Universitatea Politehnica-Facultatea de Transporturi 

Transporturi 

Fizica si dispozitivele electronice ale viitorului

Diode electroluminiscente (LED)
 DIODA ELECTROLUMINISCENTĂ

Dioda electroluminiscentă este foarte des cunoscută cu denumirea de LED

( Light Emitting Diode).

Dioda electroluminiscen
centă (LED- light emi emitting diode
ode) esteste o dioda
semiconductoare ce emite lumină la polarizare
polarizareaa directă a joncțiuni p-n. Semnul
convențional al LED- ului este următorul (fig. 1)

Fig. 1

Efectu
Efectull este
este o formă
formă de electr
electrolu
olumin
minesc
escen!ă. "n LED este o sursa de lumina pe o
en!ă.
supraf
suprafaață mica (mai puțin de 1 mm#) adesea cu un sistem optic adăugat pe cip pentru a
mica (mai
da o forma radiației si a ajuta in refle$ie.
refle$ie.

%uloarea
%uloarea luminii emise depinde
depinde de compoziția si condi țiile materialul
materialului
ui semiconductor 
semiconductor 
folosi
folosit&
t& si poate
poate fi infrar
infraroo șu& vizi'il
vizi'il sau ultravi
ultraviole
olet.
t. De altfel
altfel&& in afara luminări
luminării&i& aplica
aplica ții
inte
intere
resa
sant
ntee incl
includ
ud folo
folosi
sire
reaa LED-
LED- uril
urilor
or " pent
pentru
ru ster
sterililiz
izar
area
ea apei
apei si dezi
dezinf nfec
ec ția
dispozitivelor& si ca o sursa de lumina mai mare pentru a spori fotosinteza plantelor.

DENUMIRI ALTERNATIVE ALE DIODELOR ELECTROLUMINISCENTE :

• LED (Light Emitting Diode)

• Diodă fotoluminiscentă
• Diodă fotoemisivă

Exemple de LED-uri (fig.2)

   Fig.2 

ARAMETRII SECI!ICI :

• %urentul direct ma$im  *m

• +uterea de disipa!ie ma$imă + dm
• %aracteristica spectrală sau culoarea emisă

OLARI"ARE : DIRECTĂ

RORIETĂ#I :

• Emite radia!ii luminoase sau infraro,ii

• Se polarizează direct
• Este un convertor de energie care transformă energia electrică (primită de la
sursa de polarizare) n energie luminoasă
• %uloarea luminii emise depinde de materialul utilizat pentru jonc!iunea pn
• Se folosesc ca indicatoare optice (afi,aje&semnalizări&etc.). Sunt incorporate in
semafoare
semafoare si indicatoa
indicatoare
re rutiere.M
rutiere.Majori
ajoritatea
tatea semnelor
semnelor rutiere
rutiere utilizeaza
utilizeaza leduri
leduri
rosii, verzi, albastre

• Creeaza animatii in centrele urbane

• Produc accente de lumina pe fatade
• Ledurile sunt folosite in aplicatii de iluminat arhitectural, ambiental, stradal

Cum $unc%ionea&ă LED' urile

LED- ul sau Dioda Emi!ătoare de Lumină este un tip special de diodă& ce con!ine
materiale semiconductoare& care convertesc energia electrică direct n lumină. Lungimea
de undă sau culoarea luminii emise depinde de com'ina!ia e$actă a materialelor 
semiconductoare. *cest lucru face posi'ilă producerea de LED- uri care să emită lumină
ro,ie&
ro,ie& gal'en
gal'enă&
ă& chihli
chihlim'a
m'ariu
riu&& verde&
verde& azurie
azurie sau al'ast
al'astră.
ră. Lumina
Lumina emisă
emisă este
este foarte
foarte
apropiată de o singură lungime de undă& astfel culorile sunt saturate ,i nu necesită filtre.

LED' urile al(e

"n LED al' se 'azează pe un LED al'astru acoperit cu fosfor& ce converte,te lumina
al'astră par!ial n gal'en. *mestecul celor două culori de lumină este al'.

LED' uri )entru a)lica%ii decorati*e

Efectul de schim'are dinamică a culorilor reprezintă 'aza pentru multe aplica!ii de

iluminat decorativ ,i arhitectural. LED- ul este o componentă electronică& se comută pe
pozi!ia pornit instantaneu ,i poate fi controlat electronic pentru a produce aceste efecte.
+entru o'!inerea efectelor speciale de iluminat& multe produse recurg la controlul prin
intermediul unor programe soft - sau hardare.

