Fotodioda

Dioda, inventat n 1904 de ctre fizicianul englez John Ambrose Fleming 1!49 " 194#$, %oate fi considerat nce%utul electronicii& 'n 190(, americanul )reenleaf *hittier +ic,ard 1!-- . 19#($ realizeaz %rimul detector cu cristal de siliciu, %recursor al diodei semiconductoare de mai t/rziu& Diodele semiconductoare sunt dis%ozitive electronice formate, n marea lor ma0oritate, ntr.o 0onc1iune %.n introdus ntr.o ca%sul din material %lastic, metal sau sticl, cu dou terminale, denumite anod A 2i catod 3& 4imbolul diodei semiconductoare este o sgeat orientat de la anod s%re catod, n sensul conven1ional al curentului& 4tructura 2i %rofilul de do%are determin %ro%riet1i s%ecifice care stau la baza realizrii unei varia1ii de diode, cu un s%ectru larg de a%licabilitate diode redresoare, 5ener, de comuta1ie, tunel, cu contact %unctiform, varica%, fotodiode, diode electroluminiscente, etc$& 6 fotodiod este un ti% de fotodetector ca%abil s converteasc lumina n curent electric sau n tensiune electric, n funcie de modul de o%erare& Fotocelula obinuit, folosit %entru a genera energie electric folosind energia solar, este de fa%t o fotodiod dis%us %e o su%rafa mai mare& Fotodiodele sunt similare diodelor semiconductoare, cu e7ce%ia c %ot fi e7%use %entru a detecta radiaiile ultraviolete din vid sau razele 8$ sau nca%sulate cu o fereastr sau cone7iune %entru fibr o%tic, %entru a %ermite luminii s a0ung la %artea fotosensibil a dis%ozitivului& 9ulte diode %roiectate %entru a fi folosite ca fotodiode utilizeaz mai degrab o 0onciune +.i.:, dec/t o 0onciune %.n, %entru a crete viteza de rs%uns& 6 fotodiod este %roiectat s funcioneze n %olarizare invers&

Principiul de funcionare

6 fotodiod este o 0onciune %.n sau 0onciune +.i.:& 3/nd un foton cu suficient energie nt/lnete dioda, acesta e7cit un electron gener/nd astfel un electron liber i un gol$& Acest mecanism se mai numete efectul fotoelectric intern& Dac absorbia are loc n zona 0onciunii, sau la o distan egal cu o lungime de difuzie, aceti %urttori sunt nde%rtai sub efectul c/m%ului electric e7istent& Astfel, golurile se de%laseaz ctre anod, iar electronii ctre catod, i un fotocurent se formeaz& 3urentul total %rin fotodiod este suma dintre curentul de ntuneric curentul %rin aceasta n absena sau %rezena luminii$ i fotocurent, astfel c %entru a mri sensibilitatea dis%ozitivului trebuie micorat intensitatea curentului de ntuneric& Fotodioda P-i-N este cel mai rs%/ndit fotodetector& 4%re deosebire de fotodioda sim%l cu o 0onciune p-n, con1ine ; straturi semiconductoare& <n structur are o regiune intrinsec %oziionat ntre regiunile % i n, n care se genereaz sub influen1a radiaiei incidente %erechi electron.gol& 4traturile =%> 2i =n>, de regul, sunt %uternic do%ate 101-?101! cm.;$& 4tratul =i> cu o grosime s%ecific este foarte %u1in do%at 2i %osed o concentra1ie foarte mic de im%urit1i donoare n0@1014?101# cm.;$& 4tructura sim%lificat, banda energetic, distribu1ia %uterii o%tice i distribu1ia de sarcina a fotodiodelor %"i"n este redat grafic mai 0os

Modurile de funcionare a fotodiodei PIN Fotonii intr n zona intrinsec %rin inelul metalic de cone7iune 2i %rin regiunea sub1ire de ti% %, gener/nd aici %erechi electron.gol& Dioda +<: este normal %olarizat invers, astfel nc/t sarcinile generate se de%laseaz s%re zonele % 2i n %rintr.o mi2care de drift& 3aracteristica de ie2ire ti%ic %entru o fotodiod +<: %rezint dou moduri %osibile de func1ionareA fotovoltaic i fotoconductiv. Bfectul fotovoltaic const n a%ari1ia unei tensiuni electromotoare ntr.o 0onc1iune % .n c/nd aceasta este iluminat& +rin acest efect se realizeaz conversia direct a energiei luminoase n energie electric& <ntr.un semiconductor intrinsec conduc1ia electric este realizat at/t de electronii care trec din zona de valen1 n zona de conduc1ie sub ac1iunea c/m%ului electric e7tern unde se de%laseaz liber 2i creaz densitatea de curent de electroni Jn, c/t 2i de golurile din zona de valen1, rezultate n urma %lecrii electronilor, 2i care din %unct de vedere al conduc1iei se com%ort ca sarcini elementare %ozitive 2i creaz densitatea de curent de goluri Jp& Densit1ile de curent JnJp 2i suntA Jn@ en Cn E

