Tranzistorul bipolar

Generalităţi

Structura tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu doua joncţiuni, spre

deosebire de dioda semiconductoare, dispozitiv electronic cu o singură joncţiune.
Datorită acestei structuri, pe bază celor doua joncţiuni se pot realiza două structuri
diferite:

 structură de tip pnp – prezentată in figura 2.1, sau

 structură de tip npn – prezentată in figura 2.2.

p n p

Fig. 2.1.-Structura tranzistorului de tip pnp

n p n

Fig. 2.2.-Structura tranzistorului de tip npn

Fiecărei regiuni de semiconductor ce formează acele două joncţiuni i se ataşează

un terminal, obţinându-se astfel dispozitivul electronic numit tranzistor.
 Terminalul ataşat uneia din zonele semiconductoare exterioare poartă denumirea
de emitor, cel ataşat regiunii centrale, bază iar terminalul ataşat ultimei zone de
semiconductor se numeşte colector. Simbolurile corespunzătoare celor două tipuri de
tranzistoare bipolare (pnp respectiv npn) sunt prezentate in figura 2.3.

T r a n z is t o r p n p T r a n z is t o r n p n

Fig. 2.3.-Simbolizarea tranzistorului

Din cele prezentate anterior poate apărea ideea că cele două regiuni
semiconductoare exterioare pot schimba rolurile între ele, neavând importanţă care
reprezintă emitorul, respectiv colectorul.
Ideea este greşită deoarece joncţiunea bază-colector are, constructiv, o suprafaţă
mai mare decât joncţiunea bază-emitor.
O altă eroare ce poate apărea este aceea de a echivala tranzistorul bipolar cu un
ansamblu de două diode ca în figura 2.4. Echivalarea tranzistorului bipolar cu schema din
figura 2.4 nu este valabilă, datorită faptului că baza tranzistorului bipolar, constructiv,
este foarte îngustă. O schemă echivalentă a tranzistorului este dată de schema Ebers-Moll
ce va fi prezentată ulterior.

E C
B

Fig. 2.4.-Echivalarea tranzistorului bipolar cu un ansamblu de două diode (echivalare eronată)

Funcţionarea fizică a tranzistorului bipolar

 Cel mai frecvent mod de utilizare a tranzistorului bipolar este acela al regimului
activ normal. Regimurile de lucru ale tranzistorului bipolar vor fi prezentate detaliat în
capitolul următor.
Pentru utilizarea tranzistorului în regim activ normal (RAN) joncţiunea
bază-emitor este polarizată direct, iar joncţiunea bază-colector este polarizată invers.
Descrierea funcţionării tranzistorului bipolar se va referii la tranzistoarele de tip
pnp .
Modul de polarizare al unui tranzistor pnp în RAN este prezentat în figura 25.

p p
n

+ EE + EC

Fig. 2.5.-Polarizarea structurii npn

Fluxul de purtători de sarcină prin structura tranzistorului pnp este prezentat în
figura 26.
EE
EC

IE IB IC

Fig. 2.6.- Fluxul de purtători de sarcină prin structura tranzistorului pnp

 Datorită polarizării directe a joncţiunii bază-emitor, purtătorii majoritari de
sarcină – golurile din zona emitorului, respectiv electronii din regiunea bazei vor trece
uşor joncţiunea bază-emitor, dând naştere unui curent de emitor IE.
Golurile din regiunea emitorului (unde sunt purtătorii majoritari de sarcină) odată
ajunse în regiunea bazei devin purtători minoritari de sarcină în această regiune.
O parte din goluri se recombină cu electronii excedentari, injectaţi în bază de
sursa de alimentare EE.
Constructiv regiunea bazei fiind foarte îngustă, nu toate golurile se vor
recombina, o bună parte ajungând până la joncţiunea bază-colector.
Această joncţiune, fiind polarizată invers, va permite trecerea purtătorilor
minoritari de sarcină, respectiv a golurilor din regiunea bazei în colector şi a electronilor
din colector în bază.
În concluzie se observă că polarizarea tranzistorului în RAN favorizează trecerea
unui procent însemnat de goluri din regiunea emitorului până în regiunea colectorului. O
parte din aceste goluri, la traversarea regiunii bazei se va recombina cu electronii
furnizaţi de sursa de alimentare E E , dând naştere curentului de bază I B .Golurile ce vor