+i iluminat ,eneral

De,i primele LED- uri au fost produse n 1/0#& progresele din ultimii ani au făcut posi'il
iluminatul general. Eforturile sunt ncă a$ate pe o'!inerea unei eficien!e sporite ,i a unui
flu$ luminos ridicat. n prezent LED- urile sunt capa'ile să producă p2nă la 134 lumeni ,i
au o eficacitate luminoasă de peste 144 lumeni56. %ompara!i aceste date cu cele ale
unei lămpi cu halogen care n cel mai 'un caz generează circa #4 lumeni56 ,i cu o
lampă incandescentă care generează 14 lumeni56. 7i acestea sunt tehnologii deja
mature n timp ce iluminatul cu LED- uri are ncă foarte mult poten!ial pentru m'unătă!iri
ulteriore a eficacită!ii luminoase (lumeni56).
 Avantajele ledurilor

• Consum redus de energie Ledul consuma cu pana la !"# mai putina energie decat alte
surse de iluminat.
• $urata de functionare %re o durata de viata de 1"".""" de ore &durata de functionare '
luminozitate redusa cu ("#)
• *ezistenta, durabilitate +u are filament sau parti mobile nu se poate sparge sau defecta la
socuri, rezista la e-treme de temperatura. $easemenea nu se deterioreaza datorata
aprinderilor
aprinderilor si stingerilor succesive.
• $egaja foarte putina caldura.
• Culoare perfecta Ledul emite lumina ce are lungime de unda fi-a si nu are nevoie de filtre
 pentru a produce
produce culori.
• Marime redusa Ledul este o sursa de lumina miniaturizata,
miniaturizata, care permite un ma-imum de
fle-ibilitate in conceperea designului
designului
• /oltaj redus +ici un led nu are nevoie de mai mult de 0 /olti pentru a functiona

• imp de reactie rapid Ledul se aprinde mult mai repede decat alte surse de iluminat.
%ceasta calitate il face perfect pentru stopuri la automobile
automobile sau ecrane publicitare comple-e.

Consumul redus de energie, durata de via23 mare, dimensiunea mic3, varietatea nelimitat3
de forme constructive c4t 5i o serie de alte avantaje ce caracterizeaz3 L6$urile 5i
coprurile de iluminat cu L6$uri, au atras aten2ia marilor produc3tori
produc3tori din industrie 7nc3
de la mijlcul secolului 88, ace5tia investind sume importante pentru o dezvoltare
continu3 a acestor surse de lumin3.

$atorit3 flu-ului luminos slab emis de primele diode electroluminiscente

electroluminiscente acestea erau
folosite doar ca indicatoare 7n dispozitive
dispozitive electronice, ceasuri digitale, etc.

urm4nd apoi s3 se realizeze indicatoare luminoase, afi5aje, panouri cu mesaje, reclame

luminoase.

9n urma dezvolt3rii rapide L6$ul constituie viitorul 7n iluminat, acestea 7nlocuind

7nlocuind 7n
scurt timp corpurile de iluminat clasice 5i a5a zis economice.
ec onomice. Practic L6$urile au cel
mai larg domeniu de utilizare dintre toate tipurile de surse de lumin3.
Mai jos sunt prezentate c4teva aplica2ii

Iluminat arhitectural

Cladiri moderne cu fa2ad3 de sticl3

Monumente istorice, cet32i
Centre comerciale
Prim3rii, prefecturi
eatre,
eatre, muzee, palate, case de cultura
c ultura

Iluminat contur/margini poduri şi viaducte

:luminatul corespunz3tor
corespunz3tor al podurilor
podurilor 7n primul r4nd se realizeaz3
 pentru avertizarea vapoarelor
vapoarelor care circul3 pe r4uri dar
dar 5i pentru
ma5inile care traverseaz3 podul pe timp de noapte. :luminatul
unei construc2ii este o art3 iar dac3 acesta este realizat cu bun
gust devine un simbol al unei a5ez3ri umane.

Fântâni arteziene piscine

6-ist3 o varietate mare de corpuri de iluminat cu L6$ care sunt

recomandate pentru iluminarea piscinelor,
piscinelor, f4nt4nilor arteziene
e-terioare 5i interioare. ;tiliz4nd controlere a c3ror programe se
 pot edita 7n aplica2ii
aplica2ii specializate 5i folosind
folosind L6$uri *<=
*<= sau
monocrom de diferite culori se pot crea jocuri de lumini
 personalizate.

