Capitolul 10.

Structuri de circuite integrate

Circuitele integrate sunt realizate n tehnologie planar i pot fi formate
dintr-o singur structur semiconductoare: (monolitic), sau din mai multe
structuri (fragmentate). Din punct de vedere al funciei de transfer pe care o
realizeaz, circuitele integrate sunt liniare, sau analogice i numerice, sau logice.
Tehnologiile de fabricare a circuitelor integrate, s-au dezvoltat n multiple
variante, dintre care vor fi prezentate doar cteva variante ilustrative, chiar dac
nu sunt cele mai evoluate [Ct, Gra], care evideniaz modalitaile de realizare a
elementelor de circuit, concomitent cu realizarea dispozitivelor semiconductoare.
10.1. Circuite integrate bipolare
10.1.1. Procesul standard cu strat ngropat
Prin tehnologia de fabricaie a circuitelor integrate, se urmrete obinerea
unor performane superioare ale tranzistoarelor de tip npn, care reprezint cea
mai complex i frecvent ntlnit component de circuit i presupune realizarea
pe un substrat de tip n, a unei difuzii localizate de tip n + , urmat de creterea
unui strat epitexial de tip n peste substrat. Stratul ngropat n + reduce
rezistena serie din colector a tranzistorului. Componentele circuitului integrat
sunt izolate ntre ele prin ziduride izolare. n figura 10.1, este reprezentat
structura unui tranzistor npn realizat prin difuzie n stratul epitexial crescut peste
stratul ngropat n substrat.

Fi g. 10.1 S t ruct ura de t ranz i st or di fuz at , care face part e di nt r-un ci rcui t
i nt egrat .1 - m et al iz ari ; 2 bi oxi d de si l i ci u; 3 subst rat m et ali z at

Tranzistorul este de tip lateral sau orizontal, intruct componenta

principal a curentului de emitor, este paralel cu suprafaa plachetei
semiconductoare. Numai la tranzistorul cu structur vertical, la care colectorul
este substratul metalizat, injecia vertical a curentului de emitor, este colectat
de colector. Tranzistorul parazit T p , are jonctiune baz-emitor polarizat invers la
funcionarea normala a tranzitorului, iar curentul prin dioda parazit D p , este
redus. Prin difuzia de tip p + efectuat n zidurile de izolare, se realizeaz pe
insula de izolare pe care este format tranzistorul, dou diode conectate n
opoziie, care realizeaz o izolaie suplimentar ntre insule. Regiunea emitorului
216

este mai puternic dopat dect regiunea bazei: n + + = 10 2 1 cm - 3 ; p + = 10 1 9 cm - 3 , iar

insula situat deasupra stratului ngropat, este mai slab dopat: n = 10 1 6 cm - 3 .
Performanele la frecvene ridicate cresc cu micorarea grosimii w, a bazei i a
capacitaii parazite Cp.
10.1.2. Elemente de circuit realizate in tehnologia circuitelor integrate
bipolare
Prin tehnologia planar a circuitelor integrate bipolare se mai pot realiza
tranzistoare bipolare de tip pnp, tranzistoare unipolare-cu gril jonciune, diode
sau diode Zener, rezistoare sau condensatoare.
Tranzistoarele bipolare de tip pnp au performane mai reduse dect cele de
tip npn datorit mobilitii mai reduse a golurilor faa de electroni. Canalul
tranzisoarelor unipolare cu gril jonciune, se realizeaz in timpul difuziei
bazei sau colectorului, canalul fiind de tip p (fig. 10.2a), respectiv n.

Fig. 10.2 Structura de tranzistor unipolar (a) i diode (b) sau diode Zener
compensate ter mic, for mate cu tranzistoare bipolare .
Diodele sunt realizate prin conectatarea bazei la emitorul unui tranzistor
bipolar npn ( fig.10.2b). Tensiunea de strpungere la polarizare invers a
jonciunii baz-emitor, este de aproximativ 7V. Coeficientul pozitiv de variaie cu
temperatura al tensiunii pe dioda Zener, poate fi compensat prin conectarea in
serie a unei diode cu coeficient negativ de variaie al tensiunii cu temperatura
(fig. 10.2c). Datorit valorii ridicate a tensiunii de zgomot, diodele Zener se evit
in circuitele integrate cu zgomot redus. Rezistoarele sunt realizate fie prin difuzia
bazei pentru valori ridicate ale rezistenei baza fiind slab dopat, fie prin
difuzia de emitor care este puternic dopat, pentru obinerea unor valori reduse ale
rezistenei serie. In fig. 10.3 sunt reprezentate rezistoarele difuzate (a) si de tip
baza strangulat(b).
ntruct tranzistorul parazit are baza flotant, prin tranzistor circula doar
un curent rezidual. Capacitaile parazite ale jonciunilor intervin doar la
frecvene ridicate. Rezistorul de tip baza strangulat, are structura identica cu
cea a tranzistorului unipolar i n consecin, valoarea rezistenei nu este
constant, ntruct caracteristica tensiune curent este neliniara si depinde
pronunat de temperatur.
217

Rezistena pe patrat R , este mai ridicat dect la rezistoarele difuzate,

pentru c grosimea stratului rezistiv, este: X B X E < X B (vezi anexa), iar valoarea
rezistenei: R

LR
, este crescut. Rezistoarele de volum, sunt rezisoare difuzate,
l

care sunt realizate n ntreg volumul stratului epitexial din interiorul unei insule
de izolare. Valoarea rezistenei nu depinde de tensiunea aplicat, iar tensiunile de
strpungere sunt ridicate .
Prin introducerea unor etape suplimentare in procesul tehnologic, se pot
realiza rezistoare peliculare cu proprietai net superiore rezistoarelor difuzate.
Se utilizeaz pelicule din NiCr, SnO 2 sau Ta, cu grosimi submicrometrice, depuse
pe stratul izolator de bioxid de siliciu.

