LUCRAREA NR.

3
__________________________________________________________ 39

CONVERTOARE FOTON-ELECTRON


3.1 Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri este determinarea caracteristicilor
curent/tensiune, investigarea evoluiei curentului de scurtcircuit, I
SC
i a
tensiunii n circuit deschis, V
OC
, funcie de puterea incident pe suprafaa
activ a fotodiodei, precum i analiza unor scheme recomandate pentru
studiul regimurilor de fotodetectie fotovoltaic i fotoconductiv cu
funcionare n impulsuri.

3.2 Introducere teoretic
Fotodiodele sunt senzori de radiaie optic i sunt realizate pe baza
semiconductoarelor. Fotodiodele genereaz curent sau tensiune, cnd
jonciunea semiconductoare P-N este iradiat. n Fig. 3-1 se prezint o
seciune transversal printr-o fotodiod. Materialul din stratul P de la
suprafaa activ i materialul din stratul N din substrat, formeaz jonciunea
PN care funcioneaz ca un convertor fotoelectric. Caracteristicile
jonciunilor PN sunt bine cunoscute. Spre deosebire de jonciunile PN
uzuale jonciunile fotodiodelor au stratul superior, P, foarte subire.
Grosimea acestuia este impus de lungimea de und a radiaiei de detectat.
n vecintatea jonciunii PN siliciul devine golit de sarcini electrice.
Adncimea zonei de sarcin spaial poate fi modificat dac se modific
tensiunea invers de polarizare aplicat pe jonciune. Stratul de golire este
LUCRAREA NR.3
40 _____________________________________________________________________
STRATUL
P
STRATUL
N
BANDA DE
CONDUCIE
BANDA DE
VALEN
LUMINA
INCIDENT
+ +
+
-
+
-
- -
-
h
2
h
1
STRATUL
DE GOLIRE
Fig. 3-2. Starea jonciunii P-N a fotodiodei.
important pentru performanele fotodiodei deoarece acesta contribuie n
mare msur la obinerea
sensibilitii la radiaie.
Uzual, stratul P al
fotodiodei din Si este format
prin difuzia selectiv a borului,
ntr-o grosime de aproximativ
1m sau mai puin. Prin
controlul grosimii stratului P, a
substratului de tip N i a
stratului inferior N+, precum i
a concentraiei doprii pot fi
controlate rspunsul spectral i
viteza de rspuns.
Dac energia fasciculului fotonic incident pe suprafaa activ a
fotodiodei este mai mare dect energia benzii interzise, Eg, electronii
suport tranziia n banda de conducie, lsnd goluri n locul lor, n banda
de valen (Fig. 3-2).
Aceste perechi electron-
gol pot aprea peste tot n
materialele stratului P, a
zonei de sarcin spaial i
a stratului N. n regiunea
de sarcin spaial, cmpul
electric accelereaz elec-
tronii spre stratul N i
golurile spre stratul P.
Electronii din perechile
SiO
2

P+
Substrat
tip N
Strat de
golire
N
+
Contact
metalizare
(-) (+)
Lungimi de
und scurte
Lungimi de
und lungi
Strat AR
Fig. 3-1. Seciune transversal printr-o fotodiod
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 41

electron-gol generate n stratul N, mpreun cu electronii care au sosit din
stratul P, se deplaseaz n stratul N n banda de conducie. n acest timp,
golurile sunt difuzate prin stratul N pn n zona de sarcin spaial, unde
sunt supui accelerrii i apoi sunt colectai n banda de valen a stratului P.
n acest mod, perechile electron-gol care sunt generate proporional cu
puterea radiaiei incidente, sunt colectate n straturile N i P rezultnd
sarcini pozitive n stratul P i sarcini negative n stratul N. Dac ntre
straturile P i N se conecteaz un circuit exterior, electronii vor migra din
stratul N i golurile din stratul P nspre electrozii opui, respectivi. Aceti
electroni i aceste goluri, care genereaz un curent ntr-un semiconductor,
sunt numii purttori.
n Fig. 3-3 este dat circuitul echivalent al unei fotodiode unde:
I
L
este curentul fotogenerat (proporional cu puterea radiaiei
incidente);
I
D
curentul de ntuneric prin fotodiod;
Cj capacitatea jonciunii;
Rsh rezistena shunt;
I' - curentul prin rezistena shunt;
V
D
tensiunea pe diod;
I
0
curentul de ieire;
V
0
tensiunea de ieire.
S
A
R
C
I
N
A
I
D
R
L
R
sh
R
S
V
0
V
D
C
j
I
L
Fig. 3-3. Circuitul echivalent ale fotodiodei.
I
I
0
LUCRAREA NR.3
42 _____________________________________________________________________
Pe baza circuitului echivalent al fotodiodei curentul de ieire I
0
este
dat de relaia urmtoare:
' I
kT
qV
exp I I ' I I I I
D
S L D L
|
.
|

