Oglinzi de curent MOS

ice
1). Fie oglinda de curent cascodǎ cu tranzistoare MOS.
a). Sǎ se determine expresiile rezistenţelor de intrare şi de işire. Cât este valoarea
acestora dacǎ tranzistoarele din schemǎ au parametrii de semnal mic: rDS = 100kΩ şi
gm = 1mS.

g
b). Sǎ se dimensioneze M1 , M2 , M3 şi M4 astfel ı̂ncât Iout =5·Iin =100µA, Vod1 =Vod2 =
250mV şi Vod3 =Vod4 =220mV. Lǎţimea ı̂n procesul de fabricaţie este L=0,5µm.

alo
c). Sǎ se redimensioneze tranzistoarele cascodǎ pentru Vod3 = Vod4 = 180mV . Ce
parametru al oglinzii de curent se schimbǎ pentru noul punct static de funcţionare.
S-au ı̂mbunǎtǎţit performanţele oglinzii?

An
Iin Iout
Iin Iout
Vin Vout
gm3VGS3 rDS3 gm4VGS4 rDS4
M3 M4
e
at
Iin Iout
r

M1 M2
eg

gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2

t

Figura 1
In

Rezolvare:
ite

a). Rezistenţele vǎzute la intrarea, respectiv la ieşirea circuitului se calculeazǎ pe baza

schemei echivalente de semnal mic. Astfel, pentru a obţine Rin ca şi raportul dintre
tensiunea Vin şi curentul Iin de la intrare, ı̂ncepem prin a scrie expresia tensiunii de
r cu

intrare:

Vin = VDS1 + VDS3 (1)

Ci

În continuare, se scrie tensiunea drenǎ-sursǎ ca şi cǎderea de tensiune pe rezistenţa

drenǎ-sursǎ. Prin urmare, conform legii lui Ohm avem:

VDS1 = rDS1 · (Iin − gm1 VGS1 ) = rDS1 · (Iin − gm1 VDS1 ) (2)

Deoarece tranzistorul M1 este ı̂n conexiune de diodǎ, cu grila şi drena conectate

1
ı̂mpreunǎ, avem idenitatea VGS1 =VDS1 . Relaţia anterioarǎ poate fi consideratǎ o
ecuaţie cu necunoscuta VDS1 . Dupǎ rezolvarea acesteia, rezultǎ:

ice
rDS1 Iin
VDS1 = (3)
1 + gm1 rDS1

Similar se obţine:

g
alo
rDS3 Iin
VDS3 = (4)
1 + gm3 rDS3

Înlocuind VDS1 şi VDS3 ı̂n expresia lui Vin , iar apoi ı̂mpǎrţind tensiunea de intrare la

An
curentul de intrare, vom obţine rezistenţa echivalentǎ de intrare a oglinzii cascodǎ:

rDS1 rDS3 ∼ 1 1
Rin = + = + (5)
1 + gm1 rDS1 1 + gm3 rDS3 gm1 gm3
e
Expresia rezistenţei de ieşire a oglinzii cascodǎ este identicǎ cu cea dedusǎ la sursa de
at
curent cascodǎ:

Rout = rDS4 + rDS2 + gm4 rDS4 rDS2 ∼

= gm4 rDS4 rDS2 (6)
r
eg

Expresiile aproximative ale Rin şi Rout s-au obţinut ţinând cont de ordinul de mǎrime
al parametrilor de semnal mic. Pentru rDS =100kΩ şi gm =1mS, rezultǎ:
t
In

Rin = 2kΩ Rout = 10M Ω (7)

b). Dimensionarea tranzistoarelor ı̂ncepe cu gǎsirea setului de referinţǎ. Astfel, ı̂n

programul de simulare folosit (ı̂n cazul nostru PSpice) se face un proiect conţinând un
ite

tranzistor NMOS (sau PMOS dacǎ este nevoie) conectat ı̂n conexiunea de diodǎ, care
are ı̂n drenǎ o sursǎ idealǎ de curent. Atât geometria tranzistorului, cât şi valoarea
curentului injectat ı̂n drenǎ se aleg. Se ruleazǎ apoi o simulare a punctului static de
r cu

funcţionare şi din fişierul de ieşire se citeşte tensiunea Vod . Setul de referinţǎ este acum
complet, de exemplu W/L = 10µ/1µ, I = 50µA şi Vod = 175mV .

