Clasificare

Celulele solare pot fi clasificate dup mai multe criterii. Cel mai folosit criteriu este dup grosimea
stratului materialului. Aici deosebim celule cu strat gros i celule cu strat subire.
Un alt criteriu este felul materialului: se ntrebuineaz, de exemplu, ca materiale semiconductoare
combinaiile CdTe, GaAs sau CuInSe, dar cel mai des folosit este siliciul.
Dup structur de baz deosebim materiale cristaline(mono-/policristaline) respectiv amorfe.
n fabricarea celulelor fotovaltaice pe lng materiale semiconductoare, mai nou, exist posibiltatea
utilizrii i a materialelor organice sau a pigmenilor organici.

Materiale
1.Celule pe baz de siliciu
Strat gros
Celule monocristaline (c-Si)
randament mare - n producia n serie se pot atinge pn la peste 20 % randament energetic, tehnic
de fabricaie pus la punct; totui procesul de fabricaie este energofag, ceea ce are o influen
negativ asupra periodei de recuperare (timp n care echivalentul energiei consumate n procesul de
fabricare devine egal cantitatea de energia generat).
Celule policristaline (mc-Si)
la producia n serie s-a atins deja un randament energetic de peste la 16 %, cosum relativ mic de
energie n procesul de fabricaie, i pn acum cu cel mai bun raport pre performan.
Strat subire
Celule cu siliciu amorf (a-Si)
cel mai mare segment de pia la celule cu strat subire; randament energetic al modulelor de la 5 la
7 %; nu exist strangulri n aprovizionare chiar i la o producie de ordinul TeraWatt
Celule pe baz de siliciu cristalin, ex. microcristale (c-Si)
n combinaie cu siliciul amorf randament mare; tehnologia aceeai ca la siliciul amorf
2.Semiconductoare pe baz de elemente din grupa III-V
Celule cu GaAs
randament mare, foarte stabil la schimbrile de temperatur, la nclzire o pierdere de putere mai
mic dect la celulele cristaline pe baz de siliciu, robust vizavi de radiaia ultraviolet, tehnologie
scump, se utilizeaz de obicei n industria spaial (GaInP/GaAs, GaAs/Ge)
3.Semiconductoare pe baz de elemente din grupa II-VI
Celule cu CdTe
utilizeaz o tehnologie foarte avantajoas CBD(depunere de staturi subiri pe suprafee mari n
mediu cu pH , temperatur i concentraie de reagent controlate) ; n laborator s-a atins un
randament de 16 %, dar modulele fabricate pn acum au atins un randament sub 10 %, nu se
cunoate fiabilitatea. Din motive de protecia mediului este improbabil utilizarea pe scar larg.
4.Celule CIS, CIGS
CIS este prescurtarea de la Cupru-Indiu-Diselenid produs n staie pilot la firma Wrth Solar n
Marbach am Neckar, respectiv Cupru-Indiu-Disulfat la firma Sulfurcell n Berlin, iar CIGS pentru
Cupru-Indiu-Galiu-Diselenat produs n staie pilot n Uppsala/Suedia. Productorii de mai sus
promit trecerea la producia n mas n anul 2007.
5.Celule solare pe baz de compui organici
Tehnologia bazat pe chimia organic furnizeaz compui care pot permite fabricarea de celule
solare mai ieftine. Prezint, totui, un impediment faptul c aceste celule au un randament redus i o
durat de via redus (max. 5000h). nc (ianuarie 2007) nu exist celule solare pe baz de

compui organici pe pia.

6.Celule pe baz de pigmeni
Numite i celule Grtzel utilizeaz pigmeni naturali pentru transformarea luminii n energie
electric; o procedur ce se bazeaz pe efectul de fotosintez. De obicei sunt de culoare mov.
7.Celule cu electrolit semiconductor
De exemplu soluia: oxid de cupru/NaCl. Sunt celule foarte uor de fabrict dar puterea i sigurana
n utilizare sunt limitate.
8.Celule pe baz de polimeri
Deocamdat se afl doar n faz de cercetare.

