Dispozitive i circuite electronice

Note de curs












1
DCE 1 Curs 1

Mecanismul conduciei

n mediile conductoare mecanismul conduciei poate fi explicat prin
deplasarea sarcinilor electrice n acele medii. Mediile conductoare:
- metale
- semiconductoare
n mediile semiconductoare mecanismul conduciei la nivel microscopic poate
fi explicat prin cele dou tipuri de micri proprii pentru e
-
din structura materialului
respectiv. Aceste micri sunt distincte i independente. La nivel macroscopic le
putem asocia existena a dou tipuri de sarcini electrice:
- o sarcin negativ, corespunztoare e
-

- o sarcin pozitiv, corespunztoare unor regiuni din structura cristalin,
botezate goluri
n cazul metalelor conducia electric este datorat e
-
. Din punct de vedere
grosier atomul unui metal, semiconductor sau izolator poate fi considerat ca fiind
format dintr-o structur central denumit nucleu, n care avem particule cu sarcin
pozitiv p
+
i particule neutre n
0
, precum i dintr-o structur exterioar nucleului n
care particulele cu sarcin negativ e
-
,

graviteaz pe orbite distincte. e
-
din imediata
apropriere a nucleului sunt mai strns legaie de acesta, pe cnd cei din nveliul
extern sunt slab legai de nucleu, e
-
de valen i dicteaz comportarea atomului
respectiv n raport cu atomii altor elemente. e
-
din nveliul unui atom pot absorbi sau
emite cuante de energie i ca urmare ei pot trece de pe o orbit pe alta, fie datorit
unui cmp electric extern, fie datorit agitaiei termice. Unitatea de msur pentru
energia unui e
-
este electronvoltul 1eV=1,6*10
-19
J.
Atunci cnd materialul respectiv prezint o structur cristalin e
-
respectivi nu
mai prezint nivele energetice discrete ci ei se gsesc pe nivele cuprinse ntre anumite
benzi de energie. De regul ocup nivele de energie minim din banda ocupat,
numit band de valen. Datorit agitaiei termice e
-
respectivi pot trece din banda
ocupat ntr-o band, botezat band de conducie sau band liber, devenind astfel e
-
de conducie.
















band liber(conducie)
Band de valen(ocupat)
METALE

2






























La izolatoare DE=510eV, la semiconductori, pentru Ge DE=0,76eV, pentru
Si DE=1,12eV.
n cazul metalelor cele dou benzi se ntreptrund, ca urmare e
-
de valen
chiar sub influena unor cmpuri electrice slabe sau prin nclzire uoar pot prsi
aceast band devenind e
-
liberi n banda de conducie, e
-
capt o micare ordonat n
sens contrar sensului cmpului electric aplicat. Prin nclzire la temperatura
corespunztoare e
-
pot prsi suprafaa metalului respectiv, fenomenul purtnd
denumirea de emisiune termo-electronic. n cazul materialelor izolatoare cele dou
benzi permise sunt separate de o band interzis cu limea de 510eV, un numr
relativ redus de e
-
, chiar sub influena unor cmpuri electrice puternice vor putea trece
n banda de conducie.
n cazul materialelor semiconductoare, structura acestora este asemntoare cu
cea ntlnit la izolatoare, cu deosebirea c limea benzii interzise este de numai
0,76eV la Ge i 1,12eV la Si. n plus plecarea unui e
-
din banda de valen las n
urma sa o regiune pozitiv de sarcin spaial egal n valoare absolut cu sarcina e
-
,
cu numele de gol.
Plecarea unui e
-
din banda de valen n banda de conducie conduce la
generarea unui e
-
de conducie, n urma acestuia rmnnd o sarcin pozitiv, legat
DE
IZOLATOARE
DE
SEMICONDUCTOR
3
de regiunea de unde e
-
a plecat, purtnd numele de gol. Se genereaz astfel purttori
de sarcin distinci. Trecerea unui e
-
din banda de conducie n banda de valen face
ca un e
-
de conducie s dispar, fenomen nsoit i de dispariia unui gol. n acest caz
vorbim i de recombinarea purttorilor de sarcin. Materialele semiconductoare sunt
elemente din grupa a IV-a a tabelului i ca urmare rezult c acestea au 4 e
-
de
valen. Cum aceste materiale au o structur cristalin nseamn c e
-
de valen se
pun n comun 2 cte 2 formnd legturi covalente. Fiecare atom din structura
cristalin are 4 legturi covalente cu 4 atomi vecini acestuia.
















Datorit agitaie termice la t>0 grade Kelvin, un e
-
poate prsi legtura
covalent devenind e
-
liber n reeaua cristalin. Plecarea e
-
din legtura covalent
respectiv las n urm o sarcin pozitiv denumit gol. Datorit agitaiei termice un
e
-
vecin va veni s completeze legtura covalent nesatisfcut, i ca urmare are loc o
deplasare n sens invers a sarcinii pozitive, respectiv a golului.
Materialele semiconductoare la care nu avem elemente impurificatoare poart
numele de materiale semiconductoare intrinsec, i dac notm cu n concentraia e
-
, cu
p concentraia golurilor la aceste materiale n=p=n
i
.
n
i
concentraia intrinsec




A numrul lui Avogadro
T temperatura absolut n grade Kelvin
E limea benzii interzise
k constanta lui Boltzmann

n cazul materialelor n care toi e
-
de valen sunt legai prin legturi
covalente conducia e
-
nu este posibil deoarece nu exist purttori de sarcin liberi
e
-

gol
)
* * 2
exp( * *
t k
E
T A n
i


4
care s se deplaseze. n acest caz materialele respective se comport asemenea unui
izolator, de exemplu: diamantul variant a C.
n general se consider c un material este semiconductor dac un atom din 10
miliarde are o legtur covalent deteriorat. Dei concentraia atomilor cu legturi
convalente deteriorate este foarte mic, proprietile fizice i electrice ale materialelor
respective sunt diferite. e
-
nu sunt meninui n regiunea legturilor ci sunt liberi s se
deplaseze. Un material este considerat semiconductor dac are un numr de 10
8
legturi covalente deteriorate pe cm
3
. Proprietile fizice i electrice ale
semiconductorilor sunt puternic afectate dac realizm impurificarea structurii
acestora cu elemente penta sau tri valente.
Exemplu: o impurificare cu Sb, P, Bi, As(pentavalente).













n acest caz doar 4 dintre e
-
de valen ai atomului impurificator vor forma cu
e
-
de valen ai atomilor vecini legturi covalente. Cel de-al 5-lea e
-
de valen
devine e
-
liber n reeaua cristalin, iar prsirea acestui atom de ctre e
-
respectiv nu
nseamn c va apare un gol, ci va rmne un ion pozitiv, fix n reeaua cristalin.
Materialul semiconductor este un material de tip n, iar elementul impurificator este un
element donor. La acest tip de material e
-
sunt purttorii majoritari, iar golurile sunt
purttorii minoritari.

Realizm o impurificare cu elemente trivalente ca In, Al, Ga.










ion +
e
-

n
n
i
n
n
p
2

ion -
e
-

D n
N N n
0
5



Elementul impurificator utilizat are doar 3 e
-
de valen, ca urmare
doar 3 dintre cele 4 legturi covalente vecine atomului respectiv vor fi satisfcute.
Datorit agitaiei termice un e
-
vecin va veni s satisfac legtura covalent
deteriorat. I-a natere astfel un ion negativ fix n reeaua cristalin. Materialul
semiconductor astfel obinut este unul de tip p, la care concentraia golurilor este mult
mai mare dect concentraia e
-
. Dac notm cu N
A
concentraia atomilor
impurificatori atunci:


Concentraia golurilor.

Acest gen de materiale semiconductoare se numesc materiale semiconductoare
extrinseci, apeleaz la elemente impurificatoare, lund astfel natere semiconductoare
de tip n i/sau p.

A
N
A
N
p
p
p
p
i
n
p
n
2

1

DCE Curs 2

Jonciunea p-n la echilibru termic.
n practic se utilizeaz numeroase dispozitive electronice obinute prin
alturarea de regiuni semiconductoare de polaritate complementar. Regiunea de tip p
poate fi considerat simplist ca fiind format din ioni acceptori(-) , fici n reeaua
cristalin i golurile drept purttori majoritari. Regiunea de tip n poate fi considerat
ca fiind format din ioni donori(+), fici n reeaua cristalin i e
-
drept purttori
majoritari. Dac considerm dou asemenea regiuni semiconductoare unite printr-o
structur cristalin continu, suprafaa de separaie dintre cele dou regiuni poart
numele de jonciune p-n.
n regiunea p golurile n concentraie:

sunt purttorii majoritari, iar e
-
n concentraie:

constitue purttorii minoritari.

n regiunea n e
-
n concentraie:
sunt purttorii majoritari, iar golurile n concentraie:
constitue purttorii minoritari.
Datorit concentraiei diferite n cele dou regiuni golurile majoritare n regiunea p i
minoritari n regiunea n, respectiv e
-
majoritari n n i minoritari n p se tinde spre o
stare de echilibru i ca urmare purttorii majoritari dintr-o regiune vor difuza spre
cealalt regiune parial, unde ei constitue purttorii minoritari. Ca urmare n
vecintatea suprafeei de separaie dintre cele dou semiconductoare apare o regiune
de trecere, de lungime l, de ordinul m, unde n spaiul situat n regiunea p pleac
goluri i sosesc e
-
, iar n spaiul regiunii n pleac e
-
i sosesc goluri. Ca urmare, n
regiunea p apare o sarcin spaial pozitiv. Apariia acestei distribuii pentru sarcina
spaial stabilete un cmp electric intern, orientat de la regiunea n spre regiunea p.
Odat stabilit acest cmp are loc un transport de goluri din regiunea n spre regiunea p
i de e
-
din regiunea p spre regiunea n. Sensurile acestor deplasri fiind opuse
fluxurilor de difuzie stabilite n faza iniial. Din acest moment putem spune c o stare
de echilibru a fost atins, iar la capetele regiunilor respective se stabilete o barier de
potenial de valoare V
0
.


A
N
p
p =
0
A
N
i
n
p
n
2
0
=
D
N
n
n =
0
D
N
i
n
n
p
2
0
=
2
Jonciunea p-n n regim staionar.
Un semiconductor eterogen, prevzut cu dou contacte ohmice astfel nct s
poat fi intercalat ntr-un circuit electric.
















-I
nm

-I
nM

I
pM

I
pm






















Presupunem c dispozitivul astfel obinut l conectm n circuit astfel nct
regiunea p este legat la borna (-) a sursei de tensiune electromotoare ce furnizeaz
V
A
iar regiunea n la borna (+) a aceleiai surse. Spunem n acest caz c jonciune p-n
este polarizat invers. Lungimea zonei de trecere:


V
A
p
n
+
-
+V
x
V
A

V
0

3


La polarizarea invers a jonciunii limea jonciunii de trecere este majorat.
n acest caz se constat apariia unor cureni datorai purttorilor majoritari i
minoritari:
I
nM
curent datorat purttorilor majoritari de sarcin
I
nm
curent datorat purttorilor minoritari de sarcin

n acest caz se constat c practic curenii datorai purttorilor minoritari sunt
mai mari dect cei datorai purttorilor majoritari. Cum concentraia purttorilor
minoritari este mic n comparaie cu concentraia purttorilor majoritari, rezult c
curentul stabilit prin circuit este mic. La o valoare suficient de mare a tensiunii
electromotoare, curenii datorai purttorilor majoritari tind spre 0 iar cei datorai
purttorilor minoritari tind spre valoarea de saturaie: I
s
=I
pm
+I
nm
.






























