2.

NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 23

2.1 Noţiuni generale despre elementele semiconductoare

Releele şi contactoarele electromagnetice de comutaţii şi protecţii, analizate în

capitolul precedent, sunt simple şi ieftine, însă posedă unele dezavantaje, deoarece
sunt nişte elemente electromecanice:
 Au o rapiditate scăzută, frecvenţa de comutaţii fiind mai mică decât 10 Hz,
datorită inductivităţii bobinelor inductive de comandă şi deplasărilor
organelor mecanice mobile;
 Deconectarea bruscă a curentului sarcinilor inductive este însoţită de apariţia
arcului electric între contactele electrice (datorită unor supratensiuni de
inducţie eL=-Lsdi/dt, care ionizează moleculele de aer şi străpunge spaţiul
dintre contacte, ca un microfulger, ceea ce micşorează fiabilitatea şi impune
curăţirea lor periodică);
 Gabaritele, masele şi consumul de energie sunt relativ mari;
 Nu posedă proprietăţi de convertire c.a./c.c. (redresare) şi c.c./c.a. (inversare)
 Nu posedă proprietăţi de reglare a curentului sasrcinilor electrice.
Elementele electronice semiconductoare de bază (diodele, tranzistoarele,
tiristoarele), care au fost propuse prin anii 1960, sunt lipsite de aceste dezavantaje,
de aceea s-au dezvoltat vertiginos. Ele au făcut o „revoluţie” tehnică în
electricitate, însă au avut ca prototip tuburile electronice, bazate pe conducţia
curentului între 2 electrozi (catod şi anod) printr-un flux de elctroni într-un balonaş
de sticlă, din care era scos aerul (în vid). Însă aceste tuburi electronice, elaborate şi
aplicate între anii 1930-1950, erau limitate în curent şi tensiune şi posedau gabarite
relativ mari.
În ultimile decenii informatica, calculatoarele şi microprocesoarele au făcut o
nouă „revoluţie” tehnică în electronică.
Denumirea elementelor electronice (semiconductoare) provine de la
materialele semiconductoare utilizate – siliciu şi germaniu (grupa a 4-a), bor şi
indiu (grupa a 3-a), fosfor şi arseniu (grupa a 5-a a tebelului lui Mendeleev).
Aceste materiale au proprietăţi medii de conducţie a curentului electric, ocupând o
poziţie intermediară între materialele bine conductoare (cuprul, aluminiul, fierul) şi
materialele neconductoare de curent (izolatoarele – hârtia, cartonul, lemnul, sticla,
cermica, materialele plastice). Curentul electric în conductoare închise de cupru
sau aluminiu este determinat de mişcarea ordonată a electronilor liberi (de pe
orbita exterioară a fiecărui atom din reţeaua cristalină) sub acţiunea unui câmp
electric exterior, creat de o sursă de energie electrică din circuitul închis.
Transmiterea energiei electrice, de la un nod spre alt nod, se face foarte repede
datorită vitezei mari de deplasare (propagare) a câmpului electric în conductoare,
care constituie aproximativ 300000 km/s, adică este egală cu viteza luminii.
Materialele semiconductoare curate (intrinseci) sunt neutre şi nu pot concura
cu cuprul sau aluminiul, deoarece rezistivitatea lor este mai mare faşă de cea a
acestor metale. Însă dacă semiconductoarele sunt dopate cu anumite
impurităţi, de asemenea semiconductoare, conductibilitatea electrică a lor
devine reglabilă, apropiindu-se de cea metalelor, sau de cea a izolatoarelor (în
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 24
funcţie de anumite condiţii de polarizare electrică). În afară de aceasta, trecerea
semiconductoarelor dintr-o stare în alta (comutaţia) poate fi realizată cu o
rapiditate foarte mare (de ordinul microsecundelor). Această proprietate ridică
foarte mult frecvenţa posibilă de funcţionare (comutaţie) a lor, care se realizează
deja nu prin închiderea/deschiderea unor contace electromecanice, ci pe baza
deplasării sarcinilor microscopice din reţeaua cristalină a materioalelor
semiconductoare dopate cu impurităţi sub acţiunea câmpului electric exterior.
Unul din materialele de bază ale semiconductoarelor este Siliciul. Un atom de
siliciu, constituit dintr-un nucleu cu sarcină pozitivă, în jurul căruia se rotesc pe
mai multe orbite un anumit număr de electroni cu sarcină negativă, este arătat
simplificat în figura 2.1,a. Cei 4 electroni de pe orbita exterioară sunt numiţi
electroni de valenţă, care la încălzire, sau sub acţiunea unui câmp exterior, pot
deveni liberi, deoarece sunt mai slab atraşi de nucleul pozitiv.
Întrucât atomii de Siliciu se află la o distanţă foarte mică unul de altul, într-un
cristal de Siliciu electronii de valenţă se rotesc concomitent şi în jurul atomilor
vecini, condiţionând o anumită legătură dintre atomi (fig.2.1,b). Dacă acest cristal
se dopează (incorporează) cu o impuritate semiconductoare din grupa a 5-a a
tabelului lui Mendeleev, care are pe orbita exterioară 5 electroni de valenţă, de
exemplu cu Arseniu As, atunci 4 din ei se vor lega de atomii învecinaţi de Siliciu,
iar unul din aceşti 5 electroni va fi în exces (în plus). Acesta din urmă devine astfel
electron liber (fig.2.1,c) şi transformă atomul de As în ion pozitiv fix (fig.2.2).