\
|
= = 1
0
(3.1)
unde I
S
este curentul de saturaie al fotodiodei;
q sarcina electronului;
k constanta lui Boltzmann;
T temperatura absolut a fotodiodei.
Tensiunea n circuit deschis V
0C
este tensiunea de ieire cnd I
0

este egal cu zero. Astfel, V
0C
devine
|
|
.
|

\
|
+

= 1
0
S
'
L
C
I
I I
ln
q
kT
V (3.2)
Fotodioda alimentat direct, n condiii de ntuneric, prezint
caracteristici similare unei diode redresoare convenionale, aa cum se poate
observa n Fig. 3-4. Cnd fotodioda este iluminat, caracteristica se
deplaseaz din poziia (1) n poziia (2) i crescnd puterea incident,
caracteristica se deplaseaz n poziia (3). Deplasarea caracteristicii este
dependent de intensitatea radiaiei incidente.
Curentul de
saturaie
Tensiunea
Nivelul de
lumin (n
cretere)
C
u
r
e
n
t
u
l

Fig. 3-4. Caracteristicile curent-tensiune.
0
V'
0C
V
0C
I
SC
I'
SC
I
SC
Lumin
V
0C
Lumin
+
1
2
3
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 43

Dac n condiiile caracteristicilor (2) i (3) se scurtcircuiteaz
terminalele fotodiodei, un fotocurent I
SC
care este proporional cu
intensitatea fasciculului fotonic, va circula de la anod la catod. Curentul de
scurtcircuit este curentul (de ieire) care circul cnd rezistena de sarcin
este zero i este aproximativ proporional cu suprafaa activ a
dispozitivului. I
SC
este extrem de linear n raport cu nivelul puterii radiaiei
incidente. Cnd puterea radiaiei incidente variaz ntre 10-12 i 10-2 W,
gama de liniaritate disponibil depete nou ordine de mrime, depinznd
de tipul de fotodiod.
Tensiunea n circuit deschis este generat cu polaritatea pozitiv la
anod, V
0C
i V
0C
.
Rezistena shunt, Rsh, se determin cu relaia urmtoare:
| |
| |
] mA [ I
mV
Rsh
D
10
= (3.3)
Pentru aceste determinri, zona zero a caracteristicii (1) din
Fig. 3-4 se mrete, aa cum se poate observa din Fig. 3-5. n domeniul
Tensiunea [mV]
C
u
r
e
n
t
u
l

d
e

n
t
u
n
e
r
i
c

0 -5 -10 5 10
I
D
Fig. 3-5. Curentul de ntuneric funcie de
tensiune (regiunea zero-mrit).
LUCRAREA NR.3
44 _____________________________________________________________________
valorilor tensiunii +10 mV ... 10 mV, curentul de ntuneric I
D
este
aproximativ liniar. Panta n aceast regiune indic valoarea Rsh i aceast
rezisten determin curentul de zgomot de ntuneric. Ca i n cazul altor
tipuri de senzori fotonici cu fotodetectoare, limitele inferioare ale puterii
radiaiei fotodetectate, sunt determinate de nivelul zgomotului
dispozitivului. Zgomotul intern al fotodiodei este dat de relaia urmtoare:
| | A i i i i
SL SD j n
2 2 2
+ + = (3.4)
unde i
j
este zgomotul termal (zgomotul Jhonson) al unui rezistor echivalent
cu Rsh ;
i
SD
curentul de zgomot shot;
i
SL
zgomotul curentului de ntuneric i al fotocurentului generat.
Curentul ij fiind considerat ca zgomotul termal al rezistenei R
sh
se
calculeaz cu relaia urmtoare:
| | A
R
kTB
i
sh
j
4
= (3.5)
unde k este constanta lui Boltzmann;
T temperatura absolut a dispozitivului;
B lrgimea benzii de frecven de zgomot.
Cnd fotodioda este polarizat invers, prin aceasta circul un curent
de ntuneric. Zgomotul shot i
SD
care are originea n curentul de ntuneric
este dat de relaia (3.6).
| | A B qI 2 i
D SD
=
(3.6)
unde q este sarcina electronului;
I
D
curentul de ntuneric;
B lrgimea benzii de frecven de zgomot.
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 45

