1

Lucrarea 6

CIRCUITE INTEGRATE PENTRU COMANDA

TRANZISTOARELOR DE PUTERE
CU GRIL MOS
1. Introducere
Conform celor prezentate n referatul anterior, puterea de comand a
dispozitivelor semiconductoare de putere cu gril MOS este neglijabil motiv pentru
care, n variant modern, schemele de comand ale acestora sunt integrate n circuite
sau module complexe cu multiple funcii de comand, control i protecie. Prin
utilizarea acestor integrate specializate n structura convertoarelor acestea devin mai
simple, mai sigure n funcionare, mai mici i mai uoare.
Exist o mare diversitate de circuite integrate pentru comanda tranzistorelor de
putere cu gril MOS (IC Drivers) deoarece sunt numeroase firme productoare (IRInternational Rectifier, IXYS, Semikron, Texas Instruments, HP Hewlett Pakard etc.)
i fiecare din aceste firme are o ofert bogat de circuite pentru diferite aplicaii.
n continuare se va ncerca o clasificare aproximativ a circuitelor disponibile
pentru ca cititorul interesat s capete o imagine de ansamblu asupra pieei n acest
domeniu. Clasificarea va ine cont de aspectele discutate n referatul anterior i pentru
fiecare categorie evideniat vor fi date exemple de produse ale firmele productoare.
2. Clasificarea circuitelor integrate specializate pentru comanda
tranzistoarelor de putere cu gril MOS
O clasificare orientativ a acestor circuite specializate (MGDs MOS Gate
Drivers) se poate face n funcie de:
numrul tranzistoarelor de putere comandate de circuit pe baza acestui
criteriu pot fi evideniate urmtoarele tipuri de integrate:
integrate pentru comanda unui singur tranzistor de putere (Single
Channel Drivers: HP 316J, IR 2117IR2128 etc.);
integrate sau module pentru comanda unui bra de punte (Half Bridge
Drivers sau High and Low Side Drivers: IR2101IR2113,
IXBD4410/4411, modulele SKHI22, 24, 2SD315A, 2ED300C17 etc.);
integrate sau module pentru comanda unor puni ntregi (punte H,
punte trifazat) realizate cu MOSFET-uri de putere sau IGBT-uri
(Bridge Drivers: IR2130, IR2132, SKHI61, SKHI71 etc.).

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

prezena sau lipsa funciei de separare galvanic pot fi ntlnite circuite

specializate:
integrate sau module care asigur separarea galvanic ntre intrare i
ieire (Isolated Drivers: HP 316J, SKHI22xx etc.);
integrate fr separare galvanic, grup care constituie marea
majoritate a circuitelor specializate i care la rndul lor pot fi:
- circuite de tensiuni joase (IXBD4410/4411, IXBD4412/4413)
- circuite HVIC care accept diferene de potenial ridicate ntre
anumite terminale ale acestora (IR 2101IR2155);
numrul de tensiuni necesare pentru alimentare pot fi:
integrate care au nevoie de toate tensiunile de alimentare separate
galvanic, att pentru partea logic, ct i pentru etajul final de atac pe
gril (HP 316J);
integrate cu pompe de sarcini negative capabile s i genereze
singure tensiunea negativ de blocare pornind de la tensiunea pozitiv
de gril (IXBD4410/4411, IXBD4412/4413 etc.);
integrate sau module de comand care au nevoie de o singur tensiune
de alimentare din care, prin diferite procedee (tehnica bootstrap, surse
miniatur n comutaie) sunt obinute toate tensiunile necesare
funcionrii (modulele SKHI22xx, IR 2101IR2155 etc.)
numrul i tipurile de protecii asigurate se pot evidenia diferite categorii de
circuite dup cum urmeaz:
circuite care asigur doar proteciile minimale cum ar fi protecia la
supracureni (DESAT protection) i/sau protecia la scderea tensiunii
de alimentare (UV protection) (HP 316J, IR 2101IR2155 etc.);
circuite care asigur mai multe tipuri de protecii, pe lng cele
minimale, cum ar fi: protecie la supratensiuni (OV - Over Voltage
protection), protecie la dispariia tensiunii negative de blocare,
(IXBD4410/4411) protecie la dispariia sau reducerea sub o anumit
valoare a timpului mort (interlock protection SKHI22,24), protecie
la creterea temperaturii dispozitivului de putere etc.
asigurarea sau nu a capturii defectului dup activarea unei protecii. n funcie
de acest criteriu pot fi ntlnite:
circuite cu resetare automat care blocheaz tranzistorul de putere,
dup apariia situaiei de defect, doar pe durata perioadei curente de
comutaie;

