Cap 3.

Elemente de circuit n
regim de comutaie
Comutaia este regimul de trecere din starea de conducie
n starea de blocare.
Existenta a 2 stari permite asocierea cu variabilele binare
0 si 1
Utilizarea unei componente in regim de comutatie are in
vedere o tranzitie cat mai rapida intre stari
Un comutator este caracterizat de o impedan mare n
starea blocat i o impedan mic n starea de conducie
(in caz contrar avem logica negativa).
O componenta care este exploatata in regim de comutatie
trebuie sa permita aplicarea unor comenzi adecvate
pentru schimbarea starilor
Comutatorul ideal i
comutatorul real
Comutatorul ideal este caracterizat de
R I rezisten n starea de blocare Rb i
rezisten n starea de conducie Rc 0.

U Dac comutatorul este blocat, atunci

E K
tensiunea la bornele sale este egal cu E.
Dac comutatorul este nchis, el se afl n
stare de conducie iar tensiunea la bornele
sale este 0, curentul fiind egal cu E/R.
Figura 3.1. Comutatorul
ideal
Puterea disipat pe comutatorul ideal este
nul.
 Comutatorul ideal
Cele dou situaii (blocare i conducie)
I determin dou puncte n planul I-U, A i B,
care definesc dreapta de sarcina (figura 3.2).
B Trecerea din A n B se numete comutaie
E/R Comutaie direct, iar trecerea din B n A comutaie
direct invers. Se observ c ntre punctele A i B
tensiunea i curentul sunt simultan nenule
Comutaie ceea ce nseamn c exist putere disipat n
invers A V
timpul comutaiei. Acest fenomen are loc
E numai dac timpul de comutaie este diferit de
Figura 3.2. Caracteristica curent- zero.
Pentru intervale de timp mici se definete, n
tensiune pentru comutatorul ideal

cazul comutatorului ideal, puterea comutat

sau puterea n sarcin:
E2
PL ;
R
 Comutatorul real
R
Comutatorul real este caracterizat de o
rC rezisten finit nenul att n conducie
+ E ct i n blocare.
CP rb
- V
Schema sa echivalent este prezentat
kr n figura 3.3 .
k
Considernd comutatorul caracterizat de
Figura 3.3. Comutatorul real rezistena sa n stare de conducie rc i
de cea n stare de blocare rb, se pot
evidenia situaiile de conductie,
respectiv blocare, cu evaluarea
expresiilor curentului prin comutatorul
real si a tensiunii labornele sale.
 Starea de conductie a
comutatorului real
Deoarece n starea de conducie rc<< rb , rezult c dependenta
tensiunii la borne de curentul prin comutator este liniara, avand ca
reprezentare grafica in planul U-I o dreapta care trece prin origine,
conform ecuatiei:
V rc I (3.3)
n regim staionar se pot calcula
coordonatele punctului de funcionare,
care trebuie s se gseasc pe dreapta de
ecuaie (3.3). Acestea rezult din legea lui
Ohm, respectiv din ecuaia divizorului
rezistiv i sunt determinate mai jos.
E rc
IC 0 , iar VC 0 E
R rc rc R
 Starea de blocare a
comutatorului real
Starea de blocare este descris de ecuaia:

V rb I (3.6)
Pe dreapta de ecuaie (3.6) se gsete
i punctul static de funcionare B, de
coordonate (VB0,IB0). Coordonatele
acestuia se determin n acelai mod ca
i n cazul conduciei i sunt exprimate
prin relaiile de mai jos:

E rb
I B0 VB0 E
R rb rb R
Caracteristica de comutaie direct i
invers pentru comutatorul real (1)
I (1)
M

(2)
A Comutaie
ICO invers

IBO B

N
Comutaie
direct
VCO VBO V
Figura 3.4. Caracteristica de comutaie direct i invers pentru comutatorul real
 Caracteristica de comutaie direct i
invers pentru comutatorul real (2)
Dac se neglijeaz capacitatea parazit a comutatorului,
Cp, trecerea dintr-o stare n alta se face de-a lungul dreptei
definite de punctele A i B, prin salt cu timp de comutaie
nul.

Dac nu se neglijeaz efectul capacitii Cp, atunci aceasta

se comport ca un element de memorare a tensiunii la
bornele comutatorului real, ceea ce determina ca
transferul punctului de funcionare ntre A i B s nu se
fac n lungul dreptei AB, ci prin punctele M, respectiv N.
ncrcarea i descrcarea capacitii presupune, implicit,
un timp de comutaie nenul
 Comutatorul ca si cuadripol
Dac privim comutatorul real ca un cuadripol
(figura 3.5) putem aprecia c tensiunea de Vin f Vout
intrare este cea care comand deschiderea
comutatorului (atunci cnd are nivel ridicat) i
nchiderea lui (atunci cnd are nivel sczut). Figura 3.5. Cuadripolul
echivalent unui comutator real
Se poate considera c:

Vout = f(Vin) Vo I
ut
II
Pentru calculul duratelor de comutaie se va
considera teoria descris n capitolul 1. Pentru
III
a determina ecuaia tensiunii de ieire trebuie Vi
cunoscute valorile iniiale i finale ale tensiunii n

pe comutator, adic U(0) respectiv U(). Figura 3.6. Caracteristica

de transfer a comutatorului
real
 Comutatia directa
innd seama de schema echivalent a comutatorului real, se obine succesiv:
rc rb rc R
V () E; V (0) E c Rechiv cond Cp (rc || R ) Cp Cp
R rc R rb rc R

t

t E R(rb rc ) c
V (t ) V () V () V (0)e V (t )
rc R
[rc
rb R
e ]

Deoarece R<< rb i innd seama c rc<< rb rezult:

t

E
V (t ) (rc Re c )
rc R
 Comutatia inversa
Se pun n eviden valorile iniiale i finale ale tensiunii:
rb rc
V () E , V (0) E
rb R rc R

R(rb rc ) b
t rbR
V (t )
E
[rb e ] b Rcchiv bl Cp Cp RCp
rb R rb R rb R

Dac R<< rb , rezult

t

R
V (t ) E (1 e b )
rb R
 Timpii de crestere/cadere
n cazul n care se consider tensiunea de intrare ca fiind un
impuls dreptunghiular, dac se calculeaz timpii de cretere, respectiv
de cdere ntre 10% i 90% din Vmax, se obine rspunsul din figura 3.7,
unde:
tTLH 2,2 c tTHL 2,2 b
V
Vmax
0,9 Vmax

0,1 Vmax t

tTLH tTHL
Figura 3.7. Rspunsul comutatorului real la un impuls de comand rectangular
 Puterea disipata (1)
Avnd n vedere faptul c n timpul Tc Tb
comutaiei tensiunea i curentul sunt I
simultan nenule, se poate determina Ic0
puterea disipat de comutatorul real. Ib0 t
Cele patru componente care V
alctuiesc puterea disipat sunt: Vb0 T
- puterea disipat n stare blocat Vc0 t

- puterea disipat n stare de P

conducie t
- puterea disipat n timpul comutaiei
directe
Figura 3.8. Curentul, tensiunea i
- puterea disipat n timpul comutaiei puterea disipat printr-un comutator
real
inverse.
 Puterea disipata (2)

Componentele enumerate se regsesc ca termeni componeni ai expresiei care

descrie puterea total disipat:

Vb0Ib0Tb Vc 0Ic 0Tc Vb0Ic 0 (t c t b )

P
T

Se observ c puterea disipat este o funcie de frecven (inversul perioadei).

n regim de comutaie puterea crete cu creterea frecvenei.

