Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
1
MATERIALE DIELECTRICE SOLIDE
1. Scopul lucrrii:
Lucrarea permite determinarea permitivitii relative complexe i
analiza comportrii acesteia n frecven (100Mhz - 1Ghz), pentru materiale
dielectrice cu polarizare temporar, folosite frecvent n industria electronic,
fie ca material dielectric pentru condensatoare, fie ca suport de cablaj
imprimat.
2. Noiuni teoretice
Dielectricii sunt materiale izolatoare, care se caracterizeaz prin stri de
polarizaie cu funcii de utilizare; prin stare de polarizaie electric se
nelege starea materiei caracterizat prin momentul electric al unitii de
volum diferit de zero. Starea de polarizaie poate fi temporar, dac depinde
de intensitatea local a cmpului electric n care este situat dielectricul i
poate fi de deplasare (electronic sau ionic) sau de orientare dipolar.
Indiferent de mecanismul de polarizare, n domeniul liniar, interaciunea
unui dielectric izotrop cu cmpul electric este caracterizat de permitivitatea
relativ complex (rel. 1 ):
r
j
r
E
0
D
r
c ' ' c' =
c
= c (1)
unde: D este inducia electric,
E este intensitatea cmpului electric, iar
m F / 10
36
1
9
0
=
t
c , permitivitatea vidului.
Dac un material dielectric cu permitivitatea complex relativ cr, se
introduce ntre armturile unui condensator care are n vid capacitatea Co, n
aproximaia c liniile de cmp se nchid n ntregime prin material (efectele
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
2
de margine sunt neglijabile), admitana la bornele condensatorului astfel
format are expresia:
( )
0
C
r
j
0
C
r
0
C
r
j
r
j
0
C
r
j Y c' e + c ' ' e = c ' ' c' e = c e = (2)
Schema echivalent a condensatorului cu material dielectric i diagrama
fazorial sunt date n Figura 1.
Din schema echivalent se observ c partea real a permitivitii complexe
relative caracterizeaz dielectricul din punct de vedere al proprietilor sale
de a se polariza (indiferent de mecanismul de polarizare) i are ca efect
creterea de c
'
r ori a capacitii condensatorului la aceleai dimensiuni
geometrice, capacitatea condensatorului obinut fiind :
Ce = c
'
r Co (3)
Figura 1. Schema echivalent i diagrama fazorial pentru un condensator
cu dielectric ntre armturi
Partea imaginar a permitivitii complexe relative c
''
r, caracterizeaz
dielectricul din punct de vedere al pierderilor de energie n material, pierderi
modelate prin rezistena
0 r
e
C
1
R
c ' ' e
= (4)
n diagrama fazorial din Figura 1, unghiul este unghiul dintre tensiunea
U aplicat condensatorului i curentul I care l strbate. Complementarul
unghiului de fazaj se numete unghi de pierderi i se noteaz cu o.
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
3
Se definete tangenta unghiului de pierderi a materialului dielectric, ca fiind
raportul:
r
r
0 r
0 r
e e C
R
C
R
r
a
C
C
R C
1
I
I
I U
I U
P
P
tg
c'
c ' '
=
c' e
c ' ' e
=
e
= =
= = o
c
(5)
unde: Pa = puterea activ la bornele condensatorului,
Pr = puterea reactiv la bornele condensatorului.
Inversul tangentei unghiului de pierderi se numete factor de calitate
al materialului dielectric i se noteaz cu
r
r
CR
tg
1
Q
c ' '
c'
= e =
o
=
c
c
(6)
Permitivitatea complex relativ poate fi pus i sub forma:
( )
c
o c =
|
|
.
|
\
|
c
c
c = c tg j 1 j 1
'
r
'
r
"
r '
r r
(7)
n acest caz, partea imaginar ne d o informaie complet asupra pierderilor
totale (pierderi prin polarizare, pierderi prin conducie electric, pierderi
prin ionizare) n dielectric. Din punct de vedere al utilizatorului de
componente, pentru materialul dielectric aceti doi parametri c'r i tgoc sunt
eseniali.
Datorit structurii fizice i fenomenelor complexe ce se petrec n dielectric,
cnd asupra acestuia se aplic un cmp electric, permitivitatea dielectric
real c
'
r i tangenta unghiului de pierderi tgoc sunt dependente puternic de
frecven i temperatur.
n Tabelul 1 sunt date caracteristicile tipice ale ctorva materiale studiate n
lucrare (msurate la u = 20 C si f = 50 Hz), iar n Figurile 2 i 3 este
prezentat dependena de frecven a permitivitii, c
'
r , si a tangentei
unghiului de pierderi, tgoc, la temperatura constant de u= 20 C, pentru 2
materiale dielectrice uzuale: polietilentereftalat (mylar) i policarbonat.
