Capitolul 9.

Structuri de dispozitive semiconductoare discrete

Sunt prezentate diferite structuri de dispozitive, dintre care unele sunt de dat recent i care funcioneaz fie pe baz de jonciuni, fie pe baz de heterojonciuni. Tranzistoarele cu nitrit de galiu, sunt asemenea prezentate, punndu-se n eviden performanele remarcabile ale acestora. 9.1. Diode !iodele semiconductoare se pot realiza n tehnologie planar, jonciunea fiind realizat prin difuzarea sau implantarea impuritilor n placheta semiconductoare tiat dup un plan cristalografic prestabilit. "n fig. #.$a este reprezentat o diod semiconductoare cu structura planar epita%ial utilizat pentru redresarea tensiunii alternative, pentru stabilizarea unei tensiuni variabile, pentru detecie sau comutaie. Stratul dopat suplimentar &n'( micoreaz rezistena n sens direct a diodei ) datorit numrului suplimentar de purttori de sarcin. !iodele varicap se pot realiza att n tehnologia planar ct i prin aliere. *entru ca variaia capacitii de barier s fie pronunat, atunci cnd tensiunea invers, aplicat diodei se modific, este necesar ca profilul de impuriti al jonciunii s fie abrupt. +n profil hiperabrupt se obine prin aliere ,fig. #.$b-. !iodele varicap sunt utilizate n circuite acordate, sau pentru mi%are i modulaie n frecven. !iodele Schott./, cu jonciuni de tip metal ) semiconductor ,fig. #.$c-, funcioneaz cu un singur tip de purttori majoritari de sarcin ) electroni. *entru mrirea tensiunilor de strpungere invers stratul din bio%id de siliciu se metalizeaz parial, sau se realizeaz un inel de gard dintr-un semiconductor de tip &p(. 0etalizarea anodului diodei este realizat din mai multe straturi, fiecare strat avnd o funcie bine precizat. *rimul metal depus pe stratul epita%ial de tip &n( este crom sau molibden ) care confer proprieti de contact optime. 1l doilea strat este din nichel, care corespunde din punct de vedere al interaciunilor cu aliajele utilizate pentru ataarea terminalului i reprezint un ecran prin care se evit contaminarea contactului cu compui ai aliajului folosit pentru ataarea terminalului. 1l treilea strat este din argint, care protejeaz stratul de nichel mpotriva o%idrii. !iodele Schott./ funcioneaz la frecvene ridicate i sunt utilizate n circuite detectoare, modulatoare sau convertoare din domeniul microundelor. !iodele *23 se caracterizeaz prin e%istena unui strat semiconductor intrinsec ntre dou straturi e%trinseci de tip opus ,fig. #.$d-. 4egiunea intrinsec, cu rezistivitate ridicat, este fie un strat semiconductor &p( ,denumit -, fie un strat &n( ,denumit -, iar jonciunea *23 este fie p + pn sau pn , fie pnn + sau pn . *rocedeul de obinere al unei jonciuni *23 n tehnologia planar, const n creterea unui strat epita%ial pe un suport monocristalin, cu puritate mai ridicat dect a suportului i care constituie stratul intrinsec. "n etapa urmtoare se depune epita%ial un strat n care purttorii de sarcin sunt de tip opus. !iodele *23 au tensiuni de blocare mai ridicate, iar aplicaiile lor sunt n domeniul microundelor.

197

Fi g. 9.1 St ruct uri de di ode sem i conduct oare 5 pl anar ) epit a%i al ,a-, al i at ) vari cap ,b-, S chott ./ ,c-, * 23 ,d-. $ ) m et al i zri 6 7 ) bi o%i d de si li ci u6 8 ) si li ci u6 9 ) i ndi u6 : ) germ ani u.

9.2. Tranzistoare bipolare Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni i pot fi realizate n tehnologie planar sau prin aliere. "n fig. #.7 sunt reprezentate diferite structuri de tranzistoare bipolare.

Fi g. 9.2 St ruct uri de t ranzi st oare bi pol are 5 al i at ,a-6 di fuzat ) al i at ,b-6 pl anar ) epi t a%i al ,c-6 dubl u i m pl ant at ,d-. $ ) i ndi u6 7 ) germ ani u6 8 ) bi o%i d de si li ci u6 9 ) si li ci u6 : ) al i aj aur ) ni chel 6 ; ) am baza .

198

Tranzistoarele cu germaniu, se pot realiza prin alierea pastilelor din indiu cu placheta din germaniu ,fig. #.7.a-. !aca se realizeaz un gradient de concentraie a purttorilor majoritari ) electroni ) determinnd apariia unui cmp electric de drift, timpul de tranzit al purttorilor minoritari n baz se micoreaz i determin mrirea frecvenei limit superioar de funcionare a tranzistorului ,fig. #.7.b-. Tranzistoarele cu siliciu se realizeaz n tehnologie planar, jonciunile semiconductoare fiind realizate prin difuzie ,fig. #.7c-, sau implantare ionic ,fig.#.7d-. *rin implantare ionic, grosimea bazei se poate reduce i astfel frecvena limita superioar de funcionare, se mrete. <aza este mai slab dopat dect emitorul pentru ca purttorii majoritari din emitor s contribuie n msur mai mare la formarea curentului din emitor. *entru mrirea performanelor, se utilizeaz difuzii sau implantri duble, se creeaz straturi ngropate sau insule de ecranare sub contactul de baz, se decupeaz regiunile laterale ale jonciunilor semiconductoare , sau se utilizeaz materiale semiconductoare compuse, cu mobiliti ridicate ale purttorilor de sarcin. =ormele constructive ale tranzistoarelor bipolare ct i materialele semiconductoare utilizate sunt variate, iar tehnologiile de realizare sunt adaptate pentru realizarea unor dispozitive performante. 9.3 Tranzistoarele uni onc!iune "n tranzistoarele unijonciune, prin intermediul unei jonciuni semiconductoare se comand curentul prin dispozitiv. "n fig. #.8 sunt reprezentate tranzistoarele unijoniune realizate prin aliere sau prin difuziune.

Fi g. 9.3 St ruct ura al i at ,a- i di fuzat ,b- de t ranzi st or uni j onc i une de ti p &n(.

Tranzistoarele unijoniune se utilizeaz n circuite generatoare de impulsuri pentru comanda sincronizat pe faz a tiristoarelor, pentru generatoarele de tensiune liniar variabil, etc. 9." Tranzistoarele unipolare Tranzistoarele unipolare cu grila jonciune pot fi considerate tranzistoare de volum, ntruct conducia electric ntre surs i dren se efectueaz ntr-un canal a crui seciune se modific prin tensiunea aplicat grilei. "n fig. #.9a, este reprezentat un astfel de tranzistor, a crui form constructiv este circular sau nchis, sursa nconjurnd grila, iar drena este localizat centrat. Structura poate fi realizat prin difuziune, sau implantare ionic. *rin implantare ionic, 199

cantitatea de impuriti poate fi mai e%act controlat i se asigur un grad ridicat de uniformitate pe suprafaa plachetei, precum i o delimitare mai strict a zonelor impurificate. *rintr-o difuzie dubl, se realizeaz un canal mai ngust dect printr-o difuzie simpl i prin aceasta, se obin performane superioare. "n fig. #.9b, este reprezentat un tranzistor unipolar cu grila jonciune de tip Schott./, conducia electric efectundu-se ntr-un strat implantat cu sulf. 0etalizarea sursei i drenei, este efectuat cu aliaj din aur i germaniu, pentru realizarea jonciunilor Schott./.

Fi g. 9." S t ruct uri de t ranzi st oare cu efect de cm p, real i zat e n t ehnol ogi e pl anar5 ,a- ) cu gri l a j onc i une i canal &n(6 ,b- ) S chot t ./ cu gri l a jonc i une6 ,b- ) cu gri l i zol at i canal &n( i ndus6 ,d- ) cu gri l i zol at i canal &n( ini i al . $ ) al i aj aur- germ ani u6 7 ) al um i ni u6 8 ) st rat im pl ant at cu sul f6 9 ) st rat i zol at or.

Tranzistoarele unipolare cu gril izolat, pot fi considerate tranzistoare de suprafa, ntruct conducia electric are loc ntr-un canal sau strat de inversie e%trem de subire. !ac stratul izolator pe care este depus grila, este din bio%id de siliciu, tranzistorul este de tip 0>S ,metal ) o%id - semiconductor-, sau de tip 02S ,metal ) izolator - semiconductor-, dac se utilizeaz un alt material izolator. "n structura reprezentat n fig. #.9c, grila acoper o parte din regiunile sursei i drenei, pentru realizarea canalului ntre surs i dren. ?apacitatea ntre dren i gril este astfel n mod nedorit, crescut. 1cest dezavantaj, este nlturat n structura cu canal iniial din fig. #.9d, dar prin tranzistor va circula un curent apreciabil chiar i atunci cnd tensiunea dintre gril i surs este nul, spre deosebire de tranzistorul unipolar cu canal indus. Structurile cu gril izolat, funcioneaz n regim de mbogire a canalului, n timp ce structurile cu gril jonciune funcioneaz prin srcirea regiunilor de sarcin spaial. !atorit impendanelor de intrare foarte ridicate, pe grila structurilor 0>S sau 02S se pot acumula sarcini electrice, care pot determina deteriorarea tranzistorului prin strpungere. *entru protejarea grilei, acesta se conecteaz constructiv la substrat, prin intermediul unei diode @ener. !e asemenea sursa poate fi conectat constructiv la substrat.

2##

Structurile prezentate ale tranzistoarelor unipolare sunt structuri orizontale, ntruct conducia electric are loc pe direcii paralele cu suprafeele dispozitivului. *entru tranzistoarele 0>S de putere se utilizeaz structuri verticale de tip celular. > astfel de structur cu canal dublu implantat este reprezentat n fig. #.:.

Fi g. 9.$ S t ruct ura de t i p cel ul ar a unui t ranzi st or uni pol ar de put ere cu canal &n(5 $ ) m et al i zri 6 7 ) bi o%i d de si l i ci u6 8 ) si l i ci u pol i cri st al i n6 9 ) st rat epi t a%i al .

Arila este realizat din siliciu policristalin i este ngropat ntr-un strat izolator din bio%id de siliciu. *rin metalizarea sursei cu aluminiu, se realizeaz un scurt circuit ntre regiunile &p( i &n + (, conectndu-se astfel baza la emitorul tranzistorului bipolar parazit, pentru a preveni comutarea tranzistorului n regim dinamic, iar jonciunea parazit baza ) colector este polarizat invers. +n numr de cteva mii de astfel de celule sunt conectate n paralel. ?onstrucia vertical asigur o utilizare optim a suprafeei plachetei, o bun disipare de putere i tensiuni de strpungere ridicate. 2mplantarea dubl, cu o lungime a canalului e%trem de redus, asigur viteze foarte mari de cretere a curentului.

Fi g. 9.% S t ruct ura dubl u dopat a unui t ranzi st or BC0T de put ere.

Beterostructura unui tranzistor unipolar de putere cu 1l 2n 1s ) Aa 2n 1s, cu nalt mobilitate a electronilor, este reprezentat n fig. #.;.