0 0
)
0 0
)(
0
( 2
p
p
n
qn
p
p
n
n
A
V V
l
+ +
= '
c
0 0
)
0 0
(
0
2
p
p
n
qn
p
p
n
n V
l
+
=
c
0
1
V
A
V
l l + = '
V
0
V
A

+V
x
-
+
V
A

p
n
4

I
pM


I
pm

-I
nM

-I
nm



Considerm regiunea eterogen respectiv, conectat ntr-un circuit electric.
Regiunea p la borna (+) a sursei, regiunea n la borna (-) a sursei. Spunem despre
jonciune c este polarizat direct, iar curenii stabilii sunt n principal datorai
purttorilor majoritari.

n extrem curenii datorai purttorilor minoritari tind la 0.
I
A
=I
pM
+I
nM
-(I
pm
+I
nm
)
Bariera de potenial n acest caz este diminuat cu valoarea tensiunii
electromotoare. Dac se ridic caracteristica Voltamper n acest caz:





















n zona de conducie direct curentul crete relativ repede, n raport cu
tensiunea la bornele jonciunii. n zona de conducie invers curentul este mic i
aproximativ constant, ntr-o plaj larg de tensiune invers aplicat. Pentru tensiunii
inverse de strpungere n dispozitiv au loc topiri i recristalizri locale care
deterioreaz jonciunea, iar curentul crete mult, dispozitivul avnd capacitatea de a
menine tensiunea constant la borne.
Caracteristica static a jonciunii p-n n regim staionar.
0 0
)
0 0
)(
0
( 2
p
p
n
qn
p
p
n
n
A
V V
l
+
= '
c
0
V
A
V
l l l = '
l l < '
I
d

V
d

zon direct
V
i

V
st

zon
strpuns
zon
invers
I
i

5
Vom considera n aceast abordare cteva ipoteze simplificatoare. Se
consider nivelul de injecie ca fiind mic.






























p
p
0

concentraia purttorilor majoritari, golurile n p
n
n
0

concentraia purttorilor majoritari, e
-
n n
l limea regiunii de trecere l=l
p
+l
n

n
p
0

concentraia purttorilor minoritari, e
-
n regiunea neutr p la echilibru
p
n
0
concentraia

purttorilor minoritari, golurile, n regiunea neutr n la
echilibru
n
e
e
-
n exces la zona de separaie dintre regiunea de trecere i regiunea
neutr n
e
<n
n0

p
e
golurile n exces la zona de separaie dintre regiunea de trecere i regiunea
neutr
L
p
,L
n
lungimile de difuzie a e
-
, respectiv golurilor
n condiiile ipotezei fcute, e
-
vor difuza din regiunea n spre regiunea p i
golurile vor difuza dinspre p spre n. La marginile zonei de trecere aceti purttori
l
0
0
p
p
n
p
0
0
n
n
p
n
n
e

p
e

l
p
l
n

L
p
L
n

6
ating valorile n exces n
e
,p
e
. Ca urmare a procesului de difuzie purttorii n exces n
zonele neutre se recombin cu purttorii majoritari din aceste regiuni dup o lege
exponenial, putndu-se considera c procesul de recombinare este ncheiat dac
ducem tg la curb n punctul respectiv.
D
n
,D
p
constante de difuzie
,
n
,,
p
timpii de via a golurilor, respectiv e
-

Determinarea limii reduse a zonei de trecere putem considera densitile de
cureni n aceste zone ca fiind constante. n zona de trecere distribuia purttorilor de
sarcin urmeaz o lege exponenial:
V
T
=25 mV(28 grade Celsius)
Concentraia n exces a golurilor:


Se poate calcula curentul ce se stabilete prin jonciune pornind de la
densitile de cureni, de goluri, respectiv e
-
.
j
p
densitatea de curent corespunztoare golurilor n regiunea l
n
a zonei de
trecere. Expresia j
p
funcie de constanta de difuzie i sarcina elementar:

j
n
densitatea de curent corespunztoare e
-
n regiunea l
p
a zonei de trecere


p p
D
p
L , =
n n
D
n
L , =
)
) (
exp(
0
) (
T
V
A
V x V
p
p x p

=
) exp( )
0
exp(
0
)
0
exp(
0
) (
T
V
A
V
T
V
V
p
p
T
V
A
V V
p
p
n
l p
e
p =

= =
0
)
0
exp(
0
n
p
T
V
V
p
p = ) exp(
0
T
V
A
V
n
p
e
p =
0
)
0
exp(
0
p
n
T
V
V
n
n = ) exp(
0
T
V
A
V
p
n
e
n =
)
0
( ) (
n
p
e
p
p
L
p
qD
n
l
p
j =
)
0
( ) (
p
n
e
n
n
L
n
qD
p
l
n
j =
)] ( ) ( [
p
l
n
j
n
l
p
j
j
A
A
I + =
) 1 )(exp
0 0
( + =
T
V
A
V
n
L
p
n
n
D
p
L
n
p
p
D
j
qA
A
I
)
0 0
(
n
L
p
n
n
D
p
L
n
p
p
D
j
qA
S
I + =
] 1 ) [exp( =
T
V
A
V
S
I
A
I
7












n cadranul I V
A
>>V
T

n cadranul II V
A
<0

Comportarea jonciunii p-n la tensiuni inverse mari.
















n cazul polarizrii inverse a jonciunii p-n cmpul intern care este de acelai
sens cu cmpul extern aplicat acesta este ntrit foarte mult. Prezena unui asemenea
cmp smulge e
-
din structurile lor i n drumul lor se ciocnesc cu alte particule. Pentru
anumite valori ale cmpului aplicat procesul se desfoar n avalan, curentul invers
crete dei tensiunea rmne constant. Tensiunea de la care se produce tensiune de
strpungere.
I II
I
A

V
A

III
IV
1 exp >>
T
V
A
V
T
V
A
V
S
I
A
I exp =
1 exp <<
T
V
A
V
S
I
A
I =
I
A

V
A

I
inv

V
inv

s
MI
inv
I =
n
str
V
inv
V
M
) ( 1
1

=
8
V
inv
=V
str
. Curentul poate crete nelimitat de mult i dispozitivul poate fi
deteriorat.
Dac se realizeaz o dopare foarte puternic a jonciunii semiconductorului
limea zonei de trecere se ngusteaz foarte mult. Limea de difuzie a purttorilor de
sarcin devine mai mare dect lungimea zonei de trecere. Purttorii de sarcin nu vor
mai ciocni alte particule Efectul Zenner.
Strpungerea care are loc nu mai este una distructiv. Cmpul electric este
foarte mare, astfel nct smulge e
-
, contribuind la creterea curentului invers. n acest
caz nu mai avem multiplicare n avalan deoarece purttorii respectivi de sarcin nu
mai ntlnesc alte particule n zona de trecere.





















DCE 3

Un amplificator ideal este amplificatorul care nu depinde de parametrii externi. Vom discuta
asupra schemei urmtoare:
n figura 1(a) avem reprezentat un amplificator folosind elementele de cuadripol Z
S

impedan de ieire i este egal cu: 1/Y
S
; Z
s
=1/Y
S
. n punctele 1 i 1 amplificatorul poate fi atacat fie
n curent, folosind n acest scop I
g
din figura 1(b) cu admitan Y
g
intern, fie n tensiune folosind
generatorul de tensiune u
g
cu rezistena intern R
g
din 1(c). Ieirea poate fi n tensiune, avnd ca sarcin
impedana Z
S
sau o rezisten R
S
sau n curent, cnd avem o admitan Y
S
. Amplificatorul este
caracterizat de o amplificare proprie, notat cu A
u
sau A
I
sau A
y
sau A
z
. n funcie de parametrii externi
ai amplificatorului vom putea scrie:
Amplificarea transadmitan A
Y
=I
2
/U
1
;
Amplificarea transimpedan proprie A
Yg
=I
2
/u
g
;
Amplificarea transimpedan A
Z
=u
2
/I
1
; A
Zg
=u
2
/I
g

Folosind 1(c) i considernd c la intrare avem atac n tensiune:
u
2
=-I
2
Z
2
; A
y
=I
2
/u
g
=u
2
/(Z
S
u
g
); A
u
=u
2
/u
g
=-Z
g
A
Yg

Acest exemplu demonstreaz posibilitatea de a transforma un amplificator transadmitan ntr-un
amplificator de tensiune, valabil numai n cazul amplificatorului ideal.
n cazul amplificatoarelor reale intervin ca factori perturbatori rezistena generatorului i
admitana de sarcin.
Pentru a stabili influena acestor parametrii vom folosi schema din figura 2 care utilizeaz
parametrii h sau hibrizi de cuadripol.
Cazul prezentat n figura 2 este un amplificator real despre care putem spune c nu amplific
unilateral. Circuitul de intrare este influenat de circuitul de ieire, parametrul h
12
u
2
, identic circuitul de
intrare influeneaz parametrul h
21
I
1
. Amplificatoarele ideale sunt unilaterale, amplificarea se face
ntr-un singur sens dinspre intrare spre ieire. Analiza amplificatorului se poate face cu parametrii
hibrizi h, parametrii Giacolleto g, sau folosind parametrii de semnal mic ai dispozitivului activ.
Deci amplificatorul din figura 2 reprezint schema interna a unui tranzistor de semnal mic.
Vom considera dou amplificatoare atacate n tensiune i dispuse ca n figura 3.

g
I
I
g
I
A
I
I
I
A
g
u
u
g
u
A
u
u
u
A
2
;
1
2
;
2
;
1
2

Privind circuitul dinspre ieirea primului amplificator spre intrare putem scrie:
Identic putem scrie: scopul urmrit fiind acela de a factoriza toi parametrii astfel nct funcia de
transfer global s ne permit determinarea cu precizie a rdcinilor polinoamelor de la numitor i
numrtor. Funcia de transfer este foarte utilizat n cazul amplificrii, n cazul unui etaj real,
impedana de intrare a primului etaj depinde de sarcina de ieire adic de impedana de intrare a
etajului 2. n acest scop pentru a elimina eventualele nepotriviri de impedan se utilizeaz etaje
adaptoare de impedan. n cazul etajelor ideale nu apar astfel de probleme deoarece etajul este
unilateral.
Considerm un amplificator unilateral de tensiune ideal cu schema din figura 4.
PP Z
S
=R
S
;
Condiiile de existen pentru un amplificator ideal de tensiune sunt: R
in
i R
S
0.
n cazul unui amplificator real R
in
>>R
g
iar R
S
>>R
ies
. Caracteristicile R
ies
= f(U
ies
) sunt date de figura 5.
n practic aceste caracteristici nu exist. n figura 6 este reprezentat dispozitivul care realizeaz aceste
caracteristici.
in
Z
g
Z
in
Z
u
A
g
u
u
u
u
g
u
u
A

2 , 1
1
2 , 1 2 , 1
11
) , , (
2
in
R
S
R
u
A
ug
A
ug
A
ies
R
S
R
S
R
i
R
g
R
in
R
u
A
g
u
u
ug
A

Conform circuitului din figura 7 putem calcula influena intrrii asupra ieirii atunci cnd n circuit
apare un element de reacie, n cazul nostru condensatorul C
1
.
Datorit acestui condensator apare urmtoarea relaie:
Relaia (7) poart numele de efect Miller sau efect de feedback. Considerm nc un amplificator atacat
n curent cu ieirea n curent, figura 8.
Facem convenia: Z
g
=1/Y
g
=R
g
: Z
S
=1/Y
S
=R
S
aceast convenie ne permite calcularea mai facil a
amplificrii.
Unde: A
Io
reprezint factor de amplificare n curent pentru R
S
=0 sau ieirea n scurtcircuit. Condiie ca
amplificatorul s fie ideal este: R
in
0 R
ies
.
ntr-un amplificator ideal de curent vom condiiile: R
in
<<R
g
i R
ies
>>R
s
. Caracteristicile ideale sunt
date n figura 9.

) 7 ( ) 1 ( ;
1
) 1 (
1 1
);
2 1
(
1 1

u
A C
e
C
dt
du
u
A C i u u
dt
d
C i
) 8 (
2
in
R g
R
g
R
S
R
ies
R
ies
R
Io
A
g
I
I
I
A

Practic aceste caracteristici nu exist. Un eventual dispozitiv care poate realiza acest lucru este dat n
figura 10.
Dac avem un amplificator atacat la intrare n tensiune i cu ieirea n curent acest amplificator va purta
numele de amplificator transadmitan. Acest amplificator este prezentat n figura 11.