Iluminat interior

Spa2ii de birouri, s3li de conferin23

Magazine, ghi5ee
:ndustrie hotelier3
Localuri, restaurante
Case 5i locuin2e
>oluri, s3li de a5teptare

Iluminat interior am!iental

Spa2ii de birouri
/itrine magazine
Camere hotel, motel 5i holuri de acces
Case 5i locuin2e
Localuri, restaurante
Iluminat stradal
Corpuri de iluminat speciale cu posibilitate
posibilitate de alimentare direct3
de la panouri fotovoltaice
fotovoltaice sau turbine eoliene pentru

Parcuri
Pie2e
?osele
%lee
uneluri

Linii de produc"ie @ deoarece corpurile

corpurile cu L6$uri au o durat3
durat3 de via23 mult mai mare
fa23 de tuburile fluorescente nu este necesar3 oprirea produc2iei at4t de des pentru
schimbarea iluminatoarelor
iluminatoarelor ceea ce duce la o economisire considerabil3 de timp

E#pozi"ii de art$ mod$ şi altele

$eoarece L6$urile nu emite mit ultraviolete prin urmare sunt ideale

 pentru astfel de aplica2ii.
aplica2ii. Se 5tie c3 lumina ;/ altereaz3,
altereaz3,
decoloreaz3 2es3tura 5i in general materialele neprotejate.

%arcuri şi gr$dini
Aferta larg3 de produse cu tehnologie
tehnologie L6$ permite iluminatul
 parcurilor,
 parcurilor, gr3dinilor,
gr3dinilor, spa2iilor
spa2iilor verzi prin cele mai variate metode
5i se pot ob2ine efecte de iluminat speciale toate acestea
ace stea cu un
consum redus de energie.

&isteme 'I

:luminatoare cu infraro5u pentru sisteme de supraveghere video.

$isponibil 7n oferta S6CP*%L secpral.roBproduse.php
secpral.roBproduse.php..
 Diode electroluminiscente (LED)

Diagrama de !enzi energetice

S3 ne amintim c3 materialele sunt formate din atomi, iar 7n interiorul acestora se afl3
electroni care se invert pe orbite stationare 7n jurul unui nucleu. Fiecare orbit3 corespunde
unei anumite valori pentru energia electronului,
electronului, ceea ce 7nseamn3 c3 un atom posed3 doar 
nivele discrete de energie, ca 7n fig 1.

Fig. 1

Semiconductorii sunt materiale ce constau din atomi str7ns lega2i 7ntre ei 7n cadrul unei
re2ele cristaline. 9n fiecare atom e-ist3 mul2i electroni, dar propiet32ile
propiet32ile semiconductorului
sunt date doar de electronii care se afl3 7n atomi pe cele mai e-terioare orbite. +ivele
energetice posibile sunt tot discrete dar sunt at7t de apropiate 7ntre ele 7nc7t sunt
reprezentate sub form3 de benzi de energie 7n loc de o mul2ime de nivele separate. %ceste
 benzi sunt private
private ca ni5te regiuni continue
continue de energie,
energie, dar dac3 am avea o lup3 special3
special3
ca s3 privim 7n interiorul lor, am putea vedea nivelele discrete care le compun, fig..Da.
9n semiconductori se disting dou3 benzi energetice banda de valen23 &de energii joase) 5i
 banda de conduc2ie
conduc2ie &de energii mai mari).
mari). 6le sunt separate printro
printro band3
band3 interzis3, 6 g ,
7n care nu e-ist3 nici un nivel energetic permis &adic3 nu poate e-ista nici un electron).
Prin urmare electronii pot fi ori 7n banda de valen23, ori 7n banda de conduc2ie, dar nu pot
fi 7ntre ele.
$ac3 temperatura este zero absolut 5i nu este aplicat nici un c7mp electric e-terior, to2i
electronii sunt concentra2i 7n banda de valen23 5i nu se afl3 nici un electron 7n banda de
conduc 2ie. %ceasta deoarece nici un electron nu posed3 suficient3 energie suplimentar3
ca s3 sar3 peste banda interzis3. $ac3 este furnizat 3 electronilor
electronilor din banda de valen23
energie din e-terior  fie prin temperatur3, fie printr un c7mp electric e-tern  atunci unii
dintre ei vor primi suficient3 energie pentru a s3ri peste banda interzis3 5i vor ocupa
nivele energetice 7n banda de conduc2ie. Spunem ca ace5ti electroni sunt Ee-cita2iE. %ce5ti
electroni e-cita2i las3 goluri &echivalent cu sarcini electrice pozitive) 7n banda de valen23,
ca 7n fig.D.
 Fig..D

*adia"ia luminoas$ şi !enzile de energie

Cand un electron cade de pe un nivel energetic superior

superior pe unul inferior, el elibereaz3 o
cuant3 de energie numit3 foton. *ela2ia dintre varia2ia de energie, 6, energia fotonului,
fotonului,
6 p 5i lungimea de und3 este