1
P f( )
T
Dioda in comutatie
Regimuri de functionare
Dioda ca si comutator
 Dioda n regim de comutaie
Pentru a studia comportarea diodei n regim de comutaie se consider
circuitul elementar din figura 3.9 la a crui intrare se aplic un semnal de tip
treapt (se neglijeaza strpungerea invers).

Vin IA

V1 I0
R

t
Vin D Vout
VO VA
V2
a b c
Figura 3.9. Circuit pentru studiul diodei n comutaie (a), semnal de intrare pentru studiul comutaiei
(b), caracteristica curent-tensiune a diodei semiconductoare (c)
Dioda in comutatie
n cazul comutrii directe se poate exprima valoarea
curentului ID prin expresia (3.23).

V1 VD V1
ID
R R

Pentru situaia n care dioda este polarizat invers:

V2
I A IR
R
 Fenomene fizice la comutatia
diodei
Dac se noteaz cu Na, Nd concentraiile impuritilor
acceptoare din regiunea p i donoare din regiune n, n
ipoteza c toate impuritile sunt ionizate, concentraiile
de goluri i electroni n cele dou regiuni ale jonciunii pn,
pp i nn, n absena tensiunii de polarizare, satisfac
relaiile:

pp = Na ; pn = Nd iar pp np = pn nn = ni2 (3.25)

unde pi = ni reprezint concentraia electronilor sau golurilor

n semiconductorul intrinsec (nedopat).
 Variatia concentratiei purtatorilor
n teoria semiconductorilor se arat c variaiile concentraiilor de
purttori n lungul unei axe perpendiculare pe planul jonciunii, sunt
descrise de ecuaiile:
qVA x ln
p( x ) pn pn exp 1 exp , pentru x l n
KT Lp
qVA x lp
n( x ) np np exp 1 exp , pentru x l n
KT Ln

unde prin Lp i Ln s-au notat lungimea de difuzie a golurilor, respectiv

electronilor n exces, iar lp i ln reprezint adncimea regiunii de
tranziie n regiunea p, respectiv n.
 Distributia concentratiei de
purtatori in polarizare constanta
Concentraie Concentraie
regiune p regiune n regiune p regiune n
(Na) (Nd) (Na) (Nd)
pn(x)
n(0)

np(0) p(x) pn(0

)
np(0)
n(x) p(x)
n(x)

np pn n(p) pn pn
x=0 x x=0 x
a. b.
Figura 3.10. Variaia concentraiei de purttori pentru o jonciune pn polarizat direct (a), respectiv invers (b).

n figura 3.10 sunt reprezentate aceste variaii pentru cazul unei polarizri directe
(a), respectiv inverse (b), n condiiile neglijrii adncimii regiunilor de tranziie.
Comutaia presupune modificarea distribuiei de purttori de la situaia
prezentat n figura 3.10.a la situaia din figura 3.10.b sau invers, proces care
presupune scurgerea unui anumit timp. Aceste ntrzieri se regsesc de altfel i
n formele de und care reprezint rspunsul jonciunii la un semnal treapt.
 Comutatia diodei

Comutaia presupune modificarea distribuiei de purttori de la o situaie la

alta, proces care presupune scurgerea unui anumit timp. Aceste ntrzieri se
regsesc de altfel i n formele de und care reprezint rspunsul jonciunii la un
semnal treapt.
https://www.fairchildsemi.com
 Variatia tensiunii si curentului
in cazul comutatiei diodei
Vin(t) Vin(t)
V1 V1
t
t0 t0 t Rspunsul detaliat al
V2
V2
diodei la un semnal
treapt pozitiv este
IA(t IA(t) reprezentat n figura
ID ) ID 3.11.
t
t 0,1IR
IR
Se remarc c la
VA(t)
aplicarea unei trepte de
1,1VD VA(t)
VD tensiune, curentul prin
0,9VD VD t
diod crete cu o
t
oarecare inerie, de la
V2 valoarea rezidual
td tr ts tt
ton toff
redus specific
a.
polarizrii inverse IT, la
b. valoarea curentului direct
Figura 3.11. Comutaia direct (a) i invers (b) n cazul diodei
semiconductoare prin dioda deschis ID.
 Timpul de comutatie directa
Tensiunea la extremitile jonciunii devine pozitiv cu o ntrziere td (timp
de ntrziere -delay time) fa de momentul aplicrii saltului de tensiune la
intrare. Aceast inerie se datoreaz timpului necesar transferului de
purttori majoritari dintr-o regiune n alta n scopul anihilrii barierei de
potenial de la nivelul jonciunii. Urmeaz apoi injecia de purttori minoritari
care difuzeaz n regiunile neutre, fenomen caracterizat de asemenea de o
anumit ntrziere, tr (timp de cretere -rise time).
Timpul de comutare direct va fi deci alctuit din cele dou
componente:
ton = td + tr (3.28)
n cazul n care rezistena regiunilor neutre ale diodei este neglijabil, forma
de und a tensiunii la bornele jonciunii prezint o supracretere
pronunat, peste valoarea tensiunii de deschidere UD, n interiorul
intervalului de timp tr (reprezentarea cu linie ntrerupt - figura 3.11.a).
 Timpul de comutatie inversa
n cazul comutaiei inverse, atunci cnd tensiunea de intrare trece prin salt
de la o valoare pozitiv la una negativ, curentul prin jonciune prezint la
rndul lui un salt datorat faptului c purttorii minoritari din cele dou
regiuni nu dispar instantaneu, fiind necesar un timp de recombinare a lor
sau de trecere n regiunile din care provin, timp numit timp de stocare, tS.
Pe msur ce scade concentraia de purttori minoritari, se reduce i
tensiunea pe jonciune ctre valoarea 0, urmat de o cretere progresiv
ctre valoarea tensiunii inverse de regim staionar, corespunztor cu
reducerea curentului ctre valoarea rezidual asociat polarizrii inverse.
Timpul necesar pentru ca tensiunea pe jonciune s evolueze de la 0 la
valoarea tensiunii inverse de polarizare se numete timp de tranziie, tt.