Cnd suprafaa activ a fotodiodei este iradiat cu un fascicul
fotonic, prin fotodiod se stabilete un fotocurent I
L
, astfel nct i
SL
este dat
de relaia (3.7).
| | A B qI i
L SL
2 = (3.7)
Puterea echivalent de zgomot NEP-(Noise Equivalent Power),
este puterea radiaiei fotonice, incident pe suprafaa activ a dispozitivului,
care determin la ieire un semnal egal cu nivelul zgomotului (raportul
semnal/zgomot = 1). Deoarece nivelul zgomotului este proporional cu
rdcina de ordinul doi din banda de frecven, NEP este msurat la
lrgimea de band egal cu 1 Hz.
| |
W
A
la iliatea fotosensib
Hz
A
zgomot de curentul
Hz
W
NEP
p

=
(

2
1
2
1
(3.8)
Fotocurentul produs de un nivel dat al luminii incidente variaz cu
lungimea de und. Relaia ntre sensibilitatea fotoelectric i lungimea de
und este cunoscut ca fiind caracteristica rspunsului spectral i este
exprimat n termeni ca fotosensibilitatea, eficiena cuantic, etc.
Responsivitatea R, este raportul ntre fotocurentul rezultat
exprimat n amperi [A] i puterea incident pe suprafaa activ a fotodiodei,
exprimat n watt [W]. Ea poate fi reprezentat att ca sensibilitate absolut
[A/W], ct i ca sensibilitate relativ normalizat pentru sensibilitatea la
lungimea de und de vrf, uzual exprimat n procente [%].
| |
W
A
P
I
R
f
= (3.9)
Eficiena cuantic, QE este numrul de electroni sau goluri care
poate fi detectat ca un fotocurent, raportat la numrul fotonilor incideni i
LUCRAREA NR.3
46 _____________________________________________________________________
se exprim, uzual, n procente. Eficiena cuantic i fotosensibilitatea
respect urmtoarea relaie la o lungime de und dat n nm:
| | %
R hc
R QE 100
1240

= =

(3.10)
unde R este responsivitatea la o lungime de und dat n nm.
La nivelul jonciunii PN a fotodiodei se formeaz un capacitor.
Valoarea capacitii jonciunii este factorul determinant al vitezei de rspuns
a fotodiodei. Cnd se folosete un amplificator operaional, capacitatea
jonciunii determin creterea ctigului de conversie.
Timpul de cretere t
r
i timpul de cdere t
f
sunt definii ca fiind
timpii corespunztori creterii semnalului de la 10% la 90% i respectiv
scderii semnalului de la 90% la 10% din valoarea final a semnalului.
Acest parametru poate fi exprimat ca rspuns n frecven, care este
frecvena la care semnalul de ieire al fotodiodei scade cu 3 dB, n raport cu
semnalul de ieire la 100 kHz i se exprim aproximativ astfel:
dB
r
f
,
t
3
35 0
= (3.11)
Timpul de rspuns al unei fotodiode este definit de urmtorii trei
factori:
1. t
DRIFT
timpul de colectare a purttorilor din zona de sarcin
spaial;
2. t
DiF
timpul de colectare a purttorilor n regiunea negolit a
fotodiodei;
3. t
RC
constanta de timp a combinaiei fotodiod-circuit.
Constanta de timp t
RC
se determin cu binecunoscuta relaie:
t
RC
=2,2 R
C
(3.12)
unde R este suma rezistenei echivalente serie a fotodiodei Rs i a rezistenei
de sarcin R
L
i C este suma capacitilor jonciunii i a celei parazite:
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 47

