Sunteți pe pagina 1din 5

Lucrarea nr.2.

INFLUENA TEMPERATURII AMBIANTE ASUPRA JONCIUNII P-N

1. Scopul lucr r!! Se va studia influena temperaturii asupra conduciei n sens direct la diode semiconductoare. Se va ridica caracteristica curent-tensiune la dou temperaturi diferite ale mediului ambiante. Se determin coeficientul de variaie a tensiunii cu temperatura pentru diodele studiate. 2. Con"!#era$!! %eore%!ce Zona de contact ntre un semiconductor de tip p i unul de tip n se numete jonciune p-n. Procesele care au loc n jonciune sunt legate de difuzia purttorilor de sarcin. ntr-o grosime b n jurul zonei de contact are loc o recombinare a electronilor de pe nivele adiionale cu golurile de pe celelalte nivele adiionale! nivele acceptoare. n acest volum de material de grosime b datorit difuziunii purttorilor de sarcin apare un c"mp electric E i care fr"neaz difuzia n continuare a purttorilor de sarcin. #pare o barier de potenial peste care electronii respectiv golurile nu mai trec pentru c nu au energie suficient pentru trecere. imea $grosimea% stratului de blocaj este&

Lb =

)( r wb ' N q(

$*%

unde& = ( r este permitivitatea cristalului de baz +=+d +a este numrul impuritilor donore respectiv acceptoare ,b este energia stratului de blocaj! energia necesar pentru trcerea barierei de potenial. a o polarizare direct a jonciunii p-n bariera de potenial se micoreaz! se reduce b. Polarizarea invers a jonciunii duce la creterea limii barierei de potenial! deci crete i energia necesar trecerii barierei! prin urmare scade curentul prin jonciune. -urentul invers este neglijabil fa de curentul direct printr-o jonciune. -urentul . care trece printr-o jonciune! la aplicarea unei tensiuni /! depinde de tipul jonciunii $de materialul de baz! de tipul i cantitatea impuritilor%! de valoarea tensiunii aplicate i de temperatur.

Principalele mrimi de pe caracteristica .=f$/%& 0ensiunea de prag 1 valoarea tensiunii peste care jonciunea p-n ncepe s conduc la o polarizare direct. /p$Si% = (!2-(!34 /p$5e% = (!'6-(!764 -urent ma8im direct 1 valoarea ma8im a curentului n sens direct sub care procesele termice care au loc n material nu distrug jonciunea $este o mrime de catalog%. -urent de saturaie .( 1 valoarea ma8im a curentului n sens invers. 0ensiune ma8im invers /i 1 valoarea ma8im a tensiunii pe care jonciunea mai poate suporta la alimentarea invers. 9ezistena intern a jonciunii 9#
RA = U = k tg I

$'%

a polarizare direct rezistena intern este mic! iar la polarizare invers este mult mai mare. :8presia curentului direct prin jonciune este&

I D = I (d e

q(U kT

+ I ( gr e

qU ' kT

$7%

unde& .(d 1 este curentul corespunztor difuziei .(gr 1 este curentul corespunztor fenomenelor de generare-recombinare -urentul poate fi e8primat i cu ajutorul legii conduciei&
' N ( q( I = J A= EA= EA m(

$)%

+umrul purttorilor de sarcin +( depinde de temperatur conform e8presiei&

N( = C T

'

wi ' kT

$6%

unde& - 1 este o constant de material 0 1 temperatura absolut ,i 1 limea benzii interzise ;in"nd cont de relaiile $)% i $6% se poate afirma c componentele curentului direct . < sunt dependente de temperatur dup relaiile&

I (d T e

wi q(U kT

$2%

I ( gr T e

wi q(U ' kT

$3%

<eci dependena curentului de temperatur este e8ponenial. #ceast dependen se reflect i pe caracteristica .=f$/% a diodei $figura *%. n cazul diodelor de germaniu dependena curentului de temperatur este mai intens dec"t n cazul diodelor de siliciu.

=ig. *. -aracteristica jonciunii p-n <ac .< este constant tensiunea direct scade cu creterea temparaturii. #cest fenomen este pus n eviden prin coeficientul de variaie a tensiunii cu temperatura&
CU D = dU D dT
I D =ct

$>%

4aloarea medie a coeficientului CU D pentru diodele de siliciu este de 1'm4?-. &. Mo#ul #e lucru Se realizeaz montajul conform sc@emei de pe figura '.