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS

circuite prevzute cu blocuri complexe de tratare i memorare a

defectelor care vor bloca tranzistorul de putere n situaii de avarie,
vor comunica starea n exterior sistemului de control numeric i va
atepta de la acesta o comand de deblocare (RESET).
gradul de autonomie - pot fi:
driver-e propriu zise cu o autonomie limitat doar la gestionarea
condiiile de bun funcionare din aria lor de comand (funcii de
protecie). Rolul principal al acestora este de interfa ntre sistemul de
control care genereaz semnalele logice de comand i grila MOS a
tranzistorul de putere;
modulatoare sau controlere PWM care funcioneaz independent de
un sistem de control exterior. Integratul conine, pe lng driver-ul
propriu zis i un bloc de control capabil s genereze semnale logice de
comand PWM al cror factor de umplere este fix sau n funcie de o
variabil reglat. n domeniul puterilor relativ mici sunt numeroase
asemenea circuite care formeaz o categorie aparte de cea a driverelor. n funcie de aplicaie putem ntlni:
- circuite pentru realizarea balasturilor electronice ale corpurilor de
iluminat moderne (ex. Self-Oscillating Half-Bridge Drivers
IR2151IR2166) - factor de umplere fix - 50%;
- circuite integrate utilizate pentru comanda convertoarelor
ecologice - PFC (Power Factor Correction) controllers ex..
familia 38500 Texas Instruments (TI);
- circuite pentru realizarea surselor n comutaie stabilizate sau a
surselor controlate n curent ex. familia UC3800 (TI).
3. Posibiliti de alimentare a circuitelor integrate de comand
n referatul dedicat aspectelor generale de comand a tranzistoarelor de putere
cu gril MOS (Referat 5) s-a evideniat un criteriu important de care trebuie inut cont
atunci cnd este conceput driver-ul const n alegerea variantelor de alimentare i a
surselor. n exemplul din Fig.6.1 circuitul de comand poate funciona dac se dispune
de patru tensiuni diferite: Ucc1, Ucc2, UG+ i UG-. O soluie de a simplifica problema
alimentrii const n utilizarea acelorai tensiuni pozitive, att n partea logic de
prelucrarea a semnalelor, ct i n etajul final (Ucc1 = UG+). Pentru aceasta trebuie s se
renune la separarea galvanic i trebuie optimizate amplitudinile tensiunilor n scopul
unei bune funcionri a ambelor pri. Nu ntotdeauna pot fi gsite soluii n acest sens
deoarece o schem complex de comand cere anumite tensiuni standard pentru
circuitele utilizate n partea logic i alte valori pentru tensiunile de gril.
Autor: dr.ing. Mihai Albu

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere
+Ucc2

UG+

+Ucc1
Separare galvanic

Ddesat

PWM
Start/Stop
Reset

Circuit
interfa

Bloc
logic

Defect

PWM
Defect

Etaj
final
+
protecie

GND Logic

UG-

RG(on)
T
RG(off)

GND Power

Fig. 6.1 Variant de alimentare a blocurilor unui circuit de comand complex.

De exemplu, pentru a obine o amplitudine efectiv de +15V pe grila MOS a

dispozitivului de putere, tensiunea UG+ trebuie s fie puin mai mare, pentru a
compensa tensiunea de pe tranzistorul Ton aflat n conducie:

U G + = U GE (T ) + U CE (Ton ) = +(16 18)V

(6.1)

Tensiunea de gril negativ, necesar blocrii dispozitivului de putere, se va

alege n funcie de nivelul perturbaiilor n sistem i conform celor artate anterior,
poate lua valori n intervalul:
U G = (5 15)V
(6.2)
Dac separarea galvanic se face naintea etajului final, tensiunile de gril
(UG+, UG-) trebuie s provin de la o surs izolat de sursa care furnizeaz tensiunile
celorlalte blocuri din circuitul de comand Fig.6.1.
i n partea logic a circuitului de comand pot fi necesare mai multe tensiuni
de alimentare. Este posibil ca anumite blocuri n care este inclus i integratul
specializat s necesite o tensiune de Ucc1 = +15V, iar circuitul de interfa cu sistemul
de control din exterior s lucreze cu semnale logice de nivel TTL , Ucc2 = +5V.
Din cele artate mai sus, se poate afirma c pentru a rezolva problema
alimentrii unui singur circuit de comand sunt necesare dou surse separate galvanic,
din care cel puin una trebuie s fie capabil s furnizeze mai multe tensiuni. Problema
se complic i mai mult dac structura de for conine mai multe tranzistoare de
putere. La o parte din aceste tranzistoare terminalul de comand se raporteaz la un
punct de mas flotant (floating ground). Este cazul tranzistorului de putere superior
(High) din braul unei puni - n Fig.6.2 tranzistorul T1.
Cele dou tranzistoare din braul punii sunt comandate, obligatoriu, n
contratimp. Pe intervalul n care T1 conduce, T2 este blocat i viceversa. Atunci cnd
T2 conduce, potenialul punctului de mas GNDf se aproprie de cel al masei GND
Power, iar atunci cnd T1 conduce, potenialul punctului GNDf este ridicat la nivelul

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS

sursei de alimentare +Ud. Datorit excursiei potenialului masei GNDf fiecare circuit
de comand al grilei MOS (High Side Driver i Low Side Driver) trebuie s dispun
de propria surs de alimentare. La rndul ei, fiecare surs trebuie s fie dubl, pentru a
se obine perechile de tensiuni (UG+(1), UG-(1)), respectiv (UG+(2), UG-(2)).

PWM1

+Ucc1

Defect1

Ddesat
High
Side
Driver

RG(on)

RG(off)

PWM1
PWM2
Start/Stop
Reset

+Ud

UG+(1)

Separare galvanic

UG-(1)

Bloc
logic

Defect

UG+(2)

Separare galvanic

GND Logic

PWM2
Defect2

GNDf
(floating
ground)

T1
(High)

OUT

Ddesat
Low
Side
Driver

RG(on)

RG(off)
UG-(2)

T2
(Low)

GND Power

Fig. 6.2 Variant de alimentare a blocurilor unui circuit de comand pentru

o structur bra de punte (Half Bridge).