reuşi să ajungă până în colector, vor fii preluaţi de sursa de tensiune E C stabilind

curentul de colector I C .
Din cele prezentate anterior se observă că principiul de funcţionare al
tranzistorului bipolar constă în transferul purtătorilor majoritari de sarcină din structura
emitorului până în zona colectorului. Datorită acestui fapt, tranzistorul bipolar poate fi
caracterizat printr-un parametru numit factor de curent sau factor static de amplificare,
notat cu .
Relaţia de definiţie al acestuia este:
IC (2.1)
F 
IE
Se observă din această relaţie de definiţie că factorul  este subunitar.
Pe de altă parte, neglijând fluxul de electroni ce apare în structura tranzistorului
bipolar, din figura 2.6.Se poate scrie o relaţie asemănătoare legii întâi a lui Kirchhoff:
I E  I B  IC (2.2)
 Eliminând curentul de emitor I E între ecuaţiile (2.1) şi (2.2) se obţine o
dependenţă între curentul de colector şi curentul de bază de forma:
F
IC  IB (2.3)
1  F

F
Noul factor se notează cu β şi este denumit factorul de amplificare
1  F
în curent în conexiune emitor comun, deci:
F
 (2.4)
1  F
Cu această notaţie, relaţia 2.3 devine:
Ic  I B (2.5)
Un tranzistor este cu atât mai bun cu cât factorul de amplificare în curent α, este
mai apropiat de valoarea 1. Această condiţie determină o valoare relativ mare a factorului
de amplificare în curent în conexiunea emitor comun – β. Astfel în cazul în care α=0,9,
ceea ce semnifică că 90% din cantitatea de goluri ajung din emitor în colector, străbătând
regiunea bazei fără a se recombina, factorul de amplificare în curent în conexiunea emitor
comun capătă valoarea β=9. În cazul în care α=99, acelaşi factor de amplificare în
conexiunea emitor comun va căpăta valoarea β=99.
La ora actuală, datorită tehnologiilor moderne de fabricare a tranzistoarelor
bipolare se realizează în mod curent astfel de dispozitive pentru care β~ 102 (ajungându-
se chiar la valori de ordinul 700-900).
 Regiunile de lucru ale tranzistorului bipolar.

Ecuaţiile EBERS-MOLL.

Expresia curentului de colector al unui tranzistor bipolar poate fi scris sub forma:
 eU 
IC   F I E  ICB0  exp CB  1 (2.6)
 KT 
Se observă ca primul termen al membrului drept al ecuaţiei stabileşte legătura
dintre curentul de colector şi cel de emitor, legătură ce a fost prezentată în capitolul
anterior. (relaţia 2.1). În plus apare un al doilea termen care modelează joncţiunea bază
colector. Acest al doilea termen este asemănător relaţiei curent-tensiune a unei diodei
semiconductoare, unde:

19
 e - sarcina electrică elementară ( 1, 6 10 C)

 K – constanta lui Boltzman ( 1,38 1023 J / K ).

 T – temperatura în Kelvin (uzual 300K)
 U CB - tensiunea colector bază

Relaţia 2.6 indică faptul că există două componente în formarea curentului de

colector şi anume
 o componentă provenită dinspre emitor ce străbate baza până în colector şi
 o componentă ce se stabileşte prin joncţiune, între bază şi colector.
În prezentarea făcută anterior, această a doua componentă a fost neglijată; ICB0
reprezintă curentul de saturaţie (rezidual) al joncţiunii bază-colector.
În mod similar, putem considera că rolul emitorului şi al colectorului se schimbă.
Am arătat anterior că structura tranzistorului bipolar este oarecum simetrică, exceptând
faptul că joncţiunea colector-bază are o suprafaţă mai mare decât joncţiunea emitor-bază.
Duala ecuaţiei 2.6 este:
 eU 
I E   R I C  I EB0  exp BE  1 (2.7)
 KT 
 Parametrul  R se numeşte factor de amplificare în curent invers. El are aceeaşi

semnificaţie ca  F
Prelucrând relaţiile 2.6 şi 2.7, se obţin expresiile curenţilor de emitor şi de
colector funcţie de tensiunile bază-emitor şi colector-emitor, noul set de ecuaţii este:
 eU   eU 
I E  I ES  exp BE  1   R I CS  exp BC  1 (2.8)
 KT   KT 
 eU   eU 
IC   R I ES  exp BE  1  ICS  exp BC  1 (2.9)
 KT   KT 
Schema echivalentă ce modelează ecuaţii 2.8 şi 2.9 este
eU
prezentată

