FIZICA DISPOZITIVELOR MICRO-

OPTOELECTRONICE
LECȚIA 3.
PROCESE DE CONDUCȚIE ÎN JONCȚIUNEA P-N
ARTUR BUZDUGAN
RECAPITULARE LA LECTIILE 1,2
• Conductoare: ρ=10-8 …10-6 Ohm m
• Semiconductoare: ρ= 10-6…1012 Ohm m
• Izolatoare: ρ= 1012…1022 )Ohm m
• Materialele SC de bază Ge şi Si. Ambele sunt tetravalente, deci prezintă 4
electroni de valenţă (pe ultimul strat). De asemenea, trebuie subliniat
faptul că majoritatea SC sunt solide cristaline, adică se caracterizează
printr-un aranjament periodic şi ordonat al atomilor (reţea cristalină).
Această reţea se obţine prin repetarea pe 3 direcţii a unei celule unitare,
de forma unui corp geometric regulat (cub, tetraedru), având câte un atom
în fiecare colţ şi unul în centru. Atomii vecini stabilesc legături covalente
(cea mai stabile legatura chimica) între ei prin punerea în comun a
electronilor de valenţă (ultimul strat).
 RECAPITULARE LECTIA 1,2
• La temperatura T = 0K , toţi electronii de
valenţă ai SC sunt prinşi în legături
covalente, astfel că fiecare atom devina ca
o structură de gaz inert (cu ultimul strat
electronic ocupat complet). Rezultă că la
această temperature SC este izolator
(dielectric) perfect, neexistând electroni
liberi în structura sa.

• SC intrinsec: n=p=ni

• T=300K ni =2.4 1010 cm-3 (Ge) deci 1

pereche electron-gol la 5 109 atomi

• Generarea este f.mica: un atom din 10

miliarde are legatura covalenta rupta

• ni =1,5 1010 cm-3

 RECAPITULARE LECTIA 1,2
• SC extrinseci. Se folosesc impurităţi de două tipuri:
• Trivalente (acceptoare) Al, B, Ga, In sau pentavalente (donoare) As, P, Sb, Bi
JONCȚIUNEA PN – SEMICONDUCTOARE
INTRINSECI ȘI DOPATE
JONCȚIUNEA PN POLARIZATĂ
JONCȚIUNEA PN CAPACITĂȚI ȘI CURENȚI
JONCȚIUNEA PN – SEMICONDUCTOARE
INTRINSECI ȘI DOPATE
JONCȚIUNEA PN NEPOLARIZATĂ – MODELUL CU BENZI ENERGETICE

