37

3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

3.1 Caracteristica şi clasificarea generală a tranzistoarelor

Tranzistoarele constituie cele mai răspândite elemente semiconductoare cu

mai multe joncţiuni p-n, care stau la baza multor dispozitive electronice complexe,
atât de putere mică (microelectronică), cât şi de putere mare (electronica de
putere), deoarece posedă un număr mai mare de proprietăţi (funcţii), faţă de diode
şi tiristoare. În particular:
 Diodele clasice, descrise în capitolul precedent, au la bază un regim de
comutaţie (discret) de funcţionare (rezistenţă interioară Ri=∞ - în stare blocată, sau
Ri≈0 - în stare de conducţie), pe când tranzistoarele pot asigura orice regim de
funcţionare, atat discret, cât şi analogic (continuu şi reglabil) cu o rezistenţă
reglabilă 0≤Ri≤∞ , adică sunt universale în raport cu regimurile de funcţionare;
 În regim continuu tranzistoarele pot amplifica curentul circuitului de intrare;
 Diodele clasice sunt elemente necomandate, pe când tranzistoarele pot fi
complet comandate, adică pot închise, sau deschise în orice moment de timp sub
acţiunea unei semnal exterior, aplicat la electrodul de comandă;
 Frecvenţa de comutaţie (rapiditatea) tranzistoarelor este mai mare decât cea
a diodelor şi tiristoarelor;
 Tranzistoarele posedă aceeaşi funcţie de conducţie unilaterală a curentului,
adică într-o singură direcţie, la fel ca şi diodele şi tiristoarele.
 Tranzistoarele însă cedează tiristoarelor numai în raport cu tensiunea
maximă admisibilă şi curentul maxim admiibil.
Există mai multe tipuri de tranzistoare, de aceea ele se clasifică după anumite
criterii. După curentul nominal şi după frecvenţa de funcţionare tranzistoarele se
clasifică la fel ca şi diodele - în 3 grupe (mici, medii şi mari). După structura
interioară şi principiul de funcţionare tranzistoarele pot fi grupate în 3 grupe
principale:
1) Bipolare (cu 2 tipuri de sarcini libere de conductibilitate pozitivă şi
negativă);
2) unipolare (cu efect de câmp - MOSFET);
3) hibride (intrare unipolară şi ieşire bipolară, sau tranzistoare bipolare cu
grilă izolată IGBT).
Fiecare din primele două grupe are avantajele şi dezavantajele sale.
Tranzistoarele bipolare (TB), de exemplu, permit curenţi şi tensiuni mai mari,
însă sunt comandate prin curent, servesc ca surse de curent, de aceea necesită un
consum relativ mare de energie electrică. Denumirea „bipolară” a lor provine de la
faptul, că la conducţia curentului de ieşire participă ambele tipuri de sarcini
microelectronice libere - pozitive „p” (golurile) şi negative „n” (electronii).
Tranzistoarele unipolare conduc curentul de ieşire printr-un singur canal
cu un singur tip de sarcini microelectronice (p, sau n), şi se comandă prin tensiune
(câmp), denumirea prescurtată în engleză fiind MOSFET. Aceste tranzistoare
asigură o fecvenţă de funcţionare mai înaltă, necesitând un consum de energie mult
mai mic. De aceea ele şi–au găsit o largă răspândire în dispozitivele electronice
 38
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

mobile, alimentate de la baterii mici (miniatură). Dezanvantajul lor principal

constă în puterea maximă limitată.
Tranzistoarele hibride IGBT îmbină avantajele ambelor grupe şi exclud
dezavantajele, de aceea se folosesc mai mult în electronica de putere (de curenţi
mari). În acest caz tranzistoarele trebuie să aibă rezistenţe şi pierderi interioare cât
mai mici, ceea ce este posibil în regim dicret de chei (comutaţii), când
concentraţia sarcinilor libere din zonele principale p-n este maximă).

3.2 Tranzistoare bipolare

3.2.1 Scheme structurale

Aceste tranzistoare au 3 zone consecutive de conductibilitate pozitivă (p) şi

negativă (n), care pot realizate, la rândul lor, în 2 variante identice: n-p-n, sau p-n-
p (fig.3.1). Fiecare zonă are electrodul său de conexiuni exterioare: zonele
marginale se numesc EMITOR (E) şi COLECTOR (C), iar zona de mijloc –
BAZĂ (B).

