CONSILIUL NAIONAL PENTRU ACREDITARE I ATESTARE

(INSTITUTUL DE INGINERIE ELECTRONIC I TEHNOLOGII INDUSTRIALE al

ACADEMIEI DE TIINE A MOLDOVEI)
APROB: APROB:
Academician Valeriu CANER Dr. hab., prof. univ. Aa!"lie SIDOREN#O
Preedinte al Consiliului Naional pentru
Acreditare i Atestare
Director al IIETI al A!
Data aprob"rii de c"tre Comisia de atestare a
CNAA#
Data aprob"rii de c"tre Consiliul tiinific al
IIETI# $% martie $&'&
(tampila instituiei) (tampila instituiei)
PROGRAMA
e$a%eului &e &"'!"ra! la ()e'iali!a!ea
*+,-.,*/ 0 Ele'!r"i'a '"r)ului ("li&1 %i'r"ele'!r"i'a1 a"ele'!r"i'a
C2i3i4u 0 -*/*
'
AUTORII:
'. I" TIGHINEANU * m. cor., prof. univ., vicepreedinte al A..!.
$. Valeriu CANER, dr. hab .t .f.+m., prof. univ., academician, preedinte al CNAA.
,. Ni'"lae LEPORDA, dr. t. f.+m., cercet"tor tiinific coordonator, IIETI al A..!.
RECEN5ENII:
/, Vea'e(la6 Ur(a'2i * dr. hab .t .f.+m., prof. univ., I.-.A. al A..!.
-, Daria Gra7'" 0 dr. hab. t. f.+m., cercet"tor tiinific principal I.-.A al A..!.
Pr"8ra%a a 9"(! e$a%ia!4 3i re'"%a&a!4
&e C"%i(ia &e e$)er:i ; &"%eiu a CNAA:
Pr"8ra%a a 9"(! e$a%ia!4 3i re'"%a&a!4
&e Se%iarul 3!ii:i9i' &e )r"9il )e!ru
e$a%iarea !e<el"r &e &"'!"r 3i &"'!"r
2a7ili!a! la ()e'iali!a!ea: *+,-.,*/ 0
Ele'!r"i'a '"r)ului ("li&1 %i'r"ele'!r"i'a1
a"ele'!r"i'a &i 'a&rul IIETI al AM
Preedinte# Preedinte#
(.radul tiinific i titlul tiinific sau
tiinifico+didactic, prenumele i numele
preedintelui)
dr. hab. t .f.+m., prof. univ.,
Anatolie /ID01EN20
(semn"tura) (semn"tura)
3 3 $&'4 3 3 $&'4
$
I, =I5ICA SEMICONDUCTORILOR
Natura le."turilor chimice 5n semiconductori.
/tructura cristalelor. Cristale ideale i reale. Defecte 5n cristale. Propriet"ile substanelor
monocristaline de ba6" ale microelectronicii# /i, 7e, CdTe, CaAs, In/b, InP.
/emiconductori policristalini i amorfi. Teoria ben6ilor ener.etice ale corpului solid.
/pectrul ener.etic al electronilor 5n metale, semiconductori i dielectrici. 8ona de conductibilitate i
6ona de valen". !asa efectiv" a electronilor. /emiconductori intrinseci i cu impurit"i. 1olul
impurit"ilor donoare i acceptoare. 9a6ele fi6icii statistice. -uncia de distribuie -ermi+Dirac.
Concentraia electronilor i a .olurilor 5n ben6i. Dependenele lor de temperatur". Distribuia
9olt6man. Criteriul de de.enerare a .a6ului electronic. /emiconductori de.enerai i nede.enerai.
1ecombinarea :6on"+6on"; i recombinarea prin intermediul impurit"ilor i al defectelor. Teoria
recombin"rii /hocle<+1ead. =un.imea de difu6ie i timpul de via" al purt"torilor de sarcin".
1ecombinarea de suprafa". Conductibilitatea electric" a semiconductorilor.
Comportarea purt"torilor de sarcin" electric" 5n c>mp electric slab. Interaciunea lor cu
fononii, cu atomii impurit"ilor i cu defectele. !obilitatea electronilor i a .olurilor. Condiia de
neutralitate electronic". Difu6ia i derivarea purt"torilor de sarcin" electric". 1elaia Einstein.
Purt"torii de sarcin" 5n c>mp electric puternic. Electronii fierbini. !ultiplicarea 5n avalan" a
purt"torilor de sarcin" 5n semiconductori. Domenii electrice i nururi de curent. Efectul 7unn.