UO = VT LN (NAND/NI2
 RECAPITULAREA LECTIEI 1,2
•
 RECAPITULAREA LECTIEI 1,2 SC EXTRINSECI
• n-tip ΔEd = Ec-Ed <<ΔEi iar pentr p- tip ΔEa = Ea-Ev <<ΔEi
• La T joase σi ~ 0 deci (n-tip) σen = ND eoμn (p-tip) σep = NA eoμp
• nn = NeC exp {-(Ec-Ed)/kT} – concentratia extrinseca a electronilor din BC
pentru n-SC
• np = NeV exp { - (Ea-EV)/kT} – concentratia extrinseca a golurilor din BV
pentru p- SC
• Unde NC si NA numarul de stari energetice donoare si acceptoare ionizate
• Daca in SC intrinsic toti atomii donori (ND) si respective acceptori (NA)
sunt ionizati, rezulta nn= ND si respectiv nn=NA
• Potentialul Fermi : EF = (kT/e) ln (ni/ND) (n-tip SC)
• EF = (kT/e) ln (NA/ni) (p-tip SC)
 POZIȚIA NIVELULUI (ENERGIEI) FERMI
• Conductivitatea el-că depinde de concentrația purtătorilor de sarcină
• Concentrația lor depinde de poziția nivelului Fermi. Tipul conductivității
depinde de raportul concentrației e și p
• n= Nc exp (Ec-Ef)/kT p= Nv exp (-(Ef-Ev)/kT)
• Aflăm e.g. p/n = (Nv/Nc) exp (Ec+Ev-2Ef)/kT .... Ef = Ei + ½ kT ln (n/p)
• De unde: la p=n ln(p/n) = 0 deci Ef=Ei aven SC propriu
• La n>p... Ef >Ei ... Conductibilitate n deci n-SC
• La n <p... Ef << Ei Conductibilitate p deci p-SC
• Astfel nivelul Fermi la schimbarea concentrației se deplasează totdeauna
spre zona cu concentrația m.mare a purtătorilor de sarcină
 RECOMBINAREA
• Ec-Ev – probabilitate mica
• Ec - nivele donoare sau acceptoare – probabilitate mica
• Ec –nivele donatoare (acceptoare) – nivele donatoare (acceptoare)-Ev - mică
• Ec- nivele adînci energetice (aproape de Eg/2) – Ev -probabilitatea mare
• Parametrii: viteza recombinării (f-concentrații și τ), timpul de viață (τ (n,p))
 DIFUZIA PURTĂTORILOR DE
SARCINĂ (CURENȚI DE DIFUZIE)
•
 DRIFTUL PURTĂTORILOR DE SARCINĂ
• Јdrift = σ E = enυ sau întroducem un termen μ=E/υ
• Enμ=σ; dar D= kTμ/e (relația Enstein)
• Sau D=Vt μ (Vt tensiunea termică)
• Împrăștierea pe fononi (oscilația
• termică a atomilor din rețeaua cristalină)
• Împrăștierea pe ionii imobilizați
 CLASIFICAREA JONCTIUNILOR P-N
• SC: regiuni i, p, n
• p-n, p-p+, n-n+
• Omogene (intr-un SC prin difuzie), heterogene (Ge-Si)
• In dependență de gradientul concentrației la contact:
• Profil abrupt (forma de scară) – concentrația se schimbă la o distanță
comensurabilă cu lungimea difuziei;
• lin – concentrația se schimbă la distanțe mult mai mari ca lingimea difuziei
• Simetric (concentratiile purtătorilor de sarciă de bază sunt egale) și asimetric
• Joncțiunea Me-SC: ohmică (neredresoare) și redresoare
 DEPENDENȚELE FUNDAMENTALE
ALE SC
• 1. Dependența drastică a rezistenței SC de influențe energetice
externe:
• A) temperatura
• B) lumina
• C) câmpul electric
• D) radiații ionizante
• .....
• II. Dependența puternică de concentrația impurităților
 COMPENSAREA IMPURITĂȚILOR
DEPENDENȚA DE TEMPERATURĂ
• Doparea SC și cu donori (ND) și cu acceptori (NA)
• Compensarea va fi : totală sau parțială
• p-SC:: a) La T =0. b)
• La T joase (1) nn = ND ionizarea nivelelor donoare
• La T înalte (2) stabilizare (saturația ionizării)
• ni<< n = ND+(ionizați) = ND
• La T f. înalte ni=pi ...devine SC propriu
 REALIZAREA JONCȚIUNII P-N
• Procedeele tehnologice utilizate pentru obţinerea materialelor SC pot fi
utilizate şi la realizarea joncţiunilor p-n înlocuind materialul semiconductor
intrinsec cu un material semiconductor impurificat convenabil.
• Procedeul de aliere
• Procedeul de difuzie
• - prin tehnologie planară
• - prin tehnologie mesa
• - prin combinaţia acestora cu tehnologie epitaxială
• Procedeul de creştere epitaxială
• - prin tehnologie epitaxială
 JONCȚIUNEA P-N
• Zona p (x<0) corespunde concentrației de impurități pentru care NA >ND
• Zona n (x<0) corespunde concentrației de impurități pentru care NA<ND)
 JONCȚIUNEA P-N LA ECHILIBRU TERMIC
• La profil abrupt: în zona p sunt numai impurități acceptoare cu NA=const
• în zona n sunt numai impurități donoare cu ND=const:
• dacă regiunile sunt independente:
• purtători majoritari sunt electroni în zona n și goluri în zona p
• Purtători minoritari: sunt goluri în zona n și electroni în zona p
• DIFUZIA purtătorilor majoritari:
• golurile din regiunea p difuzează în n ca rezultat al acestei difuzii golurile
ajunse în n recombină cu e, iar în zona p adiacentă regiunii metalurgice, prin
plecarea golurilor apare exces de sarcină negativă, datorat ionilor acceptori.
• Electronii din n difuzează în p, recombină cu p, iar în zona n adiacentă regiunii
metalurgice, prin plecarea electronilor, apare exces de sarcină pozitivă
datorată ionilor donori.
• Astfel apare un câmp electric intern orientat de la n spre p
ACȚIUNEA CÂMPULUI ELECTRIC GENERAT INTERN
• Acțiunea câmpului electric intern asupra purtătorilor minoritari rezumă în:
• golurile din regiunea n sunt transportate de câmp spre p
• e din regiunea p – spre regiunea n
• Astfel, procesul de scădere a concentrațiilor de purtători majoritari nu se
desfășoară până la echilibrul concentrațiilor (cum am aștepta din procesul de
difuzie), dar se autolimitează prin generarea unui câmp electric intern- câmp
de barieră. În final se stabilește un curent electric nul, rezultat compatibil cu
condiția de echilibru termic.
JONCȚIUNEA P-N.
CAZUL II – APROXIMAȚIEI DE GOLIRE
CAZUL III – JONCȚIUNEA CU
PROFIL ABRUPT ȘI ASIMETRIC
OGLINDIREA PROCESELOR FIZICE
• Joncțiunea p-n
• a) structura joncțiunii
• b) distribuția concentrației impurităților
• c) distribuția concentrației purtătorilo majoritari
• d) distribuția sarcinii spațiale
• e) distribuția intensității câmpului electric intern al
regiunii de trecere
• f) distribuția potențialului
 JONCȚIUNEA P-N
În figura 2.6.b - structurile benzilor
energetice pentru cazul în care Si-n şi Si-p
sunt puse în contact. Punerea în contact
echivalează cu egalarea energiilor Fermi,
ceea ce determină o denivelare a structurii
benzilor, pe o lărgime echivalentă cu
lărgimea joncţiunii lb0. Denivelarea
corespunde cu variaţia de energie DW0, care
determină apariţia câmpului electric rezultat
de contact.
O joncţiune abruptă se obţine
atunci când concentraţia dintr-un
monocristal SC variază brusc de la valoarea
de acceptori NA la valoarea de donori ND.
În cazul în care concentraţiile de impurităţi
sunt diferite (de exemplu: ND>> NA) se
obţine o joncţiune abruptă asimetrică,
simbolizată n+p. Într-o joncţiune pn se află
o zonă de tranziţie, complet golită de
purtători mobili, în care există numai
reţeaua spaţială a ionilor de impuritate
neneutralizaţi. Această zonă poartă numele
de regiune golită sau regiune de sarcină
spaţială. Condiţia ca la echilibru curenţii de
electroni cât şi de goluri să fie nuli, impune
condiţia ca nivelul Fermi să fie constant în
lungul structurii (WFn= WFp). Ca urmare
benzile de energie se deplasează aşa cum se
indică în figura 2.6.b.
 P-N JONCȚIUNEA
• Diferenţa de potenţial a joncţiunii VBi, numită şi potențial de barieră, rezultă
din diferenţa VFn - VFp şi are valoarea:
• În unele manuale kT/e = VT se numește tensiunea termică (la T=300K el
este egal cu 0,0259 V)
• (Si) Vbi = 0,7 eV (Ge) Vbi = 0,3 eV)
• Lățimea p-n joncțiunii nesimetrice și
• abrupte

