MECANISMUL CONDUCŢIEI (CONTINUARE)

Acest model de semiconductor astfel introdus, corespunde

semiconductorului intrinsec. La acest tip, reţeaua cristalină este considerată
ca având în noduri numai atomi ai semiconductorului de bază şi nu prezintă
defecte. Într-un semiconductor intrinsec, prin ruperea unei legături
covalente se formează o pereche electron-gol, deci concentraţiile celor două
tipuri de purtători sunt egale.
Notând cu n concentraţia de electroni şi cu p concentraţia de goluri
din semiconductor, valoarea lor comună se numeşte concentraţia intrinsecă
şi este notată ni. Deci, n = p = ni.
Concentraţia intrinsecă depinde de temperatura absolută şi de
lărgimea benzii interzise ΔE:
3
 ΔE 
n i  A  T  exp 
2
 (1.2)
 2k T 

unde A – constantă, iar k – constanta lui Boltzman.

Concentraţiile golurilor şi electronilor sunt puternic influenţate de
cantităţi infime de impurităţi, care se adaugă la un semiconductor în timpul
fabricării lui. Procesul prin care într-un semiconductor se introduc impurităţi
se numeşte dopare, iar semiconductorii respectivi se numesc
semiconductori extrinseci.
Dacă reţeaua cristalină a unui semiconductor tetravalent (germaniu,
siliciu) este dopată cu o impuritate pentavalentă (stibiu, fosfor, arseniu,
bismut), cel de-al cincilea electron de valenţă nu participă la formarea
legăturii covalente, fiind slab legat de atomul său. Chiar la temperatura
camerei acest al cincilea electron poate să devină liber şi astfel atomii de
impuritate constituie o sursă de electroni de conducţie în reţeaua
semiconductorului (figura 1.9).
Electronul de impuritate, devenit liber, nu lasă în urma sa un ci un ion
pozitiv de impuritate, fix, în reţeaua cristalină a semiconductorului.

+4 +4 +4

e-
+4 +5 +4

+4 +4 +4

Figura 1.9

Notând cu nn concentraţia de electroni, pn concentraţia de goluri din

materialul semiconductor, ND concentraţia atomilor de impuritate, ND+
concentraţia de ioni pozitivi, avem următoarele relaţii:
 n n  N D  N D (1.3)
2
n
pn  i
(1.4)
nn

Aceste impurităţi se numesc donoare (de tip n), iar semiconductorul

cu impurităţi donoare se numeşte semiconductor de tip n. Într-un
semiconductor de tip n electronii de conducţie (datoraţi atomilor de
impuritate) sînt în număr mare şi se numesc purtători mobili de sarcină
majoritari, iar golurile sunt în număr mic şi se numesc purtători de sarcină
minoritari.
Cînd reţeaua cristalină a unui semiconductor tetravalent este dopat cu
impurităţi trivalente (atomi de indiu, galiu, aluminiu etc.), atunci o legătură
covalenţă dintre un atom de impuritate şi un atom de semiconductor rămîne
nesatisfăcută. Din cauza agitaţiei termice (chiar la temperatura camerei),
electronii de valenţă dobîndesc un surplus de energie şi unii dintre ei vor
completa legăturile covalente nesatisfăcute ale atomilor de impuritate, lăsînd
goluri în urma lor (figura 1.10).
Deoarece electronul care a completat legătura covalentă liberă rămâne
fixat în cadrul legăturii covalente a atomului de impuritate, acesta din urmă
se transformă în ion negativ. Mecanismul de formare a unui gol nu a fost
însoţit de apariţia unui electron de conducţie.

