Sunteți pe pagina 1din 22

3.

4 Energia solar fotovoltaic


3.4.1. Efectul fotovoltaic
n figura este prezentat structura energetic a materialelor

n situaii normale, electronii ocup n jurul nucleelor atomilor materialului


respectiv, diferite nivelele energetice denumite i straturi sau benzi energetice. Aceste
nivele energetice accesibile pentru electroni, sunt separate de benzi energetice interzise,
reprezentnd adevrate bariere energetice pentru electroni. Nivelul energetic cel mai
ridicat dintre cele ocupate de electroni, este denumit i band energetic de valen, sau mai
simplu band de valen. Urmtorul nivel energetic accesibil electronilor, dar neocupat de
acetia, este denumit band energetic de conducie, sau mai simplu band de conducie.
Este evident c pentru materiale diferite, nivelele energetice ale benzii de valen i ale benzii
de conducie sunt diferite.
Diferena de potenial energetic E, dintre banda de conducie i banda de valen,
reprezentnd i valoarea barierei energetice dintre cele dou straturi, este diferena dintre
nivelurile energetice Ec al benzii de conducie i Ev al benzii de valen:
E=Ec-Ev.
n cazul :
siliciului monocristalin, valoarea acestei bariere energetice este E1eV,
iar n cazul siliciului amorf poate s ajung la E1,7eV.
Aceste valori ale barierei energetice, reprezint cuante de energie care trebuie s fie
transmise electronilor de pe stratul de valen pentru ca acetia s devin liberi, adic
pentru a putea trece pe banda de conducie.
Prin supunerea materialelor semiconductoare de tipul siliciului la radiaia solar,
fotonii, sau cuantele de lumin cum mai sunt numii acetia, sunt capabili s transmit
electronilor de pe banda de valen, energia necesar pentru a depi bariera energetic i a
trece pe banda de conducie.
Datorit polarizrii electrice a materialului respectiv care se produce sub aciunea
luminii, apare o tensiune electromotoare, care poate genera curent electric ntr-un circuit
nchis.
Efectul de apariie a unei tensiuni electromotoare, sub aciunea energiei solare,
denumit efect fotovoltaic, a fost descoperit de fizicianul francez Alexandre-Edmond
Becquerel, n anul 1839.Denumirea acestui efect provine din grecescul phos, care nseamn
lumin i din numele fizicianului Allesandro Volta, realizatorul primei baterii electrice din
lume.
Efectul fotovoltaic este datorat eliberrii de sarcini electrice negative (electroni) i
pozitive (goluri), ntr-un material solid, atunci cnd suprafaa acestuia interacioneaz cu
lumina. Acest fenomen se produce n celulele fotovoltaice.
n vederea fabricrii celulelor fotovoltaice, Si este impurificat (dopat) cu diferite
elemente chimice, pentru obinerea unui surplus de sarcini electrice negative (electroni) sau
pozitive (goluri). Se obin astfel straturi de siliciu semiconductoare de tip n, respectiv de tip p,

n funcie de tipul sarcinilor electrice care predomin. Prin alturarea a dou asemenea
straturi de material semiconductor, caracterizate prin predominana diferit a sarcinilor
electrice, n zona de contact, se obine o aa numit jonciune de tip p-n.
Sub aciunea diferenei de potenial electric, manifestat n zona de contact, electronii
excedentari din stratul n, prezint tendina de migraie n stratul p, deficitar n electroni.
Analog, golurile excedentare din stratul p, prezint tendina de a migra n stratul n, deficitar n
sarcin electric pozitiv.
Amploarea migraiei sarcinilor electrice
ntre
cele dou straturi ale jonciunii p-n este
limitat de nivelul energetic al
purttorilor celor dou tipuri de sarcini
electrice. Astfel, cu toate c nu se va
realiza o reechilibrare la nivelul
sarcinilor electrice n toat profunzimea
celor
dou straturi, o zon superficial din
stratul p va fi ocupat de sarcini
electrice negative (electroni), iar o zon
Figura Tendina de migrare a sarcinilor electrice ntre
superficial din stratul n, va fi ocupat de
straturile jonciunii p-n
sarcini electrice pozitive (goluri). Ca
efect,
se va produce o redistribuire a sarcinilor electrice n zona jonciunii p-n, de tipul celei
reprezentate n figura
Se
observ
c
efectul
acestei
redistribuiri este reprezentat de apariia unei
diferene
de potenial locale, la nivelul
jonciunii. Aceast diferen intern de potenial
reprezint o barier care mpiedic o eventual
deplasare ulterioar a sarcinilor electrice
negative din stratul n spre stratul p i a celor
pozitive din stratul p spre stratul n. Sarcinile
electrice libere din cele dou straturi sunt
respinse din zona jonciunii spre suprafeele
Figura Apariia unei diferene de potenial electric n zona
jonciunii p-n
acestor straturi, opuse jonciunii p-n.
Din punct de vedere clasic bariera de potential este trecuta de o particula daca energia
cinetica a acestora este mai mare decat energia potentiala a barierei de potential (Uo=mgh )