Ecuaia densit"ii curentului electric 5n semiconductori. Ecuaia de continuitate. Ecuaia
Poisson. ?onciunea p+n. In@ectarea i eAtracia purt"torilor de sarcin" adiionali. Caracteristica de
barier" i de difu6ie.
/tr"pun.erea termic" 5n avalan" i de tunel a @onciunii p+n. Betero@onciunile. Contactul
metal+semiconductor. ?onciuni /chottC< omise i de redresare.
/t"ri de suprafa". /tructuri metal+dielectric+semiconductor (!D/). Efectul de c>mp 5n
structurile !D/. Conductibilitatea termic" a semiconductorilor. Capacitatea electric" a structurilor
!DA. -enomene termoelectrice. Efectele termo+ i .alvano+ma.netice. Efectul Ball. Absorbirea
radiailor 5n semiconductori. Tran6iiile directe i indirecte ale purt"torilor de sarcin". Tipurile de
luminescen"# prin in@ectare, catodic" i fotoluminescen". Electroluminescena semiconductorilor
5n form" de praf i de pelicule. !aterialele de ba6" ale optoelectronicii# compuii A
,
9
D
i A
$
9
E.
Efectele electro+ma.neto+ i acusto+optice 5n corp solid.
II, DISPO5ITIVE ALE ELECTRONICII1 MICROELECTRONICII I
NANOELECTRONICII PE BA5A DE CORP SOLID
Diode semiconductoare. Parametrii i caracteristicile de ba6" ale diodelor, dependena lor de
temperatur" i de re.imul de lucru. /cheme echivalente. Propriet"ile de impuls i de frecven" ale
diodelor. Diode de redresare i de impuls. Diode cu acumulare de sarcin". Diode varicap. Diodele
tunel i inverse. Diode cu cascade. Diode /chottC<. Diode 7unn. Diode de frecven" supra5nalt".
Tranzistori bipolari. /tructura i principiul de lucru. Distribuia purt"torilor de sarcin" 5n
tran6istoare. Efectul Erli. Parametrii i caracteristicile de ba6" ale tran6istoarelor, dependenele lor
de temperatur" i de re.imul de lucru. /chemele echivalente i modelele matematice ale
tran6istorului# modelele Ebers+!oll, =invill i modelul de sarcin". Caracteristicile de impuls i de
frecven" ale tran6istoarelor. /tr"pun.erea tran6istorului.
8.omotul 5n tran6istoare. Tran6istorul de putere. Tran6istoare de frecven" supra5nalt".
Tran6istoare de c>mp. Principiile de funcionare. Parametrii i clasificarea lor.
Caracteristicile lor de ba6". Tran6istoarele de c>mp !D/ cu @onciunea p+n i barier" /chottC<.
Principiul de funcionare. Parametrii i caracteristicile de ba6" ale tran6istoarelor de c>mp.
/chemele echivalente ale tran6istoarelor de c>mp. Caracteristicile de impuls i de frecven" ale
tran6istoarelor de c>mp. 8.omotul tran6istoarelor de c>mp 5n diapa6onul frecvenelor @oase i a
celor supra5nalte. /tructuri metal+oAid+semiconductori (!0/). Tran6istoarele i condensatoarele 5n
cadrul schemelor inte.rate (/I). Clasificarea /I dup" criteriul de funcionare i de construcie.
/cheme inte.rate analo.ice i di.itale.
/cheme bipolare.
,
!D/+/I cu canal p-n.
Dispo6itivele cu le."tura de sarcin". Parametrii de ba6" i domeniile de utili6are.
Aparate optoelectronice. Destinaia i domeniile de utili6are. -otoreceptoarele# fotodiodele,
fototran6istoarele, diodele 5n cascad". Parametrii i caracteristicile de ba6"# fotosensibilitatea,
capacitatea de detecie, vite6a de aciune. 9aterii solare. Emi"tori semiconductori# diodele de
lumin" i laserii. Dispo6itive inte.rate pentru sistemele de vi6uali6are a informaiei. 0ptronii i
microcircuitele optoelectronice. Aparatele semiconductoare termoelectrice i .alvanometrice.
Traductoarele pe ba6" de corp solid, inclusiv converti6oarele de informaie microelectronice.
Acustoelectronica, ma.netoelectronica, (concepii .enerale). Electronica @oncional".