Condiia ca un amplificator s fie amplificator transadmitan ideal este:
R
in
i R
ies
.
Cazul real al unui amplificator transadmitan:
R
in
>>R
g
i R
ies
>>R
S
. Un dispozitiv ideal care ar putea ndeplini aceste condiii este dat n figura 12.
Un amplificator atacat n curent i cu ieirea n tensiune este reprezentat n figura 13.
Acest amplificator se numete amplificator transimpedan sau transrezisten.
S
R
ies
R
ies
R
g
R
in
R
in
R
Gu
A
g
u
I
G
A

2
A
Zo
reprezint amplificarea etajului n cazul n care R
S
. Pentru ca montajul s fie ideal trebuie
satisfcute urmtoarele condiii: R
in
0 i R
ies
0.







in
R
g
R
g
R
ies
R
S
R
S
R
Zo
A
g
I
u
Z
A

2
1
Curs 4
Tranzistorul
Dispozitivul electronic format dintr-un monocristal semiconductor care are trei regiuni al cror tip de
conducie alterneaz formnd dou jonciuni foarte apropiate se numete tranzistor. Regiunile extreme,
cu acelai tip de conducie se numesc emitor, E i respectiv colector C, iar regiunea median se
numete baz. Conducie i simbolurile pentru cele dou tipuri posibile(p-n-p, respectiv n-p-n) sunt
prezentate n figura 1:
O parte din golurile injectate n baz de emitor ncep s se recombine cu electronii din baz care
formeaz curentul(de e
-
) I
Bn
.
Aici intervine ns fenomenul esenial n tranzistor. Jonciunea baz-colector polarizat invers prezint
un cmp intern puternic E
i
( de la baz la colector care mpinge imediat golurile n foarte mare proporie
spre colector. ntr-adevr, golurile fiind purttori minoritari n baz sunt antrenate prin jonciunea baz-
colector de cmpul intern E
i
spre colector, dnd natere curentului I
Cp
, De asemenea, purttorii
minoritari din colector, e
-
, sunt antrenai de acelai cmp E
i
prin jonciune, n baz, unde se recombin
cu goluri, formnd curentul cu intensitatea I
Cn
. Deoarece concentraia purttorilor minoritari n colector
este foarte mic i intensitatea curentului I
Cn
este foarte mic, principalul curent de colector fiind un
curent de goluri cu intensitatea I
Cp
. Din analiza de mai sus, se vede c ntr-un tranzistor p-n-p
principalul curent este un curent de goluri , creat de fluxul de goluri injectate din emitor n baz, de
unde sunt preluate, aproape n ntregime de cmpul E
i
spre colector. Este evident c ntr-un tranzistor
n-p-n curentul principal prin dispozitiv va fi un curent de e
-
(injectai din emitor n baz).
Pentru funcionare normal,
jonciunea baz-emitor se
polarizeaz direct, iar
jonciune baz-colector se
polarizeaz invers. Astfel la
un tranzistor de tip p-n-p acest
lucru se poate realiza prin
conectarea unei surse de
tensiune ntre baz i emitor
cu plusul pe emitor i a altei
surse ntre colector i baz cu
minusul pe colector, figura 2.
Vom explica n continuare fenomenul fundamental care se petrece n
acest dispozitiv: intensitatea curentului n colector este aproape tot
att de mare ct i cea din emitor i relativ independent de tensiunea
baz-colector, figura 3. De asemenea, intensitatea acestor doi cureni
este practic proporional cu intensitatea curentului n baz. n
jonciunea baz-emitor, polarizat direct, trece un curent important de
purttori majoritari, I
E
. Astfel, golurile, majoritare n regiunea
emitorului trec prin jonciune n baz, formnd curentul I
Bp
, electronii
majoritari n baz trec n emitor, o parte din ei recombinndu-se cu
golurile, formnd curentul I
En
.
n baz ptrunde deci curentul de goluri din
emitor cu intensitatea I
Bp
=I
E
-I
En
.
Practic prin construcia tranzistorilor
regiunea emitorului este dopat mult mai
puternic dect cea a bazei, deci I
Ep
>>I
Bn
, iar
aceasta mai puternic dect colectorul.
Concentraia purttorilor majoritari din baz
care dau componenta I
En
, fiind mult mai
mic dect concentraia purttorilor
majoritari din emitor rezult I
En
<<I
Ep
i deci
) (
Ep
I
E
I
Bp
I
n concluzie, fcnd bilanul curenilor prin cele dou
jonciuni, rezult c:
Cp
I
Cn
I
Bn
I
En
I
Ep
I
2
Vom introduce notaiile:
I
Ep
=I
E
I
En
+I
Bn
=I
B
I
Cn
+I
Cp
=I
C
Cu aceste notaii vom putea scrie: I
E
=I
B
+I
C
. Aceast ecuaie reprezint ecuaia fundamental a
tranzistorului cu jonciuni. Deoarece I
En
<<I
E
i I
Bn
<<I
E
, rezult I
B
<<I
E
, deci
sau I
C
=I
E
.
Constanta de proporionalitate se numete factor de amplificare n curent i are valori apropiate de
unitate, fiind cuprinse, n general ntre 0,96 i 0,998. Caracteristicile statice ale tranzistorului n aceast
configuraie , BC(baza comun att pentru circuitul de intrare, ct i pentru cel de ieire sunt prezentate
n figura 4.
n cadranul I s-a figurat caracteristica de ieire I
C
=f(E
CB
)|I
E
=constant. Dup cum s-a artat curentul de
colector este foarte apropriat de cel din emitor i ncepnd de la o anumit valoare suficient a tensiunii
E
CB
(care s antreneze cea mai mare parte a golurilor din baz spre colector, nu depinde de aceast
tensiune.
n cadranul III s-a figurat caracteristica de intrare I
E
=f(E
EB
)|E
CB
=constant. Jonciune de intrare, E-B
fiind polarizat direct, se observ dependena exponenial a curentului de emitor de tensiunea dintre
emitor i baz(ca la o jonciune p-n). Totui, datorit imediatei vecinti a jonciunii colector-baz,
tensiunea la bornele acesteia va influena i ea, slab, curentul de emitor, astfel nct i caracteristica de
intrare devine o familie de curbe cu parametrul E
CB
.
n cadranul II s-a figurat caracteristica de transfer direct I
C
=f(I
E
)|E
CB
=constant. Se observ o
dependen liniar, de pant apropiat de unitate, dup cum rezult din relaia fundamental I
C
=I
E
.
Exist totui, cum s-a artat o foarte slab dependen a curentului de colector i de tensiunea
colector-baz, prin intermediul factorului din relaia precedent.
n cadranul IV s-a figurat caracteristica de transfer invers( de la colector la emitor), adic
E
BE
=f(E
CB
)|I
E
=constant. Datorit apropierii fizice a celor dou jonciuni, tensiunea de polarizare a
jonciunii baz-colector influeneaz foarte slab cderea de tensiune pe jonciunea emitor-baz. Panta
dreptelor care exprim aceast dependen este foarte mic i de cele mai multe ori acest efect se
neglijeaz.
Existena relaiei de proporionalitate ntre curentul de emitor i cel de colector determin
proporionalitate ntre curentul de baz i cel de colector. ntr-adevr din relaiile:
I
C
=I
E
i I
E
=I
C
+I
B
rezult c I
C
=(I
C
+I
B
) I
C
(1-)=I
B

Factorul de proporionalitate pentru cuprins ntre 0,96 i 0,998 ia valori ntre 25 i 500. Rezult c
I
C
este direct proporional cu I
B
fiind de zeci sau sute de ori mai mare. Astfel, dac se introduce un
semnal sub form de curent n baz, el apare n circuitul de colector amplificat de ori. Emitorul va fi
C E
I I
B
I
B
I
C
I

1
3
n acest caz comun att circuitului de intrare(baz-emitor) ct i celui de ieire(baz-colector), de aceea
factorul se mai numete factor de amplificare n curent, n configuraia EC, emitor comun.
O schem posibil de polarizarea tranzistorului n aceast configuraie este prezentat n figura 5.
n afar de amplificarea n curent existent la configuraia cu emitorul comun, la ambele configuraii se
poate obine i o amplificare n tensiune. Pentru aceasta se nseriaz cu colectorul o rezisten numit
rezisten de sarcin, figura 5, la bornele creia se va culege semnalul de ieire sub forma unor variaii
de tensiune. Aceast rezisten reduce tensiunea de polarizare a colectorului, dar atta timp ct acesta
rmne negativ fa de baz curentul din colector practic nu este influenat. Pentru tensiuni de colector
uzuale de 5-25V i cureni de colector de ordinul mA, rezistena de sarcin poate lua valori ntre 1 i 20
k.
Impedana de intrare este impedana jonciunii polarizate direct emitor-baz.
Evident, conform I
C
=I
E
, vor aprea variaii ale intensitii curentului de colector.
Variaia intensitii curentului n colector i deci i rin rezistena de sarcin provoac variaii ale cderii
de tensiune la bornele acesteia: U
o
=R
S
I
C

Definim amplificarea n tensiune ca raportul dintre variaia tensiunii la ieire i variaia tensiunii la
intrare, rezult:
Deoarece R
S
>>Z
i
, rezult c A
U
>>1. Uzual A
U
este cuprins ntre 10 i 200. n general se poate scrie:
unde A
i
este amplificarea n curent a circuitului electronic. ntr-adevr, un calcul similar arat c,
pentru configuraia cu emitorul comun, amplificarea n tensiune este:

fiind cuprins uzual ntre 10 i 200.



Condiia de funcionare normal este ca
E
CE
>>E
BE
, deoarece cu polarizarea din figura
colectorul va fi negativ n raport cu baza
jonciunea baz colector va fi polarizat
invers. De asemenea jonciune baz-emitor
direct, deci sunt ndeplinite condiiile de
polarizare normal a tranzistorului.
Sursa de tensiune de semnal
cu amplitudinea variaiilor
U
i
se nseriaz n circuitul
emitorului, ducnd la
variaia I
E
a intensitii
curentului de emitor
I
E
=U
i
/Z
i
, unde Z
i
este
impedana de intrare a
tranzistorului(50-200 BC)
i
Z
i
U
E
I
C
I


i
Z
i
U
S
R
o
U


i
Z
S
R
i
U
o
U
U
A

i
Z
S
R
i
A
U
A
i
Z
S
R
U
A
1
Curs 6
Regimul termic al tranzistorului bipolar

Parte din puterea preluat de dispozitiv de la surs este degajat sub form de cldur
n mediul ambiant. Aceast putere este transformat n cldur, cu efect de cretere a
temperaturii jonciunii semiconductorului. Aproape ntreaga cldur este localizat la
nivelul regiunii de tranziie a jonciunii respective. n cazul tranzistorului bipolar
avem dou jonciuni i aproape ntreaga tensiune aplicat jonciunii cade pe regiunea
de tranziie. Procesele de nclzire sunt localizate n aceste regiuni.
Dac vom considera jonciunile polarizate cu tensiunile V
EB
, V
CB
curenii fiind
egali, puterea consumat este:

Deoarece v
EB
<<v
CB

Este important ca aceast putere disipat s nu depeasc puterea maxim admis,
specificat pentru ca temperatura jonciunii s nu creasc dincolo de temperatura
maxim admis T
jmax
, pentru Ge T
jmax
= 85 grade Celsius, pentru Si T
jmax
= 150 grade
Celsius. Se poate calcula puterea disipat de un dispozitiv cu o relaie de tipul:
T
a
temperatura mediului ambiant
Rthja rezistena termic jonciune mediu ambiant
[Rthja]=grad Celsius/Watt i este de 100....500 grade Celsius/Watt pentru dispozitive
de mic putere.
n cazul dispozitivelor de putere rezistena este de dou tipuri:
Rth jonciune capsul
Rth capsul - mediu ambiant
Rth jc = 2 grade Celsius/Watt Rth ca = 40 grade Celsius/Watt
n aceste condiii dispozitivele semiconductoare de mic putere sunt de pn la 2 W
pentru Ge i 5 W pentru Si. Temperatura maxim admisibil T
jmax
; i Rth sunt utile
pentru calculul radiatorului ; un element din Al cu o suprafa de radiere ct mai mare
pentru a prelua o cantitate de putere sub form de cldur pentru ca P
D
s nu fie mai
mare dect P
max
admisibil n calcule T
a
= 25 grade Celsius.