2#1

Tranzistorul BC0T este realizat pe o structur dublu dopat, pentru mrirea densitii superficiale a electronilor n canal. Seciunea grilei este de m si lungimea de EDD m , iar nlimea forma literei &T(, cu amprenta de D,7 $DD m tranzistorului, este de . 0obilitatea gazului electronic bidimensional din 7 canal, depete valoarea5 n = $DDDDcm F Vs , fiind cu un ordin de mrime mai mare dect mobilitatea electronilor din dispozitivele semiconductoare prezentate anterior. 0obilitile mari ale gazului electronic din canal, se obin prin controlul riguros al interfeelor canalului cu straturile vecine. =recvena limit superioar de funcionare a tranzistoarelor BC0T depete valoarea de $DDABz. ?u astfel de tranzistoare se pot realiza circuite amplificatoare, sau oscilatoare n banda de frecven G. "n fig. #.H sunt reprezentate structurile unor tranzistoare cu efect de cmp cu siliciu i nitrit de galiu.

Fi g. 9.7 Tranzi st oar e cu efect de cm p cu si li ci u ,a- i ni t ri t de gal i u ,b- n st ri de conduc i e ,>3- i de bl ocare ,>= = -.

"ntr-un tranzistor cu efect de cmp, semnalul de tensiune aplicat pe gril comand flu%ul de sarcini electrice ntre surs i dren. 0odificrile mici ale tensiunii pe gril sunt astfel amplificate, determinnd modificri mult mai mari ale curentului, ntr-un circuit e%terior conectat ntre surs i dren. "n tranzistoarele cu efect de cmp realizate cu nitrit de galiu i nitrit de aluminiu i galiu, e%ist n mod natural regiuni puternic polarizate cu sarcini electrice n stratul de nitrit de aluminiu i galiu de sub surs, gril i dren. "ntr-un tranzistor cu efect de cmp cu siliciu, purttorii de sarcin trebuie atrai printr-o tensiune pozitiv aplicat grilei, iar n absena acestei tensiuni, tranzistorul este blocat ) n stare normal. "n tranzistorul cu efect de cmp cu nitrit de galiu, la limita dintre stratul din nitrit de aluminiu i galiu, crescut peste stratul de nitrit de galiu, apare o heterojonciune BI. Stratul de sarcini pozitive de la marginea de jos a nitritului de aluminiu i galiu, determin apariia unui strat complementar, format din electroni mobili, n stratul de nitrit de galiu. Clectronii mobili din stratul complementar formeaz gazul electronic bidimensional ,7!CA-, care

2#2

e%ist n mod natural. > tensiune negativ aplicat grilei, interfer cu acest strat, oprind curgerea curentului. !ac starea normal a tranzistorului cu efect de cmp cu siliciu, este blocat ,>==-, n absena unei tensiuni pozitive aplicat grilei, starea normal a tranzistorului cu efect de cmp cu nitrit de galiu, este starea de conducie ,>3-, cu condiia ca s fie aplicat o tensiune ntre dren i surs. !in punct de vedere constructiv, grila trebuie s aib o geometrie lung, ,pentru puteri mari- i ngust, ,pentru frecvene mari-. *entru grile nguste, timpul de tranzit al electronilor este micorat, iar lungimea grilei este limitat de degradarea semnalului dintr-o latur la alta a grilei. *entru frecvene de $D ABz, s-au realizat tranzistoare cu efect de cmp cu nitrit de galiu cu densiti de putere pe unitatea de lungime a grilei, de $D GFmm, valoare care este atins doar de un numr redus de tranzistoare cu galiu arsen, care nu depesc, n general, valoarea de $ GFmm la $DABz, n timp ce tranzistoarele ordinare cu siliciu amplific eficient semnalul electric pn la frecvene de 7 8 ABz. 9.$ Dispozitive multi onc!iune "n figura multijonciune. #.E sunt reprezentate 2 cteva dispozitive semiconductoare

Fi g. 9.8 S t ruct uri de di spozi t i ve sem i conduct oare m ul t i j onc i une5 ti ri st or dubl u di fuzat ,a- i ali at di fuzat ,b-6 t ri ac ,c- i di ac ,d$ ) disc di n mol i bden6 7 ) m et al i zri 6 8 ) ali aj aur- ni chel 6 9 ) bi o%i d de si l i ci u.

?aracteristicile tensiune ) curent ale dispozitivelor semiconductoare multijonciune, prezint poriuni cu panta ,sau rezistena- negativ, permind astfel comutarea din starea local n starea conductoare, prin injectarea unui curent n electrodul poart ,fig. #.Ea,b-. Tranziia din stare conductoare n stare blocat, se efectueaz prin inversarea tensiunii aplicate ntre anod i catod. ?urenii prin tiristor, au valori mult mai ridicate dect curenii prin poart, iar tensiunea invers ntre catod si anod este de asemenea ridicat. Tiristoarele cu blocare pe poart ,AT>-, prezint i posibilitatea tranziiei din starea conductoare n starea blocat, prin aplicarea unei tensiuni corespunztoare pe 2#3

poart. *entru blocarea tiristoarelor cu blocare asistat pe poart ,A1TT-, se inverseaz mai nti tensiunea anod ) catod, iar apoi se aplic semnal pe poart. "n tiristoare, puterea este disipat pe jonciunea corespunztoare anodului, iar anodul este n contact electric i termic cu ambaza sau carcasa metalic, care se monteaz pe un radiator. Triacul i diacul se pot considera ca fiind formate din dou tiristoare, respectiv diode, conectate prin construcie n opoziie ,fig. #.Hc,d-. !ispozitivele semiconductoare multijonciune sunt utilizate frecvent pentru controlul i comanda curenilor alternativi industriali, dar nu au aplicaii i n circuitele electronice de puteri reduse. 9.% Dispozitive optoelectronice "n fig #.# sunt reprezentate semiconductoare optoelectronice. cteva structuri uzuale de dispozitive

Fi g. 9.9 S t ruct uri de di spozi t i ve sem i conduct oare opt oel ect roni ce5 fot odi oda di fuzant ,a-6 fot ot ranzi st or ,b-6 di oda em i si v ,ci cel ul a fot oel ect ri c ,d-. $ ) bi o%i d de si l i ci u6 7 ) el ect rod di n aur6 8 ) m et al i zri 6 9 ) el ect rod t ransparent .

