1.

Obiectul lucrarii:
Sunt studiate fenomenele care apar la comutatia directa si inversa a tranzistoarelor de putere. Sunt vizualizate formele de unda si masurate marimile caracteristice in conditiile unui circuit similar cu circuitul de test indicat in catalog si in conditii reale de exploatare. Analiza SPICE a circuitului de test permmite compararea rezultatelor practice cu cele obtinute prin simulare.

2. Aspecte teoretice:
n electronica de putere tranzistoarele se folosesc ca elemente de comutaie bilateral sau ca amplificatoare de putere n circuitele cu sarcin rezonant. !e"nologia de fabricaie permite realizarea tranzistoarelor care lucreaz ca elemente de comutaie astfel nc#t tensiunea de saturaie s fie minim$ iar tensiunea de susinere n blocare maxim. !ranzistoarele utilizate ca amplificatoare de putere sunt realizate astfel nc#t s se maximizeze coeficienii de transfer$ puterea %i frecvena de lucru.

Caracteristici statice
Pe caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar de putere din fig. & se pun in evidenta valorile limita ale marimilor electrice.

Fig. 1 Caracteristici statice. ICM ' curentului de colector maxim PdM - puterea maxim disipat VCEM - limita superioar a tensiunii colector-emitor

Strapungerea primara corespunde fenomenului de multiplicare in avalansa a purtatorilor de sarcina in (onctiunea polarizata invers )colector'baza * si depinde de profilul de impuritati din aceasta (onctiune. !ensiunea la care (onctiunea denumita primara$ depinde de mecanismul de in(ectie de purtatori in baza$ deci de modul de conectare a bazei. Strapungerea secundara corespunde distributiei de curent prin (onctiune neuniforma$ datorita neuniformitatii impuritatilor si profilului (onctiunii.

AFS -

Aria de funcionare sigur

Fig. 2 Aria de funcionare sigur. Tran istorul !n regim de comutaie Parametrii de impuls

Fig. " +iagrame funcionale la comutarea tranzistorului bipolar.

intervalul de timp ntre cre%terea curentului de baz ),$& i-&* %i atingerea de ctre iC a valorii ,$. iC/0 ton ' ' intervalul de timp ntre cderea curentului de baz ),$. i-&* %i atingerea valorii ,$& iC/ de ctre iC0 tp ' durata impulsului aplicat n baz0 td ' nt#rzierea la cre%tere0 ts ' timp de stocare0 toff
ton ' se nume%te timp de comutaie direct$ iar t off timp de comutaie invers.

Tehnici de comand a tranzistoarelor bipolare de putere Controlul comutrii n conducie

Fig. # Controlul comutrii n conducie1 a* principiu0 b* circuit practic. Controlul de antisaturaie

Fig. 1$ Circuit cu diod +as de antisaturaie pentru

minimizarea timpului de stocare.

Circuite de protecie pentru tranzistoare bipolare de putere Circuit de protecie la comutarea n blocare

Fig. 11 Circuit pentru protecia la comutarea n blocare )snubber 2off2*1 a* circuit0 b* diagramele funcionale ale tensiunii %i curentului la comutarea n blocare. Circuit de protecie la comutarea n conducie

Fig. 12 Circuit pentru protec3ia la comutarea n blocare )snubber 2on2*1 a* circuit0 b* diagramele funcionale ale tensiunii %i curentului la comutarea n conducie.

". Anali a S%&C'

Sc"ema monta(ului studiat este urmatoarea1

Se remarca in fig. &4 modulul de comanda care este un circuit basculant astabil realizat cu tranzistoarele !5 si !4. Eta(ul de iesire este realizat in contratimp cu !4 si !6$ astfel incat prin saturarea tranzistoarelor$ acestea sa prezinte o impedanta de iesire foarte mica in ambele stari. Circuitul basculant astabil este astfel dimensionat incat sa oscileze pentru tensiuni de alimentare cuprinse intre 78 9 6 &,7 si 7' 9 , ':7 furnizand semnale de comanda pentru tranzistorul de putere studiat. !ranzistorul de putere studiat este !& 5; <6.5 cu parametrii I C/ 9 =A$ f! 9 ,$: />z$ Pd 9 <, ? @ $c 9 5< AC. Pentru T1 care este ec"ivalent cu tranzistorul 5;4,<<$ se cunosc1 td 9 ,$5us$ ts 9 5$=us$ ts 9 5$Bus$ tf 9 =us$ la I- 9 8@' 6A. +iodele folosite sunt &;6&6:. Pentru a evita strapungerea diodelor se limiteaza tensiunea de alimentare )E* la 4,7. +e asemenea$ se limiteaza curentul prin tranzistor )iC* la &A pentru a se evita supraincalzirea acestuia. Cezistentele din circuit trebuie sa aiba inductanta parazita cat mai mica$ astfel incat constanta de timp proprie sa fie mica in raport cu timpii de comutatie. Intrerupatoarele sunt marcate in dreptul pozitiei care introduce in circuit componenta respectiva. Se studiaza cazul sarcinii pur rezistive$ fara circuit snubber$ circuit de control al comutarii in conductie$ dioda antisaturatie si dioda de nul. Circuitul PSpice corespunzator tranzistorului bipolar cu sarcina rezistiva in colector este urmatorul1