Consideraii privind alegerea PSF-ului unui tranzistor bipolar.
Pentru ca un tranzistor s funcioneze n scopul dorit trebuie s utilizm un circuit
electric exterior lui care s asigure polarizarea tranzistorului astfel nct PSF-ul su s
se gseasc n regiunea activ normal.
CB
v
C
i
CB
v
C
i
EB
v
E
i
D
P ~ + =
a j h t R
a
T
j
T
D
P


=
max
max
2

A fost figurat n planul caracteristicilor de ieire domeniul corespunztor regiunii
active normale. Aceast zon este delimitat de o hiperbol de disipaie,
T
Dmax
= i
C
* v
CE
, este delimitat la dreapta de verticala corespunztoare V
CEmax
.
Situarea PSF-ului dincolo de hiperbola de disipaie atrage dup sine distrugerea
dispozitivului iar n cazul n care PSF-ul este la dreapta lui V
CEmax
avem o multiplicare
n avalan a purttorilor de sarcin, rezult c dispozitivul se deterioreaz. Zona
activ normal este limitat superior de orizontala corespunztoare lui i
Cmax
. Plasarea
PSF-ului mai sus dect orizontala corespunztoare lui i
Cmax
nu atrage obligatoriu dup
sine deteriorarea dispozitivului ci cel mai adesea are loc o reducere a performanelor
realizate de dispozitivul respectiv. Se mai observ c n domeniul curenilor mici
ZAN este delimitat de zona de tiere sau blocare. n domeniul tensiunilor mici
delimitarea este produs de zona de separaie.

Circuite polarizate utiliznd dou surse de alimentare.

baz comun

3
emitor comun

I
C
=
F
I
E
+I
CB0


V
EB
- zecimi de V
I
CB0
A
n practic

Circuitul simplu pentru polarizarea tranzistorului bipolar n montaj emitor comun.

+ = + =

= =
C
I
L
R
C
E
BC
V
BC
V
C
I
L
R
C
E
E
R
EB
V
E
E
E
I
E
I
E
R
E
E
EE
E
CB
I
L
R
EE
E
EB
V
E
R
L
R
F
E
E
C
E
CB
I
L
R
EB
V
E
E
E
R
L
R
F C
E
CB
V
0
) 1 (
0
) (

+ > + + = o o
E
R
L
R
F
E
E
C
E
> o
4

E
C
=R
B
I
B
+r
D
(
F
+1)I
B
+V
0



Expresia curentului din colectorul tranzistorului scoate n eviden c sunt prea puine
modaliti pentru a ajusta circuitul astfel nct performanele s fie crescute.
Rezistorul R
L
, tensiunea de alimentare E
C
, curentul I
C
se determin din proprietile
de semnal mic dorite pentru circuitul respectiv. Amplitudinea semnalului de ieire,
lrgimea de band reprezint prea puine posibiliti care s asigure stabilitatea PSF-
ului cu variaia semnalului de lucru pentru tranzistor.

d
r
F
C
I
V
C
E
F
B
R
D
r
F B
R
V
C
E
F
C
I
D
r
F B
R
V
C
E
B
I
) 1 (
)
0
(
) 1 (
) 0
(
) 1 (
0
+

=
+ +

=
+ +

=
|
|
|
|
|
5




(1) E
C
=R
B
I
B
+V
BE
~R
B
I
B

(2) E
C
=R
L
I
C
+V
BC

(1) Putem gsi PSF-ul n planul caracteristicilor de intrare la intersecia ntre
caracteristica corespunztoare lui V
CE
, impus i treapta de pant 1/R
B
, aceast
treapt este aproximativ orizontal i cum aceste caracteristici acoper un evantai
ngust, rezult c putem considera cu suficient precizie caracteristica
corespunztoare lui V
CE
impus ca fiind cea dat de condiia V
CE
=E
C
/2 cnd
amplitudinea semnalului de la ieire este de valoare maxim.
(2) Ecuaia dreptei de sarcin a circuitului 1, corespunde 1 corespunde lui (0,E
C
/R
L
),
(E
C
,0).
PSF-ul n planul caracteristicilor de ieire se va gsi la intersecia acestei drepte cu
caracteristica avnd drept parametru circuitul n baz anterior determinat. Dei acest
circuit nu asigur o stabilitate a PSF-ului ntr-o plaj de temperatur real el este util
atunci cnd T
a
nu sufer modificri , iar P
D
sunt mici. Pentru asigurarea stabilitii
PSF-ului se procedeaz la a utiliza fie elemente liniare, fie elemente neliniare. n
cazul elementelor liniare circuitul obine cvasistabilitatea PSF-ului att n raport cu
variaia de temperatur ct i n raport cu dispersia de fabricaie a elementelor active,
tranzistoare. n cazul elementelor neliniare, diode, termistoare circuitul obine un cu
real stabilitatea PSF-ului n raport cu dispersia de fabricaie, n schimb solicit
precauii suplimentare pentru mperecherea corespunztoare a elementelor de circuit.


Circuit practic pentru polarizarea tranzistorului bipolar n montaj emitor
comun.
Circuitul simplu anterior prezentat asigur curentul continuu DC, necesar polarizrii
prin intermediul unui rezistor conectat n baza tranzistorului, botezat rezistor de
polarizare. Lucrurile se amelioreaz simitor dac asigurm DC necesar n baz prin
intermediul unui rezistor diviziv i n plus dispunem n emitorul tranzistorului un
rezistor care s asigure reacia negativ de curent necesar stabilizrii PSF-ului.
Schema devine.
6






n schema echivalent divizorul rezistiv de la intrare a fost modelat prin sursa de
tensiune Thevenin. E
B
=E
C
R
2
/(R
1
+R
2
). i rezistorul echivalent R
B
=R
1
||R
2
. Rezistorul
din emitor R
E
are dispus n paralel un condensator C
E
care constitue o cale de
impedan minim pentru eventualele semnale mici prezente n emitorul
tranzistorului(aceste semnale sunt scurtcircuitate la mas).
n DC condensatorul respectiv apare ca un ntreruptor deschis(nu intervine n
discuie). Circuitul echivalent reprezint similitudinea cu cel ntlnit la circuitul
simplu de polarizare. Rezult c putem scrie curentul prin colector printr-o relaie:
7
Putem dimensiona R
B
=
F
(E
B
-V
0
)/I
C
-(
F
+1)(r
d
+R
E
).
Expresia circuitului din colector conine 2 parametri ai tranzistorului care depind de
temperatur
F
i V
0
. Am putea elimina
F
dac am alege R
B
suficient de mic i R
E

suficient de mare astfel nct (
F
+1)(r
d
+R
E
) s domine numitorul. De unde rezult c

F
s-ar simplifica. De asemenea E
B
poate fi ales suficient de mare astfel nct
variaiile lui V
0
cu temperatura s fie neglijabile. n realitate R
E
nu poate fi ales orict
de mare deoarece un R
E
mare realizeaz o reducere a tensiunii disponibile pentru
rezistena de sarcin, adic influeneaz drastic amplitudinea semnalului de la ieire.
R
B
nu poate fi ales suficient de mic deoarece unteaz la mas semnalul mic util din
baza tranzistorului.
E
B
nu poate fi fcut orict de mare deoarece are o limit superioar pe care nu o poate
depi i anume E
C
. Din aceste considerente n practic pentru dimensionarea
circuitului se parcurg urmtoarele etape:
(1) se adopt pentru cderea de tensiune pe R
E
o valoare de 3-4 V i din aceast
condiie se dimensioneaz rezistorul R
E
.
(2) pentru o a doua etap se adopt pentru rezistena n baz o valoare de aproximativ
R
B
=~10*R
E
. Pentru tranzistorul
F
=100 alegerea acestei valori are ca efect c
eventualele variaii sunt reprimate de 10 ori fa de situaia n care am fi ales un
circuit cu R
E
=0.
E
B
=R
B
*I
B
+(
F
+1)(r
d
+R
E
)+V
0
;
(3) Dac nu avem toate elementele necesare de calcul
I
B
=I
C
/
F
; V
0
=~0,6V pentru tranzistorul cu Si
(4) Pornind de la ecuaiile 1 i 2 putem gsi valoarea rezistenei R
1
=R
B
*R
C
/E
B

R
2
=R
1
*R
B
/(R
1
-R
B
)




) )( 1 (
)
0
(
E
R
d
r
F B
R
V
B
E
F
C
I
+ + +

=
|
|
] [
] [
] [ 4 ... 3
) 4 ... 3 ( O = = ~ k
E
R
mA
C
I
V
E
R V
C
I
E
R
E
I
E
R
1
Cursul 7
Polarizarea tranzistoarelor cu Ge.
La tranzistorului cu Ge apare un al treilea parametru puternic dependent de
temperatur :curentul rezidual de colector.

F
, respectiv V
0
au o dependen aproximativ liniar cu temperatura, curentul rezidual
de colector I
CB0
are o dependen exponenial cu temperatura. Exemplu:
I
CB0
=1A la 25 grade Celsius, ajungnd la 60A la 85 grade Celsius. Din aceast
cauz modelul utilizat pentru tranzistori cu Ge trebuie s in seama de curentul
rezidual de colector.
Pentru curentul din colector: I
C
=
F
*I
B
- (
F
+1)I
CB0

O soluie de polarizare care menine curentul din baza tranzistorului constant se
dovedete a fi neoperabil deoarece curentul din colector este puternic afectat de
dependena exponenial cu temperatura a I
CB0
. Soluia de polarizare pentru aceste
tranzistoare este cu divizor rezistiv la intrarea tranzistorului i reacii serie de curent n
emitorul acestuia.


Schema pentru analiza n curent continuu devine:
2
Alegnd un sens de parcurgere n ochiul de la intrare:
E
B
=R
B
I
B
+(
F
+1)(r
d
+R
E
)I
B
-(
F
+1)(r
d
+R
E
)I
CB0
+V
0

rd<<RE => E
B
=[R
B
+(
F
+1)R
E
]I
B
-(
F
+1)R
E
I
CB0
+V
0


I
C
=[
F
(E
B
-V
0
)+
F
(
F
+1)R
B
I
CB0
-(
F
+1)R
B
I
CB0
-
F
(
F
+1)R
E
I
CB0
-(
F
+1)R
E
I
CB0
]/[R
B
+(
F
+1)R
E
]

Procedee neliniare pentru stabilizarea PSF-ului
Cele mai frecvent utilizate metode apeleaz la o diod polarizat invers, dispus n
baza tranzistorului sau la un termistor.
n cazul circuitului care nu utilizeaz dioda dispus n baza tranzistorului, I
CB0
este
dirijat spre masa montajului prin jonciunea emitorului deoarece rezistena prezentat
de aceast jonciune este mult mai mic dect rezistena ce apare n baza tranzistorului.
Dac utilizm o diod polarizat invers i dispus n baza tranzistorului se poate
observa c curentul invers al acesteia se nchide prin jonciunea emitorului n sens
invers I
CB0
i dac alegem n mod corespunztor dioda astfel nct curentul invers al
diodei s fie egal cu I
CB0
putem realiza o compensare a acestuia. De observat cum I
CB0

influeneaz puternic curentul din colector n lipsa unui semnal n baza tranzistorului:
R
B
=, I
C
=(
F
+1)I
CB0
Dac dioda este selectat corespunztor I
CB0
=I
inv
al diodei, atunci I
CB0
se va nchide la
masa montajului nu prin jonciunea colectorului ci prin diod. Rezistorul R
E
din
0
) 1 (
) 1 (
0
) 1 ( )
0
(
0
) 1 (
) 1 (
0
) 1 (
0
CB
I
F
E
R
F B
R
CB
I
E
R
F F
V
B
E
F
C
I
CB
I
F B
I
F C
I
E
R
F B
R
CB
I
E
R
F
V
B
E
B
I +
+ +
+ +
= + =
+ +
+ +
= |
|
| | |
| |
|
|
E
R
F B
R
CB
I
B
R
E
R
F
V
B
E
F
C
I
) 1 (
0
) )( 1 ( )
0
(
+ +
+ +
=
|
| |
3
emitorul tranzistorului are rolul de a stabiliza factorul de ctig direct n curent
F
cu
modificarea de temperatur i n plus, pentru alegerea lui R
E
corespunztor se obine
un potenial ridicat n baza tranzistorului, astfel nct dioda respectiv s fie polarizat
invers.
A doua soluie apeleaz la termistoare.
n schem divizorul R
2
este nlocuit cu un termistor R
T
(NiO,MgO, PaO) au
proprietatea c i reduc rezistena cu creterea de temperatur. n lipsa lui R
T
o
modificare a temperaturii atrage dup sine creterea I
CB0
i deci nu mai este asigurat
stabilitatea PSF-ului, n prezena R
T
, la modificarea temperaturii, rezistena acesteia se
reduce, rezult c potenialul aplicat n baza tranzistorului se reduce, rezult c scade
curentul din baza tranzistorului i implicit scade i curentul din colectorul
tranzistorului. Se asigur astfel stabilitatea PSF-ului.
Pentru R
E
din emitor se alege o valoare mai mic dect n cazul circuitului la care
stabilizarea se asigur numai prin reacia serie de curent. Aceast metod asigur
stabilitatea numai n raport cu dispersia tehnologic a tranzistorului, i n acelai timp
alegnd o valoare mai mare pentru R
E
putem alege un termistor cu o rezisten mai
ridicat n raport cu rezistena de intrare a tranzistorului.

