Elemente de electronic analogic

1
Elemente de electronica corpului solid

Purttori de sarcin n semiconductoare

Dup conductibilitatea electric corpurile solide sunt:

- conductoare - cm O > / 10
3
la
amb
t
`
-

3 22
/ 10 cm n
e
~
(electroni liberi)
- neutre electric local i general
- conductibilitatea scade cu temperatura
( E E E qn qnv j
n

1
= = = = )
(n jurul ionilor pozitivi care nu particip la conducie se mic electroni
mobili)

- semiconductoare - cm O ~

/ 10 10
3 10
(la temperatura ambiant)
- pentru K T
0
100 < rezult cm O <

/ 10
10

- depinde pronunat de temperatur

- izolante - nici la temperaturi foarte mari nu prezint o
conductibilitate electric important

Aceast comportare este determinat de natura legturilor dintre atomi:

- la metale (conductoare) exist legtura metalic, foarte slab n care
electronii formeaz un nor electronic i pot participa uor la conducie;
- la izolatoare (materiale izolante) este specific legtura ionic, foarte
stabil pn la temperaturi foatrte mari; poate s apar, eventual, o
conducie ionic;
- semiconductoarele pot fi constituite:
- dintr-un singur tip de atomi din grupa a patra (Ge sau Si)
- din tipuri de atomi din grupe apropiate (de exemplu, din grupele
III, V, exemplul tipic fiind semiconductorul GaAs);
ntre aceste tipuri de atomi se pot stabili legturi covalente care
constau din punerea n comun a unuia dintre electronii de valen.





Elemente de electronic analogic

2
Pentru a se elibera un electron din legtura covalent este necesar
un surplus de energie.
La temperaturi mai mari de 100
0
K, datorit agitaiei termice,
electronii din stratul de valen devin electroni liberi i formeaz o sarcin
electronic real mobil.
n aceste condiii, la aplicarea unui cmp electric, electronii liberi
se deplaseaz ordonat i formeaz un curent electric de natur electronic;
Dar, un electron de valen vecin, de pe alt legtur covalent,
poate efectua o tranziie (tot datorit agitaiei termice) i ocup locul rmas
liber; sub influena cmpului electric, se constat c are loc o deplasare de
sarcin pozitiv n sensul cmpului electric, adic un electron devenit liber
determin efectuarea mai multor tranziii ca i cnd locurile libere s-ar
deplasa. Se asociaz acestei deplasri a unei sarcini pozitive noiunea de gol,
adic un purttor de sarcin pozitiv care determina o component a
curentului electric. De remarcat c golul nu este o particul elementar ci este
un concept care simuleaz deplasarea locurilor goale din structura
semiconductorului prin ocuparea lor de ctre electroni care se afl deja pe
alte nivele energetice.
Ge (Si)
O alt explicaie a celor dou componente ale curentului electric
dintr-un semiconductor se poate da folosind teoria benzilor energetice dintr-
un corp solid.



- conductoare: la temperatura absolut 0
0
K toate nivelele din BV
sunt ocupate i cele din BC sunt libere; nivelul Fermi separ cele
Elemente de electronic analogic

3
dou benzi; dac T crete, apar electroni de conducie care pot
participa la conducie.
- semiconductoare (izolatoare): la temperatura absolut 0
0

Kelvin toate nivelele din BV sunt ocupate i cele din BC sunt
libere; poziia nivelului Fermi nu este precizat; electronii nu pot
ocupa nivele din BI; la energie termic suficient de mare (foarte
mare) este posibil ca unii electroni s treac din BV n BC.
Numrul acestora depinde de W:
- la germaniu: W =0,67 eV
- la siliciu: W =1,1 eV
- diamant: W =6-7 eV

Prin impurificare (procedee tehnologice), proprietile electrice ale
semiconductoarelor se modific foarte mult fiind dou posibiliti:

n cazul n care se introduc impuriti ale cror nivele energetice permise
n BV sunt foarte aproape de BC (elemente pentavalente, Bi, Sb, As, P) n care
al cincilea electron trece uor n banda de conducie, se obin electroni de
conducie chiar la temperaturi sczute dei nu au aprut goluri n banda de
valen adic procesul de generare de perechi de purttori nu este semnificativ.
Se spune c impuritile sunt de tip donor i c, la temperatura camerei, sunt
ionizate complet. Rezult c, n semiconductor, numrul de purttori mobili
electroni este mai mare dect cel de goluri.

a) impurificare cu substane pentavalente (Bi, Sb, As, P) - donoare
- al 5-lea electron trece uor n BC apar electroni de conducie
- la temp. camerei toate impuritile sunt ionizate
- procesul de generare de perechi nesemnificativ (nc)
semiconductor extrinsec
- purttorii majoritari electronii semic de tip N
- purttorii minoritari golurile n >>p