Pentru dimensionarea tranzistoarelor din schemǎ se scrie ecuaţia curentului de drenǎ

Ci

pentru setul de referinţǎ şi apoi pentru noul punct static de funcţionare dorit, iar
prin ı̂mpǎrţirea acestora (scalare) se gǎseşte raportul W/L. Operaţia se repetǎ pentru
fiecare tranzistor din schemǎ.

2
  k · 10µ 2
50µ = 2 · 1µ · (175m)



ice
(8)
20µ = k · W 1 · (250m)2 W1 1µ

⇒ =

2L1 L1 0, 5µ

g
Deoarece prin ramura de ieşire a oglinzii trece un curent de cinci ori mai mare decât cel
din ramura de intrare, iar tensiunile de overdrive pentru M1 şi M2 sunt egale, rezultǎ

alo
cǎ geometria tranzistorului M2 este:
W2 1µ
=5· (9)
L2 0, 5µ

An
Se repetǎ procedura de scalare şi pentru M3 :

 k · 10µ 2
50µ = 2 · 1µ · (175m)

 e (10)
20µ = k · W 3 · (220m)2 W3 1, 2µ W4 1, 2µ
at

⇒ = , =5·

2L3 L3 0, 5µ L4 0, 5µ
r

c). Dacǎ se modificǎ tensiunea de overdrive a tranzistoarelor cascodǎ, atunci este

eg

necesarǎ o nouǎ scalare pentru a le dimensiona:

k · 10µ
t


2
50µ = 2 · 1µ · (175m)


In

∗
(11)
20µ = k · W 3 · (180m)2
 W 3∗ 1, 9µ W 4∗ 1, 9µ
⇒ = , =5·

2L3∗ L3 ∗ 0, 5µ L4 ∗ 0, 5µ
ite

Din formula transcoductanţei de semnal mic a unui tranzistor MOS, se ştie cǎ gm
este invers proporţionalǎ cu Vod . Prin urmare, pǎstrând curentul constant, odatǎ cu
scǎderea tensiunii de overdrive transconductanţa va creşte. Astfel, micşorând Vod3 şi
r cu

Vod4 de la 220mV la 180mV, vom obţine o creştere a lui gm3 şi gm4 de (220/180) ori
faţǎ de cazul iniţial. Astfel, Rout a oglinzii se va mǎri cu acelaşi raport.

2). Fie oglinda de curent cascodǎ de joasǎ tensiune implementatǎ cu tranzistoare MOS.
Ci

a). Sǎ se determine expresiile rezistenţelor de intrare şi de ieşire. Cât este valoarea
acestora, dacǎ rDS =100kΩ şi gm =1mS?
b). Sǎ se dimensioneze M1 , M2 , M3 şi M4 astfel ı̂ncât Iout =2Iin =40µA şi Vod1 =Vod2 =
Vod3 =Vod4 =200mV. Lǎţimea ı̂n procesul de fabricaţie este L=0,25µm.
c). Sǎ se dimensioneze rezistenţa pasivǎ R pentru VS3 =350mV şi Iref =Iin .

3
 Iref Iin Iout
Vin

ice
M3
M5 M4

g
alo
R M1 M2
VS3

An
Figura 2

Rezolvare:
e
at
a). Pentru calculul rezistenţelor Rin şi Rout folosim schema echivalentǎ de semnal mic
r

de la problema anterioara, dar ţinem cont de conexiunile diferite din grilele tranzistoa-
eg

relor atunci când scriem expresiile tensiunilor grilǎ-sursǎ.