Rezervele de materia prim

Ca materie prim de baz siliciul este disponibil n cantiti aproape nelimitate. Pot aprea ns
strangulri n aprovizionare datorate capacitilor de producie insuficiente i din cauza tehnologiei
energofage.
La celulele solare ce necesit materiale mai speciale cum sunt cele pe baz
de indiu, galiu, telur i seleniu situaia se prezint altfel. La metalele rare indiu i galiu consumul
mondial (indiu cca. 850 t, galiu cca. 165 t) depete deja de mai multe ori producia anul (USGS
Minerals Information). Deosebit de critic este situaia datorit creterii accentuate a consumului de
indiu n form de indiu oxid de zinc n ecranele cu cristale lichide i cele cu LED organic, precum
i utilizrii de galiu i indiu n producia diodelor luminiscente (LED) care se comercializeaz n
surse de lumin cu consum mic de energie respectiv ca surs de lumin de fundal n televizoare cu
ecran plat.
Rezervele de indiu, estimate la 6000 tone(economic exploatabile 2800 tone), se presupune c se vor
epuiza deja n acest deceniu (Neue Zrcher Zeitung 7. Dezember 2005) (reserve de indiu conform
USGS Mineral Commodity Summaries (2006)).
La seleniu i telur, care e i mai greu de gsit, situaia pare mai puin critic, deoarece
ambii metaloizi se regsesec n cantiti mici n nmolul anodic rezultat n urma procesului
de electroliz a cuprului iar productorii de cupru utilizeaz doar o parte din nmolul rezultat pentru
extragerea de telur i seleniu. Rezervele exploatabile economic la seleniu se estimeaz totui la doar
82000 tone, iar la telur la doar 43000 tone, vizavi de cupru unde se estimeaz la 550 milioane tone!
Multe procese de producie utilizeaz galiu, indiu, seleniu i telur n mod neeconomic.
Spre deosebire de cupru, unde procesul de reciclare este pus la punct, la galiu, indiu, seleniu i telur
procesul de reciclare nu este posibil deoarece aceste elemente se gsesc incluse n structuri
multistrat foarte fin distribuite de unde recuperarea, se pare, nici n viitor nu va fi posibil.

Moduri de construcie
Pe lng materia prim o importan mare prezint tehnologia utilizat. Se deosebesc diferite
structuri i aranjamente n care se depun electrozii de acoperire transpareni a cror rezisten nu
este deloc neglijabil.
Alte tehnici vizeaz mrirea eficienei asigurnd absorbia unui spectru de frecven ct mai larg
prin suprapunerea mai multor materiale cu diferite caracteristici de absorbie. Se ncearc selectarea
materialelor n aa fel nct spectrul luminii naturale s fie absorbit la maximum.

Actualmente celulele solare pe baz de materiale semiconductoare cele mai des comercializate sunt
cel pe baz de siliciu.
Celulele solare pe baz de materiale semiconductoare utilizate pentru producerea de energie
electric sunt legate n module. Pe un modul se afl mai multe rnduri de celule solare conectate n
serie ntre ele pe faa i pe reversul modulului permind, datorit tensiunii nsumate, utilizarea unor
conductori cu seciune mai mic dect la legarea n paralel. Pentru protejarea unei celule solare
mpotriva efectului de avalan n jonciune, datorat potenialului mai mare (aprut de exemplu la
umbrirea parial a modulului), trebuie incorporate paralel cu celulele solare diode de
protecie(bypass).
Sistemele de panouri solare sunt nzestrate uneori cu mecanisme de orientare, panoul fiind n
permanen direcionat pentru a exploata la maximum energia solar incident.
Randamentul termodinamic maxim teoretic pentru producerea de energie din lumina solar este de
85 %. Acesta se calculeaz din temperatura suprafeei soarelui(5800 K), temperatura maxim de
absorbie(<2500 K, tempertura de topire a materialelor greu fuzibile) i temperatura mediului
nconjurtor(300 K).
Dac se utilizeaz doar o poriune din spectrul luminii solare, valoarea teoretic se reduce n funcie
de lungimea de und, pn la 5-35 %. Neutilizarea spectrului complet este una din dezavantajele
celulelor solare fa de centralele solare termice.

Absorbia radiaiei solare de ctre Siliciu (mono- und policristalin)

Absorbia radiaiei solare de ctre Gallium-Antimonat

Principiu de funcionare[modificare | modificare surs]

Princ. de funcionare a celulei solare cu semiconductori: Fotoni incidentali elibereaz electroni i

goluri, care se vor separa n cmpul electric al zonei de sarcin spaial a jonciunii p-n