6 ' 6 p ' hc G

%ceast3 idee se p3straz3 5i pentru un semiconductor.

semiconductor. $ac3 un electron e-citat cade din
 banda de conduc2ie
conduc2ie 7n banda de valen23, este eliberat
eliberat un foton a c3rui
c3rui energie, 6 p , este
mai mare sau egal3 cu banda interzis3, 6g . $eoarece la procesul de radia2ie pot participa
mai multe nivele energetice din banda de conduc2ie 5i banda de valen23, lungimile de
und3 radiate G i pot fi multiple. Prin urmare putem scrie 6 p H 6g , sau sub o alt3 form3
Gi I hc 6g  &dac3 6g este m3surat 7n e/ 5i G 7n nm, atunci Gi I1
 I1D0! 6g ). *ezultatul
acestei radia2ii multivalente este un spectru larg, G, a luminii emise de un
semiconductor, fig.J.

Fig..J.
*adia"ia luminoas$ şi jonc"iune p+n

Cind un semiconductor de tip n este pus 7n contact cu unul de tip p, se formeaz3 o

 jonctiune pn. La frontiera
frontiera jonc2 iunii,
iunii, electronii difuzeaz3
difuzeaz3 din partea n 7n partea
partea p 5i se
recombin3 cu golurile de aici 5i, 7n acela5i timp, golurile din partea p difuzeaz3 7n partea
n 5i se recombin3 cu electronii de aici. 9n consecin23 se formeaz3 o regiune s ărăcită de
 purt ători, 7n care nu e-ist3 nici electroni liberi, nici goluri libere. :onii pozitivi din partea
n 5i cei negativi din partea p a acestei regiuni, r3min necompensa2i ceea ce determin3
apari2ia unui c7mp electric intern numit potenţial de contact  5i  5i descris cantitativ prin
tensiunea de sărăcire /$ , fig.0.

Fig.0

Lucrul cel mai important de re2inut este c3 recombinarea

recombinarea electron-gol eliberează o
cuantă de energie - un foton. Prin urmare, pentru a face un semiconductor s3 radieze este
necesar s3 sus2inem recombinarea electrongol.
electrongol. $ar tensiunea de s3r3cire 7mpiedic3
electronii 5i golurile de a intra 7n regiunea s3r 3cit3. Prin urmare trebuie furnizat3 energie
din e-terior pentru a 7nvinge aceast3 barier3 a tensiunii de s3r3cire. %ceast3 tensiunea
e-terioar3, numit3 tensiune directă de polarizare, /, este ar3tat3 7n fig.( ea trebuie s3 fie
mai mare dec7t /$ .

Fig.(
Pentru a ob2ine o emisie permanent3 de lumin3, trebuie s3 aib3 loc urm3torul proces
dinamic electronii mobili din partea n, atra5 i de terminalul pozitiv al tensiunii /, intr3 7n
regiunea s3 racit3. Simultan, golurile mobile din regiunea p, atrase de terminalul negativ
al tensiunii /, intr3
intr3 in aceea5i regiune s3r 3cit3. *ecombinarea electrongol din interiorul
regiunii s3r3cite produce lumina. Sarcinile electrice se refac din sursa de alimentare.
%rincipiul de ,unc"ionare al unui LED

;n L6$ este o diod3 semiconductoare

semiconductoare care func2ioneaz3 e-act pe principiul
principiul prezentat
mai sus al emisiei permanente de lumin3. %cest concept este demonstrat de circuitul din
fig.K. Cei familiariza2i cu polarizarea direct3 a unei diode vor avea sigur urm3toarea
observa2ie recombinarea
recombinarea electrongol este un proces care are loc 7n orice diod3 sau
tranzistor.
tranzistor. Care este diferen2a dintre un L6$ 5i o diod3 obi5nuit3 