Vin = VDS1 + VDS3 (12)

t
In

Tensiunea drenǎ-sursǎ VDS1 se poate scrie:

VDS1 = rDS1 · (Iin − gm1 VGS1 ) = rDS1 · (Iin − gm1 Vin ) (13)
ite

Se exprimǎ şi tensiunea VDS3 conform legii lui Ohm:

r cu

VDS3 = rDS3 · (Iin − gm3 VGS3 ) (14)

Tensiunea VGS3 se poate scrie ı̂n funcţie de Vin şi Iin :

Ci

VGS3 = VG3 − VS3 = 0 − VDS1 = −rDS1 · (Iin − gm1 Vin ) (15)

Înlocuind VGS3 ı̂n expresia tensiunii VDS3 , vom avea:

VDS3 = rDS3 Iin + gm3 rDS3 rDS1 · (Iin − gm1 Vin ) (16)

4
În continuare se ı̂nlocuiesc VDS1 şi VDS3 ı̂n expresia tensiunii de intrare şi se ı̂mparte
tensiunea de intrare la curentul de intrare. Rezultǎ expresia rezistenţei de intrare:

ice
rDS1 + rDS3 + gm3 rDS3 rDS1 ∼ 1
Rin = = = 1kΩ (17)
1 + gm1 rDS1 + gm3 rDS3 gm1 rDS1 gm1

Rezistenţa de ieşire este identicǎ cu cea a oglinzii de curent cascodǎ clasicǎ, iar pentru

g
valorile gm şi rDS specificate are valoarea de 10MΩ.

alo
b). Pentru dimensionarea tranzistoarelor folosim acelaşi set de referinţǎ ca şi la pro-
blema anterioarǎ: Wref /Lref = 10µ/1µ, Iref = 50µA şi Vodref = 175mV . Se observǎ
cǎ tensiunea de overdrive de referinţǎ este egalǎ cu cea doritǎ pentru M1 , M2 , M3
şi M4 . Drept urmare, raportul W/L a acestor tranzistoare se obţine din geometria

An
tranzistorului de referinţǎ prin scalarea cu raportul dintre curenţi.


W1 W3 Wref I1 e 0, 76µ
 L1 = L3 = Lref · Iref = 0, 25µ



at
(18)
 W2 W4 0, 76µ
= =2·


L2 L4 0, 25µ

r
eg

c). Valoarea rezistenţei pasive R se calculeazǎ astfel:

VS3 350m
R= = = 17, 5kΩ (19)
t

Iref 20µ
In

3). Fie oglinda de curent Wilson simplǎ, implementatǎ cu tranzistoare MOS. Sǎ se
determine expresiile rezistenţelor de intrare şi de ieşire.
ite

Rezolvare:
r cu

Pentru calculul rezistenţelor Rin şi Rout folosim schema echivalentǎ de semnal mic.
Deoarece oglinda Wilson foloseşte o reacţie negativǎ de tip paralel-serie, rezistenţa de
intrare Rin se obţine pasivizând ieşirea (Vout = 0 conform modelului Norton), iar pentru
Rout se pasivizeazǎ intrarea (Iin = 0 conform modelului Thevenin).
Ci

• Rezistenţa de ieşire

Vout = VDS2 + VDS3 (20)

5
 Iout
Vout
Iin Iout
gm3VGS3 rDS3

ice
M3

Iin Iout

Vin

g
M1 M2
gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2

alo
Figura 3

An
În primul pas exprimǎm tensiunea VDS2 ı̂n funcţie de parametrii de semnal mic şi
curentul Iout . Se va ţine cont de conexiunea de diodǎ a tranzistorului M2 .

e
VDS2 = rDS2 ·(Iout −gm2 VGS2 ) = rDS2 ·(Iout −gm2 VDS2 ) ⇒ VDS2 =
rDS2 · Iout
1 + gm2 rDS2
(21)
at
În pasul al doilea determinǎm expresia tensiunii VDS3 :
r
eg

VDS3 = rDS2 · (Iout − gm3 VGS3 ), (22)

t

unde tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului M3 se poate scrie:

In

rDS2 · Iout
VGS3 = VG3 − VS3 = VDS1 − VDS2 = VDS1 − (23)
1 + gm2 rDS2
ite

În pasul urmǎtor trebuie sǎ exprimǎm tensiunea VDS1 ı̂n funcţie de parametrii de
semnal mic şi Iout . Pentru aceasta ţinem cont de faptul cǎ VGS1 =VGS2 =VDS2 şi Iin =0.
r cu

rDS2 · Iout
VDS1 = rDS1 · (Iin − gm1 VGS1 ) = −rDS1 gm1 VDS2 = −rDS1 gm1 (24)
1 + gm2 rDS2

În continuare ı̂nlocuim expresia tensiunii VDS1 ı̂n VGS3 , iar apoi VGS3 in VDS3 pentru a
Ci

obţine:

 
1 + gm1 rDS1
VDS3 = rDS3 1 + gm3 rDS2 · Iout (25)
1 + gm2 rDS2

6
În final se ı̂nlocuiesc expresiile tensiunilor VDS2 şi VDS3 ı̂n Vout şi se obţine rezistenţa
de ieşire ı̂mpǎrţind Vout la Iout :

ice
rDS2 1 + gm1 rDS1
Rout = + rDS3 + gm3 rDS3 rDS2 (26)
1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2

Expresia simplificatǎ a rezistenţei Rout rezultǎ ţinând seama de aproximarea gm >>

g
1/rDS .

alo
gm1 rDS1 gm3 rDS3
Rout ∼
= (27)
gm2

An
• Rezistenţa de intrare

Pentru deducerea rezistenţei Rin vom ţine seama de urmǎtoarea egalitate:

e
VGS1 = VGS2 = VDS2 (28)
at
Pasul 1: Demonstraţia ı̂ncepe cu egalarea tensiunii de ieşire cu zero conform modelului
echivalent Norton, condiţie necesarǎ pentru calculul rezistenţei echivalente de intrare
r

la circuitele cu reacţie negativǎ de tip paralel-serie.

eg

Vout = 0 ⇒ VDS3 + VGS1 = 0 (29)

t

Tensiunea drenǎ-sursǎ a tranzistorului M3 se scrie:

In

VDS3 = rDS3 (Iout − gm3 VGS3 ) (30)

ite

În urmǎtorul pas trebuie gǎsitǎ expresia curentului Iout . Examinând schema echivalentǎ
de semnal mic, curentul de ieşire se scrie dupǎ cum urmeazǎ:
r cu

 
VDS2 1
Iout = gm2 VGS2 + = VGS1 gm2 + (31)
rDS2 rDS2

În acest moment se poate ı̂nlocui expresia curentului Iout ı̂n expresia tensiunii VDS3 .
Ci

Noua expresie VDS3 se introduce ı̂n relaţia VDS3 + VGS1 = 0. În final, dupǎ efectuarea
calculelelor se obţine tensiunea VGS1 ca şi o funcţie de VGS3 :

gm3 VGS3
VGS1 = (32)
1 1
gm2 + +
rDS2 rDS3

7
Pasul 2: se scrie Vin ca şi cǎderea de tensiune pe rezistenţa drenǎ-sursǎ a tranzistorului
M1 :

ice
gm3 VGS3
Vin = rDS1 (Iin − gm1 VGS1 ) = rDS1 Iin − gm1 rDS1 (33)
1 1
gm2 + +
rDS2 rDS3

g
Pasul 3: ne propunem sǎ exprimǎm VGS3 ca şi o funcţie de Vin . Din analiza circuitului
cu tranzistoare se vede cǎ tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului M3 poate fi scrisǎ astfel:

alo
gm3 VGS3
VGS3 = Vin − VGS1 = Vin − (34)
1 1
gm2 + +

An
rDS2 rDS3

Din relaţia anterioarǎ se obţine VGS3 ı̂n funcţie de Vin :