=ig. '. Sc@ema desfurat a montajului utilizat #paratura utilizat& <*! <' 1 diode de studiat 4 1 voltmetru de c.c. pe domeniul (-*4 m# 1 multimetru digital :(7(' pe domeniul *(((m# c.c.

# 1 ampermetru de c.a. av"nd domeniile (-*# i (-'6(m# - 1 multimetru electronic tip 42)( A:9#09B+.- pe domeniul de 6(- i *6(C! C* 1 comutator cu dou poziii 9 1 reostat 7(/6# 9 1 rezisten de nclzire S! S* 1 surse de alimentare de c.c. 1. Ridicarea caracteristicilor I=f U! la diferite tem"erat#ri Prima dat se ridic caracteristica .=f$/% pentru cele dou diode $unul de siliciu! cellalt de germaniu% la dou temperaturi diferite! la temperatura camerei! apoi la o temperatur mai mare. Se realizeaz sc@ema de pe figura ' cu comutatorul C pe una din poziiile * sau ' fr s cuplm nclzirea $C* desc@is%. -u termometrul electronic se va msura temperatura ambiant 0( i se noteaz n tabel. Se alimenteaz sc@ema de la sursa S cu o tensiune direct ai crei valoare se modific conform tabelului *. Pentru fiecare valoare a tensiunii se citete valoarea curentului prin diod i se noteaz n tabelul *. Se reduce tensiunea! se trece comutatorul C pe cealalt poziie i se repet msurtorile! datele se trec n tabelul * linia corespunztoare diodei <' i temperatura 0(. <ioda 0emp U'() 21 T* I'3A) T1 I4'3A) 22 T* I'3A) T1 I4'3A) *+1 *+2 *+& *+, *+*+. 0abelul *. *+/ *+0 *+1

Se reduce tensiunea de alimentare la zero i se alimenteaz rezistena de nclzire 9. n cazul diodei <* $tip 5D*()% prin rezistena de nclzire se regleaz un curent . *=6(2(m#! nclzind dioda p"n la 0*=)(-. a atingerea ec@ilibrului termic se va menine constant temperatura i se regleaz tensiunea de polarizare a diodei la aceleai valori consemnate n tabelul * citind pentru fiecare tensiune curentul prin diod. Pentru nclzirea dioda <' $tip **'% se va regla prin rezistena de nclzire un curent .'=(!6-(!2#. <up atingerea temperaturii dorite $0*% acesta se va nota n tabel i se reiau msurtorile n mod asemntor. <atele se trec n tabelul *. Pe baza datelor se vor ridica caracteristicile .=f$/% pentru ambele diode la temperaturile 0( i 0*. $. Ridicarea caracteristicii UD=f T! -u ajutorul sc@emei din figura ' prin rezistena de nclzire se vor stabili cureni diferii! corespunztor diferitelor temperaturi! msurate cu termometrul electronic. Se fi8eaz un curent de *((m# prin dioda < * apoi se va nclzi prin intermediul rezistenei de nclzire. Se va urmri temperatura pe termometrul electronic i la temperaturi indicate n tabelul ' se va citi tensiunea de pe diod. <eoarece la creterea temperaturii se va modifica curentul prin jonciune $crete% se va regla tensiunea de polarizare $se scade% astfel ca curentul prin jonciune s rm"n constant $*((m#%. <ioda 21 T' C) U21'() 2* &* ,* -* .* /* I'3A) 0abelul '. CU2'3(5 C)

U22'() Se va proceda n mod asemntor i pentru dioda <'. <up completarea tabelului ' se ridic caracteristica /<=f$0% apoi se va calcula coeficientul de variaie a tensiunii cu temperatura - /< cu ajutorul formulei $>%. a fiecare variaie de temperatur 0=*(- se determin variaia corespunztoare de tensiune /< i coeficientul -/<. n final se calculeaz o valoare medie a coeficientului care se va nota n tabelul '. ,. 6n%re7 r! Pe baza caracteristicilor artai cum variaz tensiunea de prag /P cu temperatura. n ce sens se deplaseaz caracteristica jonciunii p-n la alimentarea direct la creterea temperaturiiE .ndicai cauzeleF -e influen are numrul de purttori de sarcin asupra conduciei n cazul materialelor semiconductoareE

22