Structura unei celule solare simple cu impurificare pin - positive intrinsic negative.
semiconductoare n principiu sunt construite ca nite fotodiode cu suprafa mare care ns nu se
utilizeaz ca detectoare de radiaii ci ca surs de curent.
Interesant la acest tip de semiconductoare este c prin absorbie de energie (cldur sau lumin)
elibereaz purttori de sarcin (electroni i goluri). Este nevoie de un cmp electrostatic intern
pentru ca din aceti purttori s se creeze un curent electric dirijndu-i n direcii diferite.
Acest cmp electric intern apare n dreptul unei jonciuni p-n. Pentru c intensitatea fluxului
luminos scade exponenial cu adncimea, aceast jonciune este necesar s fie ct mai aproape de
suprafaa materialului i s se ptrund ct mai adnc. Aceast jonciune se creeaz prin
impurificarea controlat. Pentru a realiza profilul dorit, n mod normal se impurific n un strat
subire de suprafa i p stratul gros de dedesubt n urma cruia apare jonciunea. Sub aciunea
fotonilor apar cupluri electron-gol n jonciune, din care electronii vor fi accelerai spre interior, iar
golurile spre suprafa. O parte din aceste cupluri electron-gol se vor recombina n jonciune
rezultnd o disipare de cldur, restul curentului putnd fi utilizat de un consumator, ncrcat ntr-un
acumulator sau prin intermediul unui invertor livrat n reeaua public. Tensiunea electromotare
maxim la bornele unei celule solare (de exemplu la cele mai utilizate, celulele de siliciu cristaline)
este de 0,5 V.
Structura celulelor solare se realizeaz n aa mod nct s absoarb ct mai mult lumin i s
apar ct mai multe sarcini in jonciune. Pentru aceasta electrodul de suprafa trebuie s fie
transparent, contactele la acest strat s fie pe ct posibil de subiri, pe suprafa se va aplica un strat
antireflectorizant pentru a micora gradul de reflexie a luminii incidente. Acestui strat
antireflectorizant i se atribuie culoare negru-albstruie a celulelor solare care fr aceasta ar avea o
culoare gri-argintie.
La celulele solare moderne se obine din nitrat de siliciu prin procedeul PE-CVD(pe o suprafa
nclzit se depun n urma unei reacii chimice componente extrase dintr-o faz gazoas) un stratul
antireflectorizant de cca 70 nm grosime (sfert de lungime de und la un coeficient de refracie de
2,0). Se mai utilizeaz straturi reflectorizante din SiO2 i TiO2 ce se depun prin procedeul APCVD.
Grosimea stratului influeneaz culoarea celulei (culoarea de interferen). Grosimea stratului
trebuie s fie ct se pote de uniform, deoarece abateri de civa nanometri mresc gradul de
reflexie. Celulele i datoreaz culoarea albastr realizrii unei grosimi ce corespunde lungimii de
und a culorii roii, culorea cea mai bine absorbit de siliciu. n principiu ns n acest mod se pot
realiza celule roii, galbene, sau verzi la cerine arhitectonice deosebite, dar vor avea un randament
mai slab. n cazul nitratului de siliciu i a bioxidului de siliciu stratul antireflectorizant mai are i un
rol de a reduce viteza de recombinare superficial.

Celule solare pe baz de siliciu[modificare | modificare surs]

Celul solar multicristalin

o plac (wafer) multicristalin

Materialul cel mai utilizat pentru fabricarea de celule solare pe baz de semiconductori este Siliciul.
Dac la nceput pentru producerea celulelor solare se utilizau deeuri rezultate din alte procese
tehnologice pe baz de semiconductori, astzi se apeleaz la materiale special n acest scop
fabricate. Pentru industria semiconductorilor siliciul este materialul aproape ideal. Este ieftin, se
poate produce ntru-un singur cristal la un nalt grad de puritate, i se poate impurifica(dota) n
semiconductor de tip n sau p. Prin simpla oxidare se pot crea straturi izolatoare subiri. Totui
lrgimea zonei interzise fac siliciul mai puin potrivit pentru exploatarea direct a efectului
fotoelectric. Celule solare pe baz pe siliciu cristalin necesit o grosime de strat de cel puin 100 m
sau mai mult pentru a pute absorbi lumina solar eficient. La celulele cu strat subire de tip
semiconductor direct ca de exemplu GaAs sau chiar siliciu cu structura cristalin puternic
perturbat (vezi mai jos), sunt suficiente 10 m.
n funcie de starea cristalin se deosebesc urmtoarele tipuri de siliciu:
Monocristaline Celulele rezult din aa numitele Wafer (plci de siliciu dintr-un cristal). Aceste
cristale reprezint materia de baz pentru industria de semiconductori i sunt destul de scumpe.
Policristaline Celulele sunt din plci care conin zone cu cristale cu orientri diferite. Acestea pot fi
fabricate de exemplu prin procedeul de turnare, sunt mai ieftine i ca atare cele mai rspndite n
producia de dispozitive fotovoltaice. Deseori ele se numesc i celule solare policristaline.
Amorfe Celulele solare constau dintr-un strat subire de siliciu amorf (fr cristalizare) i din
aceast cauz se numesc celule cu strat subire. Se pot produce de exemplu prin procedeul de
condensare de vapori de siliciu i sunt foarte ieftine, dar au un randament sczut n spectru de
lumin solar, totui au avantaje la lumin slab. De aceea se utilizeaz n calculatoare de buzunar

