Tranzistoare

1. Tranzistoare bipolare
a) Structura internă. Simboluri
Tranzistorul bipolar (TB) este constituit din trei straturi semiconductoare cu dopare alternantă (NPN sau PNP),
care determină două joncţiuni PN. Prin urmare, două configuraţii sunt posibile: tranzistorul bipolar NPN şi
tranzistorul bipolar PNP (fig.1). Terminalele tranzistorului se numesc emitor (E), bază (B), colector (C).
TB tip NPN
iE iC TB tip PNP
E C
iE iC IEsat ICsat
E C E C
iB I Bsat

B iB
B
Fig.1 B
Fig.2a Fig.2b
b) Regimuri de funcţionare
 În funcţie de polarizarea joncţiunilor bază-emitor (jBE) şi bază-colector (jBC) ale unui TB, pot fi stabilite patru
regimuri de funcţionare, dintre care se utilizează în aplicaţii următoarele 3 :
 regimul activ normal (RAN) - atunci când jBE este polarizată direct şi jBC este polarizată invers; TB conduce ;
 regimul de saturaţie (RS) - atunci când ambele joncţiuni sunt polarizate direct; TB este saturat ;
 regimul de blocare (RB) - atunci când ambele joncţiuni sunt polarizate invers ; TB este blocat.
 Modelul simplificat al unui TB blocat este cel din fig.2a, iar al unui TB (tip NPN) saturat este cel din fig.2b.
 RAN se foloseşte în aplicaţiile liniare (amplificatoare, stabilizatoare etc.), iar RS şi RB în circuitele numerice.
 În RAN, sensurile normale ale curenţilor prin terminale sunt cele din fig.1 şi conduc la ecuaţia i E  i C  i B ,
iar între tensiunile dintre terminalele TB se poate scrie relaţia u CE  u EB  u BC  0 .
 În RAN, I C   N  I B  1   N   I CB0 =  N  I B  I CE0   N  I B pentru că ICB0 are valori foarte mici.
Întrucât  N >>1 , se observă funcţia de amplificare în curent pe care o asigură TB.

2. Tranzistoare unipolare (cu efect de câmp)

 Un tranzistor unipolar sau cu efect de câmp (FET) reprezintă o cale semiconductoare de curent (numită canal)
cu conductanţa comandată de un câmp electric extern. Dispozitivul are 4 electrozi numiţi sursă ( S ), drenă
( D ), grilă ( G ) și bază (B). În funcție de tipul canalului, FET-urile sunt cu canal N sau cu canal P .
 Sensul convenţional de circulaţie a purtătorilor mobili de sarcină prin canal este de la S spre D, pentru toate
FET-urile. Ca urmare, U DS >0 la FET-urile cu canal N, respectiv U DS <0 la cele cu canal P.
 Prin canal circulă curentul de drenă ( I D ) care este egal cu cel de sursă (curentul de grilă este neglijabil).
 Efectul de câmp constă în controlul curentului I D prin câmpul electric aplicat din exterior (tensiunea UGS).
 Tensiunea drenă-sursă de închidere a canalului, U DSP  U GS  U P este tensiunea UDS la care canalul
tranzistorului se obturează punctiform, lângă drenă.
 În cazul tensiunilor UDS mici şi în prezenţa canalului, I D creşte liniar cu UDS , iar tranzistorul se comportă,
între sursă şi drenă, ca o rezistenţă variabilă RVV , controlată de UGS .
 După închiderea canalului ( U DS  U DSP ), curentul I D devine aproape independent de U DS ; tranzistorul se
comportă ca o sursă comandată de curent, nivelul curentului fiind controlat prin U GS .
 După modul de realizare a canalului există FET cu grilă joncțiune (JFET), respectiv FET cu grilă izolată
(MOSFET).
 Două FET-uri de acelașsi tip, unul cu canal N şi celălalt cu canal P se numesc complementare.
1
 2.1. JFET
 JFET are canalul realizat în volumul substratului semiconductor, iar G și B se conectează împreună.
 Structura unui JFET conţine două joncţiuni PN (joncţiunea grilă-canal şi joncţiunea canal-substrat) care
mărginesc canalul. Cele 2 joncţiuni se polarizează invers cu U GS  0 (dacă JFET este cu canal N) sau cu
U GS  0 (dacă JFET este cu canal P).
 Simbolul JFET cu canal N este dat în fig. 3, iar al JFET cu canal P în fig. 4.
În funcţionarea normală a JFET-urilor,
polarităţile tensiunilor sunt
a) pentru JFET cu canal N: U DS > 0 ,
U GS  0 şi U P < 0 ;
b) pentru JFET cu canal P: U DS < 0 ,
U GS  0 şi U P > 0 .
c) Tensiunea de prag U P , este tensiunea
U GS la care canalul este obturat pe
Fig. 3 Fig. 4
toată lungimea când U DS  0 .

2.2. MOSFET
 MOSFET are grila metalică izolată de substratul semiconductor printr-un strat de bioxid de siliciu de
grosime foarte mică (MOS = metal – oxid – semiconductor). Canalul şi conducţia curentului printr-un
tranzistor MOS se realizează la suprafaţa substratului semiconductor. La MOSFET, se conectează împreună
sursa şi baza.
 Dacă la UGS=0 există canalul semiconductor între S şi D, tranzistorul se numeşte MOSFET cu canal iniţial.
Simbolurile acestui dispozitiv sunt date în fig. 5a (pentru canal N) şi în fig. 5b (pentru canal P).
 Dacă la UGS=0 nu există canalul semiconductor între S şi D, tranzistorul se numeşte MOSFET cu canal
indus. Simbolurile acestui dispozitiv sunt date în fig. 5c (pentru canal N) şi în fig. 5d (pentru canal P).

a) b) d)
c)
Fig. 5
 MOSFET cu canal iniţial
 Aceste tranzistoare admit tensiuni UGS de ambele polarităţi.
 Tensiunea UGS = UP la care dispare practic canalul (anulându-se ID ) se numește tensiune de prag și
este precizată în foile de catalog.
 Polarităţile tensiunilor în funcţionarea normală a MOSFET-urilor cu canal iniţial sunt :
- pentru canal N: U DS > 0 , U P < 0 şi UGS pozitivă sau negativă ;
- pentru canal P: U DS < 0 , U P > 0 şi UGS pozitivă sau negativă .
 MOSFET cu canal indus
 Tensiunea UGS = UP la care se induce canalul între drenă şi sursă se numeşte tensiune de prag.
UP > 0 pentru MOSFET cu canal indus N, respectiv UP < 0 pentru cel cu canal indus P .
 Polarităţile tensiunilor în funcţionarea normală a MOSFET-urilor cu canal indus sunt :
- pentru canal N: U DS > 0 , U P > 0 şi UGS > UP ;
- pentru canal P: U DS < 0 , U P < 0 şi UGS < UP.
2