Lucrare de laborator

Nume student: Vicol Andrei- Vlad

Grupa: Fizica medicala F22B
Titlul lucrarii: Analiza functionarii diodelor
semiconductoare. Parametri. Trasarea caracteristicilor
si identificarea performantelor.

Scopul lucrarii:
-Determinarea pe cale experimentala a caracteristicilor diodelor
-Efectuarea unor masuratori si precizarea unor parametrii care nu sunt indicate de producator

1.1. Rezumatul lucrarii:

1. Caracterizarea dispozitivelor semiconductoare
Principalele date indicate de firmele producatoare sunt:
Descrierea dispozitivului, valori constructive.
Descrierea dispozitivului cuprinde: materialul semiconductor utilizat, tehnologia de obţinere,
principalele aplicaţii;
Valorile constructive cuprind: tipul de capsulă folosit, dimensiunile, modul de marcare,
conexiunile la terminale, masa;
Valori limită absolute.
Cuprinde valorile maxime ale parametrilor de funcţionare.
Dacă nu se fac precizări suplimentare, valorile indicate ale curentului, tensiunii şi puterii sunt
date în curent continuu la temperatura capsulei de 25°C.
Caracteristicile electrice.
Acestea pot fi caracteristici de current continuu sau caracteristici de current alternativ.
Caracteristicele electreice descriu comportamentul diodei in regim de current continuu respective
current alternativ.
Caracteristici termice.
Cuprind urmatoarele: temperatura de funcţionare a joncţiunii, temperatura ambiantă de lucru,
temperatura de stocare, disipaţia admisă şi rezistenţa termică.
Montaje de testare.
Cuprind schemele şi aparatele folosite la măsurarea principalilor parametri ai dispozitivului.
Aplicaţii principale.
Cuprind o serie de aplicatii, alaturate lor, schemele si formulele de calcul necesare.

2. Trasarea caracteristicilor statice la diode.

Caracteristica la polarizare directa
Este definita cu ajutorul tensiunii de deschidere si rezistenta diferentiala.
Caracteristica la polarizare inversa
Este definita printr-o valoare foarte scazuta a curentului invers pe un domeniu foarte mare de
tensiune. La atingerea unei valori critice a tensiunii curentul prin diode creste brusc, care in cazul
diodelor redresoare sau de comutatie obisnuite, inseamna distrugerea integritatii diodei.

3. Metoda trasării punct cu punct a caracteristicii voltamperice.

In functie de tipul de polarizare la care dorim trasarea caracteristicilor, folosim doua montaje:
Montajul pentru polarizare directa: Montajul pentru polarizare indirecta:
2.1. Modalitate de lucru:

1. Se identifică componentele. Se iau din catalog valorile de lucru şi valorile limită ale curentului
şi tensiunii pentru fiecare componentă. Se identifică terminalele. Diodele se montează prin
intermediul unor conectori miniatură pe o planşetă de lucru prevăzută cu borne la care pot fi
conectate ferm sursa şi aparatele de măsură necesare în circuit.
2. Se realizează montajul pentru a determina caracteristicile diodei la polarizare directa.
Rezistentele (a,b) sunt incluse in sursa de alimentare şi se activează printr-un comutator
basculant de pe panoul sursei.
3. Se modifică tensiunea debitată de sursa S şi se măsoară tensiunea pe diodă şi curentul prin
diodă.
4.Se determină tensiunea de deschidere. Tensiunea şi curentul nu trebuie să depăşească valorile
maxime indicate în catalog pentru dispozitivul testat. Va fi supravegheat cu atenţie regimul
termic al dispozitivului.
5.Prin calcul matematic determinam rezistenţa diferenţială a diodei într-un punct dat al
caracteristicii statice directe.
6.Se calculează din valorile experimentale rezistenţa diferenţială a diodei înainte de deschidere şi
după deschidere şi se compară valorile obţinute.
7.Se realizează montajul pentru a determina caracteristicile diodei la polarizare inversa. Se
modifică tensiunea debitată de sursa, măsurându-se tensiunea şi curentul prin diodă.
8.Se intocmeste un table cu valorile experimentale.
9.Se reprezintă grafic caracteristicile celor două diode.
3.1. Tabel cu date experimentale:

Dioda cu germanium(EFD 104), polarizare directa

Nr. Tensiune Sursa Tensiune pe diode Intensitatea curentului
Det. V (Volt) V (Volt) mA(miliAmper)
1. 0.0 0.0093 0.00
2. 0.1 0.095 0.21
3. 0.1 0.114 0.33
4. 0.2 0.135 0.60
5. 0.3 0.152 0.91
6. 0.3 0.160 1.00
7. 0.7 0.209 3.10
8. 1.0 0.235 5.20
9. 1.4 0.251 7.40
10. 1.8 0.263 9.20
11. 1.8 0.270 10.00
12. 2.2 0.280 12.10
13. 2.5 0.290 14.10
14. 2.8 0.293 16.00
15. 3.1 0.299 18.00
16. 3.5 0.305 20.00
17. 4.3 0.318 25.00
18. 5.1 0.328 30.00
19. 5.9 0.337 35.00
20. 6.7 0.345 40.00
21. 7.5 0.352 45.00
22. 8.3 0.356 50.00
23. 9.9 0.369 60.10
24. 11.5 0.380 70.00
25. 13.1 0.388 80.00
26. 14.7 0.395 90.00
27. 16.3 0.402 100.00
 Dioda cu siliciu(1N4148), polarizare directa
Nr. Tensiune Sursa Tensiune pe diode Intensitatea curentului
Det. V (Volt) V (Volt) mA(miliAmper)
1. 0.0 0.009 0.00
2. 0.5 0.558 0.20
3. 0.6 0.581 0.42
4. 0.7 0.594 0.61
5. 0.7 0.602 0.79
6. 0.7 0.613 1.06
7. 1.1 0.655 3.18
8. 1.5 0.674 5.01
9. 1.8 0.689 7.08
10. 2.2 0.698 9.03
11. 2.5 0.704 10.19
12. 2.7 0.710 12.20
13. 3.0 0.718 14.20
14. 3.3 0.723 16.00
15. 3.8 0.728 18.20
16. 4.0 0.732 20.00
17. 4.9 0.740 25.40
18. 5.8 0.748 30.90
19. 6.5 0.754 35.50
20. 7.5 0.759 40.50
21. 8.2 0.763 45.40
22. 8.9 0.768 50.70
23. 10.4 0.774 60.10
24. 11.9 0.780 70.10
25. 13.9 0.786 80.90
26. 15.5 0.789 90.60
27. 17.1 0.793 100.10
 Dioda cu germanium(EFD 104), polarizare indirecta
Nr. Tensiune Sursa Tensiune pe diode Intensitatea curentului
Det. V (Volt) V (Volt) μA(microAmper)
1. 0 0.000 8.1
2. 0.1 1.546 9.4
3. 1 1.050 9.6
4. 2 2.100 9.8
5. 3.2 3.281 10.0
6. 4.9 4.950 10.2
7. 7.5 7.520 10.4
8. 10.3 10.330 10.6
9. 12.5 12.540 10.8
10. 15.8 15.840 11.0
11. 18.7 18.755 11.2
12. 22 22.010 11.4
13. 25.8 25.820 11.6
14. 28.8 28.770 11.8
15. 30.8 30.820 12.2

4.1. Clacul:
Dioda cu germanium, polarizare directa:
Dioda cu siliciu, polarizare directa:

Dioda cu germaniu, polarizare indirecta:

5. Grafice: