Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
1. INTRODUCERE................................................................................................9
1.1. Conductivitatea electric. Clasificarea materialelor electrotehnice ..............9
1.2. Teorii utilizate n studiul materialelor electrotehnice..................................15
1.2.1. Legtura chimic i structura cristalin a materialelor
electrotehnice solide.........................................................................16
1.2.2. Nivelele de energie ale electronilor n materialele electrotehnice
solide ................................................................................................25
1.2.3. Efectul Hall i efectul magnetorezistiv.............................................29
1.2.4. Supraconductibilitatea ......................................................................31
1.2.5. Efectul Seebeck ................................................................................32
1.2.6. Efectul fotoelectric n semiconductori..............................................34
1.2.7. Efectul de redresare a unei jonciuni semiconductoare ....................36
2. MATERIALE ELECTROIZOLANTE .........................................................41
2.1. Generaliti. Clasificare, descriere i utilizare ............................................41
2.1.1. Materiale electroizolante gazoase ....................................................42
2.1.2. Materiale electroizolante lichide .....................................................44
2.1.3. Materiale electroizolante solide .......................................................48
2.1.3.1. Materiale organice micromoleculare ..................................48
2.1.3.2. Materiale organice macromoleculare .................................49
2.1.3.3. Celuloza i derivaii si ......................................................50
2.1.3.4. Cauciucuri i elastomeri .....................................................51
2.1.3.5. Materiale siliconice ............................................................51
2.1.3.6. Materiale anorganice ..........................................................52
2.1.3.7. Lacuri electroizolante .........................................................54
2.1.3.8. Compounduri ......................................................................55
2.1.3.9. Produse pe baz de rini sintetice .....................................56
2.2. Proprietile neelectrice ale materialelor electroizolante ...........................58
2.2.1. Proprieti fizice ..............................................................................59
2.2.2. Proprieti chimice ...........................................................................61
2.2.3. Proprieti termice ...........................................................................62
2.2.4. Proprieti mecanice ........................................................................63
2.3. Proprietile electrice ale materialelor electroizolante ...............................64
2.3.1. Conductibilitatea electric a materialelor electroizolante ................68
2.3.1.1. Conductivitatea electric a dielectricilor gazoi .................70
2.3.1.2. Conductivitatea electric a dielectricilor lichizi .................71
2.3.1.3. Conductivitatea electric a dielectricilor solizi ..................74
2.3.2. Polarizarea electric a materialelor electroizolante .........................75
2.3.2.1. Polarizarea electronic .......................................................77
2.3.2.2. Polarizarea ionic ...............................................................79
2.3.2.3. Polarizarea dipolic ............................................................80
2.3.2.4. Polarizarea de relaxare .......................................................85
2.3.3. Pierderile de energie electric activ n materialele
electroizolante .................................................................................86
2.3.3.1. Permitivitatea complex .....................................................86
2.3.3.2. Expresia general a pierderilor de energie n dielectrici ....90
2.3.3.3. Scheme electrice echivalente ale dielectricilor ..................91
2.3.3.4. Pierderile de energie electric activ prin incluziuni de
gaze ...................................................................................101
2.3.4. Strpungerea electric a materialelor electroizolante .....................102
2.3.4.1. Strpungerea dielectricilor gazoi ....................................104
2.3.4.2. Strpungerea dielectricilor lichizi ....................................106
2.3.4.3. Strpungerea dielectricilor solizi ......................................107
3. MATERIALE SEMICONDUCTOARE ....................................................... 111
3.1. Semiconductori intrinseci ......................................................................... 111
3.2. Semiconductori extrinseci ........................................................................ 112
3.3. Jonciuni semiconductoare ....................................................................... 114
3.4. Utilizrile semiconductorilor ...................................................................122
3.4.1. Tranzistorul ....................................................................................123
3.4.2. Senzori pe baz de materiale semiconductoare .............................125
3.4.2.1. Senzori de gaz pe baz de oxizi semiconductori ai unor
metale ...............................................................................125
3.4.2.2. Senzori pentru controlul combustiei ................................126
3.4.2.3. Senzori pentru controlul gazelor toxice i explozive .......126
3.4.2.4. Senzori de umiditate pe baz de oxizi semiconductori ai
unor metale .......................................................................129
3.4.2.5. Senzori de umiditate pe baz de carbon semiconductor ...131
3.4.2.6. Senzori pe baz de materiale organice semiconductoare .132
3.4.3. Varistoare pe baz de ZnO .............................................................132
3.4.3.1. Caracteristica static curent-tensiune pentru un varistor
ZnO ...................................................................................133
3.4.3.2. Tehnologia de fabricaie a varistoarelor pe baz de ZnO
i influena tehnologiei folosite asupra calitii acestora...136
3.4.3.3. Uzura varistoarelor pe baz de ZnO n exploatare ...........148
4. MATERIALE CONDUCTOARE .................................................................153
4.1. Clasificare, descriere i utilizare ..............................................................153
4.1.1. Cuprul i aliajele sale .....................................................................153
4.1.2. Aluminiul i aliajele sale ...............................................................155
4.1.3. Alte materiale conductoare ............................................................157
4.1.4. Materiale pentru rezistoare de precizie i pentru reostate .............158
4.1.5. Materiale utilizate n electrotermie ................................................159
4.1.6. Materiale pentru contacte electrice ................................................160
4.1.7. Materiale pentru bimetale, termocuple i aliaje de lipit ................162
4.2. Conductivitatea electric a metalelor .......................................................164
4.3. Variaia rezistivitii electrice cu temperatura n cazul metalelor ...........165
4.4 Variaia rezistivitii electrice cu coninutul de impuriti la metale .........168
4.5. Proprieti termoelectrice ale materialelor conductoare ...........................169
5. MATERIALE MAGNETICE ........................................................................171
5.1. Momentul dipolar magnetic .....................................................................171
5.2. Magnetizarea materialelor ........................................................................172
5.3. Clasificarea materialelor din punct de vedere magnetic ..........................173
5.4. Teoria clasic a diamagnetismului (Langevin) .........................................175
5.5. Teoria clasic a paramagnetismului .........................................................177
6. APLICAII MODERNE DE MATERIALE N INGINERIA
CURENILOR TARI ...................................................................................181
6.1. Izolaii de nalt tensiune n hexafluorur de sulf ....................................181
6.1.1. Hexafluorura de sulf ......................................................................181
6.1.2. Dimensionarea izolaiilor tehnice cu SF6 ......................................185
6.1.3. Variante constructive de echipamente electrice cu SF6 ..................192
6.2. Materiale utilizate n generatoarele magnetohidrodinamice (MHD) .......199
6.3. Echipamente de protecie contra supratensiunilor pe baz de varistoare
cu ZnO .....................................................................................................201
6.3.1. Prezentarea principalelor caracteristici i avantaje ........................201
6.3.2. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu varistoare
pe baz de oxizi metalici pentru joas tensiune ............................205
6.3.3. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu varistoare
pe baz de oxizi metalici pentru medie tensiune............................218
6.3.4. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu varistoare
pe baz de oxizi metalici pentru nalt tensiune ............................224
BIBLIOGRAFIE ................................................................................................229
Capitolul 1
INTRODUCERE
J=
q
V
(
v i0 + v id ) (1.4)
i
Datorit rezultantei nule a componentelor vitezei dezordonate, expresia (1.4)
se reduce la forma:
q
J=
V
v i0 (1.5)
i
Pentru a efectua suma se admite (pentru simplificare) c n volumul V exist
un numr finit N de purttori de sarcin i c fiecare purttor de sarcin are aceeai
vitez ordonat medie:
v i0
i
v 0m = (1.6)
N
n acest caz densitatea de curent va fi:
N
J= q v 0m (1.7)
V
Viteza ordonat medie, necesar pentru a continua calculele se poate determina
n regim staionar. n acest caz se admite c la ciocnirea purttorului de sarcin cu
atomul din nodul reelei cristaline, el cedeaz toat energia sa cinetic, viteza medie
total devenind nul. n intervalul de timp dintre 2 ciocniri succesive purttorul de
sarcin are o micare accelerat.
Ecuaia micrii purttorului de sarcin n ipotezele precizate este:
dv 0
m = qE (1.8)
dt
unde m este masa n repaus a purttorului de sarcin.
Integrnd ecuaia (1.8) ntre limitele t = 0 cnd v 0 = 0 i t = tr cnd v 0 = v 0M
se obine:
tr
q q tr
v oM = m E dt = m
E (1.9)
0
O particul ocup o anumit poziie avnd n juru1 ei alte particule. Cele mai
apropiate poart numele de vecini de ordinul nti. Coordonatele particulelor sunt
date n funcie de parametrii de reea. Pentru exemplificare s lum o celul dreapt
( = = = 90) dar cu a b c i s plasm axele sistemului de coordonate n
lungul axelor celulei, adic:
a = a i , b = b j , c = c k (1.17)
Vectorul de poziie al unei particule oarecare din reea va fi
r = x i + y j + z k = n1 a i + n2 b j + n3 c k = n1 a + n2 b + n3 c (1.18)
unde n1, n2, n3 sunt numere ntregi. Poziia unei particule este dat prin cele trei
numere (n1, n2, n3), care arat de cte ori sunt cuprini cei trei parametri n
proieciile vectorului de poziie pe cele trei direcii.
Fig.1.7. Explicativ
privind investigarea
structurii cristaline cu
radiaii X
Fig.1.8. Difracia
radiaiei X pe cristale
E a2
f= = Ea, (1.31)
a
Ea
deci max = 2 . Pentru o substan cu E = 2 1010 N/m2, a = 3 i masa
m
atomic egal cu 50 de mase protonice, frecvena maxim de oscilaie este de
ordinul a 1012 Hz. Dac nu vom avea de-a face cu unde generate de micarea
termic, ci de oscilaii provocate de unde venite din exterior, atunci ne putem imagina
propagarea undelor e1astice (sunete, ultrasunete) n so1ide prin intermediul
oscilaiilor particule1or din nodurile reelei cristaline.
1.2.4. Supraconductibilitatea
n 1911, Kammerlingh Onnes a gsit urmtoarele valori pentru rezistena
-6
unei coloane de mercur: 0,084 [] la 4,3 [K] i mai mic de 310 [] la 3 [K].
De la aceast dat, fenomenul de scdere brusc a rezistenei electrice la valori
neglijabile a fost pus n eviden pe multe metale i aliaje n domeniul tempe-
raturilor joase. Starea de rezisten neglijabil a fost numit stare supraconductoare,
iar temperatura la care are loc trecerea de la starea normal la cea supraconductoare
se numete temperatur de tranziie sau temperatur critic (Tc). Variaia rezis-
tenei electrice n jurul acestei temperaturi este redat n fig.1.12.
Ne putem imagina acum c o jonciune poate juca rolul unei diode n curent
alternativ, regiunea p fiind echivalentu1 anodului, iar regiunea n - rolul catodului.
Se pune problema dac prin aplicarea tensiunii n sens invers dioda poate suporta
orice tensiune. Rspunsul este negativ. S analizm caracteristica tensiune-curent a
unei diode semiconductoare (fig.1.22). Cnd V > 0 (polarizare direct), intensitatea
curentului crete rapid la variaii mici ale tensiunii. Astfel ntr-o jonciune p-n cu
germaniu, pentru o tensiune de 0,1 [V] pe jonciune, densitatea de curent atinge
100 [mA/cm2].
MATERIALE ELECTROIZOLANTE
Fig. 2.1 Variaia tensiunii de strpungere cu distana dintre electrozi pentru aer (1) i
hexaflorur de sulf (2) la frecven de 50 [Hz] i la temperatur de 20 [C].