a) b)

c)
Fig.2.1. Atom (a) şi cristal de Siliciu dopat cu impuritate de Arseniu As
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 25
Arseniul incorporat în acest caz se numeşte donator de sarcini negtive
(electroni de valenţă), sau semiconductor de tip negativ N.

Fig.2.2. Reprezentarea simplificată a unui material semiconductor de Arseniu cu

conductibilitate negativă N
Dacă un cristal de Siliciu se dopează cu un semicondutor din grupa a 3-a a
tabelului Mendeleev cu 3 electroni de valenţă pe orbita exterioară, de exemplu cu
Indiu In, atunci pentru a face legătura cu atomii vecini de Siliciu sunt necesari 4
electroni de valenţă, pe când Indiul posedă numai 3 din aceşti electroni (fig.2.3,a).
De aceea, în legătura sa cu un atom de Siliciu, atomul de Indiu va avea un loc
vacant gol, numit Gol (Trou), care reprezintă un purtător de sarcină pozitivă
liberă, deoare poate fi ocupată de electronul unui alt atom. În acest caz atomul de
Indiu se transformă în ion negativ fix (cerculeţ cu semnul minus în interior în
figura 2.3,b). Evident, că cristalul de Siliciu se dopează cu mulţi atomi de Indiu,
obşinându-se astfel multe goluri, notate în figura 2.3,b cu semnul + fără cerculeţ,
adică un semiconductor de tip pozitiv P şi un donator de sarcini pozitive.

a)

Fig.2.3.Doparea Siliciului cu 1 atom de Indiu şi obţinerea semiconductorului tip P

2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 26
Însă funcţia de reglare a conductibilităţii electrice şi de comutaţii ultrarapide
ale elementelor semiconductoare, menţionată mai sus, se obţine numai prin
integrarea (incorporarea) consecutivă şi opusă a 2, sau mai multor zone de
conductibilitate pozitivă P şi negativă N. În figura 2.4,a este arătată integrarea
doar a 2 zone opuse P şi N, care stau la baza diodelor. Graniţa dintre aceste zone se
numeşte Joncţiune P-N. Ea joacă un rol decisiv în comutaţia, sau reglarea
curentului electric prin ambele zone, deoarece procesele microelectronice din
această graniţă asigură comanda (blocarea, sau trecerea) curentului prin aceste
zone.
În figura 2.4,b este prezentată o joncţiune P-N, care nu este supusă acţiunii
unei tensiuni electrice exterioare, numite şi polarizare exterioară. În acest caz la
graniţa menţionată au loc următoarele procese:
1) electronii liberi din partea negativă N trec graniţa (difuzează) spre golurile
disponibile libere din partea pozitivă P, recombinând cu acestea şi transformând
totodată ionii fixşi ai Indiului într-un potenţial negativ N fără goluri (real acestea
au recombinat cu electronii veniţi din zona N, ceea ce fictiv este echivalent cu
difuzia (plecarea) golurilor din zona P în zona N şi recombinaţia fictivă a lor cu
electronii liberi din această zonă N);
2) deoarece electronii liberi de la graniţa zonei N au trecut în zona P, graniţa zonei
N rămâne cu acelaşi potenţial pozitiv al ionilor fixşi de Arseniu, însă fără
electroni (fig.2.4,b).
Diferenţa acestor 2 potenţialuri electrice formează o tensiune electrică
interioară, sau un câmp electric interior Ei, care mai este numit şi barieră de
potenţial, deoarece sensul lui împiedică trecerea ulterioară a purtătorilor de sarcină
prin joncţiunea P-N. Această barieră de potenţial constituie aproximativ 0,6-0,7 V
pentru Siliciu şi 0,3 V pentru Germaniu. Grosimea ei este foarte mică –
aproximativ 1 μm. Ca urmare, în final ambele zone P şi N, la fel şi potenţialurile
menţionate ale joncţiunei P-N, se echilibrează, devenind astfel neutre.