fig.K

$iferen2a este c3 7n diodele obi5nuite,

obi5nuite, aceast3 recombinare elibereaz3 energie sub form3
de c3 ldur3  nu sub form3 de lumin3 &adic3 7ntrun alt domeniu al spectrului). 9ntrun
L6$, aceste recombin3ri elibereaz3 energie sub form3 de lumin3. *ecombinarea
generatoare de caldur3 se nume5te neradiativă, 7n timp ce recombinarea generatoare de
lumina se nume5te radiativ ă. 9n realitate, 7n orice diod3 au loc ambele tipuri de
recombin3ri c7nd majoritatea recombin3rilor sunt radiative, avem un L6$.
Curentul direct injecteaza electroni 7n regiunea s3r3cit3 de purt3tori, unde ei se recombin3
cu golurile 7n mod radiativ sau neradiativ.
neradiativ. Prin urmare, recombin3rile neradiative
Econsum3E din electronii e-cita2i necesari recombin3rii radiative,
radiative, ceea ce scade eficien2a
 procesului. %cest fapt este
este caracterizat prin eficienţa cuantică internă, int , parametru
care arat3 ce frac2ie din num3rut total de electroni e-cita2i produce fotoni. 6-plica2iile
6-plica2iile de
mai sus justific3 caracteristica intrareie5ire a unui L6$ prezentat3 7n fig.N.
*a2ionamentul de mai sus poate fi formalizat astfel puterea luminoas3, P, este energia per 
secund3, adic3 num3rul de fotoni 7nmul2it
7nmul2it cu energia unui foton, 6 p . +um3rul de
fotoni este egal cu num3rul de electroni injecta2i, +, 7nmul2it cu eficien2a cuantic3 intern3.
%stfel

P ' &+int 6 p ) t &.D)

 fig.N.

Pe de alt3 parte, num3rul de electroni &+) 7nmul2it cu sarcina unui electron &e) , pe
secund3, este intensitatea curentului electric

: ' +e t

$eci, puterea luminoas3 radiat3 va fi

P ' &&:t e)int6p ) t ' O&int6p e)

$ac3 m3sur3m 6p 7n electronvol2i, e/, 5i curentul : 7n m%, atunci

P&mQ) ' &int6p &e/)):&m%)

E#emplu
Ce putere radiaz3 un L6$ dac3 eficien2a cuantic3 a sa este 1# 5i lungimea de und3
ma-im3 este !(" nm
Soluţie

Mai 7nt7i trebuie s3 calcul3m panta graficului putere func2ie de curent, care e ste termenul
Oint 6 p &e/).
$ac3 G ' !(" nm, atunci 6 p ' he G '1D0! G '1.0N e/. $eci,
Oint 6 p &e/)' "."10N mQBm%.
Pentru a calcula puterea trebuie s3 cunoa5tem curentul direct. /alorile
/alorile tipice pentru un
L6$ sunt cuprinse 7ntre (" 5i 1(" m%. %stfel, pentru : ' (" m%, puterea radiat3 este P '
"."10N: ' ".NJ( mQ.
-omostructuri şi heterostructuri

Semiconductorii de tip n 5i de tip p discuta2i pina acum erau realiza2i pe acela5i

semiconductor
semiconductor intrinsec. Ronctiunile pn realizate in acest fel se numesc homojonc2iuni,
homojonc2iuni,
iar un asemenea semiconductor
semiconductor homostructur3. 6-ist3 dou3 construc2ii de baz3 pentru un
L6$
• L6$ cu emisie de suprafa23 &SL6$), fig.!
• L6$ cu emisie lateral3 &6L6$), fig.

Fig.!

Fig.

*egiunea s3r 3cit3 de purt3tori 5i zona 7nvecinat3, 7n care se recombin3 electronii cu

golurile, este numit3 regiunea activă. Lumina produs3 prin aceast3 recombinare este
radiat3 7n toate direc2iile, dar ea reu5e5te s3 ias3 din dispozitiv doar printro
printro fereastr3
 practicat3 7n electrodul
electrodul superior &fig.!)
&fig.!) sau deschiz3tura
deschiz3tura practicata 7ntro margine &fig.).
&fig.).
oate
oate celelalte direc2ii posibile, 7n cazul SL6$, sau direc2ia opus3, 7n cazul 6L6$, sunt
 blocate.
A homostructur3 are dou3 dezavantaje principale. Primul este acela c3 regiunea activ3
este prea difuz3, ceea ce reduce eficien2a dispozitivului. *ecombin3rile
*ecombin3rile electrongol au
loc pe o arie larg3, situa2ie care impune o densitate mare de current pentru a sus2ine
 puterea radiate la nivelul
nivelul dorit. %l
%l doilea este c3 fascicolul de
de lumin3 radiat este prea
prea larg,
ceea ce face e-trem de inefficient
inefficient cuplajul luminii 7ntr o fibr3 optic3. %ceste dou3 motive
fac ca, practice, s3 nu se foloseasc3 homostructurile
homostructurile 7n constructia L6$urilor.
L6$urilor.
 L6$urile comercializate sunt realizate pe heterostructuri, adic3 dioda este realizat3 pe
mai mul2i semiconductori, fiecare av7nd o banda interzis3 diferit3. 9n fig.1" este
 prezentat3 o heterostructur3
heterostructur3 f3cuta din doi
doi semiconductori
semiconductori diferi2i.