Din punct de vedere cuantic miscarea particulei este descrisa de ecuatia Schrodinger
care pentru regiunea I si III are forma

iar pentru regiunea II

Daca energia totala a perticulei E<Uo


solutiile ecuatiei Schrodinger in cele trei regiuni sunt

Unde

Coeficientul de transmisie T reprezinta probabilitatea ca un electron sa treaca bariera


de potential .Aceasta probabilitate scade exponential cu grosimea barierei de potential

Dac jonciunea p-n este supus radiaiei solare, fotonii avnd un nivel energetic
suficient de ridicat (cu att mai ridicat cu ct radiaia solar prezint o intensitate mai mare),
sunt capabili s transfere suficient energie electronilor aflai pe straturile de valen ale
atomilor, pentru a trece pe straturile de conducie i s devin electroni liberi.
Astfel, sub aciunea fotonilor are loc generarea de perechi electroni-goluri. Purttorii
de sarcin noi aprui sunt supui aciunii cmpului electric E al jonciunii p-n caracterizat
printr-un anumita bariera de potenial U0 de ordinul 0,2 - 0,7 V i care depinde de tipul
semiconductorului folosit.
In regiunea n sub actiunea fotonilor perechea electron-gol formata este sub actiune
campului electric E al jonctiunii ce actioneaza astfel :
electronii din regiunea n nu pot trece de aceasta bariera ( se deplaseaza in sens
opus campului E) iar golurile din aceasta regiune pot trece in regiunea p (se
deplaseaza in sensul campului E) similar sarcina pozitiva din regiunea p..

In regiunea p sub actiunea fotonilor perechea electron-gol formata este sub actiune
campului electric E al jonctiunii ce actioneaza astfel :

electronii din regiunea p pot trece de aceasta bariera ( se deplaseaza in sens


opus campului E) iar golurile din aceasta regiune nu pot trece in regiunea n
(se deplaseaza in sensul campului E)

Rezulta ca sub actiunea radiatiei solare zona p se ncarc pozitiv, zona n se ncarc negativ.
Conectarea unei sarcini la cele doua terminale duce la apariia unui curent electric Is prin
jonciune, determinat de conversia fotovoltaic a radiaiei solare. Acest curent, circulnd prin
jonciune dinspre zona n spre zona p (figura ) duce la o cdere de tensiune U pe sarcina
extern R. Tensiunea U n raport cu jonciunea p-n acioneaz n sens direct i, la rndul su,
va determina prin jonciune curentul diodei Id de sens opus curentului fotovoltaic Is

Diferena de potenial i curentul electric se pot menine la un nivel constant atta tip
ct se manifest radiaia solar. Este evident c variaia intensitii radiaiei solare va
produce i variaii ale diferenei de potenial, dar mai ales ale intensitii curentului
electric.Jonciunea p-n, mpreun cu cei doi electrozi, alctuiete o celul fotovoltaic sau o
celul electric solar avnd construcia de tipul celei reprezentate n figura

Grosimea total a unei celule fotovoltaice este de ordinul 0,3mm, iar grosimea
stratului n, este de cca. 0,002mm. Uzual, deasupra electrodului negativ al celulei fotovoltaice,
se amplaseaz un strat anti-reflexie, cu rolul de a mpiedica reflexia radiaiei solare incidente
pe suprafaa celulei electrice solare, astfel nct o cantitate ct mai mare de energie s fie
transferat electronilor de valen din cele dou straturi semiconductoare. Celulele
fotovoltaice au dimensiuni uzuale de 10x10cm i mai recent de 15x15cm.