Timpul de comutaie invers va fi aadar (figura 3.11.b):

toff = ts + tt (3.29)
 Reducerea timpului de
comutatie
Timpul de comutaie invers este cu mult mai mare
dect timpul de comutaie direct, toff >> ton . Pentru a
asigura deci o comutaie rapid trebuie redus n primul
rnd timpul de comutaie invers. In procesele de
comutaie se studiaz prin urmare, cu precdere,
comutaia invers.

Pentru reducerea timpului de comutaie invers, care

este determinant n bilanul temporal al comutaiei, se
poate utiliza o capacitate conectat n paralel cu sarcina
care s asigure parial surplusul de sarcini necesar
pentru reechilibrarea jonciunii.
 Metode de reducere a timpilor
de comutatie
Utilizarea unor curenti de polarizare mari
care sa asigure re-echilibrarea rapida a
jonctiunii
Reducerea timpului de viata al purtatorilor
minoritari prin asigurarea unei recombinari
rapide (impurificare Si cu Au)
Reducerea grosimii stratului de stocare a
purtatorilor minoritari
Utilizarea diodelor rapide (Schottky)
 Diode Schottky
Diodele Schottky lucreaza
preponderent cu purtatori
majoritari, ceea ce elimina
timpul necesar recombinarii
purtatorilor minoritari (ts)
Aplicatii de limitare/fixare nivel

http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_4.html
Aplicatii in circuite logice

Cascada AND-OR
Evaluati VOH si VOL
 Capacitatati specifice
jonctiunilor semiconductoare
Intrzierile care apar la nivelul unei jonciuni
semiconductoare sub efectul unui front de tensiune
de comand sunt modelate utiliznd capaciti:

capacitatea de difuzie
(predominanta in polarizarea directa) .

capacitatea de barier
(predominanta in polarizarea inversa) .
 Capacitatea de difuzie CD (1)
Pentru o jonciune polarizat direct, golurile difuzeaz din
regiunea p n regiunea n. n consecin, n vecintatea
jonciunii, n regiunea n, avem o mai mare concentraie de
goluri dect exist n mod normal tocmai datorit acestei
difuzii. Aceast densitate de goluri n exces poate fi
considerat ca o acumulare de sarcini n vecintatea
jonciunii.
Cantitatea de sarcini n exces este determinat de
mrimea polarizrii directe. Pe msur ce ne ndeprtm
de jonciune, excesul concentraiei de goluri descrete
datorit recombinrii cu electronii majoritari.
La fel se comport electronii ce difuzeaz n regiunea p.
 Capacitatea de difuzie CD (2)
Dac aplicm un semnal ce mrete polarizarea direct cu V,
creterea concentratiei de goluri (electroni) provoac o
schimbare Q n sarcina acumulat n apropierea jonciunii.
Timpul mediu de via al sarcinilor, , este o msur a timpului de
recombinare a excesului de sarcini minoritare si poate fi privit
ca o constant de timp de difuzie.
Raportul Q/V definete capacitatea de difuzie CD. Pentru o
diod cu jonciune, unde una din regiuni este mult mai puternic
dopat dect cealalt, CD se evalueaz astfel:

dQ I dt
CD [F ] rDCD
dV Q VT rd

Capacitatea de difuzie este proporional cu curentul I.

 Capacitatea de bariera CT (1)

n cazul unei polarizri inverse intervine o

capacitate numit capacitate de barier (sau
capacitate de tranziie sau capacitate de
sarcin spaial, CT ).
CT semnifica schimbarea n sarcina acumulat
n regiunea srcit de purttori n corelaie cu
modificarea tensiunii inverse pe jonciune.
Creterea polarizrii inverse determin mrirea
regiunii srcite de purttori de lime W.
 Capacitatea de bariera CT (2)
Datorit ionilor pozitivi existeni de o parte a jonciunii i a
ionilor negativi de cealalt parte a jonctiunii (in zonele
saracite de purtatori), CT este analog cu o capacitate cu
armturi plan-paralele (unde W este limea regiunii
srcite de purttori, A este aria jonciunii i este
permitivitatea semiconductorului):
A
CT [F ]
W

Trebuie s remarcm c W este funcie de tensiunea de

polarizare invers i deci CT este dependent de tensiune.
 CD vs. CT
n condiiile polarizrii directe, valoarea capacitii
de barier este att de mic comparativ cu CD
nct n general ea este neglijat.
n mod similar n cazul unei diode polarizate
invers exist o anumit difuzie a sarcinilor, ns
aceast capacitate este neglijabil n comparaie
cu CT.
Dependenta capacitatii de bariera de tensiunea
de polarizare inversa este exploatata in cazul
diodelor varicap:
 Comutatia TB
Funcionarea tranzistorului
n regim de comutaie const
n trecerea sa dintr-o stare
stabil n alta
(saturatie/activ blocare)
 Tranzistorul bipolar in regim
de comutatie
Pn n momentul t0 (figura 3.13) presupunem c
tranzistorul era blocat (IB = 0; IC= 0). Ca urmare, tensiunea
V2 < 0 se regsete n baz, deci UBE = V2 < 0, iar VBC =
VBE + VCE = V2 - EC = - (|V2| + EC) < 0 .
n momentul initial t0 tensiunea la intrare, Vin , i schimb
prin salt valoarea de la V2 < 0 la V1 > 0. Curentul n baz
va crete brusc deoarece capacitile de barier ale
jonciunilor nu-i pot schimba brusc tensiunea la borne.
V1 VBE (0) V1 V2 V1 V2
IB (t 0 )
RB RB RB
Pe msur ce aceste capaciti se ncarc, tensiunea n
baz ncepe s creasc, iar curentul de baz s scad.
 v in
Comutatia directa V1

La momentul t1 cnd VBE = V (tensiunea de a) t0 t5 t

deschidere a tranzistorului), tranzistorul ajunge la
marginea regiunii active. Se definete prin: V2
t d1 t1 t 0
IB(t)
(timpul de ntrziere, necesar tranzistorului s
ajung la marginea regiunii active) iB1