i ceasuri.
Microcristaline Acestea sunt celule cu strat subire cu structur microcristalin. Au un randament
mai bun dect celulele amorfe i nu au un strat att de gros ca cele policristaline. Se utilizeaz
parial la fabricarea de panouri fotovoltaice, dar nu sunt att de rspndite.
Celule solare tandem sunt straturi de celule solare suprapuse, deobicei o combinaie de straturi
policristaline i amorfe. Straturile sunt din materiale diferite i astfel acordate pe domenii diferite de
lungimi de und a luminii. Prin utilizarea unui spectru mai larg din lumina solar, aceste celule au
un randament mai mare dect celulele solare simple. Se utilizeaz parial la fabricarea de panouri
solare dar sunt relativ scumpe. O ieftinire apreciabil se va obine prin utilizarea n combinaie cu
sisteme de lentile, aa numitele sisteme de concentrare.

Fabricaia avnd la baz blocuri sau bare de siliciu[modificare | modificare

surs]
Celulele solare obisnuite pot fi confecionate dup mai multe metode de fabricaie.

monocristal de siliciu utilizat la fabricarea plcilor de siliciu dup procedeul Czochralski

Materia prim siliciu este al doilea element chimic din compoziia scoarei terestre n privina
cantitatii. Se regsete n compui chimici cu alte elemente formnd silicate sau cuar. Siliciul brut

numit i siliciu metalurgic se obine din quar prin topire n furnal.Reducera siliciului se petrece cu
ajutorul carbonului la o temperatura de cca 1700 C, rezultnd la fiecare ton de siliciu metalurgic
de puritate de cca 98-99 % n jur de 1,5 T de CO2. Prin acest procedeu n 2002 s-au produs 4,1 T
siliciu. Mare parte din acesta este utilizat de industrie la fabricare a oelului i n industria chimic i
numai o mic parte n microelectronic i la fabricarea de celule fotovoltaice.
Din siliciul brut printr-un proces de fabricaie n trepte bazat pe triclorsilan se obine siliciul
policristalin de cea mai mare puritate.
Pn n prezent (2006) n producie se recurge la o tehnologie Siemens bazat pe un procedeu de tip
CVD condensare de vapori de siliciu, procedeu elaborat i optimizat pentru ramura de
microelectronic. n microelectronic cerinele de calitate sunt total diferite de cele din fabricarea de
celule fotovoltaice. Pentru fabricarea de celule solare este foarte important puritatea plcii de
siliciu n toat masa ei pentru a asigura o ct mai mare durat de via pentru purttorii de sarcin,
pe cnd n microelectronic cerina de foarte nalt puritate se rezum n principiu la stratul superior
pn la o adncime de 20-30 m. Deoarece ntre timp consumul de siliciu de nalt puritate pentru
fabricarea de celule fotovoltaice a ntrecut pe cel pentru microelectronic, actualmente se fac
cercetri intense pentru elaborarea de procedee de fabricare speciale mai ieftine optimizate pentru
celule solare.
Cu toate c procesul de producie a siliciului pur este foarte energofag, energia consumat la
fabricareaa celulelor solare, n funcie de tehnologia utilizat, se poate recupera n 1,5 pn la 7 ani.
Dac se ia n considerare c durata de via a panourilor solare este de peste 20 ani bilanul
energetic rezultat este pozitiv.
Siliciul pur n continuare poate fi prelucrat n mai multe feluri. Pentru celule policristaline amintim
procedeele de turnare Bridgman i EVG, pe cnd pentru cele monocristaline procedeul Czochralski.
n fiecare din acestea n procesul fabricare a blocurilor sau barelor se face simultan i impurificare
cu Bor (vezi mai jos).
Procedeul de turnare[modificare | modificare surs]
Acesta se utilizeaz la fabricarea siliciului policristalin. Siliciul pur se topete ntr-un cuptor cu
inducie dup care se toarn ntr-un recipient de form ptrat n care se supune la un proces de
rcire ct mai lent posibil n cursul cruia vor apare cristale ct mai mari posibil. Recipientul are
dimensiunile 50*50 cm, masa solidificat avnd nlimea de 30 cm. Blocul astfel solidificat se taie
n mai multe blocuri mai mici cu lungimea de 30 cm. Un alt mod reprezint turnare continu,
procedeu prin care materialul este turnat direct pe support la dimensiunile cerute. Avantajul const
n eliminare pierderilor rezultate din tiere.
Procedeul Bridgman[modificare | modificare surs]
Procedeul numit dup Percy Williams Bridgman este aplicat tot n procesul de fabricare a siliciului
policristalin. Siliciul pur se topete tot ntr-un cuptor cu inducie dar procesul de rcire n urma
cruia n masa topit se formeaz mari zone ocupate de cte un cristal are loc chiar n cuptor.
Materialul se supune unei nclziri progresive pornind de la baz astfel nct n momentul topirii
stratului superior, la baz deja se produce ntrirea materialului. Dimensiunile blocurilor obinute
sunt mai mari (60*60 cm 70*70 cm) cu nlimea de 20-25 cm, i se procedeaz la tierea lor n
blocuri mai mici avnd lungimea de 20-25 cm.