Rigiditatea dielectric a SF6 este cuprins ntre 6,72 i 7,04 [MV/m] i variaz
mai puin cu distana dintre electrozi d dect n cazul aerului (fig.2.1). Pentru valori
ale lui d mai mari de 25 mm tensiunea de strpungere Ustr este mai mare n c.c.
dect la frecven industrial; n cmp uniform este proporional cu presiunea, iar
n cmp neuniform scade dac presiunea depete 1 atm. Tensiunea de apariie a
efectului Corona este mai mare dect n cazul aerului. Aceasta prezint o mare
importan, ntruct sub aciunea descrcrilor Corona ca, de altfel i sub aciunea
arcului electric - SF6 se descompune parial, aprnd produse toxice i corozive. Se
utilizeaz ca izolant i ca mediu de stingere a arcului electric n ntreruptoare de
.T., ca izolant i mediu de rcire n transformatoare, n construcia unor instalaii
speciale (condensatoare i transformatoare speciale, acceleratoare de particule,
microscoape electronice etc.).
Perfluorcarbonii sunt compui fluorurai ai metanului, etanului i propanului
de tipul perfluorpropan (C3F6), perfluorbutan (C4F10) sau octafluorciclobutan (c-
C4F8). Au stabilitate termic mai mare dect SF6 (200250 [C]) i nu atac
materialele active (Cu, Al, Fe). Se utilizeaz n aparatele de .T. care funcioneaz la
temperaturi ridicate.
Diclordifluormetanul (CCl2F2) este neinflamabil, netoxic i cu rigiditate
dielectric apropiat de cea a hexafluorurii de sulf. Atac cauciucul i unele mase
plastice. Are temperaturi de fierbere sczute (-28 [C]), motiv pentru care nu se folo-
sete n instalaii exterioare. Se utilizeaz n construcia frigiderelor cu compresiune.
ALTE GAZE. Azotul-se utilizeaz n condensatoare i transformatoare cu ulei
(pentru evitarea oxidrii i ptrunderii umiditii n izolaii), n cablurile cu izolaii
din hrtie impregnat cu ulei (la presiune nalt de utilizare 17 [atm] avnd
rigiditate dielectric de 5060 [MV/m], iar cldura specific i conductivitatea
termic apropiate de cele ale aerului), la fabricarea lmpilor cu incandescen (n
amestec cu argonul) etc.
Bioxidul de carbon are solubilitate foarte mare n ulei mineral (de 10 ori
mai mare dect cea a aerului). Se utilizeaz ca preimpregnant pentru transformatoare i
cabluri cu ulei sub presiune, pentru umplerea cuvelor transformatoarelor n vederea
transportrii acestora etc.
n afara gazelor amintite mai sus, se mai utilizeaz amoniacul i clorura de
metil (pentru frigidere cu absorbie), argonul, neonul i heliul (pentru lmpi cu
incandescen sau cu descrcri n gaze) etc.
aciditate [mg
Indicele de
Materialul
KOH/g]
Rigiditatea
Compo- Vscozitatea
dielectric Utilizri
ziia cinematic [E]
[MV/m]
nebituminoas
Umplerea
Mas izolant
Colofoniu manoanelor
i ulei la 130[C] 6 0 > 12 cablurilor de
mineral tensiuni pn la
20 [kV]
Umplerea
manoanelor
nebituminoas
Ulei
Mas izolant
mineral i acoperire a
colofoniu, la 120[C] 2 0 > 12 cablurilor de
parafin, cureni slabi;
ozocherit impregnarea hrtiei
de cablu etc.
Impregnarea
bituminos de
impregnare
Compound
Bitum, nfurrilor
colofoniu mainilor i
_ max. 15 > 20
i ulei de aparatelor electrice,
in la cabluri,
condensatoare etc.
t [h]
Fig. 2.9 Variaia n timp a umiditii relative a dielectricilor higroscopici
Dielectricii nehigroscopici (impermeabili) se umezesc n atmosfer prin
adsorbie. Adsorbia const n condensarea vaporilor la suprafaa dielectricului sub
form de straturi moleculare de ap (sticl, mic, unele rini sintetice). Att
adsorbia ct i absorbia (ptrunderea umezelii n masa corpului) se determin prin
msurarea unghiului marginal ( ) pe care l formeaz suprafaa corpului cu
suprafaa unei picturi de ap cu vrful pe linia de contur a ariei de contact ca n fig.
2.10. Dac unghiul marginal < 90o ca n fig. 2.10.a, materialul se ud (la sticl i
mic este practic nul). Dac >90o, ca n fig. 2.10.b, dielectricul nu se ud
(parafina, folii sintetice, siliconi). Adsorbia materialelor impermeabile este foarte
pronunat la umiditi relative ale atmosferei ce depesc umiditatea normal ( r =
65%) ca n fig. 2.11 i prezint neajunsul c reduc n foarte mare msur
rezistivitatea de suprafa a dielectricului.
3
Fig.2.12 Metoda Martens de
determinare a stabilitii termice
Fig.2.13
Determinarea duritii
lacurilor electroizolante
Us kVefectiv
Es = (2.9)
d m
Determinat n condiii date rigiditatea dielectric constituie de asemenea o
kV kV
constant de material i are valori de zeci de pentru gaze, de sute de cm
cm
kV
pentru lichide i solide i de mii de pentru unele solide impregnate cu lacuri
cm
tehnice.
Fenomenul de pierderi de energie electric activ n dielectrici. Cnd un
dielectric este supus unui cmp electric invariabil (constant) n timp n acesta au loc
pierderi de energie numai prin cureni de conducie.
Dac ns dielectricul este supus aciunii unui cmp electric alternativ (deci
variabil n timp), n dielectric au loc pierderi de energie att prin cureni de
conducie ct i prin cureni de deplasare (de polarizaie electric).
n curent alternativ, puterea electric activ absorbit de la reea de un
dielectric este P = U I cos . n diagrama fazorial (din fig. 2.36) curentul total
prin dielectric este decalat naintea tensiuni U cu unghiul . Cosinusul unghiului
se numete factor de putere, Ia = I cos reprezint componenta activ a curentului
(deci cea care determin pierderile de energie electric activ), iar Ic este compo-
nenta capacitiv a curentului.
Unghiul = se numete unghi de pierderi, iar tg se numete factor de
2
pierderi i constituie o msur a fenomenului de pierderi de energie electric activ
n dielectric.
Factorul de pierderi tg se determin experimental cu puni RC de joas ten-
siune sau de nalt tensiune. Dac determinarea lui tg se face n condiii date, el repre-
zint o constant de material i are valori cuprinse ntre 101 i 104. Cu ct valoarea
sa este mai mic cu att pierderile de energie electric activ n dielectric sunt mai
mici i evident un tg mare nseamn pierderi de energie electric activ mari.
Fig. 2.19 Diagrama i =f (t) pentru un dielectric plasat n cmp electric continuu.
Din fig. 2.19 rezult c dup un timp t2 componenta curenilor de polarizare
este complet atenuat i dielectricul este parcurs numai de componenta de conducie
a curentului (ic). Prin urmare la determinarea rezistivitilor de volum (V) i
respectiv de suprafaa (S) ale dielectricilor, curentul se citete pe aparatul de
msur dup aplicarea tensiunii, la (13) minute, pentru a se obine numai compo-
nenta de conducie.
2.3.1.1. Conductivitatea electric a dielectricilor gazoi
Orice gaz este un amestec de molecule neutre i de molecule ionizate. Starea
de ionizare a gazului, n absena unui cmp electric exterior este ntreinut de diveri
ionizatori externi cum sunt: razele X, radiaiile cosmice, radiaiile elementelor
radioactive terestre, unde electromagnetice de nalt frecven. Datorit ionizatorilor
externi ntr-un cm3 de gaz n timp de o secund se formeaz aproximativ 3 5
perechi de ioni. n acelai timp o parte din ionii formai se recombin devenind
molecule neutre, astfel nct n mod normal se menin n stare ionizat doar 3 5
perechi de ioni pe cm3s.
Cnd se aplic unui gaz un cmp electric, apare fenomenul de conducie
electric. S considerm un gaz nchis ntr-un tub de sticl prevzut cu 2 electrozi
plani paraleli. Dac aplicm acestor electrozi o tensiune electric ntre ei se va
stabili un curent electric. Curentul electric prin gaz variaz cu tensiunea aplicat n
felul urmtor (fig. 2.20):
Pn la tensiunea U0 curentul variaz corespunztor legii lui Ohm.
ntre U0 i tensiunea critic Uc curentul se menine la valoarea de saturaie Is,
deoarece ionii accelerai de cmpul electric nu posed energii egale cu energia
de ionizare a gazului (i deci nu se formeaz noi purttori de sarcin).
La tensiuni mai mari dect tensiunea Uc energiile ionilor accelerai de cmpul
electric devin mai mari dect energia de ionizare a gazului i are loc
descrcarea n avalan, autonom, care duce la strpungerea gazului.
JD = 0 (2.19)
B. n prezena unui cmp electric exterior apare un curent de cmp cu
densitatea:
JE = n q u E (2.20)
Mobilitatea (u) a purttorilor de sarcin (q) se obine din relaia lui Einstein,
care are forma:
ukT = qD (2.21)
Din relaiile (2.18) i (2.21) rezult:
U
q D q a 2 kT
u= = e (2.22)
k T 6k T
relaie n care semnificaiile notaiilor sunt cunoscute.
nlocuind relaia (2.22) n (2.20) se obine pentru densitatea de curent JE
urmtoarea expresie:
U
n q 2 a 2 kT
JE = e E = E (2.23)
6k T
unde:
U U
n q 2 a 2 kT
= e = 0 e kT (2.24)
6k T
n expresia (2.24) 0 este o constant. Din aceast ultim relaie (2.24) rezult c:
conductivitatea dielectricilor lichizi nu depinde de intensitatea cmpului
electric i deci ea este o constant de material;
conductivitatea dielectricilor lichizi crete odat cu creterea temperaturii.
2.3.1.3. Conductivitatea electric a dielectricilor solizi
Dielectricii solizi pot avea structur amorf sau structur cristalin. Conducti-
bilitatea dielectricilor solizi depinde de structura lor. Astfel, dielectricii solizi cu
structur amorf au conductibilitate de natur ionic. Ei pot fi considerai ca i nite
lichide suprarcite. Din acest motiv, expresia conductivitii electrice stabilit
pentru dielectrici lichizi i pstreaz valabilitatea i n cazul dielectricilor solizi cu
structur amorf.
n cazul dielectricilor solizi cu structur cristalin, conductibilitatea este de
natur ionic la cmpuri mici i mijlocii i temperaturi uzuale, iar la cmpuri foarte
intense apare o conductibilitate de natur electronic care se suprapune peste prima.
Conductibilitatea ionic este cauzat de ionii care primesc n decursul timpului o
energie suficient, generat de vibraiile reelei, astfel nct prsesc nodul reelei i
migreaz fie ntr-un interstiiu, fie ntr-un alt nod vacant. Ali purttorii de sarcin
provin de la ionii impuritilor care formeaz defecte ale reelei cristaline. Defectele
de reea sunt de dou feluri:
Defecte interstiiale (de tip Frenkel). Acestea constau n faptul c n interstiiul
dintre atomii din 4 noduri vecine se poate situa atomul unei impuriti care
deformeaz reeaua. Atomul impuritii este foarte slab legat de reea.
Defecte de substituie (de tip Schottky). Acestea apar n timpul procesului tehno-
logic de elaborare a dielectricului solid, fie prin migrarea unui ion dintr-un
nod spre periferia reelei atomice, fie prin situarea unui atom de impuritate
ntr-un nod al reelei de baz. i n acest caz defectele sunt slab legate de reea.
Ionii care formeaz defecte fiind mai slab legaii de reeaua cristalin, se depla-
seaz local prin difuzie n absena unui cmp electric exterior, iar n prezena unui cmp
electric exterior ei au i o component ordonat i particip la conducia electric.
Expresia general a conductivitii dielectricilor solizi este de forma:
W
= 0 e kT (2.25)
unde 0 este o constant, iar energia W este constituit din energia corespunztoare
barierei de potenial (numit i energie de activare) U i energia necesar formrii
defectelor Wdefect. Deci avem:
W = U + Wdefect (2.26)
Din relaia (2.25) rezult c:
conductivitatea electric a dielectricilor solizi crete sensibil cu temperatura.
Variaia conductivitii electrice cu temperatura este prezentat n fig. 2.22.