Fig.1"

Cu aceste heterostructuri sunt introduse două concepte de bază: confinarea recombinării

electron-gol într-o regiune activa foarte redusă şi ghidarea luminii radiate într-o singură
direcţie.
Confinarea este ob2inut3 plas7nd un semiconductor cu o banda interzis3 mic3 7ntre dou3
straturi semiconductoare
semiconductoare cu banda interzis3 mai mare. 9n fig.1" se arat3 c3
semiconductorul
semiconductorul <a%s, a c3rui banda interzis3 este 6 g '1.0D e/, este plasat 7ntre dou3
straturi de semiconductor %l<a%s,
%l<a%s, care are 6 g '1.D e/.
%s 3 cum se poate vedea 7n fig.1", electronii injecta2i din semiconductorul
semiconductorul %l<a%s de tip
n se confrunta cu o bariar 3 de poten2ial la jonc2iunea dintre semiconductorul
semiconductorul <a%s 5i
semiconductorul
semiconductorul %l<a%s de tip p. %ceast3 barier3 reflect3 electronii 7napoi 7n regiunea
activ3. %cela5i mecanism se aplica si golurilor.
golurilor.
Conduc2ia luminii 7ntro singura direc2ie este ob2inut3 prin faptul ca semiconductorul
semiconductorul
<a%s are un indice de refrac2ie, J.KK, mai mare dec7t straturile 7nvecitate de %l<a%s, J.D.
9n acest fel, regiunea activa func2ioneaz3 similar cu miezul unei fibre optice.
Structura descrisa mai sus este numit3 heterostructură dublă. Cele mai multe L6$uri
comercializate utilizeaz3 heterostructuri triple pentru a 7mbun3t32i eficien2a radia2iei 5i
confinarea luminii radiate.
on,igura"ia spatial$ a radia"iei unui LED

Cele doua tipuri de leduri au configura2ii spatiale ale radia2iei diferite.

SL6$ul radiaz3 lumina ca o sursa Lambertian3, ca in fig.11.
 Fig.11.

$istribu2ia spatial3 a puterii radiate este descrisa de formula

P ' P" cos T

unde T este unghiul dintre

dintre direc2ia de observa2ie 5i dreapta perpendicular3 pe suprafa2a de
radia2 ie. Rum3tate din puterea unei surse Lambertiene este concentrat3 7ntrun con de
1D"U.
6L6$ul radiaz3 ca o surs3 Lambertian3 7ntrun plan paralel cu marginea, produc7nd un
fascicol mult mai 7ngust 7ntrun plan perpendicular pe margine, ca 7n fig.1D.

Fig.1D

&pectrul radia"iei unui LED

Lungimea de und3 radiat3 depinde de banda interzis3 a semiconductorului.

semiconductorului. +u putem
schimba banda interzis3, prin urmare pentru a ob2ine o alt3 lungime de und3 trebuie s3
alegem un alt semiconductor. A enrgie 6 g dorit3 se ob2ine utiliz7nd un semiconductor 
compus din mai multe elemente. $e e-emplu, banda interzisa pentru <a%s este de 1.0D
e/, dar dac3 folosim %l<a%s putem ob2ine o band3 interzis3 7ntre 1.0D 5i 1.D e/.
/aloarea e-act3 depinde de raportul ingredien2ilor. %stfel, pentru un semiconductor 
compus din JN# %l%s 5i KJ# <a%s, 6 g este egal cu 1.D e/. $ac3 sc3dem cantitatea de
%l%s, scade 5i 6g . 9n tabelul 1 prezent3m benzile interzise 5i lungimile de und3 a unora
din cei mai populari semiconductori.
'a!elul .
Materialul 6g &e/) G &nm)
Si 1.1N 1"KN
<e ".NN( 1K1"
<a%s 1.0D0 !NK
:nP 1.J( D0
:n<a%s ".N(  1.D0 1KK0  1""K
%l<a%s 1.0D  1.D !N  K("
:n<a%sP ".N(  1.J( 1KK0  D0

Prima genera2ie de fibre optice 7n telecomunica2ii a folosit L6$uri realizate di %l<a%s

care radiau 7n jur de !(" nm, prima fereastr3 de transparen23. % doua 5i urm3toarele
genera2ii au folosit L6$ uri pe :n<a%sP care radiaza 7n a doua 5i a treia fereastr3 de
transparen23 &1J"" nm 5i 1((" nm).
Pe de alt3 parte, SL6$urile sunt f3cute s3 radieze pe !(" nm 5i 1J"" nm, in timp ce
6L6$rile sunt facute sa radieze pe 1J"" nm si 1((" nm.
uplajul luminii n ,i!r$

Cheia pentru c7t de departe putem transmite lumina printro fibra nu este c7t de puternica
este sursa ci cit din puterea acesteia putem cupla 7n interiorul fibrei.
$ac3 apro-im3m configura2ia de radia2ie a unui SL6$ prin modelul Lambertian, atunci
 puterea luminoas3,
luminoas3, P in , cuplat3 7ntro fibra cu salt de indice, av7nd apertura numerica +%,
 poate fi calculat3 cu rela2ia

Pin ' P" & +%)D

unde P" este determinata cu rela2ia &.K).