a) b)
Fig. 2.4. Structura şi procesele joncţiunei nepolarizate P-N

Diodele redresoare simple au la bază 2 zone P-N, adică o singură joncţiune

P-N, tranzistoarele bipolare - 3 zone (N-P-N, sau P-N-P), iar tiristoarele – 4-5
zone similare (P-N-P-N şi P-N-P-N-P). Toate aceste elemente semiconductoare de
bază s-au dezvoltat în 2 domenii de utilizare practică: în microelectronică cu
curenţi sub 0,3 A şi în electronica de putere cu curenţi mari 10-3000A.
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 27
2.2 Diode semiconductoare

2.2.1 Principii de funcţionare şi caracteristici principale

Dioda semiconductoare simplă (redresoare) reprezintă o singură joncţiune de
tip P–N, care are proprietatea de a conduce curentul doar într-o singură
direcţie, în caz dacă ea este polarizată direct, adică când către zona P (Anod) se
aplică o tensiune exterioară de c.c. de polaritate pozitivă, iar către zona N (Catod)
– polaritatea negativă a acestei tensiuni (fig.2.5). Tensiunea exterioară formează un
câmp electric exterior de o amplitudine E, de regulă mai mare şi opus faţă de
câmpul electric interior Ei, menţionat mai sus. Ca urmare, câmpul rezultant EΣ=E-
Ei>0, ceea ce condiţionează o deplasare continuă a purtătorilor de sarcină
majoritari (electronilor liberi din zona N sunt atraşi de potenţialul pozitiv al
tensiunii exterioare). Rezistenţa interioară a diodei Ri în stare deschisă este mică,
de aceea curentul trebuie să fie limitat de o rezistenţă exterioară ID=U/R (fig.2.5,b).

a)

b)
Fig.2.5. Polarizarea directă şi regimul de conducţie al diodei semiconductoare

La o polarizare inversă, câmpul exterior opus -E se însumează cu câmpul

interior (EΣ=-E-Ei<0), ceea ce împiedică deplasarea purtătorilor de sarcină prin
joncţiune şi blochează conducţia (curentul) diodei (ID≈0, întrucât Ri→ω).

Fig.2.6. Polarizrea inversă şi blocarea curentului diodei semiconductoare

2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 28
Aşadar, dioda semiconductoare poate avea doar 2 stări de lucru (conductoare,
sau neconductoare), iar conducţia curentului este unidirecţională – de la Anod
spre Catod (dacă UAK>0). Această proprietate a diodei se
utilizează în redresoare necomandate (convertoare c.a./c.c.). În
schemele electrice dioda se reprezintă printr-o săgeată, direcţia
căreea coincide cu direcţia curentului în stare deschisă (fig.
2.7).O altă proprietate a diodei – nu are electrod special de
comandă ca tiristoarele, de aceea se consideră necomandată.