Din grafic se constat c n domeniul temperaturilor uzuale conductivitatea
este predominant ionic, iar la temperaturi mai mari, apare i conductivitatea
electronic. Cu Tc s-a notat temperatura critic peste care se schimb structura
i calitile electroizolante ale dielectricului.
conductivitatea electric a dielectricilor solizi nu depinde de intensitatea E a
cmpului electric, n domeniul cmpurilor mici i mijlocii. La cmpuri mari
V
(peste 106 ) conductivitatea electric depinde de intensitatea cmpului
m
electric conform legii lui Poole.
Fig. 2.22
Dependena
conductivitii electrice
de temperatur n cazul
dielectricilor solizi
pi
i
P = lim = np = n E (2.28)
V 0 V
La nivel macroscopic vectorul total de polarizaie poate s fie de dou feluri:
vector de polarizaie temporar Pt (caracterizeaz corpurile ce conin molecule
nepolare i are valori diferite de zero numai atunci cnd intensitatea cmpului
electric exterior este diferit de zero);
vector de polarizaie permanent Pp (caracterizeaz corpurile ce conin molecule
polare i are valori nenule i atunci cnd intensitatea cmpului electric
exterior este zero).
Avnd n vedere cele precizate anterior rezult pentru vectorul total de
polarizaie P expresia:
C
P = P t + Pp 2 (2.29)
m
ntr-un punct al unui mediu polarizat exist o relaie de legtur general ntre
C
vectorul total de polarizaie P , vectorul induciei electric D 2 i
m
intensitatea cmpului electric E :
D = 0 E + P (2.30)
n cazul corpurilor nepolare P = P t i relaia (2.30) devine:
D = 0 E + Pt (2.31)
Vectorul de polarizaie temporar Pt , pentru corpurile izotrope, nepolare,
avnd temperatura constant n toat masa lor se poate exprima sub forma:
Pt = 0 e E = P (2.32)
Din relaiile (2.31) i (2.32) rezult:
D = 0 (1 + e ) E = 0 r E = E (2.33)
unde = 0 r este permitivitatea absolut a mediului, iar r = 1 + e este
permitivitatea relativ.
innd cont de faptul c susceptivitatea electric e se poate scrie sub forma:
e = r 1 (2.34)
rezult pentru vectorul de polarizaie electric temporar urmtoarea expresie:
P t = P = 0 ( r 1) E (2.35)
Din punct de vedere practic este necesar i util s se stabileasc o legtur
analitic ntre mrimile specifice procesului microscopic de polarizare i cele
specifice efectului macroscopic de polarizare. Aceast legtur se obine egalnd
expresiile vectorului total de polarizaie P n mrimi microscopice i respectiv
macroscopice. Pentru corpurile nepolare vom obine:
n E = 0 ( r 1) E (2.36)
de unde rezult:
n
r = +1 (2.37)
0
i:
n
e = (2.38)
0
Determinnd pe cale experimental ( r ), respectiv (e) i admind c (n)
1
este egal cu numrul lui Avogado N Av = 6,02 10 23 , se poate calcula cu
mol
aproximaie polarizabilitatea n cazul fiecrei specii de polarizare electric.
Speciile de polarizare electric sunt urmtoarele: polarizarea electronic,
polarizarea ionic, polarizarea dipolic i polarizare de relaxare (interfacil).
Deoarece mecanismele de polarizare difer de la o specie la alta, acestea vor fi
studiate separat.
2.3.2.1. Polarizarea electronic
Polarizarea electronic const n deplasarea centrului de greutate al tuturor
electronilor dintr-un atom fa de centrul de greutate al nucleului atomic, sub
aciunea unui cmp electric exterior. Ea are loc la nivelul atomului i are ca efect
apariia unui moment electric indus temporar p e .
Aceast polarizare este specific pentru gaze monoatomice (hidrogen), sau
pentru unele solide cum sunt: parafina, sulful, polistirenul etc.
Pentru studiul polarizrii electronice se poate considera ca model fizic un
atom izolat. Fie deci un atom izolat. Presupunem c, n absena unui cmp electric
exterior, sarcina electric a electronilor este repartizat uniform n jurul nucleului
ntr-o sfer de raz R. n acest caz , cnd E = 0 centrul de greutate al electronilor
coincide cu centrul de greutate al nucleului i la nivelul atomului nu exist
momentul electric indus temporar (vezi fig. 2.23).
Curentul prin circuit este I i este defazat cu un unghi < naintea tensiuni
2
U . Curentul I are o component activ Ia i una capacitiv Ic :
I = Ia + Ic (2.70)
Componenta activ a curentului este n faz cu tensiunea i se obine cu relaia:
U
Ia = = UG (2.71)
R
d
unde sa notat cu R = rezistena dielectricului, iar cu G conductana dielec-
A
tricului.
Componenta capacitiv a curentului este defazat cu naintea tensiunii i
2
este dat de relaia:
Ic = j U C (2.72)
n relaia (2.72) cu C sa notat capacitatea condensatorului real care este mai
mare dect capacitatea C0 a condensatorului ideal i anume:
A
C
= d = = r = ' (2.73)
C0 0 A 0
d
unde este permitivitatea absolut a dielectricului, iar r este permitivitatea relativ
a acestuia.
Avnd n vedere cele precizate anterior relaia (2.70) devine:
I = Ia + Ic = U G + j U C =
G
= U G + j U C0 ' = j C0 U + ' =
j C0
G
= j C 0 U ' j (2.74)
C 0
Dac n (2.74) se noteaz:
G
= '' (2.75)
C0
rezult c:
( )
I = j C0 U ' j ' ' = j C0 U (2.76)
unde reprezint permitivitatea complex, avnd componenta real egal cu
permitivitatea relativ r, deci o msur a fenomenului de polarizare, iar componenta
imaginar:
G 1 A
'' = = = = = const. , (2.77)
C0 R C0 d C0 0
adic o msur a conductivitii a dielectricului.
Factorul de pierderi este:
''
tg = '
= '
= tg (2.78)
0
Factorul de pierderi tg crete proporional cu componenta activ a curentului.
n consecin este corect s se aprecieze calitatea dielectricului dup valoarea compo-
nentei imaginare . Aa de exemplu dac un dielectric are 1' = 10 i tg 1= 0,02, iar
altul are '2' = 2 i tg 2= 0,04, cel de al doilea este mai avantajos n exploatare
pentru c are coeficient de pierderi mai mic dect primul ( '2' = 0,08 < 1' ' = 0,20 ).
Att r ct i tg se determin experimental cu puni Schering de nalt
tensiune la f = 50 Hz sau cu puni de joas tensiune la frecvene nalte.
2.3.3.2. Expresia general a pierderilor de energie n dielectrici
n general, dielectrici prezint ambele tipuri de pierderi, factorul total de
pierderi fiind:
tg = tg h +tg (2.79)
Exist ns i unele cazuri particulare. Astfel dielectricii nepolari au pierderi
prin isterezis neglijabile, adic tg h 0 iar tg = tg . Dielectricii polari sau cei
neomogeni (ca i la feroelectrici) au pierderi prin conducie neglijabile, adic tg =
0 iar tg = tg h.
Puterea activ total absorbit de la reea de ctre un dielectric, putere care se
transform n cldur, este dat de relaia:
P = Pj + Ph (2.80)
unde Pj este puterea activ corespunztoare efectului JouleLenz avnd expresia:
U2 U2 A C C
Pj = = = U2 = U2 = U2 = U2 C tg (2.81)
R d d '
0
A
iar Ph este puterea activ datorat isterezisului i se obine cu relaia:
Ph = U 2 C tg h (2.82)
nlocuind (2.81) i (2.82) n (2.80) rezult:
P = U2 C (tg h + tg ) = U2 C tg (2.83)
Relaia (2.83) reprezint expresia general a pierderilor de energie n dielectrici.
Deoarece izolaiile mainilor i aparatelor electrice sunt dimensionate a
funciona la tensiunea i frecvena reelei (deci U = ct. i f = ct.), iar capacitatea C a
izolaiei este de asemenea constant prin construcie, rezult c pierderile de energie
electric activ n izolaii sunt determinate de factorul de pierderi tg .
2.3.3.3. Scheme electrice echivalente ale dielectricilor
Orice dielectric poate fi reprezentat printr-o schem electric echivalent cu
parametrii concentrai R, C. Dac parametrii circuitului sunt corespunztori ca
valoare i conexiunea lor este potrivit aleas (serie, derivaie, sau mixt) se pot
obine scheme electrice echivalente dielectricului cu ajutorul crora s se determine
pe care teoretic caracteristici apropiate sau chiar identice cu cele experimentale.
Aceste scheme electrice echivalente ale dielectricilor nlesnesc mult studiul
comportrii dielectricilor n cmp electric alternativ.
a) Schema electric derivaie
n acest caz dielectricul este echivalent cu un condensator ideal de capacitate
Cp conectat n paralel cu o rezisten Rp n care se dezvolt aceleai pierderi de
energie activ ca i n dielectricul real. Schema electric echivalent i diagrama
fazorial sunt prezentate n fig. 2.37.
Tensiunea sinusoidal cu care se alimenteaz schema este:
u = Umsin t (2.84)
Cp
' = (2.89)
C0
Din (2.88) i (2.89) rezult factorul total de pierderi:
'' 1 1
tg p = = = (2.90)
' Cp R p Tp
unde Tp = CpRp este constanta de timp a circuitului derivaie.
Admitana echivalent a circuitului derivaie se obine cu relaia:
I 1
Yp = = + j Cp (2.91)
U Rp
Puterea activ absorbit de dielectric de la reea, innd seama de (2.90) este:
U2
Pp = = U 2 C p tg p (2.92)
Rp
Din (2.92) rezult c la tensiune i frecven constant pierderile de energie n
dielectric sunt determinate de factorul de pierderi tg p.
Schema electric echivalent derivaie corespunde foarte bine pentru reprezen-
tarea (modelarea) dielectricilor nepolari. Coeficientul de pierderi '' , permitivitatea
relativ ' i factorul de pierderi tg variaz cu frecvena (dup cum rezult din
(2.88), (2.89) i (2.90)) ca n fig. 2.38.
U U
I= = (2.93)
Zs 1
Rs +
j Cs
Admitana echivalent a circuitului serie se obine cu relaia:
1 1 1 Cs R Cs + j
Ys = = = = s =
Zs 1 j R s Cs j R s Cs + j
Rs + Rs
j Cs Cs
R s 2 C 2s j Cs
= + (2.94)
1 + R 2s 2
C 2s 1 + R 2s 2 C 2s
Admitana echivalent a dielectricului real este:
Y = C 0 '' + j C 0 ' (2.95)
Din (2.94)i din (2.95) rezult c:
Cs
Rs Cs
C0 r Ts
'' = 2
= (2.96)
1+ R 2s C 2s 1 + 2 Ts2
Cs
Co r
' = 2
= (2.97)
1+ R 2s C 2s 1 + 2 Ts2
unde Ts= RsCs este constanta de timp a circuitului serie.
Din (2.96) i (2.97) rezult c factorul total de pierderi este:
''
tg s == R s C s = Ts (2.98)
'
Puterea activ absorbit de dielectric de la reea este:
U R s U2 U2 R s U2 2 C 2s R s
Ps = U I cos = U = 2 Rs = = =
Z Z Z 2 1 1 + 2
R 2
C 2
Rs + 2 2 s s
Cs
U2 C s tg s
= (2.99)
1 + tg 2 s
Din (2.99) se constat c i n cazul schemei electrice echivalente serie, la
tensiune i frecven constant, pierderile de energie sunt determinate de factorul de
pierderi tg s.
Schema electric echivalent serie se preteaz pentru reprezentarea (studiul)
dielectricilor slab polari (care prezint pe lng polarizarea electronic i ionic i o
polarizare dipolic).
Reprezentnd grafic pe ", ' i tg s n funcie de frecvena tensiunii de
alimentare se obin caracteristicile din fig. 2.40.
Din grafic rezult c pentru ( = 0) i pentru ( = ) coeficientul de pierderi
1
( '' = 0), iar la = acesta are un maxim. Pe de alt parte permitivitatea '
Rs Cs
scade odat cu creterea frecvenei.
n intervalul de frecven (1, 2) nu este indicat utilizarea dielectricului n
exploatare deoarece:
coeficientul de pierderi '' atinge un maxim i deci dielectricul se nclzete
suplimentar;
permitivitatea relativ ' nu mai este constant i deci nu mai sunt valabile
relaiile pentru regimul sinusoidal.