Eficiena celulelor fotovoltaice depinde de doi factori:


Intensitatea radiaiei solare incidente pe suprafaa celulei;
Eficiena procesului de conversie a energiei radiaiei solare n energie electric
4.4.2 Tipuri de celule fotovoltaice
Celulele solare pot fi clasificate dup mai multe criterii, dup cum putem observa n figura
un criteriu este felul materialului-Siliciu,combinatie de materiale semiconductoare (CdTe,
GaAs etc) sau alte materiale precum materialelor organice sau pigmeni organici . Dupa dup
grosimea stratului materialului sunt celule cu strat gros i celule cu strat subire.Dup
structur de baz deosebim celule cristaline (mono-/policristaline) respectiv amorfe.

Cele mai utilizate din punct de vedere al materiei prime de baz regasim celulele pe
baza de siliciu (disponibil n cantiti aproape nelimitate)
1. Strat gros
Celule monocristaline (c-Si)care au randament mare - n producia n
serie se pot atinge pn la peste 20 % dar au proces de fabricaie
energofag, ceea ce are o influen negativ asupra periodei de
recuperare (timp n care echivalentul energiei consumate n procesul
de fabricare devine egal cantitatea de energia generat).
Celule policristaline (mc-Si) ce-n la producia n serie au randament
energetic de peste la 16 %, cosum relativ mic de energie n procesul de
fabricaie, i cel mai bun raport pre performan.
2. Strat subire
Celule cu siliciu amorf (a-Si) cel mai mare segment de pia la celule
cu strat subire; randament energetic al modulelor de la 5 la 7 %
Celule pe baz de siliciu cristalin de tip microcristale (c-Si) n
combinaie cu siliciul amorf

Ca tehnologie de fabricatie (ponderea in figura)


1. Monocristalele se obin sub form de baghet sau vergea, prin turnarea siliciului pur.
Aceste baghete se taie ulterior n plci foarte subiri care se utilizeaz la fabricaia
celulelor fotovoltaice. Acest proces tehnologic asigur cel mai ridicat nivel de
eficien a conversiei fotoelectrice, dar este i cel mai costisitor(10 Euro/W).

Monocristaline

Policristaline
Amorfe
Tipuri de celule
2. Policristalele se obin n urma unui proces de producie ce consta in turnarea siliciului
lichid n blocuri, care ulterior sunt tiate n plci subiri. n procesul de solidificare, se
formeaz cristale de diferite dimensiuni i forme, iar la marginea acestor cristale apar
i unele defecte de structur. Ca urmare a acestor defecte, celulele fotovoltaice
fabricate prin aceast metod sunt mai puin eficiente dar mai ieftine (5Euro/W).
3. Structura amorf se obine prin depunerea unui film extrem de subire de siliciu pe o
suprafa de sticl, sau pe un substrat realizat dintr-un alt material. n acest caz,
solidificarea atomilor nu se realizeaz ntr-o structur cristalin ci sub forma unei
reele atomice cu dispunere neregulat, denumit structur amorf. n aceast reea
atomic apar i numeroase defecte, care diminueaz performanele electrice ale
materialului. Grosimea stratului amorf de siliciu, obinut prin aceast metod este mai
mic de1m. Costurile de fabricaie ale silicului amorf sunt foarte reduse, datort
cantitii reduse de material utilizat, dar eficiena este mult mai redus. Datorit
costului redus, celulele fotovoltaice cu siliciu amorf se utilizeaz preponderent la
fabricarea echipamentelor cu putere redus, cum sunt ceasurile sau calculatoare de
buzunar.