n al doilea rnd, trebuie un anumit timp pentru ca b) t6 t7 t

t1
purttorii injectai de emitor n baz s ajung la
colector. Pentru a caracteriza acest proces se t8
iB2
definete un al doilea timp de ntrziere td1
td2 = t2 - t1, iC(t)
ICS
(datorat difuziei n baz)
0,9ICS
c)
Ca urmare, este necesar scurgerea unui timp de
ntrziere (delay time) pn n momentul n care 0,1ICS t2 t4 t5 t
curentul de colector ncepe s creasc: td2 t3
Figura 3.13. Semnale specifice tS tf
tr
t d t d1 t d 2 tranzistorului bipolar n
comutaie: a.- impuls de
comand bipolar b.- curent de ton
baz c.- curent de colector
 Timpul de comutatie directa
Dup ce tranzistorul intr n regiunea activ, curentul prin colector nu
crete brusc la valoarea final ICS deoarece trebuie ncrcate
capacitile de barier ale jonciunilor i trebuie format distribuia de
purttori majoritari n baz corespunztoare regimului de saturaie.
Se definete timpul de cretere sau ridicare tr (rise time) ca intervalul n
care valoarea curentului de colector crete pn la 0,9 din valoarea
final: tr = t3 - t2 (vezi figura 3.13).
n acest interval de timp, curentul n baz prezint o uoar scdere,
datorit creterii tensiunii VBE de la V la VBE(sat) > V. Dac tensiunea V1
este suficient de mare, tranzistorul va fi comutat n saturaie (momentul
t4 corespunde acestei situaii, figura 3.13.c).
Timpul de comutaie direct ton se definete ca interval de timp scurs de
la aplicarea comenzii pn la momentul cnd curentul de colector
ajunge la 0,9 din valoarea final:
t on t d t r
 Comutatia inversa
Tranzistorul rmne n starea saturat (de conducie) atta
timp ct tensiunea la intrare se menine corespunzatoare.
Presupunem acum c la momentul t5 tensiunea la intrare
variaz brusc la valoarea V2 < 0. Datorit capacitii de
barier, jonciunea baz-emitor nu-i poate schimba
instantaneu tensiunea, deci VBE(t5+) = VBE(sat).
Ca urmare, curentul de baz i schimb brusc sensul,
lund valoarea:
V2 VBE V2 VBE ( sat)
I B2
RB RB
-situaia este similar cu cea din cazul comutaiei inverse a jonciunii pn.
 Timpul de comutatie inversa (1)
Curentul de colector nu simte imediat modificarea
tensiunii aplicate n circuitul bazei deoarece n baza
tranzistorului saturat se afl un exces de sarcin (sarcin
stocat), fa de valoarea necesar pentru a asigura
curentul de colector ICS.
Curentul de colector ncepe s scad abia dup ce este
eliminat toat sarcina suplimentar de purttori
minoritari din baz (figura 3.13.c).
Intervalul de timp ts = t6 - t5 scurs de la aplicarea
comenzii de comutaie invers pn n momentul cnd
curentul de colector ncepe s scad este numit timp de
stocare (storage time).
 Timpul de comutatie inversa (2)
Dup ce tranzistorul iese din saturaie spre starea de
blocare, intervin procese nverse comutatiei directe
Se definete un timp de cdere tf = t7 - t6 (fall time), ca
interval n care curentul de colector scade de la ICS la
0,1 ICS. n intervalul t6 t7, valoarea curentului de baz
scade puin datorit scderii tensiunii VBE de la VBE(sat) la
V.
Timpul de comutaie invers toff se definete ca
intervalul scurs de la aplicarea comenzii de comutaie
invers pn la momentul n care curentul de colector
scade la 0.1 din valoarea sa iniial:

t off ts tf
 Timpul de revenire
Dei tranzistorul devine din nou blocat (IC = 0) exist
nc un timp final de revenire tfr (final recovery time),
necesar descrcrii capacitilor jonciunilor. n acest
interval de timp tensiunea VBE scade de la V la zero

tfr = t8 - t7 .

Definiiile date pentru timpii de comutaie corespund

interpretrilor fizice ale acestora dar sunt dificil de
gestionat in cazurile practice.
 Definirea practica a timpilor de
comutatie pentru TB
v in
Experimental este mai
comod s se defineasc V1
timpii de comutaie astfel
(figura 3.14): t

td - ntre 0 i 0,1 ICS

V2
tr - ntre 0,1 i 0,9 ICS
ts - ntre ICS i 0,9 ICS ic
tf - ntre 0,9 i 0,1 ICS
ICS
Noile definiii modific 0,9ICS
td tr ts tf
doar td i tr, respectiv ts i
tf. Timpii totali de 0,1ICS t
comutaie ton i toff (deci
ton toff
cei care intereseaz
practic) nu se modific.
Figura 3.14. Definirea practic a timpilor de comutaie
 Regimuri de functionare ale
TB in comutatie
IC IB=ct
D
R Act RS - regiunea de saturaie
Figura 3.15. Regimurile de
RAv - regiunea de strpungere
funcionare n comutaie ale B prin avalan
tranzistorului bipolar F RB - regiunea de blocare
R act. - regiunea activ
RS RAv
A C E

RB UC
n funcie de regiunile ntre care are loc deplasarea punctului de funcionare se
evideniaz trei regimuri de funcionare n comutaie:
regimul de saturaie: tranzistorul comut ntre regiunea de blocare i cea de
saturaie (AB);
regimul de curent: tranzistorul comut ntre regiunea de blocare i cea activ
(CD);
regimul de avalan: tranzistorul comut ntre regiunea de blocare i regiunea de
avalan (EF).
 Regimul de saturaie al
tranzistorului bipolar n comutaie
Acest tip de comutaie este specific nivelelor mari de
semnal i este cel mai rspndit. Dependena ntre curent
i tensiune este descris de ecuaiile Ebers-Moll, care se
refer ns la tranzistorul ideal.

Funcionarea n regim de saturaie are loc pentru toate cele

trei moduri de conectare ale tranzistorului bipolar (baz
comun, emitor comun, colector comun), mai utilizate fiind
conexiunea emitor comun i cea cu baz comun.

Indiferent de tipul conexiunii, n acest regim de lucru

funcionarea are loc ntre regiunea de blocare i cea de
saturaie.
 Comutatie TB in planul
caracteristicilor de iesire (EC)

IC
+EC UBC=0
IC RB
RC
UBC
+ B B R Act IBS
RB B
+ C
UCE C IB= 0
EB I B A
UBE A' IB= -ICB0
- - A
EC UCE
ICE0 ICB0

a. b.
Figura 3.16. Conexiunea emitor comun a tranzistorului (a) i caracteristica de ieire asociat (b).
 Starea de blocare
Starea de blocare are loc pentru o tensiune VBE>0 la
tranzistoarele pnp, i VBE< 0 la tranzistoarele npn. Curenii
reziduali prin tranzistor se determin din ecuaiile Ebers-
Moll.
Deoarece: IC=IE+ICB0 (3.55)
innd cont c IC + IE + IB = 0 i IE = 0 ,
rezult IC = ICB0 i IB = -ICB0 , ceea ce corespunde punctului
A' din planul caracteristicilor de ieire.
Situaia corespunde unui regim de blocare profund,
caracterizat de o tensiune colector-baz mare i o putere
disipat redus.
I CO
Dac IB=0, rezult IC I E I CEO
1F
 Starea de saturatie
Starea de saturaie se produce atunci cnd jonciunea
emitorului i a colectorului sunt polarizate direct. Este
necesar ca VBE>VD (VD fiind tensiunea de deschidere a
jonciunii baz-emitor).
La limita de intrare n saturaie exist proprietatea:
IC=IB i IC=IE. (3.57)
Punctul de intrare n saturaie este B (0,ICS).
Valoarea curenilor de saturaie se obine pentru situaii
extreme:

EC
IES ICS
RC
 Conditia de saturatie

Condiia de saturaie impus tensiunilor nu este comod i

de aceea se folosete condiia pentru cureni:
IE IES, IB IBS sau IB > IC / .
Se poate defini, n cazul saturaiei, gradul de saturaie,
msurabil prin factorul de supracomand:
IE IB
SE respectiv SB
IES IBS

Funcionarea tranzistorului n regim de saturaie este

exploatat n cazul utilizrii acestuia drept comutator.
 Comutator cu TB in conexiune EC (1)
vi
v0
Circuitul din figura V1 VCC
3.18 este un
comutator simplu n T1 T2 VCE(sat) t
t
configuraie emitor -V2
comun. IC(sat) ic
+VCC 0,9IC(sat)

Forma de und pentru iC

RL 0,1IC(sat) t
tensiunea de intrare vi
T1 td tr T2 ts tf
este utilizat pentru a RB
+ + tON tOFF
controla starea v0
vi iB -
comutatorului (ntre -

colector i emitor). (a) (b)

Figura 3.18. Tranzistorul bipolar n conexiune emitor-comun ca

comutator
 Comutator cu TB in conexiune EC (2)

Pentru t < T1 i vi = -V2 dioda baz-emitor este polarizat invers.

Dac neglijm componentele curentului invers, cum dioda baz-
colector este de asemenea polarizat invers, tranzistorul bipolar
este blocat i nu exist nici un curent n circuit. n consecin, v0 =
VCC iar ic=0, acesta fiind echivalent cu un comutator deschis.
Se poate aprecia c ic IC0 i v0 = VCC - IC0 RL. Cu IC0 de ordinul
nanoamperilor i RL de ordinul kiloohmilor rezult c v0 difer de
VCC doar cu civa microvoli. Deci, n situaii practice, se poate
considera c v0=VCC.
Tensiunea de intrare devine V1 pentru T1< t <T2. Valoarea lui V1
este aleas astfel nct s asigure intrarea n saturaie a
tranzistorului bipolar.
 Comutator cu TB in conexiune EC (3)

Valorile de mai jos aproximeaz un comutator nchis.

(VCC VCE (sat ) )
vCE v0 VCE (sat ) 0,3 V ic
RL

Curentul n comutatorul nchis este determinat de

elementele externe VCC i RL.
Pentru VCC >> 0,3 V, iC = VCC / RL.
La momentul de timp t=T2, forma de und de intrare
comut din nou la -V2, determinnd tranzistorul bipolar
s revin n regim de blocare. Forma de und pentru v0
i iC, este reprezentat n figura 3.18.
 Caracteristica de transfer a
comutatorului cu TB
v0
VCC
Caracteristica de transfer
descris n figura 3.19 este
rotunjit i n jurul valorii de
saturaie i n jurul valorii de Caracteristic liniarizat
tiere.

Deoarece tranzistorul bipolar nu

se deschide i nu se blocheaz Caracteristic real
brusc, n vecintatea deschiderii
i a blocrii apare o rotunjire a
caracteristicii.
VCE(sat) vi
0,7

Figura 3.19 Caracteristica de transfer a comutatorului cu tranzistor bipolar

 v0
VCC

Caracteristica de
Caracteristic liniarizat

transfer liniarizata Caracteristic real

VCE(sat) vi
0,7

Caracteristica de transfer liniarizat ilustreaz

comportarea circuitului. Cele dou segmente orizontale
indic strile ON i OFF ale comutatorului.
De-a lungul fiecruia din cele dou segmente ieirea nu
este afectat de schimbrile semnalului de intrare
(tranzistorul bipolar este saturat sau blocat).
Segmentul ce unete regiunile orizontale ilustreaz
dependena liniar a ieirii fa de intrare,
comportamentul fiind aceia a unei surse de tensiune
controlate n tensiune, deci un amplificator (tranzistorul
este polarizat n regiunea activ normal).
 Porti logice simple cu TB

AND OR NAND NOR NOR

 Regimul de curent al tranzistorului
bipolar n comutaie +V CC

Regimul de curent reprezint

comutarea ntre regiunea de
blocare i regiunea activ. RC RC
Funcionarea de acest tip este + V0 -
specific amplificatoarelor + +
difereniale. Q1 V01 V02 Q2
Perechea cu cuplaj prin emitor - -
sau perechea diferenial din + + +
VBE1 VBE2 +
figura 3.20 este printre cele mai V1 - - V2
importante configuraii de - -
tranzistor regsite n circuitele
integrate. Sursa de curent IEE IEE
este realizat cu o oglind de
curent sau alte circuite similare.
Figura 3.20. Etaj diferenial
Analiza etajului diferential (1)
Q1 i Q2 sunt tranzistoare identice i ambele
rezistene de colector au valori egale.
Se poate arta c etajul diferenial poate fi utilizat
att ca amplificator ct i ca comutator. Pentru
aceasta vom determina caracteristica de transfer de
curent continuu a circuitului.
Legea lui Kirchhoff pentru bucla ce conine cele
dou jonciuni baz-emitor este:

V1 VBE1 VBE 2 V2 0
 Analiza etajului diferential (2)
Cu tranzistorul polarizat n regiunea activ, curentul invers al
jonciunii baz-colector este neglijabil. Curenii de colector
IC1 i IC2 sunt determinai de ecuaiile:
IC1 F IESeVBE1 /VT IC 2 F IESeVBE 2 / VT

Construim raportul IC1 / IC2 ca fiind (3.66):

IC1
e (VBE 1VBE 2 ) /VT eVd /VT
IC 2

Se observ c VBE1 - VBE2 = V1 - V2 = Vd unde Vd este

diferena (de aici i denumirea de diferenial) dintre dou
tensiuni de intrare.
 Analiza etajului diferential (3)
Ecuaia lui Kirchhoff pentru cureni n nodul emitorului
determin:
IC1 IC 2
(IE1 IE 2 ) IEE
F F

mprind ambii membri ai ecuaiei de mai sus prin IC1 / F

rezult:
F IEE IC 2
1
IC1 IC1

Substituind ecuaia 3.66 n ecuaia de mai sus i rezolvnd

pentru IC1 rezult (3.69, 3.70):
F IEE F IEE
IC1 IC 2
1 e VD / VT 1 e VD / VT
 Caracteristica de ieire
normat a etajului diferenial
n ecuaiile anteriore
IC1, IC2 (3.69 i 3.70) se observ
c prin creterea valorii
lui Vd n sens pozitiv
FIEE peste 4VT se determin
ca IC1 i IC2 s se apropie
IC2 IC1 de valorile FIEE i
FIEE respectiv zero.
2
Prin analogie, o valoare
Vd/VT negativ a lui Vd, cu |Vd|
-4 -3 -2 -1 1 2 3 4 >4VT face ca IC1 s se
apropie de zero i IC2 s
tind ctre FIEE.
Figura 3.21. Caracteristica de ieire normat a etajului diferenial
 Caracteristica de transfer a
etajului diferenial
V01 ,V02 , V0
Pe baza ecuaiilor 3.69 i 3.70 putem
construi caracteristica de transfer ca n figura
3.22.
Tensiunile V01 i V02 , pentru
RC1 RC 2 RC
V01 V02
FIEERc V01 VCC I C1RC1; V02 VCC I C 2 RC 2
V0 V01 V02
VCC - FIEERc
V0 Aplicarea unei tensiuni Vd > 4VT = 100
Vd /VT
mV face ca IC1 FIEE i IC2 0. n
-4 -3 -2 -1 1 2 3 4 acelai timp V02 = VCC i V01 = FIEERC
. V01 poate fi micorat corespunztor
- FIEERc prin alegerea corect a lui RC (V01 i
V02 s corespund meninerii Q1 i Q2
n regiunea activ).