Fig. 2.40 Variaia mrimilor , i tg s cu frecvena n cazul schemei electrice
echivalente serie.
Dac prin determinri experimentale se obin pentru un dielectric caracteristici
similare celor din fig. 2.40 rezult c el poate fi reprezentat prin schema electric
echivalent serie.
c) Scheme echivalente mixte
Scheme electrice cu parametrii R i C n conexiune mixt se utilizeaz pentru
studiul dielectricilor neomogeni sau a dielectricilor polari.
Astfel pentru studiul dielectricilor polari omogeni se poate utiliza schema
electric echivalent din fig. 2.41.
Admitana echivalent a circuitului din fig. 2.41:
Y = Y1 + Y2 (2.100)
unde:
Y1 = j C1 (2.101)
i
1 C 2 ( R 2 C 2 + j)
Y2 = = (2.102)
1 1 + 2 R 22 C 22
R2
C2
sunt admitanele circuitelor componente. Admitana total devine:
2 R 22 C 22 C2
Y= + j ( C1 + ) (2.103)
1 + 2 R 22 C 22 1 + 2 R 22 C 22
dac n (2.103) se nlocuiete constanta de timp a circuitului serie ( T2 = R 2 C 2 ) i
se egaleaz termenul real i cel imaginar, cu termenii respectivi ai admitanei
dielectricului real din relaia (2.95) se obine:
C C 1
' = C1 + C2 (2.104)
0 0
1 + 2 T22
i
C2 T2
' ' = C0
(2.105)
1 + 2 T22
respectiv factorul de pierderi:
' ' C 2 T2
tg = = (2.106)
' C1 (1 + 2 T22 ) + C 2
Din (2.107) rezult c la frecvene foarte mici, cele dou capaciti apar ca
fiind conectate n derivaie, (deci R2=0) adic pierderile sunt nule. La fel rezult din
(2.108) c la frecvene foarte mari dielectricul prezint numai capacitatea C1 i
pierderile de asemenea nule.
Din (2.104), (2.105) i (2.106), observnd c C 2 / C 0 = ,s C1 / C 0 = ,s ,
se obine:
, ,s ,
, = + (2.109)
1 + 2 T22
i
( ,s , ) T2
' ' = (2.110)
1 + 2 T22
respectiv:
, ,
' ' ( s ) T2
tg = = , (2.111)
' s + , 2 T22
'
'
'
'
=
( )
d(tg ) ,s , (,s , 2 T22 ) T2
=0 (2.112)
d (
,s + , 2 T22
2
)
de unde, cum ( ,s ) este totdeauna diferit de ( , ), rezult c:
,s , 2 T22 = 0
i deci:
1 ,s
= (2.113)
T2 ,
nlocuind (2.113) n (2.111) se obine valoarea maxim
( ,s , )
(tg )max = (2.114)
2 ,s ,
a factorului de pierderi pentru dielectricii polari omogeni.
Pentru studiul dielectricilor neomogeni se pot adopta diverse scheme electrice
echivalente mixte, ca de exemplu cele din fig. 2.43.
1 2 ( T1 T2 T T1 T T2 ) (T1 + T2 T + 2 T T1 T2 )
Y= + j
(1 + 2 T 2 ) (R1 + R 2 ) (1 + 2 T 2 ) (R1 + R 2 )
(2.118)
Identificnd termenii din (2.118) cu admitana dielectricului real (2.95) rezult:
T1 + T2 T + 2 T T1 T2
, = (2.119)
(1 + 2 T 2 ) (R1 + R 2 ) C 0
i:
1 2 (T1 T2 T T1 T T2 )
,, = (2.120)
(1 + 2 T 2 ) (R1 + R 2 ) C 0
Din (2.119) i (2.120) pentru ( = 0 ) i ( ) rezult:
T1 + T2 T
s, = (2.121)
C 0 (R1 + R 2 )
i
T1 T
, = (2.122)
C 0 (R1 + R 2 ) T
astfel c (2.119) i (2.120) se pot scrie:
,s ,
, = , + (2.123)
1 + 2 T 2
i
(,s , ) T , T
,, = + (2.124)
(1 + 2 T 2 ) T1 T2
Comparnd (2.123) i (2.124) cu valorile respective din (2.109) i (2.110),
unde T2 reprezint de fapt constanta T a circuitului echivalent, rezult c pentru
dielectricul stratificat se obine acelai ( , ) i deci variaia sa cu ()este aceeai ca
i n fig. 2.42. n schimb ( ,, ) difer fa de cazul precedent prin termenul:
, T ,,
= (2.125)
T1 T2
unde indicele () sugereaz c acesta depinde de conductivitatea echivalent (),
deoarece innd seama de (T), (T1), (T2) rezult:
, T 1
= = (2.126)
T1 T2 C 0 (R1 + R 2 )
deoarece (1/RC) are dimensiunea de [m]-1 ca i conductivitatea electric (). Prin
urmare (2.124) devine:
(, , ) T
,, = s + (2.127)
1 + 2 T 2
astfel c factorul de pierderi rezult:
,, ( ,s , ) T /
tg = = + (2.128)
, ,s + , 2 T 2 ( ,s , )
, +
1 + 2 T 2
Pentru tensiuni (U < Uc) unghiul () format de tangenta la curba I = f(U) este
constant.
Pentru tensiuni (U > Uc) unghiul () crete, astfel nct la (U = Us) se obine
( = ) iar (tg = ).
2
Dar tangenta la curb este:
I 1
tg = = = const. (2.132)
U R
Rezult c rezistena (R) a dielectricului este nul, adic conductana acestuia
1
( G = ) este nelimitat.
R
Curentul I din circuitul dielectricului va fi limitat doar de parametrii sursei de
alimentare. Tensiunea Us se numete tensiune de strpungere. Raportul ntre tensiunea
de strpungere Us i distana dintre electrozii ntre care este plasat dielectricul este
rigiditatea dielectric.
U kV
E s = s ef (2.133)
d m
Determinat n condiii date ea este o constant de material. Sunt ns necesare a
fi fcute urmtoarele precizri:
Dac rigiditatea dielectric este determinat n condiii ideale i anume:
- cmp electric uniform,
- frecvena de 50 [Hz],
- temperatura constant,
- grosimea i suprafaa dielectricului s fie suficient de mari pentru a se
obine suficieni purttorii de sarcin, atunci experimental se va obine tot
timpul aceeai valoare numit rigiditate dielectric intrinsec.
Dac rigiditatea dielectric se determin n condiii reale atunci experimental
se vor obine valori apropiate dar nu identice i vom vorbi de o rigiditate
dielectric tehnic.
Cei mai importani factori care influeneaz strpungerea unui dielectric sunt
urmtorii:
Frecvena, forma i durata de aplicare a tensiunii. n acest sens cablurile electrice
se ncearc la tensiune continu, aparatele i echipamentele electrice de nalt
tensiune se ncearc la tensiune alternativ cu frecvena de 50 [Hz], iar
mainile i transformatoarele electrice se ncearc la impulsuri de tensiune
avnd forma din fig. 2.47. Creterea tensiunii continue sau alternative se poate
face continuu cu o vitez prestabilit, sau n trepte de tensiune cu o durat de
pstrare a fiecrei trepte.
Forma, dimensiunile i conductivitatea termic a electrozilor metalici.
Omogenitatea, umiditatea , grosimea dielectricului, la care se adaug coninutul
de incluziuni de gaze i prezena elementelor de contaminare a dielectricului.
Presiunea, temperatura i umiditatea mediului ambiant.
Studiul strpungerii dielectricilor se face n funcie de starea de agregare a
acestora.
Fig. 2.47 Impuls de
tensiune utilizat la ncercarea
unei maini electrice
q
fa fa
a)
a)
b)
Fig. 2.52 Explicativ privind strpungerea termic a dielectricilor solizi
Admitem c toat cldura dezvoltat n volumul canalului n unitatea de timp
Q = B1 E2 ea(m 0 ) (2.142)
este egal cu cldura disipat spre mediul exterior prin suprafeele frontale ale
canalului aflate n contact cu electrozii metalici.
Q' = B2 (m 0 ) (2.143)
n relaiile (2.142) i (2.143) (B1), (B2) i (a) sunt constante.
Ecuaia ( Q = Q' ) se rezolv grafic (vezi fig. 2.52.b).
Pentru 3 tensiuni de alimentare (U1), (U2) i (U3) se obin exponenialele
(Q1), (Q2) i (Q3).
Dac dielectricul este supus tensiunii (U1), curba (Q1) se intersecteaz cu
dreapta (Q) n punctul stabil de funcionare (A) i n cel instabil (B). ntre (A) i
(B) funcionarea nu este posibil (dect dac dielectricul ar fi nclzit suplimentar
din exterior). La tensiunea (U2) curba (Q2) este tangent la dreapta (Q) n (C) i
dielectricul se afl la limita tensiunii de strpungere termic.
n punctul (C) se poate scrie c:
dQ dQ'
= (2.144)
dm dm
Din (2.142), (2.143) i (2.144) rezult c:
B1 E2 a ea( m 0 ) = B2 (2.145)
Comparnd relaia (2.145) cu relaia ( Q = Q' ), adic:
B1 E2 ea( m 0 ) = B2 (m 0 ) (2.146)
rezult c:
1
a= (2.147)
m 0
Constantele (B1) i (B2) din relaia (2.146) au expresiile:
B = 0,24 d e a(m 0 ) = 0,24 d i
1 0 (2.148)
B2 = (2.149)
d +
n care: () este transmisivitatea termic a electrozilor metalici, () este conductivitatea
termic a tubului considerat i () este conductivitatea electric a tubului considerat.
U2st
nlocuind (2.147) n (2.145) i innd cont de faptul c E2 = rezult c:
4 d2
U2st
B1 a e = B2 (2.150)
4 d2
i deci
4 d2
4 d2 B 2 d + = d
Ust = = =
B1 a e 0,24 d 0 a e 0,6 0 a e (d + )
(2.151)
=
0,6 0 a e (1 + )
d
Relaia (2.151) se poate scrie i sub forma:
A
Ust = (2.152)
C
B (1 + )
d
unde (A), (B) i (C) sunt constante, iar (d) este grosimea dielectricului.
Pe baza relaiei (2.152) se poate reprezenta grafic variaia tensiunii de
strpungere termic n funcie de grosimea dielectricului (vezi fig. 2.53.a).
Din grafic se observ c tensiunea de strpungere termic tinde spre o valoare
constant cnd grosimea dielectricului crete. n consecin cnd grosimea
U
dielectricului crete rigiditatea dielectric Es = s scade (vezi fig. 2.53.b).
d
Deci n aplicaiile practice ntrirea izolaiilor nu trebuie s se fac prin
creterea grosimii acestora ci prin schimbarea i alegerea corespunztoare a
dielectricului.
Dac dielectricul este alimentat cu tensiune alternativ influena grosimii
asupra tensiunii de strpungere Ust rmne aceeai, iar n plus mai apare i influena
frecvenei. Ust scade puin cu creterea frecvenei.
a) b)
Fig. 2.53 Influena grosimii dielectricului solid asupra tensiunii de strpungere
termic i rigiditii dielectrice.
Capitolul 3
MATERIALE SEMICONDUCTOARE
b)
n figura 3.1.a (WF) este energia nivelului limit Fermi, (WC) este energia
primului nivel al zonei de conducie, (WV) este energia ultimului nivel al zonei de
valen, iar (Wb) este energia de activare. n zona de valen conform principiului
lui Pauli pe fiecare nivel de energie exist doi electroni de spini opui.
S considerm reeaua cristalin a Ge (vezi fig.3.1.b). La 0[K] cei patru
electroni de valen ai unui atom formeaz legturi covalente prin asociere cu patru
electroni de valen ai atomilor vecini. Structura zonelor de energie este cea
prezentat anterior.