E#emplu
Care este puterea cuplat3 7ntro fibra multimod, cu salt de indice, av7nd miezul cu
indicele de refractie 1.0! si teaca cu 1.0K, daca SL6$ul radiaz3 o putere de 1"" VQ.
Soluţie
%pertura numerica a fibrei este +% ' 1.0!D W1.0KD ' ".D0D( . Prin
P rin urmare

Pin ' P" & +%)D '1""VQ X"."N(K ' N.(KVQ

Cu alte cuvinte, mai pu2in de 1"# din puterea radiat3 este cuplata 7n fibra multimod.
 itirea datelor de catalog ale unui LED

Lungimea de und$ a radia"iei si l$timea spectral$

Lungimea de und3 radiat3, adesea numit3 lungimea de unda de v7rf, G p , este determinat3
de banda interzisa, 6 g . Fabrican2ii specifica, deobicei, valorile minime 5i ma-ime ale lui
G p . %stfel pentru un SL6$ produs de firma %MP, aceste limite sunt 1D" nm 5i 1J(" nm,
iar pentru un 6L6d sunt 1DN" nm si 1JJ" nm. G  p creste odata cu cre5terea
curentului de comanda sau a temperaturii, dar r3mine 7n intervalul specificat.
L32imea spectral3, G, este m3surata la jum3tate din ma-im &FQ>M 7n fig.1J).

fig.1J

Pentru SL6$ul de la %MP, l32imea

l32imea spectral3 este de 1N" nm, iar pentru un 6L6d este
mult mai mic3 K( nm.
La2imea spectral3 depinde de temperatur3, a5a cum se arata in fig.10.

fig.10

9n intervalul D(UC 5i "UC, l32imea spectral3 cre5te de la 1(( nm la 1!" nm, adic3 cu o
 panta de ".J! nmBUC.
nmBUC. L32imea spectral3 cre5te 5i o data
data cu curentul de comand3,
comand3, panta
fiind de apro-imativ ".K nmBm%, fig.1(.
 Fig.1(.

*eamintim c3 l32imea spectral3 a sursei este parametrul critic pentru dispersia cromatic3
a fibrei optice.
aracteristicile electrice

Caracteristicile electrice  tensiune direct3, capacitate 5i curent invers  sunt comune

oric3rei diode.

Fa!rican"ii specific3 uneori tensiunea directă în funcţie de curentul direct , a c3rei aliur3

este ca 7n fig.1N.

Fig.1
 $e regul3, valoarea tensiunii directe nu dep35e5te D/.
Capacitatea, C, este inerent3 unui L6$. 6-ist3 dou3 surse ale acestei capacit3ti
Capacitatea, C, este inerent3 unui L6$. 6-ist3 dou3 surse ale acestei capacit32i
&a) capacitatea asociat3 jonc2iunii pn, numit3
numit3 capacitate de
de 7nc3rcare
&b) capacitatea asociat3 cu timpul
timpul de via23 al purt3torilor
purt3torilor 7n regiunea
regiunea activ3, numit3
capacitate de difuzie.
%ceast 3 capacitate limiteaz3 abilitatea de modula2ie a L6$ului prin restric2ionarea
 benzii. $e e-emplu, fabricantul
fabricantul Mitel Semiconductor
Semiconductor %=%= &Rarfalla  Suedia) specifica
specifica
 pentru un SL6$ o capacitate
capacitate de D" pF 5i o band3
band3 de D"" M>z &la o lungime
lungime de und3 de
v7rf de !K( nm) 5i D"" pF pentru un SL6$ a c3rui band3 este 1D( M>z &la o lungime de
und3 de v7rf de 1JD" nm). %cesta este intervalul tipic de valori pentru capacitatea
ca pacitatea unui
L6$.
Curentul invers este cauzat de purt3torii minoritari. %ce5tia
%ce5tia sunt produ5i de energia
termic3. %cest curent este m3surat la o anumit3 tensiune invers3, de e-emplu D/ 7n
fig..1K.

