Tranzistoare cu eliect de c6m,p

5.2.Tranzistorul cu
5.2.1. Introducere

efectl de

cinnp metal-oxid-sernit:on,'Ju{ct0,r (TIIC-MOS)

TEC-MOS est,3 un dispozitiv electronic ce se ba.z,:azir pe c,ctrduc{ia curentului electric la suprafata semiconductorului" Uneori este denumit qi TEC-MIS (metal-izol,ator-semiconductor). Poarta este din aluminiu (metal * M) sau polisiliciu, izolartorul este un str:at subfire cle oxid de siliciu (oxid - O) oblinut prin oxidarea termicd a serniconductorului, iar restul este din sililiu (s,:tnico,nductor - S). Aceastl structurf, a determinat denumirea MOS pentru acest dispozitiv, iar,,ef'ectul cle o6mp'' se datoreazd faptului c5, aqa cum se va ardta ulterior, conduc{ia in tranzisrtorul MOS este controlafi de un c6mp electric extern.

TEC-MOS se remarcl prin: a) impedan{I de intrare foarte mare; b) cfiqtig in tensiune mic; c) consum mic de putere; d) dimensiuni nrLici (se pot realiza milioane de dispoziti\/e p() urr chip in microprocesoare. la TB numirul dispozitivel[or pe chip fiind mai mic cu uLnul prind la doul ordine de mdrirne). Consumul mic de putere gi dimensiunile mici pentru TEC-VIOS reprezinti avantaje majore pentru realizareade circuite digitale. in momentul de fati TEC-X,{OS cste pre,lominanrt gi in circuitele analogice. Degi poarta nu se mai realizeazd actual din aluminiu ci dirr polisiliciu, totugi acronimul TEC-MOS sa pistrat.
Clasificarea IEC-MOS
Existd dou[ tipuri uzuale de tranzistoare TEC-MO|S, - cu canal inilial (n sau p); - cu canal indus (n saru p).
c

Lasificale dupd modul de op,erare:

Structuri, simboluri qi nota(ii ale TEC-MOS

in TEC-MOS, condrucfia se realizeazd la suprafafa substratului de siliciu, intre doui zone cu tip de conducfie diferit de tipul substratului (de exemplu, dacd substrattLl es;te de tip p, atunci conducfia se realizeazl intre doud zone d,e tip n). Cele dou[ zone se nurneso sursii iS) 9i dren[ (D). Pentru ca intre D gi S sE apar[ conduclie e]ectricd este
necesar sE se inducd un canal de acelaqi tip cu S gi D, de c[tre un
c6mp electric aplicat intre poart[ gi

substrat.

in fig. 5.18

este ilustrati

structura unui TEC-MOS cu canal

indus. Dacd se schimbd tipul zonelor semiconductoare din n in p gi invers, atunci se obline un TEC-MOS cu canal p indus.
Pentru dimensiunile czinalului s-au

Regiunea sursei Substrat tip ,/ Regiunea

canailului
B (surcstret)

frcut urmdtoarele nota;ii: L - lungimea canalului;

W

drenei

l[1imea canalului.

Fig. 5.18. [ituctura unui TE,C-MOS cu canal n indus.

Dispozitive electronice qi electr,onici analogici Sursd

Poarti
(G)

Dreni
(D)

(s)

(B

Substrat - body)
Fig. 1i.20. Sectiune prin TEC-MOS cu canal n inilial.

Fig. 5.19. Secfiune prin TEC-MOS cu canal n indus.

In fig. 5.19 este prezentatd o secfiune printr-un TEC-MOS, cu canal rr inclus. Substratul este de tip p qi este slab dopat. Regiunea sursei gi cea a drenei sunt de tip n (acelaqi tip cu,lel al canalului) gi sunt puternic dopate (n+). Stratul de SiO2 fc,rmeazd un foarte bun izolator intre p,oariS qi c,:lelalte regiuni ale dispozitivului. TEC-MOS cu canal inilial permit conducfia cur,r:ntuluri electric Ai pentru Vcs : 0. in fig. 5.20 este prezentatd secfiunea printr-un TEC-MOS cu canal n inilial. ,A.plicarea unei tensiuni V6s va determina modificarea inllfimii canalului inilial in funclie de polaritriloa acesteia. Simbolurile gi notaliile pentru TEC-MOS cu canal indus qi cu canal inilial sunt ilustrate in fig. 5.21" Ca qi la TEC-J, curentul de poarti este:

i" =0 =i, =i,

astfel cd prin dispozitiv va circula un singur curent, ip.