+4 +4 +4

+4 +3 +4
Gol
e-
+4 +4 +4

Figura 1.10

Notînd cu pp numărul de goluri, np concentraţia de electroni, NA

concentraţia atomilor de impuritate, NA- concentraţia de ioni negativi din
materialul semiconductor, avem următoarele relaţii:

p p  N A  N A (1.5)
2
n
np  i
(1.6)
pp

Asemenea impurităţi se numesc acceptoare (de tip p), iar

semiconductorul cu impurităţi acceptoare se numeşte semiconductor de tip
p. Într-un asemenea semiconductor, purtătorii mobili de sarcină majoritari
(proveniţi din atomii impurităţilor) sînt golurile, iar purtătorii mobili minoritari
(produşi de ruperea legăturilor covalente datorită creşterii temperaturii) sînt
electronii.
JONCŢIUNEA P - N LA ECHILIBRU TERMIC

În tehnică şi-au găsit aplicaţii materialele semiconductoare formate

din două regiuni: o regiune dopată cu impurităţi acceptoare, în concentraţie
NA, deci de tip p, şi o regiune dopată cu impurităţi donoare, în concentraţie
ND, respectiv de tip n. Simplist, un semiconductor n poate considerat ca
format din ioni donori pozitivi ficşi şi electroni negativi mobili, iar cel de tip p
ca format din ioni acceptori negativi ficşi şi goluri pozitive mobile.
Să considerăm cele două regiuni unite printr-o structură cristalină
continuă. Suprafaţa care separă regiunile de tip p şi de tip n dintr-un
semiconductor eterogen reprezintă o joncţiune p-n.
În regiunea p, golurile, în concentraţie p p0, sînt purtători mobili de
sarcină majoritari, iar electronii, în concentraţie n p0, sînt purtători minoritari,
concentraţia golurilor fiind mult mai mare decît cea a electronilor.
2
n
p p0  N A n p0  i (2.1)
NA

În regiunea n, dimpotrivă, electronii, în concentraţie n n0 sint purtători

majoritari, iar golurile, în concentraţie pn0, sint purtători minoritari.
2
ni
n n0  N D p n0  (2.2)
ND

Deci, în regiunea p există o înaltă concentraţie de goluri, pe cînd în

regiunea n există o mică concentraţie de goluri. De asemenea, în regiunea n
există o înaltă concentraţie de electroni, pe cînd în regiunea p există o mică
concentraţie de electroni.
Din cauza concentraţiei neuniforme, are loc difuzia purtătorilor de
sarcină şi anume: electronii din regiunea n vor difuza în regiunea p şi se vor
recombina cu golurile de aici, iar golurile din regiunea p vor difuza în
regiunea n şi se vor recombina cu electronii majoritari aici.
Ca urmare a difuziei, în vecinătatea suprafeţei de separaţie a regiunilor
p şi n se formează o zonă de trecere, sau de difuzie, cu lungimea l de ordinul
micronilor, caracterizată printr-o anumită distribuţie a densităţii de volum a
sarcinii electrice spaţiale.
Într-adevăr, în regiunea p din imediata vecinătate a suprafeţei
joncţiunii, plecînd goluri şi sosind electroni, apare sarcina electrică negativă,
iar în regiunea n din apropierea suprafeţei joncţiunii pleacă electroni şi
sosesc goluri, încît se formează o sarcină spaţială pozitivă.
Ca urmare ia naştere un cîmp electric intern orientat de la regiunea n
spre regiunea p. Acest cîmp electric transportă golurile din regiunea n în p şi
electronii din regiunea p în regiunea n, deci în sens contrar fluxurilor de
difuzie.
 regiunea de
l sarcină spaţială

ioni
p electron
sau gol

n - concentraţia electronilor

nn0

np0 x
p - concentraţia golurilor

pp0

pn0
x

ρ – densitatea de volum
a sarcinii spaţiale

+ x
-

V – potenţial electric

V0

x
-lp0 0 ln0
Figura 2.3
 Corespunzător repartiţiei de sarcină electrică din dreptul joncţiunii p-
n, în zona de trecere se produce o barieră de potenţial V 0, cu o variaţie în
lungul semiconductorului. Această barieră de potenţial se opune trecerii în
continuare a purtătorilor mobili de sarcină dintr-o regiune în alta şi astfel se
atinge o stare de echilibru.