'impul de via"$ timpul de creştere/descreştere şi !anda de ,recven"e

impul de viaţă, Y, al purt3torilor este timpul dintre momentul 7n care ei sunt injecta2i 7n
impul
regiunea s3r3cit3 5i momentul 7n care ei se recombin3. $in acest motiv se mai folose5te 5i
denumirea de timp de viaţă de recombinare. /alorile sale variaz3 de la nanosecunde la
milisecunde. rebuierebuie f3cut3 distinc2ie 7ntre timpul de via23 radiativ, Y r  , , 5i neradiativ,
Ynr  , , astfel 7nc7t timpul de via23 se calculeaz3 cu rela2ia

1 Y '1 Yr  Z1
 Z1 Ynr
6ficien2a cuantic3 intern3,  int , care arat3 c72i fotoni sunt radia2i 7n raport cu num3rul total
de electroni injecta2i, poate fi calculat3 cu rela2ia

int ' Y Yr 
impul de creştere!descreştere, t r  , este definit 7ntre 1"# 5i "# din valoarea ma-im3 a
 pulsului, ca 7n fig.1!.
fig.1!.

Fig.1!.
Pentru un L6$, acest parametru arat3 cum urm3re5te pulsul de lumin3 de la ie5ire pulsul
electric modulator de la intrare, vezi fig.1.

Fig.1.

impul de cre5tereBdescre5tere
cre5tereBdescre5tere este determinat de capacitatea L6$ului &C), de
amplitudinea treptei de curent de la intrare &: p ) 5i de timpul de via23 &Y) 5i se poate
calcula cu rela2ia O1

t r ' D.D OY Z 1.N X1" X U[XC : )B: p

\
unde U[ este temperatura absolut3 7n ]elvini &"UC ' DNJU[). Pentru o valoare mare a lui
: p , al doilea termen devine neglijabil 5i timpul de creştere este determinat, in ultimă
instanţă de timpul de viaţă . Fabrican2ii prefer3 s3 m3soare acest timp, valorile tipice
7ncadr7nduse 7ntre D 5i 0 ns.
=anda de modulatie, =Q, este intervalul de frecvente de modula2ie 7n cadrul c3ruia
 puterea electric3 detectat3 scade la Jd=, vezivezi fig.D".

Fig.D".

9n electronic3, rela2ia general3 de leg3tur3 dintre band3 si timpul de cre5tere este

 =Q ' ".J(
".J( t r 
$ac3 introducem 7n rela2ia de mai sus t r  '
 ' D.( ns &din datele din fig.1K) nu obtinem
=Q ' 11( M>z, a5a cum apare 7n acea5i figur3 &ci obtinem 10" M>z).
%ceast3 discrepan23 apare deoarece dac3 curentul direct este modulat cu pulsa2ia ^,
intensitea luminii la ie5irea L6$ului, :&^), va varia dup3 rela2ia, OD

:&^)':&") 2

unde :&") este intensitatea luminoas3 emis3 de L6$ 7n cuent continuu, iar Y este timpul de
via23. Puterea electric3 detectat3 este propor2ionala cu : D . Prin urmare, consider7nd
propor2ionala consider7nd
raportul :D &^) : D &" )'1 D , ceea ce 7ns
7nsea
eamn
mn33 o sc3de
sc3dere
re la
la Jd=
Jd=,, din
din rela
rela2i
2iaa &.1
&.1D)
D)
ob2inem

=Q ' ^ '1 Y

Se eviden2iaz3 astfel un pricipiu foarte important banda de modulatie a unui "#$ este
limitată de timpul de viaţă al purtătorilor . 6-plica2 ia fizic3 a acestui principiu este
urm3toarea. Presupunem c 3 un electron este e-citat 7n banda de conduc2ie. Lui 7i ia Y ns
 p7n3 c7nd sa cad3 7n banda
banda de valen23 prin recombinare.
recombinare. 9n acest interval
interval de timp nu pute2i
pute2i
modifica starea lui, astfel 7nc7t chiard ac3 se 7ntrerupe curentul direct,
direct, trebuie a5teptat Y ns
 p7n3 c7nd radia2ia
radia2ia va 7nceta practic.

%rodusul putere+!and$

Produsul putereband3
putereband3 este un alt 3 caracteristic3 important3 a unui L6$. %cest produs
este o constant3. Cu alte cuvinte, pute2i cre5te banda de modula2ie a unui L6$ doar 7n
detrimentul puterii
puterii de ie5ire. *eciproc, pute2i cre5te puterea de ie5ire a unui L6$, doar 7n
detrimentul benzii de modula2ie.