III, PROCESELE TEHNOLOGICE LA PRODUCIA APARATELOR
SEMICONDUCTOARE I A MICROSCHEMELOR INTEGRATE
Determinarea direciilor cristalo.rafice ale semiconductorilor. T"ierea orientat", lefuirea i
poli6area (pl"cilor). /tructuri pentru prelucrarea mecanic" a semiconductorilor. Decuparea chimic"
i poli6area chimic" a .ermaniului, siliciului, arsenurii de .aliu. Poli6area chimico+mecanic".
Cur"irea final" a pl"cilor. !etodele de control a calit"ii cur"irii.
Tehnolo.ia planar". 9a6ele fi6ice fundamentale. Condiiile de frontier" i formulele de
calcul pentru cele mai 5nsemnate ca6uri particulare de difu6ie. !etode practice de studiu a
proceselor de difu6ie. /chemele de structur" a cuptoarelor cu difu6ie. !etodele de obinere a
fasciculelor de electroni i ioni. Doparea ionic". !etodele plasmochimice i plasmoionice de
prelucrare ale structurilor semiconductoare, dielectrice i metalice.
Defectele care se introduc 5n structuri 5n timpul prelucr"rii electrono+ionice i 5nl"turarea
acestora. /chemele de construcie ale principalelor tipuri de instalaii pentru prelucrarea electrono+
ionic" i iono+chimic" ale structurilor.
Creterea epitaAiala a structurilor. !etodele de control a structurilor epitaAiale. Distribuia
impurit"ilor 5n hetero@onciunile epitaAiale. Creterea structurilor de tip A
,
9
D
. Instalaii pentru
creterea epitaAial" prin metodele transferului de ba6", din ba6a lichid" i molecular".
0Aidarea termic" a siliciului 5n vapori de ap", 5n oAi.en uscat i umedF pulveri6area i
condensarea oAi6ilor de siliciu 5n vidF oAidarea anodic"F depunerea (precipitarea) chimic" a oAi6ilor
din ba6" .a6oas". Capacitatea de mas" a peliculelor de dioAid de siliciu. Impurit"i 5nc"rcate 5n
pelicule, metodele de schimbare a sarcinii peliculelor. Pelicule de nitrid de siliciu.
0binerea peliculelor subiri prin metoda evapor"rii termice 5n vid. Depunerea chimic" din
fa6" .a6oas". Instalaiile pentru obinerea peliculelor subiri. !ateriale pentru tehnolo.ia peliculelor
subiri.
-otolito.rafia. Instalaii pentru fotolito.rafie. -otolito.rafia proiectiv", electrono.rafia i
roent.eno.rafia. -otoabloanele i confecionarea lor. Defectele microcircuitelor le.ate de procesele
fotolito.rafice.
9a6ele construirii structurilor /I semiconductoare. !etodele de i6olare ale elementelor
schemelor. /tructura i propriet"ile elementelor /I. Asamblarea dispo6itivelor semiconductoare i a
microcircuitelor inte.rate. !etodele de ermeti6are. !etodele de evacuare a c"ldurii din
dispo6itivele cu semiconductori. Tendinele de de6voltare a tehnolo.iei planare. Nanotehnolo.ia.
IV, NANOELECTRONICA I DISPO5ITVE BA5ATE PE E=ECTE CUANTICE
-enomenul cuantific"rii dimensionale i tipurile de ba6" ale structurilor de dimensiuni
reduse# puncte i straturi cuantice, matricele punctelor i anti+punctelor cuantice. Tunelare.
Transport balistic. -enomene de spin.
=e.it"ile de ba6" ale transportului purt"torilor de sarcin" 5n sistemele barierelor de potenial
unidimensionale# treapt", .roap", barier".
Elementele structurilor de dimensiuni reduse# suprafa" liber", interfee, clusteri. !odelarea
confi.uraiilor atomice 5n nano+structuri. /pectrul ener.etic al purt"torilor de sarcin" 5n structuri de
dimensiuni reduse. /tructuri cu mai multe bariere. Dopare de modulaie i G+ dopare ale structurilor.
%
/tructuri cu cuantificare, indus" de c>mpul electric eAterior# !D/ * structuri,
heterostructuri, Cuantificarea superficial". 7a6ul electronic bidimensional. Densitate de st"ri 5n
c>mp ma.netic.
Transportul purt"torilor de sarcin" balistic i cuasibalistic 5n structurile submicronice i cu
dimensiuni nanometrice. Purt"tori de sarcin" fierbini. Influena c>mpului ma.netic asupra
transportului de purt"tori de sarcin". Efectul lui Aharonov * 9ohm. Efectul cuantic Ball# inte.ral i
fracional.