Dispozitivele,vlOS discrete au borna de substrat (B) coneciatd la sursI, astfel c[ sunt accesibile numai trei borne.

JJ-I.I t *lt,,e " "--lT

io?

*-lEf

t,
I

*lT t
io?
I

DDDD I

io?

io?

"{+J* "#ul',. SSSS

a) b)
Fig 5 'r1

o;1dFI"' o*l$1""
c)
d)
b) canar p inclus;

rEC'Mos;:r,:iHi1ff,;jiffi),ilil[:l*s;

10

Tranzistoare cu eliect
4.2,2. Caprcitorul MOS

dre

cffm.p

oO OOO6,OO

- P,clisiliciu - SiOz
-

a)

@@O@OG,@O
@@ O@OG,@

@o o@@o@ a
@

@@OSO,O@

Substrat tip p

s
C;

Regiune

b)

@@@@@@,@@

O@@@Oe,eO
O@@@@,@@

+- gr:liti de purtiitori

F,u"..o

o@@@oc)@@

c)

oeo@oe
@

@o

Regiune de inl,ersie

f"..*

@@o@o@@ @@o@@o@e
@

oooooo@

.. Flegiurne golitd de prurtdtori

Fig.5.22. Dish"ibufia purt6torilor mobili de r;arcirI in capacitorul MOS, pentru diferrte tensiuni de polarizare: a) V63 < 0; b) \,/r ) \'cs ) 0; c) V6s > \'1

O secliune vert.icali prin regiunea MOS cu canal n indus.

po(ii TEC-MCIS permite ,l descriere calitativi

a fenomenelor care

au loc in dispozitiv. in fig. 5.22 este rcprezentat capacitorul M()S rez.uhat din aceast6 sectionare a unui TECPentru o tensiune Vcs < 0,fig.5.22a, sub stratul cle oxid vor predomina golurile (purtitorii mobili de sarcind pozitivi), condrrclia in dispozitiv rdmAndnd neschimbat[, rleoarece nu exist6 c;anal de conduc{ie intre

D qi S. Dispozitivul
polarizate invers.

se comport6 ca

doui diode inseriate cu anozii conecta{i impreunl

ambele diode fiind

Dacd tensiunea dintre poartl gi substrat respecti re,lali,a:

de oxid de siliciu se otline o regiune golitd de purtdtori,

Vr > 'Vcs > 0, fig.

4-23b, atunci sub stratul

crare nu perndr.e conduclia curerrtului electric.

Pentru Vcs >1y'1, in care V1 se mai nume$te gi tertsiune de prag, se produce sub stratul de oxid de

siliciu o inversie de purtdtori, adici se ohfine o regiune in care, senriconductorul este de tip n (purt[torii mobili de sarcind sunt electronii). Crearea acestei zone inlre D gi !i p(srmite conducfia curentului electric intre D gi S. Deoarece canalul de conduc{ie a curentului electrir: este rezultatul aparitiei cdmpului electric extern in regiunea de semicondrictor aflatd sub poarti (cdmpul electric erste rearltatul aplicirii tensiunii V6s) se spune c[ s-a indus canalul n in TEC-MOS.

11

Dispozitive electronice qi electr,onicl analogicl

5.2.3. Caracteristir,:ile statice gi regimurile de lucru Caracteristicille statice ale TEC-MOS cu canal n indus

in fig. 5.23cd sunt ilustrate caracteristicile acest'ui tip de dis;pozitiv, impreun[,cu notaliile folosite frg" 5.23a- qi modul di: polarizare - t-rg. 5.23b. Canalul reprezentat in fig. 5.23b apare pentru Vcs > Vr. Pentru ca TEC-MOS cu canal n indus s[ func{icneze in regirr activ (in amplificatoare de semnal), aoesta trebuie polarizal astfel incdt: Vcs > Vr > 0 $i Vos ) \/os,,u, ) 0.
D

io?