Fig. 3.1.Structura zonală interioară, parametrii şi notaţiile tranzistoarelor bipolare

Denumirile electrozilor de conexiuni exterioare provin de la destinaţia lor:

primul (Emitorul) are funcţia de emitere (livrare, injectare) a purtătorilor de
sarcină (golurilor, sau electronilor liberi). Al treilea electrod (Colectorul) asigură
 39
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

colectarea (acumularea) acestor purtători şi transmiterea lor mai departe în circuitul

exterior, iar funcţia Bazei constă în dirijarea (comanda şi reglarea) procesului de
transmitere a acestor purtători de sarcină, iar ca urmare şi a curentului, de la Emitor
spre Colector, iar apoi spre circuitul exterior de sarcină.
În schemele electrice ambele variante de conductibilitate ale TB se notează
identic, evidenţiind Emitorul prin săgeată, direcţia căreia indică direcţia curentului,
care coincide cu cea a sarcinilor pozitive (golurilor). Dacă săgeata Emitorului este
îndreptată dinspre Bază spre exterior, atunci acest tranzistor este n–p–n, curentul
pozitiv fiind îndreptat de la Colector spre Emitor. Dacă săgeata Emitorului este
îndreptată invers – din exterior spre Bază, tranzistorul este de tip p–n–p, curentul
pozitiv fiind îndreptat invers – de la Emitor spre Colector (fig.3.1).
Aşadar, 3 zone de conductibilitate aleTB alcătuiesc 2 joncţiuni p-n :
joncţiunea Bază-Emitor (BE) şi joncţiunea Bază-Colector (BC), ceea ce permitea
reprezentarea lor simbolică prin 2 diode
semiconductoare p-n, conectate paralel - în raport cu
Baza B, şi în serie cu sensuri opuse ale curentului - în
raport cu Emitorul şi Colectorul (fig.3.2).

Fig.3.2. Reprezentarea TB prin 2 diode BE şi BC

Însă în cazul TB aceste diode sunt nişte diode speciale, care se deosebesc de
cele tradiţionale, descrise în capitolul precedent, prin 2 particularităţi principale:
1) zona de mijloc are o grosime relativă mult mai mică, faţă de zonele
marginale (în figura precedentă această particularitate nu este
întâmplătoare);
2) zona de mijloc este dopată cu impurităţi de o concentraţie mult mai mică a
sarcinilor libere majoritare de conductibilitate p-n, faţă de zonele marginale;
Diodele speciale, spre deosebire de cele clasice, pot funcţiona la curenţi şi
tensiuni foarte mici. În aceste cazuri ele pot trece lin din regimul de blocare în
regimul de conducţie, trecând
printr-un regim intermediar
activ (liniar) (fig. 3.3). Pentru
dioda 1N4005, de exemplu,
regimul activ are loc pentru
tensiuniUP(0,7V)<UAK<USAT(1,5
V). În regim de saturaţie, când
UAK>USAT, căderea de tensiune pe
diodă este minimă (UAK=IDRi≈1-
2V), iar în regim activ este mai
mare. Această cădere determină,
la rândul ei, pierderile interioare
de energie şi încălzirea diodei.

Fig.3.3. Caracteristica Amper-Tensiune ID(UAK) a diodei 1N4005

 40
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

Regimuri asemănătoare pot avea loc şi în cele 2 diode convenţionale (joncţiuni)

ale tranzistoarelor bipolare. Fiecare joncţiune (diodă) BE şi BC, necesită o tensiune
exterioară de alimentare şi polarizare. În figura 3.4 este arătată polaritatea tipică a
acestor 2 tensiuni de polarizare pentru tranzistorul n-p-n. În acest caz tensiunea
primei joncţiuni (diode) UBE (VBE) este directă UBE>0 („+” la Baza p şi „-„ la
Emitorul n), iar tensiunea diodei BC este inversă UCE<0 („+” la Colectorul n şi „-
„ la Baza p şi Emitorul n). În serie cu aceste tensiun sunt conectare câte o
rezistenţă RB şi RC de limitare a curenţilor IB şi IC. Prima tensiune de alimentare
UBB şi joncţiune BE alcătuiesc circuitul de intrare, iar a doua tensiune UCC şi
joncţiune CE– circuitul de ieşire. Această schemă se numeşte schemă cu Emitor
comun, deoarece Emitorul este comun pentru ambele circuite. Deoarece
UBE>0,tranzistoarele n-p-n se deschid cu semnale pozitive de curent la Bază.
La tranzistoarele p-n-p polatitatea tensiunilor de alimentare şi polarizare este
inversă. Ca urmare, ele se dischid cu semnale negative la Bază.