Prile din schemele circuitelor de comand separate galvanic de partea de

for, aparinnd tuturor tranzistoarelor de putere, pot fi cumulate ntr-o aceeai
schem, alimentat de la o aceeai surs, aa cum este figurat blocul logic din Fig.6.2.
n concluzie, pentru comanda unei structuri bra de punte ntr-o variant
obinuit, fr circuite specializate prezentnd faciliti de alimentare, sunt necesare 3
surse separate galvanic, dintre care cel puin dou trebuie s fie duble.
Numrul surselor crete la 5 dac se comand o structur n punte trifazat.
Aceasta este format din trei brae de punte. Fiecare driver pentru tranzistoarele
superioare din brae are nevoie de o surs proprie dubl. O economie se realizeaz
pentru comanda tranzistoarelor inferioare din brae deoarece toate circuitele lor de
comand se raporteaz la o aceeai mas (GND Power), deci este nevoie de o singur
surs. Dac se mai ia n consideraie i sursa din partea separat galvanic a circuitelor
de comand se obine cifra de 5 susinut mai sus. Un aspect favorabil la un asemenea

Autor: dr.ing. Mihai Albu

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

numr ridicat de surse, const n puterile sczute ale acestora, avnd n vedere puterile
mici de comand pentru dispozitivele de putere cu gril MOS.
Pentru rezolvarea problemei surselor de alimentare necesare circuitelor de
comand i control dintr-un sistem electronic de putere complex, la dispoziia
proiectantului stau dou variante:
Utilizarea unei surse stabilizate multiple cu un numr suficient de ieiri,
separate galvanic. Sursa poate fi liniar cu transformator de reea avnd mai
multe secundare izolate. Este o soluie clasic ce sufer din punct de vedere al
gabaritului, masei i a eficienei energetice. Alternativa modern const n
utilizarea surselor stabilizate n comutaie cu ieiri multiple izolate, surse care
elimin dezavantajele surselor liniare;
Utilizarea unor integrate sau module specializate de comand proiectate
special pentru a reduce numrul surselor i a tensiunilor de alimentare.
La rndul lor circuitele de comand specializate sunt disponibile pe pia cu
diferite faciliti de alimentare:
- module de comand care conin n structura lor microsurse n comutaie cu
separare galvanic prin intermediul crora, pornind de la o surs unic, i
genereaz singure toate tensiunile necesare funcionrii;
- circuite integrate de comand cu pompe de sarcini negative (Negative
Charge Pump) cu ajutorul crora, din tensiune pozitiv de gril (UG+) se
genereaz tensiunea negativ de blocare UG- ;
- circuite integrate de comand capabile s lucreze la poteniale flotante la care
tensiunea pozitiv de gril (UG+) poate fi obinut prin tehnica de bootstrap
din tensiunea ce alimenteaz partea logic.
Circuitele de comand care includ microsurse n comutaie cu separare
galvanic sunt realizate cu transformatoare de nalt frecven ce nu pot fi integrate.
Din acest motiv aceste circuite specializate le gsim realizate i disponibile pe pia
sub forma unor module, n construcie deschis sau ncapsulate.
Circuitele integrate de comand prevzute cu pompe de sarcini negative
conin o structur simpl n comutaie capabil s acumuleze pe armturile unei
capaciti tip rezervor sarcini pe baza crora se obine tensiunea negativ de blocare.
Sunt unele drivere integrate care pot fi alimentate de la o singur tensiune
raportat la masa de putere (Power GND), dar care pot comanda tranzistoare cu gril
MOS ce lucreaz la poteniale flotante. Aceast performan poate fi obinut utiliznd
aa numita tehnic bootstrap de alimentare. n Fig.6.3 este prezentat un exemplu de
implementare a acestei tehnici pentru integratul IC1 ce comand tranzistorul superior
din braul unei puni. Trebuie precizat c integratul IC1 nu poate suporta tensiuni
nalte, nu este realizat n tehnologia HVIC (High Voltage Integrated Circuit), motiv

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS

pentru care, pe traseul informaional de comand (PWM) i de reacie (Defect), sunt

necesare elemente de separare galvanic.
+Ud

Separare galvanic

Ddesat

PWM1
Defect1

UG+(1)
Circuit
bootstrap

Rb
Db

Cb

Integrat
de
comand

RG(on)

IC1

RG(off)

GNDf (floating ground)

ICb

PWM2
Defect2
Separare galvanic

OUT

Ddesat

UG+(2)

+Ucc

T1

Integrat
de
comand

RG(on)

IC2

RG(off)

T2

GND Power

Fig. 6.3 Tehnica bootstrap de alimentare a unui circuit specializat de comand (IC1)
pentru tranzistorul superior dintr-o structur bra de punte.

Tehnica bootstrap de alimentare se bazeaz pe un consum foarte mic al

integratului de comand. Astfel, pe un anumit interval de timp, corespunztor unei
perioade de comutaie (zeci sute de sec.), energia poate fi asigurat de un mic
acumulator de energie cum este condensatorul Cb. De fiecare dat cnd tranzistorul
inferior din bra (T2) este adus n conducie masa flotant GNDf a integratului IC1 este
legat practic prin tranzistor la masa structurii de for GND Power. Se creeaz
condiiile pentru ncrcarea condensatorului Cb de la sursa Ucc prin intermediul
curentului ICb al crui traseu este figurat n Fig.6.3. Optimiznd valoarea rezistenei de
limitare Rb se obine o constant de timp suficient de mic pentru circuitul RbCb astfel
nct, chiar i pentru un interval de conducie foarte scurt a tranzistorului T1,
condensatorul reuete s se ncarce. Urmeaz intervalul de timp n care tranzistorul
de putere T1 este blocat i T2 trebuie comandat pentru deschidere. Pe durata acestuia
integratul IC1 rmne alimentat de la condensatorul cu rol de rezervor Cb. Dup ce este
blocat T2 i readus n conducie T1 condensatorul Cb poate s i recupereze energia
pierdut n intervalul anterior.
Autor: dr.ing. Mihai Albu