Fig.2.7. Reprezentarea diodei în schemele electrice

În figura 2.8,a sunt arătate unele diode semiconductoare de curenţi şi gabarite
mici (diametrul lor constituie 3-4mm), utilizate în microelectronică, iar în figura
2.8,b – diode de curenţi medii şi mari (diodele pentru curenţi medii se execută în
formă de şurub cu catod rigid scurt, sau catod flexibil lung, pe când diodele pentru
curenţi mai mari de 500A se produc în formă de tabletă cu un diametru de 50-
75mm). Diodele de putere sunt prevăzute pentru o fixare pe nişte radiatoare de
aluminiu, pentru a mări suprafaţa de răcire.

a)

b)
Fig.2.8. Diode semiconductoare industriale de curenţi mici, medii şi mari

Dioda are 2 parametri de bază: curentul maxim admisibil în stare de

conducţie I şi tensiunea inversă (negativă) UAK (VAK), maxim admisibilă în stare
blocată. Aceşti parametri deseori se reprezintă grafic prin intermediul
caracteristicii principale a diodei – caracteristica I(UAK). Diodele de curenţi
mari (>1000A) pot fi considerate ca diode ideale, care în stare de conducţie au o
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 29
rezistenţă interioară Ri≈0, adică în această stare ele pot fi identificate cu un contact
electronic discret Normal-Închis (fig.2.8). În stare blocată dioda are o rezistenţă
interioară relativ mare Ri.b →∞, de aceea curentul invers I(UAK<0)≈0, adică ea
poate fi identificată cu un contact electronic Normal-Deschis.

Fig.2.8. Caracteristica „Amper-Tensiune” a unei diode ideale (de curenţi mari)

Diodele de curenţi mici şi medii nu pot fi considerate ideale, deoarece au o

rezistenţă interioară mică (câţiva Omi). La aceste diode nu poate fi neglijată nici
tensiunea barierei de potenţial a joncţiunii P-N Ei≈0,7V (fig.2.4-2.5). În
caracteristica I(VAK) această barieră de potenţial se reprezintă ca o tensiune de prag
VS, care trebuie depăşită de tensiunea exterioară pentru a asigura creşterea
curentului la o polarizare directă (fig.2.9). Schema echivalentă a acestor diode în
regim de conducţie se reprezintă ca un contact Normal-Închis, înseriat cu tensiunea
de prag VS şi cu rezistenţa interioară Ri. Dacă tensiunea inversă (negativă)
depăşeşte o anumită valoare maxim-admisibilă, are loc străpungerea (arderea)
diodelor. În acest caz rezistenţa interioară în stare blocată Ri.b se micşorează până
la rezistenşa interioară în stare de conducţie Ri.b=Ri, de aceea curentul poate fi
limitat doar de rezistenţele altor elemente, conectate în serie cu diodele.

Fig.2.9. Caracteristica I(VAK) a unor diode reale şi schema echivalentă a lor

2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 30
În figura 2.10,a este arătată schema reală de conectare în serie a diodei la un
circuit de sarcină cu o rezistenţă R, alimentată de la o sursă electrică de tensiune
EG, care asigră o polarizare directă a diodei. În figura 2.10,b sunt construite pe
acelaşi grafic caracteristica reală a diodei (de culoare roşie) şi caracteristica
circuitului de sarcină (de culoare albastră). Curentul staţionar comun al diodei şi
circuitului de sarcină, în acest caz, se obţine grafic în punctul de intersecţie a
acestor două caracteristici, iar după legea lui Ohm, se calculează după următoarea
EG VS
relaţie: I D0
Ri R

a) b)
Fig.2.10. Schema reală de conectare a diodei într-un circuit de sarcină activă(a) şi
caracteristicile „Amper–Tensiune” ale ambelor elemente

În afară de diodele redresoare tipice, descrise mai sus (în engleză Generic), în
microelectronică sunt utilizate şi alte tipuri de diode cu particularităţi şi funcţii
speciale (fig.2.11). Diodele Schottky şi PIN, de exemplu, sunt destinate pentru o
funcţionare la frecvenţe foarte înalte. Diodele Zener sunt prevăzute pentru
stabilizarea unei
tensiuni de referinţă:
Diodele luminiscente
(Light-Emiting LED) –
pentru transformarea
curentului electric într-
un flux de lumină de
culori diferite, iar
fotodiodele au o
funcţie inversă faţă de
LED. Diodele
luminiscente LED în
prezent au primit o
largă răspândire în
iluminatul electric
(orice joncţiune P-N
deschisă radiază o
anumită lumină)..
Fig.2.11. Tipuri de diode speciale, utilizte în microelectronică
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 31
2.2.2 Aplicaţii ale diodelor semiconductoare în scheme de redresare