R=Rs + RL i C=Cj + Cp
Timpul total de cretere este dat de relaia (3.13):
2 2 2
RC DiF DRiFT R
t t t t + + = (3.13)
Tensiunea invers maxim - V
R max
este valoarea tensiunii inverse,
care aplicat unei fotodiode, iniiaz strpungerea, fenomen ce produce
deteriorri severe ale performanelor dispozitivului. Prin urmare, trebuie
specificat i respectat valoarea maxim a tensiunii inverse, ca fiind
tensiunea cu puin mai mic dect valoarea tensiunii inverse care produce
strpungerea. Valoarea tensiunii inverse maxim nu va fi depit nici chiar
instantaneu.
Tabelul 3-1. Cteva constante numerice si valori tipice
Constanta Simbol Valoarea Unitatea
Sarcina electronului e sau q 1,602 x 10
-19
C
Viteza luminii n vid c 2,998 x 10
8
m/s
Constanta lui Planck h 6,626 x 10
-34
J
S
Constanta lui Boltzmann k 1,381 x 10
-23
J/ K
Energia termal la temperatura
camerei
kT(T=300K) 0,0259 eV
1eV-energie eV 1,602 x 10
-19
J
Lungimea de und n vid
corespunztoare la 1 eV
- 1240 nm
Energia benzii interzise la Si E
g
1,12 eV
Energia benzii interzise la Ge E
g
0.66 eV

3.3 Desfurarea lucrrii
ATENTIE!
+ Nu staionai i nu privii direct (n) fasciculul laser. Acesta poate provoca
pete pe retin.Vezi Anexa Reguli de protecie antilaser.
+ Ferii-v de lumina laser reflectat.
+ Conectai tensiunea la dioda laser cu polaritatea corespunztoare.
+ Nu depii tensiunea de alimentare a diodei laser, respectiv 4,5V, n
scopul evitrii distrugerii.
LUCRAREA NR.3
48 _____________________________________________________________________

3.3.1. Regimul fotovoltaic (regimul celul/baterie solar)
3.3.1.1 Msurarea tensiunii n diverse condiii de iluminare
Se folosete multimetrul digital care se conecteaz la terminalele
fotodiodei conform schemei de principiu din Fig. 3-6.

Se msoar tensiunea fotogenerat, V
AC
, n condiiile de iluminare
din tabelul 3-2, se completeaz cu datele obinute i se trag concluzii.

Tabelul 3-2.- Tensiunea fotogenerat n condiii diferite de iluminare

Condiia/
V
AC
Radiatia
solar
Pe mas la
lumina camerei
LED rou
la distanta de 1 cm
LASER
Pointer
P< 5mW
V
AC
[mV]

3.3.1.2 Msurarea fotocurentului de scurtcircuit, I
SC
i a tensiunii n
circuit deschis, V
OC

Pe placa de baz se monteaz pe cte un suport, modulul fotodiod
i respectiv laserul POINTER, conform schemei montajului din Fig 3-7.
Se aliniaz sistemul LASER-FOTODIOD, astfel nct seciunea
transversal a fasciculului laser, s fie cuprins, n totalitate, n suprafaa
activ a fotodiodei. n acest scop, se folosete hrtia semitransparent.
Modificarea puterii incidente pe suprafaa activ a fotodiodei se obine
Fascicul
fotonic


Fig. 3-6. Schema de principiu pentru msurarea tensiunii fotogenerate.
A
C
+
-
Modulul fotodiod
DIGITALVOLTMETER
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 49

montnd n capacul de protecie al laserului, pe rnd, diafragmele D1... D5,
conform tabelului 3-3.



Tabelul 3-3. Dependena I
SC
i V
0C
de puterea laser.

Diafragma D1 D2 D3 D4 D5
Puterea Laser [W] 50 100 250 500 1.000
I
SC
[mA]
V0C [mV]

Pentru fiecare valoare a puterii laser, se completeaz tabelul 3-3 cu
valorile msurate ale I
SC
i V
0C
.
Cu datele din tabelul 3-3 se traseaz graficele de evoluie a
curentului I
SC
i respectiv a tensiunii V
0C
funcie de puterea laser i se trag
concluzii.