Ponderea fabricatiei celulelor

4.4.3. Caracteristicile celulei fotovoltaice


In functionarea celulei ( figura) identificam o iradiere provenit de la soare (1000
W/m2),iar la ieirea din celul obinem dou mrimi specifice n domeniul electriciti:
curentul I[A] i tensiunea U[V].

Figura Caracteristicile celulei fotovoltaice


Caracteristicile celulei redau dependenta dintre:
1. marimile de iesire poarta denumirea de caracteristica externa
2. dependenta dintre marimile de iesire functie de marimea de la intrare poarta
denumirea de caracteristici de transfer.
A. Caracteristicile de transfer
Celulei elementare din figura

i se poate asocia urmatoarea schema echivalenta

In care jonctiunii p-n, i s-a asociat o dioda

Caracteristica diodei fiind redata in figura urmatoare

Iar ecuatia corespunzatoare diodei fiind


Sarcina fiind variabila intre 0 si infinit atunci celului i se poate determina :
A.1 la functionarea in scurtcircuit. In acest regim curentul debitat in circuitul exterior
este
I=Isc
Caracteristica la functionarea in scurtcircuit reprezinta dependenta curentului de
scurtcircuit masurat de ampermetru in functie de intensitatea radiatiei solare conducand
experimental la o dependenta liniara de valoarea iradiatiei

A.2 la functionarea in gol La functionarea in gol I=0 iar dependenta tensiunii masurate
la bornele celulei de intensitatea radiatiei solare

.
Putem observa c tnsiunea de mers n gol Voc, este n cretere pn n jurul iradieri de
200W/m 2 dup care tensiunea se stabilizeaz fiind aproximativ (Voc) =0.5V)

B. La functionarea in sarcina conform figurii din aplicarea teoremei 1 Kircchoff rezulta

Inlocuind curentul diodei in relatia de mai sus se obtine


Particularizand aceasta relatie pentru functionarea in gol ( I=0) rezulta tensiunea de
mers in gol a celulei fotovoltaice

Daca curentul debitat de celula fotovolatica are o dependenta liniara de nivelul radiatiei solare
din relatia tensiunii de mers in gol rezulta dependenta neliniara a ei de nivelul radiatiei solare
La temperatura de 25oC avem

Pentru o celul din siliciu raportul Is/I0 este de circa 1010, factorul kT/e, numit i tensiune
termic, este egal cu 26 mV , Astfel V0C= 0,6 V.
Caracteristica externa a celulei este e superpozitia caracteristicii surse ideale de curent cu a
diodei cu ecuatia

Familia de caracteristici ce poate fi obtinuta la valori diferite ale iradiatiei este

4.4.4 Panouri fotovolatice


Un PV presupune conectarea serie a mai multor celule . Daca insa una din celule este
umbrita fiind o conexiune serie aceasta nu produce curent deci nu avem curent prin sarcina
In aceasta situatie curentul debitata de cealalta celula trebuie sa se inchida printr-un circuit
interior

Curentul debitat va avea expresia

Influenta acestei rezistente asupra caracteristicii PV este redata in figura urmatoare

La pierderi de sub 1% valoarea rezistentei paralel este

Daca se tine seama si de rezistenta conexiunilor se poate introduce o rezistenta serie


Rs

Tensiune la bornele diodei este in acest caz


Iar curentul debitat devine

Si aici daca se impune o pierdere de 1% a tensiunii pe rezistenta serie se obtine

Influenta rezistentei serie asupra caracteristicii este

Schem echivalent complet a celulei inglobata in PV este :

Cu ecuatia

Caracteristicile principale ce stau la baza panoului fotovoltaic sunt:


a)Tensiunea n gol Vco,
b)Curentul de scurt-circuit Isc,
c)Caracteristica curent funcie de tensiune
d)Familia de caracteristici a celulei la diferite nivele de radiaii;
e)Caracteristica de putere a celulei fotovoltaice;
f) Randamentul energetic al unei celule se definete, ca fiind raportul dintre puterea
electric maxim i puterea incident:
P
m
ES
g) factorul de form definit de raportul:
Pm
Vco I cc
care arat ct de ideal este caracteristica panoului
n care:
E - iluminarea [W/m];
S - suprafaa activ a panourilor [m].
Pm - puterea maxim masurat n condiiile STC (Standard Test Conditions), respectiv n
spectrul AM1.5, la o temperatur de 25C i iluminare de 1000 W/m.
FF