Cerine de polarizare pentru tranzistoarele bipolare n montaj colector
comun, respectiv baz comun.

n colector comun, colectorul este comun att pentru circuitul de intrare ct i
pentru cel de ieire.

4





Rezistorul de sarcin este dispus n emitorul tranzistorului, semnalul de intrare
aplicndu-se n baza acestuia, iar cel de ieire n se culege din emitorul acestuia.
o cretere a curentului din baza tranzistorului determin o cretere a curentului n
emitorul acestuia, i cum tensiunea de ieire este produsul dintre R
L
i curentul din
emitor, rezult c tensiunea de ieire este n faz cu tensiunea de intrare. Cerinele de
polarizare pentru ca tranzistorul s funcioneze n regiunea activ normal impun ca
jonciunea emitorului s fie polarizat direct, iar a colectorului invers.
Soluia cea mai simpl:


ntre cureni avem o relaie: I
E
=(
F
+1)I
B
, aplicnd teorema II a lui Kirkoff pentru
ochiul din colectorul tranzistorului, avem
E
C
=V
CE
+R
L
I
E

Pentru ochiul din baz avem
E
C
=R
B
I
B
+U
BEsat
+R
L
I
E
Din expresia teoremei II a lui Kirkoff pentru ochiul colectorului
Atunci cnd se dorete a se obine pentru semnalul de la ieire o amplitudine maxim
tensiunea colector - emitor este egal cu jumtate din tensiunea de alimentare a
montajului. V
CE
=V
CEq
=E
C
/2. R
L
=E
C
/2*I
C
. Pentru dimensionarea rezistenei din baza
tranzistorului putem utiliza expresia dat de teorema a doua a lui Kirkoff pentru
ochiul bazei:
n aceleai condiii de amplitudine maxim a semnalului de ieire.

L
R
F B
R
BEsat
V
C
E
B
I
B
I
F E
I
) 1 (
) 1 (
+ +

= + =
|
|
C
I
CD
V
C
E
L
R

=
;
B
I
BEsat
V
E
I
L
R
C
E
B
R

=
2
C
E
E
I
L
R =
B
I
BEsat
V
C
E
B
R

=
2
de unde rezult
5
n cazul montajului baz comun semnalul de intrare este aplicat n emitorul
tranzistorului i cel de ieire cules n colectorul acestuia.
Polarizarea bazei este asigurat prin RB, condensatorul CB(cale de impedan minim
pentru eventualele semnale de AC prezente n baza tranzistorului). La o cretere a
curentului prin emitor rezult o cretere a curentului n colector, de unde rezult c
semnalul de la ieire este n faz cu cel de la intrare. O schem simpl de polarizare:
Conform teoremei II a lui Kirkoff avem: E
C
=R
L
*I
C
+V
CE
+R
E
*I
E
,
F
>>1, I
E
=~I
C
de
unde rezult c E
C
=I
C
(R
L
+R
E
)+V
CE
.
Aplicnd teorema II a lui Kirkoff pentru ochiul din baza tranzistorului obinem:
E
C
=R
B
*I
B
+V
BEsat
+R
E
*I
E
, I
E
=(
F
+1)I
B
; E
C
=R
B
I
B
+V
BEsat
+R
E
(
F
+1)I
B
, de unde rezult
Circuite echivalente de cuadripol.
Dac variaiile de semnal la terminalele unui tranzistor sunt relativ mici astfel
nct caracteristicile tranzistorului n jurul PSF-ului se pot aproxima prin linii drepte
atunci tranzistorul poate fi modelat pentru analiza n curent alternativ printr-un
cuadripol liniar activ cu o born comun att circuitului de intrare ct i celui de
ieire.
La bornele cuadripolului avem 4 mrimi, cte un curent i o tensiune att pentru
circuitul de intrare ct i pentru cel de ieire. Cele 4 variabile pot fi msurate i
definite matematic, fiecare dintre ele, funcie de celelalte, V
in
=f(I
in
,V
out
),
I
out
=f(I
in
,V
out
). Sunt suficiente aceste dou funcii pentru a obine un circuit, circuitul
hibrid. Exist n fapt 6 modaliti de a alege variabilele independente. Rezult 6
sisteme de ecuaii, fiecare este caracterizat de 4 parametrii, numii parametrii de
cuadripol, cel mai frecvent utilizat fiind sistemul hibrid:
V
in
=f
1
(I
in
,V
out
), I
out
=f
2
(I
in
,V
out
).
Pentru a nelege comportarea circuitului n curent alternativ, respectiv a Black Box-
ului, trebuie s difereniem aceste ecuaii.
E
R
F B
R
BEsat
V
C
E
B
I
) 1 ( + +

=
|
6
dV
in
=V
in
=v
in
dV
out
=V
out
=v
out

dV
in
=I
in
=i
in
dI
out
=I
out
=i
out



Derivatele pariale care apar drept coeficieni au urmtoarele semnificaii:


h
11
rezistena de intrare a tranzistorului
h
12
tensiunea de reacie invers
h
21
ctig direct n curent
h
22
conductan de ieire
v
in
=h
11
i
in
+h
12
v
out

i
out
=h
21
i
in
+h
22
v
out









out
dV
out
V
f
in
dI
in
I
f
out
dI
out
dV
out
V
f
in
dI
in
I
f
in
dV
c
c
+
c
c
=
c
c
+
c
c
=
2 2 1 1

c
c
+
c
c
=
c
c
+
c
c
=
out
v
out
V
f
in
i
in
I
f
out
i
out
v
out
V
f
in
i
in
I
f
in
v
2 2
1 1
Siemens te condunc unei ensiunea are
out
V
out
I
out
V
f
ensional a este
in
I
out
I
in
I
f
ensional a este
out
V
in
V
out
V
f
rezistente unei ensiunea are
in
I
in
V
in
I
f
tan dim
2
dim
2
dim
1
dim
c
c
=
c
c
c
c
=
c
c
c
c
=
c
c
c
c
=
c
c
22 21
12 11
h
out
V
out
I
h
in
I
out
I
h
out
V
in
V
h
in
I
in
V
=
c
c
=
c
c
=
c
c
=
c
c
Cursul 8

Circuitul de intrare se comport asemenea unei surse de tensiune Thevenin. Circuitul
de ieire este o surs de curent Norton. Parametrii hibrizi poi fi msurai prin
msurtori. Pentru v
out
=0, h
11
=v
in
/i
in
, h
21
=i
out
/i
in
. Pentru i
in
=0, h
12
=v
in
/v
out
, h
22
=i
out
/v
out
.
Acest gen de circuit definete comportarea tranzistorului bipolar n raport cu
tensiunile i curenii alternativi.
Modelul de circuit cu sarcin.
Pentru o analiz complet a tranzistorului n curent alternativ trebuie s lum
n considerare existena unei surse de semnal la intrarea circuitului, precum i a unei
rezistene de sarcin pe care acesta debiteaz.
v
in
=V
g
-R
g
i
in

v
out
=-R
L
i
out

Tensiunea culeas pe R
L
este de polaritate negativ datorit sensului curentului prin
acest rezistor.
Se poate determina din (1), (2), (3) i (4) urmtoarele: A
i ,
(amplificare n curent)A
v
,
(amplificare n tensiune) R
in
,(rezisten de intrare) R
out
,(rezisten de ieire) P
g
.(amplificare n putere).

+ =
+ =
out
v h
in
i h
out
i
out
v h
in
i h
in
v
22 21
12 11

=
=
+ =
+ =
) 4 (
) 3 (
) 2 (
22 21
) 1 (
12 11
out
i
L
R
out
v
in
i
g
R
g
V
in
v
out
v h
in
i h
out
i
out
v h
in
i h
in
v
Parametrii hibrizi ai dispozitivului din interiorul cutiei negre nu se modific prin
modificarea rezistenei de sarcin sau a sursei de semnal de la intrare. Rezult c
modificri ale A
i
, A
v
, respectiv R
i
, R
out
, nu nseamn c se modific valorile numerice
ale parametrilor hibrizi h. n practic parametrii hibrizi utilizeaz o alt simbolistic n
care semnificaia indicilor este: i rezisten de intrare, r factor de transfer n
tensiune invers, f factor de ctig n curent direct, o conductan de ieire, iar al
doilea indice reprezint: e montaj emitor comun, b montaj baz comun, c
montaj colector comun. n montaj emitor comun:



i
A
v
A
g
P
L
R h h
h
g
R
out
i
out
v
out
R
L
R h
h
L
hR
in
i
in
v
in
R
L
hR h
L
R h
v
A
h h h h h
L
R h h
L
R h h h
L
R h
v
A
in
v
out
v
v
A
out
v
L
R h
L
R h h
L
R h h h
in
v
out
v h
h
out
v h
L
R
out
v
h
in
v
h
out
v h
L
R
out
v
h
out
v h
out
i
in
i
in
i h
out
v h
out
i
L
R h
h
in
i
out
i
i
A
in
i
L
R h
L
R h
out
i
L
R
in
i h
L
R
L
R h
out
v
in
i h
out
v h
L
R
out
v
out
v h
in
i h
L
R
out
v
L
R
out
v
out
i
=
+ A
+
= =
+ +
+ A
= =
A +
=
= A
+
=
=
+
=
+

=

=

= =
+
= =
= +
= + = + = =
;
22
11
;
1
22
11
11
21
.
21 12 22 11
;
21 12 22 11 11
21
;
21
21 12 22 11 11
12
21
22
11
;
21
22
21
22
;
21 22
1
22
21
21
)
22
1 (
21
)
22
1 ( ;
21 22
;
22 21
;
v
BE
=h
ie
i
B
+h
re
v
CE
; i
C
=h
fe
i
B
+h
oe
v
CE

n situaiile practice cu ct un tranzistor se apropie de condiia ideal factorul de
reacie n tensiune invers este nul, iar rezistena de ieire a tranzistorului este infinit,
circuitul echivalent de cuadripol devine:
n condiia tranzistorului ideal A
i
=h
fe
, A
v
=-(h
fe
*R
L
)/h
ie
, R
in
=h
ie
, R
out
=.
Modelul hibrid.
Pentru frecvene de lucru inferioare la cteva sute de KHz, pentru frecvene
superioare modelul trebuie modificat cu considerarea c factorul de transfer n
tensiune invers este 0.