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
4
Tabelul 1
Material Tip de polarizare c
'
r tgoc
Polietilentereftalat polarizare de orientare 3 (45)10
-3
Polimetacrilat de
metil (plexiglas)
" 3,5 0,020,08
Policarbonat " 3 (812)10
-4
Hrtie de conden-
sator
" 6,6 (67)10
-3
Politetrafluretilen
(teflon)
polarizare de deplasare
electronic
1,92,2 (14)10
-4
Fig.2 Fig.3
3. Aparatura utilizat: analizorul RF de impedan/ material, model
E4991A, Agilent.
Aparatul de msur i control cu ajutorul cruia se execut msurarea
permitivitii complexe relative a materialelor dielectrice este analizorul RF
de impedan/material, model E 4991A. Acesta este folosit pentru
msurarea impedanei, a permitivitii complexe relative a materialelor
dielectrice i a permeabilitii magnetice relative a materialelor magnetice.
Lucrarea se ocup de msurarea permitivitii complexe relative a
materialelor dielectrice solide ntr-o gam larg de frecvene.
Figura 2. Dependena de frecven a lui cr
'
si tgoc
pentru polietilentereftalat la temperatura de
20
0
C
Figura 3. Dependena de frecven a lui cr
'
si tgoc
pentru policarbonat la temperatura de
20
0
C
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
5
n scopul msurrii permitivitii complexe relative a materialelor
dielectrice, analizorul de materiale E 4991A folosete urmtoarele accesorii:
capul de test E4991A, dispozitivul de fixare a materialelor dielectrice
16453A, suportul de fixare, tastatura, penseta, mouse-ul, proba standard de
material dielectric i probele de material dielectric solid de msurat,
Figura 4. Opional, se folosete un display, care se conecteaz la panoul
din spate al analizorului.
Figura 4 Analizorul E4991A i accesoriile folosite la msurarea
permitivitii
Analizorul E 4991A msoar, calculeaz i vizualizeaz valoarea
permitivitii complexe relative a materialului dielectric solid si a tangentei
unghiului de pierderi din valoarea capaciti condensatorului echivalent.
Condensatorul echivalent, Ce este realizat fizic din: electrozii superior si
inferior ai dispozitivului pentru test, 16453A i materialul testat (MUT -
Material Under Test) MUT se poziioneaz ntre electrozii dispozitivului
de fixare pentru test, 16453A, aa cum este prezentat n Figura 5.
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
6
a) b)
Figura 5 a) dispozitivul de fixare a materialului dielectric 16453A;
b) condesatorul echivalent.
Partea real a permitivitii complexe relative se determin cu relaia:
S
gC
C
C
0
e
0
e
r
'
c
= = c (8)
unde: S = Si - suprafaa electrodului inferior, cu diametrul de 7mm,
g - grosimea materialului dielectric;
Partea imaginar a permitivitii complexe relative esre data de relaia:
e 0 0 e
r
' '
SR
g
C R
1
ec
=
e
= c (9)
iar, tangenta unghiului de pierderi a materialului dielectric rezulta din
raportul celor doua marimi
r
r
tg
c'
c ' '
= o
c
(10)
4. Desfurarea lucrrii
Modul de executare n detaliu a fiecrui pas din schema logic de masura
este descris n ANEXA 1 a lucrrii de laborator.
4.1 Mod de lucru i prelucrarea rezultatelor
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
7
4.1.1 Se msoar permitivitatea complex, partea real i imaginar ale
acesteia i tangenta unghiului de pierderi, pentru urmtoarele materiale:
politetrafluoretilena (teflon), polimetacrilat de metil (plexiglas), stratificat
pe baz de hrtie (pertinax), stratificat pe baz de sticl (sticlotextolit) i a
oxidului de aluminiu (alumina) n gama de frecvene de la 100 MHz la
1GHz.
Materialele se fixeaz, pe rnd, n dispozitivul de fixare a probei de test
16453A (Figura 5) i se parcurge algoritmul din ANEXA 1. Calibrarea
analizorului se execut o singur dat. Valorile msurate (
r
c' ,
r
c ' ' ,tg ) la
diferite valori ale frecvenei de lucru, se trec n Tabelul 2. Ultima linie din
tabel se completeaz cu valorile factorului de calitate, care se calculeaz cu
relaia (6).
4.1.2 Se va reprezinta, n trei grafice separate, evoluia
r
c' ,
r
c ' ' si tg
pentru cele cinci materiale msurate, teflon, sticlotextolit, pertinax i
plexiglas i se va comenta modul n care se modific parametrii menionai
n gama de frecven.