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

Dioda Db are rol de a proteja sursa Ucc i integratul inferior IC2 contra
tensiunii ridicate a circuitului de for (Ud) atunci cnd tranzistorul de putere T1 este n
conducie. Trebuie s fie o diod rapid, de comutaie cu tensiunea repetitiv invers
URRM mare. Dac se dorete o blocare a tranzistoarelor de putere cu o tensiune
negativ se vor utiliza integrate cu pompe de sarcini negative pentru generarea
tensiunii UG- .
+Ud
(max. 6001200V)

UG+(1)
Rb
Circuit
bootstrap

Db

ICb

Cb
RG

PWM1
Alimentare
bloc logic

driver
de tip

+Ucc

T1

Dublu

HVIC

GND1

(floating)

RG

PWM2
GNDlogic

OUT

T2

GND2

UG+(2)

GND Power

Fig. 6.4 Tehnica bootsptrap de alimentare aplicat unui dublu driver,

de tip HVIC, ce comand o structur bra de punte.

Tehnica de alimentare boostrap este utilizat i la driver-ele integrate de tip

HVIC care nu necesit elemente de separare galvanic pe traseele de comunicaie. n
Fig.6.4 este prezentat modalitatea de alimentare a unui asemenea driver dublu dedicat
comenzii ambelor tranzistoare din structura unui bra de punte (High and Low Driver).
S-a ales varianta cea mai economic, pentru care toate tensiunile necesare integratului
sunt obinute de la o surs unic. ntr-o variant mai prudent, pentru a evita erori de
comand, se pot alege integrate care au partea logic alimentat de la o surs distinct.
4. Tehnica de comand a unei structuri bra de punte

n electronica de putere o structura bra de punte (half bridge) este format

din dou dispozitive semiconductoare nseriate. Cele dou dispozitive pot fi diode,
tiristoare, sau dispozitive controlabile. n cazul n care braul de punte este realizat cu
tranzistoarele de putere i structura este utilizat n convertoare PWM de tensiune cele
dou tranzistoare T1, T2 nseriate vor fi prevzute cu diode de descrcare n antiparalel
D1, D2, aa cum se prezint n figurile 6.2, 6.3 i 6.4. De obicei, borna de ieire a

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS

braului este punctul median al topologiei sau punctul de conexiune ntre cele dou
tranzistoare. n unele documentaii de limb romn structura bra de punte mai este
numit i semipunte. Trebuie menionat c varianta cu tranzistoare de putere a braului
de punte este larg utilizat n convertoarele statice care funcioneaz n comutaie
forat. Aceast structur se remarc prin marea calitate de a impune tensiunea de
ieire exclusiv prin combinaia de conducie a celor dou tranzistoare, indiferent de
sensul curentului.
Comanda celor dou tranzistoare de putere din structura braului de punte
trebuie s in cont de faptul c trebuie exclus o conducie simultan a acestora
deoarece n caz contrar apare un scurt circuit al sursei de alimentare Ud prin
tranzistoare. Astfel, dac se comand un tranzistor pentru conducie cellalt trebuie
blocat ferm i viceversa. n condiiile n care comanda celor dou tranzistoare este
periodic, realizat cu ajutorul a dou semnale modulate n durat, PWM1 pentru
tranzistorul T1, respectiv PWM2 pentru tranzistorul T2, cele dou semnale apar aa cum
se prezint n Fig.6.5 i sunt numite complementare. Perioada Tc = 1/fc este numit
perioad de comutaie, iar fc este frecvena de comutaie sau de lucru a convertorului.
n aplicaii fc = (kHzsute kHz) n funcie de tipul dispozitivelor din structura braului.
Comand T1
(PWM1)

ton(T1)

toff (T1)

ON

0
Comand T2
(PWM2)

ON
OFF

ton(T1)
toff (T2)

Tc

t
2Tc

ton(T2)
ON

OFF

ON
OFF

ON
OFF

OFF

Tc= 1/fc

Fig. 6.5 Semnalele logice PWM complementare pentru comanda unei structuri
bra de punte care funcioneaz n mod ideal (comut instantaneu).

n realitate tranzistoarele de putere nu comut instantaneu i de obicei timpul

de blocare este mai mare dect timpul de intrare n conducie. Pentru a evita o
suprapunere a conduciei ambelor tranzistoare din structura braului (crossover) n
aplicaiile practice cele dou semnale PWM complementare din Fig.6.5 sunt
modificate aa cum se prezint n Fig.6.6. Mai nti este comandat pentru blocare
tranzistorul care a condus, se ateapt un timp mort tm (dead time), pentru ca acesta s
se blocheze ferm, dup care este comandat pentru deschidere cellalt tranzistor. Astfel,
semnalele devin complementare cu timp mort. Mrimea timpului tm este n funcie de
Autor: dr.ing. Mihai Albu

10

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

rapiditatea tranzistoarelor utilizate n structura braului de punte. n cazul

tranzistoarelor rapide de tip MOSFET tm = (12)sec, iar pentru tranzistoarele IGBT
Comand T1
(PWM1)

Tc= 1/fc
ON

ON

0
tm

OFF

Tc

Comand T2
(PWM2)

ON

OFF

2Tc

tm

tm

tm

ON

ON

OFF

OFF

OFF

Tc= 1/fc

obinuite tm = (24)sec.
Fig. 6.6 Semnalele PWM complementare cu timp mort pentru comanda
unei structuri bra de punte n aplicaiile reale

