Curs 6 - 2

Detectori cu semiconductor
• Materialele semiconductoare, în anumite condiții, oferă un
mediu favorabil detecției radiațiilor ionizante.
• Un avantaj față de detectorii cu gaz este densitatea mult mai
mare a semiconductorilor. Acest lucru face ca eficacitatea de
detecție pentru radiații gama să fie superioară celei a
detectorilor cu gaz.
• Eficacitatea de detecție este însă inferioară celei a detectorilor
cu scintilație, datorită numărului Z mai mare în cazul NaI sau CsI.
• Față de detectorii cu scintilație, energia necesară creării
purtătorilor de sarcină în anumiți semiconductori poate fi de
aprox. 3 MeV, ceea ce înseamnă că o particulă creează un număr
mai mare de purtători la aceeași energie cedată în detector.
• Prin urmare, fluctuațiile statistice asociate vor fi mai mici decât
în cazul scintilatorilor. Dacă mai luăm în considerare și faptul că
nu mai este nevoie de a se utiliza un fotomultiplicator, rezultă că
împrăștierea statistică a semnalelor generate va fi foarte mică.
• Ca urmare, detectorii cu semiconductor vor avea o rezoluție
energetică mult mai bună, care compensează valorile mai
reduse ale eficacității.
• Dacă luăm în considerare și timpul mic necesar culegerii
sarcinilor, rezultă că acești detectori vor fi capabili să
înregistreze viteze de numărare ridicate.
• Dezavantajele unor astfel de detectori sunt limitarea la
dimensiuni mici si susceptibilitate mare la degradare indusă
de radiaţii.
• Detectorii cu semiconductori au devenit practic disponibili din
anii ’60 sub formă de detectori cu diode semiconductoare sau
detectori in stare solidă.
• Materialele semiconductoare utilizate sunt siliciul pentru
detecţia si spectrometria particulelor încărcate şi germaniul
pentru spectrometria radiaţiilor gama.
 Efecte produse în semiconductori
• Trecerea unei particule ionizante printr-un semiconductor
determină trecerea electronilor în banda de valență și formarea
unor perechi electron-gol.
• Energia benzii interzise este de aprox. 3 eV, deci aceasta va fi și
energia necesară creării unei perechi de purtători.
• Energia poate varia ușor cu temperatura semiconductorului.
• De asemenea, numărul de purtători de sarcină creați de particule
de natură diferită poată să difere ușor, la aceeași energie cedată în
semiconductor.
• În anumite condiții de polarizare, sarcinile create sunt culese pe
capetele semiconductorului, rezultând un semnal electric.
• Amplitudinea semnalului va reflecta numărul de purtători creați,
deci și energia cedată de către radiație – detectorii se pretează
pentru aplicații de spectrometrie nucleară.
 Joncțiunea p-n ca detector de radiații
• Joncțiunea de tip p-n este cel mai propice mediu prin care un
semiconductor funcționează ca detector de radiații.
• Prin polarizare inversă, joncțiunea permite o colectare rapidă a
purtătorilor generați la trecerea radiației.
• O joncțiune obținută din cuplarea a două tipuri de semiconductori,
dopați cu impurități de natură diferită.
– De obicei se utilizează un cristal dopat cu impurități de tip p, la capătul
căruia se implantează impurități de tip n.
• Purtătorii de sarcină majoritari din fiecare tip de semiconductor vor
difuza, datorită gradientului de concentrație, în regiunea învecinată.
– vor apărea două regiuni sărăcite în purtători de sarcină, care vor
determina apariția unui potențial pe joncțiune care va genera un câmp
electric ce va opri difuzia purtătorilor.
• Regiunea sărăcită este regiunea activă a detectorului:
– sarcinile create de particule ionizante vor fi rapid antrenate în câmpul
electric și vor putea fi colectate la capetele joncțiunii.
Difuzia purtătorilor de sarcină
majoritari din regiunile n și p către
regiunile opuse determină apariția
unor sarcini nete, descrise de
densitatea de sarcină ρ(x). Acestea
determină stabilirea unui potențial
φ(x) pe joncțiune, ce are ca efect
stabilirea unui câmp electric E(x).