Fig.3.4. Polarizarea joncţiunilor TB n-p-n cu 2 tensiuni diferite de alimentare

În unele cazuri este raţional de utilizat o singură tensiune de alimentare şi

polarizare ale ambelor circuite. În figura 3.5 sunt arătate 2 variante de alimentare
şi polarizare a circuitului de intrare prin intermediul tensiunii circuitului de ieşire
UCC şi a unei singure rezistenţe RB (fig.3.5,a), sau a două rezistenţe R1-R2
(fig.3.5,b). În primul caz tensiunea de polarizare directă a circuitului de intrare
R2 R1 R2
UBE=UCC-IBRB, iar în al 2-lea caz U BE U CC IB
R1 R2 R1 R2

a)
Fig.3.5. Alimentarea şi polarizarea TB n-p-n cu o singură tensiune UCC
 41
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

3.2.2 Principii de funcţionare

Tranzistoarele bipolare pot funcţiona fie în regim de comutaţie (impulsuri

discrete, sau închis/deschis complet), fie în regim intermediar activ (parţial
deschis), în funcţie de amplitudinea curentului circuitului de intrare IB, care
depinde, la rândul sau, de tensiune UBE.. În particular, dacă UBE este mai mică decât
tensiunea minimă de prag UBE<UP (0,6-0,7V), curentul Bazei IB=0 şi joncţiunea
BE este blocată, la fel ca la orice diodă clasică (fig.3.6,a). În acest caz joncţiunea
BC, de asemenea, este blocată, indiferent de tensiunea circuitului de ieşire UCE.
Dacă UP<UBE<UBE.SAT, joncţiunea BE este parţial deschisă (regim activ),
curentul IB>0, iar regimul joncţiunii BC depinde de tensiunea circuitului de ieşire
UCE. În particular, dacă UCE<UBE, joncţiunea BC este, de asemenea, deschisă de
către tensiunea pozitivă a circuitului de intrare UBE. Electronii liberi din zona
Emitorului trec graniţa în zona Bazei, însă puţini din ei recombină cu golurile din
această zonă, cauzând un curent IB relativ mic, deoarece concentraţia acestor goluri
este foarte mică. În plus la aceasta, grosimea Bazei este, de asemenea, foarte mică,
de aceea majoritatea electronilor liberi, veniţi din Emitor, sunt atraşi de potenţialul
pozitiv al ionilor impurităţilor zonei Colectorului Ei şi de tensiunea exterioară
pozitivă UCE. Aceşti electroni cauzează un curent de ieşire IC, care creşte
proporţional cu tensiunea UCE, deoarece ambele joncţiuni sunt deschise (fig.3.6,b):
IC=IE-IB≈IE, deoarece IB=(0,01-0,05)IE
Proprietatea de amplificare a TB este confirmată de raportul acestor curenţi,
sau, mai bine zis, de coeficienţii de raportare a lor:
α=IC/IE≈0,95-0,99 – coeficientul de raportare a curentuli Colectorului şi Emitorului
β=IC/IB≈20-200 – coeficientul de amplificare în curent (ieşire/intrare) al TB.

a) b)
Fig.3.6. Caracteristici Amper-Tensiune ale circuitelor de intrare (a) şi ieşire (b) TB
 42
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

Dacă tensiunea circuitului de ieşire UCE>UBE, joncţiunea BC se blochează, iar

creşterea tensiunii UCE puţin influenţează asupra curentului Colectorului IC.
Creşterea acestui curent poate fi obţinută efectiv doar prin ridicarea curentului
circuitului de intare IB (fig.3.6,b).
Dacă UBE>UBE.SAT, ambele joncţiuni BE şi BC trec în regim de saturaţie şi
conducţie a purtătorilor de sarcini microelectronice, ceea ce permite o creştere
ulterioară a curenţilor de intrare/ieşire şi o cădere minimă de tensiune
UCE=UCE.MIN=2RiIC≈(1-2)V. Acest regim se utilizează în convertoarele electronice
de putere cu funcţionare prin impulsuri discrete, deoarece minimizează piederile
interioare din aceste convertoare, adică ridică randamentul lor.
În figura 3.7 sunt arătate unele tranzistoare bipolare reale de diferiţi curenţi şi
cu diferite variante constructive ale corpului de protecţie. Tranzistoarele de curenţi
mici se execută, de regulă, într-un corp plat din masă plastică cu cei 3 electrozi de
conexiuni exterioare B,E,C, iar tranzistoarele de curenţi mari - într-un corp
metalic, legat cu colectorul C, care se montează pe un radiator de răcire. Parametrii
principali şi caracteristicile de intrare/ieşire ale fiecărui tranzistor se indică în
cataloagele firmelor producătoare.