Caracteristica de putere a celulei fotovoltaice


Puterea electric cedat sarcinii R a unei celule PV este:

Valoarea maxim a acestei puteri se obine ntr-un punct M al caracteristicii curent-tensiune,


ale crui coordonate sunt rezultate din condiia dP/dU=0:

unde UT = kT/e.
Pentru o sarcin pasiv valoarea optim a rezistenei sarcinii va fi

Puterea critic sau maximal. Este produsul curentului la tensiunea n punctul M a


caracteristicii I-V. si se noteaz PC.

Factorul de umplere (fill factor) reprezinta raportul dintre puterea maxima si produsul
current de scurtcircuit tensiune de mers in gol

Cu valori 0,75-0,85

Randamentul sau Eficienta celulei de arie A


FFU o I sc

EA
In concluzie in baza caracteristicilor celulei se definesc caracteristicile Panoului votovoltaic
care sunt redata in tabelul urmator :

Temperatura Normal de Funcionare a Celulei(NOCT) . Corespunde temperaturii celulei


PV la funcionare n gol, la temperatura mediului de 20 0C, radiaia global de 800 W/m2 i
viteza vntului mai mic de 1 m/s. Pentru celule uzuale NOCT se situeaz ntre 42 i 46 0C.
Dac cunoatem NOCT putem determina temperatura celulei TC n alte condiii de
funcionare caracterizate de temperatura mediului TA i radiaia global G

Influenta temperaturii asupra caracteristicii


Temperatura celulei PV influeneaz semnificativ asupra tensiunii de mers n gol i cu mult
mai puin asupra curentului de scurtcircuit (vezi figura 4.8 b). Odat cu creterea temperaturii
tensiunea de mers n gol scade. Pentru celule din siliciu coeficientul de variaie a tensiunii cu
temperatura KT este egal cu 2,3 mV/0C. Astfel parametrul U 0 pentru temperaturi diferite de
cea standard se va calcula cu expresia
unde U025 este tensiunea de mers n gol a celulei PV la temperatura standard; t este
temperatura curent a celulei, in 0C. n calculele de proiectare variaia curentului de
scurtcircuit i a factorului de umplere FF cu temperatura este neglijat.

4.4.4. Module fotovoltaice


Celulele fotovoltaice de construcie modern produc energie electric de putere ce nu
depete 1,5-2 watt la tensiuni de 0,5-0,6 V. Pentru a obine tensiuni i puteri necesare
consumatorului celulele PV se conecteaz n serie i/sau n paralel.
Cea mai mic instalaie electric format din celule PV interconectate n serie i/sau n
paralel, ncapsulate pentru a obine o rezisten mecanic mai mare i a proteja celulele
mpotriva mediului se numete modul fotovoltaic. Un numr de module PV asamblate
mecanic ca o unitate mai mare i conectate electric, se numete panou sau cmp de module.

n acord cu standardele Comisiei Internaionale de Electrotehnic (IEC) se utilizeaz


termenul array - ceea ce nseamn sistem, reea. Expresiile modul fotovoltaic, panou
fotovoltaic sau cmp de module deseori au una i aceeai semnificaie.
La proiectarea modulelor PV se ia n consideraie folosirea frecvent a modulelor PV
pentru ncrcarea acumulatoarelor electrice, tensiunea crora este de 12 -12,5 V. Astfel, n
condiii de radiaie standard, tensiunea UM trebuie s fie 16-18 V iar tensiunea de mers n gol
20-22,5 V. O singur celul genereaz n gol circa 0,6 V i trebuie s conectm n serie 33-36
celule pentru a obine tensiunea necesar. Puterea modulului va varia ntre 50 i 100 W.