Propriet"ile optice ale structurilor cu dimensiuni nanometrice. -otoni, eAcitoni, polaritoni i
plasmoni 5n structurile cu dimensiuni mici.
Tunelarea purt"torilor de sarcin". Efectul ?osephson. Tunelare re6onant" 5ntr+un sistem cu
dou" bariere. Caracteristicile de frecven" ale structurii cuantice cu dou" bariere. Tunelarea 5n
sistemul periodic cu bariere.
Efectul bloc"rii de Coulomb. Tunelarea uni+electronic". Punctele cuantice continue i
induse. Dispo6itivele cu efectul tunelar uni+electronic * verticale, ori6ontale, pe ba6a masivelor de
puncte cuantice. Tran6istor uni+electronic.
/pintronic". Efectul ma.neto+re6istenei uriae, ma.neto+re6istena tunelar". Dispo6itive cu
efecte de spin.
Dispo6itivele electronice cu efecte cuantice. Tran6istoare cu efect de interferen". Diode i
tran6istoare cu efect de tunelare de re6onan". Comutatoarele i releele atomice.
Dispo6itivele optoelectronice cu efectele cuantific"rii dimensionale. =asere pe ba6a
structurilor cu cuantificarea dimensional". /tructuri cu radiaia de lumin" pe ba6a sistemelor 7e *
/i. -oto i electroluminescena siliciului poros.
!etode tehnolo.ice de formare ale structurilor de dimensiuni nanometrice. Depunere din
fa6a .a6oas" cu folosirea compuilor metalo+or.anice. EpitaAia cu fascicule de molecule. =ito.rafia
cu fascicule de electroni. In.ineria atomic" cu aplicarea microscoapelor tunelare i de fore atomice.
!etodele in.ineriei cu sonde. !etode nano+lito.rafice. /tructuri cu auto+or.ani6are de dimensiuni
nano+metrice. !ateriale nano+structurate de tip dielectric * metal, dielectric * semiconductor, siliciu
poros, nano+evi din carbon, fullerene, nano+structuri biolo.ice.
V, TEHNOLOGII VLSI1 ULSI
Procese de lito.rafie la formarea confi.uraiei circuitului H=/I# lito.rafie cu fascicul de
electroni, cu ra6e I, i lito.rafie cu ra6e ultraviolete de lun.ime nanometric". Procesele de utili6are
a plasmei 5n producerea circuitelor. EpitaAia din fascicul molecular. Procesele de autoaliniere cu
utili6area polisiliciului i altor materiale la formarea .rilelor transistoarelor. Calculul dimensiunilor
.eometrice ale transistoarelor C!0/. Principiile si metodele de i6olare ale elementelor 5n circuitele
H=/I. Jtili6area tratamentului fotonic rapid. -luAurile tehnolo.ice de confecionare ale
transistoarelor n+!0/, p+!0/, c+!0/. !etali6area multistrat. =imitele tehnolo.ice funcionale de
inte.rare. Jtili6area hetero@onciunilor 5n circuitele optoelectronice.
VI, NANOTEHNOLOGII I NANOMATERIALE
Istoria i conceptul nanotehnolo.iilor, ba6a industrial" pentru nanotehnolo.ii, direciile
prioritare de cercetare. -enomenele la scara nanometric"F transportul electric si ma.netismul la scara
nanoF nanofluidicaF chimia, biolo.ia si tiinele medicale la nanoscar"F nanomaterialele ca
component" cheie a nanotehnolo.iilorF diverse tipuri de nanomateriale sinteti6ate pentru aplicaii 5n
nanotehnolo.ii (pentru tiinele mecanice, electronice, optoelectronice si biomedicale). Noile
metode de sinte6" ale diverselor nanomaterialeF proiectarea raionala ale propriet"ilor fi6ice,
chimice, biolo.ice noi i 5mbun"t"iteF fenomene i procese noiF structuri funcionale proiectate
pentru scara atomar"Kmolecular"F strate.iile de sinte6", procesare i cerinele# CHD, !0CHD, soft
litho.raph<, dip+pen litho.raph<, sol+.el, chimice, fi6ice i self+assembl<. Nanofire, nanoba.hete,
puncte cuantice, nanotuburi de carbon, asambl"ri ierarhice i patterne chimice, etc. Noiuni de
bionanotehnolo.ie, Tehnici de anali6a ale nanostructurilor la scara nanometricaF tehnici de
caracteri6are, difracia cu ra6e I i neutron, /E! environmental, TE!, microscopia analitica cu
D
electroni, EDI, EE=/, tehnici de anali6a la suprafa", IP/, /I!/, Au.er. Tendine i perspective 5n
nanotehnolo.ii.