Fig.3.7. Exemple constructive de tranzistoare bipolare reale

3.2.3 Exemple simplificate de utilizare ale TB în regim analogic

În figura 3.7 este arătată o schemă simplă de utilizare a tranzistorului bipolar

n-p-n cu Emitor comun în regim de amplificare a unui semnal alternativ mic, de
exemplu sinusoidal u1(t)=U1.Msinωt, generat de un senzor Hall. Acest semnal
alternativ însă trebuie separat de tensiunea continue de polarizare UBE, care se
obţine prin intermediul divizorului de tensiune R1-R2 (fig. 3.5), care impune
tranzistorului un regim activ de conducţie (fig.3.6,b). Această separare se
realizează prin condensatorul C1, care transmite doar semnalul sinusoidal către
circuitul de intrare al tranzistorului, unde se însumează cu tensiunea continue de
 43
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

polarizare. În mod analogic condensatorul C2 separă tensiunea combinată

(c,c.+c.a.) de ieşire a
Colectorului, transmiţând
rezistenţei de sarcină RL
doar componenta
alternativă a tensiunii
UCE, amplificată de
tranzistor.

Fig.3.7. TB ca amplicator
al unui semnal sinusoidal

În figura 3.8,a este arătat un exemplu simplu de utilizare a unui tranzistor

bipolar în funcţii de reglare şi stabilizare automată a unei tensiuni continue de
sarcină Vs=const, când rezistenţa (curentul) de sarcină sunt variabile Rs=var, iar
tensiunea continue de alimentare Ve este nereglabilă (se obţine, de exemplu, printr-
un transformator monofazat şi un redresor necomandat cu diode). Tranzistorul n-p-
n în acest caz este conectat în versiunea Colector Comun, numită, de asemena,
Repetor pe Emitor, când sarcina se conectează nu în circuitul Colectorului, ci în
circuitul Emitorului. În acest caz polaritatea tesiunii de ieşire Vs de pe Emitor
coincide cu polaritatea tensiunii de intrare Ve de pe Colector,
La Baza tranzistorului se aplică o tensiune de prescriere (referinţă) constantă
Vz=const (nu depinde rezistenţa de sarcină), obţinută cu ajutorul unei diode
speciale Zener Dz, polarizată în sens invers prin rezistenţa Rz. Tensiunea de ieşire
Vs în acest caz este puţin mai mică decât tensiunea de prescriere Vz, deoarece
Vs=Vz-UBE≈Vz, deoarece UBE este mică. Principiul de stabilizare al tensiunii de
sarcină este simplu. Când rezistenţa de sarcină se micşorează, de exemplu,
tensiunea Vs începe să scadă, micşorând potenţialul Emitorului. În rezultat,
tensiunea joncţiunii (diodei) UBE=Vz-Vs începe să crească, ceea ce măreşte
curentul Bazei IB, iar, ca urmare, se măreşte şi curentul Emitorului, deoarece IE≈IBβ
(β- coeficientul de amplificare al tranzistorului). În rezultatul final tensiunea de la
bornele sarcinii se restabileşte la valoarea prescrisă, adică se stabilizează Vs=const.
Evident, că pentru a asigura această stabilizare, tensiunea de sarcină Vs trebuie
să fie mai mică, decât tensiunea de alimentare Ve>Vs (pentru ca tranzistorul să
aibă o rezervă de tensiune, pentru a ridica curentul de sarcină). Diferenţa de
tensiune Ve-Vs în acest caz cade pe circuitul CE al tranzistorului: UCE =Ve-Vs,
care funcţionează în regim activ liniar. Această cădere de tensiune măreşte puterea,
disipată de tranzistor PT=I(Ve-Vs) şi temperatura acestuia. Pentru a limita aceată
temperatură, tranzistorul trebuie montat pe un radiator de răcire.
Această schemă de stabilizare/reglare automată este simplă, însă are un
dezavantaj: când temperatura tranzistorului creşte, se măreşte curentul invers al
sarcinilor minoritare ale zonelor tranzistorului, ceea ce micşorează precizia de
stabilizare a tensiunii de sarcină. Acest dezavantaj poate fi diminuat în cazul
utilizării unui amplificator operaţional , care controlează tensiunea Vs (fig.3.8,b).
 44
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