Construcia modulului PV este, de obicei, dreptunghiular, suportul se confecioneaz


din aluminiu separat de structura laminat a celulelor cu cptueal, care nu permite
ptrunderea umezelii. Celulele PV sunt protejate de aciunea condiiilor nefavorabile, care pot
interveni pe parcursul exploatrii: ploaie, grindin, zpad, praf etc., de un sistem ce const
dintr-un strat de sticl i minimum din dou straturi (din fa i din spate) din etilen vinil
acetat EVA.
Conexiune serie a PV
La conectarea n serie a dou sau mai multe module PV identice, curentul debitat
consumatorului rmne acelai, iar tensiunea crete de n ori.

Curentul trece prin Rp - celula se incalzeste

Influenta diodei by-pass asupra celulei acelasi curent scade tensiunea cu 0,6V . Ele
limiteaz nclzirea celulelor PV i nu permite micorarea intensitii curentului dac un
modul din circuitul consecutiv este mai puin performant sau este umbrit
Influenta diodei by-pass retelei de PV
Dac se conecteaz mai multe module n serie, este necesar s montm cte o diod
antiparalel pe fiecare panou. Curentul maxim i tensiunea de strpungere ale diodei trebuie s
fie cel puin egale cu curentul i tensiunea panoului. De multe ori se utilizeaz diode de
redresare de 3 A / 100 V. Dioda pentru mers n gol este conectat la bornele de legtur ale
fiecrui panou astfel nct n regim normal de funcionare (panoul debiteaz curent) avnd la
borne tensiune invers (catodul diodei legat la polul pozitiv al panoului). Dac panoul ar fi
umbrit, ca n figura 3.12, sau s-ar defecta nu ar mai debita curent, polaritatea tensiunii la
borne s-ar schimba i acesta s-ar defecta, sau n cel mai bun caz randamentul acelui lan de
module ar scdea. Acest lucru este mpiedicat de dioda by-pass care preia curentul n acest
caz.

Figura 3.12 Influena diodei by-pass conectat n modulele PV


Nu este ns economic s se conecteze cte o dioda by-pass n paralel cu fiecare celul
a modulului. O soluie de compromis o reprezint conectare unei diode by-pass n paralel cu
un grup de celule, de regul format din jumatate din celulele modulului. Dac una din celule
unui grup devine nefuncional, dioda by-pass conectat n paralel cu grupul respectiv devine
polarizat direct untnd astfel celula defect.
Diferena ntre un modul care are diode bypass i unul care un are este de forma:
-far diod I=0, U=Uo
-cu diod I=Isc, U=0,6V
Celulele i modulele trebuie sortate i asamblate mpreun n aa fel nct s produc
acelai curent MPP. Aceast condiie suplimentar este rspltit de creterea productivitii
de energie.
n acelai timp, sunt module standard cu 72 de celule i module speciale alctuite din
mai mult de 100 de celule conectate n serie. Prin urmare, astfel de module solare pot fi
conectate n serie, sub form de ir, formnd un generator solar care dezvolt tensiuni mai
mari de cteva sute de voli.
Pentru a asigura puterea de ieire dorit a generatorului solar, cteva module sau iruri
pot fi conectate n paralel, conducnd la creterea curentului electric. Aceast interconectare
modular permite generatoarelor fotovoltaice s fie proiectate cu puteri de ieire de la mW
pn la MW, toate cu aceeai tehnologie de baz.
La incarcarea bateriilor pot apare curenti de circulatie inversa pe modulele umbrite

Productorul de module PV garanteaz urmtorii parametri n condiii de exploatare standard:


Curentul de scurtcircuit, Iscst = 3 A;
Tensiunea la mers n gol U0st = 20,5 V;
Puterea critic (maximal), PCst = 50 W;
Temperatura Normal de Funcionare a Celulei, NOCT = 45 0C.
FF=Pcst/ U0st Iscst =0,81
Daca modulul funcioneaz n urmtoarele condiii: radiaia global G = 800 W/m2,
temperatura mediului Ta = 30 0C atunci
Curentul de scurtcircuit este Isc=(800/1000)3=2,4A
Temperatura celulei 55oC calculata cu relatia