Procedeul Czochralski[modificare | modificare surs]

Este utilizat la fabricarea de bare lungi monocristaline. nainte de tierea plcilor necesare celulelor,
barele cilindrice rezultate se ajustaeaz astfel nct s prezinte o seciune ptrat.
Procedeul de topire zonal[modificare | modificare surs]
Se mai numete i procedeu Float-Zone i se aplic tot la producerea monocristalelor de siliciu sub
form de bar. Puritatea materialului obinut fiind superioar celei necesitate n confecionarea
celulelor solare, i costurile fiind mari, prodedeul este rar utilizat. Singura firm ce utilizeaz acest
procedeul este SunPower din Statele Unite.
Fabricare de waferi (discuri/plci subiri de siliciu)[modificare | modificare surs]
Din barele de cristal vor fi secionate plcue(wafer) cu un fierstru special constnd dintr-o srm
lung pe care s-au aplicat particule de diamant i care este nfurat pe cilindri ce se rotesc. Un
bloc este complet secionat n plcue de cca 0,180,28 mm la o singur trecere. Praful rezultat n
urma debitrii este inutilizabil i reprezint pn la 50 % din material.
Pentru obinerea de plcue de siliciu la nceput se utiliza materia prim excedentar rezultat din
fabricarea de circuite integrate, care nu corespundea calitativ dar era potrivit pentru fabricarea
celulelor solare. Datorit cererii mult crescute a produciei de [[Panou fotovoltaic|panouri solare]],
aceast surs are o importan nesemnificativ.
Celulele monocristaline prezint o suprafa omogen, pe cnd la celulele policristaline se pot
deosebi zone distincte cu cristale avnd orientri diferite, ceea ce creeaz o imagine asemntoare
florilor de ghea.
n stadiul de plcu(wafer) faa i reversul plcuei nu se deosebesc.
Prelucrarea plcilor de siliciu[modificare | modificare surs]
Plcile debitate vor fi trecute prim mai multe bi de splare chimic pentru a nltura defectele de
debitare i a pregti o suprafa potrivit captrii luminii. Pentru aceasta s-au elaborat diferite
procedee utilizate de fabricani.
n mod normal n aceast faz plcile sunt deja impurificate cu bor. Aceasta nseamn c se gsete
deja un surplus de goluri care pot capta electroni deci avem o impurificare tip p. Pe parcursul
procesului de fabricare a celulei solare pentru crearea unei jonciuni p-n este necesar s
impurificm suprafaa ei cu impuriti de tip n ceea ce se poate realiza ntr-un cuptor ntr-o
atmosfer de fosfor. Atomii de fosfor ptrund n suprafa i vor crea o zon de cca 1 m cu un
surplus de electroni.
Pasul urmtor va consta n adugarea unui electrod transparent din SiNx sau TiO2 .
Urmeaz imprimarea zonelor de conact i a structurii necesare pentru colectarea curentului generat.
Faa celulei este prevzut de cele mai multe ori cu dou benzi pe care ulterior se vor fixa legturile
dintre mai multe celule. n afar de aceasta se va aplica o gril conductoare foarte subire , care pe
de o parte deranjeaz foarte puin intrarea luminii, pe de alt parte micoreaz rezistena electric a
electrodei. Reversul plcii de regul este complet acoperit cu un material bun conductor de
electricitate.

Dup procesare, celulele vor fi clasificate dup proprietile lor optice i electrice, mai apoi sortate
i asamblate n panouri solare.