Figura 3.22. Caracteristica de transfer a etajului diferenial

 Utilizarea etajului diferential
Putem aproxima ieirea lui Q1 cu un comutator nchis i a lui Q2 cu un
comutator deschis. Starea acestor comutatoare se schimb aplicnd Vd
< -4VT. Ieirea diferenial de asemenea evideniaz dou nivele de
ieire distincte: unul pozitiv i unul negativ, pentru o schimbare a lui Vd
de aproximativ 4VT.
In intervalul -2VT Vd 2VT, mrimile IC1, IC2, V01, V02 au valori
aproximativ liniar variabile relativ la Vd. Pentru aceast gam de valori
ale intrrii, circuitul se comport ca o surs controlat. Ambele
proprieti, de comutare, respectiv de amplificare ale perechii cuplate
prin emitor sunt exploatate n practic.
Proprietatea de amplificator joac un rol foarte important n circuitele
analogice iar caracteristica de comutaie este exploatat n circuitele
digitale i n mod particular n circuitele logice din familia ECL.
Avantajul principal al acestui mod de lucru este acela c permite o
vitez de comutaie mare datorit faptului c tranzistoarele nu ajung
n saturaie.
Poarta OR/NOR cu etaj
diferential (ECL)
 Regimul de avalansa al TB
Regimul de avalansa permite obtinerea unor timpi de
comutatie redusi, de ordinul nanosecundelor, comutand
curenti de valori mari pe durata strapungerii temporare
colector-emitor (si implicit colector-baza).
La tensiuni de polarizare mari ale jonciunii baz-colector
purttorii de sarcin ionizeaz atomii neutri producnd o
multiplicare n avalan i o cretere accelerat a curentului
de colector.
Se defineste gradul de multiplicare n regiunea de sarcin
spaial 1
M
1 (VBC / Vav ) n
VBC - tensiunea invers aplicat acestei jonciuni ;Vav - tensiunea de strpungere n avalan;
n = 1 ...7 constant tehnologic ; Vav este cea mai mare tensiune de strpungere pentru jonciunea baz-
colector cu IE constant i IC tinznd la .
 Strapungerea in avalansa a TB
VCB2, VCB1 sunt tensiuni de strpungere definite ca n
figura 3.23. Ele se mai ntlnesc n cataloage cu
denumirea de VBR(CE0) respectiv VBR(CB0) , iar ntre ele
exist legtura exprimat prin relaia de mai jos:
VCB2 VCB1 n 1 h21b vIC
R B =0
IB=0
IC IC

RB
IB>0
IE>0
IE=0 IB=0 VCE
VCB VCE
VCB1 VCB2 VCB1 (VCB2) (VCB1)

baz comun emitor comun Figura 3.25. Definirea tensiunilor de strpungere

Figura 3.23. Definirea tensiunilor de strpungere pentru tranzistorul bipolar pentru tranzistorul bipolar polarizat n regiunea de
polarizat n regiunea activ blocare
 Comutatia prin strapungere in
avalansa a TB
Pentru regiunea de blocare se consider o schem simpl de polarizare a
tranzistorului ca n figura 3.24.
Timpul de comutaie al tranzistorului n regim de avalan este determinat
de timpul de tranzit al purttorilor prin jonciunea polarizat invers.
La tranzistoarele de nalt frecven, obinute prin difuzie, timpul de
comutaie are o valoare mai mic de 1ns i depinde de gradul de
multiplicare M i de frecvena de tiere.
Funcionarea n regim de avalan este utilizat la obinerea de impulsuri
scurte i uneori la obinerea de tensiuni liniar variabile sau n trepte.
Acest regim nu se folosete n mod uzual deoarece necesit tensiuni mari
i prezint instabilitate termic EC

RC
RB
Figura 3.24. Tranzistor n comutaie Vo
Vi
 Timpii de comutatie ai TB
La joas frecven tranzistorul bipolar poate fi
considerat element de comutaie ideal.
La creterea frecvenei comutaia se nrutete
datorit timpului necesar trecerii purttorilor din emitor
n colector (inerie de nalt frecven).
Proprietile de inerie sunt puse n eviden de factorul
de curent:
h21b0
h21b (f )
f
1
f
unde f = 1 / 2 este frecvena de tiere, iar este
constanta de timp pentru conexiunea baz-comun.
 Viteza de comutatie a TB
Comportarea tranzistorului la nalt frecven este influenat de dimensiunile
fizice ale tranzistorului prin rezistena intrinsec a bazei i prin capacitile
jonciunilor.
Pentru o jonciune se definesc dou capaciti (vezi capitolul 3.2.3.):
qVA - capacitatea de difuzie, dominant n polarizarea
Cd Cd0 exp
kT
direct)
C b0
Cb - capacitatea de barier, dominant n polarizare
VA
1 invers)
U0

Proprietile de comutaie sunt influenate de asemenea i de acumularea de

purttori de sarcin minoritari n regiunea bazei la intrarea n saturaie.

Timpii de comutaie asociai sunt influenai i de natura sarcinii.