!ispozitivele semiconductoare optoelectronice realizeaz conversia flu%ului luminos incident n curent sau tensiune electric, prin efect V , fotoelectric intern, sau funcioneaz pe baza procesului de emisie a radiaiei luminoase atunci cnd se aplic materialului semiconductor un cmp electric, sau este parcurs de un curent electric. !in prima categorie fac parte fotodiodele, fototranzistorii i celulele fotoelectrice. *entru realizarea conversiei, este necesar s se aplice fotodiodelor sau fototranzistoarelor, o tensiune electric, n timp ce n celula fotoelectric conversia se face direct. =lu%ul incident V , genereaz perechi electron ) gol, care se deplaseaz spre electrozi datorit e%istenei cmpului intern C, din zona de sarcin spaial a jonciunii. Tensiunea care apare la electrozii fotocelulei, este rezultatul acumulrilor de sarcini electrice pe electrozi i este n raport direct cu iluminarea suprafeei e%puse flu%ului luminos. *entru obinerea unui randament ridicat al conversiei ntr-un domeniu larg de lungimi de und, celulele fotoelectrice se realizeaz din mai multe jonciuni suprapuse. Ionciunea colector ) baz a fototranzistoarelor, se polarizeaz invers,

2#"

la fel ca i la diodele emisive, jonciunea emitor ) baz fiind polarizat direct sau nepolarizat. Clectronii generai prin efect fotoelectric, se deplaseaz spre colector, iar golurile se deplaseaz spre baz i ncarc baza cu sarcin electric pozitiv, polariznd direct baza, ceea ce determin injecia electronilor din emitor n baz. ?urentul de injecie la emitor, dureaz att timp ct golurile generate din baz se recombin sau difuzeaz prin jonciunea emitor-baz. +n senzor corespunztor unui pi%el, pentru cele trei culori considerate fundamentale n sistemele de prelucrare digital a imaginii i de televiziune, este reprezentat n fig. #.$D.

n p n
Fi g. 9.1# S enzor di fuzat pent ru cel e t rei cul ori fundam ent al e5 $ ) dren de ti p &n( sl ab dopat 6 7 ) st rat de t i p &p(, col ect or n spect rul al bast ru6 8 ) st rat de ti p &n(, col ect or n spect rul verde6 9 ) subst rat de t i p &p(, col ect or n spect rul rou.

Senzorul este format din trei straturi cu absorbie a radiailor n spectrele5 albastru, verse i rou. 4adiaiile cu frecven i energii mai ridicate din spectrul albastru, sunt absorbite de primul strat, n timp ce radiaiile din spectrul verde sau rou ) cu frecvene i energii mai reduse trec prin primul strat colector, pentru c energiile acestor radiaii sunt insuficiente pentru a produce tranziia electronilor din banda de valen n banda de conducie, prin escaladarea benzii interzise. 1nalog se produce absorbia radiaiilor din spectrul verde n stratul colector plasat sub primul strat colector, iar n substrat sunt absorbite radiaiile din spectrul rou, care au frecvenele i energiile cele mai sczute din spectrul vizibil i care traverseaz primele dou straturi. 1cest tip de senzor mbuntete sensibil rezoluia i contrastul imaginilor captate. Structura diodei fotoemisive din fig. #.#c, este alctuit dintr-un substrat semiconductor opac i un strat optic activ, dopat cu zinc situat la suprafaa de emisie. "n domeniul infrarou se utilizeaz Aa1s, in rou ) galben Aa1s*, n rou ) Aa*@n, n verde ) galben Aa*3, iar n albastru @nSe. 3itritul de galiu se utilizeaz pentru emisia n toate culorile spectrului, inclusiv pentru lumina alb. *rocesele care au loc ntr-o diod fotoemisiv i o diod J1SC4 ,Jight 1mplification b/ Stimulated Cmission of 4adiation-, nu difer n mod esenial. !ioda fotoemisiv poate fi considerat o diod J1SC4 de calitate inferioar, iar dioda J1SC4 poate fi considerat drept o diod emisiv de foarte bun calitate. "n general, un J1SC4 este format din trei elemente importante5 un mediu activ, o

2#$

surs de pompaj i o cavitate rezonant ,fig. #.$$a-. Sursa de pompaj pentru un mediu semiconductor, poate fi o surs optic ,pompaj optic-, un fascicul de electroni sau un curent printr-o jonciune p ) n. ?avitatea rezonant nu este neaprat necesar. 4olul cavitii const n scurtarea J1SC4-ului din punct de vedere constructiv i n stabilirea profilului modului electromagnetic.

,e-

Fi g 9.11 4 eprezent are a si m pl i fi cat a unui J1S C4 ,a-, a cavi t i i rezonant e ,b-, a het eroj onc i uni i dubl e cu di st ri bu i a cm pul ui opt i c ,c-, a m odul ui el ect rom agn et i c t ransversal de ordi nul zero ,di a di odei J1S C4 cu em i si a n lungul j onc i unii ,e-.