'fiilJr+
a)

i*1,*

Vcs=Vcc>0 Vos=Voo>0

f-

Vus =

VDS,sat

Vcs:

\'csz

Vcsr>Vr>0
Vcsr

( Vr
d)

c)

Fi}.5.23. TEC-MOS cu canal n indus: a) note(ri:;b) polarizare;

c) caracteristicd de iegire; d)ciuacterisr:ic[ rle transfer.

Caracteristicile statice ale TEC-MOS cu canal p indus

D

iog

G{HTI".
c v
a)
Vcsr
V6s1

JI

\/cs=-Vec<0 \/os=-Voo<0

) Vr
<V1 <0

Vcsr < Vcsz

c)

d)

Fig.5.24. TEC-IVIOS cu canal p indus: a) nc,tafii; b) polarizare; c) caracteristic[ de iegire; d) caracteristici de tcarnsfer.
T2

Tranzistoare cu ef'ect de e,ilmp Caracteristicile stattice ale TEC-MOS cu canal n iniqial

D .o lo*

#FrJ,,,
a) = Vos,".t

\/c;s = Vcc >

Vr

<

Vos=Voo>0

i-Voa
Vn..

'Vosz
Regim de imbogd{ire

Vesz > Vesr

Vesr = 0

V6sSV1<0
Vos2."u,

c) Fig. 5.25. TEC-MOS cu canal n inilial: a) notalii; b) polarizare; c) caracteristicl de iegire; d) caracteristicd de t:ansfer.

Vos

Caracteristicile statlice ale TEC-MOS cu canal p inigial

D

ioI
G

ui-J #1',".
S
a)

__td

Vcs=-\'eo<Vr>0
Vos=-Voo<0

Vos>Vr>0

c)

d)

Fi5.5.26. 'fEC-MOS cu canal p inilial: a) nota{ii; b) p,clarizare; c) caracteristici de iegire; d) caracteristicd de transfer.

Regimurile dtr lucm

TEC-MOS are 3 regimuri de lucru [8]: a) regimul de tiiere; b) regimul de triodi (o zond liniarl c) regimul activ (sau de saturra{ie).

o zond neliniar[);

13

Dispozitive electronice

Si

ek:ctr,onici analogici

in circuitele digitale, dispozitivele MOS pot trece prin toiile cele 3 regimuri. in circuitele analogice, cum ar fi amplificatoarele, se utilizeazi in special regiunea activd..
in regimul (re5;iunea) de t6iere Io in regimul (regiunea) de triodd

0.

Ir, +0 $i io : ip (v6",
ohmic[.

v7,),

dependenfa curentului lp fiind puternicl fa{a de ambele tL'rrsiurd. Acerrsti regiune se mai numeqte qi regiune

in regiunea activ[ ip depinde foarte slab de tensiunr:a vr;5.

I,

$i iD = in

\r:i,

Descrierea mrttematici a caracteristicilor static,e ale TEC,.MOS cu canal n Ludus, in regiunea activi (de satura{ie)
La limita dintr: regiunea de triodd gi regiunea activi, tensiun,szr dren[
Yos =VDS,ro, =V6s

- sursl are expresia:

-Vr

Curentul de drenl este; Io =

g.Vo, -Vr)' ,

pentru Vo, >V, $i Vns =VDS.,,,

(5.7)

Jin6nd cont gi de slaba dependenli a curentului ip de vps, in regiunea activd, caracterisrtica TEC-MOS cu canal n indus este desorisd matematic de rela{ia:
I

o = fr Vo,

-rr)'lt + tVr" -vrr.-,)f,

pt. v'c.;

>Irt $i Vos

2vor.,o,

(s.8)

unde l" este factorul de modulalie a lungimii canalului.