1 1
gm2 + e +
rDS2 rDS3
VGS3 = Vin (35)
1 1
at
gm2 + gm3 + +
rDS2 rDS3

Pasul 4: Ne reı̂ntoarcem la expresia lui Vin de la pasul 2 unde ı̂nlocuim tensiunea VGS3
r

determinatǎ la pasul 3. Vom avea:

eg

gm1 rDS1 gm3

Vin = Iin rDS1 − V (36)
1 1 in
t

gm2 + gm3 + +
rDS2 rDS3
In

Dupǎ separarea tensiunii Vin şi a curentului Iin ı̂n cei doi membrii ai ecuaţiei rezultǎ:

Vin rDS1
ite

Rin = = gm3 gm1 rDS1 (37)

Iin 1+
1 1
gm2 + gm3 + +
rDS2 rDS3
r cu

Dacǎ facem aproximarea gm >> 1/rDS obţinem expresia simplificatǎ a rezistenţei de

intrare, dupǎ cum urmeazǎ:
Ci

gm2 + gm3
Rin ∼
= (38)
gm1 · gm3

4). Pentru oglinda de curent Wilson echilibratǎ sǎ se calculeze rezistenţele echivalente
vǎzute la intrarea, respectiv la ieşirea circuitului.

8
 Iin Iout
Iin Iout
Vin Vout
gm4VGS4 rDS3 gm3VGS3 rDS3

ice
M4 M3

Iin Iout

g
M1 M2

alo
gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2

An
Figura 4

• Rezistenţa de intrare e
Pentru deducerea lui Rin şi Rout vom ţine seama de egalitatea tensiunilor: VGS1
at
=VGS2 =VDS2 şi VGS4 =VDS4 . Amintim din nou faptul cǎ rezistenţa de intrare se calcu-
leazǎ pentru Vout =0 şi rezistenţa de ieşire pentru Iin =0.
r

Pasul 1: În urma analizei circuitului cu tranzistoare se poate scrie urmǎtoarea egali-
eg

tate:
t

Vin = VDS4 + VDS1 (39)

In

Pasul 2: Se exprimǎ tensiunea VDS4 astfel:

ite

Iin rDS4
VDS4 = rDS4 (Iin − gm4 VGS4 ) = rDS4 (Iin − gm4 VDS4 ) ⇒ VDS4 = (40)
1 + gm4 rDS4
r cu

Pasul 3: Se scrie tensiunea VDS1 dupǎ cum urmeazǎ:

VDS1 = rDS1 (Iin − gm1 VGS1 ) (41)

Ci

Pasul 4: În expresia tensiunii VDS1 trebuie sǎ inlocuim VGS1 , consideratǎ necunoscutǎ.
Calculele se ı̂ncep de la condiţia Vout = 0. Tensiunea de ieşire se poate exprima conform
structurii de circuit astfel:

0 = Vout = VDS2 + VDS3 ⇒ VGS1 + VDS3 = 0, (42)

9
unde tensiunea VDS3 se scrie:

VDS3 = rDS3 (Iout − gm3 VGS3 ) (43)

ice
Mai avem nevoie de expresia curentului Iout . Pentru aceasta, conform schemei echiva-
lente de semnal mic, putem scrie urmǎtoarea egalitate:

g
 
VDS2 1

alo
Iout = gm2 VGS2 + = VGS1 gm2 + (44)
rDS2 rDS2

Pasul 5: Acum suntem ı̂n mǎsurǎ sǎ ı̂nlocuim expresia curentului Iout ı̂n cea a tensiunii
VDS3 , apoi noua expresie a tensiunii VDS3 ı̂n ecuaţia VGS1 + VDS3 = 0 de la pasul 4.

An
Astfel, vom obţine o relaţie ı̂ntre tensiunile VGS3 şi VGS1 .

