+
1 1
3 , 2
rev f
t t =
+
1 2 1 c rev
R C = t
Colectorul lui Q
(la blocarea lui):
Timp de cretere (durata
frontului cresctor):
Baza lui Q
(la blocarea lui):
Durata impulsului:
( )
1
2 ) (
1
t
t
CC BE CC B
e V V V t v

+ =
1 1 1 b
R C = t
BE B
V T v = ) (
1 1
BE CC
BE CC
b
V V
V V
R C T
=
2
ln
1 1 1
1 1 1 1 1
69 , 0 2 ln
b b
R C R C T ~ ~
Colectorul lui Q
(la blocarea lui):
Timp de cretere (durata
frontului cresctor):
CBA cu TBIP
Determinarea formelor de und:
Baza lui Q
(la blocarea lui):
Durata impulsului:
|
|
.
|
\
|
=

2
1 ) (
2
rev
t
CC o
e V t v
t
CC f
V t v 9 , 0 ) (
2 02
=
+
2 2
3 , 2
rev f
t t =
+
2 1 2 c rev
R C = t
( )
2
2 ) (
2
t
t
CC BE CC B
e V V V t v

+ =
2 2 2 b
R C = t
BE B
V T v = ) (
2 2
BE CC
BE CC
b
V V
V V
R C T
=
2
ln
2 2 2
2 2 2 2 2
69 , 0 2 ln
b b
R C R C T ~ ~
CBA cu TBIP
Perioada impulsurilor:
BE CC
BE CC
b
BE CC
BE CC
b
V V
V V
R C
V V
V V
R C T T T
= + =
2
ln
2
ln
2 2 1 1 2 1 0
( ) ( ) 2 ln
2
ln
2 2 1 1 2 2 1 1 0 b b
BE CC
BE CC
b b
R C R C
V V
V V
R C R C T + ~
+ =
CBM simetric:
b b
CR CR T 4 , 1 2 ln 2
0
~ =
Frecvena impulsurilor:
2 ln 2
1 1 1
2 1 0 b
CR T T T
f =
+
= =
Factorul de umplere:
5 , 0 ;
2 2 1 1
1 1
0
1
=
+
= =
b b
b
R C R C
R C
T
T
CBA cu TBIP
CBA cu pornire sigur
(o variant pentru evitarea saturrii simultane a celor dou
tranzistoare):
mbuntirea fronturilor cu diode de separare sau cu
repetoare pe emitor:
CBA cu TBIP
Reglajul formei de und:
reglaj brut prin capaciti;
reglaj fin prin rezistenele de baz sau prin v
B
()=E
CBA cu TBIP
Reglajul formei de und:
reglaj prin generatoare de curent:
It
C
V V t v
CC BE B
1
) ( + = ( )
BE B
V T v =
I
CV
T
CC
=
1
I
CV
T
CC
2
0
=
CC
CV
I
f
2
1
=
dac:
R
v V V
I
EB CC

=
CC
EB CC
V
v V V
RC
f

=
2
1
(convertor tensiune-frecven).
CBA cu TBIP
Impulsuri cu factor de umplere foarte mic;
Reglaj al factorului de umplere (la frecven
constant):
Generatoare de impulsuri cu CLI
Inversoare n cascad (numr impar):
p
nt
f
2
1
=
Utilizarea de reele RC pentru micorarea frecvenei:
capaciti spre mas
circuite conectate temporar n bucl de reacie
pozitiv:
circuit cu o singur capacitate de temporizare:
generator de impulsuri cu inversoare CMOS:
Pe durata T
1
:
( )
RC
t
DD
RC
t
DD
e V e V t v

= + = 0 0 ) (
1
; 5 , 0 ) (
1 1 DD prL
V V T v = =
2 ln
1
RC T =
Pe durata T
2
:
|
|
.
|
\
|
= + =

RC
t
DD
RC
t
DD DD
e V e V V t v 1 ) 0 ( ) (
1
; 5 , 0 ) (
2 1 DD prL
V V T v = = 2 ln
2
RC T =
2 ln 2
0
RC T =
RC
f
7 , 0
0
=
Reglarea frecvenei i a factorului de umplere:
Sincronizarea impulsurilor:
Generatoare cu cuar:
Generatoare cu cuar:
Alte variante:
cu circuite cu histerezis, cu temporizatoare integrate
Circuit de temporizare integrat 555:
Circuit de temporizare integrat monolitic bipolar foarte
versatil:
monostabil,
astabil,
generator de diferite forme de und;
Precizie foarte bun obinut pentru temporizri :
la variaii ale tensiunii de alimentare,
ale temperaturii sau
n timp.
(datorit modului de control al tensiunilor din reeaua
extern de temporizare, prin comparatoare de bun
calitate)
Circuit de temporizare integrat 555:
Schema logic:
Circuit de temporizare integrat 555
Componentele circuitului:
Comparatorsus,PS:
Comparatorjos,PJ:
UncircuitCBBdetipSR:
CC pH
V V
3
2
=
CC pL
V V
3
1
=
Untranzistor dedescrcare,
conectat laieirea CBB;
Unetaj final,detipinversor,conectat laieirea CBB,capabil s
asigure curent maren sarcin (pn la200mA);
Uncircuitdeaducere lazero,ALOprin caresepoate ntrerupe
ciclul normalaltimerului (normal,intrarea ALOeste cuplat
lasursa dealimentare i devine activ cnd tensiunea pe ALO
scade sub0,5V);
CBM cu 555
Schema i formele de und:
CBM cu 555
Schema i formele de und:
Pn laaplicarea impulsului,CBBeste n starea Q =ZERO,
tranzistorul dedescrcare este saturat i capacitatea de
temporizare este descrcat;
Laaplicarea impulsului decomand (negativ)pe intrarea
PJ,latrecerea prin V
PL
,CBBtrece n starea Q =UNU,
tranzistorul dedescrcare seblocheaz i ieirea etajului
finaltrece n UNU;
Urmeaz procesul dencrcare acapacitii de
temporizarea prin rezisten delasursa dealimentare
dup legea:
Procesul setermin cnd:
Rezult:
|
|
.
|
\
|
=

t
t
CC C
e V t v 1 ) (
RC = t
CC pH C
V V T v
3
2
) ( = =
RC RC T 1 , 1 3 ln ~ =
Timpul derevenire este foarte mic,dat detranzistorul dedescrcare caremergespre
saturaie;
CBM cu 555 cu controlul duratei
Prin convertordigital/analogic(DAC08):
CBA cu 555
Schemadeprincipiu i formele deund:
CBA cu 555
Circuitul detemporizare;fixeaz frecvena
impulsurilor i factorul deumplere alimpulsurilor;
Pe durata T
1
,Q =UNU,tranzistorul dedescrcare
este blocat,capacitatea sencarc delaV
PL
ctre
sursa dealimentare,V
CC
Laatingerea tensiunii deprag superior,v
C
(T
1
)= V
PH
,
seschimb starea CBB;rezult:
Pe durata T
2
,Q=ZERO,tranzistorul dedescrcare
este deschis lasaturaie i capacitatea sedescarc
dela,V
PH
spre 0
( )
1
t
t
CC pL CC C
e V V V v

+ =
( )
B A
R R C + =
1
t
( ) 2 ln
1 B A
R R C T + =
2
) (
t
t
pH C
e V t v

=
B
CR =
2
t
Laatingerea tensiunii deprag inferior,v
C
(T
2
)= V
PL
,
seschimb starea CBB;rezult:
2 ln
2 B
CR T =
CBA cu 555
Perioada i frecvena impulsurilor:
( ) 2 ln
1 B A
R R C T + = 2 ln
2 B
CR T =
( )
( ) 2 ln 2
1
2 ln 2
0
2 1 0
B A
B A
R R C
f
R R C T T T
+
=
+ = + =
Factorul deumplere:
B
B A
R
R R
T
T +
= =
0
1