în figura 2.7.
 R IES  exp BE  1
IES  KT 

ICS

 R I CS exp
eU BC
KT
1 

Fig. 2.7. – Modelul Ebers-Moll.

Regimul activ normal

.
Este regimul de lucru care justifică cel mai bine utilizarea tranzistorului bipolar.
Se va arăta ulterior că în acest regim de lucru, tranzistorul îndeplineşte funcţia de
amplificare. R.A.N a fost tratat la nivel descriptiv în capitolul... .
S-a arătat că în acest regim de lucru joncţiunea bază-emitor este polarizată direct -

U BE  0 şi joncţiunea bază-colector este polarizată invers U BC  0 .

Datorită acestei polarizări se pot face aproximările:
eU BE
exp  1 (2.10)
KT
 eU BC
exp  1 (2.11)
KT
Pe baza acestor aproximări relaţiile Ebers-Moll devin:
eU BE
I E  I ES exp   R ICS (2.12)
KT
eU BE
IC   F I ES exp  ICS (2.13)
KT
Ţinând seama de faptul că valoarea curentului de saturaţie I CS este relativ mică,
setul anterior de ecuaţii capătă forma:
eU BE
I E  I ES exp (2.14)
KT
eU BE
IC   F IES exp (2.15)
KT
Este lesne de observat faptul ca ecuaţia (2.14) ce stabileşte dependenţa curentului
de emitor de tensiunea bază-emitor este asemănătoare ecuaţiei curent-tensiune specifică
diodei semiconductoare.
Tot pe baza ecuaţiei (2.14) ecuaţia (2.15) poate fi scrisa sub forma
IC   F I E (2.16)
ecuaţie ce a mai fost discutata in capitolul …, relaţia 2.1. S-a arătat in acel capitol că
expresia curentului de colector poate fi exprimată funcţie de curentul de baza (2.5). Ca si
in cazul diodei semiconductoare, ecuaţia 2.14 este dificil de utilizat.
Datorită argumentelor prezentate in subcapitolul … in locul ecuaţiei 2.14 va fi
folosita relaţia
U BE  U BE0 (2.17)

unde U BE0 are valoarea 0,6 V in cazul tranzistoarelor realizate pe bază de Si şi 0,1 V în
cazul tranzistoarelor realizate pe baza de Ge.
Relaţia (2.17) este mult mai uşor de utilizat decât ecuaţia exponenţială 2.14.
 Regimul de blocare al tranzistorului bipolar

Este acel regim in care ambele joncţiuni, atât joncţiunea bază-emitor cât si
joncţiunea baza-colector sunt polarizate invers, adică:
U BE  0

U BC  0

Datorită acestui tip de polarizare al tranzistorului bipolar, sunt valabile

aproximaţiile:
eU BE
exp  1 (2.18)
KT
eU BC
exp  1 (2.19)
KT
În aceste condiţii, făcând neglijările sugerate de relaţiile 2.18, 2.19, ecuaţiile
Ebers-Moll capătă forma:
I E  I ES   R I CS (2.20)
IC   R I ES  ICS (2.21)

Valorile curenţilor de saturaţie I ES respectiv ICS sunt foarte mici (~nA), prin
urmare ele vor putea fi neglijate in raport cu valorile uzuale ale intensităţilor curenţilor
din circuit (~mA).
În concluzie, in cazul funcţionării tranzistorului bipolar în regim de blocare,
acesta se comporta ca o “întrerupere” între baza, emitor şi colector..

Regimul de saturaţie al tranzistorului bipolar

În acest regim de lucru, tranzistorul bipolar are polarizate in mod direct ambele
joncţiuni. Deci condiţiile de funcţionare ale tranzistorului în acest regim sunt U BE  0

U CB  0 ( U BC  0 ).