Fig.3.8. Utilizarea unui TB în calitate de stabilizator automat de tensiune

3.2.4 Exemple simplificate de utilizare a TB în acţionări electrice

În acţionări electrice, cu diferite tipuri de motoare, tranzistoarele bipolare se

utilizează mai des ca elemente de interfaşă (legătură) dintre partea
microelectronică de comandă şi partea de forţă a unui convertor de putere. În
figura 3.9 este arătat un exemplu simplu de aplicare a unui tranzistor bipolar n-p-n
pentru comanda unui releu intermediar, contactul de ieşire al căruia poate porni un
motor monofazat de curent alternativ şi de putere mică. Bobina releului în acest
caz este şuntată de o diodă inversă D1, care protejează tranzistorul de tensiunea de
inducţie eL=-Ldi/dt, generată de bobină la deconectarea tranzistorului, când
derivata di/dt→∞. Circuitul de intrare al tranzistorului poate fi comandat, la rândul
său, de un senzor de proximitate, sau de un sistem de automatizare.
Comanda similară a unui motor asincron trifazat prevede utilizarea adăugătoare
a unui contactor (demaror) trifazat, bobina căruia este comandată, la rândul ei, de
contactul Normal-Deschis al aceluiaşi releu.

Fig.3.9. Exemplu de comandă discretă a unui releu intermediar cu un TB

Un alt exemplu de utilizare a tranzistoarelor bipolare, ca elemente de interfaţă

dintre un sistem microelectronic de comandă discretă şi un motor de curent
continuu MCC de putere mică (fig.3.10). Pornirea motorului se efectuează prin
intermediul tranzistorului de ieşire p-n-p T1, care conectează motorul la o sursă de
c.c. de 48V. Acest tranzistor se deschide cu ajutorul semnalului discret de intare
Vcde=12V şi al tranzistorului intermediar de amplificare n-p-n T3. Semnalul
 45
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

Vcde=12V se inversează concomitent printr-un circuit logic de inversare NU

(NOT), care blochează tranzistorul T2 de frânare dinamică a motorului. Acesta din
urmă se deschide în caz, când se anulează semnalul Vcde=0 şi după ce se
deconectează tranzistorul T1. În regim de frânare, sub acţiunea t.e.m. E0=kФω, are
loc schimbarea sensului curentului Ii=(Ui-E0)/Ri=-E0/Ri şi a cuplului M=-kФIi.

Fig.3.10. Utilizarea TB pentru comanda discretă a unui motor de curent continuu

TB se folosesc, de asemenea, pentru comanda motoarelor pas cu pas (MPP).

Aceste motoare reprezintă nişte maşini sincrone speciale de putere mică cu rotor
activ (cu magneţi permanenţi), reactiv dinţat (din fier masiv), sau hibrid (un singur
magnet permanent MP dinţat) şi stator cu 2-6 faze statorice concentrate pe poli
aparenţi, alimentate consecutiv de la un convertor electronic (draiver) cu impulsuri
dreptunghiulare monopolare (de o singură polaritate pozitivă), sau bipolare
(pozitive şi negative) de frecvenţă redusă (fig.3.11,a.). MPP moderne au 2 faze pe
stator cu 2 secţii fiecare, conectate în serie, pentru a forma un Nul şi pentru a putea
asigura inversarea sensului de rotaţie (fig.3.11,b).

Fig.3.11. Principii constructive de bază (a) şi schema electrică a unui motor

pas cu pac cu 2 faze statorice (b)
 46
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

Comanda monopolară a MPP este mai simplă, întrucât fiecare fază poate fi
comandată de 2 tranzistoare de putere, conectate în serie cu secţia respectivă
(fig.3.12). Impulsul de alimentare +12V în acest caz se aplică prin tranzistorul Q1
către prima secţie a fazei A, pentru un sens direct al fluxului magnetic (sensului de
rotaţie). Când este necesar un sens opus de rotaţie, se deschide tranzistorul Q2,
care alimentează secţia a doua a fazei A. Cănd aceste tranzistoare se închid,
micşorarea până la 0 a curentului secţiilor se face prin diodele inverse, conectate
paralel cu fiecare secţie. Succesiunea impulsurilor de comandă a fazelor A-B
(tranzistoarelor Q1-Q4) este realizată cu ajutorul a două JK-bistabile ale circuitului
integrat IC2. Aceastea din urmă sunt comandate, la rândul lor, de impulsurile
exterioare (шаг) ale unui microcontroler, iar sensul de rotaţie se alege prin
comutatorul S1 şi circuitului integrat IC1 cu 4 elemente SAU EXCLUSIV.