Datorită proprietăţilor dinamice bune şi conducţiei unilaterale, diodele au

căpătat o utilizare largă în redresoarele necomandate, care transformă tensiunea
de curent alternativ de la intrare într-o tensiune constantă de curent continuu
U d la ieşire. Însă această tensiune nu este reglabilă (deoarece însăşi dioda este
necomandată) şi nici ideală (linie dreaptă), ci este constituită din porţiuni pozitive
(pulsuri) ale tensiunii sinusoidale de la intrare.
Au fost propuse o varietate mare de redresoare necomandate cu diode :
 cu o conexiune în punte, sau cu punct nul (punct comun) a diodelor;
 cu 1,2,3,6 faze ale tensiunii alternative de intrareŞ
 cu redresare monoalternanţă, sau dublă alternanţă (semiperioadă a tensiunii
sinusoidale de intare).
Cel mai simplu redresor necomandat este cel monofazat monoalternanţă,
reprezentat în figura 2.12). El se numeşte redresor monoalternanţă, deoarece într-o
perioadă a tensiunii sinusoidale de intrare, dioda VD transmite la ieşire numai
porţiunea alternanţei pozitive, când ea este polarizată direct (UAK>0). În intervalele
de timp, când sinusoida de intrare este negativă, dioda VD este blocată, de aceea
valoarea momentană a tensiunii redresate ud(t)=0. Ca urmare, această tensiune în
acest caz este constituită numai din pulsuri (alternanţe) pozitive ale sinusoidei de
intrare cu pauze nule între ele:
2U sin t , dacг U AK 0 sau 2k t 2k 1
ud t ;
0 , dacг U AK 0 sau 2k 1 t 2k
Valoarea medie Ud a tensiunii redresate se calculează prin integrarea valorii
momentane uD(t) într-o perioadă 2π -radiani :
1 2 2
Ud 2U sin t U 0.45U ,
2 0
Acest tip de redresor este simplu, însă se foloseşte în practică foarte rar,
deoarece valoarea medie a tensiunii redresate U d este mai mică cu 55%, faţă de
valoarea efectivă a tensiunii alternative de intrare U. În plus la aceasta, frecvenţa
pulsurilor tensiunii redresate momentane se micşorează de 2 ori (constuind 25 Hz),
faţă de frecvenţa standardizată a tensiunii sinusoidale de inrare 50 Hz.
Ut
VD
t
0 2 3

Ut Ud R Ud t
d
Ud
t
3

Fig.2.12. Redresor necomandat monofazat monoalternanţă la o sarcină activă

2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 32
În figura 2 13 este prezentat redresorul necomandat monofazat cu dublă
alternanţă şi cu nul, care este de fapt un redresor cu 2 faze de intrare U1 şi U2,
decalate cu 180º, obţinute cu ajutorul unui transformator de intrare cu 2 înfăşurări
secundare, conectate în serie şi cu un Nul între ele. Fiecare fază în acest caz
reprezintă un redresor monoalternanţă, descris în figura precedentă. Ambele
redresoare monoalternanţă sunt conectare paralel faţă de rezistenţa comună de
sarcină RD, conectată între Nulul transformatorului şi nulul catozilor ambelor
diode. Deoarece tensiuniile de intare U1 şi U2 sunt decalate cu 180º, redresoarele
monoalternanţă paralele funcţionează consecutiv (cu o frevenţă de 25 Hz). În
prima jumătate de perioadă (de la 0-π) este deschisă prima diodă (cea de sus cu o
tensiune UAK>0), dioda de jos în acest interval fiind blocată, deoarece tensiunea ei
UAK<0. În jumătatea a doua de perioadă (π-2π), polarizarea şi conducţia diodelor
se inversează. De aceea tensiunea redresată ud(t), într-o perioadă deplină (0-2π),
este constituită de 2 pulsuri pozitive, ceea ce dublează valoarea medie Ud, în
comparaţie cu schema precedentă:
1 2 2 2
Ud 2 2U sin t U 0.9U 0,
2 0