În setul de ecuaţii Ebers-Moll (2.14 şi 2.15) în ambii termeni a fiecărei relaţii se

fac următoarele aproximări:
 eU BE
exp 1 , şi
KT
eU BC
exp 1
KT
curenţii de emitor, respectiv de colector căpătând forma :
eU BE eU
I E  I ES exp   R ICS exp BC ( 2.22)
KT KT
eU BC eU
IC   F I ES exp  ICS exp BC (2.23)
KT KT
Se observă din relaţiile anterioare că ambii curenţi de emitor - I E si de colector -

IC depind exponenţial atât de tensiunea bază-emitor, cât şi de tensiunea bază-colector.

Acest fenomen conduce la creşterea puternică a celor doi curenţi de emitor si de

colector, şi implicit şi a curentului de bază. În acest regim de lucru cele trei zone ale
structurii tranzistorului emitorul, baza si colectorul sunt invadate de purtători de sarcină.
Fluxul acestora nu mai este controlat de tensiunile bază-emitor, respectiv bază-colector.
Deci in regimul de saturaţie al tranzistorului bipolar, acesta se comportă ca un
scurt-circuit intre bază, emitor si colector.
Dacă ne referim la întrerupătoarele cu care am comparat tranzistorul bipolar în
regimul de blocare, acestea ar fi în poziţia “închis” în cazul regimului de saturaţie.
În finalul acestui capitol, trebuie subliniat faptul că această descriere a regimului
de funcţionare în cazul tranzistorului bipolar npn rămân valabile şi în cazul tranzistorului
pnp, cu observaţia că sensul tensiunilor si curenţilor vor fi opuse, pentru fiecare regim de
funcţionare.
Concluziile ce se desprind din acest capitol pot fi sintetizate sub forma
tabelului !!.1

Tranzistor pnp Tranzistor npn

 UBC UBE
UBE UBC
Regimul Activ Normal >0 <0 <0 >0
Regimul de Blocare <0 <0 >0 >0
Regimul de Saturaţie >0 >0 <0 <0
Tabelul !!.1-Regimurile de lucru ale tranzistorului bipolar

Circuite de polarizare ale tranzistorului bipolar

Aproximarea ecuaţiilor tranzistorului bipolar în RAN.

Circuitele de polarizare ale tranzistorului bipolar sunt acele circuite cu ajutorul

cărora se realizează polarizarea dorită ale celor două joncţiuni: bază-emitor, respectiv
bază-colector.
În continuare vor fi prezentate circuitele de polarizare ale tranzistorului bipolar ce
stabilesc funcţionarea acestuia în RAN.
S-a ales prezentarea acestor tipuri de polarizări deoarece RAN este, probabil, cel
mai utilizat regim de utilare a tranzistorului.
Pentru analiza schemelor de polarizare ale tranzistorului bipolar se va utiliza
următorul set de ecuaţii ce descrie legătura între curentul de colector şi curentul de bază,
respectiv ecuaţia 2.5, care stabileşte legătura între curentul de bază şi colector.
Introducem expresia curentului de bază:

IC
IB  (2.24)


rezultată din ecuaţia 2.5 în ecuaţia 2.2 vom obţine relaţia:

 1
I E  I C (1  ) (2.25)

După cum s-a arătat în subcapitolul … pentru marea majoritate a tranzistoarelor
factorul de amplificare în curent în conexiunea emitor comun are valori uzuale de
aproximativ 102 în cel mai rău caz ajungând la valori de aproximativ 10.
Datorită acestor considerente relaţia (2.25) poate fi aproximată cu expresia:
I E  IC (2.26)
În fine, ultima ecuaţie, ecuaţie ce va fi folosită în analiza schemelor cu
tranzistoare bipolare este ecuaţia 2.14. Această ecuaţie este însă foarte dificil de utilizat
datorită formei sale exponenţiale. Ea va fi înlocuită de ecuaţia 2.17 pe baza
considerentelor prezentate anterior.
În concluzie, ecuaţiile ce vor fi utilizate în analiza polarizării tranzistorului bipolar
în RAN sunt:
IC  I B
IC  I E
U BE  U BE0