CBA cu 555
Modificarea factorului deumplere cucircuite de
separare cudiode:
B
B A
R
R R
T
T +
= =
0
1
Rezistena R
A
poate fialimentat
delaotensiune extern diferit de
V
CC
dar superioar lui V
PH
i se
obine oconversie tensiune
frecven;
Generator de impulsuri cu 555
Cufrecvena comandat deunconvertordigital/analogic
(DAC08)
Digital (EED)
Generatoare detensiune liniar
variabil
Generatoare de tensiune liniar variabil
Realizeaz ntrosarcin dat otensiune v(t) acrei variaie n timp,n anumite
intervale,sefaceliniar;
aplicaii:TV,osciloscopie,radilocaie,aparatur digital,convertoare A/D,D/A,
interfee pentru calculator,etc.;
formadeund i parametrii ei:
) ( ) (
0
t t k V t v
i
+ =
T,durata TLV cursa activ;valori tipice:delazeci denslazeci deminute
(valoarea limit inferioreste impus decapacitile parazite,rezistena minim a
circuitului dencrcare,puterea disipat maxim;valoarea maxim este limitat
superiordecaloarea maxim acapcitii carepoate fifolosit,rezistena maxim,
curenii reziduali);
T
rev
timpul derevenire,cuaceleai limitri;trebuie s fiemai mic dect durata
activ;
V=V
f
-V
i
, amplitudinea TLV;
T
0
,perioada (dac lucreaz ca oscilator);
T
c
,perioada (sau durata)impulsurilor decomand;
Abaterea delaliniaritate;
( )
%
max
V
V A
= c
Schemadeprincipiu:
C sencarc prin dipolul dencrcare,D1:
rezisten fix conecat laosurs dealimentare;
generatordecurent simplu sau compensat;
C sedescarc prin dipolull dedescrcare,D2,curezisten echivalent mic;
TBIPn conducie (eventualn saturaie);
tiristor amorsat sau alte dispozitive;
Schemadeprincipiu:
Cel mai simplu model; ncrcarea unei capaciti printrorezisten fix delao
surs detensiune fix:
|
|
.
|
\
|
=

RC
t
o
e E t v 1 ) (
RC T t s s
t
RC
E
t v
o
~ ) (
Coeficient deneliniaritate:
%
8CR
E
= c
% 1 < c RC T <<
Schemadeprincipiu:
mbuntirea performanelor:
a) Introducerea capacitii n bucla dereacie negativ aunui amplificator cu
amplificare detensiune negativ,- A ,ceea ce determin,prin efect Miller,
multiplicarea electronic acapacitii de (1-A) ori i,ca urmare,micorarea
corespunztoare acoeficientului deneliniaritate;GTLVdetipMiller;
b) Introducerea rezistenei ntrobucl dereacie pozitiv aunui amplificator
neinversor,A,subunitar,ceea ce determin mrirea prin bootstrapare a
rezistenei de1/(1-A) ori i,deci,micorarea corespunztoare acoeficientului
deneliniaritate;GTLVdetipbootstrap;
c) ncrcarea capacitii printrungeneratordecurent constantrealizat cuTBIP
sau TECsau cuAO.
Generator TLV cu tiristor
Caracteristica i parametrii tiristorului:
V
a
,tensiunea deamorsare dependent decurentul de
poart,I
p
;
V
0
,tensiunea demeninere;
I
max
,curentul maximadmis prin tiristor;
I
0
,curentul denchidere atiristorului;
Tensiunea destrpungere;
Timpul decomutare;
Schemadeprincipiu,funcionare i formele deund (fig.
a,c,d):
ncrcarea capacitii:
Procesul setermin cnd:
Durata TLV:
Descrcarea capacitii:
Blocarea tiristorului areloc atunci
cnd curentul prin tiristor scade
subvaloarea curentului de
blocare:
coeficientul deneliniaritate:
( )
RC
t
o
e E V E t v