Fabricarea plcilor semiconductoare n mod direct[modificare | modificare

surs]
n dorina de a se evita detaarea plcilor din blocuri , se gsesc diferite alte modaliti ce permit
fabricarea celulelor solare.
Procedeul EFG[modificare | modificare surs]
EFG este prescurtarea de la Edge-defined Film-fed Growth. Prin acest procedeu dintr-o cad de
grafit nclzit electric se trag n sus tuburi octogonale de cca 6 pn la 7 m cu o vitez de cca 1
mm/s. Limea unei fee este de 10-12.5 cm, iar grosimea peretelui atinge cca 280 m. Apoi
tuburile vor fi tiate de-a lungul canturilor cu un laser NdYAG, dup care fiecare faet pe baza unei
grile de-a latul. Astfel se pot realiza celule cu diferite dimensiuni (de exemplu 12.5*15 cm sau
12.5*12.5 cm). n acest fel se obine o ntrebuinare de 80 % a materialului disponibil. Celulele
astfel realizate sunt deobicei policristaline, care la vedere se deosebesc clar de cele debitate, printre
altele suprafaa lor este mai ondulat. Acest procedeu se mai numete i procedeu octagonal sau de
extrudare.
Procedeul EFG este utilizat de firma Schott Solar n Germania i afost dezvoltat de firma ASE Solar
din Statele Unite.
Procedeul String-Ribbon[modificare | modificare surs]
Mai exist un procedeu dezvoltat de firma Evergreen Solar din Statele Unite care const n tragerea
cu ajutorul a dou fire a unei pelicule din siliciul topit. n cursul acestui proces rezult mai puine
deeuri (pan ce trebuie nlturat) ca la procedeele uzuale.
Procedeul cu transfer de strat[modificare | modificare surs]
La acest procedeu direct pe un substrat (corp subire solid, deobicei cu o orientare cristalin
predefinit) se crete un monocristal de siliciu sub forma unui strat de cca 20 m grosime. Ca
material purttor se pot utiliza substraturi ceramice, sau siliciu supus unui tratatament superficial.
Placa(wafer) format ca fi deprins de stratul purttor care n continuare va putea fi reutilizat.
Avantajele procedeului constau n consumul de siliciu semnificativ redus datorit grosimii mici, i
lipsa deeurilor din debitare (pas ce nu mai mai apre n acest procedeu). Randamentul atins este
mare i se situeaz n domeniul celulelor monocristaline.

Celule din siliciu murdar[modificare | modificare surs]

Procesul de topire i impurificare zonal se poate aplica i n cazul suprafeelor plate/straturi.
Principiul const n faptul c impurificarea, prin tratamentul termic (multipl retopire prin deplasare
lateral de exemplu cu ajutorul unui fascicol laser) al siliciului, poate fi concentrat n cteve locuri.
[1].

Alte tipuri de celule solare[modificare | modificare surs]

Celule solare cu strat subire[modificare | modificare surs]

Celule solare cu strat subire din siliciu amorf pe sticl, 4 celule pe rnd

Vedere din spate (din partea stratului, lcuit maro)

Tipuri de celule solare

Celulele solare cu strat subire se gsesc n diferite variante dup substrat i materialul condensat
avnd o varietate a proprietilor fizice i a randamentului pe msur. Celulele solare cu strat subire
se deosebesc de celulele tradiionale (celule solare cristaline bazate pe plci de siliciu) nainte de
toate n tehnologia de fabricaie i grosimea stratului materialului ntrebuinat. Proprietile fizice
ale siliciului amorf, care se deosebesc de cele ale siliciului cristalin determin proprietile celulelor
solare. Anumite proprieti nu sunt nc pe deplin clarificate din punct de vedere teoretic.
Chiar i la celulele solare cristaline lumina este absorbit deja ntr-un strat superficial (de o
adncime de cca 10 m). Ar fi deci de preferat s se fabrice celulele solare cu un strat foarte subire.
n comparaie cu celulele din plci de siliciu cristalin celule cu strat subire sunt de 100 de ori mai
subiri. Celulele cu strat subire se obin de cele mai multe ori prin condensarea din faz gazoas
direct pe un material purttor care poate fi sticl, folie metalic, material sintetic, sau alt material.
Procesul costisitor de debitare a blocurilor de siliciu descris n capitolul anterior poate fi deci
eliminat.
Cel mai ntrebuinat material pentru celulele cu strat foarte subire este siliciul amorf (a-Si:H).
Modulele cu celule de acest tip au o durat de via lung. Testele confirm un randament stabil pe
o perioad de mai mult de 10 ani.
Alte materiale ce se mai pot ntrebuina sunt siliciul microcristalin (c-Si:H), arseniura de galiu
(GaAs), teluriura de cadmiu (CdTe) sau legturi cupru-indiu-(galiu)-sulf-seleniu, aa numitele
celule CIS, respective celule CIGS unde n funcie de tip S poate nsemna sulf sau seleniu.
Modulele pe baz de celule cu strat subire CIS au atins deja un randament de 11-12 % vezi [2])
egal cu cel al modulelor multicristaline cu siliciu.