Cel mai adesea insd se utilizeazdrelalia (5.7) pentru intreeLga zond ac'ti't6, a TEC-MOS. Pentru TEC-1!IOS cu canal p indus, este valabil[ relatia (5.8), cu urmltoarele amendamente P < 0,
Vo,

<V, $i Vps aV,s

nu

"

Pentru TEC-NIOS cu canal n

initial), in regiunea activi se utilizeazd, o relatie similari cu cea de la

rl

TEC-J cu canal n:

1, =1rrrl t-{P llt* YL) \

loss

z t,,\

ftr^ -vr, *,)f pt. v,s >L'r $i vr, 2vor,nu

(s.9)

Pentru TEC-I{OS cu canal 0, Vo, <Vr $i Vr,, 3Vr, ,o, .

p initial

este vallabilS relafia (5.9) cu urmdtoarele amendamente:

Aplica{ia 5.5
Pentru circuitul din fig. 5.27 se cunoagte: T

(P:

mA/V:r,

V1: lV, ). :0).

Voo= 12V
Rr Ro

Se cere sd se determin: PSF-ul gi regimul de func{ionare pentrui T.

30 MO

5ko

Rezolvare

R2 r/ t/'G- Rt+&''DD
Rz

-Vc+Zor+Rr.Io=0
Io
=

10 MO

0.vo, -vr)'
t4

Tranzistoare cu

et'e,ct dre

cimp

Vro =Vr, + (Ro + R.l)./D

VDS,ro,

=Vot '-V,

Rezolvarea sistemului de ecua{ii conduce la urm[toarele rezultaie:

T(Vcs :2Y,Vos = 6 V, Io = I mA),VDS,..,: I V <Vps Rezulti cd T este in re1;iunea activd (de satura{ie). ip [mA]

6 V.

iD [rrLA]
r

t/ _v 'G.S

4
J

'vcsz

=:l v
\y'

Vc

R;
2
1

rRs
Voo

\/6s2

:2,5

Caracteristica Rs+Ro 1 TEC-MOS

vc

\'6s<Y',=1Y
vcs [v]
(i

Vos[V] Vop

b)

Fig. 5.21t. Determinarea grafrcd

a PSF-ului pentnr TEC-.UOS din circuitul din fig. 5.27: a) pe caracteristica de transfer gi b) pe cara;teristica de ieqire.

5.2 "4.

Polarizarea IEC-MOS

O modalitate de polarizare pentru TEC-MOS cu canal n indus este ilustratd in fig. 5.27. Pentru
determinarea grafic1" a PSF--ului pentru T sunt necesare urmdtoarele rela{ii:

t/

'c - *n

R2

rl

ort

^-,''
pt.Vo, >t1

Vcs

=Vc -l?s'1D

Io

p Vo, -Vr)'

in fig. 5.28a s-au reprezentat grafic ultimele dou6 ecua{ii: pentru dreapta de sarcind gi pentru caracteristica de transfer a TEC-MOS, din interseclia lor rezultind: Io : I mA Si V6 : 2 V (s-au folosit datele din aplicafia s.s) . Aplicafia 5.6 Voo=12V in circuitul din fig. 5.29 se cunoagte: T (Irss = 0,5 ml., \/r = -l V, Rr Rp

t:

0).
Se cere

30 MO

2 kc)
D

si

se determine PSF-ul gi regimul de func{ionare pentru T.

Rezolvare

tlvo"
V'

'V* '('=& R' +&

(

R2

Rg

10 Mc)
F

1 kf)

-Vc+Zor+Rr'Io=0
n 12 1o 1-1cs 1r.r.rl = U I,\J\
i

ig.5.29. Circuit pentru

V,

polafizareaTEC-MOS cu caxal n initial.

15

Dispozitive electronice gi electronici analogicl

Voo =Vos + (.,?"

* &')./,,

Vrr,ro, --Vnr, --V, Rezolvarea sistemului de ecua{ii conduce la urmdtoarele rezultate:

T (Vcs

: I V, Vos = t5 V, Ie:

2 rn-A), Vos,rut

:2Y

<

\'ls:

6 \y'" Rezultl c6 T este in regiunea activ[ (de

saturafie).

