1.1.

INTRODUCERE ÎN ELECTRONICĂ

1.1.1. Scurt istoric

Electronica este ştiinţa şi tehnologia mişcării sarcinilor într-un gaz, vid

sau semiconductor. De notat că mişcarea sarcinii (restrînsă la metale) nu
este considerată ca ţinînd de electronică.
Astăzi inginerii din domeniul electric execută diverse funcţii
(proiectare, dezvoltare, producţie sau cercetare) apelînd la diferite aplicaţii
din ingineria electronică.
Istoria electronicii este divizată în două perioade majore de timp,
referite ca era tubului cu vid şi era tranzistorului, cea de-a doua începînd cu
inventarea tranzistorului, în anul 1948.
Originile ingineriei electrice se bazează pe realizările unor giganţi ai
ştiinţei ca Ampère, Coulomb, Faraday, Gauss, Henry, Kirchhoff, Maxwell şi
Ohm. Primele utilizări practice ale muncii lor, în contextul electronicii
moderne, au constat în dezvoltarea sistemelor de comunicaţie. Astfel, în
1837 Samuel MORSE, profesor la Universitatea din New York, a pus la punct
telegraful.
Aproape 40 de ani mai tîrziu, în anul 1876, Graham BELL a inventat
telefonul şi a introdus o metodă de codare a informaţiei vorbite în semnal
electric şi apoi decodarea acestor semnale la un receptor. Inventarea de
către Thomas EDISON a fonografului în 1877, a demonstrat că semnalele
electrice pot fi stocate şi înregistrate secvenţial . Înregistrarea de tip
fonograf poate fi considerată ca prima memorie electrică de tip ROM.
Introducerea comunicaţiei radio este bazată pe contribuţia majoră a lui
James Clark MAXWELL, care în 1865 a structurat cercetările sale anterioare
într-o consistentă teorie a electromagnetismului, acum referită ca ecuaţiile
lui Maxwell. Saltul major înainte a fost realizat prin prevederea de către
Maxwell a existenţei undelor electromagnetice, care pot fi propagate în
spaţiu. De această dată, teoria a precedat experimentul, iar 23 ( 1888) de ani
mai tîrziu HERTZ a produs astfel de unde experimental, în laborator. TESLA a
fost însă primul care a folosit undele hertziene. Deşi în istoria electronicii se
vorbeşte că în 1896 MARCONI a fost primul care a transmis succesiuni de
astfel de unde şi le-a detectat la 2 mile depărtare, punînd astfel bazele
telegrafiei fără fir, în realitate TESLA a făcut un asemenea experiment încă în
1988.
Originea termenului „electronică” poate fi atribuită lui H.A. LORENTZ,
care în 1895 a postulat existenţa sarcinilor discrete numite de el „electroni”
(înlocuind cuvîntul „amber” folosit de grecii antici). Doi ani mai tîrziu, în
1897, J.J. THOMPSON a verificat experimental existenţa electronilor.

1.1.2. Tubul cu vid

Era tubului cu vid acoperă prima jumătate a secolului al XX-lea. În

1904, Fleming a inventat un dispozitiv cu două elemente – dioda, pe care el
a numit-o lampă. Acest dispozitiv consta dintr-un fir încălzit (filamentul, care
în cazul diodei ţinea loc şi de catod), care emitea electroni (efect Edison) şi
era separat de un platou metalic. Întreaga structură era încapsulată în vid
(balon de sticlă).
Inventarea triodei de către DeForest în 1906, consta din introducerea
în tub a unui al treilea electrod (grila), inseriat între platou şi catodul tubului
lui Fleming. Potenţialul grilei controla practic curgerea de sarcină între
platou şi catod.
Primele aplicaţii ale tuburilor cu vid au fost în telefonie şi comunicaţii
radio. După 1930, tuburile au fost utilizate pe scară largă şi în televiziune.

Figura 1.1.