+ =
0
) (
a o
V T v = ) (
a
V E
V E
RC T
=
0
ln
RC r
t
a
T
e
r
V V
r R
V E
i

+
+
=
0 0
0
) ( I t i
rev T
=
r R
V E
I
r
V V
rC t
a
rev
+
~
0
0
0
ln
RC
T
8
= c
GTLV de tip Miller
Schemasi formele desemnal:
Amplificatorul poate firealizat cuTBIP,TEC,AOcuinfluene asupra
parametrilor formei deund;
Sensul cresctor altensiunii deieire:
Sensul descresctor altensiunii:
Durata unei semiperioade:
RC
t
E V t v
i o
+ = ) (
RC
t
E V t v
f o
= ) (
E
V
RC
E
V V
RC
T
o
i f
=
=
2
0
GTLV de tip bootstrap
Tensiunea depe rezisten:
Comutatorul K:cuTBIP,cuTEC,cupoart logic;
GTLV de tip bootstrap
Limitarea amplitudinii seface
prin elementele neliniare ale
amplificatorului;
Amplificatorul: Diferene:
Repetor pe emitor; Impedana deintrare;
Repetor pe surs; Impedana deieire;
Repetor cuAO Amplificarea detensiune;
Mrimi reziduale
Durata TLV:
E poate fitensiunea depe ocapacitatemare;
Neliniaritatea este limitat; Circuitcudubl bootstrapare (fig.b);
R
E
T TI CV V C Q
o
= = = A = A
max
E
V
CR T
omax
=

GTLV bootstrap cu TBIP
T1este comutator;
T2amplificator detensiune,
repetor;
Q
1
este comutator;
Q
2
amplificator detensiune,
repetor;
Funcionarea schemei:
Curentul prin rezisten:
Capacitatea sencarc liniar,prin
curent constant:
Saturarea lui Q
2
areloc atunci
cnd:
Durata TLV:
R
V
R
V V
I
CC D CC
~
=
t
C
I
t v
C
~ ) (
BE C o
V t v t v = ) ( ) (
CC o
V T v = ) (
RC
V V
V V
RC T
D CC
BE CC
~
+
=
Q
1
este comutator;
Q
2
repetor;
Funcionarea schemei (2):
Revenirea sefaceprin descrcarea
capacitii prin diferena curenilor
celor dou generatoare decurent,
pn lasaturarea lui Q
1
:
I i I
B desc
=
1 0
|
2 1
1
R
V
R
V V
i
BE
BE g
B

=
I i
CV
t
B
CC
rev
=
1 0
|
Q
1
este comutator;
Q
2
repetor;
Funcionarea schemei (3):
Liniaritatea este foarte bun:
Cauze:
Rezistena depierderi alui Q
1
blocat;
curentul depierderi allui Q
1
;
Rezistena depierderi a
condensatorului;
Impedana deintrare n
amplificator;
Curentul inversaldiodei blocate;
Pierderea detensiune depe
capacitatea C
0
|
|
.
|
\
|
+ + =
int 0
max
1
8
1
R
R
C
C
A
V
V
CC
o
c
V C CV A =
0 0
0
0
C
C
V V = A
Variant mbuntit:
GTLV cu generatoare de curent constant
Schemai formele deund:
GTLV cu generatoare de curent constant
Schemai formele deund:
Q
1
generatordecurent:
Q
2
comutator comandat cu
impuls;
Pe durata ncrcrii capacitii:
(pn lasaturarea lui Q
2
)
Tensiunea final (amplitudinea
TLV):
Dincondiia:v
0
(t)= V
0
,rezult:
Larevenire:
R
V V
I
EB Z

=
It
C
t v
o
1
) ( =
EB Z CC f
V V V V V + = =
0
EB Z
Z EB CC
V V
V V V
RC T
+
=
I i
CV
t
B
f
rev
=
1 0
|
2 1
1
R
V
R
V V
i
BE
BE g
B

=
Neliniariti(rezistene:Q
1
, blocat, de ieire a generatorului de curent,
rezistena de pierderi a condensatorului, de sarcin)

Modul8 PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Modul8 PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elemente de Electronic Digital (EED) specializarea Calculatoare

Elemente de Electronic Digital (EED) specializarea Calculatoare

Elemente de Electronic Digital (EED) specializarea Calculatoare

Elemente de Electronic Digital (EED) specializarea Calculatoare

S-ar putea să vă placă și