Fig. 10.3 Structura de rezistoare se miconductoare realizate pentru difuzia bazei

(a) sau prin difuzia bazei i e mitorului (b) .
Condensatoarele cu valori relativ reduse ale capacitaii, utilizeaz
bioxidul de siliciu ca dielectric. Structura unui astfel de condensator, este
reprezentat in fig. 10.4. Grosimea controlata g a bioxidului de siliciu nu poate
fi redusa sub valoarea de 0,15 m datorit apariiei porilor, iar valoarea
capacitaii C depinde de suprafaa armaturii A.

Fig. 10.4 Structura de condensator realizat n tehnologia circuitelor integrate

bipolare .
Pentru micorarea rezistenei serie R S , stratul in contact cu armatura B se
dopeaz puternic. Dac armatura B este incarcat cu sarcin pozitiv fat de
substrat, capacitaea parazit C p , este capacitatea de bariera a diodei parazite D p .
218

Pentru realizarea stratului izolator cu grosimea g, este necesar ca n procesul

tehnologic sa fie introduse etape suplimentare, care sunt caracteristice realizrii
dispozitivelor semiconductoare de tip MOS.
10.2 Circuite integrate MOS
Tranzistoarele de tip MOS se caracterizeaz prin valori ridicate ale
impedanelor de intrare i puteri consumate relativ reduse. Funcionarea
tranzistoarelor de tip MOS, este principial diferit de cea a tranzistoarelor
bipolare, iar tehnologia planar de realizare a tranzistoarelor MOS, nu este
compatibil cu tehnologia tranzistoarelor bipolare.
10.2.1 Procesul standard p MOS
Procesul de fabricaie a tranzistoarelor de tip MOS cu canal p, are faa de
procesul n-MOS, avantajul c proprietile de suprafa ale siliciului de tip n,
sunt mai stabile dect cele ale siliciului de tip p. Astfel, tensiunea de prag are
tolerane reduse i este reproductibil. Planul cristalografic utilizat pentru
realizarea tranzistoarelor de suprafaa MOS, este planul [111], cu grad maxim de
compactitate, sau [100].
In fig. 10.5. sunt reprezentate etapele tehnologice de realizare a unui
tranzistor MOS cu canal p. In etapa I, se depune prin oxidare un strat uniform
de bioxid de siliciu pe suprafaa plachetei semiconductoare, tiat dup un plan
cristalografic precizat. Printr-un procedeu litografic, similar celui utilizat pentru
localizarea zonelor difuzate, se deshid ferestre in stratul de bioxid de siliciu,
pentru difuzia borului la o temperatur cuprinsa intre 1000 o C si 1100 o C. n etapa
a II-a se difuzeaz bor prin ferestre i se realizeaz regiunile de surs si dren de
tip p. n etapa a III-a se acoper structura cu un strat uniform din bioxid de
siliciu, care se ndeparteaza n etapa a IV-a, n regiunea grilei, deschizndu-se o
fereastr pentru gril sau poart. n etapa a V-a se efectueaz depunerea unei
pelicule din bioxid de siliciu, cu grosimea g- strict controlat, peste ntreaga
structur .
Printr-un procedeu litografic, n etapa a VI-a se deschid ferestre de contact
in regiunea sursei si drenei.

Fig. 10.5 Etapele de realizare ale unui transistor cu gril izolat i canal p
indus.

219

n etapa a VII-a se depune o pelicul de aluminiu, prin evaporare n vid,

peste ntreaga structur, iar n etapa a VIII-a, pelicula metalica continu este
intrerupt, delimitndu-se metalizarile corespunzatoare fiecarui electrod n parte.
Circuitele integrate p-MOS cu poarta din aluminium, au puteri disipate
relativ ridicate si funcioneaz la frecvene mai scazute dect cele la care
electrodul porii este realizat din siliciu policristalin.
10.2.2 Circuite integrate n MOS si c MOS
Datorit mobilitaii mari a electronilor, frecvena de funcionare a
circuitelor n MOS este de cteva ori mai ridicat dect a circuitelor p MOS.
Spre deosebire de circuitele integrate p MOS, circuitele n MOS sunt
compatibile cu circuitele integrate logice TTL, tensiunea de alimentare fiind de
5V, identic cu cea a circuitelor logice. Puterea disipata este mult mai redus
comparativ cu circuitele p MOS de aceeai complexitate.
Circuitele integrate c MOS sunt alcatuite cu tranzistoare MOS cu canal n
si cu canal p. Pentru realizarea tranzistoarelor n MOS se introduc etape
tehnologice suplimentare in procesul standard p MOS. Circuitele integrate c
MOS pot fi realizate pe un suport izolant din safir, pe care se depune epitaxial o
pelicul din siliciu, care se dopeaz selectiv in toat grosimea stratului epitaxial.
Stratul izolator al grilei, se realizeaz ca i in procesul standard p MOS, iar
tranzistoarele cu efect de cmp se pot realiza cu canal n sau p, indus sau iniial.
10.3. Anexa - Rezistena de ptrat
Rezistena de ptrat R reprezint
rezistena unui strat cu grosimea g de
form ptrat i se msoar in ohm/p.
(fig.A.9.). Rezistena pe ptrat se poate
exprima n funcie de rezistivitatea
materialului. Pentru un semiconductor
de tip n, rezistena pe ptrat are
expresia:

1
1
1
R

n
e n N D g e n ng n g
g
unde: e i n sunt sarcina i mobilitatea
electronului, N D =n este concentraia
atomilor
donori
sau
electronilor.
Rezistena stratului are forma:
R

L
R
I

220