Tabelul 2
F [MHz] 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
T
e
f
l
o
n
g
=
3
m
m
r
c'
r
c ' '
tg
Q
S
t
e
c
l
o
t
e
x
t
o
l
i
t
g
=
1
m
m
r
c'
r
c ' '
tg
Q
P
e
r
t
i
n
a
x
r
c'
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
8
r
c ' '
tg
Q
P
l
e
x
i
g
l
a
s
g
=
2
,
1
m
m
r
c'
r
c ' '
tg
Q
A
l
u
m
i
n
a
g
=
1
m
m
r
c'
r
c ' '
tg
Q
4.1.3 Se msoar
1 r
c' ,
2 r
c' ale probelor din plexiglas i steclotextolit la
frecvenele date n Tabelul 3 i rezultatele se trec n tabel. Se realizeaz din
cele dou probe un sandwich care se introduce ntre electrozii dispozitivului
de fixare i se msoar valorile e
r
c '
care se nscriu n tabel, pentru trei valori
ale frecvenei.
Tabelul 3
Material
f[MHz]
1 r
c' ,
2 r
c' ,
re
c'
100 500 800
Pertinax
(g1 = 0,95mm)
1 r
c '
Steclotextolit
(g2 = 2,1mm)
2 r
c'
Sandwich pertinax +
re
c'
msurat
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
9
steclotextolit
( g1+2 = 1,95mm)
Sandwich pertinax +
steclotextolit
re
c'
calculat
Sandwich pertinax +
steclotextolit
re
c'
ms -
re
c'
calc =
Se calculeaz
re
c' cu relaia urmtoare:
'
2
2
'
1
1
2 1 '
r r
re
g g
g g
c c
c
+
+
= (11)
unde: valorile lui g1 i g2 se n mm
Se compar rezultatele obinute prin msurtori cu cele calculate i se
justific eventualele diferene.
5. Coninutul referatului
1. scopul lucrrii;
2. valorile msurate i valorile calculate (Tabele 2 i 3); se
folosete formula (6) pentru calculul factorului de calitate Q;
3. reprezentarea grafic ( ) ( ) e = o c e = c e = c
c
f tg , f ), ( f
"
r
'
r r
pentru materialele msurate; fiecare grafic va fi comentat.
4. determinarea
re
c' att prin msurare ct i prin calcul (Tabelul
3); se vor comenta rezultatele;
5. concluzii i observaii personale privind fenomenul fizic
analizat.
6. ntrebri i probleme
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
10
1. Comentai comportarea materialelor msurate in domeniul de
frecventa utilizat.
2. S se deduc formula de calcul a tangentei unghiului de pierderi
echivalente a dou condensatoare legate n paralel i n serie cnd se
cunoate capacitatea i tangenta unghiului de pierderi pentru fiecare
condensator.
3. S se calculeze permitivitatea complex echivalent a unui
dielectric format din dou straturi de materiale diferite, cnd se cunoate
permitivitatea complex a fiecruia (vezi Figura 6).
Fig.6
4. Dac 1 = 2.1, 2 = 3.5 si g1 = (1/4)g2, s se determine
echivalent pentru structura din Fig 7.
Fig 7.
5. Determinai valoarea prii reale a permitivitii complexe
relative c'r1 a unei probe de mic cu grosimea de 0,1mm cu ajutorul unei
probe de teflon cu grosime de 0.8mm i c'r2 = 2.1 i c'rechivalent= 2.23.
6. Intre armaturile condensatorului plan - paralel cu capacitatea in
vid de C
0
= 100pF, se introduce un dielectric avand permitivitatea relativa
complexa cu termenii
r
c' =5 si c
''
r =5 10
4
; sa se calculeze admitanta si
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
11
elementele schemei echivalente paralel pentru condensatorul astfel obtinut,
la frecventa de 1MHz.
7. Pentru acelasi condensator cu dielectricul intre armaturi, sa se
calculeza factorul de calitate Q si tangenta unghiului de pierderi tg, la
frecventa de 1MHz .
8. Intre armaturile unui condensator plan - paralel cu capacitatea
in vid C
0
= 68 pF, se introduce un dielectric avand permitivitatea relativa
complexa cu termenii
r
c' =3,5 si c
''
r =410
4
;
a) sa se calculeze admitanta si elementele schemei echivalente paralel
pentru condensatorul astfel obtinut, la frecventele de 500 kHz si 5 MHz;
comentati rezultatele.
b) sa se calculeze factorul de calitate Q si tangenta unghiului de pierderi
tg, la frecventele de 500 kHz si 5 MHz; comentati rezultatele.
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
12
ANEXA 1.1
Executarea msurrii permitivitii complexe relative a materialelor
dielectrice cu Analizorul RF de impedan / materiale , Model 4991A,
Agilent
Pasul 1 - Pregtirea analizorului pentru msurtori
Conectarea i deconectarea analizorului se execut cu butonul , plasat
dreapta - jos. Simultan cu cuplarea analizorului se activeaz i softul
acestuia.