Folosind relaliile scrise pentru aplicafia 5.6, in fig 5.30 s;-a ilustrat metoda gtaficd de determinare a PSF-ului pentru TEC-\{OS cu canal n inigial. S-au folosil datele dirr aplicafia 5.6. Se observ[ c5 punctul M 'fotugi este mai aproape de regiunea de triodd gi este aproximativ in zc)na central[ pe dreapta de sarcin[.

pentru o polarizare optimS ar trebui fie sc[zut potenfialul V6, fie r;c[zuti valoarea rezisten{ei Rp, rezistenlei Rg
iD

SZIU

[mA]
Caracteristica

iD [mA]
Voo
RS+RD

TEC.MOS V6

R;
2
1

, tD-

Vnr-V"
Rs

2
I

/i

./i'-:-

\,:---

Vos::

1,5

-\-.

Vcsz: I V

t',,o,,=0, (
i'Vns

Vr: -lV
rt)

VoslVl
Von

cs

[V]

a)

12345678910

Fig. 5"30. Determinarea graficd a PSF-ului 6rentru TEC-I{OS din circuitul din fig. 5.29: a) pe caracteristica de transfer r;i b) pe caracteristica de ieqire.

Aptica{ia 5.7 in circuitul din fig. 5.31 se cunoagte: T(B : I mAA/2, Vr "= lV 9i )": 0). Se cere si se determine PSF-ul pentru T gi regimul de firn,;liorLare.
Rezolvare

Ic=0,
Voo

Vos=Rr'Io+Vot
Voo=5V
Rp

= Ro.Ir+Vps, Io = 0-V^ -Vr)'

VDS,ro,

=Vro -V,
Rr

500 c) Rezolvarea sistemului de ecua{ii conduce la urmdtoarele re:rultate:

D

mA), Vos..u,:2Y <Vps=3 V. Rezult[ c[ T este in re1;iunea activl (de saturafie). Observafie: Deoarece Vcs = Vp5, oXoUrsia maximd a tr:rrsiunii de ieqire cltre regiunea de triodri este independentd de circuitul de polarizare:

T(Vcr:3 V,Vos:3

V,

Ip:4

10 MO

f--.,'il,1',.

=Vcs -V cs +V, =V, =Vos,ro, Ca urmare, acest tip de polarizare este recomandat perrffu circuite ctr tensiuni mici de alimetrtare sau pentru TEC-MOS cu V1 suficient de nrare. Vts
16

1".

lj.

Fig. 5.31. Circuit pentru

polarizareia TEC-MOS cu

canal n indus.

Tranzistoare cu eliect de c6mp

ip [mA]
Voo Vno

ip [mA]

E-"8

E;
8

,i M

V6s3

:4

6 4

4
2

V6s2:3 V

Vcs [V]

VpslVl
Voo

z3
a)

Voo

Fig. 5.1)2. Determinarea grafrce a PSF-uluillentru IEC-MOS din circuitul din fig. 5.3 1: a) pe caracteristica de transfer qi b) pe caraoteristica de iegire.

in fig. 5.32 este ilustratS determinarea graficda l'}UF-ului pentru circuitul din fig. 5.31. S-au utilizat
datele din aplicalia 5.7. Se observl c5 excursia de tensiune pe dreapta de sarcin6, ftg. 5.32b, cdtre regiunea de triodd este chiar mai n,icd dec6t V1, ceea ce rcprezintlun dezatrarfiaj eLl acostei variante de polarizare a TEC-

MOS.
5.2.5. Modelarea TEC-MOS

in cunent alternativ, la Circuitul echivalent la joasl qi medie frecven{i

semmal mic

Ca gi la TEC-J, curentul ip depinde at0t de v6s c6t gi de vp5.

i,

= io (v5".

,-p5

De asemenea, compon3nta variabild a curentului de drend se poate exprima astfel:

diD=:1" dvor+ lo-our,, otcs

otD,s Se fac aceleaqi

notafii r:a la TEC-J:

qi go,= !L=L c,=:L d vcs d v;_rs ft,

unde

g.

este panta (transconductanfa), iar 96, este conduclan{a TEIS-MOS. Pentru TEC-NIOS cu canal indus se fiilizeaz1, rerli4ia (5.8), valabill in regiunea activd:

in = F.(rn

- rtr)'lt + )Qo, -Vrr,,,,))

(s.10)

Rezultd:
I

r,,,=#:i",,=cst "0 Vo, -r.r)b+ 1'{,1tu,, -l'or,*,)f=;3

Td,

=
d

Oin
^IVDS

7'0'V,r, -Vr)'