Pentru producerea de curent electric este de dorit un randament mai mare, pe care parial l pot oferi
i celulele cu strat subire. Se pot atinge randamente n jur de 20 % (de exemplu 19,2 % cu cellule
CIS vezi [3]).
Totui randamentul nu este singurul criteriu n alegere, de multe ori mai importante sunt costurile la
care se poate produce curent cu ajutorul panourilor solare, iar acestea sunt determinate de procedeul
de fabricaie utilizat i de preul materiei prime.
Una din proprietile avantajoase a celulelor cu strat subire const n fapul c nu necesit un
substrat rigid ca de exemplu sticl sau aluminiu. La celulele solare flexibile ce pot fi fixate pe
rucsac sau cusute pe hain, se accept un randament mai sczut deoarece factorul greutate este mai
important dect transformarea optim a luminii n energie electric.
O alt proprietate avantajoas a celulelor cu strat subire, mai ales al celor din siliciu amorf este c
ele au un mod de fabricaie mai simplu i pot avea o suprafa efectiv mai mare. Din acest motiv
ele au un segment de pia semnificativ.
Utilajele de fabricaie parial sunt identice cu cele utilizate n fabricarea de ecrane plate, i se pot
obine straturi cu o suprafa de peste 5 m. Cu procedeul de fabricaie bazat pe siliciu amorf se pot
produce i straturi subiri din siliciu cristalin, aa numitul siliciu microcristalin combinnd
proprietile siliciului cristalin ca material pentru celule solare cu avantajele metodelor utilizate n
tehnica filmului subire. Prin combinarea siliciului amorf i a celui microcristalin au fost obinute
mriri substaniale de randament n ultimul timp.
Un procedeu de producere a celulelor cu strat subire din siliciu este CSG (Crystalline Silicon on
Glass); prin acesta se depune un strat subire de mai puin de 2 m direct pe o suprafa de sticl;
dup un tratament termic se obine structura cristalin. Circuitele pentru curentul electric se aplic
cu ajutorul tehnicii laser i celei utilizate n imprimantele cu jet de cerneal. Pe baza acestei
tehnologii se construiete o fabric n Germania, care ar trebui s produc primele module n 2006.
(Sursa: CSG Solar)

Celule cu concentrator[modificare | modificare surs]

La acest tip de celul se economisete suprafa de material semiconductor prin faptul c lumina
este concentrat pe o suprafa mai mic prin utilizarea lentilelor, acestea fiind mult mai ieftine
dect materialul semiconductor. n mare parte la acest tip de celule se utilizeaz semiconductori pe
baz de elemente din grupa III-V de multe ori aplicate n tandem sau pe trei straturi. Din cauza
utilizrii lentilelor, panourile cu acest tip de celule trebuie orientate incontinuu perpendicular pe
direcia razelor solare.

Celule solare electrochimice pe baz de pigmeni[modificare | modificare surs]

Acest tip ce cellule se mai numesc i celule Grtzel. Spre deosebire de celulele prezentate pn
acum la celule Grtzel curentul se obine prin absorbie de lumin cu ajutorul unui pigment,
utilizndu-se oxidul de titan ca semiconductor. Ca pigmeni se utilizeaz n principiu legturi
complexe al metalului rar ruthenium, dar n scop demonstrativ se pot utiliza i pigmeni organici, de
exemplu clorofila, sau anthocian (din mure) (dar au o durat de via foarte redus). Modul de
funcionare al acestui tip de celule nu este nc pe deplin clarificat; este foarte probabil utilizarea
comercial, dar tehnologia de producie nu este pus la punct.

Celule solare din compui organici[modificare | modificare surs]

Celule solare din compui organici utilizeaz legturi carbon-hidrogen care au proprieti
semiconductoare. n aceti semiconductori lumina excit goluri/electroni din legturile de valen,
care ns au un spectru de lungime de und destul de restrns. De aceea deseori se utilizeaz dou
materiale semiconductoare cu nivele de energie puin diferite pentru a mpiedica dispariia acestor
purttori. Randamentul pe o suprafa de 1cm se cifreaz la maximal 5 % (situaia la nivel de
ianuarie 2007).

Celule bazate pe fluorescen[modificare | modificare surs]

Este vorba de celule solare, care mai nti produc lumin de lungime de und mai mare prin
fenomenul de fluorescen, ca mai apoi s o transforme la marginile plcii.

Istoric

Deja i n Grecia antic se tia c energia luminii se poate utiliza, astfel se pare c la asediul
Siracuzei n anul 212 naintea erei noastre grecii au concentrat lumina solar cu oglinzi i au
ndreptat-o ctre flota asediatoare a romanilor, incendiind-o. Tot grecii au fost i cei care au utilizat
energia luminoas n scop panic aprinznd cu ea flacra olimpic. n 1839 Alexandre Edmond
Becquerel a descoperit c o baterie expus la soare produce mai mult curent electric dect una
neexpus. Pentru acest experiment a msurat diferena de potenial dintre doi electrozi de platin
situai unul pe faa luminat i cellalt pe faa umbrit a recipientului i scufundai ntr-o baie de
soluie chimic acid . Cnd a expus aceast construcie la soare a observat trecerea unui curent
printre electrozi. Aa a descoperit efectul fotoelectric pe care ns nu l putea explica nc. Mrirea
conductivitii seleniului a fost demonstrat n 1873. Zece ani mai trziu a fost confecionat prima
celul fotoelectric clasic. Dup nc zece ani n 1893 a fost confecionat prima celul solar
care producea electricitate. n 1904 fizicianul german Philipp Lenard a descoperit c lumina