Observaie: Pe durata nefuncionrii se recomand ca aparatul s fie
deconectat de la reea, pentru evitarea ocurilor tensiunii reelei.
Iniializarea softului aparatului. Analizorul folosete Windows 2000
Professional. n fereastra de dialog, pe linia user name se tasteaz
agt_instr n loc de Administrator i apoi, fr password se apas
butonul OK. n etapa aceasta analizorul este pregtit pentru msurtori de
impedan i de material.
Pasul 2- Selectarea modului de msurare
Pe display apare fereastra de msurare, aa cum este prezentat n Figura
A1.
Trace 1 - E4991A Impedance/Material Analyzer
Trace Meas/Format Scale Display Marker Stimulus Trigger
Utility Save/Recal System
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
13
Figura A1. Imaginea ferestrei de msurare.
Pentru msurarea permitivitii se procedeaz astfel:
1. n meniul System se apas caseta Preset pentru iniializarea
analizorului.
2. n meniul Utility se apas caseta Utility....
3. Se apas caseta Material Option Menu.
4. Se selecteaz Permittivity n csua Material Type.
La sfritul pasului 2 analizorul este pregtit pentru efectuarea msurtorii
permitivitii materialului.
Pasul 3. Se selecteaz condiiile de msurare
3.1 Setarea parametrilor de msur i a formatului desfurrii se
execut pentru
r,
r= 0,0000.
Pasul 6 Calibrarea analizorului
Calibrarea se realizeaz n planul suprafeelor de contact ale dispozitivului
de fixare pentru test 16453A. Calibrarea este obligatorie i se execut n
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
16
scopul nlturrii erorilor introduse de elementele de circuit din schema
echivalent a capului de msur, Figura A2.
Figura A2 Schema echivalent a dispozitivului de fixare 16453A
Calibrarea se execut astfel:
1. n meniul Stimulus se tasteaz Cal/Comp....
2. n csua Fixture Type se confirm tipul dispozitivului de fixare
pentru test 16453.
3. Se apas butonul Cal Menu.
4. n csua Cal Type se selecteaz punctele de msur cerute de datele
de calibrare.
Observaie: Pe durata calibrrii apare mesajul Wait-Measuring Cal
Standard la stnga barei de calibrare.
5. Pentru calibrarea n gol se trage n sus butonul de partea superioar a
dispozitivului 16453A, pentru deprtarea electrozilor. n aceast poziie, se
apas butonul Meas Open i se ateapt aproximativ 10 sec pn la
apariia bifei la stnga Meas Open;
6. Pentru calibrarea n scurtcircuit electrozii dispozitivului de fixare sunt n
contact, (electrodul superior este eliberat). Se apas butonul Meas Short
i se realizeaz calibrarea n gol care se finalizeaz la apariia bifei la
stnga Meas Short;
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
17
7. Cu brara ESD conectat la mn i folosind penseta se introduce proba
de material etalon n dispozitivul de fixare. Se activeaz butonul Meas
Load i se msoar proba de material etalon, care se finalizeaz la apariia
bifei n stnga Meas Load.
8. Se apas butonul Done i analizorul calculeaz datele de calibrare i le
salveaz n memoria intern. Dup finalizarea pasului 6, analizorul este
pregtit pentru introducerea grosimii MUT.
Pasul 7 Introducerea grosimii probei de msur (MUT)
Grosimea probei se msoar cu ublerul i se introduce n programul de
msurare astfel:
1. n meniul Utility se activeaz Utility... .
2. Se activeaz butonul Material Option Menu.
3. n csua Thickness se introduce grosimea probei. De exemplu pentru
grosimea de 1 mm, se tasteaz [1] [m] i [Enter].
Pasul 8 Conectarea probei de msur (MUT)
Se execut prin introducerea probei ntre electrozii dispozitivului de test. Se
verific contactul electrozilor, dispozitivul de fixare i (numai daca este
cazul) se regleaz presiunea electrodului superior cu rozeta Pressure
Adjustment. Cu parcurgerea pailor 7 i 8 analizorul este pregtit pentru
msurarea i analiza rezultatelor.
Pasul 9. Msurarea i analiza rezultatelor
Odat introdus grosimea probei de msurat n csua i cu materialul fixat
ntre electrozi, dup activarea Autoscale all, rezultatele msurtorilor se
afieaz pe ecran. Explorarea rezultatelor se realizeaz cu bara de comenzi
Marker, pentru determinarea valorilor specifice de interes. Folosind
Marker Fctn (function), bara de comenzi arat analiza care se
efectueaz cu ajutorul markerilor activai. Pentru afiarea rapid a
L U C R A R E A N R . 1
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
18
rezultatelor, din Scale, se activeaz autoscalarea cu autoscale i
autoscale all.
n Figura A3 se prezint o imagine a ecranului cu unele rezultate ale
msurtorilor privind permitivitatea, (
r [U],