 Raspunsul la monoimpuls de
comanda
Dac reprezentm rspunsul IB
unui tranzistor bipolar comandat
cu un curent de baz de tip
impuls se obine o variaie de IB1
IB2
tipul celei descrise in figura 3.26.
Notaiile au urmtoarele
semnificaii: tr - timp de cretere; IC/IC0
tS - timp de ieire din saturaie; tf - 1
timp de cdere sau de blocare; 0.9
tS+ tf= toff - timp de comutaie 0.1
invers; ton - timp de comutaie
direct. tr tS tf
Este necesar s fie ndeplinit
condiia de saturare a Figura 3.26. Rspunsul tranzistorului bipolar la
tranzistorului IBh21E>>ICsat . impuls de curent n baz
 Timpii de comutatie ai TB
IB

I I IB1
t r CS t f CS IB2
IB1 IB 2
IC/IC0
1
(IB1 IB2 )h21E 0.9
tS ln 0.1
ICS h21E IB2
tr tS tf

Se observ c timpii depind att de curenii din baz, ct i de

constanta de timp de stocare .
Avantajele regimului de saturaie n comutaie sunt: stabilitate
bun (tranzistorul i pstreaz starea de saturaie sau blocare
chiar i n prezena unor perturbaii importante), numr redus
de componente, proiectare uoar, disipatie termic redus.
Dezavantajul principal este viteza redus de comutaie.
 Posibiliti de reducere a
timpilor de comutaie (1)
Exist mai multe posibiliti pentru reducerea timpilor de comutaie:

a) reducerea timpilor de comutaie prin utilizarea unor

tranzistoare cu frecven de tiere ridicat;
b) utilizarea condensatoarelor de accelerare - asigur o
supracomand n baza tranzistorului. Mrirea curentului de baz
n general nu este recomandat deoarece IB pentru comutaia
direct, respectiv invers determin efecte contrare;
c) evitarea intrrii n saturaie a tranzistorului bipolar cu ajutorul
reaciei negative neliniare.

Prima soluie depinde de tehnologia de fabricaie a tranzistorului i nu

este la ndemna utilizatorilor, celelalte dou metode fiind ns larg
rspndite.
 Posibiliti de reducere a
timpilor de comutaie (2)
O soluie practic uzual const n modificarea formei de und a
tensiunii de comand cu ajutorul unor elemente pasive, n particular
capaciti.
Forma de und ideal pentru comanda n baz include
supracresteri temporare ce au ca efect reducerea timpilor de
comutaie.

Timpul de comutaie direct ton poate fi redus prin mrirea curentului

de comand IB peste valoarea normal de meninere n saturaie.
Aceasta influeneaz ns negativ timpul de ieire din saturaie
determinat n principal de timpul de stocare a purttorilor ts. De
aceea, n cazul comutaiei inverse, se urmrete aplicarea unei
supracreteri similare pentru reducerea timpului de comutaie
invers toff = tS+tf .
Reducerea timpilor de comutatie
prin supracomanda (1)
IB

IB1
IBIS
t
IB2
I'B2

IC
1
0,9

0,1 t

ton toff
Figura 3.27. Reducerea timpilor de comutaie prin modificarea
formei de und a curentului de comand
 Reducerea timpilor de comutatie
prin supracomanda (2)

O astfel de form de und este dificil de obinut n

practic motiv pentru care se utilizeaz un
compromis.
Dac se introduce un circuit de derivare n baza
tranzistorului (circuit alctuit din C i Rin T ) impulsul
de comand furnizat de sursa e(t) (figura 3.28) va fi
deformat, fiind afectat de supracreteri suprapuse
celor dou fronturi. Tensiunea de comand e(t) va
determina o variaie a curentului ca n figura 3.28.
 Supracomanda capacitiva
TO
E1
EC t1 t2 t
IC E2
C RC
IB1
e IB IBS

VO t1 t2 t
rS
RB
D ICB0
tr
IB2
IB2
ts + tf

a. b.
Figura 3.28. Supracomanda tranzistorului, folosind circuit de derivare n baz, n scopul
reducerii timpilor de comutaie (a) i forme de und asociate (b)
 Evaluarea curentilor de
supracomanda (1)
Pentru e(t)=E1 , tranzistorul fiind iniial blocat, curentul injectat n baz va
fi cel determinat mai jos, unde VC este tensiunea pe condensator la
momentul t1, iar Rin= rb este rezistena de intrare n baza tranzistorului. Pe
msur ce condensatorul se ncarc IB, se micoreaz , ajungand la
valoarea IBS.

E1 VC (t1 )
IB1
rs Rin

E1
IBS
rs RB Rin
 Evaluarea curentilor de
supracomanda (2)
Pentru ca prin tranzistor s se
stabileasc curentul de regim
staionar, IBS, nainte de terminarea
impulsului de comand ( t2 ), trebuie
satisfcut relaia:
T
c C R ||(rs Rin ) 0
3
E 2 VC (t 2 )
n momentul blocrii tranzistorului: IB2 rs Rin

Pe msur ce condensatorul se descarc, IB scade ctre ICB0.

Pentru a accelera descrcarea condensatorului dup blocarea tranzistorului, s-

a introdus dioda D care protejeaz jonciunea BE la supracomanda invers.
Aceast metod este util cu precdere n cazul tranzistoarelor avnd
parametrul h21E cu dispersie tehnologic redus.
 Cresterea vitezei de comutatie
prin evitarea saturatiei
O alt metod de reducere a timpilor de EC
comutaie se refer la evitarea intrrii in IC
saturaie prin introducerea unei reacii RC
ID D
negative care s mpiedice polarizarea VO
direct a jonciunii baz-colector (figura I IB
3.29). I1
R
Valoarea rezistenei R trebuie astfel
R1
aleas nct pentru valoarea maxim
h21Emax, cderea de tensiune pe R s fie EB
mai mare dect cderea de tensiune pe
Figura 3.29. Reducerea timpilor de
D. comutaie prin evitarea intrrii n

R (IB I1 ) VD saturaie

Ec VD
IB R
RC h21E Ec E
B
EB h21E RC R1
I1
R1
Metode alternative de evitare
a saturatiei TB
 TEC in comutatie
Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) sunt folosite pe
scar larg n circuitele digitale unde este exploatat
nsuirea de comutator a acestui dispozitiv.
Cele mai utilizate n regim de comutaie sunt
tranzistoarele TEC-MOS, a cror comportament se
apropie cel mai mult de comutatorul ideal.
Funcionarea n comutaie este determinat esenial de
sarcina pe care lucreaz tranzistorul, motiv pentru care
n continuare s-au abordat astfel de situaii concrete.
Tranzistoare cu efect de camp