1 1
gm2 + +
rDS2 rDS3
VGS3 = VGS1 e (45)
gm3
at
Pe de altǎ parte, tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului M3 se mai poate scrie:
r

VGS3 = VG3 − VS3 = Vin − VGS2 = Vin − VGS1 (46)

eg

Egalând ultimele douǎ relaţii, se obţine tensiunea VGS1 ca şi o funcţie de tensiunea de
intrare:
t
In

gm3 Vin
VGS1 = (47)
1 1
gm2 + gm3 + +
rDS2 rDS3
ite

Pasul 6: Ne ı̂ntoarcem la pasul 3 şi introducem expresia VGS1 ı̂n expresia tensiunii
VDS1 .
r cu

 
gm1 gm3 Vin
VDS1 = rDS1 Iin − (48)
 
1 1 
gm2 + gm3 + +
rDS2 rDS3
Ci

Pasul 7: În final, se introduce expresia tensiunii VDS1 ı̂n Vin de la pasul 1. Rezultǎ o
relaţie care conţine, pe lângǎ parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor, doar Vin şi
Iin .

10
 rDS4 gm3 gm1 rrDS1
Vin = Iin + rDS1 Iin − V (49)
1 + gm4 rDS4 1 1 in
gm2 + gm3 + +
rDS2 rDS3

ice
Dacǎ rearanjǎm termenii ı̂n aceastǎ relaţie, ı̂ncât sǎ putem face raportul dintre Vin şi
Iin , vom obţine tocmai rezistenţa de intrare.

g
rDS4
rDS1 +
Vin

alo
1 + gm4 rDS4
Rin = = gm3 gm1 rDS1 (50)
Iin 1+
1 1
gm2 + gm3 + +
rDS2 rDS3

An
Se pot face aproximǎri şi ı̂n acest caz, similar ca şi la oglinda de curent Wilson simplǎ,
rezultând expresia simplificatǎ a rezistenţei Rin .

gm2 + gm3
Rin ∼
= e (51)
gm1 · gm3
at
• Rezistenţa de ieşire
r

Pasul 1: Se scrie tensiunea de ieşire ı̂n funcţie de tensiunile drenǎ-sursǎ ale tranzis-
eg

toarelor M2 şi M3 :

Vout = VDS3 + VDS2 (52)

t
In

Pasul 2: Tensiunea VDS2 se scrie:

VDS2 = rDS2 (Iout − gm2 VGS2 ) = rDS2 (Iout − gm2 VDS2 )

ite

Iout rDS2
⇒ VDS2 = (53)
1 + gm2 rDS2
r cu

Pasul 3: Tensiunea VDS3 are forma:

VDS3 = rDS3 (Iout − gm3 VGS3 ) (54)

Ci

Pasul 4: Ne propunem sǎ exprimǎm VGS3 ı̂n funcţie de parametrii de semnal mic ai
tranzistoarelor şi Iout . Pentru aceasta scriem urmǎtoarea relaţie dintre tensiuni:

Iout rDS2
Vin = VGS3 + VDS2 ⇒ VGS3 = Vin − (55)
1 + gm2 rDS2

11
Pasul 5: În acest punct al demonstraţiei trebuie sǎ determinǎm tensiunea Vin . Ana-
lizând circuitul cu tranzistoare se poate scrie tensiunea de intrare dupǎ cum urmeazǎ:

ice
Vin = VDS4 + VDS1 = rDS4 (Iin − gm4 VGS4 ) + rDS1 (Iin − gm1 VGS1 ) (56)

Ştiind cǎ pentru calculul rezistenţei de ieşire se pasivizeazǎ intrarea, adicǎ ı̂n cazul
acestei configuraţii de circuit avem Iin = 0, ecuaţia anterioarǎ devine:

g
alo
Vin = −rDS4 gm4 VGS4 − rDS1 gm1 VGS1 (57)

Mai ştim cǎ VGS1 =VGS2 =VDS2 , iar expresia tensiunii drenǎ-sursǎ a tranzisorului M2 a
fost dedusǎ la pasul 2. Prin urmare, tensiunea Vin se poate rescrie:

An
Iout rDS2
Vin = −rDS4 gm4 VGS4 − rDS1 gm1 VDS2 = −rDS4 gm4 VGS4 − rDS1 gm1 , (58)
1 + gm2 rDS2
e
unde tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului M4 poate fi determinatǎ astfel:
at
VGS4 = VG4 − VS4 = Vin − VDS1 (59)
r
eg