Fig. 3.12. Schema funcţională a unui draiver cu 4 TB şi comandă monopolară a

MPP cu 2 faze
La o comandă bipolară draiverul conţine în fiecare fază câte 4 tranzistoare,
conectate într-o punte monofazată, în care faza se conectează în diagonala de ieşire
a punţii, iar în diagonala de intrare se aplică tensiunea continue de alimentare (fig.
3.13). Când este necesar un impuls pozitiv sunt deschise 2 tranzistoare încrucişate
ale punţii (Q1,Q4), iar cănd este necesar un impuls negativ – celelalte 2
tranzistoare încrucişate (Q2,Q3). Fiecare tranzistor trebuie şuntat neapărat cu o
diodă inversă, care să preia curentul la deconectarea tranzitoarelor şi să excludă
apariţia unor supratensiuni posibile de inducţie, cauzate de înfăşurările motorului.
În afară de funcţiile de comandă, draiverul asigură, de asemenea, funcţii de
protecţie, de exemplu de limitare a curentului maximal al motorului, sau de
 47
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

„forsaj” (obţinere a unui şoc de curent iniţial mai mare în momentul aplicării
impulsului de alimentare, pentru a ridica cuplul de pornire al motorului).

Fig.3.13.Schema simplificată de comandă bipolară a MPP cu 2 punţi monofazte

cu câte 4 tranzistoare bipolare fiecare

3.3 Tranzistoare unipolare cu comandă prin câmp electric

3.3.1. Clasificarea şi caracteristica generală

Aceste tranzistoare asigură conducţia curentului electric printr-un singur tip

de purtători de sarcină: sau n, sau p. Funcţionarea lor se bazează pe variaţia
conductibilităţii unui canal semiconductor de tip n, sau p, dimensiunile
transversale ale căruia pot fi modificate cu ajutorul câmpului electric transversal,
creat printr-o tensiune exterioară între un electrod de comandă şi canalul iniţial, sau
indus. În legătură cu aceasta tranzistoarele unipolare se mai numesc tranzistoare
cu efect de câmp electric (prescurtat în engleză FET) . Această tehnologie este
mai simplă decât cea bipolară, asigură un consum de curent foarte mic şi o
frecvenţă maximă mai înaltă de funcţionare, de aceea şi-a găsit o foarte largă
aplicaţie în practică.
Aceste tranzistoare pot fi de două tipuri:
1) cu canal iniţial n (sau p) şi grilă joncţiune p–n;
2) cu canal iniţial, sau indus n (sau p) şi grilă izolată.
Tehnologia a doua este mai simplă, ceea i-a cauzat o utilizare mai largă. Din
cauza principiului constructiv utilizat, ea se mai numeşte tehnologie „metal–
oxid–semiconductor MOS”, de unde vine şi denumirea MOSFET. Tranzistoarele
MOSFET, la fel ca şi cele bipolare, se produc în 2 clase principale:
- tanzistoare MOSFET de curenţi mici pentru dispozitive microelectronice;
- tranzistoate MOSFET de putere (de curenţi mari) în electronica de putere.
 48
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

Primul tip de tranzistoare are la bază un canal de tip n, cu o concentraţie a

electronilor liberi mult mai mică, faţă de 2 straturi de conductibilitate opusă p,
puternic dopate cu purtători de sarcină goluri (fig.3.14,a). Deplasarea electronilor
liberi prin canal are loc sub influenţa tensiunii exterioare EDS, aplicată între
electrozii de la capetele canalului, numiţi corespunzător Sursă S, adecvată
Emitorului şi Drenă D, adecvată Colectorului. Însă conductibilitatea canalului
depinde de secţiunea lui transversală şi de numărul purtătorilor mobili (electronilor
liberi) din el. Secţiunea transversală a canalului poate fi micşorată prin polarizarea
inversă a joncţiunilor laterale p–n, aplicând la electrodul de comandă, numit
Grilă, o tensiune inversă EGS,, conectată paralel la ambele zone p.
Dacă tensiunea de comandă a grilei U GS 0 , canalul este deschis şi curentul de
ieşire al Drenei este egal cu curentul nominal (de saturaţie) I D I DS . Dacă U GS 0 ,
canalul se îngustează, deoarece barierele inverse ale joncţiunilor p-n se lărgesc, iar
curentul I D se micşorează, iar pentru o valoare de prag U GS U p - canalul se
blochează complet, I D 0 , adică tranzistorul se închide (fig.3.14,c).
D
ID
n RD

G p p I DS
EDS U DS RD
D
EGS
G EDS
S EGS
U GS Up 0 U GS
a) b) c)

Fig.3.14. Schema structurală şi electrică cu sursă comună a tranzistorului cu canal

iniţial n şi grilă joncţiune p-n

Aşadar, tranzistoarele unipolare cu canal iniţial n şi grilă joncţiune p-n pot

asigura nu numai o comandă discretă a canalului de conducţie a curentului D-S.
La o variaţie a tensiunii Grilei, aceste tranzistoare pot, de asemenea, regla lin
rezistenţa interioară a canalului D-S în limitele 0-100%, adică îndeplinesc funcţia
unui potenţiometru reglabil (fig.3.15). Funcţionarea lor este asemănătoare cu cea a
unui robinet în circuitele hidraulice, care
reglează debitul apei în diapazonul 0-100%.