R
in
(h
ic
) este nlocuit cu rezistena r
b
care apare scurtcircuitat la mas prin paralelul
dintre capacitoarele C
be
i C i rezistorul r
be
, deasemenea generatorul de curent
controlat h
fe
*v
ce
este nlocuit cu generatorul g
m
*v
ce
.
C
be
capacitatea de difuzie proprie jonciunilor polarizate direct. Este determinat de
timpii de ntrziere necesar propagrii purttorilor de sarcin printr-o jonciune
polarizat direct.
C
bc
capacitate de epuizare determinat de suprafeele de epuizare care apar ntr-o
jonciune polarizat invers, n cazul montajului EC capacitatea C este C=C
bc
(1-A
v
).
Avem o bifurcare a curentului de la intrare pe dou ramuri:
1) prin rezistorul r
be

2) prin capacitoarele C
be
i C
Rezult Z
in
=r
be
||(C
be
+C)
Se definete n cazul acestor tranzistoare punctul de 3dB ca cel corespunztor
situaie n care curenii prin cele dou ramuri sunt egali. Se poate determina frecvena
la care este ndeplinit aceast condiie ca: f

=1/[2*r
be
(C
be
+C)].
r
be
=(C
be
+C). De unde rezult f

=1/[2*r
be
(C
be
+C)].
n cataloage se mai gsete frecven produs lrgime band (f
T
), corespunde situaiei
n care ctigul n curent direct este egal cu unitatea.

=
=
B
i
fe
h
C
i
B
i
ie
h
BC
v
) ( 1 C
be
C
be
r j
be
r
in
Z
+ +
=
=
f
T
=h
fe
*f

Observaii privind determinarea parametrilor circuitului echivalent.
Panta tranzistorului g
m
se determin dintr-o relaie de tipul:
Se poate determina rezistena r
be
, r
be
=h
fe
/g
m
r
b
=h
ie
-r
be

r
b
apare ca diferen ntre dou mrimi relativ mari, imprecis de determinat, valoarea
ei depinde de frecven i poate fi neglijat atunci cnd tranzistorul lucreaz la
frecvene joase.
Determinarea parametrilor C
bc
i C
be
.
C
bc
poate fi determinat prin msurarea capacitii ntre electrozii baz i colector ai
tranzistorului, cu emitorul n gol n curent alternativ, la o anumit pulsaie. Practic se
msoar capacitatea de ieire a tranzistorului n conexiune BC, putndu-se observa c
aceast capacitate apare nseriat cu rezistena rb care poate fi neglijat dac la care
se efectueaz msurarea este suficient de joas astfel nct 1/(C
bc
)>>r
b
.
Se poate determina capacitatea C
be
.
Circuitul echivalent al tranzistorului bipolar funcionnd la semnale mici,
Giacoletto.
Obinem curentul n colectorul acestuia prin procesul de difuzie a purttorilor
majoritari din emitorul su.
Dac tranzistorul este de tip PNP, nseamn c el este datorat golurilor ce prsesc
emitorul, iar curentul de difuzie ce apare n colectorul su depinde fundamental de
distribuia purttorilor minoritari n baza tranzistorului, acetia sunt goluri la
tranzistoarele PNP i electroni la tranzistoarele NPN.


C
I
m
g
Celsius grade la mV
q
KT
T
V
V
mA
KT
C
qI
m
g
* 40
25 25
] [
=
= =
=
bc
C
T
f
m
g
be
C =
t 2
n
p
E(x) concentraia purttorilor minoritari (electroni) n regiunea neutr a emitorului
(PNP)
P
n
(x) concentraia purttorilor majoritari, golurile n regiunea neutr a bazei
tranzistorului
n
p
C(x) - concentraia purttorilor minoritari, electroni n regiunea neutr a
colectorului
I
C
curent de difuzie.
Curentul din colector i
c
=A
j
*j
Pd

A
j
aria seciunii transversale
j
Pd
densitatea de curent de suprafa
i
C
=A
j
[-qD
PB
dP
n
(x)/dx]=-A
j
qD
PB
dP
n
(x)/dx
D
PB
constant de difuzie a golurilor
P
n
(x) concentraia purttorilor din baz la adncimea x
lrgimea regiunii neutre a bazei
P
n
(x) surplusul de purttori de sarcin n exces n regiunea neutr a bazei n raport
cu concentraia acestor purttori de la echilibru
P
n
(x)=P
n
(x)-P
n
0.
Distribuia acestor purttori de sarcin n exces n regiunea neutr a bazei este de tip
triunghiular de unde rezult c pentru o ptrundere x P
n
(x)= P
n
0(1-x/W).
Rezult i
C
=-A
j
qD
PB

Ecuaiile Ebers-Moll ce modeleaz tranzistorul bipolar funcionnd n
AC.
Curentul din colector

] 1 ) [exp( 0 ) 0 ( = '
KT
EB
qV
n
P
n
P
] 1 ) [exp(
0
) 0 ( ) (
=
'
=
'
KT
EB
qV
W
n
P
PB
D
j
qA
C
i
W
n
P
PB
D
j
qA
dx
x
n
P d
] 1 ) [exp( ] 1 ) [exp( =
KT
EB
qV
CS
I
KT
EB
qV
ES
I
F C
i o
innd cont c tranzistorul funcioneaz n regiunea activ normal, pentru:
V
EB
>0, V
CB
<0,|V
CB
|>>KT/q




W
n
P
PB
D
J
qA
ES
I
KT
EB
qV
ES
I
C
i
F
KT
EB
qV
ES
I
F C
i
0
]; 1 ) [exp(
1 ]; 1 ) [exp(
=
~
~ ~ o o
Cursul 9
Rezistena de intrare a acestui amplificator este practic R
g
avnd n vedere c aceasta
apare n paralel cu rezistena unei jonciuni poart canal de valoare foarte mare i
paralelul dintre acestea este practic o rezisten apropiat ca valoare de rezistena cea
mai mic. Considerm o configuraie a amplificatorului cu divizor rezistiv pe poart:





Rezistena de intrare a amplificatorului este practic paralelul dintre R
1
i R
2
,
capacitorul C
S
pune la mas semnalele de AC prezente n sursa tranzistorului i se
menioneaz din condiia ca rezistena pentru frecvene joase s reprezinte o zecime
din rezistena chimic a R
S
(rezistena din surs). n circuitul echivalent generatorul de
curent este botezat g
m
*v
gs
care debiteaz pe rezistena de ieire a r
ds
i rezistena R
L
.
Amplificarea n tensiune:
A
v
=v
out
/v
in
, v
in
=v
gs
, v
out
=-i
o
R
L
;
v
out
este defazat cu 180 de grade n raport cu v
in
.
Circuit dren comun de joas frecven
L
R
m
g
v
A
L
R
ds
r
ds
r
L
R
L
R
m
g
v
A
L
R
ds
r
L
R
ds
r
m
g
v
A
gs
v
L
R
ds
r
L
R
ds
r
gs
v
m
g
v
A
L
R
ds
r
ds
r
gs
v
m
g
o
i
~
>>
+
=
+

=
+
=
+
=
1
) (
v
out
este cules pe rezistorul dispus n sursa tranzistorului. Rezistena de intrare a
circuitului poate fi considerat chiar rezistena dispus pe poarta tranzistorului,
R
in
=R
G
se observ deasemenea c ntreaga tensiune de pe circuit este adus napoi la
intrare, de unde rezult c
v
=1 (factor de reacie). Rezistena de ieire a circuitului
este paralelul dintre rezistena de ieire a tranzistorului, r
ds
i rezistorul de surs R
S
.

Amplificarea n tensiune n prezena reaciei:


Modelarea rspunsului la semnal mic pe baza fenomenelor din regiunile neutre.

Se consider ca asupra fluxurilor de polarizare ale celor dou jonciuni se aplic
perturbaiile v
EB
i v
CB
i s evideniem influena lor asupra curenilor din colector,
emitor.
Analizm nite perturbaii de tipul i
C
i i
E
. Considerm variaiile tensiunilor
suficient de mici pentru a putea liniariza dependena puternic neliniar dintre curent i
tensiune de tip exponenial n cazul unei jonciuni deschise. Ne intereseaz acest
comportament n cazul tranzistorului aflat n RAN, adic acolo unde tranzistorul
realizeaz amplificarea. Pentru nceput considerm teorema superpoziiei astfel nct
tensiunea rezultant: v
EB
=V
EB
+v
EB
(1). n regiunea neutr a bazei tranzistorului
S
R
m
g
v
R
vf
R
S
R
m
g
v
A
v
A
v
o
R
vf
R
+
= ~
+
=
1 1 |
S
R
m
g
S
R
m
g
v
A
v
v
A
vf
A
+
=
+
=
1 1 |
distribuia purttorilor de sarcin minoritari n exces este de tip triunghiular i prin
urmare putem considera concentraia purttorilor minoritari n exces n baz la o
adncime de ptrundere x:
Efectul majorrii concentraiei de purttori minoritari n exces n baza neutr a
tranzistorului la marginea dinspre emitor a acestuia, const ntr-o majorare a
curentului din colector.
i
C
=g
m
v
EB
. n schema echivalent acesta se reprezint printr-un generator de curent.
Se mai observ c are loc i o cretere a sarcinii electrice stocate n regiunea neutr a
bazei, sarcin proporional cu aria triunghiului haurat.
q
B
=C
dE
v
EB
. Ca urmare curentul n baz este majorat cu o cantitate dat de aceast
sarcin suplimentar:
C
dE
reprezint capacitatea de difuzie a jonciunii emitorului i este asociat
ncrcrii bazei prin proces de difuzie, proces determinat de purttorii majoritari ce
prsesc jonciunea emitorului. Mai are loc o majorare a curentului din baz cu o
cantitate i
BR
. i
BR
=

v
EB
;

reprezint conductana
EB
v
KT
q
n
P
EB
v
KT
q
KT
EB
qV
n
P
n
P
n
P
KT
EB
qV
n
P
n
P
n
P
EB
v
KT
q
KT
EB
qV
n
P
EB
v
KT
q
KT
EB
qV
n
P
KT
EB
qV
n
P
KT
EB
v q
KT
EB
qV
n
P
n
P
EB
v
KT
q
KT
EB
v q
KT
EB
v q
KT
EB
qV
n
P
KT
EB
v
EB
qV
n
P
n
P
KT
EB
qV
n
P
n
P
bazei a neutra regiune W
W
X
n
P x
n
P
A ' ~ A = ' A
' A + = ' ' A = A
A + =
A
+ = '
A + ~
A

A
=
A +
= '
= '
' = '
) 0 ( ) exp( 0 ) 0 (
) 0 ( ] 1 ) [exp( 0 ) 0 ( ) 0 ( ) exp( 0
) exp( 0 ] 1 ) [exp( 0 ] 1 ) 1 )( [exp( 0 ) 0 (
1 ) exp( ] 1 ) exp( ) [exp( 0 ] 1 ) [exp( 0 ) 0 (
] 1 ) [exp( 0 ) 0 (
) 1 )( 0 ( ) (
dt
EB
v d
dE
C
BQ
i
EB
d
dE
C
dt
d
B
q
dT
d
BQ
i
) (
) ( ) (
A
= A
A = A = A
Parametrii care intervin:
g
m
, C
dE
,

, pot fi determinai pe baza distribuiei triunghiulare a purttorilor

minoritari n exces n baza neutr a tranzistorului.
Influenele exercitate de perturbaiile suprapuse tensiunii de polarizare a tranzistorului
se pot exprima asupra curenilor din tranzistor prin relaii de tipul:
i
C
=g
m
v
EB
, i
B
=i
BQ
+i
BR

F
m
g
g similar
F m
g
dE
C
F
PB
D
W
EB
v
PB
D
W
m
g
B
q
EB
v
PB
D
W
KT
q
C
I
B
q
EB
v
KT
q
PB
D
W
W
n
P
PB
D
j
qA
B
q
EB
v
KT
q
n
P W
j
qA
B
q
n
P W
j
qA
B
q
EB
v
dE
C
B
q
C
I
m
g
T
V
C
I
KT
q
C
I
m
g
EB
v
m
g
EB
v
KT
q
C
I
C
i
EB
v
KT
q
W
n
P
PB
D
j
qA
C
i
EB
v
KT
q
n
P
n
P
W
n
P
PB
D
j
qA
C
i
W
n
P
PB
D
j
qA
C
I
|
t
t
t
= =
=
A
= A
A = A
A
'
= A
A ' = A ' A = A A = A
= = =
A = A = A
A
'
= A
A ' = ' A
' A
= A
'
=
;
2
2
1
2
2
1
2
2
1
2
2
1
) 0 (
) 0 (
2
1
)] 0 (
2
1
[ ;
40
) 0 (
) 0 ( ) 0 (
) 0 (
) 0 (
dt
EB
v d
dE
C
EB
v g
B
i
) (A
+ A = A
t
Comportarea circuitului echivalent la semnal mic trebuie s in cont de capacitile
de barier a celor dou jonciuni: C
BE
, C
BC
.