Televiziunea alb-negru a demarat după anul 1925 şi a fost bazată la

acea dată pe iconoscopul şi cinescopul lui Zworykin. Răspîndirea televiziunii
însă a avut loc după cel de-al doilea război mondial.
 Figura 1.2

Primul calculator electronic a fost realizat în 1946 de către Eckert, cu

ajutorul a 18.000 de tuburi cu vid şi ocupa o suprafaţă de cca. 130 m 2.

1.1.3. Tranzistorul

Era semiconductorului a început cu inventarea tranzistorului în 1948.

Oricum această eră a început în munca anterioară, realizată între 1920 şi
1945. În acea perioadă studierea proprietăţilor electromagnetice ale
semiconductorilor a fost în principal domeniul fizicienilor. Toate aceste
cercetări erau necesare deoarece tuburile cu vid aveau limitări majore:
puterea era mare şi era consumată chiar cînd ele nu erau în utilizare,
filamentele se ardeau şi astfel tuburile trebuiau schimbate destul de des.
Toată această muncă asiduă, a fost încununată de succes la sfîrşitul
anului 1947, cînd la laboratoarele Bell, un grup (BRATTAIN si BARDEEN)
condus de William SHOKLEY a terminat experimentele legate de tranzistorul
cu joncţiuni. Aceste dispozitive depindeau de purtători de sarcină de ambele
polarităţi şi de aceea s-au numit tranzistoare bipolare. Pentru această
invenţie, grupul condus de Shockley a primit Premiul Nobel pentru fizică în
anul 1956.

Figura 1.3

Apoi, în anii 1952-1953 se pune la punct tranzistorul cu efect de cîmp

cu joncţiune (Shockley-Pearson), iar Lask în 1953 inventează tranzistorul
unijoncţiune. Primele tipuri de tiristoare sînt realizate de un grup condus de
Moll şi Tanenbaum în 1958.
Pînă în 1961 atît firma Fairchild cît şi Texas Instruments au trecut la
comercializarea circuitelor integrate (realizarea unor dispozitive multiple pe
o singură pastilă de siliciu, cu scopul de a reduce mărimea, greutatea, costul
pe element activ şi a creşte fiabilitatea dispozitivului).
Dezvoltarea industriei calculatoarelor a impus fabricarea unor noi
circuite integrate. Viteza, consumul de putere şi densitatea de componente
sînt considerate importante privind circuitele digitale. O primă familie de
circuite integrate bipolare a fost cea de tip TTL, inventată în 1961 de firma
Pacific Semiconductor.
Prima dezvoltare importantă în circuitele integrate analogice a venit în
1964, cînd firma Fairchild, a dezvoltat primul amplificator operaţional.

1.1.4. Obiectivele cursului

Dispozitivele electronice sînt acele componente ale circuitelor

electronice a căror comportare se bazează pe controlul mişcării purtătorilor
de sarcină în corpul solid, în gaze sau în vid. În ultimii ani, aproape toate
dispozitivele electronice folosesc conducţia în corpul solid, respectiv în
semiconductoare.
În cazul acestor dispozitive, fenomenele electronice se petrec fie în
volumul semiconductorului (fotorezistenţă), fie la graniţa dintre regiuni
semiconductoare cu proprietăţi diferite (dioda, tranzistorul etc.), fie la
contactul dintre un semiconductor şi un metal (tranzistorul MOS etc.).
Prezentul curs va aborda funcţionarea, caracteristicile şi aplicaţiile
dispozitivelor semiconductoare.
Circuitele electrice care folosesc dispozitive electronice se numesc
circuite electronice. Acestea au rolul de a realiza anumite funcţii electronice
specifice între care: amplificarea, redresarea, stabilizarea tensiunii,
generarea de oscilaţii armonice etc.