Fig.3.15. Reprezentarea tranzistoarelor

FET cu grilă joncţiune p-n în scheme
electrice şi funcţia lor echivalentă

Tranzistoarele MOSFET cu grilă izolată, de asemenea, conţin un canal

între Sursa S şi Drena D, însă acest canal poate fi iniţial, sau poate fi indus prin
fenomenul de atracţie electrică. Acest canal se injectează, sau se induce, la
 49
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

suprafaţa unei pastile semiconductoare de conductibilitate pozitivă p, numită

Substrat, care poate avea un electrod propriu, specificat printr-o săgeată, care
indică direcţia curentului. Substratul în majoritatea cazurilor se conectează la
electrodul Sursei S (fig.3.16).
O particularitate deosebită a acestor tranzistoare o constituie stratul dielectric
(izolator) de SiO2 între Grilă G şi canal, ceea ce măreşte rezistenţa de intrare şi
micşorează aproape până la zero curentul Grilei ( I G 0 ). Câmpul electric al Grilei
însă trece prin acest izolator, acţionând asupra electronilor canalului, sau
substartului. În particular, dacă tensiunea de comandă a Grilei este pozitivă U GS 0 ,
din substrat sunt atraşi adăugător în canal electroni liberi, mărind astfel secţiunea
canalului şi valoarea curentului I D . În regim de saturaţie rezistenţa interioară a
canalului se micşorează aproape de zero (ca la un contact de releu Normal-Închis).
Dacă tensiunea Grilei este negativă U GS 0 , electronii sunt respinşi din canal în
substrat, micşorând secţiunea şi curentul Drenei, inclusiv până la starea de blocare
totală, când ID=IS=0 (echivalentă cu cu un contact Normal-Deschis).
S G D S G D
SiO2 SiO2
D D
n n n n
G G
canal initial canal indus
p substrat S p substrat S

Fig.3.16. Structura interioară a tranzistoarelor MOSFET cu canal n şi grilă izolată

3.3.2. Exemple simplificate de utilizare a tranzistoareleor MOSFET

Tranzistoarele microelectronice MOSFET se utilizează mai mult pentru

realizarea mai multor circuite integrate (microscheme), iar tranzistoarele MOSFET
de putere - ca elemente de interfaţă în etajele de ieşire ale convertoarelor
acţionărilor electrice de curent continuu şi de curent alternativ. În figura 3.17 sunt
arătate 2 variante de conexiune D-S a unui tranzistor MOSFET cu canal n şi cu
canal ppentru comanda unui motor curent continuu de tensiune şi putere mică.

Fig.3.17. Principii de comanda a MCC. cu tranzistoare MOSFET cu canal n şi p

 50
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

Aceste principii sunt utilizate în schema simplificată a unui convertor cu

funcţionare prin impulsuri (în engleză chopper), destinat pentru comanda
reversibilă de 4 cadrane şi reglarea vitezei motorului de c. c. prin reglarea tensiunii
lui de alimentare (fig.3.18). Această schemă este realizată cu 4 tranzistoare
MOSFET, conectate într-o punte monofazată. Ele se deschid încrucişat T1,T4
pentru un sens al curentului şi vitezei, sau T2,T3 - pentru alt sens al curentului şi
vitezei motorului.

Fig.3.18. Comanda reversibilă şi reglarea vitezei în 4 cadrane a motorului de curent

continuu cu 4 tranzistoare MOSFET, conectate în punte monofaztă

3.4 Tranzistoare hibride IGBT

Aceste tranzistoare hibride (Unipolare-Bipolare, sau Tranzistoare Bipolare

cu Grilă Izolată IGBT) au fost concepute penru a îmbina avantajele şi diminua
dezavantajele fiecărui tip în parte. Ele sunt constituite din 2 etaje diferite. În
particular, etajul de intrare este realizat cu un tranzistor MOSFET cu canal n indus,
iar etajul de ieşire – cu 2 tranzistoare bipolare (unul p-n-p şi altul n-p-n) (fig.3.19).
În legăturaă cu aceasta, structura zonelor interioare p-n este mai complicată.