Deoarece prezena timpului mort complic analiza schemelor i calculul

valorii tensiunilor de ieire, n tratatele de specialitate structurile de baz ale
convertoarelor sunt analizate n condiii ideale, considernd c tranzistoarele de putere
comut instantaneu i semnalele de comand pot fi complementare, fr timp mort,
aa cum sunt prezentate n Fig.6.5. n aceste condiii, se obine urmtoarea relaie de
legtur ntre duratele relative de conducie (DRC) ale celor dou tranzistoare:
t on (T 1) + t on (T 2) ) = Tc
D RC (T 1)

t on (T 1)

Tc
+ D RC (T 2) = 1

t on (T 2)
Tc

=1
(6.3)

Analiza influenei timpului mort asupra funcionrii structurilor electronice de

putere este tratat n paragrafe separate. Tot n aceste seciuni sunt amendate relaiile
de calcul obinute n condiii ideale pentru a vedea cum se modific acestea n
condiiile prezenei timpului mort.
5. Module specializate de comand

n laboratorul de Electronic de Putere sunt disponibile mai multe circuite de

comand realizate cu ajutorul integratelor sau a modulelor specializate. Pentru
montajul de laborator al lucrrii curente se va folosi un circuit de comand obinut cu
ajutorul unor module specializate fabricate de firma Semikron. Familia de module

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS 11

SKHI au fost concepute pentru comanda mai multor tranzistoare de putere cu gril
MOS: 2 tranzistoare (SKHI 22, SKHI 23), 6 tranzistoare (SKHI 61), 7 tranzistoare
(SKHI 71). Sunt unele dintre cele mai complexe, complete i performante circuite de
comand de acest tip disponibile pe pia. Acestea prezint toate calitile specifice
driver-elor moderne: transmisia cu separarea galvanic n sens direct a semnalelor de
comand PWM i n sens invers a semnalelor de defect, alimentarea ntregului modul
cu o singur tensiune, comanda de blocare a tranzistoarelor de putere cu tensiune
negativ, rejectarea impulsurilor scurte de comand, funcii de protecie la
suprasarcin, la scurt circuit, la dispariia timpului mort i la scderea tensiunii de
alimentare.
Seria de module SKHI 22
Sunt module de comand realizate n mai multe variante: SKHI22A, SKHI22B,
SKHI22A/BH4. Pot comanda dou tranzistoare de putere cu gril MOS (double
drivers) aflate la poteniale diferite. Se utilizeaz noiunea de modul deoarece este un
ansamblu introdus ntr-o capsul unde lucreaz mpreun integrate complexe,
transformatoare de impuls, microsurse cu separare galvanic i alte elemente de
circuit, aa cum se prezint n Fig.6.7. Datorit acestei construcii hibride (hybrid dual
IGBT driver) i compacte s-a obinut o serie de circuite specializate performante,
foarte uor de utilizat n practic.
Modulele care includ n cod litera A accept la intrrile de comand P12 i
P8) compatibile CMOS) semnale PWM logice avnd amplitudinea de 15V (egal cu
tensiunea de alimentare VS), iar cele cu litera B cu amplitudinea de 5V. Dac n codul
acestora este inclus i combinaia H4 este un indiciu c modulul poate comanda
tranzistoare de putere aflate la poteniale nalte, de pn la 1700V. Cele fr aceast
combinaie pot lucra pn la tensiuni de 1200V.
n Fig.6.7 este prezentat schema bloc funcional a modulelor SKHI22 i felul
n care acesta se conecteaz pentru comanda unei structuri bra de punte realizat cu
tranzistoare IGBT (T1, T2). Conform acestei scheme, modulul poate fi mprit n dou
pri:
-

Partea primar (primary side), notat cu P, care include blocul de interfa

cu circuitele de control, blocul logic de tratare i memorare a defectelor i
blocul de selecie a timpului mort minim. Microsursele n comutaie cu
separare galvanic (DC/DC) i transformatoarele de impuls (TR1, TR2) sunt
cele care fac trecerea ntre cele dou pri.

Partea secundar (secondary side), notat cu S, care la rndul ei poate fi

mprit n dou sectoare identice, izolate ntre ele. Fiecare din acest sector
este dedicat pentru comanda i protecia unui tranzistor de putere. Astfel,
recunoatem n aceste sectoare etajul final de atac pe gril (power driver) i
circuitul de protecie la supracureni (DESAT protection).

Autor: dr.ing. Mihai Albu

12

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

SKHI 22A
P13
P12

VS (+15V)

Isolation

ASIC

DESAT protection
Error 1

S20

6k8 PWM1

S15

- input buffer

3k2

P8

+ Ud

TR1

- short pulse
supression

6k8 PWM2

CCE

RCE

S14
VS

- pulse shaper

T1

Power
DRIVER
PWM1

3k2

S13
S12

P9
P5
P6

GNDf

DC - DC

- interlock

DESAT protection

- dead time

Error 2

OUT

S1

Select

VS

S6
TR2

P10
Error

S7

- VS monitor
- Error monitor
- Error memory

GND Logic
Primary side (P)

T2

Power
DRIVER

VS

PWM2

P7
P14

CCE

RCE

S8
S9

DC - DC

GND
Power

Secondary side (S)

Fig. 6.7 Schema bloc funcional a modulelor de comand SKHI 22A/B

(dup catalog Semikron).