Polarizarea tranzistorului bipolar cu două surse de tensiune

Cea mai clară schemă de polarizare a tranzistorului bipolar este cea prezentată în
figura 2.8.
Aplicând legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul I se poate scrie ecuaţia:
R E  I E  U BE  E E (2.27)

R
E C
C II

I
E R
E E
 Fig. 2.8-Polarizarea tranzistorului bipolar cu două surse de tensiune (varianta 1)
În continuare ţinând cont de aproximarea 2.17 ecuaţia 2.27 devine:
R E  I E  U BE0  E E (2.28)

unde U BE0 are valoarea de 0,6 V pentru tranzistoarele realizate pe bază Si şi 0,1 V pentru
cele realizate pe bază de Ge.
Din relaţia 2.28 se poate determina uşor valoarea curentului de emitor I E :
E E  U BE0
IE  (2.29)
RE

Pe baza relaţiei 2.26 se determină valoarea curentului de colector I C  I E .

Cunoscându-se curentul de colector I C , se determină curentul de bază, pe baza relaţiei

224.
În concluzie, este suficientă determinarea curentului de colector I C . Ulterior, se

pot determina curenţii de emitor I E şi curentul de bază I B .

Aplicând legea a II-a a lui Kirchhoff pe ochiul notat II se obţine ecuaţia:
R E  I C  U CB  E C (2.30)

Din această ecuaţie se determină valoarea tensiunii U CB :

U CB  E  R E I C (2.31)

unde I C a fost calculat anterior.

În cazul în care, în urma calculelor rezultă I C >0, această inegalitate indică faptul

că tranzistorul bipolar nu este blocat ( altfel I C <0) şi nu lucrează în regim activ invers

(caz în care I C <0).

Calculul tensiunii U CB ne oferă de asemenea informaţii asupra regimului de lucru

al tranzistorului bipolar. Dacă U CB > 0 înseamnă că joncţiunea bază-colector este

polarizată invers; caz în care tranzistorul bipolar nu funcţionează în regim de saturaţie.
În concluzie din condiţiile I C >0 ( tranzistorul nu este blocat ) şi U CB > 0

(tranzistorul nu este saturat) rezultă ca regimul de lucru al tranzistorului este RAN.

Exemplu de calcul
 Considerăm că tranzistorul din figura 27 este un tranzistor cu Si ( U BE =0,6 ) şi
valorile surselor de tensiune şi rezistenţelor de polarizare au valorile:
E C  10V

E E  5V
R E  2k
R C  4k

Din relaţia ( 2.29 ) se obţine I E  2,2mA şi implicit şi I C 2, 2mA . Aplicând

relaţia 2.31 se obţine valoarea tensiunii colector-bază, U CB =1,2V.

O altă schemă de polarizare a tranzistoarelor bipolare cu ajutorul a două surse de
tensiune este prezentată în figura 2.9.
R
C

E
C
R II
B
I
R
E E
B

Fig. 2.9-Polarizarea tranzistorului bipolar cu două surse de tensiune (varianta 2)

Ca şi în cazul schemei precedente se va analiza circuitul în ipoteza că tranzistorul
bipolar funcţionează în R.A.N., urmând ca această ipoteză să fie verificată ulterior. La fel
ca în cazul schemei precedente se va considera că tensiunea bază-emiror este cunoscută
(UBE=UBE0 aproximativ 0,6 V în cazul tranzistoarelor cu Si şi 0,1 V în cazul
tranzistoarelor cu Ge).
Aplicând legea a II-a a lui Kirchhoff pe ochiul I se obţine relaţia:
I B R B  U BE  R E I E  E B (2.32)
Ţinând cont de relaţiile 2.24 şi 2.26 relaţia anterioară devine:
RC
IC  R E IC  E B  U BE

obţinându-se pentru intensitatea curentului de colector expresia:
 E B  U BE0
IC 
RC
 RE

În cazul in care în urma calculului reiese
IC  0

tranzistorul nu este blocat, el putând fi polarizat în R.A.N. sau în regim de saturaţie.