Elemente de electronic analogic

4

b) impurificare cu substane trivalente (B, Al, In, Ga) - acceptoare
- apare uor un gol n BV pot participa la conducie
- la temp. camerei toate impuritile sunt ionizate
- procesul de generare de perechi nesemnificativ (nc)
semiconductor extrinsec
- purttorii majoritari golurile semic. de tip P
- purttorii minoritari electronii n << p

c) fr impurificare semiconductor intrinsec
- numrul golurilor egal cu al electronilor
i
n p n = =

n fizica corpului solid se calculeaz concentraiile de electroni i de
goluri n funcie de poziia nivelului Fermi:

kT
W W
p
kT
W W
n
v F F c
e p e n

= =
0 0

2
3
2
2
3
2
2
2
2
2
|
|
.
|

\
|
=
|
.
|

\
|
=
h
kT m
h
kT m
p
p
n
n

cu
2
0 0 i
n p n = (independent de W
F
)

Semiconductor intrinsec:

0 0
p n =
kT
W W
p
kT
W W
n
v F F c
e e

=
rezult:
n
p
v c
F
m
m
q
kT W W
W ln
2
3
2
+
+
=

la K
o
0
2
v c
F
W W
W
+
= ;

Elemente de electronic analogic

5

T crete
F
W scade ( )
n p
m m <

concentraia intrinsec de purttori
i
n :
kT
W
p n
kT
W W
p n i
e e p n n
F c
A

= = =
0 0
2

kT
W
i
kT
W
i
e T const n e T const n
A

= =
2
3
3 2
. .

Consecine:
*
3 13 3 10
/ 10 5 . 2 ) ( / 10 5 . 1 ) ( cm Ge n cm Si n
i i
~ ~
* ) ( ) ( Ge n Si n
i i
<<
* dependena de temperatur
Se mai pot scrie i sub forma:
kT
W
p
kT
n
e p e n


A

= =
0 0


Semiconductor extrinsec:

- de tip N :
+
+ =
d
N p n
0 0

- provenii prin generare de perechi
- provenii prin ionizarea impuritilor donoare
- la temperatur ambiant:
+
~
d
N n
0

- la temperatur mare:
0 0
p n ~

Analog pentru semiconductor extrinsec de tip P

Observaie: poziia nivelului Fermi depinde de concentraiile de
impuriti. Dac semiconductorul este dotat neuniform cu impuriti, la
echilibru termic poziia nivelului Fermi rmne fix i se modific fundul BC
i vrful BV.

Elemente de electronic analogic

6
Conductibilitatea electric a semiconductoarelor

- T mic numr mic de purttori nu este curent electric
- T ambiant numrul de purttori mobili de sarcin crete prin
ionizarea impuritilor obinui datorit agitaiei termice
Se aplic i cmp electric peste micarea de agitaie termic dezordonat
se suprapune o micare dirijat a purttorilor mobili de sarcin creia i
corespunde o vitez medie de deplasare. Se constat proporionalitatea cu
cmpul electric:
E v =
v - viteza medie;
E - cmp electric aplicat;
- mobilitate
(

s V
m
2
mrime de material:
( ) ( ) Si Ge
p n p n

2
1
;
2
1
< ~
depinde de: - temperatur (scade)
- defectele structurii cristaline (scade)
- concentraia purttorilor liberi

Din vitezele medii curentul de cmp:

E qp j E qn j
p camp p n camp n
= = ;
( ) E E p n q E qp E qn j
p n p n
= + = + =
p n
qp qn + =

- semiconductor intrinsec: ( )
p n i i
qn + =
- semiconductor de tip N:
n d n
qN qn ~ ~
- semiconductor de tip P:
p a p
qN qp ~ ~
- impuriti de ambele tipuri se compenseaz








Elemente de electronic analogic

7
Variaia cu temperatura a conductibilitii electrice:



a
1
-a
2
temp. joas ionizare imp.
a
2
-a
3
temp. ambiant toate imp. rezistivitatea scade la temp.
sunt ionizate ambiant deoarece mobilitatea
a
3
-c temp. mare crete conc. de scade cu temperatura
purttori intrinseci
b conc. imp. mai mare

Difuzia purttorilor de sarcin

Semiconductor dopat neuniform cu impuriti, fr cmp electric din
exterior



a) tendina de uniformizare (ca la gaze) prin proces de difuzie curent
de difuzie;
b) apare cmp electric sarcini electrice pozitive fixe (stnga) i sarcini
electrice negative mobile (dreapta) care are tendina de a aduce napoi electronii
spre stnga curent de cmp.
c) rezult un proces de uniformizare dinamic
d) regim staionar (de echilibru) cnd transportul de purttori prin difuzie
= transportul de purttori prin cmp.
Curentul de difuzie este proporional cu gradientul concentraiei de
purttori:
Elemente de electronic analogic