Un mare avantaj al acestor module const n facilitatea alimentrii cu o

singur tensiune VS = 15V. Aceasta alimenteaz blocul de interfa i blocul logic,
precum i cele dou microsurse n comutaie (DC/DC) care asigur alimentarea mai
departe, cu separare galvanic, a etajelor finale.
Blocul de interfa permite recepionarea semnalelor logice de comand
complementare cu timp mort (PWM1, PWM2), amplificarea acestora (input buffer) i
formarea lor (pulse shaper). Totodat, blocul asigur suprimarea semnalelor pentru
deschiderea tranzistoarelor de putere mai nguste de 500nsec ( short pulse supression).
Este o funcie util deoarece semiconductoarele de putere nu sunt suficient de rapide
pentru a reaciona la semnale de comand foarte scurte.

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS 13

Blocul de protecie la dispariia timpului mort (interlock dead time) este foarte
util n cazul n care, din cauza unor perturbaii sau comenzi greite, n formele de und
a celor dou semnale PWM1 i PWM2 apar suprapuneri pe nivelul logic ridicat.
Aceasta este sinonim cu aducerea n conducie simultan, n regim de scurt circuit, a
celor dou tranzistoare de putere. Pentru a evita aceast situaie s-a prevzut acest bloc
dedicat care insereaz timpul mort dac lipsete. Mrimea cestuia poate fi select ntre
(1,3 4,3)sec prin combinaia logic aplicat celor trei terminale P5-P6-P9.
Blocul de monitorizare i memorare a defectelor (error monitor, error
memory) permite centralizarea mesajelor de avarie recepionate din partea secundar
de la schemele de protecie DESAT (supracureni), protecia la scderea tensiunii de
alimentare (VS monitor), memorarea strilor anormale, blocarea semnalelor de
comand i comunicarea n exterior a situaiei prin intermediul semnalului de Error .
Protecia la scderea tensiunii de alimentare lucreaz dac tensiunea VS scade sub
valoarea de 13V.
Toate blocurile care prelucreaz semnalele logice din partea primar sunt
incluse n variantele moderne de module ntr-un circuit larg integrat de tip ASIC cu
ajutorul cruia s-a putut micora substanial gabaritul capsulei.
Protecia la supracureni este de tip DESAT. Tensiunea de referin Uref
aplicat comparatorului intern se poate fixa prin intermediul rezistenei exterioare RCE
pe baza relaiei dat de fabricant :
U ref [V] = (9 RCE [k] 25) /(10 + RCE [ k])

(6.4)

Alegnd RCE =20k rezult Uref = 5V.

Timpul minim tmin lsat ntre momentul n care este comandat tranzistorul de
putere pentru deschidere i momentul n care este activat circuitul de protecie poate fi
ajustat cu ajutorul condensatorului CCE. Acelai timp este valabil i pentru rejectarea
semnalelor false n forma de und a tensiunii uCE. Valoarea condensatorului CCE se
calculeaz cu relaia:
t min = CE ln (15 U ref ) /(10 U ref )
(6.5)

unde: CE [ sec] = C CE [nF] 10 RCE [k]/(10 + RCE [ k]) .

Pentru tmin = 6sec, Uref = 5V i RCE =20k rezult CCE 1nF.
Configuraia etajului final permite comanda cu dou rezistene de gril prin
intermediul crora poate fi ajustat separat timpul de deschidere i de blocare a
tranzistorului de putere.
6. Montajul de laborator

Pentru a pune n eviden anumite aspecte practice legate de utilizarea

circuitelor sau a modulelor specializate de comand n topologii complexe alctuite
din structuri elementare bra de punte" care includ tranzistoare de putere cu gril
Autor: dr.ing. Mihai Albu

14

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

MOS se va realiza n laborator un montaj experimental a crui schem bloc i imagine

sunt prezentate n Fig.6.8, respectiv Fig.6.9.
+15Vcc
(3) C1

C1
G1
(SKHI22H4+SKHI23)

PWM2

Circuit de comand

Modulator PWM

PWM1

Ud1

T1

(30Vcc )

ie +
C2
G2

ue

E1

+
Power
GND

Mcc

(1)
+

T2

=
Ud2

E2

(30Vcc )

(2) E2

Logic GND

Fig. 6.8 Montajul de laborator n care este integrat circuitul de comand studiat
(chopper cu funcionare n 4 cadrane structur bra de punte).
Sursa dubl Ud1 + Ud2
Osc.1 (PWM1,2)

Modulator PWM

Mcc

Circuit comand

Modul IGBT

Osc.2 (ue, ie)

unt

Fig. 6.9 Imaginea montajului de laborator.

Blocul principal al montajului este circuitul de comand obinut cu ajutorul a

dou module specializate SKHI22H4, respectiv SKHI23. Aceste drivere sunt
asemntoare din punct de vedere al funcionrii (difer modul de prezentare, de
ansamblare) i pot, fiecare n parte, s comande simultan cte dou tranzistoare de
putere conectate ntr-o structur bra de punte (vezi paragraful anterior). Astfel, cu