Pentru a stabili clar regimul de funcţionare al tranzistorului va trebui calculată valoarea
tensiunii colector-emitor UCE. Aplicând legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul II din
schema 2.9. se obţine ecuaţia:
IC R C  U CE  R E I E  E C (2.33)
relaţie din care se calculează tensiunea colector-emitor UCE ca fiind:
U CE  E C  IC (R C  R E )

In expresia tensiunii UCE s-a ţinut de asemenea cont de aproximarea 2.26. Din prezentarea
grafică 2.10 a tensiunilor ce apar la bornele tranzistorului bipolar
U
BC

U
CE
U
BE

Fig. 2.10.- Sensul tensiunilor la bornele tranzistorului bipolar npn

se observă că:
U CE  U BE  U BC (2.34)
Dacă tranzistorul este polarizat în R.A.N. tensiunea bază colector trebuie să fie negativă,
(UBC<0) şi din relaţia 2.34 se obţine expresia tensiunii colector-emitor:
U CE  U BE  U BC

În cazul în care în urma calculului efectuat condiţia U CE>UBE (=0,6V) este

îndeplinită înseamnă că tranzistorul nu este în regim de saturaţie. În concluzie: dacă
IC >0 (2.35)
şi
UCE>0,6 V (2.36)
tranzistorul este polarizat în R.A.N.
 Schemele prezentate în figurile 2.8 şi 2.9 au mai mult o importanţă teoretică,
servind la înţelegerea modului de stabilire a punctului static de funcţionare al
tranzistorului bipolar. Aceste scheme sunt neeconomicoase, datorită faptului că necesită
două surse de tensiune pentru polarizare.

Polarizarea tranzistorului bipolar cu o singură sursă de tensiune

Schemele de polarizare ale tranzistoarelor bipolare prezentate în subcapitolul

precedent au o importanţă pur teoretică. Este neeconomică utilizare a două surse de
tensiune pentru polarizarea tranzistoarelor bipolare, iar analiza şi proiectarea unor astfel
de scheme este greoaie.
Datorită acestor considerente în practică sunt utilizate scheme de polarizare ce
utilizează o singură sursă de tensiune.
Cea mai simplă schemă de polarizare a unui tranzistor bipolar în regim activ
normal (RAN) este prezentată în figura 2.11

R
B R
C

II E

I
R
E

Fig. 2.11.-Polarizarea tranzistorului bipolar cu o singură sursă de tensiune şi o singură rezistenţă în

bază

Se observă din figura 2.11 că pentru polarizarea bazei este utilizată o singură
rezistenţă RB.
Pentru stabilirea punctului static de funcţionare al tranzistorului vom considera că
acesta lucrează în regiunea activă normală . Ca urmare, se consideră tensiunea bază-
emitor ca fiind cunoscută (UBE=UBE0, adică 0,6 V pentru tranzistoarele cu Si şi 0,1 V
pentru tranzistoarele cu Ge).
Aplicând legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul I se obţine ecuaţia :
R B I B  U BE  R E I E  E (2.37)
 Ţinând cont de relaţiile 2.24 şi 2.26 din ecuaţia 2.37 se obţine valoarea curentului
de colector;
E  U BE
IC 
RB (2.38)
 RE

Pentru determinarea tensiunii colector-emitor se aplică de asemenea legea a doua
a lui Kirchhoff pe ochiul II (vezi figura 2.11).
IC R C  U CE  R E I E  E

Folosind aproximaţia 2.26 ( I E IC ) se determină tensiunea colector-emitor UCE:

U CE  E   R C  R E  I C (2.39)
Din considerentele prezentate mai anterior (2.35 2.36) în cazul în care I C>0 şi
UCE>0,6 V tranzistorul va fi polarizat în RAN
Exemplu de calcul:
Pentru schema din figura 2.11 valorile rezistenţelor sunt:
R B  500k
R C  2k

R E  10k
Sursa de tensiune are valoarea:
E  15V ,
iar tranzistorul bipolar este cu Si ( UBE=0,6 V) având un factor de amplificare în curent
  100
Pe baza relaţiei 2.38 se calculează valoarea intensităţii curentului de colector,
obţinându-se valoarea:
IC  0,96mA

Odată calculată valoarea curentului de colector, pe baza relaţiei 2.39 se calculează

tensiunea colector-emitor:
U CE  3, 48V

Prin urmare, tranzistorul bipolar este polarizat în RAN.