1.2. METALE ŞI SEMICONDUCTOARE

Majoritatea conductoarelor de electricitate solide sînt fie metale, fie

semiconductoare.
Semiconductoarele, între care exemplele cele mai obişnuite sînt
siliciul şi germaniul, diferă de metale din mai multe puncte de vedere.
Diferenţa cea mai importantă şi fundamentală este faptul că la nivel
microscopic, semiconductoarele conduc curentul electric cu ajutorul a două
moduri distincte şi independente de mişcare a purtătorilor de sarcină –
curgerea sarcinilor negative şi curgerea sarcinilor pozitive.
Metalele conduc curentul electric numai prin purtători de sarcină
mobili de sarcină negativă, într-un metal neexistînd purtători mobili de
sarcină pozitivă.
1.3. MECANISMUL CONDUCŢIEI

Atomul este format dintr-un nucleu, care conţine neutroni (particule

fără sarcină electrică) şi protoni (particule cu sarcină electrică pozitivă). În
jurul nucleului, gravitează pe diverse orbite, electroni (particule cu sarcină
electrică negativă). Cînd numărul protonilor este egal cu numărul
electronilor, atomul este neutru din punct de vedere electric.
În anumite împrejurări, electronii pot să sară de pe o orbită pe alta,
emiţînd sau absorbind cuante de energie. Electronii situaţi pe orbita cea mai
apropiată de nucleu sînt mai strîns legaţi de acesta, pe cînd electronii de pe
ultima orbită – electronii de valenţă, sînt cei mai slab legaţi de nucleu. Ei
determină numărul de valenţă al elementului considerat.
În mişcarea lor, electronii posedă anumite energii bine definite, deci
posedă anumite niveluri energetice. Unitatea de măsură pentru nivelul
energetic se numeşte electronvolt (eV) şi

1 eV = 1,6 ∙ 10-19 J

Cînd are loc cuplarea electronilor de valenţă ai atomilor vecini dintr-un

cristal, electronii cuplaţi în reţeaua cristalină, au posibilitatea să ocupe
nivelurile energetice cuprinse în anumite benzi de energie, numite benzi
permise, şi nu numai niveluri enegetice discrete corespunzătoare atomului
izolat.
De regulă, electronii ocupă niveluri de energie minimă din banda
ocupată, denumită şi banda de valenţă. Datorită agitaţiei termice sau sub
influenţa unui cîmp electric aplicat din exterior, electronii îşi sporesc energia
şi pot trece pe nivelurile permise superioare, în banda liberă, denumită şi
bandă de conducţie, şi astfel ei devin electroni liberi sau electroni de
conducţie, care pot să circule în întreaga reţea cristalină.
La un material conductor, banda de valenţă se întrepătrunde, cu
banda de conducţie (figura 1.4), iar numărul electronilor liberi, este foarte
mare. Sub acţiunea unui cîmp electric oricît de slab, electronii liberi capătă o
mişcare ordonată în sens contrar cîmpului şi astfel apare curentul electric în
corpul conductor. Cînd materialul conductor primeşte energie din afară (ex.:
prin încălzire), electronii liberi pot părăsi corpul, dînd naştere emisiei
electronice.

banda liberă
banda liberă
(de conducţie)
ΔE banda interzisă
banda ocupată
(de valenţă)
banda ocupată

Figura 1.4 Figura 1.5

 La corpurile izolante (Figura 1.5), numărul electronilor liberi este
foarte mic, iar benzile de conducţie şi de valenţă, care constituie benzile
permise, sînt separate printr-o bandă interzisă cu lărgimea de 5...10 eV, în
care nu se află electroni. În acest caz, conducţia poate să apară numai dacă
unii electroni din banda de valenţă dobîndesc prin încălzire puternică, sau
sub acţiunea unui cîmp electric de intensitate mare, energii suficient de mari
pentru a deveni liberi.
Corpurile semiconductoare au o structură a benzilor de energie
asemănătoare cu cea a izolatoarelor, singura deosebire fiind lărgimea mai
mică a benzilor interzise (Figura 1.6). La germaniu, lărgimea benzii interzise
este ΔE = 0,76 eV, iar la siliciu ΔE = 1,1 eV.