• și este de regulă câțiva mcm

 CÂMPUL ELECTRIC INTERN
• Câmpul electric este funcție liniară de distanță
• Câmpul electric este continuu la joncțiunea
metalurgică, pentru x=0. Rezultă
Variația câmpului electric intern la joncțiune
pn uniform dopată va fi ca:

Valoarea max a potențialului la x=+x este :

DACĂ ÎN SC EXISTĂ CÂMP ELECTRIC ATUNCI NIVELELE ENERGETICE
EC, EV, EF INTRINSEC VARIAZĂ CU DISTANȚA CUM ARATĂ DIAGRAMA

• Lățimea regiunii de sarcină:

POLARIZAREA JONCȚIUNII
PRIN APLICAREA TENSIUNII INVERSE (VR) SC IESE
DIN ECHILIBRU, DECI EF NU MAI ESTE CONSTANT
PRIN TOT SISTEMUL
 MODEL SIMPLIFICAT
•
O JONCȚIUNE P-N PERMITE TRECEREA CURENTULUI PRIN EA DACĂ ESTE POLARIZATĂ
DIRECT CU O TENSIUNE M.MARE CA POTENȚIALUL DE BARIERĂ
• Curentul invers este format din curent termic saturație
(prin extragerea purtătorilor de sarcină) și curentul de
termogenerare în regiunea sarcinii spațiale
Mecanismul curentului de saturație termică (generarea
purtătorilor de sarcină minoritari la distanțța de cel mult
lungimea de difuzie a lor de la hotarul p-n joncțiunii.
Nu depinde de U aplicat de aceea ajunge la saturație
repede
FORMAREA CURENTULUI DE TERMOGENERARE
• Termogenerarea în zona sărăcită
• Cu creștere Eg crește curentul rezultat al termogenerării
REZISTENȚA DIFERENȚIALĂ A
JONCȚIUNII P-N
• R dif = dU/dI
• La tensiune directă – r dif scade cu creșterea I direct
• La tensiunea inversă r dif crește cu tensiunea inversă
 CAPACITATEA JONCȚIUNII P-N
•
 C-V CARACTERISTICI ALE JONCȚIUNII P-N
• Schema echivalentă a joncțiunii pn la frecvențe joase

• Și la frecvențe înalte și foarte înalte

• Și la semnal mare
 STRĂPUNGEREA JONCȚIUNII P-N
• Străpungerea joncțiunii poate fi Termică (ireversibilă) și
Electrică (reversibilă): de avalanșă și tunel
• Străpungerea prin avalanșă – multipla ionizare prin ciocniri:
• T↑ L parcursă ↓
• W cinetică ↓ U str ↑

• Străpungerea tunel

Т - W3 - - Ртун.эф - Uпроб
 STRĂPUNGEREA TERMICĂ
• Pp-n = Urev Irev căderea de tensiune este maz deci se încălzește p-n
• Dacă T îndepărtată de la p-n este mai mică ca T eliberată – străpungerea
• Sectorul cu rezistența diferențială negativă
• Este rezultat al micșorării Rpn mai repede
ca creșterea curentului invers
PROCESE TRANZITORII ÎN
P-N JONCȚIUNE LA
CURENȚI ȘI TENSIUNI
MARI