8
p qD j n qD j
p dif p n dif n
V = V = ;

p n
D D , constante de difuzie,
(

s
cm
2
(depind de material)
Ecuaiile de transport

p n
p p dif p camp p p
n n dif n camp n n
j j j
p qD E qp j j j
n qD E qn j j j
+ =
V = + =
V + = + =

La echilibru termic: 0 = =
p n
j j

Legtura dintre constanta de difuzie i mobilitate

Ambele sunt mrimi care caracterizez acelai proces fizic cu caracter
statistic al micrii dezordonate a purttorilor de sarcin.



- energia potenial: ( ) x ct W
p
+ = . Dar: qU W
p
=
- potenialul intern:
q
W
U
p
= deci: ( )
( )
q
x
ct x U

= .
- cmpul intern:
( )
q
x
U grad E
'
= =
- curentul de electroni la echilibru termic:

0 = + = + V = E qn
dx
dn
qD E qn n qD j
n n n n n

Elemente de electronic analogic

9
- din:
( )
kT
x
n
e n

= se deduce:
kT
x
n
n
) (
ln ln

= i apoi:
( )
dx
kT
x
n
dn '
= sau: ( ) x
kT
n
dx
dn
' =

- curentul de electroni devine:

( )
( )
0
'
' = +
q
x
qn x
kT
n
qD
n n

,
de unde, pentru: ( ) , 0 ' = x rezult:

kT
D
n
n
= ; la fel:
kT
D
p
p
=

(relaii Einstein)

Ecuaiile de transport se pot scrie sub forma:

|
.
|

\
|
+ V =
|
.
|

\
|
+ V =
p E
kT
q
p qD j
n E
kT
q
n qD j
p p
n n


- echilibrul termic nu depinde de mobilitate sau de constanta de difuzie

Ecuaiile de continuitate

Variaia n timp a concentraiei de purttori:
- generare de purttori (termic, iradiere, etc.) G
n
, G
p

- recombinare de purttori (gol +electron dispar + foton) R
p
, R
n

- deplasare de purttori (div j 0)

q
j div
S
q
j div
R G
t
n
q
j div
S
q
j div
R G
t
p
n
n
n
n n
p
p
p
p p

=
c
c
= =
c
c



p p p
R G S = viteza efectiv de cretere
Elemente de electronic analogic

10
Recombinare: - direct
- indirect: - centri de recombinare
- capcane
- centri de alipire

Fie o generare de purttori care, la un moment dat, se oprete. Exist
0 1
p p > (concentraia la echilibru)
S
p
va fi proporional cu concentraia de purttori n exces,
0
p p , de
forma:
p
p
p p
S

=
p
este durata efectiv de via a purttorilor n exces
Dac: 0 =
p
j div , se obine ecuaia diferential:
p
p p
dt
dp

= cu condiia iniial: ( )
1
0 p p =


Soluia este:
p
t
e p p p t p

+ = ) ( ) (
0 1 0

- semnificaia lui
p

- Recombinarea depinde de concentraiile de purttori:
, pn R
p
= este coeficient de proporionalitate
- Generarea se face pe cale termic i viteza de generare depinde doar de
temp.:
0 0
n p G
p
=
- Rezult: ( )
0 0
n p pn R G S
p p p
= =
Fie:
0 0
, n n n p p p = A = A

( )
( ) n p p n
p n n p p n S
p
A + A
~ A A + A + A =
0 0
0 0

Elemente de electronic analogic

11
Semic. de tip N:
( )
0 0 0 0 0
p p n p n S p n
p
= A ~ >>
Dar:
d
p
p
p
N n
p p
S

1 1
0
0
~ =

=
Forma general a ecuaiilor de continuitate:

q
j div n n
t
n
q
j div
p p
t
p
n
n
p
p
+

=
c
c

=
c
c

0
0

Aplicaie:
- regim staionar
- semic. de tip N
- model unidimensional
- cmp electric slab

dx
dj
q
p p
dx
dp
qD
dx
dp
qD E qp j
p
p
n n
n
p
n
p p n p
1
0
0

=
~ =

0
0
1
0
2
2
0
=

=
|
.
|

\
|
+

p
n n n
n
p
p
n n
p p
dx
p d
dx
dp
qD
dx
d
q
p p

Se noteaz:
p p p
D L = lungimea de difuzie a golurilor
| |
p
L
x
n n no n
e p p p x p

+ =
0
) 0 ( ) (

Elemente de electronic analogic

12