VII, PROBLEMA ASIGURRII CALITII DISPO5ITIVELOR
I A MICROCIRCUITELOR INTEGRATE
0r.ani6area controlului calit"ii ale dispo6itivelor cu semiconductori i microcircuitelor
inte.rate. !etodele de m"surare ale parametrilor statistici, dinamici i de impuls. !etodele de
m"surare ale caracteristicilor de 6.omot ale dispo6itivelor inte.rate pe scar" mare (/I!) i
suprimare (/I/!).
Tipurile de testare 5n producie. Caracteristicile cantitative ale viabilit"ii elementelor /I.
!etodele statice i fi6ice de anali6" i de pro.no6are neuniion"rilor. !etodele de sporire a
viabilit"ii aparatelor cu semiconductori i /I. Aciunea radiaiei asupra dispo6itivelor cu
semiconductori i microtraductori.
BIBLIOGRA=IE
/, LMNO. LPQRSTO U.V., WXYXZNT[MS \.]. ^T_T[X `MYQ`PMSMaNT[MS b., cXQ[X 'dee.
-, fXYTgMSX W.U. ^T_T[X ``MYQ`PMSMaNT[MS. b.hNRPiTj 'deE.
>, k.\.b ^T_T[X `MYQ`PMSMaNT[MSlm `PTnMPMS S $+m [NTiXm b., bTP 'do%.
?, ^RaMpMS q.r. stNMSl uT_T[T `MYQ`PMSMaNT[MS `PTnMPMS b, \MS.PXaTM. 'de$.
+, \pR`XNRN[M v.w. stNMSl gT[PMxYR[pPMNT[T b, \MX.PXaTM.'do&.
@, cMtMS y.z. s`pMxYR[pPMNT[X b.\MS.PXaTM, 'de$.
., WQPNMtMS r.v. {RmNMYMiTj `PMT_SMatpSX `MYQ`PMSMaNT[MSlm `PTnMPMS T TNpRiPXY|Nlm
gT[PMtmRg b., UltZXj Z[MYX 'do,.
A, LRPR_TN r.\., bMOXY|[TN s.z. {RmNMYMiTj T [MNtpPQ[pTPMSXNTR TNpRiPXY|Nlm
gT[PMtmRg. b., zXaTM T tSj_|, 'dd,.
B, UXYTRS W.r., zX[MS r.U. ^T_TORt[TR MtNMSl tQngT[PM`NM} YTpMiPXuTT. b.bTP, 'doD.
/*, {TYY ~. VX[tMN . vNpRiPXY|NlR tmRgl, gXpRPTXYl, `PTnMPl, T_iMpMSYRNTR b, bTP.
'doD.
//, LPMQaX} v., bRPRR} . ^T_TORt[TR MtNMSl gT[PMpRmNMYMiTT. b., bTP, 'doD.
/-, LQPiRN z. MNMSXN z. \[TtYRNTR, aTuuQ_Tj, x`TpX[RTj. b., bTP, 'doE.
/>, WTPRRS U.y. XNTYTN L.\., WQ_NRMS U.v. wYX_gMmTgTORt[MR T TMNNM.mTgTORt[MR
pPXSYRNTR gT[PMtpPQ[pQP. b., zXaTM T tSj_|, 'do,.
/?, 1adu !. 9>rsan :-i6ica i tehnolo.ia circuitelor !0/ inte.rate pe scar" mare;, 9ucureti,
'dod
/+, bMPM ~., :!icrolito.rafia;. wPTNT`l, gRpMal, gXpRPTXYl. wRPRSMa t XNiY. bMt[SX :bTP;
'dd& ( S aSQm pMgXm).
/@, {RmNMYMiTj \Lv\ wMaPRa \,T . wRPRSMa t XNiY. bMt[SX :bTP; 'dod
/., Band booC of /emiconductor !anufacturin. Technolo.<. Part ', $ edited b< =oshio Nishi and
1obert Doerin.. Ne orC, 9asel $&&&.
/A, 8.=. an., 8. 8han. and . =iu, :BandbooC of Nanophase and Nanostructured !aterials;,
2luer Academic Publisher, $&&$.
/B, 'd. 8hon =in. an., Characteri6ation of nanophase materials, ile<+HCB Herla. 7mbB
$&&&,
-*, !itura, / (ed.) Nanotechnolo.< in !aterials /cience, Elsevier /cience 9H, Amsterdam, $&&&.
E