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS 15

ajutorul circuitului de comand menionat se pot controla pn la dou brae de punte

formnd o punte H (full bridge). n montajul prezent se va folosi circuitul doar pe
jumatate, respectiv pentru a comand o singur structur bra de punte realizat cu
tranzistoare IGBT integrate ntr-un modul de putere, modul montat pe un radiator care
susine, la rndul lui i bornele de conectare. Dac se alimenteaz braul de punte ca n
Fig.6.8 se obine un convertor c.c. c.c. (chopper) cu funcionare n 4 cadrane.
Analiza funcionrii acestui convertor static nu face obiectul referatului de fa i este
prezentat pe larg n lucrarea dedicat convertoarelor c.c. c.c. cu funcionare n 4
cadrane structura bra de punte (half bridge)
Se observ c, pentru alimentarea structurii bra de punte, se folosete o surs
dubl cu tensiuni continue egale: Ud1 = Ud2 = 30Vcc. Sarcina chopper-ului este un
motor de c.c. care se va conecta ntre borna de ieire a braului de punte (borna 1) i
punctul de mas al prii de for (Power GND). Motorul de c.c. este realizat cu
magnei permaneni. Tensiunea nominal este de 30Vcc.
Tc= 1/fc

Comand T1
(PWM1)

ton(T1)

toff (T1)

ON

ON
OFF

ton(T1)

Comand T2
(PWM2)

toff (T2)

Tc

t
2Tc

ton(T2)
ON

ON

OFF

ON
OFF

OFF

OFF

ue
+Ud
Ue

ton(T1)

Tc

-Ud

Fig. 6.10 Forma de und a tensiunii ue(t) de la ieirea convertorului c.c. c.c.
bra de punte comandat cu ajutorul driver-ului studiat.

Deoarece convertorului c.c. c.c. din Fig.6.8 funcioneaz n 4 cadrane

valoarea medie a tensiunii Ue de la ieire i valoarea medie a curentului Ie i pot
schimba semnul (sensul). Rezult c i sarcina convertorului (motorul de c.c.) va
funciona n toate cele 4 cadrane ale planului mecanic: cuplu electromagnetic vitez
Autor: dr.ing. Mihai Albu

16

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

de rotaie (Me - n), ceea ce este sinonim cu posibilitatea rotirii motorului n ambele
sensuri i a frnrii electrice a acestuia din ambele sensuri de rotaie.
Modificarea valorii medii a tensiunii de ieire se face prin intermediul
duratelor relative de conducie ale celor dou tranzistoare din structura braului de
punte (a factorului de umplere corespunztor semanlelor PWM). Astfel pentru:
0 D RC (T 1) < 0,5

Ud Ue < 0

D RC (T 1) = D RC (T 2) = 0,5
0,5 < D RC (T 1) 1

Ue = 0

0 > U e +U d

Cele dou semnale PWM complementare cu timp mort sunt generate de un

modulator PWM care se va conecta la circuitul de comand prin intermediul unui
cablu prevzut o cupl standard de 9 pini la capete. Formele de und ale semnalelor de
comand PWM i a tensiunii de ieire ue(t) sunt date n Fig.6.10.
5.3 Circuit de comand realizat cu modulele specializate SKHI

Aa cum s-a precizat acest bloc include dou module de comand SKHI, unul
n construcie deschis (SKHI 23) i cellalt n construcie nchis, capsulat (SKHI
22H4). Acestea s-au plasat din motive didactice, pentru comparaie, pe aceeai plac
de circuit. Prin observarea driver-ului n construcie deschis pot fi identificate
anumite elemente de circuit, poate fi apreciat complexitatea acestor module i nalta
tehnologie de fabricaie. Fiecare modul poate comanda simultan cte dou tranzistoare
de putere incluse ntr-o structur bra de punte. Semnalele de comand PWM aplicate
la intrarea circuitului de comand pot fi preluate de la orice tip de modulator prin
intermediul unui cablu ecranat sau a unui cablu tip panglic. Pentru a prelua semnale
PWM de la distane mai mari fabricantul modulelor de comand SKHI a prevzut
intrri cu nivel de 15V n scopul reducerii influenei perturbaiilor. Deoarece
semnalele logice PWM sunt furnizate de modulatoare sau sisteme de control numeric
avnd nivelul 1 logic de 5V (mai recent 3,3V) s-a prevzut un circuit de adaptare
pentru a realiza translarea de la un nivel logic cobort la nivelul 15V acceptat de
module. Ieirile circuitelor de comand compatibile cu grila MOS a tranzistoarelor de
putere (+15V pentru deschidere i -8V pentru blocare la SKHI23, respectiv -15V la
SKHI22H4) pot fi preluate prin intermediul unor borne potrivite firelor standard de
laborator cu banane.
n Fig.6.11 i Fig.6.12 se prezint schema, respectiv imaginea circuitului de
comand realizat cu modulele SKHI. Modulul SKHI22H4 fiind ncapsulat are nevoie
de o schem exterioar de montaj prin care utilizatorul poate s i aleag rezistenele
de gril (pentru deschidere Rg(on), respectiv pentru blocare Rg(off)) i timpul de
ntrziere dup care protecia la supracureni (DESAT) devine activ prin intermediul
grupului Rce-Cce.

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS 17

+15Vcc1

SKHI22H4

9k5
Vce1

PWM1

IN2

12

9k5

Goff1

PWM2

RG(off) (15)

E1

IN1

Rce (9k)

(15V)

13

12k

U8
7407

Cce1

Out

RTD1

12k

10

RTD2

Cce (1nF)
RC

Vce2

Vs

T2

RG(on)
Gon2

11

Error

Goff2
RG(off)

E2

Rce

PWM2 (5V)

PWM1 (5V)

T1

RG(on) (15)

Gon1

(15V)

+Ud

RC (2,2k)

GND
logic

GND

+15Vcc1

Cce2
Cce

-Ud

R10

U6 - 40107
6

Cupl

PWM3

PWM4

GND
logic

+5Vcc2 +15Vcc1

J1

J2

1
1

+Ud

Error

Vce1

Vs

Gon1

T3

E1

LED (rou)
AVARIE

SKHI23

9k5

14

IN2

Out

9k5
Vce2
5

U8
7407

IN1
GND

GND
logic

Gon2
E2

Fig. 6.11 Schema circuitului de comand cu modulele SKHI 22 H4 i SKHI 23.