incident pe anumite suprafee metalice elibereaz electroni din suprafaa acestuia i astfel a oferit
prima explicaie referitoare la efectul fotoelectric. Totui el nu tia nc de ce i la care metale se
produce acest efect. Cu toate acesta pentru aceast descoperire el a obinut premiul Nobel pentru
fizic n anul 1905. Rezolvarea problemei a venit de la Albert Einstein n 1905 cnd cu ajutorul
teoriei cuantice a explicat dualitate luminii ea fiind prezent n acelai timp i ca particul i ca
und. Pn atunci se credea c lumina este doar energie cu diferite lungimi de und. Einstein n
experimentele sale a constatat c lumina n unele situaii se comport ca o particul, i c energia
fiecrei particule sau foton depinde doar de lungimea de und. El a descris lumina ca o serie de
gloane ce ating suprafaa materialului. Dac aceste gloane au suficient energie, un electron liber
din metalul atins de foton se va elibera din structura acestuia. Totodat a constatat c energia
cinetic maxim a electronului este independent de intensitatea luminii i depinde doar de energia
fotonului care l-a eliberat. Aceast energie depinde totodat numai de lungimea de und respectiv
frecvena luminii. Pentru lucrrile sale privind fenomenul fotovoltaic, a obinut premiul Nobel
pentru fizic n anul 1921. Descoperirea n anul 1949 a jonciunii p-n de ctre William B. Shockley,
Walther H. Brattain i John Bardeen a fost nc un pas mare n direcia celulelor. Dup aceast
descoperire fabricrii celulei solare n forma cunoscut astzi nu i mai sta nimic n cale. Fabricarea
primei celule solare n 1954 n laboratoarele firmei americane Bell se datoreaz totui unei
ntmplri fericite. Angajaii firmei sub conducerea lui Morton Price au observat cnd cercetau un
redresor cu siliciu, c acesta producea mai mult curent cnd era expus la soare. Ca urmare firma Bell
prin contribuia domnilor Chapin, Fuller i Pearson a dezvoltat n 1953 primele celule solare din
siliciu impurificate cu arsen dar care aveau un randament de doar 4 % care a fost mrit la 6 % prin
schimbarea impurificrii. n 1958 au fost testate celule solare pentru prima dat pe sateliul
Vanguard I dotat cu un panou solar avnd 108 celule solare pe baz de siliciu. Rezultetele obinute
au fost peste ateptri pn n ziua de azi sondele spaiale pn dincolo de marte sunt alimentate
cu curent produs de celulele solare, iar n anul 2011 se va lansa sonda spaial Juno care va fi prima
sond spaial spre Jupiter alimentat cu curent produs de celule solare. S-au atins n spaiu
randamente de pn la 10,5 %. Aceste rezultate nu se puteau realiza pe pmnt i datorit
condiiilor diferite din spaiu unde nu se regsete ritmul zi-noapte i lumina natural nu este
absorbit parial de atmosfer i nori, totodat radiaiile cosmice conduc la o mbtrnire mai rapid
a celulelor solare dect pe pmnt. De aceea industria i cercetarea ncearc obinerea unor
randamente tot mai mari n paralel cu prelungirea duratei de via. Randamentul teoretic pentru
celule solare pe baz de siliciu se consider a fi de 29 % pentru condiiile de iradiaie pe spectrul din
zona de mijloc. Mandelkorn i Lamneck au mrit durata de via a celulelor solare n 1972 printr-o
reflectare a purttorilor de sarcin minoritari dup ce au introdus un strat numit black surfaces field
(BSF) n stratul impurificat p. n 1973 Lindmayer i Ellison au confecionat aa numita celul
mov ce avea un randament de 14 %. Prin reducerea reflexiei n 1975 s-a mrit randamentul la 16 %.
Aceste celule s-au numit celule CNR (Comsat Non Reflection; Comsat = Telefonsatelit ) i au fost
concepute pentru satelii Criza de la nceputul anilor 70 a condus la creterea preurilor produselor
petroliere avnd ca rezultat cretere preului energiei. Acest lucru a impulsionat cercetrile n
domeniul celulelor solare. n 1980 s-a nceput organizarea de concursuri de automobile acionate cu
energie electric obinut de la module solare. n 1981 un avion acionat de energie solar a
traversat Canalul Mnecii. ntre timp Green precum i specialitii de la Universitatea Stanford i cei
de la Telefunken au dezvoltat cellule solare cu un randament n jur de 20 %.