"n cavitatea rezonant, undele electromagnetice se re ntorc n punctul de plecare dup dou refle%ii pe cele dou suprafee ale cavitii. !atorit surselor de pompaj i mediului activ n care se propag, ctigul este mai mare sau egal cu pierderile, iar undele electromagnetice ajung n punctele de plecare cel puin cu aceeai intensitate cu care au plecat. ?tigul din jonciunea semiconductoare puternic dopat, este foarte mare i este generat prin inversie de populaie ntre benzile de conducie i de valen ale semiconductorului . ?oerena se obine prin amplificarea acelor unde, care formeaz unde staionare n cavitate. Jungimea cavitii trebuie s fie egal cu un numr ntreg de jumti de lungimi de und, pentru a obine unde staionare n cavitate. 0ultiplii ntregi ai jumtilor de lungimi de und, se numesc modurile longitudinale ale cavitii. !esigur c e%ist o infinitate de lungimi de und, care satisfac condiia ca lungimea cavitii s fie un multiplu ntreg al jumtii de lungime de und, dar numai un numr finit de 2#%

unde formeaz unde staionare n cavitate, iar acest numr ,$DDD ) 7DDD-, depinde de cavitatea J1SC4-ului. 1ceste lungimi de und sunt centrate simetric pe lungimea de und a radiaiei cu amplificarea ma%im n cavitate. Spotul de ieire al fasciculului J1SC4, este denumit modul electromagnetic transversal ,TC0-. "n majoritatea J1SC4-elor, modul transversal este de ordinul zero i este un spot de form rotund i cu un profil Aaussian al cmpului optic n seciune transversal ,fig. #.$$d-. Spotul de ieire al unei diode J1SC4 cu emisie a radiaiei n lungul jonciunii, nu este rotund ci tinde s devin eliptic, iar divergena tinde s devin larg ,fig #.$$e-. 4adiaia electromagnetic se propag ntr-o diod J1SC4 ntr-un mod puin diferit n comparaie cu dioda fotoemisiv. "ntr-o diod fotoemisiv, care se polarizeaz invers, fotonii emii pot fi modelai ca entiti independente, care se propag n structur la fel ca i nite raze. "n dioda J1SC4, care se polarizeaz direct, fotonii se modeleaz ca nite entiti colective, care traverseaz structura ntr-o manier confinat ,ghidat i focalizat- de-a lungul jonciunii p-n, parcurs de curent. "n fig. #.$$c este reprezentat o heterojoniune dubl i undele staionare cu un singur ma%im ,modul D- i cu dou ma%ime ,modul $-, ale cmpului optic din cavitatea rezonant. Straturile care formeaz cavitatea, au indici de refracie diferii, favoriznd astfel refle%ia undelor electromagnetice. "n fig. #.$$d este reprezentat modul n care este reflectat i ghidat ,confinatradiaia electromagnetic, n lungul jonciunii, atunci cnd unghiul de inciden , este mai mic dect un unghi limit, care este o funcie de indici de refracie n$ i n 7 ai straturilor semiconductoare i pentru care refle%ia este total. +nda electromagnetic poate fi descris ca o und plan, care se propag n direcia ghidului, cu care face unghiurile5 , suferind refle%ii totale la marginile ghidului i formeaz unde staionare n direcie perpendicular pe a%a ghidului. *rin modificarea mrimilor i d se pot obine mai multe moduri transversale. !ensitatea curentului de prag de la care ncepe emisia stimulat a radiaiei, pentru heterojoniunea de galiu ) arsen din fig. #.$$c, are valoarea de ordinul a :DD 1F cm 7 , fiind mult mai sczut dect pentru heterojoniunea simpl ,HDDD 1F cm 7 - sau pentru jonciunea p-n ,9DDDD 1F cm 7 - de galiu ) arsen. Suprafaa emergent a diodei J1SC4 din fig. #.$$e, transmite #:K din radiaia incident, iar suprafaa opus transmite :K din radiaia incident spre o fotodiod conectat n circuitul de reglaj i stabilizare a curentului prin dioda J1SC4. 4efle%ia diferit a celor dou suprafee laterale opuse ale jonciunii poate fi obinut cu inserii prin clivare. =uncionarea diodei semiconductoare J1SC4, reprezentat n fig. #.$7, se bazeaz pe refle%ia <ragg n cristale. *achetul de straturi reflectorizante este format din perechi <ragg de straturi cu grosimi, compoziii i indici de refracie diferii. >glinda <ragg este un reflector distribuit. "n apropierea lungimii de und <ragg, cuplajul ntre unda direct i cea reflectat, este foarte puternic. Cmisia mono-mod este liniar polarizat, direcia de polarizare diferind de la un e%emplar la altul, iar divergena fasciculului emis, este redus. *rin implantare cu protoni se reduce dispersia curentului care stimuleaz emisia J1SC4, ntruct rezistivitatea semiconductorului n zona implantat, este crescut. Jungimea de und a emisiei J1SC4, este = D.E:m , n spectrul infrarou.

2#7

Fi g. 9.12 St ruct ura unei di ode J1S C4 cu cavi t at e vert i cal i em isi e de suprafa . Arosi m i l e st rat uri l or sunt n m .

!iodele J1SC4 cu emisie re suprafa, prezint avantajul obinerii unui fascicul emis cu seciune circular, iar diametrul spotului se poate modifica constructiv, modificndu-se n acelai raport, puterea consumat. 9.7. &imit'ri in utilizarea dispozitivelor semiconductoare 9.7.1 &imit'ri de tensiune (C't) Strpungerea electric a unei jonciuni semiconductoare polarizate invers este de trei tipuri5 strpungere prin tunelare, n avalan i prin patrundere.

