Electronică de Putere

Electronică de Putere

Curs 2 Tranzistorul Bipolar cu Joncţiune (BJT)

Structura tranzistorului bipolar BJT de putere

Structura şi simbolul Tranzistorului Bipolar cu Joncţiune (BJT)

BAZĂĂ EMITOR BAZĂĂ
(B) (E) (B)

+
N C
P

B
-
N d
E
+
N

COLECTOR (C)

1
Comutaţia directă a tranzistorului BJT de putere

Distribuţia curenţilor şi a sarcinilor stocate în structura BJT

vCE > 0
(+) (+)
iB1  0 B E B iB1  0 Q
iB  iC.SAT 
+
N P
Qb Qb Qd
Qc
Qd Qc Qd Qb
-
N
N+
0 0,2 0,4 0,6 0,8 v
C CE.SAT.[V]

(++)

Comutaţia directă a tranzistorului BJT de putere

Evitarea saturaţiei profunde

utilizând rețeaua Baker
Accelerarea comutaţiei
directe cu circuite R-C
R1
C1
3 (+)

R1 Tp
S
vD2.ON + vBE.ON = “ON”
= vD1.ON + vCE.SAT V1
+
-
=> vCE.SAT ≥ 0.6V
4

2
Comutaţia inversă a tranzistorului BJT de putere

Metode de blocare a tranzistorului BJT prin comanda în bază

(+) (+)

R2 R2
S Tp S Tp
“OFF” “OFF”
-
iB2 = 0 V2 iB2  0
+

a) b)

(+) (+)

R2 LB R2 R3
S Tp S Tp
“OFF” “OFF”
+ -
-
V2 D iB2  0 C2 iB2  0
+

c) d)

Comutaţia inversă a tranzistorului BJT de putere

(-) (-) (-) (-)

iB1  0 B E B iB1  0 iB1  0 B E B iB1  0

N+ P N+ P
Qb Qb Qb Qb
I II
Qd Qc Qd Qc
Etapele procesului N- N-
N+ N+

de blocare cu un (+)
C
(+)
C

curent negativ în iB1  0

(-)
B E B
(-)
iB1  0 iB1  0
(-)
B E B
(-)
iB1  0

b
baza ttranzistorului
i t l i
+ +
N P N P
Qb Qb

III IV
Qc
N - Qr N -

N+ N+

C C
(+) (+)

3
Principiile comenzii în bază a tranzistorului BJT

Schema funcţională a unui Formele de undă ce descriu

circuit de comandă în bază comutația tranzistorului BJT
R1
C1 iC, vCE
3 vCE
(+) iC
iB1  0 D2

R1 Vd
D1 I0
D4 R2 LB vCE.SAT t
S Tp
ts
“ON” “OFF” iB
tf
iB2  0
+ - D3 +IB1 t
+V1 -V2
- + -IB2
tON
tOFF

Pierderile de putere pe tranzististorul BJT

Tj  Tcase
 Rezistența termică joncțiune-capsulă: R jc 
Pd
Tj  Tamb
 Puterea maximă pe care o poate disipa: Pd.MAX 
R jc  R ca
R ca (R cr  R ra )
 Rezistența capsulă-mediu ambiant: R ca sau
R ca  R cr  R ra
 Puterea disipată pe tranzistor: Pd  PSTATIC  PDINAMIC
o Pierderi în conducție: Pd.ON = vCE.SAT·iC.SAT = vCE.SAT·I0
o Pierderi la comutație: PDINAMIC = PTR.ON + PTR.OFF

4
Conexiunea Darlington

Schema electrică de principiu și tranzistorul bipolar echivalent

C = C1 + C2
C

B = B1
B T p1 tranzistorul
echivalent
Tp vCE = v CE2
Tp 2

vBE = vBE1 + vBE2

E = E2
E
βe = β1 + β 2 + β1· β2  β 1· β2
v CE 2 .SAT  v BE 1 .ON  v BE 2 .ON  v BC 1 .SAT  v BE .ON

Conexiunea Darlington

Module realizate cu tranzistoare BJT în conexiune Darlington

C
C

B Tp1
B Tp1 Tp2
Tp2 Tp3 D3
D1 D2

D R1 R2 R3
E
E

Diodă de accelerare a comutației inverse (speed-up diode)

10

5
Circuite de comandă în bază cu cuplaj direct

Driver ce utilizează pentru blocare: a) o sursă negativă (–VCC);

b) un condensator încărcat pe durata conducției tranzistorului.
tranzistorului
a) b)

11

Circuite de comandă în bază cu separare galvanică

a) Driver cu transferul b) Driver cu refacerea semnalului

puterii de comandă din în secundarul transformatorului
primar în secundar +V1
R1
(+) (+)
T3 T1
CD DZ D3
T4
ON D4
  Tp
OFF vcom
T2

a) b) R2 LB

-V2

12