Tensiunea de mers in gol Uo(55oC)=18V


Puterea maxima Pmax=FF Uo(55oC) Isc=35W

4.4.5.Aplicatii PV
A Utilizare industrial
Aparatele automate de taxare n parcri aparin sistemelor cu
alimentare autonom care pe lng un modul cu celule solare mai este
nzestrat i cu un acumulator pentru a se asigura alimentarea continu
energie electric.
Pe un stlp de iluminare se
monteaz un panou solar de
40 Wc care alimenteaz o
bateria de cca 50Ah. Acesta
asigur o autonomie de cca 5
8 ore de noapte. Aprinderea i
stingerea luminii se asigur cu
programator inclus.
Figura Lampadar cu celule fotovoltaice
Figura Aparat
Faa sudic a cldirii din de taxare n parcri
Tbingen/Germania terminat n anul 2004 a fost acoperit cu 970
panouri fotovoltaice cu o putere instalat de 43,7 kW i care se estimeaz c
vor produce anual 26000 kWh energie.

cu
cca
zile a
un

Figura Panouri solare pe faada


halei de sport din Tbingen

.
B Transport pe ap
La mijloacele de transport pe ap, panourile solare se utilizeaz :
Alimentare bateriei de acumulatoare de bord

Figura Arbore solar n


Styria, Austria

Pentru generarea de curent electric


stocat ulterior n acumulatoare pentru
alimentarea utilitilor de bord de
exemplu n cazul ambarcaiunilor. De
exemplu o baterie de acumulatoare se
poate ncrca de la panouri solare
montate pe bord la un curent de 9A.

Primele vase comerciale au fost construite n


Figura 1 Vasul de pasageri Solifleur-Elvetia 1995
1995, printre acestea fiind Solifleur construit la
MW-Line in Yverdon, Elveia, cu o capacitate
de
transport de 12 persoane i care a efectuat curse pe lacul Neuchtel. n staionare energia
suplimentar produs este livrat n reea la 230 V.
nceput n 01.12.2006 ora local 3.00pm din
Sevilia cltoria navei SUN21, avnd la bord o
echip de 5 specialiti elveieni, s-a terminat cu
succes n 08.01.2007 ora local 3.00pm n New
York
reuind traversare Oceanului Atlantic, propulsat
fiind
exclusiv cu energie solar, dup o cltorie cu 4
zile
mai scurt dect cea a lui Columb la
descoperirea
continentului
american.
Catamaranul de tip Aquabus C60 de 14m
lungime, 6,6m lime cu 6 locuri este propulsat
de 2
motoare de curent continuu a cte 8kW
Figura Nava SUN21
alimentate de un sistem de 2 module solare a cte
5kW i
o baterie de acumulatoare de 520Ah /C5, 48V DC. Viteza maxim este de 7 noduri (cca
13km/h) iar cea de croazier de 5 noduri (cca. 9km/h).
C Transport pe uscat
Acesta este primul vagon autonom acionat de motor
electric, alimentat cu curentul produs de panouri solare
i stocat n baterii de acumulatoare. ELSE este un
vagon experimental cu 6-8 locuri Puterea maxim de 3
kW este dezvoltat de un motor cu un randament de
95% la 24 V. Viteza de croazier este de 15 km/h
(teoretic maxim 50 km/h). Autonomia n condiii de
umbr este de 60 km.
n studii, se gsete un vehicul
destinat transportului public de
Figura ELSE vagon propulsat cu energie solar
persoane, alimentat de celule
fotovoltaice,
Vectus PRT
(Personal Rapid Transit). Capacitatea de transport a acestui sistem este
de 2, maxim 4 persoane, spre deosebire de mijloacele clasice care sunt
capabile de a transporta 20 40 pasageri. Cu toate acestea, specialitii

susin eficacitatea acestui sistem. Ei spun c a opri un mijloc de transport ncrcat cu 40 de