2#8

Fig.9.13 . ?oncentraiile de impuritai i cmpurile electrice associate, pentru jonciuni abrupte ,a- si gradate ,b-6 dependena cmpului de strpungere invers a jonciunii, de concentraiile de impuritai ale substratului de siliciu dopat uniform ,c-. Strpungerea prin patrundere a unei jonciuni ,d-. Strpungerea prin tunelare, sau @ener corespunde tranziiei electronilor din banda de valena in banda de conducie, in prezena unui cmp electric e%terior intens, ce depete o valoare critic5 C c r $DD LF m. 1cest tip de strpungere apare in jonciuni cu dopri puternice5 3 S M $D 7 D cm - 8 , profil abrupt i zone de tranziie ale jonciunii foarte inguste ,D,D$ m-,fig. #.$8a-. *entru concentraii superficiale de inpuriti 3 S cu mult superioare si de tip opus impuritilor din placheta semiconductoare dopat uniform cu impuriti cu concentraie 3 < , limea N a zonei de tranziie sau de sarcina spaial, se determin in funcie de tensiunea invers + i n v ,aplicat jonciunii cu relaia.

w=

D , r U inv , eN B

,#.$-

unde5 e, este sarcina electronului, iar tensiunea de strpungere are e%presia5 7 7 U str = D r Ecr = K a Ecr , ,#.77eN B ?u creterea numrului de impuritai 3 < , coeficientul O a corespunzator jonciunii cu profil abrupt, se micsoreaz i, de asemenea, scade si tensiunea de strpungere. Strpungerea n avalan corespunde procesului de ionizare i apare in jonciuni slab dopate, cu profil gradat de impuriti ,fig. #.$8b-. 2n prezena unui camp electric e%terior, perechile electron-gol generate termic, obin ntre dou ciocniri successive, energii suficient de ridicate, pentru a provoca ruperea unei legturi covalente, genernd o nou pereche electron-gol. ?mpul critic pentru strpungerea n avalan, corespunztor unor dopri reduse, este C c r $D LF m si depinde de materialul semiconductor. Jaimea zonei de tranziie a jonciunii sau de sarcin spaial, este5

2#9

w=

$7 D r, U ing eN , x-

,#.8-

iar tensiunea de strpungere are e%presia5

U strap =
, 8 87 D r M cr $,: , K g E cr #eN , x-

,#.9-

?u ct gradientul de concentraie 3,%- este mai redus, cu att este mai redus coeficientul . g corespunztor jonciunii cu profil gradat i, de asemenea, tensiunea de strpungere este mai redus.> jonciune cu o modificare mai redus a concentraiei de impuritati in zona de tranzitie a jonciunii, are - pentru acelai cmp critic ) o tensiune de strpungere invers mai ridicat. *entru dopri medii, apar ambele tipuri de strpungere ,fig. #.$8c-. Suprafeele curbate ale jonciunilor difuzate favorizeaz strpungerea, datorit gradului crescut de neuniformitate al cmpului electric. *rin decupare lateral ,fig.#.$8a- sau metalizarea stratului de o%id ,fig. #.$8b- se elimin acest incovenient. 4educerea cmpului sau mrirea tensiunii de strpungere, se poate realiza si prin introducerea unui inel de gard conectat la un potenial convenabil ,fig. #.$8c-. 1cest procedeu, se utilizeaza frecvent la structuri de tip metal ) semiconductor sau Schott./. Strpungerea prin ptrundere ,fig. #.$8b-, apare in jonciuni cu lime N n ,e%agerat de redus. ?u cresterea tensiunii inverse, zona haurat de sarcina spaial, va ajunge sa se e%tind pe toata lungimea N n i s ating contactul metalic, nainte ca intensitatea cmpului electric- n regiunea spaial s ajung la o valoare critic.,fig.#.$8d- 2n momentul atingerii contactului metalic, curentul invers prin jonciune va crete brusc. *roiectarea dispozitivului semiconductor se efectueaz astfel, nct strpungerea prin avalan s apar naintea strpungerii prin ptrundere, obiectiv care se poate realiza prin dopare slab i grosimi ale structurii suficient de mari.

Fig. 9.1" *rocedee constructive de micorare a tensiunii de strpungere invers a jonciunii semiconductoare, prin decupare lateral ,a- * metalizarea stratului de bio%id de siliciu ,b- i introducerea unui inel de gard ,cJa structurile unipolare de tip 0>S, datorit rezistenei foarte mari de intrare, pe grila se pot acumula sarcini electrice, care pot conduce la deteriorarea dispozitivului prin strpungere. *rotejarea dispozitivului se efectueaz prin conectarea in paralel a unei diode @ener,a crei tensiune de deschidere este superioar tensiunii aplicate dispozitivului la funcionare normal. 9.7.2 &imitari de current *entru o jonciune semiconductoare polarizat direct, la injecii mari de current, se constat o comportare rezistiv determinat de rezistena zonelor neutre ale jonciunii. 2n figura #.$: sunt reprezentate dou structuri de transistor, n care apare efectul de limitare a curentului prin Paglomerare(, la periferia emitorului.

21#

Fi g. 9.1$ Cfect ul de &agl om erer e( a curent ul ui pent ru o st ruct ur al i at ,asi di fuzat ,b- de t ranzi st or cu concent ra i i de im puri t a i 5 n,pM$D $ ; cm - 8 6 p ' M$D $ # cm - 8 6 '' 7$ -8 n M$D cm .

?urentul bazei circul pe o direcie perpendicular pe direcia curentului de colector. Tensiunea emitor-baz corespunztoare periferiei emitorului, este inferioar tensiunii emitor-baz corespunztoare zonei centrale a emitorului. "n consecina apare efectul de aglomerare a curentului la periferia emitorului. *entru evitarea acestui inconvenient, regiunea emitorului se realizeaz constructiv astfel nct pentru o suprafa a emitorului ) precizat prin dimensiunile dispozitivului, suprafaa lateral a jonciunii emitor-baz sa fie ct mai ridicat. 1cest obiectiv poate fi atins de e%emplu printr-o geometrie de tip stelat, sau interdigital a tranzistorului. 9.7.3. &imit'ri termice (C't) Temperatura ma%im de funcionare a unui dispozitiv semiconductor cu siliciu este cuprins ntre $:D o ? ) 7DD o ?. *entru evitarea depirii temperaturii ma%ime admise, dispozitivul semiconductor se realizeaz constructiv ) atunci cnd este cazul, astfel nct s permit ataarea unui radiator, care s preia cldura de la dispozitivul semiconductor i s o transmit prin convecie, sau radiaie spre mediul ambient. 4ezistena termic ntre jonciune i mediul ambiant e%terior, are e%presia5
RT ja = j amb Pd