Fig. 3-7. Schema montajului LASER POINTER-FOTODIOD.
Diafragma
calibrat
Laser
POINTER
>5mW
Modulul
fotodiod
Suport
reglabil
Suport
reglabil
Fascicul
LASER
Cap
protecie
A
C
mA
LUCRAREA NR.3
50 _____________________________________________________________________


a)
MODUL
LED
MODUL
FOTODIOD
V
TRI
t
V
CH1
t
V
PD
t
t
r

0,1V
0,9
b)
Fig. 3-8. Schema de principiu a fotodetectorului fotovoltaic de impulsuri
pozitive a) i formele de und b).
GENERATOR
TEKTRONIX TM 515

+5V
OUTPUT TRIG OUT
AMPLITUDE
OSCILOSCOP


TRIG
CH
1
CH
2
EXT
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 51

3.3.1.3 Funcionarea fotodiodei n regim fotovoltaic
Se realizeaz montajul conform schemei de principiu dat n
Fig. 3-8 astfel nct impulsurile de comand ale modulului LED s poat fi
vizualizate pe canalul CH
1
al osciloscopului. n acest scop se folosete
seciunea Generator de impulsuri a aparatului TEK 515.
Se stabilete din poteniometrul + 5V < 5V amplitudinea de
5 +/- 0.25V a impulsurilor pe CH
1
i cu comutatorul Duration/Period se
stabilesc durata de 50 +/- 2s i respectiv perioada de 10 +/-2ms. Se dispun
modulele FOTODIODA i LED fa n fa i se vizualizeaz pe canalul
CH
2
al osciloscopului, impulsurile fotodetectate. Se sincronizeaz
desfurarea pe orizontal, n regimul EXT TRIG din poteniometrul
LEVEL al osciloscopului.
Se deseneaz formele de und de pe cele dou canale ale
osciloscopului, se msoar timpul de cretere, t
r
, se calculeaz f
3dB
, cu
relaia (3.11) si se compara cu valoarea obinut experimental, la punctul
3.3.2.4. Se modific durata impulsurilor VCH
1
i se observ evoluia formei
de und a impulsului fotodetectat.

3.3.2 Regimul fotoconductiv
3.3.2.1 Trasarea caracteristicilor curent tensiune ale fotodiodei
Se folosesc laserul, modulul fotodiod, sursa de alimentare TEK
TM 515 i conductoare de conexiune.
Se alimenteaz fotodioda PD, de la sursa CC - TEK TM 515, ca n
schemele de principiu din Fig. 3-9. Tensiunile +V i V
Rs
se msoar cu
multimetrul digital.


LUCRAREA NR.3
52 _____________________________________________________________________

Se obtureaz cu capacul de blocare fotodioda din modul, se
cupleaz tensiunea i se regleaz tensiunea de alimentare +V, conform
valorilor din tabelul 3-4.
Se completeaz tabelul 3-4 cu valorile msurate ale V
Rs
.

Tabelul 3-4. Caracteristica de ntuneric I
d
/V
d
\ (P
in
=0)
+V [V] 0,3 0,5 0,7 1 1,5 3,5 8 10
V
Rs
[mV]
V
d
[V]
I
d
[mA]

Cu ajutorul diafragmei calibrate D1 se stabilete puterea laser
P
laser1
= 50W. Pentru aceasta, se scoate capacul de protecie al laserului, se
monteaz diafragma D1. Se aliniaz sistemul laser-fotodiod cu ajutorul
uruburilor din supori i se cupleaz tensiunea de alimentare. Se msoar
Fig.3- 9 Msurarea caracteristicilor curent-tensiune - scheme de principiu:
a) pentru msurarea V
d
i I
d
;
b) pentru msurarea -V
d
i -I
d
;
c) dispunerea elementelor de circuit n modulul fotodiod.
a) b) c)
I
d
A
C
-I
d