pasageri ntr-o staie, pentru doar civa dintre acetia, nseamn pierdere de timp i energie.
Astfel, utiliznd vehicule mai mici, oamenii se pot deplasa mai eficient.
D Transport n aer
Primul avion cu o greutate de 12 kg a fost Sunrise I avnd o putere de 450W furnizat de cca
1000 celule solare. A efectuat primul zbor la 4 noiembrie 1974. A urmat Sunrise II la 27. 09.
1975 acionat de un motor de 600 W alimentat de 4480 celule solare.
La 11 septembrie 1995 Pathfinder a realizat recordul de zbor de 12 ore la 11740 m altitudine
corectat la 7 iulie 1997 la 21.802 m. n 1998 din Figura VECTUS PRT Vagon propulsat cu
energie solar
Pathfinder a rezultat Pathfinder_plus cu o puterea
instalat a celulelor solare de 7,5 kW alimentnd 6
motoare cu o putere de 1,5 kW fiecare.
Avionul fr pilot HELIOS cu o greutate de 580
kg
avea suprafaa acoperit cu 66000 celule solare cu
randamentul de 22% i o putere de 35 kW. Viteza
de
zbor era de 30 pn la 50 km/h. Helios s-a
prbuit la 29 Mai 2003 lng Hawaii n oceanul
Pacific.
n 1979 Gossamer Penguin a efectuat primul zbor cu pilot la o nlime de 4 m avnd o putere
de 600 W. Primul avion solar se consider a fi Solar Challenger cu care s-a reuit la 7 iulie
1981 traversarea canalului mnecii lsnd n urm 163 mile dup un zbor la o altitudine de
3000 m. Solair I a efectuat la 21 August 1983 un
zbor
de 5 h 41 m. Bertrand Picard intenioneaz ca n
2010 s traverseze oceanul Atlantic, iar n 2011 s
nconjoare globul cu un avion solar avnd o
suprafa de cca 250mp acoperit cu celule solare
din
siliciu monocristalin de 130m grosime i un
randament de 20%.
Figura Avionul fr pilot HELIOS

E Satelii
Staia Spaial Internaional (ISS) este
alimentat cu energie electric avnd ca surs
celule solare ce echipeaz 8 panouri
desfurate pe o lungime de cte 35,05 m
lungime i 11,58 m lime cu o mas de 1,1 T
fiecare. Celulele solare pe o arip sunt n
numr de 32800 aezate n rnduri de cte
400.
Un panou furnizeaz staiei 32,8 Kilowatt
energie electric, la o tensiune reglat la
140 V prin Utility Transfer Assembly (UTA).
Pe
perioada de eclips (35 min din fiecare 90 min
a
Figura Staia Spaial Internaional n anul 2006
rotaiei pe orbit). Energia este stocat n
baterii de nichel-hidrogen proiectate pentru 38.000 cicluri de ncrcare descrcare respective o
durat de via de 6,5 ani. Pentru maximizarea puterii furnizate panourile sunt orientate
permanent ctre soare de sistemele BGA (Beta Gimbal Assembly) i SARJ (Solar Alpha
Rotary Joint).

F Utilizare casnic

n utilizarea casnic panourile solare au o


importan mai mare n cazul locuinelor
izolate fr racord la reeaua de curent
alternativ. n general n sistemele mai
evolute, opional pe lng panouri se mai
monteaz:
baterie de acumulatori pentru a
putea livra energie i n lipsa
luminii solare un regulator de
tensiune
pentru
prevenirea
suprancrcrii bateriei

Figura Panouri solare integrate n acoperi

un dispozitiv de deconectare n cazul descrcrii sub limit a acumulatoarelor

un dispozitiv de msurare ce indic direcia de alimentare i cantitatea de energie


produs/consumat

n cazul utilizrii de consumatori de curent alternativ, este nevoie i de un invertor. n


acest caz la locuinele racordate la reeaua de curent alternativ teoretic ar exista
posibilitatea eliminrii din schem a bateriei de acumulatoare, energia suplimentar
fiind msurat n ambele direcii (la surplus sau lips).