cu grila cu imbogatire, cu saracire,

jonctiune canal indus canal initial

83
 TEC cu sarcina rezistiva in
regim de comutatie

VDD

iD
RD
B
VGS = V1
VGS = ct
RG C
vo
v in C
A VDS
D VDD
a. b.
Figura 3.30 TEC cu sarcin rezistiv (a) i caracteristicile asociate (b)
 Fenomenul fizic al comutatiei
TEC (1)
S considerm c la momentul iniial tranzistorul se afl
n starea blocat i i se aplic un salt de tensiune la
intrare.
Imediat dup aplicarea comenzii de comutaie, canalul
nefiind format, tranzistorul nu conduce. Iniial sursa de
semnal ncarc pozitiv grila fa de substrat i mpinge
golurile de la suprafa spre interiorul substratului,
formnd regiunea cu sarcin spaial, srcit de
goluri. Acelai curent transport electroni din regiunea
n+ a sursei spre regiunea p de sub gril, formnd canalul
conductor.
 Fenomenul fizic al comutatiei
TEC (2)
Procesele care au loc n aceast etap corespund
ncrcrii unei capaciti neliniare.
Pentru valorile uzuale ale capacitilor de gril (cca. 1 pF)
i RG, durata acestui proces este mic (considerandu-se
c tranzistorul intr n conducie imediat dup aplicarea
comenzii de comutaie direct).
ntotdeauna la ieirea unui TEC exist o anumit
capacitate parazit C, format din capacitatea dren -
surs , capacitatea conexiunilor i capacitatea de intrare
n etajul urmtor. Datorit acestor capaciti, tensiunea
la ieire, la sfritul procesului de formare a canalului,
practic nu se schimb, capacitatea memornd
tensiunea la borne.
 Comutatia directa TEC cu
sarcina rezistiva
n continuare, capacitatea C se
descarc prin conductana dren -
surs, de la tensiunea iniial VDD
(corespunztoare strii blocate) la
valoarea redus, corespunztoare
strii de conducie (punctele B,
respectiv C din figura 3.30.b).
Punctul de funcionare al
tranzistorului se deplaseaz pe
caracteristica static VGS = V1 din B
spre C.
Acest proces determin durata
comutaiei directe a TEC-MOS.
 Comutatia inversa TEC cu
sarcina rezistiva
Dup aplicarea comenzii de comutaie invers,
sursa de semnal descarc capacitatea de gril.
Sarcina pozitiv de pe gril este eliminat iar
golurile majoritare din substrat ptrund n
regiunea srcit de sarcini de la suprafa. n
felul acesta, canalul dispare.
Procesul de nchidere a canalului este foarte
rapid, durata sa putnd fi neglijat n cadrul
timpului de comutaie invers. n planul
caracteristicilor de ieire, punctul de funcionare
trece din C n D la VDS = constant.
n continuare urmeaz ncrcarea capacitii
parazite C prin rezistena de dren pn la
tensiunea VDD corespunztoare strii blocate.
Acest proces determin durata comutaiei
inverse a TEC-MOS.
 Timpii de comutatie TEC-MOS
cu sarcina rezistiva
Comutaia conductanei dren -
surs precum i a curentului de
v in
dren se face foarte rapid.
Tensiunea la ieire are ns un V1
proces tranzitoriu mai lung,
datorit capacitii parazite de la
t
ieire.
vo
Timpii de comutaie direct i
invers au aceleai definiii ca la VDD
tranzistorul bipolar, cu deosebirea
c se refer la regimul tranzitoriu t
al tensiunii de la ieire.
La TEC-MOS aceti timpi sunt de
Figura 3.31. Rspunsul n tensiune
ordinul 20 - 100ns. al TECMOS cu canal n indus la
impuls de comand rectangular
 Sarcina rezistiva vs. sarcina
activa
n circuitele integrate actuale, tranzistoarele TEC-MOS nu lucreaz
cu sarcin rezistiv.
Rezistoarele folosite n circuitele integrate bipolare obinute prin
difuzie sau depuneri metalice n vid ocup suprafee mari. De
exemplu, un rezistor difuzat de 20k ocup o suprafa de
aproximativ 0,2 mm2.
n circuitele integrate, ca rezistoare se folosesc tot tranzistoare
TECMOS a cror suprafa este cu aproximativ un ordin de mrime
mai mic dect cea ocupat de rezistorul difuzat. n acest caz, se
utilizeaz rezistena efectiv a canalului unui TEC-MOS n conducie
care funcioneaz fie n regiunea saturat fie n cea nesaturat a
caracteristicii ID (VDS). Cu aceste dispozitive se obin rezistene cu o
bun reproductibilitate i liniaritate. n plus, posibilitatea de control a
valorii rezistenei prin tensiunea de gril constituie un avantaj
deosebit pentru proiectantul de circuite integrate.
 TEC cu sarcina activ in
regim de comutaie
Sarcina tranzistorului driver
este un tranzistor de +VDD vi
acelai tip conectat ca
rezisten. 5

Sarcina activa are un Sarcin

comportament neliniar Q2 t
+ 0
vo t0
+ Driver
Q2 v 5
vi o

- - t

a. b.

Figura 3.32. TEC cu sarcin activ

 TEC cu sarcina activ in
regim de comutaie
Pentru t < t0, tensiunea de intrare are o
valoare sczut; din caracteristica de +VDD vi
transfer din figura 3.34 se observ c V0 5
= VDD. Curentul n circuit, ID1, este zero.
Aceasta este o caracteristic tipic Sarcin
pentru un comutator deschis, la care Q2 t
tensiunea la borne este ridicat, n timp + 0
vo t0
ce curentul este zero. + Driver
Q2 v 5
Pentru t > t0 , tensiunea de intrare este vi o

VDD, rezultnd o tensiune de ieire Vo = 0 - - t

(figura 3.32.b) i un curent semnificativ
tipic de aproximativ 100 A al VDD = 5V.
Aceste condiii aproximeaz un a. b.

comutator nchis la care exist un Figura 3.32. TEC cu sarcin activ

curent important asociat unei tensiuni

joase care traverseaz comutatorului
(ntre dren i surs).
 Caracteristicile de iesire TEC-
MOS cu sarcina activa
Dreapta de sarcin
Pentru t < t0, tensiunea de ID1[A] neliniar
intrare are o valoare sczut;
VGS1=6V
din caracteristica de transfer 300
din figura 3.34 se observ c Caracteristici de ieire
V0 = VDD. Curentul n circuit, VGS1=5V
200 ale tranzistorului driver
ID1, este zero. Aceasta este o VGS1=4V
caracteristic tipic pentru un
100 VGS1=3V
comutator deschis, la care
tensiunea la borne este VDS1[V]
ridicat, n timp ce curentul 2 4 6
este zero.
Figura 3.33. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului driver i
caracteristica de sarcin n cazul unei sarcini active n dren

Pentru t > t0 , tensiunea de intrare este VDD, rezultnd o tensiune de ieire Vo = 0

(figura 3.32.b) i un curent semnificativ tipic de aproximativ 100 A al VDD = 5V.
Aceste condiii aproximeaz un comutator nchis la care exist un curent
important asociat unei tensiuni joase care traverseaz comutatorului (ntre dren
i surs).
 Caracteristica de transfer
TECMOS cu sarcina activa
Cele dou stri ale comutatorului pot fi
deduse din caracteristica de transfer (figura vo [V]
5
3.34). Atta timp ct vi VT tensiunea de 4
ieire este ridicat i curentul este zero.
3
Tensiunile de intrare mai mari de VDD 2
produc doar schimbri mici ale parametrilor 1
vi [V]
v0, respectiv ID1 (cu excepia situaiei cnd 0
are loc strpungerea tranzistoarelor). 1 2 3 4 5

n consecin, curentul de ieire este Figura 3.34. Caracteristica de transfer

pentru TEC cu sarcin activ
determinat aproape n ntregime de
caracteristica de ncrcare i de curentul de
dren furnizat de sursa de alimentare, VDD .