Dac temperatura crete la o valoare oarecare (de ex. 300 [K]) datorit
agitaiei termice este posibil ca energia unui electron de valen s devin egal sau
mai mare dect (Wb) i electronul face un salt cuantic n zona de conducie acesta
este aa numitul efect intrinsec. Electronul fiind liber, sub aciunea unui cmp
electric exterior particip la conducia electric. n legtura de valen i respectiv n
zona de valen de unde a plecat electronul, rmne un loc vacant, un gol, care
poate fi echivalat cu o sarcin pozitiv egal n valoare absolut cu sarcina electro-
nului. Golul poate fi ocupat de ctre un alt electron de valen, care las un gol n
urma sa, .a.m.d.
Sub aciunea unui cmp electric exterior golurile se deplaseaz n sensul
cmpului, iar electronii n sens invers cmpului. Prin urmare la conducia electric
particip dou feluri de purttori de sarcin adic electroni i goluri. n zona de
valen, sub aciunea cmpului electric exterior electronii sar de pe nivelele
inferioare pe cele superioare, respectiv golurile se deplaseaz invers. Electronii din
zona de conducie se numesc purttori de sarcin de tip n, iar golurile din zona de
valen se numesc purttori de sarcin de tip p. La un semiconductor intrinsec
concentraia electronilor din zona de conducie este egal cu concentraia golurilor
din zona de valen:
n = p = ni (3.1)
a)
Fig.3.2 Reeaua cristalin i
structura zonelor de energie
la 0 [K] n cazul unui
semiconductor extrinsec
acceptor b)
Semiconductorii donori se obin prin impurificarea siliciului i a germaniului
cu elemente pentavalente ca: P, As, Sb etc.
Se consider reeaua atomic a Ge n care exist un defect de substituie realizat
prin prezena unui atom de Sb (vezi fig. 3.3.a.).
Din fig. 3.3.a. se observ c numai patru dintre electronii de valen ai atomului
Sb formeaz legturi covalente cu cei patru electroni de valen ai atomilor vecini
de Ge. Al cincilea electron de valen al atomului de Sb rmne slab legat de atom.
Structura zonelor de energie la 0 [K] este cea din fig. 3.3.b. n fig. 3.3.b. cu (Wn) s-a
notat energia de activare a electronului excedentar al Sb, cu (d) s-a notat nivelul de
energie pe care se afl electronul excedentar al Sb, nivel care se numete donor, iar
cu (Wb) energia de activare a germaniului. La creterea temperaturii electronul de
pe nivelul donor obine energia (Wn) i devine liber, iar atomul impuritii (atomul
donor) rmne ionizat pozitiv. Impuritile donoare pot fi activate uor astfel nct
la temperatura camerei concentraia electronilor n zona de conducie s fie suficient
de mare pentru ca sub aciunea unui cmp electric exterior s se obin conducia
electronic. Dac considerm i efectul intrinsec atunci electronilor din zona de
conducie li se mai adaug electronii ce provin din zona de valen. n zona de
valen rmne de asemenea una numit numr de goluri.
a)
Fig. 3.3. Reeaua cristalin
i structura zonelor de
energie la 0 [K] n cazul
unui semiconductor
extrinsec donor b)
ntr-un semiconductor donor electronii constituie purttorii majoritari, iar
golurile purttorii minoritari. Semiconductorii donori se caracterizeaz prin apariia
conduciei electrice ncepnd ns de la cele mai mici valori ale intensitii
cmpului electric aplicat.
Fig.3.7 Formarea
diodei cu contact
punctiform.
3.4.1. Tranzistorul
De cnd Bardeen, Brattain i Shockley au inventat tranzistoru1 n 1948, s-a
dezvoltat furtunos o nou ramur n electronic - electronica semiconductore. Au
fost create de atunci zeci de tipuri de tranzistori, astfel ca n rndurile de fa, ne
vom mrgini n a expune doar principiile de funcionare ale unui tranzistor, (p-n-p),
obinut prin montarea a dou diode semiconductoare n opoziie (fig.3.11): o diod
este polarizat n sens direct (emiterul), iar cealalt n sens invers (colectorul).
Regiunea din mijloc a tranzistorului (baza) este legat n circuit printr-un contact
fcut cu un strat metalic. S analizm pe scurt mersul curenilor. n prima diod are
loc o injecie de goluri din regiunea p n n (Iep) i o injecie de electroni din n
n p (Ien) fiind generai doi cureni care se adun.
Ie = Ien + Iep (3.9)
Fig.3.14.
Fig.3.15
n fig. 3.16 este indicat, pentru diferite tipuri de gaze, variaia rezistenei
senzorului cu concentraia gazului. Cu linie punct a fost prezentat nivelul rezistenei
senzorului cnd el se gsete plasat n aer curat (fr gaze).
Fig.3.16
Variaia raportului: RA/RG (unde RA este rezistena senzorului n aer curat iar
RG reprezint rezistena senzorului n aer contaminat) n funcie de temperatura de
lucru a senzorului, cnd concentraia gazului este constant, este prezentat n fig.
3.17. Au fost trasate caracteristicile pentru un senzor avnd raportul ntre masele
componentelor SnO2 i TiO2 de 2:1.
Fig.3.17
Fig.3.18.
Fig.3.19.
Variaiile rezistenei electrice n funcie de umiditatea relativ a senzorului tratat
sau netratat cu KOH sunt prezentate n fig. 3.21. Timpul de rspuns al senzorului la
schimbarea brusc a umiditii relative a mediului n care este el plasat rezult din
diagrama artat n fig. 3.22. n fig. 3.23 este prezentat dependena rezistenei
electrice de frecven, cnd umiditatea relativ i temperatura de lucru rmn
constante. Rezultatele testului de degradare a senzorului sunt sintetizate n fig. 3.24.
Curba A, a fost ridicat pentru senzorul martor; curba B, a fost ridicat pentru un
senzor care a funcionat 100 de zile n atmosfer obinuit, iar curba C corespunde
unui senzor care a funcionat 100 de zile ntr-o atmosfer cu temperatura de 400C i
umiditate relativ de 95%.
Fig.3.20.
Fig.3.21
Fig.3.22
Fig.3.23.
Influena altor gaze (etanol, fum de tutun) asupra comportrii senzorului de
umiditate se poate deduce din diagrama prezentat n fig. 3.25.
Dup cum rezult din analiza tuturor diagramelor de mai sus senzorul de
umiditate pe baz de TiO2-SnO2 rspunde tuturor cerinelor avute n vedere (simplitate
constructiv, robustee, histerezis redus, selectivitate ridicat, stabilitate ridicat a
proprietilor n timp, timp de rspuns relativ redus etc.).
Fig.3.24. Fig.3.25
Cureni mari
II
Zon neliniar
JN
Cureni mici
ohmic
Zon
En EN EC
Cntrirea procentual
Mcinarea i amestecul n
Adugare de liani organici
faz lichid
Uscarea
nclzire uoar
Uscare
nclzire la 700 C
Mcinarea uscat
Cernerea
Presarea
Sinterizarea la 1250 C
Metalizare
Fig. 3.28. Procesul de fabricare a unui
(depunerea electrozilor)
varistor.
a) Ciclul termic de sinterizare;
Acoperirea suprafeei laterale b) Ciclul termic de recoacere.
cu rin i polmerizarea ei
Tensiunea de prag depinde n mod esenial de dimensiunea granulaiei pulberii de oxid
metalic. n general, dac se dorete obinerea unui varistor de bun calitate
trebuie avute n vedere urmtoarele aspecte :
Controlul proprietilor materiilor prime care intr n compoziie (puritate,
reactivitate chimic, repartiie granulometric, densitate etc.);
Prepararea unei pudre omogene;
Respectarea parametrilor tratamentelor termice;
Controlul permanent al atmosferei din cuptor n timpul nclzirii;
Natura electrozilor;
A. Operaiile procesului de fabricaie
Oxizii utilizai ca materie prim se prezint sub form de pudre cristaline.
Dimensiunile cristalelor sunt variabile, n funcie de tipul oxizilor, dar rmn
inferioare valorii de 10 m, cristalele de ZnO fiind baza compoziiei. Etapele
fabricaiei sunt prezentate n diagrama din figura 3.28.
Cntrirea
Cntrirea componentelor se efectueaz cu o balan cu o precizie de 0,1 mg.
Compoziia chimic iniial a unui varistor este prezentat n tabelul 3.1, conform
unei reete proprietate a companiei franceze SOULE S.A. i obinut la
L.G.E.Toulouse, masele fiind raportate la 500 g de amestec. Rolul fiecrui
component va fi detaliat ulterior.
Tabelul 3.1. Compoziia chimic iniial a unui varistor.
Substan Procentaj [%] Mas [g] la 500 g amestec
ZnO 82,25 411,28
MnO2 0,75 3,75
Cr2O3 1,32 6,601
Co3O4 2,09 10,457
NiO 0,648 3,244
Bi2O3 4,047 20,235
Sb2O3 8,862 44,345
B2O3 0,0756 0,378
MgO 0,0438 0,219
Al(NO3)9 0,0260 0,130
Mcinarea
Dup cntrire, oxizii sunt mcinai ntr-un cilindru cu bile. Aceast operaie de
amestecare se face mult mai uor n faz lichid, prin adugarea de ap distilat
i agent de polimerizare organic. Aceast operaie dureaz n jur de 30 de ore.
nclzirea uoar, uscarea i mcinarea uscat
Pasta obinut n etapa precedent este uscat prin expunere deasupra unei plci
nclzite, sau ntr-o etuv, pn la evaporarea complet a apei.
Dup aceast operaie, pudra rezultat care are o granulaie neuniform trebuie din
nou mcinat, dar de aceast dat se face o mcinare uscat care dureaz cteva
ore. nainte de mcinare pudra este din nou supus nclzirii, de data aceasta la
700 grade C.
Cernerea
Dup mcinarea uscat se face cernerea cu scopul de a separa granulele din pudr
cu o dimensiune mai mare de 200 m. Aceasta are ca principal scop facilitarea
umplerii formelor i apoi presarea pudrei n aceste forme.
Presarea
Pudra este turnat ntr-o form cilindric i apoi presat la 400 600 barr.
Dimensiunile pastilelor ce se vor obine sunt stabilite n funcie de curentul nominal
(diametrul) i tensiunea de prag (nlimea pastilei) ce se doresc a fi asigurate.
Sinterizarea
Aceasta este operaia cea mai important, deoarece de parametrii ciclului termic
depind foarte mult reaciile fizico-chimice ntre diferitele elemente constituente,
structura i proprietile varistorului.
n prima faz are loc o cretere cu un gradient mic a temperaturii (n 10 ore),
pn la 400C, temperatur care se menine constant timp de 3 ore. n aceast faz
are loc eliminarea oricror urme de ap. Urmeaz apoi creterea pn la 840 C, cu un
palier de cel puin o or la aceast temperatur. n aceast faz se realizeaz structura
cristalin a materialului. n ultima faz are loc din nou o cretere la 1250 C i apoi o
rcire lent pn la temperatura mediului ambiant. Datorit numrului mare de
constituani i etapelor procesului termic precum i a temperaturilor mari, cunoaterea
fizico-chimic a proceselor din interiorul varistorului este nc imperfect.
n timpul nclzirii la 1250 C are loc o evaporare total a oxizilor aditivi, n
primul rnd a oxidului de bismut. nclzirea varistorului este evident neuniform, ea
fiind mai important la suprafa dect n centru.
n urma acestei operaii se constat o reducere a volumului iniial al pastilei
cu circa 20%, deci o cretere a densitii spre densitatea teoretic de 5,7 kg/m3.
Densitatea ajunge la 98-99% din aceast valoare teoretic. Acest fapt va fi
evideniat i prin dimensiunea final a pastilei (diametrul scade cu 10% la toate
erizare; seriile fabricate iar nlimea scade cu 15%).
oacere. Procesul de sinterizare la cald mpreun cu cel de coacere sunt reprezentate
grafic n figura 3.28 a), i b).
Depunerea electrozilor
Dup sinterizarea eantioanelor, pe cele dou fee ale pastilei cilindrice se depune
prin serigrafie sau cu pensula o past conductoare, pe baz de Ag sau mai rar de
Al, aceste suprafee constituind electrozii pastilei sau cilindrului varistor.