,#.:-

unde5 j si a m b , sunt temperaturile jonciunii i mediului ambient, iar * d este puterea disipat pe jonciune. 1ceast rezisten termic - de valoare ridicat, se poate micora prin ataarea unui radiator. "n aceasta situaie, schema echivalent a transmisiei de energie termic, este reprezentat n figura #.$;

211

Fig. 9.1% 0odelul electric al transferului de energie termica de la jonciune spre mediul ambiant. !ispozitivul semiconductor se realizeaz constructiv astfel nct temperatura capsulei ? , s fie ct mai apropiat de temperatura jonciunii, sau rezistena termic intre jonciune i capsul RT jc , s fie ct mai redus. "n cazul tranzistoarelor, puterea se disip cu preponderen pe jonciunea baz-colector, iar colectorul este in contact direct cu capsula tranzisorului. 4ezistena ntre capsul i radiator RTcr , se micoreaz prin realizarea unui contact ntre capsul si radiator pe o suprafa e%tins, care sa permit transferul de energie termic. Se introduce vaselin siliconic ntre radiator i capsul, pentru eliminarea interstiiilor izolate de aer. *entru reducerea rezistenei ntre radiator i mediul ambiant RTra , radiatorul se e%ecut din aluminiu profilat, astfel nct suprafaa efectiv e%pus mediului s fie crescut, favoriznd schimbul de cldur cu mediul ambient, prin convecie, iar elo%area in culoare neagr a aluminiului, favorizeaz transmisia energiei termice prin radiaie. *uterea disipat pe jonciune variaz n timp i din acest motiv, n schema echivalent a transmisiei de energie termic, se introduc capacitile termice ntre jonciune i capsul CT jc , capsul i radiator CTcr , radiator i mediul ambiant CTra 5 CT jc Q CTcr Q CTra . ?onstanta de timp 4 T ? T , crete din zona activ a jonciunii spre radiator, cu cteva ordine de mrime. *rin realizarea unor capaciti termice mai mari n zona activ a structurii, impulsurile de putere cu care poate fi ncrcat dispozitivul se mresc sensibil, dar cresc i dimensiunile dispozitivului. 9.7.". &imit'ri de +recven!' (C't) Jimitele superioare ale intervalului de frecvent n care poate fi utilizat dispozitivul semiconductor, sunt determinate de structura acestuia i de prezena inevitabil a capacitilor si inductivitilor parazite. =recvena superioar se poate mri in principal, prin micorarea capacitii jonciunii semiconductoare ? j . Ja polarizare direct a jonciunii semiconductoare, se manifest cu preponderen capacitatea de difuzie ? d . Transferul de sarcin electric, prin intermediul purttorilor de sarcin majoritari, are loc concomitent cu apariia unor sarcini electrice distribuite spaial pe cele dou fee ale jonciunii, formate din purttori de sarcin minoritari in e%ces, i care se asociaz prezenei capaciti de difuzie5
U C d = C d D e%p U T ,

,#.;-

unde5 C dD , este capacitatea de difuzie n absena unei tensiuni +, aplicate jonciunii, iar + T M .TFe este tensiunea termic. ?apacitatea de difuzie are valori cuprinse ntre zeci de p= pn la zeci de =. *entru polarizare invers ,+QD-, capacitatea de barier scade e%ponenial cu tensiunea aplicat ,fig. #.H.:a-. ?apacitatea de difuzie se poate e%prima n funcie de timpul de via , al purttorilor minoritari in e%ces5 ?d M gd, ,#.Hunde g =
di este conductana diferenial. du

212

?apacitatea de difuzie se micoreaz prin reducerea timpului de via a purttorilor minoritari de sarcin. 2n acest sens, se utilizeaz ca material semiconductor arseniurea de galiu Aa1s, sau se creeaz n structura dispozitivului dislocaii, care au ca efect nedorit micorarea tensiunii de strpungere a jonciunii,vezi ane%a :.$-. Jimitele care apar datorit capacitii de difuzie pot fi evideniate prin utilizarea structurilor metal- semiconductor sau Schott./, n care curentul electric este constituit e%clusiv din purttori de sarcina majoritari. ?apacitatea de bariera devine important la polarizarea invers a jonciunii semiconductoare si depinde de nlimea barierei de potenial + d ct si de tensiunea invers aplicat jonciunii. > relaie apro%imativ este5
C b = C bD Ub U b U

,#.E-

unde5 C bD este capacitatea de barier in absena unei tensiuni +, aplicate jonciunii. Ja polarizare direct, bariera de potenial se micoreaz dar nu dispare in totalitate, ceea ce ar fi echivalent cu dispariia jonciunii semiconductoare. *rin urmare, tensiunea aplicat diodei polarizate direct nu poate depi valoarea corespunztoare barierei de potenial. Tensiunea invers este limitat superior doar de apariia strpungerii jonciunii. ?u creterea tensiunii inverse, capacitatea de barier se micoreaz.