+
1
1 9 8
12
3
4 5
1
2
6
7
RL
Cf
Cc
RS
1K
1,2k
O
0,1

0,1

VOU
FD
+V
VE
V
d
TEK
V
R
Rs
1.2k
O
+V
VE
-V
d
TEK
V
R
Rs
1.2k
O
C
A
VE
PD
PD
VE
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 53

tensiunea pe rezistena de sarcin, VRs[mV] pentru diferite tensiuni de
alimentare +V, conform valorilor din tabelului 3-5 i se nscriu n tabel.
Se demonteaz diafragma D1, se monteaz diafragma D5
corespunztoare puterii laser P
laser5
= 1mW. Se reia alinierea sistemului,
astfel nct seciunea transversal a fasciculului laser s fie n totalitate
cuprins n suprafaa activ a fotodiodei. Se msoar, n aceste condiii,
tensiunea V
Rs
, pentru diferite valori ale +V [V] i se completeaz
tabelul 3-6.
Se calculeaz tensiunea pe fotodiod cu relaia V
d
= +V - V
Rs
i
curentul prin P
D
, cu relatia I
d
= V
Rs
/ Rs pentru cele trei tabele 3-4, 3-5 i 3-6.
Pe acelai grafic se vor trasa cele trei caracteristici I
d
[mA] - V
d
[mV]
rezultate din cele trei tabele i se vor trage concluzii.

Tabelul 3-5. Caracteristica I
d
/V
d
pentru P
laser1
= 50W.
+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
V
Rs
[mV]
V
d
[V]
I
d
[mA]


Tabelul 3-6. Caracteristica I
d
/V
d
pentru P
laser5
= 1mW.
+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
V
Rs
[mV]
V
d
[V]
I
d
[mA]

Pentru obinerea caracteristicilor inverse, I
d
[mA]/-V
d
[mV], se
inverseaz polaritatea tensiunii de alimentare a fotodiodei, astfel ca V
C
>V
A
,
conform Fig. 3-9b. n acest scop, firul de la anod se scoate i se introduce la
catod iar cel de la catod se scoate i se introduce la anodul fotodiodei.
LUCRAREA NR.3
54 _____________________________________________________________________
Se completeaz tabelele 3-7 ... 3-11 cu datele pentru cele cinci
valori ale puterii laser, corespunztoare celor cinci diafragme calibrate.
Dup montarea fiecrei diafragme se reia alinierea sistemului.

Tabelul 3-7. Caracteristica -I
d
/-V
d
pentru P
laser5
= 1mW.
+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
V
Rs
[mV]
V
d
[V]
I
d
[mA]

Tabelul 3-8. Caracteristica -I
d
/-V
d
pentru P
laser1
= 50W.
+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
V
Rs
[mV]
V
d
[V]
I
d
[mA]

Tabelul 3-9. Caracteristica -I
d
/-V
d
pentru P
laser2
= 100W.
+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
V
Rs
[mV]
V
d
[V]
I
d
[mA]

Tabelul 3-10. Caracteristica -I
d
/-V
d
pentru P
laser3
= 250W.
+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
V
Rs
[mV]
V
d
[V]
I
d
[mA]

Tabelul 3-11. Caracteristica -I
d
/-V
d
pentru P
laser4
= 500W.
+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
V
Rs
[mV]
V
d
[V]
I
d
[mA]

Cu datele calculate, corespunztoare celor cinci valori ale puterii
laser- P
laser1
= 50W, P
laser2
= 100W, P
laser3
= 250W, P
laser4
= 500W i
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 55

P
laser1
= 1mW - din tabelele 3-7....3-11, se traseaz caracteristicile inverse -
I
d
/-V
d
ale fotodiodei i se trag concluzii.

3.3.2.2 Determinarea responsivitii i a eficientei cuantice ale fotodiodei
Se calculeaz responsivitatea i eficiena cuantic ale fotodiodei cu
relaiile (3.9) i respectiv (3.10), n punctele V
d
=8V, pentru cele cinci valori
ale puterii laser. Rezultatele se trec n tabelul 3-15 i se trag concluzii.