Recoacerea varistorului
Pentru ca pasta de pe suprafeele frontale s devin metalic i deci s aib loc
formarea electrozilor pastilei, este necesar un tratament termic de recoacere la
peste 600 C, tratament prezentat n figura 3.28.b).
Acoperirea suprafeei laterale cu rin
Pe periferia eantionului se depune o rin epoxidic izolant. Aceast cptuire se
face cu scopul de a proteja varistorul contra aciunii mediului ambiant, a
agresiunilor chimice, dar mai ales pentru a evita conturnrile care pot aprea la
aplicarea unor ocuri de curent i tensiune de mare amplitudine.
n prealabil varistorul se nclzete la 220 C timp de 2-3 ore pentru ca rina s
adere perfect i s polimerizeze pe suprafaa lateral.
Dup aceast operaie varistoarele vor fi supuse testelor de caracterizare i
verificare a calitii, teste care vor fi ulterior prezentate.
B. Microstructura i proprietile fizice ale varistoarelor pe baz de ZnO
Varistoarele sunt n esen nite ceramici policristaline cu proprieti
semiconductoare.
Structura este relativ simpl, format din granule de ZnO separate prin spaii
intergranulare. Figura 3.29. prezint ceramica policristalin, aa cum este obser-
vabil ea la microscopul electronic.
Ri
L Rg
Ci
culoarea la 25C
Cantitate la 10 g
Temperatura de
Masa molar
Componenta
Tipul reelei
procentual
Compoziia
[% molare]
cristaline i
topire [C]
Densitatea
produs [g]
[g/cm3]
[g]
Hexagonal
ZnO 97,0 9,117 81,37 5,70 2000
Alb
Romboedric
Bi2O3 0,5 0,269 496,96 8,90 820
Galben
Romboedric
MnO2 0,5 0,050 86,94 5,03 535
Neagr
Cubic
Co3O2 0,5 0,139 240,80 6,07 1935
Neagr
Hexagonal
Cr2O3 0,5 0,088 151,99 5,21 2435
Verde
Cubic
Sb2O3 1,0 0,337 291,50 5,20 656
Alb
Tensiunea de prag (UN) a varistorului depinde de numrul de straturi inter-
granulare i deci de dimensiunile granulelor de ZnO. De asemenea, coeficientul de
neliniaritate i curentul de scurgere la tensiunea de serviciu (If) sunt influenai de
proporia oxizilor suplimentari folosii ca liani sau ca dopani.
n esen chiar conducia electric a varistorului este determinat de barierele
de potenial care se formeaz la nivelul spaiilor intergranulare.
Aditivii cei mai importani sunt cei precizai n tabelul 3.3., mpreun cu rolul
jucat de fiecare n ansamblul varistorului. Pe lng acetia, n structura varistoarelor
se introduc i o serie de dopani, cum ar fi: Cr, Sb, Ba, Ni, Ti, Al, Li, care sunt
prezentai n tabelul 3.4.
Tabelul 3.3. Influena unor aditivi asupra proprietilor varistorului
Componentu Utilitatea
l
Joac un rol esenial n manifestarea efectului de varistor,
adic a neliniaritii pronunate a caracteristicii curent-
tensiune.
Bi2O3 Observaiile la microscopul electronic [35] au artat c
bismutul se localizeaz ntre granulele conductoare electric de
ZnO, asigurnd o izolaie electric eficient. Concentraia de
Bi2O3 n pulberea iniial influeneaz valoarea curentului de
scurgere (If) i a exponentului de neliniaritate
Sunt oxizi indispensabili obinerii unei caracteristici puternic
neliniare.
Co3O4 MnO2 Rolul lor este de a dopa granulele de ZnO i deci de a deplasa
nivelul Fermi, modificnd structura sarcinii spaiale i
facilitnd micorarea nlimii barierei de potenial;
Oxidul de stibiu are rolul de a fixa Bi2O3 la temperaturi nalte
Sb2O3 i astfel limiteaz creterea dimensiunii granulelor de ZnO. n
acest fel este fixat tensiunea de prag VN pentru o anumit
nlime a pastilei varistorului.
Adugarea altor aditivi nu modific microstructura electronic a benzilor de
energie, dar contribuie la ameliorarea caracteristicilor electrice ale materialului
obinut. Astfel, dac oxizii de Sb i Cr limiteaz dimensiunile granulelor, Ti sau Si
favorizeaz creterea lor.
Tabelul 3.4. Influena unor elemente chimice asupra proprietilor fizico-
chimice ale varistoarelor, sau asupra celor electrice.
Elementul Proprieti fizico-chimice specifice Proprieti electrice specifice
Permite sinterizarea n faz
lichid;
Bi Concentraie ridicat a dopanilor Mrete curentul de scurgere
n spaiul intergranular;
Aderena la oxizii de Al.
Co Dopeaz granulele de ZnO
Mn Dopeaz granulele de ZnO
Limiteaz dimensiunea granulelor
Cr
de ZnO.
Limiteaz dimensiunea granulelor
Sb
de ZnO.
Crete dimensiunea granulelor de
Ti
ZnO
Crete dimensiunea granulelor de
Si
ZnO
B Stabilizeaz curentul n timp
Ni Reduce curentul de scurgere
Scade rezistivitatea electric;
Al
Crete tg
Ga, In,
Scad rezistivitatea electric
Zr
Li, K,
Cresc rezistivitatea electric
Na, Cu
Aluminiul, prin nitraii i oxizii si diminueaz rezistivitatea materialului, pe
cnd Li are un efect contrar. O sistematizare a influenei fiecrui component asupra
proprietilor fizico-chimice i a celor electrice este prezentat n tabelul 3.4.
Ameliorarea proprietilor electrice ale varistoarelor se poate face att prin
optimizarea concentraiei fiecrui constituent, ct i prin modificarea parametrilor
ciclului termic de sinterizare.
M. Matsuoka [34] a realizat nc de la nceputul anilor `70 un material varistor
care pe lng ZnO mai are doar 5 oxizi aditivi. Acest material este considerat de
referin, fiind admirabil prin simplicitatea compoziiei chimice i performanele
electrice obinute (avnd un coeficient de neliniaritate = 50, determinat ntre 1 i
10 mA. Tabelul 3.5. rezum evoluia coeficientului de neliniaritate n funcie de
numrul de aditivi i temperatura de sinterizare a ciclului termic.
Tabelul 3.5. Dependena caracteristicilor electrice de concentraia aditivilor i
temperatura de sinterizare.
Aditivi Temperatura Intensitatea
(n concentraie molar de 0,5 % de sinterizare electric de prag
fiecare) [C] Es [V/mm]
Bi2O3 1150 10 4
Bi2O3 Sb2O3 1150 65 3
Bi2O3 CoO 1250 30 13
Bi2O3 MnO 1350 50 18
Bi2O3 MnO CoO 1350 30 22
Bi2O3 MnO CoO Cr2O3 1250 48 21
Bi2O3 MnO CoO Cr2O3 Sb2O3 1350 135 50
dg
Jonciuni
intergranulare dg H
Granule de
ZnO
Diametrul varistorului
absorbie a energiei
(uniti relative)
1,0
Diametru ideal
0,5
1 2 3
nlimea varistorului (uniti relative)
MATERIALE CONDUCTOARE
Drept urmare, sub aciunea cldurii, ele prezint deformaii dinspre materialul
cu coeficient de dilataie liniar mai mare (1) spre cel cu coeficient de dilataie mai
redus (2). Sensibilitatea termobimetalelor creterea sgeii f cnd temperatura
crete cu 1 [K] este cu att mai mare, cu ct diferena (1-2) i lungimea
termobimetalului (l) este mai mare i grosimea (h) este mai redus. Ca materiale cu
coeficient de dilataie mic se utilizeaz aliajele Ni-Fe, cum este invarul (63,1 Fe;
36,1 Ni ; 0,4 Mn ; 0,4 Cu) care are 1,510-6 [K-1]. Cealalt component se realizeaz
din Fe, Ni, Cu, constantan, alam, etc., pentru care ia valori ntre 10-5 i 210-5 [K-1].
Se utilizeaz n construcia termometrelor pentru lichide i gaze, a termocompen-
satoarelor, pentru protecia instalaiilor electrice mpotriva suprasarcinilor etc.
Pentru construcia termocuplelor se folosesc astfel de materiale, nct t.t.e.m.
s aib valori mari (tab.4.6.), iar caracteristicile UT = f(T1) s fie liniare (fig.4.5.).
Dintre metale se utilizeaz Cu, Fe, Pt, iar dintre aliaje constantanul, copelul (56 Cu,
44 Ni), alumelul (95 Ni, 2 Al, 2 Mn, 1 Si), cromelul (90 Ni, 10 Cr), aliaje Pt-Rh (90
Pt, 10 Rh) etc. Temperaturile de utilizare a termocuplelor depind de natura compo-
nentelor: copel cupru intre -250 i 600 [C] , copel-fier ntre -200 i 1000 [C],
cromel-alumel ntre 0 i 1100 [C], platin platin + Rh pn la 1600 [C] etc.
Tabelul 4.6. Tensiuni termoelectromotoare fa de platin la o diferen de
temperatur de 100 [C] pentru diferite materiale.
Materialul t.t.e.m.[mV]
Constantan -3,47
Nichel -1,94
Paladiu -0,28
Platin 0,00
Platin 90%+Rhodiu 10% +0,65
Cupru +0,67
Argint +0,79
Aur +0,80
Manganin +0,82
Wolfram +0,90
Fier +1,89
Nichel-Crom +2,20
[
1 = 0 1 + 0 () (1 0 ) ] (4.18)
Fig.4.6 Influena
temperaturii i a
coninutului de nichel
asupra rezistivitii
cuprului
a) b)
Fig.4.8 Explicativa privind fenomenul termoelectric.
Fie 2 metale diferite (A) i (B). Considerm c metalul (A) are energia de
extracie a electronului din atom (A), iar metalul (B) are energia de extracie a
electronului din atom (B). La punerea n contact a celor dou metale dac (A < B),
are loc o difuzie a electronilor dinspre (B) spre (A). Difuzia are loc pn se atinge
echilibrul termodinamic cnd nivelele limit Fermi ale celor 2 metale coincid. La o
temperatur dat, la echilibru termodinamic, diferena de potenial care a aprut se
menine constant. Diferena energiilor de extracie este:
= B A = e(VB VA) = eUAB (4.24)
n relaia (4.24) UAB este tensiunea electromotoare de contact datorat
energiilor de extracie a electronilor din atom.
Fie aceleai dou metale diferite (A) i (B). Dac considerm c i
concentraiile de electroni (nA) i (nB) ale celor dou metale sunt diferite, i anume
(nA < nB), atunci aceasta este o nou cauz a difuziei electronilor dinspre (B) spre
(A) i apariiei a nc unei diferene de potenial:
K T n
U' ' AB = ln A (4.25)
e nB
innd seama de (4.24) i (4.25) diferena de potenial rezultant este:
U AB = U' AB +U' ' AB (4.26)
(UAB) se numete tensiune electromotoare de contact i depinde de temperatur.
Traductorul de temperatur a crui funcionare are la baz relaia (4.26) se
numete termocuplu sau traductor termoelectric i poate fi utilizat pentru msurarea
temperaturilor cuprinse ntre 10 [K] i cteva mii de [K].
Termocuplul se reprezint convenional ca n fig.4.9.
n fig.4.9, (1) este punctul cald (reprezint jonciunea), iar (2) sunt punctele reci.
Cu (T1) s-a notat temperatura punctului cald, iar cu (T2) temperatura punctelor reci.
MATERIALE MAGNETICE
Se constat experimental c:
M = m 0 H = m B ext , (5.6)
B
unde H reprezint intensitatea cmpului magnetic: H = .