Fig.3.19. Schema simplificată, schema echivalentă şi structura zonelor p-n ale unui
tranzistor hibrid IGBT
 51
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

Tranzistoarele hibride industriale moderne, la fel ca şi diodele sau tiristoarele,

se produc în formă constructivă modulară, care presupune o integrare interioară
a mai multor elemente de putere, iar în cazul puterilor mici - inclusiv şi a unor
draivere de interfaţă. Aceste module simplifică substanţial construcţia
convertoarelor electronice de putere, micşorează masa şi gabaritele, ridică
fiabilitatea de funcţionare a lor. Numărul şi configuraţia lor depinde puterea
convertorului. În funcţie de puterea maximă, aceste module pot fi împărţite în 3
grupe principale:
- module de puteri mici (curenţi 5-50A, tensiuni 600-1200V, puteri
<10kW);
- module de puteri medii (20-600 A, 600–1700V), necesare pentru
variatoare de frecvenţă cu tensiuni 230-690V şi motoare 220-660 V);
- module de puteri mari (400-6000A) şi tensiuni înalte (High Voltage PM)
(1200-10000) V pentru invertoare şi motoare de tensiuni înalte (3-6kV).
În figura 3.20,a este prezentată schema tipică a unui variator de frecvenţă
(VF), destinat pentru reglarea lină a vitezei motoarelor trifazate asincrone şi
sincrone. El este realizat cu un modul-redresor de putere mică cu 6 diode şi un
modul-invertor cu 6 tranzistoare IGBT, şuntate de diode inverse. Redresorul
necomandat transformă tensiuea reţelei industriale de amplitudine şi frecvenţă
constantă în tensiunee constantă de curent continuu, filtartă de un condensator, iar
invertorul o transformă apoi în tensiune alternativă trifazată de amplitudine U=var
şi frecvenţă variabilă f=var. Turaţia motoarelor trifazate de curent alternativ este
direct proporţională cu frecvenţa tensiunii de alimentare şi invers proporţională cu
numărul perechilor de poli „p” ai înfăşurărilor acestor motoare: n=60f/p.
În figura 3.20,b este prezentată schema tipică a unui variator de tensiune (VT)
de curent continuu (chopper) de putere mică, destinat pentru reglarea lină a vitezei
motoarelor de c. c. (MCC) prin variaţia tensiunii lui de alimentare. Acest variator
este realizat, de asemenea, cu un modul-redresor cu 6 diode şi un modul cu 4
tranzistoare IGBT, şuntate de diode inverse şi conectate în punte monofazată.

Fig. 3.20. Module integrate ale tranzistoarelor IGBTde puteri mici pentru VF şi VT
 52
3. TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE ŞI EXEMPLE DE UTILIZARE ALE LOR

În figura 3.21,a este reprezentată construcţia şi notarea în schemele electrice

a unui modul de tranzistor hibrid IGBT de putere mare (2000A şi 2500V al
companiei ABB, care are o formă de pastilă cu următoarele dimensiuni :
236x150x26mm. Un astfel de curent mare este obşinut prin cuplarea paralelă a 6
module, care se evidenţiază pe suprafaţa superioară. Colectorul şi Emitorul,
amplasaţi pe părţile plate ale pastilei, se strâng între 2 radiatoare, iar Grila şi
Emitorul auxiliar, de aplicare a impulsului de comandă de 20V, sunt amplasaţi
lateral. În această pastilă este integrată, de asemenea, o diodă inversă, care este
necesară pentru funcţionarea tuturor convertoarelor electronice de putere.
În figura 3.21,b sunt reprezentate unele module IGBT de puteri mijlocii ale
companiei ABB, care conţin 2 tranzistoare conectate în serie, sau 3 tranzistoare
conectate paralel.

a) b)

Fig.3.21. Module de tranzistoare IGBT de puteri mari şi mijlocii ale companiei

ABB şi notarea lor în schemele electrice

Variatoarele moderne de frecvenţă, realizate cu aceste module integrate, în

prezent au primit o răspândire foarte largă, fiind utilizate, de exemplu, pentru
acţionările electrice reglabile ale strungurilor şi maşinilor unelte de prelucrare a
metalului, lemnului şi maselor plastice, pentru compresoarele şi ventilatoarele
instalaţiilor frigorifice şi de condiţionare a aerului, pentru pompele staţiilor de
pompare şi canalizare, pentru ascensoare şi macarale, pentru troleibuse, tramvaie,
trenuri şi automobile, pentru toate liniile tehnologice automatizate. De aceea aceste
variatoare vor fi descrise într-un capitol separat.