Tabelul 3-12. Calculul responsivitii monocromatice i a eficienei
cuantice.
P
laser
50W 100W 250W 500W 1000W
R[A/W]
Q
E
[%]


3.3.2.3 Msurarea benzii de frecven f
BW
a fotodetectorului
Se presupune o comportare aproape ideal n frecvena a LED-ului utilizat
n acest scop. Modulele LED i PD se monteaz n suport pe placa de baz
nu mai departe de 5 cm unul de altul i se realizeaz montajul cu schema de
principiu dat n Fig. 3-10.
Se alimenteaz modulul LED de la ieirea sinusoidal a
generatorului de funcii Tektronix, cu tensiune de la 5+/-0.25VVV i
modulul PD cu +15+/-0.5V, ca n Fig 3-10. Cu osciloscopul se vizualizeaz
tensiunea V
out
, la ieirea modulului PD. Se modific frecvena tensiunii de
comand a modulului LED, meninnd amplitudinea constant. Se msoar
frecvena la care amplitudinea tensiunii V
out
scade cu 3 dB. Aceasta este
frecvena maxim de funcionare a fotodetectorului. Se compar frecvena
msurat cu valoarea obinut prin calcul cu relaia (3.11) i se trag
concluzii.
LUCRAREA NR.3
56 _____________________________________________________________________

3.3.2.4 Studiul funcionrii fotodiodei n regim fotoconductiv
Se realizeaz montajul conform schemei de principiu dat n
Fig. 3-11 astfel nct impulsurile de comand ale modulului LED s poat fi
vizualizate pe canalul CH
1
al osciloscopului. n acest scop se folosete
seciunea Generator de impulsuri a aparatului TEK 515. Se stabilete din
poteniometrul + 5V < 5V amplitudinea de 5 +/- 0.25V a impulsurilor pe
CH
1
i cu comutatorul Duration/Period se stabilesc durata de 50 +/- 2s i
respectiv perioada de repetiie a impulsurilor se 10+/-2 ms. Se sincronizeaz
desfurarea pe orizontal, n regimul EXT TRIG din poteniometrul
LEVEL al osciloscopului. Se aliniaz modulele PD i LED i se
vizualizeaz pe canalul CH
2
al osciloscopului, impulsurile fotodetectate.
Se deseneaz formele de und de pe cele dou canale ale
osciloscopului, se msoar timpul de cretere, tr. Se modific durata
impulsurilor V
CH1
i se observ evoluia formei de und a impulsului
fotodetectat.
Fig. 3-10. Schema de principiu a Modulului LED si PD cuplate optic.
V
out
+
n
C
f
100
n
C
c
100
Modulul
fotodiod
Modulul LED
t
V
5V
R
lim

180O
Rs
1.2kO
LUCRAREA NR.3
__________________________________________________________ 57


Fig. 3-11. Schema de principiu a fotodetectorului fotoconductiv de impulsuri pozitive (a) i
formele de und (b).

Se modific durata impulsului V
CH1
i se observ evoluia formei
de und a impulsului fotodetectat, V
PD
. Se vor compara regimurile de
funcionare a fotodiodei fotovoltaic i fotoconductiv n primul rnd din
punct de vedere al vitezei de rspuns.

3.4 Coninutul referatului
+ scopul lucrrii;
+ valorile msurate i valorile calculate (Tabelele 3-1...3-12);
+ reprezentarea grafic a evoluiei ISC i VOC funcie de puterea
de iluminare;

V
CH1
t
VPD
t
t
r

0,1 VPD
0,9 VPD
b
TEKTRONIX TM 515


V N R
OUT TRIG
OSCILOSCOP


TRIG
CH1 CH2 EXT
a
R
Lim
Rs
1,2 kO
Cf
100 nF
LUCRAREA NR.3
58 _____________________________________________________________________
+ reprezentarea caracteristicilor directe i inverse curent / tensiune
ale fotodiodei;
+ calculul frecventei maxime f3dB n cele dou regimuri
(fotovoltaic i fotoconductiv);
+ calculul responsivitii i al eficientei cuantice;
+ reprezentarea formelor de und pentru regimurile de funcionare
fotovoltaic i fotoconductiv;
+ compararea rezultatelor obinute prin calcul cu cele
experimentale;

3.5 ntrebri
1. Care este durata de via a fotodiodelor din siliciu?
2. Responsivitatea fotodiodelor poate suferi modificri n timp?
3. Care este diferena ntre modurile fotoconductiv (FC) i fotovoltaic (FV)?
4. Ce se poate ntmpla dac din greeal se polarizeaz indirect
fotodioda?
5. De ce la unele dispozitive se specific curentul de ntuneric i la altele
rezistena de shunt?