=l'In

(s.11)

1,",=..r,

Pentru TEC-MOS cu canal

ini(ial

se utilizeazdrelalia (5.9),

l'alabili in regiunea activil:

i,
Rezult[:

/\2 = /,r,1

1-f"l * tV,, -v,, *,)l rt h

)(s.12)

t7

Dispozitive electronice
fd, =

Ei

electronici analogicl
(s.13)

Circuitul echivalent al TEC-MOS in c.a. la semna.l mic. ia joasl qi medie fi'ecven{d este acelaqi cu cel ilustrat pentru TEC-J in fig. 5.14. Parametrii acestuia se calculeazdcu relaliile (5.10) qi (5.11) pentru TECMOS cu canal indus qi cu relaliile (5"12) qi (5.13) pentru:ltlC-l{OS cu canal ini1ial.

Aplica{ia 5.8
Pentru circuitul din tig. 5.33 se cunoagte: T (B :
Se cere:
L

rnA/V2,

Vr:

l.y' 9i ),: 0) qi C1,

C2,

C: sunt C*.

a)

Si

se determine PS[:-ul pentru

T gi reginnul de func{ionare;

b) Parametrii dinamici pentru T; c) Schema de curent altemativ; d) Schema echivalent[ la semnal mic, frecvenfe medii; e) Amplificarea in tensiune gi rezisten{a de intrare. Rezolvare a) PSF-ul gi regimul de funcfionare au fost determ.inate in aplicafia 5.5:

T(Vcs=2Y,Vos:6V,Ip=1mA),Vos,sat:lV<Vos'=6V.Testeinregiuneaactivd(desaturafie)"
(5.1r):
b) Parametrii dinarnici se determind cu relaliile (5.10) 9i Voo= 12V
R1

8^ = 2' 0 Vo, -Vr')= ,r,

=

"l' (2 _l)

= 2mA
0.

lV

30 MO
Cr

Ro 5kC2

|--+ 1.1,

oo deoarece

)":

c), d) Schema de c.a. qi schema echivalentd la semnal mic, frecvenle medii sunt ihrstrate in fig. 5.34a, respectiv 5.34tr. e) Pentru schema din fig.5.34b se pot scrie urmdtoarele ecualii:
vo. =1,,
rds

R2

10 MO

-+

Fig. 5.33. Aplica{ia 5.8.

ro

: -go,. vr,.(ra,li ft, ll n )

Se obline amplificarea in tensiune, respectiv rezistenta de intrare:

au

(n, ll n.) = -22-5- = -5 =b yi = -gm' )+)

R,

=! =
lt

RGG =

&

llRz =7,5Me)

-1--9

,* lu,"
i- sg
a)

9:n

!'

b)

Fig. 5.3.1. Aplicatia 5.8: a) schema de c.a.; b) schema echivalent[ la semnal mic, frecven,te medii.
18

Tranzistoare cu ellect

dre

c6rnp

Aplica{ia 5.9
Pentru circuitul din fig. 5.35 se cunoagte: T (V, =.0,8 V), C1, gi C2 sunt C",. Pentru Ipl misurat Emr:2 mA/V $i ra.r : 180 kO.
a) Rr
Se cere: ? astfel inc6t Vos

100 |rA s-au

V;

b) Parametrii dinamici in PSF; c) Amplificarea in tensiune gi rezisten{a de intrare la frecven,te medii. Rezolvare

Voo= 10V
Rp

5kc)

, -Vo, trr= -?f-V,

o= F.(Vcs -Vrl'

B^:2'F'(Vn, -Vr)

r,/ Ycs:

R,

*nU'Yoo

.r,

'rt- r..r,
Rezult6:

,or=b*=tj

=o$mA

B=*=*=tomAtv2
vcs

=vr .

ff=

0,8

+,m

\[B[BV

a) alegRr --! =J:.100-100=823.5,K), ' R,L= +p-.R v", ' -Rz l,og2g b) g*, = 2" P Vo, -vr') = 2'
10 ' (1,086

:820kfi

0,8) = 5,72 mA
189

lll
z?-,5

,0,, = '

blb=
Io,

0,8

;o'1 =

k{2

c) T este in conexiunea sursl comund (SC), ca qi gi rezisten{a de intrare la frecven,te medii sunt:

in aplica{ia 5.8, ca unnare amplificarea in tensiune

ct,:vo
vi

-gm2.Q*rllft, llnr)

= -[!n,2

111 ----+--+/dr2 RD
Rr.