Autor: dr.ing. Mihai Albu

T4

-Ud

18

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

n partea primar a modulului prin intermediul rezistenelor RTD poate fi setat

timpul mort minim al celor dou semnale PWM complementare PWM1 i PWM2. n
cazul modulului SKHI 23 realizat pe o plac de circuit imprimat deschis se pot
modifica direct elementele de circuit menionate deoarece fabricantul a prevzut
aceast posibilitate prin lipirea acestora pe cose.
Circuitul de adaptare a nivelului semnalelor PWM de la 5V la 15V este
implementat cu ajutorul unui integrat 7407 care include buffer-e avnd ieirea de tip
colector n gol. Cele dou module de comand SKHI pot fi comandate simultan cu
dou semnale PWM1 i PWM2 sau comandate separat cu semnalele PWM1PWM4.
Selectarea celor dou modaliti se face cu ajutorul a dou jumper-e (J1, J2), aa cum
rezult din figur.

Fig. 6.12 Imaginea circuitului de comand cu module SKHI

Modulele de comand prezint funcii de protecie multiple (la

supracureni, la scderea tensiunii de alimentare, la dispariia timpului mort). n
cazul activrii proteciei aceste module avertizeaz structura de control ierarhic
superioar de apariia unui defect prin trimiterea unui semnal de avarie (/Error)
activ pe 0L (ieire tranzistor cu colector n gol).n cazul circuitului de comand
prezentat semnalele de avarie furnizate de cele dou module sunt nsumate prin
intermediul unei pori I NEGAT (40107) care, mai departe, comand o alt poart de
acelai tip pentru a aprinde un LED ce semnalizeaz optic apariia situaiei de avarie.
n acest fel, pot fi testate funciile de protecie ale modulelor de comand.
Pentru alimentarea celor dou module specializate de comand cu o tensiune
unic de 15Vcc1 se utilizeaz o surs stabilizat care include un transformator de reea
de mic putere (20W), o punte redresoare monofazat, un filtru capacitiv i un
stabilizator n trei puncte LM7815. Din tensiunea de 15V prin intermediul unui alt
stabilizator LM7805 se mai obine tensiunea de 5V pentru alimentarea circuitului de
adaptare a nivelului semnalelor de comand PWM.

Lucrarea 6: Circuite integrate pentru comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS 19

5. Modul de lucru

1. Se vor revedea din referatul anterior (Referat 5) aspectele teoretice referitoare la

comanda tranzistoarelor de putere cu gril MOS, funciile circuitelor de comand
i blocurile funcionale ale acestora;
2. Se vor identifica variantele circuitelor integrate i a modulelor specializate de
comand din bogata ofert a firmelor productoare analiznd clasificarea
acestor circuite de comand;
3. Se vor trece n revist variantele posibile de alimentare a integratelor specializate
de comand n funcie de structurile de putere comandate;
4. Se va analiza tehnica de comand a unei structuri bra de punte cu semnale PWM
complementare n condiii ideale i complementare cu timp mort n condiii
reale;
5. Se va analiza schema bloc intern a modulului specializat de comand SKHI22
fabricat de firma Semikron i se va identifica elementele de circuit suplimentare
care nsoesc driver-ul integrat;
6. Se va analiza schema de montaj prezentat n Fig.6.8 i schema circuitului de
comand realizat cu cele dou module SKHI din Fig.6.11 (foto Fig.6.12);
7. Se va realiza practic montajul din laborator a crui schem este dat n Fig.6.8 i
imagine n Fig.6.9;
8. Se vor vizualiza, cu ajutorul unui osciloscop cu dou spoturi (Osc.1), formele de
und a celor dou semnale PWM complementare cu timp mort generate de
modulatorul PWM se vor monta sondele osciloscopului la punctele de msur
corespunztoare de pe placa modulatorului;
9. n condiiile n care va fi alimentat doar circuitul de comand se vor oscilografia
separat (osciloscopul nu are canale separate galvanic) formele de und ale
tensiunilor de comand pe grila (uGE) corespunztoare celor dou tranzistoare din
structura braului;
10. Se va pune n eviden modul n care lucreaz protecia DESAT prin
oscilografierea unei tensiuni de gril i ntreruperea legturii dintre circuitul de
comand i colectorul tranzistorului comandat;
11. Se va observa apriderea LED-ului rou de avarie i memorarea defectului pe
durata perioadei curente de comutaie (blocarea semnalului de comand PWM
pn la sfritul perioadei de comutaie), dar i resetarea strii de avarie dup
trecerea prin zero a celor dou semnale PWM pe durata timpului mort;

Autor: dr.ing. Mihai Albu

20

U.T. Gheorghe Asachi din Iai, Facultatea IEEI, Laborator Electronic de Putere

12. Se va alimenta schema de for cu cele dou tensiuni Ud1=Ud2 i se va

oscilografia (Osc.2) forma de und a tensiunii ue de la ieirea convertorului bra
de punte care trebuie s rezulte aa cum se prezint n Fig.6.10;
13. Se va pune n eviden modul de variaie a tensiunii medii Ue de la ieirea
convertorului prin intermediul factorului de umplere a celor dou semnale PWM
cu ajutorul unui voltmetru i prin sesizarea modificrii vitezei n ambele sensuri a
motorului de c.c.