Tensiunile aplicate din exterior nu cad n ntregime e regiunile de sarcin
spaial. Apare o cdere suplimentar de U, datorat n principal curgerii transversale
a curentului de baz. Ea poate fi asimilat unei rezistene distribuite pe lungimea
activ a bazei tranzistorului.
Polarizarea direct a jonciunii emitorului s fie mai pronun la marginea dinspre
baz a emitorului, rezult o concentrare a curentului la marginea emitorului. Acest
fenomen nu poate fi modelat cu un model unidimensional. Ca urmare se apeleaz la o
rezisten intern R
bb
considernd c avem n plus o baz intern a.
Comportarea circuitului echivalent de semnal mic, innd cont de efectul
Early. v
EB
v
CB
modificarea grosimii bazei, dependena este o funcie de forma W=f(v
CB
) nu
este semnificativ W=f(v
EB
) nu este semnificativ deoarece v
EB
este aproximativ
constant.
Efectul perturbaiei v
CB
se materializeaz printr-o majorare a grosimii regiunii
neutre a bazei, se poate considera c nu am avea o modificarea a grosimii regiunii
neutre ci doar o modificare a concentraiei n purttori minoritari n baza tranzistorului
la adncimea de ptrundere WE cu o cantitate W.
Putem calcula W prin difereniere. Putem afla dependena W=f(v
CB
) prin tangent.
factor de modulare a grosimii bazei. Efectul perturbaiei v
CB
este similar cu cel
datorat perturbaiei v
EB
mult mai redus datorit valori foarte mici.
Efectul cumulat al celor dou perturbaii v
EB
, v
CB
se poate exprima printr-o relaie
de tipul: i
C
=g
m
v
EB
-g
m
v
CB
.
W
W
n
P
W
n
P
W
n
P
W
W
n
P
W
W
W W
W
W W
W W
W
n
P
W
n
P
A
'
= ' A
'
=
A
' A

A
~
A +
A
<< A
A +
A
=
'
' A
) 0 (
) (
) 0 ( ) (
;
) 0 (
) (
3
10
5
10 ) 0 ( ) (
1
)
1
)( 0 ( ) (
) 0 (
) (

= A ' = ' A =
c
c
A
c
c
' = ' A
A
c
c
'
= ' A A
c
c
= A
q q q
CB
v
KT
q
n
P W
n
P
CB
V
W
W q
KT
CB
v
KT
q
CB
V
W
W q
KT
n
P W
n
P
q
KT
CB
v
CB
V
W
W
n
P
W
n
P
CB
v
CB
V
W
W
oglindete faptul c panta distribuiei triunghiulare a purttorilor minoritari n exces
n baza neutr este mai mic ca urmare a perturbaiei v
CB
.
Schema echivalent care ine cont de toi aceti parametrii este:

dt
CB
v d
dE
C
EB
v g
dt
EB
v d
dE
C
EB
v g
B
i
) ( ) ( A
+ A +
A
+ A = A q
t
q
t
t
t
r
c b
r
c b
g g
1 1
=
'
=
'
=
dE
C
bE
C
dE
C
e b
C C ~ + =
'
=
t bc
C
dE
C
bc
C
c b
C C ~ + =
'
= q

t
q

g
c b
r r
g
c b
g =
'
= = =
'
1 1
m
g
ce
r
o
r
ce
g q = = =
1 1

1
Curs 10
Tranzistoare MOS cu canal iniial
Sunt dispozitive electronice la care conducia curentului are loc la suprafaa semiconductorului respectiv.

Acest dispozitiv este prevzut cu dou puuri unite ntre ele printr-un canal conductiv de tip n. Nu mai
avem jonciuni ca la TJS. Cel de-al doilea electrod, poarta tranzistorului este izolat fa de canal
printr-un strat de oxid, ca urmare rezistena de intrare este foarte mare, motiv pentru care este posibil s
se acumuleze sarcin electrostatic care depind o valoare poate duce la strpungere.
Productorii favorizeaz dispozitivele cu terminalele conectate printr-o foi metalic care este scoas
numai dup plantarea dispozitivului pe circuitul imprimat. Unii productori prefer dispozitivele cu o
diod Zenner ntre poart i mas, care intr n conducie dup ce tensiunea acumulat depete
valoarea tensiunii Zenner a diodei respective. n practic se utilizeaz scule conectate la mas. Dac e
poarta tranzistorului se aplic un potenial mai pozitiv n raport cu sursa acesteia n canalul conductiv
apare o cantitate suplimentar de e
-
i ca urmare curentul prin dispozitiv crete. n acest caz tranzistorul
lucreaz n regim de mbogire. Dac potenialul aplicat pe poarta tranzistorului este mai negativ n
raport cu cel la care se gsete sursa are loc o srcire n purttori de sarcin prezeni n canalul
conductiv al dispozitivului i ca urmare curentul prin dispozitiv scade ceea ce nseamn c tranzistorul
lucreaz n regim de srcire.
Caracteristica de ieire a tranzistorului. Dependena dintre curentul de dren i
tensiunea dren-surs avnd ca parametru tensiunea poart-surs.

Tranzistorul MOS cu canal iniial indus.
Structura este asemntoare cu cea al TEC-MOS cu canal iniial indus cu deosebirea c nu
mai avem canalul fizic ntre cele dou puuri. De ndat ce tensiunea aplicat ntre poart i surs
depete valoarea de tiere, n zona imediat vecin porii tranzistorului apare un canal indus
conductiv, poarta i substratul tranzistorului comportndu-se asemenea unui capacitor. Canalul
respectiv se mbogete i poate conduce numai dac potenialul aplicat e poart este suficient de
mare. Simbolul:


2
Caracteristica de ieire:

Ca i la tranzistorul cu canal iniial distingem la caracteristica de ieire o zon liniar
corespunztoare pentru valori mici ale tensiunii dren-surs unde curentul ce se stabilete prin
dispozitiv este proporional cu tensiunea aplicat, pentru valori mai mari ale lui V
DS
se intr n zona de
saturaie, curentul prin dispozitiv putndu-se exprima printr-o relaie de tipul: i
D
=gV
DS
;
Conductana tranzistorului, g poate fi exprimat printr-o relaie de tipul: g=(V
GS
-V
P
).
- panta []=[Siemens/Volt] iD=(V
GS
-V
P
)V
DS
.
Polarizarea tranzistorului TEC-MOS cu canal iniial.

(1) (2)
3
Dou soluii de polarizare (1) autopolarizare (2) circuit universal de polarizare cu divizor
rezistiv pe poart.
(1) tensiunea necesar polarizrii tranzistorului este culeas pe rezistena R
S
, fiind produs de
curentul propriu al tranzistorului. i
D
; I
S
=I
D
>>I
G
.
n cazul circuitului cu divizor rezistiv, tensiunea de polarizare necesar:


n ircuitul din soluia cu autopolarizare tensiunea de polarizare fiind cea culeas pe R
S
cu (+) n surs i
la mas pentru ca potenialul porii s fie acelai cu al masei montajului este necesar s avem pe R
G
o
cdere de tensiune neglijabil. R
G
, rezistorul de sarcin pentru semnalul util aplicat n poarta
tranzistorului. Ar fi de dorit ca R
G
s fie de valori ct mai ridicate. Compromisul dintre cele dou
cerine, I
G
nanoAmperi, rezult c vom alege pentru R
G
valori de ordinul M. V
GS
=-R
S
I
D
ecuaia
dreptei de negativare Pentru ochiul de la ieire avem:
V
DD
=R
L
I
D
+V
DS
+R
S
I
D
;
C
S
impedan de valoare redus pentru semnale alternative din surs, n DC funcioneaz ca un
ntreruptor deschis
V
DD
=V
DS
+(R
L
+R
S
)I
D
ecuaia dreptei statice de sarcin
n AC R
S
este untat de C
S
, sursa de alimentare V
DD
lucreaz ca un scurtcircuit 0=v
DS
+R
L
i
D
v
DS
=-
R
L
i
D
ecuaia dreptei dinamice de sarcin. n planul caracteristicii de transfer se determin punctul
static de funcionare la intersecia caracteristicii respective cu dreapta de negativare, acest punct
proiectat pe dreapta static de sarcin determin punctul static de funcionare n planul caracteristicii de
ieire, unde poate fi dus i dreapta dinamic de sarcin. Frecvent se pune problema proiectrii unui
circuit care s asigure un anumit PSF pentru tranzistor, caracterizat de i
D
, v
GS
, punct situat n regiunea
D
I
S
R
R R
R
DD
V
GS
V

2 1
2
4
de saturaie, punct situat n regiunea de saturaie. Pentru determinarea PSF-ului de la parametrii
tranzistorului, I
D
,V
P
precum i de la tensiunea de alimentare V
DD
.
Polarizarea tranzistorului cu canal indus.
(1)
Soluia (2) este utilizat atunci cnd se cere pentru intrarea tranzistorului o rezisten de valoare foarte
mare, atunci R
1
,R
2
se aleg de valoare mare, R
3
de valoare identic cu cea impus, fiind dispus ntre
divizor i poarta tranzistorului. Semnalul este aplicat pe poarta tranzistorului.
Au fost trasate caracteristicile de ieire corespunztoare pentru temperaturile de lucru ntlnite. Are loc
deplasarea PSF-ului cu modificarea de temperatur. Se poate realiza o stabilizare prin introducerea
unui rezistor R
S
n sursa tranzistorului. Aceast R
S
are rol stabilizator.
Tranzistorul unijonciune.
2
2 1
2
) 1 (
P
GS
DSS D DS D L DD DD GS
V
V
I I V I R V
R R
R
V V

5

Aceste tranzistoare sunt realizate dintr-o bar de semiconductor de tip n, la capetele fiind realizate
dou contacte ohmice baze: B
1
,B
2
. n zona median prin difuzie este creat o regiune
semiconductoare de tip p i ca urmare o jonciune p-n ia natere, la regiunea p este dispus cel de-al
treilea terminal, botezat emitorul tranzistorului, cnd ntre B
1
i B
2
se aplic 10V, ca urmare dac ntre
emitor i B
1
avem o tensiune aplicat <5V, ntre emitor B
1
are loc o injecie de goluri i deci curentul
care apare ia valori reduse de ordinul A. Cnd tensiunea aplicat n emitor >5V n semiconductorul n
apar purttori de sarcin e
-
, dispozitivul se comport ca o rezisten negativ, curentul crete, iar
tensiunea culeas pe dispozitiv scade. Dup punctul V dispozitivul se comport asemenea unei diode
semiconductoare aflat n conducia direct. Pentru aceste dispozitive sunt specificate n cataloage,
curentul i tensiunile punctelor: M,V.
Tiristorul.
Const din 4 regiuni semiconductoare, cte dou de polaritate complementar, dispuse
alternant. Din punct de vedere al profilului de dopare, regiunile extreme sunt puternic dopate, regiunile
mediane sunt slab dopate. Dispozitivul are 3 terminale, dou fiind A, K, la regiunile extreme, cel de-al
treilea, poarta, la regiunea median p.
Presupunem dispozitivul intercalat ntr-un circuit, coninnd sursele S
1
, S
2
i ntreruptoarele
k
1
, k
2
, presupunem c avem intercalate n serie un ampermetru.
k
1
nchis, S
1
cu polaritatea figurat
n acest caz jonciunile extreme ale dispozitivului sunt polarizate direct, jonciunea median
polarizat invers. Aproape ntreaga tensiune de la bornele sursei S
1
cade de jonciunea median
polarizat invers, rezult c curentul ce se stabilete prin dispozitiv este de valoare redus. Considerm
c inversm polaritatea sursei S
1
, k
2
deschis, cu aceast nou polaritate jonciunile extreme sunt
polarizate invers, jonciunea median polarizat direct. Curentul ce se stabilete este i mai mic n
raport cu cel prezent n situaia anterioar.
S considerm c revenim la polaritatea anterioar a sursei S
1
i n plus nchidem k
2
. Pentru a
nelege fenomenul care permite aprinderea tiristorului, considerm dispozitivul ca fiind realizat prin
juxtapunerea a dou tranzistoare bipolare de polaritate complementar.