Fig.2.13. Schema şi diagramele redresorului monofazat dublă alternanţă şi cu nul

Dezavantajul acestei scheme constă în necesitatea utilizării unui
transformator monofazat cu 2 înfăşurări secundare identice. Când acesta lipseşte,
se utilizează schema în punte monofazată cu 4 diode.
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 33
În figura 2.14,a este prezentată schema unui redresor necomandat monofazat
dublă alternanţă cu 4 diode VD1-VD4, conectate în punte, într-o diagonală a
căreea se aplică tensiunea reţelei standardizate alternative Ui(t)=~220V, 50Hz, iar
la cealaltă diagonală - rezistenţa de sarcină Rd. Această schema poate avea, de
asemena, la intrare şi un transformator monofazat, care se utilizează în caz, dacă
sarcina de ieşire necesită o tensiune mai mică, sau mai mare decăt tensiunea
standardizată menţionată a reţelei de curent alternativ, deoarece tensiunile
intrare/ieşire, fără taransformator de raportare, nu diferă mult una de alta: Ud=0,9U
(fig.2.14,b).
În ambele scheme tensiunea alternativă Ui(t) se aplică la toate 4diode, însă din
ele se deschid numai 2 (în cruce) – acelea, care sunt polatizate direct în momentul
dat. Dacă, de exemplu, Ui(t)>0 (sau, mai bine zis, dacă Ui(t)>1,4 V, unde 0,7V
reprezintă tensiunea interioară de prag a unei singure joncţiuni p-n), se deschid
diodele VD1,VD4, transmiţând la ieşire prima alternanţă. În caz, când Ui(t)<0, se
deschid diodele VD2,VD3, care transmit la ieşire a doua alternanţă pozitivă.
Ut
VD1 VD3
t
0 2 3
Ut Ud Rd
Ud t
VD 2 VD 4
VD1,4 VD 2,3 VD1,4 Ud
t
0 2 3
a)

b
Fig.2.14. Redresoare dublă alternanţă în punte monofazată şi sarcină activă
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 34
Elementele microelectronice sunt concepute pentru o alimentare în tensiune
continuă ideală (linie orizontală, adică fără pulsaţii de curent alternativ, ca la
baterii şi acumulatoare chimice). Redresoarele monofazate însă au la ieşire pulsaţii
(porţiuni de sinusoidă) foarte mari, de aceea tensiunea redresată trebuie filtrată cu
ajutorul unui condensator electrolit de capacitate mare. În figura.2.15,a este arătată
schema unui astfel de redresor necomandat cu filtru capacitiv, iar în figura 2.15,b
– diagrma tensiunii redresate fără condensator (culoare verde) şi cu condensator
(culoare albastră). În acest caz forma tensiunii redresate se apropie de cea ideală.
Aceasta se datorează faptului, că în intervalul cresterii tensinii dud/dt>0),
condensatorul se încarcă prin diode, acumulând energie electrică de la reţea, iar în
intervalul descreşterii dud/dt<0, diodele se blochează, deoarece tensiunea
ud(t)<uC(t), iar sarcina este alimentată de tensiunea (energia) acumulată de
condensator uC(t).
Condensatorul de filtrare în acest caz mai îndeplineşte încă o funcţie –
măreşte valoarea medie a tensiunii redresate Ud (dacă capacitatea este relativ
mare). El se încarcă până aproape de amplitudinea tensiunii sinusoidale, de aceea
Ud≈√2Ui≈1,4Ui, pe când fără condenstor Ud=0,9Ui. Această proprietate măreşte
totodată factorul de putere (cos φ) al redresorului (micşorează consumul de
energie reactivă), ceea ce reprezintă un avantaj important, mai ales la puteri mari.