JONCŢIUNEA P-N ÎN REGIM STAŢIONAR

Dacă se conectează un semiconductor cu joncţiunea p-n în circuitul

unei surse de curent continuu cu tensiunea V A la borne, astfel încât borna +
a sursei să se lege la regiunea n (caz în care vorbim de polarizarea inversă a
joncţiunii), cîmpul electric intern va creşte ca valoare, bariera de potenţial
creşte de la valoarea V0 la valoarea V0+VA, iar lungimea regiunii de trecere
creşte de la l la l’, l<l’. În această situaţie vom avea:

2ε   V0  VA  n n0  p p0
l'   (2.4)
q n n0  p p0
VA
l'  l  1  (2.5)
V0

În figură, s-a notat cu IpM şi –InM curenţii produşi prin difuzia

purtătorilor de sarcină majoritari şi cu I pm şi -Inm curenţii cauzaţi de
deplasarea purtătorilor de sarcină minoritari, sub acţiunea cîmpului electric
determinat de sursă în semiconductor.
Crescînd diferenţa de potenţial în cazul polarizării inverse a joncţiunii,
numărul golurilor din regiunea p care ar putea trece în regiunea n pe seama
agitaţiei termice, scade tinzînd către zero.
Ii
V

VA

-InM -Inm VA
p n
Ipm IpM
V0
x
l
p, n
pp0

nn0

Curentul nIpm, care se poate produce în circuit pep seama golurilor

p0
(minoritare, ce se află în regiunea n) şi a căror trecere din n0
n în p se face în
x
sensul cîmpului electric -l din semiconductor,
0 este foarte mic, deoarece
p
l n

Figura 2.4
concentraţia de goluri în semiconductorul n este extrem de mică. Pentru o
tensiune inversă VA suficient de mare, toate golurile minoritare şi cele
generate termic în regiunea n vor trece în regiunea p, atingîndu-se valoarea
de saturaţie a curentului Ipm.
Dacă sursa de curent continuu se conectează în sens direct, adică
borna + se leagă la regiunea p, cîmpul electric intern scade, bariera de
potenţial scade la valoarea V0-VA , iar lungimea regiunii de trecere scade de
la I la I’, I > I’. În această situaţie vom obţine:

2ε   V0  VA  n n0  p p0
l'   (2.6)
q n n0  p p0
VA
l'  l  1  (2.7)
V0

Concomitent cu creşterea tensiunii directe V A, creşte curentul IpM pe

seama creşterii numărului de goluri care trec prin joncţiune din regiunea p în
regiunea n, deoarece la semiconductorul p purtătorii majoritari sînt golurile.
Raţionamentul de mai sus se aplică şi pentru electronii liberi (figura 2.5).
Id V

VA
VA
Ipm IpM
p n
-InM -Inm V0
x

l’

p,n
Id
pp0
nn0

pn0
np0 x
Vi Vstr -l Vd
0 ln
p

Figura 2.5

Zona Zona Zona

străpungere interzisă directă

Ii

Figura 2.6
 Caracteristica curent-tensiune a unei joncţiuni p-n este neliniară. Dacă
sursa de tensiune este conectată în sens direct, curentul direct va fi:

IA = Id = IpM + InM - (Ipm + Inm) (2.8)

Curentul direct este determinat de purtătorii de sarcină majoritari şi

creşte repede cu Vd, iar dacă sursa este conectată invers, curentul invers I i
are o valoare foarte mică, limitată de curentul de saturaţie:

IS = Ipm + Inm (2.9)

Se observă faptul că acest curent invers este cauzat de purtătorii de

sarcină minoritari.
De la o anumită valoare a tensiunii inverse V str, numită tensiune de
străpungere, curentul invers I i creşte brusc, iar în semiconductor au loc
procese ireversibile care deteriorează definitiv joncţiunea.
Joncţiunea p-n constituie elementul principal în realizarea de diode,
tranzistoare, tiristoare şi alte dispozitive semiconductoare.