Difuzia purtătorilor de sarcină
determină modificarea
concentrației (densității de
sarcină) ρ de cele două părți ale
joncțiunii.
În cazul unei joncțiuni realizate dintr-un
semiconductor de tip p expus la capătul
din stânga a vapori de impurități de tip n:
- electronii majoritari din semiconductorul n
(cu o concentrație ND de impurități
donoare) vor difuza în regiunea p.
- deficitul de electroni din regiunea p
(reprezentați de goluri) vor difuza către
regiunea n.
Adâncimile de difuziune vor fi diferite,
deoarece sunt determinate de
mobilitățile celor două tipuri de purtători.
Trebuie însă să ținem cont de faptul că
sarcina totală trebuie să fie nulă, deci
sarcina negativă reprezentată de electroni
trebuie să fie compensată de aceeași
sarcină pozitivă a golurilor.
Electronii vor difuza pe o adâncime mai
mare, dar densitatea de sarcină va fi
mică.
Golurile vor difuza pe o adâncime mai mică
(dată de diferența de mobilitate) , dar
valoarea densității de sarcină va fi mai
mare.
Difuzia sarcinilor determină stabilirea
unui potențial ϕ pe joncțiune, ce
poate fi calculat utilizând ecuația
lui Poisson: ∂ 2ϕ ρ ( x)
= −
∂x 2 ε
În cazul simplificat al joncțiunii,
unidimensional după axa x,
ecuația devine: ρ
∆ϕ =−
ε
La echilibru, se ajunge la un potențial
care împiedică difuzia purtătorilor,
stabilindu-se un câmp electric E:

E = −∇ϕ

iar în cazul unidimensional:

dϕ ( x )
E ( x) = −
dx
 Polarizarea inversă a joncțiunii
• Diferenţa de potenţial are se stabilește pe joncțiune este mică
(de ordinul a 1 V)
– dacă sunt generați purtători suplimentari datorită trecerii unei
particule ionizante, aceștia vor avea viteze reduse de deplasare.
– vor avea loc recombinări – sarcina colectată nu va fi sarcina creată.
• Un alt dezavantaj – lărgimea regiunii (zona activă de detecție)
este mică.
• În practică sunt utilizate joncţiunile polarizate invers pentru
detecţia radiaţiilor.
– viteza purtătorilor este mai mare;
– datorită potențialului suplimentar, distanțele de difuziune ale
purtătorilor majoritari cresc - lărgimea joncțiunii crește;
– datorită rezistivității mari a semiconductorilor, căderea de tensiunea
se stabilește doar pe regiunea sărăcită - este posibilă colectarea rapidă
a tuturor sarcinilor create în această regiune.
• Dioda semiconductoare poate fi utilizată pentru detecția
radiațiilor.
Presupunem cazul anterior, în care un semiconductor de tip p cu concentrația
de donori NA este dopat cu impurități de tip n în capătul din stânga
(concentrația ND).
Pentru a simplifica calculele, în urma difuziei purtătorilor în joncțiune,
presupunem o concentrație a sarcinilor de tip rectangular în cele două
regiuni:

eN D , ( −a < x ≤ 0 )
ρ ( x) = 
 −eN A , ( 0 < x ≤ b )

Pentru a compensa sarcinile din regiunea n, au difuzat NA goluri pe adâncimea

a, pentru regiunea p au difuzat ND electroni pe adâncimea b.
Sarcina totală netă trebuie să fie egală: N D ⋅ a = N A ⋅ b
 eN D
 − , ( −a < x ≤ 0 )
dϕ  ε
2
=
dx 2  eN A
, (0 < x ≤ b)
 ε
Dacă se integrează și se consideră condițiile la limită (câmpul
electric nul la capetele regiunii sărăcite):
dϕ dϕ
= 0,= 0
dx x =
−a dx x =
b