Fig.2.15. Schema şi diagrama de funcţionare a redresorului monofazat

monoalternanţă cu şi fără condensator de filtrare
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 35
O creştere a tensiunii redresate medii Ud, chiar şi fără utilizarea unui
condensator de filtare, poate fi obţinută, de asemenea, prin ridicarea numărului de
faze ale redresorului. O largă răspândire în practică au obţinut-o redresoarele
trifazate necomandate, care pot fi realizate, la fel ca şi cele monofazete, în aceleaşi
2 variante de conexiuni – cu nul şi în punte. În figura 2.16 este arătat un redresor
trifazat necomandat monoalternanţă cu Nul (de fapt cu 2 Nuluri), diodele căruia
se conectează în fiecare secundar al transformatorului trifazat, conectat în „Stea”.
Sarcina de ieşire a redresorului Rd se conectează între Nulul transformatorului şi
Nulul comun al catozilor celor 3 diode.
Funcţionarea acestui redresor se bazează pe aceleaşi proprietăţi de conducţie
ale diodelor. În fiecare moment de timp, din cele 3 diode, conduce curentul acea
diodă , care este polarizată direct, adică care are anodul mai pozitiv, deoarece
catozii sunt comuni. Într-un sistem trifazat simetric fiecare fază devine mai
pozitivă peste fiecare 120º, de aceea fiecare diodă conduce curentul 120º.
Deschiderea următoarei diode condiţionează blocarea celei precedente prin
aplicarea unei tensiuni UAK < 0 . Valoarea momentană a tensiunii redresate conţine
deja 3 pulsuri pozitive (porţiuni de sinusoidă) ale tensiunilor de fază de o durată de
120º fiecare, amplitudinea cărora este mai mică, faţă de redresoarele monofazate
(fig.2.16) . Valoarea medie a tensiunii redresate în acest caz într-adevăr este mai
mare faţă de tensiunea de intrare: Ud = 1,17 U.

A B C

t
3 6
Ud U f 1.17U f
2
2
3 Ud t
Rd
Fig,2.16. Schema redresorului trifazat necomandat cu Nul şi diagrama lui de
funcţionare
Ud
VD1 VD3 VD5
Pentru a obţine o tensiune redresată şi mai mare şi cu pulsaţii alternative şi
mai mici, se foloseşte redresorul
U d R trifazat
3 dublă alternanţă 3cu66 diode conectate
U t U U 2.34U f
în punte, arătată în figurad 2.17,a. Această punted poate ffi reprezentată
t
convenţional ca fiind constituită din0 2 redresoare trifazate monoalternanţă cu Nul,
VD 4 VD6 VD 2
conectate în serie cu sarcina Rd şi paralel, în raport cu Nulul transformatorului de
alimentare. Unul dintre aceste 2 redresoare este Pozitiv (D1 D2 D3, deoarece are
catozii comuni, iar anozii se polarizează cu tensiuni pozitive), iar altul - Negativ
( D11, D21 , D31 deoarece anozii sunt comuni, iar catozii se polarizează cu tensiuni
negative).. În fiecare moment de timp, din fiecare redresor cu Nul, se deschide câte
o singură diodă (acea, care este polarizată direct), de exemplu: în redresorul Pozitiv
– dioda cu potenţial mai pozitiv la anod, iar în redresorul Negativ - dioda cu un
potenţial mai negativ la catod.
2. NOŢIUNI GENERALE DESPRE ELEMENTE ŞI DIODE SEMICONDUCTOARE 36
În fiecare redresor cu Nul într-o perioadă au loc câte 3 comutaţii ale diodelor
(D1 D2 D3 şi D11, D21 , D31 ), însă punctele de intersecţie a alternanţelor pozitive sunt
defazate faţă de punctele de intersecţie a alternanţelor negative cu 60º (fig.2.17,b).
De aceea într-o perioadă se obţin 6 comutaţii, defazate cu 60º. Fiecare diodă
conduce în total 120º, însă 60º cu dioda opusă a fazei precedente şi 60º cu dioda
opusă a fazei următoare. De exemplu, D1 conduce 60º cu D21 şi 60º cu D31 .

Ud U dP U dN
3 6 3 6
Uf Uf
2 2
1,17U f 1.17U f
2,34U f

b
Fig.2.17 Redresor trifazat dublă alternanţă în punte şi formele lui de tensiune