banda liberă

ΔE banda interzisă

banda ocupată

Figura 1.6

Cînd electronul posedă suficientă energie, el poate să treacă din banda de

valenţă în banda de conducţie, lăsînd în urma lui un nivel energetic
neocupat. Absenţa unui electron din banda de valenţă poartă numele de gol.
Golul trebuie privit ca o particulă activă, cu sarcina electrică pozitivă, egală
în valoare absolută cu sarcina electronului. Electronii şi golurile se numesc
purtători de sarcină şi deci ei participă la conducţia curentului electric în
semiconductor.
În majoritatea lor, electronii de valenţă ai atomilor unui semiconductor
(cum ar fi siliciul) nu sînt liberi să se deplaseze în întregul volum al
semiconductorului. Ei participă în schimb la legăturile covalente care menţin
ansamblul atomilor semiconductorului dintr-o structură cristalină periodică.
Fiecare atom al cristalului are patru vecini imediat apropiaţi şi împarte cu
aceşti vecini electronii săi de valenţă (atomii semiconductorilor sînt
elemente din grupa a IV-a).
În cazul în care toţi electronii de valenţă sînt legaţi prin legături
covalente, conducţia electrică nu este posibilă deoarece nu există purtători
de sarcină liberi, care să se deplaseze. În consecinţă, un material care are
această dispoziţie a electronilor se comportă ca un izolator. Ca exemplu, de
astfel material se poate cita diamantul, care este o formă cristalină a
carbonului.
Distribuţia reală a electronilor de valenţă dintr-un semiconductor
diferă de cea prezentată prin faptul că la toate temperaturile peste zero
absolut, cîteva legături covalente sînt incomplete. Electronii care lipsesc din
aceste legături nu mai sînt menţinuţi în regiunea legăturilor, ci sînt liberi să
se deplaseze.
La temperatura camerei, aproximativ un atom din fiecare zece miliarde
are o legătură ruptă (Figura 1.7). Deşi aceste legături rupte sînt atît de rare,
ele au un efect enorm asupra proprietăţilor electrice ale semiconductoarelor.
Un material este considerat drept semiconductor şi nu un izolator, în cazul în
care numărul de legături rupte este de ordinul 10 8 pe cm3.
e-
+4 +4 +4

+
+4 +4 +4

+4 +4 +4

Figura 1.7

Consecinţa acestor legături covalente rupte este faptul că există două

grupuri distincte şi independente de purtători de sarcină care poartă curenţii
electrici în semiconductoare.
O clasă de purtători de sarcină sînt electronii de conducţie, care sînt
produşi în momentul în care un electron de valenţă se eliberează dintr-o
legătură, iar cealaltă clasă este asociată electronilor de valenţă care rămîn
legaţi în legăturile covalente. Este evident că o legătură ruptă este asociată
cu o regiune localizată de sarcină pozitivă (în vecinătatea legăturii rupte
există un exces de sarcină ionică pozitivă faţă de sarcina electrică negativă).
Această regiune de sarcină pozitivă se numeşte gol, deoarece rezultă dintr-
un defect sau loc liber în structura legăturilor.
Mişcarea sarcinii pozitive localizate are loc datorită faptului că un
electron de valenţă dintr-o legătură situată în apropierea legăturii rupte (în
apropierea golului) poate umple locul liber, făcînd prin aceasta ca golul să se
deplaseze în direcţie opusă (figura 1.8).

+4 +4 +4

+4 +4 +4
Gol
e-
+4 +4 +4

Figura 1.8
 În felul acesta, electronii de valenţă se pot deplasa de la legătură la
legătură, fără a dobîndi totuşi energie suficientă pentru a se elibera de
structura legăturilor. În consecinţă, golul se poate deplasa în material fără ca
prin aceasta să influenţeze într-un fel electronii de conducţie.
Acest model de semiconductor introdus, corespunde
semiconductorului intrinsec. La acest tip, reţeaua cristalină este considerată
ca avînd în noduri numai atomi ai semiconductorului de bază şi nu prezintă
defecte. Într-un semiconductor intrinsec, prin ruperea unei legături
covalente se formează o pereche electron-gol, deci concentraţiile celor două
tipuri de purtători sînt egale.
Notînd cu n concentraţia de electroni şi cu p concentraţia de goluri din
semiconductor, valoarea lor comună se numeşte concentraţia intrinsecă şi
este notată ni. Deci,
n = p = ni .
Concentraţia intrinsecă depinde de temperatura absolută şi de
lărgimea benzii interzise ΔE:

3
 ΔE 
n i  A  T 2  exp  ,
 2k T 

unde:
A – constantă, iar k – constanta lui Boltzman.
Concentraţiile golurilor şi electronilor sînt puternic influenţate de
cantităţi infime de impurităţi, care se adaugă la un semiconductor în timpul
fabricării lui. Procesul prin care într-un semiconductor se introduc impurităţi
se numeşte dopare, iar semiconductorii respectivi se numesc
semiconductori extrinseci.
Dacă reţeaua cristalină a unui semiconductor tetravalent (germaniu,
siliciu) este dopată cu o impuritate pentavalentă (stibiu, fosfor, arseniu,
bismut), cel de-al cincilea electron de valenţă nu participă la formarea
legăturii covalente, fiind slab legat de atomul său. Chiar la temperatura
camerei acest al cincilea electron poate să devină liber şi astfel atomii de
impuritate constituie o sursă de electroni de conducţie în reţeaua
semiconductorului (figura 1.9).
Electronul de impuritate, devenit liber, nu lasă în urma sa un gol ci un
ion pozitiv de impuritate, fix, în reţeaua cristalină a semiconductorului.

+4 +4 +4

e-
+4 +5 +4

+4 +4 +4

Figura 1.9
 Notînd cu nn concentraţia de electroni, pn concentraţia de goluri din
materialul semiconductor, ND concentraţia atomilor de impuritate, ND+
concentraţia de ioni pozitivi, avem următoarele relaţii:

n n  N D  N D
n i2
pn 
nn

Aceste impurităţi se numesc donoare (de tip n), iar semiconductorul

cu impurităţi donoare se numeşte semiconductor de tip n. Într-un
semiconductor de tip n electronii de conducţie (datoraţi atomilor de
impuritate) sînt în număr mare şi se numesc purtători mobili de sarcină
majoritari, iar golurile sînt în număr mic şi se numesc purtători de sarcină
minoritari.
Cînd reţeaua cristalină a unui semiconductor tetravalent este dopat cu
impurităţi trivalente (atomi de indiu, galiu, aluminiu etc.), atunci o legătură
covalentă dintre un atom de impuritate şi un atom de semiconductor rămîne
nesatisfăcută. Din cauza agitaţiei termice (chiar la temperatura camerei),
electronii de valenţă dobîndesc un surplus de energie şi unii dintre ei vor
completa legăturile covalente nesatisfăcute ale atomilor de impuritate, lăsînd
goluri în urma lor (figura 1.10).
Deoarece electronul care a completat legătura covalentă liberă rămîne
fixat în cadrul legăturii covalente a atomului de impuritate, acesta din urmă
se transformă în ion negativ. Mecanismul de formare a unui gol nu a fost
însoţit de apariţia unui electron de conducţie.

+4 +4 +4

+4 +3 +4
Gol
e-
+4 +4 +4

Figura 1.10

Notînd cu pp numărul de goluri, np concentraţia de electroni, NA

concentraţia atomilor de impuritate, NA- concentraţia de ioni negativi din
materialul semiconductor, avem următoarele relaţii:

p p  N A  N A
n i2
np 
pp

Asemenea impurităţi se numesc acceptoare (de tip p), iar

semiconductorul cu impurităţi acceptoare se numeşte semiconductor de tip
p. Într-un asemenea semiconductor, purtătorii mobili de sarcină majoritari
(proveniţi din atomii impurităţilor) sînt golurile, iar purtătorii mobili minoritari
(produşi de ruperea legăturilor covalente datorită creşterii temperaturii) sînt
electronii.