Totodatǎ, tensiunea VDS1 are urmǎtoarea formǎ conform legii lui Ohm:

Iout rDS2
t

VDS1 = rDS1 (Iin − gm1 VGS1 ) = −gm1 rDS1 (60)

1 + gm2 rDS2
In

Acum ı̂nlocuim VDS1 ı̂n expresia tensiunii VGS4 şi apoi VGS4 recalculat ı̂n expresia
tensiunii Vin . Astfel, obţinem relaţia dintre tensiunea de intrare şi curentul de ieşire:
ite

 
rDS2 rDS2
Vin = −gm4 rDS4 Vin + gm1 rDS1 Iout − gm1 rDS1 Iout (61)
1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2
r cu

Dupǎ rearanjarea termenilor şi efectuarea calculelor, relaţia anterioarǎ duce la urmǎ-
toarea expresie a tensiunii Vin :
Ci

rDS2
Vin = −Iout gm1 rDS1 (62)
1 + gm2 rDS2

Pasul 6: Având Vin , putem sǎ o ı̂nlocuim ı̂n expresia tensiunii VGS3 de la pasul 4.
Rezultǎ:

12
 rDS2
VGS3 = −Iout (1 + gm1 rDS1 ) (63)
1 + gm2 rDS2

ice
Pasul 7: Dacǎ ı̂nlocuim VGS3 ı̂n expresia tensiunii VDS3 de la pasul 3, obţinem:

 
1 + gm1 rDS1
VDS3 = −Iout rDS3 1 + gm3 rDS2 (64)

g
1 + gm2 rDS2

alo
Pasul 8: Înlocuind expresiile VDS3 de la pasul 7 şi VDS2 de la pasul 2 ı̂n ecuaţia pentru
Vout scrisǎ la pasul 1, rezultǎ:

 
1 + gm1 rDS1 rDS2

An
Vout = Iout rDS3 + gm3 rDS3 rDS2 + (65)
1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2

Prin ı̂mpǎrţirea tensiunii Vout la curentul Iout obţinem expresia rezistenţei de ieşire a
oglinzii.

Vout
e
1 + gm1 rDS1 rDS2
at
Rout = = rDS3 + gm3 rDS3 rDS2 + (66)
Iout 1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2
r
Forma aproximativǎ a rezistenţei de ieşire este:
eg

gm1 rDS1 gm3 rDS3

Rout ∼
= (67)
gm2
t
In

5). Se dǎ circuitul din Figura 5.

a). Sǎ se identifice toate oglinzile de curent şi sǎ se identifice tipul acestora.
b). Sǎ se determine curenţii pe fiecare ramurǎ de circuit.
ite
r cu
Ci

Figura 5

13
Rezolvare:

a). Circuitul este format din mai multe structuri de oglinzi de curent:

ice
• M1 -M2 oglindǎ simplǎ de curent PMOS, având câştigul ı̂n curent n = 1 −→
I2 =Iref ;

g
• M1 -M3 şi M1 -M4 oglinzi simple de curent PMOS, n = 0, 5 −→ I3 =I4 =Iref /2 şi

alo
I7 =I8 =I3 +I4 =Iref ;

• M5 -M6 -M7 -M8 -M9 -M10 oglindǎ de curent cascodǎ NMOS de joasǎ tensiune (M6
ı̂n regim liniar), n = 2 −→ I9 =I10 =2Iref ;

An
• M11 -M12 -M13 -M14 oglindǎ de curent cascodǎ PMOS, n = 4 −→ I11 =I12 =2Iref ,
I13 =I14 =8Iref ;

• Q1 -Q2a -Q2b oglindǎ de curent NPN bipolarǎ cu degenerare rezistivǎ, n = 2 −→

IQ2 =16Iref ; e
• M15 -M16 -M17 -M18 oglindǎ de curent PMOS Wilson echilibratǎ, n = 3 −→
at
I16 =I18 =48Iref ;