D Sarcina rezistiva$ fara snubber on$ off$ +f$ Cb si +as. .EI- c13spice3diode.lib .EI- c13spice3bipolar.lib F < 6 , F5;<6.5 DCircuitul din baza 7in & , PGESE)'< < , , , 5<uS <,uS* Cb & 5 &,, +& 5 4 +&;6&6: +5 4 6 +&;6&6: +4 6 5 +&;6&6: DCircuitul din colector 7cc = , 4,7 Cs < = 6, .!CA; &,nS &,,uS .probe 0 DipspD .HP!IH;S itl< 9 , reltol 9 ,.,,,& 0 DipspD .E;+

se vizualizeaza tensiunea colector'emitor a 7)<*0 se vizualizeaza curentul de colector si curentul de baza IC)F* si I-)F*. Se
masoara timpii td$ tr$ ts$ tf. In urma vizualizarii se vor obtine urmatoarii timpi1 td9 ,.&ms tr9 &.B4ms ts9 ,.=6ms tf9 ,.==ms

 se vizualizeaza puterea instantanee disipata de tranzistor 7)<*DIC)F*. Pentru a se

analiza puterea instantanee si valoarea sa maxima$ se foloseste comanda Ioom.

=.4 Se introduce in circuit dioda de antisaturatie +as pentru reducerea timpilor de stocare. Circuitul in PSpice este urmatorul1

!ranzistor bipolar in comutatie cu sarcina rezistiva si circuit cu dioda antisaturatie pentru reducerea timpului de stocare.

D Cu +as$ sarcina rezistiva$ fara snubber on$ off$ +f$ Cb. .EI- c13spice3diode.lib .EI- c13spice3bipolar.lib F < 6 , F5;<6.5 DCircuitul din baza 7in & , PGESE)'< < , , , 5<uS <,uS* Cb & 5 &,, +& 5 4 +&;6&6: +5 4 6 +&;6&6: +4 6 5 +&;6&6: +as 5 < +&;6&6: DCircuitul din colector 7cc = , 4,7 Cs < = 6, .!CA; &,nS &,,uS .probe 0 DipspD .HP!IH;S itl< 9 , reltol 9 ,.,,,& 0 DipspD .E;+

In urma vizualizarii se vor obtine urmatoarii timpi1 td9 ,.&ms tr9 &.==ms ts9 ,.<<ms tf9 ,.,:ms

=.6 Se introduce in circuitul de la punctul =.5 condensatorul Cb pentru controlul comutarii in conductie.

!ranzistor bipolar in comutatie pe sarcina rezistiva si circuit pentru controlul comutarii in conductie.

Cu Cb$ sarcina rezistiva$ fara snubber on$ off$ +f si +as.

.EI- c13spice3diode.lib .EI- c13spice3bipolar.lib F = < , F5;<6.5 DCircuitul din baza 7in & , PGESE)'< < , , , 5<uS <,uS* Cb& & 5 <, Cb5 5 4 <, Cb 5 4 &,,n +& 4 6 +&;6&6: +5 6 < +&;6&6: +4 < 4 +&;6&6: DCircuitul din colector 7cc B , 4,7 Cs B = 6, .!CA; &,nS &,,uS .probe 0 DipspD .HP!IH;S itl< 9 , reltol 9 ,.,,,& 0 DipspD .E;+.

=.< Se analizeaza comutatia tranzistorului bipolar pe sarcina inductiv'rezistiva$ fara dioda de nul si circuite snubber. Circuitul din baza nu contine nici dioda antisaturatie$ nici condensatorul pentru controlul comutarii in conductie.

D Sarcina inductiv rezistiva$ fara snubber on$ off$ +f$ Cb si +as. .EI- c13spice3diode.lib .EI- c13spice3bipolar.lib F < 6 , F5;<6.5 DCircuitul din baza 7in & , PGESE)'< < , , , 5<uS <,uS* Cb & 5 &,, +& 5 4 +&;6&6: +5 4 6 +&;6&6: +4 6 5 +&;6&6: DCircuitul din colector 7cc B , 4,7 Cs B = 6, Es = < 5<m> IC9.B< .!CA; &,nS 5,,uS .probe 0 DipspD .HP!IH;S itl< 9 , reltol 9 ,.,,,& 0 DipspD .E;+