se obține:
 eN D
−
dϕ  ε
( x + a ) , ( −a < x ≤ 0 ) dϕ
=  , E ( x) = −
dx  eN A dx
 ε
( x − b )(
, 0 < x ≤ b )
Câmpul E crește liniar de la 0 (x=-a) la valoarea maximă (pentru
x=0), apoi descrește liniar la 0 (x=b).
Pentru a găsi forma potențialului se integrează din nou, cu
condițiile limită (V fiind potențialul invers aplicat pe
joncțiune):
=ϕ x=
−a
V=,ϕ x=b
0
  eN D
− ( + ) + V, ( −a < x ≤ 0 )
2
 2ε x a
Soluția este:
ϕ ( x) = 
 eN A
( − ) , (0 < x ≤ b)
2
x b
 2ε
Impunând condiția de continuitate a câmpului electric pentru x=0, lim E = lim E
x →0 x →0
și știind că N D ⋅ a = N A ⋅ b , obținem: x≤0 x >0

eN D a 2 eN Ab 2 2ε V 2ε V
V− = ⇒ = N Ab + N D a ⇒ ( a + b ) b=
2 2

2ε 2ε e eN A
Dacă notăm dimensiunea regiunii sărăcite cu d:
2εV
d =a + b, b  a ⇒ ( a + b ) b  d =2