Fi g. 9.17 !ependen a capa ci t i l or de di fuzi e i bari er a de t ensi une apl i cat ,ai st ruct ura cu capaci t at e de bari er redus ,b-

Jegea de variaie a capacitii de barier in funcie de tensiunea invers aplicat, este determinat de profilul concentraiei de impuriti din vecintatea jonciunii. ?apacitatea de barier ma%im este de ordinul zecilor de p= ,fig. #.$Ha-.?apacitatea de barier se poate e%prima in funcie de suprafaa jonciunii S i limea efectiv N, a zonei de sarcin spaial5 D rR S . ,#.#Cb = w ?onform relaiei ,#.H.#-, capacitatea de barier se poate micora prin utilizarea materialelor semiconductoare cu permitivitate sczut, sau cu suprafaa redus a jonciunii. "n figura #.H.:b este reprezentata o astfel de structur de tip Pplatou nalt(, n care rezistena serie n sens direct a diodei semiconductoare s-a micorat printr-o dopare suplimentar de tip n ' . =recvena limit superioara de funcionare a unui tranzistor, este determinat de timpul de tranzit al purttorilor minoritari n baz, precum i de valoarea rezistenei distribuite a bazei tranzistorului. Timpul de tranzit poate fi descris prin relaia5 213

wB , ,#.$D7 DB unde5 N < , este limea efectiv a bazei, iar ! < este constanta de difuzie a purttorilor minoritari prin baz. Timpul de tranzit se micoreaz prin reducerea grosimii bazei, evitnd ns posibilitatea strpungerii prin ptrundere. *rin utilizarea arseniurii de Aa, in care electronii au mobilitate ridicat, timpul de tranzit se micoreaz datorit reducerii constantei de difuzie. !e asemenea, timpul de tranzit se poate reduce prin utilizarea unei structuri &drift(, care se realizeaz printr-o dubl difuzie a bazei, astfel nct concentraia de impuriti nu mai este uniform i determin apariia unui cmp electric intern, sau imprimat. ?mpul intern favorizeaz difuzia purttorilor minoritari prin baz i reduce timpul de tranzit cu un ordin de mrime. t tr

9.8. ,ntreb'ri $. !escriei structurile i proprietile diodelor5 planar epita%ial, shott./ i varicap6 7. !escriei structurile tranzistoarelor5 planar epita%ialdifuzat i dublu implantat i precizai diferenele care apar n funcionarea acestora. 8. !escriei structura unui senzor pentru cele trei culori fundamentale i analizai modul de operare al acestuia6 9. !escriei structurile fotodiodei difuzate i ale diodei fotoemisive. :. !escriei structura unui fototranzistor planar epita%ial, cu comentariul asociat. ;. !escriei structura i performanele unui tranzistor cu efect de cmp, de putere i cu structur he%agonal6 H. !escriei structura i procesele care au loc ntr-un tranzistor BC0T6 E. !escriei modalitatea de realizare a emisiei stimulate ntr-o diod laser6 #. !esriei structura i procesele care au loc ntr-o diod laser cu cavitate longitudinal5 $D. !escriei structura i procesele care au loc ntr-o diod laser cu cavitate transversal i emisie de suprafa5

9.9. -ne.a /tapele te0nologice de realizare a unui tranzistor bipolar cu per+orman!e medii Studiul plachetelor cu tranzistoare de tip Pnpn(, n diferite faze tehnologice se efectueaz cu un microscop, iar plachetele corespunztoare principalelor etape tehnologice n ordinea de fabricaie, sunt5 $. 0aterial iniial5 Substrat 3 S S 6 M D,DDH - D,D$: cm6 grosime5 8:D - 8ED m6 provenien Gac.er. 7. Cpita%ie5 ?rescut strat epita%ial5 7,; cm cu $7 m n proces cu nclzire inductiv prin radiofrecven6 surs siliciu5 Si ?l 9 6 temperatur $7DD ?6 mediu5 hidrogen6 dopant5 fosfin.

21"

8. >%idare iniial5 temperatura5 $$:D ?6 o%idare umed utiliznd vapori obinui prin arderea direct a hidrogenului n o%igen ,o%idare p/rogenic-. 9. *lachet cu ferestrele de baz deschise. =otogravur ,incluznd i plachetele nr.E, $7, $9-. Se realizeaz folosind mti de sticl6 lac fotosensibil5 fotorezist 1@$8:D B cu developantul corespunztor6 1liniere - e%punere prin proiecie6 +L - 7DD G6 raport proiecie $5$, atac chimic5 o%id n soluie5 3B 9 = i B= standard6 "ndeprtare fotorezist n plasm de o%igen. :. *redifuzie bor5 #:D ?6 surs5 nitrur de bor6 mediu5 o%igen i azot. ;. !eglazurare5 proces pentru nmuiere sticl de bor6 se efectueaz termic , HDD ?-, n vapori i o%igen. H. !ifuzie bor5 $7DD ?6 cu o%idare6 jonciune T < M 7,;H m ,+Fl M 8D-6 concentraie la suprafa5 E $D $ E cm 8 Aauss. E. *lachet cu ferestrele de emitor deschise. #. *redifuzie fosfor5 $DDD ?6 mediu5 azot i o%igen6 surs5 *>?l 8 , la temperatura camerei. $D. !ifuzie fosfor5 $D:D ?6 cu o%idare n vapori6 jonciune5 G < M $,DH m6 T C M 7,DD m ,msurare interferometric-6 ?oncentraie5 $D 7 $ cm 8 Aauss. $$. Tratament termic6 ndeprtare sticl de fosfor5 #DD ?6 mediu5 azot cu o%igen. $7. *lachet cu ferestrele de contacte deschise. 6 msurare cu cristal cuar n $8. !epunere aluminiu6 grosime5 $DDDD 1 timpul procesului6 procedeu depunere5 evaporare cu fascicol de electroni deflectat la 7HD 6 energie ma%im5 $D .G6 aluminiu, ##,###K puritate. $9. *lachet dup masca de intercone%iuni. $:. Sinterizare5 ::D ?6 gaz - formare. $;. Jepuire ,subiere- mecanic cu alumin5 $7 - $: m pentru grosime sub 7:D m, necesar n procesul de trasare. $H. !epunere aur5 aur ##,### K6 contact colector6 prin evaporare termic n vid. $E. 1liere aur5 9DD ?6 mediu5 azot.

21$