• Q3 -Q4 -Q6 -M7 oglindǎ de curent cascodǎ NPN bipolarǎ , n = 1 −→

r

IQ4 =IQ7 =48Iref ;

eg

• Q3 -Q55 -Q6 -M8 oglindǎ de curent cascodǎ NPN bipolarǎ , n = 1 −→

IQ5 =IQ8 =48Iref ;
t

• M19 -M20 -M21 -M23 -M24 -M25 oglindǎ de curent cascodǎ PMOS de joasǎ tensiune
In

(M19 ı̂n regim liniar), n = 1 −→ I21 =I25 =48Iref ;

• M19 -M20 -M22 -M23 -M24 -M26 oglindǎ de curent cascodǎ PMOS de joasǎ tensiune
(M19 ı̂n regim liniar), n = 1 −→ I22 =I26 =48Iref ;
ite

• M27 -M28 -M29 -M30 -M31 -R oglindǎ de curent cascodǎ NMOS de joasǎ tensiune ,
n = 1/3 −→ I29 =I31 =16Iref ;
r cu

• M32 -M33 şi M32 -M34 oglinzi simple de curent PMOS, n = 1 −→ I33 =I34 =16Iref
şi Iout =I33 +I34 =32Iref =640µA.
Ci

6). Fie circuitul de polarizare bazat pe oglinda de curent cascodǎ.

a). Calculaţi curentul prin ramura de intrare, astfel ı̂ncât Rin a oglinzii de curent sǎ
fie de 3kΩ. Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor cascodǎ se doreşte sǎ fie 205mV,
iar pentru restul tranzistoarelor de 265mV.
b). Sǎ se dimensioneze tranzistoarele Mcas şi Mbias , pentru a avea curenţii doriţi din
ramurile de ieşire a oglinzii.

14
Pentru scalǎri se foloseşte setul de referinţǎ: Iref =50µA, Vodref =175mV şi (W/L)ref
=10µm/1µm. Se recomandǎ ca lǎţimea canalului la tranzistoarele cascodǎ sǎ fie 0,5µm,
iar pentru restul 1µm.

ice
Iin I1 I2 I3

g
M1c M2c
Mcas M3c

alo
M1b M2b
Mbias M3b

An
Figura 6

Rezolvare:
e
at
a). Expresia rezistenţei de intrare a oglinzii de curent cascodǎ este urmǎtoarea:
r

1 1 Vodcas Vodbias
Rin ∼ + = + (68)
eg

=
gmcas gmbias 2Iin 2Iin

Ştiind valorile numerice ale rezistenţei Rin şi a tensiunilor de overdrive, rezultǎ curentul
t

prin ramura de intrare: Iin =75µA.

In

b). Folosind setul de referinţǎ se pot face scalǎri pentru a dimensiona tranzistoarele.
Astfel, pentru tranzistorul cascodǎ Mcas putem scrie:
ite

 k · 10µ 2
50µ = 2 · 1µ · (175m)


(69)
75µ = k · Wcas · (205m)2 Wcas 5, 5µ
r cu


⇒ =

2Lcas Lcas 0, 5µ

Pentru tranzistorul Mbias din ramura de intrare a oglinzii facem urmǎtoarea scalare:
Ci

 k · 10µ 2
50µ = 2 · 1µ · (175m)


(70)
75µ = k · Wbias · (265m)2 Wbias 6, 5µ

⇒ =

2Lbias Lbias 1µ

15
b). Se observǎ cǎ valorile curenţilor din ramurile de ieşire ale oglinzii sunt multiplii
ı̂ntregi ai curentului de intrare. Astfel, dimensiunile tranzistoarelor de ieşire vor fi:

ice
W1b 8, 3µ W2b 8, 3µ W3b 8, 3µ
=6· , =3· , =2· (71)
L1b 1µ L2b 1µ L3b 1µ

W1c 6, 9µ W2c 6, 9µ W3c 6, 9µ

g
=6· , =3· , =2· (72)
L1c 0, 5µ L2c 0, 5µ L3c 0, 5µ

alo
An
e
r at
t eg
In
ite
r cu
Ci

16