= -72,87

R, = R, ll R,

Rt 'R, l0(t 820 ' = Rr+ R,- 100+ 820 = g9.r3 = Bgko

l9

Dispozitive electronice qi electr,onici analogici Modelarea TIIC-MOS la inalti frecven{i

Circuitul echivalent in c.a. al TEC-MOS, valab:l la G inalti frecvenfi este prezentat in fig. 5.36. S-a avut in vedere ci
intre fiecare pereche de borne gi intre borne gi substrat e:<isti capacitdli paruzite. Acestea sunt de doul feluri: - capacitS{i plan-parralele, care constau in dou[ mal.ejale conductoare plane, separate de un dielectric qi care sunt reiativ independente de tensiunea aplicati la borne; - capacitl{i asociate cu regiunile de sarcind spa}iald, car,e sunt puternic dependente de tensiunea aplicatS. Ambele tipuri de capacitdli sunt funcfie de dimensiune. Capacitatea C.. este in principal una plan paraleli irr regiunea activ6. Cea nni mare componentd a acestei caprlcit[1i este intre poartd gi canalul indus.

Iig.

5.36. Circuitul echivalent in c.a. al TEC-MOS. valabil la ?nalti frecven!5.

Capacitatea C*6 este determinati in primul r0nd dr: capa<:itatea de suprapunere qi se poate estima cu rela{ia similard cu cea anterioard. Degi Cgaou este uzual mic[, ac,easta poate fi multiplicatd prin efect Miller in conexiunea sursi comun6, limitdnd frecvenla superioari a amplificatr:rului. Capacitatea Cor este constituiti din capacitatea regiunii de sarcind spaliald a joncliunii dren6substrat. Aceasti joncfiune este polarizatl invers. C66 include qi capercitatea dintre drend gi regiunile mai puternic dopate ale dispozitivelor MOS adiacente. Aceste capacitdgi depind de tensiuni dar gi de ariile implicate. Capacitatea C,5 este similari cu Cas except6nLd faptul cd C,5 include qi capzLcitatea regiunii de sarcind spaliali dirntre sursd gi sutlstrat. Componenta C.5 devine nesemnificativl cflnd S Ei B sunt conectate la masl. Capacitatea dintre c,anal qi substrat este distribuiti pe toatd lungimea canalului. Utilizarea moclelului TEC-IVIOS pentru inaltd frec'rentd in analiza manua.[5 a circuitelor electronice este laborioas[ din cauza complexit[1ii capacitdlilor parazitc. in general se preferl ilih.zareaunui program de
simulare bazat pe SPICE.

Probleme propuse 1. Determinafi in ce regim (de sdr[cire, de imbr:gdlire sau nici unul dintre acestea) este polarizat
fiecare TEC-MOS cu canal inilial din fi5. 5.37.
? +Voo

+Voo

+Vpo

-Voo Ro

------.,h

f*, r

n"

rd,
b)

f*"

3 Ro
I

fn'
a)

--lE

'1-

d
d)

T
Rs

f*"1
0)
1

Fig. 5.37. Problema

5. Pentru T(Vr:2 V) din fig. 5.41 se cunoal;t,s ci daci.'V651 :4 V, atunci Ipl E,lr:23 mA/V. Amplitudinea tensiunii de intrare este V1 :25 :mY.
Se cere: a) Vcs

2.Tranzistoarele TEC-MOS cu canal indus din fig.5.38 au lvrl V" SA se precizeze ID # 0 ( tranzistoar,:le sunt in conducfie sau sunt blocate). 3. SI se determine Vps pentru TEC-MOS cu canal iniflal din fig. 5.39, dacd Ip5,s:8 mA. 4. Sd se determine V'cs $i Vps pentru dispozitivele I{OS din fi1;. 5.40.

:5

daci

Ip:0

200 mA

qi

?, Vps

?, Ip

?.

20