Jp@epCpE unde n este concentra1ia de electroni din zona de conduc1ie, % este concentra1ia de goluri din zona de valen1, 2i este sarcina electric elementar, e@1,(10.19, Cn 2i Cp sunt mobilit1ile electronilor 2i res%ectiv golurilor& <n semiconductorul intrinsec nDp 2i densitatea total de curent esteA jn@ enCnEepCp)E <n semiconductorii e7trinseci semiconductori do%a1i$ conduc1ia se realizeaz %rin electroni n semiconductorii do%a1i cu im%urit1i donoare . semiconductorii de ti% n 2i res%ectiv %rin goluri n semiconductori de ti% % do%a1i cu im%urit1i acce%toare& densitatea de curent n semiconductorii de ti% % este Jn iar n semiconductorii de ti% % este Jp unde nFp& 'n modul fotoconductiv se a%lic o tensiune de %olarizare invers, care descre2te ca%acitatea 0onc1iunii la cca& 1%F& Acest mod ofer o bun liniaritate lumin. curent, %/n la 1m* %utere o%tic %entru o diod de 1mm diametru, de e7em%lu& Ges%onzivitatea r este identic cu cea din modul fotovoltaicH ea este indicat fie %rin eficien1a cuantic, fie direct n AI*& Jalori ti%ice sunt 0&1 . 0&# AI*, n func1ie de lungimea de und 2i semiconductor& De%enden1a de tem%eratur a res%onzivit1ii este mic& Din nefericire, este generat un curent de ntuneric care este de%endent de tem%eratur, ceea ce creeaz %robleme la msurarea nivelelor mici de lumin 2i genereaz un zgomot su%limentar& 3urentul de ntuneric ti%ic, %entru o fotodiod de 1mm, la tem%eratura de K#o 3 , este #nA %entru 4i, 1KCA %entru )e 2i (CA %entru <n)aAs+& Acesta este motivul %entru care diodele %e )e 2i <n)aAs+ au arii active foarte mici, ti%ic 0&1 . 0&Kmm n diametru& De%enden1a de tem%eratur a curentului de ntuneric este foarte %ronun1at, el dubl/ndu.se la fiecare -o 3 %entru 4i, fiecare !o 3 %entru )e 2i fiecare 10o 3 %entru <n)aAs+& +arametrii critici de %erforman ai unei fotodiode suntA Bficiena cuantic 3a%acitatea intern a unei fotodiode de a converti energia luminoas n energie electric, e7%rimat in %rocente, se nume2te eficien cuantic L$, altfel zis ra%ortul dintre numrul de %erechi electron.gol generate 2i numrul de fotoni inciden1i& L@neInf Ges%onzivitatea fotodiodei este legat de eficiena cuantic %rin relaia A

Fun1ionnd n condi1ii ideale de reflectan1, structur a cristalului si rezisten1 intern, o fotodiod %e siliciu de calitate foarte bun %oate atinge o eficien1 cuantic de !0M& 'n tabelul 1 este %rezentat res%onzivitatea unei fotodiode, in

func1ie de lungimea de und, %entru situa1ia ideal n care eficien1a cuantic ar fi 100M&

4ensibilitatea Ga%ortul dintre fotocurentul generat i %uterea luminii incidente, de obicei e7%rimat n AI*, c/nd este utilizat n modul fotoconductiv& 4ensibilitatea mai %oate fi e7%rimat ca randament cuantic, sau ca ra%ortul dintre numrul %urttorilor generai i numrul fotonilor incideni, fiind astfel o cantitate adimensional& 3urentul de ntuneric 3urentul %rin fotodiod n absena luminii, c/nd o%ereaz n modul fotoconductiv& 3urentul de ntuneric include fotocurentul generat de radiaia de fundal i curentul de saturaie al 0onciunii semiconductoare& 3urentul de ntuneric trebuie avut n vedere la calibrare, dac fotodioda este folosit %entru a face o msurtoare de %recizie a %uterii radiaiei luminoase, i este de asemenea o surs de zgomot c/nd fotodioda este folosit ntr.un sistem de comunicaie o%tic& Nim%ul de rs%uns On foton absorbit de materialul semiconductor va genera o %ereche electron.gol care, la r/ndul su, se va de%lasa %rin material sub efectul c/m%ului electric i astfel va genera un curent electric& Durata de tim% finit a acestui curent este cunoscut ca durata tim%ului de tranzit i %oate fi evaluat folosind teorema lui Gamo& 4e %oate arta folosind aceast teorem c sarcina total generat n circuitul e7terior este e i nu Ke, cum ar %rea datorit %rezenei celor dou ti%uri de %urttori& 'ntr.adevr, integrala n tim% a curentului datorat de electron i gol trebuie s fie egal cu e& Gezistena i ca%acitatea fotodiodei i a circuitului e7terior dau natere altui tim% de rs%uns, numit constanta de tim% G3 & Aceast combinaie ntre G i 3 integreaz n tim% rs%unsul fotodiodei mrind astfel rs%unsul la im%uls al acesteia& 3/nd este folosit ntr.un sistem de comunicaie o%tic, tim%ul de rs%uns determin limea de band dis%onibil modulrii semnalului i deci %entru transmisia de date& +uterea echivalenta zgomotului :B+$

NEP = V

PVn f $1 I K

P f $1 I K

* Pz.1IK$

+uterea minim a radiaiei luminoase incidente %entru a genera fotocurentul, egal cu intensitatea curentului de zgomot efectiv G94$ ntr.o band de 1 hertz& :B+ este n esen %uterea minim detectabil& 3aracteristica ca%acitii de detecie detectivitatea$ $ este inversa :B+, 1I:B+& De asemenea, e7ist i o ca%acitate de detecie s%ecific $, care re%rezint detectivitatea nmulit cu rdcina %trat a su%rafeei $ fotodetectorului, $ %entru o lime de band de 1 Pz& Detectivitatea s%ecific %ermite diferitelor sisteme s %oat fi com%arate fr a ine cont de su%rafaa senzorului i a limii de band a sistemuluiH o detectivitate mai mare indic un dis%ozitiv sau sistem cu zgomot redus& Dei se obinuiete s se ofere $ n multe cataloage ca o msur a calitii diodei, n %ractic rar este acesta %arametrul cheie& 3/nd o fotodiod este folosit ntr.un sistem de comunicaie o%tic, toi aceti %arametri contribuie la sensibilitatea rece%torului o%tic, care re%rezint %uterea minim de intrare necesar ca rece%torul s realizeze o rat a erorilor binare %recizat& Aplicaii Fotodiodele +.: sunt folosite n a%licaii asemntoare altor fotodetectoare, cum ar fi fotoconductoare, dis%ozitive cu cu%lare de sarcin, i tuburi fotomulti%licatoare& Ble %ot fi folosite %entru a genera o form de und care este de%endent de iluminare analogicH %entru msurtori i alte a%licaii asemntoare$, sau %entru a modifica starea unor circuite digitalH fie %entru control i comutare, sau %rocesare digital de semnal$& Fotodiodele sunt folosite n dis%ozitivele electronice de consum, cum ar fi dis%ozitivele de redare a com%act discurilor, detectoare de fum, i rece%toarele de infrarou ale telecomenzilor utilizate %entru a controla echi%amente, de la televizoare la a%arate de aer condiionat& 'n cazul multor a%licaii %ot fi folosite fie fotodiode, fie fotoconductoare& 6ricare ti% de senzor o%tic %oate fi utilizat %entru msurri o%tice, ca n dis%ozitivelor de msurat cantitatea de lumin din camerele de fotografiat, sau %entru a rs%unde la diferite niveluri de lumin, cum ar fi a%rinderea luminii stradale du% lsarea ntunericului& 4enzorii o%tici de toate ti%urile %ot fi folosii %entru a genera un rs%uns la lumina incident, sau la o surs de lumin care face %arte din acelai circuit sau sistem& 6 fotodiod este adesea combinat, ntr.o singur com%onent, cu un emitor de lumin, de obicei un QBD, fie %entru a detecta %rezena unei obturri mecanice a fascicului luminos comutator cu comand o%tic$, sau %entru a cu%la dou circuite analogice sau digitale menin/nd n acelai tim%

gradul de izolaie electric foarte mare ntre ele, deseori %entru siguran o%tocu%lor$& Fotodiodele sunt adesea folosite %entru msurtori %recise ale intensitii luminoase n tiin i industrie& Acestea au n general un rs%uns mai liniar dec/t al fotoconductoarelor& De asemenea, acestea sunt utilizate n diferite a%licaii medicale, cum ar fi detectoare %entru tomografie electronic cu%late cu scintilatoare$, instrumente folosite %entru analiza mostrelor analiz imunologic$, i %ulso7imetre& Diodele +<: sunt mult mai ra%ide i mai sensibile dec/t diodele cu 0onciune %. n, fiind des folosite %entru comunicaii o%tice n stabilizarea luminii& Fotodiodele +.: nu sunt folosite %entru a msur intensiti luminoase foarte mici& 'n schimb, dac este nevoie de sensibilitate ridicat, fotodiodele cu avalan, dis%ozitivele cu cu%lare de sarcin sau tuburile fotomulti%licatoare au a%licaii n astronomie, s%ectrosco%ie, echi%amente cu vedere nocturn i telemetrie laser&
Comparaie cu fotomultiplicatoarele