0
Cmpul magnetic rezultant este atunci
B = 0 H + m 0 H = H ,
de unde se obine:
= 0 (1 + m ) . (5.7)
Deoarece r 0 = , se obine relaia dintre permeabilitatea magnetic
relativ r i susceptibilitatea magnetic m:
r= 1 + m . (5.8)
Dac se presupune c:
e B
<< 0 , (5.14)
2m
atunci din relaia (5.13) se obine:
e B
= 0 . (5.15)
2m
Semnul din faa lui 0 arat c acei electroni ai cror momente orbitale
erau paralele cu cmpul sunt ncetinii cu cantitatea:
e B
L = , (5.16)
2m
numit pulsaie Larmor, iar cei cu momentele antiparalele cu cmpul sunt accelerai cu
aceeai cantitate. Acest rezultat constituie teorema Larmor. Aceast schimbare de
frecven d natere la o polarizaie magnetic (magnetizaie). Drept urmare micarea
electronului este rezultanta a dou micri simultane:
micarea electronului n lipsa cmpului B ,
micarea de precesie a orbitei sale (deci a momentului cinetic orbital) n jurul
direciei cmpului, cu frecvena Larmor.
Dac atomul conine Z electroni, precesia acestora n jurul lui B este
echivalent unui curent electric circular avnd drept ax direcia lui B i care va da
natere unui moment magnetic:
L Z e 2 R 2
md = I S = Z e S = Z e R2 = B . (5.17)
2 4m
Deoarece, n cazul unei sarcini avnd o distribuie sferic:
2 2
R2 = r , (5.18)
3
unde r 2 este distana ptratic medie a electronului, va rezulta, dac n este numrul
de atomi din unitatea de volum, expresia magnetizaiei materialului diamagnetic:
n Z e2 r 2
Md = n md = B . (5.19)
6m
Susceptibilitatea magnetic are expresia:
Md Md n Z e 2 r 2
d = = = 0 . (5.20)
H B 6m
Acesta este rezultatul clasic, obinut de Langevin. Teoria cuantic a diamag-
netismului (Van Vleck, 1932) a condus la un rezultat asemntor.
Se observ c susceptibilitatea magnetic diamagnetic este independent de
temperatur. n plus, diamagnetismul este un fenomen cu caracter universal, n
sensul c el apare la toate corpurile. Faptul c el nu este observat dect la unele
materiale se explic prin aceea c n multe cazuri el este mascat de efectele para i
feromagnetice.
adic:
M = n m cos , (5.23)
unde cos este valoarea medie a lui cos , pentru toate unghiurile corespun-
ztoare echilibrului (fig. 5.6).
cos =
e kT cos d
, (5.24)
Wp
e kT d
La valorile alese p20 = 0,13 Mpa i h = 0,35 cm se obine US02 (2) = 502,0 kV>
> US02 (3) = 478,8 kV > US02(4) = 446,6 kV ; pe baza acestor date se poate construi
un model experimental al izolaiei respective (de comparat cu fig.6.10).
Mai rmne de controlat dac sistemul izolant complet posed tensiunea de
inere cerut:
U02m = US02(4) - u(4) In m = 466,6 kV 24,3 kV = 422,3 kV >UNS = 400 kV.
Diferen ntre U02m i UNS nu este aa de mare nct s devin oportun o
nou recalculare (fig.6.10).
n calcule similare se poate verifica dac ar mai trebui alese alte valori pentru
i dac s se ia n consideraie i ali coeficieni de siguran.
Eventual se pot alege valori diferite pentru distanele de conturnare i
distanele de gaz ( (2) > (3) = (4))).
Cu coeficienii de siguran se pot lua n consideraie incertitudinile tehno-
logice. Valoarea lor poate fi apreciat din scderea tensiunii de strpungere datorit
defectelor fixe sau mobile atunci cnd mrimea defectelor, care depinde de metoda
tehnologic aleas, este suficient de bine cunoscut.
11
3
2
5
1
4
2
2 1
9
5 6
3
Legend:
zon legat
la pmnt
zon izolant
zon cu SF6
zon sub
tensiune
Fig.6.15. Instalaie blindat cu hexafluorur de sulf; 1 - bare colectoare;
2 - separator de bare; 3 - separator de punere la pmnt; 4 - ntreruptor de putere;
5 - transformator de curent; 6-separator de linie; 7-transformator de tensiune;
8 - scurtcircuitor; 9 - muf terminal.
n exploatare se introduc, pe scar din ce n ce mai larg, instalaiile blindate
cu izolaie n hexafluorur de sulf.
n instalaiile blindate cu izolaie n hexafluorur de sulf sunt amplasate aparate
de acelai tip cu cele utilizate n instalaiile convenionale, cu adaptri mai mult sau
mai puin importante, n vederea funcionrii n condiii de etaneitate complet.
n fig.6.15. se prezint o instalaie blindat izolat cu hexafluorur de sulf,
realizat de ctre firma BBC, [10].
6.2. Materiale utilizate n generatoarele
magnetohidrodinamice (MHD)
Fr ndoial c una din cele mai importante aplicaii ale magnetodinamicii
fluidelor este posibilitatea de a obine energie electric direct din energia caloric,
fr a mai trece prin intermediul energiei mecanice. Aceast posibilitate se
realizeaz n generatorul MHD, [6, 7].
n esen, un generator MHD este alctuit dintr-un tub cilindric, n general cu
seciune dreptunghiular, avnd doi perei paraleli alctuii din material izolator i
ceilali doi de asemenea, cu excepia unor zone n care sunt aplicai doi electrozi
(medii perfect conductoare). n fig.6.16. a este dat schema unui astfel de generator.
Gazul ionizat este injectat din stnga cu viteza v0, iar n regiunea electrozilor
este aplicat un cmp magnetic omogen de inducie B0, orientat paralel cu electrozii
i perpendicular pe direcia de micare a gazului. Rolul acestui cmp este de a frna
micarea gazului i de a orienta sarcinile pozitive i negative spre cei doi electrozi.
Prin intermediul electrozilor, aceste sarcini sunt recepionate ntr-un circuit exterior,
obinndu-se astfel curentul electric. n producerea acestui fenomen s-a utilizat
numai energia caloric necesar nclzirii gazului, pentru a-l face conductor, de
aceea se spune c se obine energie electric pe cale direct. Evitnd transformarea
energiei calorice n energie mecanic i apoi a energiei mecanice n energie
electric, aa cum se face n toate generatoarelor de curent clasice, randamentul este
foarte mare (aprox. 70-80% faa de 40% ct rezult n generatoarele clasice). Dar
generatoarele MHD mai ofer i avantajul materiei prime fa de generatoarele
clasice. n primul caz, materia prim poate fi apa, care nclzit la temperaturi
ridicate se transform n gaz ionizat. Este adevrat c n momentul de fa aceast
problem nu este rezolvat din punct de vedere practic, dar fr ndoial ntr-un
viitor nu prea ndeprtat ea va cpta o soluie definitiv.
n prezent exist, se pare, dou procedee mai importante pentru obinerea
gazului ionizat:
Procedeul termic, care const din nclzirea gazului obinuit pn la tempe-
raturi nalte; dnd energie caloric gazului, crete energia sa cinetic, crete
agitaia molecular, ciocnirile ntre particule devin mai frecvente, electronii se
desfac din edificiile lor i apar astfel particule libere ncrcate cu sarcin
pozitiv i altele cu sarcin negativ ; gazul se ionizeaz. Teoria de baz a
ionizrii termice a fost dat de Saha n 1920 i extins apoi de ali cercettori.
Menionm n acest sens lucrarea lui Dewan .
Procedeul supratermic (neechilibrat) asemntor aceluia ce are loc n cazul
descrcrilor n gaze la presiuni joase.
n momentul de fa este mai rspndit ionizarea supratermic, dei mecanis-
mul ei este mai complicat. Totui, mai real i mai de viitor este ionizarea termic.
Majoritatea gazelor obinuite, aerul, CO, CO2, etc. au un potenial de ionizare
destul de mare i, prin urmare, termic, nu se ionizeaz atta timp ct nu se obin
temperaturi destul de ridicate. Totui, dac gazului i se adaug o cantitate nu mare
(de la 0,1 la 1%) dintr-o substan uor ionizabil, cum ar fi de exemplu vaporii
metalelor alcaline, atunci se poate obine un grad de ionizare mulumitor, chiar la
temperaturi joase. n fig.6.16.b este artat, dup Rosa, dependena conductivitii
i pentru argon cu adaos de 1% kaliu n funcie de temperatur pentru diverse
valori ale lui /0 (0 fiind densitatea la presiunea normal). Se vede deci c argonul
cu adausul de vapori de kaliu are o conductivitate vizibil pentru temperaturi n
jurul a 2000 [C], n timp ce argonul pur, pn la temperaturi n jurul a 4000 [C],
rmne practic neconductor.
Valoarea conductivitii gazului definete mrimea intensitii cmpului
magnetic care trebuie aplicat precum i dimensiunile generatorului. Pe fig.6.16.c
este indicat, dup acelai autor, dependena lungimii unui generator MHD de
putere 100 [MW], de intensitatea cmpului magnetic i conductivitatea gazului.
Orientativ s-a artat i valoarea temperaturii necesare pentru a obine conductivitatea
respectiv. Folosind acest grafic se poate evalua c pentru o lungime de 9 [m]
(lungimea maximal a unui generator), ntr-un cmp exterior de intensitate 10000
[gauss] (o valoare plauzibil) este nevoie de un gaz cu conductivitatea cel puin de
ordinul 1 [mho. m-1] i de o temperatur n jur de 2000 [C].
Alt problem legat de conductivitate este aceea a concentraiei optimale a
adausului. Este evident, dat fiind rolul pe care-l are drumul liberului parcurs n
formula care d conductivitatea, c exist o concentraie a adausului optim, care
depinde de natura gazului i a adausului. Dac se utilizeaz formula propus de Lin
Resler i Kantarowitz
q2 ni
= 0,532 (6.4)
m e k T ni Q i + n s Q s + n 0 Q 0
Qi, Qs i Qo fiind seciunile transversale, iar ni, ns i n0 concentraiile ionilor, atomilor
neutri ai adausului ionizat i atomilor neutri ai gazului de lucru (se face ipoteza,
valabil n general, c concentraia ionilor i electronilor este aceeai), q i me
sarcina respectiv masa electronului, T temperatura i k constanta lui Boltzmann, se
poate arta c n anumite condiii are o valoare maxim pentru ns Qs = n0 Q0.
Astfel, dac se folosesc vaporii de kaliu ca amestec ionizant (Qs = 3. 10-14cm2) i
argonul ca gaz de lucru (seciunea transversal mediat cu funcia de distribuie a
lui Maxwell este Q0 = 6 10-17 [cm2]) se gsete c are valoare maxim n cazul
unei concentraii de 0.2% a adausului de kaliu.
Mai sunt evidente i alte probleme practice legate de proiectarea i utilizarea
generatoarelor MHD. Astfel, este problema gsirii unui material refractar, care s-i
pstreze proprietile de rezisten mecanic la temperaturi de ordinul aceleia
(20000-50000) pe care o are gazul ionizat, din care s fie constituii pereii corpului
generatorului.
a)
b)
c)
Un Un Un
Un
n
Proprieti
Curent de
nul nul ridicat Sczut
scurgere la Un
tensiune de
Nivel de amorsare mare
redus ridicat Redus
protecie Np nivel de
protecie ridicat
Capacitate de
absorbie a ridicat ridicat sczut Ridicat
energiei
Timp de
rapid lent ( 10-6 s) mediu (< 10-8 s) rapid (< 10-9 s)
rspuns
Gama de
capacitate - 1 - 10 pF - 12 F - 50 F
[pF]
determinat
ntre ct mai mare - 3-6 25 - 70
1 i 10 mA
Pre de cost ct mai sczut sczut mare Mediu
medie i nalt
joas, medie i
orice domeniu joas i medie tensiune, circu-
nalt tensiune,
Domenii de de tensiune, tensiune, cu ite de for, cu
cu o arie de
aplicare CC sau CA, grad mare de domenii de
rspndire n
orice frecven rspndire aplicare n
expansiune
restrngere
medie ctre
Complexitate redus ridicat Medie
redus
Pentru a concluziona, comparnd proprietile tuturor acestor aparate de
protecie contra supratensiunilor cu varianta ideal, se constat c echipamentele
bazate pe tehnologia varistorilor cu oxizi metalici (ZnO) ndeplinesc cele mai multe
din aceste cerine.