6

k
1
, k
2
nchise, jonciunea emitorului tranzistorului T
1
este polarizat direct rezult c e
-
majoritari n
E
1
vor difuza spre baza B
1
unde doar puini dintre ei se vor recombina cu golurile majoritare aici,
majoritatea e
-
vor fi antrenai n colectorul C
1
al tranzistorului T
1
, rezult c T
1
trece n stare de
conducie i potenialul negativ este transferat n baza B
2
a tranzistorului T
2
.Cum n emitorul lui T
2
se
aplic un potenial pozitiv (+), rezult c jonciunea emitorului tranzistorului T
2
este polarizat direct,
ca urmare, golurile majoritare n E
2
vor fi antrenate prin difuzie n baza B
2
, majoritatea lor fiind
captate de colectorul C
2
al tranzistorul T
2
. T
2
este n stare de conducie i ca urmare potenialul pozitiv
din anodul tranzistorului este transmis prin baza B
1
a lui T
1
- reacia de curent intervine, i dup acest
moment dispozitivul rmne n stare de conducie chiar dac k
2
este deschis. Stingerea dispozitivului
poate avea loc doar dac tensiunea aplicat este redus la 0, sau dac curentul scade sub o anumit
valoare, numit curent de meninere I
H
(HOLD). Circuitul de poart pentru tiristor poate fi dimensional
fie pentru funcionare n (1) regim permanent, fie (2) regim de funcionare n impulsuri de scurt
durat.
(1) amorsarea se face n DC
(2) pentru curent de comand care circul un timp scurt
Stingerea tiristorului poate avea loc chiar la valoarea I
H
a curentului numai dac scderea respectiv de
curent este suficient de lent pentru a permite recombinarea purttorilor de sarcin. La viteze mai mari
de scdere a curentului stingerea poate avea loc la valori mai mici ca I
H
sau chiar pentru valori negative
() ale curentului.





Curs 11
Reacia n amplificatoare.
n practic nu exist amplificatoare ideal, capabile s asigure la ieire un semnal identic cu semnalul
aplicat la intrare, multiplicat doar printr-un anumit factor constant. Chiar dac amplificatorul este
suficient de liniar pentru o anumit plaj a tensiunii de la intrare, amplificarea n tensiune se modific
fie datorit variaiilor de tensiune ale sursei, fie din cauze ambientale, rezultnd modificarea
caracteristicilor tranzistorului cu PSF-ul. Aceste efecte pot fi minimizate dac se apeleaz la reacia
negativ.
Schem de fluen a semnalului a unui amplificator bloc reacie, precum i schema
electric. Pe lng amplificatorul de baz sunt prezente un comparator i un atenuator de precizie.
Obinem comparatorul prin modul de conectare al semnalului de intrare V
1
, respectiv semnalul de
reacie V
4
. Atenuatorul de precizie, factorul de atenuare f este realizat cu elemente pasive, mult mai
insensibile la variaii ale tensiunilor de alimentare sau ale temperaturii. Funciile de transfer sunt
independente de frecven. Se poate neglija ncrcarea pe care o realizeaz atenuatorul de precizie
pentru amplificatorul de baz. Putem considera amplificatorul de baz cu R
in
iar R
out
=0. Semnalul
de reacie V
4
=V
3
semnalul de la ieire multiplicat cu factorul f.
V
4
=fV
3
; V
3
=aV
2
; V
2
=V
1
-V
4
. A
vf
reprezint amplificarea n tensiune cu reacie.
n prezena reacie amplificarea a amplificatorului de baz a fost eliminat i ca urmare A
vf
depinde
numai de f, poate fi controlat cu mai mult precizie deoarece atenuatorul de precizie este construit cu
elemente mai puin sensibile la variaia de temperatur. A
vf
este independent de a atunci cnd a>>1.
Deoarece V
2
care l produce pe V
3
este diferen ntre dou tensiuni mult mai mari i ca urmare dac a
scade de dou ori este suficient o mic variaie a V
3
pentru a avea asigurat dublarea lui V
2
i prin
urmare compensarea pierderii de amplificare. Dei ne-am referit doar la amplificarea de tensiune
scopul este altul, o simpl amplificare de tensiune putnd fi obinut i cu un transformator. Ceea ce ne
intereseaz este amplificarea puterii astfel nct s putem aplica sarcinii o putere substanial, funcie
de necesitile impuse de aceast sarcin.
O variaie a amplificrii amplificatorului de baz este atenuat pentru amplificatorul cu reacie prin
factorul 1/(1+af). Dac presupunem c af=99 c o variaie de 10% a amplificrii amplificatorului
de baz este concretizat pentru ieirea amplificatorului cu reacie printr-o variaie de doar 0,01% a
f
vf
A a
af
a
V
V
vf
A
V fa V
V a
V f V
V a
V V
V
V
V
vf
A
1
; 1
1
1
3
2 2
2
3 2
2
4 2
3
1
3

a
da
af
vf
A
vf
dA
da
af
vf
dA
) 1 (
1
2
) 1 (
1

amplificrii globale. Aplicarea reacie are ca efect reducerea amplificrii obinute prin acelai factor
1/(1+af).
Amplificarea global este redus prin acelai factor prin care este redus variaia amplificrii
amplificatorului de baz. O reducere de 100 de ori a variaie amplificrii de baz, antreneaz o reducere
tot de 100 de ori a amplificrii globale A
vf
. n schimb o amplificare nestabilizat se obine cu uurin
prin adugarea de mai multe etaje cnd aducerea amplificrii nestabilizate la stabilitate nu este o
limitarea serioas cnd asemenea etaje sunt dispuse n partea circuitului unde semnalele sunt de
tensiuni joase i cnd pierderea pe care o avem n partea circuitului care vehiculeaz puteri mari poate
fi uor compensat. Uzual spunem c reacia este negativ dac a i f au acelai semn. n practic
putem considera reacia ca fiind negativ dac o modificare a lui f antreneaz o scdere a lui A
vf
.
Amplificatoarele nu sunt liniare nsemnnd c nu asigur aceeai amplificare pe ntreaga plaj de
variaie a semnalului de la intrare. Considerm un amplificator cu urmtoarea caracteristic de transfer:
Se observ c distingem mai multe poriuni liniare i ca urmare putem analiza separat fiecare poriune.
Dac introducem o reacie negativ, caracteristica de transfer obinut va fi mai liniar deoarece reacia
negativ are rolul de a elimina neliniaritile amplificatorului de baz. Considerm pentru tensiunea de
la ieire V
3

variind ntre 1 i +1V panta caracteristicii este 1000, iar pentru plaja ntre 1 i 3,5,
respectiv 1 i 3,5V panta este de 100. Datorit neliniaritii circuitului analiza nu mai poate fi
efectuat n domeniul frecven ci n domeniul timp. v
3
(t)=av
2
(t)
v
4
(t)=fv
3
(t) v
2
(t)=v
1
(t)-v
4
(t) a=0,1
Aplicarea reaciei negative reduce variaia amplificrii amplificatorului de baz printr-un raport de
10:1. Adic schimbarea intervalului n amplificare este de la 9,9 la 9,1 dei plaja de variaie a
semnalului de intrare a rmas aceeai. Preul pltit pentru acest avantaj este reducerea amplificrii cu
acelai factor. Pierderea n amplificare poate fi refcut adugnd un nou amplificator la intrarea
amplificatorului de reacie, acesta putnd fi proiectat s nu introduc nici o distorsiune. Prin aceast
aciune se reduce amplificarea prii din sistem care comand semnale mari pentru a mbunti
fidelitatea la semnale mari, i se transfer aceast sarcin prii care amplific semnalele mici i deci
ale cror distorsiuni sunt mici.

Caracteristica de transfer n prezena reaciei:
af a
vf
A

1
1
af
a
v
v
vf
A
t v t v t v t v t v t v t v t v

1
1
3
) (
1
1 . 9 ) (
3
) (
1
1 . 0 100 1
100
) (
3
) (
1
9 . 0 ) (
3
); (
1
1 . 0 1000 1
1000
) (
3
Evident prezena reacie nu poate elimina n totalitate toate neliniaritile n caracteristica de transfer,
exist o anumit limit pentru care a 0 i A
vf
0. n situaiile extreme ale tranzistorului blocat,
saturat reacia nu poate s mai intervin.
Efectul reaciei asupra semnalelor parazite.
Semnale parazite:
a) datorate surselor de alimentare
b) zgomotul datorat agitaiei termice
c) diafonie atunci cnd n vecintatea amplificatorului respectiv sunt i alte amplificatoare
Toate acestea conduc la reducerea performanelor amplificatorului respectiv. Reducerea efectelor
acestor zgomote se poate face prin reacia negativ. Presupunem c zgomotul este prezent la intrarea
amplificatorului de baz, n acest caz, schema bloc electric:



ntr-o asemenea situaie, practic prezena reaciei nu are nici o influen, ca i cum nu ar exista.


n
V
V
N
S
n
V
af
a
V
af
a
V
1
1
1
1
3

Reacia n aceast situaie nu mbuntete raportul semnal/zgomot, rezult c putem renuna la reacie
dac zgomotul se aplic n acelai punct cu semnalul util. Presupunem c zgomotul se aplic n alt
punct.

Raportul semnal/noise este majorat de a
1
ori fa de situaia anterioar. Deci dac este posibil s se
construiasc un amplificator a
1
care nu este afectat de zgomot asemenea lui a
2
atunci este posibil s
mbuntim raportul semnal/zgomot al amplificatorului a
2
cu ajutorul reaciei. Rezult c zgomotul V
n

nu poate fi un zgomot de agitaie termic, deoarece acesta afecteaz n aceeai msur i pe a
1
i pe a
2
.
El poate fi un zgomot de reea al sursei de intrare, cnd intensitatea curentului de colector fiind de
ordinul amperilor este dificil pentru sursa de alimentare respectiv s asigure un filtraj corespunztor.
Cum ns etajele precedente funcioneaz cu o amplificare mai mic pentru acestea putem asigura
filtrarea sursei de alimentare, rezult c este mai raional s reprezentm amplificatorul de ieire de
putere prin blocul a
2
i s considerm blocul V
n
ca fiind zgomotul sursei de alimentare. Amplificatorul
a
1
este a l doilea amplificator care funcioneaz la nivele de semnal mult mai mici i deci poate fi
alimentat de la o surs bine filtrat. Presupunem c a
2
are o amplificare unitar de tensiune dar un
ctig mare de putere i c zgomotul sursei de alimentare de 100 Hz are amplificarea de 1V. Locul
exact unde intervine zgomotul V
n
nu este impus n aceast discuie. Presupunem c este aplicat la
intrarea lui a
2
, dar c semnalul activ de la V
1
are 1V rezult cnd a
2
funcioneaz singur avem S/N=1.
Dac presupunem a
1
are amplificarea egal cu 100 i n plus funcioneaz fr zgomot, iar reeaua de
reacie are f=1, rezult c tensiunea de ieire va conine un semnal util de aproximativ 1V aplicat la
intrarea comparatorului, zgomotul va fi redus de 101 ori. Putem utiliza reacia pentru reducerea
zgomotului numai dac putem realiza un al doilea amplificator care s asigure o amplificare
substanial i un raport S/N substanial mai bun ca raportul amplificatorului de baz. Se pot minimiza
zgomotele n etajul de amplificare unde nu intervine obiectivul unei amplificri mari de putere sau a
unei puteri mari de ieire.

n
V
V a
N
S
n
V
f a a
a
V
f a a
a a
V
1 1
2 1
1
2
1
2 1
1
2 1
3

7 . 2
31
1 1
1
;
1

E
R
F
R
f
F
R
E
R
E
R
f
o
V
F
R
E
R
E
R
f
V
f
in
V
o
V
vf
A