eN A
Pentru un raționament similar cu regiunile inversate, am fi obținut un rezultat
care depinde de ND Generalizând, d depinde de concentrația de impurități
N din regiunea cu dopaj mai mic.
2εV
d=
eN
 Observații
• Grosimea joncțiunii (d) depinde de potențialul aplicat.
• În unele cazuri este de dorit o joncțiune cu dimensiuni cât mai
mari (detecția particulelor gama).
– potențialul aplicat este însă limitat de tensiunea de străpungere a
joncțiunii.
• Câmpul electric maxim se obține la frontiera dintre cele două
tipuri de semiconductori:
2V 2VNe
=
Emax =
d ε
– se pot atinge valori de 106-107 V/m.
 Chestiuni practice
• Un detector cu semiconductor trebuie polarizat. Polarizarea se face
prin intermediul unor electrozi metalici plasați pe capetele
joncțiunii.
• Acești electrozi vor fi parcurși de radiații, dar nu fac parte din
regiunea activă a detectorului:
– pierderile de energie în electrozi nu sunt înregistrate ca semnal util.
• În afara electrozilor, până la a ajunge în volumul util al joncțiunii, o
particulă mai trebuie să parcurgă o porțiune denumită “strat mort”
care se găsește imediat după electrod.
• Cele două regiuni (electrod și stratul mort) formează fereastra de
intrare a detectorului și vor influența particulele încărcate grele,
care au putere de oprire mare.
• Dacă direcția de intrare nu este normală pe fereastră, distanța
parcursă și pierderea de energie vor fi mai mari.
• În cazul analizei spectrelor acestor particule trebuie ținut cont de
faptul că acestea au pierdut energie la trecerea prin fereastra de
intrare.
 Dioda cu siliciu
• Cel mai simplu de realizat detector cu semiconductor
este dioda cu siliciu.
• Avantaje:
– ieftin
– rezoluție energetică bună
– se pot realiza cu ferestre de intrare foarte subțiri
• electrozii se depun electrolitic cu grosimi foarte mici.
– lucrează la temperatura camerei.
• Dezavantaje:
– regiunea activă de aprox. 1mm
– nu au aplicații decât pentru particule încărcate grele, al
căror parcurs în cristal este sub 1mm.
Detectori cu germaniu pentru radiații γ
• Pentru detecția radiațiilor gama se impun două condiții pentru
ca detectorul să aibă o eficacitate cât mai bună:
– materiale cu Z cât mai mare;
– zona activă cu dimensiuni mari (grosime aprox. 1cm, diam. aprox. 5
inch = 12 cm).
• Deoarece Si are Z mic (Z=14), pentru detecția fotonilor se
preferă germaniul (Z=32).
• Dezavantajele rezidă în:
– costurile ridicate de fabricare a cristalelor la dimensiuni mari.
– obținerea de cristale cu N mic.
– deoarece la tensiuni mai ridicate de lucru (pentru a avea d mare)
curentul de scurgere termic (zgomotul) este mare, detectorul nu poate
lucra la temperatura camerei – se răcește cu azot lichid.
• Așa cum am arătat anterior, grosimea joncțiunii este dată de
expresia: 2εV
d=
eN
• Pentru ca valoarea lui d să fie mare (aprox. 1 cm), există două
opțiuni:
1. tensiunea aplicată V mare – dar o tensiune peste 1000V
poate duce la străpungerea joncțiunii – opțiunea este
limitată.
2. obținerea de cristale cu concentrația de impurități N mică. În
acest caz, există limitări de ordin practic, creșterea cristalelor
cu concentrații mici fiind dificilă. Soluțiile sunt:
A. cristale cu impurități interstițiale de compensare;
B. cristale cu puritate ridicată.
A. compensarea concentrațiilor reziduale cu concentrații de
natură opusă.
În cazul Ge, în procesul de creștere a cristalului se includ impurități
donoare de Li (litiu interstițial) care compensează acceptorii din Si,
coborând valoarea netă a acestora sub 1010 atomi/cm3 pe grosimi de
până la 2 cm.
Această tehnică a devenit disponibilă după anul 1960. Cristalele obținute
se numesc Ge(Li) și pot fi utilizate în spectrometria de radiații gama.
Avantaje: permit regiuni sărăcite de până la 2 cm.
Dezavantaje: la temperatura camerei, impuritățile interstițiale de Li
migrează rapid, iar cristalul își pierde proprietățile.
Soluția este păstrarea cristalului la temperatura azotului lichid, pe toată
perioada de utilizare. Orice creștere accidentală a temperaturii duce
la deteriorarea ireversibilă a acestuia.
Temperatura joasă este necesară și pentru scăderea curentului rezidual,
necesară în efectuarea măsurătorilor.
B. realizarea de cristale de mare puritate
După anii 1980 a fost posibilă, din punct de vedere tehnologic,
obținerea de cristale de Ge de mari dimensiuni cu concentrații ale
impurităților de aprox. 1010 cm-1.
Acești detectori se numesc HpGe (High purity Germanium) și pot
atinge regiune de sărăcire de aprox. 1 cm, la tensiuni maxime de
1000V.
Avantajul major față de cristalele Ge(Li) rezidă în faptul că pot fi
păstrate la temperatura camerei.
Având banda interzisă de aprox. 0,7 eV, detectorii cu germaniu
dezvoltă un număr mare de purtători de sarcină, având o rezoluție
energetică foarte bună.
Banda interzisă redusă pune probleme la măsurători, deoarece
zgomotul termic este important.
- pentru măsurători detectorul trebuie răcit cu azot lichid (77K)
pentru diminuarea zgomotului termic.
- există metode de răcire cu elemente ce funcționează prin efect
Peltier care elimină necesitatea alimentării cu azot lichid.
 Spectrometria cu detectori HpGe
• Avantajul major al detectorilor cu HpGe rezisă în rezoluția energetică de
zeci de ori mai redusă față de detectorii cu scintilație.
• Acest lucru se traduce în peak-uri foarte înguste, cu valori ale FWHM de
zeci de ori mai mici decât în cazul scintilatorilor.
• Deși eficacitatea de detecție (numărul de fotoni înregistrați) este mai mică
(pentru Iod Z=53), peak-urile sunt mai bine conturate și cu înălțime mai
mare, deoarece nu mai are loc dispersarea numărului de impulsuri în prea
multe canale).
• Spectrometria de înaltă rezoluție se efectuează doar cu detectori HpGe,
care sunt capabili să furnizeze spectre complexe, cu zeci de peak-uri.
• Analiza acestora trebuie să țină seama de faptul că pot apărea cu
probabilitate mare peak-uri de simplă și chiar dublă scăpare, datorită
dimensiunilor mai mici ale joncțiunii față de un scintilator.
• roșu – peak-uri largi obținute cu un scintilator.
• albastru – peak-uri înguste obținute cu HpGe (fluctuațiile foarte reduse în
generarea impulsurilor).
• În ambele cazuri, peak-urile au formă unei distribuții Gauss.
• Chiar dacă aria peak-urilor obținute cu HpGe este mai mică, înălțimea acestora
este mai mare deoarece impulsurile sunt înregistrate într-un număr mic de canale.