Schema prezentată în figura 2.11 se remarcă prin simplitatea sa. Totuşi ea prezintă
un inconvenient major: punctul static de funcţionare al tranzistorului bipolar este foarte
dependent de temperatură. Această dependenţă se datorează în special dependenţei
parametrilor specifici joncţiunii bază-emitor de temperatură.
Pentru a diminua influenţa temperaturii asupra punctului static de funcţionare se
utilizează schema de polarizare cu divizor rezistiv în bază., reprezentat în figura 2.12.
R
B2 R
C

R
B1
R
E

Fig. 2.12.-Polarizarea tranzistorului bipolar cu divizor rezistiv în bază

Pentru stabilirea punctului static de funcţionare al tranzistorului se recurge la un
artificiu. Fără a intra în amănunte, pe baza teoremei lui Thevenin, grupul de rezistenţe
RB1, RB2 şi sursa de tensiune E pot fi echivalate între punctele A şi B cu o sursă
echivalentă de tensiune EB şi o rezistenţă echivalentă RB ca în figura 2.13
R
B 2
E
A R
R B A
B 1

E
B

B B

Fig. 2.13-Echivalarea Thevenin a grupului de rezistenţe RB1, RB2 şi a sursei de tensiune E

Pe baza teoremei lui Thevenin noile elemente ale schemei electrice R B şi EB se calculează
cu relaţiile:
R B1R B2
R B  R B1 R B2 
R B1  R B2
şi
R B1
EB  E
R B1  R B2
În urma acestui artificiu schema prezentată în figura 2.12 poate fi echivalată cu
schema electrică din figura 2.14:
 R
C

E
C
II
R
B
I
E R
B E

Fig. 2.14-Schema echivalentă de polarizare a tranzistorului bipolar cu divizor rezistiv în bază

Se recunoaşte identitatea schemei echivalente prezentate în figura 2.13 cu schema

de polarizare a tranzistorului bipolar cu două surse de tensiune prezentată în figura 2.9.
Modul de calcul al valorii curentului de colector I C şi al tensiunii colector-emitor
UCE decurge identic cu calculul punctului static de funcţionare al schemei din figura 2.9,
intensitatea curentului de colector obţinându-se din relaţia 2.32 şi tensiunea colector-
emitor din ecuaţia 2.33.
Prin urmare, pentru schema prezentată în figura 2.12 singura problemă deosebită o
constituie echivalarea sugerată de figura 2.13.
Exemplu de calcul
Se consideră schema de polarizare a tranzistorului bipolar prezentată în figura
2.12, cu următoarele valori ale componentelor:
R B1  500k
R B2  500k
R E  1,5k
R C  2k

Valoarea tensiunii de alimentare este:

E  20V
Tranzistorul este realizat pe bază de Si (UBE=0,6V) şi are un factor de amplificare în
curent   100 .
În urma echivalării divizorului rezistiv RB1, RB2 se obţine pentru polarizarea bazei
rezistenţa echivalentă R B  250k şi o sursă de tensiune de polarizare a bazei E B  10V
.
 Calculând intensitatea curentului de colector din ecuaţia 2.32 se obţine pentru

acesta valoarea: IC  2,35mA . De asemenea, pe baza ecuaţiei 2.33 se obţine o valoare a

tensiunii colector-emitor: U CE  11, 25V . În concluzie tranzistorul este polarizat în

regiunea activă normală.