Avanta0e com%arativ cu fotomulti%licatoareleA 1& Qiniaritate e7celent a curentului de ieire n funcie de lumina incident K& Gs%uns s%ectral de la 190 nm la 1100 nm siliciu$, lungimi de und mai mari dac se folosesc alte materiale semiconductoare ;& 5gomot redus 4& Gezisten la stres mecanic #& 3ost redus (& 3om%act i greutate redus -& Durat de via mare !& Gandament cuantic mare, ti%ic !0M 9& :u necesit tensiuni ridicate Dezavanta0e com%arativ cu fotomulti%licatoareleA 1& 4u%rafa mic K& :u %rezint c/tig intern cu e7ce%ia fotodiodelor cu avalan, dar c/tigul lor este ti%ic 10K"10; n com%araie cu 10! %entru fotomulti%licator$ ;& 4ensibilitate global mult mai redus 4& :umrarea fotonilor este %osibil doar cu fotodiode s%ecial %roiectate, de obicei rcite, cu circuite electronice

#& Nim%ul de rs%uns este mai mic

Reea de fotodiode
6 reea unidimensional de sute sau mii de fotodiode %oate fi folosit ca senzor de %oziie, de e7em%lu ca %arte dintr.un senzor unghiular& On avanta0 al reelelor de fotodiode +DA.uri$ este c %ermit citire %aralel ra%id, deoarece electronica de comand nu trebuie %roiectat ca %entru un senzor 3964 sau 33D obinuit&

Tehnologia de fabricare
Fabricarea fotodiodelor +in se %oate face %rin A e%ita7ie n faz lichid %entru intervalul lungimilor de und rece%ionateA 0&!( . 1&(# micrometri & e%ita7ie fascicular.molecular Qitografie electronic :ano litografie 6 desco%erire recent efectuat %rin munca unui gru% de as%irani chinezi sub conducerea %rof&3harles Qieber de la Oniversitatea Parvard, au reuit s creeze o celul de fotodiod %in dintr.o nano.fibr de Si.

mbuntiri

Samsung a introdus o noua tehnologie pentru M!S-ul sen"orilor de imagine numit IS! #$$. 4amsung afirm c tehnologiile folosite in %rezent i arat limitrile n faa dimensiunilor tot mai reduse ale %i7elilor i c este nevoie de un nou standard& Aici intervine <463BQQ, tehnologia de nou.generaie %entru senzorii camerelor& Aceasta creaz o barier fizic n 0urul fiecrui %i7el %entru ca mai muli fotoni s %oat fi ca%tai de catre microlentile i absorbii n fotodioda %i7elului %otrivit& Rariera fizic va minimiza interferenele electronilor dintre %i7eli i vor %ermite %i7elului individual s %oarte o sarcin mai mare nainte de saturare full Sell ca%acitT sau F*3$&

Apple a depus o cerere de bre%et care descrie un ecran !$#& cu fotodiode Folosind senzori aran0ai alturi de 6QBD.uri, invenia A%%le s%er s salveze durata de via a bateriei oferind n acelai tim% o serie de alte beneficii ? +e de alt %arte, de%unerea de brevet descrie o modalitate de a anga0a senzori cu fotodiod %entru a detecta mai e7act atunci c/nd %oriuni ale unui ecran sunt umbrite i necesit mai %uin energie& 4enzorii vor detecta, de asemenea, fluctuaiile de culoare de la o mbtr/nire 6QBD& 'm%reun cu o %recizie mai mare de lumin i culoare, fotodiodele cu%late cu 6QBD.uri ar %utea nlocui senzorii de lumin ambiental, senzorii de %ro7imitate sau fenomenul de mbtr/nire a 6QBD.urilor&

onclu"ie
Fotodiodele sunt dis%ozitivele electronice care vor fi utilizate din ce n ce mai mult de acum nainte, datorit %ro%rietilor i funciilor %e care acestea le au, dar cu %re%onderen n industria telefoniei mobile&