Dar aceast categorie de echipamente prezint i dezavantaje, dintre care
menionm:
degradarea varistorului, reflectat n modificarea caracteristicii curent-tensi-
une dup trecerea fiecrei unde de supratensiune;
degradarea permanent a varistorului chiar n absena supratensiunilor (feno-
menul de mbtrnire), datorat trecerii n permanen a unui curent de
valoare extrem de mic prin varistor;
n timpul funcionrii, caracteristica curent-tensiune este foarte dependent de
temperatur, creterea ei fie datorit condiiilor microclimatice, fie datorit
efectului Joule - Lenz, antreneaz o cretere exponenial a curentului care
trece prin varistor. La limit se poate produce chiar o cretere necontrolat, n
avalan, care conduce la fenomenul de ambalare termic i la distrugerea
echipamentului.
Vs2
Vst Vs1
CLDIRE
IV 6 kV
Linie 220/380 Tablou III 4 kV II 2,5 kV I 1,5 kV
electric
contor Consumator
Priz casnic
A B C D
Neutru protecie
a) b) c)
Fig.6.22. Module de protecie clasa B i C
Alturi, n Fig.6.22. c). am prezentat i schemele electrice ale acestor module.
n Fig.6.23 sunt prezentate alte module de clasa B i C fabricate tot de ctre
firma DENA Desarrollos s.l. din Spania.
Modulele destinate proteciei n zona contactelor fi - priz (clasa D) sunt
prezentate n fig.6.24.
Fig.6.24. a). prezint un ansamblu compact priz ngropat n perete + modul
de protecie ncorporat.
n fig.6.24. b). sunt prezentate dou module de protecie, unul incorporat n
prelungitoare multipriz, cellalt aplicabil n exterior la orice priz, produse de ctre
firma MURATRON S.A. din Frana. Fig.6.23. c). i d). prezint un modul de
protecie, clasa D, aplicabil pe exteriorul oricrei prize produs de ctre firma DEHN
+SHNE Gmbh. mpreun cu schema sa electric.
Fig.6.23. Module de protecie clasa B i, respectiv C, produse de ctre
firma DENA Desarrollos s.l.
Toate aceste subansamble asigur protecia varistorului, elementul principal al
modulului. Unele module au, pe lng elementele anterioare, i indicatoare de funcio-
nare cu lmpi de Ne nseriate cu rezistene de limitare a curentului prin lamp, culorile
fiind: verde pentru serviciul permanent i rou pentru avarie. Pentru semnalizare se
utilizeaz i montaje serie rezisten + diod + LED, acestea nefiind ntotdeauna
fiabile i eficiente. Elementele schemelor electrice ale acestor echipamente sunt:
Varistorul cu rolul de a absoarbe energia ocului;
Descrctorul cu gaz, cu rol de deconectare a varistorului n regim permanent
de serviciu i fixare a tensiunii de amorsare a dispozitivului (n cazul supra-
tensiunilor de durat);
Blocul termobimetalic, cu rol de a deconecta ntregul ansamblu n caz de
cretere a temperaturii dup aplicarea unui oc (evit ambalarea termic a
varistorului);
Sigurana fuzibil, cu rol de a limita curentul de scurgere la valoarea standar-
dizat pentru a nu distruge varistorul.
a) b)
c) d)
Fig.6.24. Module de protecie clasa D.
Vom prezenta n continuare un modul de protecie contra supratensiunilor,
clasa D, produs de ctre S.C. PROTENERGO S.A. din Timioara.
Acest modul a fost conceput i proiectat integral de ctre autori, n cursul
anului 2001, fiind primul modul de protecie clasa D conceput i realizat n
Romnia. Este rezultatul direct al implementrii tehnologiei varistoarelor cu ZnO
ntr-un domeniu puin abordat de ctre fabricanii cu tradiie de la noi. Produsul este
omologat conform standardului de firm SF16/2001. A fost testat n cadrul
Laboratorului de nalt Tensiune al Facultii de Electrotehnic din Timioara i la
Laboratorul Gnie Electrique din Toulouse, fiind comercializat ncepnd cu luna
mai 2001. Pe piaa din Romnia exist la ora actual relativ puine produse similare,
din import, la preuri semnificativ mai mari. Produsul se numete Bloc Multipriz
protejat la Supratensiuni, BMS 01 i este prezentat n fig.6.25, n dou variante de
carcase. Asigur protecia contactului fi - priz, fiind localizat nainte de
consumator. Se prezint sub forma unui modul electronic de protecie nglobat ntr-
un bloc multipriz prelungitor, n execuie compact.
Fig.6.25. Blocul de protecie mpotriva supratensiunilor clasa D, fabricat de ctre
PROTENERGO S.A. Timioara. Variante constructive
Datele tehnice principale sunt:
Tensiune nominal: 220 - 250 V
Curent nominal maxim: 10 A
Putere vehiculat maxim: 2500 W
Frecvena nominal de alimentare: 50 - 60 Hz
Curent de scurgere (n regim de serviciu permanent): < 50 A
Nivel de protecie (und 8/20 s): 2,5 kV
Timp de rspuns: < 20 ns
Capacitate de absorbie n energie (und 8/20 s): 520 J
Temperatur de exploatare: -20 C+40 C
Lungime cablu: 1,5 m ( 5%)
Numr prize: minimum 3, n funcie de variant;
Blocul multipriz protejat la supratensiuni corespunde clasei D, conform DIN
- VDE 0675, i NFC 61740. Corespunde i SR CEI 60536: 1995.
Dintre multitudinea de soluii tehnice existente am optat pentru includerea
modulului de protecie n carcasa unui bloc multipriz avnd 4 prize, fiecare dintre
ele fiind prevzut cu fi de pmntare, conform STAS 8167/88, SR CEI
60884+A1:1997 i DIN 49441 R1.
Carcasa este prevzut cu un spaiu, avnd dimensiunile aproximative din
fig.6.23, destinat a adposti modulul de protecie, care trebuie interpus obligatoriu ntre
contactul fi - priz din perete i contactul fi - priz al consumatorului, nainte de
consumator.
Schema electric este alctuit, conform figurii 2.14 din:
trei varistoare V1, V2, V3;
trei sigurane fuzibile F1, F2, F3;
o lamp de neon;
o rezisten de 200 K, 0,5 W.
Cablajul, imprimat pe o plac de sticlotextolit cu dimensiunile 50 X 30 mm,
are configuraia din fig.6.26.
a) b)
6.30. Variante constructive pentru
descrctoare MT.
Se remarc diferena de gabarit ntre cele dou variante, ambele descrctoare
avnd aceleai performane.
n fig.6.31 prezentm o seciune printr-un descrctor XCL 24 S produs de
ctre ABB, destinat pentru funcionare la o tensiune nominal de 10 kV [16].
Acest descrctor are o anvelop de protecie din porelan nchis ermetic, n
care este introdus coloana de 6 varistoare cilindrice de ZnO, care constituie partea
activ. n interiorul descrctorului se afl aer la presiunea atmosferic. Aerul din
interior este meninut uscat, pentru a menine o rigiditate dielectric mrit, cu
ajutorul unor granule de silicagel introduse n corpul descrctorului.
Dispozitivele de etaneizare ale descrctorului se gsesc la ambele capete
ale descrctorului i sunt alctuite dintr-o membran pretensionat de oel
inoxidabil i o garnitur de cauciuc. Acest dispozitiv permite asigurarea unei bune
etaneiti, chiar dac ansamblul mbtrnete. Aceast membran joac i rolul
unui dispozitiv de egalare a presiunii. Pentru situaia unei avarii grave, cnd n
interiorul carcasei s-a depit presiunea de o atmosfer, aerul cu presiune este
evacuat prin distrugerea etaneitii membranei n zona interioar dintre porelan i
brid, fiind evacuat prin ajutajului de evacuare i supape. Este dizlocat i plcua de
semnalizare de la fiecare extremitate. Aceast avarie grav presupune distrugerea
unor blocuri varistoare i probabil apariia arcului electric n interior.
Racord superior
Brid
(aliaj de aluminiu)
Blocuri ZnO
Rondel
Plcu
indicatoare de Distanor
defeciune
Ecran termic
Anvelop de porelan
Ajutaj de evacuare
Resort de comprimare
Garnitur de cauciuc
Brid
Dispozitiv de
etaneitate
Dispozitiv de
prindere Dispozitiv de
evacuare
a) b) c)
Fig.6.37. Amplasarea unor descrctoare tip GIS lng ntreruptoare.
Gazul cel mai frecvent utilizat este hexafluorura de sulf (SF6), care este
introdus pe scar larg i n construcia ntreruptoarelor de nalt tensiune, datorit
unor proprieti evidente:
gaz incolor, inodor, greu compresibil i netoxic;
proprieti dielectrice foarte bune (rigiditate de 2-3 ori mai mare ca i cea a
aerului uscat);
foarte bun conductivitate termic;
gaz electronegativ (moleculele formeaz absorb electroni);
Rolul acestui gaz n construcia GIS este:
izoleaz termic i electric coloana de varistori fa de carcas;
preia prin convecie, mult mai bine dect aerul, cldura degajat de varistoare;
n cazul unei supratensiuni violente, care conduce la deteriorarea coloanei de
varistoare, contribuie decisiv la stingerea arcului electric format;
reduce viteza de mbtrnire a varistoarelor.
n cazul utilizrii acestui descrctor GIS alturi de un ntreruptor care are ca
mediu de stingere a arcului electric tot SF6, se poate realiza uniformizarea
atmosferelor de gaz din cele dou, prin interconectarea modulelor, pentru o mai
uoar monitorizare. n plus, impedana ntregului ansamblu este extrem de redus,
de pn la 3 ori cea a unui DRV cu ZnO clasic.
Buon de umplere cu
gaz i etaneizare a Resort de comprimare
conexiunii la linie
Ajutaj + supap de Carcas
evacuare cu filtru
Electrod superior
Coloana de varistoare
Buon de umplere cu
gaz i etaneizare a
conexiunii la linie Resort de
comprimare
Ajutaj + supap de
evacuare cu filtru
Carcas
Electrod acoperitor
Coloane de
varistoare
Detaliu privind modul de
Tub suport al
conectare a varistoarelor de pe
coloanei
cele trei coloane
Conexiunea Manometru
diverilor
traductori
Fig.6.39. Descrctor GIS tip 3EP3 3PK
Dei asemenea descrctoare se produc nc de la jumtatea anilor `70,
seciunea 4.3.2.2. din standardul IEC 99-5, care descrie cerinele unui asemenea
sistem a aprut abia n februarie 1996. n fig.6.38 se prezint o variant constructiv
a unui descrctor GIS produs de ctre SIEMENS, tip 3EP3-3PK, destinat a
funciona la tensiuni ntre 100 i 200 kV, iar n fig.6.39. se prezint o a doua
variant constructiv a unui descrctor GIS, produs tot de ctre SIEMENS [24], tip
3EP3/4PK, destinat a funciona la tensiuni nominale ntre 200 i 350 kV.
O a treia variant constructiv pentru un descrctor GIS este prezentat n
fig.6.40 i se refer la un descrctor tip 3EP2-3PK, din aceeai familie cu cele
dou anterioare. Deosebirea esenial ntre aceste trei tipuri constructive este modul
de dispunere a blocurilor varistoare. Primul model este varianta cea mai simpl,
anume o coloan rigid, varistoarele fiind nseriate. A doua variant realizeaz
practic tot nserierea varistoarelor, dar prin intermediul unor conexiuni speciale,
reprezentate n detaliu, pentru a reduce gabaritul vertical. A treia variant prezint o
punere n paralel a coloanelor de varistoare, pentru a avea o capacitate de absorbie
ridicat. Electrodul superior asigur repartizarea uniform a tensiunii i implicit a
curentului pe toat suprafaa util, greutatea lui ajutnd i la realizarea presiunii de
contact necesare.
Buon de umplere cu
gaz, etaneizare i
realizarea Resort de comprimare
conexiunilor la linie
Coloan de varistoare
Tuburi de susinere
Conexiune echipamente de
monitorizare