Metode de stabilizare neliniare a punctului static de funcţionare

Observând ecuaţiile 2.14 şi 2.15 (ecuaţiile Ebbers-Moll în cazul polarizării

tranzistorului bipolar în RAN) se observă că valorile curenţilor de emitor I E şi implicit şi
cel de colector IC depind de temperatură, având o variaţie exponenţială funcţie de
aceasta. Prin urmare şi punctul static de funcţionare al acestor dispozitive va fi afectat de
variaţia temperaturii.
În cazul anumitor circuite, mai ales din domeniul măsurărilor electronice, aceste
variaţii cu temperatura a mărimilor electrice prin tranzistor sunt foarte deranjante,
Datorită acestor considerente s-au conceput scheme de polarizare a tranzistoarelor
bipolare care să reducă variaţia parametrilor acestora cu temperatura.
O primă schemă de compensare a parametrilor tranzistorului cu temperatura este
prezentată în figura 2.15.
Ideea care a stat la baza realizării acestei scheme constă în plasarea în paralel cu
joncţiunea bază-emitor a unei alte joncţiuni, realizată din acelaşi material şi cu aceeaşi
comportare funcţie de temperatură ca şi joncţiunea bază-emitor a tranzistorului bipolar.
De asemenea constructiv, la realizarea schemei dioda semiconductoare se va plasa
cât mai aproape de tranzistorul bipolar pentru ca temperaturile joncţiunilor să fie cât mai
apropiate.
R
B R
C
I +I
B 0

I I
0 B E
D R
E
 Fig. 2.15.-Compensarea parametrilor tranzistorului bipolar cu temperatura prin utilizarea diodei
semiconductoare – varianta I

Aplicând legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul marcat în figura 2.15 cu linie
întreruptă se poate scrie:
 IB  I0  R B  U BE  R E IE  E (2.40)
relaţie în care semnificaţia curenţilor este următoarea:
IB – curentul de bază
I0 – curentul de saturaţie al diodei
IE – curentul de emitor al tranzistorului bipolar
Ţinând cont de relaţiile între curenţii tranzistorului bipolar în RAN, şi anume:
 I E I C I
  IB  E
IC  I B 

ecuaţia 2.40 devine:

 R 
I0 R B  I E  R E  B   E  U BE
  
Fără a insista asupra modului de compensare a variaţiilor cu temperatura a punctului
static de funcţionare al tranzistorului bipolar, se observă că este necesar ca variaţiile cu
temperatura ale curentului de emitor IE (vezi relaţia 2.12) să fie compensate de variaţiile
cu temperatura ale curentului rezidual al diodei I0.
O altă posibilitate de compensare a variaţiilor cu temperatura a punctului static de
funcţionare ale tranzistorului bipolar este prezentată în figura 2.16. Această schemă de
compensare funcţionează pe acelaşi principiu ca cel prezentat anterior.
R
B1 R
C

R
I B2 E
0
D R
E

Fig. 2.16.-Compensarea parametrilor tranzistorului bipolar cu temperatura prin utilizarea diodei

semiconductoare – varianta II
 O altă metodă de stabilizare a punctului static de funcţionare cu variaţiile de
temperatură constă în utilizarea termistoarelor. După cum se cunoaşte, acestea sunt
elemente de circuit a căror rezistenţă electrică se modifică cu temperatura. Modul de
variaţie al rezistenţei electrice cu temperatura este prezentat grafic, pentru fiecare tip de
termistor, în cataloage de componente pasive.
Schema de stabilizare a punctului static de funcţionare cu ajutorul termistoarelor
este prezentat în figura 2.17.

t
2

Fig. 2.17.-Compensarea parametrilor tranzistorului bipolar cu temperatura prin utilizarea

termistorului

Regimul de comutaţie al tranzistorului bipolar

Circuite de comutaţie neregenerative

În capitolul ... a fost descrisă funcţionarea şi polarizarea tranzistorului bipolar în

RAN. În acest regim tranzistorul bipolar îndeplineşte mai ales funcţia de amplificare a
semnalelor.
Apar însă numeroase cazuri în care tranzistorul este utilizat pe post de comutator
sau releu. În aceste situaţii dispozitivul trebuie să lucreze pe post de comutator sau releu.
 Pentru a descrie funcţionarea tranzistorului bipolar pe post de comutator este
necesar să reamintim modul în care este realizată polarizarea dispozitivului.
S-a arătat în subcapitolul... că în regim de saturaţie ambele joncţiuni ale
tranzistorului trebuie să fie polarizate direct (vezi Tabelul !!.1). În acest regim
dispozitivul electronic se comportă ca un întrerupător închis (un scurtcircuit între bază,
emitor şi colector).
Pentru aducerea tranzistorului în regim de blocare ambele joncţiuni vor fi
polarizate invers. În acest regim de funcţionare dispozitivul se comportă ca o întrerupere
de circuit între baza, emitor şi colector ( întrerupătorul mai sus menţionat fiind în poziţia
deschis).